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JP3255084B2 - Package for electronic component, method of manufacturing the same, and electronic component - Google Patents
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JP3255084B2 - Package for electronic component, method of manufacturing the same, and electronic component - Google Patents

Package for electronic component, method of manufacturing the same, and electronic component

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JP3255084B2
JP3255084B2 JP15287197A JP15287197A JP3255084B2 JP 3255084 B2 JP3255084 B2 JP 3255084B2 JP 15287197 A JP15287197 A JP 15287197A JP 15287197 A JP15287197 A JP 15287197A JP 3255084 B2 JP3255084 B2 JP 3255084B2
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electronic component
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品用パッケ
ージ、その製造方法および電子部品に関し、特にアレイ
状外部接続用端子付き多層パッケージ、それを使用した
半導体装置およびそれらの製造方法に関し、より詳しく
は、電解メッキによってメッキ処理がなされたPGA
(Pin Grid Array)やBGA(Ball Grid Array )など
のアレイ状外部接続用端子付き多層パッケージ、その製
造方法および当該多層パッケージを使用した半導体装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a package for an electronic component, a method of manufacturing the same, and an electronic component, and more particularly to a multilayer package having an array of external connection terminals, a semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same. Is PGA plated by electrolytic plating
The present invention relates to a multilayer package with an array-like external connection terminal such as a (Pin Grid Array) or a BGA (Ball Grid Array), a method of manufacturing the same, and a semiconductor device using the multilayer package.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、IC、LSIは高集積化が進み、
IC、LSIを搭載するパッケージの外周端子数として
500以上のものが現れている。
2. Description of the Related Art In recent years, ICs and LSIs have been highly integrated,
More than 500 peripheral terminals have appeared on packages on which ICs and LSIs are mounted.

【0003】一方、IC、LSIの高速化も顕著であ
り、高速信号の劣化を抑えるためにパッケージは多層化
が進んでいる。
On the other hand, the speed of ICs and LSIs has been remarkably increased, and the number of packages has been increased in order to suppress deterioration of high-speed signals.

【0004】これらのことから、パッケージは、4辺に
外部端子が形成されたQFP(QuadFlat Package )か
ら、多層化が容易でしかも外部端子をアレイ状に取り出
すことによって多ピン化も容易なPGAやBGA等のア
レイ状外部接続用端子付き多層パッケージに主流が移り
つつある。
[0004] From these facts, a package is easily packaged from a QFP (Quad Flat Package) having external terminals formed on four sides, and the external terminals are taken out in an array to form a PGA or a multi-pin package. The mainstream is shifting to a multilayer package with terminals for external connection such as a BGA.

【0005】これらアレイ状外部接続用端子付き多層パ
ッケージは、ワイヤーボンディングやTAB(Tape Aut
omated Bonding)あるいはフリップチップ等の方法によ
りICと接続される。ICと接続するためにパッケージ
表面に露出させた導体部分(半導体素子接続用端子、以
下パッドという。)にはメッキ処理が施される。また、
マザーボード等の基板に接続するためのピン等の外部接
続用端子にもメッキ処理が施される。これらのメッキ処
理は接続の信頼性を高めるために行われる。
[0005] These multilayer packages with terminals for external connection are formed by wire bonding or TAB (Tape Aut).
It is connected to the IC by a method such as omated bonding or flip chip. A conductor portion (semiconductor element connection terminal, hereinafter referred to as a pad) exposed on the package surface for connection with the IC is subjected to plating. Also,
External connection terminals such as pins for connecting to a substrate such as a motherboard are also plated. These plating processes are performed to increase the reliability of the connection.

【0006】メッキは通常、パッド部やピン等の表面に
Ni被膜を形成し、さらにその上にAu被膜を形成する
ことにより行う。このメッキ処理の方法として、無電解
メッキ処理と電解メッキ処理の2つの方法が挙げられ
る。
[0006] Plating is usually performed by forming a Ni film on the surface of a pad portion or a pin, and then forming an Au film thereon. As a plating method, there are two methods of electroless plating and electrolytic plating.

【0007】無電解メッキ処理は、金属を溶解させたメ
ッキ液中にパッケージを浸漬し、外部電流を用いずに電
気化学的な作用により、パッケージのパッド部及びピン
等にメッキ被膜を形成する方法である。この方法は、外
部から電流を流すためのメッキ用電極が不要であること
の他、パッケージ内部でメッキ用電極とパッド、ピン等
を電気的に接続するための配線(以下メッキ用引き出し
線)も不要であり、パッケージをメッキ液中に浸漬する
のみでメッキ処理を行うことができるという優れた利点
を有する。
In the electroless plating, a package is immersed in a plating solution in which a metal is dissolved, and a plating film is formed on pad portions and pins of the package by an electrochemical action without using an external current. It is. This method not only eliminates the need for a plating electrode for passing an electric current from the outside, but also provides wiring (hereinafter referred to as a lead wire for plating) for electrically connecting the plating electrode to pads, pins, etc. inside the package. It is unnecessary and has an excellent advantage that plating can be performed only by immersing the package in a plating solution.

【0008】しかし、無電解メッキ処理においては、通
常、メッキ液の寿命が短い、メッキ被膜形成の速度が電
解メッキ処理の場合と比較して約1/10と遅い、メッ
キ液自身が高価である等の点から、メッキ処理コストが
高くなるという問題点がある。
However, in the electroless plating process, the life of the plating solution is usually short, the speed of forming a plating film is about 1/10 slower than in the case of the electrolytic plating process, and the plating solution itself is expensive. In view of the above, there is a problem that the plating processing cost is increased.

【0009】一方、電解メッキ処理は、メッキ被膜形成
の速度が早く、メッキ液自身も安価である等の点から無
電解メッキ処理と比較して安価な処理であるという大き
な利点があるので、通常は電解メッキ処理が行われてい
る。
On the other hand, electrolytic plating has a great advantage that it is inexpensive as compared with electroless plating in that the plating film formation speed is high and the plating solution itself is inexpensive. Is subjected to electrolytic plating.

【0010】しかし、電解メッキ処理では、メッキ液中
に電流を流すことによりメッキ被膜を形成するため、電
源に接続するためのメッキ用電極及び、メッキ処理を必
要とする全てのパッド、ピン等に接続されている配線を
メッキ用電極に接続するためのメッキ用引き出し線が必
要となる。
However, in the electroplating process, a plating film is formed by passing a current through a plating solution, so that a plating electrode for connecting to a power supply and all pads and pins that require the plating process are applied. A plating lead wire for connecting the connected wiring to the plating electrode is required.

【0011】セラミックパッケージを例にメッキ用引き
出し線について詳しく述べる。図4は、メッキ用電極が
パッケージの側面に形成された従来の多層セラミックP
GAの断面を模式的に示した断面図である。
The lead wire for plating will be described in detail by taking a ceramic package as an example. FIG. 4 shows a conventional multilayer ceramic P having a plating electrode formed on a side surface of a package.
It is sectional drawing which showed the cross section of GA typically.

【0012】従来の多層セラミックPGA200におい
ては、セラミックからなるパッケージ本体10のキャビ
ティ12にLSI14が搭載されている。パッケージ本
体10の上部のピン接合面15には多数のピン61〜6
5が接合されている。パッケージ本体10の内部には、
LSI14の多数のパッド(図示せず。)と多層セラミ
ックPGA200の多数のピン61等との接続をそれぞ
れ行うために形成された多数の信号線222(図示して
いるのは1本のみ)が同一の配線層220に形成されて
いる。信号線222は点Eにおいてビアホール226と
接続され、ビアホール226はピン61と接続されてい
る。信号線222は、ビアホール226との接続部分E
よりさらに横方向にパッケージ本体10の外部に向かっ
て延設され、メッキ用引き出し線223として多層セラ
ミックPGA200のパッケージ本体10の側面11ま
で引き出されている。そして、パッケージ本体10の側
面11には、このようなメッキ用引き出し線223を多
数短絡したメッキ用電極70が形成されている。
In a conventional multilayer ceramic PGA 200, an LSI 14 is mounted in a cavity 12 of a package body 10 made of ceramic. A large number of pins 61 to 6
5 are joined. Inside the package body 10,
A large number of signal lines 222 (only one is shown) are formed to connect a large number of pads (not shown) of the LSI 14 with a large number of pins 61 of the multilayer ceramic PGA 200, respectively. Is formed on the wiring layer 220. The signal line 222 is connected to the via hole 226 at the point E, and the via hole 226 is connected to the pin 61. The signal line 222 has a connection portion E with the via hole 226.
It extends further outward in the horizontal direction toward the outside of the package body 10, and is drawn out to the side surface 11 of the package body 10 of the multilayer ceramic PGA 200 as a lead wire 223 for plating. On the side surface 11 of the package body 10, a plating electrode 70 in which a number of such plating lead wires 223 are short-circuited is formed.

【0013】接地配線52がパッケージ本体10のほぼ
全面にわたって設けられ、電源配線42がパッケージ本
体10の4つの側部19に設けられている。接地配線5
2及び電源配線42は、それぞれビアホール54及び4
4を介してピン62及び64とそれぞれ接続されてい
る。接地配線52及び電源配線42は一般的にパッケー
ジ寸法と同程度の面状配線であり、メッキ用電極70に
接続するためのメッキ用引き出し線(図示せず。)は存
在するが、その長さは短い。
A ground wire 52 is provided over substantially the entire surface of the package body 10, and power supply wires 42 are provided on the four side portions 19 of the package body 10. Ground wiring 5
2 and power supply wiring 42 are via holes 54 and 4 respectively.
4 are connected to pins 62 and 64, respectively. The ground wiring 52 and the power supply wiring 42 are generally planar wirings having a size substantially equal to the package size, and a plating lead wire (not shown) for connecting to the plating electrode 70 exists, but has a length. Is short.

【0014】また、LSI14とピンとを接続するため
の信号線を設ける配線層が2層必要な場合には、図5に
示すように、例えば、配線層220に形成された信号線
222に加えて配線層230にも信号線232を設け
る。この信号線232は点Fにおいてビアホール236
と接続され、ビアホール236はピン63と接続されて
いる。信号線232は、ビアホール236との接続部分
Fよりさらに横方向にパッケージ本体10の外部に向か
って延設され、メッキ用引き出し線233として多層セ
ラミックPGA200のパッケージ本体10の側面11
まで引き出され、、側面11においてメッキ用電極70
と接続されている。他の構造は図3に示した多層セラミ
ックPGA200と同様である。
When two wiring layers for providing signal lines for connecting the LSI 14 and the pins are required, as shown in FIG. 5, for example, in addition to the signal lines 222 formed on the wiring layer 220, as shown in FIG. The signal line 232 is also provided in the wiring layer 230. This signal line 232 has a via hole 236 at point F.
, And the via hole 236 is connected to the pin 63. The signal line 232 extends further laterally toward the outside of the package body 10 than the connection portion F with the via hole 236, and serves as a lead wire 233 for plating to form a side surface 11 of the package body 10 of the multilayer ceramic PGA 200.
To the plating electrode 70 on the side surface 11.
Is connected to Other structures are the same as those of the multilayer ceramic PGA 200 shown in FIG.

【0015】電解メッキ処理を施す場合は、このメッキ
用電極70を外部の電源に接続し、多層セラミックPG
A200をメッキ液に浸漬して電流を流すことにより、
パッケージ本体10の外部に露出している信号線22
2、232等のパッド部分221、231やピン61〜
65に電解メッキを施す。この場合、通常は、はじめに
Niメッキ用のメッキ液に浸漬してNiメッキ被膜を形
成した後、Auメッキ用のメッキ液に浸漬し、前記Ni
メッキ被膜上にAuメッキ被膜を形成する。メッキ処理
の終了後、メッキ用電極70を研磨等の方法により除去
し、信号線222、232等の配線同士を分離してい
た。
When performing the electrolytic plating process, the plating electrode 70 is connected to an external power source, and the multilayer ceramic PG is connected.
By immersing A200 in the plating solution and passing a current,
Signal line 22 exposed outside package body 10
2, 232, etc., pad portions 221, 231 and pins 61-61.
65 is subjected to electrolytic plating. In this case, usually, first, after immersing in a plating solution for Ni plating to form a Ni plating film, immersing in a plating solution for Au plating,
An Au plating film is formed on the plating film. After the completion of the plating process, the plating electrode 70 was removed by a method such as polishing to separate the signal lines 222 and 232 from each other.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来にお
いては、多層セラミックPGA200に形成された信号
線222、232には本来の信号の伝達以外を目的とす
る電解メッキ処理のためのメッキ用引き出し線223、
233が延設されていた。
As described above, conventionally, the signal lines 222 and 232 formed on the multilayer ceramic PGA 200 are provided with a lead for plating for electrolytic plating for the purpose other than the transmission of the original signal. Line 223,
233 had been extended.

【0017】しかし、図4、図5に示したように、信号
線222、232に延設されたメッキ用引き出し線22
3、233が形成されていると、メッキ用引き出し線2
23、233がオープンスタブとなり、反射による信号
の歪や遅延を増大させる原因となる。
However, as shown in FIGS. 4 and 5, the plating lead 22 extending to the signal lines 222 and 232 is used.
3 and 233, the lead wire for plating 2
23 and 233 become open stubs, which cause an increase in signal distortion and delay due to reflection.

【0018】特に近年においては、IC、LSIのクロ
ック周波数は益々増大する傾向にあり、そのためにメッ
キ用引き出し線223、233が電気特性に及ぼす影響
が無視できなくなり、IC、LSIの誤動作をまねく要
因になりつつあるという問題があった。
In particular, in recent years, the clock frequency of ICs and LSIs has been increasing more and more, so that the influence of the lead wires 223 and 233 for plating on the electrical characteristics cannot be ignored, and the factors leading to malfunctions of the ICs and LSIs. There was a problem that is becoming.

【0019】この問題を解決する方法の一つとして前述
の無電解メッキ法の採用も考えられるが、コストが高く
なるという欠点がある。
As one of the methods for solving this problem, the above-mentioned electroless plating method can be adopted, but there is a disadvantage that the cost is increased.

【0020】そこで、他の方法として、特開平5−19
8718号公報には多層セラミックパッケージの外部接
続用端子(ピン)を電解メッキ用電極として用いる方法
が提案されている。同公報によれば、ピンの配置に対応
し、ピンよりも若干小さな径の貫通孔が形成された薄い
金属シートをメッキ用治具として用い、電解メッキを行
う際には前記メッキ用治具を各ピンの上から刺して各ピ
ン同士の電気的接続を図り、その一端を電源に接続して
メッキ処理を行っている。
Therefore, another method is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-19 / 1993.
No. 8718 proposes a method of using external connection terminals (pins) of a multilayer ceramic package as electrodes for electrolytic plating. According to the publication, a thin metal sheet having a through hole with a diameter slightly smaller than the pin is formed as a jig for plating corresponding to the arrangement of pins, and when performing electrolytic plating, the plating jig is used. Each pin is stabbed from above to establish electrical connection between the pins, and one end of the pin is connected to a power source to perform plating.

【0021】しかし、この方法においては、前記したよ
うな特殊なメッキ用治具を必要とするためにコスト上昇
をまねき、また外部接続用端子のうち、前記メッキ用治
具と接触させたピンの先端にはメッキ被膜が形成されな
いという問題があった。
However, in this method, a special plating jig as described above is required, which leads to an increase in cost, and among the external connection terminals, the pins of the pins which are brought into contact with the plating jig are used. There was a problem that a plating film was not formed at the tip.

【0022】本発明は上記問題点に鑑みなされたもので
あり、IC、LSI等の電子素子を搭載して電子部品を
構成する電子部品用パッケージにおいて、電子素子と接
続する電子素子接続用端子とピン、ボール等の外部接続
用端子との間を接続する配線に接続するメッキ引き出し
線等の長さを短くすることができ、その結果、例えば、
メッキ用引き出し線による電気特性の劣化を防止でき、
従来法通りの安価な電解メッキ処理を施すことができる
電子部品用パッケージ、その製造方法および当該パッケ
ージを使用した電子部品を提供することを目的としてい
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has been made in consideration of the above-mentioned problems. It is possible to shorten the length of a plated lead wire or the like connected to a wiring that connects between an external connection terminal such as a pin and a ball, and as a result, for example,
Deterioration of electrical characteristics due to plating lead wire can be prevented,
It is an object of the present invention to provide an electronic component package that can be subjected to inexpensive electrolytic plating as in a conventional method, a method of manufacturing the same, and an electronic component using the package.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】多層パッケージ等の電子
部品用パッケージにおいては、上述のように、メッキ用
引き出し線はオープンスタブとなり、容量性負荷として
振る舞う。容量性負荷は高速信号の遷移をなまらせ、信
号歪や遅延を増大させる。負荷容量は大きいほど信号に
及ぼす影響が大きく、また、その大きさはメッキ用引き
出し線長にほぼ比例する。
In a package for an electronic component such as a multilayer package, the lead wire for plating is an open stub and acts as a capacitive load as described above. Capacitive loading slows down high speed signal transitions and increases signal distortion and delay. The larger the load capacity, the greater the effect on the signal, and the size is almost proportional to the length of the lead wire for plating.

【0024】ピン、ボール等の外部接続用端子がアレイ
状に配置されたアレイ状外部接続用端子付き多層パッケ
ージにおいては、パッケージ外周に近い外部接続用端子
よりもパッケージ中央側に配置されている外部接続用端
子に接続される信号線の方がメッキ用引き出し線が長く
なり、電気特性が劣化し易い。また大型のパッケージほ
どメッキ用引き出し線が長く、その影響を受け易い。
In a multilayer package having external connection terminals such as pins and balls arranged in an array, the external connection terminals arranged closer to the package center than the external connection terminals closer to the outer periphery of the package. The signal line connected to the connection terminal has a longer lead wire for plating, and the electrical characteristics are more likely to deteriorate. In addition, the larger the package, the longer the lead wire for plating is, and the more likely it is to be affected by this.

【0025】従って、特にパッケージ中央側に配置され
た信号線用の外部接続用端子に接続される長いメッキ用
引き出し線を短くできるような信号線配線構造にすれ
ば、従来の安価な電解メッキ処理によっても上記問題点
は解決できると考えた。
Therefore, if the signal line wiring structure is designed so that the long plating lead line connected to the external connection terminal for the signal line arranged on the center side of the package can be shortened, the conventional inexpensive electrolytic plating process can be performed. It was thought that the above problem could be solved by the method.

【0026】一般的にメッキ用電極はパッケージ側面に
あるために、メッキ用引き出し線長は最短でも外部接続
用端子位置からパッケージ外周までの距離は必要であ
る。これは信号線とメッキ用引き出し線の分岐点を外部
接続用端子直下のビアホールに置くためである。
In general, since the plating electrode is on the side surface of the package, the length of the lead wire for plating must be at least the distance from the terminal for external connection to the outer periphery of the package. This is because the branch point between the signal line and the lead wire for plating is placed in the via hole immediately below the external connection terminal.

【0027】信号線とメッキ用引き出し線の分岐点を外
部接続用端子位置よりもさらにパッケージ外周側に移動
させれば、メッキ用引き出し線は短くなる。そのために
は、例えば、信号線が形成されている第1の配線層を用
い信号線を該外部接続用端子位置よりもさらに外周の方
に向かって延在させて第1の副配線を形成し、その後第
1のビアホールを使用して第1の配線層から第2の配線
層へ引き出す。さらに第2の配線層を使用して第1のビ
アホールの位置から該外部接続用端子位置まで信号線を
パッケージ中央側に向かって配線して第2の副配線を形
成する。さらに第2のビアホールを使用して第2の副配
線を該外部接続用端子に接続する。
If the branch point between the signal line and the lead wire for plating is moved further to the outer peripheral side of the package than the position of the terminal for external connection, the lead wire for plating becomes shorter. For this purpose, for example, the first sub-wiring is formed by using the first wiring layer on which the signal line is formed and extending the signal line further toward the outer periphery than the external connection terminal position. Then, the first via hole is used to draw out from the first wiring layer to the second wiring layer. Further, using the second wiring layer, a signal line is routed from the position of the first via hole to the position of the external connection terminal toward the center of the package to form a second sub-wiring. Further, a second sub-wiring is connected to the external connection terminal using a second via hole.

【0028】このような構成の多層パッケージによれ
ば、信号線とメッキ用引き出し線の分岐点となる第1の
ビアホールの位置を外部接続用端子位置よりもパッケー
ジ外周側に置くことができ、これにより、メッキ用引き
出し線長を短くすることができる。その結果、負荷容量
を小さくすることができて信号歪及び遅延を低減するこ
とができ、電気特性の劣化を低減することができる。ま
た、従来法と全く同様の電解メッキ処理が適用できるた
め安価である。
According to the multilayer package having such a configuration, the position of the first via hole, which is a branch point between the signal line and the lead wire for plating, can be located closer to the outer periphery of the package than the terminal for external connection. Thereby, the length of the lead wire for plating can be shortened. As a result, load capacitance can be reduced, signal distortion and delay can be reduced, and deterioration of electrical characteristics can be reduced. In addition, it is inexpensive because the same electrolytic plating treatment as in the conventional method can be applied.

【0029】しかしながら、本発明においては、メッキ
用引き出し線長は短くなったものの信号線長そのものは
長くなっており、むやみに第1および第2の副配線を行
ったのではかえって電気特性が劣化してしまう可能性が
ある。従って、これら第1および第2の副配線は、以下
のように配線することが好ましい。
However, in the present invention, the length of the lead wire for plating is shortened, but the length of the signal line itself is increased, so that the electrical characteristics are degraded if the first and second sub-wirings are performed unnecessarily. Could be done. Therefore, it is preferable to wire these first and second sub-wirings as follows.

【0030】本発明を実施する上では、第1の副配線と
第2の副配線の電磁気的結合を強くすることが好まし
い。これにより、信号線の実効的な電気パラメータ(実
効インダクタンス及び対地容量)が小さくなり、信号歪
や信号遅延を小さく抑えることができる。
In practicing the present invention, it is preferable to increase the electromagnetic coupling between the first sub wiring and the second sub wiring. As a result, the effective electrical parameters (effective inductance and ground capacitance) of the signal line are reduced, and signal distortion and signal delay can be suppressed.

【0031】第1の副配線と第2の副配線の電磁気的結
合を強くする方法は2つある。
There are two methods for strengthening the electromagnetic coupling between the first sub-wiring and the second sub-wiring.

【0032】ひとつの方法は、第1の副配線と第2の副
配線とを隣接させることである。そのためには、第1の
副配線が形成されている第1の配線層と第2の副配線が
形成されている第2の配線層とを隣接させることが好ま
しい。この場合、第1の配線層と第2の配線層の層間の
誘電体の厚みは信号線の線幅に比べて薄いほど良い(信
号線幅の半分程度の厚みであることが望ましい)。薄い
ほど両者の結合が強くなる。ただし、薄くしすぎると絶
縁性の問題が生じるので、セラミックパッケージの場合
には約20μm以上、プラスチックパッケージの場合に
は約10μm以上であることが好ましい。
One method is to make the first sub wiring and the second sub wiring adjacent to each other. For that purpose, it is preferable that the first wiring layer on which the first sub-wiring is formed and the second wiring layer on which the second sub-wiring is formed be adjacent to each other. In this case, it is preferable that the thickness of the dielectric between the first wiring layer and the second wiring layer be smaller than the line width of the signal line (preferably, the thickness is about half of the signal line width). The thinner the bond, the stronger the bond between them. However, if the thickness is too small, a problem of insulation occurs. Therefore, the thickness is preferably about 20 μm or more for a ceramic package and about 10 μm or more for a plastic package.

【0033】もう一つの方法は、第1の副配線と第2の
副配線とを重ねて配線することである。互いの副配線が
他の副配線の真上あるいは真下を通過するとき両者の結
合は最大になる。
Another method is to wire the first sub wiring and the second sub wiring in an overlapping manner. When each sub-wiring passes directly above or below the other sub-wiring, the coupling between them becomes maximum.

【0034】上記2点に注意して本発明を実施すれば、
安価で電気特性の劣化の少ない多層パッケージを好適に
実現できる。
If the present invention is carried out while paying attention to the above two points,
A multilayer package that is inexpensive and has little deterioration in electrical characteristics can be suitably realized.

【0035】本発明は以上の知見に基づくものであり、
請求項1によれば、電子素子を搭載して電子部品を構成
する電子部品用パッケージであって、パッケージ本体
と、前記パッケージ本体から露出して設けられ前記電子
素子と接続される電子素子接続用端子と、前記パッケー
ジ本体から露出して設けられた外部接続用端子と、前記
パッケージ本体内に設けられ前記電子素子接続用端子と
前記外部接続用端子との間を接続する配線であって、前
記電子素子接続用端子側の第1の配線と前記外部接続
端子側の第2の配線と、前記第1の配線と前記第2の配
線との間に直列に接続されると共に前記パッケージ本体
内に設けられた副配線であって、一端が前記第1の配線
に接続されると共に前記第1の配線から前記パッケージ
の外部に向かって延在して前記パッケージ本体内に設け
られた第1の副配線と、一端が前記第2の配線に接続さ
れると共に前記第2の配線から前記パッケージの外部に
向かって延在して前記パッケージ本体内に設けられた第
2の副配線と、前記第1の副配線の他端と第2の副配線
の他端とを接続する接続部と、を有する前記副配線と、
を備える前記配線と、前記副配線から前記パッケージ本
体の外部に向かって前記パッケージ本体内を延在して設
けられたメッキ用引き出し線と、を備えることを特徴と
する電子部品用パッケージが提供される。
The present invention is based on the above findings,
According to claim 1, there is provided a package for an electronic component, on which an electronic element is mounted to form an electronic component, for connecting a package body and an electronic element that is provided to be exposed from the package body and is connected to the electronic element. A terminal, an external connection terminal provided to be exposed from the package body, and a wiring for connecting between the electronic element connection terminal and the external connection terminal provided in the package body, A first wiring on an electronic element connection terminal side, a second wiring on the external connection terminal side, and a serial connection between the first wiring and the second wiring; A sub-wiring provided in the package main body , one end of which is connected to the first wiring and extends from the first wiring toward the outside of the package. Secondary wiring A second sub-wiring having one end connected to the second wiring and extending from the second wiring toward the outside of the package and provided in the package body; A sub-wiring having a connection portion connecting the other end of the wiring and the other end of the second sub-wiring,
And the package book from the sub-wiring.
Extending inside the package body to the outside of the body
And a lead wire for plating .

【0036】このような副配線を設けることにより、例
えば、パッケージ本体から露出して設けられた外部接続
用端子や電子素子接続用端子を電解メッキするためのメ
ッキ用引き出し線をパッケージ本体内に設ける場合に
は、メッキ用引き出し線を上記副配線に接続することに
よりメッキ用引き出し線の長さを短くすることができ、
その結果、信号歪や遅延が低減され、メッキ用引き出し
線による電気特性の劣化を抑制できる。また、このよう
なメッキ用引出線をパッケージ本体から露出して設けら
れたメッキ用電極に接続することにより、このメッキ用
電極を介して容易かつ安価に外部接続用端子や電子素子
接続用端子を電解メッキすることができる。
By providing such sub-wirings, for example, plating lead lines for electrolytic plating external connection terminals and electronic element connection terminals provided to be exposed from the package body are provided in the package body. In this case, the length of the plating lead line can be shortened by connecting the plating lead line to the sub wiring,
As a result, signal distortion and delay are reduced, and deterioration of electrical characteristics due to the lead wire for plating can be suppressed. In addition, by connecting such a lead wire for plating to a plating electrode provided so as to be exposed from the package body, an external connection terminal and an electronic element connection terminal can be easily and inexpensively connected through the plating electrode. It can be electroplated.

【0037】[0037]

【0038】また、請求項によれば、前記第1の副配
線が第1の配線層に形成され、前記第2の配線層が前記
第1の配線層とは異なる第2の配線層に形成され、前記
接続部が前記第1の副配線の前記他端と前記第2の副配
線の前記他端とを接続するビアホールであることを特徴
とする請求項1記載の電子部品用パッケージが提供され
る。
According to claim 2 , the first sub-wiring is formed in a first wiring layer, and the second wiring layer is formed in a second wiring layer different from the first wiring layer. 2. The electronic component package according to claim 1, wherein the connecting portion is a via hole connecting the other end of the first sub-wiring and the other end of the second sub-wiring. 3. Provided.

【0039】また、請求項によれば、前記電子部品用
パッケージを平面図的にみた場合に、前記第1の配線が
前記電子素子接続用端子から前記外部接続用端子の位置
またはその近傍まで延在し、前記第1の副配線が前記外
部接続用端子の位置またはその近傍から前記パッケージ
の外部に向かって延在し、前記第1の副配線の前記他端
と前記第2の副配線の前記他端とが第1のビアホールで
接続され、前記第2の副配線が前記第1のビアホールか
ら前記外部接続用端子の位置またはその近傍まで延在
し、前記第2の配線が前記外部接続用端子の位置または
その近傍に設けられた第2のビアホールであり、前記第
2の副配線の前記一端と前記外部接続端子とが前記第2
のビアホールによって接続されていることを特徴とする
請求項1または2記載の電子部品用パッケージが提供さ
れる。
According to a third aspect, when the electronic component package is viewed in a plan view, the first wiring extends from the electronic element connection terminal to the position of the external connection terminal or in the vicinity thereof. The first sub-wiring extends from or near the position of the external connection terminal toward the outside of the package, and the other end of the first sub-wiring and the second sub-wiring Are connected to each other by a first via hole, the second sub wiring extends from the first via hole to or near the position of the external connection terminal, and the second wiring is A second via hole provided at or near the position of the connection terminal, wherein the one end of the second sub-wiring and the external connection terminal are the second via hole;
3. The electronic component package according to claim 1, wherein the electronic component package is connected by a via hole.

【0040】また、請求項によれば、前記第1の副配
線と前記第2の副配線とが隣接していることを特徴とす
る請求項1乃至のいずれかに記載の電子部品用パッケ
ージが提供される。
Further, according to claim 4, for electronic components according to any one of claims 1 to 3 and the first auxiliary wiring and the second sub-wiring is characterized in that adjacent Package is provided.

【0041】また、請求項によれば、前記第1の副配
線が第1の配線層に形成され、前記第2の副配線が前記
第1の配線層とは異なる第2の配線層に形成され、前記
第1の配線層と前記第2の配線層との間に存在する誘電
体層の厚さが、前記誘電体層がセラミックの場合には約
20μm乃至前記第1および第2の配線層の線幅の約半
分であり前記誘電体層がプラスチックの場合には約10
μm乃至前記第1および第2の配線層の線幅の約半分で
あることを特徴とする請求項記載の電子部品用パッケ
ージが提供される。
According to the fifth aspect , the first sub-wiring is formed in a first wiring layer, and the second sub-wiring is formed in a second wiring layer different from the first wiring layer. The thickness of the dielectric layer formed between the first wiring layer and the second wiring layer is from about 20 μm to 1st and 2nd when the dielectric layer is ceramic. About half the line width of the wiring layer, and about 10 when the dielectric layer is plastic.
5. The electronic component package according to claim 4, wherein the thickness is from about μm to about half of the line width of the first and second wiring layers. 6.

【0042】このように第1の副配線と前記第2の副配
線とを隣接させることにより第1の副配線と第2の副配
線の電磁気的結合を強くすることができ、これにより、
第1および第2の副配線の実効的な電気パラメータ(実
効インダクタンス及び対地容量)が小さくなり、信号歪
や信号遅延を小さく抑えることができる。
By making the first sub wiring and the second sub wiring adjacent to each other, the electromagnetic coupling between the first sub wiring and the second sub wiring can be strengthened.
Effective electrical parameters (effective inductance and ground capacitance) of the first and second sub-wirings are reduced, and signal distortion and signal delay can be reduced.

【0043】また、第1の副配線が第1の配線層に形成
され、第2の副配線が前記第1の配線層とは異なる第2
の配線層に形成される場合には、前記第1の配線層と前
記第2の配線層との間に存在する誘電体層の厚さが、第
1および第2の副配線の線幅に比べて薄いほど両者の結
合が強くなるので、薄いほど良く、第1および第2の副
配線の線幅に半分程度以下であることが好ましいが、絶
縁性の問題を考えると前記誘電体層がセラミックの場合
には約20μm以上、前記誘電体層がプラスチックの場
合には約10μm以上であることが好ましい。
Further, a first sub-wiring is formed in a first wiring layer, and a second sub-wiring is formed in a second wiring layer different from the first wiring layer.
When formed on the first wiring layer, the thickness of the dielectric layer existing between the first wiring layer and the second wiring layer may be smaller than the line width of the first and second sub-wirings. The thinner the film, the stronger the coupling between the two. Therefore, the thinner the better, the better the line width of the first and second sub-wirings is preferably about half or less. Preferably, the thickness is about 20 μm or more in the case of ceramic, and about 10 μm or more in the case where the dielectric layer is plastic.

【0044】また、請求項によれば、前記第1の副配
線が第1の配線層に形成され、前記第2の副配線が前記
第1の配線層とは異なる第2の配線層に形成され、前記
第1の副配線と前記第2の副配線とが互いに対向して配
置され、前記電子部品用パッケージを平面図的にみた場
合に、前記第1の副配線と前記第2の副配線とが重なっ
て配置されていることを特徴とする請求項1乃至のい
ずれかに記載の電子部品用パッケージが提供される。
According to claim 6 , the first sub-wiring is formed in a first wiring layer, and the second sub-wiring is formed in a second wiring layer different from the first wiring layer. The first sub-wiring and the second sub-wiring are formed so as to face each other, and when the electronic component package is viewed in a plan view, the first sub-wiring and the second sub-wiring are formed. The electronic component package according to any one of claims 1 to 5 , wherein the sub-wirings are arranged so as to overlap with each other.

【0045】このように配置すれば、前記第1の副配線
と前記第2の副配線は、互いが他の真上あるいは真下を
通過することになり両者の結合は最大になる。
With this arrangement, the first sub-wiring and the second sub-wiring pass each other directly above or below each other, so that the coupling between them becomes maximum.

【0046】なお、好ましくは、前記電子部品用パッケ
ージを平面図的にみた場合に、前記第1の副配線の一主
面と第2の副配線の一主面とが重なって配置される。
Preferably, when the electronic component package is viewed in a plan view, one main surface of the first sub-wiring and one main surface of the second sub-wiring are arranged so as to overlap with each other.

【0047】また、請求項によれば、前記外部接続用
端子、前記電子素子接続用端子および前記配線がそれぞ
れ複数設けられ、前記複数の電子素子接続用端子の各々
が前記複数の外部接続用端子の各々とそれぞれ対応し、
前記互いに対応する前記複数の前記電子素子接続用端子
の各々と前記複数の外部接続用端子の各々との間をそれ
ぞれ接続すべく、前記複数の配線の各々がそれぞれ設け
られ、前記複数の外部接続用端子のうち少なくとも前記
電子部品用パッケージの内側に配置された1以上の前記
外部接続用端子の各々と、前記内側に配置された前記1
以上の前記外部接続用端子の各々とそれぞれ対応する1
以上の前記電子素子接続用端子の各々とをそれぞれ接続
する1以上の前記配線の各々の前記第1の配線と前記第
2の配線との間に、1以上の前記副配線の各々がそれぞ
れ直列に接続されて設けられていることを特徴とする請
求項1乃至のいずれかに記載の電子部品用パッケージ
が提供される。
According to a seventh aspect of the present invention, a plurality of the external connection terminals, the plurality of electronic element connection terminals, and the plurality of wirings are provided, and each of the plurality of electronic element connection terminals is connected to the plurality of external connection terminals. Corresponding to each of the terminals,
The plurality of wirings are respectively provided to connect between each of the plurality of electronic element connection terminals corresponding to each other and each of the plurality of external connection terminals, and the plurality of external connection At least one of the external connection terminals disposed at least inside the electronic component package among the terminals, and the one or more external connection terminals disposed inside the electronic component package.
1 corresponding to each of the above-described external connection terminals.
Each of the one or more sub-wirings is connected in series between the first wiring and the second wiring of each of the one or more wirings respectively connecting the electronic device connection terminals. The electronic component package according to any one of claims 1 to 6 , wherein the electronic component package is provided so as to be connected to the electronic component.

【0048】このように複数の外部接続用端子とそれら
に対応する複数の電子素子接続用端子とを備えるパッケ
ージにおいて、例えば、パッケージ本体から露出して設
けられた外部接続用端子や電子素子接続用端子を電解メ
ッキするためのメッキ用引き出し線をパッケージ本体内
に設ける場合には、パッケージ外周に近い外部接続用端
子よりもパッケージの内側に配置されている外部接続用
端子に対応して設けられるメッキ用引き出し線の方が長
くなり電気特性が劣化し易い。従って、少なくとも電子
部品用パッケージの内側に配置された外部接続用端子に
対応する配線の第1の配線と第2の配線との間に前記副
配線を直列に接続することにより、メッキ用引き出し線
の長さが長いために電気特性が劣化し易い部分のメッキ
用引き出し線の長さを短くできるので、電子部品用パッ
ケージの電気特性が劣化するのを抑制できる。なお、副
配線を接続する外部接続用端子を電子部品用パッケージ
の内側に配置されたものに限る必要はなく、全部の外部
接続用端子にそれぞれ対応して上記副配線を設けること
もできる。
In a package including a plurality of external connection terminals and a plurality of corresponding electronic element connection terminals as described above, for example, an external connection terminal or an electronic element connection terminal provided to be exposed from the package body. When providing plating lead wires for electrolytic plating of terminals in the package body, plating provided for external connection terminals located inside the package rather than external connection terminals near the package outer periphery The length of the lead wire is longer and the electrical characteristics are likely to deteriorate. Therefore, by connecting the sub-wiring in series between the first wiring and the second wiring of the wiring corresponding to the external connection terminal arranged at least inside the electronic component package, the plating lead wire is provided. Since the length of the lead is long, the length of the lead wire for plating in the portion where the electrical characteristics are likely to deteriorate can be shortened, so that the electrical characteristics of the electronic component package can be prevented from deteriorating. The external connection terminals for connecting the sub-wirings need not be limited to those arranged inside the electronic component package, and the sub-wirings may be provided corresponding to all the external connection terminals.

【0049】また、複数の外部接続用端子にそれぞれ対
応する複数のメッキ引き出し線に共通接続されるメッキ
用電極をパッケージ本体から露出して設ければ、このメ
ッキ用電極を介して複数の外部接続用端子とそれらに対
応する複数の電子素子接続用端子とを同時に電解メッキ
することができる。
Further, if a plating electrode commonly connected to a plurality of plating lead lines respectively corresponding to the plurality of external connection terminals is provided so as to be exposed from the package body, a plurality of external connection terminals are provided via the plating electrode. Terminals and a plurality of electronic element connection terminals corresponding thereto can be electrolytically plated at the same time.

【0050】また、好ましくは、前記外部接続用端子お
よび前記電子素子接続用端子の少なくとも一方が電解メ
ッキ処理されている。
Preferably, at least one of the external connection terminal and the electronic element connection terminal is subjected to electrolytic plating.

【0051】また、好ましくは、前記外部接続用端子お
よび前記電子素子接続用端子の両方が電解メッキ処理さ
れている。
Preferably, both the external connection terminal and the electronic element connection terminal are subjected to electrolytic plating.

【0052】また、好ましくは、接地配線および電源配
線の少なくとも一方が、前記配線および前記副配線をほ
ぼ全体にわたって覆って設けられている。
Preferably, at least one of a ground wiring and a power supply wiring is provided so as to cover the wiring and the sub wiring substantially entirely.

【0053】なお、接地配線および電源配線の両方が、
前記配線および前記副配線をほぼ全体にわたって覆って
設けられていることがより好ましく、さらに好ましく
は、前記配線および前記副配線が接地配線および電源配
線の両方によって挟まれて設けられている。
Note that both the ground wiring and the power supply wiring
It is more preferable that the wiring and the sub-wiring are provided so as to cover almost the entirety. More preferably, the wiring and the sub-wiring are provided so as to be sandwiched by both a ground wiring and a power supply wiring.

【0054】また、請求項によれば、請求項1乃至
のいずれかに記載の電子部品用パッケージと前記電子部
品用パッケージに搭載された電子素子とを備えることを
特徴とする電子部品が提供される。
According to claim 8 , according to claims 1 to 7,
An electronic component comprising: the electronic component package according to any one of the above, and an electronic element mounted on the electronic component package.

【0055】また、請求項によれば、電子素子を搭載
して電子部品を構成する電子部品用パッケージの製造方
法において、パッケージ本体と、前記パッケージ本体か
ら露出して設けられ前記電子素子と接続される電子素子
接続用端子と、前記パッケージ本体から露出して設けら
れた外部接続用端子と、前記パッケージ本体内に設けら
れ前記電子素子接続用端子と前記外部接続用端子との間
を接続する配線であって、前記電子素子接続用端子側の
第1の配線と、前記外部接続端子側の第2の配線と、前
記第1の配線と前記第2の配線との間に直列に接続され
ると共に前記パッケージ本体内に設けられた副配線であ
って、一端が前記第1の配線に接続されると共に前記第
1の配線から前記パッケージの外部に向かって延在して
前記パッケージ本体内に設けられた第1の副配線と、一
端が前記第2の配線に接続されると共に前記第2の配線
から前記パッケージの外部に向かって延在して前記パッ
ケージ本体内に設けられた第2の副配線と、前記第1の
副配線の他端と第2の副配線の他端とを接続する接続部
と、を有する前記副配線と、を備える前記配線と、前記
副配線から前記パッケージ本体の外部に向かって前記パ
ッケージ本体内を延在して設けられたメッキ用引き出し
線と、前記パッケージ本体から露出すると共に前記メッ
キ用引き出し線と接続して設けられたメッキ用電極と、
を備えるパッケージを準備する工程と、前記メッキ用電
極を介して前記外部接続用端子および前記電子素子接続
用端子のうちの少なくとも一方に電解メッキを行う工程
と、を備えることを特徴とする電子部品用パッケージの
製造方法が提供される。
According to a ninth aspect of the present invention, in a method of manufacturing an electronic component package in which an electronic element is mounted to constitute an electronic component, the package body is connected to the electronic element provided to be exposed from the package body. Electronic device connection terminal, an external connection terminal exposed from the package body, and connecting between the electronic element connection terminal and the external connection terminal provided in the package body. A wire connected in series between the first wire on the electronic element connection terminal side, the second wire on the external connection terminal side, and the first wire and the second wire; A sub-wiring provided in the package body, one end of which is connected to the first wiring and which extends from the first wiring to the outside of the package to form a sub-wiring. And a first sub-wiring provided inside the package main body, one end of which is connected to the second wiring and extends from the second wiring toward the outside of the package. A second sub-wiring, a sub-wiring having a connecting portion for connecting the other end of the first sub-wiring and the other end of the second sub-wiring, A lead wire for plating provided to extend inside the package body toward the outside of the package body, a plating electrode exposed from the package body and provided in connection with the lead wire for plating,
An electronic component, comprising: a step of preparing a package comprising: and a step of performing electrolytic plating on at least one of the external connection terminal and the electronic element connection terminal via the plating electrode. A method of manufacturing a package for use is provided.

【0056】このようにすれば、パッケージ本体から露
出して設けられたメッキ用電極およびそれに接続された
メッキ用引き出し線を介して前記外部接続用端子や前記
電子素子接続用端子を電解メッキできるので、容易かつ
安価に外部接続用端子や電子素子接続用端子を電解メッ
キすることができる。なお、好ましくは、外部接続用端
子および電子素子接続用端子の両方を電解メッキする。
With this configuration, the external connection terminal and the electronic element connection terminal can be electrolytically plated through the plating electrode exposed from the package body and the plating lead wire connected thereto. Electrolytic plating of external connection terminals and electronic element connection terminals can be performed easily and at low cost. Preferably, both the external connection terminal and the electronic element connection terminal are electrolytically plated.

【0057】そして、上記のようにして製造された電子
部品用パッケージにおいては、メッキ用引き出し線を上
記副配線に接続しているから、メッキ用引き出し線の長
さが短くなっており、その結果、信号歪や遅延が低減さ
れ、メッキ用引き出し線による電気特性の劣化が抑制さ
れている。
In the electronic component package manufactured as described above, since the plating lead is connected to the sub wiring, the length of the plating lead is reduced. In addition, signal distortion and delay are reduced, and deterioration of electrical characteristics due to plating lead lines is suppressed.

【0058】また、本発明によれば、電子素子を搭載し
て電子部品を構成する電子部品用パッケージの製造方法
において、パッケージ本体と、前記パッケージ本体から
露出して設けられ前記電子素子とそれぞれ接続される複
数の電子素子接続用端子と、前記パッケージ本体から露
出して設けられた複数の外部接続用端子であって、前記
複数の外部接続用端子の各々が前記複数の電子素子接続
用端子の各々とそれぞれ対応して設けられた前記複数の
外部接続用端子と、前記パッケージ本体内に設けられた
複数の配線であって、前記複数の配線の各々が前記互い
に対応する前記複数の電子素子接続用端子の各々と前記
複数の外部接続用端子の各々との間をそれぞれ接続する
と共に、前記複数の配線の各々が前記電子素子接続用端
子側の第1の配線と、前記外部接続端子側の第2の配線
と、前記パッケージ本体内に設けられた複数の副配線で
あって、前記複数の副配線の各々が前記複数の配線の各
々の前記第1の配線と前記第2の配線との間にそれぞれ
直列に接続されると共に、前記複数の副配線の各々が一
端が前記第1の配線に接続されると共に前記第1の配線
から前記パッケージの外部に向かって延在して前記パッ
ケージ本体内に設けられた第1の副配線と、一端が前記
第2の配線に接続されると共に前記第2の配線から前記
パッケージの外部に向かって延在して前記パッケージ本
体内に設けられた第2の副配線と、前記第1の副配線の
他端と第2の副配線の他端とを接続する接続部と、をそ
れぞれ有する前記複数の副配線と、をそれぞれ有する前
記複数の配線と、複数のメッキ用引き出し線であって、
前記複数のメッキ用引き出し線の各々が前記複数の副配
線の各々から前記パッケージ本体の外部に向かって前記
パッケージ本体内をそれぞれ延在して設けられた前記複
数のメッキ用引き出し線と、前記パッケージ本体から露
出すると共に前記複数のメッキ用引き出し線に共通に接
続して設けられたメッキ用電極と、を備えるパッケージ
を準備する工程と、前記メッキ用電極を介して前記複数
の外部接続用端子および前記複数の電子素子接続用端子
側のうちの少なくとも一方に電解メッキを行う工程と、
前記電解メッキ後、前記メッキ用電極と前記複数のメッ
キ用引き出し線とを切り放す工程と、を備えることを特
徴とする電子部品用パッケージの製造方法が提供され
る。
According to the present invention, in a method of manufacturing an electronic component package in which an electronic element is mounted to constitute an electronic component, a package body is connected to the electronic element provided to be exposed from the package body. A plurality of electronic element connection terminals, and a plurality of external connection terminals provided so as to be exposed from the package body, wherein each of the plurality of external connection terminals is a plurality of the electronic element connection terminals. A plurality of external connection terminals provided corresponding to each of the plurality of external element terminals; and a plurality of wirings provided in the package body, wherein the plurality of wirings correspond to the plurality of electronic element connections, respectively. Connection between each of the external terminals and each of the plurality of external connection terminals, and each of the plurality of interconnections is a first interconnection on the electronic element connection terminal side. A second wiring on the side of the external connection terminal, and a plurality of sub-wirings provided in the package body, wherein each of the plurality of sub-wirings is connected to the first wiring of each of the plurality of wirings. Each of the plurality of sub-wirings is connected in series with the second wiring, and one end of each of the plurality of sub-wirings is connected to the first wiring and from the first wiring toward the outside of the package. A first sub-wiring extending in the package body and one end connected to the second wiring and extending from the second wiring toward the outside of the package; A plurality of sub-wirings each having a second sub-wiring provided in the main body, and a connection portion connecting the other end of the first sub-wiring and the other end of the second sub-wiring, Each of the plurality of wirings and the plurality of plating An out-ray,
The plurality of plating lead lines, wherein each of the plurality of plating lead lines is provided to extend inside the package body from each of the plurality of sub-wirings toward the outside of the package body; and A step of preparing a package including a plating electrode exposed from the main body and provided in common with the plurality of plating lead lines, and the plurality of external connection terminals and Performing an electrolytic plating on at least one of the plurality of electronic element connection terminals,
After the electrolytic plating, a step of cutting off the plating electrode and the plurality of plating leads.

【0059】このように、複数の外部接続用端子にそれ
ぞれ対応する複数のメッキ引き出し線に共通接続される
メッキ用電極をパッケージ本体から露出して設けること
により、このメッキ用電極およびメッキ用引き出し線を
介して複数の外部接続用端子やそれらに対応する複数の
電子素子接続用端子を同時に容易かつ安価に電解メッキ
することができる。なお、好ましくは、上記複数の外部
接続用端子およびそれらにそれぞれ対応する上記複数の
電子素子接続用端子の両方を電解メッキする。
As described above, by providing the plating electrodes which are commonly connected to the plurality of plating lead lines respectively corresponding to the plurality of external connection terminals and exposed from the package body, the plating electrodes and the plating lead lines are provided. A plurality of external connection terminals and a plurality of corresponding electronic element connection terminals can be easily and inexpensively electroplated simultaneously. Preferably, both the plurality of external connection terminals and the plurality of electronic element connection terminals respectively corresponding thereto are electrolytically plated.

【0060】そして、上記のようにして製造された電子
部品用パッケージにおいては、複数のメッキ用引き出し
線の各々が上記複数の副配線の各々にそれぞれに接続し
ているから、メッキ用引き出し線の長さが短くなってお
り、その結果、信号歪や遅延が低減され、メッキ用引き
出し線による電気特性の劣化が抑制されている。
In the electronic component package manufactured as described above, each of the plurality of plating leads is connected to each of the plurality of sub-wirings. The length is shortened, and as a result, signal distortion and delay are reduced, and deterioration of electrical characteristics due to the lead wire for plating is suppressed.

【0061】なお、上記本発明は、電子素子がIC、L
SI等の半導体能動素子である場合に特に好適に適用さ
れる。
In the present invention, the electronic element is an IC, L
It is particularly suitably applied to a semiconductor active device such as SI.

【0062】また、上記本発明は、外部接続用端子がア
レイ状に設けられたアレイ状外部接続用端子付き多層パ
ッケージおよびそれを使用した電子部品に好適に適用さ
れ、その中でも、PGAやBGAに特に好適に適用され
る。
Further, the present invention is suitably applied to a multilayer package having an array-like external connection terminal in which external connection terminals are provided in an array, and an electronic component using the same. It is particularly preferably applied.

【0063】[0063]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を、多層
セラミックPGAを例に挙げ、図面を参照して説明す
る。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings, taking a multilayer ceramic PGA as an example.

【0064】(第1の実施の形態)図1は、本発明の第
1の実施の形態の多層セラミックPGAを説明するため
の模式的部分断面図であり、電解メッキを行う段階での
状態を示したものである。
(First Embodiment) FIG. 1 is a schematic partial sectional view for explaining a multilayer ceramic PGA according to a first embodiment of the present invention, and shows a state at the stage of performing electrolytic plating. It is shown.

【0065】まず、この状態の多層セラミックPGA1
00を製造する方法から説明する。
First, the multilayer ceramic PGA1 in this state
00 will be described first.

【0066】最初に、アルミナ粉末、焼結助剤、バイン
ダー樹脂、キシレン等の溶剤、及びその他の添加剤を混
合してスラリーを調製する。
First, a slurry is prepared by mixing alumina powder, a sintering aid, a binder resin, a solvent such as xylene, and other additives.

【0067】次に、該スラリーをドクターブレード法に
より、ポリエステルシート等の上にシート状に塗布し、
これを乾燥させることでセラミックグリーンシートを作
製する。
Next, the slurry is applied in a sheet form on a polyester sheet or the like by a doctor blade method.
This is dried to produce a ceramic green sheet.

【0068】次に、該セラミックグリーンシートを所定
寸法に切断し、パッケージ各層に応じた穴開け加工処理
を施した後、タングステン等の高融点金属を主成分とす
る導体ペーストを所定のパターンに印刷するとともに、
ビアホールとなる貫通孔には前記導体ペーストを充填
し、この様な処理が施されたセラミックグリーンシート
を数〜十数枚積層する。
Next, the ceramic green sheet is cut into a predetermined size, subjected to a perforation process in accordance with each layer of the package, and printed with a conductor paste mainly composed of a high melting point metal such as tungsten in a predetermined pattern. Along with
The through-holes serving as via holes are filled with the conductive paste, and several to several tens of ceramic green sheets subjected to such treatment are laminated.

【0069】次に、不活性ガス雰囲気中で加熱処理をす
ることによりセラミックグリーンシート中の樹脂及び可
塑剤等の有機成分を分解、消失させ、その後焼成するこ
とにより、多層セラミック基板を製造する。該セラミッ
ク基板には、信号配線27、28、25、電源配線4
2、接地配線52、メッキ用引き出し電極23等の導体
層が形成されるとともに、ビアホール24、26、4
4、54等も形成されている。
Next, heat treatment is performed in an inert gas atmosphere to decompose and eliminate the organic components such as the resin and the plasticizer in the ceramic green sheet, followed by firing to produce a multilayer ceramic substrate. The signal wiring 27, 28, 25, the power wiring 4
2, the conductor layers such as the ground wiring 52 and the lead electrode 23 for plating are formed, and the via holes 24, 26, 4
4, 54, etc. are also formed.

【0070】次に、このようにして製造された多層セラ
ミック基板(パッケージ本体10)の上部のピン接合面
15に外部接続用端子である多数のピン61〜65を接
合する。
Next, a number of pins 61 to 65 serving as external connection terminals are joined to the pin joining surface 15 on the upper part of the multilayer ceramic substrate (package main body 10) manufactured as described above.

【0071】本実施の形態において製造される多層セラ
ミックPGA100は、セラミックからなるパッケージ
本体10のキャビティ12にLSI14が搭載され、L
SI14の搭載面13とピン61〜65とが同一の面側
にある、キャビティダウンと呼ばれる構造のパッケージ
であり、信号配線層122、124、電源配線層40及
び接地配線層50が積層された55mm角の280ピン
PGAである。
In the multilayer ceramic PGA 100 manufactured in this embodiment, an LSI 14 is mounted in a cavity 12 of a package body 10 made of ceramic.
This is a package having a structure called “cavity down” in which the mounting surface 13 of the SI 14 and the pins 61 to 65 are on the same surface side, and the signal wiring layers 122 and 124, the power supply wiring layer 40, and the ground wiring layer 50 are stacked at 55 mm. It is a 280 pin PGA with a corner.

【0072】パッケージ本体10の内部には、LSI1
4の多数のパッド(図示せず。)と多層セラミックPG
A100の多数のピン61等との接続をそれぞれ行うた
めに形成された多数の信号線20(図示しているのは1
本のみ)が形成されている。
The package body 10 contains an LSI 1
4 and a multi-layer ceramic PG
A100 has a large number of signal lines 20 formed for connection to a large number of pins 61 and the like.
Book only) is formed.

【0073】多数の信号線20のうち、パッケージ本体
10の中央部に配置されたピン61に対応する複数の信
号線20は、信号配線層122に形成された信号線22
と信号配線層124に形成された信号線25と信号線2
2と信号線25とを接続するビアホール24と信号線2
5とピン61とを接続するビアホール26とを備えてい
る。信号線22の内側部分はキャビティ12内に露出し
ており、パッド21となっている。
Of the many signal lines 20, the plurality of signal lines 20 corresponding to the pins 61 arranged at the center of the package body 10 are the signal lines 22 formed on the signal wiring layer 122.
And the signal lines 25 and 2 formed in the signal wiring layer 124
Via hole 24 connecting signal line 2 and signal line 25 and signal line 2
5 and a via hole 26 for connecting the pin 61. An inner portion of the signal line 22 is exposed inside the cavity 12 and serves as a pad 21.

【0074】信号線22は、パッド21からピン61の
位置Aまでパッケージ本体10の外周側に向かって延在
する第1の配線である信号線27とピン61の位置Aか
らさらにパッケージ本体10の外周側に向かって引き出
されている第1の副配線である信号線28とから構成さ
れている。信号配線層122に形成された第1の配線
である信号線28は位置Bにおいて、接続部であるビア
ホール24によって信号配線層124に形成された第2
の副配線である信号線25と接続されている。信号線2
5は位置Bからピン61の位置Aまで引き戻されてお
り、位置Aにおいて第2の配線であるビアホール26に
よりピン61に接続されている。
The signal line 22 extends from the pad 21 to the position A of the pin 61 toward the outer peripheral side of the package body 10 from the signal line 27 which is the first wiring and the position A of the pin 61 to the package body 10. And a signal line 28 which is a first sub-wiring extending toward the outer peripheral side. The signal line 28 which is the first sub- wiring formed in the signal wiring layer 122 is formed at the position B by the second hole formed in the signal wiring layer 124 by the via hole 24 which is the connecting portion.
Are connected to a signal line 25 which is a sub-wiring. Signal line 2
5 is pulled back from the position B to the position A of the pin 61, and is connected to the pin 61 at the position A by the via hole 26 as the second wiring.

【0075】また、信号配線層122には、メッキ用引
き出し線23がさらに設けられ、このメッキ用引き出し
線23はビアホール24が設けられている位置Bからパ
ッケージ本体10の側面11まで引き出されている。そ
して、パッケージ本体10の側面11には、このような
メッキ用引き出し線23を多数短絡したメッキ用電極7
0が形成されている。なお、メッキ用引き出し線11は
信号配線層124に形成してもかまわない。
The signal wiring layer 122 is further provided with a lead wire 23 for plating, and the lead wire 23 for plating is drawn from the position B where the via hole 24 is provided to the side surface 11 of the package body 10. . Then, on the side surface 11 of the package body 10, the plating electrode 7 in which a large number of such plating lead wires 23 are short-circuited.
0 is formed. Note that the lead wire 11 for plating may be formed in the signal wiring layer 124.

【0076】他の信号線20、すなわち、多数の信号線
20のうちパッケージ本体10の外周側に配置されたピ
ンに対応する複数の信号線20には、このような信号線
28、25は設けられておらず、図3に示したのと同様
に、パッケージ本体10の外周側に配置されたピンに対
応する位置まで信号線が引き出され、その位置におい
て、ビアホールによってピンに接続されている。メッキ
引き出し線も、このビアホールの位置からパッケージ本
体の側面11まで延在してメッキ用電極70に接続され
ている。
Such signal lines 28 and 25 are provided on other signal lines 20, that is, a plurality of signal lines 20 corresponding to pins arranged on the outer peripheral side of the package main body 10 among many signal lines 20. 3, a signal line is drawn out to a position corresponding to a pin arranged on the outer peripheral side of the package body 10, and is connected to the pin by a via hole at that position, as shown in FIG. The plating lead line also extends from the position of the via hole to the side surface 11 of the package body and is connected to the plating electrode 70.

【0077】接地配線52がパッケージ本体10のほぼ
全面にわたって接地配線層50に設けられ、電源配線4
2がパッケージ本体10の4つの側部(パッケージ本体
10から中央のキャビティ12を除いた4つの側部)1
9の電源配線層40のほぼ全面にわたって設けられてい
る。接地配線52及び電源配線42は、それぞれビアホ
ール54及び44を介してピン62及び64とそれぞれ
接続されている。接地配線52は上記4つの側部19と
ほぼ同程度の面状配線であり、電源配線42はパッケー
ジ寸法と同程度の面状配線であるが、接地配線52およ
び電源配線42ついてもメッキ用引き出し線(図示せ
ず)があり、メッキ用電極70に接続されているが、こ
れらは短い。また、信号線27、28および25は接地
配線52および電源配線42によってほぼ全面にわたっ
て挟まれている。
Ground wiring 52 is provided on ground wiring layer 50 over substantially the entire surface of package body 10, and power supply wiring 4 is provided.
Reference numeral 2 denotes four sides of the package body 10 (four sides excluding the center cavity 12 from the package body 10).
Nine power supply wiring layers 40 are provided over substantially the entire surface. The ground wiring 52 and the power supply wiring 42 are connected to pins 62 and 64 via via holes 54 and 44, respectively. The ground wiring 52 is a planar wiring that is substantially the same as the four side portions 19, and the power supply wiring 42 is a planar wiring that is substantially the same as the package size. There are wires (not shown), which are connected to the plating electrodes 70, which are short. Further, the signal lines 27, 28 and 25 are sandwiched substantially over the entire surface by the ground wiring 52 and the power supply wiring 42.

【0078】次に、メッキ用電極70を外部の電源に接
続し、硫酸ニッケルと塩化ニッケルを主成分とするNi
メッキ液に多層セラミックPGA10を浸漬して数μm
の厚みのNiメッキ被膜をすべてのピン61〜65の表
面およびすべてのパッド21の表面に形成する。次に該
Ni被膜を純水で洗浄し、金メッキ浴液に多層セラミッ
クPGA100を浸漬して数μmの厚みのAuメッキ被
膜をピン61〜65のNi被膜表面およびパッド21の
Ni被膜表面にそれぞれ形成し、その後、洗浄する。
Next, the plating electrode 70 is connected to an external power supply, and nickel plating containing nickel sulfate and nickel chloride as main components is performed.
Immerse the multilayer ceramic PGA10 in the plating solution to a few μm
Is formed on the surfaces of all the pins 61 to 65 and the surfaces of all the pads 21. Next, the Ni coating is washed with pure water, and the multilayer ceramic PGA100 is immersed in a gold plating bath solution to form Au plating coatings having a thickness of several μm on the Ni coating surfaces of the pins 61 to 65 and the Ni coating surface of the pad 21, respectively. And then wash.

【0079】その後、メッキ用電極70を、研磨等の方
法により除去することにより、各信号線20、電源配線
42、接地配線52を互いに分離して多層セラミックP
GA100を完成する。
Thereafter, by removing the plating electrode 70 by a method such as polishing, the signal lines 20, the power supply wiring 42, and the ground wiring 52 are separated from each other to form a multilayer ceramic P.
The GA 100 is completed.

【0080】最後に、キャビティ12内のLSI搭載面
13上にLSI14を搭載し、パッド21とLSI14
のパッド(図示せず。)との間をボンディングワイヤ8
1でボンディングする。
Finally, the LSI 14 is mounted on the LSI mounting surface 13 in the cavity 12, and the pad 21 and the LSI 14 are mounted.
Bonding wire 8 between the pad and a pad (not shown).
1 is bonded.

【0081】本実施の形態においては、メッキ用電極7
0を電源に接続して、メッキ用電極70、メッキ用引き
出し電極23ならびに接地配線52および電源配線42
用のメッキ用引き出し線(図示せず)を介してすべての
ピン61〜65の表面およびすべてのパッド21の表面
を同時に電解メッキできるので、容易かつ安価にメッキ
を行うことができる。
In this embodiment, the plating electrode 7
0 to the power supply, the plating electrode 70, the plating lead electrode 23, the ground wiring 52 and the power supply wiring 42.
Since the surfaces of all the pins 61 to 65 and the surfaces of all the pads 21 can be simultaneously electroplated via a lead wire (not shown) for plating, the plating can be performed easily and inexpensively.

【0082】また、ピン等に接触するような特殊な治具
を必要としないので、ピンやパッドの全面にわたってメ
ッキ被膜を形成することができる。
Further, since no special jig for contacting the pins or the like is required, a plating film can be formed on the entire surface of the pins and pads.

【0083】さらに、メッキ用引き出し線23は、ピン
61の位置Aではなく、位置Aよりもパッケージ本体1
0の外周部側の位置Bから側面11まで延在しているだ
けなので、その長さは短く、その結果、メッキ用引き出
し線23が有する負荷容量が減少し、信号歪や遅延が低
減され、メッキ用引き出し線23による電気特性の劣化
が抑制される。
Further, the lead wire 23 for plating is not located at the position A of the pin 61 but is located at a position
0, only extends from the position B on the outer peripheral side to the side surface 11, so that its length is short. As a result, the load capacitance of the lead wire 23 for plating is reduced, and signal distortion and delay are reduced. Deterioration of the electrical characteristics due to the lead wire for plating 23 is suppressed.

【0084】そして、位置Aから位置Bまでの間には、
信号線28と信号線25とがセラミック層90を間に挟
んで、互いに対向し互いに平行に配置され、このセラミ
ックOGA100を紙面の上側(ピン接合面15側)か
らみた場合に、重なった状態に配置されている。信号線
28および信号線25の線幅はほぼ同じである。そし
て、信号線28と信号線25との間のセラミック層90
の厚さは信号線28や信号線25の線幅のほぼ半分以下
である。従って、信号線28と信号線25との間の電磁
気的結合が強くなり、その結果、信号線28および信号
線25の実効的な電気パラメータ(実効インダクタンス
および対地容量)が小さくなり、信号歪や信号遅延が小
さくなる。従って、このように信号線28、信号線25
を設けて信号線20の長さが長くなっていても、電気特
性が劣化することが抑制または防止されている。
Then, between the position A and the position B,
The signal line 28 and the signal line 25 are arranged to face each other and to be parallel to each other with the ceramic layer 90 interposed therebetween. When the ceramic OGA 100 is viewed from above (the pin joint surface 15 side), the ceramic OGA 100 is in an overlapping state. Are located. The line widths of the signal line 28 and the signal line 25 are substantially the same. The ceramic layer 90 between the signal line 28 and the signal line 25
Is about half or less of the line width of the signal lines 28 and 25. Therefore, the electromagnetic coupling between the signal line 28 and the signal line 25 is strengthened. As a result, the effective electric parameters (effective inductance and ground capacitance) of the signal line 28 and the signal line 25 are reduced, and signal distortion and Signal delay is reduced. Therefore, the signal line 28 and the signal line 25 are
, The electrical characteristics are suppressed or prevented from deteriorating even if the length of the signal line 20 is increased.

【0085】なお、信号線20のうちパッケージ本体1
0の外周側に配置されたピンに対応する信号線20に
は、このような信号線28、25は設けられていない
が、この場合には、ピンは外周側に配置されているの
で、そのピンの位置から、メッキ引き出し線をパッケー
ジ本体の側面11まで延在してもその長さは短く、その
結果、メッキ用引き出し線が有する負荷容量が大きくは
なく、信号歪や遅延も大きくないので、メッキ用引き出
し線による電気特性の劣化も大きくはない。但し、信号
線に接続されるすべてのピンに対して、パッケージ本体
10の中央部に配置されたピン61と同様に上記信号線
28、25を設けてもよい。
The package body 1 of the signal lines 20
No signal lines 28 and 25 are provided on the signal line 20 corresponding to the pins arranged on the outer peripheral side of 0, but in this case, since the pins are arranged on the outer peripheral side, Even if the plated lead is extended from the pin position to the side surface 11 of the package body, its length is short. As a result, the load capacity of the plated lead is not large, and the signal distortion and delay are not large. Also, the deterioration of the electrical characteristics due to the lead wire for plating is not large. However, the signal lines 28 and 25 may be provided for all the pins connected to the signal lines in the same manner as the pins 61 arranged at the center of the package body 10.

【0086】(第2の実施の形態)また、LSI14と
ピンとを接続するための信号線を設ける配線層がさらに
必要な場合には、図2に示すように、例えば、配線層1
22および124に形成された信号線20に加えて信号
線30をさらに設ける。信号線30は、信号配線層13
2に形成された信号線32と信号配線層134に形成さ
れた信号線35と信号線32と信号線35とを接続する
ビアホール34と信号線35とピン63とを接続するビ
アホール36とを備えている。信号線32の内側部分は
キャビティ12内に露出しており、パッド31となって
いる。パッド31は、LSI14のパッド(図示せ
ず。)にボンディングワイヤ82でボンディングされ
る。
(Second Embodiment) When a wiring layer for providing a signal line for connecting the LSI 14 and a pin is further required, as shown in FIG.
A signal line 30 is further provided in addition to the signal lines 20 formed on 22 and 124. The signal line 30 is connected to the signal wiring layer 13
2, a signal line 35 formed in the signal wiring layer 134, a via hole 34 connecting the signal line 32 and the signal line 35, and a via hole 36 connecting the signal line 35 and the pin 63. ing. The inner part of the signal line 32 is exposed inside the cavity 12 and serves as a pad 31. The pad 31 is bonded to a pad (not shown) of the LSI 14 with a bonding wire 82.

【0087】信号線32は、パッド31からピン63の
位置Cまでパッケージ本体10の外周側に向かって延在
する第1の配線である信号線37とピン63の位置Cか
らさらにパッケージ本体10の外周側に向かって引き出
されている第1の副配線である信号線38とから構成さ
れている。信号配線層132に形成された信号線38は
位置Dにおいて、接続部であるビアホール34によって
信号配線層134に形成された第2の副配線である信号
線35と接続されている。信号線35は位置Dからピン
63の位置Cまで引き戻されており、位置Cにおいて第
2の配線であるビアホール36によりピン63に接続さ
れている。
The signal line 32 extends from the pad 31 to the position C of the pin 63 toward the outer peripheral side of the package body 10 as the first wiring and the position C of the pin 63 to the signal line 37. And a signal line 38 which is a first sub-wiring extending toward the outer peripheral side. The signal line 38 formed in the signal wiring layer 132 is connected at a position D to the signal line 35 as a second sub wiring formed in the signal wiring layer 134 by a via hole 34 as a connection portion. The signal line 35 is pulled back from the position D to the position C of the pin 63, and is connected to the pin 63 at the position C by a via hole 36 as a second wiring.

【0088】また、信号配線層132には、メッキ用引
き出し線33がさらに設けられ、このメッキ用引き出し
線33はビアホール34が設けられている位置Dからパ
ッケージ本体10の側面11まで引き出されている。そ
して、パッケージ本体10の側面11において、メッキ
用電極70に接続されている。なお、メッキ用引き出し
線33は信号配線層134に形成してもかまわない。
The signal wiring layer 132 is further provided with a lead wire 33 for plating, and the lead wire 33 for plating is drawn from the position D where the via hole 34 is provided to the side surface 11 of the package body 10. . Then, the side surface 11 of the package body 10 is connected to the plating electrode 70. Note that the plating lead 33 may be formed in the signal wiring layer 134.

【0089】他の構造は図1に示した多層セラミックP
GA100と同様である。
Another structure is the multilayer ceramic P shown in FIG.
Same as GA100.

【0090】本実施の形態においても、メッキ用電極7
0を電源に接続して、メッキ用電極70、メッキ用引き
出し線23、33ならびに接地配線52および電源配線
42用のメッキ用引き出し線(図示せず)を介してすべ
てのピン61〜65の表面およびすべてのパッド21、
31の表面を同時に電解メッキできるので、容易かつ安
価にメッキを行うことができる。
Also in the present embodiment, the plating electrode 7
0 is connected to a power supply, and the surfaces of all the pins 61 to 65 are passed through the plating electrode 70, the plating lead lines 23 and 33, and the plating lead lines (not shown) for the ground wiring 52 and the power supply wiring 42. And all pads 21,
Since the surfaces of 31 can be electrolytically plated at the same time, plating can be performed easily and at low cost.

【0091】また、ピン等に接触するような特殊な治具
を必要としないので、ピンやパッドの全面にわたってメ
ッキ被膜を形成することができる。
Further, since a special jig for contacting the pins and the like is not required, a plating film can be formed on the entire surface of the pins and the pads.

【0092】さらに、メッキ用引き出し線23は、ピン
61の位置Aではなく、位置Aよりもパッケージ本体1
0の外周部側の位置Bから側面11まで延在しているだ
けであり、メッキ用引き出し線33は、ピン63の位置
Cではなく、位置Cよりもパッケージ本体10の外周部
側の位置Dから側面11まで延在しているだけであるの
で、メッキ用引き出し線23、33の長さは短く、その
結果、メッキ用引き出し線23、33が有する負荷容量
が減少し、信号歪や遅延が低減され、メッキ用引き出し
線による電気特性の劣化が抑制される。
Further, the lead wire 23 for plating is not located at the position A of the pin 61 but at a position closer to the package body 1 than the position A.
0 only extends from the position B on the outer peripheral side to the side surface 11, and the lead wire 33 for plating is not at the position C of the pin 63 but at the position D on the outer peripheral side of the package body 10 from the position C. Therefore, the length of the plating lead lines 23 and 33 is short, and as a result, the load capacity of the plating lead lines 23 and 33 is reduced, and signal distortion and delay are reduced. Therefore, the deterioration of the electrical characteristics due to the lead wire for plating is suppressed.

【0093】そして、位置Aから位置Bまでの間には、
信号線28と信号線25とがセラミック層90を間に挟
んで、互いに対向し互いに平行に配置され、このセラミ
ックOGA100を紙面の上側(ピン接合面15側)か
らみた場合に、重なった状態に配置されている。信号線
28および信号線25の線幅はほぼ同じである。そし
て、信号線28と信号線25との間のセラミック層90
の厚さは信号線28や信号線25の線幅のほぼ半分以下
である。また、位置Cから位置Dまでの間には、信号線
38と信号線35とがセラミック層92を間に挟んで、
互いに対向し互いに平行に配置され、このセラミックP
GA100を紙面の上側からみた場合に、重なった状態
に配置されている。信号線38および信号線35の線幅
はほぼ同じである。そして、信号線38と信号線35と
の間のセラミック層92の厚さは信号線38や信号線3
5の線幅のほぼ半分以下である。従って、信号線28と
信号線25との間の電磁気的結合が強くなり、その結
果、信号線28および信号線25の実効的な電気パラメ
ータ(実効インダクタンスおよび対地容量)が小さくな
り、信号歪や信号遅延が小さくなる。また、信号線38
と信号線35との間の電磁気的結合が強くなり、その結
果、信号線38および信号線35の実効的な電気パラメ
ータ(実効インダクタンスおよび対地容量)が小さくな
り、信号歪や信号遅延が小さくなる。従って、このよう
に信号線28、信号線25を設けて信号線20の長さが
長くなっていても、また、信号線38、信号線35を設
けて信号線30の長さが長くなっていても、電気特性が
劣化することが抑制または防止されている。
Then, between the position A and the position B,
The signal line 28 and the signal line 25 are arranged to face each other and to be parallel to each other with the ceramic layer 90 interposed therebetween. When the ceramic OGA 100 is viewed from above (the pin joint surface 15 side), the ceramic OGA 100 is in an overlapping state. Are located. The line widths of the signal line 28 and the signal line 25 are substantially the same. The ceramic layer 90 between the signal line 28 and the signal line 25
Is about half or less of the line width of the signal lines 28 and 25. Between the position C and the position D, the signal line 38 and the signal line 35 sandwich the ceramic layer 92 therebetween.
The ceramic P
The GAs 100 are arranged in an overlapping state when viewed from above the paper. The line widths of the signal line 38 and the signal line 35 are substantially the same. The thickness of the ceramic layer 92 between the signal line 38 and the signal line 35 depends on the thickness of the signal line 38 or the signal line 3.
5 is almost half or less of the line width. Therefore, the electromagnetic coupling between the signal line 28 and the signal line 25 is strengthened. As a result, the effective electric parameters (effective inductance and ground capacitance) of the signal line 28 and the signal line 25 are reduced, and signal distortion and Signal delay is reduced. Also, the signal line 38
Electromagnetic coupling between the signal line 35 and the signal line 35 is increased, and as a result, effective electric parameters (effective inductance and ground capacitance) of the signal line 38 and the signal line 35 are reduced, and signal distortion and signal delay are reduced. . Therefore, even if the signal line 28 and the signal line 25 are provided and the signal line 20 is long, the signal line 38 and the signal line 35 are provided and the signal line 30 is long. Even so, the deterioration of the electrical characteristics is suppressed or prevented.

【0094】[0094]

【実施例】次に、上記第1の実施の形態の多層セラミッ
クPGA100中に形成されたメッキ用引き出し線23
の信号遅延に及ぼす影響を解析評価した。解析対象は、
上記第1の実施の形態に係る多層セラミックPGA10
0中の1本の信号線20のパッド21からピン61の先
端までである。
Next, the lead wire for plating 23 formed in the multilayer ceramic PGA 100 of the first embodiment will be described.
The effect of the signal on the signal delay was analyzed and evaluated. The analysis target is
Multilayer ceramic PGA10 according to the first embodiment
0 from the pad 21 of one signal line 20 to the tip of the pin 61.

【0095】有限要素法を用いた構造解析により該信号
線20が有するSパラメータの周波数特性(10MHz
〜3GHz)を抽出し、これをもとに該信号線20に入
力信号としての矩形波を入力した時の出力信号波形を回
路シミュレーションから求めることにより、信号遅延を
評価した。回路シミュレーションの条件は、入力信号の
出力抵抗は50Ωにしてパッド21側から入力し、ピン
61の先端に30pFの負荷容量を設置して、ピン61
の先端での信号遅延を評価した。なお、信号遅延時間
は、出力信号の立ち上がりが、信号振幅(1V)の65
%(0.65V)を超える時間で評価した。
The frequency characteristic (10 MHz) of the S parameter of the signal line 20 is determined by the structural analysis using the finite element method.
33 GHz), and based on the extracted signal waveform, an output signal waveform when a rectangular wave was input to the signal line 20 as an input signal was obtained from a circuit simulation to evaluate the signal delay. The conditions of the circuit simulation are as follows. The output resistance of the input signal is set to 50Ω, and the input signal is input from the pad 21 side.
The signal delay at the tip was evaluated. Note that the signal delay time is such that the rise of the output signal is 65 times the signal amplitude (1 V).
% (0.65 V).

【0096】解析した該信号線20の長さは信号線22
が28mm、信号線25が18mm、それらの線幅はそ
れぞれ100μm、特性インピーダンスは約50Ωであ
り、メッキ用引き出し線23の長さは2mmであった。
また、信号線22と信号線25に挟まれたアルミナセラ
ミック90の厚みは50μmと信号線幅の半分であっ
た。
The length of the analyzed signal line 20 is the signal line 22
Was 28 mm, the signal line 25 was 18 mm, their line width was 100 μm, the characteristic impedance was about 50Ω, and the length of the lead wire 23 for plating was 2 mm.
The thickness of the alumina ceramic 90 sandwiched between the signal lines 22 and 25 was 50 μm, which was half the signal line width.

【0097】なお、本実施例に係る多層セラミックPG
A100の信号遅延時間を従来の方法と比較するため
に、比較例として、図4に示した信号線222とメッキ
用引き出し線223の分岐点がピン61の直下に形成さ
れたビアホール226であるような多層セラミックPG
A200にメッキ処理が施されたものについても、同様
にして信号遅延時間を評価した。
The multilayer ceramic PG according to the present embodiment is
In order to compare the signal delay time of A100 with the conventional method, as a comparative example, the branch point of the signal line 222 and the plating lead line 223 shown in FIG. 4 is a via hole 226 formed immediately below the pin 61. Multilayer ceramic PG
The signal delay time was evaluated in the same manner for A200 plated.

【0098】比較例に係る多層セラミックPGA200
のピン61の位置は本発明の実施例と同一であり、信号
線222の長さは10mm、その線幅は100μm、メ
ッキ用引き出し線223の長さは20mmであった。
Multilayer ceramic PGA200 according to comparative example
The position of the pin 61 was the same as that of the embodiment of the present invention, the length of the signal line 222 was 10 mm, its line width was 100 μm, and the length of the lead wire 223 for plating was 20 mm.

【0099】解析の結果、本実施例に係る多層セラミッ
クPGA100の信号遅延時間は比較例に係る多層セラ
ミックPGA200のそれに比べて、約147p(ピ
コ)秒小さかった。
As a result of the analysis, the signal delay time of the multilayer ceramic PGA 100 according to the present example was smaller than that of the multilayer ceramic PGA 200 according to the comparative example by about 147 p (pico) seconds.

【0100】以上の結果より明らかなように、本実施例
に係る多層セラミックPGA100の場合には、信号線
22とメッキ用引き出し線23分岐点となるビアホール
24の位置Bをピン61の位置AよりもPGA外周側に
移動させたために、メッキ用引き出し線23が短くな
り、これにより負荷容量が減少したために、従来法に比
べて信号遅延時間を短くすることができた。
As is clear from the above results, in the case of the multilayer ceramic PGA 100 according to the present embodiment, the position B of the via hole 24 serving as a branch point of the signal line 22 and the lead wire 23 for plating is shifted from the position A of the pin 61. Also, since it was moved to the outer periphery of the PGA, the lead wire 23 for plating was shortened, and the load capacity was reduced, so that the signal delay time could be shortened as compared with the conventional method.

【0101】以上詳述したように本発明に係る多層パッ
ケージにあっては、メッキ処理を必要とするアレイ状の
外部接続端子を有する多層パッケージにおいて、信号線
とメッキ用引き出し線の分岐点であるビアホール位置を
ピン位置よりもパッケージ外周側に設定することによ
り、メッキ用引き出し線長を短くし、これによりメッキ
用引き出し線が有する負荷容量を減少させたために、従
来法に比べて信号遅延時間を短くすることができた。
As described in detail above, in the multilayer package according to the present invention, in a multilayer package having an array of external connection terminals requiring plating, it is a branch point between a signal line and a plating lead line. By setting the via hole position closer to the package outer periphery than the pin position, the lead wire length for plating is shortened, and the load capacitance of the lead wire for plating is reduced, so that the signal delay time is reduced compared to the conventional method. Could be shortened.

【0102】また、従来法と全く同様の電解メッキ処理
を施すために安価に製造できる。
Further, since the electroplating treatment is performed in exactly the same manner as in the conventional method, it can be manufactured at low cost.

【0103】[0103]

【発明の効果】本発明の電子部品用パッケージおよび電
子部品によれば、前記副配線を設けているので、例え
ば、パッケージ本体から露出して設けられた外部接続用
端子や電子素子接続用端子を電解メッキするためのメッ
キ用引き出し線をパッケージ本体内に設ける場合には、
メッキ用引き出し線を上記副配線に接続することにより
メッキ用引き出し線の長さを短くすることができ、その
結果、信号歪や遅延を低減でき、メッキ用引き出し線に
よる電気特性の劣化を抑制できる。また、このようなメ
ッキ用引出線をパッケージ本体から露出して設けられた
メッキ用電極に接続することにより、このメッキ用電極
を介して容易かつ安価に外部接続用端子や電子素子接続
用端子を電解メッキすることができる。
According to the electronic component package and electronic component of the present invention, since the sub-wiring is provided, for example, external connection terminals and electronic element connection terminals provided to be exposed from the package body are provided. When providing plating lead wires for electrolytic plating in the package body,
By connecting the plating lead to the sub-wiring, the length of the plating lead can be shortened. As a result, signal distortion and delay can be reduced, and deterioration of electrical characteristics due to the plating lead can be suppressed. . In addition, by connecting such a lead wire for plating to a plating electrode provided so as to be exposed from the package body, an external connection terminal and an electronic element connection terminal can be easily and inexpensively connected through the plating electrode. It can be electroplated.

【0104】また、本発明の電子部品用パッケージの製
造方法および電子部品用の製造方法によれば、パッケー
ジ本体から露出して設けられたメッキ用電極およびそれ
に接続されたメッキ用引き出し線を介して前記外部接続
用端子や前記電子素子接続用端子を電解メッキできるの
で、容易かつ安価に外部接続用端子や電子素子接続用端
子を電解メッキすることができる。そして、上記のよう
にして製造された電子部品用パッケージや電子部品にお
いては、メッキ用引き出し線を上記副配線に接続してい
るから、メッキ用引き出し線の長さが短くなっており、
その結果、信号歪や遅延が低減され、メッキ用引き出し
線による電気特性の劣化が抑制されている。
Further, according to the method for manufacturing an electronic component package and the method for manufacturing an electronic component of the present invention, the plating electrode exposed from the package body and the plating lead wire connected to the plating electrode are provided. Since the external connection terminal and the electronic element connection terminal can be electrolytically plated, the external connection terminal and the electronic element connection terminal can be easily and inexpensively electroplated. In the electronic component package and electronic component manufactured as described above, since the plating lead wire is connected to the sub wiring, the length of the plating lead wire is reduced,
As a result, signal distortion and delay are reduced, and deterioration of electrical characteristics due to the lead wire for plating is suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の多層セラミックP
GAを説明するための部分断面図である。
FIG. 1 shows a multilayer ceramic P according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a partial cross-sectional view for explaining a GA.

【図2】本発明の第2の実施の形態の多層セラミックP
GAを説明するための部分断面図である。
FIG. 2 shows a multilayer ceramic P according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a partial cross-sectional view for explaining a GA.

【図3】本発明の一実施例の信号遅延時間を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram illustrating a signal delay time according to an embodiment of the present invention.

【図4】従来の多層セラミックPGAの一例を説明する
ための部分断面図である。
FIG. 4 is a partial cross-sectional view illustrating an example of a conventional multilayer ceramic PGA.

【図5】従来の多層セラミックPGAの他の例を説明す
るための部分断面図である。
FIG. 5 is a partial cross-sectional view for explaining another example of the conventional multilayer ceramic PGA.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…パッケージ本体 11…側面 12…キャビティ 13…LSI搭載面 14…LSI 15…ピン接合面 19…側部 20、22、25、27、28、30、32、35、3
7、38、222、232…信号線 21、31、221、231…パッド 23、33、223、233…メッキ用引き出し線 24、26、34、36、44、54、226、236
…ビアホール 40…電源配線層 42…電源配線 50…接地配線層 52…接地配線 61〜65…ピン 70…メッキ用電極 90、92…セラミック層 100、200…多層セラミックPGA 122、124、132、134…信号配線層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Package main body 11 ... Side surface 12 ... Cavity 13 ... LSI mounting surface 14 ... LSI 15 ... Pin joining surface 19 ... Side part 20, 22, 25, 27, 28, 30, 32, 35, 3
7, 38, 222, 232 ... signal lines 21, 31, 221, 231 ... pads 23, 33, 223, 233 ... plating lead lines 24, 26, 34, 36, 44, 54, 226, 236
... via hole 40 ... power supply wiring layer 42 ... power supply wiring 50 ... ground wiring layer 52 ... ground wiring 61-65 ... pin 70 ... plating electrode 90,92 ... ceramic layer 100,200 ... multilayer ceramic PGA 122,124,132,134 ... Signal wiring layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/12 H01L 23/50 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 23/12 H01L 23/50

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】電子素子を搭載して電子部品を構成する電
子部品用パッケージであって、 パッケージ本体と、 前記パッケージ本体から露出して設けられ前記電子素子
と接続される電子素子接続用端子と、 前記パッケージ本体から露出して設けられた外部接続用
端子と、 前記パッケージ本体内に設けられ前記電子素子接続用端
子と前記外部接続用端子との間を接続する配線であっ
て、 前記電子素子接続用端子側の第1の配線と 前記外部接続端子側の第2の配線と、 前記第1の配線と前記第2の配線との間に直列に接続さ
れると共に前記パッケージ本体内に設けられた副配線
あって、 一端が前記第1の配線に接続されると共に前記第1の配
線から前記パッケージの外部に向かって延在して前記パ
ッケージ本体内に設けられた第1の副配線と、 一端が前記第2の配線に接続されると共に前記第2の配
線から前記パッケージの外部に向かって延在して前記パ
ッケージ本体内に設けられた第2の副配線と、 前記第1の副配線の他端と第2の副配線の他端とを接続
する接続部と、を有する前記副配線と、 を備える前記配線と、 前記副配線から前記パッケージ本体の外部に向かって前
記パッケージ本体内を延在して設けられたメッキ用引き
出し線と、を備える ことを特徴とする電子部品用パッケ
ージ。
An electronic component package comprising an electronic component mounted thereon to constitute an electronic component, comprising: a package body; and an electronic element connection terminal provided to be exposed from the package body and connected to the electronic element. An external connection terminal provided to be exposed from the package body; and a wiring provided in the package body to connect between the electronic element connection terminal and the external connection terminal, wherein the electronic element first wiring of the connection terminal side, and the external connection terminal side second wiring, provided in the package body is connected in series between the first wiring and the second wiring in was sub-wiring
A first sub-wiring having one end connected to the first wiring and extending from the first wiring toward the outside of the package and provided in the package body; A second sub-wiring connected to a second wiring and extending from the second wiring toward the outside of the package and provided in the package body; and the other end of the first sub-wiring. When a connecting portion for connecting the other end of the second sub-wiring, the the sub wiring having a said wiring having a front toward the outside of the package body from the sub-wiring
A plating pull extending through the package body
And a lead wire .
【請求項2】前記第1の副配線が第1の配線層に形成さ
れ、前記第2の副配線が前記第1の配線層とは異なる第
2の配線層に形成され、前記接続部が前記第1の副配線
の前記他端と前記第2の副配線の前記他端とを接続する
ビアホールであることを特徴とする請求項1記載の電子
部品用パッケージ。
2. The method according to claim 1, wherein the first sub-wiring is formed in a first wiring layer.
Wherein the second sub-wiring is different from the first wiring layer.
2 is formed on the second wiring layer, and the connection portion is formed on the first sub-wiring.
Is connected to the other end of the second sub-wiring.
Electronic component package according to claim 1, wherein the Oh Rukoto via holes.
【請求項3】前記電子部品用パッケージを平面図的にみ
た場合に、前記第1の配線が前記電子素子接続用端子か
ら前記外部接続用端子の位置またはその近傍まで延在
し、前記第1の副配線が前記外部接続用端子の位置また
はその近傍から前記パッケージの外部に向かって延在
し、前記第1の副配線の前記他端と前記第2の副配線の
前記他端とが第1のビアホールで接続され、前記第2の
副配線が前記第1のビアホールから前記外部接続用端子
の位置またはその近傍まで延在し、前記第2の配線が前
記外部接続用端子の位置またはその近傍に設けられた第
2のビアホールであり、前記第2の副配線の前記一端と
前記外部接続端子とが前記第2のビアホールによって接
続されていることを特徴とする請求項1または2記載の
電子部品用パッケージ。
3. A plan view of the electronic component package.
When the first wiring is connected to the electronic element connection terminal.
Extending to or near the position of the external connection terminal from
And the first sub-wiring is located at the position of the external connection terminal.
Extends from the vicinity to the outside of the package
The other end of the first sub-wiring and the second sub-wiring
The other end is connected by a first via hole, and the second
The sub-wiring extends from the first via hole to the external connection terminal.
, Or the vicinity thereof, and the second wiring
The third terminal provided at or near the position of the external connection terminal
2 via holes, the one end of the second sub-wiring and
The external connection terminal is connected by the second via hole.
Electronic component package according to claim 1, wherein that it has been continued.
【請求項4】前記第1の副配線と前記第2の副配線とが
隣接していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれ
かに記載の電子部品用パッケージ。
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein said first sub wiring and said second sub wiring are
Electronic component package according to any one of claims 1 to 3, wherein that you have adjacent.
【請求項5】前記第1の副配線が第1の配線層に形成さ
れ、前記第2の副配線が前記第1の配線層とは異なる第
2の配線層に形成され、前記第1の配線層と前記第2の
配線層との間に存在する誘電体層の厚さが、前記誘電体
層がセラミックの場合には約20μm乃至前記第1およ
び第2の配線層の線幅の約半分であり前記誘電体層がプ
ラスチックの場合には約10μm乃至前記第1および第
2の配線層の線幅の約半分であることを特徴とする請求
記載の電子部品用パッケージ。
5. The semiconductor device according to claim 1, wherein said first sub-wiring is formed in a first wiring layer.
Wherein the second sub-wiring is different from the first wiring layer.
2 and the first wiring layer and the second wiring layer.
The thickness of the dielectric layer existing between the dielectric layer and the wiring layer is
When the layer is ceramic, the thickness is about 20 μm to
About half the line width of the second wiring layer and the dielectric layer
In the case of a plastic, the first and second
2 about the electronic component package of claim 4, wherein half characterized by der Rukoto line width of the wiring layer.
【請求項6】前記第1の副配線が第1の配線層に形成さ
れ、前記第2の副配線が前記第1の配線層とは異なる第
2の配線層に形成され、前記第1の副配線と前記第2の
副配線とが互いに対向して配置され、前記電子部品用パ
ッケージを平面図的にみた場合に、前記第1の副配線と
前記第2の副配線とが重なって配置されていることを特
徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の電子部品用
パッケージ。
6. The first sub-wiring is formed in a first wiring layer, and the second sub-wiring is formed in a second wiring layer different from the first wiring layer. The sub-wiring and the second
The sub-wirings are arranged facing each other, and the electronic component
When the package is viewed in plan, the first sub-wiring is
The second electronic component package according to any one of claims 1 to 5 sub-wiring and is characterized that you have been disposed to overlap.
【請求項7】前記外部接続用端子、前記電子素子接続用
端子および前記配線がそれぞれ複数設けられ、 前記複数の電子素子接続用端子の各々が前記複数の外部
接続用端子の各々とそれぞれ対応し、 前記互いに対応する前記複数の前記電子素子接続用端子
の各々と前記複数の外部接続用端子の各々との間をそれ
ぞれ接続すべく、前記複数の配線の各々がそれぞれ設け
られ、 前記複数の外部接続用端子のうち少なくとも前記電子部
品用パッケージの内側に配置された1以上の前記外部接
続用端子の各々と、前記内側に配置された前記1以上の
前記外部接続用端子の各々とそれぞれ対応する1以上の
前記電子素子接続用端子の各々とをそれぞれ接続する1
以上の前記配線の各々の前記第1の配線と前記第2の配
線との間に、1以上の前記副配線の各々がそれぞれ直列
に接続されて設けら れていることを特徴とする請求項1
乃至6のいずれかに記載の電子部品用パッケージ。
7. The external connection terminal and the electronic element connection
A plurality of terminals and the wiring are provided, and each of the plurality of electronic element connection terminals is connected to the plurality of external devices.
The plurality of electronic element connection terminals respectively corresponding to the connection terminals and corresponding to each other.
And between each of the plurality of external connection terminals.
Each of the plurality of wirings is provided for connection.
At least the electronic part of the plurality of external connection terminals
One or more of said external connections arranged inside a product package.
Each of the connection terminals and the one or more
One or more terminals respectively corresponding to each of the external connection terminals
1 for connecting each of the electronic element connection terminals
The first wiring and the second wiring of each of the above wirings
Each of the one or more sub-wirings is connected in series
It is characterized by being et provided connected in claim 1
7. The electronic component package according to any one of claims 1 to 6.
【請求項8】請求項1乃至7のいずれかに記載の電子部
品用パッケージと前記電子部品用パッケージに搭載され
た電子素子とを備えることを特徴とする電子部品。
8. An electronic part according to claim 1,
Product package and the electronic component package
An electronic component comprising: an electronic device;
【請求項9】電子素子を搭載して電子部品を構成する電
子部品用パッケージの製造方法において、 パッケージ本体と、 前記パッケージ本体から露出して設けられ前記電子素子
と接続される電子素子接続用端子と、 前記パッケージ本体から露出して設けられた外部接続用
端子と、 前記パッケージ本体内に設けられ前記電子素子接続用端
子と前記外部接続用端子との間を接続する配線であっ
て、 前記電子素子接続用端子側の第1の配線と、 前記外部接続端子側の第2の配線と、 前記第1の配線と前記第2の配線との間に直列に接続さ
れると共に前記パッ ケージ本体内に設けられた副配線で
あって、 一端が前記第1の配線に接続されると共に前記第1の配
線から前記パッケージの外部に向かって延在して前記パ
ッケージ本体内に設けられた第1の副配線と、 一端が前記第2の配線に接続されると共に前記第2の配
線から前記パッケージの外部に向かって延在して前記パ
ッケージ本体内に設けられた第2の副配線と、 前記第1の副配線の他端と第2の副配線の他端とを接続
する接続部と、を有する前記副配線と、 を備える前記配線と、 前記副配線から前記パッケージ本体の外部に向かって前
記パッケージ本体内を延在して設けられたメッキ用引き
出し線と、 前記パッケージ本体から露出すると共に前記メッキ用引
き出し線と接続して設けられたメッキ用電極と、 を備えるパッケージを準備する工程と、 前記メッキ用電極を介して前記外部接続用端子および前
記電子素子接続用端子のうちの少なくとも一方に電解メ
ッキを行う工程と、 を備えることを特徴とする電子部品用パッケージの製造
方法。
9. An electronic component comprising an electronic element and constituting an electronic component.
In the method of manufacturing a package for a child component, a package body and the electronic element provided so as to be exposed from the package body
An electronic element connection terminal connected to an external connection externally provided from the package body.
A terminal and the electronic element connection end provided in the package body.
Wiring between the terminal and the external connection terminal.
A first wiring on the electronic element connection terminal side, a second wiring on the external connection terminal side, and a serial connection between the first wiring and the second wiring.
In sub wiring provided in the package body with the
And one end connected to the first wiring and the first wiring.
Extending from the wire to the outside of the package,
A first sub-wiring provided in the package body, one end of which is connected to the second wiring;
Extending from the wire to the outside of the package,
Connecting a second sub-wiring provided in the package body to the other end of the first sub-wiring and the other end of the second sub-wiring;
A connecting portion for the a sub wiring having a said wiring having a front toward the outside of the package body from the sub-wiring
A plating pull extending through the package body
Lead wire and the plating lead exposed from the package body.
Preparing a package including a plating electrode provided in connection with the lead-out line; and forming the external connection terminal and the front through the plating electrode.
At least one of the electronic device connection terminals has an electrolytic
Manufacture of electronic component package, characterized in that it comprises a step of performing Tsu key, the
Method.
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