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JP3350866B2 - Memory test equipment - Google Patents
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JP3350866B2 - Memory test equipment - Google Patents

Memory test equipment

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JP3350866B2
JP3350866B2 JP01617693A JP1617693A JP3350866B2 JP 3350866 B2 JP3350866 B2 JP 3350866B2 JP 01617693 A JP01617693 A JP 01617693A JP 1617693 A JP1617693 A JP 1617693A JP 3350866 B2 JP3350866 B2 JP 3350866B2
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signal
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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明はメモリ試験装置に関
し、特にランダム・アクセスのRAM部とシリアル・ア
クセスのSAM部とを持つマルチポートDRAM或いは
デュアルポートビデオRAMと呼ばれるメモリ・デバイ
スのリード転送機能試験(RAM部からSAM部へ1ロ
ウアドレス分のデータを1度に転送し、SAM部より順
次その転送されたデータを読み出し、期待値と比較する
試験)において、フェイル(不良)が発生した場合に、
その不良ビットの元のRAM部におけるアドレスと同じ
アドレスで不良を表すデータを副フェイルメモリに書き
込むように構成されたメモリ試験装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory test apparatus and, more particularly, to a read transfer function test for a memory device called a multiport DRAM or a dual port video RAM having a random access RAM section and a serial access SAM section. In a test in which data for one row address is transferred from the RAM unit to the SAM unit at one time, the transferred data is sequentially read from the SAM unit and compared with an expected value, a failure (failure) occurs. ,
The present invention relates to a memory test device configured to write data indicating a defect at the same address as the original address of the defective bit in the RAM unit in the sub-fail memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のメモリ試験装置を図4〜図7を参
照して説明する。被試験メモリ(以下MUTとも呼ぶ)
であるマルチポートDRAM2には図4に示すように、
RAM部2aとSAM部2bとが設けられている。RA
M部2aにはアドレス入力端子A、制御信号入力端子C
TL及びデータ入出力端子Dが、またSAM部2bに
は、クロック入力端子CKS及びデータ入出力端子Dが
それぞれ設けられる。説明を簡単にするためRAM部2
aが例えば0〜255番地のロウアドレスと0〜255
番地のコラムアドレスを有するとすると、即ち図4にお
いてM=N=255であるとすると、ロウアドレス信号
及びコラムアドレス信号はそれぞれ8ビットの構成とな
る。 (a)RAM部の試験 タイミング発生器3を構成する主タイミング発生部3a
及び副タイミング発生部3bよりタイミング信号が、パ
ターン発生器4を構成する主パターン発生部4a及び副
パターン発生部4bにそれぞれ供給される。主パターン
発生部4aは入力タイミング信号に同期して、図示して
いないインストラクションメモリより与えられる命令に
従って、制御信号と、試験パターンTPと、その試験パ
ターンを書き込むためのアドレス信号MAとを作成し、
MUT2のRAM部2aに供給する。アドレス信号MA
はRAM部2aにロウアドレスとコラムアドレスの組
(この組を主アドレスとも呼ぶ)として順次取り込ま
れ、この主アドレスにより選択されたメモリセルに対し
てパターンデータの書き込み、読み出しが行なわれる。
一般に各アドレス位置には複数ビットのデータを1ワー
ドとして記憶できるように複数のメモリセルが設けられ
ているが、1つのメモリセルであってもよい。読み出さ
れたデータは主論理比較部6aに入力され、主パターン
発生部4aより入力される期待値パターンEPと比較さ
れる。あるアドレス位置から読み出されたワード中のど
のビットで不一致が検出されても、直ちに主フェイル信
号MF=“1”が発生され、主不良解析メモリ7aに入
力される。主不良解析メモリ7aは、RAM部2aと同
じメモリ空間を持ち、RAM部2aに与えられる主アド
レス信号MAと同じものがアドレス入力端子Aに与えら
れているので、SAM部2b出力の不良ビットを含むワ
ードの、転送前のRAM部2aにおける元のアドレス
(ロウアドレス及びコラムアドレスの組)と同じアドレ
ス位置にMF=“1”が書き込まれる。
2. Description of the Related Art A conventional memory test apparatus will be described with reference to FIGS. Memory under test (hereinafter also referred to as MUT)
As shown in FIG. 4, the multiport DRAM 2
A RAM unit 2a and a SAM unit 2b are provided. RA
The M section 2a has an address input terminal A and a control signal input terminal C
A TL and a data input / output terminal D are provided, and a clock input terminal CKS and a data input / output terminal D are provided in the SAM section 2b. RAM unit 2 for ease of explanation
a is, for example, a row address at addresses 0 to 255 and 0 to 255
Assuming that a column address of an address is provided, that is, M = N = 255 in FIG. 4, each of the row address signal and the column address signal has an 8-bit configuration. (A) Test of RAM section Main timing generating section 3a constituting timing generator 3
The timing signal is supplied from the sub timing generator 3b to the main pattern generator 4a and the sub pattern generator 4b constituting the pattern generator 4, respectively. The main pattern generator 4a generates a control signal, a test pattern TP, and an address signal MA for writing the test pattern in accordance with a command given from an instruction memory (not shown) in synchronization with the input timing signal.
It is supplied to the RAM unit 2a of the MUT 2. Address signal MA
Are sequentially taken into the RAM unit 2a as a set of a row address and a column address (this set is also referred to as a main address), and pattern data is written to and read from a memory cell selected by the main address.
Generally, a plurality of memory cells are provided at each address position so that a plurality of bits of data can be stored as one word, but one memory cell may be used. The read data is input to the main logic comparison unit 6a, and is compared with the expected value pattern EP input from the main pattern generation unit 4a. When a mismatch is detected at any bit in a word read from a certain address position, a main fail signal MF = "1" is immediately generated and input to the main failure analysis memory 7a. The main failure analysis memory 7a has the same memory space as the RAM unit 2a, and the same main address signal MA supplied to the RAM unit 2a is supplied to the address input terminal A. MF = "1" is written to the same address position as the original address (a set of the row address and the column address) in the RAM section 2a before the transfer of the included word.

【0003】以下RAM部2aの全アドレス領域に順次
試験パターンが書き込まれ、同様の試験が行われ、発生
した不良ビットに対応して、主不良解析メモリ7aにM
F=“1”が書き込まれる。 (b)リード転送試験 RAM部2aからSAM部2bへ一度にデータ転送すべ
きRAM部のロウアドレス(転送ロウアドレスと呼ぶ)
が主パターン発生部4aよりRAM部2aに与えられる
と共に、SAM部2bに転送されたデータのどのコラム
アドレスからデータのシリアル読み出しを開始させるか
を示すコラムアドレス(SAMスタートアドレス)が、
主パターン発生部4aよりRAM部2aを経由してSA
M部2bに与えられる。図6に示すように、SAM部2
bに転送されたあるロウアドレスの全データは、指定さ
れたコラムアドレス(SAMスタートアドレス)からシ
リアルに読み出しが開始され、ワード毎に順次出力さ
れ、副論理比較部6bに入力され、副パターン発生部4
bより入力された期待値パターンと比較される。読み出
されたワード中の任意のビットで期待値パターンと不一
致が検出されると、直ちに副フェイル信号SF=“1”
が発生され(一致検出の場合にはSF=“0”)、副不
良解析メモリ7bに入力される。副不良解析メモリ7b
はRAM部2aと同じメモリ空間を持つ。SAM部2b
より出力されたデータが転送前のRAM部2aのどのア
ドレス(ロウアドレスとコラムアドレスの組)位置に格
納されていたかを示す副アドレス信号SAが、副パター
ン発生部4bより副不良解析メモリ7bに入力され、発
生された副フェイル信号SF=1はそのアドレス位置の
全てのメモリセルに書き込まれる。
A test pattern is sequentially written to all address areas of the RAM section 2a, a similar test is performed, and M is stored in the main failure analysis memory 7a in accordance with the generated failure bit.
F = "1" is written. (B) Read transfer test A row address of the RAM unit to be transferred at a time from the RAM unit 2a to the SAM unit 2b (referred to as a transfer row address).
Is supplied from the main pattern generation unit 4a to the RAM unit 2a, and a column address (SAM start address) indicating from which column address of the data transferred to the SAM unit 2b the serial reading of the data is started,
SA from the main pattern generation unit 4a via the RAM unit 2a
It is provided to the M section 2b. As shown in FIG.
All data of a certain row address transferred to b are read out serially from a designated column address (SAM start address), are sequentially output word by word, and are input to the sub-logic comparison unit 6b to generate a sub-pattern. Part 4
This is compared with the expected value pattern input from b. When a mismatch with the expected value pattern is detected in an arbitrary bit in the read word, the sub-fail signal SF = "1" immediately
Is generated (in the case of coincidence detection, SF = "0") and input to the sub-failure analysis memory 7b. Secondary failure analysis memory 7b
Has the same memory space as the RAM section 2a. SAM section 2b
A sub-address signal SA indicating which address (a set of row address and column address) of the RAM unit 2a where the output data is stored before the transfer is stored in the sub-failure analysis memory 7b from the sub-pattern generating unit 4b. The input and generated sub-fail signal SF = 1 is written to all the memory cells at the address position.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】前述のリード転送試験
で副不良解析メモリ7bに与える副アドレス信号SAを
副パターン発生部4bから発生するプログラムは、SA
M部2bから読出しているデータがRAM部2aのどの
アドレスのデータであるかを考えて作成していた。その
場合、主パターン発生部4aの主アドレス信号MA(転
送ロウアドレスとSAMスタートアドレス)を考慮して
プログラムを作成する必要があり、そのプログラム作成
とそのディバックに要する仕事量が大きくなる問題があ
った。
The program for generating the sub-address signal SA to be supplied to the sub-failure analysis memory 7b in the above-described read transfer test from the sub-pattern generating section 4b is SA
The data read from the M unit 2b is created in consideration of which address of the RAM unit 2a is the data. In this case, it is necessary to create a program in consideration of the main address signal MA (transfer row address and SAM start address) of the main pattern generation unit 4a, and the problem that the amount of work required to create the program and to debug the program increases. there were.

【0005】ところで、最新のマルチポートDRAMで
は図7Aに示すように、RAM部2aからSAM部2b
へデータ転送する場合、SAM部2bをコラムアドレス
領域の中央で2つのアドレス領域(例えば0〜127と
128〜255)に分割して、下位SAM2b−Lと上
位SAM2b−Uとし、それらの一方がRAM部2aの
転送ロウアドレスにおける対応するコラムアドレス領域
からすでに転送されてあるデータを順次出力する間に他
方がRAM部2aの転送ロウアドレスにおける対応する
コラムアドレス領域からデータの転送を受けることを交
互に行うスプリット・リード転送機能(データ出力中の
SAMをアクティブSAM、他方を非アクティブSAM
と言う)を持つものが登場して来た。この場合、下位S
AM2b−L及び上位SAM2b−Uにそれぞれ与える
スタートアドレスS1 及びS2 は、主パターン発生部4
aよりRAM部2aを経由してSAM部2bに供給され
る。下位SAM部2b−Lに転送されたデータは図7B
に矢印で示すようにスタートアドレスS1 から下位側最
大アドレスAM1(=127)まで順次出力され、その間
にRAM部2aからデータが上位SAM2b−Uに転送
される。次に上位SAM2b−UのスタートアドレスS
2 から上位側最大アドレスAM2(=255)まで図7B
に矢印で示すような順序で外部に出力される。
By the way, in the latest multi-port DRAM, as shown in FIG.
When transferring data to the SAM section 2b, the SAM section 2b is divided into two address areas (for example, 0 to 127 and 128 to 255) at the center of the column address area, and a lower SAM 2b-L and an upper SAM 2b-U are formed. While sequentially outputting data already transferred from the corresponding column address area in the transfer row address of the RAM section 2a, the other alternately receives data transfer from the corresponding column address area in the transfer row address of the RAM section 2a. Split read transfer function (SAM during data output is active SAM, the other is inactive SAM)
) Has appeared. In this case, the lower S
The start addresses S1 and S2 given to the AM2b-L and the upper SAM2b-U respectively correspond to the main pattern generator 4
a to the SAM unit 2b via the RAM unit 2a. The data transferred to the lower SAM unit 2b-L is shown in FIG.
As shown by the arrow, the data is sequentially output from the start address S1 to the lower maximum address AM1 (= 127), and during that time, the data is transferred from the RAM unit 2a to the upper SAM 2b-U. Next, the start address S of the upper SAM 2b-U
7B from 2 to the uppermost address AM2 (= 255)
Are output to the outside in the order shown by the arrows.

【0006】また最新のマルチポートDRAMでは、ス
プリット・リード転送を行う場合に、内蔵されたストッ
プ・レジスタの設定値(ストップアドレス)により下位
SAM2b−L、上位SAM2b−Uの一方から他方へ
転送先を切り換えるストップレジスタ・コントロール機
能を持つものもある(図7C)。これら最新のマルチポ
ートDRAMでの複雑なスプリット・リード転送の動作
と対応して、副パターン発生部4bから副不良解析メモ
リ7bに与える副アドレス信号SAをプログラムするの
は、仕事量的にも、また技術的にもますます困難になっ
てきている。
In the latest multiport DRAM, when performing a split read transfer, the transfer destination from one of the lower SAM 2b-L and the upper SAM 2b-U to the other is determined by the set value (stop address) of the built-in stop register. Some have a stop register control function to switch between (FIG. 7C). In response to the complicated split read transfer operation in these latest multiport DRAMs, programming the sub-address signal SA to be supplied from the sub-pattern generating unit 4b to the sub-failure analysis memory 7b requires a large amount of work. It is also becoming more and more technically difficult.

【0007】この発明の目的は、副アドレス信号SAを
従来のようにソフトウェアによるのではなくハードウェ
アで発生できる副アドレス発生器を新規に実現させて、
従来の課題を解決しようとするものである。
An object of the present invention is to newly realize a sub address generator which can generate a sub address signal SA not by software but by hardware as in the prior art.
It is intended to solve conventional problems.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明によれば、タイ
ミング発生手段からタイミング信号を主及び副パターン
発生部に供給し、上記主パターン発生部から試験パター
ン、制御信号及び主アドレス信号を、ランダムアクセス
のRAM部とシリアルアクセスのSAM部とを有する被
試験メモリの上記RAM部に入力し、上記副パターン発
生部から試験パターン及びクロック信号を上記SAM部
に入力し、上記RAM部及びSAM部より読み出した試
験パターンと上記主及び副パターン発生部より供給され
る期待値パターンとを主及び副論理比較部で比較し、両
者の不一致を検出すると主及び副フェイル信号を発生し
て、上記RAM部と同じメモリ空間を持つ主及び副不良
解析メモリにそれぞれ書き込むメモリ試験装置におい
て、上記主不良解析メモリ及び副不良解析メモリを有す
る不良解析メモリは上記副不良解析メモリに与える副ア
ドレス信号を発生する副アドレス発生器を設ける。上記
副アドレス発生器は、複数のカウンタと、上記複数のカ
ウンタの計数状態にある1つを選択してその計数値を上
記副不良解析メモリに与えるべき上記副アドレス信号と
して出力するマルチプレクサと、上記被試験メモリのコ
ラムアドレスのサイズに対応した値のデータを設定する
ためのレジスタ手段と、上記マルチプレクサの出力デー
タ中の少なくとも一部と上記レジスタ手段に設定された
データの少なくとも一部とを比較し、一致した場合に一
致検出信号を出力する比較手段と、上記主アドレス信号
が与えられる毎にそれを上記カウンタの非計数状態の1
つにロードし、上記主アドレスに対応するデータが上記
SAM部から順次出力される毎に上記ロードされたカウ
ンタをインクリメントさせ、上記比較手段からの一致検
出信号に応答して上記計数中のカウンタのインクリメン
トを停止させ、新たに主アドレス信号が設定されている
上記カウンタの1つを、その主アドレスに対応するデー
タが上記SAM部から順次出力される毎にインクリメン
トさせる制御手段、とによって構成される。
According to the present invention, a timing signal is supplied from a timing generator to a main and sub pattern generator, and a test pattern, a control signal and a main address signal are randomly transmitted from the main pattern generator. An input is made to the RAM section of the memory under test having a RAM section for access and a SAM section for serial access, and a test pattern and a clock signal are inputted to the SAM section from the sub-pattern generating section. The read test pattern and the expected value pattern supplied from the main and sub-pattern generating units are compared by a main and sub-logic comparing unit, and when a mismatch is detected between them, a main and sub-fail signal is generated, and the RAM unit generates A memory test apparatus for writing data into main and sub failure analysis memories having the same memory space as Failure analysis memory having a memory and a secondary failure analysis memory providing the sub-address generator for generating a sub-address signal to be supplied to the sub failure analysis memory. The sub-address generator includes: a plurality of counters; a multiplexer for selecting one of the plurality of counters in a counting state and outputting the counted value as the sub-address signal to be supplied to the sub-failure analysis memory; Register means for setting data of a value corresponding to the size of the column address of the memory under test; and comparing at least a part of the output data of the multiplexer with at least a part of the data set in the register means. A comparison means for outputting a match detection signal when a match is detected, and each time the main address signal is supplied, the main address signal is set to one of the non-count states of the counter.
Each time data corresponding to the main address is sequentially output from the SAM unit, the loaded counter is incremented, and in response to a coincidence detection signal from the comparing means, the counter being counted is reset. Control means for stopping the increment and incrementing one of the counters to which a new main address signal is set each time data corresponding to the main address is sequentially output from the SAM unit. .

【0009】[0009]

【実施例】この発明の実施例を図1乃至図3に、図4、
図5と対応する部分に同じ符号を付し、重複説明を省略
する。この発明では不良解析メモリ7内に、副アドレス
発生器7cが設けられる。この例では更に、副アドレス
発生器7cより出力される副アドレス信号SA′と副パ
ターン発生部4bより必要に応じ出力される副アドレス
信号SAとのいずれかを選択するマルチプレクサ7dも
不良解析メモリ7内に設けている。副アドレス発生器7
cへは、RAM部2aからSAM部2bへデータ転送す
る時の主アドレス信号MAと、リード転送の種類に応じ
た主制御信号CSaとが主パターン発生部4aから供給
される。リード転送の種類には図6に示した単純リード
転送と、図7Bのスプリット・リード転送と、図7Cの
ストップ制御スプリット・リード転送とがある。またS
AM部2bに対するデータ出力命令と対応した副制御信
号CSbが副パターン発生部4bから副アドレス発生器
7cに供給される。
1 to 3 show an embodiment of the present invention, and FIGS.
Parts corresponding to those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted. In the present invention, a sub address generator 7c is provided in the failure analysis memory 7. In this example, the multiplexer 7d for selecting either the sub-address signal SA 'output from the sub-address generator 7c or the sub-address signal SA output from the sub-pattern generating unit 4b as required also includes a failure analysis memory 7. It is provided within. Sub address generator 7
A main address signal MA for transferring data from the RAM unit 2a to the SAM unit 2b and a main control signal CSa corresponding to the type of read transfer are supplied from the main pattern generation unit 4a to c. The types of read transfer include the simple read transfer shown in FIG. 6, the split read transfer shown in FIG. 7B, and the stop control split read transfer shown in FIG. 7C. Also S
A sub-control signal CSb corresponding to a data output command to the AM unit 2b is supplied from the sub-pattern generating unit 4b to the sub-address generator 7c.

【0010】主パターン発生部4aから副アドレス発生
器7cのアドレス端子Aに入力される主アドレス信号M
Aには、被試験メモリ(MUT)であるマルチポートD
RAMによっては図3行Aに示すように、LSB側の半
部に例えば8ビットのロウアドレス信号を、MSB側の
半部に例えば8ビットのコラムアドレス(又はSAMス
タートアドレス)信号をそれぞれ配置したものと、図3
行Bに示すように、ロウアドレス信号とコラムアドレス
信号との位置を図3行Aと反対に配置したものとが存在
する。そこで副アドレス発生器7cでは、図2に示すよ
うにアドレスセレクタ11を設けて、どの種類の被試験
メモリの場合でも図3行Cに示すように必ずLSB側の
半部にコラムアドレス信号が位置するように必要に応じ
並び換えている。
The main address signal M input from the main pattern generator 4a to the address terminal A of the sub address generator 7c
A has a multiport D which is a memory under test (MUT).
In some RAMs, as shown in FIG. 3A, for example, an 8-bit row address signal is arranged in the LSB half, and an 8-bit column address (or SAM start address) signal is arranged in the MSB half. Things and Figure 3
As shown in row B, there is one in which the positions of the row address signal and the column address signal are arranged opposite to those of row A in FIG. Therefore, in the sub-address generator 7c, the address selector 11 is provided as shown in FIG. 2 so that the column address signal is always located at the half on the LSB side as shown in row C of FIG. Are rearranged as necessary.

【0011】アドレスセレクタ11より出力される主ア
ドレスMA(16ビット)はそれぞれセレクト信号SL
1 ,SL2 に従って図3行Dに示すようにカウンタC1
及びC2 にそれぞれロードされる。カウンタC1 ,C2
は制御部12からそれぞれ入力されるセレクト信号SL
1 ,SL2 (例えば2ビットより成る)にもとづいて動
作する。即ち、セレクト信号SL1 ,SL2 はそれぞれ
カウンタC1 、C2 に対してロードモード、インクリメ
ントモード、ホールドモードのいずれかを指定するもの
である。マルチプレクサMUXは制御部12から入力さ
れる切り換え信号SL3 によりカウンタC1 又はC2 の
出力のいずれかを選択して、副アドレス信号SA′とし
て出力する。
The main address MA (16 bits) output from the address selector 11 is a select signal SL.
1 and SL2, the counter C1 as shown in FIG.
And C2 respectively. Counters C1, C2
Is the select signal SL input from the control unit 12
1, SL2 (for example, consisting of 2 bits). That is, the select signals SL1 and SL2 designate one of the load mode, the increment mode, and the hold mode for the counters C1 and C2, respectively. The multiplexer MUX selects either the output of the counter C1 or the output of the counter C2 according to the switching signal SL3 input from the control unit 12, and outputs it as the sub address signal SA '.

【0012】制御部12は副アドレス発生器7cの各部
を制御するものであり、何れの転送モードにおいてもカ
ウンタC1 (又はC2 )が計数状態(アクティブ状態)
にあるとき、主パターン発生部4aがRAM部2aに与
える転送命令に対応した主制御信号CSa に応答して非
アクティブ状態にある他方のカウンタC2 (又はC2)
にロードモードを示すセレクト信号SL2 (又はSL1
)を与え、主アドレスをロードする。更に制御部12
は、何れの転送モードにおいても副パターン発生部4b
がSAM部2bに与えるデータ出力命令に対応する副パ
ターン発生部4bからの副制御信号CSbに基ずき、カ
ウンタC1 及びC2 の計数値をそれぞれSAMスタート
アドレスからインクリメントするクロックCK1 、CK
2 を与える。これらクロックCK1 、CK2 は副パター
ン発生部4bからSAM部2bに与えるデータ出力のた
めのクロックCKSに基づいて制御部12で生成され
る。
The control section 12 controls each section of the sub address generator 7c. In any transfer mode, the counter C1 (or C2) counts (active state).
, The other counter C2 (or C2) in the inactive state in response to the main control signal CSa corresponding to the transfer command given by the main pattern generation unit 4a to the RAM unit 2a.
Select signal SL2 (or SL1) indicating the load mode.
) To load the primary address. Further, the control unit 12
Is the sub-pattern generator 4b in any transfer mode.
Are clocks CK1 and CK for incrementing the count values of the counters C1 and C2 from the SAM start address on the basis of the sub control signal CSb from the sub pattern generator 4b corresponding to the data output command given to the SAM 2b.
Give 2 These clocks CK1 and CK2 are generated by the control unit 12 based on the clock CKS for data output from the sub-pattern generation unit 4b to the SAM unit 2b.

【0013】レジスタRG1 にはメモリの試験開始時点
でカウントイネーブル信号がロードされる。レジスタR
G1 は主アドレスを構成するビット数と同じ例えば16
ビットのサイズである。図3行EはレジスタRG1 に設
定されるカウントイネーブルデータの例を示す。対象と
している被試験メモリのコラムアドレスの最大値(25
5=11111111)がRG1 のLSB側の半部(8ビット)
に、残りのMSB側の全ビット(8ビット)に“0”が
書き込まれる。レジスタRG1 にロードされたイネーブ
ル信号はカウンタC1 、C2 に与えられ、イネーブル信
号の“1”のビット範囲のみが計数可能とされる。レジ
スタRG2 は図7Cで説明したストップレジスタコント
ロール機能に対応するストップアドレスを設定するレジ
スタである。
A count enable signal is loaded into the register RG1 at the start of the memory test. Register R
G1 is the same as the number of bits constituting the main address, for example, 16 bits.
The size of the bit. FIG. 3E shows an example of the count enable data set in the register RG1. The maximum value of the column address of the target memory under test (25
5 = 11111111) is the half of the LSB side of RG1 (8 bits)
Then, "0" is written to all the remaining bits (8 bits) on the MSB side. The enable signal loaded to the register RG1 is supplied to counters C1 and C2, and only the bit range of "1" of the enable signal can be counted. The register RG2 is a register for setting a stop address corresponding to the stop register control function described with reference to FIG. 7C.

【0014】比較器14はセレクト信号SL4 に従って
単純リード転送及びスプリット・リード転送の場合はレ
ジスタRG1 を選択し、ストップ制御スプリット・リー
ド転送の場合はレジスタRG2 を選択してMUXの出力
と比較し、一致が検出されると一致検出信号“1”を制
御部12に与える。制御部12は一致検出信号“1”が
与えられると、アクティブ状態のカウンタC1 (又はC
2 )に対するクロックCK1 (又はCK2 )の供給を停
止させ、それまで非アクティブ状態であったカウンタC
2 (又はC1 )にクロックCK2 (又はCK1 )を供給
開始する。レジスタRG2 にストップアドレスが設定さ
れていて、かつSAM部2bの非アクティブ側にRAM
部2aからデータ転送が行われている場合にレジスタR
G2 が選択される(図7参照)。スプリット・リード転
送の場合、比較器14は全コラムアドレス領域を2分割
した場合の下位側アドレス領域及び上位側アドレス領域
のそれぞれの最大アドレスであるコラムアドレスの値A
M1=“01111111”及びAM2=“11111111”をそれぞれ検
出する必要があるが、それらが上位側の最大値であるか
下位側の最大値であるかを識別する必要はない。そこ
で、レジスタRG1 の16ビットの出力からLSBの1
ビットを除いた下位側8ビットの出力、即ち“0111111
1”を比較器14に与える。比較器14による一致検出
はレジスタRG1又はRG2 に設定されたデータの連続
する“1”のビットの範囲だけで行われる。なお、レジ
スタRG1 にはSAM部のワード長に応じて所望のビッ
ト数の連続する“1”を有するデータを設定することが
できるので、アドレスセレクタのフォーマット機能と合
せて、SAM部2bの大きさ(ワード長)の異なるMU
Tの試験が支障なく行える。 (A)単純リード転送試験 主パターン発生部4aからロウアドレスとコラムアドレ
ス(SAMスタートアドレス)からなる主アドレスMA
がRAM部2aに与えられ、更に転送命令が与えられる
と、RAM部2aはそのSAMスタートアドレスをSA
M部2bに与えると共にそのロウアドレスの全データを
読み出し、SAM部2bに転送する。一方、同じ主アド
レスMAは一方のカウンタ、例えばカウンタC1 にセレ
クト信号SL1 に従ってロードされる。
The comparator 14 selects the register RG1 in the case of the simple read transfer and the split read transfer according to the select signal SL4, and selects the register RG2 in the case of the stop control split read transfer and compares it with the output of the MUX. When a match is detected, a match detection signal “1” is given to the control unit 12. When the coincidence detection signal "1" is supplied, the control unit 12 activates the counter C1 (or C1) in the active state.
The supply of the clock CK1 (or CK2) to 2) is stopped, and the counter C which has been inactive until then is stopped.
Start supplying clock CK2 (or CK1) to 2 (or C1). A stop address is set in the register RG2, and the RAM is placed on the inactive side of the SAM unit 2b.
When data transfer is being performed from the unit 2a, the register R
G2 is selected (see FIG. 7). In the case of split read transfer, the comparator 14 calculates the column address value A, which is the maximum address of each of the lower address area and the upper address area when the entire column address area is divided into two.
It is necessary to detect M1 = "01111111" and AM2 = "11111111", respectively, but it is not necessary to identify whether they are the upper maximum value or the lower maximum value. Therefore, the LSB 1 is obtained from the 16-bit output of the register RG1.
The output of the lower 8 bits excluding the bits, ie, “0111111
"1" is given to the comparator 14. The coincidence detection by the comparator 14 is performed only in the range of consecutive "1" bits of the data set in the register RG1 or RG2. Since data having a desired number of consecutive bits "1" can be set according to the length, MUs having different sizes (word lengths) of the SAM unit 2b can be used together with the format function of the address selector.
The test of T can be performed without any trouble. (A) Simple read transfer test Main address MA consisting of row address and column address (SAM start address) from main pattern generation section 4a
Is given to the RAM unit 2a, and when a transfer command is further given, the RAM unit 2a sets its SAM start address to SA.
The data is supplied to the M unit 2b and all data of the row address is read and transferred to the SAM unit 2b. On the other hand, the same main address MA is loaded into one counter, for example, the counter C1 according to the select signal SL1.

【0015】MUT2のSAM部2bから、図6Bに示
すようにクロックCKS毎にデータが出力されるのに従
って、カウンタC1 はクロックCKSに同期したクロッ
クCK1 を計数してSAMスタートアドレスから順次イ
ンクリメントされる。しかし、カウンタC1 はレジスタ
RG1 の“1”が設定されている範囲に対応するLSB
側の8ビットの範囲だけインクリメント動作が可能とさ
れており、カウンタC1 に設定されたMSB側の転送ロ
ウアドレス(8ビット)は変化しない。マルチプレクサ
MUXは常に計数状態(アクティブ状態)の方のカウン
タの計数値を選択して出力するようセレクト信号SL3
により制御される。マルチプレクサMUXの出力は転送
ロウアドレスとコラムアドレスの組からなる副アドレス
SA’として出力される。単純リード転送モードでMU
Tを動作させる場合には、制御部12は比較器14の出
力とは無関係に、SAM部2bからデータ出力を開始す
る前に副パターン発生部4bが制御命令CSb を制御部
12に与え、制御部12はその制御信号CSb に応答し
てカウンタC1 を非アクティブに、カウンタC2 をアク
ティブにそれぞれ切り換え、カウンタC2 にクロックC
K2 を与えてインクリメントを開始し、かつ次のロウア
ドレスのデータ転送命令に応答してその主アドレスMA
をカウンタC1 にロードし、同様の動作を行う。このよ
うにしてカウンタC1 、C2 は交互に転送ロウアドレス
とコラムアドレスの一連の組を、リード転送試験時に副
不良解析メモリ7bに与えるべき副アドレス信号SA′
としてマルチプレクサMUXを介してデータ出力端子O
UTに出力する。なお、単純リード転送動作では、デー
タの転送とSAM部2bからのデータの出力は互いに異
なるサイクルで交互に行われるので、カウンタC1 、C
2 の一方のみを使って副アドレスを発生するように制御
部12で制御することができることは明かである。 (B)スプリット・リード転送試験 マルチポートDRAMであるMUTをスプリット・リー
ド転送モード(図7A)で動作させる場合には、RAM
部2aの各転送ロウアドレスのデータは全コラムアドレ
スの下位領域0〜127と上位領域128〜255の2
つの領域に分けて下位SAM2b−Lと上位SAM2b
−Uに別々に転送される。図7Bに示したように下位S
AM2b−LのSAMスタートアドレスS1 からアドレ
ス127までのデータを順次出力し、次に上記SAM2
b−UのSAMスタートアドレスS2 からアドレス25
5までのデータを順次出力することを各ロウアドレスに
付いて繰り返す。
As data is output for each clock CKS from the SAM section 2b of the MUT 2 as shown in FIG. 6B, the counter C1 counts the clock CK1 synchronized with the clock CKS and sequentially increments from the SAM start address. . However, the counter C1 has the LSB corresponding to the range where the register RG1 is set to "1".
The increment operation is enabled only in the range of 8 bits on the side, and the transfer row address (8 bits) on the MSB side set in the counter C1 does not change. The multiplexer MUX always selects and outputs the count value of the counter in the counting state (active state).
Is controlled by The output of the multiplexer MUX is output as a sub address SA 'including a set of a transfer row address and a column address. MU in simple read transfer mode
When operating T, the control unit 12 supplies the control command CSb to the control unit 12 by the sub-pattern generation unit 4b before starting data output from the SAM unit 2b, regardless of the output of the comparator 14. The unit 12 switches the counter C1 to inactive and the counter C2 to active in response to the control signal CSb.
In response to the data transfer instruction of the next row address, the main address MA
Is loaded into the counter C1 and the same operation is performed. In this manner, the counters C1 and C2 alternately supply a series of sets of the transfer row address and the column address to the sub-failure analysis memory 7b during the read transfer test.
As a data output terminal O via a multiplexer MUX
Output to UT. In the simple read transfer operation, data transfer and data output from the SAM unit 2b are performed alternately in different cycles, so that the counters C1, C2
Obviously, the control unit 12 can control the generation of the subaddress using only one of the two. (B) Split-Read Transfer Test When operating the multiport DRAM MUT in the split-read transfer mode (FIG. 7A),
The data of each transfer row address of the section 2a is composed of two areas of lower areas 0 to 127 and upper areas 128 to 255 of all column addresses.
SAM2b-L and upper SAM2b
-U separately. As shown in FIG.
The data from the SAM start address S1 to the address 127 of the AM2b-L is sequentially output, and then the SAM2
bU SAM start address S2 to address 25
The sequential output of data up to 5 is repeated for each row address.

【0016】主パターン発生部4aが8ビットの転送ロ
ウアドレスRと8ビットのSAMスタートアドレスS1
の組(RS1 で表す)からなる主アドレス信号MAをR
AM部2aに与え、更に転送命令を与えると、RAM部
2aは与えられたロウアドレスRと、SAMスタートア
ドレスS1 の最上位ビット、例えば“0”が表す下位側
コラムアドレス領域0〜127とによって指定される全
データを下位SAM2b−Lに一度に転送する。一方、
上記転送命令に対応する主制御信号CSa に応答して制
御部12は図8、行D,Eに示すカウンタの状態のう
ち、計数動作を行っていない方のカウンタC1 またはC
2 、例えばC1 に上記主アドレスMA=RS1 をロード
させる(図8、行F)。但し、図8、行E,F,Iにお
いては、ロウアドレスRを省略してコラムアドレスのみ
示してある。
The main pattern generating section 4a has an 8-bit transfer row address R and an 8-bit SAM start address S1.
A main address signal MA consisting of a set of
When the transfer command is further given to the AM section 2a, the RAM section 2a uses the given row address R and the most significant bit of the SAM start address S1, for example, the lower column address areas 0 to 127 represented by "0". All specified data is transferred to the lower SAM 2b-L at one time. on the other hand,
In response to the main control signal CSa corresponding to the transfer instruction, the control unit 12 selects one of the counters C1 and C1 not performing the counting operation, out of the counter states shown in rows D and E in FIG.
2. Load the main address MA = RS1 into, for example, C1 (FIG. 8, row F). However, in FIG. 8, rows E, F, and I show only the column address without the row address R.

【0017】次にSAM部2bは転送されたデータを,
副パターン発生部4bからSAM部2bに与えられてい
るクロックCKS(図8、行A)に従って、SAMスタ
ートアドレスS1 から下位側アドレス領域の最大アドレ
スAM1=127まで順次出力する。この時制御部12は
主アドレスMAがロードされたカウンタC1 にクロック
CKSと同期してクロックCK1 (行B)を与え、図
8、行Fに示すようにSAMスタートアドレスS1 から
順次インクリメントする。従って、カウンタC1の計数
値出力(設定された転送ロウアドレスRも含む)はその
時SAM部2bから出力されているデータのRAM部2
aにおける元のアドレスを表しており、副アドレスS
A’(行I)としてマルチプレクサMUXから出力され
る。
Next, the SAM unit 2b converts the transferred data into
In accordance with the clock CKS (row A in FIG. 8) supplied from the sub-pattern generating unit 4b to the SAM unit 2b, the data is sequentially output from the SAM start address S1 to the maximum address AM1 = 127 in the lower address area. At this time, the control unit 12 supplies the clock CK1 (row B) to the counter C1 loaded with the main address MA in synchronization with the clock CKS, and sequentially increments from the SAM start address S1 as shown in row F of FIG. Accordingly, the count value output of the counter C1 (including the set transfer row address R) is used to store the data output from the SAM unit 2b at that time.
a represents the original address in the subaddress S
Output from the multiplexer MUX as A '(row I).

【0018】この様に下位SAM2b−Lからデータが
順次出力されている間に、主パターン発生部はRAM部
2aにロウアドレスRとSAMスタートアドレスS2 の
組からなる主アドレス信号MAを与え、更に転送命令を
与えると、上述と同様にRAM部2aは上記ロウアドレ
スRと、SAMスタートアドレスS2 の最上位ビット
“1”が表す上位側コラムアドレス領域128〜255
によって指定される全データを上位SAM2b−Uに一
度に転送する。この転送命令に対応する主制御信号CS
a に応答して制御部12は図8、行E,Gに示すように
計数動作を行ってない方のカウンタC2 に上記主アドレ
スMA=RS2 をロードさせる。カウンタC1 の計数値
の下位7ビットの値が、レジスタRG1 に設定されたイ
ネーブルデータのLSBの1ビットを除く下位8ビット
が表す値127、即ち下位側アドレス領域の最大アドレ
スAM1に達すると、行Hに示すように比較器14から一
致検出信号“1”が出力され、制御部12はその一致検
出信号に応答して行D,Eに示すようにカウンタC1 、
C2 の状態をそれぞれ切り換える。
While the data is sequentially output from the lower SAMs 2b-L, the main pattern generator supplies the RAM 2a with a main address signal MA consisting of a set of a row address R and a SAM start address S2. When a transfer command is given, the RAM section 2a stores the row address R and the upper column address area 128 to 255 indicated by the most significant bit "1" of the SAM start address S2, as described above.
Is transferred to the upper SAM 2b-U at a time. Main control signal CS corresponding to this transfer command
In response to a, the control unit 12 loads the main address MA = RS2 into the counter C2 which has not performed the counting operation as shown in FIG. 8, rows E and G. When the value of the lower 7 bits of the count value of the counter C1 reaches the value 127 represented by the lower 8 bits excluding 1 bit of the LSB of the enable data set in the register RG1, that is, the maximum address AM1 of the lower address area, As shown in H, the comparator 14 outputs a coincidence detection signal "1", and the control unit 12 responds to the coincidence detection signal as shown in rows D and E,
The state of C2 is switched.

【0019】次にSAM部2bは転送されたデータをク
ロックCKSに従ってスタートアドレスS2 から上位側
アドレス領域の最大アドレスAM2=255まで順次出力
する。それと並行して制御部12は,主アドレスMA=
RS2 がロードされたカウンタC2 にクロックCKSと
同期してクロックCK2 (行C)を与え、スタートアド
レスS2 から比較器14が一致検出信号を出力するアド
レスAM2=255まで順次インクリメントし(行G)、
計数値を副アドレスSA’としてマルチプレクサMUX
を介して出力する(行I)。この間に主パターン発生部
4aはロウアドレスRを更新(例えばR←R+1と歩
進)し、上述と同様に主アドレスMA=RS1 をRAM
部2aに与えて新しいロウアドレスRにおいてコラムア
ドレス領域0〜127からデータを下位SAM2b−L
に転送させると共に、制御部12からのセレクト信号S
L1 によりその主アドレスMA=RS1 をカウンタC1
にロードする(行F)。
Next, the SAM unit 2b sequentially outputs the transferred data from the start address S2 to the maximum address AM2 = 255 in the upper address area according to the clock CKS. At the same time, the control unit 12 sets the main address MA =
A clock CK2 (row C) is supplied to the counter C2 loaded with RS2 in synchronization with the clock CKS, and the counter C2 is sequentially incremented from the start address S2 to an address AM2 = 255 at which the comparator 14 outputs a match detection signal (row G).
Multiplexer MUX with count value as sub address SA '
(Line I). During this time, the main pattern generating section 4a updates the row address R (for example, increments by R ← R + 1), and stores the main address MA = RS1 in the RAM as described above.
Data from column address areas 0 to 127 in a new row address R to lower SAM 2b-L
And the select signal S from the control unit 12
The main address MA = RS1 is counted by the counter C1 by L1.
(Row F).

【0020】この様にして下位SAM2b−Lと上位S
AM2b−Uの一方がRAM部2aからデータの転送を
受けると共にカウンタC1 、C2 の一方にSAMスター
トアドレスを含む主アドレスMAがロードされ、その間
に下位SAM2b−L及び上位SAM2b−Uの他方が
すでに転送されてあるデータを出力すると共に、カウン
タC1 及びC2 の他方がスタートアドレスから順次イン
クリメントされ、副アドレスSA’を出力することを下
位側と上位側で交互に並列的に実行する。 (C)ストップ制御スプリット・リード転送 この転送動作は基本的に前述のスプリット・リード転送
動作と同様であり、図7Cに示すように下位SAM2b
−L(又は上位SAM2b−U)に対しスタートアドレ
スS1 (又はS2 )からそれぞれデータの出力を開始さ
せるため、カウンタC1 (又はC2 )にSAMスタート
アドレスS1 (又はS2 )を含む主アドレスMAをロー
ドするが、前述のスプリット・リード転送動作と異なる
点は各下位及び上位アドレス領域の最大アドレス、例え
ば127及び225、までカウンタをインクリメントせ
ず、途中の所望のアドレス(レジスタRG2 に設定した
ストップアドレス)Sp1及びSp2で各カウンタのアクテ
ィブ状態と非アクティブ状態を交代することである。た
だし図2の実施例においては比較器14はレジスタRG
1 、RG2 から与えられたデータの連続する“1”のビ
ットの範囲のみ比較可能とされているため、下位側及び
上位側アドレス領域内のストップアドレスはそれぞれ2
m−1,2n−1(m,nは0以上で7以下の整数)で表
される値に選ぶ必要があるが、0乃至127の任意の値
で比較できるように比較器14を構成することは容易に
可能である。
In this manner, the lower SAM 2b-L and the upper S
One of the AM2b-U receives the data transfer from the RAM unit 2a, and the main address MA including the SAM start address is loaded into one of the counters C1 and C2, during which time the other of the lower SAM2b-L and the upper SAM2b-U is already loaded. At the same time as outputting the transferred data, the other of the counters C1 and C2 is sequentially incremented from the start address, and the output of the sub address SA 'is alternately performed in parallel on the lower side and the upper side. (C) Stop Control Split-Read Transfer This transfer operation is basically the same as the above-described split-read transfer operation, and as shown in FIG. 7C, the lower SAM 2b
-Load the main address MA including the SAM start address S1 (or S2) into the counter C1 (or C2) in order to start outputting data from the start address S1 (or S2) to L (or the upper SAM2b-U). However, the difference from the above-described split read transfer operation is that the counter is not incremented to the maximum address of each of the lower and upper address areas, for example, 127 and 225, and a desired address in the middle (stop address set in the register RG2). This is to alternate the active state and the inactive state of each counter at Sp1 and Sp2. However, in the embodiment shown in FIG.
1, since only the range of consecutive "1" bits of the data given from RG2 can be compared, the stop addresses in the lower and upper address areas are 2
It is necessary to select a value represented by m− 1, 2 n− 1 (m, n is an integer of 0 or more and 7 or less), but the comparator 14 is configured so that the comparison can be performed with an arbitrary value of 0 to 127. It is easily possible.

【0021】レジスタRG2 には主アドレス信号MAと
して主パターン発生部4aにより生成された8ビットの
ストップアドレスデータが所望の主アドレス発生サイク
ルでロードされる。比較器14においてレジスタRG2
がセレクト信号SL4 により選択され、インクリメント
されているカウンタC1 (又はC2 )からの計数値と比
較される。比較器14で一致が検出されると制御部12
は反対側のアドレス領域のスタートアドレスS2 (又は
S1 )にジャンプするようマルチプレクサMUXにおけ
るカウンタの選択を切り換えると共に、選択されたカウ
ンタC2 (又はC1 )に対しクロックCK2 (又はCK
1 )を供給する。マルチプレクサMUXにより選択され
たカウンタC2 (又はC1 )の出力は副アドレスSA’
として出力される。その他の動作は基本的に前述のスプ
リット・リード転送動作と同じなので説明を省略する。
The register RG2 is loaded with 8-bit stop address data generated by the main pattern generator 4a as a main address signal MA in a desired main address generation cycle. In the comparator 14, the register RG2
Is selected by the select signal SL4, and is compared with the count value from the incremented counter C1 (or C2). When a match is detected by the comparator 14, the control unit 12
Switches the selection of the counter in the multiplexer MUX so as to jump to the start address S2 (or S1) of the opposite address area, and outputs the clock CK2 (or CK) to the selected counter C2 (or C1).
1) Supply. The output of the counter C2 (or C1) selected by the multiplexer MUX is the subaddress SA '.
Is output as The other operations are basically the same as the above-described split read transfer operation, and thus description thereof is omitted.

【0022】上述した単純リード転送、スプリット・リ
ード転送及びストップ制御スプリット・リード転送につ
いて別々に説明したが、MUTの試験中に任意の転送モ
ードから他の任意の転送モードに切り換えるには単にカ
ウンタC1 、C2 、レジスタRG2 にロードするデータ
を随時変更すれば良い。
Although the above-described simple read transfer, split read transfer, and stop control split read transfer have been described separately, to switch from any transfer mode to any other transfer mode during the MUT test, simply use the counter C1. , C2, and the data to be loaded into the register RG2 may be changed as needed.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように、不良解析メモリ7
bに与える副アドレス信号SAを従来はプログラムによ
って副パターン発生部4bから発生させたのに対して、
この発明では、主パターン発生部4aよりメインアドレ
ス信号MAと主制御信号CSaとを、また副パターン発
生部4bより副制御信号CSbをそれぞれ副アドレス発
生器7cに入力して、ハード的に副アドレス信号SA′
を発生することが可能である。従って、従来のプログラ
ムに要する莫大な仕事量の確保や極めて複雑で難易なプ
ログラムの実現と言った問題が解決される。
As described above, the failure analysis memory 7
b is generated from the sub-pattern generating section 4b by a program in the related art.
In the present invention, the main address signal MA and the main control signal CSa from the main pattern generator 4a and the sub-control signal CSb from the sub-pattern generator 4b are input to the sub-address generator 7c, respectively. Signal SA '
Can occur. Therefore, problems such as securing an enormous amount of work required for a conventional program and realizing an extremely complicated and difficult program are solved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施例を示すブロック図。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1における副アドレス発生器のブロック図。FIG. 2 is a block diagram of a sub address generator in FIG. 1;

【図3】図2の要部のデータのビット構成を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a bit configuration of data of a main part of FIG. 2;

【図4】被試験メモリ(MUT)の構成を示すブロック
図。
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a memory under test (MUT).

【図5】従来のメモリ試験装置のブロック図。FIG. 5 is a block diagram of a conventional memory test device.

【図6】Aは被試験メモリのリード転送機能を説明する
ための図、Bは単純リード転送モードにおけるSAM部
のデータ出力動作を説明するための図。
6A is a diagram for explaining a read transfer function of a memory under test, and FIG. 6B is a diagram for explaining a data output operation of a SAM unit in a simple read transfer mode.

【図7】Aは被試験メモリのスプリット・リード転送機
能を説明するための図、Bはスプリット・リード転送モ
ードにおけるSAM部のデータ出力動作を説明するため
の図、Cはストップ制御スプリット・リード転送モード
におけるSAM部のデータ出力動作を説明するための
図。
7A is a diagram for explaining a split read transfer function of a memory under test, FIG. 7B is a diagram for explaining a data output operation of the SAM unit in a split read transfer mode, and FIG. 7C is a stop control split read. FIG. 7 is a diagram for explaining a data output operation of the SAM unit in a transfer mode.

【図8】スプリット・リード転送時の副アドレス発生動
作を説明するためのタイムチャート。
FIG. 8 is a time chart for explaining a sub address generation operation at the time of split read transfer.

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 タイミング発生手段からタイミング信号
を主及び副パターン発生部に供給し、上記主パターン発
生部から試験パターン、制御信号及び主アドレス信号
を、ランダムアクセスのRAM部とシリアルアクセスの
SAM部とを有する被試験メモリの上記RAM部に入力
し、上記副パターン発生部から試験パターン及びクロッ
ク信号を上記SAM部に入力し、上記RAM部及びSA
M部より読み出した試験パターンと上記主及び副パター
ン発生部より供給される期待値パターンとを主及び副論
理比較部で比較し、両者の不一致を検出すると主及び副
フェイル信号を発生して、上記RAM部と同じメモリ空
間を持つ主及び副不良解析メモリにそれぞれ書き込むメ
モリ試験装置において、 上記主不良解析メモリ及び副不良解析メモリを有する不
良解析メモリは上記副不良解析メモリに与える副アドレ
ス信号を発生する副アドレス発生器を有し、上記副アド
レス発生器は、 複数のカウンタと、 上記複数のカウンタの計数状態にある1つを選択してそ
の計数値を上記副不良解析メモリに与えるべき上記副ア
ドレス信号として出力するマルチプレクサと、 上記被試験メモリのコラムアドレスのサイズに対応した
値のデータを設定するためのレジスタ手段と、 上記マルチプレクサの出力データ中の少なくとも一部と
上記レジスタ手段に設定されたデータの少なくとも一部
とを比較し、一致した場合に一致検出信号を出力する比
較手段と、 上記主アドレス信号が与えられる毎にそれを上記カウン
タの非計数状態の1つにロードし、上記主アドレスに対
応するデータが上記SAM部から順次出力される毎に上
記ロードされたカウンタをインクリメントさせ、上記比
較手段からの一致検出信号に応答して上記計数中のカウ
ンタのインクリメントを停止させ、新たに主アドレス信
号が設定されている上記カウンタの1つを、その主アド
レスに対応するデータが上記SAM部から順次出力され
る毎にインクリメントさせる制御手段、とを含む。
A timing signal is supplied from a timing generator to a main and sub pattern generator, and a test pattern, a control signal and a main address signal are supplied from the main pattern generator to a random access RAM section and a serial access SAM section. And the test pattern and the clock signal from the sub-pattern generating unit are input to the SAM unit, and the RAM unit and the SA
The test pattern read from the M section and the expected value pattern supplied from the main and sub pattern generation sections are compared by the main and sub logic comparison sections, and when a mismatch is detected between them, a main and sub fail signal is generated, In a memory test apparatus for writing data into main and sub failure analysis memories each having the same memory space as the RAM unit, the failure analysis memory having the main failure analysis memory and the sub failure analysis memory transmits a sub address signal given to the sub failure analysis memory. And a sub-address generator for generating one of the plurality of counters, and selecting one of the plurality of counters in a counting state and supplying the counted value to the sub-failure analysis memory. A multiplexer for outputting as a sub address signal, and data of a value corresponding to the size of the column address of the memory under test. Register means for comparing at least a part of the output data of the multiplexer with at least a part of the data set in the register means, and outputting a match detection signal when they match, Each time a main address signal is applied, it is loaded into one of the non-counting states of the counter, and each time data corresponding to the main address is sequentially output from the SAM unit, the loaded counter is incremented; In response to the coincidence detection signal from the comparing means, the increment of the counting counter is stopped, and one of the counters for which a new main address signal is set is replaced with the data corresponding to the main address by the SAM. Control means for incrementing each time the data is sequentially output from the unit.
【請求項2】 請求項1に記載のメモリ試験装置におい
て、上記副不良解析メモリは更に、上記主アドレス信号
として上記主パターン発生部が生成したストップアドレ
スが与えられ、それを格納するストップアドレスレジス
タを含み、上記比較手段は上記SAM部がストップ制御
スプリット・リード転送モードで転送されたデータを出
力中に上記制御手段に制御されて上記ストップアドレス
レジスタを選択して上記マルチプレクサの出力中の少な
くとも一部と比較し、一致を検出すると上記一致検出信
号を出力する。
2. The memory test apparatus according to claim 1, wherein the sub-failure analysis memory is further provided with a stop address generated by the main pattern generation section as the main address signal, and stores the stop address. Wherein the comparing means is controlled by the control means while the SAM section is outputting data transferred in the stop control split read transfer mode, selects the stop address register, and selects at least one of the outputs of the multiplexer. And outputs a match detection signal when a match is detected.
【請求項3】 請求項1又は2に記載のメモリ試験装置
において、上記副不良解析メモリは更に、上記主パター
ン発生部からの、上記RAM部の転送ロウアドレスと上
記SAM部のスタートアドレスとよりなる上記主アドレ
ス信号が入力され、上記転送ロウアドレスとスタートア
ドレスとを所定の順序に配列して上記複数のカウンタの
1つに与えるアドレスセレクタを含む。
3. The memory test apparatus according to claim 1, wherein the sub-failure analysis memory further includes a transfer row address of the RAM unit and a start address of the SAM unit from the main pattern generation unit. An address selector to which the main address signal is inputted, and the transfer row address and the start address are arranged in a predetermined order and supplied to one of the plurality of counters.
【請求項4】 請求項1又は2に記載のメモリ試験装置
において、各上記カウンタは上記レジスタ手段の設定値
がイネーブルデータとして与えられ、そのイネーブルデ
ータの連続する“1”のビット範囲で計数可能とされる
カウンタであり、上記イネーブルデータは上記被試験メ
モリのコラムアドレスサイズと等しいビット数の“1”
を下位側に含んでいる。
4. The memory test apparatus according to claim 1, wherein each of said counters is provided with a set value of said register means as enable data, and can count within a continuous "1" bit range of said enable data. And the enable data is "1" having the same number of bits as the column address size of the memory under test.
Is included on the lower side.
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