JP3313281B2 - 半導体装置の特性評価方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の特性評
価方法に関し、特に、ＭＯＳ型半導体装置のコンダクタ
ンスを数値シミュレーションにより高精度かつ高速に評
価する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】数値シミュレーションによってコンダク
タンスを算出するには、ＭＯＳ型半導体装置の内部にお
ける電位ψ、電子密度ｎ、正孔密度ｐの分布を算出する
必要がある。

【０００３】図６は従来方法による半導体装置の特性評
価方法を説明するための図である。この図は、ＭＯＳ型
半導体装置の内部を模式的に示したものであり、図面に
向かって左から金属、絶縁体、半導体の順で並んでいる
部分であるとする。ここで説明する従来の方法では、Ｍ
ＯＳ型半導体装置を微小領域（以下、コントロールボリ
ュームと記す）１に分割する。更に、各コントロールボ
リューム１の中に格子点Ｘと呼ばれる点を配置する。そ
して、各格子点Ｘ上のψ，ｎ，ｐを算出する。これら各
格子点Ｘ上のψ，ｎ，ｐは対応するコントロールボリュ
ームにおけるψ，ｎ，ｐを代表すると解釈し、各コント
ロールボリュームにおけるψ，ｎ，ｐを接続することに
よってＭＯＳ型半導体装置の内部におけるψ，ｎ，ｐの
分布を算出する。

【０００４】コンダクタンスは半導体中の各領域でのキ
ャリア数とキャリア移動度（μ）の積で決まる。従っ
て、各格子点上のμを算出する必要がある。ＭＯＳ型半
導体装置では、特にＭＯＳ型半導体装置の絶縁体と半導
体との界面（以下、絶縁体／半導体界面と記す）近傍の
コンダクタンスが特性に重大な影響を与えるため、この
領域におけるμを正確に算出する必要がある。

【０００５】従来技術では、実験値を基にした経験式か
らμを算出する。ただし、実験では半導体装置の各点で
のμは測定できず、絶縁体／半導体界面近傍に形成され
る反転層の平均μが測定できるだけである。従って、実
験による平均のμを基にして各格子点上のμを算出する
方法が必要になる。従来技術ではこの方法として次のｓ
ｈｉｎの式を用いる。

【０００６】

【数１】μ（Ｅ）＝μeff （Ｅeff）＋（Ｅ−Ｅ0 ）ｄ
μeff （Ｅeff）／ｄＥ……（式１）ただし、 μｅｆｆ 反転層の平均のμ Ｅｅｆｆ＝ηＥ＋（１−η）Ｅ0 （実効電界と呼ぶ） Ｅ0 反転層外側の電界 η＝１／２ （電子の場合） η＝１／３ （正孔の場合） Ｎ 半導体領域の不純物濃度 ε 半導体の誘電率 ｋ ボルツマン定数 Ｔ 半導体の温度 ｎｉ 半導体の真性キャリア濃度 φｎ 電子の擬フェルミポテンシャル φｐ 正孔の擬フェルミポテンシャル である。

【０００７】ｓｈｉｎの式を用いると、格子点上の電界
Ｅの関数として格子点上のμを算出できる。ここで、電
界は全て絶縁体／半導体界面に垂直な方向の成分を指す
ものとする。

【０００８】先に述べたように、絶縁体／半導体界面近
傍のコンダクタンスは特性に重大な影響を与える。絶縁
体／半導体界面を含むコントロールボリュームにおける
μは、対応する格子点上のＥからｓｈｉｎの式を用いて
算出される。従来技術では、この格子点は絶縁体／半導
体界面に置かれる。従って、絶縁体／半導体界面近傍の
μは絶縁体／半導体界面の電界Ｅintからｓｈｉｎの式
を用いて算出される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置の特性評価方法によるコンダクタンスの算出
方法では、図７に示すように、数値シミュレーションに
おけるコントロールボリュームの設定の仕方に依存し
て、得られるコンダクタンスの値が大きく変化する問題
があった。この原因について、以下説明する。

【００１０】図８は絶縁体／半導体界面からの深さ方向
におけるキャリア移動度μを示した図表である。この図
表から絶縁体／半導体界面付近では、急激にキャリア移
動度が変化しているのが分かる。この急激な変化によっ
て、半導体領域におけるコントロールボリュームの設定
の仕方を変えると、算出されるコンダクタンスの値が変
わってしまうという問題がある。

【００１１】この問題をさらに詳細に説明する。図９
は、キャリア移動度μが急激に変化した場合の問題点を
説明するための図である。同図中の縦軸はキャリア移動
度μを示したものであり、横軸は絶縁体／半導体界面か
らの距離を示したものである。また、符号１はコントロ
ールボリュームの幅を概念的に示したものであり、図中
のグラフは図８のキャリア移動度μを示したグラフを簡
単化して示したものである。図９（ａ）のように、コン
トロールボリューム１を大きく設定した場合には、コン
トロールボリュームの所定の格子点のキャリア移動度μ
ｉｎｔを用いたのではキャリア移動度μの誤差が大きく
なってしまうのが分かる。この問題を避けるため、従来
技術では、図９（ｂ）に示すように、絶縁体／半導体界
面付近に極めて微小なコントロールボリュームを多数設
定する必要があった。

【００１２】これにより、数値シミュレーションにおい
て計算時間と計算機のメモリーを大量に消費する問題を
生じた。また、実用的な計算時間と計算機のメモリーを
用いてコンダクタンスを算出する際には、不十分な精度
に甘んじざるを得なかった。

【００１３】本発明は上記事情に鑑みてなされたのであ
り、その目的とするところは、半導体装置のコンダクタ
ンスを僅かな計算時間と計算機の資源にて正確に算出す
ることができる半導体装置の特性評価方法を提供するこ
とにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
請求項１の発明は、半導体装置をコントロールボリュー
ムなる微小領域に分割し、この微小領域に対して数値シ
ミュレーションによりコンダクタンスを算出し、その特
性の評価を行う方法において、前記半導体装置の絶縁体
と半導体との界面における電界であって、この界面に垂
直な成分である界面電界垂直成分を算出し、前記界面を
含むコントロールボリュームと、それに隣接する半導体
側のコントロールボリュームとの境界における電界であ
って、前記界面に垂直な成分である境界電界垂直成分を
算出し、前記界面電界垂直成分と前記境界電界垂直成分
との平均を前記界面を含むコントロールボリュームの電
界として算出し、この算出された電界を用いてキャリア
移動度を求めることでコンダクタンスを算出することを
含むことを特徴とする。

【００１５】上記発明の構成では、コントロールボリュ
ームの電界を算出するにあたり、界面電界垂直成分と境
界電界垂直成分との平均を前記界面を含むコントロール
ボリュームの電界として算出し、この算出された電界を
用いてキャリア移動度を求めることでコンダクタンスを
算出するようにしてある。このようにすることで従来の
ように、絶縁体と半導体の界面近傍においてもコントロ
ールボリュームを小さく設定する必要がなくても正確な
コンダクタンスを得ることができる。従って、数値シミ
ュレーションにおけるコントロールボリュームの設定の
仕方に依存することなくコンダクタンスを算出すること
ができる。これにより、半導体装置の特性評価のための
計算時間や計算のためのハードウエア資源の使用の増加
を回避することができるのである。

【００１６】また、請求項２の発明は、半導体装置をコ
ントロールボリュームなる微小領域に分割し、この微小
領域に対して数値シミュレーションによりコンダクタン
スを算出し、その特性の評価を行う方法において、前記
半導体装置の内部における電位、電子密度、及び正孔密
度を算出する電位等算出ステップと、この算出された電
位、電子密度、及び正孔密度から前記半導体装置の絶縁
体と半導体との界面における電界であって、この界面に
垂直な成分である界面電界垂直成分を算出する界面電界
垂直成分算出ステップと、前記界面を含むコントロール
ボリュームと、このコントロールボリュームに隣接する
半導体側のコントロールボリュームとの境界における電
界であって、前記界面に垂直な成分である境界電界垂直
成分を算出する境界電界垂直成分算出ステップと、前記
界面電界垂直成分算出ステップにて得られた界面電界垂
直成分と、前記境界電界垂直成分算出ステップにて得ら
れた境界電界垂直成分とを用いて当該コントロールボリ
ュームの平均電界を算出するコントロールボリュームの
電界算出ステップと、このコントロールボリュームの電
界算出ステップにて得られた電界を用いてキャリア移動
度を算出するコントロールボリュームの移動度算出ステ
ップと、このコントロールボリュームの移動度算出ステ
ップにて得られたキャリアの移動度を用いてコンダクタ
ンスを算出するコンダクタンス算出ステップと、所定の
収束条件を満たすか否かを判定し、満たさない場合には
前記電位等算出ステップに戻って再び計算を行う収束判
定ステップと、を含み、この収束判定ステップにて収束
したと判定されたコンダクタンスを用いて前記半導体装
置の特性評価を行うことを特徴とする。

【００１７】上記発明の構成では、コントロールボリュ
ームの電界を算出するにあたり、界面電界垂直成分と境
界電界垂直成分との平均を前記界面を含むコントロール
ボリュームの電界として算出し、この算出された電界を
用いてキャリア移動度を求めることでコンダクタンスを
算出するようにしてあるのは請求項１に記載された発明
と同様である。また、本発明においては、所定の収束条
件を満たすか否かを判定し、満たさない場合には再計算
を行うようにしてある。ここで、前記所定の条件を満た
すか否かの判定には、例えば、コンダクタンス算出ステ
ップにて算出されたコンダクタンスより電位を求めて、
電位等算出ステップにて算出された電位と比較し、その
差が所定の範囲内であれば、収束条件を満たすとしても
よい。同様に、電子密度、正孔密度を用いてもよく、ま
た、これらの収束条件を複数定してもよい。さらに、コ
ンダクタンスを用いるようにしてもよい。

【００１８】これにより、本発明の構成によれば、数値
シミュレーションにおけるコントロールボリュームの設
定の仕方に依存することなくコンダクタンスを算出する
ことができる。これにより、半導体装置の特性評価のた
めの計算時間や計算のためのハードウエア資源の使用の
増加を回避することができる。さらに、本発明によれ
ば、コンダクタンスを高精度に評価を行うことができる
のである。

【００１９】以上のように、本発明に係る半導体装置の
特性評価方法では、得られるコンダクタンスの値の、コ
ントロールボリュームの設定の仕方への依存性を低減で
きるが、絶縁体／半導体界面を含むコントロールボリュ
ームの大きさが反転層の厚さに比べて小さい場合と大き
い場合とでは別の物理的根拠に基づくので、それぞれに
ついて順に説明する。

【００２０】まず、絶縁体／半導体界面を含むコントロ
ールボリュームの大きさが反転層の厚さに比べて小さい
場合、すなわち、図３に示すような場合ついて説明す
る。同図中の縦軸は絶縁体／半導体界面を示したもので
あり、符号１はコントロールボリュームの幅を概念的に
示したものである。

【００２１】先に説明した様に、従来技術では絶縁体／
半導体界面を含むコントロールボリュームのμは絶縁体
／半導体界面上におけるμ（μintとする）で与える。
この方法ではコンダクタンスを正確に算出できる条件
は、絶縁体／半導体界面を含むコントロールボリューム
内の平均のμ（μaveとする）がμintに充分近い事であ
る。これを実現するためには、絶縁体／半導体界面を含
むコントロールボリュームを極めて小さくせざるを得な
い。これは図８に示すとおり、μは絶縁体／半導体界面
近傍で非常に急峻に変化するからである。また、コント
ロールボリュームを極めて小さくしないで算出したコン
ダクタンスの誤差は、コントロールボリュームの大きさ
に比例する。これが、従来技術によって算出したコンダ
クタンスがコントロールボリュームの大きさに強く依存
する理由である。

【００２２】より大きなコントロールボリュームでコン
ダクタンスを正確に算出するには、絶縁体／半導体界面
を含むコントロールボリュームのμaveを当該コントロ
ールボリュームのμとして与えれば良い。図３に示すと
おり、絶縁体／半導体界面近傍ではμは絶縁体／半導体
界面からの距離に対して１次の関係を持つ。従って、次
式の関係が成立する。

【００２３】 μave＝（μint＋μbs）／２ ……（式２） ただし、μbsは、絶縁体／半導体界面を含むコントロー
ルボリュームと、それに隣接する半導体側のコントロー
ルボリュームとの境界におけるμである。

【００２４】更に、ｓｈｉｎの式を基に、μをＥでテー
ラー展開し、２次以降の項を無視する近似を行えば、

【数２】 μave＝（μ（Ｅint＋μ（Ｅbs ))／２〜μ(( Ｅint ＋Ｅbs ）/2）＝μ（Ｅ’ ） ……（式３） となる。

【００２５】即ち、本発明による半導体装置の特性評価
方法では、Ｅ’をｓｈｉｎの式に代入してμを求める事
により、絶縁体／半導体界面を含むコントロールボリュ
ームのμaveを算出する。このため、コントロールボリ
ュームの大きさに依存せずに正確なコンダクタンスを算
出できるのである。

【００２６】次に、絶縁体／半導体界面を含むコントロ
ールボリュームの大きさが反転層の厚さに比べて大きい
場合について説明する。この場合には、絶縁体／半導体
界面を含むコントロールボリュームと、それに隣接する
半導体側のコントロールボリュームとの境界は反転層の
外にある。従って、 Ｅｂｓ＝Ｅ0 ……（式４） である。これに注意すると、

【数３】 μ（Ｅ’）＝μeff （ηＥint＋（１−η）Ｅ0 −（η／２)(Ｅint−Ｅ0 ）） ＋（η／２）（Ｅint−Ｅ0 ） ｄμeff （ηＥint＋（１−η）Ｅ0 −（η／２)(Ｅint−Ｅ0 ））／ｄＥeff ……（式５） であり、μeff をＥeff でテーラー展開して２次以降の
項を無視する近似を行うと、 μ（Ｅ’）＝μeff （Ｅeff ） ……（式６） ただし、Ｅeff ＝ηＥint ＋（１−η）Ｅ0 となる。即ち、絶縁体／半導体界面を含むコントロール
ボリュームのμとして反転層の平均のμを与える。

【００２７】ここで、図４（ｂ）は絶縁体／半導体界面
付近におけるキャリア濃度を示したものである。図中の
斜線部が深さ方向におけるキャリアの濃度を示す。この
ように、キャリアは絶縁体／半導体界面の半導体側には
界面付近の領域（以下、反転層と記す）に溜まってお
り、それ以外の領域にはほとんど存在しないため、μを
求めるに際して考慮しなくてもよいことが分かる。コン
トロールボリューム１はこの反転層を包含しているの
で、反転層を形成するキャリアは全て当該コントロール
ボリュームに含まれる。従って、反転層の平均のμを与
えればよい。これにより、本発明に係る半導体装置の特
性評価方法は、絶縁体／半導体界面を含むコントロール
ボリュームの大きさが反転層の厚さに比べて大きい場合
であっても正確なコンダクタンスを算出することができ
るのである。

【００２８】以上のように、本発明に係る半導体装置の
特性評価方法によれば、コントロールボリュームの設定
の仕方に依存せずにコンダクタンスの算出を高精度かつ
高速に行うことができるのである。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体装置の
特性評価方法の実施形態について、図面を参照しながら
説明する。

【００３０】図１は本発明に係る半導体装置の特性評価
方法の実施形態を示したフローチャートである。本発明
に係る半導体装置の特性評価方法は、半導体装置の内部
における電位、電子密度、及び正孔密度を算出する電位
等算出ステップＳ１０１と、この算出された電位、電子
密度、及び正孔密度から前記半導体装置の絶縁体と半導
体との界面における電界Ｅintを算出する界面電界Ｅint
算出ステップＳ１０２と、前記界面を含むコントロール
ボリュームと、このコントロールボリュームに隣接する
半導体側のコントロールボリュームとの界面における電
界Ｅbsを算出する境界電界Ｅbs算出ステップＳ１０３
と、前記界面電界Ｅint算出ステップＳ１０３にて得ら
れた界面電界Ｅintと、前記境界電界Ｅbs算出ステップ
Ｓ１０４にて得られた境界電界Ｅbsとを用いて当該コン
トロールボリュームの平均電界を算出するコントロール
ボリュームの電界Ｅ’算出ステップＳ１０４と、このコ
ントロールボリュームの電界算出ステップＳ１０４にて
得られた電界を用いてキャリアの移動度を算出するコン
トロールボリュームの移動度μ算出ステップＳ１０５
と、このコントロールボリュームの移動度μ算出ステッ
プＳ１０５にて得られたキャリアの移動度を用いてコン
ダクタンスを算出するコンダクタンス算出ステップＳ１
０６と、所定の収束条件を満たすか否かを判定し、満た
さない場合には前記電位等算出ステップに戻って再び計
算を行う収束判定ステップと、を含み、この収束判定ス
テップＳ１０７にて収束したと判定されたコンダクタン
スを用いて前記半導体装置の特性評価を行うようにして
ある。

【００３１】次に、本実施形態の半導体装置の特性評価
方法の動作について図面を参照しながら説明する。本実
施形態を実施するにあたり、従来技術等を用いて、事前
に特性評価を行う半導体装置をコントロールボリューム
１に分割を行うものとする。この分割された個々のコン
トロールボリュームに対して特性評価を行う。図２は本
実施形態を説明するための図である。この図に示す通
り、ＭＯＳ型半導体装置の内部を模式的に示したもので
あり、図面に向かって左から金属、絶縁体、半導体の順
で並んでいる部分であるとし、各コントロールボリュー
ム１の中に格子点Ｘと呼ばれる点を配置する。また、各
コントロールボリューム１の格子点Ｘにおける電位ψを
当該コントロールボリュームにおける電位であるとす
る。

【００３２】まず、電位等算出ステップＳ１０１では、
各格子点上のψ，ｎ，ｐを算出する。この値を用いて、
絶縁体と半導体の界面の電界（界面電界Ｅint）を算出
する（ステップＳ１０２）。ここで算出する界面電界Ｅ
ｉｎｔは、

【数４】 Ｅint ＝−（ψ(i+1）−ψ（ｉ))／（ｘ(i+1）−（ｘ（ｉ))／ε ……（式７） を用いて算出する。続いて、境界電界Ｅbs算出ステップ
Ｓ１０３では、界面を含むコントロールボリュームと、
それに隣接する半導体側のコントロールボリュームとの
境界における電界（境界電界Ｅbs）を算出する。ここで
用いる境界電界Ｅbsは、

【数５】 Ｅbs＝−（ψ（ｉ）−ψ(i-1))／（ｘ（ｉ）−（ｘ(i-1))／ε ……（式８） を用いて算出する。

【００３３】続いて、コントロールボリュームの電界
Ｅ’算出ステップＳ１０４では、絶縁体／半導体界面を
含むコントロールボリュームにおけるμを算出する際
に、まず、次の式によってＥ’を算出する。

【００３４】 Ｅ’＝（Ｅint＋Ｅbs）／２ ……（式９） ここでＥint、Ｅbsは、それぞれ界面電界Ｅint算出ステ
ップｓ１０２、及び、境界電界Ｅｂｓ算出ステップＳ１
０３にて算出されたものを用いる。

【００３５】続いて、コントロールボリュームの移動度
μ算出ステップＳ１０５では、得られたコントロールボ
リュームの電界Ｅ’をｓｈｉｎの式に代入してμを算出
する。

【００３６】μ＝μ（Ｅ’） ……（式１０） なお、（式１０）は物理的には次式と等価なので、次式
を用いてμを算出しても良い。

【００３７】

【数６】 μ＝｛（ Ｅint−Ｅ0 ）μeff （ηＥint＋（１−η）Ｅ0 ）−（Ｅbs−Ｅ0 ） μeff（ηＥbs＋（１−η）Ｅ0 ）｝／（Ｅint−Ｅbs） ……（式１１） 続いて、コンダクタンス算出ステップＳ１０６では、算
出されたコントロールボリュームの移動度μからそのコ
ントロールボリュームにおけるコンダクタンススを算出
する。この算出方法は、従来技術を用いて行うことがで
きる。

【００３８】続いて、収束判定ステップＳ１０７では、
求められたコンダクタンスより電位を求めて、電位等算
出ステップＳ１０１にて算出された電位と比較し、その
差が所定の範囲内であれば、収束条件を満たすとしても
よい。同様に、電子密度、正孔密度を用いてもよく、ま
た、これらの収束条件を複数定してもよい。さらに、コ
ンダクタンスを用いるようにしてもよい。この比較によ
り、その差が所定の範囲外の場合には、そのコンダクタ
ンスから電位等を電位等算出ステップＳ１０１にて算出
する。一方、所定の収束条件を満たす場合には、コンダ
クタンス算出ステップＳ１０６にて求めたコンダクタン
スをそのコントロールボリュームのコンダクタンスと
し、このコンダクタンスを用いて半導体装置の特性評価
を行う。

【００３９】本実施形態の半導体装置の特性評価方法を
用いて計算したコンダクタンスを示した図表を図５に示
す。この図では数値シミュレーションに用いるコントロ
ールボリュームを１Å、１nm 、及び、１０nmの場合に
ついて示した。この図からも分かるようにコントロール
ボリュームの大きさに関わらずほぼ等しく、すなわち、
コントロールボリュームの大きさに依存せずにコンダク
タンスが算出されていることが分かる。

【００４０】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に係る
半導体装置のコンダクタンスの算出方法は、数値シミュ
レーションにおけるコントロールボリュームの設定の仕
方に依存せずにコンダクタンスを算出できる。

【００４１】このため、絶縁体／半導体界面近傍で大き
なコントロールボリュームを設定することができるの
で、僅かな計算時間と計算機のメモリーを用いて正確な
コンダクタンスを算出できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施形態の半導体装置の特性評価方法により
絶縁体／半導体界面を含むコントロールボリュームにお
けるμを算出する手順を示すフローチャートである。

【図２】本実施形態に用いるコントロールボリュームを
説明するための模式図である。

【図３】本実施形態により平均移動度を求める方法を説
明するための図である。

【図４】本実施形態により平均移動度を求める方法を説
明するための図である。

【図５】本実施形態によって算出したＭＯＳ型半導体装
置のコンダクタンスの特性図である。

【図６】従来方法による半導体装置の特性評価方法を示
す模式図である。

【図７】従来技術により算出したＭＯＳ型半導体装置の
コンダクタンスの特性図である。

【図８】ＭＯＳ型半導体装置のμの深さ依存性を表す図
である。

【図９】従来の方法によりキャリア移動度を求める方法
を説明するための図である。

【符号の説明】

１ コントロールボリューム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/78

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体装置をコントロールボリュームな
   る微小領域に分割し、この微小領域に対して数値シミュ
   レーションによりコンダクタンスを算出し、その特性の
   評価を行う方法において、 前記半導体装置の絶縁体と半導体との界面における電界
   であって、この界面に垂直な成分である界面電界垂直成
   分を算出し、 前記界面を含むコントロールボリュームと、それに隣接
   する半導体側のコントロールボリュームとの境界におけ
   る電界であって、前記界面に垂直な成分である境界電界
   垂直成分を算出し、 前記界面電界垂直成分と前記境界電界垂直成分との平均
   を前記界面を含むコントロールボリュームの電界として
   算出し、 この算出された電界を用いてキャリア移動度を求めるこ
   とでコンダクタンスを算出することを含むことを特徴と
   する半導体装置の特性評価方法。
2. 【請求項２】 半導体装置をコントロールボリュームな
   る微小領域に分割し、この微小領域に対して数値シミュ
   レーションによりコンダクタンスを算出し、その特性の
   評価を行う方法において、 前記半導体装置の内部における電位、電子密度、及び正
   孔密度を算出する電位等算出ステップと、 この算出された電位、電子密度、及び正孔密度から前記
   半導体装置の絶縁体と半導体との界面における電界であ
   って、この界面に垂直な成分である界面電界垂直成分を
   算出する界面電界垂直成分算出ステップと、 前記界面を含むコントロールボリュームと、このコント
   ロールボリュームに隣接する半導体側のコントロールボ
   リュームとの境界における電界であって、前記界面に垂
   直な成分である境界電界垂直成分を算出する境界電界垂
   直成分算出ステップと、 前記界面電界垂直成分算出ステップにて得られた界面電
   界垂直成分と、前記境界電界垂直成分算出ステップにて
   得られた境界電界垂直成分とを用いて当該コントロール
   ボリュームの平均電界を算出するコントロールボリュー
   ムの電界算出ステップと、 このコントロールボリュームの電界算出ステップにて得
   られた電界を用いてキャリア移動度を算出するコントロ
   ールボリュームの移動度算出ステップと、 このコントロールボリュームの移動度算出ステップにて
   得られたキャリアの移動度を用いてコンダクタンスを算
   出するコンダクタンス算出ステップと、 所定の収束条件を満たすか否かを判定し、満たさない場
   合には前記電位等算出ステップに戻って再び計算を行う
   収束判定ステップと、 を含み、 この収束判定ステップにて収束したと判定されたコンダ
   クタンスを用いて前記半導体装置の特性評価を行うこと
   を特徴とする半導体装置の特性評価方法。