JP3364709B2 - Work removal method in polishing machine - Google Patents
Work removal method in polishing machineInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は超LSI等の製造工程で
基板と成る半導体ウエハであるワークを研磨加工後にベ
ースプレートから取外す方法に関するものであり、更
に、詳細には、脆性で極薄化、拡径化されたワークであ
る半導体ウエハを損傷させること無く安全に且つ確実に
ベースプレートから取り外す方法に関するものである。
【0002】
【発明の背景】本発明に係るこの種のワークである半導
体ウエハにおいては、コンピュータ等の電子関連機器、
OA機器等の集積回路に使用されており、その開発は日
々進歩しており機器そのものの小型化に伴うより一層の
極薄化と、生産性の観点からのより一層の拡径化と、歩
留まりの観点からのより一層の超高精度の品質が要求さ
れてきている。
【0003】又、これ等の半導体ウエハのデバイスは、
高密度化、高集積化に伴って、64メガバイト以上の超
LSI(ULSI)の生産が必要と成ってきており、更
に、近年では256メガバイト或いは1ギガバイト等の
超LSIの開発もされている。
【0004】これ等の半導体デバイスの表面には配線層
(メタル膜)や絶縁膜(酸化膜等)或いはポリシリコン
膜(半導体膜)が多層膜として形成されるものであり、
つまり、LSIが一階建てに対して超LSIは二階建
て、三階建てに相当する構造となっており、製造工程で
夫々の各層へ超高精度の平坦精度及び鏡面精度を有する
研磨加工を必要としている。
【0005】
【従来技術】従来、これ等の研磨装置等のワークを保持
するベースプレートは、ワークをバキューム吸着し研磨
を施して、加工後にバキューム吸着を開放し、エアを逆
送して半導体ウエハを取り外しているが、ベースプレー
トにポーラスセラミック或いは多数の小孔を穿設したプ
レートを使用しなければならず、更に、バキュームを維
持するためにそれ等の装置を付設しなければならなく、
研磨装置をコストアップさせており、その為に、ベース
プレートに軟質プレートを積層し、該軟質プレートにワ
ークを水張りをして、ピンセット等の取外し用治具を用
いて取り外したり、ウォーターガンを当てて水の噴射に
より取り外していた。
【0006】
【解決しようとする課題】然し乍、ピンセット等の取外
し用治具を用いてワークを取り外す場合、ワークと軟質
プレートのピンセットの先を挿通させるためワークを損
傷することが屡々あり、又、ウォーターガンを当てて取
り外す場合は、手作業で取り外すことと成り、非能率的
であった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、一方の回転軸
に固着された研磨プレートと、研磨プレートと対面し他
方の回転軸に固着されたベースプレートと、ベースプレ
ートに貼着した軟質プレートと、軟質プレートの外周辺
に周設したコントロールリングと、コントロールリング
の内周面に刻設したスリットと、スリットの近傍に配設
した液体噴射機構と、コントロールリング内の軟質プレ
ートに水貼りされたワークとから成るものである。
【0008】
【発明の作用】本発明は、研磨プレートと軟質プレート
との間に挾圧され研磨加工された後のワークの取外し方
法であって、コントロールリングに刻設したスリットに
液体を噴射可能に液体噴射機構の噴射口を位置させて、
ベースプレートを固着した回転軸を回転させることによ
ってコントロールリングを回転させながら、噴射口から
スリットのワークと軟質プレートとの間に純水等の液体
を噴射して取り外すもので、ワークの貼着面の界面張力
を液体により破壊させるためワークに損傷を与えること
無く安全且つ容易に取り外せるものである。
【0009】従って、本発明の目的は、研磨装置のベー
スプレートへ軟質プレートを用いたこと、コントロール
リングの内周面にスリットを設け、ベースプレートを回
転させながらスリットに液体を噴射させるもので、ワー
クの取外しを容易化して自動化が図れ、更に、接触する
ことなく取り外すためワークを損傷させることは皆無で
あり、極薄化、拡径化、超高精度の品質に対応できる取
外し方法を提供することを目的とするものである。
【0010】
【発明の実施例】次いで、本発明の実施例を図面によっ
て説明する。
【0011】図1は本発明の研磨装置におけるワークの
取外し方法の実施前の概要説明図であり、図2は本発明
の研磨装置におけるワークの取外し方法の実施例の説明
のためのベースプレートの要部説明図であり、図3は本
発明の研磨装置におけるワークの取外し方法の次実施例
の説明のためのベースプレートの要部説明図である。
【0012】本発明は超LSI等の製造工程で基板と成
る半導体ウエハであるワークWを研磨加工後にベースプ
レート2から取外す方法に関するものであり、更に、詳
細には、脆性で極薄化、拡径化されたワークWである半
導体ウエハを安全に且つ確実にベースプレート2から取
り外す方法に関するものであり、一方の回転軸に固着さ
れた研磨プレート1と、該研磨プレート1と対面し他方
の回転軸に固着されたベースプレート2と、該ベースプ
レート2に貼着した軟質プレート3と、該軟質プレート
3の外周辺にワークWの研磨加工面より頂面を若干低く
して周設したコントロールリング4と、該コントロール
リング4の内周面に刻設したスリット4aと、該スリッ
ト4aの近傍に配設した液体噴射機構5と、前記コント
ロールリング4内の軟質プレート3に水貼りされた平板
状のワークWとから成り、前記研磨プレート1と前記軟
質プレート3との間で挾圧されて研磨された後のワーク
Wの取外し方法であって、前記コントロールリング4の
スリット4aに液体を噴射可能に液体噴射機構5の噴射
口5aを位置させて、ベースプレート2の固着された回
転軸を回転させることによってコントロールリング4を
回転させながら前記噴射口5aから液体を噴射させて取
り外すものである。
【0013】本発明の研磨装置における取外し方法によ
って取り外すワークWは半導体ウエハであって、該半導
体ウエハの研削加工後の研磨加工、並びに、片面に写真
蝕刻法、エピタキシャル成長法、アルミ蒸着法等の手段
により、絶縁膜、配線層、ポリシリコン膜等を形成し、
更に、超LSIではこれ等の工程を繰り返して積層した
もので、各層を形成するにあたり、その都度の超高精度
の平坦加工、鏡面加工に対処できる取外し方法である。
【0014】即ち、本発明の実施例を研磨装置であるポ
リシングマシーンで説明すると、ポリシングマシーンは
不織布、天然又は人工の皮革等のポリシングクロス(図
示しない)を張着させると共に一方の駆動源により回転
される回転軸に固着されて回転する研磨プレート1と、
該研磨プレート1と対面しワークWを保持させると共に
他方の駆動源により回転される回転軸に固着されたアル
ミナセラミック等から成るベースプレート2とからなる
ものである。
【0015】そして、ベースプレート2にはシリコン樹
脂等の軟質部材で形成された軟質プレート3を接着剤、
粘着剤等で貼着しているものであり、更に、該軟質プレ
ート3には後に水張りするワークWを内抱するように外
周辺へコントロールリング4を貼着させたものであり、
該コントロールリング4の頂面はワークWの研磨加工面
より若干低くして周設するもので、ワークWの研磨加工
面とポリシングクロスとが平行状態にあるときは接触し
ないで、非平行状態となると接触する程度の若干高低を
有して研磨加工中のワークWの研磨加工面の特に縁だけ
か強く研磨される縁だれを防止するものである。
【0016】本発明の前記コントロールリング4には内
周面に且つ少なくとも一ヶ所にスリット4aを刻設して
いるものであり、実施例の図面では二ヶ所であるが十ヶ
所程度刻設することが望ましく、該スリット4aは内周
面を刻設するものであればその形状や数は特に限定しな
いものである。
【0017】そして、図2に図示する実施例では、前記
スリット4aの近傍にはポンプ等に連通させた液体噴射
機構5の噴射口5aを配設しているものであり、更に、
図3に図示する次実施例では、ワークと対面するワーク
受けに液体噴射機構5を備えたもので、該液体噴射機構
5の上方に複数の噴射口5aを設けて、該噴射口5aか
ら純水をコントロールリング4のスリット4aに噴射さ
せるものである。
【0018】次いで、ワークWはコントロールリング4
内の軟質プレート3に非研磨面を純水等の液体によって
水貼りさせるもので、研磨プレート1に張設させたポリ
シングクロスとで挟圧されて絶縁膜等の研磨面を研磨加
工されるものである。
【0019】本発明のワークの取外し方法は、前述のよ
うに構成された研磨装置において、ワークWを研磨加工
後にベースプレート2と研磨プレート1とを離間させ、
その後に、純水等を噴射する液体噴射機構5の噴射口5
aをコントロールリング4のスリット4aに噴射可能に
位置させ、ベースプレート2が固着された回転軸を回転
させることにより、ベースプレート2に貼着した軟質プ
レート3とコントロールリング4とワークWが共に回転
するものである。
【0020】この状態で、液体噴射機構5の噴射口5a
から純水等の液体を連続的にスリット4aに噴射させる
ものであり、該スリット4aからワークWと軟質プレー
ト3との間に容易に液体が浸入して短時間で軟質プレー
ト3とワークWとの間の純水等の液体による貼着面の界
面張力を破壊させることを可能とするものである。
【0021】つまり、ワークWを研磨加工後ベースプレ
ート2の回転を止めること無く、液体噴射機構5の噴射
口5aをコントロールリング4のスリット4aに噴射可
能に位置させて、液体を噴射させることによりワークW
を取外すものである。
【0022】
【発明の効果】以上の如く、本発明は超LSIの製造工
程でのワークである脆性で極薄化、拡径化された半導体
ウエハを研磨加工後の平坦精度、鏡面加工に何等障害を
及ぼさずに取外しができるものであり、軟質プレートを
貼着したベースプレートに純水によってワークを容易に
貼着できると共に、コントロールリングを回転させなが
らスリットに水流を噴射させることにより、容易に且つ
短時間でワークを取り外せるものであり、省時間化が図
れるもので、自動化を可能とすると共にワークの乾燥を
防ぎ、加えて、非接触で取り外すためワークを損傷させ
る恐れは皆無であり、其の貢献性は計り知れないものが
あり、極めて有意義な効果を奏するものである。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for removing a workpiece, which is a semiconductor wafer serving as a substrate, in a manufacturing process of a super LSI or the like from a base plate after polishing, and further relates to a method for removing the workpiece. More specifically, the present invention relates to a method for safely and securely removing a semiconductor wafer, which is a brittle, ultrathin, and enlarged work piece, from a base plate without damaging the work. BACKGROUND OF THE INVENTION Semiconductor-type wafers of this type according to the present invention include electronic devices such as computers,
It is used for integrated circuits such as OA equipment, and its development is progressing day by day. Further thinning with the miniaturization of the equipment itself, further diameter enlargement from the viewpoint of productivity, and yield From the standpoint of quality, there has been a demand for even higher precision quality. In addition, these semiconductor wafer devices are:
With the increase in density and the degree of integration, the production of ultra LSI (ULSI) of 64 megabytes or more has become necessary, and in recent years, ultra LSI of 256 megabytes or 1 gigabyte has been developed. On the surface of these semiconductor devices, a wiring layer (metal film), an insulating film (oxide film or the like) or a polysilicon film (semiconductor film) is formed as a multilayer film.
In other words, the LSI has a structure equivalent to a two-story or three-story structure for a one-story LSI, and requires polishing of each layer in the manufacturing process with ultra-high precision flatness and mirror accuracy. And Conventionally, a base plate for holding a work such as a polishing apparatus or the like vacuum-adheres and grinds the work, releases the vacuum suction after processing, and reverses the air to remove the semiconductor wafer. Although removed, a porous ceramic or a plate with a number of small holes perforated on the base plate must be used, and further, such devices must be attached to maintain the vacuum,
We have increased the cost of the polishing equipment, so for this purpose, a soft plate is laminated on the base plate, the work is filled with water on the soft plate, and removed using a removal jig such as tweezers, or applied with a water gun. It was removed by spraying water. [0006] However, when the work is removed by using a removal jig such as tweezers, the work is often damaged because the tip of the tweezers of the soft plate and the work is inserted. In the case of removing by applying a water gun, the removal has to be done manually, which is inefficient. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a polishing plate fixed to one rotating shaft, a base plate facing the polishing plate and fixed to the other rotating shaft, and a soft plate adhered to the base plate. The plate, the control ring provided around the outer periphery of the soft plate, the slit carved on the inner peripheral surface of the control ring, the liquid ejection mechanism arranged near the slit, and the water attached to the soft plate inside the control ring Work that has been completed. According to the present invention, there is provided a method for removing a work after being polished by being pressed between a polishing plate and a soft plate, and capable of ejecting a liquid to a slit formed in a control ring. Position the injection port of the liquid injection mechanism at
While rotating the control ring by rotating the rotating shaft to which the base plate is fixed, the liquid such as pure water is ejected from the injection port between the slit work and the soft plate and removed, and the work Since the interfacial tension is broken by the liquid, it can be safely and easily removed without damaging the work. Accordingly, an object of the present invention is to use a soft plate as a base plate of a polishing apparatus, provide a slit on an inner peripheral surface of a control ring, and inject a liquid into the slit while rotating the base plate. It is intended to provide a detaching method that can be easily automated for removal and that can be removed without contact, so that there is no damage to the workpiece, and it is possible to cope with ultra-thin, large diameter, ultra-high precision quality. It is the purpose. Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic explanatory view of a polishing apparatus according to the present invention before a method for removing a workpiece is performed, and FIG. 2 is a perspective view of a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is an explanatory view of a main part of a base plate for explaining a next embodiment of a method of removing a work in the polishing apparatus of the present invention. The present invention relates to a method of removing a workpiece W, which is a semiconductor wafer serving as a substrate in a manufacturing process of a super LSI or the like, from a base plate 2 after polishing, and more particularly, to a brittle, ultra-thin, and enlarged diameter. The present invention relates to a method for safely and securely removing a semiconductor wafer, which is a structured work W, from a base plate 2, and a polishing plate 1 fixed to one rotating shaft, and a polishing plate 1 facing the polishing plate 1 and being attached to the other rotating shaft. A fixed base plate 2, a soft plate 3 adhered to the base plate 2, a control ring 4 provided around the outer periphery of the soft plate 3 with the top surface slightly lower than the polished surface of the work W, A slit 4a formed on the inner peripheral surface of the control ring 4, a liquid ejecting mechanism 5 disposed near the slit 4a, A method of removing a workpiece W after being polished by being sandwiched between the polishing plate 1 and the soft plate 3 and comprising a flat work W adhered to a soft plate 3 with water. The ejection port 5a of the liquid ejecting mechanism 5 is positioned so that the liquid can be ejected to the slit 4a of the ring 4, and the rotation axis to which the base plate 2 is fixed is rotated to rotate the control ring 4 while the liquid is ejected from the ejection port 5a. And remove it. The workpiece W to be removed by the removal method in the polishing apparatus of the present invention is a semiconductor wafer, and is polished after grinding the semiconductor wafer, and is formed on one surface by a photolithography method, an epitaxial growth method, an aluminum deposition method, or the like. To form an insulating film, a wiring layer, a polysilicon film, etc.,
Further, in the super LSI, these steps are repeated and laminated, and when forming each layer, it is a removal method capable of coping with ultra-high precision flat processing and mirror finishing each time. That is, the embodiment of the present invention will be described with reference to a polishing machine which is a polishing apparatus. The polishing machine has a polishing cloth (not shown) made of non-woven fabric, natural or artificial leather or the like adhered thereto, and is rotated by one driving source. A polishing plate 1 that is fixed to a rotating shaft to be rotated and rotates;
The polishing plate 1 comprises a base plate 2 made of alumina ceramic or the like fixed to a rotating shaft which faces the polishing plate 1 and holds the work W and is rotated by the other drive source. A soft plate 3 made of a soft member such as a silicone resin is bonded to the base plate 2 with an adhesive,
A control ring 4 is adhered to the outer periphery of the soft plate 3 so as to enclose the work W to be filled with water later,
The top surface of the control ring 4 is provided slightly lower than the polished surface of the work W and does not contact when the polished surface of the work W and the polishing cloth are in a parallel state. In other words, it is possible to prevent the edge of the work W being polished, particularly only the edge, from being sharply polished. In the control ring 4 of the present invention, slits 4a are formed in the inner peripheral surface and at least at one place. In the drawings of the embodiment, about two places are provided, but about ten places are provided. The shape and number of the slits 4a are not particularly limited as long as the slits 4a are formed on the inner peripheral surface. In the embodiment shown in FIG. 2, an ejection port 5a of a liquid ejection mechanism 5 connected to a pump or the like is provided near the slit 4a.
In the next embodiment shown in FIG. 3, a work receiving surface facing the work is provided with a liquid ejecting mechanism 5, and a plurality of ejecting ports 5 a are provided above the liquid ejecting mechanism 5, and pure liquid is supplied from the ejecting ports 5 a. Water is injected into the slit 4 a of the control ring 4. Next, the work W is mounted on the control ring 4.
A non-polished surface is affixed to the soft plate 3 with a liquid such as pure water, and is polished with a polishing cloth stretched on the polishing plate 1 to polish a polished surface such as an insulating film. It is. In the method of removing a work according to the present invention, in the polishing apparatus configured as described above, after the work W is polished, the base plate 2 and the polishing plate 1 are separated from each other.
After that, the injection port 5 of the liquid injection mechanism 5 that injects pure water or the like.
a, the soft plate 3 adhered to the base plate 2, the control ring 4, and the work W are rotated together by rotating the rotary shaft to which the base plate 2 is fixed, by positioning the a to be able to be sprayed on the slit 4a of the control ring 4. It is. In this state, the injection port 5a of the liquid injection mechanism 5
, A liquid such as pure water is continuously jetted to the slit 4a, and the liquid easily penetrates between the work W and the soft plate 3 from the slit 4a, so that the soft plate 3 and the work W Between them, it is possible to destroy the interfacial tension of the sticking surface due to a liquid such as pure water. That is, after the workpiece W is polished, the ejection port 5a of the liquid ejection mechanism 5 is positioned so as to be able to eject the liquid to the slit 4a of the control ring 4 without stopping the rotation of the base plate 2, and the liquid is ejected. W
Is to remove it. As described above, the present invention can be applied to the flatness accuracy after polishing a brittle ultra-thin and large-diameter semiconductor wafer which is a work in the process of manufacturing an VLSI, and to the mirror finishing. It can be removed without obstruction, and the workpiece can be easily adhered to the base plate on which the soft plate is adhered with pure water, and easily and easily by jetting a water flow to the slit while rotating the control ring. The work can be removed in a short time, which saves time.It enables automation and prevents the work from drying.In addition, there is no danger of damaging the work because it is removed without contact. The contribution is immeasurable and has a very significant effect.
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の研磨装置におけるワークの取外
し方法の実施前の概要説明図である。
【図2】図2は本発明の研磨装置におけるワークの取外
し方法の実施例の説明のためのベースプレートの要部説
明図である。
【図3】図3は本発明の研磨装置におけるワークの取外
し方法の次実施例の説明のためのベースプレートの要部
説明図である。
【符号の説明】
W ワーク
1 研磨プレート
2 ベースプレート
3 軟質プレート
4 コントロールリング
4a スリット
5 液体噴射機構
5a 噴射口BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic explanatory view of a polishing apparatus according to the present invention before a method of removing a work is performed. FIG. 2 is an explanatory view of a main part of a base plate for explaining an embodiment of a method of removing a work in the polishing apparatus of the present invention. FIG. 3 is an explanatory view of a main part of a base plate for explaining a next embodiment of a method of removing a work in the polishing apparatus of the present invention. [Description of Signs] W Work 1 Polishing Plate 2 Base Plate 3 Soft Plate 4 Control Ring 4a Slit 5 Liquid Injection Mechanism 5a Injection Port
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山下 純一 群馬県安中市中野谷555番地の1 株式 会社スーパーシリコン研究所内 (72)発明者 林 健郎 群馬県安中市中野谷555番地の1 株式 会社スーパーシリコン研究所内 (72)発明者 川副 公之 群馬県安中市中野谷555番地の1 株式 会社スーパーシリコン研究所内 (56)参考文献 特開 平8−229807(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Junichi Yamashita One stock at 555 Nakanoya, Annaka City, Gunma Prefecture Inside the Super Silicon Laboratories (72) Inventor Kenro Hayashi One stock at 555 Nakanoya, Annaka City, Gunma Prefecture Inside the Super Silicon Research Laboratories (72) Inventor Kimiyuki Kawasoe One of 555 Nakanotani, Annaka-shi, Gunma Prefecture Inside the Super Silicon Research Laboratories (56) References JP-A-8-229807 (JP, A) (58) Survey Field (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/304
Claims (1)
と、該研磨プレートと対面し他方の回転軸に固着された
ベースプレートと、該ベースプレートに貼着した軟質プ
レートと、該軟質プレートの外周辺にワークの研磨加工
面より頂面を若干低くして周設したコントロールリング
と、該コントロールリングの内周面に刻設したスリット
と、該スリットの近傍に配設した液体噴射機構と、前記
コントロールリング内の軟質プレートに水貼りされた平
板状のワークとから成り、前記研磨プレートと前記軟質
プレートとの間で挾圧されて研磨された後のワークの取
外し方法であって、前記コントロールリングのスリット
に液体を噴射可能に液体噴射機構の噴射口を位置させ
て、前記ベースプレートが固着された回転軸を回転させ
ることによってコントロールリングを回転させながら前
記噴射口から液体を噴射させて取り外すことを特徴とす
る研磨装置におけるワークの取外し方法。(57) Claims: 1. A polishing plate fixed to one rotating shaft, a base plate facing the polishing plate and fixed to the other rotating shaft, and a soft plate adhered to the base plate. A plate, a control ring provided on the outer periphery of the soft plate with the top surface slightly lower than the polished surface of the work, a slit formed in the inner peripheral surface of the control ring, and a control ring disposed in the vicinity of the slit. Removal of the work after being polished by being sandwiched between the polishing plate and the soft plate, the work being composed of a liquid ejecting mechanism provided and a flat plate-like work attached to a soft plate in the control ring with water. A method, comprising: locating an ejection port of a liquid ejection mechanism such that a liquid can be ejected to a slit of the control ring, and rotating a rotation shaft to which the base plate is fixed. Removal method of the work in the polishing apparatus characterized by removing by a liquid is injected from the injection port while rotating the control ring by Rukoto.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04858598A JP3364709B2 (en) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | Work removal method in polishing machine |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04858598A JP3364709B2 (en) | 1998-02-16 | 1998-02-16 | Work removal method in polishing machine |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233467A JPH11233467A (en) | 1999-08-27 |
| JP3364709B2 true JP3364709B2 (en) | 2003-01-08 |
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ID=12807488
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP3364709B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001291689A (en) * | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Fujikoshi Mach Corp | Polishing apparatus for wafer |
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1998
- 1998-02-16 JP JP04858598A patent/JP3364709B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH11233467A (en) | 1999-08-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071101 Year of fee payment: 5 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081101 Year of fee payment: 6 |
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