JP3670116B2 - Lead frame manufacturing method - Google Patents
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に使用されるリードフレームの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、リードフレームは、一枚のリードフレーム材にエッチング加工もしくはプレスによる打ち抜き加工を施すことにより形成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
現在、半導体装置のファインピッチ化が急速に進むにつれ、リードフレームの本数が増加する傾向にある。この場合、リードフレームの幅を細くせざるを得ず、後で詳細に説明するように、従来のような打ち抜き加工ではワイヤボンド領域が確保できないという問題点が生ずる。
【０００４】
本発明は、半導体装置のファインピッチ化が急速に進み、リードフレームの本数が増加し、リードフレームの幅を細くせざるを得ない状況においても十分なワイヤボンド領域を確保できるリードフレームの形成方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
第１の発明は、リードフレームの製造方法において、２つのリードフレーム材で構成され、それぞれの被ワイヤボンド面が接着力の弱い接着剤で接着されたリードフレーム部材を準備する工程と、このリードフレーム部材を打ち抜き加工することにより所望形状のリードフレーム部材を形成する工程と、この所望形状のリードフレーム部材の接着された被ワイヤボンド面を剥離し、接着剤を洗浄して除去することにより２つのリードフレームを形成する工程とを有するようにしたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
第２の発明は、リードフレームの製造方法において、複数のリードフレーム材がその厚さ方向にそれぞれ接着力の弱い接着剤で接着されたリードフレーム部材を準備する工程と、このリードフレーム部材を打ち抜き加工することにより所望形状のリードフレーム部材を形成する工程と、この所望形状のリードフレーム部材の接着された面を剥離し、接着剤を洗浄して除去することによりその剥離面を被ワイヤボンド面とする複数のリードフレームを形成する工程とを有するようにしたものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１のリードフレームの製造方法を示す図である。
【０００８】
まず、図１（ａ）に示すように、リードフレーム材１１とリードフレーム材１３で構成されるリードフレーム部材１５をプレス台（図示せず）に設置する。このリードフレーム材１１の裏面とリードフレーム材１３の表面は接着されている。この接着面をＡとする。ここで接着剤は後にリードフレームをはがすことを考慮し、接着力の弱いものを選択する。
【０００９】
次に、図１（ｂ）に示すように、リードフレーム部材１５を所望の形状にパンチ１７により打ち抜く。
【００１０】
次に、接着面Ａを剥離し、接着剤をアルコール洗浄等で除去することにより、２つのリードフレームが１度のパンチで形成できる。
【００１１】
この時、それぞれのリードフレームのワイヤボンド面は、接着面Ａ側となる。
【００１２】
ここで、本発明の効果を明確にするために、比較のためのリードフレームの製造方法を示す図である図２を参照しながら１枚のリードフレーム材を打ち抜く場合について説明する。
【００１３】
図２（ａ）に示すように、１枚のリードフレーム材２１を図２（ｂ）に示すようにパンチ２７により打ち抜く。
【００１４】
この場合、図２（ｃ）に示すように、リードフレームの断面の両端がアール状になり実際のパンチ間隔Ｗ１よりもＲ１およびＲ２分だけワイヤボンド領域Ｗ２が狭くなる。
【００１５】
これに対し、本発明のリードフレームの製造方法によれば、図１（ｂ）に示すように、接着面Ａについては、両端がアール状となることがなく、図１（ｃ）に示すように、加工後のリードフレーム材１１の接着面Ａ側の面は、パンチ間隔Ｗ１のワイヤボンド領域が確保され、また、加工後のリードフレーム材１３の接着面Ａ側の面も、パンチ間隔Ｗ１のワイヤボンド領域が確保される。
【００１６】
このように、２枚のリードフレーム材が貼り合わされたリードフレーム部材を打ち抜き加工し、貼り合わされた面を上面、すなわちワイヤボンド面とすれば、広いワイヤボンド領域を確保したリードフレームを形成することができる。
【００１７】
従って、更に幅の狭いリードフレームの作成が可能となり、半導体装置のファインピッチ化に容易に対応できる。
（第２の実施の形態）
図３は、本発明の第２のリードフレームの製造方法を示す図である。
【００１８】
まず、図３（ａ）に示すように、３枚のリードフレーム材３１，３２，３３で構成されるリードフレーム部材３５をプレス台（図示せず）に設置する。このリードフレーム材３２の表面とリードフレーム材３１の裏面は接着（接着面Ａ）され、リードフレーム材３２の裏面とリードフレーム材３３の表面は接着（接着面Ｂ）されている。ここで接着剤は後にリードフレームをはがすことを考慮し、接着力の弱いものを選択する。
【００１９】
次に、リードフレーム部材３５を所望の形状にパンチ３７により打ち抜く。
【００２０】
次に、接着面Ａおよび接着面Ｂを剥離し、接着剤をアルコール洗浄等で除去することにより、３つのリードフレームが１度のパンチで形成できる。
【００２１】
この時、それぞれのリードフレームのワイヤボンド面は、接着面Ａもしくは接着面Ｂ側となる。
【００２２】
図３（ａ）に示すように、このリードフレームの製造方法によれば、接着面Ａおよび接着面Ｂについては、その断面の両端がアール状となることがなく、図３（ｂ）に示すように加工後のリードフレーム材３１の接着面Ａ側の面は、パンチ間隔Ｗ１のワイヤボンド領域が確保され、また、加工後のリードフレーム材３３の接着面Ｂ側の面も、パンチ間隔Ｗ１のワイヤボンド領域が確保される。加工後のリードフレーム材３２については、接着面Ａ側、Ｂ側ともパンチ間隔Ｗ１が確保されるため、どちらをワイヤボンド面としてもよい。
【００２３】
本実施の形態では、３枚のリードフレーム材を貼り合わせた場合を説明したが、４枚以上の複数枚のリードフレーム材を用いてもよい。
【００２４】
このように、複数枚のリードフレーム材が貼り合わされたリードフレーム部材を打ち抜き加工し、貼り合わされた面を上面、すなわちワイヤボンド面とすれば、広いワイヤボンド領域を確保したリードフレームを形成することができる。
【００２５】
従って、更に幅の狭いリードフレームの作成が可能となり、半導体装置のファインピッチ化に容易に対応できる。
【００２６】
また、一度の打ち抜き加工で、効率的に複数枚のリードフレームを形成することができる。
【００２７】
【発明の効果】
以上、詳細に説明した様に、第１の発明によれば、２枚のリードフレーム材が貼り合わされたリードフレーム部材を打ち抜き加工し、貼り合わされた面を上面、すなわちワイヤボンド面とすれば、広いワイヤボンド領域を確保したリードフレームを形成することができる。
【００２８】
また、第２の発明によれば複数枚のリードフレーム材が貼り合わされたリードフレーム部材を打ち抜き加工し、貼り合わされた面を上面、すなわちワイヤボンド面とすれば、広いワイヤボンド領域を確保したリードフレームを形成することができる。
【００２９】
このように、本発明によれば、更に幅の狭いリードフレームの作成が可能となり、半導体装置のファインピッチ化に容易に対応できる。
【００３０】
また、一度の打ち抜き加工で、効率的に複数枚のリードフレームを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１のリードフレームの製造方法を示す図である。
【図２】比較のためのリードフレームの製造方法を示す図である。
【図３】本発明の第２のリードフレームの製造方法を示す図である。
【符号の説明】
１１，１３，３１，３２，３３ リードフレーム材
１５，３５ リードフレーム部材
１７，３７ パンチ
Ｗ１ パンチ間隔[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a lead frame used in a semiconductor device.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a lead frame has been formed by subjecting a single lead frame material to a punching process by etching or pressing.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
At present, the number of lead frames tends to increase as the fine pitch of semiconductor devices progresses rapidly. In this case, the width of the lead frame must be narrowed, and as described in detail later, there is a problem that a wire bond region cannot be secured by a conventional punching process.
[0004]
The present invention provides a lead frame forming method capable of securing a sufficient wire bond region even in a situation where the fine pitch of a semiconductor device is rapidly advanced, the number of lead frames is increased, and the width of the lead frame must be reduced. The purpose is to provide.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention, in the lead frame manufacturing method, a step of preparing a lead frame member composed of two lead frame materials and bonded to each wire-bonded surface with an adhesive having a weak adhesive force, and the lead A step of forming a lead frame member having a desired shape by punching the frame member, and removing the wire bonding surface to which the lead frame member having the desired shape is bonded by removing the adhesive and washing and removing the adhesive. Forming two lead frames.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
According to a second aspect of the present invention, in the lead frame manufacturing method, a step of preparing a lead frame member in which a plurality of lead frame members are bonded with an adhesive having a weak adhesive strength in the thickness direction, and the lead frame member is punched out. A step of forming a lead frame member having a desired shape by processing, a surface to which the lead frame member having the desired shape is bonded is peeled off , and the peeled surface is cleaned by removing the adhesive, thereby removing the peeled surface. And a step of forming a plurality of lead frames.
[0007]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing a first lead frame manufacturing method according to the present invention.
[0008]
First, as shown in FIG. 1A, a lead frame member 15 composed of a lead frame material 11 and a lead frame material 13 is installed on a press stand (not shown). The back surface of the lead frame material 11 and the surface of the lead frame material 13 are bonded. Let this adhesive surface be A. Here, in consideration of peeling off the lead frame later, an adhesive having a weak adhesive force is selected.
[0009]
Next, as shown in FIG. 1B, the lead frame member 15 is punched into a desired shape by a punch 17.
[0010]
Next, the adhesive surface A is peeled off, and the adhesive is removed by alcohol washing or the like, so that two lead frames can be formed by one punch.
[0011]
At this time, the wire bond surface of each lead frame is on the bonding surface A side.
[0012]
Here, in order to clarify the effect of the present invention, a case of punching one lead frame material will be described with reference to FIG. 2 which is a diagram showing a lead frame manufacturing method for comparison.
[0013]
As shown in FIG. 2A, one lead frame member 21 is punched out by a punch 27 as shown in FIG.
[0014]
In this case, as shown in FIG. 2C, both ends of the cross section of the lead frame are rounded, and the wire bond region W2 becomes narrower by R1 and R2 than the actual punch interval W1.
[0015]
On the other hand, according to the lead frame manufacturing method of the present invention, as shown in FIG. 1B, both ends of the adhesive surface A are not rounded, as shown in FIG. In addition, the surface on the bonding surface A side of the processed leadframe material 11 has a wire bond region with a punch interval W1, and the surface on the bonding surface A side of the processed leadframe material 13 also has a punch interval W1. The wire bond region is secured.
[0016]
In this way, if a lead frame member having two lead frame materials bonded together is punched out and the bonded surface is used as an upper surface, that is, a wire bond surface, a lead frame having a wide wire bond region is formed. Can do.
[0017]
Accordingly, a lead frame having a narrower width can be created, and the fine pitch of the semiconductor device can be easily coped with.
(Second Embodiment)
FIG. 3 is a diagram showing a second lead frame manufacturing method according to the present invention.
[0018]
First, as shown in FIG. 3A, a
[0019]
Next, the
[0020]
Next, by peeling the adhesive surface A and the adhesive surface B and removing the adhesive by alcohol washing or the like, three lead frames can be formed by one punch.
[0021]
At this time, the wire bond surface of each lead frame is the bonding surface A or bonding surface B side.
[0022]
As shown in FIG. 3 (a), according to this lead frame manufacturing method, both ends of the cross section of the adhesive surface A and the adhesive surface B are not rounded, as shown in FIG. 3 (b). As described above, the surface on the bonding surface A side of the processed lead frame material 31 has a wire bond region with a punch interval W1, and the surface on the bonding surface B side of the processed lead frame material 33 also has a punch interval W1. The wire bond region is secured. Regarding the lead frame material 32 after processing, since the punch interval W1 is secured on both the bonding surface A side and the B side, either one may be used as the wire bonding surface.
[0023]
In this embodiment, the case where three lead frame materials are bonded together has been described. However, four or more lead frame materials may be used.
[0024]
In this way, if a lead frame member having a plurality of lead frame materials bonded together is punched out and the bonded surface is used as an upper surface, that is, a wire bond surface, a lead frame having a wide wire bond region can be formed. Can do.
[0025]
Accordingly, a lead frame having a narrower width can be created, and the fine pitch of the semiconductor device can be easily coped with.
[0026]
Also, a plurality of lead frames can be efficiently formed by a single punching process.
[0027]
【The invention's effect】
As described above in detail, according to the first invention, if the lead frame member on which the two lead frame materials are bonded is punched and the bonded surface is the upper surface, that is, the wire bond surface, A lead frame that secures a wide wire bond region can be formed.
[0028]
Further, according to the second invention, if a lead frame member in which a plurality of lead frame materials are bonded is punched out, and the bonded surface is an upper surface, that is, a wire bonding surface, a lead that secures a wide wire bonding region. A frame can be formed.
[0029]
As described above, according to the present invention, a lead frame having a narrower width can be produced, and it is possible to easily cope with the fine pitch of the semiconductor device.
[0030]
Also, a plurality of lead frames can be efficiently formed by a single punching process.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view showing a first lead frame manufacturing method of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a lead frame manufacturing method for comparison.
FIG. 3 is a diagram showing a second lead frame manufacturing method according to the present invention.
[Explanation of symbols]
11, 13, 31, 32, 33
Claims (2)
２つのリードフレーム材で構成され、それぞれの被ワイヤボンド面が接着力の弱い接着剤で接着されたリードフレーム部材を準備する工程と、
前記リードフレーム部材を打ち抜き加工することにより所望形状のリードフレーム部材を形成する工程と、
前記所望形状のリードフレーム部材の接着された被ワイヤボンド面を剥離し、前記接着剤を洗浄して除去することにより２つのリードフレームを形成する工程と、
を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。In the lead frame manufacturing method,
A step of preparing a lead frame member composed of two lead frame materials, each wire-bonded surface being bonded with an adhesive having a weak adhesive force ;
Forming a lead frame member of a desired shape by punching the lead frame member;
Peeling the bonded wire-bonded surface of the lead frame member of the desired shape and forming two lead frames by washing and removing the adhesive ; and
A method for manufacturing a lead frame, comprising:
複数のリードフレーム材がその厚さ方向にそれぞれ接着力の弱い接着剤で接着されたリードフレーム部材を準備する工程と、
前記リードフレーム部材を打ち抜き加工することにより所望形状のリードフレーム部材を形成する工程と、
前記所望形状のリードフレーム部材の接着された面を剥離し、前記接着剤を洗浄して除去することによりその剥離面をワイヤボンド面とする複数のリードフレームを形成する工程と、
を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。In the lead frame manufacturing method,
Preparing a lead frame member in which a plurality of lead frame materials are each bonded with an adhesive having a weak adhesive force in the thickness direction;
Forming a lead frame member of a desired shape by punching the lead frame member;
Peeling the bonded surface of the lead frame member of the desired shape, forming a plurality of lead frames having the peeled surface as a wire bond surface by washing and removing the adhesive ; and
A method for manufacturing a lead frame, comprising:
Priority Applications (1)
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| JP23396297A JP3670116B2 (en) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | Lead frame manufacturing method |
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| JPH1174437A JPH1174437A (en) | 1999-03-16 |
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|---|---|---|---|---|
| CN113753846A (en) * | 2021-09-07 | 2021-12-07 | 上海晶采微纳米应用技术有限公司 | High-precision metal optical code disc preparation method and high-precision metal optical code disc |
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- 1997-08-29 JP JP23396297A patent/JP3670116B2/en not_active Expired - Fee Related
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