JP3305807B2 - Semiconductor chip mounting structure - Google Patents
Semiconductor chip mounting structureInfo
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- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体パッケージ等の
半導体チップ実装構造体に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor chip mounting structure such as a semiconductor package.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体チップは、外部環境からの保護や
ハンドリング性の向上等を目的として、通常、プラスチ
ックパッケージやセラミックスパッケージ等に実装して
使用している。このようなパッケージに半導体チップを
実装する方法として、まずテープキャリアいわゆるTA
B(tape automated bonding)テープに半導体チップを
接合し、このTABチップをパッケージに実装する方法
が知られている。2. Description of the Related Art A semiconductor chip is usually mounted on a plastic package, a ceramic package, or the like for the purpose of protection from an external environment and improvement of handling. As a method of mounting a semiconductor chip on such a package, first, a tape carrier so-called TA
There is known a method of bonding a semiconductor chip to a B (tape automated bonding) tape and mounting the TAB chip in a package.
【0003】従来、上述したようなテープキャリア式の
半導体チップをパッケージに実装する場合には、図6
(a)および(b)に示すように、TABテープのリー
ド1にボンディングされた半導体チップ2を、リード接
続用パッド3が表面に設けられたパッケージ用の多層回
路基板、例えばセラミックス多層回路基板4上に配置
し、TABテープのリード1をセラミックス多層回路基
板4上のリード接続用パッド3に接続(接続部5)して
いる。なお、図中6はサポートリングであり、TABリ
ード1の上面側に設けられている。このようなTABチ
ップを実装する従来のセラミックス多層回路基板4にお
いては、図7に示すように、リード接続用パッド3が単
列で形成されており、この単列のリード接続用パッド3
にTABリード1を単列で接続している。Conventionally, when a tape carrier type semiconductor chip as described above is mounted on a package, FIG.
As shown in FIGS. 1A and 1B, a semiconductor chip 2 bonded to a lead 1 of a TAB tape is connected to a package multilayer circuit board having lead connection pads 3 provided on its surface, for example, a ceramic multilayer circuit board 4. The lead 1 of the TAB tape is connected to the lead connection pad 3 on the ceramic multilayer circuit board 4 (connection portion 5). In the drawing, reference numeral 6 denotes a support ring, which is provided on the upper surface side of the TAB lead 1. In a conventional ceramic multilayer circuit board 4 on which such a TAB chip is mounted, as shown in FIG. 7, the lead connection pads 3 are formed in a single row.
Are connected in a single row.
【0004】ところで、最近の半導体チップの高集積化
等に伴って、半導体チップへの入出力信号数は年々増加
しており、これによりTABリードの形成ピッチはより
一層狭くなる傾向にある。従って、回路基板側のリード
接続用パッドも狭ピッチで形成しなければならない。し
かし、従来の単列で形成したリード接続用パッドでは、
パッド形成ピッチの狭小化に伴って、TABリードとの
位置合せが極めて困難となり、TABリードとリード接
続用パッドとの接続不良が発生しやすいという問題が生
じている。By the way, the number of input / output signals to / from the semiconductor chip has been increasing year by year due to recent high integration of the semiconductor chip and the like, so that the pitch for forming the TAB lead tends to be further narrowed. Therefore, the lead connection pads on the circuit board side must also be formed at a narrow pitch. However, with the conventional lead connection pads formed in a single row,
As the pad formation pitch becomes narrower, alignment with the TAB lead becomes extremely difficult, and there is a problem that a connection failure between the TAB lead and the lead connection pad is likely to occur.
【0005】また、半導体チップを実装する回路基板に
ついては、リード接続用パッドを狭ピッチで形成するた
めに、リード接続用パッドを含む表面配線層に薄膜配線
等の微細配線技術を適用しなければならず、半導体パッ
ケージの製造コストの増大を招いている。また、薄膜配
線等を適用しても、TABリードとリード接続用パッド
との位置ずれ許容範囲は変わらないため、接続不良の問
題を解消することはできない。On the other hand, with respect to a circuit board on which a semiconductor chip is mounted, fine wiring technology such as thin film wiring must be applied to the surface wiring layer including the lead connection pads in order to form lead connection pads at a narrow pitch. However, the manufacturing cost of the semiconductor package is increased. Further, even if a thin film wiring or the like is applied, the allowable range of the positional deviation between the TAB lead and the lead connection pad does not change, so that the problem of poor connection cannot be solved.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のTABチップの実装構造では、リードピッチの狭小化
に十分に対応することができず、TABリードとリード
接続用パッドとの接続不良や製造コストの増大等の問題
を招いている。As described above, the mounting structure of the conventional TAB chip cannot sufficiently cope with the narrowing of the lead pitch, resulting in poor connection between the TAB lead and the pad for lead connection. This causes problems such as an increase in manufacturing cost.
【0007】本発明は、このような課題に対処してなさ
れたもので、TABリードの形成ピッチを狭小化したよ
うな場合においても、TABリードとリード接続用パッ
ドとの接続を安定して行うことを可能にすると共に、製
造コストの増大を防止した半導体チップ実装構造体を提
供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such a problem, and stably connects a TAB lead to a lead connection pad even when the pitch for forming the TAB lead is narrowed. It is an object of the present invention to provide a semiconductor chip mounting structure capable of performing the above and preventing an increase in manufacturing cost.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体チップ実
装構造体は、複数のサポートリングを有するテープキャ
リアに接合された半導体チップを、表面に複数列のリー
ド接続用パッドを有するセラミックス多層回路基板に実
装してなる半導体チップ実装構造体であって、前記複数
のサポートリングが前記セラミックス多層回路基板側に
位置するように、前記テープキャリアに接合された半導
体チップを配置し、前記テープキャリアのリード部と前
記セラミックス多層回路基板のリード接続用パッドとの
接続部が複数列となるように実装したことを特徴として
いる。According to the present invention, there is provided a semiconductor chip mounting structure comprising a ceramic multilayer circuit board having a plurality of rows of lead connection pads on the surface of a semiconductor chip bonded to a tape carrier having a plurality of support rings. A semiconductor chip mounted on the tape carrier, wherein a semiconductor chip bonded to the tape carrier is arranged such that the plurality of support rings are positioned on the ceramic multilayer circuit board side, and the lead of the tape carrier is provided. And a connection portion between the portion and the lead connection pad of the ceramic multilayer circuit board is mounted in a plurality of rows.
【0009】[0009]
【作用】本発明の半導体チップ実装構造体においては、
リード接続用パッドを複数列で配置しているため、各パ
ッド列内におけるリード接続用パッド間の距離を十分広
く設定することが可能となり、よってリード接続用パッ
ドの幅を十分広くとることができる。これによって、狭
ピッチのテープキャリアのリード部に対しても、リード
位置ずれ許容範囲を広く設定することが可能となるた
め、リード部とリード接続用パッドとを良好に位置合せ
することができ、接続不良の発生を安定して防止するこ
とが可能となる。また、セラミックス多層回路基板側に
複数のサポートリングを配置しているため、上記したよ
うに接続部を複数列としても、接続部以外でショートす
ることが防止できる。さらに、リード接続用パッド間の
距離を十分広く設定することが可能となることから、薄
膜配線等の微細配線技術を適用することなく、リード接
続用パッドを形成することができ、製造コストの増大を
防止することが可能となる。In the semiconductor chip mounting structure of the present invention,
Since the lead connection pads are arranged in a plurality of rows, the distance between the lead connection pads in each pad row can be set sufficiently large, and thus the width of the lead connection pads can be made sufficiently large. . Thereby, even for the lead portion of the tape carrier having a narrow pitch, it is possible to set the lead position deviation allowable range widely, so that the lead portion and the lead connection pad can be favorably aligned, It is possible to stably prevent the occurrence of connection failure. Further, since a plurality of support rings are arranged on the ceramic multilayer circuit board side, even if the connection portions are arranged in a plurality of rows as described above, it is possible to prevent a short circuit at a portion other than the connection portions. Furthermore, since it is possible to set sufficiently wide distance between lead connection pads, without applying a fine wiring technology for thin film wiring or the like, it is possible to form the lead connection pads, the increase in manufacturing cost Can be prevented.
【0010】[0010]
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0011】図1は、本発明の半導体チップ実装構造体
を適用した半導体パッケージの一実施例の構成を示す図
であり、図1(a)はその要部断面図、また図1(b)
は要部平面図である。同図において、11は半導体チッ
プであり、この半導体チップ11に設けられたバンプ1
1aには、TABリード12がボンディングされてい
る。図1は、半導体チップ11を回路基板14に実装し
た後の状態を示しているが、半導体チップ11はテープ
キャリアとしてのTABテープに接合、支持されたテー
プキャリアチップ、いわゆるTABチップである。FIG. 1 is a view showing the configuration of an embodiment of a semiconductor package to which the semiconductor chip mounting structure of the present invention is applied. FIG. 1 (a) is a sectional view of a main part thereof, and FIG. 1 (b).
FIG. 3 is a plan view of a main part. In the figure, reference numeral 11 denotes a semiconductor chip, and bumps 1 provided on the semiconductor chip 11 are provided.
A TAB lead 12 is bonded to 1a. FIG. 1 shows a state after the semiconductor chip 11 is mounted on the circuit board 14. The semiconductor chip 11 is a so-called TAB chip which is bonded and supported on a TAB tape as a tape carrier.
【0012】上記TABリード12の回路基板14側に
は、複数のサポートリング13a、13b、13c(こ
の実施例では 3個)が設けられており、TABリード1
2が接続部以外でショートすることを防止している。On the circuit board 14 side of the TAB lead 12, a plurality of support rings 13a, 13b, 13c (three in this embodiment) are provided.
2 prevents short-circuiting at portions other than the connection portion.
【0013】一方、上記TABチップ1が実装された回
路基板14は、例えばセラミックス多層回路基板であ
る。このセラミックス多層回路基板の構成材料として
は、各種の絶縁性セラミックスを用いることができ、例
えば窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ケイ素
等が例示される。特に、窒化アルミニウム多層回路基板
は、熱伝導性に優れることから、入出力信号数の増加へ
の対応を図った上で、パッケージとしての高放熱性化が
達成でき、さらに多層回路基板を小形化することが可能
となる。On the other hand, the circuit board 14 on which the TAB chip 1 is mounted is, for example, a ceramic multilayer circuit board. Various insulating ceramics can be used as a constituent material of the ceramic multilayer circuit board, and examples thereof include aluminum nitride, aluminum oxide, and silicon nitride. In particular, since the aluminum nitride multilayer circuit board has excellent thermal conductivity, it can cope with an increase in the number of input / output signals, achieve high heat dissipation as a package, and reduce the size of the multilayer circuit board. It is possible to do.
【0014】上記セラミックス多層回路基板14の表面
には、リード接続用パッド15が設けられている。この
リード接続用パッド15は、図2に示すように、複数の
パッド列16a、16b、16c(この実施例では 3
列)によって配置されている。そして、パッド列16a
からパッド列16cに向けて、隣接するリード接続用パ
ッド15間の形成ピッチが、上記TABリード12の形
成ピッチに対応するように、各パッド列16a、16
b、16cが形成されている。換言すれば、パッド列1
6aとパッド列16bとの間で近接するリード接続用パ
ッド15間の形成ピッチ、パッド列16bとパッド列1
6cとの間で近接するリード接続用パッド15間の形成
ピッチ、パッド列16cとパッド列16aとのリード接
続用パッド15間の形成ピッチが、それぞれTABリー
ド12の形成ピッチに対応している。また、各リード接
続用パッド15は、セラミックス多層回路基板14内部
の信号配線17を介して、 I/Oピン等の実装ボードとの
接続用の外部端子18に接続されている。なお、図中1
9は、信号配線17の一部となるビアホールである。A lead connection pad 15 is provided on the surface of the ceramic multilayer circuit board 14. As shown in FIG. 2, the lead connection pad 15 includes a plurality of pad rows 16a, 16b, 16c (3 in this embodiment).
Columns). Then, the pad row 16a
From the pad rows 16a to 16c so that the pitch between adjacent lead connection pads 15 corresponds to the pitch at which the TAB leads 12 are formed.
b, 16c are formed. In other words, pad row 1
Pitch between the lead connection pads 15 adjacent between the pad row 16a and the pad row 16b, the pad row 16b and the pad row 1
The formation pitch between the lead connection pads 15 adjacent to each other and the formation pitch between the lead connection pads 15 between the pad row 16c and the pad row 16a correspond to the formation pitch of the TAB leads 12, respectively. Each lead connection pad 15 is connected to an external terminal 18 such as an I / O pin for connection to a mounting board via a signal wiring 17 inside the ceramic multilayer circuit board 14. In addition, 1 in the figure
9 is a via hole that becomes a part of the signal wiring 17.
【0015】また、リード接続用パッド15の形状は、
図2に示したようなビアホール19周囲に形成した同心
円状の接続部に長方形状のパッド部を設けた形状に限ら
ず、例えば図3に示すように、ビアホール19との接続
部とパッド部を連続した長方形状としたもの、図4に示
したように、ビアホール19の周囲に形成した同心円状
の接続部をパッド部としたもの、さらに図5に示すよう
に、ビアホール19を直接パッド部としたもの等、種々
の形状を使用することができる。The shape of the lead connection pad 15 is as follows.
The concentric connection formed around the via hole 19 as shown in FIG. 2 is not limited to the configuration in which a rectangular pad portion is provided. For example, as shown in FIG. A continuous rectangular shape, a concentric connection formed around the via hole 19 as a pad portion as shown in FIG. 4, and a via hole 19 directly as a pad portion as shown in FIG. Various shapes can be used, such as those described above.
【0016】そして、上記したようなセラミックス多層
回路基板14のリード接続用パッド15に対して、半導
体チップ11にボンディングされたTABリード12
は、順にサポートリング13間で接続されており、TA
Bリード12とリード接続用パッド15との接続部20
は複数列で構成されている。The TAB lead 12 bonded to the semiconductor chip 11 is connected to the lead connection pad 15 of the ceramic multilayer circuit board 14 as described above.
Are sequentially connected between the support rings 13 and TA
Connection part 20 between B lead 12 and lead connection pad 15
Is composed of a plurality of columns.
【0017】上述した実施例の半導体パッケージにおい
ては、リード接続用パッド15を複数のパッド列16
a、16b、16cで配置しているため、各パッド列内
におけるリード接続用パッド15間の距離を十分広く設
定することが可能となり、よってリード接続用パッド1
5の幅を十分広くすることができる。これによって、狭
ピッチのTABリード12に対しても、リード位置ずれ
許容範囲を広く設定することが可能となるため、TAB
リード12とリード接続用パッド15とを良好に位置合
せすることができ、接続不良の発生を安定して防止する
ことが可能となる。また、このようにTABリード12
とリード接続用パッド15との接続部20を複数列で構
成しても、TABリード12には回路基板14側に複数
のサポートリング13a、13b、13cが設けられて
いるため、TABリード12が接続部以外でショートす
ることが防止できる。In the semiconductor package of the embodiment described above, the lead connection pads 15 are
a, 16b, and 16c, the distance between the lead connection pads 15 in each pad row can be set sufficiently large.
5 can be made sufficiently wide. As a result, it is possible to set a wide allowable range of lead position deviation even for a TAB lead 12 having a narrow pitch.
The lead 12 and the lead connection pad 15 can be favorably aligned, and the occurrence of connection failure can be stably prevented. Also, as shown in FIG.
Even if the connecting portion 20 between the lead connection pad 15 and the lead connection pad 15 is formed in a plurality of rows, the TAB lead 12 is provided with a plurality of support rings 13a, 13b, and 13c on the circuit board 14 side. A short circuit can be prevented at portions other than the connection portion.
【0018】次に、上記半導体パッケージの具体例につ
いて説明する。Next, a specific example of the semiconductor package will be described.
【0019】すなわち、幅50μm のTABリード12を
形成ピッチ 100μm でボンディングしたTABチップ1
1を用いて、半導体パッケージを作製した。セラミック
ス多層回路基板14表面のリード接続用パッド15は幅
200μm とし、かつ各パッド列内の形成ピッチを 300μ
m として、パッド列16a、16b、16cをそれぞれ
通常のスクリーン印刷で形成した。このようなリード接
続用パッド15を有するセラミックス多層回路基板14
に対して、上記したTABチップ11を接続部20が 3
列となるように接合した。この半導体パッケージにおい
ては、リード幅は50μm 、リード接続用パッド幅は 200
μm であるため、±70μm のリード位置ずれが許容で
き、良好なTAB接続を実施することができた。That is, a TAB chip 1 in which TAB leads 12 having a width of 50 μm are bonded at a formation pitch of 100 μm.
1 was used to fabricate a semiconductor package. The lead connection pad 15 on the surface of the ceramic multilayer circuit board 14 has a width.
200μm and the formation pitch in each pad row is 300μ
As m, the pad rows 16a, 16b and 16c were each formed by normal screen printing. Ceramic multilayer circuit board 14 having such lead connection pads 15
In response to the above, the connecting portion 20 connects the TAB chip 11
Joined in rows. In this semiconductor package, the lead width is 50 μm, and the lead connection pad width is 200
Because of the μm, a lead position deviation of ± 70 μm was acceptable, and a good TAB connection could be implemented.
【0020】一方、図6および図7に示した従来の半導
体パッケージにおいて、同一形状のTABチップの実装
を行った。このTABチップへの対応を図るために、リ
ード接続用パッドの幅は60μm とし、また形成ピッチは
100μm (単列)とした。このような配線は、スクリー
ン印刷では形成できないため、薄膜微細配線とした。こ
のようなリード接続用パッドを有するセラミックス多層
回路基板に対して、上記したTABチップを接続部が単
列となるように接合した。この半導体パッケージにおい
ては、リード幅は50μm 、リード接続用パッド幅は60μ
m であるため、± 5μm のリード位置ずれしか許容する
ことができず、薄膜微細配線によりコスト増となってい
ると共に、接続不良が発生した。On the other hand, in the conventional semiconductor package shown in FIGS. 6 and 7, a TAB chip having the same shape was mounted. In order to support this TAB chip, the width of the lead connection pad is 60 μm and the pitch is
100 μm (single row). Since such wiring cannot be formed by screen printing, a thin film fine wiring was used. The above-described TAB chip was joined to the ceramic multilayer circuit board having such lead connection pads such that the connection portions were arranged in a single row. In this semiconductor package, the lead width is 50 μm and the pad width for lead connection is 60 μm.
m, only a lead position deviation of ± 5 μm could be tolerated, and the cost was increased due to thin-film fine wiring, and connection failure occurred.
【0021】なお、上記実施例では、本発明の半導体チ
ップ実装構造体をPGA(ピングリッドアレイ)パッケ
ージに適用した例を示したが、LGA(ランドグリッド
アレイ)パッケージ、QFPパッケージ等の種々の半導
体パッケージ、また一般的な基板実装等に適用すること
が可能である。In the above embodiment, an example is shown in which the semiconductor chip mounting structure of the present invention is applied to a PGA (pin grid array) package, but various semiconductors such as an LGA (land grid array) package and a QFP package are used. The present invention can be applied to a package, general board mounting, and the like.
【0022】[0022]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体チ
ップ実装構造体によれば、テープキャリアのリード形成
ピッチを狭小化したような場合においても、リードとリ
ード接続用パッドとの接続を安定して行うことができ、
かつ安価に実装構造体を提供することが可能となる。As described above, according to the semiconductor chip mounting structure of the present invention, even when the pitch for forming the leads of the tape carrier is narrowed, the connection between the leads and the pads for lead connection is stabilized. You can do
In addition, it is possible to provide a mounting structure at low cost.
【図1】 本発明の半導体チップ実装構造体を適用した
一実施例の半導体パッケージの構成を示す図であって、
(a)はその要部断面図、(b)は要部平面図である。FIG. 1 is a view showing a configuration of a semiconductor package according to an embodiment to which a semiconductor chip mounting structure of the present invention is applied,
(A) is a sectional view of the main part, and (b) is a plan view of the main part.
【図2】 図1に示す半導体チップにおける多層回路基
板のリード接続用パッドの配置例を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the arrangement of lead connection pads on a multilayer circuit board in the semiconductor chip illustrated in FIG. 1;
【図3】 リード接続用パッドの他の構成例を示す図で
ある。FIG. 3 is a diagram showing another configuration example of the lead connection pad.
【図4】 リード接続用パッドのさらに他の構成例を示
す図である。FIG. 4 is a diagram showing still another configuration example of a lead connection pad.
【図5】 リード接続用パッドのさらに他の構成例を示
す図である。FIG. 5 is a diagram showing still another configuration example of the lead connection pad.
【図6】 従来の半導体パッケージの構成を示す図であ
って、(a)はその要部断面図、(b)は要部平面図で
ある。6A and 6B are diagrams showing a configuration of a conventional semiconductor package, in which FIG. 6A is a sectional view of a main part thereof, and FIG. 6B is a plan view of a main part thereof.
【図7】 図6に示す従来の半導体チップにおける多層
回路基板のリード接続用パッドの配置例を示す図であ
る。FIG. 7 is a diagram showing an example of the arrangement of lead connection pads on a multilayer circuit board in the conventional semiconductor chip shown in FIG. 6;
11……半導体チップ(TABチップ) 12……TABリード 13a、13b、13c……サポートリング 14……セラミックス多層回路基板 15……リード接続用パッド 16a、16b、16c……パッド列 11 Semiconductor chip (TAB chip) 12 TAB lead 13a, 13b, 13c Support ring 14 Ceramic multilayer circuit board 15 Lead connection pad 16a, 16b, 16c Pad row
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60 311 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/60 311
Claims (4)
ャリアに接合された半導体チップを、表面に複数列のリ
ード接続用パッドを有するセラミックス多層回路基板に
実装してなる半導体チップ実装構造体であって、 前記複数のサポートリングが前記セラミックス多層回路
基板側に位置するように、前記テープキャリアに接合さ
れた半導体チップを配置し、前記テープキャリアのリー
ド部と前記セラミックス多層回路基板のリード接続用パ
ッドとの接続部が複数列となるように実装したことを特
徴とする半導体チップ実装構造体。1. A semiconductor chip mounting structure in which a semiconductor chip joined to a tape carrier having a plurality of support rings is mounted on a ceramic multilayer circuit board having a plurality of rows of lead connection pads on the surface, A semiconductor chip joined to the tape carrier is arranged so that the plurality of support rings are positioned on the ceramic multilayer circuit board side, and a lead portion of the tape carrier and a lead connection pad of the ceramic multilayer circuit board are arranged. A semiconductor chip mounting structure, wherein connection portions are mounted in a plurality of rows.
において、 前記セラミックス多層回路基板は構成材料として、窒化
アルミニウム、酸化アルミニウムまたは窒化ケイ素から
選ばれる絶縁性セラミックスを具備することを特徴とす
る半導体チップ実装構造体。2. The semiconductor chip mounting structure according to claim 1, wherein the ceramic multilayer circuit board includes an insulating ceramic selected from aluminum nitride, aluminum oxide, and silicon nitride as a constituent material. Chip mounting structure.
ップ実装構造体において、 前記セラミックス多層回路基板はビアホールを有するこ
とを特徴とする半導体チップ実装構造体。3. The semiconductor chip mounting structure according to claim 1, wherein the ceramic multilayer circuit board has a via hole.
記載の半導体チップ実装構造体において、 前記半導体チップ実装構造体はPGAパッケージ、LG
AパッケージまたはQFPパッケージであることを特徴
とする半導体チップ実装構造体。4. The semiconductor chip mounting structure according to claim 1, wherein said semiconductor chip mounting structure is a PGA package, and
A semiconductor chip mounting structure, which is an A package or a QFP package.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12384293A JP3305807B2 (en) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | Semiconductor chip mounting structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12384293A JP3305807B2 (en) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | Semiconductor chip mounting structure |
Publications (2)
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| JPH06333979A JPH06333979A (en) | 1994-12-02 |
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Family Applications (1)
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| JP12384293A Expired - Fee Related JP3305807B2 (en) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | Semiconductor chip mounting structure |
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1993
- 1993-05-26 JP JP12384293A patent/JP3305807B2/en not_active Expired - Fee Related
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