JP3409397B2 - イオン源 - Google Patents
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばイオン注入装
置やイオンビームを用いた表面処理装置等に用いられる
イオン源に関し、より具体的には、その引出し電極系を
構成する電極の熱歪を低減する手段に関する。
置やイオンビームを用いた表面処理装置等に用いられる
イオン源に関し、より具体的には、その引出し電極系を
構成する電極の熱歪を低減する手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオン源は、フィラメント等を用いてプ
ラズマを作るプラズマソース部と、このプラズマソース
部からイオンビームを引き出すものであって１枚以上の
電極を有する引出し電極系とで構成されている。
ラズマを作るプラズマソース部と、このプラズマソース
部からイオンビームを引き出すものであって１枚以上の
電極を有する引出し電極系とで構成されている。
【０００３】このようなイオン源の引出し電極系を構成
する電極の材料として、従来から、カーボン、銅、モリ
ブデン等が使用されている。
する電極の材料として、従来から、カーボン、銅、モリ
ブデン等が使用されている。
【０００４】特に、モリブデンは、多孔電極を用いた大
面積イオンビームを発生させるためのイオン源におい
て、熱的安定性が大きく、しかもスパッタ率が小さくて
スパッタリングによる形状変化が小さくかつ不純物発生
が少ない、等の理由からよく使用されている。
面積イオンビームを発生させるためのイオン源におい
て、熱的安定性が大きく、しかもスパッタ率が小さくて
スパッタリングによる形状変化が小さくかつ不純物発生
が少ない、等の理由からよく使用されている。
【０００５】しかし、イオン源では、プラズマを発生さ
せるために高温のフィラメントを使用するため、フィラ
メントからの熱輻射によって電極の温度が上昇する。あ
るいは、下流側の電極では、発散によって入射するイオ
ンによって温度が上昇する。特に後者による温度上昇
は、プラズマ加熱や表面処理用のイオン源のように、イ
オン電流密度の大きな場合に著しい。
せるために高温のフィラメントを使用するため、フィラ
メントからの熱輻射によって電極の温度が上昇する。あ
るいは、下流側の電極では、発散によって入射するイオ
ンによって温度が上昇する。特に後者による温度上昇
は、プラズマ加熱や表面処理用のイオン源のように、イ
オン電流密度の大きな場合に著しい。
【０００６】そこで、このような原因による温度上昇か
ら生じる電極の変形を抑えるため、従来は通常は、電極
を冷媒によって冷却する冷却構造にして、電極の冷却を
行うようにしている。
ら生じる電極の変形を抑えるため、従来は通常は、電極
を冷媒によって冷却する冷却構造にして、電極の冷却を
行うようにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、電極を冷却
構造にすると、電極周りの構造が複雑になり、ひいては
イオン源のコストが上昇するという問題がある。また、
冷媒を供給する冷却系が必要になるため、そのぶんコス
トが上昇するという問題もある。
構造にすると、電極周りの構造が複雑になり、ひいては
イオン源のコストが上昇するという問題がある。また、
冷媒を供給する冷却系が必要になるため、そのぶんコス
トが上昇するという問題もある。
【０００８】そこでこの発明は、電極の温度上昇による
変形を小さくして、電極の冷却構造を簡略化することが
できるイオン源を提供することを主たる目的とする。
変形を小さくして、電極の冷却構造を簡略化することが
できるイオン源を提供することを主たる目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明に係る第１のイオン源は、引出し電極系を
構成する電極の少なくとも１枚を、結晶構造が板面と平
行な層状構造を有するモリブデン板で構成していること
を特徴とする。
め、この発明に係る第１のイオン源は、引出し電極系を
構成する電極の少なくとも１枚を、結晶構造が板面と平
行な層状構造を有するモリブデン板で構成していること
を特徴とする。
【００１０】また、この発明に係る第２のイオン源は、
引出し電極系を構成する電極の少なくとも１枚を、Ｘ線
回折測定による（２００）面からの回折ピークを主ピー
クとして有するモリブデン板で構成していることを特徴
とする。
引出し電極系を構成する電極の少なくとも１枚を、Ｘ線
回折測定による（２００）面からの回折ピークを主ピー
クとして有するモリブデン板で構成していることを特徴
とする。
【００１１】
【作用】上記のような層状構造を有する、あるいは回折
ピークを有するモリブデン板で構成した電極を用いてイ
オンビームを発生させた後、当該電極の歪量を測定した
結果、当該電極の歪量が非常に小さいことを発見した。
従って、電極に上記のようなモリブデン板を用いること
により、当該電極の温度上昇による変形を小さくして、
電極の冷却構造を簡略化することができる。
ピークを有するモリブデン板で構成した電極を用いてイ
オンビームを発生させた後、当該電極の歪量を測定した
結果、当該電極の歪量が非常に小さいことを発見した。
従って、電極に上記のようなモリブデン板を用いること
により、当該電極の温度上昇による変形を小さくして、
電極の冷却構造を簡略化することができる。
【００１２】
【実施例】図１は、高周波型のイオン源の一例を電源と
共に示す概略図である。
共に示す概略図である。
【００１３】このイオン源２は、高周波放電によってプ
ラズマ１４を作るプラズマソース部４と、このプラズマ
ソース部４（より具体的にはそのプラズマ１４）から電
界の作用でイオンビーム２２を引き出す引出し電極系１
６とを備えている。
ラズマ１４を作るプラズマソース部４と、このプラズマ
ソース部４（より具体的にはそのプラズマ１４）から電
界の作用でイオンビーム２２を引き出す引出し電極系１
６とを備えている。
【００１４】プラズマソース部４は、この例では、ガス
１２が導入されるプラズマ生成容器６と、その背面部に
絶縁物８を介して取り付けられた高周波電極７とを有し
ている。高周波電極７はプラズマ生成容器６の背面板を
兼ねており、プラズマ生成容器６は他方の高周波電極を
兼ねている。このプラズマ生成容器６と高周波電極７間
に高周波電源２３から整合回路２４を経由して高周波電
力を供給すると、プラズマ生成容器６内において高周波
放電が起こりそれによってガス１２が分解されてプラズ
マ１４が作られる。
１２が導入されるプラズマ生成容器６と、その背面部に
絶縁物８を介して取り付けられた高周波電極７とを有し
ている。高周波電極７はプラズマ生成容器６の背面板を
兼ねており、プラズマ生成容器６は他方の高周波電極を
兼ねている。このプラズマ生成容器６と高周波電極７間
に高周波電源２３から整合回路２４を経由して高周波電
力を供給すると、プラズマ生成容器６内において高周波
放電が起こりそれによってガス１２が分解されてプラズ
マ１４が作られる。
【００１５】引出し電極系１６は、この例では、最プラ
ズマ側（最上流側）にあって引出し電源２７からイオン
ビーム引き出し用の正電圧が印加される引出し電極１
７、その下流側にあって加速電源２８からイオンビーム
加速用の正電圧が印加される加速電極１８、その下流側
にあって抑制電源２９から逆流電子抑制用の負電圧が印
加される抑制電極１９およびその下流側にあって接地電
位にされる接地電極２０で構成されている。各電極１７
〜２０は、イオンビーム引き出し用の多数の小孔または
スリットを有している。
ズマ側（最上流側）にあって引出し電源２７からイオン
ビーム引き出し用の正電圧が印加される引出し電極１
７、その下流側にあって加速電源２８からイオンビーム
加速用の正電圧が印加される加速電極１８、その下流側
にあって抑制電源２９から逆流電子抑制用の負電圧が印
加される抑制電極１９およびその下流側にあって接地電
位にされる接地電極２０で構成されている。各電極１７
〜２０は、イオンビーム引き出し用の多数の小孔または
スリットを有している。
【００１６】このような引出し電極系１６を構成する電
極１７〜２０の内で、イオンビーム２２の引き出しに伴
って温度上昇が特に大きいのは、上流側から２枚目の加
速電極１８である。これは、２枚目の加速電極１８は、
引出し電極１７から引き出されたイオンビーム２２が発
散して当たる割合が大きく、それによって大きな熱入力
を受けるからである。
極１７〜２０の内で、イオンビーム２２の引き出しに伴
って温度上昇が特に大きいのは、上流側から２枚目の加
速電極１８である。これは、２枚目の加速電極１８は、
引出し電極１７から引き出されたイオンビーム２２が発
散して当たる割合が大きく、それによって大きな熱入力
を受けるからである。
【００１７】また、この例のようなフィラメントを用い
ないイオン源２はそうでもないが、図９に示すフィラメ
ント式のイオン源２ａの場合は、フィラメント１０から
の熱輻射のため、１枚目の引出し電極１７の温度上昇も
大きい。
ないイオン源２はそうでもないが、図９に示すフィラメ
ント式のイオン源２ａの場合は、フィラメント１０から
の熱輻射のため、１枚目の引出し電極１７の温度上昇も
大きい。
【００１８】このようなイオン源２において、引出し電
極系１６を構成する電極１７〜１９に次のようなモリブ
デン板ＡおよびＢを用いて、かつ電極に冷却構造を採用
しないで、引出し電極１７と接地電極２０間の電圧が５
ＫＶ〜１１０ＫＶの範囲でイオンビーム２２を発生させ
た後の、各電極１７〜１９の歪量を測定した。なお、元
の板材の歪量は、両モリブデン板とも±０．１ｍｍ程度
であった。
極系１６を構成する電極１７〜１９に次のようなモリブ
デン板ＡおよびＢを用いて、かつ電極に冷却構造を採用
しないで、引出し電極１７と接地電極２０間の電圧が５
ＫＶ〜１１０ＫＶの範囲でイオンビーム２２を発生させ
た後の、各電極１７〜１９の歪量を測定した。なお、元
の板材の歪量は、両モリブデン板とも±０．１ｍｍ程度
であった。
【００１９】モリブデン板Ａは、従来から電極に用いら
れているような通常のモリブデン板であり、顕微鏡によ
る組織観察の結果、図２および図３に示すように、表面
および断面共に大きな結晶粒が観察された。
れているような通常のモリブデン板であり、顕微鏡によ
る組織観察の結果、図２および図３に示すように、表面
および断面共に大きな結晶粒が観察された。
【００２０】モリブデン板Ｂは、この発明に係るイオン
源の電極を構成するものであり、顕微鏡による組織観察
の結果、図４および図５に示すように、表面および断面
共に結晶粒は観られなかった。表面で観られたのは研磨
時の傷である。断面については、表面に沿った層状の結
晶構造が確認できた。
源の電極を構成するものであり、顕微鏡による組織観察
の結果、図４および図５に示すように、表面および断面
共に結晶粒は観られなかった。表面で観られたのは研磨
時の傷である。断面については、表面に沿った層状の結
晶構造が確認できた。
【００２１】上記モリブデン板Ａをイオン源２の電極１
７〜１９に使用した場合の各電極１７〜１９の歪両の測
定結果の一例を図６に示す。この歪両の測定には隙間ゲ
ージを使用した。横軸の測定位置は、電極の面内の測定
位置である（図７においても同様）。
７〜１９に使用した場合の各電極１７〜１９の歪両の測
定結果の一例を図６に示す。この歪両の測定には隙間ゲ
ージを使用した。横軸の測定位置は、電極の面内の測定
位置である（図７においても同様）。
【００２２】この図からも分かるように、上記モリブデ
ン板Ａを使用した場合の歪量は非常に大きく、最大で
２．４ｍｍの場所が観られた。
ン板Ａを使用した場合の歪量は非常に大きく、最大で
２．４ｍｍの場所が観られた。
【００２３】一方、上記モリブデン板Ｂをイオン源２の
電極１７〜１９に使用した場合の電極１７および１８の
歪量の測定結果の一例を図７に示す。この歪量の測定
は、歪量が小さいので、隙間ゲージよりも精度の高い三
次元測定器を使用した。なお、電極１９については歪量
がほぼ０であったので測定結果の図示を省略した。ま
た、この三次元測定器の場合は測定点を多くすることが
容易なため、測定位置を多くした。
電極１７〜１９に使用した場合の電極１７および１８の
歪量の測定結果の一例を図７に示す。この歪量の測定
は、歪量が小さいので、隙間ゲージよりも精度の高い三
次元測定器を使用した。なお、電極１９については歪量
がほぼ０であったので測定結果の図示を省略した。ま
た、この三次元測定器の場合は測定点を多くすることが
容易なため、測定位置を多くした。
【００２４】この図からも分かるように、上記モリブデ
ン板Ｂを使用した場合の歪量は、＋０．３ｍｍ〜−０．
１ｍｍ程度と、上記モリブデン板Ａに比べて著しく小さ
いことが確かめられた。
ン板Ｂを使用した場合の歪量は、＋０．３ｍｍ〜−０．
１ｍｍ程度と、上記モリブデン板Ａに比べて著しく小さ
いことが確かめられた。
【００２５】このように、結晶構造が板面と平行な層状
構造を有するモリブデン板で構成された電極は、熱歪が
非常に小さいことが確認された。これは次のような理由
によるものと考えられる。即ち、モリブデン板は、通常
は、粉末モリブデンの焼結および圧延で製造される。そ
の場合、モリブデンが再結晶化せずに、かつ十分な圧力
が加えられて圧延された場合、モリブデン板の断面に結
晶粒は観察できず、結晶構造は板面と平行な層状構造を
成す。このような状態では、機械的強度が高く、そのた
め温度上昇による変形量も小さいものと考えられる。
構造を有するモリブデン板で構成された電極は、熱歪が
非常に小さいことが確認された。これは次のような理由
によるものと考えられる。即ち、モリブデン板は、通常
は、粉末モリブデンの焼結および圧延で製造される。そ
の場合、モリブデンが再結晶化せずに、かつ十分な圧力
が加えられて圧延された場合、モリブデン板の断面に結
晶粒は観察できず、結晶構造は板面と平行な層状構造を
成す。このような状態では、機械的強度が高く、そのた
め温度上昇による変形量も小さいものと考えられる。
【００２６】従って、引出し電極系１６を構成する電極
に上記モリブデン板Ｂのような材質のモリブデン板を用
いることにより、当該電極の温度上昇による変形を小さ
くして、電極の冷却構造を簡略化することができる。フ
ィラメントを用いない高周波型のイオン源においては、
電極の冷却構造を省略することも可能である。その結
果、電極周りの構造が簡略化されるので、イオン源のコ
ストを下げることができる。かつ、電極の冷却構造の簡
略化に伴って、それに冷媒を供給する冷媒系の低コスト
化も可能になる。
に上記モリブデン板Ｂのような材質のモリブデン板を用
いることにより、当該電極の温度上昇による変形を小さ
くして、電極の冷却構造を簡略化することができる。フ
ィラメントを用いない高周波型のイオン源においては、
電極の冷却構造を省略することも可能である。その結
果、電極周りの構造が簡略化されるので、イオン源のコ
ストを下げることができる。かつ、電極の冷却構造の簡
略化に伴って、それに冷媒を供給する冷媒系の低コスト
化も可能になる。
【００２７】なお、引出し電極系が複数枚の電極で構成
されている場合、その全ての電極に上記のようなモリブ
デン板を用いるのが熱歪低減の観点からは一番好ましい
のは勿論であるが、そのようにせずに、特に熱入力の大
きい電極、例えば上記イオン源２の例でいえば２枚目の
加速電極１８に、更に必要に応じてその上下流側の電極
１７および１９に、上記のようなモリブデン板を用いて
も良く、そのようにすれば少なくともその電極について
は、上述した熱歪量低減による冷却構造の簡略化の効果
が得られる。更に一般的にいえば、特にどの電極という
ことはなく、上記のようなモリブデン板を用いた電極を
少なくとも１枚含んでいれば、少なくともその電極につ
いては、上述した熱歪量低減による冷却構造の簡略化の
効果が得られる。
されている場合、その全ての電極に上記のようなモリブ
デン板を用いるのが熱歪低減の観点からは一番好ましい
のは勿論であるが、そのようにせずに、特に熱入力の大
きい電極、例えば上記イオン源２の例でいえば２枚目の
加速電極１８に、更に必要に応じてその上下流側の電極
１７および１９に、上記のようなモリブデン板を用いて
も良く、そのようにすれば少なくともその電極について
は、上述した熱歪量低減による冷却構造の簡略化の効果
が得られる。更に一般的にいえば、特にどの電極という
ことはなく、上記のようなモリブデン板を用いた電極を
少なくとも１枚含んでいれば、少なくともその電極につ
いては、上述した熱歪量低減による冷却構造の簡略化の
効果が得られる。
【００２８】引出し電極系を構成する電極に、上記のよ
うなモリブデン板を用いる代わりに、板面が主にモリブ
デン結晶の（２００）面と平行になっているモリブデン
板、即ち、Ｘ線回折測定によるθ−２θ法での測定結
果、（２００）面に相当するＸ線回折ピーク強度が他の
ピーク強度に比べて強く現れるモリブデン板を使用して
も良く、それによっても電極の熱歪量を非常に小さく抑
えることができる。その実施例を以下に説明する。
うなモリブデン板を用いる代わりに、板面が主にモリブ
デン結晶の（２００）面と平行になっているモリブデン
板、即ち、Ｘ線回折測定によるθ−２θ法での測定結
果、（２００）面に相当するＸ線回折ピーク強度が他の
ピーク強度に比べて強く現れるモリブデン板を使用して
も良く、それによっても電極の熱歪量を非常に小さく抑
えることができる。その実施例を以下に説明する。
【００２９】モリブデン板のＸ線回折強度測定で、（１
１０）面からの回折ピークを主ピークとして有するモリ
ブデン板Ｃと、（２００）面からの回折ピークを主ピー
クとして有するモリブデン板Ｄとを、上記と同じ冷却構
造を採用しないイオン源２においてその電極１７〜１９
に用いて、引出し電極１７と接地電極２０間の電圧が５
ＫＶ〜１１０ＫＶの範囲でイオンビーム２２を発生させ
た後の、各電極１７〜１９の歪量を測定した。なお、こ
の場合も、元の板材の歪量は両モリブデン板とも±０．
１ｍｍ程度であった。
１０）面からの回折ピークを主ピークとして有するモリ
ブデン板Ｃと、（２００）面からの回折ピークを主ピー
クとして有するモリブデン板Ｄとを、上記と同じ冷却構
造を採用しないイオン源２においてその電極１７〜１９
に用いて、引出し電極１７と接地電極２０間の電圧が５
ＫＶ〜１１０ＫＶの範囲でイオンビーム２２を発生させ
た後の、各電極１７〜１９の歪量を測定した。なお、こ
の場合も、元の板材の歪量は両モリブデン板とも±０．
１ｍｍ程度であった。
【００３０】表１は、両モリブデン板ＣおよびＤの回折
ピーク強度比を示す。また、図８は、モリブデン板Ｄの
Ｘ線回折パターンを示す。
ピーク強度比を示す。また、図８は、モリブデン板Ｄの
Ｘ線回折パターンを示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】上記モリブデン板Ｃを用いた場合の各電極
１７〜１９の歪量の測定結果は、先に説明した図６と殆
ど同じであったので、重複図示を省略する。また、上記
モリブデン板Ｄを用いた場合の電極１７および１８の歪
量の測定結果は、先に説明した図７と殆ど同じであった
ので、これも重複図示を省略する。
１７〜１９の歪量の測定結果は、先に説明した図６と殆
ど同じであったので、重複図示を省略する。また、上記
モリブデン板Ｄを用いた場合の電極１７および１８の歪
量の測定結果は、先に説明した図７と殆ど同じであった
ので、これも重複図示を省略する。
【００３３】このように、（２００）面からの回折ピー
クを主ピークとして有するモリブデン板で構成された電
極は、熱歪が非常に小さいことが確かめられた。これは
次のような理由によるものと考えられる。即ち、モリブ
デン板は、前述したように通常は、粉末モリブデンの焼
結および圧延で製造されるが、（２００）面からのＸ線
回折強度が強く現れる状態は、モリブデン板を構成する
結晶粒が十分小さくかつ十分な圧力が加えられて圧延さ
れたことによる。このような状態では、機械的強度が高
く、そのため温度上昇による変形量も小さいものと考え
られる。
クを主ピークとして有するモリブデン板で構成された電
極は、熱歪が非常に小さいことが確かめられた。これは
次のような理由によるものと考えられる。即ち、モリブ
デン板は、前述したように通常は、粉末モリブデンの焼
結および圧延で製造されるが、（２００）面からのＸ線
回折強度が強く現れる状態は、モリブデン板を構成する
結晶粒が十分小さくかつ十分な圧力が加えられて圧延さ
れたことによる。このような状態では、機械的強度が高
く、そのため温度上昇による変形量も小さいものと考え
られる。
【００３４】従って、このようなモリブデン板Ｄを電極
に用いることによっても、前述したモリブデン板Ｂの場
合と同様の効果が得られる。即ち、引出し電極系１６を
構成する電極にモリブデン板Ｄのような材質のモリブデ
ン板を用いることにより、当該電極の温度上昇による変
形を小さくして、電極の冷却構造を簡略化することがで
きる。フィラメントを用いない高周波型のイオン源にお
いては、電極の冷却構造を省略することも可能である。
その結果、電極周りの構造が簡略化されるので、イオン
源のコストを下げることができる。かつ、電極の冷却構
造の簡略化に伴って、それに冷媒を供給する冷却系の低
コスト化も可能になる。
に用いることによっても、前述したモリブデン板Ｂの場
合と同様の効果が得られる。即ち、引出し電極系１６を
構成する電極にモリブデン板Ｄのような材質のモリブデ
ン板を用いることにより、当該電極の温度上昇による変
形を小さくして、電極の冷却構造を簡略化することがで
きる。フィラメントを用いない高周波型のイオン源にお
いては、電極の冷却構造を省略することも可能である。
その結果、電極周りの構造が簡略化されるので、イオン
源のコストを下げることができる。かつ、電極の冷却構
造の簡略化に伴って、それに冷媒を供給する冷却系の低
コスト化も可能になる。
【００３５】なお、引出し電極系において、上記モリブ
デン板Ｄのような材質のモリブデン板を用いるのが好ま
しい電極の範囲は、前述したモリブデン板Ｂの場合と同
様である。
デン板Ｄのような材質のモリブデン板を用いるのが好ま
しい電極の範囲は、前述したモリブデン板Ｂの場合と同
様である。
【００３６】また、上記モリブデン板ＢおよびＤのよう
な材質のモリブデン板は、フィラメント式のイオン源の
引出し電極系を構成する電極に用いても効果が大きい。
な材質のモリブデン板は、フィラメント式のイオン源の
引出し電極系を構成する電極に用いても効果が大きい。
【００３７】図９のイオン源２ａは、そのようなフィラ
メント式のものであり、プラズマソース部４ａは、この
例では、ガス１２が導入されるプラズマ生成容器６およ
び熱電子放出用のフィラメント１０を有しており、両者
間のアーク放電によってプラズマ１４が作られる。プラ
ズマ１４からイオンビーム２２を引き出す引出し電極系
１６ａは、この例では、前述した加速電極１８のない３
枚構成である。
メント式のものであり、プラズマソース部４ａは、この
例では、ガス１２が導入されるプラズマ生成容器６およ
び熱電子放出用のフィラメント１０を有しており、両者
間のアーク放電によってプラズマ１４が作られる。プラ
ズマ１４からイオンビーム２２を引き出す引出し電極系
１６ａは、この例では、前述した加速電極１８のない３
枚構成である。
【００３８】このようなイオン源２ａにおいては、特
に、前述したような理由から熱入力の大きい１枚目の引
出し電極１７および２枚目の抑制電極１９に、上記モリ
ブデン板ＢおよびＤのような材質のモリブデン板を用い
ると、熱歪量低減の効果が大きい。
に、前述したような理由から熱入力の大きい１枚目の引
出し電極１７および２枚目の抑制電極１９に、上記モリ
ブデン板ＢおよびＤのような材質のモリブデン板を用い
ると、熱歪量低減の効果が大きい。
【００３９】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、引出し
電極系を構成する電極に前述したような材質のモリブデ
ン板を用いているので、当該電極の温度上昇による変形
を小さくして、電極の冷却構造を簡略化することができ
る。フィラメントを用いない高周波型のイオン源におい
ては、電極の冷却構造を省略することも可能である。そ
の結果、電極周りの構造が簡略化されるので、イオン源
のコストを下げることができる。かつ、電極の冷却構造
の簡略化に伴って、それに冷媒を供給する冷却系の低コ
スト化も可能になる。
電極系を構成する電極に前述したような材質のモリブデ
ン板を用いているので、当該電極の温度上昇による変形
を小さくして、電極の冷却構造を簡略化することができ
る。フィラメントを用いない高周波型のイオン源におい
ては、電極の冷却構造を省略することも可能である。そ
の結果、電極周りの構造が簡略化されるので、イオン源
のコストを下げることができる。かつ、電極の冷却構造
の簡略化に伴って、それに冷媒を供給する冷却系の低コ
スト化も可能になる。
【図１】高周波型のイオン源の一例を電源と共に示す概
略図である。
略図である。
【図２】モリブデン板Ａの表面組織の顕微鏡写真であ
り、倍率は４０倍である。
り、倍率は４０倍である。
【図３】図２と同じモリブデン板の断面組織の顕微鏡写
真であり、倍率は４０倍である。
真であり、倍率は４０倍である。
【図４】モリブデン板Ｂの表面組織の顕微鏡写真であ
り、倍率は４０倍である。
り、倍率は４０倍である。
【図５】図４と同じモリブデン板の断面組織の顕微鏡写
真であり、倍率は４０倍である。
真であり、倍率は４０倍である。
【図６】図２および図３に示すような結晶粒が観測され
たモリブデン板Ａを用いた電極の歪量の面内分布測定結
果の一例を示す図である。
たモリブデン板Ａを用いた電極の歪量の面内分布測定結
果の一例を示す図である。
【図７】図４および図５に示すような層状構造を有する
モリブデン板Ｂを用いた電極の歪量の面内分布測定結果
の一例を示す図である。
モリブデン板Ｂを用いた電極の歪量の面内分布測定結果
の一例を示す図である。
【図８】モリブデン板ＤのＸ線回折強度の測定結果の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図９】フィラメント式のイオン源の一例を電源と共に
示す概略図である。
示す概略図である。
２，２ａ イオン源
４，４ａ プラズマソース部
１４ プラズマ
１６，１６ａ 引出し電極系
１７〜２０ 電極
２２ イオンビーム
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマを作るプラズマソース部と、こ
のプラズマソース部からイオンビームを引き出すもので
あって１枚以上の電極を有する引出し電極系とを備える
イオン源において、前記引出し電極系を構成する電極の
少なくとも１枚を、結晶構造が板面と平行な層状構造を
有するモリブデン板で構成していることを特徴とするイ
オン源。 - 【請求項２】 プラズマを作るプラズマソース部と、こ
のプラズマソース部からイオンビームを引き出すもので
あって１枚以上の電極を有する引出し電極系とを備える
イオン源において、前記引出し電極系を構成する電極の
少なくとも１枚を、Ｘ線回折測定による（２００）面か
らの回折ピークを主ピークとして有するモリブデン板で
構成していることを特徴とするイオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29444293A JP3409397B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29444293A JP3409397B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130313A JPH07130313A (ja) | 1995-05-19 |
| JP3409397B2 true JP3409397B2 (ja) | 2003-05-26 |
Family
ID=17807832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29444293A Expired - Lifetime JP3409397B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3409397B2 (ja) |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP29444293A patent/JP3409397B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07130313A (ja) | 1995-05-19 |
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