JP3399671B2 - Sample preparation apparatus for total reflection X-ray fluorescence spectrometer and method of coagulating contamination - Google Patents
Sample preparation apparatus for total reflection X-ray fluorescence spectrometer and method of coagulating contaminationInfo
- Publication number
- JP3399671B2 JP3399671B2 JP30725694A JP30725694A JP3399671B2 JP 3399671 B2 JP3399671 B2 JP 3399671B2 JP 30725694 A JP30725694 A JP 30725694A JP 30725694 A JP30725694 A JP 30725694A JP 3399671 B2 JP3399671 B2 JP 3399671B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- hydrofluoric acid
- rod
- sample preparation
- contamination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、全反射蛍光X線分析が
高感度に行える測定サンプルを、自動で作製するサンプ
ル作製装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sample preparation apparatus for automatically preparing a measurement sample capable of highly sensitive total reflection X-ray fluorescence analysis.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体プロセスラインにおいて、ウエハ
上の重金属コンタミネーション(以下、「コンタミ」と
いう)の管理は重要である。一般的にウエハ表面上のコ
ンタミは全反射蛍光X線により分析を行っているが、全
反射蛍光X線は感度が低いという欠点がある。そのた
め、高感度分析を必要とする場合には、測定対象である
酸化膜付ウエハ面にフッ化水素(HF)水溶液(以下、
「フッ酸」という)数滴を滴下し、フッ酸の酸化膜(S
iO2 )エッチング特性を利用してフッ酸滴をウエハ全
面に転がすことにより、コンタミをウエハ中心に凝集さ
せ、フッ酸乾燥後に、その一点のみを分析するフッ酸凝
縮法と呼ばれる測定方法が有効となる。従来では、この
フッ酸の滴下、転がし等の一連の作業を、人が真空ピン
セットでウエハを吸着し、手作業で行っていた。2. Description of the Related Art In a semiconductor process line, it is important to control heavy metal contamination (hereinafter referred to as "contamination") on a wafer. Generally, the contamination on the wafer surface is analyzed by the total reflection fluorescent X-ray, but the total reflection fluorescent X-ray has a drawback of low sensitivity. Therefore, when high-sensitivity analysis is required, an aqueous solution of hydrogen fluoride (HF) (hereinafter,
Drop a few drops of "hydrofluoric acid" to remove the hydrofluoric acid oxide film (S
iO 2 ) A hydrofluoric acid droplet is rolled on the entire surface of the wafer by utilizing the etching characteristics, so that the contaminants are aggregated in the center of the wafer, and after the hydrofluoric acid is dried, only one point is analyzed, which is called a hydrofluoric acid condensation method. Become. Conventionally, a series of operations such as dropping of hydrofluoric acid, rolling, and the like have been performed manually by a person adsorbing a wafer with vacuum tweezers.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
測定では、人が手作業でサンプルを作製するため、以下
に述べる種々の問題があった。即ち、人体から発生する
コンタミ(例えば、K、Ca等)がウエハに付着する可
能性があり、サンプルの正確な分析が行えないことがあ
った。また、フッ酸滴の転がし方には熟練が要求される
ため、作業者によっては凝集率に差が生じ、分析の再現
性が低下する問題があった。更に、フッ酸は劇薬である
ため、人体への危険性が懸念された。本発明は上記状況
に鑑みてなされたもので、サンプルの作製が人の手を介
さずに自動に行えるサンプル作製装置を提供し、人体か
らのコンタミ付着の防止、フッ酸凝集率の安定化、及び
人体への安全性向上を図ることを目的とする。However, in the conventional measurement, since a person manually prepares a sample, there are various problems described below. That is, there is a possibility that contaminants (for example, K, Ca, etc.) generated from the human body may adhere to the wafer, and accurate analysis of the sample may not be performed. Further, since skill is required to roll the hydrofluoric acid droplets, there is a problem that the reproducibility of the analysis is lowered due to the difference in the agglomeration rate depending on the operator. Furthermore, since hydrofluoric acid is a powerful drug, there has been concern about its danger to the human body. The present invention has been made in view of the above circumstances, provides a sample preparation apparatus that can automatically prepare a sample without human intervention, prevent contamination from the human body, stabilize hydrofluoric acid aggregation rate, And to improve safety for the human body.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る全反射蛍光X線分析器用サンプル作製装
置は、フッ酸を使用してウエハ表面上のコンタミネーシ
ョンをウエハ中心に自動的に凝集させる全反射蛍光X線
分析器用サンプル作製装置であって、ウエハを吸着する
とともにこのウエハと同一中心軸で回転自在なウエハチ
ャックと、ウエハチャックに吸着されたウエハ上へフッ
酸を滴下するノズルと、先端がウエハ面に間隙を有して
配置されるとともに滴下されたウエハ上のフッ酸滴に接
触しこの先端をウエハチャックの回転と同期させてウエ
ハの直径方向に移動するロッドとを具備し、前記ノズル
から滴下されたウエハ上のフッ酸滴を前記ロッドが移動
させるように構成されたことを特徴とするものである。
又フッ酸を使用してウエハ表面上にコンタミネーション
を凝集させる方法としては、フッ酸をウエハ上に滴下す
る工程と、このフッ酸をウエハ表面で移動させる工程と
を有するとともに、前記滴下工程はノズルを用いて行
い、かつ、前記移動工程はロッドを用いて行い、前記ロ
ッドは、先端と前記ウエハ表面との間に間隙を保ちなが
ら、前記ウエハの中心に向かって移動されることを特徴
とする。In order to achieve the above object, a sample preparation apparatus for a total reflection X-ray fluorescence analyzer according to the present invention uses hydrofluoric acid to automatically make contamination on the wafer surface centered on the wafer. A sample preparation apparatus for a total reflection X-ray fluorescence analyzer for aggregating into a wafer chuck, which adsorbs a wafer and is rotatable about the same central axis as the wafer, and hydrofluoric acid is dripped onto the wafer adsorbed on the wafer chuck. A nozzle and a rod which is disposed with a gap on the wafer surface and which contacts the dropped hydrofluoric acid droplet on the wafer and moves the tip in the diameter direction of the wafer in synchronization with the rotation of the wafer chuck. Comprising the nozzle
The rod moves the hydrofluoric acid drop on the wafer dropped from
It is characterized in that it is configured to .
A method of using hydrofluoric acid to agglomerate the contamination on the wafer surface includes a step of dropping hydrofluoric acid on the wafer and a step of moving the hydrofluoric acid on the wafer surface.
In addition, the dropping step is performed using a nozzle.
And the moving step is performed using a rod,
The pad maintains a gap between the tip and the wafer surface.
And is moved toward the center of the wafer .
【0005】[0005]
【作用】ノズルによりフッ酸がウエハに滴下された後、
ロッドがフッ酸の滴下場所へ移動され、フッ酸滴にロッ
ドの先端が接触する。ロッドは、先端とウエハ表面との
間に間隙を保ちながら、ウエハ中心へ向かって移動さ
れ、同時に、ウエハチャックがロッドの移動速度に同調
して回転される。これにより、フッ酸滴がロッドの先端
部に引きずられてウエハ表面をうず巻状となって中心に
向かって転がっていき、中心に行き着いたフッ酸滴は、
ロッドが移動されることで同じ軌跡をたどって、再び最
初の滴下位置に戻る。この動作が数回繰り返えされ、フ
ッ酸がウエハ表面をまんべんなく通過し、コンタミはフ
ッ酸と共にウエハ中心へ全て寄せ集められる。[Operation] After the hydrofluoric acid is dropped onto the wafer by the nozzle,
The rod is moved to the location where hydrofluoric acid is dropped, and the tip of the rod comes into contact with the hydrofluoric acid droplet. The rod is moved toward the center of the wafer while maintaining a gap between the tip and the wafer surface, and at the same time, the wafer chuck is rotated in synchronization with the moving speed of the rod. As a result, the hydrofluoric acid droplets are dragged by the tip of the rod and roll toward the center in a spiral shape on the wafer surface.
As the rod is moved, it follows the same trajectory and returns to the initial dropping position again. This operation is repeated several times, the hydrofluoric acid passes evenly over the wafer surface, and the contaminants are all gathered together with the hydrofluoric acid in the center of the wafer.
【0006】[0006]
【実施例】以下、本発明に係る全反射蛍光X線分析器用
サンプル作製装置(以下、「サンプル作製装置」とい
う)並びにそれを用いたコンタミ凝集方法の好適な実施
例を図面を参照して説明する。図1は本発明サンプル作
製装置の斜視図、図2は本発明サンプル作製装置の平面
図、図3は本発明サンプル作製装置の正面図である。な
お、図3中におけるノズル、ウエハチャック位置は、ホ
ームポジション位置を表す。装置本体1の作業台面3に
はフッ酸を入れておくテフロン製の容器5が配置され、
容器5は装置本体1に設けられた治具(図示せず)によ
って定位置にセットされる。装置本体1には容器5から
フッ酸を吸い上げ、吸い上げたフッ酸をウエハ上へ滴下
するためのノズル7がアーム9によって支持され、アー
ム9は装置本体1の後部に設けられたノズル駆動部11
によって作業台面3に対して上下(矢印a方向)左右
(矢印b方向)に移動できるようになっている。EXAMPLES Preferred examples of a sample preparation apparatus for a total reflection X-ray fluorescence analyzer according to the present invention (hereinafter referred to as “sample preparation apparatus”) and a contamination aggregation method using the same will be described with reference to the drawings. To do. 1 is a perspective view of the sample preparation apparatus of the present invention, FIG. 2 is a plan view of the sample preparation apparatus of the present invention, and FIG. 3 is a front view of the sample preparation apparatus of the present invention. The nozzle and wafer chuck positions in FIG. 3 represent home position positions. A container 5 made of Teflon for storing hydrofluoric acid is arranged on the workbench surface 3 of the apparatus main body 1,
The container 5 is set at a fixed position by a jig (not shown) provided in the apparatus body 1. A nozzle 7 for sucking hydrofluoric acid from the container 5 and dropping the sucked hydrofluoric acid onto the wafer is supported by the arm 9 in the apparatus main body 1. The arm 9 is provided with a nozzle driving unit 11 provided at a rear portion of the apparatus main body 1.
Thus, the work table surface 3 can be moved up and down (direction of arrow a) and left and right (direction of arrow b).
【0007】作業台面3には円板状のウエハチャック1
3が設けられ、ウエハチャック13の中心軸はノズル7
の移動直線上に配置されている。ウエハチャック13
は、ウエハセンタリング駆動部15(図3参照)によ
り、上下方向に昇降自在となるとともに、回転動作が行
えるようになっている。作業台面3にはウエハチャック
13を包囲してセンタリングコマ17が設けられ、セン
タリングコマ17は内径の異なる複数の円環状段部が同
一中心で多段状に形成されている。センタリングコマ1
7は、ウエハチャック13上でウエハを吸着する前にウ
エハの中心出しを行うためのものであり、例えば、4イ
ンチ、5インチ、6インチのウエハに対して自動的に中
心出しを行うことが可能となっている。なお、センタリ
ングコマ17は、図2に示すように、ウエハチャック1
3を中央にして、円弧状の段部を対向させて配置させる
ものであってもよい。A disk-shaped wafer chuck 1 is provided on the work surface 3
3 is provided, and the central axis of the wafer chuck 13 is the nozzle 7
It is located on the moving straight line. Wafer chuck 13
The wafer centering drive unit 15 (see FIG. 3) can be moved up and down in the vertical direction and can be rotated. A centering piece 17 is provided on the work table surface 3 so as to surround the wafer chuck 13. The centering piece 17 has a plurality of annular steps having different inner diameters and formed in a multi-step manner at the same center. Centering piece 1
Reference numeral 7 is for centering the wafer before adsorbing the wafer on the wafer chuck 13. For example, it is possible to automatically perform centering on a 4-inch, 5-inch, or 6-inch wafer. It is possible. The centering piece 17 is, as shown in FIG.
Alternatively, the arcuate step portions may be arranged so as to face each other with the center portion 3 being the center.
【0008】装置本体1にはウエハに滴下されたフッ酸
をウエハの中心へ寄せ集めるためのロッド19がアーム
21によって支持され、アーム21は作業台面3に対し
て上下(矢印a方向)左右(矢印b方向)に移動できる
ようになっている。なお、ロッド19は、センタリング
コマ17によって中心出しが行われたウエハ中心を通過
する直線上を、矢印b方向に移動される。作業台面3に
はロッド19の先端部を洗浄する純水槽23が設けら
れ、純水槽23は装置使用中、給水口25から常時純水
がオバーフローすることにより、不純物が除去され、清
潔に保たれるようになっている。装置本体1の前面には
操作パネル27が設けられ、操作パネル27は上述した
それぞれの駆動部の操作を可能にしている。A rod 19 for gathering the hydrofluoric acid dropped on the wafer to the center of the wafer is supported by an arm 21 on the apparatus main body 1, and the arm 21 moves vertically (in the direction of arrow a) with respect to the workbench surface 3 (right and left). It can be moved in the direction of arrow b). The rod 19 is moved in the direction of arrow b on a straight line passing through the center of the wafer centered by the centering piece 17. A pure water tank 23 for cleaning the tip portion of the rod 19 is provided on the work table surface 3. The pure water tank 23 is kept clean by removing pure water from the water supply port 25 while the apparatus is in use. It is supposed to be. An operation panel 27 is provided on the front surface of the apparatus main body 1, and the operation panel 27 enables operation of each of the drive units described above.
【0009】作業台面3の後部には複数の線状の排気口
29が作業台面3の左右方向に所定間隔で設けられ、排
気口29は装置使用中に発生したフッ化水素を吸引除去
する。なお、図示は省略するが、この装置本体1は、フ
ッ化水素に対する人体への安全のため、塩ビ製扉が設け
られたクリーンベンチ(クラス10仕様)内に収容され
ている。装置本体1、容器5、ノズル7、アーム9、2
1、ウエハチャック13、センタリングコマ17、ロッ
ド19、純水槽23を主な要素として、サンプル作製装
置31が構成されている。A plurality of linear exhaust ports 29 are provided in the rear portion of the work table surface 3 at predetermined intervals in the left-right direction of the work table surface 3, and the exhaust ports 29 suck and remove hydrogen fluoride generated during use of the apparatus. Although illustration is omitted, the apparatus body 1 is housed in a clean bench (class 10 specification) provided with a PVC door for the safety of human body against hydrogen fluoride. Device body 1, container 5, nozzle 7, arms 9, 2
1, a wafer chuck 13, a centering piece 17, a rod 19, and a deionized water tank 23 are main elements, and a sample preparation apparatus 31 is configured.
【0010】このように構成されたサンプル作製装置3
1の動作を図4〜図7に基づき説明する。図4は初回の
フッ酸滴転がし状況を説明する平面図、図5は図4の側
面図、図6は二回目以降のフッ酸滴転がし状況を説明す
る平面図、図7は図6の側面図である。先ず、ウエハチ
ャック13上にウエハ33を作業者がセットする。操作
パネル27で「スタート」を指定すると、ウエハチャッ
ク13は、センタリングコマ17がウエハ33の中心出
しを行った後、ウエハ33を吸着する。次に、ノズル7
が容器5よりフッ酸を数滴分(0.5cc〜1cc)吸
い上げ、ウエハ33の外周部より数mm内側のポイント
Aに滴下する。この動作は、最低二回行われる。一回目
の滴下は、ウエハ表面の酸化膜を溶かし、二回目以降に
滴下したフッ酸を広げずに表面張力によって粒状にする
ためである。Sample preparation device 3 having the above-mentioned configuration
The operation of No. 1 will be described with reference to FIGS. 4 is a plan view for explaining the initial hydrofluoric acid droplet rolling situation, FIG. 5 is a side view for FIG. 4, FIG. 6 is a plan view for explaining the hydrofluoric acid droplet rolling situation for the second time and thereafter, and FIG. 7 is a side view for FIG. It is a figure. First, an operator sets the wafer 33 on the wafer chuck 13. When “start” is designated on the operation panel 27, the wafer chuck 13 sucks the wafer 33 after the centering piece 17 centers the wafer 33. Next, the nozzle 7
Sucks up a few drops (0.5 cc to 1 cc) of hydrofluoric acid from the container 5 and drops it at a point A located within a few mm from the outer peripheral portion of the wafer 33. This operation is performed at least twice. The first dropping is to dissolve the oxide film on the wafer surface and to make the hydrofluoric acid dropped after the second dropping into particles by the surface tension without spreading.
【0011】次に、ロッド19を、フッ酸が滴下された
場所へ移動し、フッ酸滴35にロッド19の先端を接触
させる。そして、ロッド19は、その先端とウエハ表面
との間隙を約0.5mm程度に保ちながら、ウエハ33
の中心へ向かって移動していく。この時、ウエハチャッ
ク13がロッド19の移動速度に同調して回転すること
により、フッ酸滴35はロッド19の先端部に引きずら
れてウエハ表面をうず巻B状となって中心Cに向かって
転がっていく。中心Cに行き着いたフッ酸滴35は、ロ
ッド19が移動されることで同じ軌跡をたどって、再び
ポイントAに戻る。Next, the rod 19 is moved to the place where the hydrofluoric acid is dropped, and the tip of the rod 19 is brought into contact with the hydrofluoric acid drop 35. The rod 19 keeps the gap between the tip of the rod 19 and the wafer surface to be about 0.5 mm, and
Moving towards the center of. At this time, as the wafer chuck 13 rotates in synchronization with the moving speed of the rod 19, the hydrofluoric acid droplet 35 is dragged by the tip of the rod 19 to form a spiral B shape on the wafer surface toward the center C. Roll around. The hydrofluoric acid droplet 35 that has reached the center C follows the same trajectory as the rod 19 is moved, and returns to the point A again.
【0012】ポイントAに戻ったフッ酸滴35は、再び
中心Cへ向かって引きずられていく。その時には、既に
ウエハ表面の酸化膜はフッ酸滴35に溶け込み、フッ酸
滴35の形状は図6、図7に示す形状となる。即ち、酸
化膜が存在するときは、フッ酸滴35が酸化膜となじ
み、フッ酸滴35は図4、図5に示す偏平な流線形(巾
6mm、全長10〜13mm程度)となる。一方、酸化
膜が溶け込むことでフッ酸滴35に取り込まれた後に
は、フッ酸滴35はシリコン面となじまないため、本来
の表面張力により、図6、図7に示す丸みをおびた粒形
状(巾6mm、全長8〜10mm、高さ1〜2mm程
度)となる。フッ酸滴35を複数回往復させたロッド1
9は、最終的にはウエハ中心Cで停止させ、フッ酸滴3
5を残した状態で上方へ退避させる。The hydrofluoric acid droplet 35 returning to the point A is again dragged toward the center C. At that time, the oxide film on the wafer surface is already dissolved in the hydrofluoric acid droplets 35, and the hydrofluoric acid droplets 35 have the shapes shown in FIGS. 6 and 7. That is, when an oxide film is present, the hydrofluoric acid droplet 35 is compatible with the oxide film, and the hydrofluoric acid droplet 35 has a flat streamline (width 6 mm, total length 10 to 13 mm) shown in FIGS. 4 and 5. On the other hand, since the hydrofluoric acid droplets 35 are not compatible with the silicon surface after being taken into the hydrofluoric acid droplets 35 by melting the oxide film, the original surface tension causes the rounded grain shape shown in FIGS. 6 and 7. (Width 6 mm, total length 8-10 mm, height 1-2 mm). Rod 1 in which hydrofluoric acid droplet 35 is reciprocated multiple times
9 is finally stopped at the wafer center C, and the hydrofluoric acid droplet 3
Evacuate upward with 5 left.
【0013】以上のノズル7によるフッ酸の滴下と、ロ
ッド19のウエハ中心Cへ向かって移動する動作とを数
回繰り返すことにより、フッ酸がウエハ表面をまんべん
なく通過し、コンタミはフッ酸と共にウエハ中心Cへ全
て寄せ集められる。サンプルの作製が終了すると、ロッ
ド19の先端部は、次のサンプル作製に備えて、純水槽
23にて自動的に洗浄される。By repeating the dropping of hydrofluoric acid by the nozzle 7 and the operation of moving the rod 19 toward the wafer center C several times, the hydrofluoric acid passes evenly over the wafer surface, and the contaminants together with the hydrofluoric acid are on the wafer. All are gathered together in center C. When the sample preparation is completed, the tip portion of the rod 19 is automatically cleaned in the pure water tank 23 in preparation for the next sample preparation.
【0014】[0014]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る全反射蛍光X線分析器用サンプル作製装置並びにコン
タミ凝集方法によれば、ウエハを吸着してウエハと同一
中心軸で回転されるウエハチャックと、ウエハ上へフッ
酸を滴下するノズルと、滴下されたウエハ上のフッ酸滴
に接触しウエハチャックの回転と同期してウエハの直径
方向に移動するロッドとを具備したので、フッ酸滴がロ
ッドの先端部に引きずられてウエハ表面をうず巻状とな
って中心に向かって転がっていき、コンタミをフッ酸と
共にウエハ中心へ全て寄せ集めることができる。この結
果、サンプルの作製が人の手を介さずに自動に行え、人
体からのコンタミ付着を防止することができるととも
に、フッ酸凝集率を安定化させることができ、しかも、
人体への安全性を著しく向上させることができる。As described [Effect Invention above in detail, total reflection X-ray fluorescence analysis dexterity sample preparing apparatus and configuration according to the present invention
According to the Tami aggregation method , a wafer chuck that attracts a wafer and is rotated about the same central axis as the wafer, a nozzle that drops hydrofluoric acid onto the wafer, and a wafer chuck that contacts the dropped hydrofluoric acid drops on the wafer Since it is equipped with a rod that moves in the diameter direction of the wafer in synchronism with the rotation of the wafer, the hydrofluoric acid droplets are dragged by the tip of the rod and roll toward the center in a spiral shape on the wafer surface. Can be collected together with the hydrofluoric acid at the center of the wafer. As a result, it is possible to automatically prepare a sample without human intervention, prevent contamination from the human body, and stabilize the hydrofluoric acid agglomeration rate.
The safety to the human body can be remarkably improved.
【図1】本発明サンプル作製装置の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a sample manufacturing apparatus of the present invention.
【図2】本発明サンプル作製装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a sample manufacturing apparatus of the present invention.
【図3】本発明サンプル作製装置の正面図である。FIG. 3 is a front view of the sample manufacturing apparatus of the present invention.
【図4】初回のフッ酸滴転がし状況を説明する平面図で
ある。FIG. 4 is a plan view illustrating the initial rolling condition of hydrofluoric acid droplets.
【図5】図4の側面図である。FIG. 5 is a side view of FIG.
【図6】二回目以降のフッ酸滴転がし状況を説明する平
面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating a hydrofluoric acid droplet rolling condition after the second time.
【図7】図6の側面図である。FIG. 7 is a side view of FIG.
1 装置本体 3 作業台面 5 容器 7 ノズル 9 アーム 13 ウエハチャック 17 センタリングコマ 19 ロッド 31 全反射蛍光X線分析器用サンプル作製装置 33 ウエハ 35 フッ酸滴 C ウエハ中心 1 device body 3 Work surface 5 containers 7 nozzles 9 arms 13 Wafer chuck 17 Centering coma 19 rod 31 Sample preparation device for total internal reflection X-ray fluorescence analyzer 33 wafers 35 hydrofluoric acid drops C wafer center
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−241959(JP,A) 特開 平6−249769(JP,A) 特開 平2−28533(JP,A) 特開 平4−225526(JP,A) 特開 平6−132376(JP,A) 特開 平7−176580(JP,A) 特許3298089(JP,B2) 特公 平6−63943(JP,B2) 特公 平6−25717(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 1/00 - 1/44 G01N 23/00 - 23/227 G01T 1/00 - 1/40 H01L 21/66 JICSTファイル(JOIS)─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-6-241959 (JP, A) JP-A-6-249769 (JP, A) JP-A-2-28533 (JP, A) JP-A-4- 225526 (JP, A) JP 6-132376 (JP, A) JP 7-176580 (JP, A) Patent 3298089 (JP, B2) JP 6-63943 (JP, B2) JP 6 -25717 (JP, B2) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G01N 1/00-1/44 G01N 23/00-23/227 G01T 1/00-1/40 H01L 21 / 66 JISST file (JOIS)
Claims (5)
ミネーションをウエハ中心に自動的に凝集させる全反射
蛍光X線分析器用サンプル作製装置であって、 ウエハを吸着するとともに該ウエハと同一中心軸で回転
自在なウエハチャックと、 該ウエハチャックに吸着されたウエハ上へフッ酸を滴下
するノズルと、 先端がウエハ面に間隙を有して配置されるとともに前記
滴下されたウエハ上のフッ酸滴に接触し該先端を前記ウ
エハチャックの回転と同期させてウエハの直径方向に移
動するロッドとを具備し、 前記ノズルから滴下されたウエハ上のフッ酸滴を前記ロ
ッドが移動させるように構成された ことを特徴とする全
反射蛍光X線分析器用サンプル作製装置。1. A sample preparation apparatus for a total reflection X-ray fluorescence analyzer, which uses hydrofluoric acid to automatically agglomerate the contamination on the wafer surface to the center of the wafer. A wafer chuck rotatable about an axis, a nozzle for dropping hydrofluoric acid onto the wafer attracted to the wafer chuck, a tip having a gap on the wafer surface, and the hydrofluoric acid on the dropped wafer. A rod that moves in the diameter direction of the wafer in synchronization with the rotation of the wafer chuck, the rod contacting the droplet and moving the hydrofluoric acid droplet on the wafer dropped from the nozzle.
A sample preparation device for a total reflection X-ray fluorescence analyzer, characterized in that the head is configured to move .
設けられたことを特徴とする請求項1記載の全反射蛍光
X線分析器用サンプル作製装置。2. A pure water tank for cleaning the tip portion of the rod
The sample preparation device for a total reflection fluorescent X-ray analyzer according to claim 1, wherein the sample preparation device is provided.
集させるのにあたり、前記ノズルによるフッ酸の滴下
と、前記ロッドによるフッ酸滴の移動とを、数回繰り返
すように構成されたことを特徴とする請求項1又は2記
載の全反射蛍光X線分析器用サンプル作製装置。3. Contamination on the wafer surface is reduced.
To collect hydrofluoric acid from the nozzle
And the movement of hydrofluoric acid droplets by the rod are repeated several times.
The sample preparation device for a total reflection X-ray fluorescence analyzer according to claim 1 or 2, characterized in that
ミネーションを凝集させる方法であって、 フッ酸をウエハ上に滴下する工程と、 前記フッ酸を前記ウエハ表面で移動させる工程とを有す
るとともに、 前記滴下工程はノズルを用いて行い、かつ、前記移動工
程はロッドを用いて行い、 前記ロッドは、先端と前記ウエハ表面との間に間隙を保
ちながら、前記ウエハの中心に向かって移動される こと
を特徴とするコンタミネーションの凝集方法。 4. A contour on a wafer surface using hydrofluoric acid.
A method for aggregating terminations , which comprises a step of dropping hydrofluoric acid onto a wafer and a step of moving the hydrofluoric acid on the wafer surface.
In addition, the dropping step is performed using a nozzle, and the moving work is performed.
A rod is used to maintain the gap between the tip and the wafer surface.
While Chi, be moved towards the center of the wafer
A method for aggregating contamination characterized by:
って移動された後、 再び前記滴下位置に戻るようにする
ことを特徴とする請求項4記載のコンタミネーションの
凝集方法。 5. The rod faces toward the center of the wafer.
After being moved, it returns to the dropping position again.
The contamination according to claim 4, characterized in that
Aggregation method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30725694A JP3399671B2 (en) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | Sample preparation apparatus for total reflection X-ray fluorescence spectrometer and method of coagulating contamination |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30725694A JP3399671B2 (en) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | Sample preparation apparatus for total reflection X-ray fluorescence spectrometer and method of coagulating contamination |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08159935A JPH08159935A (en) | 1996-06-21 |
| JP3399671B2 true JP3399671B2 (en) | 2003-04-21 |
Family
ID=17966919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30725694A Expired - Fee Related JP3399671B2 (en) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | Sample preparation apparatus for total reflection X-ray fluorescence spectrometer and method of coagulating contamination |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3399671B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9250221B2 (en) | 2013-09-03 | 2016-02-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Standard sample and method of preparing same |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3584262B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-11-04 | 理学電機工業株式会社 | Sample pretreatment system for X-ray fluorescence analysis and X-ray fluorescence analysis system having the same |
| KR100970243B1 (en) * | 2008-04-03 | 2010-07-16 | 코리아테크노(주) | Scan Stage of Semiconductor Wafer Contaminants |
| JP7031294B2 (en) * | 2017-12-25 | 2022-03-08 | 横河電機株式会社 | Drug discovery screening device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3298089B2 (en) | 1993-08-12 | 2002-07-02 | ソニー株式会社 | Analysis sample preparation method and analysis sample preparation device |
-
1994
- 1994-12-12 JP JP30725694A patent/JP3399671B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3298089B2 (en) | 1993-08-12 | 2002-07-02 | ソニー株式会社 | Analysis sample preparation method and analysis sample preparation device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9250221B2 (en) | 2013-09-03 | 2016-02-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Standard sample and method of preparing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08159935A (en) | 1996-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI357099B (en) | Polishing apparatus | |
| JP4335497B2 (en) | Ion beam apparatus and ion beam processing method | |
| JP4125148B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| EP0847311B1 (en) | Wafer scrubbing device | |
| US20070246065A1 (en) | Ion sampling method for wafer | |
| JP2002520846A (en) | Wafer cleaning equipment | |
| JP3399671B2 (en) | Sample preparation apparatus for total reflection X-ray fluorescence spectrometer and method of coagulating contamination | |
| JPH08125004A (en) | Wafer holder and wafer visual inspection apparatus using the same | |
| JP3396377B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP4521861B2 (en) | Semiconductor wafer chemical recovery method and apparatus | |
| JPH1064966A (en) | Container for recovering metal and method for recovering metal | |
| EP3890002B1 (en) | Substrate analyzing method and substrate analyzing device | |
| US20060213537A1 (en) | Vertical wafer platform systems and methods for fast wafer cleaning and measurement | |
| JP4476866B2 (en) | Wafer holding method | |
| JPH01101112A (en) | Dicing method for semiconductor water | |
| JP2003142542A (en) | Method and apparatus for collecting impurities on semiconductor wafer surface | |
| JPH02229428A (en) | Semiconductor treatment apparatus | |
| JPH10189512A (en) | Substrate cleaning device | |
| US6517641B2 (en) | Apparatus and process for collecting trace metals from wafers | |
| JPH084979B2 (en) | Work table for dicer | |
| JP2000156391A (en) | Semiconductor wafer inspection equipment | |
| JPH0582495A (en) | Recovery device for metal impurity on surface of semiconductor substrate | |
| JPH05160093A (en) | Dust remover | |
| JPH11274262A (en) | Wafer transfer system and transfer processing method | |
| JP2772035B2 (en) | Method for measuring the amount of impurities on the wafer surface |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120221 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |