JP3366766B2 - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、チョクラルスキー法
（以下、ＣＺ法と称する）により製造された絶縁酸化膜
の耐電圧特性（以下、酸化膜耐圧と称する）に代表され
るデバイス特性に優れたシリコン単結晶およびその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＺシリコン単結晶は、結晶強度が高い
などの優れた特徴を有しているため、従来よりＬＳＩ用
の材料として広く用いられている。ところが、シリコン
単結晶の酸化膜耐圧は、製造方法の根本的な違いにより
大きく異なることが知られており、ＣＺシリコン単結晶
の酸化膜耐圧はフローティングゾーン法により製造され
たシリコン単結晶やＣＺシリコンウェーハ上にシリコン
薄膜をエピタキシャル成長させたウェーハのそれに比べ
て著しく低い。しかしながら、近年のＭＯＳデバイス集
積度の増大にともない、ゲート酸化膜の信頼性向上が強
く望まれるところとなり、酸化膜耐圧はその信頼性を決
定する重要な材料特性の１つであるため、酸化膜耐圧特
性の優れたＣＺシリコン単結晶の製造技術開発が重要視
されていた。

【０００３】酸化膜耐圧の優れたＣＺシリコン単結晶の
製造方法としては、特開平２−２６７１９５号にＣＺ法
により直径１００ｍｍ以上のシリコン単結晶を製造する
方法において、結晶成長速度を０．８ｍｍ／分以下とす
ることを特徴とする方法が開示されている。しかしなが
ら、この方法では生産性が悪いため、実用的ではなかっ
た。

【０００４】また、特許１７４２７５２号では、引き上
げられつつあるシリコン単結晶の１１００℃から９００
℃への温度降下を３時間以上かけてゆっくり行う温度制
御法を実施し、半導体デバイス工程での酸素析出物密度
を減少させる方法が示されているが、後述するように、
本発明者らは酸素析出物密度を低下させる徐冷温度と酸
化膜耐圧特性を改善させる徐冷温度域は異なっており、
酸素析出物密度を減少させる温度域を徐冷するとむしろ
酸化膜耐圧特性が劣化することを見出した。

【０００５】また、特開平５−７０２８３号では、シリ
コン単結晶を製造する際に、成長するシリコン単結晶の
１１５０℃以上になる温度領域がシリコン融液上方に２
８０ｍｍ以上となるような引上げ方法、即ち１１５０℃
以上に限定された温度領域が徐冷される引上げ方法が提
案されている。また同出願人から、特開平５−９０９６
号において、積層欠陥の発生を抑制するとともに酸化膜
耐圧特性を向上させることを目的として、結晶の冷却速
度を遅くするためのある限定された温度制御機構を用い
て結晶製造速度を０．８ｍｍ／分から１．１ｍｍ／分に
限定する方法が提案されている。このように従来の酸化
膜耐圧の改善方法は、ある限定された温度域を徐冷す
る、あるいはある限定された温度制御機構を用いつつあ
る限定された製造速度で結晶製造を行う方法しか存在し
ていなかった。

【０００６】また、文献／セミコンダクター サイエン
ス アンド テクノロジー(Semiconductor Science and
Technology)、７巻、ページ４０６（１９９２年）で
は、結晶製造過程において酸素析出特性に関連する臨界
温度の可変性が述べられているが、酸化膜耐圧特性など
のデバイス特性に関しては一切述べていない。

【０００７】したがって、徐冷温度領域を限定せず、か
つ結晶製造速度を限定しない酸化膜耐圧の優れたＣＺシ
リコン単結晶を製造する方法が必要とされていたが、従
来そのような方法は存在していなかった。また、結晶製
造過程における融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温
度勾配と、酸化膜耐圧に代表されるデバイス特性の関係
を記述した特許文献および技術文献はこれまでに全く見
られない。

【０００８】絶縁酸化膜の耐電圧特性は、上層がアルミ
ニウム、下層がドープされた多結晶シリコンからなる２
層ゲート電極を有し、その電極面積が２０ｍｍ² で、絶
縁酸化膜厚が２５．０ｎｍであるＭＯＳダイオードを当
該シリコン単結晶から切り出したシリコンウェーハ上全
面に実装し、基板シリコンから多数キャリアが注入され
る極性の直流電圧を各ＭＯＳダイオードに印加して電圧
ランピング法により評価される。酸化膜を通して流れる
電流密度が１μＡ／ｃｍ² の時の該酸化膜にかかる平均
電界が８．０ＭＶ／ｃｍ以上の領域は、真性破壊領域あ
るいはＣモード領域と呼ばれ、結晶中に酸化膜耐圧特性
を劣化させる結晶欠陥（以下、耐圧劣化因子と称する）
が存在しないことを示す領域である。該酸化膜を通して
流れる電流密度が１μＡ／ｃｍ² の時の該酸化膜にかか
る平均電界が１．０ＭＶ／ｃｍから８．０ＭＶ／ｃｍの
場合は、Ｂモード領域と呼ばれ、結晶中に耐圧劣化因子
が存在することを示す領域である。従来のＣＺシリコン
結晶は、Ｃモード領域で絶縁破壊するＭＯＳダイオード
の個数の総数に対する割合が、１ウェーハにつき１０か
ら３０％程度であり、Ｂモード領域で絶縁破壊するＭＯ
Ｓダイオードの個数の総数に対する割合も多い。したが
って、Ｃモード領域で絶縁破壊するＭＯＳダイオードの
個数の総数に対する割合が４０％以上であり、Ｂモード
領域で破壊するダイオードが少ない、あるいは、最小破
壊電界値が高い（例えば、６．０ＭＶ／ｃｍ以下で破壊
するダイオードが２０％未満である）ようなＣＺシリコ
ン単結晶が酸化膜耐圧特性の優れたＣＺシリコン結晶で
ある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明
は、徐冷温度領域を限定しない、酸化膜耐圧特性に代表
されるデバイス特性に優れたＣＺシリコン結晶を製造す
る方法および酸化膜耐圧特性に代表されるデバイス特性
に優れたＣＺシリコン結晶を提供することを目的とす
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明においては、ＣＺ法によりシリコン単結晶を
製造する方法のうち、製造されつつある該シリコン単結
晶をある結晶温度領域で徐冷する方法において、融液と
結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配をＧ℃／ｍｍと
し、徐冷温度領域での冷却速度が極小となる温度（以
下、最徐冷温度）をＴ℃した場合、Ｔが １０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇ となるように徐冷する（本発明方法（１））。さらに、
酸化膜耐圧特性を向上させるために、Ｔ±１００℃の温
度領域での冷却速度を１．０℃／分以下にする（本発明
方法（２））。

【００１１】

【００１２】

【作用】以下、図および表を用いながら本発明について
説明する。

【００１３】図１は、本発明の熱処理を施したシリコン
単結晶の酸化膜耐圧を評価する際に、シリコンウェーハ
上に実装したＭＯＳダイオードの断面であり、シリコン
ウェーハ１の上に酸化けい素膜２が形成され、その上に
上層がアルミニウム３、下層がドープされた結晶シリコ
ン４からなる直径５ｍｍの２層ゲート電極５が形成され
ている。

【００１４】次に、本発明の熱処理を施したシリコン単
結晶における酸化膜耐圧特性に関する評価手段を表１に
より説明する。表１は、酸化膜耐圧を測定するために作
製されるＭＯＳダイオードの製造工程を示す表である。

【００１５】

【表１】

【００１６】ＣＺシリコンインゴットをスライスし、ラ
ッピング、ポリッシングなど、通常のシリコンウェーハ
を工業的に製造するために必要な諸過程を経て得られた
ウェーハを洗浄し（１）、ゲート酸化を行って酸化けい
素膜を形成し（２）、多結晶シリコン膜を堆積させ
（３）、この多結晶シリコンにイオン注入してドープす
る（６）。酸化前洗浄（４）および多結晶シリコンの酸
化（５）はイオン注入（６）の前処理である。ついで、
アニール前洗浄（７）を行い、ドライブアニールして多
結晶シリコン中のドーパントを固溶化し（８）、多結晶
シリコン膜をエッチング除去し（９）、アルミニウムを
蒸着しアルミニウム層を形成する（１０）。つぎに、直
径５ｍｍの２層ゲート電極を実装するためにリソグラフ
ィ（１１）によりポジレジスト膜をコートして、パター
ニングした後、アルミニウム膜をエッチングし（１
２）、多結晶シリコン膜をエッチングして（１３）、レ
ジスト膜を除去する（１４）。そして、水素アニールに
よりけい素／酸化けい素膜界面を安定化した後（１
５）、表面にレジスト膜を塗布してＭＯＳダイオードを
保護し（１６）、プラズマエッチングにより裏面多結晶
シリコン膜を除去する（１７）。表面に保護用のレジス
ト膜を再塗布して（１８）、裏面酸化膜をエッチングに
より除去し（１９）、ｐ型の場合には金を、ｎ型の場合
には金・アンチモン合金を蒸着して裏面電極を形成する
（２０）。最後に、保護用レジスト膜を除去した後（２
１）、電圧ランピング法により酸化膜耐圧特性を評価す
る（２２）。電圧ランピング法とは、図１において、基
板シリコンから多数キャリアが注入される極性の直流電
圧をアルミニウム層３と裏面電極との間に印加し、その
電圧を時間に対してステップ状に増加させる方法であ
る。本発明では、該電圧ランピング法の１ステップ当た
りの電圧増加を電界換算で０．２５ＭＶ／ｃｍ、保持時
間を２００ｍｓ／ステップとした。

【００１７】本発明者らは、様々な酸化膜耐圧特性を有
する結晶の融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾
配および製造中の冷却条件を詳細に調査した結果、凝固
界面の温度勾配、冷却条件と耐圧劣化因子の形成の間に
次のような関係があることを発見した。即ち、ＣＺ法に
よるシリコン製造過程において、凝固界面付近で熱平衡
濃度で存在していた真性点欠陥が凝固とともに結晶内に
取り込まれ、結晶の冷却とともに過飽和状態となる。過
飽和となった点欠陥は結晶表面への外方拡散および凝固
界面への坂道拡散によってその濃度は低下するものの、
結晶の冷却速度が速いため、点欠陥の過飽和度は増大す
る。冷却が進み、点欠陥の過飽和度がある臨界値を越え
ると、点欠陥同士が凝集体を形成しはじめる。その凝集
体を核として酸素析出物が形成し、その酸素析出物が耐
圧劣化因子となる。酸素析出物のサイズが酸化膜耐圧特
性に強い影響を及ぼし、サイズが大きいほど酸化膜の絶
縁破壊電界が低くなり、酸化膜耐圧特性は劣化する。逆
に酸素析出物のサイズが小さい場合には、酸素析出物が
高密度に存在していても酸化膜耐圧は劣化しない。一
方、過飽和点欠陥は凝集を開始する直前の高温側で烈し
く対消滅を起こし、濃度が低下する。この濃度の低下が
点欠陥同士の凝集開始温度、即ち酸素析出物の形成開始
温度を低下させ、酸素析出物の成長を抑制し、酸素析出
物のサイズを低下させ、結果として酸化膜耐圧特性を向
上させる。

【００１８】これらの機構により、点欠陥が凝集を開始
する温度以下での徐冷を受けた結晶では、点欠陥の凝集
が進み、酸素析出物の密度は著しく低下するもののサイ
ズは大きくなり、酸化膜耐圧特性は著しく劣化する。そ
れに対し、点欠陥凝集開始温度の直前の高温側での徐冷
を受けた結晶では点欠陥の対消滅が進み、酸素析出物サ
イズは小さくなり、酸化膜耐圧は向上する。

【００１９】凝固界面の温度勾配が急峻な場合には、凝
固界面付近での点欠陥の過飽和度の急激な増大により、
結晶内に取り込まれた点欠陥の界面方面への坂道拡散が
頻繁に生じて点欠陥濃度が著しく低下するため、温度勾
配が穏やかな場合に比べて凝固界面から離れた位置での
点欠陥の過飽和度の増大は、逆に緩やかになる。従っ
て、凝固界面の温度勾配が急峻な場合には、点欠陥同士
が凝集を開始する温度は低温側に移動する。即ち、酸素
析出物の形成開始温度が低温側に移動する。点欠陥の対
消滅が生じる温度（以下、酸化膜耐圧改善温度と称する
こともある）は酸素析出物の形成開始温度の移動に追従
して移動する。従って、酸化膜耐圧改善温度は凝固界面
の温度勾配に依存して可変であり、凝固界面の温度勾配
の増加にともない低温側に移動する。本発明者らは、凝
固界面の温度勾配をＧ℃／ｍｍとし、最徐冷温度をＴ℃
とした場合、Ｔが １０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇ である場合に酸化膜耐圧が改善することを発見した。さ
らに、Ｔ±１００℃の温度領域での冷却速度を１．０℃
／分以下にした場合に、酸化膜耐圧がより改善すること
が分かった。

【００２０】

【実施例】以下に本発明の実施例を挙げて説明するが、
本発明がこれらの実施例の記載によって制限されるもの
でないことは言うまでもない。

【００２１】実施例１ 本発明に用いられるシリコン単結晶製造装置は、通常Ｃ
Ｚ法によるシリコン単結晶製造に用いられるものであれ
ば特に限定されるものではなく、本実施例では図２に示
すような製造装置を用いた。

【００２２】このＣＺシリコン単結晶製造装置は、シリ
コン融液Ｍを収容する石英ルツボ２６ａとこれを保護す
る黒鉛ルツボ２６ｂとから構成されたルツボ２６と育成
されたシリコン単結晶インゴットＳを収容する結晶引上
炉２１である。ルツボ２６の側面部には加熱ヒーター２
４と加熱ヒーター２４からの熱が結晶引上炉外部に逃げ
るのを防止するため断熱部材２３が取り囲むように設置
されており、このルツボ２６は図示されていない駆動装
置と回転治具２５によって接続され、この駆動装置によ
って所定の速度で回転されるとともに、ルツボ２６内の
シリコン融液の減少にともないシリコン融液面が低下す
るのを補うためにルツボ２６を昇降させるようになって
いる。引上炉２１内には、垂下された引上げワイア２７
が設置され、このワイア２７の下端には種結晶２８を保
持するチャック２９が設けられている。この引上げワイ
ア２７の上端側は、ワイヤ巻上機２２に巻き取られて、
シリコン単結晶インゴットを引き上げるようになった引
上げ装置が設けられている。そして、引上炉２１内に
は、引上炉２１に形成されたガス導入口３０からＡｒガ
スが導入され、引上炉２１内を流通してガス流出口３１
から排出される。このようにＡｒガスを流通させるの
は、シリコンの溶融にともなって引上炉２１内に発生す
るＳｉＯをシリコン融液内に混入させないようにするた
めである。温度制御装置４０は引上炉２１内で結晶を徐
冷するために設置している。温度制御装置４０の位置を
上下方向に移動することにより徐冷温度域の変更が行な
われる。温度制御装置４０としては、製造されるシリコ
ン単結晶を取り囲むように設置された黒鉛などの断熱保
温材や加熱ヒーター等が有効である。温度勾配制御装置
５０は引上炉２１内で凝固界面の結晶軸方向の温度勾配
を制御するために設置している。温度勾配制御装置５０
としては、製造されるシリコン単結晶を取り囲むように
設置された黒鉛板や金属板などが冷却には有効で、また
黒鉛板や金属板をガスや液体などを用いて強制冷却して
もよい。一方、シリコン単結晶を取り囲むように設置さ
れた黒鉛などの断熱保温材や加熱ヒーター等が徐冷には
有効である。

【００２３】この装置を使用して、以下の条件で複数の
シリコン単結晶を製造した。融液と結晶の凝固界面の結
晶軸方向の温度勾配をＧ℃／ｍｍ、最徐冷温度をＴ℃と
した場合、図３に示すようにこれらの結晶はいずれも、 １０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇ の関係にあり、かついずれの結晶もＴ±１００℃の温度
領域の冷却速度は常には１．０℃／分以下ではない。

【００２４】この条件で育成された複数のシリコン単結
晶インゴットの製造条件等を表２に示した。

【００２５】

【表２】

【００２６】このインゴットから切りだしたウェーハの
酸化膜耐圧を測定し、図４に示した。これらのシリコン
ウェーハの酸化膜を通して流れる電流密度が１μＡ／ｃ
ｍ²の時に該酸化膜にかかる平均電界が８．０ＭＶ／ｃ
ｍ以上を示すＭＯＳダイオードの個数の総数に占める割
合（Ｃモード比率）はいずれも４０％以上であり、同時
に６．０ＭＶ／ｃｍ以下の電界で破壊するＭＯＳダイオ
ードの個数の総数に対する割合は１ウェーハにつき２０
％未満であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結
晶インゴットから切り出されたウェーハは、良好な酸化
膜耐圧特性を有していることを示している。

【００２７】実施例２ 実施例１の装置を用いて、以下の条件で複数のシリコン
単結晶を製造した。融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向
の温度勾配をＧ℃／ｍｍ、最徐冷温度をＴ℃とした場
合、図５に示すようにこれらの結晶はいずれも、 １０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇ の関係にあり、かついずれの結晶もＴ±１００℃の温度
領域の冷却速度は常に１．０℃／分以下である。

【００２８】この条件で育成された複数のシリコン単結
晶インゴットの製造条件等を表３に示した。

【００２９】

【表３】

【００３０】このインゴットから切りだしたウェーハの
酸化膜耐圧を測定し、図６に示した。これらのシリコン
ウェーハの酸化膜を通して流れる電流密度が１μＡ／ｃ
ｍ²の時に該酸化膜にかかる平均電界が８．０ＭＶ／ｃ
ｍ以上を示すＭＯＳダイオードの個数の総数に占める割
合（Ｃモード比率）はいずれも４０％以上であり、同時
に６．０ＭＶ／ｃｍ以下の電界で破壊するＭＯＳダイオ
ードの個数の総数に対する割合は１ウェーハにつき２０
％未満であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結
晶インゴットから切り出されたウェーハは、良好な酸化
膜耐圧特性を有していることを示している。

【００３１】比較例１ 本比較例では、実施例１の装置を用いて、以下の条件で
複数のシリコン単結晶を製造した。融液と結晶の凝固界
面の結晶軸方向の温度勾配をＧ℃／ｍｍ、最徐冷温度を
Ｔ℃とした場合、図７に示すようにこれらの結晶はいず
れも、 １０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇ の条件を充たしておらず、かついずれの結晶もＴ±１０
０℃の温度領域の冷却速度は常には１．０℃／分以下で
はない。

【００３２】この条件で育成された複数のシリコン単結
晶インゴットの製造条件等を表４に示した。

【００３３】

【表４】

【００３４】このインゴットから切りだしたウェーハの
酸化膜耐圧を測定し、図８に示した。これらのシリコン
ウェーハの酸化膜を通して流れる電流密度が１μＡ／ｃ
ｍ²の時に該酸化膜にかかる平均電界が８．０ＭＶ／ｃ
ｍ以上を示すＭＯＳダイオードの個数の総数に占める割
合（Ｃモード比率）はいずれも４０％未満であり、同時
に６．０ＭＶ／ｃｍ以下の電界で破壊するＭＯＳダイオ
ードの個数の総数に対する割合は１ウェーハにつき２０
％以上であり、酸化膜耐圧特性が良好でないことを示し
ている。

【００３５】比較例２ 本比較例では、実施例１の装置を用いて、以下の条件で
複数のシリコン単結晶を製造した。融液と結晶の凝固界
面の結晶軸方向の温度勾配をＧ℃／ｍｍ、最徐冷温度を
Ｔ℃とした場合、図９に示すようにこれらの結晶はいず
れも、 １０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇ の条件を充たしておらず、かついずれの結晶もＴ±１０
０℃の温度領域の冷却速度は常に１．０℃／分以下であ
る。

【００３６】この条件で育成された複数のシリコン単結
晶インゴットの製造条件等を表５に示した。

【００３７】

【表５】

【００３８】このインゴットから切りだしたウェーハの
酸化膜耐圧を測定し、図１０に示した。これらのシリコ
ンウェーハの酸化膜を通して流れる電流密度が１μＡ／
ｃｍ² の時に該酸化膜にかかる平均電界が８．０ＭＶ／
ｃｍ以上を示すＭＯＳダイオードの個数の総数に占める
割合（Ｃモード比率）はいずれも４０％未満であり、同
時に６．０ＭＶ／ｃｍ以下の電界で破壊するＭＯＳダイ
オードの個数の総数に対する割合は１ウェーハにつき２
０％以上であり、酸化膜耐圧特性が良好でないことを示
している。

【００３９】

【発明の効果】本発明のシリコン単結晶あるいは本発明
の製造方法によるシリコン単結晶は、酸化膜耐圧特性に
代表されるデバイス特性に優れているため、ＭＯＳデバ
イス用ウェーハはもとより各種構造を有するデバイスに
適する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 従来の方法でシリコン単結晶の絶縁酸化膜の
耐電圧特性を評価するために実装したＭＯＳダイオード
の一部断面図である。

【図２】 本発明の実施例に用いたＣＺ法シリコン単結
晶製造装置の概略図である。

【図３】 本発明の実施例１の複数の結晶の融液と結晶
の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配Ｇ℃／ｍｍと最徐冷
温度Ｔ℃の関係を示す図である。

【図４】 本発明の実施例１の複数の結晶の酸化膜耐圧
特性を示す図である。

【図５】 本発明の実施例２の複数の結晶の融液と結晶
の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配Ｇ℃／ｍｍと最徐冷
温度Ｔ℃の関係を示す図である。

【図６】 本発明の実施例２の複数の結晶の酸化膜耐圧
特性を示す図である。

【図７】 比較例１の複数の結晶の融液と結晶の凝固界
面の結晶軸方向の温度勾配Ｇ℃／ｍｍと最徐冷温度Ｔ℃
の関係を示す図である。

【図８】 比較例１の複数の結晶の酸化膜耐圧特性を示
す図である。

【図９】 比較例２の複数の結晶の融液と結晶の凝固界
面の結晶軸方向の温度勾配Ｇ℃／ｍｍと最徐冷温度Ｔ℃
の関係を示す図である。

【図１０】 比較例２の複数の結晶の酸化膜耐圧特性を
示す図である。

【符号の説明】

１…シリコンウェーハ、 ２…酸化けい素膜
（絶縁酸化膜）、３…アルミニウム膜、 ４
…多結晶シリコン、５…２層ゲート電極、２１…結晶引
上炉（ＣＺ法シリコン単結晶製造装置）、２２…ワイア
巻上機、 ２３…断熱部材、２４…加熱ヒー
ター、 ２５…回転治具、２６…ルツボ、２
６ａ…石英ルツボ、 ２６ｂ…黒鉛ルツボ、
２７…引上げワイア、 ２８…種結晶、２９
…チャック、 ３０…ガス導入口、３１
…カス排出口、 ４０…温度制御装置（結
晶徐冷装置）、５０…温度勾配制御装置、Ｍ…シリコン
融液、 Ｓ…シリコン単結晶インゴット。

フロントページの続き (72)発明者 大久保 正道 山口県光市大字島田3434番地 ニッテツ 電子株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−340490（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−267195（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−12493（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−223893（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−70283（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−9096（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 H01L 21/208

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 チョクラルスキー法によりシリコン単結
   晶を製造するに際して、製造されつつある該シリコン単
   結晶をある結晶温度領域で徐冷する方法において、 融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配をＧ℃／
   ｍｍとし、徐冷温度領域での冷却速度が極小となる温度
   をＴ℃とした場合、Ｇの変更にともなってＴが以下の関
   係式 １０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇ を充たすように徐冷温度領域を変更することを特徴とす
   るシリコン単結晶の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のシリコン単結晶の製造
   方法において、徐冷温度領域での冷却速度が極小となる
   温度をＴ℃とした場合、Ｔ±１００℃の温度領域での冷
   却速度が１．０℃／分以下であることを特徴とするシリ
   コン単結晶の製造方法。