JP4338936B2 - Sealing and heating device for FPD - Google Patents
Sealing and heating device for FPD Download PDFInfo
- Publication number
- JP4338936B2 JP4338936B2 JP2002104464A JP2002104464A JP4338936B2 JP 4338936 B2 JP4338936 B2 JP 4338936B2 JP 2002104464 A JP2002104464 A JP 2002104464A JP 2002104464 A JP2002104464 A JP 2002104464A JP 4338936 B2 JP4338936 B2 JP 4338936B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- furnace
- sealing
- fpd
- sealing heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 52
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 108
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 8
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 5
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N aluminum;lithium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Li+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002438 flame photometric detection Methods 0.000 description 1
- 239000011491 glass wool Substances 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052642 spodumene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、膜形成素材がそれぞれ異なるパターンで固着された第1基板および第2基板を相互に封着する為のFPD(Flat Panel Display:フラットパネルディスプレイ)用封着加熱装置の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、ブラウン管に代わる新たな表示用ディスプレイとして、PDP(Plasma Display Panel:プラズマディスプレイパネル)あるいはFED(Field Emission Display:フィールドエミッションディスプレイ)をはじめとするFPDが実用化されつつある。かかるFPDは、ブラウン管などの従来の表示用ディスプレイと比較して薄型構造を実現できることに特徴があり、たとえば壁掛けテレビジョンあるいはマルチメディア用ディスプレイなどに好適に用いられるものである。とりわけPDPは、その大型化が容易であり、比較的軽量であることに加えて、耐震性に優れたものである為、たとえば40インチ以上といった比較的大型の表示用ディスプレイの分野において次世代の主流を成すものと考えられ、品質および歩留まりの向上などを目的としてさらなる開発が続けられている。
【0003】
そのようなFPDの製造では、先ず、膜形成工程にて、たとえばソーダガラスに代表されるガラス製基板や、アルミナに代表されるセラミックス製基板の上に、金属材料あるいは無機材料が、ガラスボンド成分の溶融や、材料自体の軟化、溶融、あるいは焼結により繰り返し膜状に固着させられ、たとえば陽極・陰極などの所定の機能を生じる膜が形成させられる。その膜形成工程においては、表示用ディスプレイとしての使用に際して前面とされる第1基板と、背面とされる第2基板とに、それぞれ異なるパターンを備えた膜が形成される。そのようにして所定の機能を生じる膜が形成させられた第1基板および第2基板は、続く封着加熱工程において、有機溶媒を含む封着材料によって相互に張り合わされた後、たとえばローラハースキルンのような加熱装置内において加熱されることにより有機溶媒が燃え抜けさせられ、さらに封着材料が溶融・焼結させられることにより、上記第1基板と第2基板とが相互に封着させられる。
【0004】
しかし、たとえば40インチ以上といった比較的大型のFPDの製造では、上記膜形成工程あるいは封着加熱工程などにおいて、基板素材そのものの熱膨張・熱収縮による寸法変動が問題となってくる。とりわけ上記封着加熱工程においては、かかる寸法変動によって基板素材に生じる歪みが基板破損の原因となり、そのような場合においては、上記第1基板および第2基板の両方を廃棄せねばならないので歩留まりが大きく低下する。この為、かかる封着加熱工程においては、昇温時あるいは降温時における基板素材内の温度勾配を可及的に小さくするべく、厳しい温度管理がおこなわれている。
【0005】
前述の封着加熱工程に用いられる従来の封着加熱装置としては、連続曲線的なヒートカーブが形成される連続搬送方式によるものが多く、そのような連続搬送方式の封着加熱装置にてできるだけ多くの基板を封着加熱する為には、基板を搬送する速度を上げることすなわちタクトタイムを短縮することが必要となってくる。しかし、上述のように、封着加熱工程には厳しい温度管理が要求されるので、基板の搬送速度を上げ且つ基板素材内の温度勾配を可及的に小さくする為には、封着加熱装置の炉長を長くする必要があり、広い敷地が必要とされる。さらに、従来の連続搬送方式では、基板の進行方向に温度勾配が発生し、基板内において均一な温度分布を得ることが困難であるという不具合があった。
【0006】
そのような不具合を解消する為の手段として、特許第3011366号の明細書等に記載された膜形成素材を含む基板の焼成方法および装置の発明がある。かかる発明によれば、膜形成素材を含む基板は、熱処理の過程において、第1均熱工程において第1の設定温度で所定時間均熱された後、搬送工程においてその第1の設定温度よりも所定値だけ異なる第2の設定温度に維持された第2の加熱室へ搬送され、そして、第2均熱工程において第2の設定温度で所定時間均熱される為、膜形成素材を含む基板内の温度ばらつきが可及的に小さくされ、精細なパターンや大型基板であっても製造歩留まりが飛躍的に高められる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、かかる膜形成素材を含む基板の焼成方法および装置は、一般的な連続搬送方式の加熱装置と比較して顕著な利点を有するものであったが、前記封着加熱工程に要求される厳しい温度管理を実現する為には、必然的に炉長が長くなるという不具合が残されていた。そこで、本発明者等は、上記発明に係る焼成装置において、焼成に際しての基板内の温度勾配などに関する利点を損なうことなく、炉長を短縮する改良を実現すべく鋭意研究に取り組んできた。
【0008】
本発明は、以上の事情を背景として為されたものであり、その目的とするところは、基板内の温度勾配を可及的に小さく抑えることができ、且つ、炉長の短いFPD用封着加熱装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成する為に、本発明の要旨とするところは、少なくとも一方がガラス製である第1基板および第2基板を相互に封着する為のFPD用封着加熱装置であって、炉本体の全長に渡って分割され、それぞれ個別に温度管理される複数の炉室と、隣接するその炉室相互間に設けられた複数の遮断扉と、各炉室の内壁に独立して設けられてそれぞれ個別に温度管理される加熱ヒータと、複数の前記第1基板および第2基板を1方向に搬送する為の搬送装置と、炉長方向の一端に設けられた基板昇降装置と、封着加熱が施された基板を封着加熱時の搬送方向とは逆の方向に搬送する為に前記炉本体の下側に設けられた搬送路とを備え、その搬送装置により、前記複数の炉室内でそれぞれ加熱された複数の前記第1基板および第2基板の内の全てが、その複数の炉室内からそれぞれ前記1方向に隣接する複数の炉室内へ同期して所定時間毎に間欠的に搬送されると共に、封着加熱が施された基板が前記基板昇降装置により前記搬送路に送り込まれるものであることを特徴とするものである。
【0010】
【発明の効果】
このようにすれば、前記複数の遮断扉により炉本体がその全長に渡って分割されて、それぞれ独立して設けられた加熱ヒータにより個別に温度管理される前記複数の炉室が備えられており、前記第1基板および第2基板が、各炉室において所定時間停止状態にて加熱された後、前記搬送装置により、その炉室内から前記1方向に隣接する炉室内へ順次搬送される為、前記第1基板および第2基板における前記1方向に関しての温度勾配がほどんと発生しないことに加え、複数の前記第1基板および第2基板の内の全てが同期して搬送される。また、前記炉本体の炉長方向の一端に設けられた基板昇降装置と、封着加熱が施された基板を封着加熱時の搬送方向とは逆の方向に搬送する為にその炉本体の下側に設けられた搬送路とを備え、封着加熱が施された基板を前記基板昇降装置によりその搬送路に送り込んで温度降下させるものである。かかる構成により、前記FPD用封着加熱装置の炉長を従来のものと比較して1/2〜2/3とすることができる。すなわち、前記第1基板および第2基板内の温度勾配を可及的に小さく抑えることができ、且つ、炉長の短いFPD用封着加熱装置を提供することができる。
【0011】
【発明の他の態様】
また、好適には、前記搬送装置は、それぞれの軸心まわりに回転させられる複数のセラミックローラである。このようにすれば、たとえばベルトコンベアなどによる搬送と比較して、塵埃の発生原因となるベルトの摺動がないことから、前記FPD用封着加熱装置の炉内を清浄に保ちつつ、前記第1基板および第2基板を好適に前記1方向に搬送することができるという利点がある。
【0012】
【実施例】
以下、本発明の好適な実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
【0013】
図1は、本発明の一実施例であるFPD用封着加熱装置10を、その炉長方向に切断して要部構造を説明する概略図である。この図に示すように、かかるFPD用封着加熱装置10は、長手トンネル状の炉本体12と、その炉本体12の長手方向に垂直に設けられた複数の遮断扉S1、S2・・・Sn(以下、特に区別しないときには単に遮断扉Sと呼ぶ)と、上記炉本体12がその全長に渡り上記複数の遮断扉Sにより区分されてそれぞれ個別に温度管理される複数の炉室R1、R2・・・Rn(以下、特に区別しないときには単に炉室Rと呼ぶ)と、複数の第1基板および第2基板(以下、単に基板14と呼ぶ)を矢印Dで示す1方向に搬送する為にそれぞれの軸心まわりに回転させられる複数のセラミックローラ16と、炉長方向の一端に設けられた基板昇降装置18とを備えて構成されている。なお、本実施例においては、上記複数のセラミックローラ16が搬送装置に対応する。また、上記炉本体12の下側には、封着加熱が施された上記基板14を封着加熱時の搬送方向とは逆の方向に搬送する為の搬送路20が設けられている。
【0014】
上記炉本体12は、たとえば断熱性耐火物あるいはガラスウールなどの保温材で外部を包まれたステンレス鋼あるいは耐熱ガラスによる炉心管(マッフル)から構成されたものであり、その下側に設置されたフレーム22により水平状態で支持されている。また、上記セラミックローラ16は、たとえばアルミナなどのセラミックスから構成されたものであり、上記炉本体12内に、その両端部において炉本体12に支持された状態で、その炉本体12を幅方向に貫通して互いに平行に配置されて設けられている。上記基板14は、炉本体12内においてこのセラミックローラ16に支持されている。上記フレーム22に固定されたサーボモータ24が駆動させられると、チェーン26を介してその回転が上記複数のセラミックローラ16に伝達される。それにより、上記複数のセラミックローラ16が回転させられると、その回転に伴って上記基板14が一方向に搬送されることとなる。ここで、上記複数のサーボモータ24は、たとえば電子制御装置100によって一元的に制御されることにより、その全てが同期して駆動・停止させられるものである。
【0015】
図2は、図1におけるII-II視断面図であり、前記遮断扉Sの構成を詳しく説明する図である。この図に示すように、上記フレーム22には板状のベース部材28が固設されており、そのベース部材28には、前記遮断扉Sを開閉する為のサーボモータ30と、互いに平行とされた1対のレール32とが設けられている。その1対のレール32には昇降部材34が嵌設されており、その昇降部材34は互いに平行に設けられた1対のアーム部材36によって前記遮断扉Sと相互に連結されている。なお、上記1対のアーム部材36は、前記炉本体12の下部を貫通して穿設された穴部38に挿入された状態で設けられている。また、上記昇降部材34の上部および下部にその端部を固定されて環状とされたチェーン40は、上記サーボモータ30のモータスプロケット42および上記フレーム22に設けられたスプロケット44に噛み合わされている。さらに、前記遮断扉Sは、前記炉本体12の開口46と略同じ幅寸法を備えて、その開口46の下端から前記セラミックローラ16の上端に至らない所定の高さまでを遮断する1対の固定遮断板48に挟まれた状態で設けられている。なお、図2においては簡略化の為、図面に向かって手前側の固定遮断板48は描かれていない。
【0016】
そのような構成において、上記サーボモータ30がが駆動させられると、モータスプロケット42、チェーン40、およびスプロケット44を介してその回転が上記昇降部材34に上下移動の駆動力として伝達され、その昇降部材34が上記1対のレール32に沿って上下移動させられる。上記昇降部材34が上下移動させられることにより、その昇降部材34と上記アーム部材36を介して連結された前記遮断扉Sが上下移動させられ、その遮断扉Sが開閉させられる。図2において、実線は前記遮断扉Sが上端に位置した状態すなわち遮断扉Sが閉じられた状態を示し、細線二点鎖線は前記遮断扉Sが下端に位置した状態すなわち遮断扉Sが開いた状態を示す。ここで、上記複数のサーボモータ30は、たとえば前記電子制御装置100によって一元的に制御されることにより、その全てが同期して駆動・停止させられるものである。そのようにして、前記遮断扉Sが開閉させられることにより、隣接する前記炉室R相互間の連通・遮断が適宜おこなわれるのである。
【0017】
ここで、前記遮断扉Sおよび固定遮断板48は、たとえば液晶化ガラス、あるいはアルミナ、シリカ、ムライトといったセラミック焼結体などの断熱性に優れた材料から構成されたものであり、かかる遮断扉Sおよび固定遮断板48により隣接する前記炉室R相互間が遮断されることにより、その炉室R相互間における熱干渉を可及的に減少させられる。前述のように、前記複数の炉室Rは、前記炉本体12の内壁にそれぞれの炉室R1、R2・・・Rnに独立して設けられた加熱ヒータH1、H2・・・Hn(以下、特に区別しないときは単に加熱ヒータHと呼ぶ)により、それぞれ個別に温度管理されるものであり、上記複数の加熱ヒータHは、たとえば前記電子制御装置100によって一元的に制御されることにより、前記複数の炉室Rをそれぞれ所定温度に維持する。上述のように、隣接する前記炉室R相互間において熱干渉が可及的に減少させられることにより、それぞれの炉室Rの温度管理が好適におこなわれる。
【0018】
前記基板昇降装置22は、たとえば図示しないサーボモータなどにより、それ自体が上下方向に移動させられる可動部50を備えており、実線はその可動部50が上端に到達している様子を示し、鎖線は下端に到達している様子を示す。かかる可動部50には、前述の炉本体12に設けられていたものと同様の複数本のセラミックローラ16が、その両端部において可動部50に支持された状態で、その可動部50を幅方向に横断して互いに平行に配置されて設けられている。前記基板14は、可動部50内においてこのセラミックローラ16に支持されている。前記基板昇降装置18に備えられた図示しないサーボモータが駆動させられると、同じく図示しないチェーンを介してその回転が上記複数のセラミックローラ16に伝達される。それにより、上記複数のセラミックローラ16が回転させられると、その回転に伴って前記基板14が所定方向に搬送される。ここで、かかる複数のセラミックローラ16は、実線で示す上端においては、前記基板14を前記1方向に搬送するようにすなわち上記可動部50に迎え入れるように回転させられ、鎖線で示す下端においては、前記基板14を前記1方向とは反対の方向に搬送するようにすなわち前記搬送路20に送り込むように回転させられる。
【0019】
前記搬送路20には、前述の炉本体12に設けられていたものと同様の複数本のセラミックローラ16が、前記フレーム22の両端部においてフレーム22に支持された状態で、そのフレーム22を幅方向に横断して互いに平行に配置されて設けられている。前記基板14は、前記搬送路20内においてこのセラミックローラ16に支持されている。前記フレーム22に設けられた図示しないサーボモータが駆動させられると、同じく図示しないチェーンを介してその回転が上記複数のセラミックローラ16に伝達される。それにより、上記複数のセラミックローラ16が回転させられると、その回転に伴って前記基板14が前記1方向とは反対の方向すなわち図1に矢印D’で示す方向に搬送される。
【0020】
前述のように構成されたFPD用封着加熱装置10では、以下に示すような工程で前記基板14に封着加熱が施される。図1に示すように、前記炉室R1〜Rnにそれぞれ前記基板14が配設されている状態から説明する。前記炉室R1内に配設された前記基板14は、前記加熱ヒータH1により所定時間加熱される。この際に、前記遮断扉S1は閉じられており、その遮断扉S1が開くのと略同時に前記サーボモータ24が駆動させられ、その基板14が前記1方向に搬送されて前記炉室R2に送り込まれる。一方、前記炉室R2内に配設されていた前記基板14は、前記加熱ヒータH2により所定時間加熱され、前記遮断扉S1が開くのと同期して前記遮断扉S2が開くのと略同時に前記サーボモータ24が駆動させられ、その基板14が前記1方向に搬送されて前記炉室R2に送り込まれる。そのような動作が、前記R1〜Rnで同期しておこなわれることにより、前記複数の炉室Rでそれぞれ加熱された複数の前記基板14の内の全てが、その複数の炉室Rmとそれぞれ前記1方向に隣接する複数の炉室Rm+1に同期して搬送されるのである。そのような搬送方式とすることで、連続曲線的なヒートカーブが形成される連続搬送方式による従来の加熱装置と比較して、前記基板14を搬送しつつ段階的な温度管理をおこなっていた部分が前記基板14を静止させて温度管理する前記炉室Rに置換される為、前記FPD用封着加熱装置10の炉長を1/2〜2/3とすることができる。
【0021】
図3は、本実施例のFPD用封着加熱装置10内の前記基板14が呈する温度を示すチャート図であり、実線は前記炉本体12内の温度チャートを、一点鎖線は前記搬送路20内の温度チャートを示す。この図に示すように、本実施例のFPD用封着加熱装置10は、たとえば34個の前記炉室Rを備えたものであり、前記基板14は、先ず、炉室R1〜R7において順次加熱され、T1で示す所定温度たとえば約300℃程度まで温度上昇させられ、続く炉室R8〜R11において温度T1にて均熱され、それにより前記基板14の封着材料に含まれる有機溶媒が燃え抜けさせられると共に、その封着材料が溶融させられる。次に、炉室R12〜R17において順次加熱され、T2で示す所定温度たとえば約450℃程度まで温度上昇させられ、続く炉室R18〜R20において温度T2にて均熱され、それにより前記基板14の上記封着材料が焼成させられる。さらに続く炉室R21〜R34において順次降温され、前記搬送路20内を搬送される過程で常温にまで温度降下される。以上のようにして、前記基板14すなわち前記第1基板および第2基板の封着加熱がおこなわれる。
【0022】
このように、本実施例によれば、前記複数の遮断扉Sにより炉本体12がその全長に渡って分割されて、それぞれ個別に温度管理される前記複数の炉室Rが備えられており、前記炉室Rで温度管理された前記基板14すなわち前記第1基板および第2基板が、前記搬送装置により、その炉室Rm内から前記1方向に隣接する炉室Rm+1内へ順次搬送される為、前記基板14における前記1方向に関しての温度勾配がほどんと発生しないことに加え、複数の前記基板14の内の全てが同期して搬送される為、前記FPD用封着加熱装置10の炉長を従来のものと比較して1/2〜2/3とすることができる。すなわち、前記基板14内の温度勾配を可及的に小さく抑えることができ、且つ、炉長の短いFPD用封着加熱装置10を提供することができる。
【0023】
また、好適には、前記搬送装置は、それぞれの軸心まわりに回転させられる複数のセラミックローラ16である為、たとえばベルトコンベアなどによる搬送と比較して、塵埃の発生原因となるベルトの摺動がないことから、前記FPD用封着加熱装置10の炉内を清浄に保ちつつ、前記基板14を好適に矢印Dで示す前記1方向に搬送することができるという利点がある。
【0024】
以上、本発明の好適な実施例を図面に基づいて詳細に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、さらに別の態様においても実施される。
【0025】
たとえば、前述の実施例では、前記搬送装置は前記セラミックローラ16であったが、これはあくまで好適な実施の形態であり、たとえば耐熱性材料から成るベルトコンベアなどにより前記基板14が前記1方向に搬送されるものであってもよい。
【0026】
また、前述の実施例のFPD用封着加熱装置10は、前記基板14が図3のような温度チャートを示すように作動されるものであったが、本発明はこれに限定されるものではなく、たとえば温度T1にて均熱される第1の均熱工程および温度T2にて均熱される第2の均熱工程に加えて、温度T3にて均熱される第3の均熱工程が存在するものであってもよく、前記基板14の態様に応じてかかる温度チャートは適宜設定されるものである。
【0027】
また、前述の遮断扉14は、前記セラミックローラ16の上面から前記基板14の厚みよりわずかに大きい距離だけ隔てた位置固定の部材であってもよい。すなわち、それぞれの前記炉室Rが個別に温度管理されることを可能とするものであれば、その形態は問わない。
【0028】
また、前述のセラミックローラ16はアルミナセラミックスから構成されていたが、ムライトやスポジュメンなどの他のセラミックスから構成されたものであってもよく、あるいは耐熱性の高いたとえばSUS310などの金属から構成されたものであっても構わない。
【0029】
また、前述の実施例においては、前記複数の炉室Rの全てに前記基板14が配設された状態からの動作を説明したが、たとえば前記複数の炉室Rの内の幾つかに前記基板14が配設されて封着加熱が施されるものであっても当然に構わない。
【0030】
その他一々例示はしないが、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更が加えられて実施されるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例であるFPD用封着加熱装置を、その炉長方向に切断して要部構造を説明する概略図である。
【図2】図1におけるII-II視断面図であり、炉室相互間に設けられた遮断扉の構成を詳しく説明する図である。
【図3】本実施例のFPD用封着加熱装置内の基板が呈する温度を示すチャート図である。
【符号の説明】
10:FPD用封着加熱装置
12:炉本体
14:基板(第1基板および第2基板)
16:セラミックローラ(搬送装置)
S:遮断扉
R:炉室[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an improvement in a sealing heating apparatus for FPD (Flat Panel Display) for sealing a first substrate and a second substrate to which film forming materials are fixed in different patterns.
[0002]
[Prior art]
In recent years, FPDs such as PDP (Plasma Display Panel) or FED (Field Emission Display) have been put into practical use as a new display for replacing CRT. Such an FPD is characterized in that a thin structure can be realized as compared with a conventional display such as a cathode ray tube, and is suitably used for, for example, a wall-mounted television or a multimedia display. In particular, the PDP is easy to increase in size, is relatively light in weight, and is excellent in earthquake resistance. Therefore, the PDP is the next generation in the field of relatively large display displays such as 40 inches or more. It is considered to be mainstream, and further development is ongoing for the purpose of improving quality and yield.
[0003]
In manufacturing such an FPD, first, in a film forming process, for example, a metal material or an inorganic material is formed on a glass substrate component represented by soda glass or a ceramic substrate represented by alumina. The film itself is fixed repeatedly in the form of a film by melting, softening, melting, or sintering of the material itself, and a film that generates a predetermined function such as an anode or a cathode is formed. In the film formation step, films having different patterns are formed on the first substrate as the front surface and the second substrate as the back surface when used as a display for display. After the first substrate and the second substrate on which the film having a predetermined function is formed are bonded to each other by a sealing material containing an organic solvent in a subsequent sealing heating step, for example, roller hearth skin The organic solvent is burned out by heating in a heating apparatus such as the above, and the sealing material is melted and sintered, whereby the first substrate and the second substrate are sealed together. .
[0004]
However, in the manufacture of a relatively large FPD such as 40 inches or more, for example, in the film forming process or the sealing heating process, dimensional fluctuation due to thermal expansion / contraction of the substrate material itself becomes a problem. In particular, in the sealing heating process, distortion generated in the substrate material due to the dimensional variation causes damage to the substrate. In such a case, since both the first substrate and the second substrate must be discarded, the yield is increased. Decrease significantly. For this reason, in such a sealing heating process, strict temperature management is performed in order to minimize the temperature gradient in the substrate material when the temperature is raised or lowered.
[0005]
As the conventional sealing heating device used in the above-mentioned sealing heating process, there are many by a continuous conveyance method in which a continuous curvilinear heat curve is formed, and as much as possible with such a continuous conveyance type sealing heating device. In order to heat and heat many substrates, it is necessary to increase the speed at which the substrates are conveyed, that is, to shorten the tact time. However, as described above, since strict temperature control is required for the sealing heating process, a sealing heating device is used to increase the substrate conveyance speed and minimize the temperature gradient in the substrate material. It is necessary to lengthen the furnace length, and a large site is required. Furthermore, the conventional continuous transfer method has a problem that a temperature gradient is generated in the traveling direction of the substrate, and it is difficult to obtain a uniform temperature distribution in the substrate.
[0006]
As means for solving such a problem, there is an invention of a method and apparatus for baking a substrate containing a film forming material described in the specification of Japanese Patent No. 3011366. According to this invention, the substrate including the film forming material is soaked for a predetermined time at the first set temperature in the first soaking process in the course of the heat treatment, and then the first set temperature in the transport process. Since it is transported to a second heating chamber maintained at a second set temperature that differs by a predetermined value and is soaked for a predetermined time at the second set temperature in the second soaking step, the inside of the substrate containing the film forming material Temperature variation is made as small as possible, and the manufacturing yield is dramatically increased even with fine patterns and large substrates.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, although the method and apparatus for firing a substrate including such a film forming material have significant advantages compared to a general continuous conveyance type heating apparatus, it is a strict requirement for the sealing heating process. In order to realize temperature control, the problem that the furnace length inevitably became long was left. Therefore, the present inventors have intensively studied to realize an improvement for shortening the furnace length without impairing the advantages relating to the temperature gradient in the substrate during firing in the firing apparatus according to the above invention.
[0008]
The present invention has been made against the background of the above circumstances, and the object of the present invention is to seal the FPD with a short furnace length and the temperature gradient in the substrate as small as possible. It is to provide a heating device.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve such an object, the gist of the present invention is an FPD sealing heating apparatus for sealing a first substrate and a second substrate, at least one of which is made of glass, with a furnace A plurality of furnace chambers divided over the entire length of the main body and individually temperature controlled, a plurality of shut-off doors provided between the adjacent furnace chambers, and independently provided on the inner wall of each furnace chamber A heater that is individually temperature controlled, a transport device for transporting the plurality of first and second substrates in one direction, a substrate lifting device provided at one end in the furnace length direction, and sealing A transport path provided on the lower side of the furnace body for transporting the heated substrate in a direction opposite to the transport direction at the time of sealing heating, and the transport device includes the plurality of furnace chambers. Of the plurality of first and second substrates respectively heated at All, while being intermittently conveyed every predetermined time in synchronization to a plurality of furnace chamber adjacent to each of the one direction from the plurality of furnace chamber, a substrate that has been subjected to sealing heated by the substrate lifting device It is sent to the said conveyance path, It is characterized by the above-mentioned.
[0010]
【The invention's effect】
In this way, the furnace body is divided over the entire length by the plurality of shut-off doors, and the plurality of furnace chambers that are individually temperature controlled by the heaters provided independently are provided. , since the first substrate and the second substrate, after being heated at a predetermined time stopping state in each furnace chamber, by the conveying device, it is successively conveyed from the furnace chamber into the furnace chamber adjacent to said one direction, In addition to the fact that a temperature gradient in the one direction on the first substrate and the second substrate hardly occurs, all of the plurality of the first substrate and the second substrate are transferred in synchronization. Also, a substrate lifting device provided at one end of the furnace body in the furnace length direction, and the furnace body in order to transport the substrate subjected to the sealing heating in a direction opposite to the conveying direction during the sealing heating. The substrate is provided with a conveyance path provided on the lower side, and the substrate that has been subjected to the sealing heating is sent to the conveyance path by the substrate lifting device to lower the temperature. With this configuration, the furnace length of the FPD sealing heating apparatus can be reduced to 1/2 to 2/3 as compared with the conventional one. That is, it is possible to provide a sealed heating apparatus for FPD that can suppress the temperature gradient in the first substrate and the second substrate as small as possible and has a short furnace length.
[0011]
Other aspects of the invention
Preferably, the transport device is a plurality of ceramic rollers that are rotated about respective axis centers. In this way, since there is no sliding of the belt that causes dust generation, for example, compared with conveyance by a belt conveyor or the like, the furnace of the FPD sealing heating apparatus is kept clean while the first There is an advantage that the one substrate and the second substrate can be suitably transported in the one direction.
[0012]
【Example】
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0013]
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a structure of a main part by cutting an FPD sealing
[0014]
The
[0015]
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. As shown in this figure, a plate-
[0016]
In such a configuration, when the
[0017]
Here, the blocking door S and the fixed blocking
[0018]
The
[0019]
A plurality of
[0020]
In the FPD sealing
[0021]
FIG. 3 is a chart showing the temperature exhibited by the
[0022]
Thus, according to the present embodiment, the
[0023]
Further, preferably, since the conveying device is a plurality of
[0024]
As mentioned above, although the suitable Example of this invention was described in detail based on drawing, this invention is not limited to this, Furthermore, it implements in another aspect.
[0025]
For example, in the above-described embodiment, the transport device is the
[0026]
Further, the FPD sealing
[0027]
Further, the above-described
[0028]
The
[0029]
In the above-described embodiment, the operation from the state in which the
[0030]
Although not exemplified one by one, the present invention is implemented with various modifications within a range not departing from the gist thereof.
[Brief description of the drawings]
BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view for explaining a main structure of an FPD sealing heating apparatus according to an embodiment of the present invention by cutting it in the furnace length direction.
2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. 1, and is a diagram for explaining in detail the configuration of a blocking door provided between furnace chambers.
FIG. 3 is a chart showing the temperature exhibited by the substrate in the FPD sealing heating apparatus of this example.
[Explanation of symbols]
10: Sealing heating device for FPD 12: Furnace body 14: Substrate (first substrate and second substrate)
16: Ceramic roller (conveying device)
S: Shut-off door R: Furnace chamber
Claims (2)
炉本体の全長に渡って分割され、それぞれ個別に温度管理される複数の炉室と、隣接する該炉室相互間に設けられた複数の遮断扉と、各炉室の内壁に独立して設けられてそれぞれ個別に温度管理される加熱ヒータと、複数の前記第1基板および第2基板を1方向に搬送する為の搬送装置と、炉長方向の一端に設けられた基板昇降装置と、封着加熱が施された基板を封着加熱時の搬送方向とは逆の方向に搬送する為に前記炉本体の下側に設けられた搬送路とを備え、
該搬送装置により、前記複数の炉室内でそれぞれ加熱された複数の前記第1基板および第2基板の内の全てが、該複数の炉室内からそれぞれ前記1方向に隣接する複数の炉室内へ同期して所定時間毎に間欠的に搬送されると共に、封着加熱が施された基板が前記基板昇降装置により前記搬送路に送り込まれるものであることを特徴とするFPD用封着加熱装置。An FPD sealing heating device for sealing a first substrate and a second substrate, at least one of which is made of glass,
A plurality of furnace chambers that are divided over the entire length of the furnace body and are individually temperature controlled, a plurality of shut-off doors provided between adjacent furnace chambers, and provided independently on the inner wall of each furnace chamber A heater that is individually temperature controlled, a transport device for transporting the plurality of first and second substrates in one direction, a substrate lifting device provided at one end in the furnace length direction, A transport path provided on the lower side of the furnace body in order to transport the substrate subjected to deposition heating in a direction opposite to the transport direction during sealing heating,
All of the plurality of first and second substrates heated in the plurality of furnace chambers by the transfer device are synchronized from the plurality of furnace chambers to the plurality of furnace chambers adjacent in the one direction, respectively. In addition, the FPD sealing heating apparatus is characterized in that the substrate which is intermittently transported every predetermined time and is subjected to the sealing heating is fed into the transport path by the substrate lifting device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002104464A JP4338936B2 (en) | 2002-04-05 | 2002-04-05 | Sealing and heating device for FPD |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002104464A JP4338936B2 (en) | 2002-04-05 | 2002-04-05 | Sealing and heating device for FPD |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003300741A JP2003300741A (en) | 2003-10-21 |
| JP4338936B2 true JP4338936B2 (en) | 2009-10-07 |
Family
ID=29389710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002104464A Expired - Fee Related JP4338936B2 (en) | 2002-04-05 | 2002-04-05 | Sealing and heating device for FPD |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4338936B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009003393A1 (en) * | 2009-01-27 | 2010-07-29 | Schott Solar Ag | Process for the temperature treatment of semiconductor devices |
-
2002
- 2002-04-05 JP JP2002104464A patent/JP4338936B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003300741A (en) | 2003-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100280970B1 (en) | Method and apparatus for heat treatment of a substrate having a film forming composition | |
| JP2001241855A (en) | Continuous heating oven | |
| JP3683166B2 (en) | Substrate heat treatment method and continuous heat treatment furnace used therefor | |
| JP4338936B2 (en) | Sealing and heating device for FPD | |
| JP2004218956A (en) | Method of heat-treating substrate and heat treatment furnace | |
| WO2018151364A1 (en) | Method and system for heat treating low-e glass | |
| JP3445733B2 (en) | Heat treatment equipment | |
| JP3662893B2 (en) | Heat treatment equipment | |
| JP3274089B2 (en) | Hybrid type heat treatment equipment | |
| JP5068924B2 (en) | Continuous sealing processing furnace and sealing processing method for glass panel assembly | |
| JP3584241B2 (en) | Tray-conveying continuous furnace with heating and cooling zones | |
| KR200318436Y1 (en) | Roller Hearth kiln for forming paste film in PDP | |
| JP2001153564A (en) | Continuous heating furnace for substrate, utilizing radiant tube burner | |
| JP2003172583A (en) | Heat treatment device for plasma display panel | |
| JP2005114284A (en) | Kiln | |
| JP3157108B2 (en) | Method and apparatus for firing a substrate containing a film forming material | |
| JP2002206863A (en) | Continuously heat treating furnace | |
| JP3157109B2 (en) | Method and apparatus for firing a substrate containing a film forming material | |
| JP3607443B2 (en) | Substrate baking apparatus including film forming material | |
| JP2001199528A (en) | Lifter having gas floating means, heat treatment apparatus and heat treatment method | |
| JP2001012860A (en) | Continuous heating furnace for large size glass substrate | |
| JP2007205592A (en) | Substrate baking equipment | |
| JP2000026972A (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
| JP2003130551A (en) | Baking apparatus | |
| JP2010049899A (en) | Manufacturing method of image display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040121 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060825 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060919 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061117 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061226 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070220 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070409 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20070511 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090701 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130710 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |