JP3486859B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JP3486859B2 JP3486859B2 JP21489696A JP21489696A JP3486859B2 JP 3486859 B2 JP3486859 B2 JP 3486859B2 JP 21489696 A JP21489696 A JP 21489696A JP 21489696 A JP21489696 A JP 21489696A JP 3486859 B2 JP3486859 B2 JP 3486859B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- common electrode
- electrode
- video signal
- scanning signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 138
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 75
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 54
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008486 TiSix Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、広視野角・高画質の大
画面アクティブマトリックス型液晶表示装置に関する。
画面アクティブマトリックス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のアクティブマトリックス型液晶表
示装置の一方の基板上に形成した櫛歯状電極対を用いて
液晶組成物層に電界を印加する方式が、例えば、特開平
７−３６０５８号や特開平７−１５９７８６号公報によ
り提案されている。以下液晶組成物層に印加する主たる
電界方向が、基板界面にほぼ平行な方向である表示方式
を横電界方式と称する。図１と図２が従来の横電界方式
の例である。共通電極と走査信号配線は同じ層に形
成されている。さらに映像信号配線と液晶駆動電極
も同じ層に形成されている。共通電極と液晶駆動電極
とは、異なる層に分離形成されているが、直線状で平
行櫛歯状に配置されている。走査信号配線と映像信号
配線も同様に直線状平行配置で形成されている。共通
電極と映像信号配線とは、重ならないように配置さ
れている。付加容量は、共通電極と、液晶駆動電極
とを、絶縁膜を介して互いに重畳させることで形成して
いる。画素面積の半分ちかくをしめる共通電極と液晶
駆動電極の表面に関しては、使用している金属材料そ
のままか、ショートをふせぐための自己酸化膜か、自己
窒化膜で被覆している。
示装置の一方の基板上に形成した櫛歯状電極対を用いて
液晶組成物層に電界を印加する方式が、例えば、特開平
７−３６０５８号や特開平７−１５９７８６号公報によ
り提案されている。以下液晶組成物層に印加する主たる
電界方向が、基板界面にほぼ平行な方向である表示方式
を横電界方式と称する。図１と図２が従来の横電界方式
の例である。共通電極と走査信号配線は同じ層に形
成されている。さらに映像信号配線と液晶駆動電極
も同じ層に形成されている。共通電極と液晶駆動電極
とは、異なる層に分離形成されているが、直線状で平
行櫛歯状に配置されている。走査信号配線と映像信号
配線も同様に直線状平行配置で形成されている。共通
電極と映像信号配線とは、重ならないように配置さ
れている。付加容量は、共通電極と、液晶駆動電極
とを、絶縁膜を介して互いに重畳させることで形成して
いる。画素面積の半分ちかくをしめる共通電極と液晶
駆動電極の表面に関しては、使用している金属材料そ
のままか、ショートをふせぐための自己酸化膜か、自己
窒化膜で被覆している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術で横電
界方式の液晶表示装置を作る場合、走査信号配線と共
通電極が同じ層に形成されているために、ショートす
る確率が高い。同様に映像信号配線と液晶駆動電極
も同じ層に形成されているのでショートする確率が高
い。前者の場合には、水平ライン欠陥となり、後者は点
欠陥となって画像品位をいちじるしく低下させる。この
ために従来の構造では歩留りが低く生産コストが高くな
る問題があった。
界方式の液晶表示装置を作る場合、走査信号配線と共
通電極が同じ層に形成されているために、ショートす
る確率が高い。同様に映像信号配線と液晶駆動電極
も同じ層に形成されているのでショートする確率が高
い。前者の場合には、水平ライン欠陥となり、後者は点
欠陥となって画像品位をいちじるしく低下させる。この
ために従来の構造では歩留りが低く生産コストが高くな
る問題があった。
【０００４】横電界方式では、付加容量を形成しない
と、液晶駆動電極の容量が非常に小さくなるためにＴＦ
Ｔのリーク電流の画面全体の不均一性がムラとなって見
えやすい。そのために、従来技術では共通電極と液晶
駆動電極とを異なる層に絶縁膜を介して分離形成し、
互いに重畳させることで形成しているが、大きな付加容
量を形成しようとした場合有効画面を縮少して重畳部分
の面積を拡大する方法しかなく光の透過率が悪い原因と
なっていた。
と、液晶駆動電極の容量が非常に小さくなるためにＴＦ
Ｔのリーク電流の画面全体の不均一性がムラとなって見
えやすい。そのために、従来技術では共通電極と液晶
駆動電極とを異なる層に絶縁膜を介して分離形成し、
互いに重畳させることで形成しているが、大きな付加容
量を形成しようとした場合有効画面を縮少して重畳部分
の面積を拡大する方法しかなく光の透過率が悪い原因と
なっていた。
【０００５】図２にあるように共通電極と液晶駆動電
極が直線状で平行櫛歯状に配置されている従来型の横
電界方式では、図２４にあるように、配向膜と液晶
のプレチルト角が視野角に大きな影響を与えることが知
られている。このため従来のＴＮ液晶を用いたＴＦＴで
使用されていたプレチルト３°〜８°の液晶と配向膜は
使用することができず、ひとつの製造ラインでＴＮ方式
と横電界方式を生産する場合、配向膜と液晶を交換しな
けれがならず、生産効率が、いちじるしく低下する問題
があった。
極が直線状で平行櫛歯状に配置されている従来型の横
電界方式では、図２４にあるように、配向膜と液晶
のプレチルト角が視野角に大きな影響を与えることが知
られている。このため従来のＴＮ液晶を用いたＴＦＴで
使用されていたプレチルト３°〜８°の液晶と配向膜は
使用することができず、ひとつの製造ラインでＴＮ方式
と横電界方式を生産する場合、配向膜と液晶を交換しな
けれがならず、生産効率が、いちじるしく低下する問題
があった。
【０００６】横電界方式では、開口率が低く、うまく設
計しても高々５０％程度である。有効画面の半分ちかく
が共通電極と液晶駆動電極とでしめられており、従
来の技術では、これらの電極の表面に反射防止の膜を形
成していないため、外部からカラーフィルターを通過し
て液晶層に侵入してきた光は、共通電極と液晶駆動電
極で反射され再度カラーフィルターを通過して外部に
出ていく。このため黒レベルが灰色側にうきあがるため
に、画面全体の黒レベルが従来のＴＮ液晶方式よりも悪
るいという問題があった。
計しても高々５０％程度である。有効画面の半分ちかく
が共通電極と液晶駆動電極とでしめられており、従
来の技術では、これらの電極の表面に反射防止の膜を形
成していないため、外部からカラーフィルターを通過し
て液晶層に侵入してきた光は、共通電極と液晶駆動電
極で反射され再度カラーフィルターを通過して外部に
出ていく。このため黒レベルが灰色側にうきあがるため
に、画面全体の黒レベルが従来のＴＮ液晶方式よりも悪
るいという問題があった。
【０００７】本発明は、上記の問題を解決するものであ
り、その目的は、より製造歩留りが高く、かつ開口率を
大きくでき、コントラストの高い大画面高精細アクティ
ブマトリックス型液晶表示装置をコスト安く提供するこ
とにある。
り、その目的は、より製造歩留りが高く、かつ開口率を
大きくでき、コントラストの高い大画面高精細アクティ
ブマトリックス型液晶表示装置をコスト安く提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記の課題
を解決するために以下のような手段を採用します。
を解決するために以下のような手段を採用します。
【０００９】基板上に走査信号配線と映像信号配線と前
記走査信号配線と映像信号配線との各交差部に形成され
た薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスタに接続
された液晶駆動電極と、少なくとも一部が、前記液晶駆
動電極と対向して形成された共通電極とを有するアクテ
ィブマトリックス基板と前記対向期板に狭持された液晶
層とからなる液晶表示装置において、〔手段１〕前記走
査信号配線と前記映像信号配線と、前記共通電極と前記
液晶駆動電極とが、それぞれ絶縁膜を介して互いに異な
った層に形成分離した。
記走査信号配線と映像信号配線との各交差部に形成され
た薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスタに接続
された液晶駆動電極と、少なくとも一部が、前記液晶駆
動電極と対向して形成された共通電極とを有するアクテ
ィブマトリックス基板と前記対向期板に狭持された液晶
層とからなる液晶表示装置において、〔手段１〕前記走
査信号配線と前記映像信号配線と、前記共通電極と前記
液晶駆動電極とが、それぞれ絶縁膜を介して互いに異な
った層に形成分離した。
【００１０】〔手段２〕手段１において、前記映像信号
配線と前記共通電極少なくとも一部、または、前記走査
信号配線と前記共通電極の少なくとも一部を絶縁膜を介
して互いに重畳させた。
配線と前記共通電極少なくとも一部、または、前記走査
信号配線と前記共通電極の少なくとも一部を絶縁膜を介
して互いに重畳させた。
【００１１】〔手段３〕手段１において、前記液晶駆動
電極と前記走査信号配線ならびに前記共通電極の少なく
とも一部を絶縁膜を介して互いに重畳させ、その重畳部
をもって付加容量を形成した。
電極と前記走査信号配線ならびに前記共通電極の少なく
とも一部を絶縁膜を介して互いに重畳させ、その重畳部
をもって付加容量を形成した。
【００１２】〔手段４〕手段１において、正の誘電率異
方性液晶（Ｐ型ＬＣ）を用いる場合、前記映像信号配線
と画素電極（液晶駆動電極と液晶駆動電極に対向してい
る共通電極の一部）とが液晶配向方向に対し、±１度〜
±４５度の範囲で屈曲している構造配置にした。
方性液晶（Ｐ型ＬＣ）を用いる場合、前記映像信号配線
と画素電極（液晶駆動電極と液晶駆動電極に対向してい
る共通電極の一部）とが液晶配向方向に対し、±１度〜
±４５度の範囲で屈曲している構造配置にした。
【００１３】〔手段５〕手段１において、正の誘電率異
方性液晶（Ｐ型ＬＣ）を用いる場合、前記走査信号配線
と画素電極とが、液晶配向方向に対して、±１度〜±４
５度の範囲で屈曲している構造配置にした。
方性液晶（Ｐ型ＬＣ）を用いる場合、前記走査信号配線
と画素電極とが、液晶配向方向に対して、±１度〜±４
５度の範囲で屈曲している構造配置にした。
【００１４】〔手段６〕手段１において、負の誘電率異
方性液晶（Ｎ型ＬＣ）を用いる場合、前記映像信号配線
と画素電極とが、液晶配向方向に対して、９０度をのぞ
く４５度〜１３５度の範囲で屈曲している構造配置にし
た。
方性液晶（Ｎ型ＬＣ）を用いる場合、前記映像信号配線
と画素電極とが、液晶配向方向に対して、９０度をのぞ
く４５度〜１３５度の範囲で屈曲している構造配置にし
た。
【００１５】〔手段７〕手段１において、負の誘電率異
方性液晶（Ｎ型ＬＣ）を用いる場合、前記走査信号配線
と画素電極とが、液晶配向方向に対して、９０度をのぞ
く４５度〜１３５度の範囲で屈曲している構造配置にし
た。
方性液晶（Ｎ型ＬＣ）を用いる場合、前記走査信号配線
と画素電極とが、液晶配向方向に対して、９０度をのぞ
く４５度〜１３５度の範囲で屈曲している構造配置にし
た。
【００１６】〔手段８〕前記液晶駆動電極と、共通電極
の両方、または、すくなくとも一方の電極表面に光の反
射防止膜層を形成した。
の両方、または、すくなくとも一方の電極表面に光の反
射防止膜層を形成した。
【００１７】
【作用】上記手段１の如く、走査信号配線と映像信号配
線と共通電極と、液晶駆動電極とが、それぞれ絶縁膜を
介して互いに異なった層に存在するために、走査信号配
線と共通電極の短絡発生確率が小さくなり水平ライン欠
陥を低減可能となる。映像信号配線と液晶駆動電極の短
絡も発生確率が小さくなり点欠陥が低減する。
線と共通電極と、液晶駆動電極とが、それぞれ絶縁膜を
介して互いに異なった層に存在するために、走査信号配
線と共通電極の短絡発生確率が小さくなり水平ライン欠
陥を低減可能となる。映像信号配線と液晶駆動電極の短
絡も発生確率が小さくなり点欠陥が低減する。
【００１８】上記手段２と上記手段３により、共通電極
の一部と映像信号配線ならびに走査信号配線とが絶縁膜
を介して互いに重畳させることができるので、画素開口
率を大きく出来る。また液晶駆動電極と走査信号配線な
らびに共通電極の少なくとも一部を絶縁膜を介して互い
に重畳させて形成した付加量を大きくできるので、ＴＦ
Ｔのオフ抵抗の低下による画質の低下を防止できる。ま
たこの大きな付加量が走査信号線による液晶駆動電圧の
変動を低減する効果があるので、残像の発生を防止でき
る。
の一部と映像信号配線ならびに走査信号配線とが絶縁膜
を介して互いに重畳させることができるので、画素開口
率を大きく出来る。また液晶駆動電極と走査信号配線な
らびに共通電極の少なくとも一部を絶縁膜を介して互い
に重畳させて形成した付加量を大きくできるので、ＴＦ
Ｔのオフ抵抗の低下による画質の低下を防止できる。ま
たこの大きな付加量が走査信号線による液晶駆動電圧の
変動を低減する効果があるので、残像の発生を防止でき
る。
【００１９】上記手段４〜上記手段７により図１７，図
１８にあるように、画素電極（液晶駆動電極と共通電
極）内で、横電界が印加された場合、液晶分子は、画素
電極内部で、左回転と右回転の２通りの回転運動が発生
する。図２３にあるように一方向の回転運動だけでは、
プレチルト角が大きい場合図２４のように、視野角の特
性により片よりが発生する。ひとつの画素電極内部で左
回転と右回転の２通りの液晶分子の回転運動が発生する
場合には、プレチルト角が大きくても視野角の特性の片
よりが発生しない。このことから本発明の構造を用いた
液晶表示装置では、プレチルト角の制限をうけずに、配
向膜と、液晶の選択の自由度が大きくなる。残像や応答
速度の改善がやりやすくなり、従来の配向膜や液晶を使
用することも可能となるので、生産効率を上げることが
可能となる。偏光板の有効利用率もあがるので、コスト
ｄｏｗｎができる。
１８にあるように、画素電極（液晶駆動電極と共通電
極）内で、横電界が印加された場合、液晶分子は、画素
電極内部で、左回転と右回転の２通りの回転運動が発生
する。図２３にあるように一方向の回転運動だけでは、
プレチルト角が大きい場合図２４のように、視野角の特
性により片よりが発生する。ひとつの画素電極内部で左
回転と右回転の２通りの液晶分子の回転運動が発生する
場合には、プレチルト角が大きくても視野角の特性の片
よりが発生しない。このことから本発明の構造を用いた
液晶表示装置では、プレチルト角の制限をうけずに、配
向膜と、液晶の選択の自由度が大きくなる。残像や応答
速度の改善がやりやすくなり、従来の配向膜や液晶を使
用することも可能となるので、生産効率を上げることが
可能となる。偏光板の有効利用率もあがるので、コスト
ｄｏｗｎができる。
【００２０】上記手段８により、外部からカラーフィル
ターを通過して液晶層に侵入してきた光は、図２２にあ
るように共通電極や液晶駆動電極の上層に形成され
た反射防止膜によって、反射されなくなるので黒レベル
が改善されコントラストが高くなる。見やすい高品質の
画像が得られる。
ターを通過して液晶層に侵入してきた光は、図２２にあ
るように共通電極や液晶駆動電極の上層に形成され
た反射防止膜によって、反射されなくなるので黒レベル
が改善されコントラストが高くなる。見やすい高品質の
画像が得られる。
【００２１】上記手段１，２，３より、有効画素以外か
らのバックライト光の光もれがすくなくなるので、カラ
ーフィルターのＢＭ（ブラックマスク）領域を小さくす
ることが可能となる。さらに図３７，３８，３９，４
０，４１，４２にあるように、共通電極の１部、または
液晶駆動電極の１部によってＴＦＴの部分を完全におお
うことで、ＴＦＴの半導体活性層に直接外部からの光が
あたらなくなる。これによりＴＦＴのオフ時のホトリー
ク電流が激減する。従来どうしても必要とされたカラー
フィルターのＢＭ（ブラックマスク）が必要なくなり、
カラーフィルターの製造プロセスを短縮化でき、歩留り
をあげられるのでコストをさげることができる。
らのバックライト光の光もれがすくなくなるので、カラ
ーフィルターのＢＭ（ブラックマスク）領域を小さくす
ることが可能となる。さらに図３７，３８，３９，４
０，４１，４２にあるように、共通電極の１部、または
液晶駆動電極の１部によってＴＦＴの部分を完全におお
うことで、ＴＦＴの半導体活性層に直接外部からの光が
あたらなくなる。これによりＴＦＴのオフ時のホトリー
ク電流が激減する。従来どうしても必要とされたカラー
フィルターのＢＭ（ブラックマスク）が必要なくなり、
カラーフィルターの製造プロセスを短縮化でき、歩留り
をあげられるのでコストをさげることができる。
【００２２】
【実施例】〔実施例１〕図３，図４，図５，図３１，図
３５，図３６，図３７，図３８は、本発明の第１部類の
実施例の単位画素の断面及び平面図である。ガラス基板
▲１０▼上に、共通電極（コモン電極）を形成し、こ
れを覆うように窒化シリコン（ＳｉＮ）膜や酸化シリコ
ン（ＳｉＯ２）膜などからなる下地絶縁膜▲１４▼を形
成した。次に走査信号配線（ゲート電極）を形成し
た。走査信号配線は、Ａｌなどの陽極酸化処理可能な金
属が良いが、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗ，Ｔａなどの純金属
や合金でも良い。電気抵抗値の低い金属を用い、二層、
三層にかさね合せた複合金属でも良い。走査信号配線
の上にゲート絶縁膜を形成してから非晶質シリコン
（ａ−ｓｉ）膜を形成し、トランジスタの能動層とす
る。非晶質シリコンの一部に重畳するように映像信号配
線とドレイン電極を形成する。これらすべてを被覆
するようにＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜を形成する。
次にドレイン電極の上のＳｉＮにスルーホール▲１５
▼を形成する。液晶駆動電極を形成し、スルーホール
▲１５▼を介してドレイン電極と電気的に連結され
る。以上よりなる単位画素をマトリックス状に配置した
アクティブマトリックス基板の表面にポリイミドよりな
る配向膜を形成し、表面にラビング処理を施した。同
じく表面にラビング処理を施した配向膜を表面に形成
した対向基板▲１１▼と前記アクティブマトリックス基
板の間に棒状の液晶分子を含む液晶組成物を封入し、
二枚の基板の外表面に偏光板▲１２▼，▲１３▼を配置
した。
３５，図３６，図３７，図３８は、本発明の第１部類の
実施例の単位画素の断面及び平面図である。ガラス基板
▲１０▼上に、共通電極（コモン電極）を形成し、こ
れを覆うように窒化シリコン（ＳｉＮ）膜や酸化シリコ
ン（ＳｉＯ２）膜などからなる下地絶縁膜▲１４▼を形
成した。次に走査信号配線（ゲート電極）を形成し
た。走査信号配線は、Ａｌなどの陽極酸化処理可能な金
属が良いが、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗ，Ｔａなどの純金属
や合金でも良い。電気抵抗値の低い金属を用い、二層、
三層にかさね合せた複合金属でも良い。走査信号配線
の上にゲート絶縁膜を形成してから非晶質シリコン
（ａ−ｓｉ）膜を形成し、トランジスタの能動層とす
る。非晶質シリコンの一部に重畳するように映像信号配
線とドレイン電極を形成する。これらすべてを被覆
するようにＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜を形成する。
次にドレイン電極の上のＳｉＮにスルーホール▲１５
▼を形成する。液晶駆動電極を形成し、スルーホール
▲１５▼を介してドレイン電極と電気的に連結され
る。以上よりなる単位画素をマトリックス状に配置した
アクティブマトリックス基板の表面にポリイミドよりな
る配向膜を形成し、表面にラビング処理を施した。同
じく表面にラビング処理を施した配向膜を表面に形成
した対向基板▲１１▼と前記アクティブマトリックス基
板の間に棒状の液晶分子を含む液晶組成物を封入し、
二枚の基板の外表面に偏光板▲１２▼，▲１３▼を配置
した。
【００２３】配向膜，は、ラビング処理の必要な
い、光重合型耐熱性高分子を直線偏光光線を用いて光重
合反応をおこさせて液晶配向性をもたせた膜でもよい。
光重合型耐熱性高分子配向膜による配向では、プレチル
ト角が発生しにくいが、横電界方式の液晶表示モードで
はプレチルト角が小さい方が視角特性が良いので、横電
界方式表示モードでは光重合型耐熱性高分子配向膜も使
用できる。液晶分子は、無電界時には図２３にあるよ
うに、ストライプ状の液晶駆動電極および共通電極
の長手方向に対して若干の角度（１度〜４５度）を持つ
ように配向されている。尚、上下基板との界面での液晶
分子の配向は、互いに平行とした。また液晶分子の誘電
率異方性は、正である。負の誘電率異方性の液晶分子を
用いる場合には、液晶の配向方向の軸と画素電極，
の交差角を４５度〜８９度の範囲で設定すれば良い。
い、光重合型耐熱性高分子を直線偏光光線を用いて光重
合反応をおこさせて液晶配向性をもたせた膜でもよい。
光重合型耐熱性高分子配向膜による配向では、プレチル
ト角が発生しにくいが、横電界方式の液晶表示モードで
はプレチルト角が小さい方が視角特性が良いので、横電
界方式表示モードでは光重合型耐熱性高分子配向膜も使
用できる。液晶分子は、無電界時には図２３にあるよ
うに、ストライプ状の液晶駆動電極および共通電極
の長手方向に対して若干の角度（１度〜４５度）を持つ
ように配向されている。尚、上下基板との界面での液晶
分子の配向は、互いに平行とした。また液晶分子の誘電
率異方性は、正である。負の誘電率異方性の液晶分子を
用いる場合には、液晶の配向方向の軸と画素電極，
の交差角を４５度〜８９度の範囲で設定すれば良い。
【００２４】さらに本実施例では、図３にあるように共
通電極と液晶駆動電極を絶縁膜▲１４▼，，を
介して絶縁分離してあるので、図４のように重畳させる
ことが可能であり、この重畳部は付加容量として作用さ
せることができる。さらに図５にあるように、液晶駆動
電極を共通電極だけでなく走査信号配線に重畳させる
ことが可能である。これにより付加容量を開口率を低下
させることなく大きくすることができる。さらに図３
７，図３８にあるように、ＴＦＴの非晶質能動層を全
面おおうように液晶駆動電極を形成することもできる。
図３１，図３５，図３６にあるように共通電極の一部
を走査信号配線や映像信号配線と重畳させることで
有効画素以外からの光のもれを激減させることができ
る。
通電極と液晶駆動電極を絶縁膜▲１４▼，，を
介して絶縁分離してあるので、図４のように重畳させる
ことが可能であり、この重畳部は付加容量として作用さ
せることができる。さらに図５にあるように、液晶駆動
電極を共通電極だけでなく走査信号配線に重畳させる
ことが可能である。これにより付加容量を開口率を低下
させることなく大きくすることができる。さらに図３
７，図３８にあるように、ＴＦＴの非晶質能動層を全
面おおうように液晶駆動電極を形成することもできる。
図３１，図３５，図３６にあるように共通電極の一部
を走査信号配線や映像信号配線と重畳させることで
有効画素以外からの光のもれを激減させることができ
る。
【００２５】〔実施例２〕図６，図７，図８，図９，図
１０は、本発明の第２分類の実施例の単位画素の断面及
び平面図である。ガラス基板▲１０▼の上に、走査信号
配線（ゲート電極）を形成し、陽極酸化処理をする。
陽極酸化可能な金属はＡｌ，Ｔａ，Ｎｂなどである。こ
れらの金属の合金でもよいし、積層構造のゲート電極で
もよい。次に共通電極（コモン電極）を形成し、これ
を覆うゲート絶縁膜を形成する。これ以後は実施例１
と同じである。本発明では走査信号配線（ゲート電極）
の陽極酸化膜が走査信号配線と共通電極との完全絶
縁分離作用を持つ。これにより走査信号配線と共通電
極のシートが完全に防止できる。実施例１にあるよう
に共通電極の一部と映像信号配線を重畳させることも
可能である。さらに、液晶駆動電極の一部を用いてＴＦ
Ｔの能動層を完全におおうことも可能である。
１０は、本発明の第２分類の実施例の単位画素の断面及
び平面図である。ガラス基板▲１０▼の上に、走査信号
配線（ゲート電極）を形成し、陽極酸化処理をする。
陽極酸化可能な金属はＡｌ，Ｔａ，Ｎｂなどである。こ
れらの金属の合金でもよいし、積層構造のゲート電極で
もよい。次に共通電極（コモン電極）を形成し、これ
を覆うゲート絶縁膜を形成する。これ以後は実施例１
と同じである。本発明では走査信号配線（ゲート電極）
の陽極酸化膜が走査信号配線と共通電極との完全絶
縁分離作用を持つ。これにより走査信号配線と共通電
極のシートが完全に防止できる。実施例１にあるよう
に共通電極の一部と映像信号配線を重畳させることも
可能である。さらに、液晶駆動電極の一部を用いてＴＦ
Ｔの能動層を完全におおうことも可能である。
【００２６】〔実施例３〕図１１，図１２，図１３は、
本発明の第３部類の実施例の単位画素の断面及び平面図
である。ガラス基板▲１０▼の上に走査信号配線と共
通電極中央線▲１８▼を同時に、同一層に形成する。次
に共通電極中央線▲１８▼と画素電極▲２０▼とがコン
タクトスルーホール部分▲１９▼で電気的に結合できる
ように、処理した後、走査信号配線と共通電極中央線
▲１８▼を陽極酸化処理する。陽極酸化可能な金属は、
Ａｌ，Ｔａ，Ｎｂなどである。これらの金属の合金でも
よいし、積層構造のゲート電極でもよい。次に画素電極
２０を形成し、これらを覆うゲート絶縁膜を形成す
る。これ以後は実施例１と同じである。本発明では、走
査信号配線（ゲート電極）の陽極酸化膜が、走査信号配
線と、共通電極の一部である画素電極▲２０▼との完
全絶縁分離作用を持つ。走査信号配線と、共通電極中
央線▲１８▼との距離は一般的に非常に大きく、同じ層
に形成してもほとんどショートすることはない。実施例
１にあるように共通電極画素電極▲２０▼の一部と、映
像信号配線を重畳させることも、可能である。さらに液
晶駆動電極の一部を用いてＴＦＴの能動層を完全にお
おうことも、可能である。
本発明の第３部類の実施例の単位画素の断面及び平面図
である。ガラス基板▲１０▼の上に走査信号配線と共
通電極中央線▲１８▼を同時に、同一層に形成する。次
に共通電極中央線▲１８▼と画素電極▲２０▼とがコン
タクトスルーホール部分▲１９▼で電気的に結合できる
ように、処理した後、走査信号配線と共通電極中央線
▲１８▼を陽極酸化処理する。陽極酸化可能な金属は、
Ａｌ，Ｔａ，Ｎｂなどである。これらの金属の合金でも
よいし、積層構造のゲート電極でもよい。次に画素電極
２０を形成し、これらを覆うゲート絶縁膜を形成す
る。これ以後は実施例１と同じである。本発明では、走
査信号配線（ゲート電極）の陽極酸化膜が、走査信号配
線と、共通電極の一部である画素電極▲２０▼との完
全絶縁分離作用を持つ。走査信号配線と、共通電極中
央線▲１８▼との距離は一般的に非常に大きく、同じ層
に形成してもほとんどショートすることはない。実施例
１にあるように共通電極画素電極▲２０▼の一部と、映
像信号配線を重畳させることも、可能である。さらに液
晶駆動電極の一部を用いてＴＦＴの能動層を完全にお
おうことも、可能である。
【００２７】〔実施例４〕図１４，図１５，図１６，図
３２，図３３，図３４，図３９，図４０，図４１，図４
２，図４３，図４４は、本発明の第４部類の実施例の単
位画素の断面及び平面図である。ガラス基板▲１０▼上
に、走査信号配線（ゲート電極）を形成し、これを覆
うようにゲート絶縁膜を形成してから、非晶質シリコ
ン（ａ−ｓｉ）膜を形成し、トランジスタの能動層と
する。次に、映像信号配線と、ドレイン電極を形成
する。これらすべてを被覆するようにＳｉＮ膜やＳｉＯ
２膜よりなる保護絶縁膜を形成する。次にドレイン電
極の上にスルーホールを形成する。液晶駆動電極
を形成し、スルーホールを介してドレイン電極と電
気的に連結される。次に上層絶縁膜を形成してからその
上に共通電極を形成する。以上よりなる単位画素をマ
トリックス状に配置したアクティブマトリックス基板の
表面に、配向膜を形成し、表面にラビング処理を施し
た。本実施例では、図１４にあるように、共通電極と
液晶駆動電極を絶縁膜▲２１▼を介して絶縁分離して
あるので、図１５のように重畳させることが可能であ
り、この重畳部は、付加容量として作用させることがで
きる。さらに図１６にあるように液晶駆動電極を共通電
極だけでなく、走査信号配線に重畳させることが可能
である。これにより付加容量を開口率を低下させること
なく大きくすることができる。次に、図３９，図４０，
図４１，図４２にあるようにＴＦＴの非晶質能動層を
全面おおうように、液晶駆動電極や、共通電極を形成す
ることもできる。図３２，図３３，図３４，にあるよう
に、共通電極の一部を走査信号配線や映像信号配線
と重畳させることで有効画素以外からの光のもれを激
減させることができる。これによりブラックマスク（Ｂ
Ｍ）の必要ないカラーフィルターを用いることができ
る。
３２，図３３，図３４，図３９，図４０，図４１，図４
２，図４３，図４４は、本発明の第４部類の実施例の単
位画素の断面及び平面図である。ガラス基板▲１０▼上
に、走査信号配線（ゲート電極）を形成し、これを覆
うようにゲート絶縁膜を形成してから、非晶質シリコ
ン（ａ−ｓｉ）膜を形成し、トランジスタの能動層と
する。次に、映像信号配線と、ドレイン電極を形成
する。これらすべてを被覆するようにＳｉＮ膜やＳｉＯ
２膜よりなる保護絶縁膜を形成する。次にドレイン電
極の上にスルーホールを形成する。液晶駆動電極
を形成し、スルーホールを介してドレイン電極と電
気的に連結される。次に上層絶縁膜を形成してからその
上に共通電極を形成する。以上よりなる単位画素をマ
トリックス状に配置したアクティブマトリックス基板の
表面に、配向膜を形成し、表面にラビング処理を施し
た。本実施例では、図１４にあるように、共通電極と
液晶駆動電極を絶縁膜▲２１▼を介して絶縁分離して
あるので、図１５のように重畳させることが可能であ
り、この重畳部は、付加容量として作用させることがで
きる。さらに図１６にあるように液晶駆動電極を共通電
極だけでなく、走査信号配線に重畳させることが可能
である。これにより付加容量を開口率を低下させること
なく大きくすることができる。次に、図３９，図４０，
図４１，図４２にあるようにＴＦＴの非晶質能動層を
全面おおうように、液晶駆動電極や、共通電極を形成す
ることもできる。図３２，図３３，図３４，にあるよう
に、共通電極の一部を走査信号配線や映像信号配線
と重畳させることで有効画素以外からの光のもれを激
減させることができる。これによりブラックマスク（Ｂ
Ｍ）の必要ないカラーフィルターを用いることができ
る。
【００２８】さらに本実施例では、図４３，図４４にあ
るように有効画素内の液晶駆動電極の上に形成された
上層絶縁膜をとりのぞいて、オープンウィンドウを形
成することができる。これにより、液晶駆動電極と共
通電極の表面に直接配向膜を形成できる。液晶は交流
駆動が基本であり、直流成分のバイアス電圧が印加され
た場合、配向膜が分極したり、配向膜と絶縁膜の界面に
チャージがトラップされたりして残像現象が発生する。
本実施例のように両方の電極が配向膜と直接接している
場合、チャージのトラップが少なく残像は発生しにくく
なる。実施例１，２，３においても、図４３，図４４に
おいて形成されたオープンウィンドウを形成すること
は可能である。
るように有効画素内の液晶駆動電極の上に形成された
上層絶縁膜をとりのぞいて、オープンウィンドウを形
成することができる。これにより、液晶駆動電極と共
通電極の表面に直接配向膜を形成できる。液晶は交流
駆動が基本であり、直流成分のバイアス電圧が印加され
た場合、配向膜が分極したり、配向膜と絶縁膜の界面に
チャージがトラップされたりして残像現象が発生する。
本実施例のように両方の電極が配向膜と直接接している
場合、チャージのトラップが少なく残像は発生しにくく
なる。実施例１，２，３においても、図４３，図４４に
おいて形成されたオープンウィンドウを形成すること
は可能である。
【００２９】〔実施例５〕図１７，図１９，図２０，図
２１，図２５，図２６，図２７，図２８，図２９，図３
０は、第５部類の動作原理と、実施例の平面図である。
液晶分子の誘電率異方性は、正である。画素内部の共通
電極と液晶駆動電極、液晶分子の配向軸（光学軸）
に対して±１度〜±４５度の範囲で屈曲している。こ
のような構造になっている場合、図１７にあるように共
通電極と液晶駆動電極に電圧が印加され電極間に電
界が発生した時に、液晶分子は屈曲部を境にして左回転
と右回転の２通りの回転運動をする。単位画素内部で２
通りの回転運動が可能になる点が視角特性の改善に非常
な効果をもたらすのである。図１９，図２０，図２１は
単位画素の平面図である。画素電極の屈曲にあわせて、
映像信号配線や走査信号配線が屈曲しているのだ特
徴である。図２５，図２６，図２７図２８は、カラーフ
ィルターの色の混色を良くするためにデルタ配置に画素
を配列した場合の共通電極と液晶駆動電極と走査信
号配線と映像信号配線の配列位置に関する平面図で
ある。このデルタ配列は、おもにＡＶ用に使用されるも
のである。図２９，図３０は、ストライプ配列に画素を
配置した場合の共通電極と液晶駆動電極と、走査信
号配線と映像信号配線の配列関係の平面図である。
このストライプ配列は、おもにＯＡ用に使用されるもの
である。
２１，図２５，図２６，図２７，図２８，図２９，図３
０は、第５部類の動作原理と、実施例の平面図である。
液晶分子の誘電率異方性は、正である。画素内部の共通
電極と液晶駆動電極、液晶分子の配向軸（光学軸）
に対して±１度〜±４５度の範囲で屈曲している。こ
のような構造になっている場合、図１７にあるように共
通電極と液晶駆動電極に電圧が印加され電極間に電
界が発生した時に、液晶分子は屈曲部を境にして左回転
と右回転の２通りの回転運動をする。単位画素内部で２
通りの回転運動が可能になる点が視角特性の改善に非常
な効果をもたらすのである。図１９，図２０，図２１は
単位画素の平面図である。画素電極の屈曲にあわせて、
映像信号配線や走査信号配線が屈曲しているのだ特
徴である。図２５，図２６，図２７図２８は、カラーフ
ィルターの色の混色を良くするためにデルタ配置に画素
を配列した場合の共通電極と液晶駆動電極と走査信
号配線と映像信号配線の配列位置に関する平面図で
ある。このデルタ配列は、おもにＡＶ用に使用されるも
のである。図２９，図３０は、ストライプ配列に画素を
配置した場合の共通電極と液晶駆動電極と、走査信
号配線と映像信号配線の配列関係の平面図である。
このストライプ配列は、おもにＯＡ用に使用されるもの
である。
【００３０】〔実施例６〕図１８，図１９，図２０，図
２１，図２５，図２６，図２７，図２８，図２９，図３
０は、第６部類の動作原理と実施例の平面図である。液
晶分子の誘電率異方性は負である。画素内部の共通電極
と液晶駆動電極は、液晶分子の配向軸（光学軸）
に対して９０度をのぞく４５度〜１３５度の範囲内で屈
曲している。図１８にあるように、共通電極と液晶駆
動電極に電圧が印加されて電極間に電界が発生した時
に、液晶分子は、屈曲部を境にして、左回転と右回転の
２通りの回転運動をする。単位画素内部で２通りの回転
運動が可能になる点が視角特性の改善に効果があるとい
う点では、実施例５とまったく同じである。単位画素の
平面図構造や画素配列に関する平面図構造は実施例５
と、まったく同じである。画素電極の屈曲にあわせて映
像信号配線や走査信号配が屈曲しているのが特徴で
ある。実施例５，実施例６ともに上下基板との界面での
液晶分子の配向は互いに平行になるようにラビング処理
してある。偏光板の偏光軸（光学軸）は上下ともに直交
配置にしてあり、無電界時には、画素から光が通過しな
いノーマリーブラックモードである。
２１，図２５，図２６，図２７，図２８，図２９，図３
０は、第６部類の動作原理と実施例の平面図である。液
晶分子の誘電率異方性は負である。画素内部の共通電極
と液晶駆動電極は、液晶分子の配向軸（光学軸）
に対して９０度をのぞく４５度〜１３５度の範囲内で屈
曲している。図１８にあるように、共通電極と液晶駆
動電極に電圧が印加されて電極間に電界が発生した時
に、液晶分子は、屈曲部を境にして、左回転と右回転の
２通りの回転運動をする。単位画素内部で２通りの回転
運動が可能になる点が視角特性の改善に効果があるとい
う点では、実施例５とまったく同じである。単位画素の
平面図構造や画素配列に関する平面図構造は実施例５
と、まったく同じである。画素電極の屈曲にあわせて映
像信号配線や走査信号配が屈曲しているのが特徴で
ある。実施例５，実施例６ともに上下基板との界面での
液晶分子の配向は互いに平行になるようにラビング処理
してある。偏光板の偏光軸（光学軸）は上下ともに直交
配置にしてあり、無電界時には、画素から光が通過しな
いノーマリーブラックモードである。
【００３１】〔実施例７〕図２２は、第７部類の実施例
の断面図である。画素電極（共通電極と、液晶駆動電
極）の表面に外部からの光が液晶層に侵入してきた時
に、この光が画素電極により反射され再度外部に出てい
くのを防止する反射防止層が形成されいる。代表的例と
しては、Ｃｒ金属の場合にはＣｒ＼ＣｒＮ＼ＣｒＯやＣ
ｒ＼ＣｒＯなどの窒化膜と酸化膜の二層構造か、酸化膜
だけの一層構造がある。Ｍｏ金属の場合にも同様にＭｏ
＼ＭｏＮ＼ＭｏＯやＭｏ＼ＭｏＯの構造が用いられる。
そのほかに画素電極の表面にａ−ｓｉ層をコートした
り、カーボンをコートしたり、することでかなりの反射
防止効果が得られる。Ｃｒ＼ＣｒＳｉｘやＭｏ＼ＭｏＳ
ｉｘ，Ｔｉ＼ＴｉＳｉｘ，Ｗ＼ＷＳｉｘＴａ＼ＴａＳｉ
ｘ，Ｎｂ＼ＮｂＳｉｘなどのメタルシリサイドも光反射
防止効果があるので用いることができる。
の断面図である。画素電極（共通電極と、液晶駆動電
極）の表面に外部からの光が液晶層に侵入してきた時
に、この光が画素電極により反射され再度外部に出てい
くのを防止する反射防止層が形成されいる。代表的例と
しては、Ｃｒ金属の場合にはＣｒ＼ＣｒＮ＼ＣｒＯやＣ
ｒ＼ＣｒＯなどの窒化膜と酸化膜の二層構造か、酸化膜
だけの一層構造がある。Ｍｏ金属の場合にも同様にＭｏ
＼ＭｏＮ＼ＭｏＯやＭｏ＼ＭｏＯの構造が用いられる。
そのほかに画素電極の表面にａ−ｓｉ層をコートした
り、カーボンをコートしたり、することでかなりの反射
防止効果が得られる。Ｃｒ＼ＣｒＳｉｘやＭｏ＼ＭｏＳ
ｉｘ，Ｔｉ＼ＴｉＳｉｘ，Ｗ＼ＷＳｉｘＴａ＼ＴａＳｉ
ｘ，Ｎｂ＼ＮｂＳｉｘなどのメタルシリサイドも光反射
防止効果があるので用いることができる。
【００３２】さらに図４５にあるように画素電極の上の
絶縁膜上に反射防止膜層を形成しても同様に効果があ
る。この場合には、絶縁膜の反射防止膜が適している。
ａ−ｓｉ層や、カラーフィルターで用いられているブル
ーの顔料系レジストやブラックの顔料系レジストなどが
使用できる。
絶縁膜上に反射防止膜層を形成しても同様に効果があ
る。この場合には、絶縁膜の反射防止膜が適している。
ａ−ｓｉ層や、カラーフィルターで用いられているブル
ーの顔料系レジストやブラックの顔料系レジストなどが
使用できる。
【００３３】対向基板▲１１▼の方にブラックマスクが
ないようなカラーフィルターの場合には、走査信号電極
や映像信号電極の表面に図２２のように、反射防止膜層
を形成することで、コントラストの非常に良い横電界方
式の液晶表示装置を作ることができる。
ないようなカラーフィルターの場合には、走査信号電極
や映像信号電極の表面に図２２のように、反射防止膜層
を形成することで、コントラストの非常に良い横電界方
式の液晶表示装置を作ることができる。
【００３４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、走査信号
配線と映像信号配線と共通電極と液晶駆動電極とを絶縁
膜によってそれぞれ別々に異層化したことにより、ショ
ートの発生がなく、開口率が高く、コントラストの高い
残像の少ない液晶パネルを作れる。さらに画素電極を液
晶配向方向に対して屈曲させることで単位画素内で２つ
の液晶分子の回転方向を作り出すことができ、視野角を
拡大することが可能となる。従来使用していた配向材料
を使用できるのでコストも低くできる。
配線と映像信号配線と共通電極と液晶駆動電極とを絶縁
膜によってそれぞれ別々に異層化したことにより、ショ
ートの発生がなく、開口率が高く、コントラストの高い
残像の少ない液晶パネルを作れる。さらに画素電極を液
晶配向方向に対して屈曲させることで単位画素内で２つ
の液晶分子の回転方向を作り出すことができ、視野角を
拡大することが可能となる。従来使用していた配向材料
を使用できるのでコストも低くできる。
【図１】 従来の横電界方式単位画素の断面図
【図２】 従来の横電界方式単位画素の平面図
【図３】 本発明の横電界方式単位画素の断面図（実施
例１）
例１）
【図４】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実施
例１）
例１）
【図５】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実施
例１）
例１）
【図６】 本発明の横電界方式単位画素の断面図（実施
例２）
例２）
【図７】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実施
例２）
例２）
【図８】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実施
例２）
例２）
【図９】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実施
例２）
例２）
【図１０】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例２）
施例２）
【図１１】 本発明の横電界方式単位画素の断面図（実
施例３）
施例３）
【図１２】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例３）
施例３）
【図１３】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例３）
施例３）
【図１４】 本発明の横電界方式単位画素の断面図（実
施例４）
施例４）
【図１５】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例４）
施例４）
【図１６】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例４）
施例４）
【図１７】 本発明の横電界方式屈曲画素電極内の正の
誘電率異方性液晶の配向方向図（実施例５）
誘電率異方性液晶の配向方向図（実施例５）
【図１８】 本発明の横電界方式屈曲画素電極内の負の
誘電率異方性液晶の配向方向図（実施例６）
誘電率異方性液晶の配向方向図（実施例６）
【図１９】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例５，実施例６）
施例５，実施例６）
【図２０】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例５，実施例６）
施例５，実施例６）
【図２１】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例５，実施例６）
施例５，実施例６）
【図２２】 本発明の横電界方式反射防止膜付画素電極
の断面図（実施例７）
の断面図（実施例７）
【図２３】 横電界方式画素電極内の正の誘電率異方性
の液晶の配向方向図（実施例１，実施例２，実施例３，
実施例４）
の液晶の配向方向図（実施例１，実施例２，実施例３，
実施例４）
【図２４】 横電界方式液晶表示装置の液晶分子のプレ
チルト角と視角特性
チルト角と視角特性
【図２５】 本発明の横電界方式画素配列の平面図（実
施例５，実施例６）
施例５，実施例６）
【図２６】 本発明の横電界方式画素配列の平面図（実
施例５，実施例６）
施例５，実施例６）
【図２７】 本発明の横電界方式画素配列の平面図（実
施例５，実施例６）
施例５，実施例６）
【図２８】 本発明の横電界方式画素配列の平面図（実
施例５，実施例６）
施例５，実施例６）
【図２９】 本発明の横電界方式画素配列の平面図（実
施例５，実施例６）
施例５，実施例６）
【図３０】 本発明の横電界方式画素配列の平面図（実
施例５，実施例６）
施例５，実施例６）
【図３１】 本発明の共通電極と映像信号配線の重畳部
断面図（実施例１）
断面図（実施例１）
【図３２】 本発明の共通電極と映像信号配線の重畳部
断面図（実施例４）
断面図（実施例４）
【図３３】 本発明の共通電極と液晶駆動電極と走査信
号配線の重畳部の断面図（実施例４）
号配線の重畳部の断面図（実施例４）
【図３４】 本発明の共通電極と液晶駆動電極と走査信
号配線の重畳部の断面図（実施例４）
号配線の重畳部の断面図（実施例４）
【図３５】 本発明の共通電極と液晶駆動電極と走査信
号配線の重畳部の断面図（実施例１）
号配線の重畳部の断面図（実施例１）
【図３６】 本発明の共通電極と液晶駆動電極と走査信
号配線の重畳部の断面図（実施例１）
号配線の重畳部の断面図（実施例１）
【図３７】 本発明の走査信号配線と液晶駆動電極によ
るトランジスタ部の能動層を、はさみこんだ断面図（実
施例１）
るトランジスタ部の能動層を、はさみこんだ断面図（実
施例１）
【図３８】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例１）
施例１）
【図３９】 本発明の走査信号配線と液晶駆動電極によ
るトランジスタ部の能動層を、はさみこんだ断面図（実
施例４）
るトランジスタ部の能動層を、はさみこんだ断面図（実
施例４）
【図４０】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例４）
施例４）
【図４１】 本発明の走査信号配線と共通電極によるト
ランジスタ部の能動層を、はさみこんだ断面図（実施例
４）
ランジスタ部の能動層を、はさみこんだ断面図（実施例
４）
【図４２】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例４）
施例４）
【図４３】 本発明の横電界方式単位画素の断面図（実
施例４）
施例４）
【図４４】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例４）
施例４）
【図４５】 本発明の横電界方式反射防止膜付画素電極
の断面図（実施例７）
の断面図（実施例７）
１−−走査信号配線
２−−映像信号配線
３−−共通電極
４−−液晶駆動電極
５−−ゲート絶縁膜
６−−保護絶縁膜
７−−ＴＦＴ基板側配向膜
８−−対向基板側配向膜
９−−液晶分子（正の誘電率異方性液晶）
１０−−ＴＦＴ側ガラス基板
１１−−対向ガラス基板
１２−−ＴＦＴ側偏光板
１３−−対向基板側偏光板
１４−−地下絶縁膜
１５−−ドレインスルーホール
１６−−保持容量形成領域
１７−−陽極酸化膜
１８−−走査信号配線と同じ材料で同時に形成された共
通電極（中央線） １９−−共通電極スルーホール ２０−−共通電極スルーホールで共通電極（中央線）と
コンタクトしている画素電極 ２１−−上層絶縁膜 ２２−−可視光反射防止膜 ２３−−液晶分子（負の誘電率異方性液晶） ３−Ｆ−共通電極と同じ材料で同時に形成された光シー
ルド膜 Ａ−−Ｐ型液晶分子の配向方向と画素電極（共通電極と
液晶駆動電極）の交差する角度 Ｂ−−Ｎ型液晶分子の配向方向と画素電極（共通電極と
液晶駆動電極）の交差する角度 Ｐ−−液晶分子の配向方向と偏光板の偏光軸方向（光学
軸） Ｑ−−偏光板の偏光軸方向（光学軸） Ｄ−−映像信号配線と同時に形成されたトランジスタド
レイン電極 Ｔ−−半導体層 Ｗ−−液晶駆動電極オープンウィンドウ
通電極（中央線） １９−−共通電極スルーホール ２０−−共通電極スルーホールで共通電極（中央線）と
コンタクトしている画素電極 ２１−−上層絶縁膜 ２２−−可視光反射防止膜 ２３−−液晶分子（負の誘電率異方性液晶） ３−Ｆ−共通電極と同じ材料で同時に形成された光シー
ルド膜 Ａ−−Ｐ型液晶分子の配向方向と画素電極（共通電極と
液晶駆動電極）の交差する角度 Ｂ−−Ｎ型液晶分子の配向方向と画素電極（共通電極と
液晶駆動電極）の交差する角度 Ｐ−−液晶分子の配向方向と偏光板の偏光軸方向（光学
軸） Ｑ−−偏光板の偏光軸方向（光学軸） Ｄ−−映像信号配線と同時に形成されたトランジスタド
レイン電極 Ｔ−−半導体層 Ｗ−−液晶駆動電極オープンウィンドウ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−36058（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−43744（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−309928（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−306417（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−273803（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−134301（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−234414（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−128683（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−72507（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−230311（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−12770（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−286176（ＪＰ，Ａ)
国際公開97／10530（ＷＯ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1343
G02F 1/1362
G02F 1/1333
G02F 1/1335
G02F 1/133
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に走査信号配線と映像信号配線と前
記走査信号配線と映像信号配線との各交差部に形成され
た薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに接続され
た液晶駆動電極と、少なくとも一部が前記液晶駆動電極
と対向して形成された共通電極とを有するアクティブマ
トリックス基板と、前記アクティブマトリックス基板に
対向する対向基板と、前記アクティブマトリックス基板
と前記対向基板に挟持された液晶層とからなる横電界方
式液晶表示装置において、前記走査線信号配線と前記映
像信号配線と前記液晶駆動電極と前記共通電極とがそれ
ぞれ絶縁膜を介して互いに異なった層に形成分離されて
おり、かつ共通電極がアクティブマトリックス基板のパ
ッシベージョン層の上に形成され、配向膜と直接接触し
ており、かつ映像信号配線の両側に映像信号配線とオー
バーラップするように共通電極が配置され、かつ各画素
の共通電極は映像信号配線の上層で互いに連結されてい
ることを特徴とする横電界方式液晶表示装置 - 【請求項２】基板上に走査信号配線と映像信号配線と前
記走査信号配線と映像信号配線との各交差部部に形成さ
れた薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに接続さ
れた液晶駆動電極と、少なくとも一部が前記液晶駆動電
極と対向して形成された共通電極とを有するアクティブ
マトリックス基板と前記アクティブマトリックス基板に
対向する対向基板と、前記アクティブマトリックス基板
と前記対向基板に挟持された液晶層とからなる横電界方
式液晶表示装置において、前記走査信号配線と前記映像
信号配線と前記液晶駆動電極と前記共通電極とがそれぞ
れ絶縁膜を介して互いに異なった層に形成分離されてお
り、かつ共通電極がアクティブマトリックス基板のパッ
シベーション層の上に形成され、配向膜と直接接触して
おり、かつ走査信号配線の両側に走査信号配線とオーバ
ーラップするように共通電極が配置され、かつ映像信号
配線の両側に映像信号配線とオーバーラップするように
共通電極が配置され、かつ各画素の共通電極は映像信号
配線の上層で互いに連結されていることを特徴とする横
電解方式液晶表示装置 - 【請求項３】請求項１、２において、液晶駆動電極を絶
縁層を介して上層と下層から共通電極と走査信号配線に
より挟みこみ、その重畳部により付加容量を液晶駆動電
極の上層と下層に形成したことを特徴とする横電界方式
液晶表示装置 - 【請求項４】請求項１、２において、共通電極の一部ま
たは液晶駆動電極の一部によって薄膜トランジスタの半
導体活性層を完全に被覆し、かつアクティブマトリック
ス基板に対向する対向基板側のＢＭ（ブラックマスク）
が存在しないことを特徴とする横電界方式液晶表示装置 - 【請求項５】請求項１、２において、共通電極と液晶駆
動電極の両方またはどちらか一方の電極表面に可視光の
反射防止膜層を形成したことを特徴とする横電界方式液
晶表示装置
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21489696A JP3486859B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 液晶表示装置 |
| TW86108024A TW494265B (en) | 1996-06-14 | 1997-06-11 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21489696A JP3486859B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH103092A JPH103092A (ja) | 1998-01-06 |
| JP3486859B2 true JP3486859B2 (ja) | 2004-01-13 |
Family
ID=16663362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21489696A Expired - Lifetime JP3486859B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 液晶表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3486859B2 (ja) |
| TW (1) | TW494265B (ja) |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040109103A1 (en) | 1998-06-30 | 2004-06-10 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| WO1999045430A1 (fr) * | 1998-03-06 | 1999-09-10 | Hitachi, Ltd. | Ecran a cristaux liquides |
| KR100543027B1 (ko) * | 1998-04-03 | 2006-04-12 | 삼성전자주식회사 | 평면 구동 방식 액정 표시 장치 |
| KR100293811B1 (ko) * | 1998-05-29 | 2001-10-26 | 박종섭 | 아이피에스모드의액정표시장치 |
| KR100306798B1 (ko) * | 1998-05-29 | 2001-11-30 | 박종섭 | 컬러쉬프트를방지한고개구율및고투과율액정표시장치 |
| KR100306799B1 (ko) * | 1998-05-29 | 2001-11-30 | 박종섭 | 액정표시장치 |
| KR100293810B1 (ko) * | 1998-05-29 | 2001-10-26 | 박종섭 | 컬러쉬프트가없는아이피에스모드액정표시장치 |
| JP3129293B2 (ja) | 1998-08-13 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| US6287899B1 (en) | 1998-12-31 | 2001-09-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
| US6630977B1 (en) | 1999-05-20 | 2003-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with capacitor formed around contact hole |
| JP4197574B2 (ja) * | 1999-05-20 | 2008-12-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP4724339B2 (ja) | 1999-09-07 | 2011-07-13 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JP2001092379A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Nec Corp | アクティブマトリックス基板及びその製造方法 |
| KR100482720B1 (ko) * | 2000-03-21 | 2005-04-13 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시 장치 |
| KR20020002052A (ko) * | 2000-06-29 | 2002-01-09 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치의 제조방법 |
| JP3427981B2 (ja) | 2000-07-05 | 2003-07-22 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| TWI284240B (en) * | 2000-09-27 | 2007-07-21 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Liquid crystal display device |
| JP2003015146A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-15 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| KR100823053B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2008-04-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| JP4082493B2 (ja) * | 2002-06-06 | 2008-04-30 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| KR100899625B1 (ko) * | 2002-08-07 | 2009-05-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계모드 액정표시소자 |
| KR100923673B1 (ko) * | 2002-08-07 | 2009-10-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계모드 액정표시소자 |
| KR100919185B1 (ko) * | 2002-08-21 | 2009-09-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계모드 액정표시소자 |
| KR100853780B1 (ko) * | 2002-08-24 | 2008-08-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식의 액정표시장치 |
| KR100870668B1 (ko) * | 2002-10-01 | 2008-11-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정 표시 소자 |
| KR100899627B1 (ko) * | 2002-11-18 | 2009-05-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계모드 액정표시소자 |
| KR100920344B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2009-10-07 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판 |
| KR100963029B1 (ko) * | 2003-03-24 | 2010-06-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정 표시 장치 제조 방법 |
| KR100961695B1 (ko) | 2003-06-12 | 2010-06-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| KR100978254B1 (ko) | 2003-06-30 | 2010-08-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 4화소구조 횡전계모드 액정표시소자 |
| JP4154598B2 (ja) | 2003-08-26 | 2008-09-24 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の駆動法、液晶表示装置及び携帯型電子機器 |
| KR101050945B1 (ko) * | 2003-09-19 | 2011-07-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계모드 액정표시소자 |
| KR101001520B1 (ko) * | 2003-10-09 | 2010-12-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101041613B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2011-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식 액정표시장치 |
| KR101186863B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2012-10-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 멀티도메인 횡전계모드 액정표시소자 |
| JP2005257883A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
| KR101050348B1 (ko) * | 2004-05-31 | 2011-07-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 액정표시장치 |
| KR101157226B1 (ko) * | 2004-05-31 | 2012-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101088384B1 (ko) | 2004-09-16 | 2011-12-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 기판 및 그 제조방법 |
| KR101354598B1 (ko) * | 2005-03-10 | 2014-01-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 |
| US8218120B2 (en) | 2005-03-31 | 2012-07-10 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate for in-plane switching liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| KR101146470B1 (ko) * | 2005-05-27 | 2012-05-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 및 그의 제조방법 |
| KR100789089B1 (ko) | 2005-06-09 | 2007-12-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 |
| KR101182557B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2012-10-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101148400B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2012-05-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | Ｉｐｓ 모드 액정표시소자 |
| EP3229066A1 (en) | 2005-12-05 | 2017-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transflective liquid crystal display with a horizontal electric field configuration |
| KR101296621B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2013-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| JP5477523B2 (ja) * | 2006-06-15 | 2014-04-23 | 三国電子有限会社 | 低コスト大画面広視野角高速応答液晶表示装置 |
| JP5216204B2 (ja) | 2006-10-31 | 2013-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及びその作製方法 |
| JP5875014B2 (ja) * | 2007-09-26 | 2016-03-02 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2009294633A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-12-17 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2009180981A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブマトリックス基板及びその製造方法 |
| US8760479B2 (en) | 2008-06-16 | 2014-06-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| JP5380416B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2014-01-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| JP5572562B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2014-08-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| JP5707487B2 (ja) * | 2011-04-08 | 2015-04-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| JP5647955B2 (ja) * | 2011-08-24 | 2015-01-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| JP2012234212A (ja) * | 2012-09-03 | 2012-11-29 | Nlt Technologies Ltd | アクティブマトリクス基板及び液晶パネル |
-
1996
- 1996-06-14 JP JP21489696A patent/JP3486859B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-06-11 TW TW86108024A patent/TW494265B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH103092A (ja) | 1998-01-06 |
| TW494265B (en) | 2002-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3486859B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US8040481B2 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display device having first and second common electrode connection lines and first and second pixel electrode connection linesbeing formed on the same layer | |
| JP2701698B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US7428034B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| JP3831863B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3567183B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US7349051B2 (en) | In plane switching mode liquid crystal display device having particular common lines | |
| US6642985B2 (en) | Fringe field mode LCD shielded from electrostatic disturbances | |
| JP2701832B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3234357B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2000137227A (ja) | マルチドメイン液晶表示素子 | |
| JPH0933946A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP2000292801A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP4373052B2 (ja) | 超高開口率広視野角液晶表示装置 | |
| JP5513859B2 (ja) | 液晶表示パネル | |
| US6657694B2 (en) | In-plane switching LCD device having slanted corner portions | |
| JP3135689B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| US20060001814A1 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
| JPH09281497A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3175972B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP4166554B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2004046123A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2528967B2 (ja) | アクティブマトリクス表示装置 | |
| JP3346354B2 (ja) | 液晶表示パネル | |
| JP3282542B2 (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |