JP3312969B2 - Circuit element for microwave / millimeter wave band - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は,マイクロ波,ミリ波
に用いられる誘電体基板もしくは誘電体線路を利用した
回路に用いられる無反射終端器,アッテネータ,整合線
路,共振器素子,スイッチ等の回路素子を,主線路ある
いは基板誘電体部と該主線路あるいは基板誘電体部とは
異なる特性の物質を配合した高周波吸収部材とを一体融
着させて構成するマイクロ波・ミリ波帯用回路素子およ
びその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a non-reflection terminator, an attenuator, a matching line, a resonator element, a switch, etc. used in a circuit using a dielectric substrate or a dielectric line used for microwaves and millimeter waves. A circuit element for a microwave / millimeter wave band in which a circuit element is formed by integrally fusing a main line or a substrate dielectric portion and a high frequency absorbing member containing a material having a characteristic different from that of the main line or the substrate dielectric portion. And a method of manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】以下では,マイクロ波,ミリ波に用いら
れる誘電体線路の一種であるNRDガイド線路を例にと
って説明する。従来において,一般的なNRDガイド線
路として図50に示すような構成のものが知られてい
る。図50は,NRDガイドの原理を示す説明図であ
り,図50において,上側導体板5001と下側導体板
5002との間に,断面が高さaの信号伝送用の誘電体
線路5003を設ける。このとき,上側導体板5001
と下側導体板5002との間隔(高さa)を,誘電体線
路5003外の上側導体板5001と下側導体板500
2間部分における使用周波数の1/2波長以下としたN
RDガイドを構成する。2. Description of the Related Art An NRD guide line, which is a type of dielectric line used for microwaves and millimeter waves, will be described below as an example. Conventionally, a general NRD guide line having a configuration as shown in FIG. 50 is known. FIG. 50 is an explanatory view showing the principle of the NRD guide. In FIG. 50, a dielectric line 5003 for signal transmission having a height a is provided between the upper conductor plate 5001 and the lower conductor plate 5002. . At this time, the upper conductor plate 5001
The distance (height a) between the lower conductor plate 5002 and the upper conductor plate 5001 outside the dielectric line 5003
N equal to or less than 1/2 wavelength of the operating frequency in the portion between the two
Construct an RD guide.
【0003】図51は,従来におけるNRDガイド用無
反射終端器の構成を示す説明図であり,図において,5
101は上側誘電体樹脂ストリップ,5102は下側誘
電体樹脂ストリップ,5103は抵抗膜,5104はV
字形切欠テーパ部,5105はΔ形誘電体シートであ
る。FIG. 51 is an explanatory view showing the structure of a conventional anti-reflection terminator for an NRD guide.
101 is an upper dielectric resin strip, 5102 is a lower dielectric resin strip, 5103 is a resistive film, and 5104 is V
The V-shaped notch taper 5105 is a Δ-shaped dielectric sheet.
【0004】上記抵抗膜5103は,例えば,金属が蒸
着された樹脂フィルムを,例えば,高周波電気特性の良
好な純フッ素樹脂等により形成された上側誘電体樹脂ス
トリップ5101および下側誘電体樹脂ストリップ51
02の2枚の誘電体樹脂ストリップにより上下から挟ん
だ構成となっている。また,抵抗膜5103の入力側の
広帯域・反射特性改善のためのV字形切り込み部分に
は,上側誘電体樹脂ストリップ5101および下側誘電
体樹脂ストリップ5102によって発生するすき間を埋
めるために,Δ形誘電体シート5105,例えば,純フ
ッ素樹脂シートを入れて接着剤等で接着固定し,このΔ
形誘電体シート5105により,すき間による反射の損
失および不要モードの発生を抑制している。The resistive film 5103 is made of, for example, a resin film on which a metal is deposited, and is formed of, for example, an upper dielectric resin strip 5101 and a lower dielectric resin strip 51 made of pure fluorine resin or the like having good high-frequency electrical characteristics.
02 is sandwiched from above and below by two dielectric resin strips. In addition, a V-shaped cut portion on the input side of the resistive film 5103 for improving broadband / reflection characteristics is provided with a Δ-shaped dielectric in order to fill a gap generated by the upper dielectric resin strip 5101 and the lower dielectric resin strip 5102. The body sheet 5105, for example, a pure fluororesin sheet is put in and fixed with an adhesive or the like.
The dielectric sheet 5105 suppresses the loss of reflection due to the gap and the generation of unnecessary modes.
【0005】図52は,従来におけるNRDガイド用ア
ッテネータの構成を示す説明図であり,図において,5
201は上側誘電体樹脂ストリップ,5202は下側誘
電体樹脂ストリップ,5203は抵抗膜,5205は誘
電体シート,5206はV字形切り込み部分である。FIG. 52 is an explanatory view showing the configuration of a conventional NRD guide attenuator.
201 is an upper dielectric resin strip, 5202 is a lower dielectric resin strip, 5203 is a resistive film, 5205 is a dielectric sheet, and 5206 is a V-shaped cut portion.
【0006】上記抵抗膜5203は,例えば,金属が蒸
着された樹脂フィルムを,例えば,高周波電気特性の良
好な純フッ素樹脂等により形成された上側誘電体樹脂ス
トリップ5201および下側誘電体樹脂ストリップ52
02の2枚の誘電体樹脂ストリップにより上下から挟ん
だ構成となっている。また,抵抗膜5203の入力側の
V字形切り込み部分5206には,該切り込み形状に合
致した誘電体シート5205,例えば,純フッ素樹脂シ
ートを挿入した構成となっている。The resistive film 5203 is formed by, for example, forming a resin film on which a metal is deposited by using an upper dielectric resin strip 5201 and a lower dielectric resin strip 52 formed of, for example, pure fluororesin having good high-frequency electrical characteristics.
02 is sandwiched from above and below by two dielectric resin strips. Also, a V-shaped cut portion 5206 on the input side of the resistive film 5203 has a structure in which a dielectric sheet 5205 matching the cut shape, for example, a pure fluororesin sheet is inserted.
【0007】図53は,従来におけるNRDガイド用半
導体能動回路の構成を示す説明図であり,半導体回路の
入出力整合をとっている例を示している。図において,
主線路入出力誘電体部5301,5302,および整合
用入出力高誘電体ブロック5303,5304は,バイ
アス給電兼高周波信号取り出し(あるいは,注入)同軸
線路部5305に結線され,かつ,半導体ダイオード5
306が実装された回路基板5307を前後から挟み込
む構成となっている。さらに,主線路入出力誘電体部5
301,5302,整合用入出力高誘電体ブロック53
03,5304,および回路基板5307の間隔と軸位
置合わせを手作業により行っている。なお,この場合,
整合用入出力高誘電体ブロック5303,5304の寸
法および誘電率と,整合用入出力高誘電体ブロック53
03,5304と回路基板5307との間隔等は,回路
基板5307に実装された半導体ダイオード5306に
よる高周波特性に基づいて予め設計されている。FIG. 53 is an explanatory diagram showing the configuration of a conventional NRD guide semiconductor active circuit, and shows an example in which input / output matching of the semiconductor circuit is achieved. In the figure,
The main line input / output dielectric portions 5301 and 5302 and the matching input / output high dielectric blocks 5303 and 5304 are connected to the bias feed and high frequency signal extraction (or injection) coaxial line portion 5305, and the semiconductor diode 5
The circuit board 5307 on which the 306 is mounted is sandwiched from front and rear. Furthermore, the main line input / output dielectric part 5
301, 5302, matching input / output high dielectric block 53
03, 5304, and the circuit board 5307 are manually aligned with the spacing and axis alignment. In this case,
Dimensions and permittivity of matching input / output high dielectric blocks 5303 and 5304 and matching input / output high dielectric blocks 53
The distance between the 03, 5304 and the circuit board 5307 is designed in advance based on the high frequency characteristics of the semiconductor diode 5306 mounted on the circuit board 5307.
【0008】図60は,上記構成における各部品の位置
合わせ状態を示す説明図である。図示の如く,従来は,
各間隙6001や軸芯6002の位置合わせおよびその
確保を,冶具等により行っていた(なお,図60では上
下導体板を略記している)。FIG. 60 is an explanatory diagram showing the alignment of each component in the above configuration. As shown in the figure,
The alignment of the gaps 6001 and the shaft cores 6002 and their securing were performed by using a jig or the like (in FIG. 60, upper and lower conductor plates are abbreviated).
【0009】図54は,従来におけるNRDガイド用共
振器素子の実装例(フィルタ例)を示す説明図であり,
図において,5401および5402は入出力信号伝送
用誘電体線路であり,その中央部分に共振器素子540
3が配置されている。この共振器素子5403は,以下
の如く製造される(なお,図54では上側導体板を略記
している)。FIG. 54 is an explanatory view showing a mounting example (filter example) of a conventional NRD guide resonator element.
In the figure, reference numerals 5401 and 5402 denote dielectric lines for input / output signal transmission, and a resonator element 540 is provided at the center thereof.
3 are arranged. This resonator element 5403 is manufactured as follows (the upper conductor plate is abbreviated in FIG. 54).
【0010】図55は,従来における共振器素子540
3の製造方法を示す説明図である。該共振器素子540
3は,共振器の主体となるQの高い高比誘電率(εr =
4〜100程度)誘電体部として,例えば,高比誘電率
セラミックスを用いた誘電体円板共振素子5501と,
該誘電体円板共振素子5501を支持する上下のスペー
サ支持用低比誘電率(εr =1.5〜4程度)誘電体円
板5502,5503と,これら3つの円板部品を中心
軸を一致させて重ね,拘束一体化させ,かつ,3つの円
板部品相互の接合部に結露した水滴等が溜まるのを防止
するための低比誘電率誘電体チューブ5504から構成
されている。FIG. 55 shows a conventional resonator element 540.
FIG. 3 is an explanatory view showing a manufacturing method of No. 3; The resonator element 540
3 is a high dielectric constant (ε r =
(Approximately 4 to 100) As the dielectric portion, for example, a dielectric disc resonant element 5501 using high relative dielectric constant ceramics;
Spacer support for low dielectric constant of the upper and lower supporting the dielectric disc resonator element 5501 and (epsilon r = about 1.5 to 4) dielectric disk 5502,5503, the central axis of these three disc parts It comprises a low relative dielectric constant dielectric tube 5504 for overlapping, restraining and integrating, and for preventing condensation of water droplets and the like at the joint between the three disk components.
【0011】図61は,上記共振器素子の組立状態を示
す説明図であり,(a)は誘電体円板共振素子5501
と誘電体円板5502に間隙6101が生じた場合,
(b)は低比誘電率誘電体チューブ5504内において
各部品(誘電体円板共振素子5501,誘電体円板55
03,低比誘電率誘電体チューブ5504)が傾いた場
合,(c)は各部品(誘電体円板共振素子5501,誘
電体円板5503,低比誘電率誘電体チューブ550
4)の寸法がばらついて凸部6102や凹部6103が
生じた場合について示している(なお,図61では上下
導体板を略記している)。FIG. 61 is an explanatory view showing an assembled state of the resonator element. FIG. 61 (a) shows a dielectric disk resonator element 5501.
And a gap 6101 is generated between the dielectric disk 5502 and
(B) shows each component (dielectric disc resonance element 5501, dielectric disc 55) in the low relative dielectric constant dielectric tube 5504.
03, the low relative dielectric constant dielectric tube 5504) is inclined, and (c) shows each component (dielectric disk resonance element 5501, dielectric disk 5503, low relative dielectric constant dielectric tube 550).
FIG. 61 shows a case where the projections 6102 and the depressions 6103 are generated due to variation in the dimension 4) (the upper and lower conductor plates are abbreviated in FIG. 61).
【0012】図56は,従来におけるNRDガイド・ス
イッチ回路の構成を示す説明図であり,図において,回
路基板上に導体パターンでPINダイオード5601を
装荷する電極5602と,高周波チョークパターン56
03を構成したダイオード・マウント5604にバイア
ス用リード線5605,5606を接続し,ダイオード
・マウント5604を入力側誘電体線路5607と出力
側誘電体線路5608とにより挟んだ構成となってい
る。なお,本従来例では,PINダイオード5601と
線路整合のためのマッチングブロック5609,マッチ
ングギャップ5610が設けられている(なお,図56
では上側導体板を略記している)。FIG. 56 is an explanatory view showing the configuration of a conventional NRD guide / switch circuit. In FIG. 56, an electrode 5602 on which a PIN diode 5601 is loaded with a conductor pattern on a circuit board and a high-frequency choke pattern 56 are shown.
In this configuration, bias leads 5605 and 5606 are connected to the diode mount 5604 that constitutes No. 03, and the diode mount 5604 is sandwiched between the input-side dielectric line 5607 and the output-side dielectric line 5608. In this conventional example, a PIN diode 5601, a matching block 5609 for line matching, and a matching gap 5610 are provided (FIG. 56).
, The upper conductor plate is abbreviated).
【0013】次に,基板型回路例として,従来における
MIC回路基板の構成例について図57〜図59を用い
て説明する。図57は,従来におけるマイクロストリッ
プ線路基板の構成を示す説明図であり,図において,本
回路は,例えば,フィルタ回路5706が装荷されたB
回路5701と,例えば,整合パターン回路5707が
装荷されたA回路5702およびC回路5703とは,
A回路5702とB回路5701,B回路5701とC
回路5703の各接合部分が接合部5704,5705
において,銅箔等により再接続されている。また,B回
路5701を,A回路5702およびC回路5703と
同じ比誘電率εr =2〜4程度の材料により構成すると
全長および面積が巨大化するため,B回路5701の比
誘電率εr を10程度としている。また,B回路570
1のベースは,別の誘電体(例えば,アルミナセラミッ
ク)により構成するか,あるいは,比誘電率εr の基材
にアルミナセラミック粉を混入して構成する。Next, as a board type circuit example, a configuration example of a conventional MIC circuit board will be described with reference to FIGS. FIG. 57 is an explanatory view showing the configuration of a conventional microstrip line substrate. In the figure, this circuit is, for example, a B-type circuit in which a filter circuit 5706 is loaded.
The circuit 5701 and, for example, the A circuit 5702 and the C circuit 5703 loaded with the matching pattern circuit 5707,
A circuit 5702 and B circuit 5701, B circuit 5701 and C
The respective joints of the circuit 5703 are joints 5704 and 5705.
Are reconnected by a copper foil or the like. Further, the B circuit 5701, to the huge total length and area to constitute the same relative dielectric constant epsilon r = 2 to 4 about the material as A circuit 5702 and C circuit 5703, the relative dielectric constant epsilon r of the B circuit 5701 It is about 10. Also, the B circuit 570
1 base, another dielectric (e.g., alumina ceramic) or formed by, or constituting mixed alumina ceramic powder to a substrate of dielectric constant epsilon r.
【0014】図58は,従来におけるマイクロストリッ
プ線路によるアッテネータの構成を示す説明図である。
一定の比誘電率εr の基板5801上に,マイクロスト
リップ回路5802と,窒化タンタル等の薄膜(あるい
は厚膜)による抵抗線路部5803と,マイクロストリ
ップ回路5803とをライン配置する。さらに,抵抗線
路部5803は,基板5801上に成膜されている。な
お,5805はグランド面である。FIG. 58 is an explanatory diagram showing the configuration of a conventional microstrip line attenuator.
On the substrate 5801 of a certain specific dielectric constant epsilon r, the microstrip circuit 5802, a resistor line portion 5803 by a thin film of tantalum nitride (or thick film) and the line arrangement a microstrip circuit 5803. Further, the resistance line portion 5803 is formed on the substrate 5801. Reference numeral 5805 is a ground plane.
【0015】図59は,従来における磁性セラミックを
用いたMICサーキュレータの構成を示す説明図であ
り,図において,5901,5902,5903は比誘
電率εr =2〜4の通常用いられている誘電体基板によ
るマイクロストリップ線路,5904はフェライト(磁
性セラミック)による基板上にマイクロストリップパタ
ーンを形成した基板であり,5902は終端回路であ
る。なお,上記図57と同様に,比透磁率μr の大きな
フェライト(磁性セラミック)板を使用しても,590
1,5902,5903は別々のものである。FIG. 59 is an explanatory view showing the structure of a conventional MIC circulator using a magnetic ceramic. In FIG. 59, 5901, 5902, 5903 indicate a commonly used dielectric material having a relative dielectric constant of ε r = 2 to 4. Reference numeral 5904 denotes a substrate formed by forming a microstrip pattern on a ferrite (magnetic ceramic) substrate, and reference numeral 5902 denotes a termination circuit. Similarly to FIG 57, the use of large ferrite (magnetic ceramics) plates relative permeability mu r, 590
1, 5902, 5903 are separate.
【0016】[0016]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら,上記に
示されるような従来の技術にあっては,以下のような問
題点があった。すなわち,第1に,従来における誘電体
線路の一種であるNRDガイド用無反射終端器およびそ
の製造方法にあっては,抵抗膜を誘電体材料により上下
から挟んで固定し,抵抗膜の両面に接着剤を塗布して接
着している。また,一般に使用する周波数がミリ波帯の
ような超高周波帯であると,誘電体線路内の波長が数ミ
リ程度となり,周波数の反射・吸収特性を良好にするた
め,無反射終端器全体が小さいものとなる。したがっ
て,上記接着部分の面積も小さいことから,接着作業が
煩わしく剥離し易くなると共に,接合面における位置ず
れを招くという問題点があった。さらに,接着剤による
湿気吸収や抵抗膜への化学的変化を与え,電気特性の経
時変化が大きくなり,無反射特性の均一化が長期的に維
持されないという信頼性の面で問題点があった。However, the prior art as described above has the following problems. That is, first, in the conventional non-reflection terminator for NRD guide, which is a kind of dielectric line, and a method of manufacturing the same, the resistive film is fixed by sandwiching the resistive film from above and below with a dielectric material, and is fixed on both surfaces of the resistive film. Adhesive is applied and bonded. Also, if the frequency generally used is an ultra-high frequency band such as a millimeter wave band, the wavelength in the dielectric line becomes about several millimeters, and the reflection and absorption characteristics of the frequency are improved. It will be small. Therefore, since the area of the bonding portion is small, the bonding operation is troublesome and easy to peel off, and there is a problem that a positional shift in the bonding surface is caused. Furthermore, there is a problem in reliability in that moisture absorption by the adhesive and chemical change to the resistive film are given, and the change over time in the electrical characteristics becomes large, and the uniformity of the anti-reflection characteristics is not maintained for a long time. .
【0017】また,第2に,従来におけるNRDガイド
用アッテネータおよびその製造方法にあっても,上記無
反射終端器と同じような構成で,かつ,接着剤による固
定を行っているため,同様に,接着性や電気的特性に関
して問題点があった。Second, the conventional NRD guide attenuator and its manufacturing method also have the same configuration as that of the above-mentioned non-reflection terminator and are fixed by an adhesive. In addition, there were problems with adhesiveness and electrical characteristics.
【0018】また,第3に,従来におけるNRDガイド
整合線路およびその製造方法にあっては,予め主線路誘
電体と整合部誘電体ブロックを別々に製造し,組立時に
相互の位置出し作業を行い,接着剤や両面テープ等を用
いて固定するため,図60に示すように,各部品間にお
ける間隙やその軸ずれ等が生じ易かった。したがって,
各部品の相対的な位置ずれにより,高周波特性の不均一
性や量産時における歩留りを悪化させていた。さらに,
接着剤や両面テープの使用により,上記と同様に接着性
や電気的特性に関して問題点があった。Third, in the conventional NRD guide matching line and the method of manufacturing the same, the main line dielectric and the matching portion dielectric block are separately manufactured in advance, and mutual positioning is performed during assembly. As shown in FIG. 60, gaps between components and their axes are liable to occur because they are fixed using an adhesive or a double-sided tape. Therefore,
The relative misalignment of each component has caused the non-uniformity of the high-frequency characteristics and the yield during mass production to deteriorate. further,
The use of the adhesive or the double-sided tape has the same problems as described above in terms of adhesiveness and electrical characteristics.
【0019】また,第4に,従来におけるNRDガイド
用共振器素子およびその製造方法にあっては,きわめて
小型の各部品における中心軸を合わせて積み重ねた後,
チューブに入れる。このため,図61に示すように,各
部品間における間隙や傾き,凹凸等が発生しやすく,高
周波特性不良およびこれらの調整や修正作業,あるいは
良品の選別作業等が必要となり,量産性を阻害する等,
電気的特性や量産性の面で問題点があった。Fourth, in the conventional resonator element for NRD guide and the method of manufacturing the same, after stacking the very small components with their central axes aligned,
Put in tube. For this reason, as shown in FIG. 61, gaps, inclinations, irregularities, and the like are likely to occur between the components, and high-frequency characteristics are inferior, and adjustments and corrections thereof, or selection of non-defective products are required. Etc.
There were problems in electrical characteristics and mass productivity.
【0020】また,第5に,従来におけるNRDガイド
・スイッチ回路にあっては,その構成する部品数が多
く,しかも,各部品間における軸合わせおよび位置固定
が煩わしく,量産性を阻害する等,電気的特性や量産性
の面で問題点があった。さらに,半導体ダイオードを用
いるため,スイッチON/OFFにおいて線路インピー
ダンスの変化に起因する線路につながる次の回路素子と
の整合にも,反射分を大きくすることとなり,信号の円
滑な伝送を阻害する等の問題点があった。Fifth, in the conventional NRD guide / switch circuit, the number of components is large, and the alignment and position fixation between the components is troublesome, which hinders mass productivity. There were problems in electrical characteristics and mass productivity. Furthermore, since a semiconductor diode is used, the amount of reflection is also increased in matching with the next circuit element connected to the line due to a change in line impedance when the switch is turned ON / OFF, which impedes the smooth transmission of signals. There was a problem.
【0021】さらに,第6に,従来におけるMIC回路
基板の構成にあっては,各線路の再接続作業および裏面
のグランド面を共通にする煩わしい作業を行う等,組立
性が低下するという問題点があった。Sixth, in the configuration of the conventional MIC circuit board, there is a problem that assemblability deteriorates, such as re-connection work of each line and troublesome work of sharing a ground plane on the back surface. was there.
【0022】この発明は,上記に鑑みてなされたもので
あって,主線路誘電体と,該主線路誘電体と接続される
機能回路素子あるいは基板の一体化を接着剤等を不要と
して実現し,かつ,電気的特性の安定化を図り,量産性
を向上させることを目的とする。The present invention has been made in view of the above, and realizes integration of a main line dielectric and a functional circuit element or a substrate connected to the main line dielectric without using an adhesive or the like. In addition, the object is to stabilize electric characteristics and improve mass productivity.
【0023】[0023]
【課題を解決するための手段】この発明は,上記の目的
を達成するために,マイクロ波・ミリ波帯に使用する誘
電体基板もしくは誘電体線路を用いるマイクロ波・ミリ
波帯用回路素子において,純誘電体樹脂からなる主線路
あるいは基板誘電体部と,純誘電体樹脂に高比誘電率,
高比透磁率および抵抗率を有した粉体あるいは粒体の少
なくとも一種以上を充填した高周波吸収部材とからな
り,前記主線路あるいは基板誘電体部と高周波吸収部材
とを接合融着したマイクロ波・ミリ波帯用回路素子を提
供するものである。In order to achieve the above object, the present invention provides a microwave / millimeter-wave circuit element using a dielectric substrate or a dielectric line used in a microwave / millimeter-wave band. , The main line or substrate dielectric part made of pure dielectric resin, and the high dielectric constant of pure dielectric resin,
A high frequency absorbing member filled with at least one kind of powder or granules having high specific magnetic permeability and resistivity; A circuit element for a millimeter wave band is provided.
【0024】また,低比誘電率の純誘電体樹脂を所定量
均一に充填した後,圧縮成形する第1の工程と,前記第
1の工程により成形した成形体上面に純誘電体樹脂に高
比誘電率,高比透磁率および抵抗率を有した粉体あるい
は粒体を所定量均一配合して圧縮成形する第2の工程
と,前記第1の工程および第2の工程により成形された
成形体を重ね合わせ,加熱融着して一体接合する第3の
工程とを含むマイクロ波・ミリ波帯用回路素子の製造方
法を提供するものである。A first step of uniformly filling a predetermined amount of a pure dielectric resin having a low relative dielectric constant and then compressing the same, and a step of forming a pure dielectric resin on the upper surface of the molded article formed in the first step. A second step in which a predetermined amount of powder or granules having a relative dielectric constant, a high relative magnetic permeability and a resistivity are uniformly blended and compression-molded, and a molding formed by the first and second steps. A method of manufacturing a circuit element for a microwave / millimeter wave band, which includes a third step of superimposing bodies, heating and fusing them, and joining them together.
【0025】また,純誘電体樹脂を予め圧縮成形(予備
加圧)する第1の工程と,高比誘電率,高比透磁率およ
び抵抗率を有した粉体あるいは粒体の少なくとも一種以
上を所定量均一配合した低比誘電率の純誘電体樹脂を予
め圧縮成形(予備加圧)する第2の工程と,前記第2の
工程により予備加圧された成形体を,前記第1の工程に
より予備加圧された成形体の上面あるいは中間部にて重
ね合わせ,あるいは突き合わせ,加圧,加熱融着して一
体接合する第3の工程とを含むマイクロ波・ミリ波帯用
回路素子の製造方法を提供するものである。Further, a first step of pre-compression molding (preliminary pressing) of the pure dielectric resin is performed, and at least one of powder or granules having a high relative dielectric constant, a high relative magnetic permeability and a resistivity is formed. A second step of pre-compressing (pre-pressing) a pure dielectric resin having a low relative dielectric constant uniformly mixed in a predetermined amount, and a pre-pressed molded article obtained by the second step is subjected to the first step. A microwave / millimeter-wave band circuit element including a third step of laminating or butting, pressing, heating and fusing together at the upper surface or intermediate portion of the preformed body. It provides a method.
【0026】また,純誘電体樹脂を予め圧縮成形(予備
加圧)後,焼成する第1の工程と,高比誘電率,高比透
磁率および抵抗率を有した粉体あるいは粒体の少なくと
も一種以上を所定量均一配合した低比誘電率の純誘電体
樹脂を予め圧縮成形(予備加圧)後,焼成する第2の工
程と,前記第2の工程により予備加圧された成形体を,
前記第1の工程により予備加圧された成形体の上面ある
いは中間部にて重ね合わせ,あるいは突き合わせ,加
圧,加熱融着して一体接合する第3の工程とを含むマイ
クロ波・ミリ波帯用回路素子の製造方法を提供するもの
である。A first step in which the pure dielectric resin is pre-compressed (pre-pressed) and then fired, and at least a powder or granules having a high dielectric constant, a high magnetic permeability and a high resistivity. A second step of pre-compression molding (pre-pressing) a low dielectric constant pure dielectric resin in which at least one kind is uniformly compounded in a predetermined amount, followed by baking, and a pre-pressed molded body in the second step. ,
A microwave / millimeter wave band including a third step of superimposing or butting, pressing, heating and fusing together at an upper surface or an intermediate portion of the preformed body in the first step. To provide a method for manufacturing a circuit element for use.
【0027】また,マイクロ波・ミリ波帯に使用する誘
電体基板もしくは誘電体線路を用いるマイクロ波・ミリ
波帯用回路素子において,純誘電体樹脂からなる主線路
あるいは基板誘電体部と,純誘電体樹脂に抵抗率を有し
た粉体あるいは粒体を充填した高周波吸収部材とからな
り,前記主線路あるいは基板誘電体部と高周波吸収部材
との接合面をテーパ状,あるいは前記高周波吸収部材の
抵抗体の充填率をステップ状に変えて,前記主線路ある
いは基板誘電体部と高周波吸収部材とを接合融着したマ
イクロ波・ミリ波帯用回路素子を提供するものである。Further, in a microwave / millimeter wave band circuit element using a dielectric substrate or a dielectric line used in a microwave / millimeter wave band, a main line or a substrate dielectric portion made of a pure dielectric resin is used. A high-frequency absorbing member in which a dielectric resin is filled with a powder or a granular material having resistivity; and a joining surface between the main line or the substrate dielectric portion and the high-frequency absorbing member is tapered, or An object of the present invention is to provide a circuit element for microwave / millimeter wave band in which the filling rate of a resistor is changed in a step shape and the main line or the substrate dielectric portion and the high frequency absorbing member are joined and fused.
【0028】また,低比誘電率の純誘電体樹脂を所定量
均一に充填した後,圧縮成形する第1の工程と,前記第
1の工程により成形した成形体上面あるいはその中間部
分に抵抗率を有した粉体あるいは粒体を所定の充填率に
より特性を設定した後均一配合して圧縮成形する第2の
工程と,前記第1の工程および第2の工程により成形さ
れた成形体を加熱融着して一体接合する第3の工程とを
含むマイクロ波・ミリ波帯用回路素子の製造方法を提供
するものである。A first step of uniformly filling a predetermined amount of a pure dielectric resin having a low relative dielectric constant and then compressing the same, and forming a resist on the upper surface of the molded body formed in the first step or an intermediate portion thereof. A step of setting the properties of the powder or granules having the characteristics according to a predetermined filling rate, uniformly blending and compression-molding, and heating the compact formed by the first and second steps. And a third step of fusing and integrally joining the circuit elements.
【0029】また,マイクロ波・ミリ波帯に使用する誘
電体基板もしくは誘電体線路を用いるマイクロ波・ミリ
波帯用回路素子において,純誘電体樹脂からなる主線路
あるいは基板誘電体部と,純誘電体樹脂に高比透磁率を
有した粉体あるいは粒体を充填した高周波吸収部材とか
らなり,前記主線路あるいは基板誘電体部と高周波吸収
部材との接合面をテーパ状,あるいは前記高周波吸収部
材の高比透磁率材の充填率をステップ状に変えて,前記
主線路あるいは基板誘電体部と高周波吸収部材とを接合
融着したマイクロ波・ミリ波帯用回路素子を提供するも
のである。Further, in a microwave / millimeter wave band circuit element using a dielectric substrate or a dielectric line used in a microwave / millimeter wave band, a main line or a substrate dielectric portion made of a pure dielectric resin is used. A high frequency absorbing member in which a dielectric resin is filled with a powder or a granular material having a high relative magnetic permeability, and a joining surface between the main line or the substrate dielectric portion and the high frequency absorbing member is tapered; A circuit element for a microwave / millimeter wave band in which a filling ratio of a high relative permeability material of a member is changed in a step shape, and the main line or a substrate dielectric portion and a high frequency absorbing member are joined and fused. .
【0030】また,低比誘電率の純誘電体樹脂を所定量
均一に充填した後,圧縮成形する第1の工程と,前記第
1の工程により成形した成形体上面あるいはその中間部
分に高比透磁率を有した粉体あるいは粒体を所定の充填
率により特性を設定した後均一配合して圧縮成形する第
2の工程と,前記第1の工程および第2の工程により成
形された成形体を加熱融着して一体接合する第3の工程
とを含むマイクロ波・ミリ波帯用回路素子の製造方法を
提供するものである。Further, after a predetermined amount of a pure dielectric resin having a low relative dielectric constant is uniformly filled, a first step of compression-molding, and a step of forming a high-density resin on the upper surface of the molded body or the intermediate portion thereof by the first step. A second step of setting the characteristics of the powder or granules having magnetic permeability according to a predetermined filling rate, uniformly blending and compression-molding, and a molded body molded by the first and second steps And a third step of integrally bonding by heating and fusing the components to provide a circuit element for a microwave / millimeter wave band.
【0031】また,マイクロ波・ミリ波帯に使用する誘
電体基板もしくは誘電体線路を用いるマイクロ波・ミリ
波帯用回路素子において,純誘電体樹脂からなる主線路
あるいは基板誘電体部と,純誘電体樹脂に高比誘電率を
有した粉体あるいは粒体を充填した高周波吸収部材とか
らなり,前記主線路あるいは基板誘電体部と高周波吸収
部材との接合面をテーパ状,あるいは前記高周波吸収部
材の高比誘電率材の充填率をステップ状に変えて,前記
主線路あるいは基板誘電体部と前記高周波吸収部材とを
接合融着したマイクロ波・ミリ波帯用回路素子を提供す
るものである。Further, in a microwave / millimeter wave band circuit element using a dielectric substrate or a dielectric line used in a microwave / millimeter wave band, a main line or a substrate dielectric portion made of a pure dielectric resin, A high-frequency absorbing member in which a dielectric resin is filled with a powder or a granular material having a high relative permittivity, and a joining surface between the main line or the substrate dielectric portion and the high-frequency absorbing member is tapered, or the high-frequency absorbing member is A circuit element for a microwave / millimeter wave band in which the main line or a substrate dielectric portion and the high frequency absorbing member are joined and fused by changing the filling ratio of a high dielectric constant material of the member into a step shape. is there.
【0032】また,低比誘電率の純誘電体樹脂を所定量
均一に充填した後,圧縮成形する第1の工程と,前記第
1の工程により成形した成形体上面あるいはその中間部
分に高比誘電率を有した粉体あるいは粒体を所定の充填
率により特性を設定した後均一配合して圧縮成形する第
2の工程と,前記第1の工程および第2の工程により成
形された成形体を加熱融着して一体接合する第3の工程
とを含むマイクロ波・ミリ波帯用回路素子の製造方法を
提供するものである。Further, after a predetermined amount of a pure dielectric resin having a low relative permittivity is uniformly filled, a first step of compression molding, and a high ratio of the upper surface of the molded body formed in the first step or an intermediate portion thereof are provided. A second step of setting the properties of a powder or a granule having a dielectric constant according to a predetermined filling rate, uniformly blending and compression-molding, and a molded article molded by the first and second steps And a third step of integrally bonding by heating and fusing the components to provide a circuit element for a microwave / millimeter wave band.
【0033】また,マイクロ波・ミリ波帯に使用する誘
電体基板もしくは誘電体線路を用いるマイクロ波・ミリ
波帯用回路素子において,純誘電体樹脂からなる主線路
あるいは基板誘電体部と,純誘電体樹脂に高比誘電率,
高比透磁率,抵抗率を有した粉体あるいは粒体のうち2
種類あるいは3種類充填した高周波吸収部材とからな
り,前記主線路あるいは基板誘電体部と高周波吸収部材
とを接合融着したマイクロ波・ミリ波帯用回路素子を提
供するものである。Further, in a microwave / millimeter wave band circuit element using a dielectric substrate or a dielectric line used in a microwave / millimeter wave band, a main line or a substrate dielectric portion made of a pure dielectric resin is used. High relative dielectric constant for dielectric resin,
2 of powders or granules having high specific magnetic permeability and resistivity
An object of the present invention is to provide a circuit element for a microwave / millimeter wave band comprising a high frequency absorbing member filled with one or three types, and wherein the main line or the substrate dielectric portion and the high frequency absorbing member are joined and fused.
【0034】また,低比誘電率の純誘電体樹脂を所定量
均一に充填した後,圧縮成形する第1の工程と,前記第
1の工程により成形した成形体の中間部分に純誘電体樹
脂に高比誘電率,高比透磁率,抵抗率を有した粉体ある
いは粒体のうち2種類あるいは3種類を選択し,所定の
充填率により特性を設定した後均一配合して圧縮成形す
る第2の工程と,前記第1の工程および第2の工程によ
り成形された成形体を加熱融着して一体接合する第3の
工程とを含むマイクロ波・ミリ波帯用回路素子の製造方
法を提供するものである。A first step of uniformly filling a predetermined amount of a low dielectric constant pure dielectric resin, followed by compression molding, and a pure dielectric resin in an intermediate portion of the molded body molded in the first step. First, two or three types of powder or granules having high relative permittivity, high relative magnetic permeability, and resistivity are selected, the characteristics are set according to a predetermined filling rate, and then uniform blending and compression molding are performed. 2. A method for manufacturing a circuit element for a microwave / millimeter wave band, comprising: a second step; and a third step of heating and fusing the molded body formed by the first and second steps to integrally join the molded bodies. To provide.
【0035】[0035]
【作用】この発明に係るマイクロ波・ミリ波帯用回路素
子および製造方法は,誘電体樹脂に高比誘電率,高比透
磁率,および抵抗率を有した粉体あるいは粒体を充填
し,該充填しない部分と不分離,かつ,連続構造に一体
成形し,機能回路素子あるいは基板機能を構成する。According to a circuit element and a manufacturing method for a microwave / millimeter wave band according to the present invention, a dielectric resin is filled with powder or granules having high relative permittivity, high relative magnetic permeability, and resistivity. The unfilled portion is inseparable from the unfilled portion and is integrally formed into a continuous structure to constitute a functional circuit element or a substrate function.
【0036】また,誘電体樹脂に抵抗率を有した粉体あ
るいは粒体を充填し,充填しない部分と不分離,かつ,
連続構造に一体成形すると共に,接合部分をテーパ形状
にしたり,あるいは充填率を変化させて,主線路と無反
射終端器,あるいは主線路とアッテネータの機能を構成
する。Further, the dielectric resin is filled with a powder or a granular material having a resistivity, and is inseparable from an unfilled portion, and
The function of the main line and the non-reflection terminator, or the main line and the attenuator, is formed by forming the joint part into a tapered shape or changing the filling rate while integrally forming a continuous structure.
【0037】また,誘電体樹脂に高比透磁率を有した粉
体あるいは粒体を充填し,充填しない部分と不分離,か
つ,連続構造に一体成形すると共に,接合部分をテーパ
形状にしたり,あるいは充填率を変化させて,主線路と
無反射終端器,主線路とアッテネータ,主線路とスイッ
チ,あるいは主線路とアイソレータまたはサーキュレー
タの機能を構成する。In addition, a dielectric resin is filled with powder or granules having a high relative magnetic permeability, is inseparable from the unfilled portion, and is integrally formed into a continuous structure. Alternatively, by changing the filling rate, the functions of the main line and the non-reflection terminator, the main line and the attenuator, the main line and the switch, or the main line and the isolator or circulator are configured.
【0038】また,誘電体樹脂に高比誘電率を有した粉
体あるいは粒体を充填し,充填しない部分と不分離,か
つ,連続構造に一体成形すると共に,充填率を一定ある
いは周期的に変化させて,主線路と整合素子の機能を構
成する。In addition, the dielectric resin is filled with powder or granules having a high relative dielectric constant, is inseparable from the unfilled portion, and is integrally molded into a continuous structure, and the filling ratio is fixed or periodically set. By changing, the function of the main line and the matching element is configured.
【0039】また,誘電体樹脂に高比誘電率,高比透磁
率,抵抗率を有した粉体あるいは粒体のうち2種類ある
いは3種類を充填し,充填しない部分と不分離,かつ,
連続構造に一体成形し,主線路と整合・変換素子の機能
を構成する。Further, two or three kinds of powder or granules having a high relative permittivity, a high relative magnetic permeability, and a resistivity are filled in the dielectric resin, and are not separated from an unfilled portion, and
It is integrally molded into a continuous structure to configure the function of the main line and the matching / conversion element.
【0040】[0040]
【実施例】以下,この発明に係る例として誘電体線路の
一種であるNRDガイド用回路素子およびその製造方法
の実施例を添付図面に基づいて説明する。なお,ここで
は,下記の6つの実施例について詳細に説明する。すな
わち, NRDガイド用無反射終端器の構成およびその製造
方法(実施例1) NRDガイド用アッテネータの構成およびその製造
方法(実施例2) NRDガイド整合線路の構成およびその製造方法
(実施例3) NRDガイド用共振器素子の構成およびその製造方
法(実施例4) NRDガイド・スイッチ回路の構成(実施例5) インピーダンス整合変換素子の構成(実施例6) である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a circuit element for an NRD guide, which is a kind of a dielectric line, and a method of manufacturing the same will be described below with reference to the accompanying drawings. Here, the following six embodiments will be described in detail. That is, the configuration of the non-reflection terminator for the NRD guide and its manufacturing method (Example 1) The configuration of the NRD guide attenuator and its manufacturing method (Example 2) The configuration of the NRD guide matching line and its manufacturing method (Example 3) Configuration of NRD Guide Resonator Element and Manufacturing Method Thereof (Embodiment 4) Configuration of NRD guide / switch circuit (Example 5) Configuration of an impedance matching conversion element (Example 6).
【0041】〔実施例1〕 NRDガイド用無反射終端器の構成およびその製造
方法 〔NRDガイド用無反射終端器の構成1〕NRDガイド
用無反射終端器の構成1について説明する。図1は,こ
の発明に係るNRDガイド用無反射終端器の構成1を示
す説明図であり,図において,101は上側導体板,1
02は下側導体板,103は無反射終端器であり,純フ
ッ素樹脂からなる入力部純誘電体樹脂部分104と電磁
波吸収材粉末等が充填された誘電体樹脂からなる高周波
電磁波吸収体部分105から構成される。また,106
は入力部純誘電体樹脂部分104と高周波電磁波吸収体
部分105との境界面である。Embodiment 1 Configuration of NRD Guide Non-Reflective Terminator and Manufacturing Method Thereof [Configuration of NRD Guide Non-Reflective Terminator 1] Configuration 1 of the NRD guide non-reflective terminator will be described. FIG. 1 is an explanatory view showing a configuration 1 of an NRD guide non-reflection terminator according to the present invention.
Numeral 02 denotes a lower conductor plate, 103 denotes a non-reflection terminator, and an input portion pure dielectric resin portion 104 made of pure fluororesin and a high-frequency electromagnetic wave absorber portion 105 made of a dielectric resin filled with an electromagnetic wave absorbing material powder or the like. Consists of In addition, 106
Is a boundary surface between the input portion pure dielectric resin portion 104 and the high-frequency electromagnetic wave absorber portion 105.
【0042】上記高周波電磁波吸収体部分105は,例
えば,フッ素樹脂(この実施例では,誘電体を高周波特
性に優れたフッ素樹脂で構成した例をとって説明する)
に高周波電磁波吸収性を持つ材質の粉末であるカーボ
ン,グラファイト,カーボンファイバ,フェライト等の
微小固形体を一定の重量割合あるいは体積割合で均一に
充填させている。例えば,カーボンを用いる場合,フッ
素樹脂に対する重量充填率で考えると3〜15wt%程
度で良好な反射特性が得られる。この場合における反射
特性のデータを図2に示す。The high-frequency electromagnetic wave absorbing portion 105 is made of, for example, a fluororesin (in this embodiment, an example will be described in which the dielectric is made of a fluororesin having excellent high-frequency characteristics).
A fine solid such as carbon, graphite, carbon fiber, or ferrite, which is a powder of a material having high-frequency electromagnetic wave absorption, is uniformly filled at a constant weight ratio or volume ratio. For example, when carbon is used, good reflection characteristics can be obtained at about 3 to 15 wt% in terms of the weight filling rate with respect to the fluororesin. FIG. 2 shows data of the reflection characteristics in this case.
【0043】また,入力部純誘電体樹脂部分104と高
周波電磁波吸収体部分105との境界面106は,反射
特性を向上させるために長さl1 のテーパ面により構成
されており,該テーパ長l1 により入力側への反射特性
を緩和することにより,広帯域にわたって良好な周波数
特性が実現し,続く長さl2 の終端部分によって入力さ
れた電磁波電力を十分に吸収・減衰することにより無反
射終端器103を構成している。Further, a boundary surface 106 between the input portion pure dielectric resin portion 104 and the high-frequency electromagnetic wave absorber portion 105 is formed of a tapered surface having a length l 1 for improving the reflection characteristics. by relaxing the reflection characteristic of the input side by l 1, nonreflective by favorable frequency characteristics are realized such, sufficiently absorb and attenuate electromagnetic waves power input by the terminating portion of the length l 2 last for broadband The terminator 103 is configured.
【0044】〔NRDガイド用無反射終端器の製造方法
1〕NRDガイド用無反射終端器の製造方法1について
説明する。図3および図4は,NRDガイド用無反射終
端器の製造方法1を示す説明図であり,図において,3
01は誘電体部材,302は高周波吸収部材,303は
無反射終端器用素材,304は境界面である。また,図
4において,401は板状無反射終端器用素材,402
は融着ラインであり,下記の各工程により製造される。[Method 1 of Manufacturing Non-Reflective Terminator for NRD Guide] Method 1 of manufacturing a non-reflective terminal for NRD guide will be described. 3 and 4 are explanatory diagrams showing a method 1 of manufacturing an anti-reflection terminator for an NRD guide.
01 is a dielectric member, 302 is a high frequency absorbing member, 303 is a material for a non-reflection terminator, and 304 is a boundary surface. In FIG. 4, reference numeral 401 denotes a plate-like material for an anti-reflection terminator;
Denotes a fusion line, which is manufactured by the following steps.
【0045】第1工程として,まず,有底円筒金型内
に,低誘電率特性を有する材料である四フッ化エチレン
樹脂(化学名:ポリテトラフルオロエチレン,以下,P
TFE樹脂という)を所定量均一に充填した後,押し型
を被せ,面圧25Kgf/cm2 (少なくとも0.5K
gf/cm2 以上)で予備加圧成形を行う。As a first step, first, a tetrafluoroethylene resin (chemical name: polytetrafluoroethylene; hereinafter, P
After uniformly filling a predetermined amount with a TFE resin, cover with a pressing die and apply a surface pressure of 25 kgf / cm 2 (at least 0.5 kgf / cm 2 ).
gf / cm 2 or more).
【0046】第2工程として,次に,上記予備加圧成形
されたPTFE樹脂成形体上面に電波吸収材であるカー
ボン粉末10wt%を均一に配合した電波吸収材入りP
TFE樹脂を所定量投入する。In the second step, next, a radio wave absorbing material-containing P which is uniformly blended with 10% by weight of carbon powder as a radio wave absorbing material is formed on the upper surface of the pre-press molded PTFE resin molded body.
A predetermined amount of TFE resin is charged.
【0047】第3工程として,次いで,押し型を用い,
成形圧250Kgf/cm2 (50〜700Kgf/c
m2 の範囲)で圧縮成形する。これにより,図3に示し
た誘電体部材301と高周波吸収部材302が得られ
る。なお,このとき誘電体部材301と高周波吸収部材
302との境界面304は,PTFE樹脂で加圧凝集さ
れ,強固に接合されていることを確認している。また,
この境界面304は,凹凸がなく,極めて平滑である。Next, as a third step, a pressing die is used.
Molding pressure 250 kgf / cm 2 (50-700 kgf / c
compression molded at m range 2). Thus, the dielectric member 301 and the high frequency absorbing member 302 shown in FIG. 3 are obtained. At this time, it has been confirmed that the boundary surface 304 between the dielectric member 301 and the high frequency absorbing member 302 is pressure-agglomerated with PTFE resin and is firmly joined. Also,
This boundary surface 304 has no irregularities and is extremely smooth.
【0048】第4工程として,次に,上記圧縮された成
形体素材を円筒金型から取り出し,PTFE樹脂の融点
327°C(好ましくは,340°C)以上で3時間加
熱処理(焼成)を行い,誘電体部材301と高周波吸収
部材302とが境界面304において一体に接合融着さ
れた無反射終端器用素材303を成形する。Next, as a fourth step, the compressed molded body material is taken out of the cylindrical mold and subjected to a heat treatment (firing) at a melting point of 327 ° C. (preferably 340 ° C.) or more of the PTFE resin for 3 hours. Then, a non-reflection terminator material 303 in which the dielectric member 301 and the high frequency absorbing member 302 are integrally bonded and fused at the boundary surface 304 is formed.
【0049】なお,上記圧縮された成形素材を円筒金型
内において焼成(ホットコイニング法)することによ
り,無反射終端器用素材303を成形することもでき
る。また,電波吸収体粉末を均一に配合した吸収体入り
PTFE樹脂を,予め予備加圧しておき,前記予備加圧
したPTFE樹脂成形体と共に圧縮成形してもよい。The non-reflective terminal material 303 can be formed by firing (hot coining) the compressed material in a cylindrical mold. Alternatively, the PTFE resin containing the absorber into which the radio wave absorber powder is uniformly blended may be pre-pressurized in advance, and compression molded together with the pre-pressed PTFE resin molded body.
【0050】第5工程として,次に,図4に示すよう
に,上記無反射終端器用素材303を切削加工し,板状
無反射終端器用素材401を形成する。このとき融着ラ
イン402(境界面304に対応)に対して角度θでX
−X’およびY−Y’に沿ってカットし,高さa,幅
b,テーパ長さl1 のNRDガイド用の無反射終端器1
03を製造する。また,この無反射終端器は,誘電体線
路部分と吸収体部分との境界面が強固に接合融着され一
体成形されていることが確認されている。In the fifth step, as shown in FIG. 4, the material for non-reflective terminator 303 is cut to form a plate-like material for non-reflective terminator 401. At this time, X at an angle θ with respect to the fusion line 402 (corresponding to the boundary surface 304).
-X 'and Y-Y' cut along the height a, width b, non-reflective terminator for NRD guide taper length l 1 1
03 is manufactured. In addition, it has been confirmed that this non-reflection terminator is formed by integrally joining the boundary surface between the dielectric line portion and the absorber portion by firmly joining and fusing.
【0051】〔NRDガイド用無反射終端器の動作〕次
に,無反射終端器103の動作について説明する。図5
は,無反射終端器の動作原理を示す説明図であり,誘電
体線路および無反射終端器部分を断面で示している。な
お,図5(a),(b)は動作不良状態,図5(c)は
動作良好状態をそれぞれ示している。図5(c)に示す
ように,無反射終端器103に入力されてきた入力波信
号501は,誘電体線路部分104と高周波電磁波吸収
体105との境界面106が物理的に一体形成され,か
つ,テーパ形状をなし,高周波電磁波吸収体105の充
填密度も適度なため,境界面106において反射される
ことなく,高周波電磁波吸収体105内部に進入し,5
02(入力波信号の状態)に示すように吸収減衰され
る。[Operation of NRD Guide Non-Reflective Terminator] Next, the operation of the non-reflective terminator 103 will be described. FIG.
FIG. 3 is an explanatory view showing the operation principle of the non-reflection terminator, and shows a cross section of the dielectric line and the non-reflection terminator. FIGS. 5A and 5B show a malfunction state, and FIG. 5C shows a good operation state. As shown in FIG. 5C, the input wave signal 501 input to the non-reflection terminator 103 has a boundary surface 106 between the dielectric line portion 104 and the high-frequency electromagnetic wave absorber 105 physically formed integrally. In addition, since it has a tapered shape and the filling density of the high-frequency electromagnetic wave absorber 105 is appropriate, it enters the high-frequency electromagnetic wave absorber 105 without being reflected at the boundary surface 106, and
02 (the state of the input wave signal) is absorbed and attenuated.
【0052】上記図5(c)の如く良好な入力波信号5
01の吸収減衰に対して,図5(a)にあっては,境界
面106のテーパ角が急峻なため,入力波信号501の
一部が境界面106において反射波503となり,十分
な広帯域無反射特性が得られない。したがって,境界面
106のテーパ角は,高周波電磁波吸収体105の充填
密度の大小により最適値が変化することがわかる。A good input wave signal 5 as shown in FIG.
5A, a part of the input wave signal 501 becomes a reflected wave 503 at the boundary surface 106 in FIG. 5A since the taper angle of the boundary surface 106 is steep in FIG. Reflection characteristics cannot be obtained. Therefore, it can be understood that the optimum value of the taper angle of the boundary surface 106 changes depending on the filling density of the high-frequency electromagnetic wave absorber 105.
【0053】また,図5(b)にあっては,充填密度と
境界面106のテーパ角が適切なため,境界面106に
おける入力波信号105の反射は生じない。しかしなが
ら,高周波電磁波吸収体105の長さl2 が不足してい
るため,高周波電磁波吸収体105より透過波504が
生じ,十分な広帯域無反射特性が得られない。In FIG. 5B, since the filling density and the taper angle of the boundary surface 106 are appropriate, the reflection of the input wave signal 105 on the boundary surface 106 does not occur. However, since the length l 2 of the high-frequency electromagnetic wave absorber 105 is insufficient, a transmitted wave 504 is generated from the high-frequency electromagnetic wave absorber 105, and sufficient broadband non-reflection characteristics cannot be obtained.
【0054】〔充填密度,テーパ長,終端長の最適化〕
したがって,この発明に係る無反射終端器103では,
高周波電磁波吸収体105の充填密度を最適化した上
で,境界面106のテーパ角,すなわち,テーパ長l1
を適度にとり,高周波電磁波吸収体105の終端長l2
も最適化する必要がある。以下,詳細に説明する。[Optimization of packing density, taper length and terminal length]
Therefore, in the non-reflection terminator 103 according to the present invention,
After optimizing the packing density of the high-frequency electromagnetic wave absorber 105, the taper angle of the boundary surface 106, that is, the taper length l 1
And the terminal length l 2 of the high-frequency electromagnetic wave absorber 105
Also need to be optimized. The details will be described below.
【0055】図6は,高周波電磁波吸収体105の充填
率を変化させた場合における反射特性データを示すグラ
フである。(a)は充填率15%以下,(b)は充填率
20%以上としたときの特性データである。なお,この
図6におけるサンプルでは,境界面106のテーパ面の
傾きを信号伝送方向に対して垂直とし,最も反射波50
3が発生し易い状態であるため,この状態における反射
が最も少ないときの充填率が最も好ましい比率というこ
とになる。したがって,図6から明らかなように,充填
率15wt%以下が好ましいことがわかる。FIG. 6 is a graph showing reflection characteristic data when the filling rate of the high-frequency electromagnetic wave absorber 105 is changed. (A) is characteristic data when the filling rate is 15% or less, and (b) is characteristic data when the filling rate is 20% or more. In the sample shown in FIG. 6, the inclination of the tapered surface of the boundary surface 106 is perpendicular to the signal transmission direction, and the reflected wave 50
3 is a state in which the reflection is easy to occur, and the filling rate when the reflection is the least in this state is the most preferable ratio. Therefore, as apparent from FIG. 6, it is understood that the filling rate is preferably 15 wt% or less.
【0056】次に,充填率を一定にしてテーパ長l1 を
最適にして求めた例を図7に示す。すなわち,図7にお
いては,テーパ長l1 ≒8mm,充填率10wt%以
下,吸収減衰部分の終端長l2 ≒6mmとした場合を示
しており,この場合における反射特性が上記図2に示し
たデータとなる。Next, FIG. 7 shows an example in which the taper length l 1 is obtained by optimizing the taper length while keeping the filling rate constant. That is, FIG. 7 shows the case where the taper length l 1 ≒ 8 mm, the filling rate is 10 wt% or less, and the terminal length l 2 ≒ 6 mm of the absorption attenuation portion. In this case, the reflection characteristics are shown in FIG. Data.
【0057】したがって,上記例により,高周波電磁波
吸収体105の充填物を,例えば,カーボン,グラファ
イト,フェライト等とする場合,フッ素樹脂への充填率
は,重量比で最大15%〜最小1%程度,テーパ長l1
は,適用周波数により変わるが,40Hz以上の場合,
5〜20mm程度,吸収減衰部分の終端長l2 は,充填
率により長いほうが好ましいが,実用上において0〜2
0mm程度と考えられる。Therefore, according to the above example, when the filling material of the high-frequency electromagnetic wave absorber 105 is, for example, carbon, graphite, ferrite or the like, the filling rate of the fluororesin is about 15% at the maximum to about 1% at the minimum by weight. , Taper length l 1
Depends on the applied frequency, but if it is 40Hz or more,
About 5 to 20 mm, the termination length l 2 of the absorbing damping part is longer is preferred by the filling factor, in practice 0-2
It is considered to be about 0 mm.
【0058】〔製造方法手順〕さらに,上記NRDガイ
ド用無反射終端器の製造方法手順について説明する。予
め低誘電率材料からなるフッ素樹脂製誘電体部材と,該
フッ素樹脂製誘電体部材にカーボン,グラファイトおよ
びフェライト等の抵抗体や電波吸収材を充填した高周波
吸収部材とをフッ素樹脂の融点以上の温度にて接合融着
した終端器用素材を成形しておき,適宜,この終端器用
素材から例えば,切削や切断加工により所望とする寸法
形状の終端器を製造する。したがって,高周波吸収体部
分と誘電体線路部分とが融着によって一体に接合されて
いる。また,上記終端器用素材から,適宜,所望寸法形
状の終端器を製造できるため,一度に多量の,しかも均
一な高周波電気特性を有する無反射終端器103を製造
することができる。[Procedure of Manufacturing Method] The procedure of the method of manufacturing the non-reflection terminator for NRD guide will be described. A fluororesin dielectric member made of a low dielectric constant material in advance, and a high-frequency absorbing member in which the fluororesin dielectric member is filled with a resistor such as carbon, graphite, ferrite, or a radio wave absorbing material, is heated to a temperature higher than the melting point of the fluororesin. A material for the terminator that has been joined and fused at a temperature is molded, and a terminator having a desired size and shape is manufactured from the material for the terminator by, for example, cutting or cutting. Therefore, the high-frequency absorber portion and the dielectric line portion are integrally joined by fusion. In addition, since a terminator having a desired size and shape can be appropriately manufactured from the above-mentioned terminator material, a large number of non-reflective terminators 103 having uniform high-frequency electrical characteristics can be manufactured at a time.
【0059】〔NRDガイド用無反射終端器の構成2〕
NRDガイド用無反射終端器の構成2について説明す
る。図8は,NRDガイド用無反射終端器の構成2の構
成を示す説明図であり,図において,801は入射電波
進行方向に順次電波吸収材の充填密度が大きくなる吸収
体微小ブロックを重ねて構成する高周波電磁波吸収体部
分である。[Configuration 2 of Non-Reflection Terminator for NRD Guide]
Configuration 2 of the non-reflection terminator for NRD guide will be described. FIG. 8 is an explanatory diagram showing the configuration of the configuration 2 of the non-reflection terminator for the NRD guide. In the figure, reference numeral 801 denotes a stack of absorber microblocks in which the packing density of the radio wave absorbing material increases sequentially in the direction of the incident radio wave. It is a high-frequency electromagnetic wave absorber part to be constituted.
【0060】上記高周波電磁波吸収体部分801は,例
えば,カーボン,グラファイト,カーボンファイバ,お
よびフェライト等の充填物の重量あるいは体積充填割合
を,図示の如く,入射電磁波伝送方向垂直面における微
小ブロック内では均一に,伝送方向には順次高くしてい
くことにより,入射電磁波の反射を抑制して伝送させる
ように高周波電磁波吸収材を充填したフッ素樹脂により
構成され,電磁波を吸収して無反射特性を実現させる。
また,この高周波電磁波吸収体部分801は,上記と同
様に,全体を樹脂成形時に同時一体成形により製造す
る。The high-frequency electromagnetic wave absorbing portion 801 determines the weight or volume filling ratio of fillers such as carbon, graphite, carbon fiber, and ferrite, as shown in FIG. It is made of fluororesin filled with high-frequency electromagnetic wave absorbing material so that it is transmitted while suppressing reflection of incident electromagnetic waves by increasing the height in the transmission direction evenly, realizing anti-reflection characteristics by absorbing electromagnetic waves Let it.
The high-frequency electromagnetic wave absorber 801 is manufactured by simultaneous integral molding at the time of resin molding in the same manner as described above.
【0061】〔NRDガイド用無反射終端器の構成3〕
NRDガイド用無反射終端器の構成3について説明す
る。図9は,NRDガイド用無反射終端器の構成3の構
成を示す説明図であり,図において,誘電体線路部分1
04と高周波電磁波吸収体部分105との境界部分の形
状を,(a)V字型テーパ状境界面901,あるいは,
(b)逆V字型テーパ状境界面902とする。[Configuration 3 of Non-Reflection Terminator for NRD Guide]
Configuration 3 of the NRD guide non-reflection terminator will be described. FIG. 9 is an explanatory diagram showing the configuration of the configuration 3 of the non-reflection terminator for the NRD guide.
(A) V-shaped tapered boundary surface 901, or
(B) An inverted V-shaped tapered boundary surface 902 is formed.
【0062】純誘電体材料としてのフッ素樹脂等に高周
波電磁波吸収材,例えば,カーボン,グラファイト,カ
ーボンファイバ,およびフェライト等の粉末を充填させ
た高周波電磁波吸収体部分105とフッ素樹脂による誘
電体線路部分104との境界部分の形状を,V字型テー
パ状境界面901あるいは逆V字型テーパ状境界面90
2とし,無反射特性を改善する。また,このテーパ形状
は,上記と同様に,全体を樹脂成形時に同時一体成形に
より製造する。A high-frequency electromagnetic wave absorbing portion 105 in which a high-frequency electromagnetic wave absorbing material such as carbon, graphite, carbon fiber, and ferrite is filled in a fluororesin or the like as a pure dielectric material, and a dielectric line portion made of a fluororesin. The shape of the boundary portion with the V. 104 is changed to a V-shaped tapered boundary surface 901 or an inverted V-shaped tapered boundary surface 90.
2 to improve the anti-reflection characteristics. Also, this tapered shape is manufactured by simultaneous integral molding at the time of resin molding in the same manner as described above.
【0063】〔NRDガイド用無反射終端器の製造方法
2〕NRDガイド用無反射終端器の製造方法2について
説明する。図10は,NRDガイド用無反射終端器の製
造方法2を示す説明図であり,図において,1001は
製造に用いられる金型である。予め焼成されたPTFE
樹脂成形体(ブロック)からなる純誘電体部材301
と,カーボン粉末10wt%を均一に配合した焼成PT
FE樹脂成形体(ブロック)からなる高周波吸収部材3
02を別々に製造する。次に,この純誘電体部材301
と高周波吸収部材302を金型1001内に入れ,PT
FE樹脂の融点以上の温度により加圧加熱を同時に行っ
て(ホットコイニング法),無反射終端器用素材を成形
する。その後,NRDガイド用無反射終端器の製造方法
1と同様にして,NRDガイド用の無反射終端器103
を製造する。[Method 2 of Manufacturing Non-Reflection Terminator for NRD Guide] Method 2 of manufacturing a non-reflection terminal for NRD guide will be described. FIG. 10 is an explanatory diagram illustrating a method 2 of manufacturing the non-reflection terminator for the NRD guide. In the figure, reference numeral 1001 denotes a mold used for manufacturing. Pre-fired PTFE
Pure dielectric member 301 made of resin molded body (block)
And fired PT uniformly blended with 10 wt% carbon powder
High frequency absorbing member 3 made of FE resin molded body (block)
02 separately. Next, the pure dielectric member 301
And the high-frequency absorbing member 302 are put in a mold 1001 and PT
Pressurization and heating are simultaneously performed at a temperature equal to or higher than the melting point of the FE resin (hot coining method) to form a material for an anti-reflection terminator. Thereafter, in the same manner as in the manufacturing method 1 of the NRD guide non-reflective terminator, the NRD guide non-reflective terminator 103 is used.
To manufacture.
【0064】〔NRDガイド用無反射終端器の製造方法
3〕NRDガイド用無反射終端器の製造方法3について
説明する。図11は,NRDガイド用無反射終端器の製
造方法3を示す説明図であり,図に示すように,純誘電
体部材301および高周波吸収部材302が接合融着さ
れた円筒状の無反射終端器用素材を成形する。その後,
この無反射終端器用素材を切削加工し,シート状体11
01を製造し,NRDガイド用無反射終端器の製造方法
1と同様にして,NRDガイド用の無反射終端器103
を製造する。[Method 3 of Manufacturing Non-Reflective Terminator for NRD Guide] Method 3 of manufacturing a non-reflective terminal for NRD guide will be described. FIG. 11 is an explanatory view showing a method 3 of manufacturing a non-reflection terminator for an NRD guide. As shown in FIG. 11, a cylindrical non-reflection termination in which a pure dielectric member 301 and a high-frequency absorbing member 302 are joined and fused. Form dexterous material. afterwards,
The material for the non-reflective terminator is cut to form a sheet 11
No. 01 is manufactured and the non-reflection terminator 103 for the NRD guide is manufactured in the same manner as in the manufacturing method 1 of the non-reflection terminator for the NRD guide.
To manufacture.
【0065】〔NRDガイド用無反射終端器の製造方法
4〕NRDガイド用無反射終端器の製造方法4について
説明する。図12は,NRDガイド用無反射終端器の製
造方法4を示す説明図であり,図において,1201は
底型1202と押し型1203や外枠1204等から構
成された金型本体である。また,1205はシート状純
誘電体部材,1206はシート状高周波吸収部材であ
る。[Method 4 of Manufacturing Non-Reflection Terminator for NRD Guide] Method 4 of manufacturing a non-reflection terminal for NRD guide will be described. FIG. 12 is an explanatory view showing a method 4 of manufacturing an anti-reflection terminator for an NRD guide. In the figure, reference numeral 1201 denotes a mold body composed of a bottom mold 1202, a press mold 1203, an outer frame 1204, and the like. Reference numeral 1205 denotes a sheet-like pure dielectric member, and 1206 denotes a sheet-like high-frequency absorbing member.
【0066】まず,焼成成形体(シート)からなるシー
ト状純誘電体部材1205と,カーボン粉末10wt%
を均一に配合した焼成PTFE樹脂成形体(シート)か
らなるシート状高周波吸収部材1206を別々に製造す
る。次に,図12に示すように,金型本体1201内に
おいて,上記シート状純誘電体部材1205とシート状
高周波吸収部材1206との端面を突き合わせ,PTF
E樹脂の融点以上の温度により加圧加熱を同時に行って
(ホットコイニング法),シート状の無反射終端器用素
材を成形した後,NRDガイド用無反射終端器の製造方
法1と同様にして,NRDガイド用の無反射終端器10
3を製造する。First, a sheet-like pure dielectric member 1205 made of a fired molded body (sheet) and carbon powder 10 wt%
Are manufactured separately from the sheet-like high-frequency absorbing member 1206 made of a fired PTFE resin molded article (sheet) in which is uniformly mixed. Next, as shown in FIG. 12, in the mold body 1201, the end surfaces of the sheet-like pure dielectric member 1205 and the sheet-like high-frequency absorbing member 1206 are abutted to each other to form a PTF.
Pressurization and heating are simultaneously performed at a temperature equal to or higher than the melting point of the E resin (hot coining method) to form a sheet-shaped material for an anti-reflection terminator. Non-reflection terminator 10 for NRD guide
3 is manufactured.
【0067】〔NRDガイド用無反射終端器の製造方法
5〕NRDガイド用無反射終端器の製造方法5について
説明する。図13は,NRDガイド用無反射終端器の製
造方法5を示す説明図である。図13に示すように,P
TFE樹脂チューブ断面の半分が,PTFE樹脂にカー
ボン粉末10wt%を均一に配合した高周波吸収部材3
02,もう一方の半分がPTFE樹脂からなる純誘電体
部材301としたハーフカラーチューブをペースト押し
出し法によって成形し,純誘電体部材301と高周波吸
収部材302が強固に接合融着されたNRDガイド用の
無反射終端器用素材1301を製造する。その後,この
チューブを開管し,図4に示したようなフラットなシー
トに矯正した後,NRDガイド用無反射終端器の製造方
法1と同様にして,NRDガイド用の無反射終端器10
3を製造する。[Method 5 of Manufacturing Non-Reflection Terminator for NRD Guide] Method 5 of manufacturing a non-reflection terminal for NRD guide will be described. FIG. 13 is an explanatory diagram illustrating a method 5 of manufacturing the non-reflection terminator for the NRD guide. As shown in FIG.
A half of the cross section of the TFE resin tube has a high frequency absorbing member 3 in which 10 wt% of carbon powder is uniformly mixed with PTFE resin.
02, a half-color tube made of a pure dielectric member 301 of the other half made of PTFE resin is formed by a paste extrusion method, and the pure dielectric member 301 and the high frequency absorbing member 302 are firmly joined and fused for an NRD guide. Is manufactured. After that, the tube is opened and straightened into a flat sheet as shown in FIG. 4, and the NRD guide non-reflective terminator 10 is manufactured in the same manner as in the NRD guide non-reflective terminator manufacturing method 1.
3 is manufactured.
【0068】〔実施例1の効果〕実施例1の効果につい
て説明する。以上説明してきたように,上記実施例1に
あっては,誘電体線路部材として,例えば,カーボン,
グラファイト,カーボンファイバおよびフェライト等の
高周波電磁波吸収材の粉末や微小固形体を樹脂成形時に
充填させて高周波電磁波吸収体部分を構成し,誘電体線
路と高周波電磁波吸収体部分を接合融着により同時一体
成形して製造するため,従来方法において問題であった
ところの誘電体と電磁波吸収体との接合面の機械的強度
に対して,高い接合強度を得ることができ,接着剤が不
要となり,かつ,高周波電磁波吸収体部分と誘電体線路
との接合面の位置ずれを排除することができる。また,
接着剤が不要なため,接着剤による経時変化や高周波特
性のバラツキをも抑制でき,電気的特性を安定化させる
ことができる。[Effects of the First Embodiment] The effects of the first embodiment will be described. As described above, in the first embodiment, as the dielectric line member, for example, carbon,
High-frequency electromagnetic wave absorbing material such as graphite, carbon fiber, and ferrite are filled during resin molding to form a high-frequency electromagnetic wave absorbing part, and the dielectric line and the high-frequency electromagnetic wave absorbing part are simultaneously integrated by fusion bonding. Since it is molded and manufactured, it is possible to obtain a high bonding strength with respect to the mechanical strength of the bonding surface between the dielectric and the electromagnetic wave absorber, which was a problem in the conventional method, and it becomes unnecessary to use an adhesive, and In addition, it is possible to eliminate the displacement of the joining surface between the high-frequency electromagnetic wave absorber and the dielectric line. Also,
Since no adhesive is required, it is possible to suppress changes over time and variations in high-frequency characteristics due to the adhesive, and to stabilize electrical characteristics.
【0069】さらに,この実施例1に係る無反射終端器
の製造方法は,NRDガイド誘電体線路用の低誘電率材
料からなる樹脂製誘電体部材と該樹脂製誘電体部材に,
カーボン,グラファイト,カーボンファイバおよびフェ
ライト等の高周波吸収材を充填した高周波吸収部材と
を,前記樹脂製誘電体部材の融点以上の温度にて接合融
着した無反射終端器用素材を成形しておき,適宜,この
無反射終端器用素材から,例えば,切削や切断加工によ
り所望の同一寸法形状の無反射終端器を製造することが
できるため,高歩留りの均一特性をもった無反射終端器
の量産化が実現する。Further, the method of manufacturing the non-reflection terminator according to the first embodiment includes the steps of: providing a resin dielectric member made of a low dielectric constant material for an NRD guide dielectric line;
A high-frequency absorbing member filled with a high-frequency absorbing material such as carbon, graphite, carbon fiber, and ferrite is joined and fused at a temperature equal to or higher than the melting point of the resin dielectric member to form a material for an anti-reflection terminator. From the material for the non-reflective terminator, a desired non-reflective terminator having the same dimensions and shape can be manufactured from the material for the non-reflective terminator, for example, by mass production. Is realized.
【0070】〔実施例2〕 NRDガイド用アッテネータの構成およびその製造
方法 〔NRDガイド用アッテネータの構成1〕NRDガイド
用アッテネータの構成1について説明する。図14は,
この発明に係るNRDガイド用アッテネータの構成1を
示す説明図であり,図において,1401は入力側誘電
体樹脂線路部分,1402は電磁波減衰部分,1403
は入力側誘電体樹脂線路部分1401と電磁波減衰部分
1402との接合テーパ面,1404は出力側誘電体樹
脂線路部分,1405は電磁波減衰部分1402と出力
側誘電体樹脂線路部分1404との接合テーパ面であ
る。Embodiment 2 Configuration of NRD Guide Attenuator and Manufacturing Method Thereof [Configuration 1 of NRD Guide Attenuator] Configuration 1 of the NRD guide attenuator will be described. FIG.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an explanatory diagram showing a configuration 1 of an attenuator for an NRD guide according to the present invention, in which 1401 is an input-side dielectric resin line portion, 1402 is an electromagnetic wave attenuation portion, 1403.
Is a tapered junction surface between the input-side dielectric resin line portion 1401 and the electromagnetic wave attenuation portion 1402, 1404 is an output-side dielectric resin line portion, and 1405 is a junction taper surface between the electromagnetic wave attenuation portion 1402 and the output-side dielectric resin line portion 1404. It is.
【0071】入力側誘電体樹脂線路部分1401および
出力側誘電体樹脂線路部分1404には,例えば,高周
波特性に優れる純誘電体樹脂線路材料を用いる。また,
電磁波減衰部分1402には,前記純誘電体樹脂線路材
料に抵抗体や電磁波吸収体として,例えば,カーボン,
フェライト,およびグラファイト等の粉末や微小固形体
を充填させる。また,接合テーパ面1403および14
05は,無反射周波数特性向上のためテーパ長l1 を持
つ接合面であり,信号進行方向に対して切断面がなく,
密着連続した構造となっている。For the input-side dielectric resin line portion 1401 and the output-side dielectric resin line portion 1404, for example, a pure dielectric resin line material having excellent high-frequency characteristics is used. Also,
The electromagnetic wave attenuating portion 1402 includes, as a resistor or an electromagnetic wave absorber, a material such as carbon,
Fill with powders or fine solids such as ferrite and graphite. Also, the joining tapered surfaces 1403 and 14
05 is a bonding surface having a taper length l 1 for nonreflective frequency characteristic enhancement, no cut surface with respect to the signal travel direction,
It has a close contact structure.
【0072】〔NRDガイド用アッテネータの動作〕以
上のように構成されたアッテネータの動作について説明
する。図15および図16は,この実施例に係るアッテ
ネータの動作を示す説明図であり,図において,入力側
誘電体樹脂線路部分1401に入射してきた入力波信号
(電磁波)は,テーパ長l1 の接合テーパ面1403を
介して,図15に示す如く,電磁波減衰部分1402を
通過し,さらに,テーパ長l1 の接合テーパ面1405
を通過して出力側誘電体樹脂線路部分1404に入る。[Operation of NRD Guide Attenuator] The operation of the attenuator configured as described above will be described. FIGS. 15 and 16 are explanatory diagrams showing the operation of the attenuator according to this embodiment. In the figures, an input wave signal (electromagnetic wave) incident on the input-side dielectric resin line portion 1401 has a taper length l 1 . via the bonding tapered surface 1403, as shown in FIG. 15, it passes through the electromagnetic wave attenuation portion 1402, further, bonding the tapered surface 1405 of the taper length l 1
And enters the output-side dielectric resin line portion 1404.
【0073】ところで,上記において,テーパ長l1 が
短すぎると入力波信号(電磁波)が,接合テーパ面14
03および1405部分で,図16に示すように反射さ
れ,無反射特性が劣化する。このため,適用帯域に固有
の最適値を有する。また,電磁波減衰部分1402にお
いて,抵抗体や電磁波吸収材の粉末等の密着状態が濃す
ぎると,入力波信号(電磁波)は接合テーパ面1403
によって,図5に示すように反射されるため,電磁波減
衰部分1402に不純物を充填する重量割合あるいは体
積割合は,充填する抵抗体の粉末等に固有のある最適値
が存在する。In the above description, if the taper length l 1 is too short, the input wave signal (electromagnetic wave) will be
At portions 03 and 1405, the light is reflected as shown in FIG. Therefore, it has an optimum value specific to the applicable band. If the resistance of the resistor or the powder of the electromagnetic wave absorbing material in the electromagnetic wave attenuating portion 1402 is too dense, the input wave signal (electromagnetic wave) will not be applied to the joining tapered surface 1403.
As shown in FIG. 5, the electromagnetic wave attenuating portion 1402 is filled with impurities with a weight ratio or a volume ratio which has an optimum value specific to the powder of the resistor to be filled.
【0074】また,電磁波減衰部分1402の長さl2
は,所定の電磁波減衰値,例えば,5dB,10dB,
15dB等の値によって変化し,テーパ長l1 をある値
に固定した場合,長さl2 と電磁波減衰値は比例関係に
ある。The length l 2 of the electromagnetic wave attenuation portion 1402
Is a predetermined electromagnetic wave attenuation value, for example, 5 dB, 10 dB,
When the taper length l 1 is fixed to a certain value, the length l 2 and the electromagnetic wave attenuation value are proportional to each other.
【0075】〔製造方法手順〕さらに,上記アッテネー
タの製造方法手順について説明する。予め低誘電率材料
からなる樹脂製誘電体部材の間に,該樹脂製誘電体部材
にカーボン,グラファイトおよびフェライト等の電磁波
吸収材や抵抗体を充填した高周波吸収部材をサンドイッ
チ状に挟み,前記樹脂製誘電体部材の融点以上の温度に
て接合融着したアッテネータ素材を成形しておき,適
宜,このアッテネータ素材から,例えば,切削や切断加
工によって所望とする形状寸法のアッテネータに仕上げ
るため,一度に多量のアッテネータを製造することがで
き,製造コストが低減される。[Procedure for Manufacturing Method] The procedure for manufacturing the attenuator will be described. A resin-made dielectric member made of a low dielectric constant material is sandwiched between a resin-made dielectric member and a high-frequency absorbing member in which an electromagnetic wave absorbing material such as carbon, graphite, and ferrite or a resistor is filled. An attenuator material joined and fused at a temperature equal to or higher than the melting point of the dielectric member is formed, and the attenuator material is appropriately formed from the attenuator material at a time to obtain an attenuator having a desired shape and size by, for example, cutting or cutting. A large number of attenuators can be manufactured, and manufacturing costs are reduced.
【0076】〔NRDガイド用アッテネータの構成2〕
NRDガイド用アッテネータの構成2について説明す
る。図17および図18は,接合面の形状をV字型とし
たアッテネータの構成を示す説明図であり,図におい
て,入力側誘電体樹脂線路部分と電磁波減衰部分,電磁
波減衰部分と出力側誘電体樹脂線路部分との各境界部分
の形状を,図17に示すようにV字型テーパ状境界面1
701,1702,あるいは図18に示すように逆V字
型テーパ状境界面1801,1802とした構成にす
る。[Configuration 2 of NRD Guide Attenuator]
Configuration 2 of the NRD guide attenuator will be described. 17 and 18 are explanatory diagrams showing the configuration of an attenuator having a V-shaped joint surface. In the figures, the input-side dielectric resin line portion and the electromagnetic wave attenuation portion, and the electromagnetic wave attenuation portion and the output side dielectric material are shown. As shown in FIG. 17, the shape of each boundary portion with the resin line portion is changed to a V-shaped tapered boundary surface 1.
701, 1702, or an inverted V-shaped tapered boundary surface 1801, 1802 as shown in FIG.
【0077】また,図19は,アッテネータの電磁波減
衰部分を微小分割ブロックにより積層構造とした例を示
す説明図であり,1901はn個の微小ブロック群であ
り,図において,電磁波減衰部分を均一な抵抗率を有す
る部分とするのではなく,電磁波減衰部分を長手方向と
垂直な面で微小ブロック群1901に分割し,電磁波減
衰部分の中央(n/2個目)までは誘電体材料,例え
ば,純フッ素樹脂に抵抗体や電磁波吸収体等,例えば,
カーボン,グラファイトおよびフェライト等を充填する
割合を微小ブロック毎に順次増加させ,電磁波減衰部分
の中央部分からn個目までは微小ブロック毎に順次減少
させた構成のものを樹脂一体成形加工する。FIG. 19 is an explanatory view showing an example in which the electromagnetic wave attenuating portion of the attenuator is formed into a laminated structure by minute division blocks. Reference numeral 1901 denotes a group of n minute blocks. Instead of a portion having a high resistivity, the electromagnetic wave attenuation portion is divided into small block groups 1901 along a plane perpendicular to the longitudinal direction, and a dielectric material, for example, up to the center (n / 2th) of the electromagnetic wave attenuation portion, , Pure fluororesin, resistor, electromagnetic wave absorber, etc.
The ratio of filling with carbon, graphite, ferrite, and the like is sequentially increased for each minute block, and the structure in which the number of the electromagnetic wave attenuating portion is gradually decreased for each minute block from the central portion to the nth portion is integrally molded with resin.
【0078】〔NRDガイド用アッテネータの製造方法
1〕NRDガイド用アッテネータの製造方法1について
説明する。図20および図21は,NRDガイド用アッ
テネータの製造方法1を示す説明図である。図20にお
いて,2001は誘電体部材,2002は高周波吸収部
材,2003はアッテネータ用素材,2004および2
005は境界面である。また,図21において,210
1は板状アッテネータ用素材,2102および2103
は境界面2004および2005に対応する融着ライン
である。[Method 1 of Manufacturing Attenuator for NRD Guide] Method 1 of manufacturing an attenuator for NRD guide will be described. 20 and 21 are explanatory diagrams illustrating a method 1 of manufacturing an NRD guide attenuator. 20, 2001 is a dielectric member, 2002 is a high frequency absorbing member, 2003 is an attenuator material, 2004 and 2
005 is a boundary surface. Also, in FIG.
1 is a plate-like attenuator material, 2102 and 2103
Is a fusion line corresponding to the boundary surfaces 2004 and 2005.
【0079】第1の工程として,まず,有底円筒金型内
に,低誘電率特性を有する材料であるPTFE樹脂を所
定量均一に充填した後,押し型を被せ,面圧25Kgf
/cm2 (少なくとも0.5Kgf/cm2 以上)で予
備加圧成形を行う。As a first step, first, a predetermined amount of PTFE resin, which is a material having low dielectric constant, is uniformly filled in a bottomed cylindrical mold, and then a pressing mold is put thereon, and a surface pressure of 25 kgf is applied.
/ Cm 2 (at least 0.5 kgf / cm 2 or more).
【0080】第2の工程として,次に,上記予備加圧成
形されたPTFE樹脂成形体上面に電磁波吸収材である
カーボン,グラファイト,フェライト等を均一に配合し
た電磁波吸収材入りPTFE樹脂を所定量投入し,面圧
25Kgf/cm2 で予備加圧成形を行う。In the second step, next, a predetermined amount of a PTFE resin containing an electromagnetic wave absorbing material uniformly mixed with carbon, graphite, ferrite, etc., which is an electromagnetic wave absorbing material, is formed on the upper surface of the prepress molded PTFE resin molded body. Then, pre-press molding is performed at a surface pressure of 25 kgf / cm 2 .
【0081】第3の工程として,次いで,PTFE樹脂
を所定量投入し,押し型を用い,全体を成形圧250K
gf/cm2 (50〜700Kgf/cm2 の範囲)で
圧縮成形する。これにより,図20に示した如く,誘電
体部材2001にサンドイッチされた高周波吸収部材2
002が得られる。なお,このとき誘電体部材2001
と高周波吸収部材2002との境界面2004,200
5は,PTFE樹脂で加圧凝集され,強固に接合されて
いることを確認している。また,この境界面2004,
2005は,凹凸がなく,極めて平滑である。Next, as a third step, a predetermined amount of PTFE resin is charged, and the whole is pressed at a molding pressure of 250K using a pressing die.
Compression molding is performed at gf / cm 2 (in the range of 50 to 700 kgf / cm 2 ). Thereby, as shown in FIG. 20, the high frequency absorbing member 2 sandwiched by the dielectric member 2001 is formed.
002 is obtained. At this time, the dielectric member 2001
Interface 2004 and 200 between
No. 5 confirms that the PTFE resin is pressure-aggregated and strongly bonded. Also, this boundary surface 2004,
2005 has no irregularities and is extremely smooth.
【0082】第4の工程として,次に,上記圧縮された
成形体素材を円筒金型から取り出し,PTFE樹脂の融
点327°C(好ましくは,340°C)以上で3時間
加熱処理(焼成)を行い,誘電体部材2001と高周波
吸収部材2002とが境界面2004,2005におい
て一体に接合融着されたアッテネータ用素材2003を
成形する。Next, as a fourth step, the compressed molded material is taken out of the cylindrical mold and heated (fired) at a melting point of 327 ° C. (preferably 340 ° C.) or higher of the PTFE resin for 3 hours. To form an attenuator material 2003 in which the dielectric member 2001 and the high-frequency absorbing member 2002 are integrally joined and fused at the boundary surfaces 2004 and 2005.
【0083】なお,上記圧縮された成形素材を円筒金型
内において焼成(ホットコイニング法)することによ
り,アッテネータ用素材2003を成形することもでき
る。また,抵抗体や電波吸収体粉末を均一に配合した吸
収体入りPTFE樹脂を,予め予備加圧しておき,別の
金型で同様に予備加圧したPTFE樹脂成形体と共に圧
縮成形してもよい。The attenuator material 2003 can also be formed by firing (hot coining) the compressed material in a cylindrical mold. Further, a PTFE resin containing an absorber, which is uniformly mixed with a resistor or a radio wave absorber powder, may be pre-pressed in advance, and may be compression-molded in another mold in the same manner as the pre-pressed PTFE resin compact. .
【0084】第5の工程として,次に,図21に示すよ
うに,上記アッテネータ用素材2003を切削加工し,
板状アッテネータ用素材2101を形成する。このとき
融着ライン2103,2104(境界面2004,20
05に対応)に対して角度θでX−X’およびY−Y’
に沿ってカットし,高さa,幅b,テーパ長さl1 のN
RDガイド用のアッテネータを製造する。また,このア
ッテネータは,誘電体線路部分と吸収体部分との境界面
が強固に接合融着されていることが確認されている。As a fifth step, as shown in FIG. 21, the attenuator blank 2003 is cut and processed.
A plate-like attenuator material 2101 is formed. At this time, the fusion lines 2103, 2104 (boundary surfaces 2004, 20)
XX 'and YY' at an angle?
Cut along the line, N of height a, width b, and taper length l 1
Manufactures attenuators for RD guides. In this attenuator, it has been confirmed that the interface between the dielectric line portion and the absorber portion is firmly joined and fused.
【0085】〔NRDガイド用アッテネータの製造方法
2〕NRDガイド用アッテネータの製造方法2について
説明する。図22は,NRDガイド用アッテネータの製
造方法2を示す説明図であり,図において,2201は
製造に用いられる金型である。予め焼成されたPTFE
樹脂成形体(ブロック)からなる誘電体部材2001
と,カーボン,グラファイト,フェライト等の電磁波吸
収材を均一に配合した焼成PTFE樹脂成形体(ブロッ
ク)からなる高周波吸収部材2002を別々に製造す
る。次に,これらの部材を金型2201内に入れ,PT
FE樹脂の融点以上の温度で加圧加熱を同時に行って
(ホットコイニング法),アッテネータ用素材を成形す
る。その後,NRDガイド用アッテネータの製造方法1
と同様にして,NRDガイド用のアッテネータを製造す
る。[Manufacturing Method 2 of NRD Guide Attenuator] Manufacturing method 2 of the NRD guide attenuator will be described. FIG. 22 is an explanatory diagram showing a method 2 of manufacturing an attenuator for an NRD guide. In the figure, reference numeral 2201 denotes a mold used for manufacturing. Pre-fired PTFE
Dielectric member 2001 made of resin molded body (block)
And a high-frequency absorbing member 2002 made of a fired PTFE resin molded article (block) in which an electromagnetic wave absorbing material such as carbon, graphite, and ferrite is uniformly mixed. Next, these members are put in a mold 2201 and the PT
Pressurization and heating are simultaneously performed at a temperature equal to or higher than the melting point of the FE resin (hot coining method) to form an attenuator material. Then, NRD guide attenuator manufacturing method 1
In the same manner as described above, an attenuator for an NRD guide is manufactured.
【0086】〔NRDガイド用アッテネータの製造方法
3〕NRDガイド用アッテネータの製造方法3について
説明する。図23は,NRDガイド用アッテネータの製
造方法3を示す説明図である。まず,図に示すように,
誘電体部材2001および高周波吸収部材2002が接
合融着された円筒状のアッテネータ用素材を成形する。
その後,このアッテネータ用素材を切削加工し,シート
状体2301を製造し,NRDガイド用アッテネータの
製造方法1と同様にして,NRDガイド用のアッテネー
タを製造する。[Method 3 of Manufacturing Attenuator for NRD Guide] Method 3 of manufacturing an attenuator for NRD guide will be described. FIG. 23 is an explanatory diagram illustrating a method 3 of manufacturing an attenuator for an NRD guide. First, as shown in the figure,
A cylindrical attenuator material to which the dielectric member 2001 and the high frequency absorbing member 2002 are joined and fused is formed.
Thereafter, the attenuator material is cut to produce a sheet-like body 2301, and an NRD guide attenuator is manufactured in the same manner as in NRD guide attenuator manufacturing method 1.
【0087】〔NRDガイド用アッテネータの製造方法
4〕NRDガイド用アッテネータの製造方法4について
説明する。図24は,NRDガイド用アッテネータの製
造方法4を示す説明図であり,図において,2401は
底型2402と押し型2403や外枠2404等から構
成された金型本体である。また,2405はシート状誘
電体部材,2406はシート状高周波吸収部材である。[Method 4 of Manufacturing Attenuator for NRD Guide] Method 4 of manufacturing an attenuator for NRD guide will be described. FIG. 24 is an explanatory view showing a method 4 of manufacturing an attenuator for an NRD guide. In the figure, reference numeral 2401 denotes a die body composed of a bottom die 2402, a pressing die 2403, an outer frame 2404, and the like. Reference numeral 2405 denotes a sheet-like dielectric member, and reference numeral 2406 denotes a sheet-like high frequency absorbing member.
【0088】まず,焼成成形体(シート)からなるシー
ト状誘電体部材2405と,カーボン,グラファイト,
フェライト等の電磁波吸収部材を均一に配合した焼成P
TFE樹脂成形体(シート)からなるシート状高周波吸
収部材2406を別々に製造する。次に,図24に示す
ように,金型本体2401内において,上記シート状誘
電体部材2405とシート状高周波吸収部材2406と
の端面を突き合わせ,PTFE樹脂の融点以上の温度で
加圧加熱を同時に行って(ホットコイニング法),シー
ト状のアッテネータ用素材を成形した後,NRDガイド
用アッテネータの製造方法1と同様にして,NRDガイ
ド用のアッテネータを製造する。First, a sheet-like dielectric member 2405 made of a fired molded body (sheet), carbon, graphite,
Fired P with uniform mixing of electromagnetic wave absorbing material such as ferrite
The sheet-like high-frequency absorbing member 2406 made of a TFE resin molded body (sheet) is separately manufactured. Next, as shown in FIG. 24, in the mold body 2401, the end surfaces of the sheet-shaped dielectric member 2405 and the sheet-shaped high-frequency absorbing member 2406 are abutted, and pressurized and heated simultaneously at a temperature equal to or higher than the melting point of the PTFE resin. After performing (hot coining method) to form a sheet-like attenuator material, an NRD guide attenuator is manufactured in the same manner as in the NRD guide attenuator manufacturing method 1.
【0089】〔NRDガイド用アッテネータの製造方法
5〕NRDガイド用アッテネータの製造方法5について
説明する。図25は,NRDガイド用アッテネータの製
造方法5を示す説明図である。図25に示すように,P
TFE樹脂チューブ(誘電体部材2001)断面上の一
部に,PTFE樹脂にカーボン,グラファイト,フェラ
イト等の電磁波吸収部材を均一に配合した高周波吸収部
材2002を長さ方向に配置した筋入りチューブをペー
スト押し出し法によって成形し,誘電体部材2001と
高周波吸収部材2002が強固に接合融着されたNRD
ガイド用のアッテネータ2501を製造する。次に,こ
のチューブを開管し,図21に示したようなフラットな
シートに矯正した後,NRDガイド用アッテネータの製
造方法1と同様にして,NRDガイド用のアッテネータ
を製造する。[Method 5 of Manufacturing Attenuator for NRD Guide] Method 5 of manufacturing an attenuator for NRD guide will be described. FIG. 25 is an explanatory diagram illustrating a method 5 of manufacturing an NRD guide attenuator. As shown in FIG.
A streaked tube in which a high-frequency absorbing member 2002 in which PTFE resin is uniformly mixed with an electromagnetic wave absorbing member such as carbon, graphite, or ferrite is arranged in a part of a cross section of a TFE resin tube (dielectric member 2001) in a length direction is pasted. NRD molded by extrusion method, and dielectric member 2001 and high frequency absorption member 2002 are firmly joined and fused.
A guide attenuator 2501 is manufactured. Next, after opening this tube and straightening it into a flat sheet as shown in FIG. 21, an NRD guide attenuator is manufactured in the same manner as in NRD guide attenuator manufacturing method 1.
【0090】〔NRDガイド用アッテネータの製造方法
6〕次に,図19に示した微小分割ブロックで構成され
たアッテネータの製造方法について説明する。図26お
よび図27は,NRDガイド用アッテネータの製造方法
6を示す説明図である。[Manufacturing Method 6 of NRD Guide Attenuator] Next, a method of manufacturing an attenuator composed of minutely divided blocks shown in FIG. 19 will be described. FIG. 26 and FIG. 27 are explanatory diagrams showing a method 6 of manufacturing an attenuator for an NRD guide.
【0091】第1の工程として,有底円筒金型内にPT
FE樹脂を所定量均一に充填した後,押し型を用い,面
圧25Kgf/cm2 (少なくとも0.5Kgf/cm
2 以上)で予備加圧成形する。In the first step, PT is placed in a cylindrical mold having a bottom.
After uniformly filling a predetermined amount of the FE resin, using a pressing mold, the surface pressure is 25 kgf / cm 2 (at least 0.5 kgf / cm 2 ).
Pre-press molding in 2 or more).
【0092】第2の工程として,上記予備加圧成形した
PTFE樹脂成形体上面に,カーボン,グラファイト,
フェライト等の抵抗体や電磁波吸収材をPTFE樹脂に
均一に配合した吸収体入りPTFE樹脂を所定量投入
し,面圧25Kgf/cm2 で予備加圧成形する。In the second step, carbon, graphite,
A predetermined amount of an absorber-containing PTFE resin in which a resistor such as ferrite or an electromagnetic wave absorbing material is uniformly blended into a PTFE resin is charged, and pre-press molding is performed at a surface pressure of 25 kgf / cm 2 .
【0093】第3の工程として,上記第2の工程におい
て予備加圧成形した電磁波吸収部材充填PTFE樹脂の
高周波吸収体2002aの上面に,カーボン,グラファ
イト,フェライト等の抵抗体や電磁波吸収部材の量を,
前記高周波吸収体2002aに充填された量よりも多く
入れて均一に配合した吸収体入りPTFE樹脂を所定量
投入し,面圧25Kgf/cm2 で予備加圧成形するこ
とにより,高周波吸収体2002bを得る。As a third step, the amount of a resistor, such as carbon, graphite, or ferrite, or the amount of an electromagnetic wave absorbing member is placed on the upper surface of a high-frequency absorber 2002a made of a PTFE resin filled with an electromagnetic wave absorbing member preliminarily molded in the second step. To
A predetermined amount of the PTFE resin containing the absorber, which is more than the amount filled in the high frequency absorber 2002a and is uniformly blended, is charged and pre-press molded at a surface pressure of 25 kgf / cm 2 to form the high frequency absorber 2002b. obtain.
【0094】第4の工程として,上記第3の工程におい
て予備加圧成形して得た高周波吸収体2002b上面
に,カーボン,グラファイト,フェライト等の抵抗体や
電磁波吸収材の量を,前記高周波吸収体2002bより
もさらに多く入れて均一に配合した吸収体入りPTFE
樹脂を所定量投入し,面圧25Kgf/cm2 で予備加
圧成形することにより,高周波吸収体2002cを得
る。As a fourth step, the amount of a resistor such as carbon, graphite, or ferrite or an electromagnetic wave absorbing material is placed on the upper surface of the high frequency absorber 2002b obtained by the preliminary press molding in the third step. Absorbent PTFE blended more evenly than body 2002b
A high-frequency absorber 2002c is obtained by charging a predetermined amount of resin and performing pre-press molding at a surface pressure of 25 kgf / cm 2 .
【0095】第5の工程として,上記第4の工程におい
て予備加圧成形して得た高周波吸収体2002c上面
に,カーボン,グラファイト,フェライト等の抵抗体や
電磁波吸収材の量が,上記高周波吸収体2002bと同
一の吸収体入りPTFE樹脂を所定量投入し,面圧25
Kgf/cm2 で予備加圧成形することにより,高周波
吸収体2002b’を得る。As a fifth step, the amount of a resistor such as carbon, graphite, or ferrite or an electromagnetic wave absorbing material is placed on the upper surface of the high frequency absorber 2002c obtained by the pre-press molding in the fourth step. A predetermined amount of the same absorbent PTFE resin as that of the body 2002b is charged, and the surface pressure is set to 25%.
By performing pre-press molding at Kgf / cm 2 , a high-frequency absorber 2002b ′ is obtained.
【0096】第6の工程として,上記第5の工程におい
て予備加圧成形して得た高周波吸収体2002b上面
に,カーボン,グラファイト,フェライト等の抵抗体や
電磁波吸収材の量が,上記高周波吸収体2002aと同
一の吸収体入りPTFE樹脂を所定量投入し,面圧25
Kgf/cm2 で予備加圧成形することにより,高周波
吸収体2002a’を得る。As a sixth step, the amount of a resistor such as carbon, graphite, or ferrite or an electromagnetic wave absorbing material is placed on the upper surface of the high frequency absorber 2002b obtained by the pre-press molding in the fifth step. A predetermined amount of the same absorbent PTFE resin as that of the body 2002a is charged, and a surface pressure of 25%.
By performing pre-press molding at Kgf / cm 2 , a high frequency absorber 2002a ′ is obtained.
【0097】第7の工程として,次に,PTFE樹脂を
所定量投入し,押し型を用い,全体を成形圧250Kg
f/cm2 (50〜700Kgf/cm2 の範囲)にて
圧縮成形し,誘電体部材2001と高周波吸収部材20
02を得る。このとき誘電体部材2001と高周波吸収
部材2002との境界面2601a,2601b,26
01cはPTFE樹脂で加圧凝集され強固に接合されて
いる。また,この境界面2601a,2601b,26
01cは,凹凸がなく極めて平滑である。Next, as a seventh step, a predetermined amount of PTFE resin is charged, and the whole is pressed at a molding pressure of 250 kg using a pressing die.
f / cm 2 (range of 50 to 700 kgf / cm 2 ), and the dielectric member 2001 and the high frequency absorbing member 20
02 is obtained. At this time, the boundary surfaces 2601a, 2601b, 26 between the dielectric member 2001 and the high frequency absorbing member 2002
01c is pressure-agglomerated with PTFE resin and is strongly bonded. Also, the boundary surfaces 2601a, 2601b, 26
01c has no irregularities and is extremely smooth.
【0098】第8の工程として,次に,上記圧縮成形さ
れた成形体を円筒金型から取り出し,PTFE樹脂の融
点327°C(好ましくは,340°C)以上で3時間
焼成し,誘電体部材2001と高周波吸収部材2002
を一体に接合融着したアッテネータ素材2602を製造
する。As an eighth step, the compression-molded body is taken out of the cylindrical mold and fired at a melting point of 327 ° C. (preferably 340 ° C.) or more of the PTFE resin for 3 hours. Member 2001 and high frequency absorbing member 2002
To form an attenuator material 2602 which is joined and fused together.
【0099】なお,前記圧縮された成形体を有底円筒金
型内から取り出さずに,そのままの状態で有底円筒金型
内で焼成(ホットコイニング法)することによってアッ
テネータ素材2602を製造することもできる。また,
各コンテントの電磁波吸収材を均一に配合したそれぞれ
の吸収体入りPTFE樹脂を別々の金型を用いて予備加
圧しておき,同様に予備加圧したPTFE樹脂成形体と
同一金型内で共に圧縮成形してもよい。It is to be noted that the attenuator material 2602 is manufactured by firing (hot coining method) in the bottomed cylindrical mold as it is, without taking out the compressed compact from the bottomed cylindrical mold. Can also. Also,
The PTFE resin containing the absorber, in which the electromagnetic wave absorbing material of each content is uniformly blended, is pre-pressed using a separate mold, and is compressed together with the pre-pressed PTFE resin molded body in the same mold. It may be molded.
【0100】第9の工程として,次に,図27に示すよ
うに,アッテネータ素材2602を切削加工し,板状ア
ッテネータ素材2701を製造する。そして,融着ライ
ン2702a〜c(境界面2601a〜cに対応)に対
して直角方向に,M−M’およびN−N’に沿ってカッ
トし,高さH,幅RのNRDガイド用のアッテネータを
製造する。また,このアッテネータは誘電体線路部分と
吸収体部分との境界面が強固に接合融着されている。In the ninth step, as shown in FIG. 27, the attenuator material 2602 is cut to produce a plate-like attenuator material 2701. Then, cut along the MM ′ and NN ′ in a direction perpendicular to the fusion lines 2702a to 2702c (corresponding to the boundary surfaces 2601a to 2601c), and for an NRD guide having a height H and a width R. Manufactures attenuators. In this attenuator, the boundary between the dielectric line portion and the absorber portion is firmly joined and fused.
【0101】なお,図19に示した構成のアッテネータ
の製造は,上記実施例の他にも上記NRDガイド用アッ
テネータの製造方法1〜5と同様の方法を用いて製造す
ることもできる。The attenuator having the configuration shown in FIG. 19 can be manufactured by using the same method as the above-described NRD guide attenuator manufacturing methods 1 to 5 in addition to the above embodiment.
【0102】〔実施例2の効果〕実施例2の効果につい
て説明する。以上説明してきたように,上記実施例2に
あっては,誘電体線路部材としてフッ素樹脂を用い,高
周波吸収体として,例えば,カーボン,グラファイト,
およびフェライト等の高周波電磁波吸収材の粉末や微小
固形体を樹脂成形時に充填させて構成し,誘電体線路部
材と高周波吸収体部分を接合融着により同時一体成形し
て製造するため,従来方法において問題であったところ
の誘電体と電磁波吸収体との接合面の機械的強度に対し
て,高い接合強度を得ることができ,また,接着剤が不
要となるため,高周波特性,電気的特性が安定し,か
つ,向上する。また,高周波吸収体部分と誘電体線路と
の接合面における信号伝送方向に対する軸ずれをほとん
ど排除することができる。また,加工工程の性質上,機
械的精密加工が適用できるため製品個々の回路素子の寸
法精度,均一性,再現性が高くとれるので,同回路素子
の高周波電気特性は一定となり,製造信頼性を確保する
ことができる。[Effects of the Second Embodiment] The effects of the second embodiment will be described. As described above, in the second embodiment, the dielectric line member is made of fluororesin, and the high frequency absorber is made of, for example, carbon, graphite, or the like.
And a high-frequency electromagnetic wave absorbing material such as ferrite and powder or a minute solid body are filled during resin molding, and the dielectric line member and the high-frequency absorber are molded together by joint fusion. Compared to the mechanical strength of the joint surface between the dielectric and the electromagnetic wave absorber, which was a problem, high bonding strength can be obtained, and no adhesive is required, so high-frequency characteristics and electrical characteristics are reduced. Stable and improved. In addition, it is possible to almost eliminate the axial deviation in the signal transmission direction at the joining surface between the high frequency absorber and the dielectric line. Also, due to the nature of the machining process, mechanical precision machining can be applied, so that the dimensional accuracy, uniformity, and reproducibility of each circuit element in the product can be high, so that the high-frequency electrical characteristics of the circuit element are constant and the manufacturing reliability is reduced Can be secured.
【0103】また,図17および図18に示したNRD
ガイド用のアッテネータにあっては,接合テーパ部分を
V字形あるいは逆V字形としたため,無反射特性がさら
に向上する。The NRD shown in FIG. 17 and FIG.
In the guide attenuator, the junction taper portion is V-shaped or inverted V-shaped, so that the anti-reflection characteristics are further improved.
【0104】さらに,この実施例によるアッテネータの
製造方法にあっては,予め低誘電率材料からなる樹脂製
誘電体部材の間に,該樹脂製誘電体部材にカーボン,グ
ラファイトおよびフェライト等の高周波吸収材を充填し
た高周波吸収部材をサンドイッチ状に挟み,フッ素樹脂
の融点以上の温度にて接合融着し,アッテネータ用素材
を成形しておき,適宜,このアッテネータ用素材から,
例えば,切削や切断加工により所望の同一寸法形状のア
ッテネータを製造することができるため,高歩留りの均
一特性をもったアッテネータの量産化が実現する。Further, in the method of manufacturing an attenuator according to this embodiment, a high-frequency absorbing material such as carbon, graphite and ferrite is provided between resin dielectric members made of a low dielectric constant material in advance. The high-frequency absorbing member filled with the material is sandwiched, joined and fused at a temperature equal to or higher than the melting point of the fluororesin, and the material for the attenuator is molded.
For example, a desired attenuator having the same size and shape can be manufactured by cutting or cutting, so that mass production of attenuators having high yield and uniform characteristics can be realized.
【0105】〔実施例3〕 NRDガイド整合線路の構成およびその製造方法 〔NRDガイド整合線路の構成1〕NRDガイド整合線
路の構成1について説明する。図28は,この発明に係
るNRDガイド整合線路の構成を示す説明図であり,図
において,2801は入力側整合誘導体ブロック部一体
線路,2802は出力側整合誘導体ブロック部一体線路
である。該入力側整合誘導体ブロック部一体線路280
1および出力側整合誘導体ブロック部一体線路2802
は,主線路入出力誘電体部2803と整合用誘電体ブロ
ック2804が接合されて構成されている。Embodiment 3 Configuration of NRD Guide Matching Line and Manufacturing Method Thereof [Configuration 1 of NRD Guide Matching Line] Configuration 1 of the NRD guide matching line will be described. FIG. 28 is an explanatory diagram showing the configuration of an NRD guide matching line according to the present invention. In the figure, reference numeral 2801 denotes an input-side integrated matching block unit integrated line, and 2802 denotes an output-side matching integrated block unit integrated line. The input-side matching dielectric block unit integrated line 280
1 and output side integrated dielectric block unit integrated line 2802
The main line I / O dielectric portion 2803 and the matching dielectric block 2804 are joined.
【0106】また,主線路入出力誘電体部2803は,
誘電体樹脂として,例えば,超高周波電気特性に優れて
いる純フッ素樹脂未焼結体を用意し,また,整合用誘電
体ブロック2804は,前記純フッ素樹脂未焼結体をベ
ースに高誘電率誘電体の粉体,例えば,酸化物セラミッ
クス粉体を充填した素材を用意し,この純フッ素樹脂未
焼結体と酸化物セラミックス粉体とを焼結成形前に密着
させ,樹脂成形加工(焼結)時に同時一体成形(融着)
することにより,一体不可分な入力側整合誘導体ブロッ
ク部一体線路2801および出力側整合誘導体ブロック
部一体線路2802の構造を実現している。The main line input / output dielectric portion 2803 is
As the dielectric resin, for example, a pure fluororesin unsintered body having excellent super-high-frequency electrical characteristics is prepared, and the matching dielectric block 2804 is made of a high dielectric constant based on the pure fluororesin unsintered body. A material filled with a dielectric powder, for example, an oxide ceramic powder, is prepared. The unsintered pure fluororesin and the oxide ceramic powder are brought into close contact with each other before sintering, and the resin is molded (fired). Consolidation at the same time (fusion)
By doing so, the structure of the input-side matched dielectric block unit integrated line 2801 and the output-side matched dielectric block unit integrated line 2802 that are inseparable can be realized.
【0107】〔NRDガイド整合線路の製造方法1〕次
に,上記入力側整合誘導体ブロック部一体線路2801
および出力側整合誘導体ブロック部一体線路2802の
製造方法について説明する。図29,図30,および図
31は,このNRDガイド整合線路の製造方法1を示す
説明図であり,以下の各工程により製造される。[Manufacturing Method 1 of NRD Guide Matched Line] Next, the input side matched dielectric block integrated line 2801
A method of manufacturing the output-side matching dielectric block unit integrated line 2802 will be described. FIG. 29, FIG. 30, and FIG. 31 are explanatory views showing a method 1 of manufacturing the NRD guide matching line, and are manufactured by the following steps.
【0108】第1の工程として,有底円筒金型内に,低
誘電率特性を有する材料であるPTFE樹脂粉に高い誘
電率(3〜100)を有する酸化セラミックス,あるい
はフェライト粉体を所定量均一に充填した充填材入りP
TFE樹脂を所定量均一に投入した後,押し型を被せ,
面圧25Kgf/cm2 (少なくとも0.5Kgf/c
m2 以上)で予備加圧成形を行う。In a first step, a predetermined amount of oxidized ceramics or ferrite powder having a high dielectric constant (3 to 100) is added to PTFE resin powder, which is a material having low dielectric constant, in a bottomed cylindrical mold. P with uniform filling
After uniformly injecting a predetermined amount of TFE resin, cover with a pressing mold
Surface pressure 25 kgf / cm 2 (at least 0.5 kgf / c
preliminary pressing in m 2 or more).
【0109】第2の工程として,次に,上記予備加圧成
形された充填材入りPTFE樹脂上面にPTFE樹脂を
所定量投入し,押し型を被せ,成形圧250Kgf/c
m2(50〜700Kgf/cm2 の範囲)で圧縮成形
する。これにより,図29に示す如く,入出力誘電体部
材層2901と整合用誘電体ブロック部材層2902が
得られる。なお,このとき,入出力誘電体部材層290
1と整合用誘電体ブロック部材層2902との境界面2
903は,PTFE樹脂で加圧凝集され,強固に接合さ
れていることを確認している。また,この境界面290
3は,凹凸がなく,極めて平滑である。Next, as a second step, a predetermined amount of PTFE resin is put on the upper surface of the pre-pressurized PTFE resin containing the filler, and a pressing die is put on the PTFE resin, and a molding pressure of 250 kgf / c is applied.
Compression molding is performed at m 2 (in the range of 50 to 700 kgf / cm 2 ). Thus, as shown in FIG. 29, an input / output dielectric member layer 2901 and a matching dielectric block member layer 2902 are obtained. At this time, the input / output dielectric member layer 290
1 and interface 2 between matching dielectric block member layer 2902
No. 903 confirms that the PTFE resin is pressure-agglomerated and firmly joined. In addition, this boundary surface 290
No. 3 has no unevenness and is extremely smooth.
【0110】第3の工程として,上記圧縮された成形体
素材を円筒金型から取り出し,PTFE樹脂の融点32
7°C(好ましくは,340°C)以上で3時間加熱処
理(焼成)を行い,入出力誘電体部材層2901と整合
用誘電体ブロック部材層2902とが境界面2903に
おいて一体に接合融着されたNRDガイド整合線路素材
2904を成形する。[0110] In the third step, the compressed molded body material is taken out of the cylindrical mold and the melting point of the PTFE resin is reduced to 32.
A heat treatment (firing) is performed at 7 ° C. or more (preferably 340 ° C.) for 3 hours, and the input / output dielectric member layer 2901 and the matching dielectric block member layer 2902 are joined and fused integrally at the boundary surface 2903. The obtained NRD guide matching line material 2904 is molded.
【0111】なお,上記圧縮された成形素材を取り出さ
ずに,そのままの状態で円筒金型内で焼成(ホットコイ
ニング法)することにより,NRDガイド整合線路素材
2904を成形することもできる。また,均一に配合し
た充填材入りPTFE樹脂を予備加圧しておき,別の金
型で同様に予備加圧したPTFE樹脂成形体と同一金型
で重ね合わせて圧縮成形してもよい。The NRD guide matching line material 2904 can be formed by firing (hot coining method) in a cylindrical mold as it is without taking out the compressed forming material. Alternatively, the PTFE resin containing the uniformly mixed filler may be pre-pressed, and may be compression-molded by overlapping the pre-pressed PTFE resin molded body with another mold in the same mold.
【0112】第4の工程として,次に,図30に示すよ
うに,上記NRDガイド整合線路素材2904を切削加
工し,板状NRDガイド整合線路素材3001を形成
し,さらに,図31に示すようにフラット化し,所定寸
法に仕上げる。このとき融着ライン3101(境界面2
903に対応)に対して90°の角度でX−X’および
Y−Y’に沿ってカットし,高さa,幅b,長さL1 の
図28に示すNRDガイド整合線路を製造する。なお,
板状NRDガイド整合線路素材3001の長さL2 は,
予め被整合素子単体の反射特性データに基づいて,前記
板状NRDガイド整合線路素材3001の比誘電率を考
慮して最適化する。また,このNRDガイド整合線路
は,入力側整合誘導体ブロック部一体線路2801と出
力側整合誘導体ブロック部一体線路2802との境界接
合面は強固に接合融着されていることが確認されてい
る。As a fourth step, next, as shown in FIG. 30, the NRD guide matching line material 2904 is cut to form a plate-like NRD guide matching line material 3001, and further, as shown in FIG. And finish it to the specified dimensions. At this time, the fusion line 3101 (boundary surface 2)
Cut along the X-X 'and Y-Y' at an angle of 90 ° to correspond) to 903, to produce the NRD guide alignment line shown in height a, width b, the length L 1 of FIG. 28 . In addition,
The length L 2 of the plate-shaped NRD guide matching line material 3001 is
Based on the reflection characteristic data of the element to be matched alone, optimization is performed in consideration of the relative permittivity of the plate-shaped NRD guide matching line material 3001. Further, it has been confirmed that in the NRD guide matched line, the boundary joint surface between the input side matched dielectric block unit integrated line 2801 and the output side matched dielectric block unit integrated line 2802 is firmly joined and fused.
【0113】次に,以上のように構成されたNRDガイ
ド整合線路は,上記製造方法により,入力側整合誘導体
ブロック部一体線路2801と出力側整合誘導体ブロッ
ク部一体線路2802は接着剤等を用いずに,しかも,
軸ずれや位置ずれを排除して一体物として製造するた
め,意図しない間隙や整合ブロックの位置ずれは一切発
生しない。また,接着剤等に起因する経時的特性不安定
性や生産特性のバラツキも解消される。なお,整合ブロ
ックの形状は,必ずしも,図28に示したような直方体
である必要はなく,場合によっては,主線路と面する側
は傾斜したテーパ平面であってもよい。Next, the NRD guide matched line constructed as described above is manufactured by using the above-mentioned manufacturing method, without using an adhesive or the like for the input-side matched dielectric block integrated line 2801 and the output-side matched dielectric block integrated line 2802. In addition,
Since it is manufactured as an integrated product by eliminating the axial and positional deviations, there is no unintended gap or positional deviation of the alignment block. In addition, the instability of the characteristics over time and the variation in the production characteristics due to the adhesive or the like are eliminated. The shape of the matching block does not necessarily have to be a rectangular parallelepiped as shown in FIG. 28, and in some cases, the side facing the main line may be a tapered flat surface that is inclined.
【0114】〔NRDガイド整合線路の構成2〕NRD
ガイド整合線路の構成2について説明する。以下の実施
例は,上記製造方法を用いた応用例であり,線路に位相
調整の機能をもたせたものである。図32は,この発明
に係る他の素子への応用例(位相調整用回路)を示す説
明図であり,図において,3201は入力側整合誘導体
ブロック部一体線路2801と出力側整合誘導体ブロッ
ク部一体線路2802とを一体化した線路部分である。
すなわち,線路部分3201の全長は,l=l0 +l1
+l2 となる。[Configuration 2 of NRD Guide Matching Line] NRD
Configuration 2 of the guide matching line will be described. The following embodiment is an application example using the above-described manufacturing method, in which a line has a function of phase adjustment. FIG. 32 is an explanatory diagram showing an application example (phase adjustment circuit) to another element according to the present invention. In the drawing, reference numeral 3201 denotes an integrated line 2801 on the input side matched dielectric block and an integrated line 2801 on the output side matched dielectric block. This is a line portion in which the line 2802 is integrated.
That is, the total length of the line portion 3201 is l = l 0 + l 1
+ L 2 .
【0115】図32(a)は,何の細工も施していない
純誘電体フッ素樹脂線路である。なお,この場合,損失
部分は説明上,省略してある。純フッ素樹脂固有の線路
位相定数β0 ,長さlにより,位相の回転は,εa (た
だし,a=jβ0 l)により決まる。次に,図32
(b)では,前記純フッ素樹脂Aの長さl0 とl2 の間
における高誘電率材の粉体,例えば,酸化物セラミック
ス粉体等を充填した長さl1 のフッ素樹脂部Bを一体で
形成した線路部分3201は,Aの線路位相定数β0 ,
Bの線路位相定数β1 とすると,全体の位相回転は, εb ・εc >εd (ただし,b=jβ0 (l0 +l2 ),c=iβ
1 l1 ,d=jβ0 l)となり,位相調整機能を持たせ
ることができる。FIG. 32 (a) shows a pure dielectric fluororesin line without any modification. In this case, the loss portion is omitted for the sake of explanation. The phase rotation is determined by ε a (where a = jβ 0 l) according to the line phase constant β 0 and the length 1 inherent to the pure fluororesin. Next, FIG.
In (b), a fluororesin portion B having a length l 1 filled with a powder of a high dielectric constant material, for example, an oxide ceramic powder, between the lengths l 0 and l 2 of the pure fluororesin A is used. The line portion 3201 formed integrally has a line phase constant β 0 of A ,
Assuming that the line phase constant β of B is 1 , the overall phase rotation is ε b · ε c > ε d (where b = jβ 0 (l 0 + l 2 ), c = iβ
1 l 1 , d = jβ 0 l), and a phase adjustment function can be provided.
【0116】図33は,図28に示した製造方法をさら
に拡張し,図示の如く主線路誘電体フッ素樹脂部330
1を構成させる。すなわち,入力側整合誘導体ブロック
部一体線路2801および出力側整合誘導体ブロック部
一体線路2802(ブロックA)の間に,高周波特性伝
搬定数を変化し得る材質の粉体(例えば,高誘電体材料
や抵抗体材料,あるいは高周波磁性体材料等の粉体)を
純フッ素樹脂に充填した誘電体ブロックCを用意し,例
えば,図示の如くブロックAとブロックCとを信号伝送
方向に周期的に一体構成させる。FIG. 33 shows a further extension of the manufacturing method shown in FIG. 28, and as shown in FIG.
1 are configured. In other words, a powder of a material (for example, a high dielectric material or a resistor) capable of changing the high-frequency characteristic propagation constant is provided between the input-side matched dielectric block unit integrated line 2801 and the output-side matched dielectric block unit integrated line 2802 (block A). A dielectric block C in which a body material or a powder of a high-frequency magnetic material) is filled in a pure fluorine resin is prepared. For example, as shown in the figure, the block A and the block C are periodically integrally formed in the signal transmission direction. .
【0117】上記において,ブロックAの部分の伝搬定
数を, γ0 =α0 +jβ0 とし,ブロックCの部分の伝搬定数を, γ2 =α2 +jβ2 (α0 ,α2 は減衰定数,β0 ,β2 は位相定数)とす
ると,同期構造をもつ超高周波線路特有の様々な特性を
持たせた回路・線路が実現する。例えば,フィルタ,遅
波回路,空間高周波を利用する漏れ波アンテナ等が量産
精度,量産性良く,一体物として製造することが可能と
なる。In the above, the propagation constant of the block A portion is γ 0 = α 0 + jβ 0, and the propagation constant of the block C portion is γ 2 = α 2 + jβ 2 (α 0 and α 2 are attenuation constants, If β 0 and β 2 are phase constants), a circuit / line having various characteristics peculiar to an ultrahigh-frequency line having a synchronous structure is realized. For example, a filter, a slow wave circuit, a leaky wave antenna using a spatial high frequency, and the like can be manufactured as an integrated product with good mass production accuracy and mass productivity.
【0118】〔NRDガイド整合線路の製造方法2〕N
RDガイド整合線路の製造方法2について説明する。図
34,図35は,NRDガイド整合線路の製造方法2を
示す説明図であり,図において,3401は押し型34
01a,芯棒3401b,外枠3401c,底型340
1dからなる円筒形状の金型である。また,図35にお
いて,3501は押し型3501a,外枠3501b,
底型3501cからなる円筒形状の金型である。[Method 2 for Manufacturing NRD Guide Matching Line] N
The method 2 of manufacturing the RD guide matching line will be described. FIGS. 34 and 35 are explanatory diagrams showing a method 2 for manufacturing an NRD guide matching line.
01a, core rod 3401b, outer frame 3401c, bottom mold 340
This is a cylindrical mold made of 1d. In FIG. 35, reference numeral 3501 denotes a pressing die 3501a, an outer frame 3501b,
This is a cylindrical mold having a bottom mold 3501c.
【0119】第1の工程として,まず,図34に示すよ
うに,予め焼成された円筒状のPTFE樹脂成形体から
なる入出力誘電体線路2901と,酸化物セラミック
ス,フェライト等を均一に配合した充填材入り焼成PT
FE樹脂成形体シートからなる整合誘電体ブロック部材
2902を別々に製造する。As a first step, first, as shown in FIG. 34, an input / output dielectric line 2901 made of a preliminarily fired cylindrical PTFE resin molded body, oxide ceramics, ferrite, and the like are uniformly mixed. Fired PT with filler
The matching dielectric block members 2902 made of the FE resin molded sheet are separately manufactured.
【0120】第2の工程として,次に,図35に示すよ
うに,金型3501内で入出力誘電体線路2901と整
合誘電体ブロック部材2902とを突き合わせ,PTF
E樹脂の融点以上の温度で加圧加熱を同時に行って(ホ
ットコイニング法),シート状のNRDガイド整合線路
素材を成形した後,NRDガイド整合線路の製造方法1
と同様にして,NRDガイド整合線路を製造する。As a second step, next, as shown in FIG. 35, the input / output dielectric line 2901 and the matching dielectric block member 2902 are abutted in a mold 3501, and a PTF is formed.
Pressurization and heating are simultaneously performed at a temperature equal to or higher than the melting point of the E resin (hot coining method) to form a sheet-shaped NRD guide matching line material, and then the NRD guide matching line manufacturing method 1
The NRD guide matching line is manufactured in the same manner as described above.
【0121】〔NRDガイド整合線路の製造方法3〕図
28および図32に示したようなNRDガイド整合線路
の他の製造方法について説明する。図36は,NRDガ
イド整合線路の製造方法3を示す説明図である。[Method 3 of Manufacturing NRD Guide Matching Line] Another method of manufacturing the NRD guide matching line as shown in FIGS. 28 and 32 will be described. FIG. 36 is an explanatory diagram illustrating a method 3 for manufacturing an NRD guide matching line.
【0122】第1の工程として,図36に示すように,
PTFE樹脂製チューブ(入出力誘電体線路部材290
1)断面上の一部に,PTFE樹脂に酸化物セラミック
スあるいはフェライトを均一に配合した整合用誘電体ブ
ロック部材2902を長さ方向に配置した,筋入りチュ
ーブをペースト押し出し法によって成形し,入出力誘電
体線路部材2901と整合用誘電体ブロック部材290
2の接合境界面2903が,PTFE樹脂相互にて強固
に接合融着されたチューブ状のNRDガイド整合線路素
材3601を製造する。As a first step, as shown in FIG.
PTFE resin tube (input / output dielectric line member 290
1) A striped tube in which a matching dielectric block member 2902 in which oxide ceramics or ferrite is uniformly mixed with PTFE resin is arranged in a longitudinal direction on a part of the cross section is formed by a paste extrusion method. Dielectric line member 2901 and matching dielectric block member 290
The NRD guide matching line material 3601 in the form of a tube in which the joining boundary surface 2903 of the second is strongly joined and fused between the PTFE resins is manufactured.
【0123】第2の工程として,上記チューブ状のNR
Dガイド整合線路素材3601を開管し,図31に示す
ようなフラットなシートに矯正し,NRDガイド整合線
路の製造方法1と同様にして,NRDガイド整合線路を
製造する。As a second step, the tube-shaped NR
The D guide matching line material 3601 is opened, corrected to a flat sheet as shown in FIG. 31, and the NRD guide matching line is manufactured in the same manner as in the NRD guide matching line manufacturing method 1.
【0124】〔NRDガイド整合線路の製造方法4〕次
に,図33に示したようなNRDガイド整合線路の他の
製造方法について説明する。図37は,NRDガイド整
合線路の製造方法4を示す説明図である。なお,金型
は,図34にて示したものと同様な金型を用いる。[Manufacturing Method 4 of NRD Guide Matching Line] Next, another manufacturing method of the NRD guide matching line as shown in FIG. 33 will be described. FIG. 37 is an explanatory diagram showing Method 4 of manufacturing the NRD guide matching line. It should be noted that a mold similar to that shown in FIG. 34 is used.
【0125】第1の工程として,まず,金型3401内
にPTFE樹脂を所定量均一に充填した後,押し型34
01aを被せ,面圧25kgf/cm2 (少なくとも1
0kgf/cm2 以上)で予備加圧成形する。As a first step, first, a predetermined amount of PTFE resin is uniformly filled in a mold 3401,
01a, and a surface pressure of 25 kgf / cm 2 (at least 1
(0 kgf / cm 2 or more).
【0126】第2の工程として,上記予備加圧成形され
た前記PTFE樹脂成形体上面に,酸化物セラミックス
あるいはフェライトをPTFE樹脂に均一に配合した充
填材入りPTFE樹脂を所定量投入し,面圧25kgf
/cm2 で予備加圧成形する。In a second step, a predetermined amount of a PTFE resin containing a filler obtained by uniformly mixing oxide ceramics or ferrite with the PTFE resin is put on the upper surface of the PTFE resin molded body which has been pre-pressed and formed, and a surface pressure is applied. 25kgf
/ Cm 2 pre-press molding.
【0127】第3の工程として,上記第2の工程におい
て予備加圧成形された充填材入りPTFE樹脂成形体の
上面にPTFE樹脂を所定量投入し,面圧25kgf/
cm2 で予備加圧成形する。As a third step, a predetermined amount of PTFE resin is put on the upper surface of the filled PTFE resin molded article preliminarily pressed in the second step, and the surface pressure is 25 kgf /
Pre-press molding in cm 2 .
【0128】第4の工程として,以下同様にして,酸化
物セラミックスあるいはフェライトをPTFE樹脂に均
一に配合した充填材入りPTFE樹脂とPTFE樹脂と
を所定量必要回数交互に入れ,最後にPTFE樹脂を所
定量投入した後,押し型3401aを被せ,成形圧25
0kgf/cm2 (50〜700kgf/cm2 の範
囲)で圧縮成形し,誘電体線路部材層3701−1,3
701−2,〜3701−nと,誘電体ブロック層37
03−1,3702−3,〜3703−nは各接合境界
面3702−1,3702−2,〜3702−nはPT
FE樹脂により加圧凝集され強固に接合されていた。ま
た,上記各接合境界面3702−1,3702−2,〜
3702−nは凹凸がなく,きわめて平滑である。In the fourth step, a predetermined amount of a PTFE resin containing a filler and a PTFE resin obtained by uniformly mixing oxide ceramics or ferrite with a PTFE resin are alternately charged in a predetermined amount, and finally the PTFE resin is added. After a predetermined amount has been charged, the pressing mold 3401a is covered, and a molding pressure 25
Compression molded at 0 kgf / cm 2 (range 50~700kgf / cm 2), a dielectric waveguide member layer 3701-1,3
701-2, to 3701-n, and the dielectric block layer 37
Reference numerals 03-1, 3702-3, to 3703-n denote PTs of the respective junction boundaries 3702-1, 3702-2, to 3702-n.
It was aggregated under pressure by the FE resin and was firmly joined. In addition, each of the above-mentioned joint boundaries 3702-1, 3702-2,.
3702-n has no irregularities and is extremely smooth.
【0129】第5の工程として,次に,上記圧縮成形さ
れて得た成形体を金型3401から取り出し,PTFE
樹脂の融点327°C(好ましくは,340°C)以上
で3時間以上焼成し,入出力誘電体線路部材2901と
整合用誘電体ブロック部材2902が,接合境界面37
02−1,3702−2,〜3702−nにて一体に接
合融着されたNRDガイド整合用線路部材を成形する。
その後,NRDガイド整合線路の製造方法1と同様に加
工し,図33に示すような周期的構造を持つNRDガイ
ド線路を製造する。In the fifth step, the compact obtained by compression molding is removed from the mold 3401 and
The resin is baked at a melting point of 327 ° C. or more (preferably 340 ° C.) or more for 3 hours or more.
02-1, 3702-2, to 3702-n, an NRD guide matching line member integrally joined and fused is formed.
Thereafter, processing is performed in the same manner as in the manufacturing method 1 of the NRD guide matching line, and an NRD guide line having a periodic structure as shown in FIG. 33 is manufactured.
【0130】〔NRDガイド整合線路の製造方法5〕次
に,図33に示すような同期的構造を持つNRDガイド
線路の他の製造方法について説明する。図38は,NR
Dガイド整合線路の製造方法5を示す説明図である。[Manufacturing Method 5 of NRD Guide Matching Line] Next, another manufacturing method of the NRD guide line having a synchronous structure as shown in FIG. 33 will be described. FIG.
It is explanatory drawing which shows the manufacturing method 5 of a D guide matched line.
【0131】第1の工程として,図38に示すように,
PTFE樹脂チューブ断面上の数カ所あるいは数十カ所
に,PTFE樹脂に酸化物セラミックスあるいはフェラ
イトを入れ,均一に配合した充填材入りPTFE樹脂を
長さ方向に配置した筋入りチューブをペースト状押し出
し法によって成形し,入出力誘電体線路部材2901と
整合用誘電体ブロック部材2902とが接合境界面29
03にてPTFE樹脂相互により強固に接合された周期
的構造を備えたNRDガイド線路素材3801を製造す
る。As a first step, as shown in FIG.
At several or dozens of locations on the cross section of the PTFE resin tube, oxide ceramics or ferrite is added to the PTFE resin, and the PTFE resin containing filler uniformly arranged in the longitudinal direction is molded by a paste-like extrusion method. The input / output dielectric line member 2901 and the matching dielectric block member 2902 are
At 03, an NRD guide line material 3801 having a periodic structure firmly joined to each other by PTFE resin is manufactured.
【0132】第2の工程として,次に,このNRDガイ
ド線路素材3801を開管し,さらに,図31に示すよ
うなフラットなシートに矯正し,所定の形状寸法に加工
した後,NRDガイド整合線路の製造方法1と同様に加
工し,図33に示すような周期的構造を持つNRDガイ
ド線路を製造する。Next, as a second step, the NRD guide line material 3801 is opened, corrected to a flat sheet as shown in FIG. 31, processed into a predetermined shape and size, and then aligned with the NRD guide. Processing is performed in the same manner as the line manufacturing method 1, and an NRD guide line having a periodic structure as shown in FIG. 33 is manufactured.
【0133】〔実施例3の効果〕実施例3の効果につい
て説明する。以上説明してきたように,上記実施例3で
は,主誘電体線路の純フッ素樹脂部と,純フッ素樹脂
に,例えば,酸化物セラミックス粉体等の高誘電率材料
充填した整合用誘電体ブロック部とを密着し,同時一体
成形(焼結融着)して製造するため,主線路部と整合部
の位置ずれや軸ずれが排除される。また,接合部分に接
着剤等の無用な介在物を使用しないため,高周波特性が
安定,向上し,かつ,量産時におけるNRDガイド線路
の特性が安定し,かつ,コスト低減を図ることができ
る。[Effects of Third Embodiment] The effects of the third embodiment will be described. As described above, in the third embodiment, the pure fluororesin portion of the main dielectric line and the matching dielectric block portion in which the pure fluororesin is filled with a high dielectric material such as an oxide ceramic powder are used. In this case, the main line and the matching section are displaced and the axis is eliminated. Further, since unnecessary inclusions such as an adhesive are not used at the joint, the high-frequency characteristics are stabilized and improved, and the characteristics of the NRD guide line during mass production are stabilized, and the cost can be reduced.
【0134】さらに,図32において示した構成例で
は,位相調整の機能を誘電体回路に付加することができ
る。また,図33において示した構成例では,フィルタ
や遅波回路,空間高周波数を用いる漏れ波アンテナ等の
機能を誘電体回路に付加することができる。Further, in the configuration example shown in FIG. 32, a phase adjustment function can be added to the dielectric circuit. Also, in the configuration example shown in FIG. 33, functions such as a filter, a slow wave circuit, and a leaky wave antenna using a spatial high frequency can be added to the dielectric circuit.
【0135】〔実施例4〕 NRDガイド用共振器素子の構成およびその製造方
法 〔NRDガイド用共振器素子の構成1〕ここでは,NR
Dガイド用共振器素子の構成およびその製造方法につい
て説明する。まず,NRDガイド用共振器素子の構成1
について説明する。図39は,この発明によるNRDガ
イド用共振器素子の構成およびその製造方法を示す説明
図であり,図において,3901は高比誘電率誘電体セ
ラミック共振素子,3902は上側低比誘電率誘電体樹
脂部,3903は下側低比誘電率誘電体樹脂部である。Embodiment 4 Configuration of NRD Guide Resonator Element and Manufacturing Method Thereof [Configuration 1 of NRD Guide Resonator Element]
The configuration of the D-guide resonator element and a method of manufacturing the same will be described. First, the configuration 1 of the resonator element for NRD guide
Will be described. FIG. 39 is an explanatory view showing the structure of a resonator element for an NRD guide according to the present invention and a method of manufacturing the same. In the figure, reference numeral 3901 denotes a high-permittivity dielectric ceramic ceramic element, and 3902 denotes an upper low-permittivity dielectric. A resin portion 3903 is a lower low dielectric constant dielectric resin portion.
【0136】このNRDガイド用共振器素子は,共振器
主体部分となるQの高い高比誘電率(εr =4〜100
程度)とした高比誘電率誘電体セラミック共振素子39
01と,該高比誘電率誘電体セラミック共振素子390
1の上下を支持するためのスペーサとして,低比誘電率
(εr =1.5〜4程度)樹脂からなる上側低比誘電率
誘電体樹脂部3902および下側低比誘電率誘電体樹脂
部3903とから構成されている。This NRD guide resonator element has a high Q and high relative dielectric constant (ε r = 4 to 100) which is a main part of the resonator.
High relative dielectric constant dielectric ceramic resonator 39
01 and the high relative dielectric constant dielectric ceramic resonator 390
As a spacer for supporting the first upper and lower, low dielectric constant (epsilon r = about 1.5 to 4) above comprising a resin low dielectric constant dielectric resin portion 3902 and a lower low dielectric constant dielectric resin portion 3903.
【0137】また,上側低比誘電率誘電体樹脂部390
2および下側低比誘電率誘電体樹脂部3903の材料と
して,超高周波電気特性に優れているフッ素樹脂のPT
FE樹脂を用いる。さらに,上記NRDガイド用共振器
素子は,未焼成PTFE樹脂粉あるいは焼成PTFE樹
脂円板を準備し,高誘電率誘電体セラミック共振素子3
901を上側低比誘電率誘電体樹脂部3902および下
側低比誘電率誘電体樹脂部3903により挟み,金型内
にて圧縮後あるいは圧縮した状態でPTFE樹脂の融点
以上の温度で加熱処理を行うことにより,高誘電率誘電
体セラミック共振素子3901の両側に上側低比誘電率
誘電体樹脂部3902および下側低比誘電率誘電体樹脂
部3903を重ね合わせた一体不可分な一個の共振素子
として製造される。以下,具体的な製造方法について説
明する。Further, the upper low relative dielectric constant dielectric resin portion 390
2 and the lower low dielectric constant dielectric resin portion 3903 are made of fluororesin PT which is excellent in ultra-high-frequency electrical characteristics.
FE resin is used. Further, as the above-mentioned NRD guide resonator element, an unfired PTFE resin powder or a fired PTFE resin disk is prepared, and a high dielectric constant dielectric ceramic resonator element 3 is prepared.
901 is sandwiched between an upper low-permittivity dielectric resin portion 3902 and a lower-low-permittivity dielectric resin portion 3903, and is heated in a mold at or above the melting point of the PTFE resin after being compressed or in a compressed state. By doing so, the upper dielectric ceramic part 3902 and the lower dielectric resin part 3903 are superposed on both sides of the high dielectric ceramic resonator 3901 to form an inseparable single resonant element. Manufactured. Hereinafter, a specific manufacturing method will be described.
【0138】また,図39(b)に示すように,図39
(a)の構造に対して,さらに,高誘電率誘電体セラミ
ック共振素子3901と上側低比誘電率誘電体樹脂部3
902との間,および高誘電率誘電体セラミック共振素
子3901と下側低比誘電率誘電体樹脂部3903との
間に,低比誘電率PTFE樹脂にQの高い高比誘電率セ
ラミック粉体を充填成形した高PTFE樹脂部材390
4を同様に重ね合わせてもよい。Further, as shown in FIG.
In addition to the structure of (a), a high dielectric constant dielectric ceramic resonance element 3901 and an upper low dielectric constant dielectric resin part 3 are further added.
902, and between the high-permittivity dielectric ceramic resonator element 3901 and the lower low-permittivity dielectric resin portion 3903, a high-permittivity ceramic powder having a high Q is added to the low-permittivity PTFE resin. Filled and molded high PTFE resin member 390
4 may be similarly superimposed.
【0139】さらに,図39(c)〜(g)に示すよう
な構造のサーキュレータ共振素子構造としてもよい。す
なわち,(c)はフェライトディスク3905を両側
に,その中央部分にスペーサ樹脂3906を融着した
例,(d)は上下部分3907を樹脂ベース+フェライ
ト粉体等のμr 材を形成し,中部スペーサ3908の純
フッ素樹脂と一体融着した例,(e)は(c)と(d)
の中間として,フェライト粉体充填層3909を設けた
例,(f)および(g)はフェライト等の磁性体充填
(あるいは,サンドイッチ)部3910を設けた例であ
る。Further, a circulator resonance element structure as shown in FIGS. 39 (c) to 39 (g) may be used. That is, (c) shows an example in which a ferrite disk 3905 is fused on both sides and a spacer resin 3906 is fused on the center thereof, and (d) shows an upper and lower portion 3907 formed of a μr material such as a resin base + ferrite powder and a middle portion. An example in which the spacer 3908 is integrally fused with a pure fluororesin, (e) shows (c) and (d)
In the middle of the example, a ferrite powder filling layer 3909 is provided, and (f) and (g) are examples in which a magnetic material filling (or sandwich) portion 3910 such as ferrite is provided.
【0140】〔NRDガイド用共振器素子の製造方法
1〕NRDガイド用共振器素子の製造方法1について説
明する。図40は,NRDガイド用共振器素子の製造方
法1を示す説明図であり,図において,4001は金型
本体,4002は底型,4003は押し型である。[Method 1 for Manufacturing NRD Guide Resonator Element] A method 1 for manufacturing an NRD guide resonator element will be described. FIG. 40 is an explanatory view showing a method 1 for manufacturing an NRD guide resonator element. In the figure, 4001 is a mold body, 4002 is a bottom mold, and 4003 is a push mold.
【0141】第1の工程として,金型本体4001の底
部にセットされた底型4002により形成された筒状空
間部分に,下スペーサ用低比誘電率誘電体材料であるP
TFE樹脂粉を投入し,面圧25Kgf/cm2 以上で
加圧する。その上に,Qの高い高比誘電率誘電体セラミ
ック共振素子3901(円板)を積み重ねる。さらに,
下スペーサ用PTFE樹脂粉と同様に,上スペーサ用P
TFE樹脂粉を所定量投入し,押し型4003を被せ,
全体を面圧25Kgf/cm2 以上で加圧する。As a first step, a cylindrical space formed by a bottom mold 4002 set on the bottom of a mold body 4001 is filled with P, which is a low dielectric constant dielectric material for a lower spacer.
TFE resin powder is charged and pressurized at a surface pressure of 25 kgf / cm 2 or more. A high Q dielectric ceramic resonator element 3901 (disk) having a high Q is stacked thereon. further,
As with the lower spacer PTFE resin powder, the upper spacer P
Add a predetermined amount of TFE resin powder, cover with a pressing die 4003,
The whole is pressurized with a surface pressure of 25 kgf / cm 2 or more.
【0142】第2の工程として,上記加圧した状態で,
PTFE樹脂の融点327°C(好ましくは,340°
C)以上の温度で30分以上加熱処理することにより,
図39(a)に示すようなNRDガイド用共振器素子を
製造する。As a second step, in the above-mentioned pressurized state,
The melting point of PTFE resin is 327 ° C (preferably 340 ° C).
C) By performing the heat treatment at the above temperature for 30 minutes or more,
A resonator element for an NRD guide as shown in FIG.
【0143】上記金型中において一体成形されたNRD
ガイド用共振器素子の上下支持用のPTFE樹脂400
4,4005と高比誘電率誘電体セラミック共振素子3
901(円板)との接合面4006,4007は,PT
FE樹脂が高比誘電率誘電体セラミック共振素子390
1(円板)表面の凹凸面にすき間なく密着して食い込ん
でいるため,アンカー効果により接合強度として少なく
とも0.3Kgf/cmの強度が得られることが確認さ
れている。なお,PTFE樹脂粉の代用として,寸法お
よび重量管理された焼成PTFE樹脂円板を使用しても
よい。NRD integrally molded in the mold
PTFE resin 400 for vertically supporting the guide resonator element
4,4005 and high dielectric constant dielectric ceramic resonance element 3
The joint surfaces 4006 and 4007 with the 901 (disk) are PT
FE resin is made of high relative dielectric constant dielectric ceramic resonance element 390
It is confirmed that at least 0.3 kgf / cm of the bonding strength can be obtained by the anchor effect because it is intimately buried into the uneven surface of the 1 (disk) surface without any gap. As a substitute for the PTFE resin powder, a fired PTFE resin disk whose dimensions and weight are controlled may be used.
【0144】〔NRDガイド用共振器素子の製造方法
2〕NRDガイド用共振器素子の製造方法2について説
明する。図41は,NRDガイド用共振器素子の製造方
法2を示す説明図であり,図において,4101は金型
本体,4102は底型,4103は押し型,4104は
金属スペーサである。[Method 2 for Manufacturing NRD Guide Resonator Element] A method 2 for manufacturing an NRD guide resonator element will be described. FIG. 41 is an explanatory view showing a method 2 for manufacturing an NRD guide resonator element. In the figure, reference numeral 4101 denotes a mold main body, 4102 denotes a bottom mold, 4103 denotes a press mold, and 4104 denotes a metal spacer.
【0145】第1の工程として,金型本体4101の底
部にセットされた底型4102によって形成された筒状
空間部分に,下記a〜hの順番で上下支持用低比誘電率
誘電体樹脂である所定量のPTFE樹脂粉,Qの高い高
比誘電率誘電体セラミック共振素子3901(円板),
金属スペーサ4104を積み重ね,かつ,PTFE樹脂
粉投入の場合のみ加圧する。すなわち, a.下側支持用PTFE樹脂粉を投入し,面圧25Kg
f/cm2 以上で加圧する。 b.高比誘電率誘電体セラミック共振素子3901(円
板)を重ねる。 c.上側支持用PTFE樹脂粉を投入し,面圧25Kg
f/cm2 以上で加圧する。 d.金属スペーサ4104を重ねる。 e.上記aを繰り返す。 f.上記bを繰り返す。 g.上記cを繰り返す。 h.上記dを繰り返す。As a first step, a cylindrical space formed by a bottom mold 4102 set on the bottom of a mold body 4101 is filled with a low-permittivity dielectric resin for vertical support in the order of a to h below. A certain amount of PTFE resin powder, high Q dielectric ceramic resonator element 3901 (disk),
Pressure is applied only when the metal spacers 4104 are stacked and PTFE resin powder is charged. That is, a. Inject PTFE resin powder for lower support and contact pressure 25Kg
Pressurize at f / cm 2 or more. b. A high dielectric constant dielectric ceramic resonance element 3901 (disk) is overlaid. c. Inject PTFE resin powder for upper side support, surface pressure 25Kg
Pressurize at f / cm 2 or more. d. The metal spacer 4104 is overlaid. e. Repeat the above a. f. Repeat the above b. g. Repeat the above c. h. Repeat the above d.
【0146】第2の工程として,PTFE樹脂粉,高比
誘電率誘電体セラミック共振素子3901(円板),金
属スペーサ4104を上記e〜hの順番で所定量投入あ
るいは積み重ねる上記e〜hの作業を所定回数繰り返
す。次に,押し型4103を被せ,面圧25Kgf/c
m2 以上で加圧する。該加圧した状態でPTFE樹脂の
融点327°C(好ましくは,340°C)以上の温度
で30分以上加熱処理した後,金属スペーサ4104を
外すことにより,図39(a)に示すようなNRDガイ
ド用共振器素子を大量に製造できる。In the second step, a predetermined amount of PTFE resin powder, a high dielectric constant dielectric ceramic resonator element 3901 (disk), and a metal spacer 4104 are charged or stacked in the order of e to h in the above e to h. Is repeated a predetermined number of times. Next, cover the pressing die 4103 and apply a surface pressure of 25 kgf / c.
pressurized with m 2 or more. After heat treatment at a temperature of 327 ° C. (preferably 340 ° C.) or more of the melting point of the PTFE resin for 30 minutes or more in the pressurized state, the metal spacer 4104 is removed to obtain a structure as shown in FIG. A large number of NRD guide resonator elements can be manufactured.
【0147】図39(a)に示したように構成したNR
Dガイド用共振器素子は,高誘電率誘電体セラミック共
振素子3901と上側低比誘電率誘電体樹脂部3902
との間,および高誘電率誘電体セラミック共振素子39
01と下側低比誘電率誘電体樹脂部3903との各境界
部分には,一切すき間がなく,しかも,金型成形時にお
いて,高誘電率誘電体セラミック共振素子3901,上
側低比誘電率誘電体樹脂部3902,下側低比誘電率誘
電体樹脂部3903の三者の平行度や中心軸合わせが絶
対的に確保される。したがって,従来におけるチューブ
が不要となり設計が簡略化され,さらに,共振素子のQ
値も向上し,電気特性上の生産バラツキを抑制すること
ができる。An NR configured as shown in FIG.
The resonator element for D guide includes a high dielectric constant dielectric ceramic resonance element 3901 and an upper low dielectric constant dielectric resin part 3902.
And the high dielectric constant dielectric ceramic resonator 39
01 and the lower low-permittivity dielectric resin portion 3903 have no gap at all, and at the time of molding, the high-permittivity dielectric ceramic resonator element 3901 and the upper low-permittivity dielectric The parallelism and center axis alignment of the body resin portion 3902 and the lower low relative dielectric constant dielectric resin portion 3903 are absolutely ensured. Therefore, the conventional tube is not required, and the design is simplified.
The value also improves, and production variations in electrical characteristics can be suppressed.
【0148】〔NRDガイド用共振器素子の構成2〕次
に,図39(b)に示したNRDガイド用共振器素子に
ついて詳細に説明する。図において,高誘電率誘電体セ
ラミック共振素子3901と上側低比誘電率誘電体樹脂
部3902との間,および高誘電率誘電体セラミック共
振素子3901と下側低比誘電率誘電体樹脂部3903
との間に,高比誘電率セラミック粉体を均一,あるいは
一定密度勾配で厚さ方向に充填したPTFE樹脂部材3
904を介在させて挟み,これら,上側低比誘電率誘電
体樹脂部3902,PTFE樹脂部材3904,高誘電
率誘電体セラミック共振素子3901,PTFE樹脂部
材3904,下側低比誘電率誘電体樹脂部3903を積
み重ねた状態で金型内で一体に圧縮成形後,あるいは圧
縮した状態でPTFE樹脂の融点以上の温度で加熱焼成
るした後,金型から取り出して,図39(b)に示す如
き,NRDガイド用共振器素子を得る。以下,このNR
Dガイド用共振器素子の製造方法について説明する。[Configuration 2 of NRD Guide Resonator Element] Next, the NRD guide resonator element shown in FIG. 39B will be described in detail. In the figure, between the high dielectric constant dielectric ceramic resonance element 3901 and the upper low dielectric constant dielectric resin part 3902, and between the high dielectric constant dielectric ceramic resonance element 3901 and the lower low dielectric constant dielectric resin part 3903
PTFE resin member 3 filled with high relative dielectric constant ceramic powder in the thickness direction at a uniform or constant density gradient
904, the upper low dielectric constant dielectric resin portion 3902, the PTFE resin member 3904, the high dielectric constant dielectric ceramic resonance element 3901, the PTFE resin member 3904, and the lower low dielectric constant dielectric resin portion. After the 3903 is stacked and integrally molded in a mold, or after being compressed and heated and fired at a temperature equal to or higher than the melting point of the PTFE resin, the 3903 is taken out of the mold, and as shown in FIG. An NRD guide resonator element is obtained. Hereinafter, this NR
A method for manufacturing the D-guide resonator element will be described.
【0149】〔NRDガイド用共振器素子の製造方法
3〕NRDガイド用共振器素子の製造方法3について説
明する。図42は,NRDガイド用共振器素子の製造方
法3を示す説明図である。なお,この場合における金型
は,図40と同様なものを用いる。[Method 3 for Manufacturing NRD Guide Resonator Element] A method 3 for manufacturing an NRD guide resonator element will be described. FIG. 42 is an explanatory diagram illustrating a method 3 for manufacturing an NRD guide resonator element. In this case, a mold similar to that shown in FIG. 40 is used.
【0150】第1の工程として,金型本体4001の底
部にセットされた底型4002によって形成された筒状
空間部分に,下スペーサ用低比誘電率誘電体材料である
PTFE樹脂粉を投入し,面圧25Kgf/cm2 以上
で加圧し,PTFE樹脂4004を形成する。As a first step, PTFE resin powder, which is a low dielectric constant dielectric material for a lower spacer, is charged into a cylindrical space formed by a bottom mold 4002 set on the bottom of a mold body 4001. PTFE resin 4004 is formed by pressing at a surface pressure of 25 kgf / cm 2 or more.
【0151】第2の工程として,上記PTFE樹脂40
04の上に,Qの高い高比誘電率のセラミック粉体を入
れ均一に配合したセラミック充填PTFE粉を所定量投
入し,面圧25Kgf/cm2 以上で加圧し,PTFE
樹脂部材3904を形成する。In the second step, the PTFE resin 40
A predetermined amount of ceramic-filled PTFE powder containing high-Q, high-permittivity ceramic powder and uniformly mixed therein is put on top of the PTFE, and pressurized at a surface pressure of 25 kgf / cm 2 or more.
A resin member 3904 is formed.
【0152】第3の工程として,次に,上記PTFE樹
脂部材3904の上にQの高い高比誘電率誘電体セラミ
ック共振素子3901(円板)を積み重ねる。さらに,
第4の工程として,上記第2の工程を繰り返す。さらに
また,第5の工程として,PTFE樹脂粉を所定量投入
し,押し型4003を被せ,全体を面圧50Kgf/c
m2 以上で加圧する。上記加圧した状態で,第6の工程
として,PTFE樹脂の融点327°C(好ましくは,
340°C以上)で30分以上加熱処理することによ
り,図39(b)に示すようなNRDガイド用共振器素
子を製造する。Next, as a third step, a high-permittivity dielectric ceramic resonator element 3901 (disk) having a high Q is stacked on the PTFE resin member 3904. further,
As a fourth step, the above-mentioned second step is repeated. Furthermore, as a fifth step, a predetermined amount of PTFE resin powder is charged, a pressing die 4003 is put on, and the whole is subjected to a surface pressure of 50 kgf / c.
pressurized with m 2 or more. In the above-mentioned pressurized state, as a sixth step, the melting point of the PTFE resin is 327 ° C. (preferably,
By performing heat treatment at 340 ° C. or more for 30 minutes or more, a resonator element for NRD guide as shown in FIG. 39B is manufactured.
【0153】なお,PTFE樹脂とセラミック充填PT
FE樹脂の接合境界面4201,4202は,PTFE
樹脂相互により強固に接合融着されている。また,高比
誘電率誘電体セラミック共振素子3901(円板)とセ
ラミック充填PTFE樹脂の接合境界面4203,42
04も共振器素子の凹凸にPTFE樹脂が食い込むこと
によるアンカー効果により,少なくとも0.3Kgf/
cmの接合強度が得られる。Note that PTFE resin and ceramic-filled PT
The joining boundary surfaces 4201 and 4202 of the FE resin are made of PTFE.
The resin is more strongly joined and fused to each other. Also, the joining boundary surfaces 4203, 42 of the high relative dielectric constant dielectric ceramic resonance element 3901 (disk) and the ceramic filled PTFE resin.
04 also has at least 0.3 kgf / d due to the anchor effect caused by the PTFE resin biting into the unevenness of the resonator element.
cm bonding strength is obtained.
【0154】〔実施例4の効果〕実施例4の効果につい
て説明する。以上説明してきたように,上記実施例4で
は,上側低比誘電率誘電体樹脂部3902および下側低
比誘電率誘電体樹脂部3903としての未焼成あるいは
焼成PTFE樹脂の間に,高比誘電率誘電体セラミック
共振素子部あるいはセラミック充填高比誘電率PTFE
樹脂による高比誘電率誘電体セラミック共振素子390
1を挟んで同時一体成形することにより,全体が一体に
密着あるいは一体に接合融着されている一体不可分なN
RDガイド用共振器素子が製造される。したがって,超
高周波電気特性(共振周波数,共振モードの特性安定
化,Qを高くすること,温度特性の安定化等)を著しく
改善し,均一化することができると共に,生産歩留りも
向上し,コスト低減を図ることができる。[Effects of the Fourth Embodiment] The effects of the fourth embodiment will be described. As described above, in the fourth embodiment, the high relative dielectric constant is provided between the unfired or fired PTFE resin as the upper low relative dielectric resin portion 3902 and the lower low relative dielectric resin portion 3903. Dielectric ceramic resonator element or ceramic filled high relative permittivity PTFE
High dielectric constant dielectric ceramic resonator 390 made of resin
1 and simultaneously molded integrally with each other, so that the whole is integrally intimately bonded or integrally bonded and fused.
An RD guide resonator element is manufactured. Therefore, the ultra-high frequency electric characteristics (resonance frequency, stabilization of resonance mode characteristics, increase of Q, stabilization of temperature characteristics, etc.) can be remarkably improved and uniformed, and the production yield can be improved and the cost can be improved. Reduction can be achieved.
【0155】〔実施例5〕 NRDガイド・スイッチ回路の構成 〔NRDガイド・スイッチ回路の構成1〕ここでは,N
RDガイド・スイッチ回路の構成1について説明する。
図43は,この実施例に係るスイッチ回路の実施例を示
す説明図であり,(a)はスイッチ回路の構造,(b)
は実装図であり,図において,4301はスイッチ回路
(線路)部であり,主線路誘電体線路4302と,フェ
ライト粉体充填誘電体線路部4303と,不要モードサ
プレッサ4304とから構成されている。なお,430
5は各エレメントの境界をなすテーパ面である。[Embodiment 5] Configuration of NRD guide / switch circuit [Configuration 1 of NRD guide / switch circuit] Here, N
Configuration 1 of the RD guide / switch circuit will be described.
FIGS. 43 (a) and 43 (b) are explanatory diagrams showing an embodiment of the switch circuit according to this embodiment. FIG. 43 (a) shows the structure of the switch circuit, and FIG.
Is a mounting diagram. In the figure, reference numeral 4301 denotes a switch circuit (line) unit, which is composed of a main line dielectric line 4302, a ferrite powder-filled dielectric line unit 4303, and an unnecessary mode suppressor 4304. 430
Reference numeral 5 denotes a tapered surface that forms a boundary between the elements.
【0156】上記における構成をさらに詳述すると,主
線路誘電体線路4302に,該主線路誘電体線路430
2の材質にフェラト粉体を一定比率(例えば,体積比や
密度比)にて混入充填した部分のフェライト粉体充填誘
電体線路部4303をテーパ面4305を介して主線路
誘電体線路4302と一体密着した構成で,さらに,フ
ェライト粉体充填誘電体線路部4303と主線路誘電体
線路4302にわたり,該線路中央部に導体箔でできた
不要モードサプレッサ4304を線路中央に挟み込んで
一体化してあり,かつ,不純物混入のない純誘電体に不
要モードサプレッサ4304のセクションを入出力それ
ぞれ5セクション(〜)以上出すように構成する。The above configuration will be described in further detail. The main line dielectric line 4302 includes the main line dielectric line 430.
The ferrite powder-filled dielectric line portion 4303 in which the ferrite powder is mixed and filled at a constant ratio (for example, volume ratio or density ratio) into the material 2 is integrated with the main line dielectric line 4302 via the tapered surface 4305. In addition, an unnecessary mode suppressor 4304 made of a conductive foil is interposed between the ferrite powder-filled dielectric line section 4303 and the main line dielectric line 4302 at the center of the line, and is integrated. In addition, the section of the unnecessary mode suppressor 4304 is arranged so that five or more sections (〜) are provided for each of the input and output sections in the pure dielectric material without impurities.
【0157】なお,不要モードサプレッサ4304は,
主に線路の断面における上下,左右形状の非対称化,電
磁界の経路断面での上下,左右の非対称化により発生す
る不要モードLSE01およびTEモードを抑圧するもの
である。換言すれば,不要モードサプレッサ4304
は,スイッチOFFでDCバイアスをフェライト粉体充
填誘電体線路部4303に印加したときの磁界異状で発
生する不要モードを吸収するためにある。The unnecessary mode suppressor 4304 is
Mainly vertically in the cross section of the line, the asymmetric reduction of the left and right shape, is intended to suppress the vertical, the unnecessary mode LSE 01 and TE mode generated by the asymmetry of the left and right in a path section of the electromagnetic field. In other words, the unnecessary mode suppressor 4304
The purpose is to absorb an unnecessary mode generated by an abnormal magnetic field when a DC bias is applied to the ferrite powder-filled dielectric line section 4303 when the switch is turned off.
【0158】〔NRDガイド・スイッチ回路の動作〕次
に,以上のように構成されたNRDガイド・スイッチ回
路の動作について説明する。図44は,この実施例に係
るNRDガイド・スイッチ回路の動作を側面図で示す説
明図である。また,図45は,この実施例に係るNRD
ガイドの主要モード(LSM01)および不要モード(L
SE01)を示す説明図である。[Operation of NRD Guide / Switch Circuit] Next, the operation of the NRD guide / switch circuit configured as described above will be described. FIG. 44 is an explanatory view showing the operation of the NRD guide / switch circuit according to this embodiment in a side view. FIG. 45 shows the NRD according to this embodiment.
Guide main mode (LSM 01 ) and unnecessary mode (L
It is explanatory drawing which shows SE01 ).
【0159】このスイッチをONするには,図44
(a)に示すようにバイアス磁界なしのときに作用させ
る。その結果,スイッチは信号入力in方向から入り,
テーパ面4305により緩やかにフェライト粉体充填誘
電体線路部4303に入り,わずかなロスでout側へ
で出る。To turn on this switch, FIG.
It works when there is no bias magnetic field as shown in FIG. As a result, the switch is turned on from the signal input in direction,
The tapered surface 4305 gently enters the ferrite powder-filled dielectric line portion 4303 and exits to the out side with a slight loss.
【0160】また,スイッチをOFFするには,図44
(b)で,上側導体板101および下側導体板102に
垂直あるいは水平方向等にDCバイアスを印加する。そ
の結果,充填フェライトがその印加方向に磁気的に配向
するため,図45のモード図からわかるように,主伝送
モードは明らかに抑圧されるが完全に反射されず,一部
はフェライト粉体充填誘電体線路部4303に浸透吸収
されるが,inから入った分はほとんどoutには出な
い。したがって,in側への反射を少なくすことができ
る。ただし,磁界異状によるLSEの不要モードが発生
するため,不要モードサプセッサ4304を付加する。In order to turn off the switch, FIG.
In (b), a DC bias is applied to the upper conductor plate 101 and the lower conductor plate 102 in a vertical or horizontal direction or the like. As a result, since the filled ferrite is magnetically oriented in the direction of application, as can be seen from the mode diagram of FIG. 45, the main transmission mode is clearly suppressed but not completely reflected, and a part of the ferrite powder is filled. Although it is penetrated and absorbed by the dielectric line portion 4303, the portion that enters from in hardly exits out. Therefore, reflection on the in side can be reduced. However, since an unnecessary mode of the LSE occurs due to the abnormal magnetic field, an unnecessary mode suppressor 4304 is added.
【0161】〔NRDガイド・スイッチ回路の構成2〕
次に,NRDガイド・スイッチ回路の構成2について説
明する。図46は,NRDガイド・スイッチ回路の構成
2を示す説明図であり,図において,4601〜460
3はフェライト粉体充填誘電体ブロック部分であり,そ
れぞれ充填比を信号伝送方向に対して信号反射は少なく
透過もあるように,順次比率を変化させて構成する。[Configuration 2 of NRD Guide / Switch Circuit]
Next, configuration 2 of the NRD guide / switch circuit will be described. FIG. 46 is an explanatory diagram showing Configuration 2 of the NRD guide / switch circuit.
Numeral 3 is a ferrite powder-filled dielectric block portion, and the filling ratio is sequentially changed so that signal reflection is small and signal transmission is small in the signal transmission direction.
【0162】また,この実施例では,上記フェライト粉
体充填誘電体ブロック部分4601〜4603における
フェライト充填比は,4601>4602>4603と
した構成とし,充填比による反射抑圧を行っている。し
たがって,図46における構成では,上記図43に示す
ようにテーパ面4305を設けていないが,該テーパ面
4305を設けることにより,さらに反射特性性が向上
する。In this embodiment, the ferrite filling ratio in the ferrite powder-filled dielectric block portions 4601 to 4603 is set to 4601>4602> 4603, and the reflection is suppressed by the filling ratio. Therefore, in the configuration in FIG. 46, the tapered surface 4305 is not provided as shown in FIG. 43, but by providing the tapered surface 4305, the reflection characteristics are further improved.
【0163】〔実施例5の効果〕実施例5の効果につい
て説明する。以上説明してきたように,上記実施例5に
よれば,フェライト充填による線路一体化のスイッチ構
造としたため,組立実装によるバラツキや不具合が一切
排除され,組立実装性が向上する。また,半導体のよう
に極度に装荷インピーダンスが変化することなく,か
つ,スイッチOFF時における反射特性を抑制し,フェ
ライト充填部分で吸収すると共に,不要モード分を抑圧
するため,スイッチON/OFFにおけるインピーダン
ス変化がスイッチに接続する回路に整合的に影響を与え
ないようにすることができる。[Effects of the Fifth Embodiment] The effects of the fifth embodiment will be described. As described above, according to the fifth embodiment, since the switch structure has a line integrated by ferrite filling, variations and defects due to assembling and mounting are all eliminated, and assembling and mounting properties are improved. In addition, the load impedance does not change extremely unlike a semiconductor, and the reflection characteristics when the switch is turned off are suppressed. In addition to the absorption at the ferrite filled portion and the suppression of unnecessary modes, the impedance at the switch ON / OFF is suppressed. It is possible to prevent the change from consistently affecting the circuit connected to the switch.
【0164】〔実施例6〕 インピーダンス整合変換素子の構成 次に,インピーダンス整合変換素子について説明する。
図47は,インピーダンス整合(複素共役整合)を説明
するための線路図である。一般に,インピーダンスZ0
の線路に負荷Zl を接続し,入力パワーPが有効に(最
大に)負荷Zlへ供給される条件は共役整合として知ら
れ, Z0 =Zl * ・・・(1) (Zl =R−jXとすると,Zl * =R+jXを意味す
る)のとき成立する。特に,半導体回路の入出力整合に
は,上記Z0 =Zl * は重要な考え方で広く用いられて
いる。Embodiment 6 Configuration of Impedance Matching Conversion Element Next, an impedance matching conversion element will be described.
FIG. 47 is a line diagram for explaining impedance matching (complex conjugate matching). In general, the impedance Z 0
Line to connect the load Z l of conditions the input power P is supplied to effectively (the maximum) load Z l is known as conjugate matching, Z 0 = Z l * ··· (1) (Z l = when R-jX, Z l * = means R + jX) is established when the. In particular, for input / output matching of a semiconductor circuit, the above Z 0 = Z l * is widely used with an important concept.
【0165】図48は,インピーダンス変換を説明する
ための線路図である。一般に,2つのインピーダンス線
路Zin,Zout の間に特性インピーダンスZ0 ,長さλ
g/4の線路を介在させ, Z0 2 =Zin・Zout ・・・(2) のとき,入力パワーPは最も有効にポートP1からポー
トP2へ伝送される。この考え方は,2種線路の整合
(インピダンス変換)時によく用いられる。FIG. 48 is a line diagram for explaining impedance conversion. Generally, a characteristic impedance Z 0 and a length λ between two impedance lines Z in and Z out.
The g / 4 line is interposed, when Z 0 of 2 = Z in · Z out ··· (2), the input power P is transmitted most effectively from the port P1 to the port P2. This concept is often used when matching two types of lines (impedance conversion).
【0166】上記(1)および(2)の何れの場合にお
いても,特性インピーダンスZ0 =R+jXとなる素子
あるいは線路を用意することにより実現する。例えば, R→ベース純樹脂材にρ粉体材等を充填 ・・
・ X→ベース純樹脂材にεr ,μr 粉体材等を充填 ・・
・ により,ある程度の範囲で,Z0 =R+jXが実現する
ため,上記およびの充填構造を,図49(a),
(b)に示すようにすることにより,実質的に主線路一
体型インピーダンス整合素子,あるいはインピーダンス
変換線路を実現することができる。In any of the above cases (1) and (2), this is realized by preparing an element or a line having a characteristic impedance Z 0 = R + jX. For example, R → Pure resin material is filled with ρ powder material etc.
・ X → Fill ε r , μ r powder material etc. to base pure resin material ・ ・
Z realizes Z 0 = R + jX within a certain range, so that the above-mentioned filling structure is changed to that shown in FIG.
By adopting the configuration shown in (b), a main line integrated impedance matching element or an impedance conversion line can be realized substantially.
【0167】なお,ρは抵抗率であり,カーボン,グラ
ファイト,鉄粉,μr 材等を用いる。εr は比誘電率で
あり,高εr 材〜セラミックス等の比誘電率3〜100
を用いる。μr は比透磁率であり,高μr 材〜磁性セラ
ミックス,フェライト等を用いる。[0167] Incidentally, [rho is the resistivity, using carbon, graphite, iron powder, a mu r material or the like. ε r is a relative dielectric constant, and is a relative dielectric constant of a high ε r material to ceramics 3 to 100
Is used. μ r is the relative permeability, high μ r material-magnetic ceramics, using the ferrite.
【0168】[0168]
【発明の効果】以上説明したように,この発明に係るマ
イクロ波・ミリ波帯用回路素子およびその製造方法によ
れば,主線路あるいは基板誘電体と,無反射終端器,ア
ッテネータ,整合線路,共振器素子,あるいはスイッチ
等の回路素子を,主線路あるいは基板誘電体と該主線路
あるいは基板誘電体とは異なる特性の物質を配合して形
成し,この両者を一体融着させた構造にしたため,主線
路あるいは基板誘電体と,該主線路あるいは基板誘電体
と接続される機能回路素子あるいは基板の一体化を接着
剤等を不要として実現することができ,かつ,その電気
的特性の安定化も図れ,量産性を向上させることができ
る。As described above, according to the circuit element for microwave / millimeter wave band and the method of manufacturing the same according to the present invention, the main line or the substrate dielectric, the non-reflection terminator, the attenuator, the matching line, A circuit element such as a resonator element or a switch is formed by blending a main line or a substrate dielectric with a material having characteristics different from those of the main line or the substrate dielectric. , The integration of the main line or the substrate dielectric with the functional circuit element or the substrate connected to the main line or the substrate dielectric can be realized without the need for an adhesive or the like, and the electrical characteristics can be stabilized. It is possible to improve mass productivity.
【図1】この発明に係るNRDガイド用無反射終端器の
構成を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing the configuration of an NRD guide non-reflection terminator according to the present invention.
【図2】この発明に係るNRDガイド用無反射終端器の
反射特性データを示すグラフである。FIG. 2 is a graph showing reflection characteristic data of an NRD guide non-reflection terminator according to the present invention.
【図3】この発明に係るNRDガイド用無反射終端器の
製造方法1を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing a method 1 of manufacturing an anti-reflection terminator for an NRD guide according to the present invention.
【図4】この発明に係るNRDガイド用無反射終端器の
製造方法1を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing a method 1 of manufacturing an anti-reflection terminator for an NRD guide according to the present invention.
【図5】この発明に係る無反射終端器の動作原理を示す
説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing the operation principle of the non-reflection terminator according to the present invention.
【図6】この発明に係る高周波電磁波吸収体の充填率を
変化させた場合における反射特性データを示すグラフで
ある。FIG. 6 is a graph showing reflection characteristic data when the filling rate of the high-frequency electromagnetic wave absorber according to the present invention is changed.
【図7】この発明に係る充填率を一定にしてテーパ長を
最適にして求めた例を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing an example of obtaining a taper length optimally with a constant filling factor according to the present invention.
【図8】この発明に係る他の無反射終端器の構成を示す
説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing a configuration of another non-reflection terminator according to the present invention.
【図9】この発明に係る他の無反射終端器の構成を示す
説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram showing a configuration of another non-reflection terminator according to the present invention.
【図10】この発明に係るNRDガイド用無反射終端器
の製造方法2を示す説明図である。FIG. 10 is an explanatory view showing a method 2 for manufacturing an anti-reflection terminator for an NRD guide according to the present invention.
【図11】この発明に係るNRDガイド用無反射終端器
の製造方法3を示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory view showing a method 3 of manufacturing an anti-reflection terminator for an NRD guide according to the present invention.
【図12】この発明に係るNRDガイド用無反射終端器
の製造方法4を示す説明図である。FIG. 12 is an explanatory view showing a method 4 for manufacturing an anti-reflection terminator for an NRD guide according to the present invention.
【図13】この発明に係るNRDガイド用無反射終端器
の製造方法5を示す説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram showing a method 5 for manufacturing an anti-reflection terminator for an NRD guide according to the present invention.
【図14】この発明に係るNRDガイド用アッテネータ
の構成を示す説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram showing a configuration of an NRD guide attenuator according to the present invention.
【図15】この発明に係るNRDガイド用アッテネータ
の動作を示す説明図である。FIG. 15 is an explanatory diagram showing the operation of the NRD guide attenuator according to the present invention.
【図16】この発明に係るNRDガイド用アッテネータ
の動作を示す説明図である。FIG. 16 is an explanatory diagram showing the operation of the NRD guide attenuator according to the present invention.
【図17】この発明に係る接合面の形状をV字型とした
NRDガイド用アッテネータの構成を示す説明図であ
る。FIG. 17 is an explanatory view showing a configuration of an attenuator for an NRD guide according to the present invention, in which the shape of the joint surface is V-shaped.
【図18】この発明に係る接合面の形状を逆V字型とし
たNRDガイド用アッテネータの構成を示す説明図であ
る。FIG. 18 is an explanatory view showing a configuration of an attenuator for an NRD guide according to the present invention, in which the shape of the joint surface is an inverted V-shape.
【図19】この発明に係るNRDガイド用アッテネータ
の電磁波減衰部分を微小分割ブロックにより積層構造と
した例を示す説明図である。FIG. 19 is an explanatory diagram showing an example in which the electromagnetic wave attenuation portion of the attenuator for an NRD guide according to the present invention has a laminated structure with minutely divided blocks.
【図20】この発明に係るNRDガイド用アッテネータ
の製造方法1を示す説明図である。FIG. 20 is an explanatory view showing a method 1 of manufacturing an attenuator for an NRD guide according to the present invention.
【図21】この発明に係るNRDガイド用アッテネータ
の製造方法1を示す説明図である。FIG. 21 is an explanatory view showing a method 1 of manufacturing an attenuator for an NRD guide according to the present invention.
【図22】この発明に係るNRDガイド用アッテネータ
の製造方法2を示す説明図である。FIG. 22 is an explanatory view showing a method 2 of manufacturing an attenuator for an NRD guide according to the present invention.
【図23】この発明に係るNRDガイド用アッテネータ
の製造方法3を示す説明図である。FIG. 23 is an explanatory view showing a method 3 of manufacturing an attenuator for an NRD guide according to the present invention.
【図24】この発明に係るNRDガイド用アッテネータ
の製造方法4を示す説明図である。FIG. 24 is an explanatory view showing a method 4 of manufacturing an attenuator for an NRD guide according to the present invention.
【図25】この発明に係るNRDガイド用アッテネータ
の製造方法5を示す説明図である。FIG. 25 is an explanatory diagram showing a method 5 of manufacturing an attenuator for an NRD guide according to the present invention.
【図26】この発明に係るNRDガイド用アッテネータ
の製造方法6を示す説明図である。FIG. 26 is an explanatory view showing a method 6 of manufacturing an attenuator for an NRD guide according to the present invention.
【図27】この発明に係るNRDガイド用アッテネータ
の製造方法6を示す説明図である。FIG. 27 is an explanatory view showing a method 6 of manufacturing an NRD guide attenuator according to the present invention;
【図28】この発明に係るNRDガイド整合線路の構成
を示す説明図である。FIG. 28 is an explanatory diagram showing a configuration of an NRD guide matching line according to the present invention.
【図29】この発明に係るNRDガイド整合線路の製造
方法1を示す説明図である。FIG. 29 is an explanatory diagram illustrating a method 1 for manufacturing an NRD guide matching line according to the present invention;
【図30】この発明に係るNRDガイド整合線路の製造
方法1を示す説明図である。FIG. 30 is an explanatory diagram illustrating a method 1 for manufacturing an NRD guide matching line according to the present invention.
【図31】この発明に係るNRDガイド整合線路の製造
方法1を示す説明図である。FIG. 31 is an explanatory diagram illustrating a method 1 for manufacturing an NRD guide matching line according to the present invention;
【図32】この発明に係る他の素子への応用例(位相調
整用回路)を示す説明図である。FIG. 32 is an explanatory diagram showing an application example (a phase adjustment circuit) to another element according to the present invention.
【図33】この発明に係る図28の製造方法に対し,主
線路誘電体フッ素樹脂部を設けて拡張した構成を示す説
明図である。FIG. 33 is an explanatory view showing a configuration in which a main line dielectric fluororesin portion is provided and expanded in the manufacturing method of FIG. 28 according to the present invention.
【図34】この発明に係るNRDガイド整合線路の製造
方法2を示す説明図である。FIG. 34 is an explanatory diagram illustrating a method 2 for manufacturing an NRD guide matching line according to the present invention;
【図35】この発明に係るNRDガイド整合線路の製造
方法2を示す説明図である。FIG. 35 is an explanatory diagram illustrating a method 2 for manufacturing an NRD guide matching line according to the present invention;
【図36】この発明に係るNRDガイド整合線路の製造
方法3を示す説明図である。FIG. 36 is an explanatory diagram showing a method 3 for manufacturing an NRD guide matching line according to the present invention;
【図37】この発明に係るNRDガイド整合線路の製造
方法4を示す説明図である。FIG. 37 is an explanatory diagram showing Method 4 of manufacturing the NRD guide matched line according to the present invention.
【図38】この発明に係るNRDガイド整合線路の製造
方法5を示す説明図である。FIG. 38 is an explanatory diagram showing a method 5 for manufacturing an NRD guide matching line according to the present invention;
【図39】この発明に係るNRDガイド用共振器素子の
構成およびその製造方法を示す説明図である。FIG. 39 is an explanatory diagram showing a configuration of a resonator element for an NRD guide according to the present invention and a method of manufacturing the same.
【図40】この発明に係るNRDガイド用共振器素子の
製造方法1を示す説明図である。FIG. 40 is an explanatory view illustrating a method 1 of manufacturing a resonator element for an NRD guide according to the present invention;
【図41】この発明に係るNRDガイド用共振器素子の
製造方法2を示す説明図である。FIG. 41 is an explanatory view illustrating a method 2 of manufacturing a resonator element for an NRD guide according to the present invention;
【図42】この発明に係るNRDガイド用共振器素子の
製造方法3を示す説明図である。FIG. 42 is an explanatory view illustrating a method 3 of manufacturing a resonator element for an NRD guide according to the present invention.
【図43】この発明に係るスイッチ回路の実施例を示す
説明図であり,(a)はスイッチ回路の構造,(b)は
実装図である。FIGS. 43A and 43B are explanatory diagrams showing an embodiment of the switch circuit according to the present invention, wherein FIG. 43A is a structure of the switch circuit, and FIG.
【図44】この発明に係るNRDガイド・スイッチ回路
の動作を示す説明図である。FIG. 44 is an explanatory diagram showing the operation of the NRD guide / switch circuit according to the present invention.
【図45】この発明に係わる主要モードおよび不要モー
ドの動作を示す説明図である。FIG. 45 is an explanatory diagram showing operations in a main mode and an unnecessary mode according to the present invention.
【図46】この発明に係る他のNRDガイド・スイッチ
回路の構成を示す説明図である。FIG. 46 is an explanatory diagram showing a configuration of another NRD guide / switch circuit according to the present invention.
【図47】この発明に係るインピーダンス整合(複素共
役整合)を説明するための線路図である。FIG. 47 is a line diagram for explaining impedance matching (complex conjugate matching) according to the present invention.
【図48】この発明に係わるインピーダンス変換を説明
するための線路図である。FIG. 48 is a line diagram for explaining impedance conversion according to the present invention.
【図49】この発明に係るインピーダンス整合・変換素
子の構造例を示す説明図である。FIG. 49 is an explanatory diagram showing a structural example of the impedance matching / conversion element according to the present invention.
【図50】NRDガイドの原理を示す説明図である。FIG. 50 is an explanatory diagram showing the principle of an NRD guide.
【図51】従来にけるNRDガイド用無反射終端器の構
成を示す説明図である。FIG. 51 is an explanatory view showing a configuration of a conventional NRD guide non-reflection terminator.
【図52】従来にけるNRDガイド用アッテネータの構
成を示す説明図である。FIG. 52 is an explanatory diagram showing the configuration of a conventional NRD guide attenuator.
【図53】従来におけるNRDガイド用半導体能動回路
の構成を示す説明図である。FIG. 53 is an explanatory diagram showing a configuration of a conventional NRD guide semiconductor active circuit.
【図54】従来におけるNRDガイド用共振器素子の実
装例(フィルタ例)を示す説明図である。FIG. 54 is an explanatory view showing a mounting example (filter example) of a conventional NRD guide resonator element.
【図55】従来における共振器素子の製造方法を示す説
明図である。FIG. 55 is an explanatory view showing a conventional method for manufacturing a resonator element.
【図56】従来におけるNRDガイド・スイッチ回路の
構成を示す説明図である。FIG. 56 is an explanatory diagram showing a configuration of a conventional NRD guide / switch circuit.
【図57】従来におけるマイクロストリップ線路基板の
構成を示す説明図である。FIG. 57 is an explanatory diagram showing a configuration of a conventional microstrip line substrate.
【図58】従来におけるマイクロストリップ線路に係る
アッテネータの構成を示す説明図である。FIG. 58 is an explanatory diagram showing a configuration of an attenuator according to a conventional microstrip line.
【図59】従来における磁性セラミックを用いたMIC
サーキュレータの構成を示す説明図である。FIG. 59 shows a conventional MIC using a magnetic ceramic.
FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a configuration of a circulator.
【図60】図53に示した構成における各部品の位置合
わせ状態を示す説明図である。FIG. 60 is an explanatory diagram showing a positioning state of each component in the configuration shown in FIG. 53;
【図61】従来における共振器素子の組立状態を示す説
明図である。FIG. 61 is an explanatory view showing an assembled state of a conventional resonator element.
101 上側導体板 102 下側導体板 103 無反射終端器 104 入力部純誘電体樹脂部分 105 高周波電磁波吸収体部分 1401 入力側誘電体樹脂部分 1402 電磁波減衰部分 1403 接合テーパ面 1404 出力側誘電体樹脂部分 2803 主線路入出力誘電体部 2804 整合用誘電体ブロック 4301 スイッチ回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Upper conductor plate 102 Lower conductor plate 103 Non-reflection terminator 104 Input part pure dielectric resin part 105 High frequency electromagnetic wave absorber part 1401 Input side dielectric resin part 1402 Electromagnetic wave attenuation part 1403 Joining taper surface 1404 Output side dielectric resin part 2803 Main line input / output dielectric part 2804 Matching dielectric block 4301 Switch circuit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01P 5/02 H01P 5/02 7/10 7/10 11/00 11/00 E (72)発明者 高木 徹 神奈川県横浜市神奈川区宝町2番地 日 産自動車株式会社内 (56)参考文献 特開 平2−17708(JP,A) 特開 昭51−12753(JP,A) 特開 昭61−163704(JP,A) 特公 昭57−9524(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01P 3/16 H01P 1/11 H01P 1/15 H01P 1/22 H01P 1/26 H01P 5/02 H01P 7/10 H01P 11/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI H01P 5/02 H01P 5/02 7/10 7/10 11/00 11/00 E (72) Inventor Tohru Takagi Yokohama-shi, Kanagawa 2 Takaracho, Kanagawa-ku Nissan Motor Co., Ltd. (56) References JP-A-2-17708 (JP, A) JP-A-51-12753 (JP, A) JP-A-61-163704 (JP, A) No.57-9524 (JP, B2) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01P 3/16 H01P 1/11 H01P 1/15 H01P 1/22 H01P 1/26 H01P 5/02 H01P 7/10 H01P 11/00
Claims (5)
基板もしくは誘電体線路を用いるマイクロ波・ミリ波帯
用回路素子において,純誘電体樹脂からなる主線路ある
いは基板誘電体部と,純誘電体樹脂に高比誘電率,高比
透磁率および抵抗率を有した粉体あるいは粒体の少なく
とも一種以上を充填した高周波吸収部材とからなり,前
記主線路あるいは基板誘電体部と高周波吸収部材とを接
合融着したことを特徴とするマイクロ波・ミリ波帯用回
路素子。In a microwave / millimeter wave circuit element using a dielectric substrate or a dielectric line used in a microwave / millimeter wave band, a main line or a substrate dielectric portion made of a pure dielectric resin is provided. A high-frequency absorbing member in which a dielectric resin is filled with at least one kind of powder or granules having high relative permittivity, high relative magnetic permeability and resistivity; A circuit element for microwave / millimeter wave band, characterized by joining and fusing.
板もしくは誘電体線路を用いるマイクロ波・ミリ波帯用
回路素子において,純誘電体樹脂からなる主線路あるい
は基板誘電体部と,純誘電体樹脂に抵抗率を有した粉体
あるいは粒体を充填した高周波吸収部材とからなり,前
記主線路あるいは基板誘電体部と高周波吸収部材との接
合面をテーパ状,あるいは前記高周波吸収部材の抵抗体
の充填率をステップ状に変えて,前記主線路あるいは基
板誘電体部と高周波吸収部材とを接合融着したことを特
徴とするマイクロ波・ミリ波帯用回路素子。 2. A microwave / millimeter-wave circuit element using a dielectric substrate or a dielectric line used in a microwave / millimeter-wave band, comprising: a main line or a substrate dielectric portion made of a pure dielectric resin; A high-frequency absorbing member in which a dielectric resin is filled with a powder or a granular material having resistivity; and a joining surface between the main line or the substrate dielectric portion and the high-frequency absorbing member is tapered, or A microwave / millimeter-wave band circuit element, wherein the filling rate of a resistor is changed in a step shape, and the main line or the substrate dielectric portion and the high frequency absorbing member are joined and fused.
基板もしくは誘電体線路を用いるマイクロ波・ミリ波帯
用回路素子において,純誘電体樹脂からなる主線路ある
いは基板誘電体部と,純誘電体樹脂に高比透磁率を有し
た粉体あるいは粒体を充填した高周波吸収部材とからな
り,前記主線路あるいは基板誘電体部と高周波吸収部材
との接合面をテーパ状,あるいは前記高周波吸収部材の
高比透磁率材の充填率をステップ状に変えて,前記主線
路あるいは基板誘電体部と高周波吸収部材とを接合融着
したことを特徴とするマイクロ波・ミリ波帯用回路素
子。 3. A microwave / millimeter-wave circuit element using a dielectric substrate or a dielectric line used in a microwave / millimeter-wave band, wherein a main line or a substrate dielectric portion made of a pure dielectric resin is provided. A high frequency absorbing member in which a dielectric resin is filled with a powder or a granular material having a high relative magnetic permeability, and a joining surface between the main line or the substrate dielectric portion and the high frequency absorbing member is tapered; A microwave / millimeter-wave circuit element, wherein the main line or the substrate dielectric portion and the high-frequency absorbing member are joined and fused by changing the filling ratio of the high relative permeability material of the member into a step shape.
基板もしくは誘電体線路を用いるマイクロ波・ミリ波帯
用回路素子において,純誘電体樹脂からなる主線路ある
いは基板誘電体部と,純誘電体樹脂に高比誘電率を有し
た粉体あるいは粒体を充填した高周波吸収部材とからな
り,前記主線路あるいは基板誘電体部と高周波吸収部材
との接合面をテーパ状,あるいは前記高周波吸収部材の
高比誘電率材の充填率をステップ状に変えて,前記主線
路あるいは基板誘電体部と前記高周波吸収部材とを接合
融着したことを特徴とするマイクロ波・ミリ波帯用回路
素子。 4. A microwave / millimeter-wave circuit element using a dielectric substrate or a dielectric line for use in a microwave / millimeter-wave band, wherein a main line or a substrate dielectric portion made of a pure dielectric resin, A high-frequency absorbing member in which a dielectric resin is filled with a powder or a granular material having a high relative permittivity, and a joining surface between the main line or the substrate dielectric portion and the high-frequency absorbing member is tapered, or the high-frequency absorbing member is A circuit element for microwave / millimeter wave band, characterized in that said main line or substrate dielectric portion and said high frequency absorbing member are joined and fused by changing a filling rate of a member with a high relative permittivity material into a step shape. .
基板もしくは誘電体線路を用いるマイクロ波・ミリ波帯
用回路素子において,純誘電体樹脂からなる主線路ある
いは基板誘電体部と,純誘電体樹脂に高比誘電率,高比
透磁率,抵抗率を有した粉体あるいは粒体のうち2種類
あるいは3種類充填した高周波吸収部材とからなり,前
記主線路あるいは基板誘電体部と高周波吸収部材とを接
合融着したことを特徴とするマイクロ波・ミリ波帯用回
路素子。 5. A microwave / millimeter-wave circuit element using a dielectric substrate or a dielectric line for use in a microwave / millimeter-wave band, wherein a main line or a substrate dielectric portion made of a pure dielectric resin is provided. It consists of a high frequency absorbing member in which two or three kinds of powder or granules having a high relative dielectric constant, a high relative magnetic permeability and a high resistivity are filled in a dielectric resin. A circuit element for microwave / millimeter wave band, characterized in that an absorbing member is joined and fused.
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|---|
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