JP3409465B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関し、特にＴＡＢテープを用い多リードに対応した樹
脂封止型半導体装置に関する。
に関し、特にＴＡＢテープを用い多リードに対応した樹
脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂モールド型半導体装置は、一般的に
リードフレームを用い、そのアイランドに半導体ペレッ
トをマウントするマウント工程、半導体ペレット上の電
極とアイランド近傍に配置されたリードとを金属細線に
て電気的に接続するワイヤボンディング工程、半導体ペ
レットや金属細線の接続部を湿気や腐食性のガスから保
護しリードを機械的に保持するために樹脂にて半導体ペ
レットを含む主要部分を被覆する樹脂モールド工程、樹
脂から露呈したリードの連結部分を切断除去して個々に
分離する切断工程を順次経て製造される。
リードフレームを用い、そのアイランドに半導体ペレッ
トをマウントするマウント工程、半導体ペレット上の電
極とアイランド近傍に配置されたリードとを金属細線に
て電気的に接続するワイヤボンディング工程、半導体ペ
レットや金属細線の接続部を湿気や腐食性のガスから保
護しリードを機械的に保持するために樹脂にて半導体ペ
レットを含む主要部分を被覆する樹脂モールド工程、樹
脂から露呈したリードの連結部分を切断除去して個々に
分離する切断工程を順次経て製造される。
【０００３】この半導体装置は、高機能化、高集積化に
対応して電極数即ちリード数が増大する一方で、高密度
実装化と組立性を良好にするため、外部リードは表面実
装が可能なように成形されている。このような背景か
ら、リード数の増大に対しては、透孔を穿設した絶縁フ
ィルムに導電箔を積層しこの導電箔をエッチングして透
孔内に延在するインナリードを含む導電パターンを形成
したＴＡＢテープを用い、透孔内に配置した半導体ペレ
ットの電極とインナリードとを電気的に接続し、半導体
ペレットの表面を樹脂にて被覆してその表面に形成され
た配線パターンやリードとの接続部分を保護し、アウタ
リード部分で導電パターンを切断して半導体ペレットの
表面からリードを導出した状態のＴＡＢ式半導体装置が
利用されている。
対応して電極数即ちリード数が増大する一方で、高密度
実装化と組立性を良好にするため、外部リードは表面実
装が可能なように成形されている。このような背景か
ら、リード数の増大に対しては、透孔を穿設した絶縁フ
ィルムに導電箔を積層しこの導電箔をエッチングして透
孔内に延在するインナリードを含む導電パターンを形成
したＴＡＢテープを用い、透孔内に配置した半導体ペレ
ットの電極とインナリードとを電気的に接続し、半導体
ペレットの表面を樹脂にて被覆してその表面に形成され
た配線パターンやリードとの接続部分を保護し、アウタ
リード部分で導電パターンを切断して半導体ペレットの
表面からリードを導出した状態のＴＡＢ式半導体装置が
利用されている。
【０００４】この半導体装置は半導体ペレットの表面を
樹脂液で被覆して配線パターンや電極を保護したものの
他、樹脂成型装置を用いＴＡＢテープを樹脂成形金型の
キャビティ間に挟持しキャビティ内に流動化した樹脂を
注入し半導体ペレットを樹脂で被覆したものもある。
（例えば特開平３−１０８７４６号公報参照） この半導体装置はリードがＴＡＢテープの導電パターン
そのものであるため、極めて薄くリード成形できない。
そのため、この半導体装置は印刷配線基板上に他の表面
実装型の抵抗やコンデンサなどの部品とともに仮留めし
てもリフロー方式により半田付けしにくく、通常は他の
電子部品とは別に超音波接合や熱圧着の手段、あるいは
異方性導電接着材を用いて実装されている。
樹脂液で被覆して配線パターンや電極を保護したものの
他、樹脂成型装置を用いＴＡＢテープを樹脂成形金型の
キャビティ間に挟持しキャビティ内に流動化した樹脂を
注入し半導体ペレットを樹脂で被覆したものもある。
（例えば特開平３−１０８７４６号公報参照） この半導体装置はリードがＴＡＢテープの導電パターン
そのものであるため、極めて薄くリード成形できない。
そのため、この半導体装置は印刷配線基板上に他の表面
実装型の抵抗やコンデンサなどの部品とともに仮留めし
てもリフロー方式により半田付けしにくく、通常は他の
電子部品とは別に超音波接合や熱圧着の手段、あるいは
異方性導電接着材を用いて実装されている。
【０００５】このような問題を解決し表面実装を可能と
するものとして、前記ＴＡＢ式半導体装置とリードフレ
ームとを用い、半導体ペレットをリードフレームのアイ
ランドに固定し、インナリードをリードフレームのリー
ドに接続して樹脂成形装置により半導体ペレットを含む
主要部分を樹脂にて被覆するものが知られている。（例
えば特開平３−９４４３５号公報参照）
するものとして、前記ＴＡＢ式半導体装置とリードフレ
ームとを用い、半導体ペレットをリードフレームのアイ
ランドに固定し、インナリードをリードフレームのリー
ドに接続して樹脂成形装置により半導体ペレットを含む
主要部分を樹脂にて被覆するものが知られている。（例
えば特開平３−９４４３５号公報参照）
【０００６】この構造を図４から説明する。図において
１は絶縁テープを枠状に打ち抜いた枠体、２は多数本の
インナリードで、各インナリード２の中間部は枠体１に
接着され内端側は間隔が密に、外端側は間隔が粗に設定
されてそれぞれ平行に延びている。３は半導体ペレット
で、上面に多数の突出した電極３ａを形成している。こ
の半導体ペレット３は枠体１の中央部に配置され、イン
ナリード２の内端部が電極３ａに重合されて電気的に接
続されている。４は両端より吊りピン５を延在しリード
フレームを構成するアイランドで、インナリード２を接
続した状態の半導体ペレット３を固定している。６はア
イランド４とともにリードフレームを構成する多数本の
リードで内端部はアイランド４の近傍に配置されてい
る。アイランド４は吊りピン５の中間部を屈曲させリー
ド６に対して段差を設けている。インナリード２の外端
部はリード６に重合されて熱圧着などにより電気的に接
続されている。７は半導体ペレット３とリード６の内端
部を含む主要部分を被覆した樹脂を示す。この半導体装
置８は、樹脂７から導出されたリード６がインナリード
２の間隔より広く、巾、厚みともに大きく設定できるた
めリード６を表面実装が可能な形状に成形でき、他の表
面実装型電子部品と同時にリフローによる半田付けが可
能となる。
１は絶縁テープを枠状に打ち抜いた枠体、２は多数本の
インナリードで、各インナリード２の中間部は枠体１に
接着され内端側は間隔が密に、外端側は間隔が粗に設定
されてそれぞれ平行に延びている。３は半導体ペレット
で、上面に多数の突出した電極３ａを形成している。こ
の半導体ペレット３は枠体１の中央部に配置され、イン
ナリード２の内端部が電極３ａに重合されて電気的に接
続されている。４は両端より吊りピン５を延在しリード
フレームを構成するアイランドで、インナリード２を接
続した状態の半導体ペレット３を固定している。６はア
イランド４とともにリードフレームを構成する多数本の
リードで内端部はアイランド４の近傍に配置されてい
る。アイランド４は吊りピン５の中間部を屈曲させリー
ド６に対して段差を設けている。インナリード２の外端
部はリード６に重合されて熱圧着などにより電気的に接
続されている。７は半導体ペレット３とリード６の内端
部を含む主要部分を被覆した樹脂を示す。この半導体装
置８は、樹脂７から導出されたリード６がインナリード
２の間隔より広く、巾、厚みともに大きく設定できるた
めリード６を表面実装が可能な形状に成形でき、他の表
面実装型電子部品と同時にリフローによる半田付けが可
能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように図４に示す
構造の半導体装置８は表面実装可能であるが、多リード
化に対応して、インナリード２の厚みや巾、間隔が極め
て小さく設定されるため、樹脂成形時に流動する樹脂が
インナリード２の間を通り抜けることが出来ず、インナ
リード２全体が流動する樹脂の障害物となり、樹脂７の
注入圧によってインナリード２とともに枠体１が捻れ変
形し、インナリード２が半導体ペレット３表面の周縁部
に近接したり接触し耐電圧低下や短絡事故を生じる虞が
あった。また、アイランドとインナリード２の間隔はほ
ぼ半導体ペレットの間隔であり狭小であるため樹脂の通
り抜けが困難で、半導体ペレットより先に前方に樹脂が
進行すると半導体ペレットの周囲に空気が閉じ込められ
る。
構造の半導体装置８は表面実装可能であるが、多リード
化に対応して、インナリード２の厚みや巾、間隔が極め
て小さく設定されるため、樹脂成形時に流動する樹脂が
インナリード２の間を通り抜けることが出来ず、インナ
リード２全体が流動する樹脂の障害物となり、樹脂７の
注入圧によってインナリード２とともに枠体１が捻れ変
形し、インナリード２が半導体ペレット３表面の周縁部
に近接したり接触し耐電圧低下や短絡事故を生じる虞が
あった。また、アイランドとインナリード２の間隔はほ
ぼ半導体ペレットの間隔であり狭小であるため樹脂の通
り抜けが困難で、半導体ペレットより先に前方に樹脂が
進行すると半導体ペレットの周囲に空気が閉じ込められ
る。
【０００８】一方、樹脂注入の最終段階で、未充填を防
止する目的で注入圧を上げると、樹脂内に閉じ込められ
た空気は圧縮されるが、アイランドとインナリードの間
に空気が残留していると機械的に弱いインナリード側か
ら圧縮されインナリードや枠体が変形してインナリード
が半導体ペレットの不所望部分に近接、接触し、耐電圧
低下や短絡事故を生じることもあった。そのため、出願
人は、特願平６−６２２８８号、特願平６−１３６９３
５号などで、枠体１とアイランド４の間に係合部を設け
てその間の間隔を保つようにしたり、アイランド４上の
要部に透孔を穿設して樹脂の回り込みを良好にして樹脂
内に空気が残留するのを防止したりしているが、枠体と
リードフレームの形状、寸法の組合せによって係合部の
強度を充分確保できなかったり、透孔の径や配置位置が
制約され、充分効果を得られないことがあった。
止する目的で注入圧を上げると、樹脂内に閉じ込められ
た空気は圧縮されるが、アイランドとインナリードの間
に空気が残留していると機械的に弱いインナリード側か
ら圧縮されインナリードや枠体が変形してインナリード
が半導体ペレットの不所望部分に近接、接触し、耐電圧
低下や短絡事故を生じることもあった。そのため、出願
人は、特願平６−６２２８８号、特願平６−１３６９３
５号などで、枠体１とアイランド４の間に係合部を設け
てその間の間隔を保つようにしたり、アイランド４上の
要部に透孔を穿設して樹脂の回り込みを良好にして樹脂
内に空気が残留するのを防止したりしているが、枠体と
リードフレームの形状、寸法の組合せによって係合部の
強度を充分確保できなかったり、透孔の径や配置位置が
制約され、充分効果を得られないことがあった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題の解決
を目的として提案されたもので、フレーム内に吊りピン
を介して配置したアイランドの近傍に前記フレームより
内方に延びるリードを多数本配列したリードフレームの
アイランド上に、表面に多数の電極を形成し各電極に、
中間部が矩形枠状絶縁部材に支持され両端が枠の内外に
突出したビームリードの内端部を接続した半導体ペレッ
トをマウントし、前記ビームリードの外端部をリードフ
レームのリードに接続して半導体ペレットを含む主要部
分を樹脂にてモールド被覆し、樹脂より露呈したリード
フレームの不要部分を切断除去した樹脂封止型半導体装
置において、上記アイランドが、半導体ペレットより径
大に形成されかつこのアイランドの半導体ペレットを囲
む位置に絶縁部材側に突出する突起を形成したことを特
徴とする樹脂封止型半導体装置を提供する。この突起に
てアイランドと絶縁部材の間隔を規制することができ
る。また、半導体ペレットに対して少なくとも樹脂注入
側の突起を切り起こし片とし、切り起こしにより形成さ
れた窓を半導体ペレット側にすることにより樹脂の流れ
を切り起こし片と穴とで制御できる。
を目的として提案されたもので、フレーム内に吊りピン
を介して配置したアイランドの近傍に前記フレームより
内方に延びるリードを多数本配列したリードフレームの
アイランド上に、表面に多数の電極を形成し各電極に、
中間部が矩形枠状絶縁部材に支持され両端が枠の内外に
突出したビームリードの内端部を接続した半導体ペレッ
トをマウントし、前記ビームリードの外端部をリードフ
レームのリードに接続して半導体ペレットを含む主要部
分を樹脂にてモールド被覆し、樹脂より露呈したリード
フレームの不要部分を切断除去した樹脂封止型半導体装
置において、上記アイランドが、半導体ペレットより径
大に形成されかつこのアイランドの半導体ペレットを囲
む位置に絶縁部材側に突出する突起を形成したことを特
徴とする樹脂封止型半導体装置を提供する。この突起に
てアイランドと絶縁部材の間隔を規制することができ
る。また、半導体ペレットに対して少なくとも樹脂注入
側の突起を切り起こし片とし、切り起こしにより形成さ
れた窓を半導体ペレット側にすることにより樹脂の流れ
を切り起こし片と穴とで制御できる。
【００１０】
【作用】本発明は上記課題解決手段により、アイランド
と枠体の間隔規制を確実にでき、しかもアイランドを径
大にすることにより生じる樹脂の回り込み不良を樹脂の
流れ方向を制御することにより良好にできる。
と枠体の間隔規制を確実にでき、しかもアイランドを径
大にすることにより生じる樹脂の回り込み不良を樹脂の
流れ方向を制御することにより良好にできる。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の実施例を図１から説明する。
図において、１１は矩形枠状のフレーム、１２はフレー
ム１１の中央部に配置されフレーム１１から延びる４本
の吊りピン１３によって支持されたアイランド、１４は
フレーム１１から内方に延び遊端がアイランド１２の近
傍に配置された多数本のリードで各リード１４の中間部
はタイバ１５にて連結一体化されている。上記各部分１
１〜１５にてリードフレーム１６を構成している。１７
は絶縁部材からなる矩形状の枠体、１８は多数本のビー
ムリードで、それらの中間部は枠体１７に接続され、両
端部が枠体１７の内外に突出している。このビームリー
ド１８は図示例では中央と両側のビームリードのみ示し
ているが、多数本のビームリードが枠体１７上で内側の
配列ピッチを密に外側の配列ピッチが粗となるように扇
形状に配置されている。１９は表面に多数の電極１９ａ
を形成した半導体ペレットで、枠体１７の中央部に配置
され、電極１９ａとビームリード１８の内端部とを重合
し電気的に接続している。
図において、１１は矩形枠状のフレーム、１２はフレー
ム１１の中央部に配置されフレーム１１から延びる４本
の吊りピン１３によって支持されたアイランド、１４は
フレーム１１から内方に延び遊端がアイランド１２の近
傍に配置された多数本のリードで各リード１４の中間部
はタイバ１５にて連結一体化されている。上記各部分１
１〜１５にてリードフレーム１６を構成している。１７
は絶縁部材からなる矩形状の枠体、１８は多数本のビー
ムリードで、それらの中間部は枠体１７に接続され、両
端部が枠体１７の内外に突出している。このビームリー
ド１８は図示例では中央と両側のビームリードのみ示し
ているが、多数本のビームリードが枠体１７上で内側の
配列ピッチを密に外側の配列ピッチが粗となるように扇
形状に配置されている。１９は表面に多数の電極１９ａ
を形成した半導体ペレットで、枠体１７の中央部に配置
され、電極１９ａとビームリード１８の内端部とを重合
し電気的に接続している。
【００１２】ビームリード１８を接続した半導体ペレッ
ト１９はビームリード１８の外端部をリードフレーム１
６のリード１４と重ね合わせて、アイランド１２上に接
着剤（図示せず）を介して接続され、リード１４とビー
ムリード１８の外端部とを熱圧着などの手段により接続
した後、タイバ１５より内側の半導体ペレット１９を含
む主要部分を樹脂成形金型（図示せず）を用いて樹脂２
０にて被覆される。樹脂２０の金型への注入はリードフ
レーム１６の構造上の制約から通常は一つの吊りピン１
３部分から注入される。樹脂成形後、吊りピン１３、タ
イバ１５を切断しフレーム１１を含む樹脂２０から露呈
したリードフレーム１６の不要部分を除去して個々の半
導体装置を得る。この半導体装置は、アイランド１２の
外径が、枠体１７の開口径より径大に形成され、枠体１
７と重なり合う部分に枠体１７側に突出する突起２１を
形成した点で、図４半導体装置と相違する。この突起２
１は図示例ではアイランド１７を切り起こした切起片で
形成されるが、切起片の高さは、アイランド１２と枠体
１７の間隔に設定され、切り起こしにより形成される穴
２２の面積は切起片２１の高さに比し充分大きく設定さ
れる。
ト１９はビームリード１８の外端部をリードフレーム１
６のリード１４と重ね合わせて、アイランド１２上に接
着剤（図示せず）を介して接続され、リード１４とビー
ムリード１８の外端部とを熱圧着などの手段により接続
した後、タイバ１５より内側の半導体ペレット１９を含
む主要部分を樹脂成形金型（図示せず）を用いて樹脂２
０にて被覆される。樹脂２０の金型への注入はリードフ
レーム１６の構造上の制約から通常は一つの吊りピン１
３部分から注入される。樹脂成形後、吊りピン１３、タ
イバ１５を切断しフレーム１１を含む樹脂２０から露呈
したリードフレーム１６の不要部分を除去して個々の半
導体装置を得る。この半導体装置は、アイランド１２の
外径が、枠体１７の開口径より径大に形成され、枠体１
７と重なり合う部分に枠体１７側に突出する突起２１を
形成した点で、図４半導体装置と相違する。この突起２
１は図示例ではアイランド１７を切り起こした切起片で
形成されるが、切起片の高さは、アイランド１２と枠体
１７の間隔に設定され、切り起こしにより形成される穴
２２の面積は切起片２１の高さに比し充分大きく設定さ
れる。
【００１３】この突起２１の配置例を図２から説明す
る。図において、図１と同一符号は同一物を示し重複す
る部分の説明を省略し、要部のみを示す。この突起２１
は半導体ペレット１９を囲む領域に４個設けられ、図示
矢印で示す樹脂の流れに対して上流側の突起２１ａは穴
２２ａを半導体ペレット１９側に位置させ、樹脂の流れ
に対して下流側の突起２１ｂは穴２２ｂを半導体ペレッ
ト１９から離れて位置させている。これによりアイラン
ド１２の下方に流れ込んだ樹脂は矢印Ａで示すように上
流側の穴２２ａからアイランド１２と枠体１７の間に入
り込み、半導体ペレット１９の側壁に沿って移動し、下
流側の突起２１ｂによって方向が変えられ、さらに半導
体ペレット１９の側壁に沿って移動する。一方アイラン
ド１２の下方で穴２２ａを通りすぎた樹脂は、図示矢印
Ｂに示すように下流側の穴２２ｂからアイランド１２と
枠体１７の間に入り込み突起２１ｂによって進行が妨げ
られた樹脂の代わりに充填される。枠体１７の上面を移
動してきた樹脂も中央の開口部からアイランド１２と枠
体１７の間に入り込み、その間にある空気を追い出す
が、この樹脂の流れは突起２１によって形成された樹脂
の流れによって助長される。
る。図において、図１と同一符号は同一物を示し重複す
る部分の説明を省略し、要部のみを示す。この突起２１
は半導体ペレット１９を囲む領域に４個設けられ、図示
矢印で示す樹脂の流れに対して上流側の突起２１ａは穴
２２ａを半導体ペレット１９側に位置させ、樹脂の流れ
に対して下流側の突起２１ｂは穴２２ｂを半導体ペレッ
ト１９から離れて位置させている。これによりアイラン
ド１２の下方に流れ込んだ樹脂は矢印Ａで示すように上
流側の穴２２ａからアイランド１２と枠体１７の間に入
り込み、半導体ペレット１９の側壁に沿って移動し、下
流側の突起２１ｂによって方向が変えられ、さらに半導
体ペレット１９の側壁に沿って移動する。一方アイラン
ド１２の下方で穴２２ａを通りすぎた樹脂は、図示矢印
Ｂに示すように下流側の穴２２ｂからアイランド１２と
枠体１７の間に入り込み突起２１ｂによって進行が妨げ
られた樹脂の代わりに充填される。枠体１７の上面を移
動してきた樹脂も中央の開口部からアイランド１２と枠
体１７の間に入り込み、その間にある空気を追い出す
が、この樹脂の流れは突起２１によって形成された樹脂
の流れによって助長される。
【００１４】これにより、アイランド１２と枠体１６の
間に空気が残留せず、仮に残留したとしても量的にわず
かで、しかもアイランド１２と枠体１７とは突起によっ
て間隔が規制されているため、樹脂成形の際に過大な注
入圧が加えられても、枠体１７の変形が防止される。し
かもアイランド１２の面積が半導体ペレット１９に比し
て充分大きく設定され、アイランド１２と外部リード１
４に近い枠体１７とを熱的に確実に接続することができ
るから、発熱量が大きい大電力用半導体装置にも適用で
きる。突起２１は図３に示すように形成することもでき
る。即ち、この突起２１は図示矢印で示す樹脂の流れと
平行でかつ半導体ペレットの両側方に形成したもので、
２つの突起で、枠体１７の半導体ペレット１９の各周面
と対向する領域を支持することができ、半導体ペレット
１９の側壁とともに樹脂の流路を決定し、半導体ペレッ
ト１９背面への回り込みを良好にすることができる。
尚、突起２１は、切起片によって形成するだけでなく、
アイランド１２を枠体１７側に膨出させたエンボスでも
よい。またこのエンボスの所望位置に透孔を穿設して樹
脂の回り込みを制御することもできる。
間に空気が残留せず、仮に残留したとしても量的にわず
かで、しかもアイランド１２と枠体１７とは突起によっ
て間隔が規制されているため、樹脂成形の際に過大な注
入圧が加えられても、枠体１７の変形が防止される。し
かもアイランド１２の面積が半導体ペレット１９に比し
て充分大きく設定され、アイランド１２と外部リード１
４に近い枠体１７とを熱的に確実に接続することができ
るから、発熱量が大きい大電力用半導体装置にも適用で
きる。突起２１は図３に示すように形成することもでき
る。即ち、この突起２１は図示矢印で示す樹脂の流れと
平行でかつ半導体ペレットの両側方に形成したもので、
２つの突起で、枠体１７の半導体ペレット１９の各周面
と対向する領域を支持することができ、半導体ペレット
１９の側壁とともに樹脂の流路を決定し、半導体ペレッ
ト１９背面への回り込みを良好にすることができる。
尚、突起２１は、切起片によって形成するだけでなく、
アイランド１２を枠体１７側に膨出させたエンボスでも
よい。またこのエンボスの所望位置に透孔を穿設して樹
脂の回り込みを制御することもできる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、アイラン
ドを枠体の開口径より径大しに径大にした領域に樹脂の
流動方向を制御する突起を形成したから、アイランドと
枠体との間に空気の滞留がなく、仮に滞留したとしても
わずかで、樹脂成形時に過大な注入圧が加えられても、
枠体の変形が抑えられ、ビームリードと半導体ペレット
の不所望な近接、接触がなく、耐電圧低下、短絡事故の
発生を防止することができる。またアイランドの寸法を
大きくしただけでなく、リードと熱的にも接続されたビ
ームリードを支持する枠体とアイランドとを樹脂を介し
て熱的に接続することができるから大電力動作が可能と
なる。
ドを枠体の開口径より径大しに径大にした領域に樹脂の
流動方向を制御する突起を形成したから、アイランドと
枠体との間に空気の滞留がなく、仮に滞留したとしても
わずかで、樹脂成形時に過大な注入圧が加えられても、
枠体の変形が抑えられ、ビームリードと半導体ペレット
の不所望な近接、接触がなく、耐電圧低下、短絡事故の
発生を防止することができる。またアイランドの寸法を
大きくしただけでなく、リードと熱的にも接続されたビ
ームリードを支持する枠体とアイランドとを樹脂を介し
て熱的に接続することができるから大電力動作が可能と
なる。
【図１】 本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置
の中間構体を示す斜視図
の中間構体を示す斜視図
【図２】 アイランドに形成した突起の一例を示す平断
面図
面図
【図３】 アイランドに形成した突起の他の例を示す平
断面図
断面図
【図４】 樹脂封止型半導体装置の従来例を示す側断面
図
図
１１ フレーム
１２ アイランド
１３ 吊りピン
１４ リード
１６ リードフレーム
１７ 枠体
１８ ビームリード
１９ 半導体ペレット
１９ａ 電極
２０ 樹脂
２１ 突起
─────────────────────────────────────────────────────
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(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
H01L 21/56
H01L 23/50
Claims (3)
- 【請求項１】フレーム内に吊りピンを介して配置したア
イランドの近傍に前記フレームより内方に延びるリード
を多数本配列したリードフレームのアイランド上に、表
面に多数の電極を形成し各電極に、中間部が絶縁部材よ
りなる矩形状の枠体に支持され両端が枠の内外に突出し
たビームリードの内端部を接続した半導体ペレットをマ
ウントし、前記ビームリードの外端部をリードフレーム
のリードに接続して半導体ペレットを含む主要部分を樹
脂にてモールド被覆し、樹脂より露呈したリードフレー
ムの不要部分を切断除去した樹脂封止型半導体装置にお
いて、上記アイランドを、枠体の開口径より径大に形成
しかつこのアイランドの半導体ペレット近傍位置に絶縁
部材側に突出する突起を形成したことを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。 - 【請求項２】突起にてアイランドと絶縁部材の間隔を規
制することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項３】少なくとも樹脂注入側の突起が切り起こし
片であり、切り起こしにより形成された窓が半導体ペレ
ット側にあることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封
止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24663894A JP3409465B2 (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24663894A JP3409465B2 (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08115943A JPH08115943A (ja) | 1996-05-07 |
| JP3409465B2 true JP3409465B2 (ja) | 2003-05-26 |
Family
ID=17151390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24663894A Expired - Fee Related JP3409465B2 (ja) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3409465B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008166699A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-07-17 | Asmo Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP5281797B2 (ja) * | 2008-01-22 | 2013-09-04 | アスモ株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1994
- 1994-10-13 JP JP24663894A patent/JP3409465B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08115943A (ja) | 1996-05-07 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |