JP3385833B2 - 半導体レーザー - Google Patents
半導体レーザーInfo
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- JP3385833B2 JP3385833B2 JP32118295A JP32118295A JP3385833B2 JP 3385833 B2 JP3385833 B2 JP 3385833B2 JP 32118295 A JP32118295 A JP 32118295A JP 32118295 A JP32118295 A JP 32118295A JP 3385833 B2 JP3385833 B2 JP 3385833B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体レーザー
に関し、特に、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーに適用
して好適なものである。
に関し、特に、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーに適用
して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーは赤色
発光の半導体レーザーとして注目されており、すでに実
用化されている。従来、このＡｌＧａＩｎＰ系半導体レ
ーザーのうち発光波長が６３５ｎｍであるものの一種
に、共振器端面の反射率制御のための端面コーティング
として、前方（フロント側）の端面にＡｌ2 Ｏ3 単層膜
を設け、後方（リア側）の端面にＡｌ2 Ｏ3 膜とアモル
ファスＳｉ（ａ−Ｓｉ）膜との多層膜を設け、フロント
側の端面の反射率を３０％、リア側の端面の反射率を６
５％に設定したものがある。ここで、フロント側の端面
に設けられるＡｌ2Ｏ3 膜の膜厚は１９０ｎｍ（＝λ／
２ｎ（λ：発光波長、ｎ：Ａｌ2 Ｏ3 の屈折率））、リ
ア側の端面に設けられるＡｌ2 Ｏ3 膜およびａ−Ｓｉ膜
の膜厚はそれぞれ２９２ｎｍ（＝３λ／４ｎ）および３
０ｎｍに設定される。
発光の半導体レーザーとして注目されており、すでに実
用化されている。従来、このＡｌＧａＩｎＰ系半導体レ
ーザーのうち発光波長が６３５ｎｍであるものの一種
に、共振器端面の反射率制御のための端面コーティング
として、前方（フロント側）の端面にＡｌ2 Ｏ3 単層膜
を設け、後方（リア側）の端面にＡｌ2 Ｏ3 膜とアモル
ファスＳｉ（ａ−Ｓｉ）膜との多層膜を設け、フロント
側の端面の反射率を３０％、リア側の端面の反射率を６
５％に設定したものがある。ここで、フロント側の端面
に設けられるＡｌ2Ｏ3 膜の膜厚は１９０ｎｍ（＝λ／
２ｎ（λ：発光波長、ｎ：Ａｌ2 Ｏ3 の屈折率））、リ
ア側の端面に設けられるＡｌ2 Ｏ3 膜およびａ−Ｓｉ膜
の膜厚はそれぞれ２９２ｎｍ（＝３λ／４ｎ）および３
０ｎｍに設定される。
【０００３】ところで、上述の端面コーティングは、通
常、レーザー構造が形成された半導体ウエーハをバー状
に劈開して両端面を形成した後、このバーの状態で真空
蒸着法などにより両端面に成膜を行うことにより行われ
る。そして、後工程において、これらのバーが劈開によ
りチップ化され、それによって得られるレーザーチップ
がヒートシンク上にマウントされ、その後パッケージン
グが行われる。
常、レーザー構造が形成された半導体ウエーハをバー状
に劈開して両端面を形成した後、このバーの状態で真空
蒸着法などにより両端面に成膜を行うことにより行われ
る。そして、後工程において、これらのバーが劈開によ
りチップ化され、それによって得られるレーザーチップ
がヒートシンク上にマウントされ、その後パッケージン
グが行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
ー構造が形成されたバーの両端面に上述のような端面コ
ーティングが行われた後にフロント側の端面で見られる
干渉色は黄緑色であり、一方、リア側の端面で見られる
干渉色もやや黄色に近い黄緑色であり、ほぼ同一の色で
あった。このため、フロント側の端面とリア側の端面と
を識別することが困難であり、これが原因で、端面コー
ティングの後工程において、レーザー構造が形成された
バーやレーザーチップを取り扱う際に種々の問題が生じ
ていた。例えば、レーザーチップをヒートシンク上にマ
ウントする際に支障が生じたりしていた。
ー構造が形成されたバーの両端面に上述のような端面コ
ーティングが行われた後にフロント側の端面で見られる
干渉色は黄緑色であり、一方、リア側の端面で見られる
干渉色もやや黄色に近い黄緑色であり、ほぼ同一の色で
あった。このため、フロント側の端面とリア側の端面と
を識別することが困難であり、これが原因で、端面コー
ティングの後工程において、レーザー構造が形成された
バーやレーザーチップを取り扱う際に種々の問題が生じ
ていた。例えば、レーザーチップをヒートシンク上にマ
ウントする際に支障が生じたりしていた。
【０００５】したがって、この発明の目的は、前方の端
面と後方の端面とを容易に識別することができ、これに
よって前方の端面と後方の端面との識別が困難であるこ
とにより従来生じていた問題を解消することができる半
導体レーザーを提供することにある。
面と後方の端面とを容易に識別することができ、これに
よって前方の端面と後方の端面との識別が困難であるこ
とにより従来生じていた問題を解消することができる半
導体レーザーを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、第１の屈折率を有する第１の膜が前方
の端面に設けられ、第１の屈折率と同一の屈折率を有す
る第２の膜と第１の屈折率よりも大きい第２の屈折率を
有する第３の膜との多層膜が後方の端面に設けられ、第
３の膜の膜厚が、多層膜の膜厚に対する反射率の変化を
示す曲線において所望の反射率が得られる最も小さい第
１の膜厚に設定されたときに後方の端面側で見られる干
渉色が前方の端面側で見られる干渉色とほぼ同一となる
半導体レーザーにおいて、第３の膜の膜厚が、多層膜の
膜厚に対する反射率の変化を示す曲線において所望の反
射率とほぼ同一の反射率が得られかつ第１の膜厚よりも
大きい膜厚であって後方の端面側で見られる干渉色が前
方の端面側で見られる干渉色と異なる膜厚に設定されて
いることを特徴とするものである。
に、この発明は、第１の屈折率を有する第１の膜が前方
の端面に設けられ、第１の屈折率と同一の屈折率を有す
る第２の膜と第１の屈折率よりも大きい第２の屈折率を
有する第３の膜との多層膜が後方の端面に設けられ、第
３の膜の膜厚が、多層膜の膜厚に対する反射率の変化を
示す曲線において所望の反射率が得られる最も小さい第
１の膜厚に設定されたときに後方の端面側で見られる干
渉色が前方の端面側で見られる干渉色とほぼ同一となる
半導体レーザーにおいて、第３の膜の膜厚が、多層膜の
膜厚に対する反射率の変化を示す曲線において所望の反
射率とほぼ同一の反射率が得られかつ第１の膜厚よりも
大きい膜厚であって後方の端面側で見られる干渉色が前
方の端面側で見られる干渉色と異なる膜厚に設定されて
いることを特徴とするものである。
【０００７】この発明において、第３の膜の膜厚は、成
膜時間の短縮化の観点より、好適には、多層膜の膜厚に
対する反射率の変化を示す曲線において所望の反射率と
ほぼ同一の反射率が得られかつ第１の膜厚よりも大きい
膜厚であって後方の端面側で見られる干渉色が前方の端
面側で見られる干渉色と異なる膜厚のうちの最小の膜厚
に設定される。
膜時間の短縮化の観点より、好適には、多層膜の膜厚に
対する反射率の変化を示す曲線において所望の反射率と
ほぼ同一の反射率が得られかつ第１の膜厚よりも大きい
膜厚であって後方の端面側で見られる干渉色が前方の端
面側で見られる干渉色と異なる膜厚のうちの最小の膜厚
に設定される。
【０００８】ここで、第３の膜の膜厚は、通常は、（所
望の反射率が得られるときの第３の膜の膜厚）±３ｎｍ
程度であれば、後方の端面側で見られる干渉色を前方の
端面側で見られる干渉色と十分に異ならせることができ
る。
望の反射率が得られるときの第３の膜の膜厚）±３ｎｍ
程度であれば、後方の端面側で見られる干渉色を前方の
端面側で見られる干渉色と十分に異ならせることができ
る。
【０００９】この発明において、典型的には、第１の膜
および第２の膜はＡｌ2 Ｏ3 膜であり、第３の膜はＳｉ
膜、特にａ−Ｓｉ膜である。
および第２の膜はＡｌ2 Ｏ3 膜であり、第３の膜はＳｉ
膜、特にａ−Ｓｉ膜である。
【００１０】この発明において、半導体レーザーは、典
型的にはＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーである。
型的にはＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーである。
【００１１】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、第３の膜の膜厚が、多層膜の膜厚に対する反射率の
変化を示す曲線において所望の反射率とほぼ同一の反射
率が得られかつ第１の膜厚よりも大きい膜厚であって後
方の端面側で見られる干渉色が前方の端面側で見られる
干渉色と異なる膜厚に設定されていることにより、見ら
れる干渉色の相違により、前方の端面と後方の端面とを
容易に識別することができる。
ば、第３の膜の膜厚が、多層膜の膜厚に対する反射率の
変化を示す曲線において所望の反射率とほぼ同一の反射
率が得られかつ第１の膜厚よりも大きい膜厚であって後
方の端面側で見られる干渉色が前方の端面側で見られる
干渉色と異なる膜厚に設定されていることにより、見ら
れる干渉色の相違により、前方の端面と後方の端面とを
容易に識別することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態につ
いて図面を参照しながら説明する。
いて図面を参照しながら説明する。
【００１３】図１は、この発明の一実施形態による発光
波長が６３５ｎｍのＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーを
示す。
波長が６３５ｎｍのＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーを
示す。
【００１４】図１に示すように、この一実施形態による
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーにおいては、クラッド
層や活性層などのレーザー構造を形成する層１からなる
レーザー共振器のフロント側の端面に単層のＡｌ2 Ｏ3
膜２が設けられ、リア側の端面にはＡｌ2 Ｏ3 膜２とａ
−Ｓｉ膜３との多層膜が設けられている。この場合、フ
ロント側の端面の反射率は３０％、リア側の端面の反射
率は６５％に設定される。このために、フロント側の端
面に設けられるＡｌ2 Ｏ3 膜２の膜厚は従来と同様にほ
ぼ１９０ｎｍ（＝λ／２ｎ）、リア側の端面に設けられ
るＡｌ2 Ｏ3 膜２の膜厚も従来と同様にほぼ２９２ｎｍ
（＝３λ／４ｎ）に設定されているが、リア側の端面に
設けられるａ−Ｓｉ膜３の膜厚は、リア側の端面で見ら
れる干渉色をフロント側の端面で見られる干渉色と異な
る色にするために、次のように設定される。
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーにおいては、クラッド
層や活性層などのレーザー構造を形成する層１からなる
レーザー共振器のフロント側の端面に単層のＡｌ2 Ｏ3
膜２が設けられ、リア側の端面にはＡｌ2 Ｏ3 膜２とａ
−Ｓｉ膜３との多層膜が設けられている。この場合、フ
ロント側の端面の反射率は３０％、リア側の端面の反射
率は６５％に設定される。このために、フロント側の端
面に設けられるＡｌ2 Ｏ3 膜２の膜厚は従来と同様にほ
ぼ１９０ｎｍ（＝λ／２ｎ）、リア側の端面に設けられ
るＡｌ2 Ｏ3 膜２の膜厚も従来と同様にほぼ２９２ｎｍ
（＝３λ／４ｎ）に設定されているが、リア側の端面に
設けられるａ−Ｓｉ膜３の膜厚は、リア側の端面で見ら
れる干渉色をフロント側の端面で見られる干渉色と異な
る色にするために、次のように設定される。
【００１５】すなわち、図２は、Ａｌ2 Ｏ3 膜とａ−Ｓ
ｉ膜とからなるＡｌ2 Ｏ3 ／ａ−Ｓｉ多層膜の膜厚に対
する反射率の変化を計算により求めた曲線を示す。図２
において、ａ点は、リア側の端面に設けられるＡｌ2 Ｏ
3 膜２の膜厚、すなわちほぼ２９２ｎｍに対応する。さ
て、リア側の端面に設けられるａ−Ｓｉ膜３について
は、すでに述べたように従来は図２におけるｂ点に対応
する膜厚、すなわちほぼ３０ｎｍに設定されていたが、
図２から明らかなように、ｂ点よりも膜厚が大きい側に
あるｃ点、ｄ点、ｅ点などにおいてもｂ点と同様に反射
率６５％が得られることから、この一実施形態において
は、それらのうち、リア側の端面で見られる干渉色がフ
ロント側の端面で見られる干渉色と異なる色となりかつ
成膜が最も短時間で済む最も膜厚が小さいｃ点に対応す
る膜厚、すなわちほぼ６９．２ｎｍに設定されている。
なお、図２において、ｄ点に対応するａ−Ｓｉ膜３の膜
厚はほぼ１２９．２ｎｍ、ｅ点に対応するａ−Ｓｉ膜３
の膜厚はほぼ１６８．４ｎｍである。
ｉ膜とからなるＡｌ2 Ｏ3 ／ａ−Ｓｉ多層膜の膜厚に対
する反射率の変化を計算により求めた曲線を示す。図２
において、ａ点は、リア側の端面に設けられるＡｌ2 Ｏ
3 膜２の膜厚、すなわちほぼ２９２ｎｍに対応する。さ
て、リア側の端面に設けられるａ−Ｓｉ膜３について
は、すでに述べたように従来は図２におけるｂ点に対応
する膜厚、すなわちほぼ３０ｎｍに設定されていたが、
図２から明らかなように、ｂ点よりも膜厚が大きい側に
あるｃ点、ｄ点、ｅ点などにおいてもｂ点と同様に反射
率６５％が得られることから、この一実施形態において
は、それらのうち、リア側の端面で見られる干渉色がフ
ロント側の端面で見られる干渉色と異なる色となりかつ
成膜が最も短時間で済む最も膜厚が小さいｃ点に対応す
る膜厚、すなわちほぼ６９．２ｎｍに設定されている。
なお、図２において、ｄ点に対応するａ−Ｓｉ膜３の膜
厚はほぼ１２９．２ｎｍ、ｅ点に対応するａ−Ｓｉ膜３
の膜厚はほぼ１６８．４ｎｍである。
【００１６】なお、フロント側の端面に設けられるＡｌ
2 Ｏ3 膜２の膜厚、すなわち１９０ｎｍは、図２におけ
るＸ点に対応する。
2 Ｏ3 膜２の膜厚、すなわち１９０ｎｍは、図２におけ
るＸ点に対応する。
【００１７】以上のように、この一実施形態によるＡｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザーにおいては、リア側の端面
に設けられるａ−Ｓｉ膜３の膜厚が従来のように３０ｎ
ｍではなく、６９．２ｎｍに設定されていることによ
り、リア側の端面の反射率を目標値である６５％に設定
することができることは勿論、リア側の端面側で見られ
る干渉色をピンク色とすることができ、フロント側の端
面で見られる干渉色、すなわち黄緑色と異なった色とす
ることができる。このため、見られる干渉色の相違によ
り、このＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーのフロント側
の端面とリア側の端面とを容易に識別することができ
る。これによって、端面コーティングの後工程において
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーのフロント側の端面と
リア側の端面との識別が困難であることにより従来生じ
ていた問題が解消される。
ＧａＩｎＰ系半導体レーザーにおいては、リア側の端面
に設けられるａ−Ｓｉ膜３の膜厚が従来のように３０ｎ
ｍではなく、６９．２ｎｍに設定されていることによ
り、リア側の端面の反射率を目標値である６５％に設定
することができることは勿論、リア側の端面側で見られ
る干渉色をピンク色とすることができ、フロント側の端
面で見られる干渉色、すなわち黄緑色と異なった色とす
ることができる。このため、見られる干渉色の相違によ
り、このＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーのフロント側
の端面とリア側の端面とを容易に識別することができ
る。これによって、端面コーティングの後工程において
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーのフロント側の端面と
リア側の端面との識別が困難であることにより従来生じ
ていた問題が解消される。
【００１８】この一実施形態によるＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レーザーは、例えばレーザーポインタの光源などに
用いて好適なものである。
導体レーザーは、例えばレーザーポインタの光源などに
用いて好適なものである。
【００１９】以上、この発明の一実施形態について具体
的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定さ
れるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種
の変形が可能である。
的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定さ
れるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種
の変形が可能である。
【００２０】例えば、上述の一実施形態においては、リ
ア側の端面に設けられるａ−Ｓｉ膜３の膜厚を図２にお
けるｃ点に対応する膜厚に設定しているが、必要に応じ
て、図２におけるｄ点、ｅ点などに対応する膜厚のうち
リア側の端面で見られる干渉色がフロント側の端面で見
られる干渉色と異なった色となるような膜厚に設定して
もよい。
ア側の端面に設けられるａ−Ｓｉ膜３の膜厚を図２にお
けるｃ点に対応する膜厚に設定しているが、必要に応じ
て、図２におけるｄ点、ｅ点などに対応する膜厚のうち
リア側の端面で見られる干渉色がフロント側の端面で見
られる干渉色と異なった色となるような膜厚に設定して
もよい。
【００２１】また、上述の一実施形態においては、フロ
ント側の端面の反射率を３０％、リア側の端面の反射率
を６５％に設定する場合について説明したが、フロント
側の端面の反射率およびリア側の端面の反射率はこれら
の値に限定されるものではなく、必要に応じてこれらと
異なる値に設定してもよい。この場合も、Ａｌ2 Ｏ3膜
とａ−Ｓｉ膜とからなる多層膜の膜厚に対する反射率の
変化を示す図２の曲線に基づいてａ−Ｓｉ膜の膜厚を設
定すればよい。
ント側の端面の反射率を３０％、リア側の端面の反射率
を６５％に設定する場合について説明したが、フロント
側の端面の反射率およびリア側の端面の反射率はこれら
の値に限定されるものではなく、必要に応じてこれらと
異なる値に設定してもよい。この場合も、Ａｌ2 Ｏ3膜
とａ−Ｓｉ膜とからなる多層膜の膜厚に対する反射率の
変化を示す図２の曲線に基づいてａ−Ｓｉ膜の膜厚を設
定すればよい。
【００２２】さらに、上述の一実施形態においては、Ａ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーにこの発明を適用した場
合について説明したが、この発明は、ＡｌＧａＩｎＰ系
半導体レーザーにおけると同様な問題が生じる他の半導
体レーザーに適用することも可能である。
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーにこの発明を適用した場
合について説明したが、この発明は、ＡｌＧａＩｎＰ系
半導体レーザーにおけると同様な問題が生じる他の半導
体レーザーに適用することも可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明による半
導体レーザーによれば、後方の端面に設けられる第３の
膜の膜厚が、多層膜の膜厚に対する反射率の変化を示す
曲線において所望の反射率とほぼ同一の反射率が得られ
かつ第１の膜厚よりも大きい膜厚であって後方の端面側
で見られる干渉色が前方の端面側で見られる干渉色と異
なる膜厚に設定されているので、見られる干渉色の相違
により、前方の端面と後方の端面とを容易に識別するこ
とができる。これによって、端面コーティングの後工程
において半導体レーザーの前方の端面と後方の端面との
識別が困難であることにより従来生じていた問題が解消
される。
導体レーザーによれば、後方の端面に設けられる第３の
膜の膜厚が、多層膜の膜厚に対する反射率の変化を示す
曲線において所望の反射率とほぼ同一の反射率が得られ
かつ第１の膜厚よりも大きい膜厚であって後方の端面側
で見られる干渉色が前方の端面側で見られる干渉色と異
なる膜厚に設定されているので、見られる干渉色の相違
により、前方の端面と後方の端面とを容易に識別するこ
とができる。これによって、端面コーティングの後工程
において半導体レーザーの前方の端面と後方の端面との
識別が困難であることにより従来生じていた問題が解消
される。
【図１】この発明の一実施形態による半導体レーザーを
示す略線図である。
示す略線図である。
【図２】この発明の一実施形態による半導体レーザーに
おいてリア側の端面に設けられるＡｌ2 Ｏ3 ／ａ−Ｓｉ
多層膜の膜厚に対する反射率の変化を計算により求めた
結果を示すグラフである。
おいてリア側の端面に設けられるＡｌ2 Ｏ3 ／ａ−Ｓｉ
多層膜の膜厚に対する反射率の変化を計算により求めた
結果を示すグラフである。
１ レーザー構造を形成する層
２ Ａｌ2 Ｏ3 膜
３ ａ−Ｓｉ膜
Claims (4)
- 【請求項１】 第１の屈折率を有する第１の膜が前方の
端面に設けられ、 上記第１の屈折率と同一の屈折率を有する第２の膜と上
記第１の屈折率よりも大きい第２の屈折率を有する第３
の膜との多層膜が後方の端面に設けられ、 上記第３の膜の膜厚が、上記多層膜の膜厚に対する反射
率の変化を示す曲線において所望の反射率が得られる最
も小さい第１の膜厚に設定されたときに上記後方の端面
側で見られる干渉色が上記前方の端面側で見られる干渉
色とほぼ同一となる半導体レーザーにおいて、 上記第３の膜の膜厚が、上記多層膜の膜厚に対する反射
率の変化を示す曲線において上記所望の反射率とほぼ同
一の反射率が得られかつ上記第１の膜厚よりも大きい膜
厚であって上記後方の端面側で見られる干渉色が上記前
方の端面側で見られる干渉色と異なる膜厚に設定されて
いることを特徴とする半導体レーザー。 - 【請求項２】 上記第３の膜の膜厚が、上記多層膜の膜
厚に対する反射率の変化を示す曲線において上記所望の
反射率とほぼ同一の反射率が得られかつ上記第１の膜厚
よりも大きい膜厚であって上記後方の端面側で見られる
干渉色が上記前方の端面側で見られる干渉色と異なる膜
厚のうちの最小の膜厚に設定されていることを特徴とす
る請求項１記載の半導体レーザー。 - 【請求項３】 上記第１の膜および上記第２の膜はＡｌ
2 Ｏ3 膜であり、上記第３の膜はＳｉ膜であることを特
徴とする請求項１記載の半導体レーザー。 - 【請求項４】 上記半導体レーザーはＡｌＧａＩｎＰ系
半導体レーザーであることを特徴とする請求項１記載の
半導体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32118295A JP3385833B2 (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 半導体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32118295A JP3385833B2 (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 半導体レーザー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09139546A JPH09139546A (ja) | 1997-05-27 |
| JP3385833B2 true JP3385833B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=18129711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32118295A Expired - Fee Related JP3385833B2 (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 半導体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3385833B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4613374B2 (ja) * | 1999-09-07 | 2011-01-19 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ |
-
1995
- 1995-11-15 JP JP32118295A patent/JP3385833B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09139546A (ja) | 1997-05-27 |
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