JP3483353B2 - 酸化シリコン膜の形成方法およびパターン形成方法 - Google Patents
酸化シリコン膜の形成方法およびパターン形成方法Info
- Publication number
- JP3483353B2 JP3483353B2 JP15731695A JP15731695A JP3483353B2 JP 3483353 B2 JP3483353 B2 JP 3483353B2 JP 15731695 A JP15731695 A JP 15731695A JP 15731695 A JP15731695 A JP 15731695A JP 3483353 B2 JP3483353 B2 JP 3483353B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- silicon oxide
- acid
- forming
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 38
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 59
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 53
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 9
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- -1 poly (siloxane) Polymers 0.000 description 10
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSMNRKGGHXLZEC-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(trimethylsilyl)methanamine Chemical compound C[Si](C)(C)N(C)[Si](C)(C)C ZSMNRKGGHXLZEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置製造プロ
セスに用いられる酸化シリコン膜と酸化シリコン膜から
なるパターン形成方法とに関するものである。
セスに用いられる酸化シリコン膜と酸化シリコン膜から
なるパターン形成方法とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造において、酸化シリコ
ン膜は層間絶縁膜やエッチングマスクとして広く用いら
れている。一般的に、酸化シリコン膜は化学的気相成長
法（ＣＶＤ法）で形成されるが、スピンオンガラス法
（ＳＯＧ法）によっても簡便に形成することができる。
ＳＯＧ法とは、シリコン含有溶液、例えばポリ（シロキ
サン）溶液などを回転塗布や、浸漬、吹きつけ、はけ塗
りなどによって基板上に塗布し、その後、この塗布膜を
焼成して酸化シリコン膜を得る方法である。例えば本発
明者が先に提案した技術（特開平５−２６７１５８号）
においては、アルコキシル基を有するポリ（シロキサ
ン）誘導体と、加熱により酸を発生する酸発生剤とを含
有する樹脂組成物を用い、基板上にこの樹脂組成物膜を
形成し、その後該膜を加熱することにより酸化シリコン
膜を得ている。
ン膜は層間絶縁膜やエッチングマスクとして広く用いら
れている。一般的に、酸化シリコン膜は化学的気相成長
法（ＣＶＤ法）で形成されるが、スピンオンガラス法
（ＳＯＧ法）によっても簡便に形成することができる。
ＳＯＧ法とは、シリコン含有溶液、例えばポリ（シロキ
サン）溶液などを回転塗布や、浸漬、吹きつけ、はけ塗
りなどによって基板上に塗布し、その後、この塗布膜を
焼成して酸化シリコン膜を得る方法である。例えば本発
明者が先に提案した技術（特開平５−２６７１５８号）
においては、アルコキシル基を有するポリ（シロキサ
ン）誘導体と、加熱により酸を発生する酸発生剤とを含
有する樹脂組成物を用い、基板上にこの樹脂組成物膜を
形成し、その後該膜を加熱することにより酸化シリコン
膜を得ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記技
術による酸化シリコン膜の形成方法では、形成された膜
を絶縁膜として用いた場合に、加熱によって膜中の酸発
生剤から発生し、膜中に残存した酸が、膜の電気特性、
すなわち絶縁性に悪影響を与えるおそれがある。また上
記酸発生剤として、露光により酸を発生するものを用い
た場合には、酸化シリコン膜の直接パターニングを行う
ことが可能となるが、この場合にも上記と同様、発生
し、残存した酸が膜の電気特性に悪影響を与えるおそれ
がある。よって、ポリ（シロキサン）誘導体と、加熱ま
たは露光により酸を発生する酸発生剤とを含有する組成
物を用いた場合において、絶縁膜としての電気特性の向
上した酸化シリコン膜を形成できる酸化シリコン膜の形
成方法および酸化シリコンからなるパターン形成方法の
開発が望まれている。
術による酸化シリコン膜の形成方法では、形成された膜
を絶縁膜として用いた場合に、加熱によって膜中の酸発
生剤から発生し、膜中に残存した酸が、膜の電気特性、
すなわち絶縁性に悪影響を与えるおそれがある。また上
記酸発生剤として、露光により酸を発生するものを用い
た場合には、酸化シリコン膜の直接パターニングを行う
ことが可能となるが、この場合にも上記と同様、発生
し、残存した酸が膜の電気特性に悪影響を与えるおそれ
がある。よって、ポリ（シロキサン）誘導体と、加熱ま
たは露光により酸を発生する酸発生剤とを含有する組成
物を用いた場合において、絶縁膜としての電気特性の向
上した酸化シリコン膜を形成できる酸化シリコン膜の形
成方法および酸化シリコンからなるパターン形成方法の
開発が望まれている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の酸化シリコン膜
の形成方法では、基体上に、下記式〔１〕で表される構
造を含む樹脂と、露光または加熱によって酸を発生する
酸発生剤とを含有してなる組成物を用いて膜を形成し、
次いでこの膜を露光処理した後加熱処理し、または露光
処理を行わずに上記膜を加熱処理し、続いてこうして形
成された膜を加熱しつつ塩基性ガス雰囲気中に暴露し、
酸化シリコン膜を得ることを前記課題の解決手段とし
た。
の形成方法では、基体上に、下記式〔１〕で表される構
造を含む樹脂と、露光または加熱によって酸を発生する
酸発生剤とを含有してなる組成物を用いて膜を形成し、
次いでこの膜を露光処理した後加熱処理し、または露光
処理を行わずに上記膜を加熱処理し、続いてこうして形
成された膜を加熱しつつ塩基性ガス雰囲気中に暴露し、
酸化シリコン膜を得ることを前記課題の解決手段とし
た。
【化３】
【０００５】また本発明のパターン形成方法では、基体
上に下記式〔１〕で表される構造を含む樹脂と、露光ま
たは加熱によって酸を発生する酸発生剤とを含有してな
る組成物を用いて膜前記組成物からなる膜を形成し、次
いでこの膜を選択的に露光し、続いてこの露光後の膜に
加熱処理、現像処理を順次行って所定パターンの膜を形
成し、その後、該所定パターンの膜を加熱しつつ塩基性
ガス雰囲気中に暴露し、酸化シリコンからなるパターン
を得ることを前記課題の解決手段とした。
上に下記式〔１〕で表される構造を含む樹脂と、露光ま
たは加熱によって酸を発生する酸発生剤とを含有してな
る組成物を用いて膜前記組成物からなる膜を形成し、次
いでこの膜を選択的に露光し、続いてこの露光後の膜に
加熱処理、現像処理を順次行って所定パターンの膜を形
成し、その後、該所定パターンの膜を加熱しつつ塩基性
ガス雰囲気中に暴露し、酸化シリコンからなるパターン
を得ることを前記課題の解決手段とした。
【化４】
【０００６】本発明の酸化シリコン膜の形成方法および
パターン形成方法における樹脂としては、例えば酸によ
る脱離が可能なアルコキシル基を有するポリ（シロキサ
ン）誘導体を使用することが可能である。例えば下記式
〔２〕で表されるポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）
や、式〔３〕で表されるポリ（ｔ−ブトキシシロキサ
ン）などが挙げられる。
パターン形成方法における樹脂としては、例えば酸によ
る脱離が可能なアルコキシル基を有するポリ（シロキサ
ン）誘導体を使用することが可能である。例えば下記式
〔２〕で表されるポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）
や、式〔３〕で表されるポリ（ｔ−ブトキシシロキサ
ン）などが挙げられる。
【化５】
【化６】
【０００７】また酸発生剤としては、露光または加熱に
よって酸を発生する物質であるならば特に限定されるこ
となく、例えば下記式〔４〕および式〔５〕で表される
スルホニウム塩、式〔６〕で表されるヨードニウム塩、
式〔７〕および式〔８〕で表されるアンモニウム塩等の
オニウム塩、式
よって酸を発生する物質であるならば特に限定されるこ
となく、例えば下記式〔４〕および式〔５〕で表される
スルホニウム塩、式〔６〕で表されるヨードニウム塩、
式〔７〕および式〔８〕で表されるアンモニウム塩等の
オニウム塩、式
〔９〕であらわされるｐ−トルエンスル
ホナート、式〔１０〕で表されるトリクロロメチル置換
トリアジン、および式〔１１〕で表されるトリクロロメ
チル置換ベンゼンが挙げられる。
ホナート、式〔１０〕で表されるトリクロロメチル置換
トリアジン、および式〔１１〕で表されるトリクロロメ
チル置換ベンゼンが挙げられる。
【０００８】
【化７】
【化８】
【化９】
【化１０】
【化１１】
【化１２】
【化１３】
【化１４】
【０００９】これらの酸発生剤を適当に選択し、前記樹
脂に加えることにより、得られた組成物は種々の露光源
などに対応可能となる。これらの酸発生剤は、用いる組
成物の重量に対し、０．０１〜５０重量％の範囲、好ま
しくは０．０５〜３０重量％の範囲で添加するのがよ
い。０．０１重量％未満であると成膜に高温が必要とな
り、また５０重量％を越えると塗布膜が脆弱になる恐れ
があるからである。また本発明に用いられる組成物にあ
っては、上記式〔１〕で表される構造を含む樹脂と酸発
生剤とを溶剤に溶かすことにより塗布液を調製すること
ができる。用いる溶剤としては、上記樹脂と酸発生剤と
が溶解するものであれば種々のものを使用することがで
きる。
脂に加えることにより、得られた組成物は種々の露光源
などに対応可能となる。これらの酸発生剤は、用いる組
成物の重量に対し、０．０１〜５０重量％の範囲、好ま
しくは０．０５〜３０重量％の範囲で添加するのがよ
い。０．０１重量％未満であると成膜に高温が必要とな
り、また５０重量％を越えると塗布膜が脆弱になる恐れ
があるからである。また本発明に用いられる組成物にあ
っては、上記式〔１〕で表される構造を含む樹脂と酸発
生剤とを溶剤に溶かすことにより塗布液を調製すること
ができる。用いる溶剤としては、上記樹脂と酸発生剤と
が溶解するものであれば種々のものを使用することがで
きる。
【００１０】さらに本発明において、加熱処理後の膜を
暴露するガスとしては、塩基性のものであれば特に限定
されず、例えばトリエチルアミン、ピリジン等の通常の
塩基性化合物からなるガスを用いることができる。特
に、ヘキサメチルジシラザン、ヘプタメチルジシラザン
等のシリル化剤としても作用する塩基性のシリル化剤の
ガスは、後述するごとく酸化シリコン膜の電気特性を向
上させるために特に有効である。このような塩基性のシ
リル化剤としては、上記例の他に例えば式〔１２〕〜
〔２０〕に表されるものが挙げられる。
暴露するガスとしては、塩基性のものであれば特に限定
されず、例えばトリエチルアミン、ピリジン等の通常の
塩基性化合物からなるガスを用いることができる。特
に、ヘキサメチルジシラザン、ヘプタメチルジシラザン
等のシリル化剤としても作用する塩基性のシリル化剤の
ガスは、後述するごとく酸化シリコン膜の電気特性を向
上させるために特に有効である。このような塩基性のシ
リル化剤としては、上記例の他に例えば式〔１２〕〜
〔２０〕に表されるものが挙げられる。
【００１１】
【化１５】
【００１２】上記のような組成物および塩基性ガスを用
い、本発明では以下のようにして酸化シリコン膜の形成
を行う。まず図１（ａ）に示すように、基体１上に、上
記組成物を適宜な溶媒に溶解して調製した塗布液を塗布
し、塗布膜２を形成する。上記基体１としては、銅（Ｃ
ｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）等の
金属または合金からなる配線用金属膜や、レジスト膜な
どが形成されたもの等が挙げられる。次に適宜な露光源
を用いて図１（ｂ）に示すように塗布膜２を全面露光
し、続いて露光後の膜３に加熱処理を施す。または、塗
布膜２を全面露光することなく直接塗布膜２に加熱処理
を施す。
い、本発明では以下のようにして酸化シリコン膜の形成
を行う。まず図１（ａ）に示すように、基体１上に、上
記組成物を適宜な溶媒に溶解して調製した塗布液を塗布
し、塗布膜２を形成する。上記基体１としては、銅（Ｃ
ｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）等の
金属または合金からなる配線用金属膜や、レジスト膜な
どが形成されたもの等が挙げられる。次に適宜な露光源
を用いて図１（ｂ）に示すように塗布膜２を全面露光
し、続いて露光後の膜３に加熱処理を施す。または、塗
布膜２を全面露光することなく直接塗布膜２に加熱処理
を施す。
【００１３】上記露光の際には、用いる組成物中の酸発
生剤から酸が発生するものであれば種々の放射線の使用
が可能である。放射線としては、例えばキセノン（Ｘ
ｅ）−水銀（Ｈｇ）ランプから発光される光、電子線、
ｉ線、ｇ線、Ｘ線、イオン線などが挙げられる。また上
記加熱処理の際の加熱温度は、４０〜４００℃の範囲、
好ましくは６０〜２５０℃の範囲とする。４０℃未満で
あると加熱による反応が進まず、また４０℃以下の低い
温度で反応する酸発生剤の系のものは保存性の悪いもの
ができることがあるからである。一方、４００℃を越え
る高温では、基体１に対して影響がでる可能性がある。
なお、塗布膜２を全面露光した後、加熱処理を施す場合
には、この全面露光を行わずに加熱処理を行う場合の加
熱処理の際の加熱温度を低くすることができる。
生剤から酸が発生するものであれば種々の放射線の使用
が可能である。放射線としては、例えばキセノン（Ｘ
ｅ）−水銀（Ｈｇ）ランプから発光される光、電子線、
ｉ線、ｇ線、Ｘ線、イオン線などが挙げられる。また上
記加熱処理の際の加熱温度は、４０〜４００℃の範囲、
好ましくは６０〜２５０℃の範囲とする。４０℃未満で
あると加熱による反応が進まず、また４０℃以下の低い
温度で反応する酸発生剤の系のものは保存性の悪いもの
ができることがあるからである。一方、４００℃を越え
る高温では、基体１に対して影響がでる可能性がある。
なお、塗布膜２を全面露光した後、加熱処理を施す場合
には、この全面露光を行わずに加熱処理を行う場合の加
熱処理の際の加熱温度を低くすることができる。
【００１４】次に、上記の加熱処理を施した図１（ｃ）
に示す膜４を、加熱しつつ上記の塩基性ガス雰囲気中に
暴露し、図１（ｄ）に示すように酸化シリコン膜５を得
る。なお、全面露光の後に加熱処理を施した膜４におい
ては、塩基性ガスに暴露する工程の前に、アニソール等
の有機溶剤等を用いて現像を行ってもよく、また上記の
ごとくこの現像処理を省略することもできる。またこの
塩基性ガスに暴露する際の加熱温度は、前述の塗布膜２
の加熱処理と同等の加熱温度が採用される。
に示す膜４を、加熱しつつ上記の塩基性ガス雰囲気中に
暴露し、図１（ｄ）に示すように酸化シリコン膜５を得
る。なお、全面露光の後に加熱処理を施した膜４におい
ては、塩基性ガスに暴露する工程の前に、アニソール等
の有機溶剤等を用いて現像を行ってもよく、また上記の
ごとくこの現像処理を省略することもできる。またこの
塩基性ガスに暴露する際の加熱温度は、前述の塗布膜２
の加熱処理と同等の加熱温度が採用される。
【００１５】また本発明のパターン形成方法では、前述
のような組成物および塩基性ガスを用い、以下のように
して酸化シリコンからなるパターンの形成を行う。まず
図２（ａ）に示すように、基体１上に、前述の組成物を
適宜な溶媒に溶解して調製した塗布液を塗布し、塗布膜
２を形成する。次に適宜な露光源を用いて図２（ｂ）に
示すように塗布膜２をマスク（図示略）を用いてあるい
は直接、選択的に露光し、続いて露光処理後の膜６に加
熱処理、現像処理を順次を施して図２（ｃ）に示すよう
に露光しなかった部分を除去し、ネガパターンの膜７を
形成する。
のような組成物および塩基性ガスを用い、以下のように
して酸化シリコンからなるパターンの形成を行う。まず
図２（ａ）に示すように、基体１上に、前述の組成物を
適宜な溶媒に溶解して調製した塗布液を塗布し、塗布膜
２を形成する。次に適宜な露光源を用いて図２（ｂ）に
示すように塗布膜２をマスク（図示略）を用いてあるい
は直接、選択的に露光し、続いて露光処理後の膜６に加
熱処理、現像処理を順次を施して図２（ｃ）に示すよう
に露光しなかった部分を除去し、ネガパターンの膜７を
形成する。
【００１６】そして、こうして形成されたネガパターン
の膜７を加熱しつつ前述の塩基性ガス雰囲気中に暴露
し、図２（ｄ）に示すように酸化シリコンからなるネガ
パターン８を得る。なお、上記基体１としては、また露
光の際に用いる放射線としては、上記した本発明の酸化
シリコン膜の形成方法の場合と同様のものがそれぞれ挙
げられる。また上記現像前の加熱処理の際の加熱温度お
よび塩基性ガスに暴露する際の加熱温度も、上記した本
発明の酸化シリコン膜の形成方法の場合と同様の加熱温
度が採用される。
の膜７を加熱しつつ前述の塩基性ガス雰囲気中に暴露
し、図２（ｄ）に示すように酸化シリコンからなるネガ
パターン８を得る。なお、上記基体１としては、また露
光の際に用いる放射線としては、上記した本発明の酸化
シリコン膜の形成方法の場合と同様のものがそれぞれ挙
げられる。また上記現像前の加熱処理の際の加熱温度お
よび塩基性ガスに暴露する際の加熱温度も、上記した本
発明の酸化シリコン膜の形成方法の場合と同様の加熱温
度が採用される。
【００１７】
【作用】本発明の酸化シリコン膜の形成方法では、Ｓｉ
Ｏ4-n （ＯＲ）n なる構造を含む樹脂と酸発生剤とを含
有してなる組成物からなる膜を形成した後の露光処理に
よって酸発生剤から酸が発生する。そして露光後の加熱
処理によって、前記酸によりアルキル基が脱離し、シラ
ノールを生成し、生成したシラノールが縮合して酸化シ
リコン（ＳｉＯ2 ）の膜が形成される。または上記膜を
露光処理を行わずに加熱処理することによって、酸発生
剤から酸が発生し、この酸によりアルキル基が脱離、シ
ラノールの生成、さらにシラノールの縮合が行われてＳ
ｉＯ2 の膜が形成される。そして、ＳｉＯ2 からなる膜
を加熱しつつ塩基性ガス雰囲気中に暴露することによ
り、この膜中に残存している酸発生剤からの酸が塩基性
ガスによって中和される。したがって、膜中に酸が残存
しておらず、該酸による絶縁性の低下が防止されたＳｉ
Ｏ2 膜が形成される。
Ｏ4-n （ＯＲ）n なる構造を含む樹脂と酸発生剤とを含
有してなる組成物からなる膜を形成した後の露光処理に
よって酸発生剤から酸が発生する。そして露光後の加熱
処理によって、前記酸によりアルキル基が脱離し、シラ
ノールを生成し、生成したシラノールが縮合して酸化シ
リコン（ＳｉＯ2 ）の膜が形成される。または上記膜を
露光処理を行わずに加熱処理することによって、酸発生
剤から酸が発生し、この酸によりアルキル基が脱離、シ
ラノールの生成、さらにシラノールの縮合が行われてＳ
ｉＯ2 の膜が形成される。そして、ＳｉＯ2 からなる膜
を加熱しつつ塩基性ガス雰囲気中に暴露することによ
り、この膜中に残存している酸発生剤からの酸が塩基性
ガスによって中和される。したがって、膜中に酸が残存
しておらず、該酸による絶縁性の低下が防止されたＳｉ
Ｏ2 膜が形成される。
【００１８】また一般に、シラノールの水酸基は絶縁性
を低下させることが知られている。よって、塩基性ガス
として塩基性のシリル化剤を用いると、この塩基性ガス
の処理前のＳｉＯ2 の膜に残存しているシラノールがシ
リル化されるため、より絶縁性が向上したＳｉＯ2 膜が
得られる。
を低下させることが知られている。よって、塩基性ガス
として塩基性のシリル化剤を用いると、この塩基性ガス
の処理前のＳｉＯ2 の膜に残存しているシラノールがシ
リル化されるため、より絶縁性が向上したＳｉＯ2 膜が
得られる。
【００１９】本発明のパターン形成方法では、ＳｉＯ
4-n （ＯＲ）n なる構造を含む樹脂と酸発生剤とを含有
してなる組成物からなる膜を形成した後の選択的な露光
によって、露光部分における酸発生剤から酸が発生す
る。次いで露光後の加熱処理により発生した酸がアルキ
ル基の脱離、シラノールの生成を行う。そしてシラノー
ルが縮合して露光部分がＳｉＯ2 となり、続いて行う現
像処理により、未露光部分が除去されてＳｉＯ2 からな
るネガパターンの膜が得られる。なお、露光後の加熱処
理の温度を、加熱によって酸発生剤から酸を発生させる
際の加熱温度より低く設定することにより、露光後の加
熱処理の際の未露光部分における酸の発生が防止され
る。そしてネガパターンの膜を加熱しつつ塩基性ガス雰
囲気中に暴露することにより、この膜中に残存している
酸発生剤からの酸が塩基性ガスによって中和され、した
がって酸が残存しておらず、該酸による絶縁性の低下が
防止されたＳｉＯ2 からなるパターンが得られる。
4-n （ＯＲ）n なる構造を含む樹脂と酸発生剤とを含有
してなる組成物からなる膜を形成した後の選択的な露光
によって、露光部分における酸発生剤から酸が発生す
る。次いで露光後の加熱処理により発生した酸がアルキ
ル基の脱離、シラノールの生成を行う。そしてシラノー
ルが縮合して露光部分がＳｉＯ2 となり、続いて行う現
像処理により、未露光部分が除去されてＳｉＯ2 からな
るネガパターンの膜が得られる。なお、露光後の加熱処
理の温度を、加熱によって酸発生剤から酸を発生させる
際の加熱温度より低く設定することにより、露光後の加
熱処理の際の未露光部分における酸の発生が防止され
る。そしてネガパターンの膜を加熱しつつ塩基性ガス雰
囲気中に暴露することにより、この膜中に残存している
酸発生剤からの酸が塩基性ガスによって中和され、した
がって酸が残存しておらず、該酸による絶縁性の低下が
防止されたＳｉＯ2 からなるパターンが得られる。
【００２０】また塩基性ガスとして塩基性のシリル化剤
を用いると、この塩基性ガスの処理前のネガパターンの
膜に残存しているシラノールがシリル化されるため、よ
り絶縁性が向上したパターンが得られる。
を用いると、この塩基性ガスの処理前のネガパターンの
膜に残存しているシラノールがシリル化されるため、よ
り絶縁性が向上したパターンが得られる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の酸化シリコン膜の形成方法お
よびパターン形成方法を実施例によりさらに具体的に説
明する。なお、以下の説明に述べる使用材料とその量、
処理時間、温度等の条件については一例を示したものに
過ぎず、したがって本発明がこれらの条件に限定されな
いのはもちろんである。
よびパターン形成方法を実施例によりさらに具体的に説
明する。なお、以下の説明に述べる使用材料とその量、
処理時間、温度等の条件については一例を示したものに
過ぎず、したがって本発明がこれらの条件に限定されな
いのはもちろんである。
【００２２】（実施例１）樹脂成分となるポリ（ジ−ｔ
−ブトキシシロキンサン）１９０ｇ（１ｍｏｌ）と、酸
発生剤であるトリフェニルスルホニウムトリフレート
（Ｐｈ3 Ｓ+ ＯＴｆ- ）８．２５ｇ（０．０２ｍｏｌ）
とをメチルイソブチルケトン１７８０ｇに溶解し、０．
２μｍ孔メンブレンフィルターで濾過して塗布液を調製
した。なお、ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキンサン）
は、前述の式〔２〕に示した構造を有しているものであ
る。またトリフェニルスルホニウムトリフレートの構造
を以下の式〔２１〕に示す。
−ブトキシシロキンサン）１９０ｇ（１ｍｏｌ）と、酸
発生剤であるトリフェニルスルホニウムトリフレート
（Ｐｈ3 Ｓ+ ＯＴｆ- ）８．２５ｇ（０．０２ｍｏｌ）
とをメチルイソブチルケトン１７８０ｇに溶解し、０．
２μｍ孔メンブレンフィルターで濾過して塗布液を調製
した。なお、ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキンサン）
は、前述の式〔２〕に示した構造を有しているものであ
る。またトリフェニルスルホニウムトリフレートの構造
を以下の式〔２１〕に示す。
【化１６】
【００２３】次にシリコンからなる基板上に上記塗布液
を膜厚が０．４μｍになるようにして回転塗布し、形成
された塗布膜をホットプレート上にて８０℃で１分間プ
リベークし、さらにＸｅ−Ｈｇランプ（ＣＭ２５０コー
ルドミラー装着）によって全面露光を行った。このとき
の露光量は２０ｍＪ／ｃｍ2 であった。その後、基板を
ホットプレート上にて１００℃で２分間加熱し、続いて
この基板をアニソールからなる現像液に２０秒間浸漬
し、塗布膜を現像した。次いで基板を現像液から引き上
げてキシレンに２０秒間浸漬してリンスし、ＳｉＯ2 か
らなる膜を得た。
を膜厚が０．４μｍになるようにして回転塗布し、形成
された塗布膜をホットプレート上にて８０℃で１分間プ
リベークし、さらにＸｅ−Ｈｇランプ（ＣＭ２５０コー
ルドミラー装着）によって全面露光を行った。このとき
の露光量は２０ｍＪ／ｃｍ2 であった。その後、基板を
ホットプレート上にて１００℃で２分間加熱し、続いて
この基板をアニソールからなる現像液に２０秒間浸漬
し、塗布膜を現像した。次いで基板を現像液から引き上
げてキシレンに２０秒間浸漬してリンスし、ＳｉＯ2 か
らなる膜を得た。
【００２４】この露光処理および加熱処理において、ポ
リ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）のｔ−ブチル基が、
露光によってトリフェニルスルホニウムトリフレートか
ら発生した酸によって脱離し、シラノールが生成、縮合
してＳｉＯ2 からなる膜が得られる。得られた膜をＩＲ
スペクトルにより分析したところ、ｔ−ブチル基やシラ
ノールに由来するピークは確認されず、Ｓｉ−Ｏ結合に
由来するピークのみが確認されたことから、この膜がＳ
ｉＯ2 からなるものであることが確認された。
リ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）のｔ−ブチル基が、
露光によってトリフェニルスルホニウムトリフレートか
ら発生した酸によって脱離し、シラノールが生成、縮合
してＳｉＯ2 からなる膜が得られる。得られた膜をＩＲ
スペクトルにより分析したところ、ｔ−ブチル基やシラ
ノールに由来するピークは確認されず、Ｓｉ−Ｏ結合に
由来するピークのみが確認されたことから、この膜がＳ
ｉＯ2 からなるものであることが確認された。
【００２５】その後、塩基性ガスでありまたシリル化剤
でもあるヘキサメチルジシラザンガスの雰囲気が形成さ
れた真空オーブン中に基板を２００℃に加熱しながら１
５分間入れ、上記雰囲気に暴露した。このときのガス圧
は１１０Ｔｏｒｒであった。この操作により得られたＳ
ｉＯ2 膜の電流（Ｉ）−電圧（Ｖ）特性を測定したとこ
ろ、抵抗率は３．５×１０13Ω・ｃｍであった。なお、
現像、リンス後のＳｉＯ2 からなる膜について電気特性
を測定したところ、抵抗率は１．２×１０12Ω・ｃｍで
あった。
でもあるヘキサメチルジシラザンガスの雰囲気が形成さ
れた真空オーブン中に基板を２００℃に加熱しながら１
５分間入れ、上記雰囲気に暴露した。このときのガス圧
は１１０Ｔｏｒｒであった。この操作により得られたＳ
ｉＯ2 膜の電流（Ｉ）−電圧（Ｖ）特性を測定したとこ
ろ、抵抗率は３．５×１０13Ω・ｃｍであった。なお、
現像、リンス後のＳｉＯ2 からなる膜について電気特性
を測定したところ、抵抗率は１．２×１０12Ω・ｃｍで
あった。
【００２６】以上のように上記実施例で形成されたＳｉ
Ｏ2 膜は、塩基性ガスを用いた処理を行わないものに比
較して抵抗率が上昇していることから、絶縁膜としての
電気特性の向上したものであることが確認された。これ
は、現像、リンス後も膜中に残存し、膜の電気特性に悪
影響を及ぼす酸が塩基性ガスによって中和され、かつシ
リル化剤を兼ねた酸発生剤により現像、リンス後の膜に
残っているシラノールがシリル化されたためである。な
お、この実施例においても、ＩＲスペクトルでは特定で
きないような微量のシラノールが膜中に残っていたと考
えられる。
Ｏ2 膜は、塩基性ガスを用いた処理を行わないものに比
較して抵抗率が上昇していることから、絶縁膜としての
電気特性の向上したものであることが確認された。これ
は、現像、リンス後も膜中に残存し、膜の電気特性に悪
影響を及ぼす酸が塩基性ガスによって中和され、かつシ
リル化剤を兼ねた酸発生剤により現像、リンス後の膜に
残っているシラノールがシリル化されたためである。な
お、この実施例においても、ＩＲスペクトルでは特定で
きないような微量のシラノールが膜中に残っていたと考
えられる。
【００２７】（実施例２）実施例１における塩基性ガス
をトリエチルアミンとした以外は、実施例１と同様にし
てＳｉＯ2 膜の形成を行った。この操作により、得られ
たＳｉＯ2 膜の電気特性を測定したところ、抵抗率は
４．２×１０12Ω・ｃｍであった。したがってこの実施
例によれば、現像、リンス後の膜に残存している酸が塩
基性ガスによって中和されて、絶縁膜としての電気特性
の向上したＳｉＯ2 膜が得られたことが確認された。
をトリエチルアミンとした以外は、実施例１と同様にし
てＳｉＯ2 膜の形成を行った。この操作により、得られ
たＳｉＯ2 膜の電気特性を測定したところ、抵抗率は
４．２×１０12Ω・ｃｍであった。したがってこの実施
例によれば、現像、リンス後の膜に残存している酸が塩
基性ガスによって中和されて、絶縁膜としての電気特性
の向上したＳｉＯ2 膜が得られたことが確認された。
【００２８】（実施例３）実施例１における露光を全面
露光とせず、マスクを用いて塗布膜を選択的に露光した
以外は実施例１と同様の操作を行い、ＳｉＯ2 からなる
ネガパターンを得た。得られたネガパターンは、実施例
１で形成されたＳｉＯ2 膜と同様の良好な電気特性を有
するものであり、したがってこの実施例によれば、絶縁
性の高いパターンを露光、加熱等の簡便な手段により形
成することができた。
露光とせず、マスクを用いて塗布膜を選択的に露光した
以外は実施例１と同様の操作を行い、ＳｉＯ2 からなる
ネガパターンを得た。得られたネガパターンは、実施例
１で形成されたＳｉＯ2 膜と同様の良好な電気特性を有
するものであり、したがってこの実施例によれば、絶縁
性の高いパターンを露光、加熱等の簡便な手段により形
成することができた。
【００２９】（実施例４）実施例１における露光を行わ
ずに、プリベーク後にホットプレート上にて基板を３０
０℃で加熱した以外は、実施例１と同様にしてＳｉＯ2
膜の形成を行った。この操作により、得られたＳｉＯ2
膜の電気特性を測定したところ、抵抗率は２．９×１０
12Ω・ｃｍであった。したがってこの実施例によって
も、実施例１と同様、絶縁膜としての電気特性の向上し
たＳｉＯ2 膜が得られたことが確認された。
ずに、プリベーク後にホットプレート上にて基板を３０
０℃で加熱した以外は、実施例１と同様にしてＳｉＯ2
膜の形成を行った。この操作により、得られたＳｉＯ2
膜の電気特性を測定したところ、抵抗率は２．９×１０
12Ω・ｃｍであった。したがってこの実施例によって
も、実施例１と同様、絶縁膜としての電気特性の向上し
たＳｉＯ2 膜が得られたことが確認された。
【００３０】（実施例５）実施例１における塩基性ガス
をヘプタメチルジシラザンとした以外は、実施例１と同
様にしてＳｉＯ2 膜の形成を行った。この操作により、
得られたＳｉＯ2 膜の電気特性を測定したところ、抵抗
率は１．４×１０13Ω・ｃｍであった。したがってこの
実施例によっても、実施例１と同様、絶縁膜としての電
気特性の向上したＳｉＯ2 膜が得られたことが確認され
た。
をヘプタメチルジシラザンとした以外は、実施例１と同
様にしてＳｉＯ2 膜の形成を行った。この操作により、
得られたＳｉＯ2 膜の電気特性を測定したところ、抵抗
率は１．４×１０13Ω・ｃｍであった。したがってこの
実施例によっても、実施例１と同様、絶縁膜としての電
気特性の向上したＳｉＯ2 膜が得られたことが確認され
た。
【００３１】（実施例６）実施例１における樹脂成分
を、前述の式〔３〕のｎを０または１とした構造を有す
るポリ（ｔ−ブトキシシロキサン）とした以外は実施例
と同様にしてＳｉＯ2 膜の形成を行った。この操作によ
り、得られたＳｉＯ2 膜の電気特性を測定したところ、
抵抗率は１．７×１０12Ω・ｃｍであった。したがって
この実施例によっても、実施例１と同様、絶縁膜として
の電気特性の向上したＳｉＯ2 膜が得られたことが確認
された。
を、前述の式〔３〕のｎを０または１とした構造を有す
るポリ（ｔ−ブトキシシロキサン）とした以外は実施例
と同様にしてＳｉＯ2 膜の形成を行った。この操作によ
り、得られたＳｉＯ2 膜の電気特性を測定したところ、
抵抗率は１．７×１０12Ω・ｃｍであった。したがって
この実施例によっても、実施例１と同様、絶縁膜として
の電気特性の向上したＳｉＯ2 膜が得られたことが確認
された。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の酸化シリコ
ン膜の形成方法では、ＳｉＯ4-n （ＯＲ）n なる構造を
含む樹脂と酸発生剤とを含有してなる組成物の膜を露光
した後加熱処理することにより、または露光を行うこと
なく加熱処理することにより酸化シリコンの膜を形成
し、この後、該膜を加熱しつつ塩基性ガス雰囲気中に暴
露するので、この膜中に残存し電気特性に悪影響を及ぼ
す酸を塩基性ガスによって中和することができる。した
がって、絶縁膜としての電気特性の良好な酸化シリコン
膜を形成することができる。
ン膜の形成方法では、ＳｉＯ4-n （ＯＲ）n なる構造を
含む樹脂と酸発生剤とを含有してなる組成物の膜を露光
した後加熱処理することにより、または露光を行うこと
なく加熱処理することにより酸化シリコンの膜を形成
し、この後、該膜を加熱しつつ塩基性ガス雰囲気中に暴
露するので、この膜中に残存し電気特性に悪影響を及ぼ
す酸を塩基性ガスによって中和することができる。した
がって、絶縁膜としての電気特性の良好な酸化シリコン
膜を形成することができる。
【００３３】本発明のパターン形成方法では、ＳｉＯ
4-n （ＯＲ）n なる構造を含む樹脂と酸発生剤とを含有
してなる組成物からなる膜を選択的に露光した後、加熱
処理、現像処理を行うことにより、酸化シリコンからな
るパターンの膜を得、その後、該膜を加熱しつつ塩基性
ガス雰囲気中に暴露するので、この膜中に残存し電気特
性に悪影響を及ぼす酸を塩基性ガスによって中和するこ
とができる。したがって、電気特性の良好な酸化シリコ
ンからなるパターンを形成することができる。
4-n （ＯＲ）n なる構造を含む樹脂と酸発生剤とを含有
してなる組成物からなる膜を選択的に露光した後、加熱
処理、現像処理を行うことにより、酸化シリコンからな
るパターンの膜を得、その後、該膜を加熱しつつ塩基性
ガス雰囲気中に暴露するので、この膜中に残存し電気特
性に悪影響を及ぼす酸を塩基性ガスによって中和するこ
とができる。したがって、電気特性の良好な酸化シリコ
ンからなるパターンを形成することができる。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の酸化シリコン膜の形
成方法を工程順に説明するための要部側断面図である。
成方法を工程順に説明するための要部側断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明のパターン形成方法を
工程順に説明するための要部側断面図である。
工程順に説明するための要部側断面図である。
１ 基体
２ 塗布膜
４ 加熱処理後の膜
５ 酸化シリコン膜
７ ネガパターンの膜
８ ネガパターン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｃ
21/312 21/30 ５０２Ｒ
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/312
H01L 21/316
H01L 21/027
C01B 33/12
C08G 77/18
C08L 83/06
G03F 7/075 511
Claims (2)
- 【請求項１】下記式で表される構造を含む樹脂と、露光
または加熱によって酸を発生する酸発生剤とを含有して
なる組成物を用いて、基体上に酸化シリコン膜を形成す
る方法であって、 【化１】 前記基体上に前記組成物からなる膜を形成する第１工程
と、該膜を露光処理した後加熱処理し、または前記膜を
加熱処理する第２工程と、該第２工程により形成された
膜を加熱しつつ塩基性のシリル化剤のガス雰囲気中に暴
露し、酸化シリコン膜を得る第３工程とを有することを
特徴とする酸化シリコン膜の形成方法。 - 【請求項２】下記式で表される構造を含む樹脂と、露光
または加熱によって酸を発生する酸発生剤とを含有して
なる組成物を用いて、基体上に酸化シリコンからなるパ
ターンを形成する方法であって、 【化２】 前記基体上に前記組成物からなる膜を形成する第１工程
と、該膜を選択的に露光し、続いてこの露光後の膜に加
熱処理、現像処理を順次行って所定パターンに形成する
第２工程と、該所定パターンの膜を加熱しつつ塩基性の
シリル化剤のガス雰囲気中に暴露し、酸化シリコンから
なるパターンを得る第３工程とを有することを特徴とす
るパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15731695A JP3483353B2 (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 酸化シリコン膜の形成方法およびパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15731695A JP3483353B2 (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 酸化シリコン膜の形成方法およびパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098024A JPH098024A (ja) | 1997-01-10 |
| JP3483353B2 true JP3483353B2 (ja) | 2004-01-06 |
Family
ID=15647031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15731695A Expired - Fee Related JP3483353B2 (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 酸化シリコン膜の形成方法およびパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3483353B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001288364A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-16 | Jsr Corp | 放射線硬化性組成物およびそれを用いた光導波路ならびに光導波路の製造方法 |
-
1995
- 1995-06-23 JP JP15731695A patent/JP3483353B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH098024A (ja) | 1997-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0049127B1 (en) | Patterning process and process for production of electronic devices utilizing said patterning process | |
| JP2997124B2 (ja) | ハイドロゲンシルセスキオキサン樹脂からの光画描可能な皮膜 | |
| EP0163538A2 (en) | Pattern-forming material and its production and use | |
| JPH08179519A (ja) | 乾式マイクロリソグラフィ処理方法 | |
| US5366852A (en) | Methods for treating photoresists | |
| JP4024898B2 (ja) | 珪素組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法 | |
| JPH0822945A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3483353B2 (ja) | 酸化シリコン膜の形成方法およびパターン形成方法 | |
| JPS61218133A (ja) | 半導体デバイスのパタ−ン形成方法 | |
| JP2901044B2 (ja) | 三層レジスト法によるパターン形成方法 | |
| JPH0883786A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000031118A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2000010289A (ja) | パターン形成方法および感光性組成物 | |
| JP4836363B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP2705646B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPH11258803A (ja) | パターン形成材料及びパターン形成方法 | |
| JP2641644B2 (ja) | 多層レジスト法用積層材料の製造方法 | |
| JPH1184683A (ja) | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3132885B2 (ja) | レジスト組成物及びそれを用いるパターン形成方法 | |
| JP2643879B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP3633987B2 (ja) | 放射線感応性樹脂組成物及び酸化シリコン膜形成方法 | |
| JPH05267158A (ja) | 三層レジスト法によるパターン形成方法 | |
| JP3563138B2 (ja) | 感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法 | |
| JPH0792694A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH07152156A (ja) | 樹脂組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030930 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081017 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |