JP3582927B2

JP3582927B2 - Chip type thermistor

Info

Publication number: JP3582927B2
Application number: JP06086296A
Authority: JP
Inventors: 弘明中島; 保隆前田; 憲昭長友; 正己越村
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 1996-03-18
Filing date: 1996-03-18
Publication date: 2004-10-27
Anticipated expiration: 2016-03-18
Also published as: JPH09251903A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はチップ型サーミスタに係り、特に、機械的応力及び熱応力に対する耐久性が高く、信頼性に優れたチップ型サーミスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
プリント回路基板等に表面実装されるチップ型サーミスタは、一般に、次のようにして製造されている。即ち、まず、キャスティング法によりサーミスタ用セラミックスグリーンシートを製造し、このグリーンシートを複数枚重ね合わせて焼結して略直方体形状のサーミスタ素体を得る。そして、図５に示す如く、このサーミスタ素体１の一対の平行な端面に端子電極２を形成してサーミスタ３を得る。
【０００３】
このようなサーミスタの製造に当り、グリーンシートの表面に印刷法等により導電膜を形成し、これを用いて積層、焼結することにより、サーミスタ素体の内部に抵抗値調整用の内部電極を形成したサーミスタを得ることができる。このようなサーミスタとしては、図６に示す如く、内部電極４の一端が端子電極２に導通するように非対称に交互に設けられたサーミスタ３Ａ、図７に示す如く内部電極４の一端が端子電極２に導通するように対称に設けられたサーミスタ３Ｂ、図８に示す如く、更に端子電極２と導通しない内部電極４Ａが設けられたサーミスタ３Ｃ、図９に示す如く、端子電極２と導通しない内部電極４Ａのみが設けられたサーミスタ３Ｄなどがある。
【０００４】
いずれのサーミスタ３Ａ〜３Ｄにおいても、内部電極４，４Ａは、サーミスタ素体１の断面における厚さ方向の中央寄りの領域に、サーミスタ素体１の側面１Ａ，１Ｂから離隔して設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来のサーミスタのうち、図５に示すような、内部電極のないサーミスタ３では、サーミスタ素体１自体の強度が弱い場合には、曲げ応力等の機械的応力や熱応力に対する耐久性が不足し、サーミスタが破壊し易い。
【０００６】
また、図６〜９に示す如く、内部電極４，４Ａを設けたサーミスタ３Ａ〜３Ｄであっても、やはり耐曲げ応力等が十分でなく、サーミスタが破壊し易いという問題がある。
【０００７】
本発明は上記従来の問題点を解決し、曲げ応力等の機械的応力や熱応力に対する耐久性が高く、信頼性に優れたチップ型サーミスタを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のチップ型サーミスタは、略直方体形状のセラミックス焼結体よりなるサーミスタ素体と、該サーミスタ素体の一対の平行な端面に設けられた端子電極とを有するチップ型サーミスタにおいて、該サーミスタ素体の内部であって、該端面同士を結ぶ方向に延在する一対の平行な側面の近傍部分に、該側面と平行方向に延在する、該セラミックス焼結体よりも熱膨張係数の大きな材料よりなるガード電極を設けたこと、該ガード電極は、該サーミスタ素体の一方の前記端面の側と他方の前記端面の側とに分れて配置されていること、該ガード電極は該サーミスタ素体の各端面にまで達し、該端子電極と導通していること、該端子電極は該側面に回り込んでおり、この回り込んだ部分は該サーミスタ素体の該側面に接しており、該ガード電極は端子電極のこの回り込んだ部分よりも長く他方の端面に向かって延在していること、及び該サーミスタ素体の内部に、該側面と平行方向に延在する内部電極が設けられていること、該ガード電極と該側面との距離が２０〜６０μｍであり、該端子電極の回り込み幅よりもガード電極が延出した幅が０．１ｍｍ以上であることを特徴とする。
【０００９】
本発明のチップ型サーミスタは、電子部品素体の内部に設けられたガード電極により、引張応力に弱いセラミックス焼結体よりなる電子部品素体の耐破壊応力が向上し、曲げ応力等の機械的応力や熱応力に対する耐久性が高く、信頼性に優れる。また、本発明によると、端子電極間の抵抗値が安定したものとなる。
【００１０】
本発明において、ガード電極は貴金属よりなることが好ましい。
また、圧縮応力付与層は電子部品素体の一方の端面の側と多方の端面の側に分れて配置され、素体の各端面にまで達して端子電極と導通していることが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１８】
本発明においては、図１に示す如く、サーミスタ素体１の内部に、サーミスタ素体１を構成するセラミックス焼結体よりも熱膨張係数の大きな材料よりなるガード電極５を設ける。
【００１９】
このガード電極５は、サーミスタ素体１の端子電極２形成端面同士を結ぶ方向に延在する一対の平行な側面（以下単に「側面」と称す。）１Ａ，１Ｂの近傍部分に、該側面１Ａ，１Ｂと平行方向に設けられている。
【００２０】
このようなガード電極５は、例えば、サーミスタ素体１の製造に当り、所定厚さとなるように重ね合わせるグリーンシートに内部電極層と同様にして導電層を形成することにより容易に形成することができる。
【００２１】
一般に、サーミスタ素体を構成するセラミックスは、Ｍｎ，Ｃｏ等の遷移金属の酸化物よりなり、その熱膨張係数は通常１２０×１０^−７／℃程度である。一方、内部電極に用いられるＡｇ，Ｐｄ等の金属又は合金の熱膨張係数は、セラミックスの熱膨張係数よりも大きい。例えば、内部電極として主に用いられるＡｇの熱膨張係数は１７０×１０^−７／℃である。
【００２２】
このように熱膨張係数の大きいガード電極５がサーミスタ素体１の側面１Ａ，１Ｂの近傍に形成されるように、導電層を設けたグリーンシートを積層して一体焼成すると、サーミスタ素体（焼結体）１の側面１Ａ，１Ｂの近傍に、サーミスタ素体１のセラミックスとガード電極５の金属との熱膨張係数差に起因する残留圧縮応力が発生する。この残留圧縮応力は、引張応力に弱いセラミックス焼結体よりなるサーミスタ素体１の耐破壊応力性能を向上させる。即ち、サーミスタ素体１に加わる引張応力を残留圧縮応力が相殺することで、耐応力特性が向上する。
【００２３】
例えば、図２に示す如く、サーミスタを基板に実装した後、たわみ応力Ｆが加えられた場合、サーミスタ素体１表面の図２のＳの部分に引張応力が集中するが、本発明のサーミスタでは、ガード電極５を設けたことにより、この引張応力の集中部Ｓに、残留圧縮応力が生じているため、ガード電極のない従来の素体に比べて耐破壊限界応力（強度）が著しく大きい。
【００２４】
本発明において、このような残留圧縮応力による耐久性向上効果を確実に得るために、ガード電極５は、サーミスタ素体１の端子電極２形成端面にまで達し、且つ一方の端子電極２（２Ａ）形成端面の側と、他方の端子電極２（２Ｂ）形成端面の側とに分れて配置されている。この場合、分れて配置されたガード電極５は必ずしも同一平面上に形成される必要はなく、図４に示す如く、段差のあるものであっても良い。
【００２５】
また、ガード電極の形成数等にも特に制限はない。ただし、ガード電極５の形成位置が、サーミスタ素体１の側面１Ａ，１Ｂから離れると、残留圧縮応力による引張応力緩和効果が損なわれるため、ガード電極は図３に示すサーミスタ素体１の側面１Ａ，１Ｂからの距離ｄが２０〜６０μｍとなるように設ける。
【００２６】
なお、ガード電極５の構成材料としては内部電極の構成材料と同種の材料、一般にはＡｇ等の貴金属又はその合金が用いられるが、何らこれに限定されるものではない。
【００２７】
このような本発明のサーミスタは、内部電極を有するサーミスタにも適用することができ、図６〜９等に示される如く、様々なパターンで内部電極４，４Ａが形成されたサーミスタに適用可能である。
【００２８】
ところで、サーミスタ素体１の端子電極２は、一般に、図４に示す如く、サーミスタ素体の側面１Ａ，１Ｂに回り込み該側面１Ａ、１Ｂに接するように設けられているが、サーミスタ素体１の内部に内部電極を設けたサーミスタにおいては、この端子電極２の回り込み幅のばらつきによりサーミスタの抵抗値もばらつきを生じるという問題がある。
【００２９】
これに対して、本発明では、ガード電極５を図３に示す如く、サーミスタ素体１の端面において端子電極２に導通させ、且つ端子電極２の回り込み幅よりも延出させている。これにより、この端子電極２の回り込み幅のばらつきの影響を防止することができ、抵抗値の安定したサーミスタを得ることができる。一般に、図３において、端子電極２の回り込み幅よりもガード電極５が延出した幅（以下「延出幅」と称す。）Ｗは、０．１ｍｍ以上とする。
【００３０】
【実施例】
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明する。
【００３１】
実施例１
図１０（ａ）に示す如く、サーミスタ素体１内部に内部電極４Ａとガード電極５とが形成されたチップ型サーミスタ１０Ａを製造した。まず、市販の炭酸マンガン、炭酸コバルト及び酸化銅を出発原料とし、これらを金属原子比がＭｎ：Ｃｏ＝３５：６５となるようにそれぞれ秤量し、ボールミルで１６時間均一に混合した後脱水乾燥した。次に、この混合物を大気圧下、９００℃で２時間仮焼し、この仮焼物を再びボールミルで粉砕して脱水乾燥した。この粉砕物に有機系溶剤及び結合剤等を加え、キャスティング法により厚さ４０μｍ程度のサーミスタグリーンシートを作製した。
【００３２】
このグリーンシートに印刷法によりガード電極層又は内部電極層を印刷し、これを複数枚重ねて厚さ０．９ｍｍの積層体とし、この積層体を１．２５ｍｍ×２．０ｍｍのチップ状に切断加工した後、大気圧下、１１００℃で４時間焼成した。なお、ガード電極層及び内部電極層の形成には、川角技研社製「Ｓ−１０４４」（Ａｇ／Ｐｄ＝７０／３０（重量比））を用いた。
【００３３】
得られたチップ状の焼結体をバレル研磨法で面取り処理した後、両端部にディッピング法により端子電極層（Ａｇ／Ｐｄ）を形成して焼成した。
【００３４】
得られたサーミスタ１０Ａは、４個のガード電極５が、サーミスタ素体１の断面において左右及び上下対称位置に形成されたものであり、サーミスタ素体１の側面１Ａ，１Ｂとガード電極電極５との距離ｄは４０μｍであり、ガード電極５の延出幅Ｗは０．２ｍｍである。
【００３５】
このサーミスタ１０Ａを、１．６ｍｍ厚さのガラスエポキシ基板にリフロー実装後、曲げ応力の生じるたわみ試験における破壊限界値を測定し、結果を表１に示した。
【００３６】
比較例１
ガード電極層を形成しなかったこと以外は実施例１と同様にして、図１０（ｂ）に示す如く、サーミスタ素体１内部に内部電極４Ａのみが形成され、ガード電極のないサーミスタ１０Ｂを製造した。
【００３７】
このサーミスタ１０Ｂについて、実施例１と同様にして破壊限界値の測定を行い、結果を表１に示した。
【００３８】
表１より、ガード電極を設けた本発明のサーミスタは、従来のものに比べて機械的応力に対する耐久性が向上し、信頼性に優れることが明らかである。
【００３９】
【表１】

【００４０】
実施例２
図１１（ａ）に示す如く、サーミスタ素体１内部に内部電極４，４Ａとガード電極５とが形成されたチップ型サーミスタ１０Ｃを製造した。まず、内部電極層の印刷パターンを変更したこと以外は、実施例１と同様にしてチップ状の焼結体を製造した。この焼結体の側面にスパッタリング法によりＳｉＯ_２ −Ｂ_２Ｏ_３ −ＰｂＯ系のガラス保護膜（厚さ約２μｍ）６を形成した後、両端部にディッピング法により端子電極層（Ａｇ：ＤｕＰｏｎｔ社製「１１７６Ｊ」）を形成して焼成した。次いで、電解バレル法で端子電極２の表面に厚さ２〜５ミクロンのＮｉめっき層７を形成し、その上に厚さ３〜７ミクロンのはんだめっき層８を形成した。
【００４１】
得られたサーミスタ１０Ａは、４個のガード電極５が、サーミスタ素体１の断面において左右及び上下対称位置に形成されたものであり、サーミスタ素体１の側面１Ａ，１Ｂとガード電極５との距離ｄは４０μｍであり、ガード電極５の延出幅Ｗは０．１５ｍｍである。
【００４２】
このサーミスタ１０Ｃについて、実施例１と同様にしてたわみ試験を行い、結果を表２に示した。また、抗折強度試験（スパン距離１．２ｍｍにて素体上部から荷重をかけ、素体の破壊加重を測定する）及びサーマルショック試験（Ｈ−６３Ａ材質の３５０℃の溶融はんだ中に５秒間浸漬する）を行い、結果を表２に併記した。
【００４３】
比較例２
ガード電極層を形成しなかったこと以外は実施例２と同様にして、図１１（ｂ）に示す如く、サーミスタ素体１内部に内部電極４，４Ａのみが形成され、ガード電極のないサーミスタ１０Ｄを製造した。
【００４４】
このサーミスタ１０Ｄについて、実施例２と同様にして、たわみ試験、抗折強度試験及びサーマルショック試験を行い、結果を表２に示した。
【００４５】
表２より、ガード電極を設けた本発明のサーミスタは、従来のものに比べて機械的及び熱的応力に対する耐久性が向上し、信頼性に優れることが明らかである。
【００４６】
【表２】

【００４７】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明によれば、機械的応力や熱応力に対する耐久性が高く、耐破壊特性に優れた高信頼性のチップ型サーミスタが提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係るサーミスタの断面図である。
【図２】本発明に係るサーミスタの応力緩和効果を説明する断面図である。
【図３】本発明に係るサーミスタの部分拡大断面図である。
【図４】本発明に係るサーミスタの部分拡大断面図である。
【図５】従来のサーミスタを示す断面図である。
【図６】従来のサーミスタを示す断面図である。
【図７】従来のサーミスタを示す断面図である。
【図８】従来のサーミスタを示す断面図である。
【図９】従来のサーミスタを示す断面図である。
【図１０】（ａ）は実施例１で製造したサーミスタの断面図、（ｂ）は比較例１で製造したサーミスタの断面図である。
【図１１】（ａ）は実施例２で製造したサーミスタの断面図、（ｂ）は比較例２で製造したサーミスタの断面図である。
【符号の説明】
１サーミスタ素体
２端子電極
３サーミスタ
４，４Ａ内部電極
５ガード電極
６ガラス保護膜
７Ｎｉめっき層
８はんだめっき層
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄサーミスタ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a chip thermistor , and more particularly, to a chip thermistor having high durability against mechanical stress and thermal stress and having excellent reliability.
[0002]
[Prior art]
Chip-type thermistor is surface mounted to the print circuit board or the like are generally manufactured as follows. That is, first, a ceramic green sheet for a thermistor is manufactured by a casting method, and a plurality of the green sheets are stacked and sintered to obtain a thermistor body having a substantially rectangular parallelepiped shape. Then, as shown in FIG. 5, a terminal electrode 2 is formed on a pair of parallel end faces of the thermistor body 1 to obtain a thermistor 3.
[0003]
In the production of such a thermistor, a conductive film is formed on the surface of the green sheet by a printing method or the like, and laminated and sintered using the conductive film to form an internal electrode for adjusting the resistance value inside the thermistor body. The formed thermistor can be obtained. As shown in FIG. 6, the thermistor 3A is provided asymmetrically and alternately so that one end of the internal electrode 4 is electrically connected to the terminal electrode 2 as shown in FIG. 2, a thermistor 3B provided symmetrically so as to conduct to the terminal electrode 2, as shown in FIG. 8, a thermistor 3C further provided with an internal electrode 4A not conducting to the terminal electrode 2, and an interior not conducting to the terminal electrode 2 as shown in FIG. There is a thermistor 3D provided with only the electrode 4A.
[0004]
In any of the thermistors 3A to 3D, the

internal electrodes

4 and 4A are provided in the region near the center in the thickness direction in the cross section of the thermistor body 1 and separated from the

side surfaces

1A and 1B of the thermistor body 1. .
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
Among the conventional thermistors, the thermistor 3 without internal electrodes as shown in FIG. 5 has insufficient durability against mechanical stress such as bending stress and thermal stress when the strength of the thermistor body 1 itself is weak. The thermistor is easily broken.
[0006]
Further, as shown in FIGS. 6 to 9, even the thermistors 3A to 3D provided with the

internal electrodes

4 and 4A have a problem that the bending resistance is not sufficient and the thermistor is easily broken.
[0007]
An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and to provide a chip thermistor having high durability against mechanical stress such as bending stress and thermal stress and excellent in reliability.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The chip-type thermistor of the present invention is a chip-type thermistor having a thermistor body made of a substantially rectangular parallelepiped ceramic sintered body and terminal electrodes provided on a pair of parallel end faces of the thermistor body. A material having a larger coefficient of thermal expansion than the ceramic sintered body, extending in a direction parallel to the side surfaces, in a portion near the pair of parallel side surfaces extending in a direction connecting the end surfaces inside the body. Wherein the guard electrode is disposed separately on one end face side and the other end face side of the thermistor element body, and the guard electrode is provided with the thermistor element. Reaching to each end face of the body, being electrically connected to the terminal electrode, the terminal electrode wrapping around the side face, and the wrapped portion is in contact with the side face of the thermistor body, and the guard Electric Is extended toward the other end face longer than the wrapped portion of the terminal electrode, and an internal electrode extending in a direction parallel to the side surface is provided inside the thermistor body. The distance between the guard electrode and the side surface is 20 to 60 μm, and the width of the guard electrode extending beyond the wraparound width of the terminal electrode is 0.1 mm or more .
[0009]
The chip-type thermistor of the present invention has a guard electrode provided inside the electronic component body, whereby the electronic component body made of a ceramic sintered body that is weak in tensile stress is improved in the fracture resistance and the mechanical strength such as bending stress is increased. High durability against stress and thermal stress, and excellent reliability. Further, according to the present invention, the resistance value between the terminal electrodes becomes stable.
[0010]
In the present invention, the guard electrode is preferably made of a noble metal.
Further, it is preferable that the compressive stress applying layer is disposed separately on one end face side and on many end face sides of the electronic component element body, reaches each end face of the element body, and is electrically connected to the terminal electrode.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0018]
In the present invention, as shown in FIG. 1, a

guard electrode

5 made of a material having a larger thermal expansion coefficient than the ceramic sintered body constituting the thermistor body 1 is provided inside the thermistor body 1.
[0019]
The guard electrode 5 is provided in the vicinity of a pair of parallel side surfaces (hereinafter, simply referred to as “side surfaces”) 1A and 1B extending in a direction connecting end surfaces of the thermistor body 1 on which the terminal electrodes 2 are formed. , 1B.
[0020]
Such a guard electrode 5 can be easily formed by, for example, forming a conductive layer on a green sheet to be laminated to have a predetermined thickness in the same manner as the internal electrode layer when manufacturing the thermistor body 1. it can.
[0021]
In general, the ceramic constituting the thermistor body is made of an oxide of a transition metal such as Mn or Co, and its thermal expansion coefficient is usually about 120 × 10 ⁻⁷ / ° C. On the other hand, the metal or alloy such as Ag or Pd used for the internal electrode has a larger thermal expansion coefficient than the ceramic. For example, Ag mainly used as an internal electrode has a thermal expansion coefficient of 170 × 10 ⁻⁷ / ° C.
[0022]
When the green sheets provided with the conductive layers are laminated and integrally fired so that the guard electrode 5 having a large thermal expansion coefficient is formed near the

side surfaces

1A and 1B of the thermistor body 1, the thermistor body (fired) is formed. Residual compressive stress is generated near the

side surfaces

1A and 1B of the (consolidated) 1 due to a difference in thermal expansion coefficient between the ceramic of the thermistor body 1 and the metal of the guard electrode 5. This residual compressive stress improves the resistance to fracture stress of the thermistor body 1 made of a ceramic sintered body that is weak against tensile stress. That is, the tensile stress applied to the thermistor body 1 is offset by the residual compressive stress, so that the stress resistance is improved.
[0023]
For example, as shown in FIG. 2, when the bending stress F is applied after the thermistor is mounted on the substrate, the tensile stress concentrates on the portion S of FIG. 2 on the surface of the thermistor body 1. However, in the thermistor of the present invention, Since the guard electrode 5 is provided, a residual compressive stress is generated in the concentrated portion S of the tensile stress, so that the breaking resistance stress (strength) is remarkably large as compared with the conventional element without the guard electrode.
[0024]
In the present invention, in order to reliably obtain the effect of improving durability due to such residual compressive stress, the guard electrode 5 reaches the end face of the thermistor body 1 where the terminal electrode 2 is formed, and the one terminal electrode 2 (2A) and the side of the forming edge, that is located is divided into the side of the other terminal electrodes 2 (2B) forming the end face. In this case, the separated guard electrodes 5 do not necessarily have to be formed on the same plane, and may have a step as shown in FIG.
[0025]
There is no particular limitation on the number of guard electrodes to be formed. However, if the formation position of the guard electrode 5 is separated from the

side surfaces

1A and 1B of the thermistor body 1, the effect of relaxing the tensile stress due to the residual compressive stress is impaired. , 1B so that the distance d is 20 to 60 μm .
[0026]
In addition, as the constituent material of the guard electrode 5, the same kind of material as the constituent material of the internal electrode, generally, a noble metal such as Ag or an alloy thereof is used, but is not limited thereto.
[0027]
Such a thermistor of the present invention can be applied to a thermistor having an internal electrode, and can be applied to a thermistor having the

internal electrodes

4 and 4A formed in various patterns as shown in FIGS. is there.
[0028]
Incidentally, the terminal electrodes 2 of the thermistor element 1 is generally as shown in FIG. 4, the side surface 1A of the thermistor element, Write-side surface 1A around the 1B, but is provided in contact with the 1B, thermistor element In the thermistor provided with the internal electrode inside the device 1, there is a problem that the resistance value of the thermistor also varies due to the variation of the wraparound width of the terminal electrode 2.
[0029]
On the other hand, in the present invention, as shown in FIG. 3, the guard electrode 5 is electrically connected to the terminal electrode 2 at the end face of the thermistor body 1 and extends beyond the wraparound width of the terminal electrode 2. Thereby, the influence of the variation of the wraparound width of the terminal electrode 2 can be prevented, and a thermistor having a stable resistance value can be obtained. In general, in FIG. 3, the width (hereinafter referred to as “extended width”) W of the guard electrode 5 extending beyond the wraparound width of the terminal electrode 2 is 0.1 mm or more .
[0030]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples and Comparative Examples.
[0031]
Example 1
As shown in FIG. 10A, a chip thermistor 10A in which the internal electrode 4A and the guard electrode 5 were formed inside the thermistor body 1 was manufactured. First, commercially available manganese carbonate, cobalt carbonate, and copper oxide were used as starting materials, each of which was weighed so that the metal atomic ratio was Mn: Co = 35: 65, mixed uniformly in a ball mill for 16 hours, and then dehydrated and dried. . Next, the mixture was calcined at 900 ° C. for 2 hours under atmospheric pressure, and the calcined product was again pulverized by a ball mill and dehydrated and dried. An organic solvent and a binder were added to the pulverized product, and a thermistor green sheet having a thickness of about 40 μm was prepared by a casting method.
[0032]
A guard electrode layer or an internal electrode layer is printed on this green sheet by a printing method, and a plurality of these are laminated to form a laminate having a thickness of 0.9 mm, and this laminate is cut into chips of 1.25 mm × 2.0 mm. After processing, it was baked at 1100 ° C. for 4 hours under atmospheric pressure. In addition, "S-1044" (Ag / Pd = 70/30 (weight ratio)) manufactured by Kawakaku Giken Co., Ltd. was used for forming the guard electrode layer and the internal electrode layer.
[0033]
After the obtained chip-shaped sintered body was chamfered by barrel polishing, a terminal electrode layer (Ag / Pd) was formed on both ends by dipping and fired.
[0034]
In the obtained thermistor 10A, four guard electrodes 5 are formed at symmetrical positions in the cross section of the thermistor body 1, left and right and up and down, and the side surfaces 1A and 1B of the thermistor body 1 and the guard electrode electrodes 5 are formed. Is 40 μm, and the extension width W of the guard electrode 5 is 0.2 mm.
[0035]
After the thermistor 10A was reflow mounted on a 1.6 mm thick glass epoxy substrate, the breaking limit value in a bending test in which bending stress was generated was measured. The results are shown in Table 1.
[0036]
Comparative Example 1
Except that the guard electrode layer was not formed, in the same manner as in Example 1, as shown in FIG. 10B, only the internal electrode 4A was formed inside the thermistor body 1, and a thermistor 10B without a guard electrode was manufactured. did.
[0037]
For this thermistor 10B, the breaking limit value was measured in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1.
[0038]
From Table 1, it is clear that the thermistor of the present invention provided with a guard electrode has improved durability against mechanical stress and is superior in reliability as compared with the conventional one.
[0039]
[Table 1]

[0040]
Example 2
As shown in FIG. 11A, a chip thermistor 10C in which the

internal electrodes

4, 4A and the guard electrode 5 were formed inside the thermistor body 1 was manufactured. First, a chip-shaped sintered body was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the printing pattern of the internal electrode layer was changed. After forming a SiO ₂ —B ₂ O ₃ —PbO-based glass protective film (thickness: about 2 μm) 6 on the side surface of this sintered body by a sputtering method, a terminal electrode layer (Ag: DuPont) is formed on both ends by a dipping method. "1176J") and fired. Next, a Ni plating layer 7 having a thickness of 2 to 5 μm was formed on the surface of the terminal electrode 2 by an electrolytic barrel method, and a solder plating layer 8 having a thickness of 3 to 7 μm was formed thereon.
[0041]
In the obtained thermistor 10A, four guard electrodes 5 are formed at symmetrical positions in the cross section of the thermistor body 1, left and right and up and down, and the side surfaces 1A and 1B of the thermistor body 1 and the guard electrode 5 The distance d is 40 μm, and the extension width W of the guard electrode 5 is 0.15 mm.
[0042]
This thermistor 10C was subjected to a bending test in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 2. In addition, a bending strength test (a load is applied from the top of the body at a span distance of 1.2 mm and the breaking load of the body is measured) and a thermal shock test (in a molten solder of 350 ° C. made of H-63A material for 5 seconds) Immersion), and the results are shown in Table 2.
[0043]
Comparative Example 2
As shown in FIG. 11B, only the

internal electrodes

4 and 4A are formed inside the thermistor body 1, and the thermistor 10D without the guard electrode is formed in the same manner as in Example 2 except that the guard electrode layer is not formed. Was manufactured.
[0044]
This thermistor 10D was subjected to a bending test, a bending strength test and a thermal shock test in the same manner as in Example 2, and the results are shown in Table 2.
[0045]
From Table 2, it is clear that the thermistor of the present invention provided with the guard electrode has improved durability against mechanical and thermal stress and is excellent in reliability as compared with the conventional one.
[0046]
[Table 2]

[0047]
【The invention's effect】
As described above, according to the present onset bright, resistance to mechanical stress or thermal stress is high, excellent reliability of the chip-type thermistor, breaking resistance is provided.
[Brief description of the drawings]
1 is a cross-sectional view of a thermistor according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a stress relaxing effect of the thermistor according to the present invention.
FIG. 3 is a partially enlarged sectional view of a thermistor according to the present invention.
FIG. 4 is a partially enlarged sectional view of a thermistor according to the present invention.
FIG. 5 is a sectional view showing a conventional thermistor.
FIG. 6 is a sectional view showing a conventional thermistor.
FIG. 7 is a sectional view showing a conventional thermistor.
FIG. 8 is a sectional view showing a conventional thermistor.
FIG. 9 is a sectional view showing a conventional thermistor.
10A is a cross-sectional view of a thermistor manufactured in Example 1, and FIG. 10B is a cross-sectional view of a thermistor manufactured in Comparative Example 1. FIG.
11A is a cross-sectional view of a thermistor manufactured in Example 2, and FIG. 11B is a cross-sectional view of a thermistor manufactured in Comparative Example 2.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Thermistor body 2 Terminal electrode 3

Thermistor

4, 4A Internal electrode 5 Guard electrode 6 Glass protective film 7 Ni plating layer 8 Solder plating layers 10A, 10B, 10C, 10D Thermistor

Claims

A thermistor body made of a substantially rectangular parallelepiped ceramic sintered body,
A chip-type thermistor having a terminal electrode provided on a pair of parallel end faces of the thermistor body,
Inside the thermistor body, in the vicinity of a pair of parallel side surfaces extending in the direction connecting the end surfaces, the coefficient of thermal expansion is larger than that of the ceramic sintered body, extending in the direction parallel to the side surfaces. Providing a guard electrode made of a material having a large
The guard electrode is arranged separately on one end face side and the other end face side of the thermistor body,
The guard electrode reaches each end face of the thermistor body and is electrically connected to the terminal electrode;
The terminal electrode is wrapped around the side surface, the wrapped portion is in contact with the side surface of the thermistor body, and the guard electrode is longer than the wrapped portion of the terminal electrode toward the other end surface. That the internal electrode extending in a direction parallel to the side surface is provided inside the thermistor body;
A distance between the guard electrode and the side surface is 20 to 60 μm ,
A chip-type thermistor , wherein the width of the guard electrode extending is 0.1 mm or more than the width of the terminal electrode .

2. The chip thermistor according to claim 1, wherein said guard electrode is made of a noble metal.