JP3613611B2

JP3613611B2 - Motor control device

Info

Publication number: JP3613611B2
Application number: JP36517798A
Authority: JP
Inventors: 木弘幸舟; 岡信夫吉
Original assignee: 自動車電機工業株式会社
Priority date: 1998-12-22
Filing date: 1998-12-22
Publication date: 2005-01-26
Anticipated expiration: 2018-12-22
Also published as: JP2000188892A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、自動車のパワーウインド等の開閉装置を制御するモータ制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
自動車の開閉装置を制御するモータ制御装置としては、コントローラに内蔵され、電気的に書き込み可能にして消去可能な不揮発性メモリに対し、モータの回転信号を位置データとして取り込むことによって、ウインドガラスの現在位置を間接的に検出しているものが知られている。
【０００３】
上記のようなモータ制御装置では、図１４に示されるように、時刻ａにおいて開スイッチ（閉スイッチ）がオンされることによってモータが作動される。モータが作動を開始するとモータ電圧ＶＢは無負荷の状態に対して下がる。モータが作動を開始することによってモータに内蔵された回転センサからのパルス信号がコントローラに取り込まれる。時刻ａの後の時刻ｂにおいてウインドガラスがストローク端に到達すると、ウインドガラスが移動を阻止されることにより、モータがロックされるので、モータ電圧ＶＢは作動中よりさらに下がる。モータがロックされることにより、時刻ｂの後の時刻ｃにおいて、コントローラがモータに対する通電をカットオフし、モータ電圧ＶＢは無負荷の状態に復帰する。そして、時刻ｃの後の時刻ｄにおいて電源（ＩＧ）スイッチがオフされると、コントローラの電源が遮断され、モータ電圧ＶＢは時間の経過とともに下がる。そして、時刻ｄの後の時刻ｅにおいてモータ電圧ＶＢがメモリ書き込み電圧Ｖ０を下回ると、コントローラは、回転センサから与えられたパルス信号数の不揮発性メモリへの書き込みを始め、時刻ｅの後の時刻ｆにおいてモータ電圧ＶＢがリセット電圧ＲＥＳを下まわるまでの書き込み可能時間ｔ内で書き込みが行われる。メモリ書き込み電圧Ｖ０は、回路内の電源電圧がマイコンのリセット電圧ＲＥＳ以上になるような回路への供給電圧以上であって、しかも、モータがその仕様の最低作動電圧でロックしたときの電圧降下以下である必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記のモータ制御装置において、コントローラの電源電圧が遮断された時に、ウインドガラスの位置データを不揮発性メモリに書き込むものでは、モータがロック状態にある際に電源スイッチがオフ切換えされた場合、コントローラの電源電圧が通常の作動電圧より低い電圧値に対し既に低下しているので、書き込みに必要な電荷量が不足し、単一の位置データのみを書き込むようになっていた。そのため、不揮発性メモリにウインドガラスの位置データを書き込むのに十分な時間を確保できるようにするための大容量のバックアップ用コンデンサが用いられており、大容量のバックアップ用コンデンサをコントローラに内蔵することによって、コントローラの外形が大型化するという問題点があった。
【０００５】
また、上記のモータ制御装置では、モータが作動中に電源スイッチがオフ切換えされた場合、モータの回転信号が入力中であるのにも拘らず、コントローラに内蔵されたマイコンの作動電圧が低下することによって書き込みができなくなり、実際のウインドガラスの位置に対してずれた位置データをマイコンが書き込んでしまうことになる。そのため、モータが停止するまで位置データの書き込みを継続して行えるようにするための大容量のバックアップ用コンデンサが用いられており、上記と同様にコントローラの外形が大型化するという問題点があった。
【０００６】
【発明の目的】
この発明に係わるモータ制御装置は、大容量のバックアップ用コンデンサを必要とすることなく複数個の位置データの書き込みが確実にできて、コンパクトな外形を得ることができるモータ制御装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【発明の構成】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項１に係わるモータ制御装置では、電源スイッチと、電源スイッチに電気的に接続されたモータ駆動回路と、モータ駆動回路に電気的に接続されているとともに開閉負荷に結合され、モータ駆動回路の作動により負荷を開側または閉側に駆動するモータと、モータの回転により回転検出信号を発生するモータ回転検出手段と、オン切換えされることにより下降指令信号を発生する開スイッチと、オン切換えされることにより上昇指令信号を発生する閉スイッチと、電源スイッチ、モータ駆動回路、モータ回転検出手段、開スイッチ、閉スイッチにそれぞれ電気的に接続され、開スイッチより下降指令信号が与えられると負荷を開側に駆動するための電流をモータ駆動回路を介しモータに供給する一方、閉スイッチより上昇指令信号が与えられると負荷を閉側に駆動するための電流をモータ駆動回路を介しモータに供給するコントローラと、モータが負荷を駆動中に、モータ電圧が下がってきたときに、モータ回転検出手段より与えられた回転信号を位置データに変換して電気的に複数個読み込み及び書き込み可能な不揮発性メモリと、コントローラに内蔵され、モータが作動中に、電源スイッチがオフ切換えされたときで、電源電圧が予め定められた値以下になったときに、予め定められた時間おきに位置データを不揮発性メモリに連続的に書き込む機能を有している制御ブロックを備えている構成としたことを特徴としている。
【０００９】
この発明の請求項２に係わるモータ制御装置では、コントローラには、電源スイッチがオン切換えされたときに不揮発性メモリに書き込まれている複数個の位置データを読み出し、その中の３個の位置データのそれぞれを比較して、最後に書き込まれた位置データの以後の位置データの算出処理を最終的な位置データが得られるまで複数回行うガラス位置予測ブロックを備えている構成としたことを特徴としている。
【００１０】
この発明の請求項３に係わるモータ制御装置では、コントローラには、モータ回転検出手段より与えられた回転信号の周期を測定するパルス間隔測定ブロックを備えている構成としたことを特徴としている。
【００１１】
この発明の請求項４に係わるモータ制御装置では、コントローラには、パルス間隔測定ブロックより与えられた回転信号の周期値と予め定められた判定値とを比較することにより、モータのロック判定を行うモータロック判定ブロックを備えている構成としたことを特徴としている。
【００１２】
この発明の請求項５に係わるモータ制御装置では、コントローラには、開スイッチまたは閉スイッチがオン切換えされている時間が予め定められた値を越えた際に下降指令信号または上昇指令信号を記憶し、その後に、開スイッチまたは閉スイッチがオフ切換えされてからも、下降指令信号または上昇指令信号を連続的に発生するワンタッチ動作記憶ブロックを備えている構成としたことを特徴としている。
【００１３】
【発明の作用】
この発明の請求項１に係わるモータ制御装置において、開スイッチまたは閉スイッチがオン切換えされ、モータが起動し始めた後、開スイッチまたは閉スイッチがオフ切換えされる以前に電源スイッチがオフ切換えされ、モータ電圧が下がってきたときに、不揮発性メモリに複数個の位置データの書き込みが行われ、電源スイッチがオン切換えされた際に不揮発性メモリに書き込まれた位置データを用いて現在位置が予測されるから、位置データの書き込みのための時間を確保する大容量のバックアップ用コンデンサを必要としない。
【００１４】
この発明の請求項２に係わるモータ制御装置において、コントローラのガラス位置予測ブロックは、電源スイッチがオン切換えされた際に、不揮発性メモリに既に書き込まれている複数個の位置データを読み出し、その中の３個の位置データのそれぞれを比較して、最後に書き込まれた位置データの以後の位置データの算出処理を複数回行うことにより、負荷が最終的に停止した位置データを得る。それ故、請求項１の作用に加え、モータ電圧が下がってきたときに、不揮発性メモリに電気的に書き込まれた位置データの数が複数個存在するため、確実に最終的な位置データが得られる。
【００１５】
この発明の請求項３に係わるモータ制御装置において、モータ回転検出手段より与えられる回転信号は、モータがロックすることによってその周期が大きくなり、コントローラのパルス間隔測定ブロックは、モータ回転検出手段より与えられた回転信号の周期を測定する。それ故、請求項１の作用に加え、パルス間隔測定ブロックにより、回転信号の周期を検出することによってモータの負荷状態が検出される。
【００１６】
この発明の請求項４に係わるモータ制御装置において、コントローラのモータロック判定ブロックは、パルス間隔測定ブロックより与えられた周期値と予め定められた判定値とを比較し、パルス間隔測定ブロックより与えられた周期値が予め定められた判定値を越えた際に、制御ブロックにモータロックの有無の判定を与える。それ故、請求項３の作用に加え、モータのロック中に電源スイッチがオフ切換えされても、ガラスの位置データは失われない。
【００１７】
この発明の請求項５に係わるモータ制御装置において、コントローラのワンタッチ動作記憶ブロックは、開スイッチまたは閉スイッチが長い時間オン切換えされた後にオフ切換えされた際、開スイッチまたは閉スイッチがオン切換えされたときに記憶した下降指令信号または上昇指令信号が連続的に発生する。それ故、請求項１の作用に加え、ワンタッチ動作記憶ブロックによって、開スイッチまたは閉スイッチより発生した指令信号の保持が行われるため、開スイッチおよび閉スイッチの他にオートスイッチ等の付加スイッチを必要としない。
【００１８】
【実施例】
図１ないし図１３には、この発明に係わるモータ制御装置の一実施例が示されている。
【００１９】
図示されるモータ制御装置１は、開スイッチ（ＳＷ）２、閉スイッチ（ＳＷ）３、スイッチ（ＳＷ）信号入力ブロック４、モータ５、回転センサ６、モータ駆動出力ブロック７、パルス信号入力ブロック８、電源ブロック９（図２に示される。）、変換ブロック１０（図２に示される。）、中央処理回路（コントローラ）（マイコン）ＭＣＵ、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ、リセット回路１１（図２に示される。）から構成されており、中央処理回路ＭＣＵに、ワンタッチ動作記憶ブロック１２、ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴ、クロックジェネレータ１３、制御ブロック１４、入出力制御ブロック１５、パルス間隔測定ブロック１６、パルス間隔測定タイマＴＭ２、モータロック判定ブロック１７、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１、パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴ、ガラス位置予測ブロック１８が内蔵されている。
【００２０】
図１に示されるモータ制御装置１は、具体的には図２に示される回路図に表される。
【００２１】
開、閉スイッチ２、３は、一方が電源スイッチ（イグニションスイッチ）２０を通じてバッテリである電源２１に電気的に接続され、他方がスイッチ信号入力ブロック４に電気的に接続されている。開スイッチ２は、オン切換えされることによって下降指令信号を発生する。これとは異なり、閉スイッチ３は、オン切換えされることによって上昇指令信号を発生する。
【００２２】
スイッチ信号入力ブロック４は、抵抗Ｒ６、抵抗Ｒ７から構成されており、抵抗Ｒ６が開スイッチ２に電気的に接続され、抵抗Ｒ７が閉スイッチ３に電気的に接続されている。
【００２３】
スイッチ信号入力ブロック４では、電源スイッチ２０がオン状態にある際に、開スイッチ２がオン切換えされると、抵抗Ｒ６を通じ、図示しない電圧クランプ回路を介し下降指令信号（ハイレベル）を中央処理回路ＭＣＵに備えた第１の入力ポートＩＮ１に与える。これとは異なり、電源スイッチ２０がオン状態にある際に、閉スイッチ３がオン切換えされると、抵抗Ｒ７を通じ、図示しない電圧クランプ回路を介し上昇指令信号（ハイレベル）を中央処理回路ＭＣＵに備えた第２の入力ポートＩＮ２に与える。
【００２４】
モータ５には、第１、第２のブラシ端子５ａ、５ｂが備えられているとともに、図示しないアーマチュアに備えたアーマチュアシャフト５ｃが図示しないゴム製のダンパを介し、同じく図示しないガラス昇降器を介してウインドガラス３０に連結されている。
【００２５】
モータ５は、第１のブラシ端子５ａが電源２１に電気的に接続されるとともに第２のブラシ端子５ｂが接地に接続されることによってアーマチュアシャフト５ｃが正回転するため、アーマチュアシャフト５ｃの正回転によってウインドガラス３０を開ける。これに反して、第２のブラシ端子５ｂが電源２１に電気的に接続されるとともに第１のブラシ端子５ａが接地に接続されることによってアーマチュアシャフト５ｃが逆回転するため、アーマチュアシャフト５ｃの逆回転によってウインドガラス３０を閉める。モータ５の第１、第２のブラシ端子５ａ、５ｂは、モータ駆動出力ブロック７に電気的に接続されている。
【００２６】
モータ駆動出力ブロック７には、第１のリレーＲＬ１、第１のスイッチングトランジスタＴＲ１、第２のリレーＲＬ２、第２のスイッチングトランジスタＴＲ２がそれぞれ備えられている。
【００２７】
第１のリレーＲＬ１には、第１のリレーコイルＲＬ１−１、第１のリレー常開接点ＲＬ１−２、第１の常閉接点ＲＬ１−３、第１のリレー可動接点ＲＬ１−４が備えられている。第１のリレーコイルＲＬ１−１は、上流側が電源スイッチ２０に接続され、下流側が第１のスイッチングトランジスタＴＲ１のコレクタに接続されている。第１のリレー常開接点ＲＬ１−２は電源スイッチ２０に接続されている。第１のリレー常閉接点ＲＬ１−３は接地に接続されている。第１のリレー可動接点ＲＬ１−４はモータ５の第１のブラシ端子５ａに接続されている。
【００２８】
第１のスイッチングトランジスタＴＲ１は、エミッタ接地のＮＰＮ型トランジスタであって、ベースが図示しない抵抗を通じて中央処理回路ＭＣＵに備えた第１の出力ポートＤ１に接続され、コレクタが前述したように第１のリレーコイルＲＬ１−１の下流側に接続されている。
【００２９】
第２のリレーＲＬ２には、第２のリレーコイルＲＬ２−１、第２のリレー常開接点ＲＬ２−２、第２の常閉接点ＲＬ２−３、第２のリレー可動接点ＲＬ２−４が備えられている。第２のリレーコイルＲＬ２−１は、上流側が電源スイッチ２０に接続され、下流側が第２のスイッチングトランジスタＴＲ２のコレクタに接続されている。第２のリレー常開接点ＲＬ２−２は、電源スイッチ２０に接続されている。第２のリレー常閉接点ＲＬ２−３は、接地に接続されている。第２のリレー可動接点ＲＬ２−４は、モータ５の第２のブラシ端子５ｂに接続されている。
【００３０】
第２のスイッチングトランジスタＴＲ２は、エミッタ接地のＮＰＮ型トランジスタであって、ベースが図示しない抵抗を通じて中央処理回路ＭＣＵに備えた第２の出力ポートＤ２に接続され、コレクタが前述したように第２のリレーコイルＲＬ２−１の下流側に接続されている。
【００３１】
モータ駆動出力ブロック７では、中央処理回路ＭＣＵの第１の出力ポートＤ１からハイレベルが与えられるとともに、中央処理回路ＭＣＵの第２の出力ポートＤ２からローレベルが与えられると、第１のスイッチングトランジスタＴＲ１がオンされ、第１のリレーコイルＲＬ１−１が励磁され、第１のリレー可動接点ＲＬ１−４が第１のリレー常閉接点ＲＬ１−３から第１のリレー常開接点ＲＬ１−２に電気的に接続される。そして、電源２１の電流が、第１のリレー常開接点ＲＬ１−２、第１のリレー可動接点ＲＬ１−４、モータ５の第１のブラシ端子５ａ、モータ５の第２のブラシ端子５ｂ、第２のリレー可動接点ＲＬ２−４、第２のリレー常閉接点ＲＬ２−３、接地に流れるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転する。
【００３２】
上記に反して、モータ駆動出力ブロック７では、中央処理回路ＭＣＵの第２の出力ポートＤ２からハイレベルが与えられるとともに、中央処理回路ＭＣＵの第１の出力ポートＤ１からローレベルが与えられると、第２のスイッチングトランジスタＴＲ２がオン切換えされ、第２のリレーコイルＲＬ２−１が励磁され、第２のリレー可動接点ＲＬ２−４が第２のリレー常閉接点ＲＬ２−３から第２のリレー常開接点ＲＬ２−２に電気的に接続される。そして、電源２１の電流が、第２のリレー常開接点ＲＬ２−２、第２のリレー可動接点ＲＬ２−４、モータ５の第２のブラシ端子５ｂ、モータ５の第１のブラシ端子５ａ、第１のリレー可動接点ＲＬ１−４、第１のリレー常閉接点ＲＬ１−３、接地に流れるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが逆回転する。
【００３３】
回転センサ６は、ロータリーエンコーダやタコジェネレータなどの回転検出器であって、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃの近くに配置されている。この回転センサ６は、図２に示されるように、抵抗Ｒ８および抵抗９によって分圧され、ツェナダイオードＺＤ３によって制限された電圧レベルが上流側に与えられているため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転していると、回転に対応してパルス状の回転信号を発生する。回転センサ６が発生したパルス信号はパルス信号入力ブロック８に与えられる。
【００３４】
パルス信号入力ブロック８は、抵抗Ｒ１０、コンデンサＣ５からなる。このパルス信号入力ブロック８は、回転センサ６から与えられたパルス信号を安定化したうえで、図示しない電圧クランプ回路を通じ中央処理回路ＭＣＵに備えた第３の入力ポートＩＮ３に与える。
【００３５】
電源ブロック９は、ダイオードＤ１、抵抗Ｒ１、ツェナダイオードＺＤ１、第１のバックアップ用コンデンサＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２、発振防止用コンデンサＣ４、電源ＩＣ２２からなる。
【００３６】
電源ブロック９では、ダイオードＤ１のアノードが電源スイッチ２０に接続され、他端が接地された第２のバックアップ用コンデンサＣ２の一端が電源ライン９ａとともに作動用電源ＶＣＣに接続され、電源ライン９ａが中央処理回路ＭＣＵのレギュレータポートＲＥＧおよびＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロック（不揮発性メモリ）ＭＥＭに接続されている。
【００３７】
電源ブロック９では、電源スイッチ２０がオン状態にあると、第１のバックアップ用コンデンサＣ１が充電され、電源ＩＣ２２がオンし、第２のバックアップ用コンデンサＣ２が充電されて、中央処理回路ＭＣＵのレギュレータポートＲＥＧ、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに所定のドライブ電圧を与える。そして、電源ブロック９では、電源スイッチ２０がオフ切換えされると、第１のバックアップ用コンデンサＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２がそれぞれ放電され、放電電圧が、中央処理回路ＭＣＵのレギュレータポートＲＥＧ、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに与えられる。
【００３８】
ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙｅｒａｓａｂｌｅｐｒｏｇｒａｍｍａ−ｂｌｅＲＯＭ）は、電気的に書き換え可能なＲＯＭであり、非通電状態でも記憶内容が保持される不揮発性メモリである。このＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭは、中央処理回路ＭＣＵに備えたシリアル出力ポートＳＯＵＴより与えられたガラス位置データを所定のメモリエリア内に格納し、シリアル入力ポートＳＩＮを介して所定のメモリエリアよりガラス位置データを取り出す。
【００３９】
変換ブロック１０には、抵抗Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ツェナダイオードＺＤ２、コンデンサＣ３が備えられている。
【００４０】
変換ブロック１０では、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３とによって分圧され、ツェナダイオードＺＤ２によって制限され、抵抗Ｒ４とコンデンサＣ３によって積分され、抵抗Ｒ５によって調整された電圧レベルの信号を中央処理回路ＭＣＵに備えた変換ポートＡ／Ｄに与える。
【００４１】
リセット回路１１は、電源ブロック９から与えられているドライブ電圧が低下した際に、中央処理回路ＭＣＵをリセットする。
【００４２】
ワンタッチ動作記憶ブロック１２は、開スイッチ２がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４から第１の入力ポートＩＮ１に与えられた下降指令信号（ハイレベル）、閉スイッチ３がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４から第２の入力ポートＩＮ２に与えられた上昇指令信号（ハイレベル）の入力時間を検出している。
【００４３】
ワンタッチ動作記憶ブロック１２では、開スイッチ２から与えられた下降指令信号、閉スイッチ３から与えられた上昇指令信号のそれぞれの入力信号が予め定められた時間よりも長くなった場合、後述するものとは別に定められたプログラムによってワンタッチフラグがセットされることによりそれぞれの入力信号を記憶し、それぞれの入力信号が与えられなくなってからも、記憶したそれぞれの指令信号を制御ブロック１４に与え続けてワンタッチ動作を行う。中央処理回路ＭＣＵは、開スイッチ２が発生した下降指令信号の時間によってワンタッチ動作を判別するため、開スイッチ２の他にオートスイッチ等の付加スイッチを必要としない。
【００４４】
ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴは、制御ブロック１４とのあいだで番地信号の授与を行うカウンタである。
【００４５】
クロックジェネレータ１３は、実行するプログラムの時間管理を行う。
【００４６】
パルス間隔測定ブロック１６は、パルス信号入力ブロック８より与えられたパルス信号の１つづつの立上がりおよび立下がりを検出する。
【００４７】
パルス間隔測定タイマＴＭ２は、パルス間隔測定ブロック１６によってパルス信号の立上がりが検出されるとタイマがスタートし、パルス信号の立下がりが検出されるとタイマがオフすることによって、パルス信号の１つづつの周期時間を検出する。検出したパルス信号の周期時間は、モータロック判定ブロック１７に与えられる。パルス間隔測定タイマＴＭ２では、モータ５のロック検出をモータ５が発生したパルス信号の周期によって直接的に検出している。
【００４８】
モータロック判定値ＸＬＯＣＫは、予め定められた値であって、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転を拘束されたことを検出するために用いられる。このモータロック判定値ＸＬＯＣＫは、中央処理回路ＭＣＵに内蔵された図示しないＲＯＭ内に保持されている。モータロック判定値ＸＬＯＣＫは、モータロック判定ブロック１７において、パルス間隔測定タイマＴＭ２により検出された周期時間と比較される。
【００４９】
モータロック判定ブロック１７は、パルス間隔測定タイマＴＭ２が検出した周期時間とモータロック判定値ＸＬＯＣＫとを比較することにより、パルス間隔測定タイマＴＭ２が検出した周期時間がモータロック判定値ＸＬＯＣＫを越えたときに判定信号を制御ブロック１４に与える。
【００５０】
ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１は、制御ブロック１４より入出力制御ブロック１５を通じて行われるＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込みを一定の時間毎に行う機能を有する。このとき、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１は予め定められた値ＸＭＥＭＷＲと比較することによってインターバル時間の経過を測る。
【００５１】
パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴは、制御ブロック１４においてＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内へ書き込むためのガラス位置データを計数する。中央処理回路ＭＣＵに備えたリセットポートＲＥＳはリセット回路１１に接続されている。
【００５２】
ガラス位置予測ブロック１８は、電源スイッチ２０がオン切換えされた際、入出力制御ブロック１５、制御ブロック１４を介してＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに既に書き込まれている位置データを読み出して、その中の３個の位置データを比較し、最後に書き込まれた位置データ以後の位置データの算出処理を複数回行うことによって、最終的にウインドガラス３０が停止した位置を推測し、この位置データをパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴに与える。
【００５３】
制御ブロック１４では、スイッチ信号入力ブロック４より下降指令信号が与えられると、中央処理回路ＭＣＵの第１の出力ポートＤ１がハイレベルに、第２の出力ポートＤ２がローレベルにそれぞれなることによって第１のスイッチングトランジスタＴＲ１をオンする。これに反して、スイッチ信号入力ブロック４より上昇指令信号が与えられると、中央処理回路ＭＣＵの第２の出力ポートＤ１がハイレベルに、第１の出力ポートＤ２がローレベルにそれぞれなることによって第２のスイッチングトランジスタＴＲ２をオンする。
【００５４】
制御ブロック１４では、スイッチ信号入力ブロック４より与えられた下降指令信号が予め定められた時間よりも長くなってワンタッチ動作記憶ブロック１２により下降指令信号が記憶され、下降指令信号が与えられなくなってからも、ワンタッチ動作記憶ブロック１２により記憶された下降指令信号が与え続けられるため、モータ駆動出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ１をオンし続ける。
【００５５】
制御ブロック１４では、スイッチ信号入力ブロック４より与えられた上昇指令信号が予め定められた時間よりも長くなってワンタッチ動作記憶ブロック１２により上昇指令信号が記憶され、上昇指令信号が与えられなくなってからも、ワンタッチ動作記憶ブロック１２により記憶された上昇指令信号が与え続けられるため、モータ駆動出力ブロック７の第２のスイッチングトランジスタＴＲ２をオンし続ける。
【００５６】
制御ブロック１４では、パルス間隔測定タイマＴＭ２が検出した周期時間がモータロック判定値ＸＬＯＣＫを越えたときにモータロック判定ブロック１７から与えられた判定信号によって、モータ５がロック状態にあることを認識し、モータ駆動出力ブロック７に対して停止指令を与える。
【００５７】
制御ブロック１４では、電源ブロック９に与えられる回路電源電圧（モータ５の電圧ＶＢ）が予め定められた電圧Ｖ２以下になった際に書き込み指令を発生する。この書き込み指令が発生すると、入出力制御ブロック１５を介し、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１によって定められた時間（ＸＭＥＭＷＲ）毎に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられたパルス信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みを複数回行う。
【００５８】
入出力制御ブロック１５は、パラレルデータとシリアルデータとの変換を行うとともに、クロックジェネレータ１３の信号に基づいてＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込み及び読み込みのタイミング処理を行うことによって入出力の総括的処理を行う。
【００５９】
中央処理回路ＭＣＵでは、電源スイッチ２０がオンされている状態で、ウインドガラス３０が閉まっていて、図３に示されるように、時刻Ｌにおいて開スイッチ２がオン切換えされることによってスイッチ信号入力ブロック４より制御ブロック１４に下降指令信号が与えられると、制御ブロック１４（第１の出力ポートＤ１）よりモータ駆動出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ１のベースにハイレベルが与えられるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転し、ウインドガラス３０が開く。
【００６０】
モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転を開始することによって、回路電源電圧は無負荷の状態よりも下がったほぼ一定の通常動作での電位を保ち、回転センサ６はほぼ同一間隔のパルス信号を発生し、パルス信号入力ブロック８、パルス間隔測定ブロック１６、パルス間隔測定タイマＴＭ２が１つづつのパルス信号の周期時間を検出する。
【００６１】
図３中の時刻Ｌの後の時刻Ｍにおいて、電源スイッチ２０がオフ切換えされると、回路電源電圧は通常動作での電位よりも急激に下がり始める。ただし、同様の電圧降下はモータロックの時にも発生するが、この時の回転センサ６が発生するパルス信号の周期時間はそれ程長くならない。
【００６２】
図３中の時刻Ｍの以後の時刻Ｎにおいて、回路電源電圧（モータ電圧）が予め定められた電圧Ｖ２（メモリ書き込み電圧Ｂ）を越えて下がった時で、モータロック判定ブロック内でパルス間隔測定ブロック１６で測定された周期時間とモータロック判定値ＸＬＯＣＫとの比較でモータロックではないと判断されたときに、制御ブロック１４より入出力制御ブロック１５に書き込み指令が与えられ、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１によって定められた時間（ＸＭＥＭＷＲ）毎に、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内においてＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴによって定められた番地にパルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴより与えられた回転信号数（ガラス位置データ）でのメモリ書き込みが繰り返し行われる。
【００６３】
ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込みは、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１によって定められた時間（ＸＭＥＭＷＲ）毎に、予め定められたリセット電圧ＲＥＳに到達する時刻Ｐ（時刻Ｎから時刻Ｐまでの書き込み可能時間ｔ´）まで複数回行われる。このとき、１番目の位置データＭＥＭ（１）、２番目の位置データＭＥＭ（２）、３番目の位置データＭＥＭ（３）、４番目の位置データＭＥＭ（４）、５番目の位置データＭＥＭ（５）、６番目の位置データＭＥＭ（６）、７番目の位置データＭＥＭ（７）、８番目の位置データＭＥＭ（８）（図４に示される。）、９番目の位置データＭＥＭ（９）（図４に示される。）が書き込まれた場合、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭは、１番目の位置データＭＥＭ（１）から９番目の位置データＭＥＭ（９）までの９個の位置データを格納する。
【００６４】
中央処理回路ＭＣＵでは、１番目の位置データＭＥＭ（１）から９番目の位置データＭＥＭ（９）までをＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに書き込んだ後の時刻Ｐにおいてリセットされることによって書き込みが中止されるが、ウインドガラス３０は最終的に停止していないので、これらの位置データをそのまま用いてウインドガラス３０の停止位置を認識しない。この場合、９個の位置データを書き込んだものを説明したが、位置データは、９個に限らず最低３個書き込めれば、ガラス位置予測ブロック１８により予測を行え、且つ、最初に１個書き込めば、大体の位置の推定は行えるので、メモリ書き込みを行うための時間が短くなる。そのため、大きな容量のバックアップコンデンサを必要としないから、電源ブロック９に備えられた第１のバックアップ用コンデンサＣ１、第２のバックアップ用コンデンサＣ２は容量が小さいものとなる。
【００６５】
電源スイッチ２０がオフ切換えされた後に、新たに電源スイッチ２０がオン切換えされると、中央処理回路ＭＣＵは、入出力制御ブロック１５を介してＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに既に書き込まれている３個の位置データをそれぞれ比較して、最後に書き込まれた位置データの以後の位置データの算出処理を複数回行うことによって、最終的に負荷が停止した位置データを予測する。
【００６６】
位置データを予測するに際し、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭには、図４に示されるように、１番目の位置データＭＥＭ（１）、２番目の位置データＭＥＭ（２）、３番目の位置データＭＥＭ（３）、４番目の位置データＭＥＭ（４）、５番目の位置データＭＥＭ（５）、６番目の位置データＭＥＭ（６）、７番目の位置データＭＥＭ（７）、８番目の位置データＭＥＭ（８）、９番目の位置データＭＥＭ（９）が書き込まれているから、１番目の位置データＭＥＭ（１）を最初の位置データとして認識し、５番目の位置データＭＥＭ（５）を中間の位置データとして認識し、９番目の位置データＭＥＭ（９）を最後の位置データとして認識する。
【００６７】
中央処理回路ＭＣＵでは、最初の位置データである１番目の位置データＭＥＭ（１）（ＭＥＭＡ）［ＭＥＭＡはＭＥＭ（Ｎ）の中でＭＥＭＣと比較するためｎ−ａ（ａは２，４，６，８…でｎ−ａ≧１となる最大値）にある位置データである。］と、中間の位置データである５番目の位置データＭＥＭ（５）（ＭＥＭＢ）との偏差Ｒ１（パルスカウント数）を算出するとともに、中間の位置データである５番目の位置データＭＥＭ（５）（ＭＥＭＢ）と、最後の位置データである９番目の位置データＭＥＭ（９）（ＭＥＭＣ）との偏差Ｒ２（パルスカウント数）を算出することによって、減速比ＲＡ＝Ｒ２／Ｒ１を算出する。このとき、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃの回転数は減速中であるから、減速比ＲＡ＜１となる。ＭＥＭ（Ｎ）は連続したメモリブロックであって、Ｎはメモリブロックアドレスの最大値である。
【００６８】
そして、中央処理回路ＭＣＵでは、算出した減速比ＲＡを用いて、最後に得られた９番目の位置データＭＥＭ（９）（ＭＥＭＣ）の以後に、ウインドガラス３０が最終的に停止した位置データを予測して得るための予測ループを複数回行う。
【００６９】
予測ループは、大きく２つのブロックに分けられ、最初に前回の電源オフで書き込まれた位置データの中から、比例計算を行う上で、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内のアドレス位置の関係がＭＥＭＡとＭＥＭＢの間隔とＭＥＭＢとＭＥＭＣの間隔が等しく、且つ、最も時間的に長くなる３個を選び出し、その３個のデータより減速比ＲＡを求める。次いで、その減速比ＲＡで収束する位置データを計算する。まず、前回の電源オフで中央処理回路ＭＣＵ（マイコン）がリセットした箇所の直前の位置データＭＥＭ（９）を起点として、前回の電源オフで書き込まれた位置データの中から減速比ＲＡを算出するための最も時間的に離れた３点を探し出す。その３点をＭＥＭＡ、ＭＥＭＢ、ＭＥＭＣとすると、それらの条件はメモリ内のアドレスでＭＥＭＡとＭＥＭＢの間とＭＥＭＡとＭＥＭＣの間が同じだけ離れていて、且つ、ＭＥＭＡとＭＥＭＣがＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内にある事である。
【００７０】
選択ループの一回目（ループカウンタＣＴ２＝１）では、図５に示されるように、リセットされる以前に最後に書き込まれている位置データｎに基づき、［ｎ−２」をＭＥＭＡ（最初の位置データ）とし、［ｎ−１］をＭＥＭＢ（中間の位置データ）とし、［ｎ］をＭＥＭＣ（最後の位置データ）として、中央処理回路ＭＣＵに内蔵された記憶手段ＲＡＭ内に格納する。書き込まれている位置データが３個未満でＭＥＭＡまたはＭＥＭＡとＭＥＭＢが設定できない時は、この後の予測ループを行わず、ＭＥＭＣの値をガラス位置とする。
【００７１】
選択ループの二回目では、一回目の予測ループを実行した後、ループカウンタＣＴ２をインクリメントしてＣＴ２＝２として、最後の位置データがメモリの５番目以上であるならば、すなわち、ｎ−（ＣＴ２×２）≧１であるならば、図５に示されるように、［４…ｎ−３］をＭＥＭＡ（ｎ−４）（最初の位置データ）とし、［ｎ−２］をＭＥＭＢ（中間の位置データ）とし、［ｎ］をＭＥＭＣ（最後の位置データ）として、中央処理回路ＭＣＵに内蔵された記憶手段ＲＡＭ内に格納する。
【００７２】
同様に、選択ループの三回目（ループカウンタＣＴ２＝３）では、図５に示されるように、［４…ｎ−３］をＭＥＭＡ（ｎ−６）（最初の位置データ）とし、［ｎ−３］をＭＥＭＢ（中間の位置データ）とし、［ｎ］をＭＥＭＣ（最後の位置データ）として、中央処理回路ＭＣＵに内蔵された記憶手段ＲＡＭ内に格納して減算処理を行う。
【００７３】
そして、選択ループの最終回（ループカウンタＣＴ２＝ｍ、ただしｎ−２ｍ≧１である。）では、図５に示されるように、［２］をＭＥＭＡ（最初の位置データ）とし、［４…ｎ−３］をＭＥＭＢ（中間の位置データ）（ＭＥＭＢ＝ｎ−ＣＴ２）とし、［ｎ］をＭＥＭＣ（最後の位置データ）として、中央処理回路ＭＣＵに内蔵された記憶手段ＲＡＭ内に格納して除算処理を行う。すなわち、減速比ＲＡを求めるために（ＭＥＭＣ−ＭＥＭＢ）／（ＭＥＭＢ−ＭＥＭＡ）を実行する。
【００７４】
次いで、位置データが収束する点の計算を行う。
【００７５】
計算ループの１回目では、前回の電源オフで中央処理回路ＭＣＵ（マイコン）がリセットした箇所の直前の位置データＭＥＭ（９）を起点として次のＭＥＭ（１０）の位置データの計算を行う。
【００７６】
図４に示される予測ループの１回目において、先に算出した減速比ＲＡに、この直前の位置データの差、すなわち、ＭＥＭ（９）−ＭＥＭ（８）を乗ずる。この値がＭＥＭ（９）とＭＥＭ（１０）の推定差である。これをＲＤＩＦとする。もし、このＲＤＩＦの値が１未満であれば、更なる推定値は得られないので、ここでループを抜ける。ＲＤＩＦが１以上であるならば、この値を四捨五入して整数化し、ＭＥＭ（９）に加えた値がＭＥＭ（１０）の推定値となる。この後、先に得られたＲＤＩＦをＲ２に代入し、次のループの新たな位置データの差分として予測ループの１回目を終了する。
【００７７】
図４に示される予測ループの２回目において、前回同様ＲＡＸ（ＭＥＭ（１０）−ＭＥＭ（９））、すなわち、前回ループでＲ２・推定差ＲＤＩＦ（ＭＥＭ（９）とＭＥＭ（１０）の推定差）を代入してあるので、ＲＡＸＲ２を行い、これをＲＤＩＦＦに代入する。この時のＲＤＩＦはＭＥＭ（１０）とＭＥＭ（１１）の推定差である。もし、このＲＤＩＦの値が１未満であれば、更なる推定値は得られないので、ここでループを抜ける。ＲＤＩＦが１以上であるならば、この値を四捨五入して整数化し、ＭＥＭ（１０）に加えた値がＭＥＭ（１１）の推定値となる。この後、得られたＲＤＩＦをＲ２に代入し、次のループの新たな位置データの差分とし予測ループ２回目を終了する。
【００７８】
１回目、２回目と同様に、３回目、４回目と繰り返し、ＲＤＩＦの値が１未満になるまで繰り返し、１未満でループを抜けて最後の推定値、すなわち、前回電源スイッチ２０がオフ切換えされた時のガラス停止位置が得られる。
【００７９】
中央処理回路ＭＣＵでは、ウインドガラス３０が閉まっている状態で、電源スイッチ２０がオン切換えされた場合においても、上述と同様にして、入出力制御ブロック１５を介してＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに既に書き込まれている位置データから最後に書き込まれた位置データの以後の位置データの算出処理を複数回行うことによって、最終的にウインドガラス３０が停止した位置データを予測する。
【００８０】
上記のモータ制御装置１は、図６ないし図１３に示されるプログラムに従って制御動作を行う。図６および図７はメインルーチンであり、図８ないし図９はＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込みルーチンであり、図１０ないし図１３は位置データの予測を行うルーチンである。
【００８１】
電源スイッチ２０がオン切換えされていて、ウインドガラス３０が図２に示される全閉位置ＦＣ又は全開位置ＦＯ又はＦＣとＦＯの間にあるとき、図６に示されるメインルーチンのステップ２００において「起動時の位置予測」が実行されるため、図１０に示されるステップ１００に移行して「ループカウンタＣＴ１をクリア」してステップ１０１に移行する。ステップ１０１において「ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに書き込まれている最終（最後）の位置データがチェック（ｎ←Ｎ−ＣＴ１）」される。ここでのＮは、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭで書き込み可能な最大値のメモリアドレスで、ｎは、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに書き込まれている位置データの最終値である。この後、ステップ１０２に移行する。
【００８２】
ステップ１０１から移行したステップ１０２において「ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭの所定のアドレスに位置データが書き込まれているか否か」の判別が行われるため、以前において、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに位置データが書き込まれていればステップ１０３をスキップしてステップ１０４に移行し、ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに位置データが書き込まれていなければステップ１０３に移行して「ループカウンタＣＴ１をインクリメント（ＣＴ１←ＣＴ１＋１」）してステップ１０１、ステップ１０２を繰り返す。
【００８３】
ステップ１０２から移行したステップ１０４において「予測に必要な３個以上の位置データがＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内に書き込まれているか否か」が判別される。
【００８４】
ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内に、予測に必要な３個以上の位置データが書き込まれていると、ステップ１０４からステップ１２１に移行して「位置データが２個か否か」が判別される。ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内に２個の位置データが書き込まれていると、ステップ１２２に移行して「パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴにＭＥＭ（２）が格納」される。
【００８５】
ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内に２個の位置データが書き込まれておらず、１個の位置データが書き込まれていると、ステップ１２１においての判別でステップ１２３に移行し、ステップ１２３においての判別でステップ１２４に移行して「パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴにＭＥＭ（１）が格納」される。
【００８６】
ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内に１個の位置データが書き込まれていないと、ステップ１２１においての判別でステップ１２３に移行し、ステップ１２３においての判別でステップ１２５に移行して初期動作モードをセットする。
【００８７】
ステップ１０４においての判別でＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭ内に、予測に必要な３個以上の位置データが書き込まれていると、ステップ１０５に移行して「ＭＥＭ（ｎ）を最終の位置データＭＥＭＣに置き換え」てステップ１０６に移行する。ステップ１０５から移行したステップ１０６では、「ループカウンタＣＴ２の初期セット（ＣＴ２←１）」が行われてステップ１０７に移行する。
【００８８】
ステップ１０６から移行したステップ１０７において「ＭＥＭ（ｎ−ＣＴ２）を中間の位置データＭＥＭＢに置き換え」てステップ１０８に移行し、ステップ１０８において「ＭＥＭ（ｎ−ＣＴ２×２）を最古の位置データとしてＭＥＭＡに置き換え」てステップ１０９に移行する。
【００８９】
ステップ１０９において「ループカウンタをインクリメント（ＣＴ２←ＣＴ２＋１）」してステップ１１０に移行し、ステップ１１０において「最古の位置データＭＥＭＡに置き換えたＭＥＭ（ｎ−ＣＴ２×２）の値の判別（ｎ−ＣＴ２×２≧１）」が行われ、ステップ１１０においての値の判別が１を越えている場合はステップ１０７に戻ってステップ１０８、ステップ１０９を実行し、ステップ１１０においての値の判別が１を越えていない場合、ステップ１１１に移行する。
【００９０】
ステップ１１０から移行したステップ１１１において「［最初の位置データＭＥＭＡ−中間の位置データＭＥＭＢ］によって偏差Ｒ１を算出」してステップ１１２に移行し、ステップ１１２において「［中間の位置データＭＥＭＢ−最後の位置データＭＥＭＣ］によって偏差Ｒ２を算出」してステップ１１３に移行する。
【００９１】
ステップ１１３において「減速比ＲＡを求め」てステップ１１４に移行し、ステップ１１４において「最新の位置データ、すなわち、ＭＥＭＣのアドレスに入っている位置データ値を初期値としてセット（ＮＳＴＰ←ｎ）」し、ステップ１１５に移行し、ステップ１１５において「位置データの偏差を求め（ＲＤＩＦ←Ｒ２×ＲＡ）」てステップ１１６に移行する。
【００９２】
ステップ１１６においてステップ１１５において求めた「偏差ＲＤＩＦの値の判別（ＲＤＩＦ＜１）」が行われるため、「偏差ＲＤＩＦの値が１を越えている」とステップ１１７に移行し、「偏差ＲＤＩＦの値が１を越えていない」とステップ１２０に移行する。
【００９３】
ステップ１１５で求めた偏差ＲＤＩＦの値が１を越えていると、ステップ１１７に移行して「偏差ＲＤＩＦの値が回転数計算のための整数化（小数点以下四捨五入）した値ＲＩＮＴに置き換えられ」てステップ１１８に移行し、ステップ１１８において「初期値ＮＳＴＰの置き換え（初期値ＮＳＴＰ−整数値ＲＩＮＴ）」が行われてステップ１１９に移行し、ステップ１１９において「偏差ＲＤＩＦを偏差Ｒ２に置き換え」てステップ１１５に復帰するルーチンを繰り返す。
【００９４】
ステップ１１５で求めた偏差ＲＤＩＦの値が１を越えていないと、ステップ１２０に移行して「パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴに初期値ＮＳＴＰを置き換え」てステップ２００においての起動時の位置予測ルーチンが終了する。
【００９５】
ステップ２００においての起動時の位置予測ルーチンが終了すると、メインルーチンに戻り、ステップ２０１に移行して「メモリ消去フラグ（ＦＭＥＲＡＳＥ）をリセット」してステップ２０２に移行し、ステップ２０２において「メモリ書き込み完了フラグ（ＦＭＷＲＥＮＤ）をリセット」してステップ２０３に移行する。
【００９６】
ステップ２０３、ステップ２０４はモータ５の現在の状態を検出するステップであり、ステップ２０５はメモリ書き込みを開始するか否かの判別を行うステップである。図３に示される時刻Ｌにおいてステップ２０３では「モータ５が動作中か否か」が判別されるため、「モータ５のアーマチュアシャフト５ｃは回転している」のでステップ２０４に移行する。ステップ２０４においては「モータ５がロックしているか否か」が判別されるため、「モータ５のアーマチュアシャフト５ｃはロックしていない」のでステップ２０５に移行する。ステップ２０５においては「回路電源電圧がＶ２以下か否かすなわち、メモリ書き込み電圧Ｖ２を越えて下がっているか否か」が判別されるため、「回路電源電圧はＶ２以下ではない」のでステップ２１０に移行する。
【００９７】
ステップ２０５から移行したステップ２１０においては「メモリ消去フラグ（ＦＭＥＲＡＳＥ）がセットされているか否か」が判別されるため、「メモリ消去フラグ（ＦＭＥＲＡＳＥ）はセットされていない」のでステップ２１１に移行する。
【００９８】
ステップ２１１では、「ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭをオールクリア」してステップ２１２に移行し、ステップ２１２において「メモリ消去フラグ（ＦＭＥＲＡＳＥ）をセット」してステップ２１３に移行し、ステップ２１３において「メモリ書き込み中フラグ（ＦＭＷＲＮＯＷ）をリセット」してステップ２１４に移行し、ステップ２１４において「メモリ書き込み完了フラグ（ＦＭＷＲＥＮＤ）をリセット」してステップ２０９に移行する。
【００９９】
ステップ２０９においてメイン処理が行われる。ステップ２０９では、「開、閉スイッチ２、３よりの入力信号処理」、「モータ５に対する出力処理」、「モータロック検出処理」、「回路電源電圧測定処理」が行われてステップ２０３に復帰し、ステップ２０３、ステップ２０４、ステップ２０５の判別ステップが実行される。
【０１００】
モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転を続けることによって、ウインドガラス３０が開く側に駆動されているときに、図３に示される時刻Ｍにおいて電源スイッチ２０がオフ切換えされると、回路電源電圧が急激に下がり始める。そして、図３に示される時刻Ｍの以後の時刻Ｎにおいて回路電源電圧がメモリ書き込み電圧Ｖ２を越えて下がると、ステップ２０３においての判別でステップ２０４に移行し、ステップ２０４においての判別でステップ２０５に移行し、ステップ２０５においての判別でステップ２０６に移行する。
【０１０１】
ステップ２０５から移行したステップ２０６においては「メモリ書き込み完了フラグ（ＦＭＷＲＥＮＤ）がセットされているか否か」が判別されるため、「メモリ書き込み完了フラグ（ＦＭＷＲＥＮＤ）はセットされていない」のでステップ２０７に移行し、ステップ２０７において「ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに書き込み」が実行される。
【０１０２】
ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭへの書き込みルーチンは、ステップ３００において「メモリ書き込み中フラグ（ＦＭＷＲＮＯＷ）がセットされているか否か」が判別されるため、「メモリ書き込み中フラグ（ＦＭＷＲＮＯＷ）はセットされていない」のでステップ３０１に移行し、ステップ３０１において「メモリ書き込み完了フラグ（ＦＭＷＲＥＮＤ）をリセット」してステップ３０２に移行し、ステップ３０２において「ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア（ＴＭ１←０）」してステップ３０３に移行し、ステップ３０３において「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをクリア（ＡＤＣＴ←０）」し、ステップ３０４において「メモリ書き込み中フラグ（ＦＭＷＲＮＯＷ）をセット」してステップ３０５に移行する。
【０１０３】
ステップ３０５では「ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１による時間の計測（ＴＭ１＞ＸＭＥＭＷＲ）」が実行されるため、ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１がオーバフローすると、ステップ３０６に移行して「パルスカウンタガラス位置記憶ＷＩＮＤＣＴのカウンタ値がＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに書き込まれ」てステップ３０７に移行し、ステップ３０７において「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴをインクリメント（ＡＤＣＴ←ＡＤＣＴ＋１）」してステップ３０８に移行し、ステップ３０８において「ＥＥＰＲＯＭ書き込みインターバルタイマＴＭ１をクリア（ＴＭ１←０）」してステップ３０９に移行する。
【０１０４】
ステップ３０９においては「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴがオーバフローしているか否か（ＡＤＣＴ＞Ｎ）」が判別されるため、このとき、「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴはオーバフローしていない」のでこの回の書き込みルーチンが終了する。
【０１０５】
ステップ３０９において「ＥＥＰＲＯＭメモリアドレスカウンタＡＤＣＴがオーバフローしている」と、ステップ３１０に移行し、ステップ３１０において「メモリ書き込み中フラグ（ＦＭＷＲＮＯＷ）をリセット」してステップ３１１に移行し、ステップ３１１において「メモリ書き込み完了フラグ（ＦＭＷＲＥＮＤ）をセット」するルーチンが実行される。
【０１０６】
そして、書き込みルーチンが終了した後のメインルーチンのステップ２０８において「メモリ消去フラグＦＭＥＲＡＳＥをセット」してステップ２０９に移行してメイン処理が実行されてステップ２０３に移行するルーチンが実行される。
【０１０７】
モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが正回転を続けることによって、ウインドガラス３０が開く側に駆動され、ウインドガラス３０が図２に示す全開位置ＦＯに到達すると、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転を拘束されることによってロック状態になるため、メインルーチンのステップ２０４においての判別でステップ２１０に移行し、ステップ２１０、ステップ２１１、ステップ２１３、ステップ２１４を実行してからステップ２０９に移行し、ステップ２０９において「モータ駆動出力ブロック７の第１のスイッチングトランジスタＴＲ１に対するベース電流がカットオフ」されることによってモータ５のアーマチュアシャフト５ｃが回転を停止し、ウインドガラス３０が全開位置ＦＯにおいて停止する。
【０１０８】
そして、電源スイッチ２０がオン切換えされていて、ウインドガラス３０が図２に示される全開位置ＦＯにあるとき、図３に示される時刻Ｌにおいて閉スイッチ３がオン切換えされると、上昇指令信号が制御ブロック１４に取り込まれることによってモータ駆動出力ブロック７の第２のスイッチングトランジスタＴＲ２にベース電流が与えられるため、モータ５のアーマチュアシャフト５ｃが逆回転を始め、ウインドガラス３０が閉る側に駆動され、上述したルーチンと同様にして、ステップ２００からのメインルーチンが実行されるとともに、ステップ１００からの位置データの予測ルーチンが実行され、ステップ３００からの書き込みルーチンが実行される。
【０１０９】
上述したように、モータ制御装置１では、電源スイッチ２０がオン切換えされた時、それ以前に、モータ５がウインドガラス３０を駆動中にモータ電圧が下がってきたときにＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭに電気的に複数個書き込まれた位置データがガラス位置予測ブロック１８によりＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロックＭＥＭから読み出されてウインドガラス３０が最終的に停止した位置の予測が行われる。それ故、バックアップ用コンデンサにより位置データの書き込みのための時間を延長することなく、複数個の位置データの書き込みが行われ、予測した位置データを用いて現在位置が得られるから、位置データの書き込みのための時間を確保する大容量のバックアップ用コンデンサを必要としないものとなる。
【０１１０】
【発明の効果】
以上説明してきたように、この発明の請求項１に係わるモータ制御装置によれば、モータが負荷を駆動中に、電源スイッチがオフ切換えされ、モータ電圧が下がり、電源電圧が予め定められた値以下になった時に、予め定められた時間おきに位置データを不揮発性メモリに連続的に書き込む。それ故、位置データの書き込みのための時間を確保する大容量のバックアップ用コンデンサを必要としない。よって、大容量のバックアップ用コンデンサを必要とすることなく複数個の位置データの書き込みが確実にできて、コンパクトな外形を得ることができるという優れた効果を奏する。
【０１１１】
この発明の請求項２に係わるモータ制御装置によれば、コントローラのガラス位置予測ブロックは、電源スイッチがオン切換えされた際に、不揮発性メモリに既に書き込まれている複数個の位置データを読み出し、その中の３個の位置データのそれぞれを比較して、最後に書き込まれた位置データの以後の位置データの算出処理を複数回行うことにより、負荷が最終的に停止した位置データを得る。それ故、請求項１の効果に加え、モータ電圧が下がってきたときに、不揮発性メモリに電気的に書き込まれた位置データの数が少なくなっていても、確実に最終的な位置データが得られるという優れた効果を奏する。
【０１１２】
この発明の請求項３に係わるモータ制御装置によれば、モータ回転検出手段より与えられる回転信号は、モータがロックすることによってその周期が大きくなり、コントローラのパルス間隔測定ブロックは、モータ回転検出手段より与えられた回転信号の周期を測定する。それ故、請求項１の効果に加え、パルス間隔測定ブロックにより、回転信号の周期を検出することによってモータの負荷状態が検出されるという優れた効果を奏する。
【０１１３】
この発明の請求項４に係わるモータ制御装置によれば、コントローラのモータロック判定ブロックは、パルス間隔測定ブロックより与えられた周期値と予め定められた判定値とを比較し、パルス間隔測定ブロックより与えられた周期値が予め定められた判定値を越えた際に、制御ブロックにモータロックの有無の判定が与えられる。それ故、請求項３の効果に加え、モータのロック中に電源スイッチがオフ切換えされても、ガラス位置データは失われないという優れた効果を奏する。
【０１１４】
この発明の請求項５に係わるモータ制御装置によれば、コントローラのワンタッチ動作記憶ブロックは、開スイッチまたは閉スイッチが長い時間オン切換えされた後にオフ切換えされた際、開スイッチまたは閉スイッチがオン切換えされたときに記憶した下降指令信号または上昇指令信号が連続的に発生する。それ故、請求項１の効果に加え、ワンタッチ動作記憶ブロックによって、開スイッチまたは閉スイッチより発生した指令信号の保持が行われるため、開スイッチおよび閉スイッチの他にオートスイッチ等の付加スイッチを必要としないという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係わるモータ制御装置の一実施例のブロック構成図である。
【図２】図１に示したモータ制御装置の具体的回路図である。
【図３】図１に示したモータ制御装置においてのメモリ書き込みを行う際のタイミングチャートである。
【図４】図１に示したモータ制御装置においての位置予測を行う際のタイミングチャートである。
【図５】図１に示したモータ制御装置においての位置予測を行う際に用いるメモリの説明図である。
【図６】図１に示したモータ制御装置においての主たる制御動作を説明するフローチャートである。
【図７】図１に示したモータ制御装置においての主たる制御動作を説明するフローチャートである。
【図８】図１に示したモータ制御装置においてのメモリ書き込みの制御動作を説明するフローチャートである。
【図９】図１に示したモータ制御装置においてのメモリ書き込みの制御動作を説明するフローチャートである。
【図１０】図１に示したモータ制御装置においての位置予測の制御動作を説明するフローチャートである。
【図１１】図１に示したモータ制御装置においての位置予測の制御動作を説明するフローチャートである。
【図１２】図１に示したモータ制御装置においての位置予測の制御動作を説明するフローチャートである。
【図１３】図１に示したモータ制御装置においての位置予測の制御動作を説明するフローチャートである。
【図１４】従来のモータ制御装置においてのタイミングチャートである。
【符号の説明】
１モータ制御装置
２開スイッチ
３閉スイッチ
５モータ
６（モータ回転検出手段）回転センサ
７（モータ駆動回路）モータ駆動ブロック
１２ワンタッチ動作記憶ブロック
１６パルス間隔測定ブロック
１７モータロック判定ブロック
１８ガラス位置予測ブロック
２０電源スイッチ
ＭＣＵ（コントローラ）中央処理回路
ＭＥＭ（不揮発性メモリ）ＥＥＰＲＯＭ外部メモリブロック
ＶＢモータ電圧[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a motor control device that controls a switching device such as a power window of an automobile.
[0002]
[Prior art]
As a motor control device for controlling the opening and closing device of an automobile, the current windshield glass is incorporated into the controller, and the motor rotation signal is taken as position data into an electrically writable and erasable nonvolatile memory. Those that detect the position indirectly are known.
[0003]
In the motor control apparatus as described above, as shown in FIG. 14, the motor is operated by turning on the open switch (closed switch) at time a. When the motor starts operating, the motor voltage VB decreases with respect to the no-load state. When the motor starts operation, a pulse signal from a rotation sensor built in the motor is taken into the controller. When the window glass reaches the stroke end at the time b after the time a, the movement of the window glass is prevented, so that the motor is locked, so that the motor voltage VB is further lowered than during operation. When the motor is locked, at time c after time b, the controller cuts off the power supply to the motor, and the motor voltage VB returns to the no-load state. Then, when the power (IG) switch is turned off at time d after time c, the controller power is cut off, and the motor voltage VB decreases with time. When the motor voltage VB falls below the memory write voltage V0 at time e after time d, the controller starts writing the number of pulse signals provided from the rotation sensor into the non-volatile memory, and the time after time e Writing is performed within the writable time t until the motor voltage VB falls below the reset voltage RES at f. The memory write voltage V0 is equal to or higher than the supply voltage to the circuit so that the power supply voltage in the circuit is equal to or higher than the reset voltage RES of the microcomputer, and is equal to or lower than the voltage drop when the motor is locked at the minimum operating voltage of the specification. Need to be.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the motor control device described above, when the power supply voltage of the controller is interrupted, the position data of the window glass is written to the nonvolatile memory.When the power switch is turned off when the motor is in the locked state, Since the power supply voltage of the controller has already decreased with respect to a voltage value lower than the normal operating voltage, the amount of charge necessary for writing is insufficient, and only a single position data is written. Therefore, a large-capacity backup capacitor is used to ensure sufficient time to write window glass position data to the nonvolatile memory, and a large-capacity backup capacitor must be built in the controller. As a result, there is a problem that the outer shape of the controller is increased.
[0005]
In the motor control device described above, when the power switch is turned off while the motor is operating, the operating voltage of the microcomputer built in the controller is lowered even though the motor rotation signal is being input. As a result, writing cannot be performed, and the microcomputer writes position data shifted from the actual position of the window glass. For this reason, a large-capacity backup capacitor is used so that the position data can be continuously written until the motor stops, and there is a problem that the outer shape of the controller is enlarged as described above. .
[0006]
OBJECT OF THE INVENTION
The motor control device according to the present invention provides a motor control device capable of reliably writing a plurality of position data without requiring a large-capacity backup capacitor and obtaining a compact outer shape. It is aimed.
[0007]
[Structure of the invention]
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In the motor control device according to the first aspect of the present invention, a power switch, a motor drive circuit electrically connected to the power switch, a motor drive circuit electrically connected to the motor drive circuit and coupled to the open / close load, A motor for driving the load to the open side or the closed side by the operation of the drive circuit, motor rotation detection means for generating a rotation detection signal by rotation of the motor, an open switch for generating a lowering command signal by being switched on, A closed switch that generates an up command signal when switched on, and a power switch, a motor drive circuit, motor rotation detection means, an open switch, and a close switch are electrically connected to each other, and a down command signal is given from the open switch. And a current to drive the load to the open side is supplied to the motor through the motor drive circuit, while an upward command is issued from the close switch A controller that supplies a current for driving the load to the closed side to the motor via the motor drive circuit when the signal is given, and when the motor voltage drops while the motor is driving the load, the motor rotation detection means Non-volatile memory that converts the given rotation signal into position data and can be read and written electrically, and built in the controller. When the power switch is turned off while the motor is operating, the power supply voltage It is characterized by comprising a control block having a function of continuously writing position data to a non-volatile memory every predetermined time when becomes less than a predetermined value Yes.
[0009]
In the motor control device according to claim 2 of the present invention, the controller reads out a plurality of position data written in the nonvolatile memory when the power switch is turned on, and the three position data among them are read out. Each of the above is compared, and the position data calculation process after the last written position data is configured to include a glass position prediction block that performs multiple times until the final position data is obtained. Yes.
[0010]
The motor control apparatus according to claim 3 of the present invention is characterized in that the controller is provided with a pulse interval measurement block for measuring the period of the rotation signal supplied from the motor rotation detection means.
[0011]
In the motor control device according to claim 4 of the present invention, the controller determines the lock of the motor by comparing the period value of the rotation signal given from the pulse interval measurement block with a predetermined determination value. The motor lock determination block is provided.
[0012]
In the motor control device according to claim 5 of the present invention, the controller stores a descending command signal or an ascending command signal when the time during which the open switch or the closed switch is turned on exceeds a predetermined value. After that, even if the open switch or the close switch is turned off, the one-touch operation storage block that continuously generates the descending command signal or the ascending command signal is provided.
[0013]
[Effects of the Invention]
In the motor control device according to claim 1 of the present invention, after the open switch or the closed switch is turned on and the motor starts to start, the power switch is turned off before the open switch or the closed switch is turned off, When the motor voltage decreases, a plurality of position data is written to the nonvolatile memory, and the current position is predicted using the position data written to the nonvolatile memory when the power switch is turned on. Therefore, there is no need for a large-capacity backup capacitor that secures time for writing position data.
[0014]
In the motor control device according to claim 2 of the present invention, the glass position prediction block of the controller reads a plurality of position data already written in the nonvolatile memory when the power switch is turned on, Each of the three pieces of position data is compared, and position data calculation processing subsequent to the last written position data is performed a plurality of times, thereby obtaining position data where the load has finally stopped. Therefore, in addition to the operation of the first aspect, when the motor voltage is lowered, there are a plurality of pieces of position data electrically written in the nonvolatile memory, so that the final position data can be reliably obtained. It is done.
[0015]
In the motor control device according to claim 3 of the present invention, the rotation signal supplied from the motor rotation detection means increases in its period when the motor is locked, and the pulse interval measurement block of the controller is supplied from the motor rotation detection means. The period of the rotation signal is measured. Therefore, in addition to the operation of claim 1, the pulse interval measurement block detects the load state of the motor by detecting the period of the rotation signal.
[0016]
In the motor control device according to claim 4 of the present invention, the motor lock determination block of the controller compares the period value given from the pulse interval measurement block with a predetermined decision value, and is given from the pulse interval measurement block. When the cycle value exceeds a predetermined determination value, the control block is determined whether or not the motor is locked. Therefore, in addition to the operation of the third aspect, even if the power switch is turned off while the motor is locked, the glass position data is not lost.
[0017]
In the motor control device according to claim 5 of the present invention, the one-touch operation memory block of the controller is turned on when the open switch or the closed switch is turned off after the open switch or the closed switch is turned on for a long time. The stored descending command signal or ascending command signal is continuously generated. Therefore, in addition to the action of claim 1, since the command signal generated from the open switch or the closed switch is held by the one-touch operation memory block, an additional switch such as an auto switch is required in addition to the open switch and the closed switch. And not.
[0018]
【Example】
1 to 13 show an embodiment of a motor control device according to the present invention.
[0019]
The illustrated motor control device 1 includes an open switch (SW) 2, a close switch (SW) 3, a switch (SW) signal input block 4, a motor 5, a rotation sensor 6, a motor drive output block 7, and a pulse signal input block 8. , Power supply block 9 (shown in FIG. 2), conversion block 10 (shown in FIG. 2), central processing circuit (controller) (microcomputer) MCU, EEPROM external memory block MEM, reset circuit 11 (shown in FIG. 2) The central processing circuit MCU includes a one-touch operation storage block 12, an EEPROM memory address counter ADCT, a clock generator 13, a control block 14, an input / output control block 15, a pulse interval measurement block 16, and a pulse interval measurement. Timer TM2, motor lock determination block 17, EEPROM You can lump interval timer TM1, the pulse counter glass position storage WINDCT, glass position prediction block 18 is built.
[0020]
The motor control device 1 shown in FIG. 1 is specifically represented by a circuit diagram shown in FIG.
[0021]
One of the open / close switches 2 and 3 is electrically connected to a power source 21 that is a battery through a power switch (ignition switch) 20, and the other is electrically connected to the switch signal input block 4. The open switch 2 generates a lowering command signal when turned on. In contrast to this, the closing switch 3 generates an ascending command signal when switched on.
[0022]
The switch signal input block 4 includes a resistor R6 and a resistor R7. The resistor R6 is electrically connected to the open switch 2 and the resistor R7 is electrically connected to the closed switch 3.
[0023]
In the switch signal input block 4, when the open switch 2 is turned on when the power switch 20 is in the on state, the lowering command signal (high level) is sent to the central processing circuit through the resistor R6 and the voltage clamp circuit (not shown). This is given to the first input port IN1 provided in the MCU. On the other hand, when the power switch 20 is in the ON state, when the close switch 3 is turned ON, the rise command signal (high level) is sent to the central processing circuit MCU via the resistor R7 and a voltage clamp circuit (not shown). The second input port IN2 is provided.
[0024]
The motor 5 is provided with first and second brush terminals 5a and 5b, and an armature shaft 5c provided in an armature (not shown) is passed through a rubber damper (not shown) and also through a glass elevator (not shown). And is connected to the wind glass 30.
[0025]
In the motor 5, since the first brush terminal 5a is electrically connected to the power source 21 and the second brush terminal 5b is connected to the ground so that the armature shaft 5c rotates in the forward direction, the armature shaft 5c rotates in the forward direction. To open the window glass 30. On the other hand, since the second brush terminal 5b is electrically connected to the power source 21 and the first brush terminal 5a is connected to the ground, the armature shaft 5c rotates in reverse, so that the armature shaft 5c is reversed. The window glass 30 is closed by rotation. The first and second brush terminals 5 a and 5 b of the motor 5 are electrically connected to the motor drive output block 7.
[0026]
The motor drive output block 7 includes a first relay RL1, a first switching transistor TR1, a second relay RL2, and a second switching transistor TR2.
[0027]
The first relay RL1 includes a first relay coil RL1-1, a first relay normally open contact RL1-2, a first normally closed contact RL1-3, and a first relay movable contact RL1-4. ing. The first relay coil RL1-1 has an upstream side connected to the power switch 20, and a downstream side connected to the collector of the first switching transistor TR1. The first relay normally open contact RL1-2 is connected to the power switch 20. The first relay normally closed contacts RL1-3 are connected to the ground. The first relay movable contact RL1-4 is connected to the first brush terminal 5a of the motor 5.
[0028]
The first switching transistor TR1 is a grounded NPN transistor, and has a base connected to a first output port D1 provided in the central processing circuit MCU through a resistor (not shown), and a collector as described above. It is connected to the downstream side of the relay coil RL1-1.
[0029]
The second relay RL2 includes a second relay coil RL2-1, a second relay normally open contact RL2-2, a second normally closed contact RL2-3, and a second relay movable contact RL2-4. ing. The second relay coil RL2-1 has an upstream side connected to the power switch 20, and a downstream side connected to the collector of the second switching transistor TR2. The second relay normally open contact RL2-2 is connected to the power switch 20. The second relay normally closed contacts RL2-3 are connected to the ground. The second relay movable contact RL2-4 is connected to the second brush terminal 5b of the motor 5.
[0030]
The second switching transistor TR2 is a grounded NPN transistor, and has a base connected to a second output port D2 provided in the central processing circuit MCU through a resistor (not shown), and a collector as described above. It is connected to the downstream side of the relay coil RL2-1.
[0031]
In the motor drive output block 7, when a high level is given from the first output port D1 of the central processing circuit MCU and a low level is given from the second output port D2 of the central processing circuit MCU, the first switching transistor TR1 is turned on, the first relay coil RL1-1 is excited, and the first relay movable contact RL1-4 is electrically connected from the first relay normally closed contact RL1-3 to the first relay normally open contact RL1-2. Connected. The current of the power source 21 is the first relay normally open contact RL1-2, the first relay movable contact RL1-4, the first brush terminal 5a of the motor 5, the second brush terminal 5b of the motor 5, Since the second relay movable contact RL2-4, the second relay normally closed contact RL2-3, and the ground flow, the armature shaft 5c of the motor 5 rotates forward.
[0032]
Contrary to the above, in the motor drive output block 7, when a high level is given from the second output port D2 of the central processing circuit MCU and a low level is given from the first output port D1 of the central processing circuit MCU, The second switching transistor TR2 is switched on, the second relay coil RL2-1 is excited, and the second relay movable contact RL2-4 is opened from the second relay normally closed contact RL2-3 to the second relay normally open. It is electrically connected to the contact RL2-2. The current of the power source 21 is the second relay normally open contact RL2-2, the second relay movable contact RL2-4, the second brush terminal 5b of the motor 5, the first brush terminal 5a of the motor 5, the second Since the first relay movable contact RL1-4, the first relay normally closed contact RL1-3, and the ground flow, the armature shaft 5c of the motor 5 rotates in the reverse direction.
[0033]
The rotation sensor 6 is a rotation detector such as a rotary encoder or a tacho generator, and is disposed near the armature shaft 5 c of the motor 5. As shown in FIG. 2, the rotation sensor 6 is divided by the resistors R8 and 9, and the voltage level limited by the Zener diode ZD3 is given to the upstream side. Therefore, the armature shaft 5c of the motor 5 is When rotating, a pulsed rotation signal is generated corresponding to the rotation. The pulse signal generated by the rotation sensor 6 is given to the pulse signal input block 8.
[0034]
The pulse signal input block 8 includes a resistor R10 and a capacitor C5. The pulse signal input block 8 stabilizes the pulse signal supplied from the rotation sensor 6 and supplies it to a third input port IN3 provided in the central processing circuit MCU through a voltage clamp circuit (not shown).
[0035]
The power supply block 9 includes a diode D1, a resistor R1, a Zener diode ZD1, a first backup capacitor C1, a second backup capacitor C2, an oscillation prevention capacitor C4, and a power supply IC22.
[0036]
In the power supply block 9, the anode of the diode D1 is connected to the power switch 20, and one end of the second backup capacitor C2 whose other end is grounded is connected to the operation power supply VCC together with the power supply line 9a. The processing circuit MCU is connected to the regulator port REG and the EEPROM external memory block (nonvolatile memory) MEM.
[0037]
In the power supply block 9, when the power switch 20 is in the ON state, the first backup capacitor C1 is charged, the power supply IC 22 is turned on, the second backup capacitor C2 is charged, and the regulator of the central processing circuit MCU A predetermined drive voltage is applied to the ports REG and EEPROM external memory block MEM. In the power supply block 9, when the power switch 20 is turned off, the first backup capacitor C1 and the second backup capacitor C2 are discharged, and the discharge voltage becomes the regulator port REG of the central processing circuit MCU, It is given to the EEPROM external memory block MEM.
[0038]
An EEPROM external memory block MEM (electrically erasable program-ble ROM) is an electrically rewritable ROM, and is a non-volatile memory that retains stored contents even in a non-energized state. This EEPROM external memory block MEM stores the glass position data given from the serial output port SOUT provided in the central processing circuit MCU in a predetermined memory area, and from the predetermined memory area via the serial input port SIN. Retrieve the data.
[0039]
The conversion block 10 includes resistors R2, R3, R4, R5, a Zener diode ZD2, and a capacitor C3.
[0040]
In the conversion block 10, the central processing circuit MCU has a voltage level signal divided by the resistors R2 and R3, limited by the Zener diode ZD2, integrated by the resistors R4 and C3, and adjusted by the resistor R5. Give to conversion port A / D.
[0041]
The reset circuit 11 resets the central processing circuit MCU when the drive voltage supplied from the power supply block 9 decreases.
[0042]
The one-touch operation memory block 12 is such that when the open switch 2 is turned on, the lowering command signal (high level) given from the switch signal input block 4 to the first input port IN1 and the closed switch 3 are turned on. Thus, the input time of the ascending command signal (high level) given from the switch signal input block 4 to the second input port IN2 is detected.
[0043]
In the one-touch operation storage block 12, when the input signals of the lowering command signal given from the open switch 2 and the raising command signal given from the closing switch 3 become longer than a predetermined time, those described later In addition, each input signal is stored by setting a one-touch flag by a separately defined program, and even after each input signal is no longer applied, the stored command signal is continuously supplied to the control block 14 for one-touch operation. Perform the action. The central processing circuit MCU does not need an additional switch such as an auto switch in addition to the open switch 2 because the one-touch operation is determined by the time of the descending command signal generated by the open switch 2.
[0044]
The EEPROM memory address counter ADCT is a counter that gives an address signal to and from the control block 14.
[0045]
The clock generator 13 performs time management of the program to be executed.
[0046]
The pulse interval measurement block 16 detects the rising edge and falling edge of the pulse signal given from the pulse signal input block 8 one by one.
[0047]
The pulse interval measurement timer TM2 starts when the rising edge of the pulse signal is detected by the pulse interval measuring block 16, and turns off when the falling edge of the pulse signal is detected. Detect cycle time. The cycle time of the detected pulse signal is given to the motor lock determination block 17. In the pulse interval measurement timer TM2, the lock detection of the motor 5 is directly detected by the cycle of the pulse signal generated by the motor 5.
[0048]
The motor lock determination value XLOCK is a predetermined value and is used to detect that the armature shaft 5c of the motor 5 is restrained from rotating. The motor lock determination value XLOCK is held in a ROM (not shown) built in the central processing circuit MCU. The motor lock determination value XLOCK is compared with the cycle time detected by the pulse interval measurement timer TM2 in the motor lock determination block 17.
[0049]
The motor lock determination block 17 compares the cycle time detected by the pulse interval measurement timer TM2 with the motor lock determination value XLOCK, so that the cycle time detected by the pulse interval measurement timer TM2 exceeds the motor lock determination value XLOCK. A determination signal is supplied to the control block 14.
[0050]
The EEPROM write interval timer TM1 has a function of performing writing to the EEPROM external memory block MEM from the control block 14 through the input / output control block 15 at regular intervals. At this time, the EEPROM write interval timer TM1 measures the elapse of the interval time by comparing with a predetermined value XMEMWR.
[0051]
The pulse counter glass position memory WINDCT counts glass position data to be written in the EEPROM external memory block MEM in the control block 14. A reset port RES provided in the central processing circuit MCU is connected to the reset circuit 11.
[0052]
When the power switch 20 is turned on, the glass position prediction block 18 reads position data already written in the EEPROM external memory block MEM via the input / output control block 15 and the control block 14, and 3 of them is read out. The position data is compared, and the position data calculation process after the last written position data is performed a plurality of times, so that the position where the window glass 30 finally stops is estimated, and this position data is used as the pulse counter glass. It is given to the position memory WINDCT.
[0053]
In the control block 14, when a lowering command signal is given from the switch signal input block 4, the first output port D1 of the central processing circuit MCU becomes high level, and the second output port D2 becomes low level. 1 switching transistor TR1 is turned on. On the other hand, when an increase command signal is given from the switch signal input block 4, the second output port D1 of the central processing circuit MCU becomes high level, and the first output port D2 becomes low level. The second switching transistor TR2 is turned on.
[0054]
In the control block 14, the lowering command signal given from the switch signal input block 4 becomes longer than a predetermined time and the lowering command signal is stored in the one-touch operation memory block 12, and the lowering command signal is not given. In addition, since the lowering command signal stored in the one-touch operation storage block 12 is continuously given, the first switching transistor TR1 of the motor drive output block 7 is kept on.
[0055]
In the control block 14, the ascending command signal given from the switch signal input block 4 becomes longer than a predetermined time and the ascending command signal is stored in the one-touch operation memory block 12, and the ascending command signal is no longer given. However, since the ascending command signal stored in the one-touch operation storage block 12 is continuously given, the second switching transistor TR2 of the motor drive output block 7 is kept on.
[0056]
The control block 14 recognizes that the motor 5 is in a locked state by the determination signal given from the motor lock determination block 17 when the cycle time detected by the pulse interval measurement timer TM2 exceeds the motor lock determination value XLOCK. Then, a stop command is given to the motor drive output block 7.
[0057]
The control block 14 generates a write command when the circuit power supply voltage (voltage VB of the motor 5) applied to the power supply block 9 becomes equal to or lower than a predetermined voltage V2. When this write command is generated, a pulse is passed through the input / output control block 15 to the address determined by the EEPROM memory address counter ADCT in the EEPROM external memory block MEM at every time (XMEMWR) determined by the EEPROM write interval timer TM1. Memory writing is performed a plurality of times with the number of pulse signals (glass position data) given from the counter glass position memory WINDCT.
[0058]
The input / output control block 15 performs conversion between parallel data and serial data, and performs input / output overall processing by performing timing processing of writing and reading to the EEPROM external memory block MEM based on the signal of the clock generator 13. I do.
[0059]
In the central processing circuit MCU, the window glass 30 is closed while the power switch 20 is turned on, and the switch 2 is switched on at time L as shown in FIG. 4 gives a lower command signal to the control block 14, the control block 14 (first output port D 1) gives a high level to the base of the first switching transistor TR 1 of the motor drive output block 7. The armature shaft 5c rotates forward and the window glass 30 opens.
[0060]
When the armature shaft 5c of the motor 5 starts to rotate in the forward direction, the circuit power supply voltage is maintained at a substantially constant potential in a normal operation that is lower than the no-load state, and the rotation sensor 6 generates pulse signals at substantially the same interval. The pulse signal input block 8, the pulse interval measurement block 16, and the pulse interval measurement timer TM2 detect the cycle time of each pulse signal.
[0061]
At time M after time L in FIG. 3, when the power switch 20 is turned off, the circuit power supply voltage starts to drop more rapidly than the potential in normal operation. However, a similar voltage drop occurs when the motor is locked, but the cycle time of the pulse signal generated by the rotation sensor 6 at this time is not so long.
[0062]
When the circuit power supply voltage (motor voltage) drops below a predetermined voltage V2 (memory write voltage B) at time N after time M in FIG. 3, pulse interval measurement is performed in the motor lock determination block. When it is determined that the motor is not locked by comparing the cycle time measured in block 16 with the motor lock determination value XLOCK, the control block 14 gives a write command to the input / output control block 15, and the EEPROM write interval timer TM1. Memory at the number of rotation signals (glass position data) given by the pulse counter glass position storage WINDCT at the address determined by the EEPROM memory address counter ADCT in the EEPROM external memory block MEM at every time (XMEMWR) determined by Repeated writing It takes place.
[0063]
Writing to the EEPROM external memory block MEM is performed at a time P (a time T that can be written from time N to time P) reaching a predetermined reset voltage RES every time (XMEMWR) determined by the EEPROM write interval timer TM1. ′) Is repeated several times. At this time, the first position data MEM (1), the second position data MEM (2), the third position data MEM (3), the fourth position data MEM (4), and the fifth position data MEM ( 5), 6th position data MEM (6), 7th position data MEM (7), 8th position data MEM (8) (shown in FIG. 4), 9th position data MEM (9) (Shown in FIG. 4), the EEPROM external memory block MEM stores nine pieces of position data from the first position data MEM (1) to the ninth position data MEM (9). .
[0064]
In the central processing circuit MCU, the writing is stopped by resetting at the time P after the first position data MEM (1) to the ninth position data MEM (9) are written in the EEPROM external memory block MEM. However, since the window glass 30 is not finally stopped, the position of the window glass 30 is not recognized using these position data as they are. In this case, the description has been made on the case where nine position data are written. However, the position data can be predicted by the glass position prediction block 18 as long as at least three position data can be written. In this case, since the approximate position can be estimated, the time for writing to the memory is shortened. Therefore, since a large-capacity backup capacitor is not required, the first backup capacitor C1 and the second backup capacitor C2 provided in the power supply block 9 have small capacities.
[0065]
When the power switch 20 is switched on again after the power switch 20 is switched off, the central processing circuit MCU uses the three I / O control blocks 15 to write three data already written in the EEPROM external memory block MEM. Each position data is compared, and the position data calculation process after the last written position data is performed a plurality of times, so that the position data where the load finally stops is predicted.
[0066]
When predicting the position data, the EEPROM external memory block MEM includes the first position data MEM (1), the second position data MEM (2), and the third position data MEM ( 3) Fourth position data MEM (4), fifth position data MEM (5), sixth position data MEM (6), seventh position data MEM (7), eighth position data MEM ( 8) Since the ninth position data MEM (9) is written, the first position data MEM (1) is recognized as the first position data, and the fifth position data MEM (5) is the intermediate position. The ninth position data MEM (9) is recognized as the last position data.
[0067]
In the central processing circuit MCU, the first position data MEM (1) (MEMA) which is the first position data [MEMA is compared with MEMC in MEM (N), so that na (a is 2, 4, 6). , 8..., Position data at a maximum value satisfying na ≧ 1). ] And the fifth position data MEM (5) as the intermediate position data, and the deviation R1 (pulse count number) between the fifth position data MEM (5) (MEMB) as the intermediate position data is calculated. A reduction ratio RA = R2 / R1 is calculated by calculating a deviation R2 (pulse count number) between (MEMB) and the ninth position data MEM (9) (MEMC) as the last position data. At this time, since the rotational speed of the armature shaft 5c of the motor 5 is decelerating, the reduction ratio RA <1. MEM (N) is a continuous memory block, and N is the maximum value of the memory block address.
[0068]
Then, the central processing circuit MCU uses the calculated reduction ratio RA to obtain the position data at which the window glass 30 finally stopped after the ninth position data MEM (9) (MEMC) obtained at the end. A prediction loop for obtaining by prediction is performed a plurality of times.
[0069]
The prediction loop is roughly divided into two blocks, and the relationship between the address positions in the EEPROM external memory block MEM is determined by performing a proportional calculation from the position data that was initially written when the power was turned off. And the interval between MEMB and MEMC that are equal and the longest in time are selected, and the reduction ratio RA is obtained from the three data. Next, position data that converges at the reduction ratio RA is calculated. First, the reduction ratio RA is calculated from the position data written at the previous power-off from the position data MEM (9) immediately before the location where the central processing circuit MCU (microcomputer) was reset at the previous power-off. Find the three points that are most distant in time. If these three points are MEMA, MEMB, and MEMC, these conditions are the addresses in the memory, the distance between MEMA and MEMB, and between MEMA and MEMC are the same, and MEMA and MEMC are the EEPROM external memory block MEM. It is in.
[0070]
In the first selection loop (loop counter CT2 = 1), as shown in FIG. 5, [n−2] is changed to MEMA (first position based on the position data n written last before resetting. Data), [n-1] as MEMB (intermediate position data), and [n] as MEMC (last position data) are stored in the storage means RAM built in the central processing circuit MCU. When the position data written is less than 3 and MEMA or MEMA and MEMB cannot be set, the subsequent prediction loop is not performed and the value of MEMC is set as the glass position.
[0071]
In the second selection loop, after the first prediction loop is executed, the loop counter CT2 is incremented to set CT2 = 2, and if the last position data is the fifth or more in the memory, that is, n− (CT2 X2) If ≧ 1, [4... N-3] is MEMA (n-4) (first position data) and [n-2] is MEMB (intermediate) as shown in FIG. Position data), and [n] is stored as MEMC (last position data) in the storage means RAM built in the central processing circuit MCU.
[0072]
Similarly, in the third selection loop (loop counter CT2 = 3), as shown in FIG. 5, [4... N-3] is set to MEMA (n-6) (first position data), and [n− 3] is set as MEMB (intermediate position data), and [n] is set as MEMC (last position data) in the storage means RAM incorporated in the central processing circuit MCU to perform subtraction processing.
[0073]
In the final round of the selected loop (loop counter CT2 = m, where n−2m ≧ 1), as shown in FIG. 5, [2] is MEMA (first position data), and [4. n-3] is set as MEMB (intermediate position data) (MEMB = n-CT2), and [n] is set as MEMC (last position data) in the storage means RAM incorporated in the central processing circuit MCU. Performs division processing. That is, (MEMC-MEMB) / (MEMB-MEMA) is executed to obtain the reduction ratio RA.
[0074]
Next, the point at which the position data converges is calculated.
[0075]
In the first calculation loop, the position data of the next MEM (10) is calculated from the position data MEM (9) immediately before the point where the central processing circuit MCU (microcomputer) was reset by the previous power-off.
[0076]
In the first round of the prediction loop shown in FIG. 4, the previously calculated reduction ratio RA is multiplied by the difference between the immediately preceding position data, that is, MEM (9) −MEM (8). This value is the estimated difference between MEM (9) and MEM (10). This is RDIF. If the value of this RDIF is less than 1, no further estimate can be obtained, so the loop is exited here. If RDIF is 1 or more, this value is rounded to an integer, and the value added to MEM (9) is the estimated value of MEM (10). Thereafter, the previously obtained RDIF is substituted into R2, and the first time of the prediction loop is ended as a difference between new position data of the next loop.
[0077]
In the second time of the prediction loop shown in FIG. 4, RAX (MEM (10) −MEM (9)) is the same as the previous time, that is, the estimated difference between R2 and the estimated difference RDIF (MEM (9) and MEM (10) in the previous loop ) Is substituted, RAXR2 is performed and this is substituted into RDIFF. The RDIF at this time is an estimated difference between MEM (10) and MEM (11). If the value of this RDIF is less than 1, no further estimate can be obtained, so the loop is exited here. If RDIF is 1 or more, this value is rounded to an integer, and the value added to MEM (10) is the estimated value of MEM (11). Thereafter, the obtained RDIF is substituted into R2, and the difference between the new position data of the next loop is set, and the second prediction loop is completed.
[0078]
Similar to the 1st and 2nd times, the 3rd and 4th times are repeated until the RDIF value is less than 1, and the last estimated value, i.e., the previous power switch 20 is switched off when the RDIF value is less than 1. The glass stop position is obtained.
[0079]
In the central processing circuit MCU, even when the power switch 20 is turned on with the window glass 30 closed, the CPU already writes data to the EEPROM external memory block MEM via the input / output control block 15 in the same manner as described above. The position data calculation process after the last written position data is performed a plurality of times from the currently written position data, so that the position data where the window glass 30 has finally stopped is predicted.
[0080]
The motor control apparatus 1 performs a control operation according to the programs shown in FIGS. FIGS. 6 and 7 are main routines, FIGS. 8 to 9 are write routines to the EEPROM external memory block MEM, and FIGS. 10 to 13 are routines for predicting position data.
[0081]
When the power switch 20 is switched on and the window glass 30 is in the fully closed position FC or the fully open position FO shown in FIG. 2 or between the FC and FO, the “start” is performed in step 200 of the main routine shown in FIG. Since “time position prediction” is executed, the process proceeds to step 100 shown in FIG. 10, “loop counter CT1 is cleared”, and the process proceeds to step 101. In step 101, “the last (last) position data written in the EEPROM external memory block MEM is checked (n ← N−CT1)”. Here, N is the maximum memory address that can be written in the EEPROM external memory block MEM, and n is the final value of the position data written in the EEPROM external memory block MEM. Thereafter, the process proceeds to step 102.
[0082]
In step 102 transferred from step 101, it is determined whether or not “position data is written at a predetermined address of the EEPROM external memory block MEM”. Therefore, the position data has been previously written in the EEPROM external memory block MEM. If YES, step 103 is skipped and the process proceeds to step 104. If position data is not written in the EEPROM external memory block MEM, the process proceeds to step 103 and “the loop counter CT1 is incremented (CT1 ← CT1 + 1”). 101, Step 102 is repeated.
[0083]
In step 104 transferred from step 102, it is determined whether or not three or more pieces of position data necessary for prediction are written in the EEPROM external memory block MEM.
[0084]
When three or more pieces of position data necessary for prediction are written in the EEPROM external memory block MEM, the process proceeds from step 104 to step 121 to determine “whether there are two pieces of position data”. When two pieces of position data are written in the EEPROM external memory block MEM, the process proceeds to step 122, and “MEM (2) is stored in the pulse counter glass position storage WINDCT”.
[0085]
If two pieces of position data are not written in the EEPROM external memory block MEM, and one piece of position data is written, the process proceeds to step 123 in the determination in step 121, and the step in the determination in step 123 is performed. The process proceeds to 124 and “MEM (1) is stored in the pulse counter glass position storage WINDCT”.
[0086]
If one position data is not written in the EEPROM external memory block MEM, the process proceeds to step 123 in the determination in step 121, and the process proceeds to step 125 in the determination in step 123 to set the initial operation mode.
[0087]
If it is determined in step 104 that three or more pieces of position data necessary for prediction are written in the EEPROM external memory block MEM, the process proceeds to step 105 and “MEM (n) is replaced with the final position data MEMC. Then, the process proceeds to step 106. In step 106 transferred from step 105, “initial setting of loop counter CT 2 (CT 2 ← 1)” is performed, and the process shifts to step 107.
[0088]
In Step 107 transferred from Step 106, “Replace MEM (n-CT2) with intermediate position data MEMB” is transferred to Step 108. In Step 108, “MEM (n-CT2 × 2) is set as the oldest position data. “Replace with MEMA” and go to Step 109.
[0089]
In step 109, “loop counter is incremented (CT2 ← CT2 + 1)” and the process proceeds to step 110. In step 110, “determination of the value of MEM (n−CT2 × 2) replaced with the oldest position data MEMA (n− CT2 × 2 ≧ 1) ”is performed, and if the determination of the value in step 110 exceeds 1, the process returns to step 107 to execute steps 108 and 109, and the determination of the value in step 110 is 1. If not, the process proceeds to step 111.
[0090]
In Step 111 transferred from Step 110, “[Calculate Deviation R1 by [First Position Data MEMA−Intermediate Position Data MEMB]” and then move to Step 112. In Step 112, “[Intermediate Position Data MEMB−Last Position Calculate the deviation R2 from the data MEMC] and proceed to Step 113.
[0091]
In step 113, “determine the reduction ratio RA” and proceed to step 114. In step 114, “set the latest position data, that is, the position data value included in the MEMC address as an initial value (NSTP ← n)”. Then, the process proceeds to step 115. In step 115, "determination of position data (RDIF ← R2 × RA)" is performed, and the process proceeds to step 116.
[0092]
Since “determination of the value of deviation RDIF (RDIF <1)” obtained in step 115 is performed in step 116, if “the value of deviation RDIF exceeds 1”, the process proceeds to step 117, and “value of deviation RDIF is determined. Does not exceed 1, "the process proceeds to step 120.
[0093]
If the value of the deviation RDIF obtained in step 115 exceeds 1, the process proceeds to step 117 and “the value of deviation RDIF is replaced with a value RINT that is converted to an integer for rounding speed calculation (rounded off after the decimal point)”. The process proceeds to step 118, where “replacement of initial value NSTP (initial value NSTP−integer value RINT)” is performed in step 118 and the process proceeds to step 119, and “replacement of deviation RDIF with deviation R 2” is performed in step 119. Repeat the routine to return to.
[0094]
If the value of the deviation RDIF obtained in step 115 does not exceed 1, the process proceeds to step 120, where “initial value NSTP is replaced with pulse counter glass position storage WINDCT” and the position prediction routine at the time of start in step 200 ends. To do.
[0095]
When the position prediction routine at the time of activation in step 200 is completed, the process returns to the main routine, proceeds to step 201, “resets the memory erase flag (FMERASE)” and proceeds to step 202. The flag (FMWEND) is reset ”and the process proceeds to step 203.
[0096]
Step 203 and step 204 are steps for detecting the current state of the motor 5, and step 205 is a step for determining whether or not to start the memory writing. At time L shown in FIG. 3, in step 203, it is determined whether or not the motor 5 is operating. Therefore, since the armature shaft 5c of the motor 5 is rotating, the process proceeds to step 204. Since it is determined in step 204 whether or not the motor 5 is locked, the process proceeds to step 205 because the armature shaft 5c of the motor 5 is not locked. In step 205, since it is determined whether or not the circuit power supply voltage is V2 or lower, that is, whether or not the memory write voltage V2 has been lowered, the process proceeds to step 210 because "circuit power supply voltage is not lower than V2". To do.
[0097]
In step 210 transferred from step 205, it is determined whether or not the memory erase flag (FMERASE) is set. Therefore, the memory shift flag (FMERASE) is not set.
[0098]
In step 211, “EEPROM external memory block MEM is all cleared” and the process proceeds to step 212. In step 212, “memory erase flag (FMERASE) is set” and the process proceeds to step 213. The flag (FMWRNOW) is reset ”and the process proceeds to step 214. In step 214, the“ memory write completion flag (FMWREND) is reset ”and the process proceeds to step 209.
[0099]
In step 209, main processing is performed. In step 209, “input signal processing from the open / close switches 2 and 3”, “output processing for the motor 5”, “motor lock detection processing”, and “circuit power supply voltage measurement processing” are performed, and the process returns to step 203. Steps 203, 204, and 205 are performed.
[0100]
When the power switch 20 is turned off at time M shown in FIG. 3 when the armature shaft 5c of the motor 5 continues to rotate forward and the window glass 30 is driven to open, the circuit power supply voltage is changed. It begins to drop sharply. When the circuit power supply voltage falls below the memory write voltage V2 at time N after time M shown in FIG. 3, the process proceeds to step 204 by determination in step 203, and to step 205 by determination in step 204. The process proceeds to step 206 in the determination in step 205.
[0101]
In step 206, the process proceeds from step 205. Since it is determined whether or not the memory write completion flag (FMWEND) is set, the process proceeds to step 207 because "the memory write completion flag (FMWEND) is not set". In step 207, “write to EEPROM external memory block MEM” is executed.
[0102]
Since the routine for writing to the EEPROM external memory block MEM determines in step 300 whether or not the “memory writing flag (FMWRNOW) is set”, “the memory writing flag (FMWRNOW) is not set”. Therefore, the process proceeds to step 301. In step 301, “reset memory write completion flag (FMWREND)” is performed and the process proceeds to step 302. In step 302, “EEPROM write interval timer TM1 is cleared (TM1 ← 0)” and step 303 is performed. In step 303, “EEPROM memory address counter ADCT is cleared (ADCT ← 0)”, and in step 304, “memory write in progress flag (FMWRNOW) is set” is set. To migrate to 305.
[0103]
In step 305, “time measurement by the EEPROM writing interval timer TM1 (TM1> XMEMWR)” is executed. Therefore, when the EEPROM writing interval timer TM1 overflows, the process proceeds to step 306, where “the counter value of the pulse counter glass position storage WINDCT is displayed. Is written to the EEPROM external memory block MEM "and the process proceeds to step 307. In step 307, the" EEPROM memory address counter ADCT is incremented (ADCT ← ADCT + 1) "and the process proceeds to step 308. In step 308, the" EEPROM write interval timer " TM1 is cleared (TM1 ← 0) ”and the process proceeds to step 309.
[0104]
In step 309, it is determined whether or not the EEPROM memory address counter ADCT has overflowed (ADCT> N). At this time, since the “EEPROM memory address counter ADCT has not overflowed”, the write routine of this time Ends.
[0105]
If “EEPROM memory address counter ADCT has overflowed” in step 309, the process proceeds to step 310. In step 310, “memory write flag (FMWRNOW) is reset”, the process proceeds to step 311. A routine for setting the write completion flag (FMWEND) ”is executed.
[0106]
Then, in step 208 of the main routine after completion of the write routine, “set the memory erasure flag FMERRASE”, the process proceeds to step 209, the main process is executed, and the routine which proceeds to step 203 is executed.
[0107]
When the armature shaft 5c of the motor 5 continues to rotate in the forward direction, the window glass 30 is driven to open, and when the window glass 30 reaches the fully open position FO shown in FIG. 2, the armature shaft 5c of the motor 5 is restrained from rotating. Therefore, the process proceeds to step 210 in the determination in step 204 of the main routine. After executing step 210, step 211, step 213, and step 214, the process proceeds to step 209. When the base current for the first switching transistor TR1 of the motor drive output block 7 is cut off, the armature shaft 5c of the motor 5 stops rotating, and the window glass 30 stops at the fully open position FO.
[0108]
When the power switch 20 is turned on and the window glass 30 is in the fully opened position FO shown in FIG. 2, when the closed switch 3 is turned on at time L shown in FIG. Since the base current is supplied to the second switching transistor TR2 of the motor drive output block 7 by being taken into the control block 14, the armature shaft 5c of the motor 5 starts to rotate in the reverse direction and is driven to the side where the window glass 30 is closed. Similarly to the routine described above, the main routine from step 200 is executed, the position data prediction routine from step 100 is executed, and the write routine from step 300 is executed.
[0109]
As described above, in the motor control device 1, when the power switch 20 is turned on, before the motor voltage is lowered while the motor 5 is driving the window glass 30, the EEPROM external memory block MEM is electrically connected. Thus, a plurality of written position data are read from the EEPROM external memory block MEM by the glass position prediction block 18, and the position where the window glass 30 is finally stopped is predicted. Therefore, a plurality of position data can be written without extending the time for writing the position data by the backup capacitor, and the current position can be obtained using the predicted position data. This eliminates the need for a large-capacity backup capacitor that ensures time for the operation.
[0110]
【The invention's effect】
As described above, according to the motor control device of the first aspect of the present invention, while the motor is driving the load, the power switch is turned off, the motor voltage is lowered, and the power supply voltage is a predetermined value. When the following occurs, the position data is continuously written in the nonvolatile memory at predetermined time intervals. Therefore, there is no need for a large-capacity backup capacitor that secures time for writing position data. Therefore, it is possible to reliably write a plurality of position data without requiring a large-capacity backup capacitor, and to obtain an excellent effect that a compact outer shape can be obtained.
[0111]
According to the motor control device of the present invention, the glass position prediction block of the controller reads a plurality of position data already written in the nonvolatile memory when the power switch is turned on, Each of the three pieces of position data is compared, and position data calculation processing after the last written position data is performed a plurality of times, thereby obtaining position data where the load has finally stopped. Therefore, in addition to the effect of the first aspect, when the motor voltage is lowered, even if the number of position data electrically written in the nonvolatile memory is reduced, the final position data can be surely obtained. There is an excellent effect of being able to.
[0112]
According to the motor control apparatus of the third aspect of the present invention, the rotation signal given from the motor rotation detecting means becomes longer when the motor is locked, and the pulse interval measuring block of the controller is provided with the motor rotation detecting means. The period of the given rotation signal is measured. Therefore, in addition to the effect of the first aspect, the pulse interval measurement block has an excellent effect that the load state of the motor is detected by detecting the period of the rotation signal.
[0113]
According to the motor control device of the present invention, the motor lock determination block of the controller compares the period value given by the pulse interval measurement block with a predetermined determination value, and the pulse interval measurement block When the given period value exceeds a predetermined determination value, the control block is determined whether or not the motor is locked. Therefore, in addition to the effect of the third aspect, the glass position data is not lost even if the power switch is turned off while the motor is locked.
[0114]
According to the motor control apparatus of the fifth aspect of the present invention, the one-touch operation memory block of the controller is switched on when the open switch or the closed switch is turned off after the open switch or the closed switch is turned on for a long time. The descending command signal or the ascending command signal memorized at the time is generated continuously. Therefore, in addition to the effect of claim 1, since the command signal generated from the open switch or the close switch is held by the one-touch operation memory block, an additional switch such as an auto switch is required in addition to the open switch and the close switch. Excellent effect of not.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of a motor control device according to the present invention.
FIG. 2 is a specific circuit diagram of the motor control device shown in FIG. 1;
FIG. 3 is a timing chart when performing memory writing in the motor control device shown in FIG. 1;
4 is a timing chart when position prediction is performed in the motor control device shown in FIG. 1; FIG.
FIG. 5 is an explanatory diagram of a memory used when performing position prediction in the motor control device shown in FIG. 1;
FIG. 6 is a flowchart illustrating main control operations in the motor control device shown in FIG. 1;
7 is a flowchart for explaining main control operations in the motor control device shown in FIG. 1; FIG.
FIG. 8 is a flowchart for explaining a memory write control operation in the motor control device shown in FIG. 1;
FIG. 9 is a flowchart illustrating a memory write control operation in the motor control device shown in FIG. 1;
FIG. 10 is a flowchart illustrating a position prediction control operation in the motor control device shown in FIG. 1;
FIG. 11 is a flowchart illustrating a position prediction control operation in the motor control device shown in FIG. 1;
12 is a flowchart for explaining a position prediction control operation in the motor control device shown in FIG. 1; FIG.
FIG. 13 is a flowchart for explaining a position prediction control operation in the motor control device shown in FIG. 1;
FIG. 14 is a timing chart in a conventional motor control device.
[Explanation of symbols]
1 Motor controller
2 Open switch
3 Close switch
5 Motor
6 (Motor rotation detection means) Rotation sensor
7 (Motor drive circuit) Motor drive block
12 One-touch action memory block
16 Pulse interval measurement block
17 Motor lock judgment block
18 Glass position prediction block
20 Power switch
MCU (Controller) Central processing circuit
MEM (nonvolatile memory) EEPROM external memory block
VB motor voltage

Claims

A power switch;
A motor drive circuit electrically connected to the power switch;
A motor electrically connected to the motor drive circuit and coupled to an open / close load, and driving the load to the open side or the closed side by the operation of the motor drive circuit;
Motor rotation detection means for generating a rotation detection signal by rotation of the motor;
An open switch that generates a lowering command signal when switched on;
A closed switch that generates an ascending command signal when switched on;
Electrically connected to the power switch, motor drive circuit, motor rotation detection means, open switch, and close switch, respectively, and when a lowering command signal is given from the open switch, a current for driving the load to the open side is driven by the motor. A controller for supplying a current to the motor via a motor drive circuit while driving the load to the closed side when an ascending command signal is given from the close switch while being supplied to the motor via a circuit;
Non-volatile that can read and write a plurality of electrical signals by converting the rotation signal given by the motor rotation detection means into position data when the motor voltage drops while the motor is driving the load Memory,
When the power switch is turned off while the motor is in operation and the power switch is turned off, the position data is updated at predetermined time intervals when the power supply voltage falls below a predetermined value. A motor control device comprising a control block having a function of continuously writing in a nonvolatile memory.

The controller reads a plurality of position data written in the non-volatile memory when the power switch is turned on, compares each of the three position data, and writes the last written position. The motor control device according to claim 1, further comprising a glass position prediction block that performs subsequent position data calculation processing of data a plurality of times until final position data is obtained.

2. The motor control apparatus according to claim 1, wherein the controller includes a pulse interval measurement block for measuring a cycle of a rotation signal given from the motor rotation detection means.

The controller includes a motor lock determination block that determines a lock of the motor by comparing the period value of the rotation signal given from the pulse interval measurement block with a predetermined determination value. The motor control device according to claim 3.

The controller stores the lowering command signal or the rising command signal when the time during which the open switch or the closed switch is switched on exceeds a predetermined value, and then the open switch or the closed switch is switched off. The motor control device according to claim 1, further comprising a one-touch operation storage block that continuously generates a descending command signal or an ascending command signal.