JP3563236B2 - 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材およびその製造方法、表示装置 - Google Patents
透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材およびその製造方法、表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3563236B2 JP3563236B2 JP15106397A JP15106397A JP3563236B2 JP 3563236 B2 JP3563236 B2 JP 3563236B2 JP 15106397 A JP15106397 A JP 15106397A JP 15106397 A JP15106397 A JP 15106397A JP 3563236 B2 JP3563236 B2 JP 3563236B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- fine particles
- conductive film
- forming
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 168
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 168
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 104
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 83
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 314
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 218
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 218
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 91
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 60
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 60
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 40
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 33
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 33
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 31
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims description 21
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 11
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 claims description 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 193
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 description 42
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 14
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 13
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 7
- -1 organic acid salt Chemical class 0.000 description 7
- GPNDARIEYHPYAY-UHFFFAOYSA-N palladium(ii) nitrate Chemical compound [Pd+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O GPNDARIEYHPYAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 5
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 5
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N furfuryl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CO1 XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 3
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 3
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 3
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002710 Au-Pd Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020708 Co—Pd Inorganic materials 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018879 Pt—Pd Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018967 Pt—Rh Inorganic materials 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001449 anionic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 239000011790 ferrous sulphate Substances 0.000 description 2
- 235000003891 ferrous sulphate Nutrition 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 2
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 2
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 2
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- YIKNZEZIXCCFAJ-UHFFFAOYSA-N indium(3+);oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] YIKNZEZIXCCFAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001412 inorganic anion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate (anhydrous) Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000359 iron(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K trisodium citrate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229940038773 trisodium citrate Drugs 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002708 Au–Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002528 Cu-Pd Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017770 Cu—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017816 Cu—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017885 Cu—Pt Inorganic materials 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical class C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910001420 alkaline earth metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001479 atomic absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOUCSUBTZWXKTA-UHFFFAOYSA-N dipotassium;dioxido(oxo)tin Chemical compound [K+].[K+].[O-][Sn]([O-])=O IOUCSUBTZWXKTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- HLXDKGBELJJMHR-UHFFFAOYSA-N methyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](C)(OC(C)C)OC(C)C HLXDKGBELJJMHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000002891 organic anions Chemical class 0.000 description 1
- 229940037201 oris Drugs 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- VXNYVYJABGOSBX-UHFFFAOYSA-N rhodium(3+);trinitrate Chemical compound [Rh+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VXNYVYJABGOSBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZFVBIJYVFABOJ-UHFFFAOYSA-N tetraoctylsilane Chemical compound CCCCCCCC[Si](CCCCCCCC)(CCCCCCCC)CCCCCCCC CZFVBIJYVFABOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019263 trisodium citrate Nutrition 0.000 description 1
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/918—Material abnormally transparent
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の技術分野】
本発明は、透明導電性被膜付基材、その製造方法および該基材を備えた表示装置に関し、さらに詳しくは、帯電防止性、電磁遮蔽性、反射防止性等に優れた透明導電性被膜付基材、その製造方法および透明導電性被膜付基材で構成された前面板を備えた表示装置に関する。
【0002】
【発明の技術的背景】
従来より、陰極線管、蛍光表示管、液晶表示板などの表示パネルのような透明基材の表面の帯電防止および反射防止を目的として、これらの表面に帯電防止機能および反射防止機能を有する透明被膜を形成することが行われていた。
【0003】
ところで、陰極線管などから放出される電磁波が人体に及ぼす影響が、最近問題にされており、従来の帯電防止、反射防止に加えてこれらの電磁波および電磁波の放出に伴って形成される電磁場を遮蔽することが望まれている。
【0004】
これらの電磁波などを遮蔽する方法の一つとして、陰極線管などの表示パネルの表面に電磁波遮断用の導電性被膜を形成する方法がある。しかし、従来の帯電防止用導電性被膜であれば表面抵抗が少なくとも107Ω/□程度の表面抵抗を有していれば十分であるのに対し、電磁遮蔽用の導電性被膜では102〜104Ω/□のような低い表面抵抗を有することが必要であった。
【0005】
このように表面抵抗の低い導電性被膜を、従来のSbドープ酸化錫またはSnドープ酸化インジウムのような導電性酸化物を含む塗布液を用いて形成しようとすると、従来の帯電防止性被膜の場合よりも膜厚を厚くする必要があった。しかしながら、導電性被膜の膜厚は、10〜200nm程度にしないと反射防止効果は発現しないため、従来のSbドープ酸化錫またはSnドープ酸化インジウムのような導電性酸化物では、表面抵抗が低く、電磁波遮断性に優れるとともに、反射防止にも優れた導電性被膜を得ることが困難であるという問題があった。
【0006】
また、低表面抵抗の導電性被膜を形成する方法の一つとして、Agなどの金属微粒子を含む導電性被膜形成用塗布液を用いて基材の表面に金属微粒子含有被膜を形成する方法がある。この方法では、金属微粒子含有被膜形成用塗布液として、コロイド状の金属微粒子が極性溶媒に分散したものが用いられている。このような塗布液では、コロイド状金属微粒子の分散性を向上させるために、金属微粒子表面がポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンまたはゼラチンなどの有機系安定剤で表面処理されている。しかしながら、このような金属微粒子含有被膜形成用塗布液を用いて形成された導電性被膜は、被膜中で金属微粒子同士が安定剤を介して接触するため、粒界抵抗が大きく、被膜の表面抵抗が低くならないことがあった。このため、製膜後、400℃程度の高温で焼成して安定剤を分解除去する必要があるが、安定剤の分解除去をするため高温で焼成すると、金属微粒子同士の融着や凝集が起こり、導電性被膜の透明性やへーズが低下するという問題があった。また、陰極線管などの場合は、高温に晒すと劣化してしまうという問題もあった。
【0007】
さらに従来のAg等の金属微粒子を含む透明導電性被膜では、金属が酸化されたり、イオン化による粒子成長したり、また場合によっては腐食が発生することがあり、塗膜の導電性や光透過率が低下し、表示装置が信頼性を欠くという問題があった。
【0008】
【発明の目的】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決し、102〜104Ω/□程度の低い表面抵抗を有し、帯電防止性、反射防止性および電磁遮蔽性に優れるとともに、信頼性にも優れた透明導電性被膜を形成しうる透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材、その製造方法および該基材を備えた表示装置を提供することを目的としている。
【0009】
【発明の概要】
本発明に係る透明導電性被膜形成用塗布液は、平均粒子径が1〜200nmである複合金属微粒子と極性溶媒とを含むことを特徴としている。
【0010】
前記複合金属微粒子は2種以上の金属の合金からなることが好ましい。
また、前記複合金属微粒子が、
金属微粒子または合金微粒子の上に、該金属より高い標準水素電極電位を有する金属が析出されたものであることが好ましい。
【0011】
このような透明導電性被膜形成用塗布液は、必要に応じて、有機系安定剤、前記複合金属微粒子以外の導電性微粒子、およびマトリックスを含んでいてもよい。
【0012】
本発明に係る透明導電性被膜付基材は、
基材と、
基材上の平均粒子径1〜200nmの複合金属微粒子を含む透明導電性微粒子層と、
該透明導電性微粒子層上に設けられ、該透明導電性微粒子層よりも屈折率が低い透明被膜とからなることを特徴としている。
【0013】
前記複合金属微粒子は、2種以上の金属の合金、または、金属微粒子または合金微粒子の上に、該金属より高い標準水素電極電位を有する金属が析出されたものであることが好ましい。
【0014】
本発明に係る第1の透明導電性被膜付基材の製造方法は、
平均粒子径が1〜200nmである複合金属微粒子と極性溶媒とからなる透明導電性被膜形成用塗布液を基材上に塗布し、乾燥して透明導電性微粒子層を形成し、次いで、該微粒子層上に透明被膜形成用塗布液を塗布して前記透明導電性微粒子層上に該微粒子層よりも屈折率の低い透明被膜を形成することを特徴としている。
【0015】
前記透明導電性被膜形成用塗布液が有機系安定剤を含む場合、前記透明被膜形成用塗布液は酸を含むことが好ましい。
また、透明導電性被膜形成用塗布液中に含まれる複合金属微粒子が、
金属微粒子または合金微粒子と極性溶媒とからなる分散液に、該微粒子を構成する金属よりも高い標準水素電極電位を有する金属の塩を添加して、金属微粒子または合金微粒子上に該微粒子を構成する金属よりも高い標準水素電極電位を有する金属を析出させて形成したものであってもよい。
【0016】
本発明に係る第2の透明導電性被膜付基材の製造方法は、
金属微粒子または合金微粒子と極性溶媒とからなる透明導電性被膜形成用塗布液を基材上に塗布し、乾燥して透明導電性微粒子層を形成し、
次いで、該微粒子を構成する金属よりも高い標準水素電極電位を有する金属のイオンを含む透明被膜形成用塗布液を前記透明導電性微粒子層上に塗布して、該微粒子層上に該微粒子層よりも屈折率の低い透明被膜を形成するとともに、該微粒子層中に含まれる金属微粒子または合金微粒子上に該微粒子を構成する金属よりも高い標準水素電極電位を有する金属を析出させて、金属微粒子または合金微粒子を複合金属微粒子とすることを特徴としている。
【0017】
前記透明導電性被膜形成用塗布液が有機系安定剤を含む場合、前記透明被膜形成用塗布液は酸を含むことが好ましい。
本発明に係る第3の透明導電性被膜付基材の製造方法は、
金属微粒子と極性溶媒と有機系安定剤とからなる透明導電性被膜形成用塗布液を基材上に塗布し、乾燥して透明導電性微粒子層を形成し、
次いで、酸を含む透明被膜形成用塗布液を透明導電性微粒子上に塗布して該微粒子層上に該微粒子層よりも屈折率の低い透明被膜を形成し、有機系安定剤を分解した後、加熱することを特徴としている。
【0018】
本発明に係る表示装置は、上記のような透明導電性被膜付基材で構成された前面板を備えていることを特徴としている。
【0019】
【発明の具体的説明】
以下、本発明について具体的に説明する。
透明導電性被膜形成用塗布液
まず、本発明に係る透明導電性被膜形成用塗布液について説明する。
【0020】
本発明に係る透明導電性被膜形成用塗布液は、平均粒子径が1〜200nmである複合金属微粒子と極性溶媒とを含むことを特徴としている。
[複合金属微粒子]
本発明でいう「複合金属微粒子」とは、少なくとも2種以上の金属を含む微粒子をいう。
【0021】
複合金属微粒子を構成する2種以上の金属は、固溶状態にある合金であっても、固溶状態に無い共晶体であってもよく、合金と共晶体が共存していてもよい。このような複合金属微粒子は、金属の酸化やイオン化が抑制されるため、複合金属微粒子の粒子成長等が抑制され、複合金属微粒子の耐腐食性が高く、導電性、光透過率の低下が小さいなど信頼性に優れている。
【0022】
このような複合金属微粒子としては、Au,Ag,Pd,Pt,Rh,Ru,Cu,Fe,Ni,Co,Sn,Ti,In,Al,Ta,Sbなどの金属から選ばれる少なくとも2種以上の金属からなる複合金属微粒子が挙げられる。好ましい2種以上の金属の組合せとしては、Au−Cu,Ag−Pt,Ag−Pd,Au−Pd,Au−Rh,Pt−Pd,Pt−Rh,Fe−Ni,Ni−Pd,Fe−Co,Cu−Co,Ru−Ag,Au−Cu−Ag,Ag−Cu−Pt,Ag−Cu−Pd,Ag−Au−Pd,Au−Rh−Pd,Ag−Pt−Pd,Ag−Pt−Rh,Fe−Ni−Pd,Fe−Co−Pd,Cu−Co−Pd などが挙げられる。
【0023】
本発明では、複合金属微粒子として、2種以上の金属の合金微粒子、または金属微粒子または合金微粒子の上に、該金属よりも高い標準水素電極電位を有する金属が析出されたものが好ましい。
【0024】
このような複合金属微粒子は、以下のような公知の方法によって得ることができる。
(i)アルコール・水混合溶媒中で、2種以上の金属塩を同時にあるいは別々に還元する方法。このとき、必要に応じて還元剤を添加してもよい。還元剤としては、硫酸第1鉄、クエン酸3ナトリウム、酒石酸、水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウムなどが挙げられる。また、圧力容器中で約100℃以上の温度で加熱処理してもよい。
(ii)金属微粒子または合金微粒子の分散液に、金属微粒子または合金微粒子よりも標準水素電極電位が高い金属の微粒子またはイオンを存在させて、金属微粒子または/および合金微粒子上に標準水素電極電位が高い金属を析出させる方法。このとき、得られた複合金属微粒子上に、さらに標準水素電極電位が高い金属を析出させてもよい。
【0025】
上記複合金属微粒子を構成する金属の標準水素電極電位の差(3種以上の金属の場合は最大と最小の差)は、0.05eV以上、好ましくは0.1eV以上であることが望ましい。このとき、標準水素電極電位の最も高い金属は、複合金属微粒子中に0.05〜0.95の重量比(標準水素電極電位の高い金属/複合金属)で存在することが望ましい。この重量比が0.05未満または0.95を超えて高い場合は複合金属の酸化およびイオン化抑制効果が小さく、信頼性が向上しないことがある。
【0026】
また、このような標準水素電極電位の最も高い金属は、複合金属微粒子表面層に多く存在していることが好ましい。このように、標準水素電極電位の最も高い金属が複合金属微粒子の表面層に多く存在すると、複合金属微粒子の酸化およびイオン化が抑えられ、イオンマイグレーション等による粒子成長の抑制が可能となる。さらに、このような複合金属微粒子は、耐腐食性が高いので、導電性、光透過率の低下が抑制することができる。
【0027】
このような複合金属微粒子の平均粒径は、1〜200nm、好ましくは2〜70nmの範囲にあることが望ましい。複合金属微粒子の平均粒径が200nmを越えると、金属による光の吸収が大きくなり、粒子層の光透過率が低下するとともにへーズが大きくなる。このため被膜付基材を、たとえば陰極線管の前面板として用いると、表示画像の解像度が低下することがある。また、複合金属微粒子の平均粒径が1nm未満の場合には粒子層の表面抵抗が急激に大きくなるため、本発明の目的を達成しうる程度の低抵抗値を有する被膜を得ることができないこともある。
[極性溶媒]
本発明で用いられる極性溶媒としては、
水;メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、エチレングリコール、ヘキシレングリコールなどのアルコール類;酢酸メチルエステル、酢酸エチルエステルなどのエステル類;ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルなどのエーテル類;アセトン、メチルエチルケトン、アセチルアセトン、アセト酢酸エステルなどのケトン類などが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、また2種以上混合して使用してもよい。
【0028】
このような透明導電性被膜形成用塗布液には、上記複合金属微粒子以外の導電性微粒子が含まれていてもよい。
複合金属微粒子以外の導電性微粒子としては、公知の透明導電性無機酸化物微粒子あるいは微粒子カーボンなどを用いることができる。
【0029】
透明導電性無機酸化物微粒子としては、たとえば酸化錫、Sb、FまたはPがドーピングざれた酸化錫、酸化インジウム、SnまたはFがドーピングされた酸化インジウム、酸化アンチモン、低次酸化チタンなどが挙げられる。
【0030】
これらの導電性微粒子の平均粒径は、1〜200nm、好ましくは2〜150nmの範囲にあることが好ましい。
このような導電性微粒子は、前記複合金属微粒子1重量部当たり、4重量部以下の量で含まれていればよい。導電性微粒子が4重量部を超える場合は、導電性が低下し電磁波遮蔽効果が低下することがあるので好ましくない。
【0031】
このような導電性微粒子を含有すると、複合金属微粒子のみで透明導電性微粒子層を形成した場合と比較して、より透明性に優れた透明導電性微粒子層を形成することができる。また導電性微粒子を含有することによって、安価に透明導電性被膜付基材を製造することができる。
【0032】
本発明に係る透明導電性被膜形成用塗布液には、被膜形成後の導電性微粒子のバインダーとして作用するマトリックス成分が含まれていてもよい。このようなマトリックス成分としては、シリカからなるものが好ましく、具体的には、アルコキシシランなどの有機ケイ素化合物の加水分解重縮合物またはアルカリ金属ケイ酸塩水溶液を脱アルカリして得られるケイ酸重縮合物、あるいは塗料用樹脂などが挙げられる。このマトリックスは、前記複合金属微粒子1重量部当たり、0.01〜0.5重量部、好ましくは0.03〜0.3重量部の量で含まれていればよい。
【0033】
また、本発明では複合金属微粒子の分散性を向上させるため、透明導電性被膜形成用塗布液中に有機系安定剤が含まれていてもよい。このような有機系安定剤として具体的には、ゼラチン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタール酸、アジピン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、クエン酸などの多価カルボン酸およびその塩、複素環化合物あるいはこれらの混合物などが挙げられる。
【0034】
このような有機系安定剤は、複合金属微粒子1重量部に対し、0.005〜0.5重量部、好ましくは0.01〜0.2重量部含まれていればよい。有機系安定剤の量が0.005重量部未満の場合は充分な分散性が得られず、0.5重量部を超えて高い場合は導電性が阻害されることがある。
【0035】
透明導電性被膜付基材
次に、本発明に係る透明導電性被膜付基材について具体的に説明する。
本発明に係る透明導電性被膜付基材では、平均粒子径が1〜200nm、好ましくは2〜70nmの複合金属微粒子からなる透明導電性微粒子層が、ガラス、プラスチック、セラミックなどからなるフィルム、シートあるいはその他の成形体などの基材上に形成されている。
【0036】
複合金属微粒子としては、前記と同様のものが挙げられる。
[透明導電性微粒子層]
透明導電性微粒子層の膜厚は、約5〜200nm、好ましくは10〜150nmの範囲にあることが好ましく、この範囲の膜厚であれば電磁遮蔽効果に優れた透明導電性被膜付基材を得ることができる。
【0037】
このような透明導電性微粒子層には、必要に応じて、上記複合金属微粒子以外の導電性微粒子、マトリックス成分、有機系安定剤を含んでいてもよく、具体的には、前記と同様のものが挙げられる。
[透明被膜]
本発明に係る透明導電性被膜付基材では、前記透明導電性微粒子層の上に、前記透明導電性微粒子層よりも屈折率の低い透明被膜が形成されている。
【0038】
形成される透明被膜の膜厚は、50〜300nm、好ましくは80〜200nmの範囲にあることが好ましい。
このような透明被膜は、たとえば、シリカ、チタニア、ジルコニアなどの無機酸化物、およびこれらの複合酸化物などから形成される。本発明では、透明被膜として、特に加水分解性有機ケイ素化合物の加水分解重縮合物、またはアルカリ金属ケイ酸塩水溶液を脱アルカリして得られるケイ酸重縮合物からなるシリカ系被膜が好ましい。このような透明被膜が形成された透明導電性被膜付基材は、反射防止性能に優れている。
【0039】
また、上記透明被膜中には、必要に応じて、フッ化マグネシウムなどの低屈折率材料で構成された微粒子、染料、顔料などの添加剤を含まれていてもよい。
透明導電性被膜付基材の製造方法
次に、本発明に係る透明導電性被膜付基材の製造方法について具体的に説明する。
【0040】
第1の透明導電性被膜付基材の製造方法
本発明に係る第1の透明導電性被膜付基材の製造方法は、
平均粒子径が1〜200nmである複合金属微粒子と極性溶媒とを含む透明導電性被膜形成用塗布液を基材上に塗布・乾燥して透明導電性微粒子層を形成し、次いで該微粒子層上に透明被膜形成用塗布液を塗布して前記透明導電性微粒子層上に該微粒子層よりも屈折率の低い透明被膜を形成することを特徴としている。
[透明導電性被膜形成用塗布液]
本発明に係る第1の製造方法で用いられる透明導電性被膜形成用塗布液は、複合金微粒子と、極性溶媒とを含有する。
【0041】
透明導電性被膜形成用塗布液中の複合金属微粒子としては、前述と同様のものが挙げられる。このような複合金属微粒子は、透明導電性被膜形成用塗布液の調製時に、金属微粒子または合金微粒子と極性溶媒とからなる分散液に、該微粒子(金属または合金)を構成する金属よりも標準水素電極電位の高い金属の塩を添加して、金属微粒子または合金微粒子上に該微粒子を構成する金属よりも高い標準水素電極電位を有する金属を析出させて形成してもよい。このとき使用される金属微粒子としては、Au,Ag,Pd,Pt,Rh,Cu,Fe,Ni,Co,Sn,Ti,In,Al,Ta,Sb,Ruなどの金属から選ばれる1種の金属微粒子が挙げられる。また合金微粒子としては、これらの金属の二種以上を組合せたものが挙げられる。このような金属微粒子または合金微粒子の粒径は、1〜200nm、好ましくは2〜70nmであることが望ましい。さらに複合金属微粒子は、形成した複合金属微粒子分散液に、複合金属微粒子を構成する金属よりも標準水素電極電位の高い金属の塩を添加して、複合金属微粒子上に該微粒子を構成する金属よりも高い標準水素電極電位を有する金属を析出させたものであってもよい。
【0042】
透明導電性被膜形成用塗布液中に含まれる極性溶媒としては、前記と同様のものが挙げられる。
析出される金属と、金属微粒子または合金微粒子を構成する金属との標準水素電極電位の差は、0.05eV以上、好ましくは0.1eV以上であることが望ましい。析出される金属は、通常、硫酸塩、硝酸塩、塩酸塩、有機酸塩などの状態で添加される。このとき、金属のイオンは、分散液中に金属換算で、金属微粒子または合金微粒子1重量部に対し0.05〜19重量部、好ましくは0.1〜0.9重量部の量で添加されていることが望ましい。
【0043】
本発明では、使用される透明導電性被膜形成用塗布液中に、複合金属微粒子が、0.05〜5重量%、好ましくは0.1〜2重量%の量で含まれていることが望ましい。
【0044】
また、このような透明導電性被膜形成用塗布液には、複合金属微粒子以外の導電性微粒子が添加されていてもよい。このような導電性微粒子としては前述のものと同様のものが挙げられる。このような導電性微粒子は、前記複合金属微粒子1重量部当たり、4重量部以下の量で含まれていればよい。
【0045】
さらに透明導電性被膜形成用塗布液には、可視光の広い波長領域において可視光の透過率が一定になるように、染料、顔料などが添加されていてもよい。
本発明で用いられる透明導電性被膜形成用塗布液中の固形分濃度(複合金属微粒子と必要に応じて添加される複合金属微粒子以外の導電性微粒子、染料、顔料などの添加剤の総量)は、液の流動性、塗布液中の複合金属微粒子などの粒状成分の分散性などの点から、15重量%以下、好ましくは0.15〜5重量%であることが好ましい。
【0046】
上記透明導電性被膜形成用塗布液には、被膜形成後のバインダーとして作用するマトリックス成分を含んでいてもよい。
マトリックス成分としては、公知のものを用いることができるが、本発明ではシリカ系マトリックス成分が好ましい。
【0047】
シリカ系マトリックス成分として、具体的には、アルコキシシランなどの有機ケイ素化合物の加水分解重縮合物あるいはアルカリ金属ケイ酸塩水溶液を脱アルカリして得られるケイ酸縮重合物、あるいは塗料用樹脂などが挙げられる。
【0048】
このようなマトリックス成分は、透明導電性被膜形成用塗布液中に、0 . 01〜2重量%、好ましくは0.01〜1重量%の量で含まれていることが望ましい。
また、上記透明導電性被膜形成用塗布液には、複合金属微粒子の分散性を向上させるため、前記のような有機系安定剤が含まれていてもよい。
【0049】
このような有機系安定剤の添加量は、有機系安定剤の種類、複合金属微粒子の粒子径等によっても異なるが、複合金属微粒子1重量部に対し、0.005〜0.5重量部、好ましくは0.01〜0.2重量部含まれていればよい。有機系安定剤の量が0.005重量部未満の場合は充分な分散性が得られず、0.5重量部を超えて高い場合は導電性が阻害されることがある。
【0050】
さらに本発明で用いられる透明導電性被膜形成用塗布液は、液中に存在するアルカリ金属イオン、アンモニウムイオンおよび多価金属イオンならびに鉱酸などの無機陰イオン、酢酸、蟻酸などの有機陰イオンで、粒子から遊離したイオン濃度の合計量が、塗布液中の固形分100g当り10ミリモル以下の量であることが望ましい。特に鉱酸などの無機陰イオンは、複合金属微粒子の安定性、分散性を阻害するので、塗布液中に含まれる量は低いほど好ましい。イオン濃度が低くなると、透明導電性被膜形成用塗布液中に含まれている粒状成分、特に導電性微粒子の分散状態が良好となり、凝集粒子をほとんど含んでいない塗布液が得られる。この塗布液中での粒状成分の単分散状態は、透明導電性微粒子層の形成過程でも維持される。このため、イオン濃度の低い透明導電性被膜形成用塗布液から透明導電性微粒子層を形成すると、微粒子層中に凝集粒子は観察されない。
【0051】
また上記のようなイオン濃度の低い塗布液から形成された透明導電性微粒子層では複合金属微粒子などの導電性微粒子を良好に分散させ配列させることができるので、透明導電性微粒子層中で導電性微粒子が凝集している場合に比較して、より少ない導電性微粒子で同等の導電性を有する透明導電性微粒子層を提供することが可能である。さらに粒状成分同士の凝集に起因すると思われる点欠陥および厚さむらのない透明導電性微粒子層を基材上に形成することが可能である。
【0052】
上記のようなイオン濃度の低い塗布液を得るための脱イオン処理の方法は、最終的に塗布液中に含まれているイオン濃度が上記のような範囲になるような方法であれば特に制限されないが、好ましい脱イオン処理の方法としては、塗布液の原料として用いられる粒状成分の分散液、または前記分散液から調製された塗布液を陽イオン交換樹脂および/または陰イオン交換樹脂と接触させる方法、あるいはこれらの液を限外濾過膜を用いて洗浄処理する方法などが挙げられる。
[透明導電性微粒子層の形成]
次に、本発明に係る第1の製造方法では、上記透明導電性被膜形成用塗布液を基材上に塗布し・乾燥して、透明導電性微粒子層を基材上に形成する。
【0053】
透明導電性微粒子層を形成する方法としては、たとえば、透明導電性被膜形成用塗布液をディッピング法、スピナー法、スプレー法、ロールコーター法、フレキソ印刷法などの方法で、基材上に塗布したのち、常温〜約90℃の範囲の温度で乾燥する。
【0054】
透明導電性被膜形成用塗布液中に上記のようなマトリックス形成成分が含まれている場合には、マトリックス形成成分の硬化処理を行ってもよい。
硬化処理としては、以下のような方法が挙げられる。
【0055】
▲1▼加熱硬化
乾燥後の塗膜を加熱して、マトリックス成分を硬化させる。このときの加熱処理温度は、100℃以上、好ましくは150〜300℃であることが望ましい。100℃未満ではマトリックス形成成分が充分硬化しないことがある。また加熱処理温度の上限は基材の種類によって異なるが、基材の転移点以下であればよい。
【0056】
▲2▼電磁波硬化
塗布工程または乾燥工程の後に、あるいは乾燥工程中に、塗膜に可視光線よりも波長の短い電磁波を照射して、マトリックス成分を硬化させる。このようなマトリックス形成成分の硬化を促進するために照射する電磁波としては、マトリックス形成成分の種類に応じて紫外線、電子線、X線、γ線などが用いられる。例えば紫外線硬化性マトリックス形成成分の硬化を促進するためには、例えば、発光強度が約250nmおよび360nmにおいて極大となり、光強度が10mW/m2以上である高圧水銀ランプを紫外線源として用い、100mJ/cm2以上のエネルギー量の紫外線が照射される。
【0057】
▲3▼ガス硬化
塗布工程または乾燥工程の後に、あるいは乾燥工程中に、塗膜をマトリックス形成成分の硬化反応を促進するガス雰囲気中に晒すことによって、マトリックス形成成分を硬化させる。マトリックス形成成分のなかには、アンモニアなどの活性ガスで硬化が促進されるマトリックス形成成分があり、このようなマトリックス形成成分を含む透明導電性微粒子層を、ガス濃度が100〜100000ppm、好ましくは1000〜10000ppmであるような硬化促進性ガス雰囲気下で1〜60分処理することによってマトリックス形成成分の硬化を大幅に促進することができる。
【0058】
上記のような方法によって形成された透明導電性微粒子層の膜厚は、約50〜200nmの範囲が好ましく、この範囲の膜厚であれば電磁遮蔽効果に優れた透明導電性被膜付基材を得ることができる。
[透明被膜の形成]
本発明では、上記のようにして形成された透明導電性微粒子層の上に、該微粒子層よりも屈折率の低い透明被膜を形成する。
【0059】
透明被膜の膜厚は、50〜300nm、好ましくは80〜200nmの範囲であることが好ましく、このような範囲の膜厚であると優れた反射防止性を発揮する。
透明被膜の形成方法としては、特に制限はなく、この透明被膜の材質に応じて、真空蒸発法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの乾式薄膜形成方法、あるいは上述したようなディッピング法、スピナー法、スプレー法、ロールコーター法、フレキソ印刷法などの湿式薄膜形成方法を採用することができる。
【0060】
上記透明被膜を湿式薄膜形成方法で形成する場合、従来公知の透明被膜形成用塗布液を用いることができる。このような透明被膜形成用塗布液としては、具体的に、シリカ、チタニア、ジルコニアなどの無機酸化物、またはこれらの複合酸化物を透明被膜形成成分として含む塗布液が用いられる。
【0061】
本発明では、透明被膜形成用塗布液として加水分解性有機ケイ素化合物の加水分解重縮合物、またはアルカリ金属ケイ酸塩水溶液を脱アルカリして得られるケイ酸液を含むシリカ系透明被膜形成用塗布液が好ましく、特に下記一般式[1]で表されるアルコキシシランの加水分解重縮合物を含有していることが好ましい。このような塗布液から形成されるシリカ系被膜は、複合金属微粒子含有の導電性微粒子層よりも屈折率が小さく、得られる透明被膜付基材は反射防止性に優れている。
【0062】
RaSi(OR’)4−a [1]
(式中、Rはビニル基、アリール基、アクリル基、炭素数1〜8のアルキル基、水素原子またはハロゲン原子であり、R’はビニル基、アリール基、アクリル基、炭系数1〜8のアルキル基、−C2H4OCnH2n+1(n=1〜4)または水素原子であり、aは1〜3の整数である。)
このようなアルコキシランとしては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラオクチルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシランなどが挙げられる。
【0063】
上記のアルコキシシランの1種または2種以上を、たとえば水−アルコール混合溶媒中で酸触媒の存在下、加水分解すると、アルコキシシランの加水分解重縮合物を含む透明被膜形成用塗布液が得られる。このような塗布液中に含まれる被膜形成成分の濃度は、酸化物換算で0.5〜2.0重量%であることが好ましい。本発明で使用される透明被膜形成用塗布液は、前記透明導電性被膜形成用塗布液の場合と同様に、脱イオン処理を行い、塗布液のイオン濃度を前記透明導電性被膜形成用塗布液中の濃度と同じレベルまで低減させてもよい。
【0064】
さらにまた、本発明で使用される透明被膜形成用塗布液には、フッ化マグネシウムなどの低屈折率材料で構成された微粒子、透明被膜の透明度および反射防止性能を阻害しない程度に少量の導電性微粒子および/または染料または顔料などの添加剤が含まれていてもよい。
【0065】
本発明では、このような透明被膜形成用塗布液を塗布して形成した被膜を、乾燥時、または乾燥後に、150℃以上で加熱するか、未硬化の被膜に可視光線よりも波長の短い紫外線、電子線、X線、γ線などの電磁波を照射するか、あるいはアンモニアなどの活性ガス雰囲気中に晒してもよい。このようにすると、被膜形成成分の硬化が促進され、得られる透明被膜の硬度が高くなる。
【0066】
さらに、透明被膜形成用塗布液を塗布して被膜を形成する際に、透明導電性微粒子層を約40〜90℃に保持しながら透明被膜形成用塗布液を塗布して、前記のような処理を行うと、透明被膜の表面にリング状の凹凸が形成し、ギラツキの少ないアンチグレアの透明被膜付基材が得られる。
【0067】
第2の透明導電性被膜付基材の製造方法
本発明に係る第2の透明導電性被膜付基材の製造方法は、
平均粒子径が1〜200nmの金属微粒子または合金微粒子と、極性溶媒とからなる透明導電性被膜形成用塗布液を基材上に塗布し、乾燥して透明導電性微粒子層を形成し、
次いで、該微粒子を構成する金属よりも高い標準水素電極電位を有する金属のイオンを含む透明被膜形成用塗布液を前記透明導電性微粒子層上に塗布して、該微粒子層上に該微粒子層よりも屈折率の低い透明被膜を形成するとともに、
該微粒子層中に含まれる金属微粒子または合金微粒子の上に、該微粒子を構成する金属よりも高い標準水素電極電位を有する金属を析出させて、金属微粒子または合金微粒子を複合金属微粒子とすることを特徴としている。
[透明導電性微粒子層の形成]
本発明に係る第2の製造方法では、まず、透明導電性被膜形成用塗布液を基材上に塗布・乾燥して透明導電性微粒子層を形成する。
【0068】
本発明に係る第2の製造方法で用いられる透明導電性被膜形成用塗布液は、金属微粒子または合金微粒子と極性溶媒とを含有している。
金属微粒子および合金微粒子としては、前記と同様のものが挙げられる。本発明では、これらの金属微粒子と合金微粒子とを混合して使用してもよい。
【0069】
このような金属微粒子または合金微粒子は、透明導電性被膜形成用塗布液中に、0.05〜0.5重量%、好ましくは0.1〜2重量%の量で含まれていることが望ましい。
【0070】
また、このような透明導電性被膜形成用塗布液には、必要に応じて金属微粒子または合金微粒子以外の前記した導電性微粒子、染料、顔料などの添加剤が添加されていてもよい。
【0071】
本発明で用いられる透明導電性被膜形成用塗布液中の固形分濃度は、前記と同様に、15重量%以下であることが好ましい。
さらに上記透明導電性被膜形成用塗布液には、被膜形成後のバインダーとして作用するマトリックス成分を含んでいてもよく、マトリックス成分としては前記したものを用いることができる。
【0072】
さらにまた、この透明導電性被膜形成用塗布液には、有機径安定剤が含まれていてもよく、有機系安定剤の種類および量は、前記と同様である。
本発明では、このような透明導電性被膜形成用塗布液を基板上に塗布・乾燥して、透明導電性微粒子層を基材表面上に形成する。形成方法は前記と同様である。
[透明被膜の形成]
次に、本発明に係る第2の製造方法では、上記のようにして形成された透明導電性微粒子層の上に、透明導電性微粒子を構成する金属よりも高い標準水素電極電位を有する金属イオンを含む透明被膜形成用塗布液を塗布して透明導電性微粒子層上に該微粒子層よりも屈折率の低い透明被膜を形成するとともに、金属微粒子または合金微粒子上に、該微粒子を構成する金属よりも高い標準水素電極電位を有する金属を析出させて、金属微粒子または合金微粒子を複合金属微粒子としている。
【0073】
本発明で使用される透明被膜形成用塗布液には、前述の透明被膜形成成分と、微粒子を形成する金属微粒子または合金微粒子構成成分よりも標準水素電極電位の高い金属イオンが含まれている。この標準水素電極電位の高い金属イオンは、形成された透明導電性微粒子層中の金属微粒子または合金微粒子1重量部に対し0.05〜19重量部、好ましくは0.1〜9重量部の量で塗布液中に添加されていることが望ましい。この標準水素電極電位の高い金属イオンは、透明導電性微粒子中の金属微粒子または合金微粒子上に析出して、複合金属微粒子を形成する。
【0074】
また、透明導電性微粒子層中に、有機系安定剤が含まれている場合には、有機系安定剤を分解・除去するために、透明被膜形成用塗布液中に酸が含まれていてもよい。酸としては前記と同様のものが挙げられる。
【0075】
さらに、本発明で使用される透明被膜形成用塗布液には、フッ化マグネシウムなどの低屈折率材料で構成された微粒子、透明被膜の透明度および反射防止性能を阻害しない程度に少量の導電性微粒子および/または染料または顔料などの添加剤が含まれていてもよい。
【0076】
本発明では、このような透明被膜形成用塗布液を塗布して形成した透明被膜を、乾燥する時または乾燥した後で、150℃以上に加熱するか、未硬化の被膜に可視光線よりも波長の短い電磁波、たとえば紫外線、電子線、X線、γ線などを照射するか、あるいは被膜形成成分の硬化を促進するアンモニアなどの活性ガス雰囲気中に晒してもよい。このようにすると、被膜形成成分の硬化が促進され、得られる透明被膜の硬度が高くなる。
【0077】
また透明被膜形成用塗布液を塗布して被膜を形成する際に、透明導電性微粒子層を約40〜90℃に保持しながら透明被膜形成用塗布液を塗布して、前記のような処理を行うと、透明被膜の表面にリング状の凹凸を形成して、ギラツキの少ないアンチグレアの透明被膜付基材が得られる。
【0078】
第3の透明導電性被膜付基材の製造方法
本発明に係る第3の透明導電性被膜付基材の製造方法は、金属微粒子と極性溶媒と有機系安定剤とからなる透明導電性被膜形成用塗布液を、
基材上に塗布し、乾燥して透明導電性微粒子層を形成し、
次いで、酸を含む透明被膜形成用塗布液を透明導電性微粒子層上に塗布して該微粒子層上に該微粒子層よりも屈折率の低い透明被膜を形成し、有機系安定剤を分解したのち、加熱することを特徴としている。
【0079】
金属微粒子、極性溶媒、有機系安定剤として前記と同様のものが挙げられる。
また、本発明で使用される透明導電性被膜形成用塗布液には、必要に応じて、金属微粒子以外の導電性微粒子、染料、顔料などの添加剤、およびマトリックス成分が添加されていてもよく、これらは、前記と同様のものが挙げられる。
【0080】
本発明では、このような透明導電性被膜形成用塗布液を基板上に塗布・乾燥して、透明導電性微粒子層を基材表面に形成する。形成方法は前記と同様である。
このようにして形成された透明導電性微粒子層の上に、前記した酸を含む透明被膜形成用塗布液を塗布して、透明導電性微粒子層上に該微粒子層よりも屈折率の低い透明被膜を形成し、有機系安定剤を分解している。
【0081】
また、本発明で使用される透明被膜形成用塗布液には、フッ化マグネシウムなどの低屈折率材料で構成された微粒子、透明被膜の透明度および反射防止性能を阻害しない程度に少量の導電性微粒子および/または染料または顔料などの添加剤が含まれていてもよい。
【0082】
本発明では、このような透明被膜形成用塗布液を塗布して形成した透明被膜を、乾燥する時または乾燥した後で、150℃以上で加熱するか、未硬化の被膜に可視光線よりも波長の短い電磁波、たとえば紫外線、電子線、X線、γ線などを照射するか、あるいは被膜形成成分の硬化を促進するアンモニアなどの活性ガス雰囲気中に晒してもよい。このようにすると、被膜形成成分の硬化が促進され、得られる透明被膜の硬度が高くなる。
【0083】
また透明被膜形成用塗布液を塗布して被膜を形成する際に、透明導電性微粒子層を約40〜90℃に保持しながら透明被膜形成用塗布液を塗布して、前記のような処理を行うと、透明被膜の表面にリング状の凹凸を形成して、ギラツキの少ないアンチグレアの透明被膜付基材が得られる。
【0084】
表示装置
本発明に係る透明導電性被膜付基材は、電磁遮蔽に必要な102〜104Ω/□の範囲の表面抵抗を有し、かつ可視光領域および近赤外領域で充分な反射防止性能を有する透明導電性被膜付基材は、表示装置の前面板として好適に用いられる。
【0085】
本発明に係る表示装置は、ブラウン管(CRT)、蛍光表示管(FIP)、プラズマディスプレイ(PDP)、液晶用ディスプレイ(LCD)などのような電気的に画像を表示する装置であり、上記のような透明導電性被膜付基材で構成された前面板を備えている。
【0086】
従来の前面板を備えた表示装置を作動させると、前面板に画像が表示されると同時に電磁波が前面板から放出され、この電磁波が観察者の人体に影響を及ぼすが、本発明に係る表示装置では、前面板が102〜104Ω/□の表面抵抗を有する透明導電性被膜付基材で構成されているので、このような電磁波、およびこの電磁波の放出に伴って生じる電磁場を効果的に遮蔽することができる。
【0087】
また、表示装置の前面板で反射光が生じると、この反射光によって表示画像が見にくくなるが、本発明に係る表示装置では、前面板が可視光領域および近赤外領域で充分な反射防止性能を有する透明導電性被膜付基材で構成されているので、このような反射光を効果的に防止することができる。
【0088】
さらに、ブラウン管の前面板が、本発明に係る透明導電性被膜付基材で構成され、この透明導電性被膜のうち、透明導電性微粒子層、その上に形成された透明被膜の少なくとも一方に少量の染料または顔料が含まれている場合には、これらの染料または顔料がそれぞれ固有な波長の光を吸収し、これによりブラウン管から放映される表示画像のコントラストを向上させることができる。
【0089】
【発明の効果】
本発明によれば、導電性、電磁遮蔽性に優れるとともに、光透過率の制御が可能であり、信頼性が高い透明導電性被膜を形成しうる透明導電性被膜形成用塗布液を得ることができる。
【0090】
また、本発明によれば、導電性、電磁遮蔽性に優れるとともに、光透過率の制御が可能であり、信頼性が高い透明導電性被膜が形成された透明導電性被膜付基材を得ることができる。
【0091】
このような透明導電性被膜付基材を表示装置の前面板として用いれば、電磁遮蔽性に優れるとともに反射防止性にも優れた表示装置を得ることができる。
本発明に係る透明導電性被膜付基材の製造方法によれば、導電性物質として複合金属微粒子を含む透明導電性微粒子層が形成されているため、導電性、電磁遮蔽性に優れるとともに、光透過率等の低下が小さく、信頼性が高い透明導電性被膜付基材を提供することができる。
【0092】
また、本発明に係る透明導電性被膜付基材の製造方法によれば、有機系安定剤を、透明被膜形成用塗布液に含まれている酸によって分解、除去しているため、従来のように有機系安定剤を除去するため被膜形成後の基材を400℃以上の高温で焼成する必要がない。このため、高温焼成による複合金属微粒子の凝集、融着を防止できるとともに、得られる被膜のへーズの劣化を防止できる。
【0093】
また、高温処理を必要としていないため、CRTのような表示装置の前面板に透明導電性被膜を形成することが可能である。
【0094】
【実施例】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【0095】
【製造実施例】
a)導電性微粒子分散液の調製
本実施例および比較例で用いた金属微粒子、合金微粒子、複合金属微粒子の分散液と金属微粒子、合金微粒子および複合金属微粒子以外の導電性微粒子の分散液の組成を表1に示す。
【0096】
▲1▼合金微粒子(P−1,P−2,P−4,P−6)および金属微粒子(P−7,P−10)の分散液は、以下の方法で調製した。
メタノール・水混合溶媒(メタノール40重量部/60重量部)に、あらかじめポリビニルアルコール(ただし合金微粒子(P−2)の場合は、ポリビニルピロリドン)を金属または合金1重量部当たり0.01重量部となるように加え、分散液中の金属微粒子または合金微粒子の濃度が金属換算で2重量%であり、合金微粒子の場合は金属種が表1の重量比となるように、塩化金酸、硝酸パラジウム、硝酸銅、硝酸ロジウム、および塩化白金酸からに選択して添加し、次いで還流器付フラスコで90℃、窒素雰囲気下5時間加熱して、金属微粒子または合金微粒子の分散液を得た。
【0097】
5時間加熱した後、還流を止め、加熱しながらメタノールを除去し、水を加えて表1に示す濃度の分散液を調製した。
▲2▼合金微粒子(P−3)の分散液は、以下の方法で調製した。
【0098】
純水100gに、あらかじめクエン酸3ナトリウムを合金1重量部当たり0.01重量部となるように加え、これに金属換算で濃度が10重量%となり、合金の金属種が表1の重量比となるように硝酸銀および硝酸パラジウム水溶液を加え、さらに硝酸銀および硝酸パラジウムの合計モル数と等モル数の硫酸第一鉄の水溶液を添加し、窒素雰囲気下で1時間撹拌して合金微粒子の分散液を得た。得られた分散液は遠心分離器により水洗して不純物を除去した後、水に分散させて表1に示す濃度の分散液を調製した。
【0099】
▲3▼複合金属微粒子(P−5)の分散液は、以下の方法で調製した。
前記調製した合金微粒子(P−4)の分散液に、ポリビニルアルコールがPd金属1重量部当たり0.01重量部となるように加え、これに合金微粒子(P−4)とPd金属の重量比が70:30となるように硝酸パラジウム水溶液を加え、ついで還流器付フラスコで90℃、窒素雰囲気下で5時間加熱した後、還流を止め、加熱しながらメタノールを除去し、水を加えて表1に示す濃度の分散液を調製した。得られた複合金属微粒子(P−5)は、合金微粒子(P−4)の粒子表層にPdを主成分とする複合金属層が形成された複合金属微粒子であった。
【0100】
▲4▼複合金属微粒子(P−8)の分散液は、以下の方法で調製した。
前記調製した金属微粒子(P−7)の分散液に、ポリビニルアルコールがPd金属1重量部当たり0.01重量部となるように加え、これに金属微粒子(P−7)とPdの金属の重量比が70:30となるように硝酸パラジウム水溶液を加え、ついで還流器付フラスコで90℃、窒素雰囲気下で5時間加熱した後、還流を止め、加熱しながらメタノールを除去し、その後水を加えて表1に示す濃度の分散液を調製した。得られた複合金属微粒子(P−8)は、金属微粒子(P−7)の粒子表層にPdを主成分とする複合金属層が形成された複合金属微粒子であった。
【0101】
▲5▼複合金属微粒子(P−9)の分散液は、以下の方法で調製した。
前記調製した金属微粒子(P−7)に、ポリビニルアルコールがPd金属1重量部当たり0.01重量部となるように加え、これに金属微粒子(P−7)とPdの金属の重量比が70:30となるように硝酸パラジウム水溶液を加え、ついで硝酸パラジウムと等モル数となるように硫酸第1鉄水溶液を5分間かけて添加し、窒素雰囲気下で1時間撹拌して複合金属微粒子(P−9)の分散液を得た。その後水を加えて表1に示す濃度の分散液を調製した。得られた複合金属微粒子(P−9)は、金属微粒子(P−7)の粒子表層にPdを主成分とする複合金属層が形成された複合金属微粒子であった。
【0102】
▲6▼Sbドープ酸化錫微粒子(P−11)は、以下のようにして調製した。
塩化錫57.7gと塩化アンチモン7.0gとをメタノール100gに溶解して溶液を調製した。調製した溶液を4時間かけて、90℃、撹拌下の純水1000gに添加して加水分解を行い、生成した沈殿を濾別・洗浄し、乾燥空気中、500℃で2時間焼成してアンチモンをドープした導電性酸化錫の粉末を得た。この粉末30gを水酸化カリウム水溶液(KOHとして3.0g含有)70gに加え、混合液を30℃に保持しながらサンドミルで、3時間粉砕してゾルを調製した。ついでこのゾルをイオン交換樹脂処理して、脱アルカリし、純水を加えて表1に示す濃度のSbドープ酸化錫微粒子(P−11)分散液を調製した。
【0103】
▲7▼Snドープ酸化インジウム微粒子(P−12)については、次のようにして調製した。
硝酸インジウム79.9gを水686gに溶解して得られた溶液と、錫酸カリウム12.7gを濃度10重量%の水酸化カリウム溶液に溶解して得られた溶液とを調製し、これらの溶液を、50℃に保持された1000gの純水に2時間かけて添加した。この間、系内のpHを11に保持した。得られたSnドープ酸化インジウム水和物分散液からSnドープ酸化インジウム水和物を濾別・洗浄した後、乾燥し、次いで空気中で350℃の温度で3時間焼成し、さらに空気中で600℃の温度で2時間焼成することによりSnドープ酸化インジウム微粒子を得た。これを濃度が30重量%となるように純水に分散させ、さらに硝酸水溶液でpHを3.5に調製した後、この混合液を30℃に保持しながらサンドミルで、3時間粉砕してゾルを調製した。次に、このゾルをイオン交換樹脂で処理して硝酸イオンを除去し、純水を加えて表1に示す濃度のSnドープ酸化インジウム微粒子(P−12)分散液を調製した。
【0104】
▲8▼着色剤として導電性カーボン微粒子(P−13:東海カーボン(株)製)を濃度が20重量%となるようにエタノールに分散させた分散液(P−13)を用いた。
b)マトリックス形成成分液 ( M ) の調製
正珪酸エチル(SiO2:28重量%)50g、エタノール194.6g、濃硝 酸1.4gおよび純水34gの混合溶液を室温で5時間撹拌してSiO2濃度5重量%のマトリックス形成成分を含む液(M)を調製した。
c)透明導電性被膜形成用塗布液の調製
表1に示す(P−1)〜(P−13)の分散液と、上記マトリックス形成成分を含む(M)液、水、t−ブタノール、ブチルセルソルブ、クエン酸およびN−メチル−2−ピロリドンから表2に示す透明導電性被膜形成用塗布液(C−1)〜(C−15)を調製した。
d)透明被膜形成用塗布液 (B) の調製
▲1▼透明被膜形成用塗布液(B−1)
上記マトリックス形成成分を含む(A)液に、エタノール/ブタノール/ジアセトンアルコール/イソプロパノール(2:1:1:5重量混合比)の混合溶媒を加え、SiO2 濃度1重量%の透明被膜形成用塗布液(B−1)を調製した。
【0105】
▲2▼透明被膜形成用塗布液(B−2)
正珪酸エチル(SiO2:28重量%)17.9g、エタノール65.5g、濃塩酸4.7gおよび純水11.9gを混合し、50℃で24時間撹拌し、熟成して混合溶液(1)を調製した。
【0106】
エタノール75.9g、濃塩酸4.1gおよび純水10.1gを混合し、さらに正珪酸メチル(SiO2:51重量%)9.8gを加えた後、50℃で24時間撹拌し、熟成して混合溶液(2)を調製した。
【0107】
上記混合溶液(1)100重量部と混合溶液(2)50重量部を混合し(SiO2濃度5重量%)、イソプロパノール/プロピレングリコールモノメチルエーテル/ジアセトンアルコール(6:3:1重量比)の混合溶媒を加え、SiO2濃度1重量%の透明被膜形成用塗布液(B−2)を調製した。
【0108】
なお、本発明で使用される導電性被膜形成用塗布液および透明被膜形成用塗布液は両性イオン交換樹脂(三菱化学(株)製 ダイヤイオン SMNUPB)で脱イオン処理することにより、それぞれの塗布液中のイオン濃度の調整を行った。
【0109】
また、塗布液中のアルカリ金属イオン濃度およびアルカリ土類金属イオン濃度は原子吸光法で測定し、その他の金属イオン濃度は発光分光分析法で測定し、アンモニウムイオンおよびアニオンのイオン濃度はイオンクロマトグラフィー法で測定した。
【0110】
【表1】
【0111】
【表2】
【0112】
【実施例1〜3、参考例1〜6、比較例1 , 2】
透明導電性被膜付パネルガラスの製造
ブラウン管用パネルガラス(14")の表面を40℃で保持しながら、スピナー法で10
0rpm、90秒の条件で上記透明導電性被膜形成用塗布液(C-1)〜(C-10)および(C-14),(C-15)をそれぞれ塗布し乾燥した。
【0113】
次いで、このようにして形成された透明導電性微粒子層上に、同じように、スピナー法で100rpm、90秒の条件で透明被膜形成用塗布液(B−1)を塗布・乾燥し、表3に示す条件で焼成して透明導電性被膜付基材を得た。
【0114】
これらの透明導電性被膜付基材の表面抵抗を表面抵抗計(三菱油化(株)製:LORESTA)で測定し、ヘーズをへーズコンピューター(日本電色(株)製:3000A)で測定した。反射率は反射率計(大塚電子(株)製:MCPD−2000)を用いて測定し、波長400〜700nmの範囲で反射率が最も低い波長のでの反射率としこれを表示した。微粒子の粒子径は、マイクロトラック粒度分析計((株)日機装製)を使用した。
【0115】
また信頼性評価として、下記の方法によって、耐塩水性および耐酸化性の試験を実施した。
[耐塩水性] 濃度5重量%の食塩水溶液に、前記実施例および比較例で得た透明導電性被膜付基材片を、一部が食塩水溶液中に浸漬するように浸漬させ、24時間および48時間放置した後これを取り出し、未浸漬部位との色調の変化を観察した。
【0116】
[耐酸化性] 濃度2重量%の過酸化水素水溶液に、上記実施例および比較例で得た透明導電性被膜付基材片を、一部が過酸化水素水溶液中に浸漬するように浸漬させ、24時間放置した後これを取り出し、未浸漬部位との色調の変化を観察した。
【0117】
【0118】
【実施例10,11、比較例3】
透明導電性被膜付パネルガラスの製造
ブラウン管用パネルガラス(14”)の表面を45℃で保持しながら、スピナー法で150rpm、90秒の条件で上記透明導電性被膜形成用塗布液(C−11)〜(C−13)をそれぞれ塗布し乾燥した以外は、前記実施例1〜9および比較例1,2と同様にして、透明導電性被膜付基材を製造し、評価した。
【0119】
結果を表3に示す。
【0120】
【表3】
Claims (17)
- 金属微粒子または合金微粒子の上に、該金属または合金より高い標準水素電極電位を有する金属が析出されてなり、平均粒子径が1〜200nmである複合金属微粒子と極性溶媒とを含むことを特徴とする透明導電性被膜形成用塗布液。
- 有機系安定剤を含むことを特徴とする請求項1に記載の透明導電性被膜形成用塗布液。
- 前記複合金属微粒子以外の導電性微粒子を含有していることを特徴とする請求項1〜2のいずれかに記載の透明導電性被膜形成用塗布液。
- 透明導電性被膜形成用塗布液がマトリックスを含有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の透明導電性被膜形成用塗布液。
- 前記マトリックスがシリカからなることを特徴とする請求項4に記載の透明導電性被膜形成用塗布液。
- 基材と、
基材上の、金属微粒子または合金微粒子の上に、該金属または合金より高い標準水素電極電位を有する金属が析出されてなる、平均粒子径1〜200nmの複合金属微粒子を含む透明導電性微粒子層と、
該透明導電性微粒子層上に設けられ、該透明導電性微粒子層よりも屈折率が低い透明被膜と、
からなることを特徴とする透明導電性被膜付基材。 - 前記微粒子層が複合金属微粒子以外の導電性微粒子を含有していることを特徴とする請求項6に記載の透明導電性被膜付基材。
- 前記微粒子層がさらにマトリックスを含有していることを特徴とする請求項6または7に記載の透明導電性被膜付基材。
- 前記マトリックスがシリカからなることを特徴とする請求項8に記載の透明導電性被膜
付基材。 - 透明導電性被膜形成用塗布液中に含まれる複合金属微粒子が、金属微粒子または合金微粒子と極性溶媒とからなる分散液に、該微粒子を構成する金属よりも高い標準水素電極電位を有する金属の塩を添加して、金属微粒子または合金微粒子上に該微粒子を構成する金属よりも高い標準水素電極電位を有する金属を析出させて形成したものであり、平均粒子径が1〜200nmである複合金属微粒子と極性溶媒とからなる透明導電性被膜形成用塗布液を基材上に塗布し、
乾燥して透明導電性微粒子層を形成し、
次いで、該微粒子層上に透明被膜形成用塗布液を塗布して前記透明導電性微粒子層上に該微粒子層よりも屈折率の低い透明被膜を形成することを特徴とする透明導電性被膜付基材の製造方法。 - 前記透明導電性被膜形成用塗布液が有機系安定剤を含み、かつ前記透明被膜形成用塗布液が酸を含むことを特徴とする請求項10に記載の透明導電性被膜付基材の製造方法。
- 金属微粒子または合金微粒子と極性溶媒とからなる透明導電性被膜形成用塗布液を基材上に塗布し、乾燥して透明導電性微粒子層を形成し、次いで、該微粒子を構成する金属よりも高い標準水素電極電位を有する金属のイオンを含む透明被膜形成用塗布液を前記透明導電性微粒子層上に塗布して、該微粒子層上に該微粒子層よりも屈折率の低い透明被膜を形成するとともに、該微粒子層中に含まれる金属微粒子または合金微粒子上に該微粒子を構成する金属よりも高い標準水素電極電位を有する金属を析出させて、金属微粒子または合金微粒子を複合金属微粒子とすることを特徴とする透明導電性被膜付基材の製造方法。
- 前記透明導電性被膜形成用塗布液が有機系安定剤を含み、かつ前記透明被膜形成用塗布液が酸を含むことを特徴とする請求項12に記載の透明導電性被膜付基材の製造方法。
- 前記透明導電性被膜形成用塗布液が、金属微粒子、合金微粒子および複合金属微粒子以外の導電性微粒子を含有していることを特徴とする請求項11〜13のいずれかに記載の透明導電性被膜付基材の製造方法。
- 前記透明導電性被膜形成用塗布液が、さらにマトリックス形成成分を含有していることを特徴とする請求項11〜14のいずれかに記載の透明導電性被膜付基材の製造方法。
- 前記マトリックス形成成分が加水分解性有機ケイ素化合物を酸触媒の存在下で加水分解して得られたシリカ重縮合体であることを特徴とする請求項15に記載の透明導電性被膜付基材の製造方法。
- 請求項6〜9のいずれかに記載の透明導電性被膜付基材で構成された前面板を備え、透明導電性被膜が該前面板の外表面に形成されていることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15106397A JP3563236B2 (ja) | 1996-09-26 | 1997-06-09 | 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材およびその製造方法、表示装置 |
| US08/937,937 US6136228A (en) | 1996-09-26 | 1997-09-25 | Coating liquid for forming transparent conductive coating |
| KR1019970049097A KR100464571B1 (ko) | 1996-09-26 | 1997-09-26 | 투명도전성피막형성용도포액,투명도전성피막이도포된기재,그의제조방법및표시장치 |
| US09/564,381 US6180030B1 (en) | 1996-09-26 | 2000-04-27 | Substrate with transparent conductive coating and display device |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25504496 | 1996-09-26 | ||
| JP8-255044 | 1996-09-26 | ||
| JP8-282671 | 1996-10-24 | ||
| JP28267196 | 1996-10-24 | ||
| JP15106397A JP3563236B2 (ja) | 1996-09-26 | 1997-06-09 | 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材およびその製造方法、表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10188681A JPH10188681A (ja) | 1998-07-21 |
| JP3563236B2 true JP3563236B2 (ja) | 2004-09-08 |
Family
ID=27320049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15106397A Expired - Lifetime JP3563236B2 (ja) | 1996-09-26 | 1997-06-09 | 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材およびその製造方法、表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6136228A (ja) |
| JP (1) | JP3563236B2 (ja) |
| KR (1) | KR100464571B1 (ja) |
Families Citing this family (62)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6108637A (en) * | 1996-09-03 | 2000-08-22 | Nielsen Media Research, Inc. | Content display monitor |
| JP3278614B2 (ja) * | 1998-07-16 | 2002-04-30 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| US20030148024A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-08-07 | Kodas Toivo T. | Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features |
| MY125159A (en) * | 1998-09-14 | 2006-07-31 | Mitsubishi Materials Corp | Fine metal particle-dispersion solution and conductive film using the same |
| JP4522505B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2010-08-11 | 日揮触媒化成株式会社 | 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材および表示装置 |
| EP1079413B1 (en) | 1999-08-26 | 2005-11-02 | Sumitomo Metal Mining Company Limited | Transparent conductive layered structure and method of producing the same, coating liquid useful therefor, and display that uses transparent conductive layered structure |
| US6710525B1 (en) * | 1999-10-19 | 2004-03-23 | Candescent Technologies Corporation | Electrode structure and method for forming electrode structure for a flat panel display |
| JP2002083518A (ja) | 1999-11-25 | 2002-03-22 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電性基材とその製造方法並びにこの透明導電性基材が適用された表示装置、および透明導電層形成用塗液とその製造方法 |
| WO2001084610A1 (fr) * | 2000-05-02 | 2001-11-08 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Procede de realisation d'un circuit integre, et substrat dote d'un circuit integre forme a l'aide dudit procede |
| CN1200902C (zh) * | 2000-06-20 | 2005-05-11 | 株式会社东芝 | 透明涂膜基片、形成透明膜用的涂液及显示装置 |
| JP4788852B2 (ja) * | 2000-07-25 | 2011-10-05 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電性基材とその製造方法およびこの製造方法に用いられる透明コート層形成用塗布液と透明導電性基材が適用された表示装置 |
| JP2002173602A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Learonal Japan Inc | 非帯電性樹脂複合材料および該樹脂複合材料の製造方法 |
| JP4812935B2 (ja) * | 2000-12-20 | 2011-11-09 | 学校法人日本大学 | ハードコート膜形成方法 |
| JP5187990B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2013-04-24 | 日揮触媒化成株式会社 | 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材ならびに表示装置 |
| CN1500282A (zh) * | 2001-02-06 | 2004-05-26 | ���µ�����ҵ��ʽ���� | 等离子体显示板及其制造方法 |
| JP4183924B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2008-11-19 | 日揮触媒化成株式会社 | 金属微粒子および該微粒子の製造方法、該微粒子を含む透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材、表示装置 |
| JP3876811B2 (ja) | 2001-11-02 | 2007-02-07 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電層形成用塗液の製造方法 |
| US20050199861A1 (en) * | 2001-12-12 | 2005-09-15 | Wu L. W. | Manufacturing method for transparent and conductive coatings |
| US6923923B2 (en) | 2001-12-29 | 2005-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Metallic nanoparticle cluster ink and method for forming metal pattern using the same |
| KR100507842B1 (ko) * | 2002-01-11 | 2005-08-17 | 에스케이씨 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 판넬용 전면 광학 필터 |
| KR100436710B1 (ko) * | 2002-01-23 | 2004-06-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투명도전막, 그 제조방법 및 이를 채용한 화상표시장치 |
| TWI313702B (en) * | 2002-02-25 | 2009-08-21 | Mitsubishi Materials Corp | Composition, coating film, polymer film and optical filter comprising metal nanorods |
| US7033672B2 (en) * | 2002-03-19 | 2006-04-25 | Analog Devices, Inc. | Static dissipation treatments for optical package windows |
| JP4479161B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2010-06-09 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電膜とこの透明導電膜形成用塗布液および透明導電性積層構造体と表示装置 |
| KR100484102B1 (ko) | 2002-05-16 | 2005-04-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투명도전막 형성용 조성물, 이로부터 형성된 투명도전막및 상기 투명도전막을 채용한 화상표시장치 |
| JP4002469B2 (ja) * | 2002-05-21 | 2007-10-31 | 触媒化成工業株式会社 | インジウム系金属微粒子の製造方法、インジウム系金属微粒子を含む透明導電性被膜形成用塗布液、分散ゾル、透明導電性被膜付基材、表示装置 |
| US7601406B2 (en) * | 2002-06-13 | 2009-10-13 | Cima Nanotech Israel Ltd. | Nano-powder-based coating and ink compositions |
| US7566360B2 (en) * | 2002-06-13 | 2009-07-28 | Cima Nanotech Israel Ltd. | Nano-powder-based coating and ink compositions |
| US7736693B2 (en) * | 2002-06-13 | 2010-06-15 | Cima Nanotech Israel Ltd. | Nano-powder-based coating and ink compositions |
| JP2004055298A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 透明導電性被膜形成用塗布液、および透明導電性被膜付基材、表示装置 |
| US7883421B2 (en) * | 2003-03-17 | 2011-02-08 | Igt | Gaming apparatus having a display with a conductive coating |
| JP4837376B2 (ja) * | 2003-05-12 | 2011-12-14 | 日揮触媒化成株式会社 | 透明被膜形成用塗布液および透明被膜付基材、表示装置 |
| CN101101400B (zh) * | 2003-06-06 | 2010-06-02 | 日挥触媒化成株式会社 | 液晶显示盒 |
| JP3711992B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2005-11-02 | 住友電気工業株式会社 | 顆粒状の金属粉末 |
| JPWO2005087413A1 (ja) * | 2004-03-16 | 2008-01-24 | 日本ペイント株式会社 | 合金ナノ粒子含有溶液の製造方法及び合金ナノ粒子含有溶液 |
| JP2006173408A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 回路付基板の製造方法および該方法で得られた回路付基板 |
| US7531239B2 (en) * | 2005-04-06 | 2009-05-12 | Eclipse Energy Systems Inc | Transparent electrode |
| JP4918994B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2012-04-18 | 住友電気工業株式会社 | 金属被膜の形成方法および金属配線 |
| JP5009907B2 (ja) * | 2005-06-10 | 2012-08-29 | シーマ ナノ テック イスラエル リミティド | 向上透明導電性被膜及びそれらを作製する方法 |
| JP2007066711A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Tdk Corp | 透明導電体及びこれを用いた透明導電フィルム |
| KR100768341B1 (ko) * | 2005-11-09 | 2007-10-17 | 주식회사 나노신소재 | 금속성 잉크, 그리고 이를 이용한 전극형성방법 및 기판 |
| KR101485304B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2015-01-23 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 태양 전지의 전극 형성용 조성물 및 그 전극의 형성 방법, 그리고 그 형성 방법에 의해 얻어진 전극을 사용한 태양 전지 |
| WO2008047641A1 (en) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for electrode formation and method for forming electrode by using the composition |
| JP5309521B2 (ja) | 2006-10-11 | 2013-10-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 電極形成用組成物及びその製造方法並びに該組成物を用いた電極の形成方法 |
| JP5169389B2 (ja) | 2007-04-19 | 2013-03-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性反射膜の製造方法 |
| KR101571706B1 (ko) * | 2007-08-31 | 2015-11-25 | 니끼 쇼꾸바이 카세이 가부시키가이샤 | 하드 코팅막부 기재 및 하드 코팅막 형성용 도포액 |
| EP2190027B1 (en) * | 2007-09-12 | 2016-04-13 | Mitsubishi Materials Corporation | Process for producing a composite membrane for superstrate solar cell |
| WO2009086161A1 (en) | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Cima Nanotech Israel Ltd. | Transparent conductive coating with filler material |
| DE112009002056T5 (de) * | 2008-08-27 | 2011-07-14 | Mitsubishi Materials Corporation | Transparenter elektrisch leitfähiger Film für Solarzellen, Zusammensetzung für transparente elektrisch leitfähige Filme und Mehrfach-Solarzellen |
| WO2010023920A1 (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-04 | 三菱マテリアル株式会社 | 太陽電池用透明導電膜及びその透明導電膜用組成物、多接合型太陽電池 |
| JP5544774B2 (ja) * | 2008-08-27 | 2014-07-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 多接合型太陽電池 |
| KR101243725B1 (ko) * | 2009-09-10 | 2013-03-13 | 주식회사 엘지화학 | 투명 도전성 필름, 이를 이용한 터치 패널 및 디스플레이 장치 |
| CN102201274A (zh) * | 2010-03-26 | 2011-09-28 | 三菱综合材料株式会社 | 导电膜形成用组成物、太阳能电池用复合膜及其形成方法 |
| JP5952553B2 (ja) * | 2011-12-14 | 2016-07-13 | 株式会社日本触媒 | 導電性微粒子及びこれを含む異方性導電材料 |
| ES2703905T3 (es) | 2012-04-17 | 2019-03-13 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Pasta para una película gruesa, conductora para contactos de células solares |
| EP2654087B1 (en) * | 2012-04-17 | 2018-02-14 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC | Tellurium inorganic reaction systems for conductive thick film paste for solar cell contacts |
| JP6119733B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2017-04-26 | トヨタ自動車株式会社 | 排ガス浄化触媒及びその製造方法 |
| US11096318B2 (en) * | 2015-07-14 | 2021-08-17 | Toda Kogyo Corp. | Ferrite laminate and noise suppression sheet |
| US11258366B2 (en) | 2015-11-20 | 2022-02-22 | Galvion Soldier Power, Llc | Power manager with reconfigurable power converting circuits |
| AU2016355125A1 (en) | 2015-11-20 | 2018-07-05 | David Long | Power manager with reconfigurable power converting circuits |
| KR101942187B1 (ko) * | 2017-06-19 | 2019-01-25 | 전남대학교산학협력단 | 가요성 전극 및 이의 제조방법 |
| US12326707B2 (en) | 2022-05-16 | 2025-06-10 | Galvion Ltd. | Method and system of providing a uniform messaging platform in a heterogeneous environment |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05198261A (ja) | 1991-07-10 | 1993-08-06 | Samsung Display Devices Co Ltd | 陰極線管の製造方法 |
| DE69207338T2 (de) | 1991-10-23 | 1996-07-25 | Philips Electronics Nv | Antireflektive und antistatische Verkleidungsschicht insbesonder für eine Elektronenstrahlröhre |
| JP2685142B2 (ja) | 1992-05-25 | 1997-12-03 | 株式会社日立製作所 | ブラウン管表示面の反射防止兼帯電防止膜の形成方法。 |
| JP2970294B2 (ja) | 1992-08-31 | 1999-11-02 | 株式会社日立製作所 | ブラウン管とその製法 |
| JPH06279755A (ja) | 1992-11-17 | 1994-10-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 電界シールド用処理液 |
| US5795897A (en) * | 1992-11-18 | 1998-08-18 | Cell Therapeutics, Inc. | Oxohexyl methylxanthine compounds |
| JP2715854B2 (ja) | 1993-08-27 | 1998-02-18 | 関西日本電気株式会社 | 陰極線管 |
| JP3198494B2 (ja) * | 1993-11-19 | 2001-08-13 | 日産化学工業株式会社 | 導電性酸化物粒子及びその製造方法 |
| JP3545452B2 (ja) | 1994-03-25 | 2004-07-21 | 大日本印刷株式会社 | 透明導電膜の製造方法 |
| JPH07320663A (ja) | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Suzuki Sogyo Co Ltd | ディスプレイデバイスのフェイス保護装置及び方法 |
| JPH0820734A (ja) | 1994-07-06 | 1996-01-23 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 導電性塗料および透明導電性膜 |
| JP3302186B2 (ja) | 1994-09-01 | 2002-07-15 | 触媒化成工業株式会社 | 透明導電性被膜付基材、その製造方法および該基材を備えた表示装置 |
| JPH09286936A (ja) | 1996-04-22 | 1997-11-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜形成用塗布液、これを用いた透明導電膜及びその形成方法 |
-
1997
- 1997-06-09 JP JP15106397A patent/JP3563236B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-25 US US08/937,937 patent/US6136228A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-26 KR KR1019970049097A patent/KR100464571B1/ko not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-04-27 US US09/564,381 patent/US6180030B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980025037A (ko) | 1998-07-06 |
| JPH10188681A (ja) | 1998-07-21 |
| KR100464571B1 (ko) | 2005-06-13 |
| US6136228A (en) | 2000-10-24 |
| US6180030B1 (en) | 2001-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3563236B2 (ja) | 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材およびその製造方法、表示装置 | |
| JP4183924B2 (ja) | 金属微粒子および該微粒子の製造方法、該微粒子を含む透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材、表示装置 | |
| JP3302186B2 (ja) | 透明導電性被膜付基材、その製造方法および該基材を備えた表示装置 | |
| JP2004055298A (ja) | 透明導電性被膜形成用塗布液、および透明導電性被膜付基材、表示装置 | |
| JP3973330B2 (ja) | 透明被膜付基材、透明被膜形成用塗布液、および表示装置 | |
| JP5638935B2 (ja) | 金属微粒子分散液、透明導電性被膜形成用塗布液及び透明導電性被膜付基材 | |
| JP5580153B2 (ja) | 金属微粒子分散液、金属微粒子、金属微粒子分散液の製造法等 | |
| JP4522505B2 (ja) | 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材および表示装置 | |
| JP4343520B2 (ja) | 透明被膜形成用塗布液および透明被膜付基材、表示装置 | |
| JP3779088B2 (ja) | 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材および表示装置 | |
| JP4002469B2 (ja) | インジウム系金属微粒子の製造方法、インジウム系金属微粒子を含む透明導電性被膜形成用塗布液、分散ゾル、透明導電性被膜付基材、表示装置 | |
| JP5068298B2 (ja) | 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材および表示装置 | |
| JP3982967B2 (ja) | 透明被膜形成用塗布液、透明被膜付基材および表示装置 | |
| JP2001064540A (ja) | 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材および表示装置 | |
| JP4959067B2 (ja) | 透明低反射導電性被膜形成用塗布液、透明低反射導電性被膜付基材および表示装置 | |
| JP5187990B2 (ja) | 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材ならびに表示装置 | |
| JP2003105268A (ja) | 透明被膜形成用塗布液および透明導電性被膜付基材、表示装置 | |
| JP4519343B2 (ja) | 結晶性導電性微粒子、該微粒子の製造方法ならびに透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材および表示装置 | |
| JP4425530B2 (ja) | インジウム系酸化物微粒子の製造方法、該微粒子を含む透明導電性被膜形成用塗布液および透明導電性被膜付基材、表示装置 | |
| JP4372301B2 (ja) | 透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材および表示装置 | |
| JP4240905B2 (ja) | インジウム系酸化物微粒子およびその製造方法、ならびにインジウム系酸化物微粒子を含む透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材、表示装置 | |
| JP4902048B2 (ja) | 透明導電性被膜付基材および表示装置 | |
| JP4033646B2 (ja) | 導電性金属酸化物粒子、導電性金属酸化物粒子の製造方法、透明導電性被膜付基材および表示装置 | |
| JP2003261326A (ja) | インジウム系酸化物微粒子、該微粒子の製造方法ならびに該微粒子を含んでなる透明導電性被膜形成用塗布液および透明導電性被膜付基材、表示装置 | |
| JP2004204174A (ja) | 透明導電性被膜形成用塗布液および透明導電性被膜付基材、表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031208 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040225 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040420 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040526 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040602 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080611 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090611 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100611 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100611 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110611 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110611 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120611 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120611 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |