JP3377608B2

JP3377608B2 - Integrated circuit components

Info

Publication number: JP3377608B2
Application number: JP17472094A
Authority: JP
Inventors: 宏之田中; 英樹村山; 上高橋
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 1994-07-04
Filing date: 1994-07-04
Publication date: 2003-02-17
Anticipated expiration: 2018-02-17
Also published as: JPH0817991A

Description

Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体集積回
路のような構造物を樹脂により封止して形成される集積
回路部品の構造に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of an integrated circuit component formed by sealing a structure such as a semiconductor integrated circuit with a resin.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路部品(ＩＣ，ＬＳＩ等)
は、電子回路が形成されたチップをアイランドと呼ばれ
る金属板上に載置し、リードとチップとを金線で結合し
た状態で金型のキャビティ内に配置し、熱硬化性の封止
樹脂を流し込むことにより成形される。封止性能を確保
するためには、成形過程で樹脂がキャビティの全体にま
んべんなく充填される必要がある。2. Description of the Related Art Semiconductor integrated circuit components (IC, LSI, etc.)
Is a chip on which an electronic circuit is formed is placed on a metal plate called an island, and the lead and the chip are connected to each other with a gold wire and placed in the cavity of the mold. It is molded by pouring. In order to secure the sealing performance, it is necessary that the entire cavity is uniformly filled with the resin during the molding process.

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近時、
電子機器のコンパクト化、高機能化に対応してＩＣの薄
型化、多ピン化、大チップ化が進み、樹脂が流れるキャ
ビティ内の流路の厚さ、幅が小さくなりつつあり、流動
抵抗の増加により、未充填ボイドの発生や、樹脂の流れ
に押されてアイランドが移動するアイランドシフト、金
線の変形によるショート、断線等の不良が発生する率が
高くなっている。However, in recent years,
In response to the downsizing and high functionality of electronic devices, ICs are becoming thinner, the number of pins is increasing, and the size of chips is increasing. As a result, the thickness and width of the flow path inside the cavity through which the resin flows are becoming smaller. Due to the increase, the rate of occurrence of unfilled voids, island shift in which islands are moved by the flow of resin, short circuit due to deformation of gold wire, disconnection, etc. is increasing.

【０００４】[0004]

【発明の目的】この発明は、上述した従来技術の課題に
鑑みてなされたものであり、金型内の樹脂の流れがスム
ースで被封止構造物全体が一様に樹脂により封止され得
る構造を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and the flow of the resin in the mold is smooth, and the entire structure to be sealed can be uniformly sealed with the resin. It is intended to provide a structure.

【０００５】[0005]

【課題を解決するための手段】この発明にかかる集積回
路部品は、上記の目的を達成させるため、被封止構造物
を金型内に配置して樹脂を封入して構成される集積回路
部品において、金型内での樹脂の流入方向の上流側の流
路が下流側の流路より広くなるよう非対称に構成したこ
とを特徴とする。In order to achieve the above-mentioned object, an integrated circuit component according to the present invention is constructed by placing a structure to be sealed in a mold and encapsulating a resin. In the above method, the flow path on the upstream side of the resin in the mold inflow direction is asymmetrical so as to be wider than the flow path on the downstream side.

【０００６】[0006]

【実施例】以下、この発明にかかる集積回路部品の実施
例を図面に基づいて説明する。集積回路部品は、一般に
図１に示されるように、回路が形成されたチップ１をア
イランド２上に載置し、リード３とチップ１とを金線４
で結合した状態で金型内に流し込まれる樹脂５により封
止して形成される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT An embodiment of an integrated circuit component according to the present invention will be described below with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, an integrated circuit component generally has a chip 1 having a circuit formed thereon mounted on an island 2 and a lead 3 and a chip 1 connected to a gold wire 4.
It is formed by sealing with a resin 5 which is poured into the mold in a state of being bonded with.

【０００７】図２に示されるように、金型１０内では、
樹脂５はアイランド２の下側に位置するゲート１１から
注入され、アイランド２の下側の空間に充填されると共
に、主としてアイランド２とリード３との間の間隙Ｓを
通してアイランド２の上側の空間にも回り込んで充填さ
れる。樹脂５が充填されるにしたがい、金型１０内の空
気はゲート１１の反対側に設けられたエアベント１２か
ら排出される。As shown in FIG. 2, in the mold 10,
The resin 5 is injected from the gate 11 located below the island 2 to fill the space below the island 2 and mainly into the space above the island 2 through the gap S between the island 2 and the lead 3. It also wraps around and is filled. As the resin 5 is filled, the air in the mold 10 is exhausted from the air vent 12 provided on the opposite side of the gate 11.

【０００８】[0008]

【実施例１】図３〜図８は、この発明にかかる集積回路
部品の実施例１を示している。この例では、金型内での
樹脂の流入方向の上流側の流路が下流側の流路より広く
なるようアイランドの形状を非対称に構成している。First Embodiment FIGS. 3 to 8 show a first embodiment of an integrated circuit component according to the present invention. In this example, the shape of the island is asymmetrical so that the flow path on the upstream side in the resin inflow direction in the mold is wider than the flow path on the downstream side.

【０００９】具体的には、図３に示されるように、アイ
ランド２の寸法が、ゲート１１とエアベント１２とを結
ぶ直線に直交する対角線を境として、ゲート側領域２ａ
が１２ｍｍ角の正方形の半分、エアベント側領域２ｂが
１５ｍｍ角の正方形の半分である。このような構成とす
れば、樹脂がチップ上側へと流れる主たる流路となるリ
ード３とアイランド２との間隙がゲート１１に近い側で
は広く、ゲート１１から遠い側では狭くなる。したがっ
て、ゲート１１に近い側では、アイランド２の上側への
樹脂の回り込みが容易となり、反対に、ゲート１１から
遠い側では回り込みが困難となる。Specifically, as shown in FIG. 3, the size of the island 2 is a gate side region 2a with a diagonal line orthogonal to a straight line connecting the gate 11 and the air vent 12 as a boundary.
Is a half of a 12 mm square, and the air vent side region 2b is a half of a 15 mm square. With such a configuration, the gap between the lead 3 and the island 2, which serves as a main flow path for the resin to flow to the upper side of the chip, is wide on the side close to the gate 11 and narrow on the side far from the gate 11. Therefore, on the side close to the gate 11, it becomes easy for the resin to wrap around the upper side of the island 2, and on the contrary, on the side far from the gate 11, wraparound becomes difficult.

【００１０】このような非対称のアイランド形状を持つ
部品を使用した場合における封止時の樹脂の挙動を、対
称のアイランド形状を持つ部品を使用した場合と比較し
て説明する。The behavior of the resin at the time of sealing when a component having such an asymmetric island shape is used will be described in comparison with a case where a component having a symmetrical island shape is used.

【００１１】図４は、アイランドが１２ｍｍ角の正方形
である場合におけるエアベント近傍部分の樹脂の挙動の
シミュレーションである。チップ１の上側に回り込んだ
樹脂５が斜線部分で示すように（ａ）の段階でエアベン
ト１２側に達し、より時間が経過した（ｂ）の段階では
周辺側から中心に回り込むようにして樹脂５が充填され
てゆき、未充填ボイドＶが発生している。FIG. 4 is a simulation of the behavior of the resin in the vicinity of the air vent when the island is a 12 mm square. As shown by the shaded portion, the resin 5 that has wrapped around the upper side of the chip 1 reaches the air vent 12 side in the stage of (a), and wraps around from the peripheral side to the center in the stage of (b) when more time has passed. 5 is being filled, and an unfilled void V is generated.

【００１２】図３の非対称のアイランド形状を持つ部品
の場合には、図５に示したように、樹脂５は（ａ）の段
階でエアベント１２に達するが、より時間が経過した
（ｂ）の段階でも周辺から中心への回り込みは少なく、
未充填ボイドは発生しない。In the case of the component having the asymmetric island shape of FIG. 3, as shown in FIG. 5, the resin 5 reaches the air vent 12 in the stage of (a), but a longer time passes (b). Even at the stage, there is little wraparound from the periphery to the center,
No unfilled voids occur.

【００１３】上記のシミュレーションを数値的に検証し
たのが図６〜８のグラフである。図６は、縦軸にチップ
の対角方向、すなわちゲート１１からエアベント１２に
向かう経路における充填率からチップの側面、すなわち
チップの外形に沿った経路における充填率を引いた差を
とり、横軸に側面に沿った経路における充填率をとって
いる。このグラフでは、１２ｍｍ角の正方形のアイラン
ドを用いたシミュレーション結果が○−○線で示され、
１２ｍｍ角と１５．５ｍｍ角とを組み合わせた非対称の
アイランドを用いた結果が□−□線で表されている。Numerical verification of the above simulation is shown in the graphs of FIGS. In FIG. 6, the vertical axis represents the difference in the diagonal direction of the chip, that is, the filling rate in the path from the gate 11 to the air vent 12 minus the filling rate in the side surface of the chip, that is, the path along the outer shape of the chip, and the horizontal axis. The filling rate is taken along the path along the side. In this graph, the simulation result using a square island of 12 mm square is shown by the line XX,
The result using the asymmetric island which combined 12 mm square and 15.5 mm square is represented by the □-□ line.

【００１４】このグラフを見ることにより、未充填ボイ
ドを発生させるような樹脂の回り込みがどの程度生じる
かを判断することができる。すなわち、縦軸の絶対値が
大きいことは、側面側の充填速度が対角に沿った充填速
度と比較して大きいことを意味しており、この差が大き
いほど空気を巻き込んで未充填ボイドを発生させる可能
性が高くなる。反対に、この差が小さい場合には、空気
の巻き込みが生じ難く、未充填ボイドが発生する可能性
は小さくなる。By looking at this graph, it is possible to determine how much resin wraparound that causes unfilled voids occurs. That is, the large absolute value of the vertical axis means that the filling speed on the side surface side is higher than the filling speed along the diagonal, and the larger this difference is, the more air is involved and the unfilled voids are formed. More likely to occur. On the other hand, if this difference is small, air entrapment is less likely to occur and the possibility of unfilled voids is reduced.

【００１５】図６中で対称、非対称のアイランドを有す
る部品を比較すると、充填率５０％程度までは形状が同
一であるためにほぼ同一の変化となり、これを越えると
非対称の方では樹脂のアイランド上側への回り込みが対
称の場合より制限され、対角、側面の充填率の差が比較
的少なくなっていることが理解できる。Comparing the parts having symmetrical and asymmetrical islands in FIG. 6, since the shapes are the same up to a filling rate of about 50%, the changes are almost the same. It can be seen that the wraparound to the upper side is more restricted than in the case of symmetry, and the difference in the filling rate between the diagonal and side surfaces is relatively small.

【００１６】図７は、ゲートとエアベントとを結ぶ対角
方向に沿ったチップの上下における充填率の差を示すグ
ラフである。縦軸は、それぞれチップの下面と上面とに
おける樹脂前面位置の対角方向の進行の割合の差を示
し、横軸は、注入時間を示している。縦軸の値が０であ
れば、チップ上面と下面とで樹脂の前面が等しい位置ま
で進んでいることを意味し、プラスであれば上面側が先
行、マイナスであれば下面側が先行していることを意味
する。FIG. 7 is a graph showing the difference in filling rate between the top and bottom of the chip along the diagonal direction connecting the gate and the air vent. The vertical axis represents the difference in the rate of progress of the resin front surface position in the diagonal direction between the lower surface and the upper surface of the chip, and the horizontal axis represents the injection time. If the value of the vertical axis is 0, it means that the front surface of the resin has reached the same position on the upper surface and the lower surface of the chip. If the value is positive, the upper surface side precedes, and if the value is negative, the lower surface side precedes. Means

【００１７】図７において、アイランドサイズが１２ｍ
ｍ角の正方形の場合が○−○線で示され、１２ｍｍ角と
１５．５ｍｍ角との非対称形の場合が□−□線で示さ
れ、１５．５ｍｍ角の正方形の場合が△−△線で表され
ている。In FIG. 7, the island size is 12 m.
The square of m-square is indicated by ○-○ line, the asymmetrical shape of 12 mm square and 15.5 mm square is indicated by □-□ line, and the square of 15.5 mm square is △-△ line. It is represented by.

【００１８】樹脂５が注入されるゲート１１はチップ１
の下側に位置するため、注入開始直後は下側の充填率が
高くなるが、上側に樹脂が回り込むに従って充填率差は
小さくなり、充填終了時には０となる。アイランドが１
５．５ｍｍ角の場合には、最初から充填終了まで下側の
充填率が高いため、アイランドを下から持ち上げるモー
メントが大きくなり易く、アイランドシフトが発生しや
すくなる。１２ｍｍ角の場合には、充填開始後比較的す
ぐに充填率差は小さくなり、ほぼ同等の速度でチップ上
下の充填が進行するため、アイランドシフトは発生しに
くいが、充填の後半で上側への樹脂の供給が過剰とな
り、未充填ボイドが発生する可能性が高くなる。The gate 11 into which the resin 5 is injected is the chip 1
Since it is located on the lower side, the filling rate on the lower side increases immediately after the start of injection, but the difference in the filling rate decreases as the resin wraps around the upper side, and becomes zero at the end of filling. 1 island
In the case of 5.5 mm square, since the filling rate on the lower side is high from the beginning to the end of filling, the moment of lifting the island from the bottom tends to be large, and the island shift is likely to occur. In the case of 12 mm square, the filling rate difference becomes relatively small immediately after the start of filling, and the filling up and down of the chips proceeds at almost the same speed, so island shift is unlikely to occur, but in the latter half of filling, the island shift does not occur. Excessive supply of resin increases the possibility of unfilled voids.

【００１９】これに対してアイランドが非対称の場合、
前半の１２ｍｍ角の部分では、アイランド２とリード３
との間隙Ｓが比較的大きく、樹脂はこの間隙Ｓを通して
ゲート１１の位置するチップ下側からチップ１の上側に
回り込んで行くため、１２ｍｍ角の対象形状の場合と同
様に比較的すぐに充填率差が小さくなる。On the other hand, when the island is asymmetric,
In the first 12 mm square part, island 2 and lead 3
Since the gap S between and is relatively large, and the resin wraps around the gap S from the lower side of the chip where the gate 11 is located to the upper side of the chip 1, the resin is filled relatively quickly as in the case of the target shape of 12 mm square. The rate difference becomes smaller.

【００２０】そして、後半の１５．５ｍｍ角の部分で
は、上記の間隙Ｓが比較的小さくなるため、この部分で
のチップ上側への樹脂５の過剰な供給は抑制される。こ
れにより、未充填ボイドの発生を未然に防ぐことができ
る。In the latter half of 15.5 mm square, the above-mentioned gap S is relatively small, so that the excessive supply of the resin 5 to the upper side of the chip in this portion is suppressed. This can prevent the occurrence of unfilled voids.

【００２１】図８は、充填が終了する直前においてチッ
プの上側に注入された樹脂の圧力から下側に注入された
樹脂の圧力を引いた差の分布をゲートからの距離により
表したグラフである。縦軸が圧力差、横軸がゲートから
の距離を表している。FIG. 8 is a graph showing the distribution of the difference obtained by subtracting the pressure of the resin injected to the lower side from the pressure of the resin injected to the upper side of the chip immediately before the end of filling, by the distance from the gate. . The vertical axis represents the pressure difference, and the horizontal axis represents the distance from the gate.

【００２２】図８においても、アイランドサイズが１２
ｍｍ角の場合が○−○線、１２ｍｍ角と１５．５ｍｍ角
との複合形の場合が□−□線、１５．５ｍｍ角の場合が
△−△線で表されている。Also in FIG. 8, the island size is 12
In the case of mm mm, the line is indicated by ◯-◯, in the case of the composite type of 12 mm square and 15.5 mm square, by □-□ line, and in the case of 15.5 mm square is indicated by Δ-Δ line.

【００２３】１５．５ｍｍ角の場合には、樹脂がチップ
の上側に回り込み難いため、エアベントの直前まで圧力
差が存在するのに対し、１２ｍｍ角および複合形の場合
には、樹脂がチップの上側に回り込み易いため、比較的
ゲートの近傍から圧力差が解消されている。圧力差が大
きいほどアイランドが下から上に持ち上げられ易いこと
を意味するため、１５ｍｍ角では他の構成よりもアイラ
ンドシフトが発生し易いことが理解できる。In the case of 15.5 mm square, since the resin is hard to wrap around the upper side of the chip, there is a pressure difference immediately before the air vent, whereas in the case of 12 mm square and the composite type, the resin is above the chip. Since it easily goes around, the pressure difference is eliminated relatively near the gate. It can be understood that the island shift is more likely to occur in the 15 mm square than in the other configurations, because the larger the pressure difference is, the easier the island is lifted from the bottom to the top.

【００２４】以上説明したように、実施例１では、アイ
ランドの形状を非対称として流路幅を上流と下流とで変
更することにより、未充填ボイドやアイランドシフトの
発生を未然に防ぐことができる。なお、実施例１では、
アイランドを寸法の異なる正方形の半分づつを対角線で
つなぎ合わせた形状としているが、リードとアイランド
との間隔を変えるためには、例えば図９に示されるよう
にアイランド２全体を下流側(エアベント１２側)へシフ
トさせるような構成としてもよいし、図１０に示される
ように上記の間隔が下流に向けて徐々に変化するように
変形させてもよい。As described above, in the first embodiment, by making the shape of the island asymmetric and changing the channel width between the upstream and the downstream, it is possible to prevent the occurrence of unfilled voids and island shift. In the first embodiment,
The island has a shape in which squares of different sizes are connected by diagonal lines. To change the distance between the lead and the island, for example, as shown in FIG. ), Or may be deformed so that the above interval gradually changes toward the downstream side, as shown in FIG.

【００２５】[0025]

【実施例２】図１１は、この発明にかかる集積回路部品
の実施例２を示す。実施例２では、下流側におけるリー
ド３の間隔が、上流側より狭く設定されている。Second Embodiment FIG. 11 shows a second embodiment of the integrated circuit component according to the present invention. In the second embodiment, the distance between the leads 3 on the downstream side is set to be narrower than that on the upstream side.

【００２６】具体的には、表１に示すように、エアベン
ト１２近傍のリード間隔を図中外側となる根本部からチ
ップ側となる先端部まで０．０９ｍｍで均一とし、その
他の部分は根本部から先端部に向けて徐々に狭くなるよ
う設定している。Specifically, as shown in Table 1, the lead interval in the vicinity of the air vent 12 is 0.09 mm from the outermost root portion to the tip end tip portion in the figure, and the other portions are the root portion. It is set so that it gradually narrows from the end to the tip.

【００２７】[0027]

【表１】実施例２参考例エアベント側その他リード間隔根本部０．０９０．３３０．３３ (mm) 中間部０．０９０．２３０．２３先端部０．０９０．１３０．１３[Table 1] Example 2 Reference example Air vent side Other Lead spacing Root 0.09 0.33 0.33 (mm) Middle part 0.09 0.23 0.23 Tip 0.09 0.13 0.13

【００２８】一般に、この例のようにリードがチップを
中心として放射状に配置される場合、シード自体の幅は
均一であるため、表１の参考例で示したようにリードの
間隔は根本部が広く、先端部が狭くなる。In general, when the leads are radially arranged with the chip as the center as in this example, the width of the seed itself is uniform. Wide, narrow tip.

【００２９】実施例２では、エアベント近傍のリード自
体の幅を根本部側が広くなるよう特殊な形状とすること
により、リード間隔が他の部分より狭い値で一定となる
よう設定している。エアベント近傍以外の位置では、参
考例と同様に根本部のリード間隔が広くなるよう設定さ
れている。In the second embodiment, the width of the lead itself in the vicinity of the air vent is formed into a special shape so that the root side becomes wider, so that the lead interval is set to a constant value which is narrower than the other portions. At positions other than the vicinity of the air vent, the lead interval of the root portion is set to be wide as in the reference example.

【００３０】実施例２の構成によれば、リードとアイラ
ンドとの間隔は一定であるが、リードの間隔が上流側と
下流側とで異なるため、リードの間を流れる樹脂の量を
制御して未充填ボイドやアイランドシフトの発生を防ぐ
ことができる。According to the configuration of the second embodiment, the distance between the leads and the island is constant, but the distance between the leads is different between the upstream side and the downstream side. Therefore, the amount of resin flowing between the leads is controlled. It is possible to prevent the occurrence of unfilled voids and island shift.

【００３１】図１１に示した実施例２の集積回路部品
と、図１２に示した参考例の集積回路部品とを用いてチ
ップ側、すなわち上面側の充填パターンを計算した結果
をそれぞれ図１３、図１４に示す。図１２の参考例で
は、エアベントの近傍で樹脂がリードの間隙を介して下
側から吹き上がっており、未充填ボイドが発生してい
る。これに対して図１１の実施例２では、エアベント側
のリード間隔が狭いために樹脂が吹き上がらず、未充填
ボイドが発生していない。FIG. 13 shows the results of calculation of the filling pattern on the chip side, that is, the upper surface side, using the integrated circuit component of the second embodiment shown in FIG. 11 and the integrated circuit component of the reference example shown in FIG. 12, respectively. It shows in FIG. In the reference example of FIG. 12, the resin is blown up from the lower side through the gap of the lead near the air vent, and an unfilled void is generated. On the other hand, in Example 2 of FIG. 11, since the lead interval on the air vent side is narrow, the resin does not blow up and no unfilled void is generated.

【００３２】なお、実施例２では、リードの間隔をエア
ベント近傍とその他の部分とで２段階に設定している
が、これを多段階として下流に向けて徐々に間隔が狭く
なるよう設定してもよい。In the second embodiment, the lead spacing is set in two steps in the vicinity of the air vent and the other portions, but this is set in multiple steps so that the spacing is gradually narrowed toward the downstream side. Good.

【００３３】上記の２つの実施例では、アイランドの非
対称化と、リード間隔の調整とを別個の手段として独立
して使用しているが、これらを同時に使用することもで
きる。In the above two embodiments, the asymmetry of the island and the adjustment of the lead spacing are independently used as separate means, but they can be used at the same time.

【００３４】[0034]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、金型内に配置される被封止構造物を樹脂の流れの上
流側の流路が下流側の流路と比較して大きくなるよう設
定することにより、樹脂の流れを適正に制御することが
でき、特に集積回路部品に適用した場合には、未充填ボ
イドやアイランドシフトといった不具合の発生を防止し
て信頼性の高い部品を提供することが可能となる。As described above, according to the present invention, the flow path on the upstream side of the flow of the resin is larger than that of the flow path on the downstream side of the structure to be sealed arranged in the mold. By setting so that the resin flow can be properly controlled, especially when applied to integrated circuit parts, defects such as unfilled voids and island shift can be prevented from occurring, and highly reliable parts can be obtained. It becomes possible to provide.

[Brief description of drawings]

【図１】集積回路部品の一般的な構成を示す一部破断
斜視図である。FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing a general configuration of an integrated circuit component.

【図２】集積回路を製造する際の金型内に配置される
構造物の配置を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing an arrangement of structures arranged in a mold when manufacturing an integrated circuit.

【図３】実施例１にかかる集積回路部品を示す平面図
である。FIG. 3 is a plan view showing an integrated circuit component according to the first embodiment.

【図４】正方形のアイランドを用いた場合の樹脂の挙
動を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a behavior of a resin when a square island is used.

【図５】非対称形のアイランドを用いた場合の樹脂の
挙動を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing the behavior of resin when an asymmetric island is used.

【図６】チップの対角方向の経路と側面に沿った経路
とにおける樹脂の流れの違いを示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing a difference in resin flow between a diagonal path and a lateral path of a chip.

【図７】チップの上側と下側との充填速度の違いを示
すグラフである。FIG. 7 is a graph showing the difference in filling speed between the upper side and the lower side of the chip.

【図８】チップの上側と下側との樹脂の圧力の違いを
示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing a difference in resin pressure between the upper side and the lower side of the chip.

【図９】実施例１の変形例にかかる集積回路部品を示
す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing an integrated circuit component according to a modification of the first embodiment.

【図１０】実施例１の他の変形例にかかる集積回路部
品を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing an integrated circuit component according to another modification of the first embodiment.

【図１１】実施例２にかかる集積回路部品を示す平面
図である。FIG. 11 is a plan view showing an integrated circuit component according to a second embodiment.

【図１２】参考例にかかる集積回路部品を示す平面図
である。FIG. 12 is a plan view showing an integrated circuit component according to a reference example.

【図１３】実施例２を用いた場合の樹脂の挙動を示す
説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram showing the behavior of the resin when Example 2 is used.

【図１４】図１２の参考例を用いた場合の樹脂の挙動
を示す説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram showing the behavior of the resin when the reference example of FIG. 12 is used.

[Explanation of symbols]

１チップ２アイランド３リード４金線５樹脂１０金型１１ゲート１２エアベント 1 chip 2 islands 3 leads 4 gold wire 5 resin 10 mold 11 gates 12 Air vent

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平４−124866（ＪＰ，Ａ) 特開平７−22560（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 23/50 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (56) References JP-A-4-124866 (JP, A) JP-A-7-22560 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. ⁷ , DB name) H01L 23/50

Claims

(57) [Claims]

1. A sealed structure including a chip on which a circuit is formed is placed in a mold, and a resin is injected into the mold to seal the sealed structure. In the integrated circuit component, the structure to be sealed is a compound that is connected to the chip with a gold wire.
The number of leads, which is provided on the downstream side of the resin inflow direction in the mold
The lead spacing is provided on the upstream side in the inflow direction.
An integrated circuit component characterized in that it is set to be narrower than the interval between the leads .

2. A sealed structure including a chip on which a circuit is formed.
The structure is placed in a mold, resin is injected into the mold, and
An integrated circuit component formed by sealing a structure to be sealed
The structure to be sealed is an island where the chip is mounted.
And a plurality of leads connected to the chip with gold wires.
Having a flow path on the upstream side of the resin inflow direction in the mold
The lead is formed asymmetrically so as to be wider than the flow path on the downstream side, and the space between the leads provided on the downstream side is equal to the upstream side.
Is set to be narrower than the space between the leads on the side
Integrated circuit parts characterized by being

3. The integrated circuit component according to claim 2, wherein the gap between the island and the lead is set so that the upstream side is wider than the downstream side.

4. The integrated circuit component according to claim 3, wherein the island has a dimension on the upstream side set smaller than a dimension on the downstream side.

5. A sealed structure including a chip on which a circuit is formed.
The structure is placed in a mold, resin is injected into the mold, and
An integrated circuit component formed by sealing a structure to be sealed
The structure to be sealed is an island where the chip is mounted.
And a plurality of leads connected to the chip with gold wires.
Having a flow path on the upstream side of the resin inflow direction in the mold
Asymmetrically configured to be wider than the downstream flow path between the island and the tip of each lead.
The gap gradually narrows from the upstream side to the downstream side
Integrated circuits components, characterized in that it is set to.