JP3648893B2

JP3648893B2 - 電子写真感光体の製造方法

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Publication number: JP3648893B2
Application number: JP34022896A
Authority: JP
Inventors: 正典村瀬; 昌彦宮本
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd; Fujifilm Business Innovation Corp
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1996-12-19
Filing date: 1996-12-19
Publication date: 2005-05-18
Anticipated expiration: 2016-12-19
Also published as: JPH10186689A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真に用いられる導電性基体上に光導電性材料等の塗布液を浸漬塗布してなる電子写真感光体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、電子写真感光体の製造方法として、浸漬塗布方法は広く実施されており、その方法は、基本的に塗布液槽の中に、被塗布物である導電性基体を下降させていき、塗布したいところまで基体を浸漬させた後、上昇させることによる。この浸漬塗布方法は、ドラム状の感光体の製造方法として、生産性、膜厚の均一性などにおいて優れた方法である。しかしながら、塗布工程においては、様々な問題を有している。例えば、塗布液に対して基体の温度が高すぎる場合は、基体上での塗布液粘度が低下し液ダレを起こすことにより、均一な塗膜を得ることができない。また、塗布液に対して基体の温度が低すぎる場合は、浸漬時に基体内部に封じ込められた空気の膨張、および塗布液の溶媒蒸発による基体下部よりの発泡を生じ、著しい塗膜欠陥を招くこととなる。
【０００３】
特に、この浸漬塗布法においては、生産性を向上するために複数の基体を一つの基体チャック支持具に取り付け、この基体チャック支持具毎に浸漬を行うことが一般的であるが、このような場合、所定の温度の空気を基体に吹きつけることで基体の温度を制御しても、基体チャック支持具に支持された複数の基体の個々の温度に誤差が生じる場合、この塗膜欠陥が悪化するという問題もあった。
【０００４】
すなわち、各々の基体の温度差によって、例えば、基体の温度が液温度に対して異なっていた場合、塗布時の基体臨界点での塗布液粘度差が生じ塗膜の膜厚むらを招き、また、基体の温度が液温度に対して低い場合には、基体浸漬時に基体内部に封じ込まれた空気が塗布液の温度によって膨張し塗布液の溶媒蒸発による内部圧力の上昇による発泡が起因となる塗膜欠陥を招くこともある。
【０００５】
このような複数の塗布前基体の温度差が生ずる問題は、特に、導電性基体の前処理としての洗浄、乾燥工程の後、直ちに、浸漬塗布行われる場合に著しい。即ち、感光体基体の乾燥工程後に塗布工程を行う場合、生産性向上のために基体の温度を塗布液温度を考慮しながら所定の温度に短時間で調製する必要があり、このため、通常、冷風の吹きつけなどによって強制冷却を行うが、それによる個々の基体への冷却風の吹きつけ条件や、熱容量の差異による熱伝導の差異のため、個々の基体間で温度差が生じやすくなると考えられる。また、自然冷却によっても熱伝導の差異による温度差が生じることは明らかである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、浸漬塗布方法により電子写真感光体の基体を複数同時に処理する方法において、該複数電子写真感光体の各々に関してばらつきなく均一に塗膜を塗布することができる方法、特に、塗布液浸漬中に基体下部より生じる発泡、および引き上げ後の液ダレによる塗膜むらを生じさせない、製造安定性に優れた電子写真感光体の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は鋭意研究を重ねたのち、この現象が生ずる原因が塗布前の導電性基体の各々の基体間の温度差に起因する事を見出し、本発明を完成した。
【０００８】
即ち、本発明の電子写真感光体の製造方法は、円筒形の導電性基体の表面に塗布液を浸漬塗布法により付して塗布液層を形成する電子写真感光体の製造方法において、複数個の該導電性基体を基体チャック支持装置下端に設けたチャック装置部によって支持し、塗布液浴中に浸漬塗布して該導電性基体上に塗布液層を形成する工程を含み、該基体チャック支持装置の導電性基体を支持する部材として、（１）一端が基体チャック支持装置と接触し、他端が導電性基体と接触するように基体チャック装置の基体を支持する部材に熱伝導度が１０〜４００Ｗ・ｍ ^-1 ・Ｋ ^-1 の範囲にある金属製リードを配置してなる部材、または、（２）熱伝導度が１０〜４００Ｗ・ｍ ^-1 ・Ｋ ^-1 の範囲にある金属材料を用いた円筒形状のガイド部を備えた部材を用いて、該導電性基体を支持する部材と導電性基材とを面接触するように支持してなり、該基体チャック支持装置に支持された複数個の導電性基体の、塗布前の温度の最大値と最小値との差が１．０℃以内であることを特徴とする。
【０００９】
これらの複数個の導電性基体から前記基体チャック支持装置にわたる熱伝導度が１０〜４００Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1の範囲にあることが好ましい。
【００１０】
通常、基体チャック装置支持具はチャック装置部としてゴム製のチャッキング部材によって導電性基体を支持しているが、ゴムの熱伝導性が低いことから、前記した如き塗布前温度のばらつきが生じ易いと考えられる。従って、複数ある該チャック支持具において、各々の導電性基体をチャック装置部によって支持した状態での個々の基体から前記基体チャック支持装置にわたる部分の熱伝導度を１０〜４００Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1の範囲とすることによって、チャック支持装置から基体への熱移動が短時間に、かつ均一に行われ、個々の基体間の温度差が小さくなり、本発明の効果が達成される。
【００１１】
このような、熱伝導度を達成するためには、基体チャック支持装置の導電性基体を支持する部材に、熱伝導性が１０〜４００Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1の範囲にある材料を用いることが好ましく、具体的には、基体チャック支持装置の支持部材に金属材料を用い、一端が基体チャック支持装置と接触し、他端が導電性基体と接触するように基体チャック支持装置の支持部材に金属性リ−ドを配置する態様、基体チャック装置の支持具として金属材料を用い、該金属材料製の支持部材と導電性基体とが、面接触する態様等が挙げられる。
【００１２】
例えば、熱伝導性が高い金属材料をチャック支持装置として用い、基体との接触面積を相当量確保すれば、当然、熱移動性は良好になり、また、熱伝導性が低いゴム状のチャッキング部材を用いて導電性基体を支持する場合には、チャック装置支持具に連絡する金属状リードを該導電性基体との間にとることによって基体からチャック装置支持具への熱移動をスムーズに行う事が可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
【００１４】
本発明の電子写真感光体の製造方法においては、複数個の該導電性基体を基体チャック装置支持具下端に設けたチャック装置によって支持し、塗布液浴中に浸漬塗布して該導電性基体上に塗布液層を形成する工程を含む。
【００１５】
図１（Ａ）は、複数の導電性基体を同時に浸漬塗布する際に用いる基体チャック支持装置１０に導電性基体１２を支持した状態を示す斜視図であり、図１（Ｂ）はその正面図を示す。ここでは、基体チャック支持装置１０に１０本の導電性基体１２が支持されている。各基体の位置を便宜上、（ａ）〜（ｊ）とする。
【００１６】
本発明の製造方法によれば、この（ａ）〜（ｊ）の位置に取り付けられた基体の塗布液に浸漬する前の温度を測定した場合、（ａ）〜（ｊ）にある基体のうち温度が最大値である基体と、最小値である基体の温度差が１．０℃以下であることが必要である。この個々の基体温度の測定は公知の方法、例えば熱電対温度計等の接触型温度計や非接触型の温度計等を用いて行うことができる。本発明においては、一点の基体、例えば、（ａ）の位置に取り付けられた基体の温度は、その基体の円筒形の長さ方向の一端から１０％の位置、中央部、他端から１０％の位置の３ヵ所の温度を測定した平均値を採用する。
【００１７】
個々の基体の温度のバラツキを小さくする方法としては、基体に与える外的な温度条件を制御する方法が挙げられ、例えば、温度調節のための冷却風の吹きつけ状態を制御する方法、基体へ供給する熱の移動条件を制御する方法等が挙げられる。基体の温度は熱容量の大きい基体チャック支持装置１０のチャックプレートから基体１２へ供給される熱の影響を制御することにより、この基体１２の温度の制御を効率的に行うことができる。即ち、これらの導電性基体１２から基体チャック支持装置１０にわたる熱伝導度を１０〜４００Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1の範囲にすることにより、この各基体１２間の温度のバラツキを少なくすることができるものである。
【００１８】
図１にあるように、基体チャック支持装置１０は、導電性基体１２を支持するためのチャック装置部１４を有しており、チャック装置部１４は基体ガイド部１６及びチャックプレ−ト接合部１８を介してチャックプレ−ト２０に取り付けられている。
【００１９】
基体ガイド部１６、チャックプレ−ト接合部１８及びチャックプレ−ト２０は通常アルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の金属類を用いることが一般的であり、これらの金属の熱伝導度は、例えば、アルミニウムが２３４〜２３８Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1、ステンレス鋼が１３〜１６Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1であり、いずれも前記の範囲に適合している。これらを形成する材料としては、必ずしも金属に限定されず、熱伝導度が上記の好ましい範囲であれば他の材料を用いることもできる。基体ガイド部１６、チャックプレ−ト接合部１８は、基体を支持するための部材であり、本発明においては、これらにチャック支持部１４を合わせてチャック装置支持具２２と総称し、また、さらに、チャック装置支持具２２にチャックプレート２０を合わせて基体チャック支持装置１０と総称する。
【００２０】
図２は従来の基体チャック支持装置におけるチャック装置部１４が基体１２を保持した状態の詳細を示す概略断面図である。図２に示すように導電性基体１２はチャック装置部１４によって保持される。チャック装置部１４には通常ゴム材料を使用し、ゴム製部材をエア−によって膨らます、あるいは又、圧力をかけてつぶす等の手段によって基体１２を保持させ、また、エア−を抜く、あるいは又、圧力を落とすことによって基体１２を離すことが可能となる。
【００２１】
図２の如きチャック装置支持具２２では、基体１２と基体ガイド部１６との間は、線状に接触しているにすぎず、全体としては熱伝導性の低いゴム製のチャック装置部１４を介して連結している。チャック装置部１４を構成するゴム材料の熱伝導性は、例えば、ブチルゴムで３．１１×１０^-4Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1、シリコーンゴムでも４〜１０^-4Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1程度と非常に低いため、所望の熱伝導性が１０〜４００Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1の範囲を達成することはできない。このようなチャック装置支持具２２を用いる場合には、基体の乾燥後や基体への冷却風の供給後に、各基体の温度を均一とするための十分な保持時間を確保することが好ましい。
【００２２】
本発明においては、チャック装置部１４、基体ガイド部１６、チャックプレート２０等の各部材間が熱移動可能な接触面積をもって接触している場合には、各部材の材料の熱伝導度を測定し、それらの熱伝導度が全て１０〜４００Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1の範囲にあることをもって、基体チャック支持装置１０と基体１２との間の熱伝導度が１０〜４００Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1の範囲にあるものとする。
【００２３】
このような熱伝導性を達成するための手段として、伸縮性のゴム材料からなるチャック装置部１４の表面に配置して、熱の移動性を向上させる金属製のリードを有する態様が挙げられる。図４は、本発明におけるチャック装置支持具２２に導電性基体１２と接触させる構造の金属製リ−ド２６を有する基体支持装置の一例を示す概略図である。図４に示したように金属製の薄層フィルム２６を短冊状に、チャックプレ−ト接合部１８から吊るし、チャック装置部１４が導電性基体１２をチャックする際、該基体１２と接触し、熱伝導性を確保するようになっている。
【００２４】
金属製リ−ド２６は、基体との接触面積が少なくとも５ｃｍ²以上であるような大きさを有する、厚さ１〜１０００μｍ程度の金属の薄層フィルムが熱移動の効率の観点からは好ましく、ここに用いる金属としては、アルミ箔等が好ましい。
【００２５】
また、熱伝導性を達成するための他の手段として、基体１２と基体ガイド部との間の接触面積を十分にとった、円筒形状の基体ガイド部２８を有する態様が挙げられる。図５は、チャックプレート接合部１８の先端に円筒形状の基体ガイド部２８が連結されたチャック装置支持具３０の概略図である（ここにおいても、円筒形状の基体ガイド部２８、チャックプレート接合部１８、チャック装置部１４を合わせたものをチャック装置支持具３０と総称する）。円筒形状の基体ガイド部２８の外径は基体１２の内径に適合するようになしてあり、基体ガイド部２８の外周全体で基体１２と接触しており、熱の移動が好適に行われる。このときの接触面積としては、少なくとも５ｃｍ²程度以上であることが好ましい。
【００２６】
本発明の電子写真感光体の製造方法は、機能分離型の積層感光体の何れの塗布にも用いることが可能である。例えば、電子写真感光体が、導電性基体上に少なくとも電荷発生層、電荷輸送層を積層してなるものである場合、塗布液層は電荷発生層であっても、電荷輸送層であってもよく、また、電子写真感光体が、導電性基体上に少なくとも下引き層、電荷発生層、電荷輸送層を積層してなるものである場合、塗布液層は、下引き層、電荷発生層、電荷輸送層の何れであってもよい。
【００２７】
本発明の電子写真感光体に用いられる導電性基体としては、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の金属類、およびアルミニウム、チタニウム、ニッケル、クロム、ステンレス、金、バナジウム、酸化錫、酸化インジウム、ＩＴＯ等の薄膜を設けたプラスチックフィルム等あるいは導電性付与剤を塗布、または、含浸させた紙、およびプラスチックフィルム等が挙げられる。さらに必要に応じて導電性支持体の表面は、画質に影響のない範囲で各種の処理を行うことができる。例えば、表面の酸化処理や薬品処理、及び、着色処理等または、砂目立てなどの乱反射処理等を行うことができる。
【００２８】
以下に、各塗布液層について説明する。下引き層に用いる結着樹脂はポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール樹脂、水溶性ポリエステル樹脂、ニトロセルロース、カゼイン、ゼラチン、ポリグルタミン酸、澱粉、スターチアセテート、アミノ澱粉、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ジルコニウムキレート化合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、チタニルキレート化合物、チタニルアルコキシド化合物、有機チタニル化合物、シランカップリング剤等の公知の材料を用いることができるが、これらに限定されるものではない。これらの結着樹脂は単独あるいは２種以上混合して用いることができる。
【００２９】
電荷発生層は電荷発生材料を主成分とし、必要に応じて公知の結合剤、可塑剤、増感剤を用いることができる。電荷発生材料としては、アゾ顔料、ジスアゾ顔料、キノン顔料、キノシアニン顔料、ペリレン顔料、インジゴ顔料、ビスベンゾイミダゾール顔料、フタロシアニン顔料、キナクリドン顔料、ピリリウム塩、アズレニウム塩、三晶方型セレンなどが挙げられる。結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択することができる。また、これらの電荷発生材料は単独あるいは２種以上混合して用いることができる。また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシランなどの有機光導電性ポリマーから選択することもできる。好ましい結着樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノールＡとフタル酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等の公知の絶縁性樹脂をあげることができるが、これらに限定されるものではない。また、これらの結着樹脂は単独あるいは２種以上混合して用いることができる。
【００３０】
電荷輸送層は、電荷輸送材料を適当な結着樹脂中に含有させて形成される。電荷輸送材料としては、２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール誘導体、１，３，５−トリフェニル−ピラゾリン、１−［ピリジル−（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン誘導体、トリフェニルアミン、ジベンジルアニリン等の芳香族第３級アミノ化合物、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ．Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン等の芳香族第３級ジアミノ化合物、３−（４’−ジエチルアミノフェニル）−５，６−ジ−（４’−メトキシフェニル）−１，２，４−トリアジン等の１，２，４−トリアミン誘導体、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１’−ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン誘導体、２−フェニル−４−スチリルキナゾリン等のキナゾリン誘導体、６−ヒドロキシ−２，３−ジ（ｐ−メトキシフェニル）ベンゾフラン等のベンゾフラン誘導体、ｐ−（２，２’−ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン等のα−スチルベン誘導体、「ジャーナルオブイメージングサイエンス（ＪｏｕｒｎａｌｏｆＩｍａｇｉｎｇＳｃｉｅｎｃｅ）」２９巻、７〜１０頁（１９８５）に記載されているエナミン誘導体、Ｎ−エチルカルバゾール等のポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリ−γ−カルバゾールエチルグルタメートおよびその誘導体、さらにはピレン、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−９−ビフェニルアントラセン、ピレン／ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール／ホルムアルデヒド樹脂等の公知の電荷輸送材料を用いることができるが、これらに限定されるものではない。また、これらの電荷輸送材料は単独あるいは２種以上混合して用いることができる。
【００３１】
さらに電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールなどの公知の樹脂を用いることができるが、これらに限定されるものではない。また、これらの結着樹脂は単独あるいは２種以上混合して用いることができる。
【００３２】
下引き層、電荷発生層および電荷輸送層の塗布液作成に用いる溶剤には、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、クロロホルム、ジクロルメタン、ジクロルエタン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類、等の一般に電子写真感光体の塗布液の作成に用いられる公知の有機溶媒を用いることができるが、これらに限定されるものではない。また、これらの溶剤は単独あるいは２種以上混合して用いることができる。
【００３３】
【実施例】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下の諸例で用いた化合物および塗布液の組成は、以下の通りである。
塗布液Ａ（下引き層）
構造式（１）のジルコニウム化合物２０重量部
構造式（２）のシランカップリング剤２重量部
構造式（３）のポリビニルブチラール樹脂２重量部
ｎ−ブタノール７０重量部
塗布液Ｂ１（電荷発生層）
クロルガリウムフタロシアン５重量部
構造式（６）の塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体５重量部
酢酸ｎ−ブチル６５重量部
キシレン１３０重量部
上記塗布液Ｂ１の成分を１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンドミルで２時間分散して得られた分散液
塗布液Ｂ２（電荷発生層）
クロルガリウムフタロシアン５重量部
構造式（６）の塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体５重量部
酢酸ｎ−ブチル１９５重量部
上記塗布液Ｂ２の成分を１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンドミルで２時間分散して得られた分散液
塗布液Ｃ１（電荷輸送層）
構造式（４）の電荷輸送物質１重量部
構造式（５）のポリカーボネイト樹脂１重量部
モノクロルベンゼン３重量部
テトラヒドロフラン３重量部
塗布液Ｃ２（電荷輸送層）
構造式（４）の電荷輸送物質１重量部
構造式（５）のポリカーボネイト樹脂１重量部
モノクロルベンゼン６重量部
【００３４】
【化１】

【００３５】
【化２】

【００３６】
（実施例１〜１０）
３０ｍｍφ×３４０ｍｍＬの円筒状アルミ基材を、図１に示す装置にチャックで固定し、水洗浄後、１３０℃で３分間乾燥した。塗布液Ａ（下引き層）の塗布前に図６に示すようにチャックプレート上部から１５℃の冷却風を３分間あてることによりアルミ基材及び基体チャック支持装置を冷却し、塗布液Ａ（下引き層）を、乾燥平均膜厚が１．０μｍになるような引上げ速度で浸漬塗布し、自然乾燥２分間、乾燥温度１５０°Ｃ、１０分間乾燥した。基体チャック支持装置に取り付けられた１０個の導電性基体の塗布前の温度を測定し、塗布前アルミ基材温度の最大値、最小値の差を求めた。一方、アルミ基材１個を、各々（ａ）〜（ｊ）位置の基体チャック支持装置にチャッキングした状態で導電性基体の熱伝導度を測定し、その測定値の最大値、最小値の値も表１に示した。
（比較例１〜１０）
実施例１〜１０において塗布ブ−ス温度、塗布液温度、塗布前基材温度の各々の最大値と最小値の差、アルミ基材を基体チャック支持装置にチャッキングした状態での個々の熱伝導度の最大値、最小値の条件を下記表６のように変えた他は実施例１〜１０と同じ条件で浸漬塗布した。
（実施例１１〜２０）
３０ｍｍφ×３４０ｍｍＬの円筒状アルミ基材を、図１に示す装置にチャックで固定し、実施例１〜１０と同じ条件で下引層を塗布乾燥後、塗布液Ｂ１（電荷発生層）を塗布した。その際、塗布前に１５℃の冷却風により、アルミ基材及び基体チャック支持装置を１０分間冷却し、塗布液Ｂ１（電荷発生層）を、乾燥平均膜厚が０．２μｍになるような引上げ速度で塗布し、２０分間８０℃で乾燥した。この際、アルミ基材の塗布前の温度を測定し、塗布前アルミ基材温度の最大値、最小値の差を求めた。一方、実施例１〜１０と同様にアルミ基材１個を、各々（ａ）〜（ｊ）位置の基体チャック支持装置にチャッキングした状態で導電性基体の熱伝導度を測定し、その測定値の最大値、最小値の値も表２に示した。
（比較例１１〜２０）
実施例１１〜２０において塗布ブ−ス温度、塗布液温度、塗布前基材温度の各々の最大値と最小値の差、アルミ基材を基体チャック支持装置にチャッキングした状態での個々の熱伝導度の最大値、最小値の条件を下記表７のように変えた他は実施例１１〜２０と同じ条件で浸漬塗布した。
（実施例２１〜３０）
塗布液Ｂ１をＢ２にした以外は、実施例１１〜２０と同様に塗布した。結果を表３に示した。
（比較例２１〜３０）
実施例２１〜３０において塗布ブ−ス温度、塗布液温度、塗布前基材温度の各々の最大値と最小値の差、アルミ基材を基体チャック支持装置にチャッキングした状態での個々の熱伝導度の最大値、最小値の条件を下記表８のように変えた他は実施例２１〜３０と同じ条件で塗布した。
（実施例３１〜４０）
３０ｍｍφ×３４０ｍｍＬの円筒状アルミ基材を、図１に示す装置にチャックで固定し、実施例１〜１０と同じ条件で下引層を塗布乾燥し、さらに、実施例１１〜２０と同じ条件で電荷発生層Ｂ１を塗布乾燥した後、塗布液Ｃ１（電荷輸送層）を塗布した。その際、塗布前に１５℃の冷却風により、アルミ基材及び基体チャック支持装置を１０分間冷却し、塗布液Ｃ１（電荷輸送層）を、乾燥平均膜厚が２０μｍになるような引上げ速度で塗布し、自然乾燥２分間、乾燥温度１３５°Ｃ、６０分間乾燥した。アルミ基材の塗布前の温度を測定し、塗布前アルミ基材温度の最大値、最小値の差を求めた。一方、アルミ基材１個を、各々（ａ）〜（ｊ）位置の基体チャック支持装置にチャッキングした状態でアルミ基材の熱伝導度を測定し、その測定値の最大値、最小値の値も表４に示した。
（比較例３１〜４０）
実施例３１〜４０において塗布ブ−ス温度、塗布液温度、塗布前基材温度の各々の最大値と最小値の差、アルミ基材を基体チャック支持装置にチャッキングした状態での個々の熱伝導度の最大値、最小値の条件を下記表９のように変えた他は実施例３１〜４０と同じ条件で塗布した。
（実施例４１〜５０）
塗布液Ｃ１をＣ２にした以外は、実施例３１〜４０と同様に塗布した。結果を表５に示した。
（比較例４１〜５０）
実施例４１〜５０において塗布ブ−ス温度、塗布液温度、塗布前基材温度の各々の最大値と最小値の差、アルミ基材を基体チャック支持装置にチャッキングした状態での個々の熱伝導度の最大値、最小値の条件を下記表１０のように変えた他は実施例４１〜５０と同じ条件で塗布した。
［塗膜の均一性の評価］
実施例１〜５０および比較例１〜５０で得られた塗膜上部（アルミ基材上端より３０ｍｍ）および下部（アルミ基材下端より３０ｍｍ）の膜厚を測定し、塗膜の均一性を評価した。なお、下記に示す基準で、前記図１（Ｂ）の（ａ）〜（ｊ）における１０本の円筒状アルミ基体のすべてを評価し、すべてが良好である場合を「良好」と評価し、１本でも不良があった場合には「不良」と評価した。
【００３７】
実施例１〜１０および比較例１〜１０（下引き層）では、
｜下部膜厚−上部膜厚｜≦０．１μｍ
であれば、塗膜性は良好であるとした。
実施例１１〜３０および比較例１１〜３０（電荷発生層）では、
｜下部膜厚−上部膜厚｜≦０．０２μｍ
であれば、塗膜性は良好であるとした。
実施例３１〜５０および比較例３１〜５０（電荷輸送層）では、
｜下部膜厚−上部膜厚｜≦２μｍ
であれば、塗膜性は良好であるとした。
【００３８】
評価の結果を表１〜１０にあわせて示す。
なお、実施例中に用いた基体支持装置として、実施例番号の下一桁が１〜３のもの（実施例１〜３、実施例１１〜１３、実施例２１〜２３等）については、図４に示す構造のものを用いた。基体支持装置としてＳＵＳ３０４（熱伝導度：約１６．７Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1）を、金属性リ−ドとしてアルミニウムフィルム（厚さ：５０μｍ、熱伝導度：約２３４Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1）を使用した。実施例番号の下一桁が４〜６のもの（実施例４〜６、実施例１４〜１６、実施例２４〜２６等）については、図５の構造のもの、即ち、基体ガイドの幅を基体に対して、幅広く接触するよう円筒形のガイドを配置したものを用いている。なお、基体支持装置としてＳＵＳ３０４（熱伝導度：約１６．７Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1）を使用している。前記各実施例については、パイプ及び基体チャック支持装置冷却後２分間で、塗布を行った。
【００３９】
また、実施例番号の下一桁が７〜０のもの（実施例７〜１０、実施例１７〜２０、実施例２７〜３０等）については、図２の従来の構造のものを使用し、パイプ冷却後２０分間の塗布ブ−ス放置時間を置いた後、塗布を行った。
【００４０】
また、比較例１〜５０は、基体支持装置として図２の従来の構造のものを使用した。パイプ及び基体チャック支持装置冷却後２分間で塗布を行ったものが、比較例番号の下一桁が１〜３のもの（比較例１〜３、比較例１１〜１３、比較例２１〜２３等）であり、パイプ及び基体チャック支持装置冷却後３分間で塗布を行ったものが、比較例番号の下一桁が４〜６のもの（比較例４〜６、比較例１４〜１６、比較例２４〜２６等）であり、パイプ及び基体チャック支持装置冷却後５分間で塗布を行ったものが、比較例番号の下一桁が７〜０のもの（比較例７〜１０、比較例１７〜２０、比較例２７〜３０等）である。
【００４１】
【表１】

【００４２】
【表２】

【００４３】
【表３】

【００４４】
【表４】

【００４５】
【表５】

【００４６】
【表６】

【００４７】
【表７】

【００４８】
【表８】

【００４９】
【表９】

【００５０】
【表１０】

【００５１】
上記表１から１０に示す結果からも明らかなように、同一の基体チャック支持装置に取り付けられた複数の基体の温度差が本発明の範囲内である実施例は全て、塗膜の均一性が良好であり、均一な塗布層を得られることがわかった。このとき、温度の制御については、従来の基体チャック支持装置を用いた場合には、十分な温度の安定時間を取ることにより、各基体の温度の均一性が達成できるが、基体チャック支持装置から基体にわたる熱伝導度を好ましい１０〜４００Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1の範囲とすることにより、温度調節後、短時間で塗布を行っても温度の均一性、塗膜の均一性が達成できることがわかった。
【００５２】
一方、基体の温度の均一性が十分に確保されない各比較例においては、均一な塗膜を得ることができなかった。
【００５３】
【発明の効果】
本発明の電子写真感光体の製造方法によれば、浸漬塗布方法により電子写真感光体を複数同時に製造する方法において、該複数電子写真感光体の各々に関してばらつきなく均一に塗膜を塗布することができ、特に、塗布液浸漬中に基体下部より生じる発泡、および引き上げ後の液ダレによる塗膜むらを生じさせないで均一な塗膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真感光体の製造方法に用いうる基体チャック支持装置の一態様を示す斜視図である。
【図２】従来の基体チャック支持装置に用いられるチャック装置支持具を示す概略図である。
【図３】基体チャック支持装置から導電性基体にわたる熱伝導度を測定する状態を示すモデル図である。
【図４】導電性基体と基体チャック支持装置とを接触させる構造の金属製リ−ドを有するチャック装置支持具の一例を示す概略図である。
【図５】チャックプレート接合部の先端に円筒形状の基体ガイド部が連結されたチャック装置支持具の一例を示す概略図である。
【図６】基体チャック支持装置のチャックプレート上部から冷却風をあてた状態を示す概略図である。
【符号の説明】
１０基体チャック支持装置
１２導電性基体
１４チャック装置部
１６基体ガイド部
１８チャックプレート接合部
２０チャックプレート
２２チャック装置支持具
２６金属製リ−ド（金属製の薄層フィルム）
２８円筒形状の基体ガイド部
３０チャック装置支持具

Claims

円筒形の導電性基体の表面に、浸漬塗布法により塗布液を付して塗布液層を形成する電子写真感光体の製造方法において、
複数個の該導電性基体を基体チャック支持装置の下端に設けたチャック装置部によって支持し、塗布液浴中に浸漬塗布して該導電性基体上に塗布液層を形成する工程を含み、
該基体チャック支持装置の導電性基体を支持する部材として、（１）一端が基体チャック支持装置と接触し、他端が導電性基体と接触するように基体チャック装置の基体を支持する部材に熱伝導度が１０〜４００Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1の範囲にある金属製リードを配置してなる部材、または、（２）熱伝導度が１０〜４００Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1の範囲にある金属材料を用いた円筒形状のガイド部を備えた部材を用いて、該導電性基体を支持する部材と導電性基材とを面接触するように支持してなり、
該基体チャック支持装置に支持された複数個の導電性基体の、塗布前の温度の最大値と最小値との差が１．０℃以内であることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
前記複数個の導電性基体から前記基体チャック支持装置にわたる熱伝導度が１０〜４００Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。