Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP3457010B2 - Method for producing cristobalite quartz glass powder - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP3457010B2 - Method for producing cristobalite quartz glass powder - Google Patents

Method for producing cristobalite quartz glass powder

Info

Publication number
JP3457010B2
JP3457010B2 JP13699391A JP13699391A JP3457010B2 JP 3457010 B2 JP3457010 B2 JP 3457010B2 JP 13699391 A JP13699391 A JP 13699391A JP 13699391 A JP13699391 A JP 13699391A JP 3457010 B2 JP3457010 B2 JP 3457010B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
powder
quartz glass
glass powder
silica gel
cristobalite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP13699391A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH04338134A (en
Inventor
稔 安枝
雅嗣 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JNC Corp
Original Assignee
Chisso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chisso Corp filed Critical Chisso Corp
Priority to JP13699391A priority Critical patent/JP3457010B2/en
Publication of JPH04338134A publication Critical patent/JPH04338134A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3457010B2 publication Critical patent/JP3457010B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は石英ガラス粉末の製造方
法に関する。さらに詳しくは、半導体工業用石英ガラス
製品、光通信用多成分ガラス原料などの各種の用途に好
適に利用することのできる石英ガラス粉末の製造方法に
関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a method for producing quartz glass powder. More specifically, the present invention relates to a method for producing a quartz glass powder which can be suitably used for various applications such as a quartz glass product for semiconductor industry and a multi-component glass raw material for optical communication.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体の高純度化に伴い、不純物の多い
天然石英粉末原料に代り、合成石英粉末が使用されるよ
うになった。しかし、これら合成石英粉末では焼成後に
おいても残留するシラノールが多く、シラノール含有量
が100ppm以下のものは得ることができない。合成
石英粉末を原料に用いて半導体工業用石英部材、例えば
単結晶引き上げ用石英るつぼを造った場合、高温時にる
つぼの変形などを起こすことが一般に知られている。
2. Description of the Related Art With the increase in the purity of semiconductors, synthetic quartz powder has come to be used in place of natural quartz powder raw material containing many impurities. However, with these synthetic quartz powders, a large amount of silanol remains even after firing, and a silanol content of 100 ppm or less cannot be obtained. It is generally known that when a synthetic quartz powder is used as a raw material to manufacture a quartz member for the semiconductor industry, for example, a quartz crucible for pulling a single crystal, the crucible is deformed at a high temperature.

【0003】このように、合成石英粉末の低シラノール
化が要求されている背景があり、近年では合成石英粉末
に、低シラノール化のため特別な処理、例えば塩素処理
などが一般に行われている。しかし、これら塩素処理を
行った合成石英粉末を原料にシリコン単結晶引き上げ用
るつぼを造った場合、数ppm程度の塩素不純物が通常
含まれる。このようなるつぼを用いてシリコン単結晶を
引き上げると、るつぼ中の不純物が単結晶中に移行する
ので、高純度のシリコン結晶は得られないなどの問題が
ある。
As described above, there is a background in which it is required to reduce the silanol content of the synthetic quartz powder. In recent years, a special treatment such as chlorine treatment is generally performed on the synthetic quartz powder to reduce the silanol content. However, when a crucible for pulling a silicon single crystal is made from a synthetic quartz powder that has been subjected to these chlorine treatments as a raw material, chlorine impurities of about several ppm are usually contained. When a silicon single crystal is pulled up using such a crucible, impurities in the crucible migrate into the single crystal, so that there is a problem that a high-purity silicon crystal cannot be obtained.

【0004】以上のように半導体工業用石英ガラス製
品、光通信用多成分ガラスなどの原料である石英ガラス
粉末には、低シラノールの要求が高まる一方である。さ
らに、近年、半導体素子の高集積化に伴い高純度のシリ
コン単結晶の要求が高まり、その製造用るつぼの高温時
の高粘性が求められている。
As described above, there is an ever-increasing demand for low silanol in quartz glass powder which is a raw material for quartz glass products for the semiconductor industry and multi-component glass for optical communication. Further, in recent years, the demand for high-purity silicon single crystals has increased with the high integration of semiconductor elements, and high viscosity of crucibles for manufacturing thereof at high temperatures has been required.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】シラノール含有量を減
らすためには、石英粉末を結晶化すればよいと考えられ
る。単に結晶化を目的とした場合、一般に1350℃よ
り高い温度で焼成を行うとクリストバライト化すること
は知られているが、このような高温焼成においては、炉
材および焼成さやからの不純物たとえばアルミニウムな
どの金属不純物の移行は避けられない。また、得られる
石英粉末は焼結してしまい、大きな塊となってしまう問
題もある。一方、これらの不純物を避けるため、135
0℃以下の温度で焼成を行った場合、得られる石英粉末
の結晶形態は非結晶であり、シラノール含有量は200
ppmから数100ppmと非常に高く、半導体工業用
石英部材には適さない。このため、炉材および焼成さや
からの不純物を避け、なおかつ得られる焼成石英粉末の
シラノール含有量を減らす技術が必要となる。
In order to reduce the silanol content, it is considered that quartz powder should be crystallized. For the purpose of crystallization only, it is generally known that firing at a temperature higher than 1350 ° C. results in cristobalite formation, but in such high temperature firing, impurities such as aluminum from the furnace material and the firing sheath are used. The migration of metal impurities is unavoidable. Further, there is a problem that the obtained quartz powder is sintered and becomes a large lump. On the other hand, in order to avoid these impurities, 135
When firing is performed at a temperature of 0 ° C. or lower, the obtained quartz powder has an amorphous crystal form and a silanol content of 200.
It is extremely high, from ppm to several hundreds of ppm, and is not suitable for quartz members for the semiconductor industry. Therefore, there is a need for a technique for avoiding impurities from the furnace material and the fired pod and reducing the silanol content of the obtained fired quartz powder.

【0006】本発明の目的は、こうした従来の合成石英
粉末の問題点を解決し、産業上の需要を満たすべく、粒
径が50〜100ミクロンの範囲となるクリストバライ
ト結晶化シリカ粉末と乾燥シリカゲルとを用いる高純度
石英ガラスの製造方法であって、従来より低い温度でシ
ラノール含有量の低い高純度石英ガラスを1回の焼成に
て製造する石英ガラス粉末の製造方法を提供するもので
ある。
The object of the present invention is to solve the problems of the conventional synthetic quartz powder and to meet the industrial demand, and to produce cristobalite crystallized silica powder and dry silica gel having a particle size in the range of 50 to 100 microns. A method for producing a high-purity quartz glass using, which provides a high-purity quartz glass having a low silanol content by a single firing at a lower temperature than before, and a method for producing a quartz glass powder.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の課
題を解決するために、鋭意検討を重ねた結果、原料とな
る乾燥シリカゲル粉末に特定量のクリストバライト結晶
化シリカ粉末を加え、混合した後、1000℃から13
50℃の温度範囲にて焼成を行うことにより、得られる
石英ガラス粉末が、完全にクリストバライト化し、半導
体工業材料に好適に使用することができるシラノールの
含有量が100ppm以下の石英ガラス粉末を得られる
ことを見いだして、本発明を完成するに至った。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have made extensive studies in order to solve the above problems, and as a result, added a specific amount of cristobalite crystallized silica powder to a dry silica gel powder as a raw material and mixed them. And then 1000 ℃ to 13
By performing the firing in the temperature range of 50 ° C., the obtained quartz glass powder is completely converted into cristobalite, and silica glass powder having a silanol content of 100 ppm or less, which can be suitably used for semiconductor industrial materials, can be obtained. After finding out that, the present invention has been completed.

【0008】本発明のクリストバライト化した石英ガラ
ス粉末の製造方法は、乾燥シリカゲル粉末と粒径が50
〜100ミクロンの範囲であるクリストバライト結晶化
シリカ粉末とを混合したものを焼成してなることを特徴
とする。焼成温度は、1000℃から1350℃の範囲
が好ましく、また、粒径が50〜100ミクロンの範囲
であるクリストバライト結晶化シリカ粉末の重量が乾燥
シリカゲル粉末に対して0.5〜50重量%であること
が好ましい。
The method for producing the cristobaliteized quartz glass powder of the present invention has a particle size of 50 with the dry silica gel powder.
It is characterized in that a mixture of cristobalite crystallized silica powder in the range of up to 100 microns is fired. The firing temperature is preferably in the range of 1000 ° C to 1350 ° C, and the weight of the cristobalite crystallized silica powder having a particle size in the range of 50 to 100 microns is 0.5 to 50% by weight based on the dry silica gel powder. It is preferable.

【0009】以下に本発明の製造方法について詳細に説
明する。本発明の製造方法に用いる乾燥シリカゲル粉末
は、高純度であることが望ましく、一般的なゾル−ゲル
法により得られる乾燥シリカゲル粉末が好適に使用され
る。その表面積および粒度は特に制限はない。また、乾
燥シリカゲル粉末に含まれる水分は特に限定されない
が、焼成炉などへの影響を考えた場合、0〜20%が好
ましい。
The manufacturing method of the present invention will be described in detail below. The dry silica gel powder used in the production method of the present invention preferably has high purity, and dry silica gel powder obtained by a general sol-gel method is preferably used. The surface area and particle size are not particularly limited. Further, the water content contained in the dried silica gel powder is not particularly limited, but in consideration of the influence on the firing furnace and the like, it is preferably 0 to 20%.

【0010】 本発明の製造方法に用いるクリストバラ
イト結晶化シリカ粉末は、ケイ酸エステルより得られる
石英粉末量の0.5重量%、好ましくは20重量%であ
る。粒径は、分散性から小さい方がよく、50〜100
ミクロンである。
The cristobalite crystallized silica powder used in the production method of the present invention is 0.5% by weight, preferably 20% by weight of the amount of quartz powder obtained from the silicate ester. From the viewpoint of dispersibility, the smaller the particle size, the better.
It is micron.

【0011】本発明の製造方法における乾燥シリカゲル
粉末とクリストバライト結晶化シリカ粉末とを混合する
方法は、種結晶となるクリストバライト結晶化シリカ粉
末と非結晶シリカ粉末とが、充分に混合されないと、焼
成後に得られるシリカ粉末の結晶化が充分に促進され
ず、結果としてシラノール含有量が高くなることから、
これらの混合には格別の注意を払う必要がある。以下
に、具体的な手法を挙げて説明する。比較的少量の混合
では、ポリエチレン、ポリプロピレン若しくはナイロン
製の円筒容器に、容器と同様の材質若しくはシリコン製
のボールを入れたものを回転させるような混合機を用い
るのが好ましい。また、工業的には、内設羽付き水平円
筒型混合機や、二重円錐型混合機、ボールミルなどが好
適に使用される。具体的には、乾燥シリカゲルおよび結
晶シリカ粉末をシリコン製のボールと共に、ポリエチレ
ン製の円筒型広口瓶に入れ蓋をし、この瓶を2本の平行
ローラーの間にのせて、10〜30分間、毎分60〜1
20回転で混合を行う。
The method of mixing the dry silica gel powder and the cristobalite crystallized silica powder in the production method of the present invention is carried out after firing unless the cristobalite crystallized silica powder and the amorphous silica powder to be seed crystals are sufficiently mixed. Crystallization of the obtained silica powder is not sufficiently promoted, resulting in a high silanol content,
Special attention must be paid to these mixtures. The specific method will be described below. In the case of mixing a relatively small amount, it is preferable to use a mixer in which a cylindrical container made of polyethylene, polypropylene or nylon and containing balls made of the same material as the container or made of silicon are rotated. Further, industrially, a horizontal cylindrical mixer with internal blades, a double cone mixer, a ball mill and the like are preferably used. Specifically, dry silica gel and crystalline silica powder, together with silicon balls, are placed in a polyethylene cylindrical wide-mouthed bottle, the lid is placed, and the bottle is placed between two parallel rollers for 10 to 30 minutes. 60-1 per minute
Mix 20 times.

【0012】本発明の製造方法における焼成温度は、い
わゆるゾルゲル法における焼成温度と同様、1000℃
以上であればよく、好ましくは1000〜1350℃で
ある。1000℃未満の焼成温度においては、焼成後に
得られる石英ガラス粉末の比表面積が大きくなり、半導
体工業用に好適に使用できない。1350℃より高い温
度の場合、炉材および焼成さやからの不純物、たとえば
アルミニウムなどの金属不純物の移行があり、好ましく
ない。焼成時間は通常1時間以上である。
The firing temperature in the production method of the present invention is 1000 ° C. as in the so-called sol-gel method.
The above is sufficient, and it is preferably 1000 to 1350 ° C. At a firing temperature of less than 1000 ° C., the silica glass powder obtained after firing has a large specific surface area and cannot be suitably used for the semiconductor industry. When the temperature is higher than 1350 ° C., impurities such as metal impurities such as aluminum are transferred from the furnace material and the sinter, which is not preferable. The firing time is usually 1 hour or more.

【0013】以上のようにして得られる合成石英ガラス
粉末の結晶形態は、クリストバライトであり、かつシラ
ノール含有量は100ppm以下であり、半導体工業用
石英ガラス製品、特に、石英るつぼ原料に好適に利用す
ることができる。また、高純度であるため光通信用多成
分ガラス等の原料としても使用可能である。
The crystal form of the synthetic quartz glass powder obtained as described above is cristobalite, and the silanol content is 100 ppm or less, and it is suitable for use as a quartz glass product for semiconductor industry, especially as a raw material for quartz crucible. be able to. Further, because of its high purity, it can be used as a raw material for multi-component glass for optical communication.

【0014】[0014]

【実施例】以上、実施例および比較例によって、本発明
を更に具体的に説明する。実施例、比較例のシラノール
含有量はつぎの式で求めた。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. The silanol contents of Examples and Comparative Examples were calculated by the following formula.

【0015】[0015]

【数1】 [Equation 1]

【0016】実施例の乾燥シリカゲル粉末は、正ケイ酸
メチルの加水分解、脱水縮合によるゾル−ゲル法により
得られたものを使用した。また、クリストバライト結晶
化シリカ粉末は、ゾル−ゲル法で得られた乾燥シリカゲ
ル粉末を、電気炉を用いて1550℃で6時間の焼成を
行い、X線回析法にてクリストバライト結晶化を確認し
たのち、めのう乳鉢で粉砕し、粒径50ミクロン程度に
調製したものを使用した。
As the dried silica gel powder of the examples, those obtained by the sol-gel method by hydrolysis and dehydration condensation of methyl orthosilicate were used. As the cristobalite crystallized silica powder, dry silica gel powder obtained by the sol-gel method was fired at 1550 ° C. for 6 hours using an electric furnace, and cristobalite crystallization was confirmed by an X-ray diffraction method. After that, it was crushed in an agate mortar and used to have a particle size of about 50 μm.

【0017】(実施例1)乾燥シリカゲル粉末60gお
よび乾燥シリカゲル粉末の20重量%に相当するクリス
トバライト結晶化シリカ粉末12gを内容積500mlの
ポリエチレン容器に入れ、更に15mmφのシリコン製ボ
ール10個を加えて蓋を閉める。この容器を2本ローラ
ーの間に載せ、毎分60回転で30分間回転して混合シ
リカゲルを得た。この混合シリカゲルの一部をめのう乳
鉢で粉砕しX線回折を行ないその結果を図1の(a)に
示す。この図より混合シリカゲルはクリストバライト結
晶化シリカと非結晶シリカの混合物であることがわかっ
た。この混合シリカゲルを内容量200mlの高純度アル
ミナ製の焼成さやに入れ、さやと同じ材質の蓋をして電
気炉に入れ焼成条件(昇温速度2.2℃/分、焼成温度
1350℃、焼成時間4時間、降温速度2.2℃/分)
で焼成を行った。焼成により石英ガラス粉末を67g得
た。焼成による重量減少は、混合シリカゲル量に対して
7.0%であった。この石英ガラス粉末をめのう乳鉢で
粉砕しX線回折を行ないその結果を図1の(b)に示
す。混合シリカゲル中のクリストバライト結晶の示す回
折ピークに比較して、焼成による石英ガラス粉末は明ら
かに結晶化度が高くなっている。また、この石英ガラス
粉末の真比重を測定すると2.32で、ほぼ完全なクリ
ストバライトであった。この石英ガラス粉末のフーリエ
変換赤外分光光度計(以下、FT−IRと略す)による
測定結果を図2に示す。シラノールのピークは認められ
ず、シラノールはまったく含まれていないことがわかっ
た。
(Example 1) 60 g of dried silica gel powder and 12 g of cristobalite crystallized silica powder corresponding to 20% by weight of the dried silica gel powder were placed in a polyethylene container having an internal volume of 500 ml, and 10 silicon balls of 15 mmφ were further added. Close the lid. This container was placed between two rollers and rotated at 60 rpm for 30 minutes to obtain a mixed silica gel. A part of this mixed silica gel was crushed in an agate mortar and subjected to X-ray diffraction, and the result is shown in FIG. From this figure, it was found that the mixed silica gel was a mixture of cristobalite crystallized silica and amorphous silica. This mixed silica gel is put in a baking pod made of high-purity alumina having an internal capacity of 200 ml, and the lid made of the same material as the pod is put into an electric furnace to set the baking conditions (heating rate 2.2 ° C / min, baking temperature 1350 ° C, baking). (Time: 4 hours, cooling rate: 2.2 ° C / min)
Was fired at. Firing gave 67 g of quartz glass powder. The weight loss due to calcination was 7.0% with respect to the amount of mixed silica gel. This quartz glass powder was crushed in an agate mortar and subjected to X-ray diffraction. The result is shown in FIG. 1 (b). Compared to the diffraction peaks of the cristobalite crystals in the mixed silica gel, the crystallinity of the quartz glass powder after firing is clearly higher. The true specific gravity of this quartz glass powder was 2.32, which was almost perfect cristobalite. The measurement results of this quartz glass powder by a Fourier transform infrared spectrophotometer (hereinafter abbreviated as FT-IR) are shown in FIG. No silanol peak was observed, indicating that silanol was not contained at all.

【0018】(実施例2)クリストバライト結晶化シリ
カ粉末の量を0.3g(乾燥シリカゲル粉末の0.5重
量%)とした以外は、実施例1に準拠して行ない、石英
ガラス粉末を得た。得られた石英ガラス粉末の結晶形態
は、X線回折によりクリストバライトであることが確認
された。真比重は2.25であった。また、FT−IR
測定では、わずかなシラノールを示すピークが認めら
れ、ピークの高さより求めたシラノール含有量は66p
pmと100ppm以下であった。
Example 2 A quartz glass powder was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of cristobalite crystallized silica powder was 0.3 g (0.5% by weight of dry silica gel powder). . The crystal form of the obtained quartz glass powder was confirmed to be cristobalite by X-ray diffraction. The true specific gravity was 2.25. Also, FT-IR
In the measurement, a peak showing a slight amount of silanol was observed, and the silanol content determined from the height of the peak was 66 p.
It was pm and 100 ppm or less.

【0019】(比較例1)クリストバライト結晶化シリ
カ粉末を非結晶の石英ガラス粉末に替えた以外は実施例
1に準拠して行なった。得られた石英ガラス粉末のX線
回折図を図3に示す。クリストバライトを示すピークは
認められず、完全な非結晶であった。また、FT−IR
測定の結果を図4に示す。シラノールを示すピークが認
められシラノール含有量は176ppmであった。
Comparative Example 1 The procedure of Example 1 was repeated except that the crystallized silica powder of cristobalite was replaced with amorphous silica glass powder. The X-ray diffraction pattern of the obtained quartz glass powder is shown in FIG. No peak indicating cristobalite was observed, and it was completely amorphous. Also, FT-IR
The result of the measurement is shown in FIG. A peak indicating silanol was recognized and the silanol content was 176 ppm.

【0020】(比較例2)乾燥シリカゲル粉末とクリス
トバライト結晶化シリカ粉末とを混合する操作をいっさ
い行なわず、また、これらを焼成さやに入れる際、まず
原料乾燥シリカ粉末を入れて、上面を均一にならしたの
ち、しずかにクリストバライト化シリカ粉末を入れた。
そのほかは実施例1に準拠して行なった。得られた石英
ガラス粉末のX線回折図では、非結晶の中にクリストバ
ライトの低いピークが確認され、結晶質と非結晶質の混
合物であることがわかった。また、FT−IR測定で
は、測定毎にシラノールを示すピークの高さが変化し、
シラノール値は88ppmから335ppmの間であっ
た。
(Comparative Example 2) The operation of mixing dry silica gel powder and cristobalite crystallized silica powder was not carried out at all, and when these were put into the baking pod, first, the raw material dry silica powder was put to make the upper surface uniform. After smoothing, the cristobaliteized silica powder was gently added.
Others were the same as in Example 1. In the X-ray diffraction pattern of the obtained quartz glass powder, a low peak of cristobalite was confirmed in the non-crystal, and it was found to be a mixture of crystalline and non-crystalline. In the FT-IR measurement, the height of the peak showing silanol changes with each measurement,
The silanol value was between 88 and 335 ppm.

【0021】これらの実施例および比較例の混合条件と
シラノール含有量を表1に示す。
Table 1 shows the mixing conditions and silanol content of these examples and comparative examples.

【表1】 [Table 1]

【0022】[0022]

【発明の効果】本発明の石英ガラス粉の製造法は、 (1) 従来、シラノール含有量の高い合成石英ガラス
粉末に対して行っていた塩素処理などの特殊な処理を行
なう必要がなく、簡単な操作で、半導体産業用石英部材
として有用な、シラノール含有量の少ない石英ガラス粉
末が得られる。 (2) 乾燥シリカゲル粉末にクリストバライト結晶化
シリカ粉末を添加することによって、通常結晶化しない
比較的低い焼成温度においても完全な結晶化ができる。
このことにより、高温焼成によって起こる炉材および焼
成さやからの不純物の移行がさけられる。 (3) 乾燥シリカゲル粉末とクリストバライト結晶化
シリカ粉末とを粉体同士で混合するという簡単な方法を
用いているため、操作に起因する不純物などの混入を少
なくするほか、比較的簡単な装置での工業化を可能とす
る。
EFFECTS OF THE INVENTION The method for producing quartz glass powder of the present invention is (1) simple and does not require special treatment such as chlorine treatment which has been conventionally performed on synthetic quartz glass powder having a high silanol content. With a simple operation, silica glass powder having a low silanol content, which is useful as a quartz member for the semiconductor industry, is obtained. (2) By adding cristobalite crystallized silica powder to dry silica gel powder, complete crystallization can be achieved even at a relatively low firing temperature at which crystallization is not normally caused.
This avoids the migration of impurities from the furnace material and the fired pod that occur during high temperature firing. (3) Since a simple method of mixing the dry silica gel powder and the cristobalite crystallized silica powder with each other is used, impurities such as impurities due to the operation are less mixed and the relatively simple device is used. Enables industrialization.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例1で得られる(a)混合シリカゲルおよ
び(b)石英ガラス粉末のX線回折図である。
FIG. 1 is an X-ray diffraction diagram of (a) mixed silica gel and (b) quartz glass powder obtained in Example 1.

【図2】実施例1で得られた石英ガラス粉末のFT−I
R測定結果である。図中の矢印は、シラノールのピーク
の位置を示す。
2 is an FT-I of the silica glass powder obtained in Example 1. FIG.
It is an R measurement result. The arrow in the figure indicates the position of the peak of silanol.

【図3】比較例で得られる(c)混合シリカゲルおよび
(b)石英ガラス粉末のX線回折図である。
FIG. 3 is an X-ray diffraction diagram of (c) mixed silica gel and (b) quartz glass powder obtained in Comparative Examples.

【図4】比較例で得られた石英ガラス粉末のFT−IR
測定結果である。図中の矢印は、シラノールのピークの
位置を示す。
FIG. 4 is an FT-IR of the quartz glass powder obtained in a comparative example.
It is a measurement result. The arrow in the figure indicates the position of the peak of silanol.

【図5】本発明の石英ガラス粉末の製造工程フローを示
す。
FIG. 5 shows a manufacturing process flow of the quartz glass powder of the present invention.

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 乾燥シリカゲル粉末と粒径が50〜10
0ミクロンの範囲であるクリストバライト結晶化シリカ
粉末とを混合したものを焼成してなるクリストバライト
化した石英ガラス粉末の製造方法。
1. Dry silica gel powder and particle size 50 to 10
A method for producing cristobaliteized quartz glass powder, which is obtained by firing a mixture of cristobalite crystallized silica powder having a range of 0 micron.
【請求項2】 1000℃から1350℃の温度範囲で
焼成する請求項1記載のクリストバライト化した石英ガ
ラス粉末の製造方法。
2. The method for producing a cristobaliteized quartz glass powder according to claim 1, wherein the firing is carried out in a temperature range of 1000 ° C. to 1350 ° C.
【請求項3】 粒径が50〜100ミクロンの範囲であ
るクリストバライト結晶化シリカ粉末の重量が乾燥シリ
カゲル粉末に対して0.5〜50重量%である請求項1
記載のクリストバライト化した石英ガラス粉末の製造方
法。
3. The weight of the cristobalite crystallized silica powder having a particle size in the range of 50 to 100 microns is 0.5 to 50% by weight based on the dry silica gel powder.
A method for producing the cristobaliteized quartz glass powder described.
JP13699391A 1991-05-14 1991-05-14 Method for producing cristobalite quartz glass powder Expired - Fee Related JP3457010B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13699391A JP3457010B2 (en) 1991-05-14 1991-05-14 Method for producing cristobalite quartz glass powder

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13699391A JP3457010B2 (en) 1991-05-14 1991-05-14 Method for producing cristobalite quartz glass powder

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04338134A JPH04338134A (en) 1992-11-25
JP3457010B2 true JP3457010B2 (en) 2003-10-14

Family

ID=15188279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13699391A Expired - Fee Related JP3457010B2 (en) 1991-05-14 1991-05-14 Method for producing cristobalite quartz glass powder

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3457010B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04338134A (en) 1992-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4444559B2 (en) Method for strengthening quartz glass crucible and method for pulling silicon single crystal
CN108190930B (en) Preparation method of alpha-phase alumina with low content of sodium oxide impurities
JPH06510272A (en) Improved mixed metal oxide crystal powder and its synthesis method
US4126422A (en) Method of densifying metal oxides
JP3457010B2 (en) Method for producing cristobalite quartz glass powder
JPH02307830A (en) Production of quartz glass powder
CN103949655B (en) A kind of raw material of stoichiometric proportion and sol-gal process prepare the method for bismuth silicate powder
JPH04238808A (en) Production of highly pure crystalline silica
US4774068A (en) Method for production of mullite of high purity
JP3170016B2 (en) Method for producing high-purity crystalline silica
CN114988469A (en) Preparation of piezoelectric material Pb (Zr, Ti) O 3 Method for single-phase fine-grained powder
JPH04154613A (en) Synthetic silica powder having high purity
JPH04300296A (en) Production of barium titanate single crystal
CN102689927B (en) Preparation method of near-stoichiometric lithium niobate crystals
JP3342536B2 (en) MgO.SiO2 porcelain powder and method for producing the same
JPH0472776B2 (en)
JPH064507B2 (en) Method for producing low thermal expansion cordierite
JPH0283224A (en) Production of synthetic quartz glass powder
JPH04238832A (en) Quartz glass powder and its production
TW201538420A (en) Slurry-designated silicon nitride powder and method for producing same, silicon nitride powder slurry for use in mold release agent and method for producing same, mold release agent, and polycrystalline-silicon-casting mold and method for producing same
JPH03164408A (en) Manufacture of composite material of metal oxide, composite powder material of metal oxide and ceramic material
Kui et al. Characterization of PbTiO3 crystallites in-situ confined grown in amorphors silica
JP2722785B2 (en) High purity silica powder
JP3526591B2 (en) Manufacturing method of synthetic quartz glass
JP3134318B2 (en) Method for producing quartz glass powder

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080801

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees