JP3248192B2 - Jig and method for extracting wafer surface elements - Google Patents
Jig and method for extracting wafer surface elementsInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、ウェハー表面に残留
あるいは吸着している種々の汚染物質(以下、ウェハー
表面元素という)の抽出治具及び方法に関する。さらに
詳しくは、この発明は、少量の抽出液で正確に効率よく
ウェハー表面元素を抽出するためのウェハー表面元素の
抽出治具及びその抽出治具を用いたウェハー表面元素の
抽出方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a jig and a method for extracting various contaminants (hereinafter referred to as "wafer surface elements") remaining or adsorbed on a wafer surface. More specifically, the present invention relates to a wafer surface element extraction jig for accurately and efficiently extracting a wafer surface element with a small amount of extract, and a method for extracting a wafer surface element using the extraction jig.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体素子の性能と信頼性は、ウェハー
表面の汚染に大きく影響されることから、表面汚染の発
生を如何に低下させるか、そして生じた汚染を洗浄除去
するかが重要となっており、そのために表面汚染を正確
に分析することも重要となっている。2. Description of the Related Art Since the performance and reliability of semiconductor devices are greatly affected by the contamination of the wafer surface, it is important to reduce the occurrence of surface contamination and to remove the generated contamination by cleaning. Therefore, it is also important to accurately analyze surface contamination.
【0003】例えば、現在、VLSIの配線材料として
はTiONやTiW等のバリアメタルを用いたTi/T
iON/Al−Si等のバリアメタル構造のものが用い
られてきており、また、リソグラフィー工程では、下地
となるAl表面からの反射光を防止するために、TiO
N、α−Si等のバリアメタルからなる反射防止膜の採
用が試みられている。このような所謂Al多層膜を用い
た素子では異種金属が接触しているため、塩素系のドラ
イエッチングをした後には残留塩素によりアフターコロ
ージョンと呼ばれるAl腐蝕が発生しやすい。このた
め、残留塩素の除去と共にその検出方法を開発すること
が重要な課題となり、種々の方法が提案されている。For example, at present, as a wiring material of VLSI, Ti / T using a barrier metal such as TiON or TiW is used.
A barrier metal structure such as iON / Al-Si has been used. In the lithography process, TiO 2 is used to prevent reflected light from the underlying Al surface.
Attempts have been made to employ an antireflection film made of a barrier metal such as N or α-Si. In such an element using a so-called Al multilayer film, since different kinds of metals are in contact with each other, after chlorine-based dry etching, Al corrosion called after-corrosion is likely to occur due to residual chlorine. For this reason, it has become an important issue to develop a method for detecting residual chlorine and to remove it, and various methods have been proposed.
【0004】これまでに残留塩素の定量方法に関し、溶
液中の塩素の定量方法としてはイオンクロマトグラフィ
ーが完成した技術として利用されている。そして、この
イオンクロマトグラフィーの試料液を得るために、ウェ
ハー表面から残留塩素を抽出する方法としては、純水の
中にウェハーを浸漬して抽出する方法、あるいはウェハ
ー上に純水を表面張力で保持させて抽出する方法等が行
われている。[0004] Regarding the method of quantifying residual chlorine, ion chromatography has been used as a completed technique as a method of quantifying chlorine in a solution. Then, in order to obtain a sample solution for this ion chromatography, as a method of extracting residual chlorine from the wafer surface, a method of extracting the wafer by immersing it in pure water or a method of extracting pure water on the wafer with a surface tension. There is a method of holding and extracting.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、純水の
中にウェハーを浸漬する方法によれば、抽出溶媒の量が
多くなり、そのために抽出液中の塩素濃度が低くなるの
で、残留塩素の測定誤差が大きくなりやすいという問題
点がある。また、ウェハー上に純水を表面張力で保持さ
せる方法によれば、十分に抽出するために抽出時間を長
くするとウェハー上の純水の相当量が蒸発し、抽出液中
の塩素濃度が変化する。この濃度変化は純水を保持した
ウェハーの周囲の温度や湿度等の抽出環境に大きく依存
するため、このようにして得られる残留塩素の値はウェ
ハーの抽出環境に依存したものとなるという問題点があ
る。However, according to the method of immersing the wafer in pure water, the amount of the extraction solvent is increased, and the concentration of chlorine in the extract is reduced. There is a problem that the error tends to increase. According to the method of holding pure water on the wafer at surface tension, when the extraction time is extended to sufficiently extract, a considerable amount of pure water on the wafer evaporates, and the chlorine concentration in the extract changes. . Since this concentration change greatly depends on the extraction environment such as the temperature and humidity around the wafer holding pure water, the value of the residual chlorine obtained in this way depends on the extraction environment of the wafer. There is.
【0006】この発明は以上のような従来技術の課題を
解決しようとするものであり、少量の抽出液を使用し
て、周囲の抽出環境の影響を受けることなく、正確に効
率よくウェハー表面元素を抽出できるようにすることを
目的としている。[0006] The present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and uses a small amount of extract, accurately and efficiently without affecting the surrounding extraction environment. The purpose is to be able to extract.
【0007】上記の目的を達成するため、この発明は、
ウェハー表面元素の抽出液を入れる下皿とその下皿を覆
う上蓋からなるウェハー表面元素の抽出治具であって、
下皿は、ウェハー表面元素の抽出面が下皿の底面に向く
ようにウェハーを下皿の内部で支持する支持手段を有
し、上蓋は、抽出治具の内容積が小さくなるように下皿
に嵌入して下皿を覆うことができ、上蓋の端部は、下皿
に嵌入したときにその上蓋の端部と下皿の内側壁との間
に空隙が形成されるようにテーパー状にカットされてお
り、且つテーパー状にカットされた上蓋の端部と下皿の
内側壁とがなす角度が10度以上であることを特徴とす
るウェハー表面元素の抽出治具を提供する。[0007] In order to achieve the above object, the present invention provides:
A extraction jig wafer surface elements ing from upper lid for covering the lower tray and lower tray thereof contain an extract of the wafer surface element,
In the lower plate, the extraction surface of the wafer surface element faces the bottom of the lower plate
A supporting means for supporting a wafer within the lower tray as upper lid is extracted under dish fitted into lower tray as the internal volume of the jig is reduced can be covered, the edge portion of the upper lid The lower plate
Between the end of the upper lid and the inner wall of the lower plate
Is cut in a tapered shape so that a void is formed
Of the upper lid and the lower plate
Provided is a jig for extracting an element on a wafer surface , wherein an angle formed between the inner wall and the inner wall is 10 degrees or more.
【0008】また、このようなウェハー表面元素の抽出
治具を使用するウェハーの表面元素の抽出方法として、
下皿内にウェハーをそのウェハー表面元素の抽出面が下
皿の底面に向くように設置し、下皿の底面とウェハー表
面元素の抽出面との間に抽出液を満たし、上蓋をしてウ
ェハー表面元素を抽出する方法を提供する。Further, as a method for extracting a surface element of a wafer using such a jig for extracting a surface element of a wafer,
Place the wafer in the lower plate so that the extraction surface of the wafer surface element faces the bottom surface of the lower plate, fill the extraction solution between the bottom surface of the lower plate and the extraction surface of the wafer surface element, cover the wafer, and place the wafer on top. A method for extracting a surface element is provided.
【0009】このようにこの発明のウェハー表面元素の
抽出治具は、特徴的な形状を有する下皿と上蓋からな
る。As described above, the jig for extracting elements on the wafer surface according to the present invention comprises the lower plate and the upper lid having characteristic shapes.
【0010】下皿内でウェハーを支持するために設ける
支持手段は、ウェハーを下皿の底面付近で支持できるよ
うにするものが好ましく、下皿の底面あるいは側面に設
けられた突起、段差等から構成することができる。この
場合、突起等は必ずしも下皿内に固定されている必要は
なく、取り外しができるようなものとしてもよい。ま
た、突起等はウェハーの支持点が3カ所以上となるよう
に設けることが好ましく、側面に設ける場合にはその全
周に設けてもよい。[0010] The supporting means provided for supporting the wafer in the lower plate is preferably one capable of supporting the wafer near the bottom surface of the lower plate. Can be configured. In this case, the projection or the like does not necessarily need to be fixed in the lower plate, and may be removable. Further, the projections and the like are preferably provided so that the number of supporting points of the wafer is three or more. When provided on the side surface, they may be provided on the entire circumference.
【0011】このような支持手段を設けることにより、
下皿の底部付近でウェハーを設置することが容易とな
る。また、その際ウェハーを、ウェハー表面元素の抽出
面が下皿の底面に向くように設置し、下皿の底面とウェ
ハー表面元素の抽出面との間に抽出液を満たせば、少量
の抽出液でウェハー表面元素を抽出することが可能とな
る。By providing such support means,
It becomes easy to place the wafer near the bottom of the lower plate. Also, at this time, the wafer is placed so that the extraction surface of the wafer surface element faces the bottom of the lower plate, and the extraction solution is filled between the bottom surface of the lower plate and the extraction surface of the wafer surface element. It becomes possible to extract the wafer surface element by the method.
【0012】下皿の内径は試料とするウェハーの大きさ
応じて適宜定めることができ、一般にはウェハーの口径
よりも1〜2mm程度大きくすることが好ましい。この
ような大きさの下皿内にウェハーを設置し、上述のよう
に下皿の底面とウェハー表面元素の抽出面との間に抽出
液を満たすことにより、抽出液の界面のほとんど全てが
ウェハー自体で覆われることになるので、抽出液が蒸発
して抽出液中のウェハー表面元素に濃度変化が生じるこ
とを有効に防止することが可能となる。The inner diameter of the lower plate can be appropriately determined according to the size of the wafer as a sample, and is generally preferably about 1 to 2 mm larger than the diameter of the wafer. By placing the wafer in a lower dish of such a size and filling the extract between the bottom surface of the lower dish and the extraction surface of the wafer surface element as described above, almost all of the interface of the extract is the wafer. Since the extract is covered by itself, it is possible to effectively prevent the extract from evaporating and causing a change in concentration of the element on the wafer surface in the extract.
【0013】図2はこの発明の一実施例の抽出治具の側
壁付近の部分断面図である。このようにこの発明の上蓋
1は、単に下皿2を蓋して覆うだけでなく、抽出治具の
内容積が小さくなるように下皿2の中に嵌入する。これ
により抽出液3が蒸発する容積が狭まるので、その蒸気
が飽和するまでの蒸発量も少なくなり、抽出液の飽和水
蒸気量分の水分の蒸発を減少させることが可能となる。FIG. 2 is a partial sectional view of the vicinity of a side wall of the extraction jig according to one embodiment of the present invention. As described above, the upper lid 1 of the present invention not only covers and covers the lower plate 2 but also fits into the lower plate 2 so as to reduce the internal volume of the extraction jig. As a result, the volume of the extracted liquid 3 that evaporates is reduced, so that the amount of evaporation until the vapor is saturated is also reduced, and it is possible to reduce the evaporation of water by the amount of the saturated water vapor of the extract.
【0014】また、上蓋1は、下皿2を蓋した場合に下
皿2内に嵌入する部分の端部1aがテーパー付けされて
いる。このテーパーの角度としては、通常は、上蓋の端
部1aが下皿2の内側壁2aに対して形成する空隙Aが
10度以上となるようにする。このようなテーパー付け
された空隙Aが形成されることなく、図3に示すように
上蓋10と下皿20が擦り合せられていると、例えば下
皿が石英ガラス製で下皿に入れる抽出液が水である場合
のように、抽出液3が下皿に対して濡れ性を有して抽出
液の界面が下皿の側壁で上方に切れ上がる場合には、抽
出治具の内容積を小さくするために上蓋10を下皿20
へ深く嵌入させると抽出液3は図中矢印で示したように
毛細管現象により上蓋10と下皿20との擦り合せ部B
に侵入して逸出することとなる。これに対し、図2に示
すように、上蓋1の端部1aがテーパー付けされ、空隙
Aが形成されていると、抽出液3が毛細管現象により失
われることはない。The upper lid 1 has a tapered end 1a at a portion that fits into the lower plate 2 when the lower plate 2 is covered. Usually, the angle of the taper is such that the gap A formed by the end 1a of the upper lid with the inner wall 2a of the lower plate 2 is 10 degrees or more. If the upper lid 10 and the lower plate 20 are rubbed as shown in FIG. 3 without forming such a tapered space A, for example, the lower plate is made of quartz glass and the extract is put in the lower plate. When the extract 3 has wettability with respect to the lower plate and the interface of the extract is cut upward on the side wall of the lower plate, as in the case where is water, the internal volume of the extraction jig is reduced. The upper lid 10 to the lower plate 20
When the extract 3 is inserted deeply into the container, the extract 3 is rubbed between the upper lid 10 and the lower plate 20 by capillary action as shown by the arrow in the figure.
Will invade and escape. On the other hand, as shown in FIG. 2, when the end 1a of the upper lid 1 is tapered and the gap A is formed, the extract 3 is not lost by the capillary phenomenon.
【0015】[0015]
【作用】この発明のウェハー表面元素の抽出治具の下皿
はウェハーを内部に支持する支持手段を有しているの
で、下皿内にウェハーを設置することが容易となる。そ
の際、ウェハー表面元素の抽出面を下皿の底面に向けて
設置し、下皿の底面とウェハー表面元素の抽出面との間
に抽出液を満たすようにすると、抽出液の使用量を少量
化することが可能となると共に抽出液の蒸発による濃度
変化も防止することが可能となる。According to the present invention, since the lower plate of the jig for extracting the element on the surface of the wafer has the support means for supporting the wafer inside, the wafer can be easily set in the lower plate. At this time, if the extraction surface of the wafer surface element is placed facing the bottom of the lower plate and the extraction liquid is filled between the bottom surface of the lower plate and the extraction surface of the wafer surface element, the amount of extract used will be small. And a change in concentration due to evaporation of the extract can be prevented.
【0016】また、上蓋は下皿に嵌入して下皿を覆うの
で、抽出治具の内容積が小さくなるので、抽出液の蒸発
による水蒸気量分の水分の蒸発を低減させることが可能
となる。Further, since the upper lid is fitted into the lower plate to cover the lower plate, the internal volume of the extraction jig is reduced, so that the evaporation of water by the amount of water vapor due to the evaporation of the extract can be reduced. .
【0017】さらに、下皿に嵌入した上蓋の端部は下皿
の内側壁に対して角度10度以上の空隙を形成するの
で、任意の抽出液を使用し、かつ抽出治具の内容積を十
分に小さくするために上蓋を深く下皿に嵌入させる場合
でも、抽出液が毛細管現象により逸出することが防止さ
れる。Furthermore, since the end of the upper lid fitted into the lower plate forms a space with an angle of 10 degrees or more with respect to the inner wall of the lower plate, an arbitrary extraction liquid is used, and the inner volume of the extraction jig is reduced. Even when the upper lid is inserted deeply into the lower plate to make it sufficiently small, the extract is prevented from escaping due to capillary action.
【0018】[0018]
【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づいて具
体的に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.
【0019】図1はこの発明の一実施例のウェハー表面
元素の抽出治具内にウェハーを設置し、抽出液を入れた
状態の断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a state in which a wafer is placed in a jig for extracting elements on a wafer surface according to one embodiment of the present invention, and an extraction solution is filled therein.
【0020】同図に示したように、この実施例の抽出治
具は上蓋1と下皿2からなり、この下皿2の底面の外周
付近には複数の突起2bがほぼ等間隔に設けられてい
る。また、下皿2に嵌入した上蓋1の端部1aは、下皿
2の内側壁2aに対する空隙の角度Aが10度となるよ
うにテーパーカットされている。As shown in FIG. 1, the extraction jig of this embodiment comprises an upper lid 1 and a lower plate 2, and a plurality of projections 2b are provided at substantially equal intervals near the outer periphery of the bottom surface of the lower plate 2. ing. The end 1a of the upper lid 1 fitted in the lower plate 2 is tapered so that the angle A of the gap with respect to the inner wall 2a of the lower plate 2 is 10 degrees.
【0021】ウェハー4は、下皿2の突起2b上に抽出
面を下向きにして設置されている。また、このウェハー
4の外周部と下皿2の内側壁2aとの間隙Cは0.5〜
1mm程度となっている。The wafer 4 is placed on the projection 2b of the lower plate 2 with the extraction surface facing downward. The gap C between the outer peripheral portion of the wafer 4 and the inner wall 2a of the lower plate 2 is 0.5 to
It is about 1 mm.
【0022】抽出液3は、下皿2の底面とウェハー4の
抽出面との間を満たすように入れられている。このよう
に抽出液3を入れる方法としては、例えば、ウェハー4
を下皿2に設置後、ウェハー4に一般に設けられている
オリエーテンションフラット(図示せず)の開口部から
抽出液3を滴下すればよい。なお、抽出終了後に抽出液
3を採取する方法としても、オリエーテンションフラッ
トの開口部を利用すれば容易に行うことができる。The extraction liquid 3 is filled so as to fill the space between the bottom surface of the lower plate 2 and the extraction surface of the wafer 4. As a method for putting the extract 3 in this way, for example, the wafer 4
Is placed on the lower plate 2 and the extract 3 may be dropped from an opening of an orientation flat (not shown) generally provided on the wafer 4. In addition, the method of collecting the extract 3 after the completion of the extraction can be easily performed by using the opening of the orientation flat.
【0023】下皿2に滴下した抽出液3の液量を求める
には、滴下すべき液量は下皿2の底面面積と突起2bの
高さの積から容易に算出できるので、予め滴下する液量
を計量しておけばよい。あるいは、下皿2の底面とウェ
ハー4の抽出面との間を抽出液3で満した場合の前後で
重量を測定するようにし、その重量差から抽出液3の液
量を算出してもよい。In order to determine the amount of the extract 3 dropped onto the lower plate 2, the amount to be dropped can be easily calculated from the product of the area of the bottom surface of the lower plate 2 and the height of the projection 2b. The liquid volume may be measured. Alternatively, the weight may be measured before and after the space between the bottom surface of the lower plate 2 and the extraction surface of the wafer 4 is filled with the extract 3, and the amount of the extract 3 may be calculated from the weight difference. .
【0024】ウェハー表面元素の抽出は、図示した状態
で所定時間放置することにより行う。この場合、図示し
た状態が保持される限り、表面元素の抽出効率をあげる
ための種々の操作を加えることができる。たとえば、ウ
ェハー4が40℃程度になるように抽出治具を加熱、保
温することができ、また、超音波を照射してもよい。こ
のような操作を加えても、抽出液3が上蓋1と下皿2と
の擦り合せ部から毛細管現象により逸出することはな
く、また蒸発による抽出液の減少量も極めて僅かであ
り、少量の抽出液3で再現性よく高精度にウェハー表面
元素を抽出することが可能となる。The extraction of the wafer surface elements is performed by leaving the wafer in the state shown in the figure for a predetermined time. In this case, various operations for improving the extraction efficiency of the surface elements can be added as long as the illustrated state is maintained. For example, the extraction jig can be heated and kept warm so that the temperature of the wafer 4 is about 40 ° C., and ultrasonic waves may be applied. Even if such an operation is added, the extract 3 does not escape from the portion where the upper lid 1 and the lower plate 2 are rubbed by capillary action, and the amount of extract decrease due to evaporation is extremely small. It is possible to extract the element on the wafer surface with high reproducibility and high accuracy by using the extraction liquid 3 described above.
【0025】なお、この発明のウェハー表面元素の抽出
治具の形成材料としては、抽出すべき元素を含まず、抽
出液に侵されないものであれば、抽出すべき元素や使用
する抽出液の種類に応じて、種々のものを使用すること
ができる。例えば、透明な石英、あるいはテフロンなど
を使用することができる。また、使用する抽出液の種類
も抽出すべき元素の種類に応じて、純水、酸、アルカ
リ、有機溶媒などから適宜定めることができ、例えば、
ハロゲン系のイオンを抽出する場合には純水を使用する
ことができ、手汚れによる脂肪などを抽出する場合には
有機溶媒を使用することができる。The material for forming the jig for extracting elements on the wafer surface according to the present invention may be any material which does not contain the element to be extracted and which is not affected by the extract. Various ones can be used according to. For example, transparent quartz or Teflon can be used. In addition, the type of the extract to be used can also be appropriately determined from pure water, an acid, an alkali, an organic solvent, etc., depending on the type of the element to be extracted.
Pure water can be used to extract halogen-based ions, and organic solvents can be used to extract fats and the like due to hand soiling.
【0026】[0026]
【発明の効果】この発明によれば、少量の抽出液を使用
して、周囲の抽出環境の影響を受けることなく、正確に
効率よくウェハーからウェハー表面元素を抽出すること
が可能となる。According to the present invention, it is possible to accurately and efficiently extract a wafer surface element from a wafer by using a small amount of extract without being affected by the surrounding extraction environment.
【図1】図1は、この発明のウェハー表面元素の抽出治
具の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a jig for extracting elements on a wafer surface according to the present invention.
【図2】図2は、この発明のウェハー表面元素の抽出治
具の側壁付近の部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the vicinity of a side wall of the jig for extracting a wafer surface element according to the present invention.
【図3】図3は、テーパー付けされていない上蓋と下皿
の組合わせからなる抽出治具の側壁付近の部分断面図で
ある。FIG. 3 is a partial cross-sectional view of the vicinity of a side wall of an extraction jig composed of a combination of an upper lid and a lower plate that are not tapered.
1 上蓋 1a 下皿に嵌入している上蓋の端部 2 下皿 2a 下皿の内側壁 2b 突起 3 抽出液 4 ウェハー A 上蓋の端部1aと下皿の内側壁2aとの空隙 C ウェハー4の外周部と下皿の内側壁2aとの間隙 Reference Signs List 1 upper lid 1a end of upper lid fitted into lower plate 2 lower plate 2a inner wall of lower plate 2b projection 3 extract 4 wafer A gap between end 1a of upper lid and inner wall 2a of lower plate C wafer 4 Gap between outer periphery and inner wall 2a of lower plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/66 G01N 1/28 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/66 G01N 1/28
Claims (2)
とその下皿を覆う上蓋からなるウェハー表面元素の抽出
治具であって、下皿は、ウェハー表面元素の抽出面が下
皿の底面に向くようにウェハーを下皿の内部で支持する
支持手段を有し、上蓋は、抽出治具の内容積が小さくな
るように下皿に嵌入して下皿を覆うことができ、上蓋の
端部は、下皿に嵌入したときにその上蓋の端部と下皿の
内側壁との間に空隙が形成されるようにテーパー状にカ
ットされており、且つテーパー状にカットされた上蓋の
端部と下皿の内側壁とがなす角度が10度以上であるこ
とを特徴とするウェハー表面元素の抽出治具。1. A jig for extracting a wafer surface element comprising a lower plate for holding an extract of a wafer surface element and an upper lid for covering the lower plate, wherein the lower plate has a lower surface for extracting the wafer surface element. The upper cover has a support means for supporting the wafer inside the lower plate so as to face the lower plate, and the upper cover can be fitted into the lower plate so as to reduce the internal volume of the extraction jig, and cover the lower plate. The portion is tapered so that a gap is formed between the end of the upper lid and the inner wall of the lower plate when fitted into the lower plate, and the end of the upper lid cut in a tapered shape. A jig for extracting an element on a wafer surface, wherein an angle formed between the portion and an inner wall of the lower plate is 10 degrees or more.
治具を使用するウェハー表面元素の抽出方法において、In the method of extracting a wafer surface element using a jig,
下皿内にウェハーをそのウェハー表面元素の抽出面が下Place the wafer in the lower dish with the extraction surface of the wafer surface element down.
皿の底面に向くように設置し、下皿の底面とウェハー表Place it so that it faces the bottom of the plate,
面元素の抽出面との間に抽出液を満たし、上蓋をしてウFill the extraction liquid between the surface element extraction surface and cover
ェハー表面元素を抽出する方法。A method for extracting surface elements.
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| JP08186091A JP3248192B2 (en) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | Jig and method for extracting wafer surface elements |
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| KR100832107B1 (en) * | 2007-02-15 | 2008-05-27 | 삼성전자주식회사 | Pollution testing apparatus and method, and reticle cleaning equipment and method using the apparatus |
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