JP3438587B2 - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポルフィリン系化
合物を記録層に用いた青色レーザー対応の光学記録媒体
に関するものである。
合物を記録層に用いた青色レーザー対応の光学記録媒体
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザーを用いる光学記録は、高密度の
情報記録保存及びその再生を可能とするため、近年、特
に開発が取り進められている。
情報記録保存及びその再生を可能とするため、近年、特
に開発が取り進められている。
【０００３】このような光学記録媒体の一例としては光
ディスクを挙げることができる。
ディスクを挙げることができる。
【０００４】一般に、光ディスクは、円形の基体に設け
られた薄い記録層に、１μｍ程度に収束したレーザー光
を照射し、高密度の情報記録を行うものである。中でも
最近注目を集めているものに、書き込み型コンパクトデ
ィスク（ＣＤ−Ｒ）がある。ＣＤ−Ｒは通常、案内溝を
有するプラスチック基板上に色素を主成分とする記録
層、金属反射膜及び保護膜を順次積層することにより構
成される。情報の記録は、照射されたレーザー光エネル
ギーの吸収によって、その箇所の記録層、反射層又は基
板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成することに
より行われる。また、記録された情報の再生は、レーザ
ー光により変形が起きている部分と起きていない部分の
反射率の差を読み取ることにより行われる。従って、光
学記録媒体としてはレーザー光のエネルギーを効率よく
吸収する必要があり、レーザー吸収色素が用いられる。
られた薄い記録層に、１μｍ程度に収束したレーザー光
を照射し、高密度の情報記録を行うものである。中でも
最近注目を集めているものに、書き込み型コンパクトデ
ィスク（ＣＤ−Ｒ）がある。ＣＤ−Ｒは通常、案内溝を
有するプラスチック基板上に色素を主成分とする記録
層、金属反射膜及び保護膜を順次積層することにより構
成される。情報の記録は、照射されたレーザー光エネル
ギーの吸収によって、その箇所の記録層、反射層又は基
板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成することに
より行われる。また、記録された情報の再生は、レーザ
ー光により変形が起きている部分と起きていない部分の
反射率の差を読み取ることにより行われる。従って、光
学記録媒体としてはレーザー光のエネルギーを効率よく
吸収する必要があり、レーザー吸収色素が用いられる。
【０００５】そして、レーザー吸収色素として有機色素
を利用した光学記録媒体は、有機色素溶液の塗布による
簡単な方法で記録層を形成し得るため、安価な光学記録
媒体としてますます普及することが期待され、その結
果、より一層の高密度化が要望されている。このため、
記録に用いるレーザー光を従来の７８０ｎｍを中心とし
た半導体レーザーから、青色光領域にまで短波長化する
ことが検討されている。
を利用した光学記録媒体は、有機色素溶液の塗布による
簡単な方法で記録層を形成し得るため、安価な光学記録
媒体としてますます普及することが期待され、その結
果、より一層の高密度化が要望されている。このため、
記録に用いるレーザー光を従来の７８０ｎｍを中心とし
た半導体レーザーから、青色光領域にまで短波長化する
ことが検討されている。
【０００６】従来、青色レーザーによる記録、再生が可
能な光学記録媒体として、記録層に次のような、ポルフ
ィン核に導入された置換基がすべてエチル基であるポル
フィリン系化合物、具体的にはＭがＰｂであるオクタエ
チルポルフィンを用いたものが提案されている（特開平
８−１２７１７４号公報）。
能な光学記録媒体として、記録層に次のような、ポルフ
ィン核に導入された置換基がすべてエチル基であるポル
フィリン系化合物、具体的にはＭがＰｂであるオクタエ
チルポルフィンを用いたものが提案されている（特開平
８−１２７１７４号公報）。
【０００７】
【化２】
【０００８】（但し、ＭはＰｂ、ＢｉＯ、ＲｅＯのいず
れかを表し、Ｘ，Ｙはフェノキシ基、ＮＯ2、Ｃｌ、Ｂ
ｒ、Ｉ、ＣｌＯ4、ＢＦ4のいずれかを表す。）
れかを表し、Ｘ，Ｙはフェノキシ基、ＮＯ2、Ｃｌ、Ｂ
ｒ、Ｉ、ＣｌＯ4、ＢＦ4のいずれかを表す。）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】特開平８−１２７１７
４号公報に記載されるポルフィリン系化合物を用いた光
学記録媒体であれば、青色レーザーによる記録、再生が
可能であるが、より一層の記録、再生特性の向上と、よ
り一層広範な有機色素の開発が望まれているのが現状で
ある。
４号公報に記載されるポルフィリン系化合物を用いた光
学記録媒体であれば、青色レーザーによる記録、再生が
可能であるが、より一層の記録、再生特性の向上と、よ
り一層広範な有機色素の開発が望まれているのが現状で
ある。
【００１０】本発明は上記従来の実情に鑑みてなされた
ものであって、ポルフィリン系化合物を記録層に用いた
青色レーザー対応の光学記録媒体を提供することを目的
とする。
ものであって、ポルフィリン系化合物を記録層に用いた
青色レーザー対応の光学記録媒体を提供することを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の光学記録媒体
は、基板上にレーザーによる情報の書き込み及び／又は
読み取りが可能な記録層が設けられた光学記録媒体にお
いて、該記録層が下記一般式［Ｉ］で示されるポルフィ
リン系化合物を含有し、該レーザーによって熱的変形が
生成することにより情報が記録されることを特徴とす
る。
は、基板上にレーザーによる情報の書き込み及び／又は
読み取りが可能な記録層が設けられた光学記録媒体にお
いて、該記録層が下記一般式［Ｉ］で示されるポルフィ
リン系化合物を含有し、該レーザーによって熱的変形が
生成することにより情報が記録されることを特徴とす
る。
【００１２】
【化３】
【００１３】（［Ｉ］式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は水素
原子又はアルキル基を表し、Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3，Ｘ4，
Ｘ5，Ｘ6，Ｘ7，Ｘ8はそれぞれ独立して水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルケ
ニル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル
基、ヒドロキシアルキル基、カルボキシルアルキル基、
アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ
基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、スルホン酸基、
アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル
基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、−ＮＲ9
Ｒ10、−ＣＯＮＲ9Ｒ10（Ｒ9，Ｒ10はそれぞれ独立して
水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ア
ラルキル基、アルコキシアルキル基、アルキルカルボニ
ル基、又はヒドロキシアルキル基を表す。また、Ｒ9 と
Ｒ10は互いに結合するか、アミノ基又はアミド基の置換
した環と結合して環状を形成してもよい。）、フルオロ
アルキル基、フルオロアルコキシ基、フルオロアルキル
チオ基を表し、Ｍは水素原子又は金属原子を表す。ただ
し、Ｘ1〜Ｘ8のうち、少なくとも一つはアルコキシカル
ボニルアルキル基又はカルボキシルアルキル基であ
る。）
原子又はアルキル基を表し、Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3，Ｘ4，
Ｘ5，Ｘ6，Ｘ7，Ｘ8はそれぞれ独立して水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルケ
ニル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル
基、ヒドロキシアルキル基、カルボキシルアルキル基、
アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ
基、ニトロ基、シアノ基、ホルミル基、スルホン酸基、
アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル
基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、−ＮＲ9
Ｒ10、−ＣＯＮＲ9Ｒ10（Ｒ9，Ｒ10はそれぞれ独立して
水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ア
ラルキル基、アルコキシアルキル基、アルキルカルボニ
ル基、又はヒドロキシアルキル基を表す。また、Ｒ9 と
Ｒ10は互いに結合するか、アミノ基又はアミド基の置換
した環と結合して環状を形成してもよい。）、フルオロ
アルキル基、フルオロアルコキシ基、フルオロアルキル
チオ基を表し、Ｍは水素原子又は金属原子を表す。ただ
し、Ｘ1〜Ｘ8のうち、少なくとも一つはアルコキシカル
ボニルアルキル基又はカルボキシルアルキル基であ
る。）
【００１４】本発明に係るポルフィリン系化合物は、波
長３５０〜５３０ｎｍの青色光領域にモル吸光係数が大
きく、シャープな吸収（Ｓｏｒｅｔ帯）を有し、青色レ
ーザーでの記録に適する。また、ポルフィリン系化合物
の中では合成が比較的容易であることから、安価な光学
記録媒体を提供することができる。更に、高い光安定
性、耐熱性を有し、安定性が要求される光学記録媒体に
好適である。
長３５０〜５３０ｎｍの青色光領域にモル吸光係数が大
きく、シャープな吸収（Ｓｏｒｅｔ帯）を有し、青色レ
ーザーでの記録に適する。また、ポルフィリン系化合物
の中では合成が比較的容易であることから、安価な光学
記録媒体を提供することができる。更に、高い光安定
性、耐熱性を有し、安定性が要求される光学記録媒体に
好適である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１６】本発明に係るポルフィリン系化合物を示す
前記一般式［Ｉ］において、Ｒ1〜Ｒ4で表される置換基
としては、水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシ
ル基等の置換されていても良い炭素数１〜２０の直鎖又
は分岐のアルキル基が挙げられる。
前記一般式［Ｉ］において、Ｒ1〜Ｒ4で表される置換基
としては、水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシ
ル基等の置換されていても良い炭素数１〜２０の直鎖又
は分岐のアルキル基が挙げられる。
【００１７】また、前記一般式［Ｉ］において、Ｘ1〜
Ｘ8で表される置換基としては水素原子；メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペン
チル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜２０の直鎖又は
分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３
〜１０の環状のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、
ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ
基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−
ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１
〜２０の直鎖又は分岐のアルコキシ基；アセチル基、プ
ロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル
基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、
ヘプタノイル基等の炭素数２〜２１の直鎖又は分岐のア
ルキルカルボニル基；ビニル基、プロペニル基、ブテニ
ル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜２０
の直鎖又は分岐のアルケニル基；シクロペンテニル基、
シクロヘキセニル基等の炭素数３〜１０の環状のアルケ
ニル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン
原子；ヒドロキシル基；カルボキシル基；ヒドロキシメ
チル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜２０のヒド
ロキシアルキル基；カルボキシルメチル基、２−カルボ
キシルエチル基、３−カルボキシルプロピル基等の炭素
数１〜２０の直鎖又は分岐のカルボキシルアルキル基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プ
ロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、
ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチル
オキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基
等の炭素数２〜２１の直鎖又は分岐のアルコキシカルボ
ニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニル
オキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロ
ピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ
基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブ
チルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキ
シ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜
２１の直鎖又は分岐のアルキルカルボニルオキシ基；ニ
トロ基；シアノ基；ホルミル基；スルホン酸基；メトキ
シメチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エ
トキシエチル基、ｎ−プロポキシエチル基、ｎ−プロポ
キシプロピル基、イソプロポキシメチル基、イソプロポ
キシエチル基等の炭素数２〜２１の直鎖又は分岐のアル
コキシアルキル基；メトキシカルボニルメチル基、メト
キシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルメチル
基、エトキシカルボニルエチル基、ｎ−プロポキシカル
ボニルエチル基、ｎ−プロポキシカルボニルプロピル
基、イソプロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキ
シカルボニルエチル基等の炭素数３〜２２の直鎖又は分
岐のアルコキシカルボニルアルキル基；メチルチオ基、
エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ
基、ｎ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅ
ｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシル
チオ基等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキルチ
オ基；メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−
プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ
−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル
基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホ
ニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１〜２０
の直鎖又は分岐のアルキルスルホニル基；−ＮＲ9Ｒ10
（Ｒ9，Ｒ10はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜
１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数２〜１２の直
鎖又は分岐のアルケニル基、置換基を有していてもよい
フェニル基等のアリール基、炭素数７〜２０の直鎖又は
分岐のアラルキル基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐の
アルコキシアルキル基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐
のアルキルカルボニル基；炭素数１〜１２の直鎖又は分
岐のヒドロキシアルキル基を表す。また、Ｒ9 とＲ10は
互いに結合するか、又はアミノ基の置換した環と結合し
て環状を形成してもよい。）；−ＣＯＮＲ9Ｒ10（Ｒ9，
Ｒ10の定義は上記と同様。）；トリフルオロメチル基、
ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピ
ル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、パーフルオロ−
ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パ
ーフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペ
ンチル基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシル基等の炭素数１
〜２０の直鎖又は分岐のフルオロアルキル基；トリフル
オロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、ヘプタフ
ルオロ−ｎ−プロポキシ基、ヘプタフルオロイソプロポ
キシ基、パーフルオロ−ｎ−ブトキシ基、パーフルオロ
−ｔｅｒｔ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブト
キシ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルオキシ基、パーフ
ルオロ−ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜２０の直
鎖又は分岐のフルオロアルコキシ基；トリフルオロメチ
ルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、ヘプタフルオ
ロ−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタフルオロイソプロピル
チオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、パーフルオ
ロ−ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−
ブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチオ基、パ
ーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜２０の
直鎖又は分岐のフルオロアルキルチオ基が挙げられる。
ただし、Ｘ1〜Ｘ8のうち、少なくとも一つはアルコキシ
カルボニルアルキル基又はカルボキシルアルキル基であ
る。
Ｘ8で表される置換基としては水素原子；メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペン
チル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜２０の直鎖又は
分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３
〜１０の環状のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、
ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ
基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−
ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１
〜２０の直鎖又は分岐のアルコキシ基；アセチル基、プ
ロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル
基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、
ヘプタノイル基等の炭素数２〜２１の直鎖又は分岐のア
ルキルカルボニル基；ビニル基、プロペニル基、ブテニ
ル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜２０
の直鎖又は分岐のアルケニル基；シクロペンテニル基、
シクロヘキセニル基等の炭素数３〜１０の環状のアルケ
ニル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン
原子；ヒドロキシル基；カルボキシル基；ヒドロキシメ
チル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜２０のヒド
ロキシアルキル基；カルボキシルメチル基、２−カルボ
キシルエチル基、３−カルボキシルプロピル基等の炭素
数１〜２０の直鎖又は分岐のカルボキシルアルキル基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プ
ロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、
ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチル
オキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基
等の炭素数２〜２１の直鎖又は分岐のアルコキシカルボ
ニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニル
オキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロ
ピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ
基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブ
チルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキ
シ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜
２１の直鎖又は分岐のアルキルカルボニルオキシ基；ニ
トロ基；シアノ基；ホルミル基；スルホン酸基；メトキ
シメチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エ
トキシエチル基、ｎ−プロポキシエチル基、ｎ−プロポ
キシプロピル基、イソプロポキシメチル基、イソプロポ
キシエチル基等の炭素数２〜２１の直鎖又は分岐のアル
コキシアルキル基；メトキシカルボニルメチル基、メト
キシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルメチル
基、エトキシカルボニルエチル基、ｎ−プロポキシカル
ボニルエチル基、ｎ−プロポキシカルボニルプロピル
基、イソプロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキ
シカルボニルエチル基等の炭素数３〜２２の直鎖又は分
岐のアルコキシカルボニルアルキル基；メチルチオ基、
エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ
基、ｎ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅ
ｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシル
チオ基等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキルチ
オ基；メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−
プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ
−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル
基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホ
ニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１〜２０
の直鎖又は分岐のアルキルスルホニル基；−ＮＲ9Ｒ10
（Ｒ9，Ｒ10はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜
１２の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数２〜１２の直
鎖又は分岐のアルケニル基、置換基を有していてもよい
フェニル基等のアリール基、炭素数７〜２０の直鎖又は
分岐のアラルキル基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐の
アルコキシアルキル基、炭素数２〜１２の直鎖又は分岐
のアルキルカルボニル基；炭素数１〜１２の直鎖又は分
岐のヒドロキシアルキル基を表す。また、Ｒ9 とＲ10は
互いに結合するか、又はアミノ基の置換した環と結合し
て環状を形成してもよい。）；−ＣＯＮＲ9Ｒ10（Ｒ9，
Ｒ10の定義は上記と同様。）；トリフルオロメチル基、
ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピ
ル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、パーフルオロ−
ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パ
ーフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペ
ンチル基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシル基等の炭素数１
〜２０の直鎖又は分岐のフルオロアルキル基；トリフル
オロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、ヘプタフ
ルオロ−ｎ−プロポキシ基、ヘプタフルオロイソプロポ
キシ基、パーフルオロ−ｎ−ブトキシ基、パーフルオロ
−ｔｅｒｔ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブト
キシ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルオキシ基、パーフ
ルオロ−ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜２０の直
鎖又は分岐のフルオロアルコキシ基；トリフルオロメチ
ルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、ヘプタフルオ
ロ−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタフルオロイソプロピル
チオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、パーフルオ
ロ−ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−
ブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチオ基、パ
ーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜２０の
直鎖又は分岐のフルオロアルキルチオ基が挙げられる。
ただし、Ｘ1〜Ｘ8のうち、少なくとも一つはアルコキシ
カルボニルアルキル基又はカルボキシルアルキル基であ
る。
【００１８】前記一般式［Ｉ］において、Ｍとしては水
素原子、又は金属原子が挙げられる。金属原子として
は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａ
ｓ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，
Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｂａ，Ｐｒ，Ｅ
ｕ，Ｙｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，
Ａｕ，Ｈｇ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｔｈ等の一般にポルフ
ィリン系化合物に配位する能力のある金属であれば良
く、特に制限はないが、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，
Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｐ
ｄ，ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｂ等が好ましい。また、ＭがＦｅ，
Ｉｎ，Ｓｎ等の金属の場合は、軸配位子としてＦ-，Ｃ
ｌ-，Ｂｒ-，Ｉ-等のハロゲンイオン；ＯＲ-，ＯＰ
ｈ-，ＮＣＳ-，Ｎ3 -，ＯＨ-，ＣＮ-，ＣＨ3ＣＯＯ-，Ｃ
Ｆ3ＣＯＯ-，ＢＦ4 -，ＰＦ6 -，ＣｌＯ4 -、下記構造式で
表されるｐ−トルエンスルホン酸イオン等のアニオン；
ピリジン、イミダゾール等の塩基；ＮＯ，ＣＯ，Ｏ2等
のガス；水を有していてもよい（ここで、Ｒはメチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜１０の直
鎖又は分岐のアルキル基を表し、Ｐｈは置換基を有して
いてもよいフェニル基を表わす。）。
素原子、又は金属原子が挙げられる。金属原子として
は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａ
ｓ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，
Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｂａ，Ｐｒ，Ｅ
ｕ，Ｙｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，
Ａｕ，Ｈｇ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｔｈ等の一般にポルフ
ィリン系化合物に配位する能力のある金属であれば良
く、特に制限はないが、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，
Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｐ
ｄ，ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｂ等が好ましい。また、ＭがＦｅ，
Ｉｎ，Ｓｎ等の金属の場合は、軸配位子としてＦ-，Ｃ
ｌ-，Ｂｒ-，Ｉ-等のハロゲンイオン；ＯＲ-，ＯＰ
ｈ-，ＮＣＳ-，Ｎ3 -，ＯＨ-，ＣＮ-，ＣＨ3ＣＯＯ-，Ｃ
Ｆ3ＣＯＯ-，ＢＦ4 -，ＰＦ6 -，ＣｌＯ4 -、下記構造式で
表されるｐ−トルエンスルホン酸イオン等のアニオン；
ピリジン、イミダゾール等の塩基；ＮＯ，ＣＯ，Ｏ2等
のガス；水を有していてもよい（ここで、Ｒはメチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜１０の直
鎖又は分岐のアルキル基を表し、Ｐｈは置換基を有して
いてもよいフェニル基を表わす。）。
【００１９】
【化４】
【００２０】本発明のポルフィリン化合物としては具体
的には以下の構造のものが挙げられる。
的には以下の構造のものが挙げられる。
【００２１】
【化５】
【００２２】
【化６】
【００２３】
【化７】
【００２４】
【化８】
【００２５】
【化９】
【００２６】
【化１０】
【００２７】
【化１１】
【００２８】これらのポルフィリン系化合物は１種を単
独で用いてもよいし、２種以上を混合して使用しても構
わない。
独で用いてもよいし、２種以上を混合して使用しても構
わない。
【００２９】このようなポルフィリン化合物は、ピロー
ル誘導体を原料として公知の方法により合成することが
できる。或いは、天然に存在するヘムを出発原料として
合成することもできる。
ル誘導体を原料として公知の方法により合成することが
できる。或いは、天然に存在するヘムを出発原料として
合成することもできる。
【００３０】また、中心金属の導入は、無金属ポルフィ
リン系化合物を酢酸、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
ベンゼン、エーテル、クロロホルム、ピリジン等の有機
溶媒中で、ハロゲン化物、酢酸塩、金属アセチルアセト
ナート錯体、金属カルボニル錯体等の金属塩と加熱する
ことにより行うことができる。
リン系化合物を酢酸、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
ベンゼン、エーテル、クロロホルム、ピリジン等の有機
溶媒中で、ハロゲン化物、酢酸塩、金属アセチルアセト
ナート錯体、金属カルボニル錯体等の金属塩と加熱する
ことにより行うことができる。
【００３１】本発明の光学記録媒体は、基本的には基板
と前記ポルフィリン系化合物を含む記録層とから構成さ
れるものであるが、更に必要に応じて基板上に下引き層
を設けることができる。
と前記ポルフィリン系化合物を含む記録層とから構成さ
れるものであるが、更に必要に応じて基板上に下引き層
を設けることができる。
【００３２】前記基板としては、使用するレーザー光に
対して透明なものが好ましく、ガラスや種々のプラスチ
ックが用いられる。プラスチックとしては、アクリル樹
脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニ
ル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエス
テル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙
げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性の点から射出
成型ポリカーボネート樹脂基板が特に好ましい。
対して透明なものが好ましく、ガラスや種々のプラスチ
ックが用いられる。プラスチックとしては、アクリル樹
脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニ
ル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエス
テル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙
げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性の点から射出
成型ポリカーボネート樹脂基板が特に好ましい。
【００３３】本発明の光学記録媒体におけるポルフィリ
ン系化合物を含有する記録層の膜厚は、一般に１００Å
〜５μｍ、好ましくは７００Å〜３μｍである。
ン系化合物を含有する記録層の膜厚は、一般に１００Å
〜５μｍ、好ましくは７００Å〜３μｍである。
【００３４】この記録層は、真空蒸着法、スパッタリン
グ法、ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、
浸漬法等一般に行われている薄膜形成法で成膜すること
ができるが、量産性、コスト面からスピナー法が好まし
い。
グ法、ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、
浸漬法等一般に行われている薄膜形成法で成膜すること
ができるが、量産性、コスト面からスピナー法が好まし
い。
【００３５】記録層の成膜に当っては、必要に応じてバ
インダーを使用することもできる。バインダーとしては
ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ケトン
樹脂、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリビニル
ブチラール、ポリカーボネート等既知のものが用いられ
る。この場合、本発明に係るポルフィリン系化合物は、
バインダー樹脂中に１０重量％以上含有されていること
が好ましい。
インダーを使用することもできる。バインダーとしては
ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ケトン
樹脂、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリビニル
ブチラール、ポリカーボネート等既知のものが用いられ
る。この場合、本発明に係るポルフィリン系化合物は、
バインダー樹脂中に１０重量％以上含有されていること
が好ましい。
【００３６】スピナー法による成膜の場合、回転数は５
００〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの後、
場合によっては、加熱又は溶媒蒸気に当てる等の処理を
行ってもよい。
００〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの後、
場合によっては、加熱又は溶媒蒸気に当てる等の処理を
行ってもよい。
【００３７】また、記録層の安定性や耐光性向上のため
に、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化
合物（例えば、アセチルアセトナートキレート、ビスフ
ェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビス
ジチオ−α−ジケトン等）等や、記録感度向上のために
金属系化合物等の記録感度向上剤を含有していてもよ
い。ここで、金属系化合物とは、遷移金属等の金属が原
子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるもの
を言い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチン系
錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロ
リン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキ
シム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジ
ルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メ
タロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有機金属
化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されな
いが、遷移金属であることが好ましい。
に、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化
合物（例えば、アセチルアセトナートキレート、ビスフ
ェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビス
ジチオ−α−ジケトン等）等や、記録感度向上のために
金属系化合物等の記録感度向上剤を含有していてもよ
い。ここで、金属系化合物とは、遷移金属等の金属が原
子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるもの
を言い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチン系
錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロ
リン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキ
シム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジ
ルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メ
タロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有機金属
化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されな
いが、遷移金属であることが好ましい。
【００３８】金属には、更に必要に応じて他系統の色素
を併用することもできる。他系統の色素としては、主と
して記録用のレーザー波長域に吸収を有し、照射された
レーザー光エネルギーの吸収によって、その箇所の記録
層、反射層又は基板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形
を伴いピットが形成されるようなものであれば特に制限
されない。また、ＣＤ−Ｒのような７７０〜８３０ｎｍ
から選ばれた波長の近赤外レーザーやＤＶＤ−Ｒのよう
な６２０〜６９０ｎｍから選ばれた赤色レーザーでの記
録に適する色素を併用して、複数の波長域のレーザーで
の記録に対応する光学記録媒体とすることもできる。他
系統の色素としては、具体的には、含金属アゾ系色素、
フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シア
ニン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、含金
属インドアニリン系色素、トリアリールメタン系色素、
メロシアニン系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノ
ン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系
色素、キサンテン系色素、オキサジン系色素、ピリリウ
ム系色素等が挙げられる。
を併用することもできる。他系統の色素としては、主と
して記録用のレーザー波長域に吸収を有し、照射された
レーザー光エネルギーの吸収によって、その箇所の記録
層、反射層又は基板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形
を伴いピットが形成されるようなものであれば特に制限
されない。また、ＣＤ−Ｒのような７７０〜８３０ｎｍ
から選ばれた波長の近赤外レーザーやＤＶＤ−Ｒのよう
な６２０〜６９０ｎｍから選ばれた赤色レーザーでの記
録に適する色素を併用して、複数の波長域のレーザーで
の記録に対応する光学記録媒体とすることもできる。他
系統の色素としては、具体的には、含金属アゾ系色素、
フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シア
ニン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、含金
属インドアニリン系色素、トリアリールメタン系色素、
メロシアニン系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノ
ン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系
色素、キサンテン系色素、オキサジン系色素、ピリリウ
ム系色素等が挙げられる。
【００３９】ドクターブレード法、キャスト法、スピナ
ー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方法により記録
層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない
溶媒であれば良く、特に限定されない。例えば、ジアセ
トンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブ
タノン等のケトンアルコール系溶媒、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ｎ−ヘキ
サン、ｎ−オクタン等の炭化水素系溶媒、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジ
メチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ
−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素
系溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等
のエーテル系溶媒、テトラフルオロプロパノール、オク
タフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等
のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチ
ル、乳酸エチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステ
ル系溶媒等が挙げられる。
ー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方法により記録
層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない
溶媒であれば良く、特に限定されない。例えば、ジアセ
トンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブ
タノン等のケトンアルコール系溶媒、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ｎ−ヘキ
サン、ｎ−オクタン等の炭化水素系溶媒、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジ
メチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ
−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素
系溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等
のエーテル系溶媒、テトラフルオロプロパノール、オク
タフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等
のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチ
ル、乳酸エチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステ
ル系溶媒等が挙げられる。
【００４０】また、記録層上に金、銀、アルミニウム又
はそれらの合金のような金属反射層及び保護層を設けて
高反射率の媒体としてもよい。この場合の反射層として
は金、銀、アルミニウム等が挙げられるが、金やアルミ
ニウムでは、本発明で使用する５３０ｎｍ以下の波長の
レーザー光では反射率が十分ではなく、銀であることが
好ましい。
はそれらの合金のような金属反射層及び保護層を設けて
高反射率の媒体としてもよい。この場合の反射層として
は金、銀、アルミニウム等が挙げられるが、金やアルミ
ニウムでは、本発明で使用する５３０ｎｍ以下の波長の
レーザー光では反射率が十分ではなく、銀であることが
好ましい。
【００４１】金属反射層は、蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法によって成膜される。な
お、金属反射層と記録層との間に層間の密着力を向上さ
せるため、又は、反射率を高める等の目的で中間層を設
けてもよい。
法、イオンプレーティング法によって成膜される。な
お、金属反射層と記録層との間に層間の密着力を向上さ
せるため、又は、反射率を高める等の目的で中間層を設
けてもよい。
【００４２】保護層としては、例えば、紫外線硬化型樹
脂組成物などが挙げられる。
脂組成物などが挙げられる。
【００４３】また、接着層を介して貼りあわせ、両面記
録型光学記録媒体としてもよいし、記録層を基板の両面
に設けてもよいし、片面に設けてもよい。
録型光学記録媒体としてもよいし、記録層を基板の両面
に設けてもよいし、片面に設けてもよい。
【００４４】本発明の光学記録媒体に使用されるレーザ
ー光は高密着度記録のため、波長は短いほど好ましい
が、特に３５０ｎｍ〜５３０ｎｍのレーザー光が好まし
い。かかるレーザーの代表例としては、中心波長４１０
ｎｍ、５１５ｎｍのレーザーが挙げられる。
ー光は高密着度記録のため、波長は短いほど好ましい
が、特に３５０ｎｍ〜５３０ｎｍのレーザー光が好まし
い。かかるレーザーの代表例としては、中心波長４１０
ｎｍ、５１５ｎｍのレーザーが挙げられる。
【００４５】波長３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲のレー
ザー光は、例えば、４１０ｎｍの青色又は５１５ｎｍの
青緑色の高出力半導体レーザーを使用することにより得
ることができるが、その他、例えば、（ａ）基本発振波
長が７４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な半導体レーザ
ー又は（ｂ）半導体レーザーによって励起されかつ基本
発振波長が７４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な固体レ
ーザーのいずれかを第二高調波発生素子（ＳＨＧ）によ
り波長変換することによっても得ることができる。
ザー光は、例えば、４１０ｎｍの青色又は５１５ｎｍの
青緑色の高出力半導体レーザーを使用することにより得
ることができるが、その他、例えば、（ａ）基本発振波
長が７４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な半導体レーザ
ー又は（ｂ）半導体レーザーによって励起されかつ基本
発振波長が７４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な固体レ
ーザーのいずれかを第二高調波発生素子（ＳＨＧ）によ
り波長変換することによっても得ることができる。
【００４６】上記のＳＨＧとしては、反射対称性を欠く
ピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ、
ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体などが好
ましい。第二高調波の具体例としては、基本発振波長が
８６０ｎｍの半導体レーザーの場合は、その倍波の４３
０ｎｍ、また半導体レーザー励起の固体レーザーの場合
は、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ6結晶（基本発振波
長８６０ｎｍ）からの倍波の４３０ｎｍなどが挙げられ
る。
ピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ、
ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体などが好
ましい。第二高調波の具体例としては、基本発振波長が
８６０ｎｍの半導体レーザーの場合は、その倍波の４３
０ｎｍ、また半導体レーザー励起の固体レーザーの場合
は、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ6結晶（基本発振波
長８６０ｎｍ）からの倍波の４３０ｎｍなどが挙げられ
る。
【００４７】上記のようにして得られた光記録媒体への
記録は、基板の両面又は片面に設けた記録層に０．４〜
０．６μｍ程度に集束したレーザー光を当てることによ
り行う。これにより、レーザー光の照射された部分に
は、レーザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、
溶融等の記録層の熱的変形が起こる。
記録は、基板の両面又は片面に設けた記録層に０．４〜
０．６μｍ程度に集束したレーザー光を当てることによ
り行う。これにより、レーザー光の照射された部分に
は、レーザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、
溶融等の記録層の熱的変形が起こる。
【００４８】記録された情報の再生は、レーザー光によ
り、上記熱的変形が起きている部分と起きていない部分
の反射率の差を読み取ることにより行う。
り、上記熱的変形が起きている部分と起きていない部分
の反射率の差を読み取ることにより行う。
【００４９】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
【００５０】実施例１
（ａ） 製造例
ジメチルホルムアミド５０ｎｌを撹拌下加熱還流させ、
プロトポルフィリンＩＸ ジメチルエステル０．５２ｇ
（０．８８ｍｍｏｌ）を添加した。１０分間撹拌後、Ｆ
ｅＣｌ2・４Ｈ2Ｏ ０．４４ｇ（２．２ｍｍｏｌ）を添
加し、更に１０分間撹拌した。放冷後、水中にあけ、析
出した結晶を濾別し、シリカゲルカラムで精製したとこ
ろ、前記構造式［１９］で示されるポルフィリン系化合
物０．４６ｇ（収率７６．９％）が得られた。
プロトポルフィリンＩＸ ジメチルエステル０．５２ｇ
（０．８８ｍｍｏｌ）を添加した。１０分間撹拌後、Ｆ
ｅＣｌ2・４Ｈ2Ｏ ０．４４ｇ（２．２ｍｍｏｌ）を添
加し、更に１０分間撹拌した。放冷後、水中にあけ、析
出した結晶を濾別し、シリカゲルカラムで精製したとこ
ろ、前記構造式［１９］で示されるポルフィリン系化合
物０．４６ｇ（収率７６．９％）が得られた。
【００５１】この化合物のクロロホルム中での最大吸収
波長（λｍａｘ）は３９４ｎｍであり、分子吸光係数
（ε）は８．３×１０4であった。
波長（λｍａｘ）は３９４ｎｍであり、分子吸光係数
（ε）は８．３×１０4であった。
【００５２】（ｂ） 記録媒体例
上記で得られたポルフィリン系化合物のオクタフルオロ
ペンタノール１．０重量％溶液を調製し、濾過して、溶
解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍ
ｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、ス
ピナー法により塗布し、塗布後、１００℃で３０分間乾
燥した。この塗布膜の最大吸収波長（λｍａｘ）は３９
５ｎｍであった。塗布膜の可視部吸収スペクトルを図１
に示す。
ペンタノール１．０重量％溶液を調製し、濾過して、溶
解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍ
ｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、ス
ピナー法により塗布し、塗布後、１００℃で３０分間乾
燥した。この塗布膜の最大吸収波長（λｍａｘ）は３９
５ｎｍであった。塗布膜の可視部吸収スペクトルを図１
に示す。
【００５３】次に、この塗布膜の上にスパッタリング法
により、膜厚１０００Åの銀膜を成膜して反射層を形成
した。更に、この反射層の上に紫外線硬化型樹脂をスピ
ンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５
μｍの保護層を形成した。
により、膜厚１０００Åの銀膜を成膜して反射層を形成
した。更に、この反射層の上に紫外線硬化型樹脂をスピ
ンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５
μｍの保護層を形成した。
【００５４】得られた光学記録媒体の４８８ｎｍにおけ
る反射率は５５％であった。
る反射率は５５％であった。
【００５５】（ｃ） 光記録法
上記光学記録媒体に、中心波長４８８ｎｍのアルゴンレ
ーザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成す
ることができた。
ーザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成す
ることができた。
【００５６】実施例２
（ａ） 製造例
ジメチルホルムアミド５０ｍｌを撹拌下加熱還流させ、
メソポルフィリンＩＸジメチルエステル０．３８ｇ
（０．６３ｍｍｏｌ）を添加した。１０分間撹拌後、Ｆ
ｅＣｌ2・４Ｈ2Ｏ ０．３１ｇ（１．６ｍｍｏｌ）を添
加し、更に１０分間撹拌した。放冷後、水中にあけ、析
出した結晶を濾別し、シリカゲルカラムで精製したとこ
ろ、前記構造式［２０］で示されるポルフィリン系化合
物０．０８７ｇ（収率２０．２％）が得られた。
メソポルフィリンＩＸジメチルエステル０．３８ｇ
（０．６３ｍｍｏｌ）を添加した。１０分間撹拌後、Ｆ
ｅＣｌ2・４Ｈ2Ｏ ０．３１ｇ（１．６ｍｍｏｌ）を添
加し、更に１０分間撹拌した。放冷後、水中にあけ、析
出した結晶を濾別し、シリカゲルカラムで精製したとこ
ろ、前記構造式［２０］で示されるポルフィリン系化合
物０．０８７ｇ（収率２０．２％）が得られた。
【００５７】この化合物のクロロホルム中でのλｍａｘ
は３７８ｎｍであり、εは９．０×１０4であった。
は３７８ｎｍであり、εは９．０×１０4であった。
【００５８】（ｂ） 記録媒体例
上記で得られたポルフィリン系化合物のオクタフルオロ
ペンタノール１．０重量％溶液を調製し、濾過して、溶
解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍ
ｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、ス
ピナー法により塗布し、塗布後、１００℃で３０分間乾
燥した。この塗布膜のλｍａｘは３７５ｎｍであった。
塗布膜の可視部吸収スペクトルを図２に示す。
ペンタノール１．０重量％溶液を調製し、濾過して、溶
解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍ
ｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、ス
ピナー法により塗布し、塗布後、１００℃で３０分間乾
燥した。この塗布膜のλｍａｘは３７５ｎｍであった。
塗布膜の可視部吸収スペクトルを図２に示す。
【００５９】次に、この塗布膜の上にスパッタリング法
により、膜厚１０００Åの銀膜を成膜して反射層を形成
した。更に、この反射層の上に紫外線硬化型樹脂をスピ
ンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５
μｍの保護層を形成した。
により、膜厚１０００Åの銀膜を成膜して反射層を形成
した。更に、この反射層の上に紫外線硬化型樹脂をスピ
ンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５
μｍの保護層を形成した。
【００６０】得られた光学記録媒体の４８８ｎｍにおけ
る反射率は５２％であった。
る反射率は５２％であった。
【００６１】（ｃ） 光記録法
上記光学記録媒体に、中心波長４８８ｎｍのアルゴンレ
ーザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成す
ることができた。
ーザー光を照射したところ、良好な記録ピットを形成す
ることができた。
【００６２】実施例３，４
前記構造式［３］（実施例３）及び構造式［１］（実施
例４）で示されるポルフィリン系化合物を合成した。こ
の化合物のλｍａｘ、εは表１に示す通りであった。
例４）で示されるポルフィリン系化合物を合成した。こ
の化合物のλｍａｘ、εは表１に示す通りであった。
【００６３】また、これらのポルフィリン系化合物を用
いて実施例１と同様に基板上に塗布して、表１に示す塗
布膜の最大吸収波長を持つ光学記録媒体を製造した。
いて実施例１と同様に基板上に塗布して、表１に示す塗
布膜の最大吸収波長を持つ光学記録媒体を製造した。
【００６４】得られた光学記録媒体に、中心波長４８８
ｎｍのアルゴンレーザーを用いて記録を行ったところ、
良好な記録ピットを形成することができた。
ｎｍのアルゴンレーザーを用いて記録を行ったところ、
良好な記録ピットを形成することができた。
【００６５】
【表１】
【００６６】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のポルフィリ
ン系化合物を用いた光学記録媒体によれば、安価で、耐
光性、耐熱性に優れる高密度記録媒体が提供される。
ン系化合物を用いた光学記録媒体によれば、安価で、耐
光性、耐熱性に優れる高密度記録媒体が提供される。
【図１】実施例１で得られたポルフィリン系化合物のポ
リカーボネート基板上の塗布膜の吸収スペクトルを表す
図である。
リカーボネート基板上の塗布膜の吸収スペクトルを表す
図である。
【図２】実施例２で得られたポルフィリン系化合物のポ
リカーボネート基板上の塗布膜の吸収スペクトルを表す
図である。
リカーボネート基板上の塗布膜の吸収スペクトルを表す
図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平10−112064（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−339865（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−262139（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−127174（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−295469（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B41M 5/26
G11B 7/24 516
ＣＡＰＬＵＳ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
ＭＡＲＰＡＴ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上にレーザーによる情報の書き込み
及び／又は読み取りが可能な記録層が設けられた光学記
録媒体において、該記録層が下記一般式［Ｉ］で示され
るポルフィリン系化合物を含有し、該レーザーによって
熱的変形が生成することにより情報が記録されることを
特徴とする光学記録媒体。 【化１】 （［Ｉ］式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は水素原子又はアル
キル基を表し、Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3，Ｘ4，Ｘ5，Ｘ6，Ｘ7，
Ｘ8はそれぞれ独立して水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基、アルキルカルボニル基、アルケニル基、ハロゲ
ン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ヒドロキシ
アルキル基、カルボキシルアルキル基、アルコキシカル
ボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、ニトロ基、シ
アノ基、ホルミル基、スルホン酸基、アルコキシアルキ
ル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アルキルチオ
基、アルキルスルホニル基、−ＮＲ9Ｒ10、−ＣＯＮＲ9
Ｒ10（Ｒ9，Ｒ10はそれぞれ独立して水素原子、アルキ
ル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アル
コキシアルキル基、アルキルカルボニル基、又はヒドロ
キシアルキル基を表す。また、Ｒ9とＲ10は互いに結合
するか、アミノ基又はアミド基の置換した環と結合して
環状を形成してもよい。）、フルオロアルキル基、フル
オロアルコキシ基、フルオロアルキルチオ基を表し、Ｍ
は水素原子又は金属原子を表す。ただし、Ｘ1〜Ｘ8のう
ち、少なくとも一つはアルコキシカルボニルアルキル基
又はカルボキシルアルキル基である。） - 【請求項２】 書き込み及び読み取りのレーザー波長が
ともに３５０〜５３０ｎｍであることを特徴とする請求
項１に記載の光学記録媒体。
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|---|---|---|---|
| JP14582998A JP3438587B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 光学記録媒体 |
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|---|---|---|---|
| JP14582998A JP3438587B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11334207A JPH11334207A (ja) | 1999-12-07 |
| JP3438587B2 true JP3438587B2 (ja) | 2003-08-18 |
Family
ID=15394091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14582998A Expired - Fee Related JP3438587B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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-
1998
- 1998-05-27 JP JP14582998A patent/JP3438587B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH11334207A (ja) | 1999-12-07 |
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