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JP3390882B2 - 露光レチクル用ペリクル及びその貼り付け方法及びその貼り付け装置 - Google Patents
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JP3390882B2 - 露光レチクル用ペリクル及びその貼り付け方法及びその貼り付け装置 - Google Patents

露光レチクル用ペリクル及びその貼り付け方法及びその貼り付け装置

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JP3390882B2 JP04667794A JP4667794A JP3390882B2 JP 3390882 B2 JP3390882 B2 JP 3390882B2 JP 04667794 A JP04667794 A JP 04667794A JP 4667794 A JP4667794 A JP 4667794A JP 3390882 B2 JP3390882 B2 JP 3390882B2
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置の
製造工程で用いる露光レチクル用ペリクル及びその貼り
付け方法及びその貼り付け装置に関する。近年、半導体
集積回路装置が高集積化されているため、回路パターン
の最小線幅を決める設計ルールがサブミクロンオーダー
になることが多い。
【0002】このような半導体集積回路装置を高品質で
製造するためには、フォトプロセスにおいて、ウェーハ
上にパターンを転写する際の露光光のエネルギーを常に
管理することが必要である。
【0003】ところが、近年の高集積化された半導体集
積回路装置を製造するフォトプロセスにおいては、回路
パターンを形成した露光レチクルの上にゴミや粒子等の
異物が付着し、このゴミ等の影がウェーハ上に鮮明に投
影されて、回路パターンの露光を要する部分に非露光部
分を形成するのを防ぐために、回路パターンを形成した
露光レチクルの上に、この露光レチクルの表面よりも
6.3mm程度高い位置に、ニトロセルロース等の光学
的に安定し透明な高分子薄膜をアルミニウム等の枠に張
り渡して設け、本来ならば露光レチクルの表面に落下し
て付着するゴミ等を、この透明な高分子薄膜の上に受
け、このゴミ等の粒径が小さい場合は、縮小投影レンズ
系の焦点深度の外に出すことによって、ゴミの影がウェ
ーハ上に投影されないようにするためのペリクルが用い
られている。
【0004】
【従来の技術】そして、従来の、露光光を放射する光源
と、その下に配置された露光光を平行光にするコンデン
サレンズ系と、その下に配置されたペリクルを設けた露
光レチクルを載置するレチクルステージと、その下に配
置された露光レチクルの露光パターンを透過した光を縮
小する縮小投影レンズ系と、その下に配置された露光パ
ターンを焼き付けるウェーハを載置するウェーハステー
ジを有する露光装置においては、露光パターンの外周を
露光光から遮蔽して不所望の光の漏洩、散乱を防ぐため
のブラインド(アパーチャーとも称されている)を、ペ
リクルを設けた露光レチクルの上に設けていた。
【0005】図9は、従来の露光装置の概略構成説明図
である。この図において、81は光源、82はコンデン
サレンズ系、83はブラインド、84はペリクル、84
1 は枠、842 は高分子薄膜、85は露光レチクル、8
1 は透明レチクル基板、852 は露光パターン、86
はレチクルステージ、87は縮小投影レンズ系、88は
ウェーハ、89はウェーハステージである。
【0006】この従来の露光装置においては、水銀ラン
プ等の光源81から放射される露光光を、その下に設け
られたコンデンサレンズ系82によって平行光線にし、
この平行光線を、レチクルステージ86に載置された、
露光パターン852 を有する透明レチクル基板851
らなる露光レチクル85と、アルミニウム等の金属で形
成された枠841 の上縁に高分子薄膜842 を貼り渡し
たペリクル84を貼り付けたものを透過させ、露光パタ
ーン852 の透明部分を通過して露光光を縮小投影レン
ズ系87によって1/5程度に縮小して、XY方向に移
動できるウェーハステージ89の上に載置されたウェー
ハ88の感光性樹脂の上に投影して露光パターンを焼き
付けるようになっている。
【0007】そして、コンデンサレンズ系82とペリク
ル84の高分子薄膜842 の間に、例えば、4枚の矩形
の遮光性板状体を同一平面上で枠状に組み合わせて構成
されたブラインド83が形成されており、この4枚の遮
光性板状体の位置をスライドすることによって開口の大
きさを調節し、光源81から放射され、コンデンサレン
ズ系82を通過した平行光線が、ペリクル84の枠84
1 の上縁に貼り渡された高分子薄膜842 の、露光レチ
クル85の露光パターン852 以外の領域を遮光し、コ
ンデンサレンズ系82を通過した平行光線が、露光パタ
ーン852 の外側を通過し、露光装置の容器壁等に反射
してウェーハステージ89の上に載置されたウェーハ8
8の感光性樹脂膜に入射するのを防いでいる。
【0008】このように、透明レチクル基板851 の表
面に落下して付着するゴミ等を、ペリクル84の高分子
薄膜842 の上に受けるようにし、このゴミ等を縮小投
影レンズ系の焦点深度から外すことによって、ゴミの影
がウェーハ88の感光性樹脂膜に投影されるのを防いで
いる。
【0009】ところが、前記のように、ウェーハ88の
上にパターンを転写する際の露光光のエネルギーを管理
することが必要であるが、ペリクル84の高分子薄膜8
2は、紫外線等露光光に照射されると徐々に着色され
露光光の透過率が低下する性質を有している。したがっ
て、従来から、露光光の照射量と、露光レチクル85に
貼り付けられたペリクル84の高分子薄膜842 の透過
率の関係を測定しておき、露光光の延べ照射時間から通
常の露光光のエネルギーからのエネルギーダウン率を推
定する方法や、直接ペリクル84の高分子薄膜842
透過率を測定し、通常の露光光のエネルギーからのエネ
ルギーダウン率が規定値に達したときに、ペリクル84
を貼り替る方法によって露光光のエネルギーを管理して
いた。
【0010】また、前記の従来技術においては、露光レ
チクル85の透明レチクル基板85 1 に露光パターン8
2 を形成し、洗浄した後、その上面に、アルミニウム
等の金属で形成された枠841 の上縁にニトロセルロー
ス等の光学的に安定な透明な高分子薄膜842 を貼り渡
したペリクル84を、この枠841 の下縁に塗布形成さ
れた接着剤層によって貼り付け、レーザ光を用いた検査
装置によって透明レチクル基板851 の上(露光パター
ンが形成された面の裏面)の異物検査を行い、規格を満
たしている場合は合格品として出荷している。
【0011】そして、露光レチクル85にペリクル84
を貼り付け後の検査によって、ペリクル84内に異物が
混入していることが発見された場合は規格外となるた
め、ペリクル84を剥がして再度露光レチクル85を洗
浄した後にペリクル84を貼り付けている。
【0012】図10は、従来のペリクルの構成説明図で
あり、(A)は断面を、(B)は平面を示している。こ
の図において、84はペリクル、841 は枠、842
高分子薄膜、843は接着剤層である。この図に示され
ているように、従来のペリクルは、ペリクル84の枠8
1 の上縁に高分子薄膜842 を貼り渡し、その下縁の
全面に接着剤層843 を平面状に塗布していた。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の露光
装置においては、前記のように、ブラインド83の開口
の大きさを調節して、光源81から放射され、コンデン
サレンズ系82を通過した平行光線がペリクル84の枠
841 の上縁に貼り渡された高分子薄膜842 の、露光
レチクル85の露光パターン852 以外の領域を遮光し
ているため、露光光の照射によるペリクル84の高分子
薄膜842 の透過率の低下は露光パターン852 が形成
されている部分に限られるため、高分子薄膜842 の透
過率の測定は、露光レチクル85にペリクル84を貼り
付た状態で行うことができず、ペリクル84を露光レチ
クル85から剥がして透過率測定器によって測定する必
要があり、ペリクル84の透過率管理が容易ではなかっ
た。
【0014】また、図10に示されているように、従来
は、ペリクル84の枠841 の下縁の全面に接着剤層を
平面状に塗布していたため、溶剤を用いあるいは物理的
にペリクル84を露光レチクル85(図9参照)から剥
がすと、露光レチクル85に接着剤が残ってしまい、露
光レチクル85を再洗浄することが必要になり、スルー
プットが悪くなるという問題があった。そしてまた、強
い力を用いて物理的にペリクル84を剥がすと、露光レ
チクル85に損傷を与える可能性があり、ペリクル84
を剥がした後にペリクル84を再使用することができな
くなるといった問題があった。
【0015】
【0016】発明のペリクルは、ペリクル84の枠8
1 の下縁の接着剤層の断面を凸状にし、断面が凸状の
接着剤層の頂部において露光レチクル85の上に仮接着
した状態で透明レチクル基板851 の上の異物検査を行
い、規格を満たしている場合は、より大きい押圧力を加
えて断面が凸状の接着剤層の段部において本接着して合
格品として出荷し、規格外の場合には、容易にペリクル
84を剥がすことができ、そのためペリクルの貼り付け
作業を能率化できる手段を提供する。
【0017】
【0018】
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明に依る露光レチク
ル用ペリクルに於いては、枠と、枠の上縁に貼り渡され
た高分子薄膜と、枠の下縁の全面に形成された第1の接
着剤層と、該第1の接着剤層の表面から突出する該第1
の接着剤層より狭い面積の第2の接着剤層とからなるこ
が基本になっている。
【0020】この場合、段差、傾斜面または曲面によっ
て、露光レチクルに仮に接着するための微小な面積の接
着剤層を有する突出部と、該突出部より後退し、最終的
に接着するためのより広い面積の接着剤層を有する部分
が形成されている構成を採用することができる。
【0021】また、この場合、露光レチクルの上に仮に
接着するための微小な面積の接着剤層を有する突出部
と、該突出部より後退し、最終的に接着するためのより
広い面積の接着剤層を有する部分が孤立した複数の部分
からなる構成を採用することができる。
【0022】また、この場合、露光レチクルの上に仮に
接着するための微小な面積の接着剤層を有する突出部
と、該突出部より後退し、最終的に接着するためのより
広い面積の接着剤層を有する部分が連続した線状部分か
らなる構成を採用することができる。
【0023】また、この場合、突出部の上の露光レチク
ルの上に仮に接着するための接着剤層の接着力を、突出
部より後退した部分の最終的に接着するための接着剤層
の接着力より弱くした構成を採用することができる。
【0024】そして、また、本発明にかかる露光レチク
ル用ペリクルの貼り付け方法においては、露光レチクル
の上に仮に接着するための微小な面積の接着剤層を有す
る突出部と、該突出部より後退し、最終的に接着するた
めのより広い面積の接着剤層を有する部分を有するペリ
クルを露光レチクル上に貼り付ける際、まず、露光レチ
クルの上に、微小な面積の接着剤層を有する突出部によ
って仮に接着し、その状態で露光レチクルのゴミの付着
状態を検査し、ゴミの付着状態が許容範囲にある場合に
は該突出部より後退し広い面積の接着剤層を有する部分
によって最終的に接着し、ゴミの付着状態が許容範囲に
ない場合には該ペリクルを剥離して露光レチクルを洗浄
し、その後、再度ペリクルを露光レチクル上に貼り付け
る工程を採用した。
【0025】また、本発明にかかるペリクルの貼り付け
装置においては、露光レチクルを載置し、その上に該露
光レチクルの上に仮に接着するための微小な面積の接着
剤層を有する突出部と、該突出部より後退し、最終的に
接着するためのより広い面積の接着剤層を有する部分を
有するペリクルを載置する基台と、該ペリクルの周辺部
を押圧力を調節して押圧することができる押圧部材と、
該ペリクルを透してその下の露光レチクルの表面のゴミ
の付着状態を検査することができる表面状態検査装置と
を含む構成を採用した。
【0026】
【0027】
【作用】 発明のペリクルのように、露光レチクルの上
に仮に接着するための微小な面積の接着剤層を有する突
出部と、この突出部より後退し、最終的に接着するため
のより広い面積の接着剤層を有する部分を設けることに
よって、凸状の接着剤層の頂部において露光レチクルの
上に仮接着した状態で透明レチクル基板の上の異物検査
を行い、規格を満たしていない場合は、容易にペリクル
を剥がすことができ、合格の場合は、押圧力を強めて凸
状の接着剤層の段部で露光レチクルの上に本接着するこ
とができるため、ペリクルの貼り付け作業を能率化する
ことができる。
【0028】
【実施例】以下、本発明の実施例である露光レチクル用
ペリクル及び使用する露光装置を図面を参照しつつ説明
する。
【0029】1は本発明で用いた露光装置の概略構成
説明図である。において、1は光源、2はコンデンサ
レンズ系、3はブラインド、4はペリクル、41 は枠、
2 は高分子薄膜、5は露光レチクル、51 は透明レチ
クル基板、52 は露光パターン、6はレチクルステー
ジ、7は縮小投影レンズ系、8はウェーハ、9はウェー
ハステージである。
【0030】図1に見られる露光装置においては、水銀
ランプ等の光源1から放射される露光光を下方に設けた
コンデンサレンズ系2によって平行光線とし、この平行
光線は、レチクルステージ6に載置された露光パターン
2 を有する透明レチクル基板51 からなる露光レチク
ル5及びアルミニウム等の金属で形成された枠41 の上
縁に高分子薄膜42 を貼り渡したペリクル4を貼り付け
たものを透過し、露光パターン52 の透明部分を通過し
露光光を縮小投影レンズ系7によって1/5程度に縮
小して、XY方向に移動できるウェーハステージ9の上
に載置されたウェーハ8の感光性樹脂の上に投影して露
光パターンを焼き付けるようになっている。
【0031】そして、露光レチクル5と縮小投影レンズ
系7の間に、例えば、4枚の矩形の遮光性板状体を同一
平面上で枠状に組み合わせて構成されたブラインド3が
形成されており、この4枚の遮光性板状体の位置をスラ
イドすることによって開口の大きさを調節し、光源1か
ら放射され、コンデンサレンズ系2を通過した平行光線
が、ペリクル4の枠41 の上縁に貼り渡された高分子薄
膜42 と、露光レチクル5の露光パターン52 の透明部
分を通過した光の露光パターン52 以外の領域を遮光
し、縮小投影レンズ系7によって1/5程度に縮小し
て、XY方向に移動できるウェーハステージ9の上に載
置されたウェーハ8の感光性樹脂の上に投影される。
【0032】図1に示した露光装置においては、コンデ
ンサレンズ系2を通過した平行光線が、ペリクル4の枠
1 の上縁に貼り渡された高分子薄膜42 の、露光パタ
ーン52 以外の領域にも照射されるため、照射された高
分子薄膜42 の全領域の露光光の透過率が低下すること
になる。
【0033】したがって、従来技術において行われてい
た高分子薄膜42 の露光光の透過率を測定するためのペ
リクル4の剥離は必要でなく、ペリクル4の高分子薄膜
2と、露光レチクル5の透明レチクル基板51 の露光
パターン52 に隣接した透明部分を通して、高分子薄膜
2 の露光光の透過率を測定することができるため、ウ
ェーハ上にパターンを転写する際の露光光のエネルギー
を容易に管理することができる。
【0034】2は本発明で用いた他の露光装置の概略
構成説明図である。において、11は光源、12はコ
ンデンサレンズ系、13はブラインド、14はペリク
ル、141 は枠、142 は高分子薄膜、15は露光レチ
クル、151は透明レチクル基板、152 は露光パター
ン、16はレチクルステージ、17は縮小投影レンズ
系、18はウェーハ、19はウェーハステージである。
【0035】図2に見られる露光装置においては、水銀
ランプ等の光源11から放射される露光光を下方に設け
コンデンサレンズ系12によって平行光線とし、この
平行光線をレチクルステージ16に載置された露光パタ
ーン152 を有する透明レチクル基板151 からなる露
光レチクル15及びアルミニウム等の金属で形成された
枠141 の上縁に高分子薄膜142 を貼り渡したペリク
ル14を貼り付けたものを透過させ、露光パターン15
2 の透明部分を通過して露光光を縮小投影レンズ系17
によって1/5程度に縮小して、XY方向に移動できる
ウェーハステージ19の上に載置されたウェーハ18の
感光性樹脂の上に投影して露光パターンを焼き付けるよ
うになっている。
【0036】そして、縮小投影レンズ系17とウェーハ
18の間に、例えば、4枚の矩形の遮光性板状体を同一
平面上で枠状に組み合わせて構成されたブラインド13
が形成されており、この4枚の遮光性板状体の位置をス
ライドすることによって開口の大きさを調節し、光源1
1から放射され、コンデンサレンズ系12を通過した平
行光線が、ペリクル14の枠141 の上縁に貼り渡され
た高分子薄膜142 と、露光レチクル15の露光パター
ン152 の透明部分を通過し、縮小投影レンズ系17に
よって縮小した光の露光パターン152 以外の領域を遮
光し、XY方向に移動できるウェーハステージ19の上
に載置されたウェーハ18の感光性樹脂の上に投影され
る。
【0037】図2に示した露光装置においては、コンデ
ンサレンズ系12を通過した平行光線が、ペリクル14
の枠141 の上縁に貼り渡された高分子薄膜142 の、
露光パターン152 以外の領域にも照射されるため、照
射された高分子薄膜142 の全領域の露光光の透過率が
低下することになる。
【0038】したがって、従来技術において行われてい
た高分子薄膜142 の露光光の透過率を測定するための
ペリクル14の剥離は必要でなく、ペリクル14の高分
子薄膜142 と、露光レチクル15の透明レチクル基板
151 の露光パターン152に隣接した透明部分を通し
て、高分子薄膜142 の露光光の透過率を測定すること
ができるため、ウェーハ上にパターンを転写する際の露
光光のエネルギーを容易に管理することができる。
【0039】図3はペリクルを表す構成説明図であり、
(A)は断面を、(B)は平面を示している。におい
て、24はペリクル、241 は枠、242 は高分子薄
膜、243 は第1の接着剤層、244 は第2の接着剤層
である。
【0040】この実施例のペリクルにおいては、図に示
されているように、ペリクル24の枠241 の上縁に高
分子薄膜242 を貼り渡し、その下縁の全面に第1の接
着剤層243 を形成し、その上の中央に厚さが数10μ
m〜100μm程度の幅が第1の接着剤層243 より狭
い第2の接着剤層244 を形成している。この接着剤と
しては、ウレタンゴムや発泡ポリエチレン等とアクリル
接着剤から形成された物を用いることができる。
【0041】そして、この第1の接着剤層243 と第2
の接着剤層244 は、枠241 の下縁に連続して形成さ
れている。また、この第1の接着剤層243 と第2の接
着剤層244 を、同一の接着剤によって形成することも
でき、これらの接着剤を異ならせて、第2の接着剤層2
4 の接着強度を第1の接着剤層243 より弱くするこ
とができる。
【0042】この実施例のペリクル24を用いると、
0.1kg/cm2 程度の押圧力をかけてペリクル24
を凸状の第2の接着剤層244 によって露光レチクルの
上に弱い接着力で仮接着し、その状態で透明レチクル基
板の上の異物検査を行い、規格を満たしていない場合
は、ペリクル24を剥がし、合格の場合は、5kg/c
2 程度に押圧力を強めて凸状の段部になる第1の接着
剤層243 によって露光レチクルの上に最終的に接着す
ることができるため、ペリクルの貼り付け作業を能率化
することができる。
【0043】図4はペリクルを表す構成説明図であり、
(A)は断面を、(B)は平面を示している。におい
て、34はペリクル、341 は枠、342 は高分子薄
膜、343 は第1の接着剤層、344 は第2の接着剤層
である。
【0044】この実施例のペリクルにおいては、図に示
されているように、ペリクル34の枠341 の上縁に高
分子薄膜342 を貼り渡し、その下縁に、中央が高くな
っている傾斜面を有する第1の接着剤層343 を形成
し、その上の中央に幅が狭い第2の接着剤層344 を形
成している。
【0045】そして、この第1の接着剤層343 と第2
の接着剤層344 は、枠341 の下縁に連続して形成さ
れている。また、この第1の接着剤層343 と第2の接
着剤層344 を、同一の接着剤によって形成することも
でき、これらの接着剤を異ならせて、第2の接着剤層3
4 の接着強度を第1の接着剤層343 より弱くするこ
とができる。
【0046】この実施例のペリクル34を用いると、ペ
リクル34を第2の接着剤層344によって露光レチク
ルの上に仮接着した状態で透明レチクル基板の上の異物
検査を行い、規格を満たしていない場合は、容易にペリ
クル34を剥がすことができ、合格の場合は、押圧力を
強めて第1の接着剤層343 によって露光レチクルの上
に最終的に接着することができるため、ペリクルの貼り
付け作業を能率化することができる。この実施例の傾斜
面は、曲面によって代替することもできる。
【0047】図5はペリクルを表す構成説明図であり、
(A)は断面を、(B)は平面を示している。におい
て、44はペリクル、441 は枠、442 は高分子薄
膜、443 は第1の接着剤層、444 は第2の接着剤層
である。
【0048】この実施例のペリクルにおいては、図に示
されているように、ペリクル44の枠441 の上縁に高
分子薄膜442 を貼り渡し、その下縁の全面に第1の接
着剤層443 を形成し、その上の内周に沿って幅が第1
の接着剤層443 より狭い第2の接着剤層444 を形成
している。そして、この第1の接着剤層443 と第2の
接着剤層444 は、枠441 の下縁に連続して形成され
ている。また、この第1の接着剤層443 と第2の接着
剤層444 を、同一の接着剤によって形成することもで
き、これらの接着剤を異ならせて、第2の接着剤層44
4 の接着強度を第1の接着剤層443 より弱くすること
ができる。
【0049】この実施例のペリクル44を用いると、ペ
リクル44を凸状の第2の接着剤層444 によって露光
レチクルの上に仮接着した状態で透明レチクル基板の上
の異物検査を行い、規格を満たしていない場合は、容易
にペリクル44を剥がすことができ、合格の場合は、押
圧力を強めて凸状の段部になる第1の接着剤層443
よって露光レチクルの上に最終的に接着することができ
るため、ペリクルの貼り付け作業を能率化することがで
きる。この場合、ペリクル44の枠441 の下縁の外周
に沿って第2の接着剤層44 4 を形成することもでき
る。
【0050】図6はペリクルを表す構成説明図であり、
(A)は断面を、(B)は平面を示している。におい
て、54はペリクル、541 は枠、542 は高分子薄
膜、543 は第1の接着剤層、544 は第2の接着剤層
である。
【0051】この実施例のペリクルにおいては、図に示
されているように、ペリクル54の枠541 の上縁に高
分子薄膜542 を貼り渡し、その下縁に、下縁の内周に
向かって高くなるように傾斜する第1の接着剤層543
と第2の接着剤層544 を形成している。そして、この
第1の接着剤層543 と第2の接着剤層544 は、枠5
1 の下縁に連続して形成されている。また、この第1
の接着剤層543 と第2の接着剤層544 は、同一の接
着剤によって形成されることもでき、これらの接着剤を
異ならせて、第2の接着剤層544 の接着強度を第1の
接着剤層543 より弱くすることができる。
【0052】この実施例のペリクル54を用いると、ペ
リクル54を第2の接着剤層544によって露光パター
ンレチクルの上に仮接着した状態で透明レチクル基板の
上の異物検査を行い、規格を満たしていない場合は、容
易にペリクル54を剥がすことができ、合格の場合は、
押圧力を強めて第1の接着剤層543 によって露光レチ
クルの上に本接着することができるため、ペリクルの貼
り付け作業を能率化することができる。この実施例の傾
斜面は、曲面によって代替することもできる。
【0053】図7はペリクルを表す構成説明図であり、
(A)は断面を、(B)は平面を示している。におい
て、64はペリクル、641 は枠、642 は高分子薄
膜、643 は第1の接着剤層、644 は第2の接着剤層
である。
【0054】この実施例のペリクルにおいては、図に示
されているように、ペリクル64の枠641 の上縁に高
分子薄膜642 を貼り渡し、その下縁の全面に第1の接
着剤層643 を形成し、その上に複数の孤立した第2の
接着剤層644 を形成している。
【0055】この第1の接着剤層643 と第2の接着剤
層644 を、同一の接着剤によって形成することもで
き、これらの接着剤を異ならせて、第2の接着剤層64
4 の接着強度を第1の接着剤層643 より弱くすること
ができる。この実施例は、第3実施例のペリクルにおい
て、第2の接着剤層を孤立化したものに相当するが、第
4実施例、第5実施例、第6実施例のペリクルの第2の
接着剤層を、この実施例と同様に孤立化することもでき
る。
【0056】この実施例のペリクル64を用いると、ペ
リクル64を孤立した凸状の第2の接着剤層644 によ
って露光レチクルの上に仮接着した状態で透明レチクル
基板の上の異物検査を行い、規格を満たしていない場合
は、容易にペリクル64を剥がすことができ、合格の場
合は、押圧力を強めて第1の接着剤層643 によって露
光レチクルの上に最終的に接着することができるため、
ペリクルの貼り付け作業を能率化することができる。
【0057】図8はペリクルの貼り付け装置を表す概略
構成説明図である。において、71は基台、72は露
光レチクル、721 は透明レチクル基板、722 は露光
パターン、73はペリクル、731 は枠、732 は高分
子薄膜、733 は第1の接着剤層、734 は第2の接着
剤層、74は押圧部材、751 ,752 はカム装置、7
6はレーザ装置、77は検出装置である。
【0058】この実施例のペリクルの貼り付け装置にお
いては、基台71の上に、透明レチクル基板721 上に
露光パターン722 が形成された露光レチクル72と、
アルミニウム等で形成された枠731 の上縁に高分子薄
膜732 が貼り渡され、その下縁に第1の接着剤層73
3 と、凸状の第2の接着剤層734 が形成されたペリク
ル73を積層して載置するようになっており、その上
に、透明レチクル基板721 の露光パターン722 に相
当する開口を有する押圧部材74が配置され、この押圧
部材74はカム装置751 ,752 によって圧力を調節
して押圧されるようになっている。
【0059】そして、上方に設けられたレーザ装置76
から放射されるレーザ光が、押圧部材74の開口と高分
子薄膜732 を通して、透明レチクル基板721 の上面
を掃引され、透明レチクル基板721 からの反射光を検
出装置77によって検出されるようにされている。
【0060】この実施例のペリクルの貼り付け装置を用
いて、露光レチクル72とペリクル73を貼り付けると
きは、この図に示すように、基台71の上に露光レチク
ル72とペリクル73を積層し、この積層構造体を、カ
ム装置751 ,752 を予め定められた角度だけ回転し
て、押圧部材74によって0.1kg/cm2 の圧力で
押圧して凸状の第2の接着剤層734 によって仮接着
し、この状態で、上方に設けられたレーザ装置76から
放射されるレーザ光を、押圧部材74の開口と高分子薄
膜732 を通して、透明レチクル基板721 の上面を掃
引し、透明レチクル基板721 からの反射光を検出装置
77によって検出することによって、透明レチクル基板
721 上のゴミの有無を検査し、ゴミ等の異物の付着状
態が許容範囲にある場合は、さらにカム装置751 ,7
2 を予め定められた角度だけ回転して、押圧部材74
によって5kg/cm2 の圧力で押圧して第1の接着剤
層733 によって最終的に接着する。
【0061】ゴミ等の異物の付着状態が許容範囲にない
場合は、カム装置751 ,752 を戻して露光レチクル
72とペリクル73を取り出し、露光レチクル72から
ペリクル73を剥離してそのまま保管し、露光レチクル
72を洗浄して異物を除去し、乾燥した後に、上記と同
様に、ペリクル73の仮接着、ゴミの付着状態の検査、
本接着、または、剥離、洗浄を繰り返す。
【0062】なお、上記のゴミ等の異物の付着状態の検
査は、露光レチクルの上面を対象にしているが、検査装
置の焦点を調節することによってペリクルの高分子膜の
両面を対象して検査し、露光に支障を生じる程度のゴミ
等の異物が付着している場合はペリクルの高分子膜を貼
り変えることもできる。上記のカム装置751 ,752
は適宜の押圧装置に代替することができる。
【0063】
【発明の効果】本発明によれば、ペリクルの透過率測定
を行う場合、露光レチクルからペリクルを剥がさず、露
光レチクルに貼り付けた状態で透過率を測定することが
でき、そして、露光技術の分野で改善が望まれてきた問
題、即ち、レチクルステージの上側にブラインドが設置
されている場合ブラインドを構成する遮光板をスライ
ドしてブラインドの開口の大きさを調節する際に摩擦に
よって発生するゴミが露光レチクル上に落下して付着す
るという事故はなくなり、また、ペリクルを仮接着した
露光レチクル上のゴミ等の異物を検査した後、本接着を
行うことができるため、ペリクル貼り付け作業が容易に
なるという作業能率上の効果があり、そして、ペリクル
は再使用できるから、コスト・ダウンに寄与できる。
【0064】
【図面の簡単な説明】
【図1】光装置の概略構成説明図である。
【図2】光装置の概略構成説明図である。
【図3】リクルの構成説明図であり、(A)は断面
を、(B)は平面を示している。
【図4】リクルの構成説明図であり、(A)は断面
を、(B)は平面を示している。
【図5】リクルの構成説明図であり、(A)は断面
を、(B)は平面を示している。
【図6】リクルの構成説明図であり、(A)は断面
を、(B)は平面を示している。
【図7】リクルの構成説明図であり、(A)は断面
を、(B)は平面を示している。
【図8】リクルの張り付け装置の概略構成説明図であ
る。
【図9】従来の露光装置の概略構成説明図である。
【図10】従来のペリクルの構成説明図であり、(A)
は断面を、(B)は平面を示している。
【符号の説明】
1,11 光源 2,12 コンデンサレンズ系 3,13 ブラインド 4,14 ペリクル 41 ,141 枠 42 ,142 高分子薄膜 5,15 露光レチクル 51 ,151 透明レチクル基板 52 ,152 露光パターン 6,16 レチクルステージ 7,17 縮小投影レンズ系 8,18 ウェーハ 9,19 ウェーハステージ 24,34,44,54,64 ペリクル 241 ,341 ,441 ,541 ,641 枠 242 ,342 ,442 ,542 ,642 高分子薄膜 243 ,343 ,443 ,543 ,643 第1の接着
剤層 244 ,344 ,444 ,544 ,644 第2の接着
剤層 71 基台 72 露光レチクル 721 透明レチクル基板 722 露光パターン 73 ペリクル 731 枠 732 高分子薄膜 733 第1の接着剤層 734 第2の接着剤層 74 押圧部材 751 ,752 カム装置 76 レーザ装置 77 検出装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松山 隆義 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 三浦 良一 鹿児島県薩摩郡入来町副田5950番地 株 式会社九州富士通エレクトロニクス内 (56)参考文献 特開 昭62−92959(JP,A) 特開 平2−218113(JP,A) 特開 平6−5508(JP,A) 特開 昭63−298245(JP,A) 特開 平6−19124(JP,A) 特開 昭63−104058(JP,A) 特開 平4−133061(JP,A) 実開 平6−36054(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03F 1/14 G03F 7/20 H01L 21/027

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】枠と、 枠の上縁に貼り渡された高分子薄膜と、 枠の下縁の全面に形成された第1の接着剤層と、 該第1の接着剤層の表面から突出する該第1の接着剤層
    より狭い面積の第2の接着剤層とからなること を特徴と
    する露光レチクル用ペリクル。
  2. 【請求項2】該第1の接着剤層の中央部または内周部に
    該第2の接着剤層が形成されていることを特徴とする請
    求項1記載の露光レチクル用ペリクル。
  3. 【請求項3】中央部または内周部が高くなっている傾斜
    面を有する該第1の接着剤層と 該第1の接着剤層の該中
    央部または該内周部に形成された該第2の接着剤層と
    特徴とする請求項1記載の露光レチクル用ペリクル。
  4. 【請求項4】該第2の接着剤層が孤立した複数の部分か
    らなることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか
    1記載の露光レチクル用ペリクル。
  5. 【請求項5】該第2の接着剤層が連続した線状部分から
    なることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1
    記載の露光レチクル用ペリクル。
  6. 【請求項6】該第2の接着剤層の接着力を該第1の接着
    剤層の接着力より弱くしたことを特徴とする請求項1乃
    至請求項5の何れか1記載の露光レチクル用ペリクル。
  7. 【請求項7】枠と、 枠の上縁に貼り渡された高分子薄膜と、 枠の下縁の全面に形成された第1の接着剤層と、 該第1の接着剤層の表面から突出する該第1の接着剤層
    より狭い面積の第2の接着剤層と をもつペリクルを露光
    レチクル上に貼り付ける際、 まず、露光レチクルの上に該第2の接着剤層によって仮
    に接着し、 その状態で露光レチクルのゴミの付着状態を検査し、 ゴミの付着状態が許容範囲にある場合には該第1の接着
    剤層によって最終的に接着し、 ゴミの付着状態が許容範囲にない場合には該ペリクルを
    剥離して露光レチクルを洗浄し、 その後、再度ペリクルを露光レチクル上に貼り付けるこ
    とを特徴とする露光レチクル用ペリクルの貼り付け方
    法。
  8. 【請求項8】露光レチクルを載置し、その上に枠と、枠
    の上縁に貼り渡された高分子薄膜と、枠の下縁の全面に
    形成された第1の接着剤層と、該第1の接着剤層の表面
    から突出する該第1の接着剤層より狭い面積の第2の接
    着剤層とをもつペリクルを載置する基台と、 該ペリクルの周辺部を押圧力を調節して押圧することが
    できる押圧部材と、 該ペリクルを透してその下の露光レチクルの表面におけ
    るゴミの付着状態を検査することができる表面状態検査
    装置とを含んでなることを特徴とする露光レチクル用ペ
    リクルの貼り付け装置。
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