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JP3418285B2 - Switching power supply - Google Patents
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JP3418285B2 - Switching power supply - Google Patents

Switching power supply

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JP3418285B2
JP3418285B2 JP30164195A JP30164195A JP3418285B2 JP 3418285 B2 JP3418285 B2 JP 3418285B2 JP 30164195 A JP30164195 A JP 30164195A JP 30164195 A JP30164195 A JP 30164195A JP 3418285 B2 JP3418285 B2 JP 3418285B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング電源
装置に係り、特に、低電圧で大容量の電源装置に適した
中点タップ式の2次巻線を使用する全波整流方式の同期
整流を行うスイッチング電源装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a switching power supply device, and more particularly to a full-wave rectification type synchronous rectification using a midpoint tap type secondary winding suitable for a low voltage and large capacity power supply device. The present invention relates to a switching power supply device.

【0002】[0002]

【従来の技術】スイッチング電源装置に関する従来技術
として、例えば、長谷川 彰著「スイッチング・レギュ
レータ設計ノウハウ」昭和60年4月10日 CQ出版
株式会社発行、第28頁、図1−13「絶縁形DC−D
Cコンバータの主な回路と特徴」(e)等に示された技
術が知られている。
2. Description of the Related Art As a conventional technology relating to a switching power supply device, for example, Akira Hasegawa, "Switching Regulator Design Know-how", April 10, 1985, CQ Publishing Co., Ltd., p. 28, FIG. -D
The technology shown in "Main circuit and characteristics of C converter" (e) is known.

【0003】この従来技術は、トランスの1次側にフル
ブリッジ回路構成のインバータを備え、トランスの2次
側に中点タップ式の全波整流回路を備えるものである。
そして、このような構成の電源装置は、インバータに使
用するトランジスタの耐圧と電流との関係から出力が最
も取り出しやすい構成であるため、大容量のスイッチン
グ電源として使用して好適なものである。
In this prior art, an inverter having a full-bridge circuit structure is provided on the primary side of the transformer, and a midpoint tap type full-wave rectification circuit is provided on the secondary side of the transformer.
The power supply device having such a configuration is suitable for use as a large-capacity switching power supply because the output is most easily extracted from the relationship between the withstand voltage and the current of the transistor used in the inverter.

【0004】前述の従来技術において、出力電圧の制御
は、インバータの駆動電圧のデューティによって制御さ
れる。そして、インバータがオン状態でトランスの1次
側に電流を流している期間、2次側の整流ダイオード
は、平滑用のインダクタンスLを介して、出力に向かっ
て電流を流す。また、インバータがオフとなって、トラ
ンスの1次側に電流を流すことを止めた期間、整流ダイ
オードは、インダクタンスLの還流電流を流し続ける。
しかし、1次側のインバータがオフとなっているので、
この還流電流は、1次側には流れることができずに反対
側の整流ダイオードへ分流し、次に反転駆動されるまで
この状態を維持する。
In the above-mentioned conventional technique, the output voltage is controlled by the duty of the drive voltage of the inverter. Then, while the inverter is in the ON state and the current is flowing to the primary side of the transformer, the rectifying diode on the secondary side causes the current to flow toward the output via the smoothing inductance L. Further, the rectifier diode continues to flow the return current of the inductance L while the inverter is turned off and the current is stopped from flowing to the primary side of the transformer.
However, since the inverter on the primary side is off,
This return current cannot flow to the primary side, is shunted to the rectifier diode on the opposite side, and this state is maintained until the next reverse driving.

【0005】一般に、スイッチング電源の損失の大半
は、整流ダイオードのドロップによる損失と、インバー
タのスイッチ損失とにより占められる。従来、ダイオー
ドのドロップを少なくするため、シヨットキダイオード
を使用して少しでも損失の低減を図る努力がなされてき
たが、近年、機器が必要とする電源電圧、すなわち、電
源装置の出力電圧がさらに低下しおり、シヨットキダイ
オードにより整流を行う電源は、その効率が低下して満
足できるものではなく、さらなる効率の向上が求められ
ている。
In general, most of the loss of the switching power supply is occupied by the loss due to the drop of the rectifying diode and the switch loss of the inverter. In the past, efforts have been made to reduce losses by using chain diodes in order to reduce diode drops, but in recent years, the power supply voltage required by equipment, that is, the output voltage of the power supply device The efficiency of power supplies that perform rectification by chain diode is not satisfactory because the efficiency is decreased, and further improvement in efficiency is required.

【0006】また、効率を向上させることのできる電源
装置として、共振電源装置があり、この種の電源装置に
関する従来技術として、例えば、「Product-&-Applicat
ionsHandbook1993-94」 Unitrode Integrated Cincuits
Corpovation 発行 9-201頁等に記載された技術が知ら
れている。この共振形の電源装置は、スイッチング損失
が少なく、スイッチング周波数を上げることにより小形
化が可能であるが、前記文献の例では、その効率が75
%である。
Further, there is a resonance power supply device as a power supply device capable of improving efficiency, and as a conventional technique related to this type of power supply device, for example, "Product-&-Applicat."
ionsHandbook 1993-94 ”Unitrode Integrated Cincuits
The technology described on pages 9-201, etc. of Corpovation is known. This resonance type power supply device has a small switching loss and can be miniaturized by increasing the switching frequency. However, in the example of the above literature, the efficiency is 75%.
%.

【0007】スイッチング電源に関する従来技術とし
て、前述の他、「電子技術:スイッチング電源設計ハン
ドブック」 株式会社 日刊工業新聞社発行 1989 Vo
l.31No.3 14〜15頁に記載された各種回路が知られ
ている。
In addition to the above, "Electronic Technology: Switching Power Supply Design Handbook" as a conventional technology related to switching power supplies, published by Nikkan Kogyo Shimbun Co., Ltd. 1989 Vo
Various circuits described on pages 14 to 15 of l.31 No. 3 are known.

【0008】図3は従来技術によるスイッチング電源装
置の一例の構成を示す回路図、図4はその動作を説明す
る動作波形図であり、以下、図3、図4を参照して従来
技術によるスイッチング電源装置の構成と動作とを説明
する。図3において、T1はトランス、M1〜M4はMO
Sトランジスタ、D1〜D4はMOSトランジスタの寄生
素子であるボデイーダイオード、D5、D6は整流用ダイ
オード、L1は平滑用インダクタンス、C1はトランスの
偏磁防止用のコンデンサ、C2は平滑用コンデンサ、C3
はスナバコンデンサ、R1はスナバ抵抗、RLは負荷であ
る。
FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of an example of a switching power supply device according to the prior art, and FIG. 4 is an operation waveform diagram for explaining the operation thereof. Hereinafter, referring to FIGS. The configuration and operation of the power supply device will be described. In FIG. 3, T 1 is a transformer and M 1 to M 4 are MO.
S transistors, D 1 to D 4 are body diodes which are parasitic elements of MOS transistors, D 5 and D 6 are rectifying diodes, L 1 is a smoothing inductance, C 1 is a capacitor for preventing magnetic bias of a transformer, and C 2 Is a smoothing capacitor, C 3
Is a snubber capacitor, R 1 is a snubber resistor, and R L is a load.

【0009】図3に示す回路において、MOSトランジ
スタM1〜M4は、高レベルでオンし、低レベルでオフす
るエンハンスメント形のMOSトランジスタであり、フ
ルブリッジのインバータを構成している。これらのトラ
ンジスタM1〜M4は、ゲート駆動信号V1〜V4により制
御されてトランスT1の1次側巻線に、トランスT1の偏
磁防止のためのコンデンサC1を介して、電源電圧+
I、−VI から所要のデューティを持つ電流iTを流
す。この電流によりトランスT1の2次側巻線に流れる
電流は、整流用ダイオードD5、D6により両波整流さ
れ、整流された直流電流が、出力平滑フィルタを構成す
るインダクタンスL1、コンデンサC2を介して負荷RL
に供給される。そして、この電源装置の負荷RLに供給
される電圧は、電源電圧+VI、−VIと、トランスT1
の1次巻線に流す電流iTのデューティと、トランスT1
の巻線比とによって決まる。
In the circuit shown in FIG. 3, MOS transistors M 1 to M 4 are enhancement type MOS transistors which are turned on at a high level and turned off at a low level, and form a full-bridge inverter. These transistors M 1 ~M 4 is controlled by a gate drive signal V 1 ~V 4 to the primary winding of the transformer T 1, via a capacitor C 1 for biased magnetization prevention of the transformer T 1, Power supply voltage +
A current i T having a required duty is supplied from V I and −V I. The current flowing through the secondary winding of the transformer T 1 is double-wave rectified by the rectifying diodes D 5 and D 6 , and the rectified DC current forms an inductance L 1 and a capacitor C that form an output smoothing filter. Load through 2 R L
Is supplied to. Then, the voltage supplied to the load R L of the power supply, the power supply voltage + V I, and -V I, transformer T 1
Of the current i T flowing through the primary winding of the transformer T 1
And the winding ratio of.

【0010】図4に示す動作波形は、図3に示す各位
置、各信号の波形を示しており、V1はM1のゲート駆動
波形、同様に、V2はM2の、V3はM3の、V4はM4のゲ
ート駆動波形である。また、V1〜V4として示す波形に
添えて示すHは高レベルを、Lは低レベルを示し、トラ
ンジスタM1〜M4は、高レベルでオンし、低レベルでオ
フする。さらに、図4において、t2、t3、t5、t
6は、動作の状態を表わす期間である。
The operation waveform shown in FIG. 4 shows the waveform of each position and each signal shown in FIG. 3. V 1 is the gate drive waveform of M 1 , and similarly V 2 is M 2 and V 3 is of M 3, V 4 is the gate drive waveform of M 4. Further, H shown along with the waveforms shown as V 1 to V 4 shows a high level, L shows a low level, and the transistors M 1 to M 4 turn on at a high level and turn off at a low level. Further, in FIG. 4, t 2 , t 3 , t 5 , t
6 is a period showing the state of operation.

【0011】期間t2は、MOSトランジスタM1、M4
をオンとして、トランスT1の1次側を、図3にiTとし
て示す電流方向に駆動する期間であり、期間t5は、M
OSトランジスタM2、M3をオンとして、iT として示
す電流方向と逆方向に駆動する期間である。そして、こ
れらの期間に、トランスT1の2次側に電流i4、i3
流れ、ダイオードD6、D5により整流されて、平滑フィ
ルタを構成するインダクタンスL1、コンデンサC2を介
して負荷RLに電流iTが供給される。また、期間t3
6は、トランスT1 をトランジスタM1〜M4によるイ
ンバータ駆動回路から開放する期間である。
During the period t 2 , the MOS transistors M 1 and M 4
Is on and the primary side of the transformer T 1 is driven in the current direction shown as i T in FIG. 3, and the period t 5 is M
In this period, the OS transistors M 2 and M 3 are turned on and driven in the direction opposite to the current direction indicated by i T. Then, during these periods, the currents i 4 and i 3 flow to the secondary side of the transformer T 1 , are rectified by the diodes D 6 and D 5 , and are rectified via the inductance L 1 and the capacitor C 2 which form the smoothing filter. The current i T is supplied to the load R L. Also, the period t 3 ,
t 6 is a period in which the transformer T 1 is opened from the inverter drive circuit including the transistors M 1 to M 4 .

【0012】ところで、前述した期間t2、t5の終りの
タイミングで、トランスT1 の電流iTが切れるため、
期間t3、t6の始めの期間にトランスT1のリーケージ
インダクタンスにより、図4に波形v1−v2として示す
ように、トランスT1 の1次巻線にフライバック電圧が
発生して、これが元で大きな振動電圧が発生する。この
振動電圧の発生を抑えるため、コンデンサC3、抵抗R1
により構成されるスナバ回路が設けられており、このス
ナバ回路にスナバ電流iSNが流れて振動エネルギーが吸
収される。このスナバ回路における消費電力は、振動を
どの程度抑えるかにより異なるが、20W〜40W必要
である。
By the way, since the current i T of the transformer T 1 is cut off at the end timing of the above-mentioned periods t 2 and t 5 ,
Due to the leakage inductance of the transformer T 1 during the beginning of the periods t 3 and t 6 , a flyback voltage is generated in the primary winding of the transformer T 1 as shown by the waveform v 1 -v 2 in FIG. This causes a large oscillating voltage. In order to suppress the generation of this oscillating voltage, the capacitor C 3 and the resistor R 1
Is provided, and the snubber current i SN flows through the snubber circuit to absorb vibration energy. The power consumption of this snubber circuit depends on how much vibration is suppressed, but 20 W to 40 W is required.

【0013】また、前述した従来技術において、MOS
トランジスタM1〜M4によるインバータのスイッチング
損失PSWは、MOSトランジスタM1〜M4のドレイン容
量の充放電により消費される電力で、次の式(1)で表
わすことができる。
Further, in the above-mentioned prior art, the MOS
Transistor M 1 ~M 4 switching loss P SW of the inverter by is the power consumed by charging and discharging of the drain capacitance of the MOS transistor M 1 ~M 4, can be expressed by the following equation (1).

【0014】 PSW=N×COSS×[{+VI−(−VI)}/2]×f ……(1) 但し、N:MOSの数 COSS:MOSの出力容量 VI:電源電圧 f:スイッチング周波数 前述において、MOSの数=4、出力容量=2×10~9
F、VI=135V、f=100×103とすると、PSW
≒15Wとなる。
P SW = N × C OSS × [{+ V I − (− V I )} / 2] × f (1) where N: number of MOS C OSS : output capacitance V I of MOS: power supply Voltage f: Switching frequency In the above, the number of MOSs = 4, output capacity = 2 × 10 to 9
If F, V I = 135V and f = 100 × 10 3 , then P SW
≈15W.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】前述した従来技術は、
インバータのスイッチング損失に関する配慮がなされて
おらず、また、整流用としてダイオードを使用している
ため、インバータのスイッチング損失及びダイオードに
よる整流損失を無くすことができず、電源装置としての
効率の向上が困難であるという問題点を有している。
DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention
Since no consideration is given to the switching loss of the inverter, and because the diode is used for rectification, it is impossible to eliminate the switching loss of the inverter and the rectification loss due to the diode, making it difficult to improve the efficiency of the power supply device. It has a problem that

【0016】一般に、スイッチング電源装置の大幅な効
率向上のためには、整流ダイオードの電圧ドロップによ
る損失の低減を図る必要があり、この電圧ドロップによ
る損失は、MOSトランジスタを用いた同期整流回路を
採用することにより実現することができる。この整流動
作中に同期整流用のMOSトランジスタをオンすること
はごく当然のことであり、この期間の損失が低減される
のは普通である。
Generally, in order to greatly improve the efficiency of the switching power supply device, it is necessary to reduce the loss due to the voltage drop of the rectifier diode, and the loss due to this voltage drop employs a synchronous rectification circuit using MOS transistors. It can be realized by It is quite natural to turn on the MOS transistor for synchronous rectification during this rectifying operation, and it is usual that the loss during this period is reduced.

【0017】また、整流動作後の還流動作中において
も、その損失を低減する必要がある。一般に、スイッチ
ング電源装置は、その出力電圧を制御するため、トラン
スの1次側にインバータを設けてパルス幅制御を行って
いる。従って、整流動作の半サイクル期間の中に、イン
バータ側から電流が流れて来る期間と、電流が切断され
る期間とが存在する。電流が切断されている期間は、前
述の還流動作期間となり、通常、整流動作を停止して、
還流電流を別経路に流している。例えば、整流回路がM
OSトランジスタで構成される場合、その経路は、MO
Sトランジスタのボデイーダイオードとなる。ボデイー
ダイオードは、シリコンダイオードであるから、そのド
ロップ電圧は、0.7V〜1.2V程度もあり、これに
より、この還流動作期間の損失が異常に大きくなってし
まう。これを避けるために、ボデイーダイオードを流れ
る期間を極端に短く、すなわち、パルス幅を異常に広く
して動作させるような制御を行い、あるいは、整流用の
MOSトランジスタの他に還流用のシヨットキダイオー
ドを用いるようにすることが考えられる。
Further, it is necessary to reduce the loss even during the return operation after the rectifying operation. In general, a switching power supply device controls an output voltage thereof by providing an inverter on the primary side of a transformer for pulse width control. Therefore, in the half cycle period of the rectifying operation, there are a period in which the current flows from the inverter side and a period in which the current is cut off. The period during which the current is cut off is the above-mentioned reflux operation period, and normally the rectifying operation is stopped,
The return current is flowing through another path. For example, if the rectifier circuit is M
When it is composed of an OS transistor, its path is MO
It becomes the body diode of the S transistor. Since the body diode is a silicon diode, its drop voltage is about 0.7 V to 1.2 V, which causes an abnormally large loss during the freewheeling period. In order to avoid this, control is performed so that the period of time flowing through the body diode is extremely short, that is, the pulse width is abnormally widened, or a freewheeling Schottky diode is used in addition to the rectifying MOS transistor. It is possible to use.

【0018】前述した方法を用いることにより、スイッ
チング電源装置の効率の向上を図ることができるが、こ
れらの方法では、大幅な効率の改善を行うことができな
い。また、前述のパルス幅を異常に広くして動作させる
方法は、出力電圧の可変幅が狭くなり、電源装置として
は使いにくいものとなり、還流用に、シヨットキダイオ
ードを付加するものは、装置の小形化が阻害され、コス
トアップになってしまうという問題点を生じる。
Although the efficiency of the switching power supply device can be improved by using the above-mentioned methods, these methods cannot significantly improve the efficiency. In addition, the above-mentioned method of operating with an abnormally wide pulse width makes the variable width of the output voltage narrow, making it difficult to use as a power supply device. There is a problem that miniaturization is hindered and cost is increased.

【0019】本発明の目的は、前述した従来技術の問題
点を解決し、従来、損失の大半を占めていた整流ダイオ
ードのドロップによる損失と、インバータのスイッチン
グ損失と、還流電流を流す期間の損失とを低減して、効
率を大幅に向上することのできるスイッチング電源装置
を提供することにある。
The object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and the loss due to the drop of the rectifying diode, which has conventionally dominated most of the loss, the switching loss of the inverter, and the loss during the flow of the return current. It is an object of the present invention to provide a switching power supply device capable of significantly reducing the power consumption and improving the efficiency.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】本発明によれば前記目的
は、トランスの1次側に設けられるインバータと、前記
トランスの2次側に設けられるセンタタップ型全波整流
回路と、平滑用インダクタンスとを備えて構成されるス
イッチング電源装置において、前記全波整流回路の整流
素子をスイッチ素子で構成し、そのオン時間を整流動作
及び整流動作後の平滑用インダクタンスの還流電流が
流れる間持続させ、前記還流電流を前記トランスの1次
側に誘導させて、前記インバータを構成するスイッチ素
子に流すようにすることにより達成される。
The object according to the present invention SUMMARY OF THE INVENTION includes an inverter provided on the primary side of the transformer, and a center tap full-wave rectifier circuit provided on the secondary side of the <br/> transformer A rectifying circuit for a full-wave rectifying circuit, comprising:
The element is constituted by a switch element, and its on-time is maintained during the rectifying operation and while the return current of the smoothing inductance flows, and the return current is induced to the primary side of the transformer to drive the inverter. This is achieved by allowing the flow to the switch element that constitutes it.

【0021】また、本発明の目的は、前述において、前
記トランスの1次側に設けられるインバータの還流電流
を切断して反転整流動作に入るタイミングを、トランス
が発生するフライバック電圧が反転駆動サイドのスイッ
チ素子の両端電圧が0Vに近くなっている期間に設定す
ることにより達成される。
Further, the object of the present invention is, in the above, that the flyback voltage generated by the transformer is set to the inverting drive side at the timing when the reflux current of the inverter provided on the primary side of the transformer is cut off to start the inverting rectification operation. This is achieved by setting it in a period in which the voltage across the switch element is close to 0V.

【0022】さらに、本発明の目的は、前述において、
インバータをMOSトランジスタによるフルブリッジ回
路により構成し、整流回路をMOSトランジスタを使用
した同期整流回路とすることにより達成される。
Further, the object of the present invention is as follows.
This is achieved by configuring the inverter with a full bridge circuit using MOS transistors and using a rectifier circuit as a synchronous rectifier circuit using MOS transistors.

【0023】本発明は、MOSトランジスタによる同期
整流により、整流回路における電圧ドロップによる損失
の低減を図り、ゼロボルトスイッチを行うことにより、
インバータのスイッチング損失の低減を図ることがで
き、かつ、出力フィルタのインダクタンスにより発生す
る還流電流を、1次側インバータに流すようにしている
ので、還流電流による損失をも低減することができる。
According to the present invention, the synchronous rectification by the MOS transistor is used to reduce the loss due to the voltage drop in the rectifier circuit, and the zero volt switch is used.
The switching loss of the inverter can be reduced, and the return current generated by the inductance of the output filter is made to flow to the primary side inverter, so that the loss due to the return current can also be reduced.

【0024】以下、本発明による前述した各種損失の低
減によるスイッチング電源装置の効率の向上についてさ
らに説明する。
Hereinafter, the improvement of the efficiency of the switching power supply device according to the present invention by reducing the above-mentioned various losses will be further described.

【0025】スイッチング電源装置の整流動作時の損失
の低減は、出力フィルタのインダクタンスを流れる還流
電流の処理にあると言ってもよい。還流電流を整流用の
MOSトランジスタのボデイーダイオードに流すような
にすれば、損失が1桁近く増加してしまう。そこで、本
発明は、整流電流を流した後、還流電流が流れる期間
も、整流用のMOSトランジスタをオフとせずに、オン
の状態を保持させておき、還流電流をオンとなっている
MOSトランジスタに流すようにして、この期間の損失
の増加を抑えている。また、本発明は、還流電流期間の
損失をさらに低減するために、還流電流をトランスの1
次側に流すようにしている。
It can be said that the reduction of the loss during the rectifying operation of the switching power supply device is the processing of the return current flowing through the inductance of the output filter. If the return current is made to flow through the body diode of the rectifying MOS transistor, the loss will increase by almost one digit. Therefore, according to the present invention, the MOS transistor for rectification is not turned off but kept in the ON state even after the rectification current flows and the rectification current flows. The loss is suppressed during this period. In addition, in the present invention, in order to further reduce the loss during the return current period, the return current is reduced to a transformer.
I try to run it to the next side.

【0026】一般に、トランスの1次側に設けられるイ
ンバータは、出力電圧制御のためにパルス幅制御を行っ
ている。そして、インバータは、トランスをパルス駆動
した後、オフ状態となり、2次側の整流用のMOSトラ
ンジスタに還流電流を流し続けても、1次側はオフして
しまっているため、トランスの一次側に還流電流を流す
ことができない。従って、このような動作をしている場
合、還流電流は、2次側のオフしている側のMOSトラ
ンジスタのボデイーダイオードに流れることになり、こ
こでの損失を低減することはできない。
In general, the inverter provided on the primary side of the transformer performs pulse width control for output voltage control. Then, the inverter turns off after the transformer is pulse-driven, and even if the reflux current continues to flow to the secondary side rectifying MOS transistor, the primary side is turned off. No return current can flow to Therefore, when such an operation is performed, the return current flows through the body diode of the MOS transistor on the secondary side which is off, and the loss here cannot be reduced.

【0027】そこで、本発明は、トランスの1次側に還
流電流を流すこととした。トランスの1次側に還流電流
を流すためには、インバータがパルス幅制御を行いつ
つ、還流電流も流すことが必要である。このため、本発
明によりトランスの1次側に設けられたインバータは、
MOSトランジスタによるフルブリッジ構成とされ、高
電圧側あるいは低電圧側の一方のMOSトランジスタが
出力電圧を制御するパルス幅制御を行うように制御さ
れ、それに対向する側のMOSトランジスタが還流電流
を流すためにオン状態を継続するように制御されてい
る。これにより、インバータは、トランスのドライブが
終った後、2次側の還流電流を、1次側のオン状態を継
続しているMOSトランジスタと、オフしているMOS
トランジスタのボデイーダイオードを介して流すことが
できる。
Therefore, according to the present invention, a return current is supplied to the primary side of the transformer. In order to flow the return current to the primary side of the transformer, it is necessary for the inverter to control the pulse width and also to flow the return current. Therefore, the inverter provided on the primary side of the transformer according to the present invention is
Since the MOS transistor has a full bridge configuration, one of the high-voltage side or the low-voltage side MOS transistor is controlled to perform pulse width control for controlling the output voltage, and the MOS transistor on the opposite side flows a return current. It is controlled to continue to be on. As a result, the inverter causes the secondary side return current to pass through the secondary side return current to the primary side MOS transistor that remains on and the off side MOS transistor to turn off.
It can flow through the body diode of the transistor.

【0028】本発明は、前述のようにして、2次側の還
流電流を1次側へ全て導くことにより、還流電流が2次
側で整流用のMOSトランジスタのボデイーダイオード
を流れて損失を増大させることをなくすことができる。
In the present invention, as described above, by guiding all the secondary side return current to the primary side, the return current flows through the body diode of the rectifying MOS transistor on the secondary side to increase the loss. You can get rid of things.

【0029】さらに、スイッチング電源装置の損失は、
前述したトランスの1次側に設けられているインバータ
のスイッチング損失を低減することにより、すなわち、
トランスの1次側の還流電流を切るタイミングの選定に
より低減することができる。スイッチング電源装置は、
インバータ動作によるものであるので、還流電流を流し
続けることができず、周期的にトランスに流す電流を逆
転させてトランスの2次側に電力が伝えるものであるか
ら、反転動作に入る前に還流状態を解除する必要があ
る。
Further, the loss of the switching power supply is
By reducing the switching loss of the inverter provided on the primary side of the above-mentioned transformer, that is,
This can be reduced by selecting the timing of cutting off the return current on the primary side of the transformer. The switching power supply is
Since it is due to the inverter operation, it is not possible to continue to flow the return current, and the current is periodically passed through the transformer in reverse to transfer the power to the secondary side of the transformer. It is necessary to cancel the state.

【0030】トランスの1次側で還流電流を流している
MOSトランジスタをオフにすると、トランスに流れて
いた電流が遮断される結果、トランスのリーケージイン
ダクタンスによるフライバック効果により、トランスの
1次側の電圧は、対向するMOSトランジスタのボデイ
ーダイオードを導通させるに十分な電圧まで達する。こ
の状態で、対向する側のMOSトランジスタをオンにす
ると、このMOSトランジスタは、ソース−ドレイン間
電圧0Vでオン状態に移行することができる。これによ
り、本発明は、トランスの1次側に設けられるインバー
タをスイッチング損失なしに動作させることができる。
When the MOS transistor that is flowing a return current on the primary side of the transformer is turned off, the current flowing in the transformer is cut off. As a result, the leakage inductance of the transformer causes a flyback effect, and the primary side of the transformer is cut off. The voltage reaches a voltage sufficient to turn on the body diode of the opposing MOS transistor. In this state, when the MOS transistor on the opposite side is turned on, this MOS transistor can be turned on at a source-drain voltage of 0V. As a result, the present invention can operate the inverter provided on the primary side of the transformer without switching loss.

【0031】本発明は、前述のようにして、スイッチン
グ電源装置の高効率化を達成することができる。
The present invention can achieve high efficiency of the switching power supply device as described above.

【0032】[0032]

【発明の実施の形態】以下、本発明によるスイッチング
電源装置の実施形態を図面により詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a switching power supply device according to the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0033】図1は本発明の一実施形態によるスイッチ
ング電源装置の回路構成を示す図、図2はその動作を説
明するためのタイミングチャートである。図1におい
て、M5、M6はMOSトランジスタ、D5、D6はMOS
トランジスタの寄生素子であるボデイーダイオードであ
り、他の符号は図3の場合と同一である。
FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a switching power supply device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a timing chart for explaining its operation. In FIG. 1, M 5 and M 6 are MOS transistors, and D 5 and D 6 are MOS transistors.
It is a body diode which is a parasitic element of a transistor, and other symbols are the same as in the case of FIG.

【0034】図1に示す回路において、MOSトランジ
スタM1〜M4は、高レベルでオンし、低レベルでオフす
るエンハンスメント形のMOSトランジスタであり、フ
ルブリッジのインバータを構成している。これらのトラ
ンジスタM1〜M4は、ゲート駆動信号V1〜V4により制
御されてトランスT1の1次側に、トランスT1の偏磁防
止のためのコンデンサC1を介して、電源電圧+VI、−
Iから所要のデューティーを持つ電流を流す。また、
MOSトランジスタT5、T6は、整流用のトランジスタ
であり、ゲート駆動信号V5〜V6によりインバータと同
期制御され、整流された直流電流は、出力平滑フィルタ
を構成するインダクタンスL1、C2を介して負荷RL
供給される。
In the circuit shown in FIG. 1, MOS transistors M 1 to M 4 are enhancement type MOS transistors which are turned on at a high level and turned off at a low level, and form a full-bridge inverter. These transistors M 1 ~M 4 is controlled by a gate drive signal V 1 ~V 4 on the primary side of the transformer T 1, via a capacitor C 1 for biased magnetization prevention of the transformer T 1, the power supply voltage + V I, -
A current having a required duty is supplied from V I. Also,
MOS transistor T 5, T 6 is a transistor for rectification, is inverter and synchronous control by the gate drive signal V 5 ~V 6, rectified DC current, the inductance L 1, C 2 constituting the output smoothing filter Is supplied to the load R L via.

【0035】図2に示すタイミングチャートは、図1に
示す各位置、各信号の波形を示している。このタイミン
グチャートに従って動作する本発明の一実施形態におけ
る従来技術との相違は、本発明の一実施形態の装置が、
期間t1、t4、t7を有することであり、また、インバ
ータを構成するMOSトランジスタM1〜M4の従来技術
で対となってオン、オフされていたトランジスタM1
4及びM2、M3について、M4オフ後の期間t3でM1
オンし続け、M3オフ後の期間t6でM1をオンし続ける
点である。
The timing chart shown in FIG. 2 shows the waveform of each position and each signal shown in FIG. The difference from the prior art in one embodiment of the present invention that operates according to this timing chart is that the device of one embodiment of the present invention is
Period t 1, and that have a t 4, t 7, also become a MOS transistor M 1 ~M prior art by a pair of 4-on, transistor M 1 that has been turned off constituting the inverter,
For M 4 and M 2, M 3, continues to turn on the M 1 in the period t 3 after M 4 off is that continues to turn on the M 1 during the period t 6 after M 3 off.

【0036】図2において、従来技術の場合と同様に、
1〜V4はM1〜M4のゲート駆動波形であり、V1〜V4
の波形に添えて示すHは高レベルを、Lは低レベルを示
し、トランジスタM1〜M4は、高レベルでオンし、低レ
ベルでオフする。さらに、図2において、t1〜t7は、
動作の状態を表わす期間であり、t2の期間は、トラン
スT1の1次側を図1にiTとして示す電流方向に駆動す
る期間であり、t5の期間は、iTとして示す電流方向と
逆方向に駆動する期間である。t1、t4、t7の各期間
は、トランスT1をトランジスタM1〜M4によるインバ
ータ駆動回路から開放する期間である。t3、t6の期間
は、負荷電流iLの還流電流をトランスT1の1次側に流
す期間である。
In FIG. 2, as in the case of the prior art,
V 1 to V 4 are gate drive waveforms of M 1 to M 4 , and are V 1 to V 4
The H indicates a high level and the L indicates a low level, and the transistors M 1 to M 4 are turned on at a high level and turned off at a low level. Further, in FIG. 2, t 1 to t 7 are
The period t 2 is a period in which the primary side of the transformer T 1 is driven in the current direction shown as i T in FIG. 1, and the period t 5 is a current shown as i T. It is a period for driving in the opposite direction. Each period of t 1 , t 4 , and t 7 is a period in which the transformer T 1 is opened from the inverter drive circuit including the transistors M 1 to M 4 . The period of t 3 and t 6 is a period in which the return current of the load current i L is supplied to the primary side of the transformer T 1 .

【0037】次に、図1、図2を参照して、本発明の第
1の実施形態による電源装置の動作を各期間t1〜t7
分けて説明する。
Next, referring to FIGS. 1 and 2, the operation of the power supply device according to the first embodiment of the present invention will be described for each period t 1 to t 7 .

【0038】期間t1の開始点で、トランスの1次側電
流iTは、それまで流れていたマイナスの電流から0に
向かって減り始める。これと同時に、トランスT1の1
次側の巻線の両端に、リーケージインダクタンスによる
フライバック電圧が発生する。この電圧は、図2にv1
−v2として示す波形のように、+VI−(−VI)の値
を持つ電圧となる。このフライバック電圧は、電流iT
が0アンペアになるまで、+VI−(−VI)の値にとど
まる。
At the starting point of the period t 1, the primary side current i T of the transformer starts to decrease from the negative current flowing until then toward 0. At the same time, 1 of transformer T 1
A flyback voltage is generated across the secondary winding due to leakage inductance. This voltage is v 1 in FIG.
As the waveform shown as -v 2, + V I - a voltage having a value of - (V I). This flyback voltage is the current i T
Until but it becomes 0 amps, + V I - stay on the value of - (V I).

【0039】この期間t1で、MOSトランジスタM1
4をオンとなるように制御して、電流iTの向きを今ま
でと逆のプラス方向に転ずるように動作させると、MO
SトランジスタM1、M4は、ドレイン−ソース間電圧V
DS=0Vの状態で駆動状態、すなわち、オフからオンの
状態に入ることができる。このような動作は、ZVS(Z
ero・Volto・Swiching)と呼ばれ、低損失でMOSトラン
ジスタのスイッチングを行うことができる。
During this period t 1 , the MOS transistor M 1 ,
When M 4 is controlled to be turned on and the direction of the current i T is made to rotate in the positive direction opposite to that in the past, MO becomes
The S-transistors M 1 and M 4 have a drain-source voltage V
The drive state, that is, the on state from the off state can be entered in the state of DS = 0V. Such an operation is performed by ZVS (Z
It is called ero / Volto / Swiching) and can switch MOS transistors with low loss.

【0040】前述したように、期間t1は、V2を高レベ
ルから低レベルにしてそれ迄オンとされていたMOSト
ランジスタM2をオフとしてから、V1、V4を低レベル
から高レベルにしてMOSトランジスタM1、M4をオン
とするまでの期間であり、電流iTが0アンペアになる
までの期間に制限されることが判る。図2に示す例で
は、理想的なZVSの動作タイミングでMOSトランジ
スタM2からM1、あるいは、M1からM2への動作の切り
替えを行っており、ドレイン−ソース間電圧が0Vであ
ると同時に、電流iTも0AとなるタイミングでMOS
トランジスタM1をオンとしている。
As described above, in the period t 1 , V 2 is changed from high level to low level to turn off the MOS transistor M 2 which has been turned on until then, and then V 1 and V 4 are changed from low level to high level. It can be seen that the period until the MOS transistors M 1 and M 4 are turned on is limited to the period until the current i T becomes 0 ampere. In the example shown in FIG. 2, the operation is switched from the MOS transistor M 2 to M 1 or from the M 1 to M 2 at the ideal ZVS operation timing, and the drain-source voltage is 0V. At the same time, when the current i T also becomes 0 A, the MOS
The transistor M 1 is turned on.

【0041】期間t2は、MOSトランジスタM1、M4
がオン状態にされて、電流iTがプラスの方向に流れる
期間であり、エネルギをトランスの1次側から2次側に
向かって送り出す期間である。前述した期間t1で、電
流iTが0Aに向かって変化している期間内にMOSト
ランジスタM1、M4をオンとしても、電流iTは所望の
方向には流れない。そして、電流iTが所望の方向に流
れ始めるのは、電流iTが0Aをクロスしてから後であ
る。従って、期間t2の開始は、電流iTが0Aからプラ
スに増加し始めるときであり、この電流iTの立上り速
度は、トランスT1の1次側の巻線間の電圧v1−v2
値とトランスT1のリーケージインダクタンスの値とに
より決まり、式(2)により表すことができる。
During the period t 2 , the MOS transistors M 1 and M 4
Is turned on and the current i T flows in the positive direction, and is a period in which energy is sent from the primary side of the transformer to the secondary side. Even if the MOS transistors M 1 and M 4 are turned on within the period t 1 in which the current i T changes toward 0 A, the current i T does not flow in the desired direction. The current i T starts flowing in the desired direction after the current i T crosses 0A. Therefore, the start of the period t 2 is when the current i T starts to increase positively from 0 A, and the rising speed of the current i T depends on the voltage v 1 −v between the primary windings of the transformer T 1. It is determined by the value of 2 and the value of the leakage inductance of the transformer T 1 , and can be expressed by the equation (2).

【0042】 dit/dt=(v1−v2)/Ll ……(2) 但し、式(2)において、LlはトランスT1の1次側か
ら見たリーケージインダクタンスである。
D it / d t = (v 1 −v 2 ) / L l (2) However, in the equation (2), L 1 is the leakage inductance seen from the primary side of the transformer T 1 .

【0043】前述したようなトランスT1の1次側の電
流iTの変化に応じて、2次側の電流も変化し、図2に
示すように、電流i3、i4のように変化する。すなわ
ち、期間t1の始めで、電流i3が減り始め、電流i4
増加を始める。期間t1の終りの時刻で、i3=i4とな
り、その値は、負荷電流iLの1/2となる。そして、
この時点からさらに期間t1相当する期間の経過後の期
間t2の始めに、i3=0、i4=iLに到る変化をする。
この2次電流が変化をしている期間は、2次側に接続さ
れたMOSトランジスタM5、M6の両方が、寄生ダイオ
ードであるボデイーダイオードD5、D6を介して電流を
流している。このため、トランスT1の2次側は、短絡
状態となり、トランスT1の2次側の巻線の両端には、
電圧が発生しない。従って、この期間t2の始めの期間
は、トランスT1の1次側が駆動されて、電流iTが流さ
れても、2次側に出力電圧が生じさせることができない
期間である。これは(2)式による。
In accordance with the change in the primary side current i T of the transformer T 1 as described above, the secondary side current also changes, and changes to currents i 3 and i 4 as shown in FIG. To do. That is, at the beginning of the period t 1 , the current i 3 begins to decrease and the current i 4 begins to increase. At the end of the period t 1 , i 3 = i 4 and its value is 1/2 of the load current i L. And
From this time point, at the beginning of the period t 2 after the lapse of the period corresponding to the period t 1 , i 3 = 0 and i 4 = i L are changed.
During the period in which the secondary current is changing, both the MOS transistors M 5 and M 6 connected to the secondary side are passing current through the body diodes D 5 and D 6 which are parasitic diodes. . Therefore, the secondary side of the transformer T 1 is short-circuited, and both ends of the winding on the secondary side of the transformer T 1 are
No voltage is generated. Therefore, the first period of the period t 2 is a period in which the output voltage cannot be generated on the secondary side even when the primary side of the transformer T 1 is driven and the current i T is passed. This is based on equation (2).

【0044】図2に示すトランスT1の2次側の電圧
4、v3の変化は、前述した説明に従って、ほぼ期間t
1に相当する期間だけ、期間t2の開始時刻から遅れて立
ち上がる変化となる。電圧v4が立上れば、MOSトラ
ンジスタM6を介して電圧v5も立上り、これにより、イ
ンダクタンスL1に向かって電流iLが流れ始める。期間
2の残りの期間は、インダクタンスL1に向かって電流
Lを流し続ける期間であり、負荷RLに向かって電力を
送り出している。
The change in the voltages v 4 and v 3 on the secondary side of the transformer T 1 shown in FIG.
Only for a period corresponding to 1 , the change rises with a delay from the start time of the period t 2 . If the voltage v 4 Re rising, MOS transistors M also rising voltage v 5 through 6, thereby, starts to flow a current i L toward the inductance L 1. The remaining period of the period t 2 is a period in which the current i L continues to flow toward the inductance L 1 , and electric power is being sent out toward the load R L.

【0045】次の期間t3が本発明の最も特徴的な点で
あり、以下、この期間について説明する。
The next period t 3 is the most characteristic point of the present invention, and this period will be described below.

【0046】期間t3 は、MOSトランジスタM4 がオ
フとなって、インバータがトランスT1の駆動を止める
期間である。そして、この期間、MOSトランジスタ、
1、M6は、期間t2に引き続いてオン状態に保持され
る。インバータが駆動を停止すると、当然トランスT1
の2次側への電力の伝達は行われなくなり、電流の供給
を停止しようとする。ところが、インダクタンスL1
流れるiLは、インダクタンスの性質上電流を流し続け
ようとする。これが、還流電流と呼ばれるものである。
The period t 3 is a period in which the MOS transistor M 4 is turned off and the inverter stops driving the transformer T 1 . And during this period, the MOS transistor,
M 1 and M 6 are kept in the ON state following the period t 2 . When the inverter stops driving, the transformer T 1
The electric power is no longer transmitted to the secondary side of the device and tries to stop the current supply. However, i L flowing in the inductance L 1 tries to keep flowing current due to the nature of the inductance. This is called a return current.

【0047】いま、仮にトランスT1の1次側を駆動す
るMOSトランジスタM1〜M4の全てがオフとなって、
高インピーダンスになったとすると、インダクタンスL
1に流れる還流電流は、MOSトランジスタM6を流れ電
流i4を流し続けようとする。しかし、1次側は高イン
ピーダンスとされているため、電流iTが流れることは
なく、このため、2次側のもう一方の巻線に電流i3
流すことになる。MOSトランジスタM5は、整流動作
のうち、オフの期間であるからゲート制御電圧V5が低
レベルでオフとされている。このため、電流i3は、M
OSトランジスタM5のボデイーダイオードD5を流れ、
0.8V〜1.0Vのドロップ電圧のため大きなパワー
ロスを発生する。前述した1次側のMOSトランジスタ
1〜M4の全てをオフさせる動作は、従来技術による動
作そのものである。
Now, assuming that all the MOS transistors M 1 to M 4 driving the primary side of the transformer T 1 are turned off,
If the impedance becomes high, the inductance L
The return current flowing in 1 tries to keep flowing the current i 4 through the MOS transistor M 6 . However, since the primary side has a high impedance, the current i T does not flow, and therefore the current i 3 flows through the other winding on the secondary side. The MOS transistor M 5 is turned off at a low level of the gate control voltage V 5 during the off period of the rectifying operation. Therefore, the current i 3 is M
Flowing through the body diode D 5 of the OS transistor M 5 ,
A large power loss occurs due to the drop voltage of 0.8V to 1.0V. The above-described operation of turning off all of the primary side MOS transistors M 1 to M 4 is the operation itself according to the conventional technique.

【0048】本発明の一実施形態では、MOSトランジ
スタM4がオフ後も、MOSトランジスタM1がオン状態
を続けるように制御している。MOSトランジスタM4
がオフとなると、トランスT1の1次側の電流iTが切断
され、トランスT1のインダクタンスによるフライバッ
クにより、MOSトランジスタM4のドレイン電位がは
ね上り、MOSトランジスタM2のボデイーダイオード
2に電流iTが流れることになる。従って、トランスT
1の1次側の巻線に加わる電圧は0Vとなり、これにつ
れて2次側の巻線間の電圧も0Vとなる。
In one embodiment of the present invention, even after the MOS transistor M 4 is turned off, the MOS transistor M 1 is controlled so as to remain in the on state. MOS transistor M 4
If There turned off, the cut current i T of the primary side of the transformer T 1, the fly-back due to the inductance of the transformer T 1, upstream vane drain potential of the MOS transistor M 4, the MOS transistor M 2 Bodei diode D The current i T will flow in 2 . Therefore, the transformer T
The voltage applied to the primary winding of 1 becomes 0V, and the voltage between the secondary windings also becomes 0V.

【0049】この状態で、インダクタンスL1に流れる
還流電流iLは、オン状態に保持されているMOSトラ
ンジスタM6を流れ、この結果、i4が流れ続け、インダ
クタンスL1の還流電流iLがトランスT1の1次側に電
流iTとして流し続けることになる。図2の動作波形に
示すように、MOSトランジスタM6に対するゲート駆
動信号V6は期間t3の間も高レベルにあるため、MOS
トランジスタM6はオン状態にあり、還流電流が流れ続
けている間も低抵抗で導通し、その電力損失が小さく抑
えられている。
In this state, the return current i L flowing through the inductance L 1 flows through the MOS transistor M 6 held in the ON state, and as a result, i 4 continues to flow, and the return current i L flowing through the inductance L 1 changes. The current i T continues to flow to the primary side of the transformer T 1 . As shown in the operation waveforms of FIG. 2, since the gate driving signal V 6 for the MOS transistor M 6 is at the high level during a period t 3, MOS
The transistor M 6 is in the ON state and conducts with a low resistance even while the return current continues to flow, and the power loss thereof is suppressed to a small level.

【0050】一方、従来技術においては、期間t2の終
了と共に、トランスT1の1次側が開放状態となり、ト
ランスT1のリーケージインダクタンスと、MOSトラ
ンジスタM1〜M4のドレイン−ソース間及びドレイン−
ゲート間に存在する浮遊容量とにより共振を生起させ、
激しくトランスT1の1次側の電圧を振動させていた。
このため、従来技術では、トランスT1の1次巻線間の
振動を抑えるためにスナバ回路を挿入する必要があり、
このスナバ回路による電力損失も少なくない。
On the other hand, in the prior art, the primary side of the transformer T 1 is opened at the end of the period t 2 , the leakage inductance of the transformer T 1 and the drain-source and drain of the MOS transistors M 1 to M 4 and the drain. −
Resonance is caused by the stray capacitance existing between the gates,
The voltage on the primary side of the transformer T 1 was violently vibrated.
Therefore, in the conventional technology, it is necessary to insert a snubber circuit in order to suppress the vibration between the primary windings of the transformer T 1 .
Power loss due to this snubber circuit is not small.

【0051】本発明の一実施形態では、期間t3間、M
OSトランジスタM1がオンの状態を保っているため、
トランスT1の1次側が開放とならず、電流iTが流れ続
けることが可能であり、この結果、電圧の振動が発生す
ることもない。従って、本発明の一実施形態の電源装置
は、トランスT1の1次のスナバ回路が不要となり、こ
こでも損失の低減を図ることができる。
In one embodiment of the present invention, during period t 3 , M
Since the OS transistor M 1 remains on,
The primary side of the transformer T 1 is not opened, and the current i T can continue to flow, and as a result, voltage oscillation does not occur. Therefore, the power supply device according to the embodiment of the present invention does not need the primary snubber circuit of the transformer T 1 , and the loss can be reduced also here.

【0052】期間t4は、インダクタンスL1による還流
電流iLを1次側に誘導させた電流iTをMOSトランジ
スタM1をオフにすることにより切断する期間である。
MOSトランジスタM1がオフとされると、その時点か
らトランスT1のリーケージインダクタンスによるフラ
イバック電圧が発生して、電圧v1は、−VIに振られ、
電流iTは、MOSトランジスタM3のボデイーダイオー
ドD3を介して流れ続けようとするが、プラス電流から
0Aに向かって減り始める。ここからの動作は、前述で
説明した期間t1の場合と電流の向きが逆転しているだ
けで同一の動作となる。
The period t 4 is a period for cutting off the current i T, which is the return current i L induced by the inductance L 1 on the primary side, by turning off the MOS transistor M 1 .
When the MOS transistor M 1 is turned off, a flyback voltage due to the leakage inductance of the transformer T 1 is generated from that point, and the voltage v 1 is swung to −V I ,
The current i T tries to continue flowing through the body diode D 3 of the MOS transistor M 3 , but starts decreasing from the positive current toward 0 A. The operation from here is the same as that in the case of the period t 1 described above except that the direction of the current is reversed.

【0053】これ以降の期間t5、t6は、前述で説明し
た期間t2、t3の場合と電流の向きが逆転しているだけ
で同一の動作を行う。また、期間t7は、期間t1と全く
同一となる。
In the subsequent periods t 5 and t 6 , the same operation as that in the periods t 2 and t 3 described above is performed except that the direction of the current is reversed. Further, the period t 7 is exactly the same as the period t 1 .

【0054】前述した本発明の一実施形態の動作におい
て、期間t1、t4、t7は、MOSトランジスタM1〜M
4によるインバータにより電流の駆動方向をスイッチす
る期間であり、これによりスイッチング時にZVSを実
現することができる。そして、本発明の一実施形態によ
る電源装置は、この期間を設定することによりインバー
タのスイッチング損失をほぼ0にすることができる。期
間t2、t5は、整流動作期間であり、整流用としてのM
OSトランジスタM5、M6をオンとする期間である。こ
のように、整流用にMOSトランジスタを使用すること
により、従来のダイオード整流の場合に発生するダイオ
ードの順方向電圧ドロップ(半導体のエネルギギャッ
プ)による損失を低減することができる。
In the operation of the above-described embodiment of the present invention, the MOS transistors M 1 to M are operated during the periods t 1 , t 4 , and t 7.
This is a period in which the drive direction of the current is switched by the inverter of 4 , and thus ZVS can be realized at the time of switching. The power supply device according to the embodiment of the present invention can set the switching loss of the inverter to almost zero by setting this period. Periods t 2 and t 5 are rectification operation periods, and M for rectification is used.
This is a period in which the OS transistors M 5 and M 6 are turned on. As described above, by using the MOS transistor for rectification, it is possible to reduce the loss due to the forward voltage drop (semiconductor energy gap) of the diode that occurs in the conventional diode rectification.

【0055】また、期間t3、t6は、インダクタンスL
1の還流電流を流す期間で、整流用のMOSトランジス
タのボデイーダイオードに流れる還流電流をトランスT
1の1次側のMOSトランジスタM1またはM2に流すよ
うにした期間である。このように整流用のMOSトラン
ジスタのボデイーダイオードに流れる還流電流をトラン
スT1の1次側のMOSトランジスタM1またはM2に流
すようにすることにより、ボデイーダイオードの順方向
電圧ドロップにより発生する損失をなくし、また、トラ
ンスT1の1次側での還流電流をトランスT1巻線比分だ
け小さくすることができ、これによる損失をも小さくす
ることができる。さらに、従来技術において、1次側の
インバータに必要であったスナバ回路を不要とすること
ができ、ここでの損失もなくすことができる。
Further, during the periods t 3 and t 6 , the inductance L
In the period in which the return current of 1 flows, the return current flowing in the body diode of the rectifying MOS transistor is transferred to the transformer T.
This is a period in which the current is supplied to the MOS transistor M 1 or M 2 on the primary side of 1. By causing the return current flowing through the body diode of the rectifying MOS transistor to flow through the primary-side MOS transistor M 1 or M 2 of the transformer T 1 , the loss caused by the forward voltage drop of the body diode is caused. the lost, also the return current on the primary side of the transformer T 1 can be reduced by the transformer T 1 winding ratio content can also be reduced loss due to this. Further, in the prior art, the snubber circuit, which was required for the primary side inverter, can be eliminated and the loss here can be eliminated.

【0056】本発明の一実施形態によれば、前述したよ
うな電力損失の低減を図ることができるが、例えば、1
KW程度の出力を持つ電源装置で従来技術による電源装
置と比較した場合の電力損失の低減を見ると概略以下の
ように、 (1)期間t1、t4、t7のZVS動作による効果 55W (2)期間t2、t5の同期整流による効果 50W (3)期間t3、t6の1次側への還流電流による効果 35W 合計 140W の電力損失の低減が可能となる。
According to one embodiment of the present invention, the power loss can be reduced as described above.
As in the schematic below looking to reduce the power loss as compared to the prior art power supply with power supply having an output of about KW, (1) the period t 1, t 4, the effect of ZVS operation of t 7 55W (2) Effect of synchronous rectification during periods t 2 and t 5 50W (3) Effect of return current to the primary side during periods t 3 and t 6 35W Total 140W of power loss can be reduced.

【0057】次に、前述した(1)〜(3)の本発明の
一実施形態の効果について、従来技術との構成上の差
異、及び、動作上の差異に基づいて説明する。
Next, the effects of the above-described embodiments (1) to (3) of the present invention will be described based on the structural difference and the operational difference from the prior art.

【0058】(1)の効果について 従来技術の場合、図3、図4により説明したように、期
間t2、t5の終りのタイミングで、インバータによる1
次側駆動電流iTが切断されるため、期間t3、t6の始
めの期間にトランスT1のリーケージインダクタンスに
よるフライバック電圧が発生し、これにより大きな振動
電圧が発生する。これを避けるため、コンデンサC3
抵抗R1により構成されるスナバ回路が必要となり、こ
のスナバ回路に電流iSNが流れて、振動エネルギが吸収
される。従来技術の場合のこのスナバ回路の消費電力
は、20W〜40W必要である。
Regarding the effect of (1) In the case of the prior art, as described with reference to FIG. 3 and FIG. 4, the inverter 1 is used at the end timing of the periods t 2 and t 5.
Since the secondary drive current i T is cut off, a flyback voltage is generated by the leakage inductance of the transformer T 1 in the beginning of the periods t 3 and t 6 , and a large oscillating voltage is generated. To avoid this, capacitor C 3 ,
A snubber circuit composed of the resistor R 1 is required, and the current i SN flows through this snubber circuit, and the vibration energy is absorbed. The power consumption of this snubber circuit in the case of the prior art requires 20W to 40W.

【0059】また、従来技術において、MOSトランジ
スタM1〜M4により構成されるインバータは、ZVSの
制御が行われていないためスイッチング損失PSWを生じ
ている。このスイッチング損失PSWは、MOSトランジ
スタM1〜M4のドレイン容量の充放電で消費される電力
であり、すでに説明したように、式(1)で表わされ、
MOSの数=4、出力容量=2×10~9F、VI=13
5V、f=100×103とすると、PSW≒15Wとな
る。
Further, in the prior art, the inverter constituted by the MOS transistors M 1 to M 4 has a switching loss P SW because ZVS is not controlled. The switching loss P SW is power consumed by charging and discharging the drain capacitances of the MOS transistors M 1 to M 4 , and is represented by the equation (1), as already described.
Number of MOSs = 4, output capacitance = 2 × 10 to 9 F, V I = 13
When 5V and f = 100 × 10 3 , P SW ≈15 W.

【0060】本発明の一実施形態の場合、スナバ回路を
必要とせず、また、期間t1、t4、t7のフライバック
電圧の立上り時間である100ns〜200nsの間に
ZVS動作を行わせているので、スナバ回路の損失40
Wとスイッチング損失15Wとを0とすることができ、
55Wの電力損失の低減を図ることができる。
In the embodiment of the present invention, the snubber circuit is not required, and the ZVS operation is performed during the flyback voltage rising time of 100 ns to 200 ns in the periods t 1 , t 4 , and t 7. Therefore, the snubber circuit loss is 40
W and switching loss 15 W can be set to 0,
It is possible to reduce the power loss of 55 W.

【0061】(2)の効果について この効果は、同期整流による効果であり、本発明に特有
の効果ではないが、期間t2、t5の整流動作期間につい
て、ダイオードとMOSトランジスタとの電圧降下の差
分だけ損失を低減することができ、この損失差P
LOSS(D)は、式(3)により表すことができる。
Regarding the effect of (2) This effect is due to the synchronous rectification and is not an effect peculiar to the present invention, but during the rectification operation period of the periods t 2 and t 5 , the voltage drop between the diode and the MOS transistor is caused. The loss can be reduced by the difference of
LOSS (D) can be expressed by equation (3).

【0062】 PLOSS(D)=VDF(D)×iL×(t2+t3)×f ……(3) 但し、VDF(D)は電圧降下の差電圧、fはスイッチング
周波数である。
P LOSS (D) = V DF (D) × i L × (t 2 + t 3 ) × f (3) However, V DF (D) is the difference voltage of the voltage drop, and f is the switching frequency. is there.

【0063】具体的には、ダイオードのフォワードドロ
ップ電圧を0.5V、MOSの電圧降下を0.1Vとす
ると、0.4Vの差電圧があり、また、出力電流iL
250A、t2=t3=2.5μs、f=100kHzとす
ると、損失の差は、 PLOSS(D)=0.4V×250A×(2.5+2.5)×100kHz =50[W] となる。
Specifically, assuming that the forward drop voltage of the diode is 0.5 V and the voltage drop of the MOS is 0.1 V, there is a differential voltage of 0.4 V, and the output current i L =
Assuming 250 A, t 2 = t 3 = 2.5 μs, and f = 100 kHz, the loss difference is P LOSS (D) = 0.4 V × 250 A × (2.5 + 2.5) × 100 kHz = 50 [W] Become.

【0064】すなわち、同期整流により、従来技術に比
較して50Wの電力損失を低減することができることに
なる。
That is, the synchronous rectification can reduce the power loss of 50 W as compared with the prior art.

【0065】(3)の効果について 従来技術の場合、期間t3、t6に、インダクタンスL1
の還流電流iLをダイオードD5、D6に流している。こ
れに対して本発明の一実施形態では、期間t3、t6での
還流電流を1次側のMOSトランジスタM1、M2に流す
ように制御している。すなわち、本発明の一実施形態で
は、整流動作の終ったMOSトランジスタのオン状態を
継続させて、小さな電圧ドロップで還流電流を流すと共
に、この還流電流をトランスT1の1次側に誘導して、
インバータを構成するMOSトランジスタに還流電流を
流すように動作させる。このようにすることにより、ト
ランスT1の1次側に流れる還流電流を、トランスT1
巻数比分の1の電流量とすることができ、トランスT1
の2次側で還流動作を行わせる場合に比較して、大幅に
電力消費を低減させることができる。本発明の一実施形
態により、具体的にこの還流時の損失がどの程度相違す
るか以下に示す。
Regarding the effect of (3) In the case of the prior art, the inductance L 1 is set in the periods t 3 and t 6.
The reflux current i L of the above is applied to the diodes D 5 and D 6 . On the other hand, in the embodiment of the present invention, the return currents during the periods t 3 and t 6 are controlled so as to flow through the MOS transistors M 1 and M 2 on the primary side. That is, in one embodiment of the present invention, the MOS transistor that has completed the rectifying operation is kept in the ON state, and the return current is caused to flow with a small voltage drop, and the return current is induced to the primary side of the transformer T 1. ,
The MOS transistor forming the inverter is operated so that a return current flows. In this way, the return current flowing through the primary side of the transformer T 1, can be one of the current amount of the turns ratio of the transformer T 1 minute, transformer T 1
Power consumption can be significantly reduced as compared with the case where the recirculation operation is performed on the secondary side. To what extent the loss at the time of reflux differs will be described below according to an embodiment of the present invention.

【0066】従来技術の場合の還流時の損失PLOSSは、
式(4)により表すことができる。
In the case of the prior art, the loss P LOSS at the time of return is
It can be expressed by equation (4).

【0067】 PLOSS=VD×iL×(t3+t6)×f ……(4) 但し、VDはダイオードの順方向電圧降下、fはスイッ
チング周波数である。
P LOSS = V D × i L × (t 3 + t 6 ) × f (4) where V D is the forward voltage drop of the diode and f is the switching frequency.

【0068】具体的に、VD=0.4V、iL=250
A、t3=t6=2.5μs、f=100kHzとする
と、 PLOSS=0.4V×250A×5μs×100kHz =50Wとなる。
Specifically, V D = 0.4 V, i L = 250
If A, t 3 = t 6 = 2.5 μs, and f = 100 kHz, then P LOSS = 0.4 V × 250 A × 5 μs × 100 kHz = 50 W.

【0069】本発明の一実施形態の場合の還流時の損失
LOSSは、式(5)により表すことができる。
The loss P LOSS at the time of reflux in the case of one embodiment of the present invention can be expressed by the equation (5).

【0070】 PLOSS=(VMOS×iL+VDMOS×iL/n)×(t3+t6)×f ……(5) 但し、VMOSは2次側MOSのオン電圧降下、VDMOS
1次側MOSのボディーダイオードの電圧降下、nはト
ランスの巻線比である。
P LOSS = (V MOS × i L + V DMOS × i L / n) × (t 3 + t 6 ) × f (5) However, V MOS is the ON voltage drop of the secondary side MOS, V DMOS Is the voltage drop of the body diode of the primary side MOS, and n is the winding ratio of the transformer.

【0071】具体的に、VMOS=0.1V、VDMOS
0.7V、iL=250A、n=35、t3=t6=2.
5μs、f=100kHzとすると、 PLOSS=(0.1V×250A+0.7V×250A/
35T)×5μ×100kHz=15Wとなる。
Specifically, V MOS = 0.1 V, V DMOS =
0.7 V, i L = 250 A, n = 35, t 3 = t 6 = 2.
If 5 μs and f = 100 kHz, then P LOSS = (0.1 V × 250 A + 0.7 V × 250 A /
35T) × 5 μ × 100 kHz = 15 W.

【0072】前述したように、本発明の一実施形態によ
れば、還流電流を1次側のMOSトランジスタM1、M2
に流すように制御することにより、この還流期間におけ
る損失を、前述の差である35W低減することができ、
従来技術の場合の約1/3に低減することができる。
As described above, according to the embodiment of the present invention, the return current is supplied to the primary side MOS transistors M 1 and M 2.
By controlling so that the current flows in the above range, the loss in this reflux period can be reduced by 35 W, which is the difference described above.
It can be reduced to about 1/3 of the case of the conventional technique.

【0073】[0073]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
イッチング電源装置おける整流ダイオードのドロップに
よる損失と、インバータのスイッチング損失とを低減し
て、電源装置の効率を大幅に向上することができる。
As described above, according to the present invention, the loss due to the drop of the rectifying diode in the switching power supply device and the switching loss of the inverter can be reduced, and the efficiency of the power supply device can be greatly improved. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施形態によるスイッチング電源装
置の回路構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a switching power supply device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態の動作を説明するための動
作波形を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing operation waveforms for explaining the operation of the embodiment of the present invention.

【図3】従来技術によるスイッチング電源装置の回路構
成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a circuit configuration of a conventional switching power supply device.

【図4】従来技術の動作を説明するための動作波形を示
す図である。
FIG. 4 is a diagram showing operation waveforms for explaining the operation of the conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1〜M6 MOSトランジスタ T1 トランス L1 インダクタンス D5、D6 整流ダイオード C1〜C3 コンデンサ R1 抵抗 RL 負荷M 1 ~M 6 MOS transistors T 1 transformer L 1 inductance D 5, D 6 rectifier diodes C 1 -C 3 capacitor R 1 resistance R L load

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 海沢 保太郎 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社 日立製作所 汎用コンピュータ事業部 内 (72)発明者 毛利 和章 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社 日立コンピュータエレクトロニクス内 (72)発明者 西須 浩二 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社 日立製作所 汎用コンピュータ事業部 内 (72)発明者 前田 弘和 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社 日立製作所 汎用コンピュータ事業部 内 (72)発明者 久保田 清史 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社 日立製作所 汎用コンピュータ事業部 内 (72)発明者 八重嶋 守 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社 日立製作所 汎用コンピュータ事業部 内 (56)参考文献 特開 平7−194107(JP,A) 特開 平7−107743(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H02M 3/28 H02M 3/335 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hotaro Umizawa 1 Horiyamashita, Hadano-shi, Kanagawa Hitachi, Ltd. General-purpose computer division (72) Inventor Kazuaki Mohri 1 Horiyamashita, Hadano, Kanagawa Hitachi, Ltd. In computer electronics (72) Inventor Koji Nishisu 1 Horiyamashita, Hadano-shi, Kanagawa Hitachi, Ltd. General-purpose computer division (72) Inventor Hirokazu Maeda 1-horiyamashita, Hadano, Kanagawa Hitachi, Ltd. General-purpose computer business Inside (72) Inventor Kiyoshi Kubota 1 Horiyamashita, Hitachi Ltd., Hadano, Kanagawa General Computer Division, Hitachi Ltd. (72) Inventor Mamoru Yaeshima 1 Horiyamashita, Hadano, Kanagawa Hitachi Ltd. General Computer Division Within (56) References JP-A-7-194107 (JP, A) JP-A-7-107743 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H02M 3/28 H02M 3 / 335

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 トランスの1次側に設けられるインバー
タと、前記トランスの2次側に設けられるセンタタップ
型全波整流回路と、平滑用インダクタンスとを備えて構
成されるスイッチング電源装置において、前記全波整流
回路の整流素子をスイッチ素子で構成し、そのオン時間
を整流動作時及び整流動作後の平滑用インダクタンスの
還流電流が流れる間持続させ、前記還流電流を前記トラ
ンスの1次側に誘導させて、前記インバータを構成する
スイッチ素子に流すことを特徴とするスイッチング電源
装置。
1. A switching power supply device comprising an inverter provided on the primary side of a transformer, a center tap type full-wave rectifier circuit provided on the secondary side of the transformer, and a smoothing inductance , The rectifying element of the full-wave rectifying circuit is composed of a switching element, and the on-time is maintained during the rectifying operation and while the reflux current of the smoothing inductance flows, and the reflux current is induced to the primary side of the transformer. The switching power supply device is characterized in that the switching power supply device is caused to flow through the switching element that constitutes the inverter.
【請求項2】 前記インバータは、前記トランスに流す
電流を周期的に反転させるMOSトランジスタによるフ
ルブリッジ回路により構成され、前記還流電流を切断し
て反転動作に入るタイミングが、前記トランスが発生す
るフライバック電圧反転駆動サイドのMOSトランジ
スタのボディダイオードが導通状態となり、MOSトラ
ンジスタの両端電圧が0Vに近くなっている期間に設定
されていることを特徴とする請求項1記載のスイッチン
グ電源装置。
2. The inverter feeds the transformer
A MOS transistor that periodically inverts the current
Is constituted by Ruburijji circuit, the timing to enter the anti-rolling operation by cutting the return current, MOS transient inversion driving side flyback voltage the transformer may occur
The body diode of the star becomes conductive and the MOS transistor
Switching power supply device according to claim 1, wherein the voltage across the Njisuta is set to a period that is close to 0V.
【請求項3】 トランスと、トランスの1次側に設けら
れるインバータと、トランスの2次側に設けられるセン
タタップ型整流回路と、出力フィルタとを備えて構成さ
れるスイッチング電源装置において、前記インバータ
は、高電圧側をスイッチする1対のMOSトランジスタ
と低電圧側をスイッチするもう1対のMOSトランジス
タとを備えたフルブリッジ構成とされており、高電圧側
の一方のMOSトランジスタと、これにトランスの巻線
を介して対向する低電圧側のMOSトランジスタの一方
とがオンとされてトランスを駆動し、前記トランスを駆
動するMOSトランジスタの高電圧側または低電圧側の
MOSトランジスタの一方は、予め定められた固定時間
オンとなるように制御され、他方は、前記固定時間後、
トランスを反転駆動するまでオン状態を継続するように
制御されており、前記整流回路は、2個のMOSトラン
ジスタにより構成され、前記インバータと同期して、予
め定められた前記とは別の固定時間MOSトランジスタ
がオンとされ、前記インバータのMOSトランジスタの
固定時間オンとされている期間に整流動作を行って出力
フィルタを通して電流を流し、その後の前記インバータ
が反転駆動されるまでの期間に出力フィルタを構成する
インダクタンスの還流電流を流し続け、該還流電流は、
前記トランスを介してトランスの1次側に誘導され、前
記インバータのトランスを反転駆動するまでオン状態を
継続しているMOSトランジスタに流れることを特徴と
するスイッチング電源装置。
3. A switching power supply device comprising a transformer, an inverter provided on the primary side of the transformer, a center tap type rectifier circuit provided on the secondary side of the transformer, and an output filter. Has a full bridge configuration including a pair of MOS transistors for switching the high voltage side and another pair of MOS transistors for switching the low voltage side. One of the low-voltage side MOS transistors facing each other via the winding of the transformer is turned on to drive the transformer, and one of the high-voltage side or low-voltage side MOS transistors of the MOS transistors driving the transformer is It is controlled so that it is turned on for a predetermined fixed time, and the other is after the fixed time,
The rectifier circuit is controlled so as to continue to be turned on until the transformer is inverted, and the rectifier circuit is composed of two MOS transistors, and is synchronized with the inverter, and has a predetermined fixed time different from the above. During the period when the MOS transistor is turned on and the MOS transistor of the inverter is turned on for a fixed time, a rectification operation is performed and a current is passed through the output filter, and then the output filter is turned on during the period until the inverter is reversely driven. Continue to flow the reflux current of the constituent inductance, the reflux current is,
A switching power supply device, wherein the switching power supply device is induced through the transformer to a primary side of the transformer and flows into a MOS transistor which is kept in an ON state until the transformer of the inverter is driven to invert.
【請求項4】 前記インバータは、固定時間オンとなる
ように制御される高電圧側の1対のMOSトランジスタ
の切り替えタイミングを、一方のMOSトランジスタが
オフして対向するMOSトランジスタがオンするまでの
時間で、インバータに接続されるトランスのリーケージ
インダクタンスによるフライバック電圧により、対向す
るMOSトランジスタにかかるバイアス電圧がほぼ0V
となる期間に設定し、これと同時に、前記整流回路のM
OSトランジスタの切り替え動作が、前記インバータの
切り替え動作の間に行われることを特徴とする請求項
記載のスイッチング電源装置。
4. The switching timing of the pair of MOS transistors on the high voltage side is controlled so that one of the MOS transistors is turned on for a fixed time.
The bias voltage applied to the facing MOS transistor is almost 0 V due to the flyback voltage due to the leakage inductance of the transformer connected to the inverter in the time until the facing MOS transistor is turned on after being turned off.
And at the same time, the M of the rectifier circuit is set.
The switching operation of the OS transistor is performed by the inverter
5. The process according to claim 4, which is performed during the switching operation.
The switching power supply described.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6459600B2 (en) * 2000-01-28 2002-10-01 Ericsson, Inc. Method of connecting synchronous rectifier modules in parallel without output voltage faults
KR20010095453A (en) * 2000-03-30 2001-11-07 윤문수 ZVS-ZCS Full Bridge DC-DC Converter
JP3482378B2 (en) 2000-06-01 2003-12-22 松下電器産業株式会社 Switching power supply
DE112010005612B4 (en) * 2010-05-31 2017-01-26 Mitsubishi Electric Corporation Power conversion device
KR101383556B1 (en) * 2011-08-18 2014-04-10 한국과학기술원 Method And Apparatus for Controlling Rectification And Regulation
JP6033649B2 (en) * 2012-11-16 2016-11-30 株式会社ダイヘン DC-DC converter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2729882C2 (en) * 2016-12-29 2020-08-13 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по космической деятельности "РОСКОСМОС" Voltage converter of dc power supply source

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