JP3390882B2 - Pellicle for exposure reticle, method for attaching the pellicle, and apparatus for attaching the pellicle - Google Patents
Pellicle for exposure reticle, method for attaching the pellicle, and apparatus for attaching the pellicleInfo
- Publication number
- JP3390882B2 JP3390882B2 JP04667794A JP4667794A JP3390882B2 JP 3390882 B2 JP3390882 B2 JP 3390882B2 JP 04667794 A JP04667794 A JP 04667794A JP 4667794 A JP4667794 A JP 4667794A JP 3390882 B2 JP3390882 B2 JP 3390882B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellicle
- adhesive layer
- exposure
- reticle
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置の
製造工程で用いる露光レチクル用ペリクル及びその貼り
付け方法及びその貼り付け装置に関する。近年、半導体
集積回路装置が高集積化されているため、回路パターン
の最小線幅を決める設計ルールがサブミクロンオーダー
になることが多い。The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device manufacturing process in the exposure reticle pellicle and bonding the Ru used for
The present invention relates to a sticking method and a sticking device thereof . Since semiconductor integrated circuit devices have been highly integrated in recent years, the design rule for determining the minimum line width of a circuit pattern is often of the submicron order.
【0002】このような半導体集積回路装置を高品質で
製造するためには、フォトプロセスにおいて、ウェーハ
上にパターンを転写する際の露光光のエネルギーを常に
管理することが必要である。In order to manufacture such a semiconductor integrated circuit device with high quality, it is necessary to constantly control the energy of exposure light when a pattern is transferred onto a wafer in a photo process.
【0003】ところが、近年の高集積化された半導体集
積回路装置を製造するフォトプロセスにおいては、回路
パターンを形成した露光レチクルの上にゴミや粒子等の
異物が付着し、このゴミ等の影がウェーハ上に鮮明に投
影されて、回路パターンの露光を要する部分に非露光部
分を形成するのを防ぐために、回路パターンを形成した
露光レチクルの上に、この露光レチクルの表面よりも
6.3mm程度高い位置に、ニトロセルロース等の光学
的に安定し透明な高分子薄膜をアルミニウム等の枠に張
り渡して設け、本来ならば露光レチクルの表面に落下し
て付着するゴミ等を、この透明な高分子薄膜の上に受
け、このゴミ等の粒径が小さい場合は、縮小投影レンズ
系の焦点深度の外に出すことによって、ゴミの影がウェ
ーハ上に投影されないようにするためのペリクルが用い
られている。However, in recent photo processes for manufacturing highly integrated semiconductor integrated circuit devices, foreign matters such as dust and particles adhere to the exposure reticle on which a circuit pattern is formed, and the shadow of the dust and the like is generated. On the exposure reticle on which the circuit pattern is formed, about 6.3 mm from the surface of this exposure reticle in order to prevent the non-exposed portion of the circuit pattern from being clearly projected on the wafer from being exposed. An optically stable and transparent polymer thin film such as nitrocellulose is provided at a high position by straddling a frame made of aluminum or the like, and dust and the like that would otherwise fall onto the surface of the exposure reticle and adhere to this transparent high When the particle size of dust etc. received on the molecular thin film is small, the shadow of dust is not projected on the wafer by moving it out of the depth of focus of the reduction projection lens system. And pellicle is used for sea urchin.
【0004】[0004]
【従来の技術】そして、従来の、露光光を放射する光源
と、その下に配置された露光光を平行光にするコンデン
サレンズ系と、その下に配置されたペリクルを設けた露
光レチクルを載置するレチクルステージと、その下に配
置された露光レチクルの露光パターンを透過した光を縮
小する縮小投影レンズ系と、その下に配置された露光パ
ターンを焼き付けるウェーハを載置するウェーハステー
ジを有する露光装置においては、露光パターンの外周を
露光光から遮蔽して不所望の光の漏洩、散乱を防ぐため
のブラインド(アパーチャーとも称されている)を、ペ
リクルを設けた露光レチクルの上に設けていた。2. Description of the Related Art A conventional light source that emits exposure light, a condenser lens system that is disposed below the light source to collimate the exposure light, and an exposure reticle that is provided with a pellicle disposed below the condenser lens system are mounted. Exposure having a reticle stage to be placed, a reduction projection lens system for reducing the light transmitted through the exposure pattern of the exposure reticle placed below it, and a wafer stage to place a wafer to print the exposure pattern placed below In the apparatus, a blind (also referred to as an aperture) for shielding the outer periphery of the exposure pattern from the exposure light and preventing undesired light leakage and scattering is provided on the exposure reticle provided with the pellicle. .
【0005】図9は、従来の露光装置の概略構成説明図
である。この図において、81は光源、82はコンデン
サレンズ系、83はブラインド、84はペリクル、84
1 は枠、842 は高分子薄膜、85は露光レチクル、8
51 は透明レチクル基板、852 は露光パターン、86
はレチクルステージ、87は縮小投影レンズ系、88は
ウェーハ、89はウェーハステージである。FIG. 9 is a schematic diagram showing the structure of a conventional exposure apparatus. In this figure, 81 is a light source, 82 is a condenser lens system, 83 is a blind, 84 is a pellicle, and 84 is a pellicle.
1 is a frame, 84 2 is a polymer thin film, 85 is an exposure reticle, 8
5 1 is a transparent reticle substrate, 85 2 is an exposure pattern, 86
Is a reticle stage, 87 is a reduction projection lens system, 88 is a wafer, and 89 is a wafer stage.
【0006】この従来の露光装置においては、水銀ラン
プ等の光源81から放射される露光光を、その下に設け
られたコンデンサレンズ系82によって平行光線にし、
この平行光線を、レチクルステージ86に載置された、
露光パターン852 を有する透明レチクル基板851 か
らなる露光レチクル85と、アルミニウム等の金属で形
成された枠841 の上縁に高分子薄膜842 を貼り渡し
たペリクル84を貼り付けたものを透過させ、露光パタ
ーン852 の透明部分を通過して露光光を縮小投影レン
ズ系87によって1/5程度に縮小して、XY方向に移
動できるウェーハステージ89の上に載置されたウェー
ハ88の感光性樹脂の上に投影して露光パターンを焼き
付けるようになっている。In this conventional exposure apparatus, exposure light emitted from a light source 81 such as a mercury lamp is converted into parallel rays by a condenser lens system 82 provided below the exposure light.
This parallel light beam was placed on the reticle stage 86,
An exposure reticle 85 made of a transparent reticle substrate 85 1 having an exposure pattern 85 2 and a pellicle 84 having a polymer thin film 84 2 attached to the upper edge of a frame 84 1 formed of a metal such as aluminum are attached. The exposure light passing through the transparent portion of the exposure pattern 85 2 is reduced to about ⅕ by the reduction projection lens system 87, and the exposure of the wafer 88 mounted on the wafer stage 89 that can be moved in the XY directions. The exposure pattern is printed on the photosensitive resin by projection.
【0007】そして、コンデンサレンズ系82とペリク
ル84の高分子薄膜842 の間に、例えば、4枚の矩形
の遮光性板状体を同一平面上で枠状に組み合わせて構成
されたブラインド83が形成されており、この4枚の遮
光性板状体の位置をスライドすることによって開口の大
きさを調節し、光源81から放射され、コンデンサレン
ズ系82を通過した平行光線が、ペリクル84の枠84
1 の上縁に貼り渡された高分子薄膜842 の、露光レチ
クル85の露光パターン852 以外の領域を遮光し、コ
ンデンサレンズ系82を通過した平行光線が、露光パタ
ーン852 の外側を通過し、露光装置の容器壁等に反射
してウェーハステージ89の上に載置されたウェーハ8
8の感光性樹脂膜に入射するのを防いでいる。Between the condenser lens system 82 and the polymer thin film 84 2 of the pellicle 84, there is formed a blind 83 composed of, for example, four rectangular light-shielding plate-like members combined in a frame shape on the same plane. The size of the aperture is adjusted by sliding the positions of these four light-shielding plate-like bodies, and the parallel rays emitted from the light source 81 and passing through the condenser lens system 82 are formed in the frame of the pellicle 84. 84
On laminated passed the polymer thin film 84 2 was on the edge 1, parallel rays of the exposure pattern 85 shields the 2 other regions, have passed through the condenser lens system 82 of the exposure reticle 85, passes outside the exposure pattern 85 2 Then, the wafer 8 reflected on the container wall of the exposure apparatus and placed on the wafer stage 89
It is prevented from entering the photosensitive resin film of No. 8.
【0008】このように、透明レチクル基板851 の表
面に落下して付着するゴミ等を、ペリクル84の高分子
薄膜842 の上に受けるようにし、このゴミ等を縮小投
影レンズ系の焦点深度から外すことによって、ゴミの影
がウェーハ88の感光性樹脂膜に投影されるのを防いで
いる。In this way, the dust and the like that has fallen and adhered to the surface of the transparent reticle substrate 85 1 is received on the polymer thin film 84 2 of the pellicle 84, and this dust and the like is depth of focus of the reduction projection lens system. This removes dust shadows from being projected on the photosensitive resin film of the wafer 88.
【0009】ところが、前記のように、ウェーハ88の
上にパターンを転写する際の露光光のエネルギーを管理
することが必要であるが、ペリクル84の高分子薄膜8
42は、紫外線等露光光に照射されると徐々に着色され
露光光の透過率が低下する性質を有している。したがっ
て、従来から、露光光の照射量と、露光レチクル85に
貼り付けられたペリクル84の高分子薄膜842 の透過
率の関係を測定しておき、露光光の延べ照射時間から通
常の露光光のエネルギーからのエネルギーダウン率を推
定する方法や、直接ペリクル84の高分子薄膜842 の
透過率を測定し、通常の露光光のエネルギーからのエネ
ルギーダウン率が規定値に達したときに、ペリクル84
を貼り替る方法によって露光光のエネルギーを管理して
いた。However, as described above, it is necessary to control the energy of the exposure light when the pattern is transferred onto the wafer 88, but the polymer thin film 8 of the pellicle 84 is required.
4 2, the transmittance of the irradiated UV like exposure light is gradually colored exposure light has a property to decrease. Therefore, conventionally, the relationship between the irradiation amount of the exposure light and the transmittance of the polymer thin film 84 2 of the pellicle 84 attached to the exposure reticle 85 is measured, and the total exposure time of the exposure light is changed to the normal exposure light. Method for estimating the energy down rate from the energy of the pellicle 84, or directly measuring the transmittance of the polymer thin film 84 2 of the pellicle 84, and when the energy down rate from the energy of the ordinary exposure light reaches a specified value, the pellicle 84
The energy of the exposure light was controlled by the method of reattaching.
【0010】また、前記の従来技術においては、露光レ
チクル85の透明レチクル基板85 1 に露光パターン8
52 を形成し、洗浄した後、その上面に、アルミニウム
等の金属で形成された枠841 の上縁にニトロセルロー
ス等の光学的に安定な透明な高分子薄膜842 を貼り渡
したペリクル84を、この枠841 の下縁に塗布形成さ
れた接着剤層によって貼り付け、レーザ光を用いた検査
装置によって透明レチクル基板851 の上(露光パター
ンが形成された面の裏面)の異物検査を行い、規格を満
たしている場合は合格品として出荷している。Further, in the above-mentioned prior art, the exposure level is
Transparent reticle substrate 85 1Exposure pattern 8
52After forming and cleaning, on its upper surface, aluminum
Frame 84 made of metal such as1Nitrocellulo on the upper edge
Optically stable transparent polymer thin film 842Pasted
The pellicle 841Applied on the lower edge of
Attached by the adhesive layer that has been formed, inspection using laser light
Transparent reticle substrate 85 depending on the device1Above (exposure pattern)
The surface of the surface on which
If yes, it is shipped as an acceptable product.
【0011】そして、露光レチクル85にペリクル84
を貼り付け後の検査によって、ペリクル84内に異物が
混入していることが発見された場合は規格外となるた
め、ペリクル84を剥がして再度露光レチクル85を洗
浄した後にペリクル84を貼り付けている。Then, the pellicle 84 is formed on the exposure reticle 85.
If the foreign matter is found to be mixed in the pellicle 84 by the inspection after attaching, the pellicle 84 is peeled off, the exposure reticle 85 is washed again, and then the pellicle 84 is attached. There is.
【0012】図10は、従来のペリクルの構成説明図で
あり、(A)は断面を、(B)は平面を示している。こ
の図において、84はペリクル、841 は枠、842 は
高分子薄膜、843は接着剤層である。この図に示され
ているように、従来のペリクルは、ペリクル84の枠8
41 の上縁に高分子薄膜842 を貼り渡し、その下縁の
全面に接着剤層843 を平面状に塗布していた。FIG. 10 is a diagram for explaining the structure of a conventional pellicle, where (A) shows a cross section and (B) shows a plane. In this figure, 84 is a pellicle, 84 1 is a frame, 84 2 is a polymer thin film, and 84 3 is an adhesive layer. As shown in this figure, a conventional pellicle has a frame 8 of a pellicle 84.
4 to 1 of the upper edge passes adhered to polymer film 84 2, the adhesive layer 84 3 has been applied to flat the entire surface of the lower edge.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の露光
装置においては、前記のように、ブラインド83の開口
の大きさを調節して、光源81から放射され、コンデン
サレンズ系82を通過した平行光線がペリクル84の枠
841 の上縁に貼り渡された高分子薄膜842 の、露光
レチクル85の露光パターン852 以外の領域を遮光し
ているため、露光光の照射によるペリクル84の高分子
薄膜842 の透過率の低下は露光パターン852 が形成
されている部分に限られるため、高分子薄膜842 の透
過率の測定は、露光レチクル85にペリクル84を貼り
付た状態で行うことができず、ペリクル84を露光レチ
クル85から剥がして透過率測定器によって測定する必
要があり、ペリクル84の透過率管理が容易ではなかっ
た。However, in the conventional exposure apparatus, as described above, the size of the opening of the blind 83 is adjusted so that the parallel light rays emitted from the light source 81 and passed through the condenser lens system 82. Since the region other than the exposure pattern 85 2 of the exposure reticle 85 of the polymer thin film 84 2 attached to the upper edge of the frame 84 1 of the pellicle 84 is shielded from light, the polymer of the pellicle 84 by the irradiation of the exposure light is blocked. Since the decrease in the transmittance of the thin film 84 2 is limited to the portion where the exposure pattern 85 2 is formed, the transmittance of the polymer thin film 84 2 should be measured with the pellicle 84 attached to the exposure reticle 85. Therefore, it is necessary to peel off the pellicle 84 from the exposure reticle 85 and measure the pellicle 84 with a transmittance measuring device, and it is not easy to control the transmittance of the pellicle 84.
【0014】また、図10に示されているように、従来
は、ペリクル84の枠841 の下縁の全面に接着剤層を
平面状に塗布していたため、溶剤を用いあるいは物理的
にペリクル84を露光レチクル85(図9参照)から剥
がすと、露光レチクル85に接着剤が残ってしまい、露
光レチクル85を再洗浄することが必要になり、スルー
プットが悪くなるという問題があった。そしてまた、強
い力を用いて物理的にペリクル84を剥がすと、露光レ
チクル85に損傷を与える可能性があり、ペリクル84
を剥がした後にペリクル84を再使用することができな
くなるといった問題があった。Further, as shown in FIG. 10, conventionally, since the adhesive layer is applied in a planar manner on the entire lower edge of the frame 84 1 of the pellicle 84, a solvent is used or a pellicle is physically used. When 84 is peeled off from the exposure reticle 85 (see FIG. 9), the adhesive remains on the exposure reticle 85, and the exposure reticle 85 needs to be washed again, resulting in a problem that throughput is deteriorated. Also, if the pellicle 84 is physically peeled off with a strong force, the exposure reticle 85 may be damaged.
There was a problem that the pellicle 84 could not be reused after peeling off.
【0015】[0015]
【0016】本発明のペリクルは、ペリクル84の枠8
41 の下縁の接着剤層の断面を凸状にし、断面が凸状の
接着剤層の頂部において露光レチクル85の上に仮接着
した状態で透明レチクル基板851 の上の異物検査を行
い、規格を満たしている場合は、より大きい押圧力を加
えて断面が凸状の接着剤層の段部において本接着して合
格品として出荷し、規格外の場合には、容易にペリクル
84を剥がすことができ、そのためペリクルの貼り付け
作業を能率化できる手段を提供する。 The pellicle of the present invention is a frame 8 of the pellicle 84.
4 1 Make the cross section of the adhesive layer at the lower edge convex, and perform a foreign matter inspection on the transparent reticle substrate 85 1 with the cross section of the adhesive layer having a convex cross section being temporarily adhered onto the exposure reticle 85. If the standard is satisfied, a larger pressing force is applied to perform the main adhesion at the step of the adhesive layer having a convex cross section, and the product is shipped as an acceptable product. it can be peeled off, that provides means for streamlining the pasting of the pellicle therefor.
【0017】[0017]
【0018】[0018]
【0019】[0019]
【課題を解決するための手段】本発明に依る露光レチク
ル用ペリクルに於いては、枠と、枠の上縁に貼り渡され
た高分子薄膜と、枠の下縁の全面に形成された第1の接
着剤層と、該第1の接着剤層の表面から突出する該第1
の接着剤層より狭い面積の第2の接着剤層とからなるこ
とが基本になっている。In the pellicle for an exposure reticle according to the present invention, it is attached to the frame and the upper edge of the frame.
Polymer thin film and the first contact formed on the entire lower edge of the frame.
The adhesive layer and the first adhesive layer protruding from the surface of the first adhesive layer
And a second adhesive layer having an area smaller than that of the second adhesive layer.
And is the basis.
【0020】この場合、段差、傾斜面または曲面によっ
て、露光レチクルに仮に接着するための微小な面積の接
着剤層を有する突出部と、該突出部より後退し、最終的
に接着するためのより広い面積の接着剤層を有する部分
が形成されている構成を採用することができる。In this case, due to the step, the inclined surface or the curved surface, the protrusion having the adhesive layer having a minute area for temporarily adhering to the exposure reticle and the protrusion for retracting and finally adhering to the protrusion are provided. A configuration in which a portion having a wide area of the adhesive layer is formed can be adopted.
【0021】また、この場合、露光レチクルの上に仮に
接着するための微小な面積の接着剤層を有する突出部
と、該突出部より後退し、最終的に接着するためのより
広い面積の接着剤層を有する部分が孤立した複数の部分
からなる構成を採用することができる。Further, in this case, a protrusion having a minute area of the adhesive layer for temporarily adhering onto the exposure reticle, and a wider area for retreating from the protrusion and finally adhering. It is possible to adopt a configuration in which the portion having the agent layer is composed of a plurality of isolated portions.
【0022】また、この場合、露光レチクルの上に仮に
接着するための微小な面積の接着剤層を有する突出部
と、該突出部より後退し、最終的に接着するためのより
広い面積の接着剤層を有する部分が連続した線状部分か
らなる構成を採用することができる。Further, in this case, a protrusion having a minute area of the adhesive layer for temporarily adhering onto the exposure reticle, and a wider area for retreating from the protrusion and finally adhering. It is possible to employ a configuration in which the portion having the agent layer is a continuous linear portion.
【0023】また、この場合、突出部の上の露光レチク
ルの上に仮に接着するための接着剤層の接着力を、突出
部より後退した部分の最終的に接着するための接着剤層
の接着力より弱くした構成を採用することができる。Further, in this case, the adhesive force of the adhesive layer for temporarily adhering onto the exposure reticle above the protruding portion is increased by the adhesive force of the adhesive layer for finally adhering to the portion retracted from the protruding portion. A configuration that is weaker than the force can be adopted.
【0024】そして、また、本発明にかかる露光レチク
ル用ペリクルの貼り付け方法においては、露光レチクル
の上に仮に接着するための微小な面積の接着剤層を有す
る突出部と、該突出部より後退し、最終的に接着するた
めのより広い面積の接着剤層を有する部分を有するペリ
クルを露光レチクル上に貼り付ける際、まず、露光レチ
クルの上に、微小な面積の接着剤層を有する突出部によ
って仮に接着し、その状態で露光レチクルのゴミの付着
状態を検査し、ゴミの付着状態が許容範囲にある場合に
は該突出部より後退し広い面積の接着剤層を有する部分
によって最終的に接着し、ゴミの付着状態が許容範囲に
ない場合には該ペリクルを剥離して露光レチクルを洗浄
し、その後、再度ペリクルを露光レチクル上に貼り付け
る工程を採用した。Further, in the method of sticking the pellicle for an exposure reticle according to the present invention, a protrusion having an adhesive layer with a minute area for temporarily adhering onto the exposure reticle, and a recess from the protrusion. Then, when a pellicle having a portion having an adhesive layer with a wider area for final adhesion is attached to the exposure reticle, first, a protrusion having an adhesive layer with a minute area is formed on the exposure reticle. If the dust adhesion state of the exposure reticle is inspected in that state, and if the dust adhesion state is within the allowable range, it is finally retracted by the portion having the adhesive layer with a wide area Adhesion was performed, and when the adhered state of dust was not within the allowable range, a step was adopted in which the pellicle was peeled off to wash the exposure reticle, and then the pellicle was attached again onto the exposure reticle.
【0025】また、本発明にかかるペリクルの貼り付け
装置においては、露光レチクルを載置し、その上に該露
光レチクルの上に仮に接着するための微小な面積の接着
剤層を有する突出部と、該突出部より後退し、最終的に
接着するためのより広い面積の接着剤層を有する部分を
有するペリクルを載置する基台と、該ペリクルの周辺部
を押圧力を調節して押圧することができる押圧部材と、
該ペリクルを透してその下の露光レチクルの表面のゴミ
の付着状態を検査することができる表面状態検査装置と
を含む構成を採用した。Further, in the pellicle sticking apparatus according to the present invention, the exposure reticle is placed, and the protrusion having the adhesive layer having a minute area for temporarily adhering the exposure reticle thereon is provided. , A base on which a pellicle having a wider area of an adhesive layer for finally adhering is placed, and a peripheral part of the pellicle are pressed by adjusting a pressing force. A pressing member capable of
A structure including a surface condition inspection device capable of inspecting the adhered condition of dust on the surface of the exposure reticle under the pellicle is adopted.
【0026】[0026]
【0027】[0027]
【作用】 本
発明のペリクルのように、露光レチクルの上
に仮に接着するための微小な面積の接着剤層を有する突
出部と、この突出部より後退し、最終的に接着するため
のより広い面積の接着剤層を有する部分を設けることに
よって、凸状の接着剤層の頂部において露光レチクルの
上に仮接着した状態で透明レチクル基板の上の異物検査
を行い、規格を満たしていない場合は、容易にペリクル
を剥がすことができ、合格の場合は、押圧力を強めて凸
状の接着剤層の段部で露光レチクルの上に本接着するこ
とができるため、ペリクルの貼り付け作業を能率化する
ことができる。 [Action] As the pellicle of the present invention, a protrusion having an adhesive layer of very small area for provisionally adhered onto the exposed reticle, recessed from the projecting portion, and finally wider for bonding By providing a portion having an adhesive layer of area, a foreign substance inspection is performed on the transparent reticle substrate in a state where it is temporarily adhered on the exposure reticle at the top of the convex adhesive layer, and if the standard is not satisfied, , The pellicle can be easily peeled off, and if the pellicle is passed, the pressing force can be strengthened to make the main adhesion on the exposure reticle at the step of the convex adhesive layer. Can be converted.
【0028】[0028]
【実施例】以下、本発明の実施例である露光レチクル用
ペリクル及び使用する露光装置を図面を参照しつつ説明
する。 EXAMPLES Examples for an exposure reticle according to the present invention will be described below.
Explanation of pellicle and exposure equipment used with reference to the drawings
To do.
【0029】図1は本発明で用いた露光装置の概略構成
説明図である。図において、1は光源、2はコンデンサ
レンズ系、3はブラインド、4はペリクル、41 は枠、
42 は高分子薄膜、5は露光レチクル、51 は透明レチ
クル基板、52 は露光パターン、6はレチクルステー
ジ、7は縮小投影レンズ系、8はウェーハ、9はウェー
ハステージである。FIG . 1 is a schematic diagram showing the structure of an exposure apparatus used in the present invention . In the figure, reference numeral 1 denotes a light source, 2 is a condenser lens system, 3 blind, 4 pellicle, 4 1 frame,
4 2 is a polymer thin film, 5 is an exposure reticle, 5 1 is a transparent reticle substrate, 5 2 is an exposure pattern, 6 is a reticle stage, 7 is a reduction projection lens system, 8 is a wafer, and 9 is a wafer stage.
【0030】図1に見られる露光装置においては、水銀
ランプ等の光源1から放射される露光光を下方に設けた
コンデンサレンズ系2によって平行光線とし、この平行
光線は、レチクルステージ6に載置された露光パターン
52 を有する透明レチクル基板51 からなる露光レチク
ル5及びアルミニウム等の金属で形成された枠41 の上
縁に高分子薄膜42 を貼り渡したペリクル4を貼り付け
たものを透過し、露光パターン52 の透明部分を通過し
た露光光を縮小投影レンズ系7によって1/5程度に縮
小して、XY方向に移動できるウェーハステージ9の上
に載置されたウェーハ8の感光性樹脂の上に投影して露
光パターンを焼き付けるようになっている。[0030] In the exposure apparatus seen in Figure 1, into a parallel beam by <br/> condenser lens system 2 which exposure light provided below emitted from the light source 1 such as a mercury lamp, the collimated light beam is chicle pellicle passed bonding the polymeric thin film 4 2 the upper edge of the frame 4 1 formed of a metal such as an exposure reticle 5 and aluminum made of a transparent reticle substrate 5 1 having the placed eXPOSURE pattern 5 2 to the stage 6 4 passes pasted the ones, through the transparent portion of the exposure pattern 5 2
The exposed light is reduced to about ⅕ by the reduction projection lens system 7, projected onto the photosensitive resin of the wafer 8 mounted on the wafer stage 9 which can be moved in the XY directions, and the exposure pattern is printed. It is like this.
【0031】そして、露光レチクル5と縮小投影レンズ
系7の間に、例えば、4枚の矩形の遮光性板状体を同一
平面上で枠状に組み合わせて構成されたブラインド3が
形成されており、この4枚の遮光性板状体の位置をスラ
イドすることによって開口の大きさを調節し、光源1か
ら放射され、コンデンサレンズ系2を通過した平行光線
が、ペリクル4の枠41 の上縁に貼り渡された高分子薄
膜42 と、露光レチクル5の露光パターン52 の透明部
分を通過した光の露光パターン52 以外の領域を遮光
し、縮小投影レンズ系7によって1/5程度に縮小し
て、XY方向に移動できるウェーハステージ9の上に載
置されたウェーハ8の感光性樹脂の上に投影される。A blind 3 is formed between the exposure reticle 5 and the reduction projection lens system 7 and is formed by combining, for example, four rectangular light-shielding plate-like bodies in a frame shape on the same plane. , The position of the aperture is adjusted by sliding the positions of these four light-shielding plate-like bodies, and the parallel rays emitted from the light source 1 and passing through the condenser lens system 2 are on the frame 4 1 of the pellicle 4. a polymer thin film 4 2 passed adhered to the edge, to shield regions other than the exposed pattern 5 2 of the light passing through the transparent portion of the exposure pattern 5 second exposure reticle 5, 1/5 by the reduction projection lens system 7 And is projected onto the photosensitive resin of the wafer 8 placed on the wafer stage 9 which can be moved in the XY directions.
【0032】図1に示した露光装置においては、コンデ
ンサレンズ系2を通過した平行光線が、ペリクル4の枠
41 の上縁に貼り渡された高分子薄膜42 の、露光パタ
ーン52 以外の領域にも照射されるため、照射された高
分子薄膜42 の全領域の露光光の透過率が低下すること
になる。In the exposure apparatus shown in FIG . 1, the parallel rays that have passed through the condenser lens system 2 are not exposed to the exposure pattern 5 2 of the polymer thin film 4 2 attached to the upper edge of the frame 4 1 of the pellicle 4. since the irradiated to the region, the transmittance of exposure light illuminated the entire area of the polymer thin film 4 2 were decreases.
【0033】したがって、従来技術において行われてい
た高分子薄膜42 の露光光の透過率を測定するためのペ
リクル4の剥離は必要でなく、ペリクル4の高分子薄膜
42と、露光レチクル5の透明レチクル基板51 の露光
パターン52 に隣接した透明部分を通して、高分子薄膜
42 の露光光の透過率を測定することができるため、ウ
ェーハ上にパターンを転写する際の露光光のエネルギー
を容易に管理することができる。[0033] Thus, the peeling of the pellicle 4 for measuring the transmittance of a conventional polymer thin film was done in the art 4 second exposure light is not necessary, the polymer thin film 4 2 pellicle 4, exposure reticle 5 Since the transmittance of the exposure light of the polymer thin film 4 2 can be measured through the transparent portion of the transparent reticle substrate 5 1 adjacent to the exposure pattern 5 2 , the energy of the exposure light when the pattern is transferred onto the wafer is measured. Can be easily managed.
【0034】図2は本発明で用いた他の露光装置の概略
構成説明図である。図において、11は光源、12はコ
ンデンサレンズ系、13はブラインド、14はペリク
ル、141 は枠、142 は高分子薄膜、15は露光レチ
クル、151は透明レチクル基板、152 は露光パター
ン、16はレチクルステージ、17は縮小投影レンズ
系、18はウェーハ、19はウェーハステージである。FIG . 2 is a schematic diagram showing the construction of another exposure apparatus used in the present invention . In the figure , 11 is a light source, 12 is a condenser lens system, 13 is a blind, 14 is a pellicle, 14 1 is a frame, 14 2 is a polymer thin film, 15 is an exposure reticle, 15 1 is a transparent reticle substrate, and 15 2 is an exposure pattern. , 16 is a reticle stage, 17 is a reduction projection lens system, 18 is a wafer, and 19 is a wafer stage.
【0035】図2に見られる露光装置においては、水銀
ランプ等の光源11から放射される露光光を下方に設け
たコンデンサレンズ系12によって平行光線とし、この
平行光線をレチクルステージ16に載置された露光パタ
ーン152 を有する透明レチクル基板151 からなる露
光レチクル15及びアルミニウム等の金属で形成された
枠141 の上縁に高分子薄膜142 を貼り渡したペリク
ル14を貼り付けたものを透過させ、露光パターン15
2 の透明部分を通過して露光光を縮小投影レンズ系17
によって1/5程度に縮小して、XY方向に移動できる
ウェーハステージ19の上に載置されたウェーハ18の
感光性樹脂の上に投影して露光パターンを焼き付けるよ
うになっている。In the exposure apparatus shown in FIG . 2, exposure light emitted from a light source 11 such as a mercury lamp is provided below.
Was collimated by a condenser lens system 12, the parallel light is formed of a metal such as an exposure reticle 15 and aluminum consisting of a transparent reticle substrate 15 1 having the placed EXPOSURE pattern 15 2 Les chicle stage 16 frame The pellicle 14 having the polymer thin film 14 2 attached to the upper edge of 14 1 is transmitted to expose the exposure pattern 15
The exposure light is reduced by passing through the transparent part of 2 and the projection lens system 17
The exposure pattern is projected onto the photosensitive resin of the wafer 18 placed on the wafer stage 19 which can be moved in the XY directions by reducing the exposure pattern by about 1/5.
【0036】そして、縮小投影レンズ系17とウェーハ
18の間に、例えば、4枚の矩形の遮光性板状体を同一
平面上で枠状に組み合わせて構成されたブラインド13
が形成されており、この4枚の遮光性板状体の位置をス
ライドすることによって開口の大きさを調節し、光源1
1から放射され、コンデンサレンズ系12を通過した平
行光線が、ペリクル14の枠141 の上縁に貼り渡され
た高分子薄膜142 と、露光レチクル15の露光パター
ン152 の透明部分を通過し、縮小投影レンズ系17に
よって縮小した光の露光パターン152 以外の領域を遮
光し、XY方向に移動できるウェーハステージ19の上
に載置されたウェーハ18の感光性樹脂の上に投影され
る。Then, between the reduction projection lens system 17 and the wafer 18, for example, a blind 13 constituted by combining four rectangular light-shielding plate-like bodies in a frame shape on the same plane.
Is formed, and the size of the opening is adjusted by sliding the positions of these four light-shielding plate-like bodies, and the light source 1
A parallel light beam emitted from the laser beam No. 1 and passing through the condenser lens system 12 passes through the polymer thin film 14 2 attached to the upper edge of the frame 14 1 of the pellicle 14 and the transparent portion of the exposure pattern 15 2 of the exposure reticle 15. Then, the area other than the exposure pattern 15 2 of the light reduced by the reduction projection lens system 17 is shielded and projected onto the photosensitive resin of the wafer 18 placed on the wafer stage 19 which can be moved in the XY directions. .
【0037】図2に示した露光装置においては、コンデ
ンサレンズ系12を通過した平行光線が、ペリクル14
の枠141 の上縁に貼り渡された高分子薄膜142 の、
露光パターン152 以外の領域にも照射されるため、照
射された高分子薄膜142 の全領域の露光光の透過率が
低下することになる。In the exposure apparatus shown in FIG . 2, parallel rays that have passed through the condenser lens system 12 are reflected by the pellicle 14.
Of the polymer thin film 14 2 attached to the upper edge of the frame 14 1 of
Since the area other than the exposure pattern 15 2 is also irradiated, the transmittance of the exposure light in the entire area of the irradiated polymer thin film 14 2 is lowered.
【0038】したがって、従来技術において行われてい
た高分子薄膜142 の露光光の透過率を測定するための
ペリクル14の剥離は必要でなく、ペリクル14の高分
子薄膜142 と、露光レチクル15の透明レチクル基板
151 の露光パターン152に隣接した透明部分を通し
て、高分子薄膜142 の露光光の透過率を測定すること
ができるため、ウェーハ上にパターンを転写する際の露
光光のエネルギーを容易に管理することができる。[0038] Therefore, peeling of the pellicle 14 to measure the transmittance of exposure light of the polymer which has been made thin film 14 2 in the prior art is not necessary, the polymer film 14 2 of the pellicle 14, the exposure reticle 15 Since the transmittance of the exposure light of the polymer thin film 14 2 can be measured through the transparent portion of the transparent reticle substrate 15 1 adjacent to the exposure pattern 15 2 , the energy of the exposure light when the pattern is transferred onto the wafer. Can be easily managed.
【0039】図3はペリクルを表す構成説明図であり、
(A)は断面を、(B)は平面を示している。図におい
て、24はペリクル、241 は枠、242 は高分子薄
膜、243 は第1の接着剤層、244 は第2の接着剤層
である。FIG . 3 is a structural explanatory view showing a pellicle ,
(A) shows a cross section and (B) shows a plane. In the figure , 24 is a pellicle, 24 1 is a frame, 24 2 is a polymer thin film, 24 3 is a first adhesive layer, and 24 4 is a second adhesive layer.
【0040】この実施例のペリクルにおいては、図に示
されているように、ペリクル24の枠241 の上縁に高
分子薄膜242 を貼り渡し、その下縁の全面に第1の接
着剤層243 を形成し、その上の中央に厚さが数10μ
m〜100μm程度の幅が第1の接着剤層243 より狭
い第2の接着剤層244 を形成している。この接着剤と
しては、ウレタンゴムや発泡ポリエチレン等とアクリル
接着剤から形成された物を用いることができる。In the pellicle of this embodiment, as shown in the figure, the polymer thin film 24 2 is attached to the upper edge of the frame 24 1 of the pellicle 24, and the first adhesive is applied to the entire lower edge thereof. A layer 24 3 is formed and a thickness of several 10 μm is formed on the center of the layer 24 3.
A second adhesive layer 24 4 having a width of about m to 100 μm narrower than that of the first adhesive layer 24 3 is formed. As this adhesive, a material formed of urethane rubber, foamed polyethylene or the like and an acrylic adhesive can be used.
【0041】そして、この第1の接着剤層243 と第2
の接着剤層244 は、枠241 の下縁に連続して形成さ
れている。また、この第1の接着剤層243 と第2の接
着剤層244 を、同一の接着剤によって形成することも
でき、これらの接着剤を異ならせて、第2の接着剤層2
4 4 の接着強度を第1の接着剤層243 より弱くするこ
とができる。Then, the first adhesive layer 243And the second
Adhesive layer 24FourIs frame 241Formed continuously on the lower edge of
Has been. In addition, the first adhesive layer 243And the second connection
Adhesive layer 24FourCan be formed with the same adhesive
The second adhesive layer 2 can be formed by changing these adhesives.
Four FourThe adhesive strength of the first adhesive layer 243Make it weaker
You can
【0042】この実施例のペリクル24を用いると、
0.1kg/cm2 程度の押圧力をかけてペリクル24
を凸状の第2の接着剤層244 によって露光レチクルの
上に弱い接着力で仮接着し、その状態で透明レチクル基
板の上の異物検査を行い、規格を満たしていない場合
は、ペリクル24を剥がし、合格の場合は、5kg/c
m 2 程度に押圧力を強めて凸状の段部になる第1の接着
剤層243 によって露光レチクルの上に最終的に接着す
ることができるため、ペリクルの貼り付け作業を能率化
することができる。Using the pellicle 24 of this embodiment,
0.1 kg / cm2Pellicle 24 with some pressure
The convex second adhesive layer 24FourBy the exposure reticle
Temporarily adhere to the top with a weak adhesive force, and in that state a transparent reticle substrate
When foreign matter on the board is inspected and the standard is not met
Peel off the pellicle 24, and if it passes, 5kg / c
m 2The first adhesive that increases the pressing force to a degree to form a convex step
Agent layer 243Finally glue on the exposure reticle by
Streamlines pellicle attachment work
can do.
【0043】図4はペリクルを表す構成説明図であり、
(A)は断面を、(B)は平面を示している。図におい
て、34はペリクル、341 は枠、342 は高分子薄
膜、343 は第1の接着剤層、344 は第2の接着剤層
である。FIG . 4 is an explanatory diagram showing the structure of the pellicle .
(A) shows a cross section and (B) shows a plane. In the figure , 34 is a pellicle, 34 1 is a frame, 34 2 is a polymer thin film, 34 3 is a first adhesive layer, and 34 4 is a second adhesive layer.
【0044】この実施例のペリクルにおいては、図に示
されているように、ペリクル34の枠341 の上縁に高
分子薄膜342 を貼り渡し、その下縁に、中央が高くな
っている傾斜面を有する第1の接着剤層343 を形成
し、その上の中央に幅が狭い第2の接着剤層344 を形
成している。In the pellicle of this embodiment, as shown in the figure, the polymer thin film 34 2 is attached to the upper edge of the frame 34 1 of the pellicle 34, and the lower edge thereof has a high center. A first adhesive layer 34 3 having an inclined surface is formed, and a second adhesive layer 34 4 having a narrow width is formed on the center of the first adhesive layer 34 3 .
【0045】そして、この第1の接着剤層343 と第2
の接着剤層344 は、枠341 の下縁に連続して形成さ
れている。また、この第1の接着剤層343 と第2の接
着剤層344 を、同一の接着剤によって形成することも
でき、これらの接着剤を異ならせて、第2の接着剤層3
4 4 の接着強度を第1の接着剤層343 より弱くするこ
とができる。Then, the first adhesive layer 343And the second
Adhesive layer 34FourIs the frame 341Formed continuously on the lower edge of
Has been. In addition, the first adhesive layer 343And the second connection
Adhesive layer 34FourCan be formed with the same adhesive
The second adhesive layer 3 can be formed by changing these adhesives.
Four FourThe adhesive strength of the first adhesive layer 343Make it weaker
You can
【0046】この実施例のペリクル34を用いると、ペ
リクル34を第2の接着剤層344によって露光レチク
ルの上に仮接着した状態で透明レチクル基板の上の異物
検査を行い、規格を満たしていない場合は、容易にペリ
クル34を剥がすことができ、合格の場合は、押圧力を
強めて第1の接着剤層343 によって露光レチクルの上
に最終的に接着することができるため、ペリクルの貼り
付け作業を能率化することができる。この実施例の傾斜
面は、曲面によって代替することもできる。[0046] With the pellicle 34 of this embodiment, the pellicle 34 performs foreign matter inspection on a transparent reticle substrate by temporarily bonded state on the exposure reticle by a second adhesive layer 34 4, meet the standards If not, the pellicle 34 can be easily peeled off, and if the pellicle 34 is passed, the pressing force can be increased to finally bond the pellicle 34 onto the exposure reticle by the first adhesive layer 34 3 . The pasting work can be streamlined. The inclined surface in this embodiment can be replaced by a curved surface.
【0047】図5はペリクルを表す構成説明図であり、
(A)は断面を、(B)は平面を示している。図におい
て、44はペリクル、441 は枠、442 は高分子薄
膜、443 は第1の接着剤層、444 は第2の接着剤層
である。FIG . 5 is a structural explanatory view showing a pellicle ,
(A) shows a cross section and (B) shows a plane. Figure smell <br/> Te, 44 pellicle, 44 1 frame, 44 2 polymer film, 44 3 first adhesive layer, 44 4 denotes a second adhesive layer.
【0048】この実施例のペリクルにおいては、図に示
されているように、ペリクル44の枠441 の上縁に高
分子薄膜442 を貼り渡し、その下縁の全面に第1の接
着剤層443 を形成し、その上の内周に沿って幅が第1
の接着剤層443 より狭い第2の接着剤層444 を形成
している。そして、この第1の接着剤層443 と第2の
接着剤層444 は、枠441 の下縁に連続して形成され
ている。また、この第1の接着剤層443 と第2の接着
剤層444 を、同一の接着剤によって形成することもで
き、これらの接着剤を異ならせて、第2の接着剤層44
4 の接着強度を第1の接着剤層443 より弱くすること
ができる。The pellicle of this embodiment is shown in the figure.
Frame 44 of pellicle 44 as shown1High on the upper edge
Molecular thin film 442The first contact on the entire lower edge.
Adhesive layer 443The first width along the inner circumference above
Adhesive layer 443Narrower second adhesive layer 44FourForming
is doing. Then, the first adhesive layer 443And the second
Adhesive layer 44FourIs the frame 441Continuously formed on the lower edge of
ing. In addition, the first adhesive layer 443And the second glue
Agent layer 44FourCan also be formed with the same adhesive.
The second adhesive layer 44 by changing these adhesives.
FourThe adhesive strength of the first adhesive layer 443To be weaker
You can
【0049】この実施例のペリクル44を用いると、ペ
リクル44を凸状の第2の接着剤層444 によって露光
レチクルの上に仮接着した状態で透明レチクル基板の上
の異物検査を行い、規格を満たしていない場合は、容易
にペリクル44を剥がすことができ、合格の場合は、押
圧力を強めて凸状の段部になる第1の接着剤層443に
よって露光レチクルの上に最終的に接着することができ
るため、ペリクルの貼り付け作業を能率化することがで
きる。この場合、ペリクル44の枠441 の下縁の外周
に沿って第2の接着剤層44 4 を形成することもでき
る。When the pellicle 44 of this embodiment is used,
The crepe 44 has a convex second adhesive layer 44.FourExposed by
On the transparent reticle substrate with the reticle temporarily bonded
Inspected for foreign matter, and if it does not meet the standard, it is easy
The pellicle 44 can be peeled off.
The first adhesive layer 44 that increases the pressure to form a convex step3To
So you can finally glue it on the exposure reticle
Therefore, the work of attaching the pellicle can be streamlined.
Wear. In this case, the frame 44 of the pellicle 441Outer circumference of lower edge
Second adhesive layer 44 along FourCan also form
It
【0050】図6はペリクルを表す構成説明図であり、
(A)は断面を、(B)は平面を示している。図におい
て、54はペリクル、541 は枠、542 は高分子薄
膜、543 は第1の接着剤層、544 は第2の接着剤層
である。FIG . 6 is a structural explanatory view showing a pellicle ,
(A) shows a cross section and (B) shows a plane. In the figure , 54 is a pellicle, 54 1 is a frame, 54 2 is a polymer thin film, 54 3 is a first adhesive layer, and 54 4 is a second adhesive layer.
【0051】この実施例のペリクルにおいては、図に示
されているように、ペリクル54の枠541 の上縁に高
分子薄膜542 を貼り渡し、その下縁に、下縁の内周に
向かって高くなるように傾斜する第1の接着剤層543
と第2の接着剤層544 を形成している。そして、この
第1の接着剤層543 と第2の接着剤層544 は、枠5
41 の下縁に連続して形成されている。また、この第1
の接着剤層543 と第2の接着剤層544 は、同一の接
着剤によって形成されることもでき、これらの接着剤を
異ならせて、第2の接着剤層544 の接着強度を第1の
接着剤層543 より弱くすることができる。In the pellicle of this embodiment, as shown in the figure, the polymer thin film 54 2 is attached to the upper edge of the frame 54 1 of the pellicle 54, the lower edge of which is attached to the inner periphery of the lower edge. The first adhesive layer 54 3 that slopes upward
And a second adhesive layer 54 4 is formed. Then, the first adhesive layer 54 3 and the second adhesive layer 54 4 are separated by the frame 5
4 1 are continuously formed in a lower edge. Also, this first
The adhesive layer 54 3 and the second adhesive layer 54 4 may be formed of the same adhesive, and these adhesives may be different to increase the adhesive strength of the second adhesive layer 54 4. It can be weaker than the first adhesive layer 54 3 .
【0052】この実施例のペリクル54を用いると、ペ
リクル54を第2の接着剤層544によって露光パター
ンレチクルの上に仮接着した状態で透明レチクル基板の
上の異物検査を行い、規格を満たしていない場合は、容
易にペリクル54を剥がすことができ、合格の場合は、
押圧力を強めて第1の接着剤層543 によって露光レチ
クルの上に本接着することができるため、ペリクルの貼
り付け作業を能率化することができる。この実施例の傾
斜面は、曲面によって代替することもできる。When the pellicle 54 of this embodiment is used, the pellicle 54 is temporarily adhered to the exposure pattern reticle by the second adhesive layer 54 4 and foreign matter inspection is performed on the transparent reticle substrate to satisfy the standard. If not, the pellicle 54 can be easily peeled off.
Since the pressing force can be strengthened and the first adhesive layer 54 3 can be used for the main adhesion onto the exposure reticle, the operation of attaching the pellicle can be streamlined. The inclined surface in this embodiment can be replaced by a curved surface.
【0053】図7はペリクルを表す構成説明図であり、
(A)は断面を、(B)は平面を示している。図におい
て、64はペリクル、641 は枠、642 は高分子薄
膜、643 は第1の接着剤層、644 は第2の接着剤層
である。FIG . 7 is a structural explanatory view showing a pellicle ,
(A) shows a cross section and (B) shows a plane. In the figure , 64 is a pellicle, 64 1 is a frame, 64 2 is a polymer thin film, 64 3 is a first adhesive layer, and 64 4 is a second adhesive layer.
【0054】この実施例のペリクルにおいては、図に示
されているように、ペリクル64の枠641 の上縁に高
分子薄膜642 を貼り渡し、その下縁の全面に第1の接
着剤層643 を形成し、その上に複数の孤立した第2の
接着剤層644 を形成している。In the pellicle of this embodiment, as shown in the figure, the polymer thin film 64 2 is attached to the upper edge of the frame 64 1 of the pellicle 64, and the first adhesive is applied to the entire lower edge thereof. Layer 64 3 is formed and a plurality of isolated second adhesive layers 64 4 are formed thereon.
【0055】この第1の接着剤層643 と第2の接着剤
層644 を、同一の接着剤によって形成することもで
き、これらの接着剤を異ならせて、第2の接着剤層64
4 の接着強度を第1の接着剤層643 より弱くすること
ができる。この実施例は、第3実施例のペリクルにおい
て、第2の接着剤層を孤立化したものに相当するが、第
4実施例、第5実施例、第6実施例のペリクルの第2の
接着剤層を、この実施例と同様に孤立化することもでき
る。The first adhesive layer 64 3 and the second adhesive layer 64 4 can also be formed by the same adhesive, and these adhesives can be made different and the second adhesive layer 64 4 can be formed.
The adhesive strength of 4 can be made weaker than that of the first adhesive layer 64 3 . This example corresponds to the pellicle of the third example in which the second adhesive layer is isolated, but the second adhesion of the pellicle of the fourth, fifth, and sixth examples is performed. The agent layer can be isolated as in this example.
【0056】この実施例のペリクル64を用いると、ペ
リクル64を孤立した凸状の第2の接着剤層644 によ
って露光レチクルの上に仮接着した状態で透明レチクル
基板の上の異物検査を行い、規格を満たしていない場合
は、容易にペリクル64を剥がすことができ、合格の場
合は、押圧力を強めて第1の接着剤層643 によって露
光レチクルの上に最終的に接着することができるため、
ペリクルの貼り付け作業を能率化することができる。When the pellicle 64 of this embodiment is used, foreign matter is inspected on the transparent reticle substrate while the pellicle 64 is temporarily adhered to the exposure reticle by the isolated convex second adhesive layer 64 4 . If the standard is not satisfied, the pellicle 64 can be easily peeled off, and if the pellicle 64 is acceptable, the pressing force is increased to finally bond the pellicle 64 onto the exposure reticle by the first adhesive layer 64 3 . Because you can
The pellicle attachment work can be streamlined.
【0057】図8はペリクルの貼り付け装置を表す概略
構成説明図である。図において、71は基台、72は露
光レチクル、721 は透明レチクル基板、722 は露光
パターン、73はペリクル、731 は枠、732 は高分
子薄膜、733 は第1の接着剤層、734 は第2の接着
剤層、74は押圧部材、751 ,752 はカム装置、7
6はレーザ装置、77は検出装置である。FIG . 8 is a schematic structural explanatory view showing a pellicle sticking device. In the figure , 71 is a base, 72 is an exposure reticle, 72 1 is a transparent reticle substrate, 72 2 is an exposure pattern, 73 is a pellicle, 73 1 is a frame, 73 2 is a polymer thin film, and 73 3 is a first adhesive. Layer, 73 4 is a second adhesive layer, 74 is a pressing member, 75 1 and 75 2 are cam devices, 7
6 is a laser device, and 77 is a detection device.
【0058】この実施例のペリクルの貼り付け装置にお
いては、基台71の上に、透明レチクル基板721 上に
露光パターン722 が形成された露光レチクル72と、
アルミニウム等で形成された枠731 の上縁に高分子薄
膜732 が貼り渡され、その下縁に第1の接着剤層73
3 と、凸状の第2の接着剤層734 が形成されたペリク
ル73を積層して載置するようになっており、その上
に、透明レチクル基板721 の露光パターン722 に相
当する開口を有する押圧部材74が配置され、この押圧
部材74はカム装置751 ,752 によって圧力を調節
して押圧されるようになっている。In the pellicle sticking apparatus of this embodiment, an exposure reticle 72 having an exposure pattern 72 2 formed on a transparent reticle substrate 72 1 on a base 71,
The polymer thin film 73 2 is attached to the upper edge of the frame 73 1 formed of aluminum or the like, and the first adhesive layer 73 is attached to the lower edge thereof.
3, the second adhesive layer 73 4 convex by laminating a pellicle 73 formed are so placed, thereon, corresponding to the exposure pattern 72 2 of the transparent reticle substrate 72 1 A pressing member 74 having an opening is arranged, and the pressing member 74 is pressed by adjusting the pressure by the cam devices 75 1 and 75 2 .
【0059】そして、上方に設けられたレーザ装置76
から放射されるレーザ光が、押圧部材74の開口と高分
子薄膜732 を通して、透明レチクル基板721 の上面
を掃引され、透明レチクル基板721 からの反射光を検
出装置77によって検出されるようにされている。Then, the laser device 76 provided above
As the laser light emitted is through the opening and the polymer thin film 73 2 of the pressing member 74, which is swept transparent reticle substrate 72 1 in the upper surface, it is detected by the detecting device 77 the reflected light from the transparent reticle substrate 72 1 from Has been
【0060】この実施例のペリクルの貼り付け装置を用
いて、露光レチクル72とペリクル73を貼り付けると
きは、この図に示すように、基台71の上に露光レチク
ル72とペリクル73を積層し、この積層構造体を、カ
ム装置751 ,752 を予め定められた角度だけ回転し
て、押圧部材74によって0.1kg/cm2 の圧力で
押圧して凸状の第2の接着剤層734 によって仮接着
し、この状態で、上方に設けられたレーザ装置76から
放射されるレーザ光を、押圧部材74の開口と高分子薄
膜732 を通して、透明レチクル基板721 の上面を掃
引し、透明レチクル基板721 からの反射光を検出装置
77によって検出することによって、透明レチクル基板
721 上のゴミの有無を検査し、ゴミ等の異物の付着状
態が許容範囲にある場合は、さらにカム装置751 ,7
52 を予め定められた角度だけ回転して、押圧部材74
によって5kg/cm2 の圧力で押圧して第1の接着剤
層733 によって最終的に接着する。When the exposure reticle 72 and the pellicle 73 are attached using the pellicle attaching apparatus of this embodiment, the exposure reticle 72 and the pellicle 73 are laminated on the base 71 as shown in this figure. The laminated structure is rotated by the cam devices 75 1 and 75 2 by a predetermined angle and is pressed by the pressing member 74 at a pressure of 0.1 kg / cm 2 to form a convex second adhesive layer. temporarily bonded by 73 4, in this state, a laser beam emitted from a laser device 76 which is provided above, through the opening and the polymer thin film 73 2 of the pressing member 74, sweeps the transparent reticle substrate 72 1 of the upper surface by detecting by detector 77 the reflected light from the transparent reticle substrate 72 1, checks for debris transparent reticle substrate 72 on 1, if the state of adhesion of foreign matter such as dust is in the acceptable range Further cam device 75 1, 7
5 2 is rotated by a predetermined angle to press the pressing member 74.
Then, it is pressed with a pressure of 5 kg / cm 2 and finally bonded by the first adhesive layer 73 3 .
【0061】ゴミ等の異物の付着状態が許容範囲にない
場合は、カム装置751 ,752 を戻して露光レチクル
72とペリクル73を取り出し、露光レチクル72から
ペリクル73を剥離してそのまま保管し、露光レチクル
72を洗浄して異物を除去し、乾燥した後に、上記と同
様に、ペリクル73の仮接着、ゴミの付着状態の検査、
本接着、または、剥離、洗浄を繰り返す。When the adhered state of foreign matter such as dust is not within the allowable range, the cam devices 75 1 and 75 2 are returned to take out the exposure reticle 72 and the pellicle 73, and the pellicle 73 is separated from the exposure reticle 72 and stored as it is. After cleaning the exposure reticle 72 to remove foreign matters and drying, the temporary adhesion of the pellicle 73, the inspection of the adhesion state of dust,
Main adhesion, peeling, and washing are repeated.
【0062】なお、上記のゴミ等の異物の付着状態の検
査は、露光レチクルの上面を対象にしているが、検査装
置の焦点を調節することによってペリクルの高分子膜の
両面を対象して検査し、露光に支障を生じる程度のゴミ
等の異物が付着している場合はペリクルの高分子膜を貼
り変えることもできる。上記のカム装置751 ,752
は適宜の押圧装置に代替することができる。Although the above-mentioned inspection of the adhered state of foreign matter such as dust is performed on the upper surface of the exposure reticle, the inspection is performed on both sides of the polymer film of the pellicle by adjusting the focus of the inspection device. However, if foreign matter such as dust that interferes with exposure adheres, the polymer film of the pellicle can be reattached. The above cam devices 75 1 , 75 2
Can be replaced by an appropriate pressing device.
【0063】[0063]
【発明の効果】本発明によれば、ペリクルの透過率測定
を行う場合、露光レチクルからペリクルを剥がさず、露
光レチクルに貼り付けた状態で透過率を測定することが
でき、そして、露光技術の分野で改善が望まれてきた問
題、即ち、レチクルステージの上側にブラインドが設置
されている場合、ブラインドを構成する遮光板をスライ
ドしてブラインドの開口の大きさを調節する際に摩擦に
よって発生するゴミが露光レチクル上に落下して付着す
るという事故はなくなり、また、ペリクルを仮接着した
露光レチクル上のゴミ等の異物を検査した後、本接着を
行うことができるため、ペリクル貼り付け作業が容易に
なるという作業能率上の効果があり、そして、ペリクル
は再使用できるから、コスト・ダウンに寄与できる。 According to the present invention, when the transmittance of a pellicle is measured, the transmittance can be measured in a state of being attached to the exposure reticle without peeling off the pellicle from the exposure reticle . Questions that need improvement in the field
Problem, i.e., if the blind is installed above the reticle stage, dust generated by the friction when adjusting the size of the blind opening to slide the shielding plate constituting the blind drop onto the exposure reticle There is no accident of sticking due to adhesion, and the pellicle was temporarily bonded
After inspecting foreign matter such as dust on the exposure reticle, perform regular adhesion.
Easy to attach pellicle because it can be done
Has the effect on work efficiency, and the pellicle
Can be reused, which can contribute to cost reduction.
【0064】[0064]
【図1】露光装置の概略構成説明図である。1 is a schematic illustration of EXPOSURE APPARATUS.
【図2】露光装置の概略構成説明図である。Figure 2 is a schematic illustration of EXPOSURE APPARATUS.
【図3】ペリクルの構成説明図であり、(A)は断面
を、(B)は平面を示している。[Figure 3] is a diagram illustrating the configuration of a pellicle, the (A) is cross-section and (B) shows a plane.
【図4】ペリクルの構成説明図であり、(A)は断面
を、(B)は平面を示している。[Figure 4] is a diagram illustrating the configuration of a pellicle, the (A) is cross-section and (B) shows a plane.
【図5】ペリクルの構成説明図であり、(A)は断面
を、(B)は平面を示している。[Figure 5] is a configuration diagram of a pellicle, the (A) is cross-section and (B) shows a plane.
【図6】ペリクルの構成説明図であり、(A)は断面
を、(B)は平面を示している。[Figure 6] is a diagram illustrating the configuration of a pellicle, the (A) is cross-section and (B) shows a plane.
【図7】ペリクルの構成説明図であり、(A)は断面
を、(B)は平面を示している。[Figure 7] is a diagram illustrating the configuration of a pellicle, the (A) is cross-section and (B) shows a plane.
【図8】ペリクルの張り付け装置の概略構成説明図であ
る。8 is a schematic illustration of a sticking apparatus pellicle.
【図9】従来の露光装置の概略構成説明図である。FIG. 9 is a schematic configuration explanatory diagram of a conventional exposure apparatus.
【図10】従来のペリクルの構成説明図であり、(A)
は断面を、(B)は平面を示している。FIG. 10 is an explanatory diagram of a configuration of a conventional pellicle, (A)
Shows a cross section and (B) shows a plane.
1,11 光源
2,12 コンデンサレンズ系
3,13 ブラインド
4,14 ペリクル
41 ,141 枠
42 ,142 高分子薄膜
5,15 露光レチクル
51 ,151 透明レチクル基板
52 ,152 露光パターン
6,16 レチクルステージ
7,17 縮小投影レンズ系
8,18 ウェーハ
9,19 ウェーハステージ
24,34,44,54,64 ペリクル
241 ,341 ,441 ,541 ,641 枠
242 ,342 ,442 ,542 ,642 高分子薄膜
243 ,343 ,443 ,543 ,643 第1の接着
剤層
244 ,344 ,444 ,544 ,644 第2の接着
剤層
71 基台
72 露光レチクル
721 透明レチクル基板
722 露光パターン
73 ペリクル
731 枠
732 高分子薄膜
733 第1の接着剤層
734 第2の接着剤層
74 押圧部材
751 ,752 カム装置
76 レーザ装置
77 検出装置1, 11 Light source 2, 12 Condenser lens system 3, 13 Blind 4, 14 Pellicle 4 1 , 14 1 Frame 4 2 , 14 2 Polymer thin film 5, 15 Exposure reticle 5 1 , 15 1 Transparent reticle substrate 5 2 , 15 2 Exposure pattern 6,16 Reticle stage 7,17 Reduction projection lens system 8,18 Wafer 9,19 Wafer stage 24,34,44,54,64 Pellicle 24 1 , 34 1 , 44 1 , 54 1 , 64 1 Frame 24 2 , 34 2 , 44 2 , 54 2 , 64 2 Polymer thin film 24 3 , 34 3 , 44 3 , 54 3 , 64 3 1st adhesive layer 24 4 , 34 4 , 44 4 , 54 4 , 64 4 2 adhesive layer 71 base 72 exposure reticle 72 1 transparent reticle substrate 72 2 exposure pattern 73 pellicle 73 1 frame 73 2 polymer thin film 73 3 first adhesive layer 73 4 second adhesive layer 74 pressing member 75 1, 75 2 cam Location 76 laser device 77 detection device
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松山 隆義 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 三浦 良一 鹿児島県薩摩郡入来町副田5950番地 株 式会社九州富士通エレクトロニクス内 (56)参考文献 特開 昭62−92959(JP,A) 特開 平2−218113(JP,A) 特開 平6−5508(JP,A) 特開 昭63−298245(JP,A) 特開 平6−19124(JP,A) 特開 昭63−104058(JP,A) 特開 平4−133061(JP,A) 実開 平6−36054(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03F 1/14 G03F 7/20 H01L 21/027 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Takayoshi Matsuyama 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Within Fujitsu Limited (72) Inventor Ryoichi Miura 5950 Soeda, Irima-cho, Satsuma-gun, Kagoshima Incorporated company Kyushu Fujitsu In Electronics (56) Reference JP 62-92959 (JP, A) JP H2-218113 (JP, A) JP 6-5508 (JP, A) JP S63-298245 (JP, A) ) JP-A-6-19124 (JP, A) JP-A-63-104058 (JP, A) JP-A-4-133061 (JP, A) Actually open flat 6-36054 (JP, U) (58) Field (Int.Cl. 7 , DB name) G03F 1/14 G03F 7/20 H01L 21/027
Claims (8)
より狭い面積の第2の接着剤層とからなること を特徴と
する露光レチクル用ペリクル。1. A frame, a polymer thin film attached to the upper edge of the frame, a first adhesive layer formed on the entire lower edge of the frame, and a surface of the first adhesive layer . The first adhesive layer protruding
A pellicle for an exposure reticle, comprising a second adhesive layer having a smaller area .
該第2の接着剤層が形成されていることを特徴とする請
求項1記載の露光レチクル用ペリクル。2. A central portion or an inner peripheral portion of the first adhesive layer
The pellicle for an exposure reticle according to claim 1, wherein the second adhesive layer is formed .
面を有する該第1の接着剤層と 該第1の接着剤層の該中
央部または該内周部に形成された該第2の接着剤層とを
特徴とする請求項1記載の露光レチクル用ペリクル。3. A slope having a high central portion or inner peripheral portion
The first adhesive layer having a surface and the middle of the first adhesive layer
The pellicle for an exposure reticle according to claim 1 , wherein the second adhesive layer is formed on the central portion or the inner peripheral portion .
らなることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか
1記載の露光レチクル用ペリクル。4. The pellicle for an exposure reticle according to claim 1, wherein the second adhesive layer is composed of a plurality of isolated portions.
なることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1
記載の露光レチクル用ペリクル。5. The first adhesive layer according to claim 1, wherein the second adhesive layer comprises a continuous linear portion.
The pellicle for an exposure reticle described.
剤層の接着力より弱くしたことを特徴とする請求項1乃
至請求項5の何れか1記載の露光レチクル用ペリクル。6. The adhesive force of the second adhesive layer is set to the first adhesive layer.
6. The pellicle for an exposure reticle according to claim 1, wherein the pellicle is weaker than the adhesive force of the agent layer .
より狭い面積の第2の接着剤層と をもつペリクルを露光
レチクル上に貼り付ける際、 まず、露光レチクルの上に該第2の接着剤層によって仮
に接着し、 その状態で露光レチクルのゴミの付着状態を検査し、 ゴミの付着状態が許容範囲にある場合には該第1の接着
剤層によって最終的に接着し、 ゴミの付着状態が許容範囲にない場合には該ペリクルを
剥離して露光レチクルを洗浄し、 その後、再度ペリクルを露光レチクル上に貼り付けるこ
とを特徴とする露光レチクル用ペリクルの貼り付け方
法。7. A frame, a polymer thin film attached to the upper edge of the frame, a first adhesive layer formed on the entire lower edge of the frame, and a surface of the first adhesive layer . The first adhesive layer protruding
When the pellicle is affixed with a second adhesive layer narrower area on the exposure reticle, first, tentatively adhered by the second adhesive layer on the exposure reticle, the dust exposure reticle in that state The adhesion state is inspected, and if the adhesion state of dust is within the allowable range, the first adhesion
An exposure characterized by finally adhering with the agent layer , and when the dust adhesion state is not within the allowable range, the pellicle is peeled off to wash the exposure reticle, and then the pellicle is attached again onto the exposure reticle. How to attach pellicle for reticle.
の上縁に貼り渡された高分子薄膜と、枠の下縁の全面に
形成された第1の接着剤層と、該第1の接着剤層の表面
から突出する該第1の接着剤層より狭い面積の第2の接
着剤層とをもつペリクルを載置する基台と、 該ペリクルの周辺部を押圧力を調節して押圧することが
できる押圧部材と、 該ペリクルを透してその下の露光レチクルの表面におけ
るゴミの付着状態を検査することができる表面状態検査
装置とを含んでなることを特徴とする露光レチクル用ペ
リクルの貼り付け装置。8. An exposure reticle is placed on which a frame and a frame are mounted.
The thin polymer film attached to the upper edge of the frame and the entire lower edge of the frame
Formed first adhesive layer and surface of the first adhesive layer
A second contact having a smaller area than the first adhesive layer protruding from
A base on which a pellicle having a binder layer is placed, a pressing member that can press the peripheral portion of the pellicle by adjusting a pressing force, and a surface of an exposure reticle below the pressing member through the pellicle. An apparatus for sticking a pellicle for an exposure reticle, comprising: a surface state inspection device capable of inspecting a dust attachment state.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04667794A JP3390882B2 (en) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | Pellicle for exposure reticle, method for attaching the pellicle, and apparatus for attaching the pellicle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04667794A JP3390882B2 (en) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | Pellicle for exposure reticle, method for attaching the pellicle, and apparatus for attaching the pellicle |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263296A JPH07263296A (en) | 1995-10-13 |
| JP3390882B2 true JP3390882B2 (en) | 2003-03-31 |
Family
ID=12754014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04667794A Expired - Fee Related JP3390882B2 (en) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | Pellicle for exposure reticle, method for attaching the pellicle, and apparatus for attaching the pellicle |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3390882B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002151400A (en) | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Canon Inc | Exposure apparatus, maintenance method thereof, semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing factory using the same |
| US7808612B2 (en) * | 2007-04-05 | 2010-10-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for masking a substrate |
| JP2012234110A (en) * | 2011-05-09 | 2012-11-29 | Canon Inc | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| TWI679491B (en) * | 2014-11-17 | 2019-12-11 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | Mask assembly suitable for use in a lithographic process |
-
1994
- 1994-03-17 JP JP04667794A patent/JP3390882B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07263296A (en) | 1995-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6458216B1 (en) | Reticle cleaning without damaging pellicle | |
| EP0782719B1 (en) | Protective mask for pellicle | |
| US6337161B2 (en) | Mask structure exposure method | |
| JP3037745B2 (en) | Pellicle structure | |
| JP2992585B2 (en) | Pressure-releasing pellicle | |
| CN113238454B (en) | Photomask structure and lithographic apparatus | |
| US5085899A (en) | Dust-proof film | |
| JP3390882B2 (en) | Pellicle for exposure reticle, method for attaching the pellicle, and apparatus for attaching the pellicle | |
| JP3165192B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device | |
| CN101625528B (en) | Mask clamp | |
| JP4380910B2 (en) | Pellicle | |
| EP0119310B1 (en) | Method of fabricating a pellicle cover for projection printing system | |
| US5332604A (en) | Adhesive system for reducing the likelihood of particulate | |
| JP2000227653A (en) | Pellicle for lithography | |
| US4523974A (en) | Method of fabricating a pellicle cover for projection printing system | |
| US20040067424A1 (en) | Protective device for lithographic masks and method of using lithographic masks | |
| JP3050431B2 (en) | Face plate foreign matter inspection device | |
| GB2148539A (en) | Lithographic mask | |
| JP3402746B2 (en) | Photomask inspection method and apparatus | |
| JPH09281050A (en) | Defect inspection equipment | |
| KR20250020163A (en) | Mask inspection method and method fabricating semiconductor device | |
| JPH03271741A (en) | Mask for exposure | |
| US20070009815A1 (en) | Method of wafer edge exposure | |
| JP2003045781A (en) | Stencil mask and its protection method, protection sheet, and charged particle beam exposure apparatus | |
| KR100299004B1 (en) | Method of drawing a pattern by direct writing with charged particle beam |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021217 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |