JP3607443B2 - Substrate baking apparatus including film forming material - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、膜形成素材を含む基板に熱処理を均一に施すための焼成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
ソーダライムガラスに代表されるガラス製基板やアルミナに代表されるセラミックス基板の上に、金属或いは無機材料をガラスボンド成分の溶融や、材料自体の軟化、溶融、或いは焼結により、所定の機能を生じる膜が固着されたりするような、膜形成素材を含む基板が知られている。例えば、蛍光表示管の陽極基板、プラズマディスプレイパネル用基板、プラズマアドレス液晶表示装置のプラズマスイッチング基板、フィールドエミッション表示装置用基板などの表示デバイス用基板、厚膜配線基板、或いはサーマルプリンターヘッドやイメージセンサ等の電子デバイス用基板がそれである。このような電子デバイス用基板には、一般に、基板自体のアニールのためやガラス素材を結合剤として応用した機能材料の膜形成のために、500 乃至650(℃) 程度の熱処理が施され、セラミック基板においてはガラス素材を結合剤として応用した機能材料の膜形成、或いは金属材料自体の界面の溶融を応用した機能材料の膜形成のために例えば500 乃至900(℃) 程度の熱処理が施される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年では、上記膜形成素材を含む基板は、その表面にパターニング形成される導体、抵抗、誘電体などの多層化および細密化が図られるとともに、特に、上記表示デバイス用基板では表示面積の大型化に伴って比較的大きな寸法のものを製造することが必要となっている。そのため、表示デバイス用基板では大きな寸法に亘って細密にパターン形成することが要求されるとともに、上記電子デバイス用基板では、機能を発生させる膜に与えられるパターン空間が細密化することによって品質の確保のために膜の均一性が一層要求される。しかしながら、上記基板の焼成によってもたらされる品質への影響は、上記のように大型となる程大きくなり、それらのばらつきが製品設計上の制約となったり、製品の歩留まりを低下させる一因となっていた。
【0004】
例えば、熱処理に伴って基板素材そのものの膨張或いは収縮による寸法変動がある場合は、機能を有する膜のパターニング後に行われる焼成毎のパターン間の位置合わせが困難となる。また、抵抗層においては抵抗値のばらつき、誘電体層においては耐電圧のばらつきや残存率の不均一による厚み寸法のばらつき、導体層においては導通抵抗およびワイヤボンディング性やスパッタリング性などのばらつきが大きくなる。これらパターン間の位置合わせの一致性および層品質の均一性は、精細なパターンとなる程或いは基板が大型となる程、維持することが困難となり、製品歩留まりが加速度的に低下するという不都合があった。したがって、例えば40インチ以上の大型表示装置としてのプラズマディスプレイ用基板を例にとると、次のような歩留まり低下要因がある。すなわち、多数のセルを形成する多層構造の各層の寸法精度が確保できない、障壁の高さおよび幅の寸法のばらつきが生じる、抵抗付セルにおいては抵抗値のばらつきを生じる、誘電体層においては耐電圧にばらつきを生じる、全体的な寸法ばらつきはフロント板とリヤ板とを組み合わせて放電セルを形成するときにズレを生じる、などである。
【0005】
本発明は以上の事情を背景として為されたものであり、その目的とするところは、基板内の均一な加熱により膜形成素材を含む基板の歩留まりを高くできる膜形成素材を含む基板の焼成装置を提供することにある。
【0006】
本発明者は上記の課題を達成するために種々研究を重ねた結果、厚膜に含まれる金属、無機材料の溶融或いは焼結状態、機能成分を固着させるために低下されるガラスボンド成分、或いは誘電体にあってはガラス成分そのものの軟化或いは溶融状態が基板内において局部的に相違することを見出した。本発明は上記の知見に基づいて為されたものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の要旨とするところは、膜形成素材を含む複数の基板を一方向に順次搬送する過程でそれら複数の基板の各々に加熱に続いて均一に徐冷処理を施すためのトンネル状の焼成装置であって、(a) 加熱ゾーンに続く徐冷ゾーンにおいて前記一方向に並んで設けられた複数の均熱区分毎に均熱制御する温度制御装置と、(b) 前記複数の基板の各々に前記複数の均熱区分で順次熱処理を施すために、前記長手方向と垂直且つ互いに平行な軸心回りにそれぞれ回転駆動される複数本のローラによって前記複数の基板を支持して前記一方向に搬送する搬送装置と、(c) 前記複数本のローラの間で前記複数の均熱区分間を相互に遮蔽する遮蔽角度位置と、前記搬送装置によって搬送される前記複数の基板との干渉を避ける退避角度位置との間で、それら複数本のローラの軸心方向と平行な軸心回りに回動させられる平板状の回動シャッタを備えたシャッタ装置とを、含むことにある。
【0008】
【発明の効果】
このようにすれば、トンネル状の焼成装置は、徐冷ゾーンにおいて基板の搬送方向である一方向に沿って並ぶ複数の均熱区分毎に均熱制御する温度制御装置と、その長手方向と垂直且つ互いに平行な軸心回りに回転駆動される複数本のローラによって複数の基板を支持して一方向に搬送する搬送装置と、ローラ間で複数の均熱区分間を相互に遮蔽する遮蔽角度位置と搬送される基板との干渉を避ける退避角度位置との間でローラの軸心方向と平行な軸心回りに回動させられる平板状の回動シャッタを備えたシャッタ装置とを含んで構成される。そのため、膜形成素材を含む基板は、熱処理の冷却過程において、搬送装置により一方向に沿って搬送される過程で複数の均熱区分に順次位置させられてそこでそれぞれ均熱されつつ徐冷される。このとき、複数の均熱区分は、回動シャッタが遮蔽角度位置に位置させられることにより、シャッタ装置によって相互に遮蔽されてそれぞれ熱的に独立させられるため、均熱区分内における均熱状態が好適に実現されるが、基板の搬送時においては、回動シャッタが退避角度位置に位置させられることにより、基板と回動シャッタとの干渉が避けられるため、基板の搬送は何ら妨げられない。このように、一方向に搬送される過程で均熱区分毎に順次均熱を繰り返しながら熱処理の冷却過程が行われることから、膜形成素材を含む基板内の温度のばらつきが可及的に小さくされる。
【0009】
そのため、基板がガラス製である場合にあってその歪点以上の温度で熱処理される場合は、基板内の寸法の局部的変化すなわち形成パターンのゆがみが可及的に小さくされるので、次工程以降のパターンとの位置ずれが防止されて、精細なパターンや大型基板であっても製造歩留まりが飛躍的に高められる。また、上記のように膜形成素材を含む基板内の温度のばらつきが可及的に小さくされることから、基板の表面に厚膜誘電体層、隔壁状誘電体層、厚膜抵抗層、電極層、無機着色顔料層が設けられる場合にあっては、それら厚膜内のボンド成分として機能するガラスの溶融、軟化の程度が一様となって、また金属−金属酸化物系の溶融、焼結の程度が一様となって、それぞれ耐電圧品質、隔壁の高さおよび幅寸法、抵抗値、放電品質、光学的フィルター特性のばらつきなどが好適に小さくされ、大型基板であっても製造歩留まりが飛躍的に高められる。更に、上記のように抵抗値のばらつきが小さくされる結果、工程の管理負荷や、トリミングなどの工程が削減され或いは負荷が軽減される。
【0010】
しかも、前記シャッタ装置は、回動シャッタを回動させることにより複数の均熱区分間を相互に遮蔽するものであることから、均熱領域内に摺動部分が存在しないため、シャッタの摺動に伴う塵埃の発生や熱膨張に起因する摺動部分の破損等の不具合が生じ難い。また、前記搬送装置は、複数の基板を軸心回りに回転駆動される複数本のローラによって支持し且つ一方向へ搬送するものであることから、搬送装置を均熱区分毎に制御して複数の均熱区分間での搬送を独立して行うことが容易であるため、全均熱区分で同時に搬送する場合に比較して均熱区分で基板の熱処理が行われていない移動時間を可及的に短くして、基板の処理効率を高めることができる。また、メッシュベルト等によって搬送する場合に比較して、塵埃の発生原因となるベルトの摺動がないことから均熱領域内の清浄度が高められて、基板を均一に熱処理する過程において形成される膜の機能が発生した塵埃によって損なわれることが抑制される。
【0011】
【発明の他の態様】
ここで、好適には、前記シャッタ装置は、前記複数本のローラによって形成される前記複数の基板の搬送面から所定距離以上隔てた位置において前記複数の均熱区分間を相互に遮蔽するために固定して設けられた固定シャッタを更に含むものである。このようにすれば、複数の均熱区分間は、相互の境界において基板の搬送面から所定距離以上隔てた搬送の妨げとならない範囲が固定シャッタによって常時遮蔽されることから、前記回動シャッタはその固定シャッタが設けられていない残部を遮蔽する大きさで十分となる。そのため、前記一方向およびローラの軸心方向と垂直を成す均熱領域の高さが基板の厚さ寸法(基板がセッタに載せられて搬送される場合はそれを含めた被搬送物全体の厚さ寸法)に対して十分に大きく設定されている場合にも、回動シャッタを回動させるために必要となるローラ間隔が十分に小さくなることから、均熱区分の境界における基板の搬送に特に支障が生じない。しかも、シャッタ装置の可動部分が小さくなることから、回動駆動が容易となると共に、シャッタの熱的な変形等によって駆動が困難になることが抑制される。
【0012】
また、好適には、前記搬送装置は、前記複数の基板を前記複数の均熱区分毎に間歇的に搬送する間歇搬送装置である。このようにすれば、基板が一方向に間歇的に搬送される過程で、複数の均熱区分において順次熱処理が施されることから、膜形成素材を含む基板が連続的に搬送されることにより連続的なヒートカーブが形成される場合に比較して、熱処理の冷却過程において基板内の温度差を十分に小さくするために必要とされる冷却領域の全長が短縮されて焼成装置が小型となる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
【0014】
図1、図2、図3は、本発明の一実施例の基板62を一方向へ順次搬送する過程で焼成を施す形式の連続型焼成装置116の構成を示しており、図1は正面図、図2は炉体の幅方向中央を通り長手方向に沿った断面図、図3(a) 〜(e) はそれぞれ図2におけるa−a乃至e−e視断面をそれぞれ示す図である。図において、それぞれ独立に駆動される第1搬送装置118、複数の第2搬送装置120a、120b、〜120f(以下、特に区別しないときは単に第2搬送装置120という)、第3搬送装置122が直列に配置されており、基板62は、それら第1搬送装置118、第2搬送装置120、第3搬送装置122によって一方向に搬送されることにより、トンネル状の炉体124a、124b(以下、特に区別しないときは単に炉体124という)内を通過させられるようになっている。
【0015】
上記トンネル状の炉体124は、例えば内壁がβ−スポジュメン系結晶化ガラス等の耐熱ガラスから構成されたものである。炉体124a内には、基板62を最高処理温度まで加熱すると共にその過程で基板62上に印刷形成された膜に含まれているバインダ(樹脂)を燃焼除去するための予熱ゾーン(予熱部)126と、基板62をその最高処理温度で所定時間保持するための加熱ゾーン(加熱部)128と、基板62を徐々に冷却するための徐冷ゾーン(徐冷部)130とが設けられており、炉体124b内には、基板62を常温付近まで冷却するための冷却ゾーン(冷却部)132が設けられている。
【0016】
前記第1搬送装置118は、上記予熱ゾーン126および加熱ゾーン128に対応する位置に設けられている。この第1搬送装置118は、炉体124aの下方に設けられて連続的に駆動される減速機付モータ134の回転を、チェーン136、および一軸線上に設けられた複数本のラインシャフト138a、138b、〜138e(以下、特に区別しないときは単にラインシャフト138という)を介して、炉体124aの長手方向に沿って所定間隔をもって設けられたマイタギア140a、140b、〜140f(以下、特に区別しないときは単にマイタギア140という)に伝達し、そのマイタギア140によってそれぞれ分担される駆動区分127a、127b、127c、127d(以下、特に区別しないときは単に駆動区分127という)、駆動区分129a、129b(以下、特に区別しないときは単に駆動区分129という)毎に図2に示されるように炉体124a内に設けられているローラ166を回転させることにより、そのローラ166上に乗せられた基板62を例えば300(mm/min) 程度の第1の搬送速度で連続的に搬送するものである。
【0017】
図4は、第1搬送装置118および第2搬送装置120の要部を中間を省略した状態で上下に配して拡大して示す図であり、図1に示される駆動区分127a、129b、131bにそれぞれ対応する部分が上段、中段、下段にそれぞれ示されている。駆動区分127aに対応する第1搬送装置118のマイタギア140aには、軸心方向が炉体124の長手方向に沿って設けられている原動軸142aと、軸心方向が炉体124の長手方向に垂直(紙面に垂直)な従動軸144aとが備えられている。モータ134の回転がチェーン136によってマイタギア140aに伝達されて原動軸142aが矢印の方向に回転させられると、その原動軸142aにカップリング146を介して接続されているラインシャフト138aが原動軸142aと同方向に回転させられると共に、従動軸144aが例えば図の矢印の方向に回転させられる。
【0018】
一方、図4の中段に示されている駆動区分129bに対応するマイタギア140f、すなわち第1搬送装置118の右端部に設けられているマイタギア140fは、原動軸142fの一端がワンウェイカップリング148を介してラインシャフト138eに接続されている。また、その原動軸142fの他端部側には減速機付モータ150が備えられており、その他端部にワンウェイカップリング152を介して接続されている。これらのワンウェイカップリング148、152は、それぞれラインシャフト138eおよびモータ150の図の矢印方向の回転のみをマイタギア140fに伝達するものであり、モータ150は、後述の第2搬送装置120に同期してラインシャフト138よりも速い回転速度で間歇的に駆動される。そのため、モータ150の停止中はラインシャフト138eの回転がワンウェイカップリング148を介して原動軸142fに伝達され、ワンウェイカップリング152は滑らされる一方、モータ150の駆動中はワンウェイカップリング152を介してその回転が原動軸142fに伝達され、ワンウェイカップリング148が滑らされることとなる。したがって、モータ150の駆動中は、駆動区分129b内のローラ166上の基板62が前記の第1の搬送速度(例えば300[mm/min] 程度)よりも速い例えば5000(mm/min)程度の第2の搬送速度で搬送される。なお、省略されている駆動区分127b、127c、〜129aは、ラインシャフト138a、138b、〜138eがカップリング146と同様な図示しないカップリングを介してマイタギア140b、140c、〜140eの原動軸142に接続されており、その原動軸142の回転に伴ってそれぞれに備えられている従動軸144が回転させられる。
【0019】
また、複数のマイタギア140の下方には、軸心方向が炉体124の長手方向に垂直且つ水平方向となるように互いに平行にその長手方向に沿って配列された複数本の回転軸154がそれぞれ備えられている。このため、第1搬送装置118には、その全長に亘って、炉体124の長手方向に沿って多数の回転軸154が備えられている。この回転軸154は、従動軸144の回転を例えばチェーン(或いはタイミングベルト)156によって伝達されることによって、それぞれ図に矢印で示される方向に回転させられる。このため、モータ134が駆動させられると、炉体124の長手方向に沿って配列された多数の第1搬送装置118の回転軸154が同様な回転速度、回転方向で同時に回転させられることとなるが、モータ150が駆動させられると、マイタギア140fにはその回転が伝達されてワンウェイカップリング148によってラインシャフト138eの接続が実質的に絶たれ、マイタギア140fの下方に備えられている回転軸154、すなわち加熱ゾーン128のうちの徐冷ゾーン130に隣接する駆動区分129bに属する回転軸154が、第1搬送装置118内の他の駆動区分127、129aに属する回転軸154よりも速い徐冷ゾーン130と同様な速度で回転させられることとなる。
【0020】
また、複数の第2搬送装置120は、図4の下段に駆動区分131bについて示されるように、それぞれ独立して間歇的に駆動される減速機付モータ158a、158b、〜158f(以下、特に区別しないときは単にモータ158という)を備えたものであり、そのモータ158の下方には第1搬送装置118と同様に、炉体124の長手方向と垂直且つ水平方向に設けられた複数本の回転軸154が備えられている。この回転軸154はモータ158の出力軸160の回転をチェーン156によって伝達されることにより同方向に回転させられるものである。すなわち、複数の第2搬送装置120は、第1搬送装置118においてモータ134の回転を伝達されるマイタギア140に代えて独立して駆動されるモータ158をそれぞれ備えている。モータ158は、出力軸160が図に矢印で示される正転方向に正転駆動されるだけではなく、交互に正転方向および逆転方向に回転駆動する反転駆動可能とされているが、正転駆動時には回転軸154に接続されたローラ166が前記の第2の搬送速度(例えば5000[mm/min]程度)が得られるように回転させられる一方、反転駆動時にはそれよりも遅い例えば1300(mm/min)程度の第3の搬送速度で基板62が搬送方向およびその反対方向に往復移動させられるようにローラ166が正転方向および逆転方向に回転させられる。
【0021】
また、第3搬送装置122は、図1から明らかなように、第1搬送装置118においてマイタギア140の個数を減じ、炉体124の長手方向の前後が反転された構成とされている。すなわち、駆動区分129bと同様な構成の駆動区分133a、駆動区分127b等と同様な構成の駆動区分133b、および駆動区分127aと同様な構成の駆動区分133cから構成されている。そのため、炉体124bの下方に備えられた減速機付モータ162の回転がチェーン163、ラインシャフト138g、および138fを介してマイタギア140i、140h、および140gに伝達され、それぞれの駆動区分133に備えられている回転軸154が回転させられる。また、徐冷ゾーン130に隣接する駆動区分133aでは、駆動区分129bと同様に、減速機付モータ164の回転がワンウェイカップリングを介して伝達されることにより、それに属する回転軸154が間歇的に他の回転軸154よりも速い速度すなわち第2搬送装置120に同期した速度で駆動される。
【0022】
図2に戻って、炉体124内には、複数本の例えばアルミナ製の円筒状のローラ166が、図3(a) 〜(e) に図2におけるa−a乃至e−e視断面を示すように、両端部が炉体124側面から突き出すように設けられている。炉体124の側部外側には一対の軸受け167、167(図3(a) のみに図示)が設けられており、これに前記回転軸154がローラ166と同軸的にそれぞれ支持されている。ローラ166は、それぞれこれら一対の回転軸154に両側から挟まれた状態で設けられており、前記モータ134の回転がチェーン156を介して伝達されるその回転軸154の回転に伴って回転させられる。なお、図3(a) は、図2におけるa−a視断面に対応する図であるが、a2−a2視断面も同様な断面形状である。前記基板62は、炉体124内においてこのローラ166に支持されている。そのため、ローラ166が回転させられるとその回転に伴って一方向に搬送されることとなる。このとき、第1搬送装置118および第3搬送装置122が設けられている予熱ゾーン126、加熱ゾーン128、冷却ゾーン132においてはローラ166が連続的に回転させられて基板62が連続的に搬送される一方、第2搬送装置120が設けられている徐冷ゾーン130においてはローラ166が間歇的に回転させられて基板62が間歇的に搬送されることとなる。すなわち、本実施例においては、第1搬送装置118および第3搬送装置122が連続搬送装置に相当し、第2搬送装置120が間歇搬送装置すなわち請求の範囲でいう「搬送装置」に相当する。
【0023】
また、図1、図2、図3から明らかなように、前記の予熱ゾーン126には、予熱ゾーン126内の温度を検出するための複数の温度検出器TCが、前記の駆動区分127毎に長手方向中央の幅方向の3位置において上下に設けられると共に、炉体124の上側および下側に複数のゾーンを形成し且つそのゾーン毎に独立して制御されるヒータHが、それぞれの駆動区分127毎に炉体124の長手方向および幅方向にそれぞれ4ゾーンずつ設けられている。すなわち、図1乃至図3においては一部が省略されているが、図5(a) に駆動区分127aについて模式的に示すように、各駆動区分127毎に基板62の送り方向Aおよびそれに直交する図示しないローラ166の長手方向にそれぞれ4分割された合計16組のヒータH1111、H1112、H1113、H1114、H1121、H1122、H1123、H1124、H1131、H1132、H1133、H1134、H1141、H1142、H1143、H1144(駆動区分127b、127c、127dにはそれぞれH1211〜H1244、H1311〜H1344、H1411〜H1444が備えられる)が炉体124の上下において各一対として配設され、ヒータH1121とH1131の間の位置、ヒータH1122、H1123、H1132、およびH1133の間の位置、ヒータH1124とH1134の間の位置にそれぞれ温度検出器TC111 、TC112 、TC113 (駆動区分127b、127c、127dにはそれぞれTC121 〜TC123 、TC131 〜TC133 、TC141 〜TC143 )が配設されている。図2に駆動区分127aの上側に一部について例示するように、各々の温度検出器TCおよびヒータHは制御装置168に接続されており、温度検出器TCで検出された温度信号に従ってヒータHの出力が制御される。
【0024】
また、予熱ゾーン126には、炉体124の入口側の駆動区分127aの入口上部に給気管170が設けられると共に、続く駆動区分127b、127c、127dの基板62の搬送方向前方側に排気管172が設けられている。これら給気管170および排気管172は、例えばローラ166と同様なアルミナセラミックスから構成されて何れも炉体124の幅方向に貫通するように設けられている。給気管170は、その両端部において炉体124側面に備えられている給気用配管174に接続されており、図示しない空気供給源から導かれた空気を炉体124内に供給する。また、排気管172は、その両端部において炉体124側面に備えられている排気用配管176に接続されており、炉体124内に供給された空気はその内部を流れる過程で複数の排気管172から吸い込まれ、排出口178から排出される。これら給気管170および排気管172は、それぞれ図6(a) 、(b) に示されるように丸穴状のノズル171或いは長穴状のノズル181を複数箇所に備えたものである。
【0025】
また、前記加熱ゾーン128には、加熱ゾーン128内の温度を検出するための複数の温度検出器TCが、駆動区分129毎に炉体124の長手方向および幅方向のそれぞれ3位置において上下に設けられると共に、炉体124の上側、下側および両側面上部に複数のゾーンを形成し且つそのゾーン毎に独立して制御されるヒータHが、それぞれの駆動区分129毎に炉体124の長手方向に4ゾーン、幅方向に両側面上部の各1ゾーンを含む6ゾーンずつ設けられている。すなわち、図5(b) に示されるように、各駆動区分129毎に基板62の送り方向Aおよびそれに直交する図示しないローラ166の長手方向にそれぞれ4分割された合計16組のヒータH2111、H2112、H2113、H2114、H2121、H2122、H2123、H2124、H2131、H2132、H2133、H2134、H2141、H2142、H2143、H2144が炉体124の上下において各一対として配設されると共に、炉体124の幅方向両側の上部側面において送り方向Aにそれぞれ4分割された(4組の)ヒータH2115、H2125、H2135、H2145、H2116、H2126、H2136、H2146(駆動区分129bにはH2211〜H2246)が両側面で一対として配設されている。また、ヒータH2111内、H2112とH2113との間、H2114内、H2121とH2131との間、H2122、H2123、H2132、H2133の間、H2124とH2134との間、H2141内、H2142とH2143との間、H2144内の位置にそれぞれ9組の温度検出器TC2111、TC2112、TC2113、TC2121、TC2122、TC2123、TC2131、TC2132、TC2133(駆動区分129bにはTC2211〜TC2233)が上下に配設されている。
【0026】
また、前記の徐冷ゾーン130には、図2に駆動区分131aについて示されるように、炉体124の長手方向に沿って等間隔で複数のシャッタ装置S1、S2、〜S7(S1、S2のみ図示。以下、特に区別しないときは単にシャッタ装置Sという)が設けられており、徐冷ゾーン130が駆動区分131a、131b、〜131fにそれぞれ対応する複数例えば6つの第1均熱室〜第6均熱室すなわち第1加熱室R1、第2加熱室R2 、〜第6加熱室R6(後述するように加熱するための複数のヒータHをそれぞれ備えたものであることから、以下、均熱室に代えて加熱室の語を用いる。また、特に区別しないときは単に加熱室Rという)に分割されている。本実施例においては、第1加熱室R1乃至第6加熱室R6が相互に熱的に区分された複数の加熱区分に相当する。なお、図に示されるように、シャッタ装置S1は駆動区分129bと131aとの間に、S2は駆動区分131aと131bとの間にそれぞれ設けられており、図示しない他のシャッタ装置は、S3乃至S6が駆動区分131b乃至131f相互の間に、S7が駆動区分131fと133aとの間にそれぞれ設けられている。
【0027】
上記のシャッタ装置Sは、図2に断面構造を、図3(d) にシャッタ装置S2 を通る断面(図2におけるd−d視断面)をそれぞれ示すように、例えば炉体124の長手方向に垂直な面内において上側に位置する内壁210から下方に伸びる上側固定シャッタ190と、下側に位置する内壁210から上方に伸びる下側固定シャッタ192と、平板状を成してそれらに平行に設けられ、ローラ166に平行な回動軸196の軸心回りに回動させられる回動シャッタ194とを備え、上下の固定シャッタ190、192間に形成された開口部198が、回動シャッタ194によって開放され或いは閉鎖されることにより、加熱室R間を相互に連通させ或いは遮蔽させるものである。なお、上側固定シャッタ190、下側固定シャッタ192、回動シャッタ194は何れも内壁と同様な材質の耐熱ガラス製板等から構成されている。
【0028】
図7に図2におけるシャッタ装置S2 の近傍を拡大して示すように、上側固定シャッタ190および下側固定シャッタ192は、それぞれ互いに平行に設けられた相互に高さの異なる一対の耐熱ガラス製板から構成されており、上記回動軸196は、上側固定シャッタ190の下端位置において一対の耐熱ガラス製板の間の位置に設けられている。また、回動シャッタ194はその回動軸196から伸びて設けられており、図に一点鎖線で示される範囲で回動させられる。なお、上側固定シャッタ190は、複数本のローラ166によって形成される基板62の搬送面234から例えば80(mm)程度の距離Hu だけ離隔して位置させられており、一方、下側固定シャッタ192は、その搬送面234から数(mm)乃至十数(mm)程度の距離Hl だけ離隔して位置させられている。例えばPDP用のフロントプレートやリヤプレートにおいては、基板62の厚さtは、通常基板62を載せて炉内を搬送するための図示しないセッタの厚さを含めても10(mm)程度以下であって、上記の距離Hu に比較して十分に薄いことから、基板62は、上側固定シャッタ190および退避角度位置Aにある回動シャッタ194に干渉することなく加熱室R間に設けられている開口部198を通過させられる。また、ローラ166相互の中心間隔gは、図に示されるように各加熱室R内およびそれらの境界部において、150(mm) 程度の一様な寸法に設定されている。
【0029】
図8は、上記回動シャッタ194の駆動構造を説明する図であって、図3(d) の左端の要部に対応する部分を拡大して示す図であり、図9は、図8の左側面要部を示す図である。上記の回動軸196は、炉体124aの側壁に設けられた一対の軸受け212、212(左側のもののみ図示)によって回動可能に支持された状態でその側壁から外側に突き出して設けられており、その突出部分の先端部には、平板状のアーム214が相対回動不能に回動軸196の軸心と垂直に取り付けられている。回動軸196の先端部近傍には、炉体124aの長手方向に略沿った方向に伸びるエアシリンダ216が備えられており、上記アーム214は、そのエアシリンダ216から基板62の搬送方向に突き出して備えられたピストンロッド218の先端部に取り付けられた連結部材220に、回動軸196と平行な連結軸222の軸心回りの相対回動可能に取り付けられている。また、上記エアシリンダ216は、炉体124aの側面に取付けられた固定部材224の上端部に備えられた軸受台226上に、軸受228、228によって連結軸222と平行な回動軸230回りの相対回動可能に取り付けられている。なお、図8、図9において232はローラ166を炉外で支持するために炉体124aを貫通して設けられた貫通穴である。また、図9においては、固定部材224等は省略されている。
【0030】
そのため、図9に実線で示されるピストンロッド218が最も引き込まれた状態においては、図7および図8に示されるように、複数本のローラ166によって形成される基板62の搬送面234と略平行を為してその搬送面234から離れることにより、搬送される基板62との干渉を避ける退避角度位置Aに回動シャッタ194が位置させられる一方、図9に一点鎖線で示される最も突き出した状態においては、開口部198を閉塞することにより加熱室R間を相互に遮蔽する図7に一点鎖線で示される遮蔽角度位置Bに回動シャッタ194が位置させられる。すなわち、図9に示される状態からピストンロッド218が右方向に突き出されると、その突き出しに伴って同図における右回りに回動させられるアーム214によって回動軸196が同図および図7における右回りに回動させられるため、回動シャッタ194が図7における右回りに回動させられて遮蔽角度位置Bに位置させられることとなる。回動シャッタ194は、ピストンロッド218の引込位置において退避角度位置Aに位置し、突出位置において遮蔽角度位置Bに位置するように回動軸196に取り付けられているのである。図7から明らかなように、回動シャッタ194と上下の固定シャッタ190、192との間には隙間が設けられて、互いに接触することが防止されているが、その大きさは例えば十数(mm)程度であり、加熱室R相互の熱的な独立性は十分に確保されている。なお、エアシリンダ216は、図示しない空気供給源に接続された空気供給路236上に設けられた電磁弁238が前記制御装置168によって基板62の搬送位置に応じて加熱室R毎に制御されることにより、その空気供給路236を介して供給される圧力空気量が調節されて、ピストンロッド218の突出量が制御される。
【0031】
また、徐冷ゾーン130の各駆動区分131には、それぞれ制御装置168に制御されて各加熱室Rの温度を検出するための複数の温度検出器TCおよび各加熱室Rを加熱するための複数のヒータHが、前記図5(b) に示される前記加熱ゾーン128と同様な配設パターン(駆動区分131aにはTC3111〜TC3133およびH3111〜H3146、駆動区分131bにはTC3211〜TC3233およびH3211〜H3246、駆動区分131cにはTC3311〜TC3333およびH3311〜H3346、駆動区分131dにはTC3411〜TC3433およびH3411〜H3446、駆動区分131eにはTC3511〜TC3533およびH3511〜H3546、駆動区分131fにはTC3611〜TC3633およびH3611〜H3646)で設けられている。また、各加熱室R内には、基板62の搬送方向後方側(上流側)に上部および下部から冷却用空気を供給するための給気管180、180が備えられると共に、その冷却用空気を搬送方向前方側(下流側)の上部から排出するための排気管182とが設けられている。これら給気管180および排気管182は、それぞれ予熱ゾーン126に設けられている給気管170、排気管172と同様なものであり、丸穴状のノズル171或いは長穴状のノズル181が設けられたアルミナセラミックス製のチューブから構成されている。また、給気管180および排気管182は、炉体124の外部に設けられた給気用配管184および排気用配管186にそれぞれ接続されており、給気管180に図示しない空気供給源から個々の加熱室Rの給気用配管184毎に設けられた送気管185a、185b、〜185f(送気管185aのみ図示。以下、特に区別しないときは単に送気管185という)を介して冷却用空気が導かれると共に、排気管182から吸い込まれた各加熱室R内の空気が排出口188から排出される。個々の送気管185には電磁弁208a、208b、〜208f(電磁弁208aのみ図示。以下、特に区別しないときは単に電磁弁208という)が設けられており、制御装置168によって加熱室R内への給気が開始および停止させられると共に給気量が調節される。なお、図においては、加熱室Rの上下にそれぞれ設けられた給気管184、184が共通の送気管185に接続されているが、それぞれ電磁弁208を備えた別々の送気管185に接続されて独立に制御されてもよい。
【0032】
また、前記の冷却ゾーン132には、冷却ゾーン132内の温度を検出するための温度検出器TC41、TC42、T43が、駆動区分133毎に炉体124長手方向中央の幅方向中央位置において上側に設けられると共に、炉体124の上側および下側にその幅寸法に略等しい長さを有する複数の冷却ジャケットCが、それぞれの駆動区分133毎に炉体124の長手方向に3列ずつ設けられている。冷却ジャケットCは、その内部に図1に示される冷却水配管202から枝管204を介して供給される冷却水が流通させられるものである。上下に配されたそれぞれ3つの冷却ジャケットCは相互に連結されており、それら3つの冷却ジャケットC内を順次流通させられた冷却水は、図1に示される反対側の側面に設けられた図示しない排水管から排出される。冷却ジャケットCに供給される冷却水の流量は駆動区分133毎に枝管204に設けられている電磁弁206a、206b、206cによって調節される。この冷却ゾーン132に設けられている温度検出器TCおよび電磁弁206も前記の制御装置168に接続されており、温度検出器TCによって検出された温度信号に基づいて冷却ジャケットCに流通される冷却水量が制御される。
【0033】
図10は前記制御装置168の構成を示す図である。予熱ゾーン126、加熱ゾーン128、徐冷ゾーン130、および冷却ゾーン132の駆動区分127、129、131、133(或いは加熱室R)毎に所定数ずつ設けられた炉体124内の温度を検出するための温度検出器TC111 、TC112 、〜TC43により検出された温度を示す各信号は、マルチプレクサ68によって所定の周期で時分割され、且つA/D変換器70においてデジタル信号に変換された後、演算制御回路72へ入力される。この演算制御回路72は、例えばマイクロコンピュータにより構成されており、RAMの一時記憶機能を利用しつつ予めROMに記憶されたプログラムに従って入力信号を処理し、出力インターフェース74を介して、モータ駆動回路MD1 へ第1搬送装置118を連続駆動させるための信号を、モータ駆動回路MD2 へ第1搬送装置118の駆動区分127bを第2搬送装置120の駆動速度に同期して駆動させるための信号をそれぞれ供給し、また、各ヒータ駆動回路D1111、D1112、〜D3646へ、ヒータH1111、H1112、〜H3646を駆動させるための信号を供給し、また、モータ駆動回路MD31、MD32、〜MD36へ第2搬送装置120a、120b、〜120fを間歇駆動するための信号を供給し、また、シリンダ駆動回路CDS1、CDS2、〜CDS7へ回動シャッタ194を駆動するためのエアシリンダ216a、216b、〜216gを駆動させるための信号を供給し、また、モータ駆動回路MD41へ第3搬送装置122を連続駆動させるための信号を、モータ駆動回路MD42へ第3搬送装置122の駆動区分133aを第2搬送装置120の駆動速度に同期して駆動させるための信号をそれぞれ供給し、更に、電磁弁駆動回路SD1 、SD2 、SD3 、SDa1、SDa2、〜SDa6へ電磁弁206a、206b、206c、208a、208b、〜208fを駆動させるための信号を供給する。したがって、本実施例においては、制御装置168が温度制御装置に相当する。
【0034】
なお、上記の各ヒータH1111、H1112、〜H2246は、予熱ゾーン126および加熱ゾーン128内で炉体124の温度が幅方向において均等且つ長手方向(基板62の搬送方向)で所定の温度勾配が形成されるように、また、ヒータH3111、H3112、〜H3646は、徐冷ゾーン130の各加熱室R内の温度がそれぞれ予め設定された温度で均等となるように、それぞれ予め設定された各部位の目標温度比或いは相互の出力比に従って制御されるようになっている。例えば、炉体124の幅方向中央に位置するヒータH1112、H1113、H1122、H1123、〜H3642に比較して、幅方向端部に位置するヒータH1111、H1114、H1121、H1124、〜H3644の出力が高められる。また、炉体124の長手方向において低温側(予熱ゾーン126および加熱ゾーン128の駆動区分129aにおいては基板62の搬送方向後方側、加熱ゾーン128の駆動区分129bおよび徐冷ゾーン130においては搬送方向前方側)に位置するヒータH1111、H1112、H1113、H1114、H1211、H1212、H1213、H1214、〜H2116、およびH2241、H2242、H2243、H2244、H2245、H2246、H3141、H3142、H3143、H3144、H3145、H3146、〜H3646は、各ゾーン126、128、130の高温側(上記と反対側位置)に位置するヒータH1141、H1142、H1143、H1144、H1241、H1242、H1243、H1244、〜H2146、およびH2211、H2212、H2213、H2214、H2215、H2216、H3111、H3112、H3113、H3114、H3115、H3116、〜H3616に比較して出力が高められる。
【0035】
図11および図12は、連続型焼成装置116を用いて膜形成素材を含む基板62を焼成する場合において、各基板62毎の位置および図11において時刻t0 に搬入された基板62の昇降温カーブをそれぞれ示すタイミングチャートである。なお、図11において一点鎖線は各駆動区分127等の境界を示し、図に示されるように徐冷ゾーン130においては各加熱室Rすなわち加熱区分の境界に等しい。すなわち、縦軸は炉体124内の長手方向(基板62の搬送方向)の位置を示している。また、右上がりに描かれた複数本の実曲線はそれぞれ各基板62の動きに対応し、その傾きの大きさが搬送速度の速さを表す。以下、これらのタイミングチャートを参照して基板62の焼成方法を説明する。
【0036】
まず、時刻t0 において、未焼成の基板62が図1に示される搬入方向に従って予熱ゾーン126の駆動区分127側から搬入される。このとき、徐冷ゾーン130に設けられたシャッタ装置Sは、回動シャッタ194が遮蔽角度位置Bに位置させられることにより全て閉じられて、各加熱室Rが相互に熱的に分離されており、基板62が搬送過程において図12に示される温度カーブで昇降温させられるように、炉体124の各ゾーン126、128、130に設けられたヒータHがフィードバック制御で駆動されて炉体124内が加熱されると共に、冷却ゾーン132に設けられた電磁弁206が駆動されて冷却ジャケットCに冷却水が流されることにより、それぞれのゾーンの各部位が予め設定された目標温度に保持されている。また、モータ134およびモータ162が駆動されて第1搬送装置118および第3搬送装置122内のローラ166が図2における右回り方向に回転させられている。このため、搬入された基板62は、前記の第1の搬送速度で加熱ゾーン128に向かって搬送される。
【0037】
次いで、時刻t0 から例えば300 秒程度経過した時刻t1 においては、次の基板62が予熱ゾーン126に搬入され、更に300 秒程度経過した時刻t2 においては、更に次の基板62が予熱ゾーン126に搬入される。すなわち、予熱ゾーン126には、例えば300 秒程度毎に基板62が順次搬入される。このように順次搬入された基板62は、回転駆動されているローラ166に支持された状態で予熱ゾーン126をその終端まで搬送される過程で、例えば1100秒程度の時間で例えば500(℃) 程度の最高焼成温度MTまで昇温させられる。図11、図12のt3 時点はこの状態を示す。
【0038】
続く加熱ゾーン128においては、基板62が最高焼成温度MTに保持された状態で第1搬送装置118によって予熱ゾーン126から連続して搬送される。但し、加熱ゾーン128内での搬送速度は、当初は予熱ゾーン126と同様に第1の搬送速度とされるが、基板62が駆動区分129bに完全に入ると、モータ150が駆動されることによって第2の搬送速度に高められる。このとき、加熱ゾーン128と徐冷ゾーン130との間に設けられているシャッタ装置S1 が開けられる(回動シャッタ194が図7等に示される退避角度位置Aに位置させられる)と共に、加熱室R1 内のローラ166を駆動する第2搬送装置120aが所定の第2の搬送速度(すなわち駆動区分129bと同様な搬送速度)で駆動される。そのため、基板62は加熱ゾーン128から徐冷ゾーン130の加熱室R1 すなわち第1の均熱温度KT1 に保持されている加熱室R1 内に速やかに搬送される。t4 時点はこの状態を示している。本実施例においては、最高焼成温度MTに達してから加熱室R1 内に搬入されるまでの加熱時間(所謂キープ時間)は例えば400 秒程度である。このようにして徐冷ゾーン130に搬入された基板62は、各加熱室R内で予め設定されている所定温度(すなわち第1乃至第6の均熱温度)KT1 、KT2 、〜KT6 で所定時間保持されて均熱され、続く加熱室Rに速やかに搬送される過程を繰り返しつつ、図12に示される階段状の降温カーブに従って徐冷される。なお、第1の均熱温度KT1 は最高焼成温度MTよりも数 (℃) 乃至十数 (℃) 程度の所定値ΔKTだけ低い温度であり、第2の均熱温度KT2 、第3の均熱温度KT3 、〜第6の均熱温度KT6 は、それぞれ更に所定値ΔKTずつ低くされた温度である。
【0039】
このとき、基板62が加熱室R1 内に搬入されると、開けられていたシャッタ装置S1 が閉じられると共に、駆動区分131aの第2搬送装置120aのモータ158aが反転駆動されて基板62が搬送方向に沿って加熱室R1 内で往復移動させられつつ均熱される。このようにして、予め定められた例えば180 秒程度の保持時間が経過すると、基板62の往復移動が停止させられてシャッタ装置S2 が開けられ、基板62が続く加熱室R2 内に搬送される。図11のt5 時点はこの状態を示している。基板62が加熱室R2 内に完全に入るとシャッタ装置S2 が閉じられ、その加熱室R2 内において加熱室R1 内と同様に均熱処理が施される一方、空室となった加熱室R1 内に必要に応じて給気管180から冷却用空気が供給された後、同様にして続く基板62が搬入されて均熱処理が施される。なお、基板62の搬入出に要する時間すなわちシャッタ装置Sが開けられてから再び閉じられるまでの時間は例えば30秒程度である。また、各加熱室R内における熱処理の1サイクル、すなわち順次基板62を搬入するために搬送方向後方側のシャッタ装置Sが開けられる間隔は、予熱ゾーンへの基板62の搬入間隔に等しい300 秒程度である。
【0040】
因に、図12に示される昇温カーブの例えば500(℃) 程度以上の最高焼成温度MTに続く所定の冷却期間における冷却条件は、膜形成素材を含む基板62の熱処理の上で重要な要素である。たとえば、VFD(蛍光表示管)やPDP(プラズマ・ディスプレイ・パネル)、PALC(プラズマ・アドレスド液晶表示装置)、FED(フィールド・エミッション・ディスプレイ)に用いるとき、基板62がソーダライムガラスに代表される低歪点のガラス製である場合には、基板62内の温度が不均一となって各部の冷却速度が相互に相違することに起因してその寸法の局所的変化を発生させることから、多層厚膜印刷の位置合わせを困難としたり、あるいはフロントプレートとリヤプレートとの厚膜印刷面を組合わせることにより多数のセルを形成するPDPやFEDに用いるときに両者のずれによってセルを構成できない部分を生じるので、たとえば40インチというような大型となるほど製造歩留まりを加速度的に低下させる。図13は、搬送方向前端側の冷却速度が搬送方向後端側の冷却速度よりも高い従来の焼成法における基板62の寸法(実線)を焼成前の寸法(一点鎖線)に比較して示している。また、基板62上に多数個の厚膜印刷抵抗体や厚膜ボンディングパッドなどが設けられる場合には、基板62内の温度が不均一となって各部の冷却速度が相互に相違することに起因して、機能を有する厚膜層に結合材として含まれるガラス成分の溶融、軟化の程度によって、また、厚膜に含まれる金属、無機材料粒子の溶融、焼結の程度によって抵抗値やボンディング適性が左右されることから、印刷抵抗体の抵抗値やボンディング適性のばらつきによって基板62が大型となるほど製造歩留まりを加速度的に低下させる。更に、厚膜印刷による誘電体層の積層によって基板62に所定高さのリブ壁を形成する場合でも、基板62内の温度が不均一となって各部の冷却速度が相互に相違することに起因して厚膜に含まれるガラス成分の溶融、軟化の程度によって焼成収縮率すなわち厚膜の膜厚や幅寸法が左右されることから、基板62が大型となるほど製造歩留まりを加速度的に低下させる。
【0041】
上記のようにして、加熱室R1 、R2 、〜R6 内で順次保持されることにより徐冷ゾーンでの熱処理が終了すると、シャッタ装置S7 が開けられると共に、モータ158fとモータ164とが駆動されることにより、駆動区分131fおよび133aが同期して駆動され、基板62が加熱室R6 から冷却ゾーン132に搬出される。図11および図12のt14時点はこの状態を示している。その後、第3搬送装置122のモータ164が停止させられて基板62が冷却ゾーン132内を第1の搬送速度で搬送されてその右端部から搬出され、その過程で図12に示されるように昇温速度と略同様な降温速度で急速に冷却される。図11のt15時点はこの状態を示している。この冷却過程に要する時間は、例えば700 秒程度であり、基板62が予熱ゾーン126に搬入されてから冷却が終了するまでの時間(t0 〜t15)は、例えば3500秒程度(1時間程度)である。なお、前述のように、基板62は例えば300 秒程度の所定の時間間隔で予熱ゾーン126に順次搬入されていることから、図11から明らかなように、搬入時と等しい300 秒程度の所定時間間隔で順次冷却ゾーン132から搬出されていくこととなる。
【0042】
上述のように、本実施例によれば、連続型焼成装置116は、冷却領域内において膜形成素材を含む複数の基板62の搬送方向である一方向に沿って並ぶ複数の加熱室R毎に均熱制御する制御装置168と、その長手方向と垂直且つ互いに平行な軸心回りに回転駆動される複数本のローラ166によって複数の基板62を支持して一方向に搬送する第2搬送装置120と、ローラ166間で複数の加熱室R間を相互に遮蔽する遮蔽角度位置Bと搬送される基板62との干渉を避ける退避角度位置Aとの間でローラ166の軸心方向と平行な回動軸196の軸心回りに回動させられる平板状の回動シャッタ194を備えたシャッタ装置Sとを含んで構成される。そのため、膜形成素材を含む基板62は、熱処理の冷却過程において、第2搬送装置120により一方向に沿って搬送される過程で複数の加熱室R1 、R2 、 〜R6 に順次位置させられ、それら複数の加熱室Rにおいて一方向に沿って図12に示されるように段階的に低くなるように区分毎に設定された設定温度KT1 、KT2 、〜KT6 で所定時間(t4 〜t5 )均熱される。このとき、複数の加熱室Rは、回動シャッタ194がローラ166相互の間に位置する遮蔽角度位置Bに位置させられることにより、シャッタ装置Sによってそれぞれ熱的に独立させられるため、加熱室R内における均熱状態が好適に実現される。このように、一方向に搬送される過程で段階的に低くなるように区分毎に設定された設定温度KTにそれぞれ維持された複数の加熱室Rにおいて順次均熱を繰り返しながら熱処理の冷却過程が行われることから、膜形成素材を含む基板62内の温度のばらつきが可及的に小さくされる。
【0043】
そのため、基板62がガラス製である場合には、基板62内の寸法の局部的変化やそれに起因する厚膜印刷等の位置ずれが防止されて、製造歩留まりが飛躍的に高められる。特に、基板62がソーダライムガラスである場合には、その歪点以上の温度まで昇温させられることから、その効果が顕著となる。また、上記のように膜形成素材を含む基板62内の温度のばらつきが可及的に小さくされることから、基板62の表面に多数の厚膜抵抗体やリブ状壁が設けられる場合にあっては、それら厚膜印刷層内で結合剤として機能するガラスの溶解の程度が一様となって、それら厚膜抵抗体の抵抗値のばらつきやリブ状壁の高さのばらつきが好適に小さくされる。
【0044】
しかも、シャッタ装置Sは、回動シャッタ194を回動させることにより複数の加熱室R間を相互に遮蔽するものであることから、シャッタ構造をスライド式とする場合のような摺動部分が炉内に存在しないため、摺動に伴う塵埃の発生や熱膨張差に起因する摺動部分の破損等の不具合が生じ難い。また、第2搬送装置120は、複数の基板62を軸心回りに回転駆動される複数本のローラ166によって支持し且つ一方向へ搬送するものであることから、第2搬送装置120を加熱室R毎に制御して複数の加熱室R間での搬送を独立して行うことが容易であるため、全加熱室Rで同時に搬送する場合に比較して加熱室Rで基板62の熱処理が行われていない移動時間を可及的に短くして、基板62の処理効率を高めることができる。また、メッシュベルト等によって搬送する場合に比較して、塵埃の発生原因となるベルトの摺動がないことから炉内の清浄度が高められて、基板62を均一に熱処理する過程において形成される膜の機能が発生した塵埃によって損なわれることが抑制される。
【0045】
また、本実施例においては、シャッタ装置Sは、複数本のローラ166によって形成される複数の基板62の搬送面234から距離Hu 、Hl 隔てた位置において複数の加熱室R間を相互に遮蔽するために固定して設けられた上側固定シャッタ190および下側固定シャッタ192を更に含むものである。このようにすれば、複数の加熱室Rは、相互の境界において基板62の搬送面234から上記距離以上隔てた搬送の妨げとならない範囲が固定シャッタ190、192によって常時遮蔽されることから、回動シャッタ194はその固定シャッタ190、192が設けられていない残部すなわち開口部198を区分する大きさで十分となる。そのため、本実施例のように加熱領域の高さが基板62の厚さ寸法tに対して十分に大きく設定されている場合にも、回動シャッタ194を回動させるために必要となるローラ166相互の間隔gが十分に小さくなることから、加熱室Rの境界においてもローラ166の間隔gが他の部分と同様となって、基板62の搬送に特に支障が生じない。しかも、シャッタ装置Sの可動部分が小さくなることから、回動駆動が容易となると共に、シャッタの熱的な変形等によって駆動が困難になることが抑制される。
【0046】
また、本実施例においては、第2搬送装置120は、複数の基板62を複数の加熱室R毎に間歇的に搬送するものである。このようにすれば、熱処理の冷却過程において、基板62が一方向に間歇的に搬送される過程で、複数の加熱室R内において順次熱処理が施されることから、膜形成素材を含む基板62が連続的に搬送されることにより連続的なヒートカーブが形成される従来の焼成装置によって基板62内の温度差を極めて小さくしようとする場合に比較して、全長が短縮されて連続型焼成装置116が小型となる。
【0047】
また、本実施例によれば、大型の電子デバイス用基板を製造するにあたり、基板62として安価なソーダライムガラスを用いることが可能となることから、高歪点のガラス板を用いる場合に比較して、大幅に安価となると同時に、焼成時の厚膜層との熱膨張率差からくるガラスの割れが発生し難い利点がある。
【0048】
また、本実施例においては、搬送装置に設けられた複数本のローラ166はアルミナセラミックスから成るものである。そのため、基板62と接触させられるローラ166がセラミックスから構成されることから、炉体124内でローラ166が加熱されることによって変質させられ或いは錆びさせられて塵埃等を発生させることが抑制されるため、炉体124内の清浄度が一層高められる。
【0049】
次に、本発明の他の実施例を説明する。なお、以下の実施例において前述の実施例と共通する部分は同一の符号を付して説明を省略する。
【0050】
図14は、シャッタ装置Sの他の構成例を示す図7の要部に対応する図である。本実施例においては、回動軸196がローラ166と同様な高さ位置に設けられ、回動シャッタ194は、搬送面234と略平行となる図に実線で示される退避角度位置Aから左回りに回動させられることにより、図に一点鎖線で示される遮蔽角度位置Bに位置させられる。すなわち、このように回動軸196が基板62の搬送面234よりも下側に設けられても図7の場合と同様な効果が得られる。図に一点鎖線で示されるように、回動シャッタ194は遮蔽角度位置Bにおいては上側固定シャッタ190と接触させられて、搬送面234よりも上側において加熱室R相互を完全に分離する。したがって、図7に示されるような固定シャッタ190、192と回動シャッタ194との間の隙間は必ずしも設けられなくともよい。なお、本実施例のシャッタ装置Sも図7のシャッタ装置Sと同様にエアシリンダ等で駆動し得るが、本実施例においては、退避角度位置Aから遮蔽角度位置Bに向かう回動方向が図7の場合と反対になることから、図9に示されるようなエアシリンダ216で回動シャッタ194を駆動する場合には、例えば、ピストンロッド218の突出位置において退避角度位置Aに位置し、引込位置において遮蔽角度位置Bに位置するように同図とは反対の構成にすればよい。
【0051】
図15、図16は、シャッタ装置Sの更に他の構成例を示す図である。両図の実施例においては回動シャッタ194は、回動軸196からその軸心を通る一平面内において両側に伸びて設けられ、上側に回動させられる上部回動シャッタ194aと下側に回動させられる下部回動シャッタ194bとから構成されているが、何れも退避角度位置Aから図における左回りに回動させられることにより、遮蔽角度位置Bに位置させられるようになっている。図15の実施例においては、回動軸196が上側固定シャッタ190と搬送面234との間に備えられており、一点鎖線で示される遮蔽角度位置Bにおいて、下側回動シャッタ194bが基板62の搬送面234と交わるように位置させられ、上側回動シャッタ194aは回動軸196と上側固定シャッタ190との間に設けられている隙間を閉じるように位置させられる。
【0052】
一方、図16の実施例においては、回動軸196が下側固定シャッタ192とローラ166下面との間に備えられており、一点鎖線で示される遮蔽角度位置Bにおいて、上側回動シャッタ194aが搬送面234と交わるように位置させられ、下側回動シャッタ194bは回動軸196と下側固定シャッタ192との間に形成されている隙間を閉じるように位置させられる。したがって、このように2枚の回動シャッタ194a、194bを備える場合にも、図7等に示される実施例と同様に回動シャッタ194の回動によって加熱室Rが相互に区分されることとなり、前述の実施例と同様な効果が得られる。
【0053】
以上、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明したが、本発明は、更に別の態様でも実施される。
【0054】
例えば、前述の実施例においては、加熱室Rからの基板62の搬出および搬入が時間差を設けて行われていたが、同時に実施してもよい。例えば、基板62が加熱室Rの一室置きに収容されるように搬送する場合には、各加熱室Rにおける搬出および搬入を同時に行っても、同時に3つ以上の加熱室Rが連続させられることはないため、加熱室R内の温度や雰囲気は変化し難く、実施例と同様に加熱室R内の高い均熱性が保たれる。このように同時に搬入出を実施する場合には、第2搬送装置120は、第1搬送装置118や第3搬送装置122と同様にラインシャフト138およびマイタギア140で連結して1つのモータで駆動するようにしても差し支えない。
【0055】
また、実施例においては、シャッタ装置Sの回動シャッタ194はエアシリンダ216からのピストンロッド218の突き出しおよび引き込みによって回動させられていたが、その他の駆動手段によって回動することもできる。例えば、回動軸196をモータで直接回動させてもよく、或いは、ラックやウォーム等の歯車装置、クランク機構、カム機構等が利用されてもよい。
【0056】
また、実施例においては、回動シャッタ194の退避角度位置Aは搬送面234と平行に設けられていたが、搬送される基板62と干渉しない範囲で種々の角度位置に位置させられ得る。
【0057】
また、実施例においては、加熱室R内での均熱処理中に基板62が搬送方向に往復移動させられていたが、加熱室R内は十分に均熱性が高められていることから、この往復移動は必ずしも実施されなくともよい。
【0058】
また、実施例においては、第1搬送装置118および第3搬送装置122は、モータ134或いは162の回転をラインシャフト138およびマイタギア140で伝達すると共に、搬送速度を第2搬送装置120に一致させることが望まれる駆動区分129bおよび133aにモータ150或いは164およびワンウェイカップリング148等を備えて、それら駆動区分129bおよび133aの搬送速度が変化させられるように構成されていたが、例えば、それら駆動区分129bおよび133aを第2搬送装置120と同様にそれぞれ回転速度可変のモータを備えて独立に駆動してもよい。また、第1搬送装置118および第3搬送装置122の各駆動区分も全て独立に駆動するようにしても差し支えない。
【0059】
また、前述の実施例では、基板62を構成するガラス或いはその上に印刷された厚膜に含まれるガラスの転移点或いは歪点を基板62内が均一な温度状態を保ちつつ通過するように、また、基板62に含まれる膜形成材料が金属或いは無機材料の溶融、焼結により固着される場合には、その膜形成材料の溶融点或いは焼結点を基板62内が均一な温度状態を保ちつつ通過するように、前記第1の設定温度KT1 或いは第2の設定温度KT2 は、上記基板62に含まれるガラス素材の転移点或いは歪点の近傍の値に設定され、或いは上記基板62上の膜形成材料に含まれる金属或いは無機材料の溶融点或いは焼結点の近傍の値に設定される。
【0060】
また、実施例において、炉体124、シャッタ装置Sがβ−スポジュメン質結晶化ガラスから構成され、ローラ166はアルミナセラミックスから構成されていたがこれらは他のセラミックスから構成されてもよい。例えば、炉体124等はアルミナセラミックスやムライト等から構成されてもよく、ローラ166はムライトやスポジュメン等から構成されてもよい。また、実施例の連続型焼成装置116のように、ローラ166を用いたローラハースキルンにおいては、摺動部分を炉体124内に設ける必要がないことから、各部の素材を耐熱性の高い例えばSUS310等の金属から構成してもよい。
【0061】
また、実施例においては、ローラ166が一様な中心間隔gで配置されていたが、例えば、加熱室Rの境界部等においては、搬送性の妨げられない範囲で広くされても差し支えない。
【0062】
また、実施例においては、シャッタ装置Sは固定シャッタ190、192および回動シャッタ194から構成されていたが、加熱室Rの高さがローラ166の中心間隔gに対して十分に小さい場合には、回動シャッタ194のみからシャッタ装置Sを構成し、或いは、上側固定シャッタ190および下側固定シャッタ192の一方と回動シャッタ194とからシャッタ装置Sを構成してもよい。
【0063】
その他一々例示はしないが、本発明は当業者の知識に基づいて種々の変更、改良を加えた態様で実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の連続型焼成装置の全体構成を説明する図である。
【図2】図1の実施例の炉体の長手方向に沿った断面を一部省略して示す図である。
【図3】(a) 〜(e) は、図2におけるa−a乃至e−e視断面にそれぞれ相当する図である。
【図4】図1の実施例の搬送装置を説明する図である。
【図5】図1の実施例の複数のヒータ配置を説明する図である。
【図6】(a) 、(b) は図1の実施例の給気管および排気管をそれぞれ示す図である。
【図7】図2の一部を拡大してシャッタ装置の構成を詳細に説明する図である。
【図8】図3(d) の一部を拡大してシャッタ装置の駆動構成を説明する図である。
【図9】図8における左方から見た要部を示す図である。
【図10】図1の実施例の制御回路を説明するブロック線図である。
【図11】図1の実施例の基板の搬送位置を示すタイムチャートである。
【図12】図1の実施例の各ゾーンの設定温度すなわち基板の焼成温度曲線を示す図である。
【図13】従来の焼成装置における基板の局所的な寸法変形を説明する図である。
【図14】本発明の他の実施例のシャッタ装置構造を説明する図7の要部に対応する図である。
【図15】本発明の更に他の実施例のシャッタ装置構造を説明する図7の要部に対応する図である。
【図16】本発明の更に他の実施例のシャッタ装置構造を説明する図7の要部に対応する図である。
【符号の説明】
116:連続型焼成装置
{118:第1搬送装置、120:第2搬送装置、122:第3搬送装置}(搬送装置)
H:ヒータ
R1 、R2 、〜R6 :複数の加熱室(加熱区分)
S:シャッタ装置
166:ローラ
168:制御装置(温度制御装置)
{190:上側固定シャッタ、192:下側固定シャッタ}(固定シャッタ)
194:回動シャッタ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a baking apparatus for uniformly performing a heat treatment on a substrate including a film forming material.
[0002]
[Prior art]
On a glass substrate typified by soda lime glass or a ceramic substrate typified by alumina, a metal or inorganic material is melted with a glass bond component, or the material itself is softened, melted, or sintered to have a predetermined function. A substrate containing a film-forming material, on which the resulting film is fixed, is known. For example, an anode substrate for a fluorescent display tube, a substrate for a plasma display panel, a plasma switching substrate for a plasma addressed liquid crystal display device, a display device substrate such as a field emission display device substrate, a thick film wiring substrate, a thermal printer head, or an image sensor It is a substrate for electronic devices such as. Such a substrate for an electronic device is generally subjected to a heat treatment of about 500 to 650 (° C.) for annealing the substrate itself or for forming a functional material film using a glass material as a binder. The substrate is subjected to a heat treatment of, for example, about 500 to 900 (° C.) in order to form a functional material film using a glass material as a binder, or to form a functional material film using melting at the interface of the metal material itself. .
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in recent years, a substrate including the film forming material has been designed to be multi-layered and densified such as conductors, resistors, and dielectrics formed by patterning on the surface thereof. With the increase in size, it is necessary to manufacture a relatively large size. For this reason, the display device substrate is required to form a fine pattern over a large size, and the electronic device substrate is provided with a high quality by miniaturizing the pattern space given to the function generating film. Therefore, the uniformity of the film is further required. However, the quality impact caused by the firing of the substrate increases as the size increases as described above, and the variation thereof becomes a constraint in product design, and is one factor that reduces the product yield. It was.
[0004]
For example, when there is a dimensional variation due to expansion or contraction of the substrate material itself with the heat treatment, it is difficult to align the patterns for each baking performed after patterning of the functional film. In addition, the resistance layer has a variation in resistance value, the dielectric layer has a variation in withstand voltage, and a variation in thickness due to non-uniformity of the residual ratio, and the conductor layer has a large variation in conduction resistance, wire bonding property, sputtering property, etc. Become. The consistency of alignment between these patterns and the uniformity of layer quality are more difficult to maintain as the pattern becomes finer or the substrate becomes larger, resulting in an inconvenience that the product yield decreases at an accelerated rate. It was. Therefore, for example, taking a plasma display substrate as a large display device of 40 inches or more as an example, there are the following yield reduction factors. In other words, the dimensional accuracy of each layer of the multilayer structure forming a large number of cells cannot be ensured, the height and width of the barriers vary, the resistance value varies in the resistance cell, and the dielectric layer has resistance. For example, the voltage varies, and the overall dimensional variation includes a deviation when the discharge cells are formed by combining the front plate and the rear plate.
[0005]
The present invention has been made against the background of the above circumstances, and its object is to sinter a substrate containing a film-forming material that can increase the yield of the substrate containing the film-forming material by uniform heating in the substrate. Is to provide.
[0006]
As a result of various studies to achieve the above-mentioned problems, the inventor has found that the metal contained in the thick film, the molten or sintered state of the inorganic material, the glass bond component that is lowered to fix the functional component, or It has been found that in the dielectric, the softening or melting state of the glass component itself is locally different within the substrate. The present invention has been made based on the above findings.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the gist of the present invention is that each of the plurality of substrates in the process of sequentially transporting the plurality of substrates including the film forming material in one direction. Slow cooling uniformly following heating A tunnel-like firing device for performing a treatment, (a) Slow cooling zone following heating zone And a plurality of the first Soaking A temperature control device for controlling soaking for each section, and (b) the plurality of substrates on each of the plurality of substrates. Soaking A transporting device for supporting the plurality of substrates by a plurality of rollers that are driven to rotate about axes that are perpendicular to the longitudinal direction and parallel to each other in order to perform heat treatment in sections; (c) The plurality of rollers between the plurality of rollers Soaking An axis parallel to the axial direction of the plurality of rollers between a shielding angle position that shields the sections from each other and a retraction angle position that avoids interference with the plurality of substrates conveyed by the conveying device And a shutter device provided with a flat plate-like rotary shutter that can be rotated around.
[0008]
【The invention's effect】
In this way, the tunnel-like firing device is Slow cooling zone A plurality of substrates arranged along one direction, which is the substrate transport direction Soaking A temperature control device that controls soaking for each section, a transport device that supports a plurality of substrates by a plurality of rollers that are driven to rotate around an axis perpendicular to the longitudinal direction and parallel to each other, and transports the substrate in one direction; Multiple between rollers Soaking A plate-like rotary shutter that is rotated around an axis parallel to the axial direction of the roller between a shielding angle position that shields the sections from each other and a retraction angle position that avoids interference with the substrate being conveyed. And a shutter device provided. Therefore, the substrate including the film forming material is a plurality of processes in the process of being transported along one direction by the transport device in the cooling process of heat treatment. Soaking Placed sequentially into the sections, where each is soaked Slowly cooled The At this time, multiple Soaking The sections are shielded from each other by the shutter device when the rotating shutter is positioned at the shielding angle position, and each is thermally independent. Soaking The soaking state in the section is preferably realized, but when the substrate is transported, the rotating shutter is positioned at the retraction angle position, so that interference between the substrate and the rotating shutter is avoided. Transport is not hindered at all. In this way, in the process of being transported in one direction Soaking Since the cooling process of the heat treatment is performed while repeating soaking sequentially for each section, the temperature variation in the substrate including the film forming material is made as small as possible.
[0009]
Therefore, when the substrate is made of glass and is heat-treated at a temperature higher than its strain point, the local change in dimensions within the substrate, that is, the distortion of the formation pattern is reduced as much as possible. Misalignment with subsequent patterns is prevented, and the manufacturing yield is dramatically increased even with fine patterns and large substrates. In addition, since the temperature variation in the substrate including the film forming material is minimized as described above, the thick film dielectric layer, the partition-like dielectric layer, the thick film resistive layer, the electrode are formed on the surface of the substrate. When a layer or an inorganic colored pigment layer is provided, the glass that functions as a bond component in the thick film has a uniform degree of melting and softening, and a metal-metal oxide-based melting and firing. The degree of bonding is uniform, and the withstand voltage quality, partition wall height and width dimensions, resistance values, discharge quality, optical filter characteristics variation, etc. are suitably reduced. Is dramatically improved. Furthermore, as a result of reducing the variation in the resistance value as described above, the process management load and the process such as trimming are reduced or the load is reduced.
[0010]
In addition, the shutter device has a plurality of rotating shutters. Soaking Because it shields each other from each other, Soaking Since there is no sliding portion in the region, problems such as generation of dust accompanying sliding of the shutter and breakage of the sliding portion due to thermal expansion are unlikely to occur. In addition, since the transport device supports a plurality of substrates by a plurality of rollers that are rotationally driven around an axis and transports the substrate in one direction, the transport device is Soaking Control multiple categories Soaking Since it is easy to carry between sections independently, Soaking Compared to the case of simultaneous transport by section Soaking It is possible to increase the processing efficiency of the substrate by shortening the moving time when the substrate is not heat-treated in the section as much as possible. In addition, there is no sliding of the belt that causes dust generation compared to the case of transporting with a mesh belt etc. Soaking The degree of cleanliness in the region is increased, and damage to the function of the film formed in the process of uniformly heat-treating the substrate is suppressed.
[0011]
Other aspects of the invention
Here, it is preferable that the shutter device has the plurality of shutters at positions separated by a predetermined distance or more from the conveyance surfaces of the plurality of substrates formed by the plurality of rollers. Soaking It further includes a fixed shutter that is fixedly provided to shield the sections from each other. In this way, multiple Soaking Between the sections, a range that does not hinder the conveyance at a predetermined distance or more from the conveyance surface of the substrate at the boundary between the sections is always shielded by the fixed shutter. Therefore, the rotating shutter has a remaining portion where the fixed shutter is not provided. The size of shielding is sufficient. Therefore, it is perpendicular to the one direction and the axial direction of the roller. Soaking Even when the height of the area is set sufficiently large with respect to the thickness dimension of the substrate (when the substrate is transported on a setter, the thickness dimension of the entire object to be conveyed including it) Since the roller interval required to rotate the rotating shutter is sufficiently small, Soaking There is no particular hindrance to the conveyance of the substrate at the boundary of the section. In addition, since the movable part of the shutter device becomes small, the rotation drive becomes easy, and it is suppressed that the drive becomes difficult due to thermal deformation of the shutter.
[0012]
Preferably, the transfer device transfers the plurality of substrates to the plurality of substrates. Soaking It is an intermittent conveying apparatus that conveys intermittently for each section. In this way, in the process where the substrate is intermittently transported in one direction, a plurality of Soaking Since the heat treatment is performed sequentially in the sections, the temperature in the substrate during the cooling process of the heat treatment is compared with the case where a continuous heat curve is formed by continuously transporting the substrate including the film forming material. The overall length of the cooling region required for sufficiently reducing the difference is shortened, and the baking apparatus is downsized.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0014]
1, 2, and 3 show a configuration of a
[0015]
The tunnel-shaped
[0016]
The
[0017]
FIG. 4 is an enlarged view of the main parts of the
[0018]
On the other hand, FIG. of The miter gear 140f corresponding to the
[0019]
Further, below the plurality of miter gears 140, there are a plurality of
[0020]
Further, as shown for the
[0021]
As is apparent from FIG. 1, the
[0022]
Returning to FIG. 2, a plurality of
[0023]
1, 2, and 3, the preheating
[0024]
Further, in the preheating
[0025]
Further, in the
[0026]
Further, the
[0027]
The shutter device S has a cross-sectional structure in FIG. 2 and a shutter device S in FIG. 2 2, for example, an upper
[0028]
FIG. 7 shows the shutter device S in FIG. 2 The upper
[0029]
FIG. 8 is a diagram for explaining the drive structure of the
[0030]
Therefore, in the state where the
[0031]
Each
[0032]
The
[0033]
FIG. 10 is a diagram showing the configuration of the
[0034]
Each heater H described above 1111 , H 1112 , ~ H 2246 In the preheating
[0035]
11 and 12 show the position of each
[0036]
First, time t 0 , The
[0037]
Then time t 0 For example, the time t after about 300 seconds from 1 At time t when the
[0038]
In the
[0039]
At this time, the
[0040]
For example, the cooling condition in the predetermined cooling period following the maximum firing temperature MT of, for example, about 500 (° C.) or more in the temperature rising curve shown in FIG. 12 is an important factor in the heat treatment of the
[0041]
As described above, the heating chamber R 1 , R 2 , ~ R 6 When the heat treatment in the slow cooling zone is completed by being sequentially held in the shutter device S 7 As the motor 158f and the
[0042]
As described above, according to the present embodiment, the
[0043]
Therefore, when the
[0044]
In addition, since the shutter device S is configured to shield the plurality of heating chambers R from each other by rotating the
[0045]
Further, in the present embodiment, the shutter device S shields the plurality of heating chambers R from each other at positions Hu and Hl apart from the conveyance surfaces 234 of the plurality of
[0046]
In the present embodiment, the
[0047]
In addition, according to the present embodiment, since it is possible to use an inexpensive soda lime glass as the
[0048]
In the present embodiment, the plurality of
[0049]
Next, another embodiment of the present invention will be described. In the following embodiments, portions common to the above-described embodiments are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
[0050]
FIG. 14 is a diagram corresponding to the main part of FIG. 7, showing another configuration example of the shutter device S. In this embodiment, the
[0051]
15 and 16 are diagrams showing still another configuration example of the shutter device S. FIG. In the embodiments shown in both figures, the
[0052]
On the other hand, in the embodiment of FIG. 16, the
[0053]
As mentioned above, although one Example of this invention was described in detail with reference to drawings, this invention is implemented also in another aspect.
[0054]
For example, in the above-described embodiment, the
[0055]
In the embodiment, the
[0056]
In the embodiment, the retraction angle position A of the
[0057]
In the embodiment, the
[0058]
In the embodiment, the
[0059]
In the above-described embodiment, the
[0060]
Further, in the embodiment, the
[0061]
In the embodiment, the
[0062]
In the embodiment, the shutter device S is composed of the fixed
[0063]
Although not illustrated one by one, the present invention can be implemented in variously modified and improved modes based on the knowledge of those skilled in the art.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating the overall configuration of a continuous firing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view in which a part of the cross section along the longitudinal direction of the furnace body of the embodiment of FIG. 1 is omitted.
FIGS. 3A to 3E are views corresponding to cross-sectional views taken along lines aa to ee in FIG. 2, respectively.
FIG. 4 is a diagram illustrating a transport device according to the embodiment of FIG.
FIG. 5 is a diagram for explaining a plurality of heater arrangements in the embodiment of FIG. 1;
6A and 6B are views showing an air supply pipe and an exhaust pipe, respectively, of the embodiment of FIG.
FIG. 7 is an enlarged view of a part of FIG. 2 for explaining the configuration of the shutter device in detail.
FIG. 8 is a diagram illustrating a driving configuration of the shutter device by enlarging a part of FIG.
9 is a diagram showing a main part viewed from the left in FIG. 8;
10 is a block diagram illustrating a control circuit of the embodiment of FIG.
FIG. 11 is a time chart showing the substrate transfer position in the embodiment of FIG. 1;
12 is a diagram showing a set temperature of each zone of the embodiment of FIG. 1, that is, a firing temperature curve of the substrate.
FIG. 13 is a diagram for explaining local dimensional deformation of a substrate in a conventional baking apparatus.
14 is a view corresponding to the main part of FIG. 7 for explaining the structure of a shutter device according to another embodiment of the present invention.
15 is a view corresponding to the main part of FIG. 7 for explaining the structure of a shutter device according to still another embodiment of the present invention.
16 is a view corresponding to the main part of FIG. 7 for explaining the structure of a shutter device according to still another embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
116: Continuous baking apparatus
{118: 1st conveyance device, 120: 2nd conveyance device, 122: 3rd conveyance device} (conveyance device)
H: Heater
R1, R2, ~ R6: Multiple heating chambers (heating division)
S: Shutter device
166: Roller
168: Control device (temperature control device)
{190: Upper fixed shutter, 192: Lower fixed shutter} (fixed shutter)
194: Rotating shutter
Claims (2)
加熱ゾーンに続く徐冷ゾーンにおいて前記一方向に並んで設けられた複数の均熱区分毎に均熱制御する温度制御装置と、
前記複数の基板の各々に前記複数の均熱区分で順次熱処理を施すために、前記長手方向と垂直且つ互いに平行な軸心回りにそれぞれ回転駆動される複数本のローラによって前記複数の基板を支持して前記一方向に搬送する搬送装置と、
前記複数本のローラの間で前記複数の均熱区分間を相互に遮蔽する遮蔽角度位置と、前記搬送装置によって搬送される前記複数の基板との干渉を避ける退避角度位置との間で、該複数本のローラの軸心方向と平行な軸心回りに回動させられる平板状の回動シャッタを備えたシャッタ装置と
を、含むことを特徴とする膜形成素材を含む基板の焼成装置。A tunnel-like firing apparatus for performing uniform cooling treatment following heating to each of the plurality of substrates in a process of sequentially transporting a plurality of substrates including a film forming material in one direction,
A temperature control device for controlling soaking for each of a plurality of soaking sections provided side by side in the one direction in the slow cooling zone following the heating zone ;
In order to sequentially heat-treat each of the plurality of substrates in the plurality of soaking sections, the plurality of substrates are supported by a plurality of rollers that are each driven to rotate about axes that are perpendicular to the longitudinal direction and parallel to each other. And a conveying device for conveying in the one direction,
Between a shielding angle position that shields between the plurality of soaking sections between the plurality of rollers, and a retraction angle position that avoids interference with the plurality of substrates conveyed by the conveying device, A substrate baking apparatus including a film forming material, comprising: a shutter device including a flat-plate-like rotation shutter that is rotated about an axis parallel to the axial direction of the plurality of rollers.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02230197A JP3607443B2 (en) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | Substrate baking apparatus including film forming material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP02230197A JP3607443B2 (en) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | Substrate baking apparatus including film forming material |
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| JPH10218669A JPH10218669A (en) | 1998-08-18 |
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-
1997
- 1997-02-05 JP JP02230197A patent/JP3607443B2/en not_active Expired - Fee Related
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