JP3355503B2 - Electric field sensor - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、EMC(電磁環境適合
性)分野で電波や電極ノイズの特性測定に用いる計測器
に関し、特に空間を伝搬する電磁波の電界強度を測定す
るための電界センサに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a measuring instrument used for measuring characteristics of radio waves and electrode noise in the field of EMC (electromagnetic compatibility), and more particularly to an electric field sensor for measuring the electric field strength of an electromagnetic wave propagating in space. .
【0002】[0002]
【従来の技術】コンピュータ等の情報機器や通信機器、
ロボット等のFA機器、自動車および鉄道等の制御器な
ど多くの電気機器は、互いに外部からの電磁ノイズによ
って誤動作などの影響を受ける危険を常にもっており、
EMC分野においては、外部の電磁環境や影響を及ぼす
ようなノイズの大きさ、また自らが発生するノイズ等を
正確に測定することが重要となっている。2. Description of the Related Art Information devices and communication devices such as computers,
Many electrical devices, such as FA devices such as robots, and controllers such as automobiles and railways, are always at risk of being affected by malfunctions due to external electromagnetic noise.
In the field of EMC, it is important to accurately measure the external electromagnetic environment, the magnitude of noise that may have an effect, and the noise generated by itself.
【0003】従来、上述のような電磁ノイズの測定シス
テムには、(a)通常のアンテナを用いて受信し同軸ケ
ーブルで測定器まで導くシステム、(b)アンテナを用
いて受信した信号を検波して光信号に変換し光ファイバ
で測定器まで導くシステム、(c)印加される電界強度
に応じて透過光の強度が変化するように構成された光学
素子を用いて電界強度変化を光強度変化に変換し、上記
光学素子と光源及び測定器に接続された光検出器間を光
ファイバで接続するシステムがある。Conventionally, the electromagnetic noise measurement system as described above includes (a) a system which receives a signal using a normal antenna and guides it to a measuring instrument via a coaxial cable, and (b) detects a signal received using an antenna. (C) a system in which the intensity of transmitted light changes according to the applied electric field intensity, and the electric field intensity change is converted into light intensity. There is a system in which the optical element is connected to a light detector connected to a light source and a measuring device by an optical fiber.
【0004】前記(a)のシステムが最も一般的である
が、同軸ケーブル等の電気ケーブルの存在により電界分
布が乱れてしまったりケーブル途中からのノイズ混入の
おそれがある等の問題があるため、光フファイバを用い
た前記記(b),(c)のシステムが開発されている。The above-mentioned system (a) is the most common, but there are problems such as the electric field distribution being disturbed by the presence of an electric cable such as a coaxial cable and the possibility of noise being mixed in the middle of the cable. The systems (b) and (c) using an optical fiber have been developed.
【0005】前記システムのうち(b)のシステムは、
ダイオードで検波した信号を増幅して発光ダイオードに
加えて光信号に変換して光ファイバで光検出器に導くも
のであるが、センサヘッド部に電気回路やバッテリを必
要とするため、ある大きさの金属部分が存在しかつ形状
も大きくなってしまい、また、電界の検出感度が低く応
答速度が遅いという欠点がある。[0005] Among the above systems, the system (b) is as follows:
The signal detected by the diode is amplified and added to the light emitting diode, converted to an optical signal, and guided to the photodetector by an optical fiber.However, since an electric circuit and a battery are required for the sensor head, a certain size is required. However, there is a disadvantage that the metal part exists and the shape becomes large, and the detection sensitivity of the electric field is low and the response speed is low.
【0006】また、前記(c)のシステムでは、電界強
度を透過光の強度変化に変換する光学素子として電気光
学効果を有する結晶を用いている。その素子構造として
は、光ファイバの出射光をレンズで平行光として小型ア
ンテナを取り付けた結晶中を通過させて結晶中の電界に
より偏光状態を変化させ、検光子で強度変化に変換した
後再び光ファイバに結合するバルク型素子と、結晶上に
設けた光導波路により上記光学素子を構成する導波路型
素子があり、通常、導波路型のほうがバルク型よりも1
0倍以上検出感度が高い。In the system (c), a crystal having an electro-optical effect is used as an optical element for converting an electric field intensity into a change in transmitted light intensity. The element structure is such that the light emitted from the optical fiber is converted into parallel light by a lens, passes through a crystal equipped with a small antenna, changes the polarization state by an electric field in the crystal, and is converted into a change in intensity by an analyzer, and then converted again into light. There are a bulk-type element coupled to a fiber and a waveguide-type element constituting the above-mentioned optical element by an optical waveguide provided on a crystal.
Detection sensitivity is higher than 0 times.
【0007】図5は従来の導波路型素子による電界セン
サヘッド101の構成例を示す。この電界センサヘッド
101は、c軸に垂直に切り出したニオブ酸リチウム結
晶の基板102と、この基板102上にチタンを拡散し
て入射光導波路103およびこの入射光導波路103か
ら分岐された位相シフト光導波路104,105と、こ
れらの位相シフト光導波路104,105が合流して結
合した出射光導波路106とを有している。入射光導波
路103の入射端には入射光ファイバ107が結合さ
れ、出射光導波路106の出射端には出射光ファイバ1
08が接続されている。FIG. 5 shows a configuration example of an electric field sensor head 101 using a conventional waveguide element. The electric field sensor head 101 is composed of a lithium niobate crystal substrate 102 cut out perpendicular to the c-axis, an incident optical waveguide 103 by diffusing titanium onto the substrate 102, and a phase shift optical waveguide branched from the incident optical waveguide 103. Waveguides 104 and 105 and an output optical waveguide 106 in which these phase-shifted optical waveguides 104 and 105 are joined and coupled. An incident optical fiber 107 is coupled to an incident end of the incident optical waveguide 103, and an exit optical fiber 1 is coupled to an exit end of the exit optical waveguide 106.
08 is connected.
【0008】また、位相シフト光導波路104,105
上には1対の電極109が設けられ、これらの電極10
9はロッドアンテナ110に接続されている。図5にお
いて、入射光ファイバ107からの入射光111は入射
光導波路103に入射した後、位相シフト光射導波路1
04,105にエネルギーが分割される。電界が印加さ
れた場合、ロッドアンテナ110により電極109に電
圧が誘起されて位相シフト光導波路104,105中に
は深さ方向に互いに反対向きの電界成分が生ずる。この
結果、電気光学効果により屈折率変化が生じて位相シフ
ト光導波路104,105を伝搬する光波間には印加電
界の大きさに応じた位相差が生じ、それらが合流して出
射光導波路106に結合する場合に干渉により光強度が
変化する。すなわち、印加電界強度に応じて出射光ファ
イバ108に出射する出射光112の強度は変化するこ
とになり、その光強度変化を光検出器で測定することに
より印加電界の強度を測定できる。Also, phase shift optical waveguides 104 and 105
A pair of electrodes 109 is provided on the top, and these electrodes 10
9 is connected to the rod antenna 110. In FIG. 5, the incident light 111 from the incident optical fiber 107 enters the incident optical waveguide 103, and then enters the phase-shifted light emitting waveguide 1.
The energy is divided into 04 and 105. When an electric field is applied, a voltage is induced in the electrode 109 by the rod antenna 110, and electric field components in the phase-shifted optical waveguides 104 and 105 are generated in opposite directions in the depth direction. As a result, a change in the refractive index occurs due to the electro-optic effect, and a phase difference corresponding to the magnitude of the applied electric field occurs between the light waves propagating through the phase shift optical waveguides 104 and 105. When coupled, the light intensity changes due to interference. That is, the intensity of the outgoing light 112 emitted to the outgoing optical fiber 108 changes according to the intensity of the applied electric field, and the intensity of the applied electric field can be measured by measuring the change in the light intensity with a photodetector.
【0009】図6は、図5に示す従来の前記電界センサ
ヘッド101を用いた電界センサを示す。図5の電界セ
ンサヘッド101の入射光ファイバ107が送信用光フ
ァイバ113を介して光源114に接続され、出射光フ
ァイバ108が受信用光ファイバ115を介して光検出
器116に接続されている。図6では省略してあるが、
光検出器116からの検出された電気信号は、通常の電
圧計、電流計またははスペクトラムアナライザ等の測定
器に接続される。FIG. 6 shows an electric field sensor using the conventional electric field sensor head 101 shown in FIG. An incident optical fiber 107 of the electric field sensor head 101 in FIG. 5 is connected to a light source 114 via a transmitting optical fiber 113, and an emitting optical fiber 108 is connected to a photodetector 116 via a receiving optical fiber 115. Although omitted in FIG. 6,
The detected electric signal from the photodetector 116 is connected to a measuring instrument such as a normal voltmeter, an ammeter, or a spectrum analyzer.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のこの種
の電界センサは、高電界を検出する場合には、わずかに
数ミクロン〜数十ミクロンの間隔の2つの電極に電圧印
加によって誘起された電荷の放電のために電極が破損し
やすいから、高電界の検出に適用することは困難である
という問題がある。However, this type of conventional electric field sensor, when detecting a high electric field, is induced by applying a voltage to two electrodes at intervals of only a few to several tens of microns. There is a problem that it is difficult to apply the method to detection of a high electric field because the electrodes are easily damaged due to discharge of electric charges.
【0011】本発明の目的は、高電界を検出するのに適
している電界センサを提供することにある。It is an object of the present invention to provide an electric field sensor suitable for detecting a high electric field.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は、前記の課題を
解決するために、印加される電界強度に応じて透過する
光の強度が変化するように構成されたセンサヘッドと、
このセンサヘッドに接続された入射光ファイバおよび出
射光ファイバと、前記入射光ファイバの一端に結合され
この入射光ファイバに光を照射する光源と、前記センサ
ヘッドを透過して前記出射光ファイバから出射する透過
光を検出するための光検出器とを具備する電界センサに
おいて、前記センサヘッドは、電気光学効果を有する基
板と、この基板上に形成され前記入射光ファイバに接続
した入射光導波路と、前記基板上に形成され前記入射光
導波路から分岐された2つの分岐光導波路と、これらの
分岐光導波路を合流して結合され前記出射光ファイバに
接続された出射光導波路と、これらの分岐光導波路また
は分岐部の少なくとも一部の近傍に設けられ電界を遮蔽
する電界遮蔽部材とを有していることを特徴とする。According to the present invention, there is provided a sensor head configured to change the intensity of transmitted light in accordance with the intensity of an applied electric field.
An input optical fiber and an output optical fiber connected to the sensor head; a light source coupled to one end of the input optical fiber for irradiating the input optical fiber with light; and a light source transmitted through the sensor head and emitted from the output optical fiber. In an electric field sensor comprising a photodetector for detecting transmitted light, the sensor head has a substrate having an electro-optical effect, and an incident optical waveguide formed on the substrate and connected to the incident optical fiber, Two branch optical waveguides formed on the substrate and branched from the incident optical waveguide, an output optical waveguide connected to the output optical fiber by combining these branch optical waveguides, and these branch optical waveguides; Alternatively, there is provided an electric field shielding member provided near at least a part of the branch portion to shield an electric field.
【0013】また、本発明は、印加される電界強度に応
じて透過する光の強度が変化するように構成されたセン
サヘッドと、このセンサヘッドに接続された入出射光フ
ァイバと、この入出射光ファイバの入出射端に結合され
ているサーキュレータと、このサーキュレータを介して
前記入出射光ファイバに光を照射する光源と、前記サー
キュレータから出射する透過光を検出するための光検出
器とを具備する電界センサにおいて、前記センサヘッド
は、電気光学効果を有する基板と、この基板上に形成さ
れ前記入出射光ファイバに接続した入出射光導波路と、
前記基板上に形成され前記入出射光導波路から分岐され
た2つの分岐光導波路と、前記基板に設けられ前記分岐
光導波路からの光を反射する反射ミラーと、前記分岐光
導波路の少なくとも一部の近傍に設けられ電界を遮蔽す
る電界遮蔽部材とを有していることを特徴とする。Further, the present invention provides a sensor head configured to change the intensity of transmitted light according to the intensity of an applied electric field, an input / output optical fiber connected to the sensor head, and an input / output optical fiber. An electric field comprising: a circulator coupled to an input / output end of the optical fiber; a light source for irradiating the input / output optical fiber with light through the circulator; and a photodetector for detecting transmitted light emitted from the circulator. In the sensor, the sensor head includes a substrate having an electro-optic effect, and an input / output optical waveguide formed on the substrate and connected to the input / output optical fiber,
Two branch optical waveguides formed on the substrate and branched from the input / output optical waveguide, a reflection mirror provided on the substrate and reflecting light from the branch optical waveguide, and at least a part of the branch optical waveguide. And an electric field shielding member provided in the vicinity to shield the electric field.
【0014】[0014]
【実施例】まず、本発明の第1の実施例を図1に基いて
説明する。本発明の電界センサは、印加される電界強度
に応じて透過する光の強度が変化するように構成された
センサヘッド1と、このセンサヘッド1に接続された入
射光ファイバ2および出射光ファイバ3と、前記入射光
ファイバ2の一端に結合されこの入射光ファイバ2に光
を照射する半導体レーザなどの光源(図示せず)と、前
記センサヘッド1を透過して前記出射光ファイバ3から
出射する透過光を検出するための光検出器(図示せず)
とを具備する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The electric field sensor according to the present invention includes a sensor head 1 configured so that the intensity of light passing therethrough changes according to the intensity of an applied electric field, and an input optical fiber 2 and an output optical fiber 3 connected to the sensor head 1. And a light source (not shown) such as a semiconductor laser coupled to one end of the incident optical fiber 2 for irradiating the incident optical fiber 2 with light, and transmitting through the sensor head 1 and emitting from the output optical fiber 3. Photodetector (not shown) for detecting transmitted light
And
【0015】前記センサヘッド1は、電気光学効果を有
する基板4と、この基板4上に形成され前記入射光ファ
イバ2に接続した入射光導波路5と、前記基板4上に形
成され前記入射光導波路5から分岐された2つの分岐光
導波路6と、これらの分岐光導波路6を合流して結合さ
れ前記出射光ファイバ3に接続された出射光導波路7
と、前記分岐光導波路6の一部の近傍に設けられ電界を
遮蔽する電界遮蔽部材8とを有している。前記電界遮蔽
部材8は、導電物質または電波吸収物質などで構成され
る。The sensor head 1 comprises a substrate 4 having an electro-optic effect, an incident optical waveguide 5 formed on the substrate 4 and connected to the incident optical fiber 2, and an incident optical waveguide 5 formed on the substrate 4 5, and an outgoing optical waveguide 7 connected to the outgoing optical fiber 3 by joining the two branched optical waveguides 6 and joining them.
And an electric field shielding member 8 provided near a part of the branch optical waveguide 6 to shield an electric field. The electric field shielding member 8 is made of a conductive material or a radio wave absorbing material.
【0016】前記分岐導波路6上に配置した電界遮蔽部
材8によって電界が遮蔽され、他の一方の分岐光導波路
6においては印加電界に依存して屈折率が変化し、その
結果、これらが合流する出射光導波路7においては光波
の位相差が生じ、印加する電界の強度の変化に対応した
出射光の強度が検出される。The electric field is shielded by the electric field shielding member 8 disposed on the branch waveguide 6, and the refractive index of the other branch optical waveguide 6 changes depending on the applied electric field. A phase difference of the light wave is generated in the outgoing light waveguide 7, and the intensity of the outgoing light corresponding to the change in the intensity of the applied electric field is detected.
【0017】より具体的に説明すると、前記分岐光導波
路6は、ニオブ酸リチウム結晶からなる基板(Z板)4
上に対称に分岐して形成されている。光の吸収を防ぐた
めのバッファ層として二酸化珪素(SiO2 )膜で分岐
光導波路6の全表面をコートした上で、分岐光導波路6
の一部に金属からなる電界遮蔽部材8が形成されてい
る。More specifically, the branch optical waveguide 6 includes a substrate (Z plate) 4 made of lithium niobate crystal.
It is symmetrically branched upward. After coating the entire surface of the branch optical waveguide 6 with a silicon dioxide (SiO 2 ) film as a buffer layer for preventing light absorption, the branch optical waveguide 6
An electric field shielding member 8 made of metal is formed on a part of the.
【0018】図2は、本発明の第2の実施例を示す。こ
の第2の実施例において、第1の実施例と同じ構成要素
に同じ符号が付されている。図2のセンサヘッド1は、
前記電界遮蔽部材8が両方の分岐光導波路6の上に形成
されていると共に分岐光導波路6の上における電界遮蔽
部材8の長さが異なるものである。この第2の実施例
は、前記第1の実施例とほぼ同様の特性を有する。FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention. In the second embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals. The sensor head 1 of FIG.
The electric field shielding member 8 is formed on both of the branch optical waveguides 6 and the electric field shielding members 8 on the branch optical waveguide 6 have different lengths. The second embodiment has substantially the same characteristics as the first embodiment.
【0019】図3は、本発明の第3の実施例を示す。こ
の第3の実施例において、第1の実施例と同じ構成要素
に同じ符号が付されている。図3の電界センサは、印加
される電界強度に応じて透過する光の強度が変化するよ
うに構成されたセンサヘッド1と、このセンサヘッド1
に接続された入出射光ファイバ9と、この入出射光ファ
イバ9の入出射端に結合されているサーキュレータ10
と、このサーキュレータ10およびレンズ12を介して
前記入出射光ファイバ9に光を照射する光源11と、前
記サーキュレータ10から出射する透過光を検出するた
めの光検出器13と、この光検出器13からの検出信号
を計測する計測器14とを具備する。FIG. 3 shows a third embodiment of the present invention. In the third embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals. The electric field sensor shown in FIG. 3 includes a sensor head 1 configured so that the intensity of light passing therethrough changes according to the intensity of an applied electric field, and the sensor head 1.
And the circulator 10 coupled to the input / output end of the input / output optical fiber 9.
A light source 11 for irradiating the input / output optical fiber 9 with light via the circulator 10 and the lens 12; a light detector 13 for detecting transmitted light emitted from the circulator 10; And a measuring device 14 for measuring a detection signal from the device.
【0020】図4に示すように、前記センサヘッド1
は、電気光学効果を有する基板4と、この基板4上に形
成され前記入出射光ファイバ9に接続した入出射光導波
路15と、前記基板4上に形成され前記入出射光導波路
15から分岐された2つの分岐光導波路6と、前記基板
4に設けられ前記分岐光導波路6からの光を反射する反
射ミラー16と、前記分岐光導波路6の一部の近傍に設
けられ電界を遮蔽する電界遮蔽部材8とを有している。
前記入出射光ファイバ9は、偏波保持ファイバからな
る。前記反射ミラー16は、誘電体ミラー、通常のミラ
ーまたは反射コートで構成される。As shown in FIG. 4, the sensor head 1
Is a substrate 4 having an electro-optic effect, an input / output optical waveguide 15 formed on the substrate 4 and connected to the input / output optical fiber 9, and a branch from the input / output optical waveguide 15 formed on the substrate 4 The two branched optical waveguides 6, a reflection mirror 16 provided on the substrate 4 for reflecting light from the branched optical waveguide 6, and an electric field shield provided near a part of the branched optical waveguide 6 for shielding an electric field. And a member 8.
The input / output optical fiber 9 is a polarization maintaining fiber. The reflection mirror 16 is constituted by a dielectric mirror, a normal mirror or a reflection coat.
【0021】この第3の実施例においては、前記電界遮
蔽部材8が存在する範囲では電界が遮蔽され、他方の分
岐光導波路6においては印加電界に依存して屈折率が変
化する。その結果、これらが合流する入出射光導波路1
5においては、光波の位相差が生じ、印加する電界強度
の変化の対応した出射光の強度が計測される。In the third embodiment, the electric field is shielded in the range where the electric field shielding member 8 exists, and the refractive index of the other branch optical waveguide 6 changes depending on the applied electric field. As a result, the incoming and outgoing optical waveguide 1 where these converge
In 5, the phase difference of the light wave occurs, and the intensity of the emitted light corresponding to the change in the applied electric field intensity is measured.
【0022】[0022]
【発明の効果】本発明の電界センサは、光導波路に形成
される電界遮蔽部材が単一であるから、放電およびこれ
による破壊が生じないので、高電界の検出に適してい
る。The electric field sensor according to the present invention is suitable for detecting a high electric field because the electric field shielding member formed on the optical waveguide is single, so that the electric discharge and the destruction due to the electric discharge do not occur.
【図1】本発明の第1の実施例を示す正面図である。FIG. 1 is a front view showing a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施例を示す正面図である。FIG. 2 is a front view showing a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第3の実施例を示すブロック図であ
る。FIG. 3 is a block diagram showing a third embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第3の実施例の要部を示す正面図であ
る。FIG. 4 is a front view showing a main part of a third embodiment of the present invention.
【図5】従来の電界センサのセンサヘッドを示す正面図
である。FIG. 5 is a front view showing a sensor head of a conventional electric field sensor.
【図6】従来の電界センサを示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing a conventional electric field sensor.
1 センサヘッド 2 入射光ファイバ 3 出射光ファイバ 4 基板 5 入射光導波路 6 分岐光導波路 7 出射光導波路 8 電界遮蔽部材 9 入出射光ファイバ 10 サーキュレータ 11 光源 12 レンズ 13 光検出器 14 計測器 15 入出射光導波路 16 反射ミラー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sensor head 2 Incident optical fiber 3 Outgoing optical fiber 4 Substrate 5 Incident optical waveguide 6 Branch optical waveguide 7 Outgoing optical waveguide 8 Electric field shielding member 9 Incoming / outgoing optical fiber 10 Circulator 11 Light source 12 Lens 13 Photodetector 14 Measuring instrument 15 Incoming / outgoing light guide Wave path 16 Reflection mirror
Claims (2)
の強度が変化するように構成されたセンサヘッドと、こ
のセンサヘッドに接続された入射光ファイバおよび出射
光ファイバと、前記入射光ファイバの一端に結合されこ
の入射光ファイバに光を照射する光源と、前記センサヘ
ッドを透過して前記出射光ファイバから出射する透過光
を検出するための光検出器とを具備する電界センサにお
いて、前記センサヘッドは、電気光学効果を有する基板
と、この基板上に形成され前記入射光ファイバに接続し
た入射光導波路と、前記基板上に形成され前記入射光導
波路から分岐された2つの分岐光導波路と、これらの分
岐光導波路を合流して結合され前記出射光ファイバに接
続された出射光導波路と、これらの分岐光導波路または
分岐部の少なくとも一部の近傍に設けられ電界を遮蔽す
る電界遮蔽部材とを有していることを特徴とする電界セ
ンサ。1. A sensor head configured to change the intensity of light transmitted according to the intensity of an applied electric field, an input optical fiber and an output optical fiber connected to the sensor head, and the input optical fiber A light source coupled to one end of the optical fiber for irradiating the incident optical fiber with light, and a light detector for detecting transmitted light transmitted through the sensor head and emitted from the output optical fiber; The sensor head includes a substrate having an electro-optical effect, an incident optical waveguide formed on the substrate and connected to the incident optical fiber, and two branch optical waveguides formed on the substrate and branched from the incident optical waveguide. An outgoing optical waveguide connected to the outgoing optical fiber by merging these branched optical waveguides, and at least one of these outgoing optical waveguides or branches. An electric field sensor comprising: an electric field shielding member provided near a part of the electric field shielding member.
の強度が変化するように構成されたセンサヘッドと、こ
のセンサヘッドに接続された入出射光ファイバと、この
入出射光ファイバの入出射端に結合されているサーキュ
レータと、このサーキュレータを介して前記入出射光フ
ァイバに光を照射する光源と、前記サーキュレータから
出射する透過光を検出するための光検出器とを具備する
電界センサにおいて、前記センサヘッドは、電気光学効
果を有する基板と、この基板上に形成され前記入出射光
ファイバに接続した入出射光導波路と、前記基板上に形
成され前記入出射光導波路から分岐された2つの分岐光
導波路と、前記基板に設けられ前記分岐光導波路からの
光を反射する反射ミラーと、前記分岐光導波路の少なく
とも一部の近傍に設けられ電界を遮蔽する電界遮蔽部材
とを有していることを特徴とする電界センサ。2. A sensor head configured to change the intensity of transmitted light in accordance with an applied electric field intensity, an input / output optical fiber connected to the sensor head, and an input / output end of the input / output optical fiber. A circulator coupled to a light source for irradiating the input / output optical fiber with light through the circulator, and an electric field sensor including a photodetector for detecting transmitted light emitted from the circulator, The sensor head includes a substrate having an electro-optic effect, an input / output optical waveguide formed on the substrate and connected to the input / output optical fiber, and two branches formed on the substrate and branched from the input / output optical waveguide. An optical waveguide, a reflection mirror provided on the substrate for reflecting light from the branch optical waveguide, and a reflection mirror provided near at least a part of the branch optical waveguide. An electric field sensor, comprising: an electric field shielding member that shields an applied electric field.
Priority Applications (11)
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| DE69431513T DE69431513T2 (en) | 1993-07-07 | 1994-07-07 | SENSORS FOR ELECTRICAL FIELDS |
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