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JP3671051B2 - Electronic component bonding apparatus and bonding method - Google Patents
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Description

本発明は、電子部品のボンディング装置およびボンディング方法に関する。   The present invention relates to an electronic component bonding apparatus and bonding method.

従来、フリップチップ等の電子部品を基板上にボンディングするフリップチップボンディング装置においては、ボンディング点にフラックス、あるいはクリーム半田が塗布された基板を、ボンディングステージ上に位置決めし、この基板上のボンディング点に対し、フリップチップがその半田バンプを介してボンディングされる。   Conventionally, in a flip chip bonding apparatus for bonding electronic components such as flip chips on a substrate, a substrate coated with flux or cream solder is positioned on the bonding stage, and the bonding point on the substrate is set. On the other hand, the flip chip is bonded via the solder bump.

さて、上述したボンディング装置においては、チャックあるいはローラ等を用いた基板搬送装置が設けられる。これらの基板搬送装置は、一対のチャックあるいはローラが開状態から閉状態となって基板を挟持してボンディングステージより持ち上げ、次にこの状態のまま基板を搬送方向に1ピッチ分移動させる。その後、基板を下降させてからチャックあるいはローラを開状態とし、基板をボンディングステージ上に載置した後、チャックあるいはローラは元の位置に戻る。このような従来技術としては、たとえば技術文献1に開示されている。   In the bonding apparatus described above, a substrate transfer apparatus using a chuck or a roller is provided. In these substrate transport apparatuses, the pair of chucks or rollers is changed from the open state to the closed state, the substrate is sandwiched and lifted from the bonding stage, and then the substrate is moved in the transport direction by one pitch in this state. Thereafter, after the substrate is lowered, the chuck or roller is opened, and after placing the substrate on the bonding stage, the chuck or roller returns to its original position. As such a prior art, it is disclosed by the technical document 1, for example.

特開平5−306039号公報JP-A-5-306039

ところで、開閉駆動されるチャックやローラを用いた基板搬送装置を用いた場合、基板を挟む時や基板を開放する時のチャック、あるいはローラの開閉動作に伴なって衝撃が発生し、この衝撃が基板に伝わり、基板に既にボンディングされた電子部品にずれが発生しまうということがあった。これは、ボンディング精度を悪くし、製品の歩留まり低下につながる。   By the way, when a substrate transfer device using a chuck or a roller that is driven to open and close is used, an impact is generated when the chuck or roller opens or closes when the substrate is sandwiched or opened, and this impact is generated. In some cases, the electronic components already transmitted to the substrate are bonded to the substrate. This degrades the bonding accuracy and leads to a decrease in product yield.

また、通常、ボンディングステージは加熱されている。そして、基板が1ピッチずつ間欠的にボンディングステージ上を搬送されることになるが、基板は、送り時にボンディングステージより離れ、送り停止時とボンディング時にはボンディングステージに接して加熱される。したがって、基板はボンディングステージより周期的な加熱作用を受けることになるから、基板に熱ひずみが生じて反り、この結果として良好なボンディングが行なえないということもある。   Usually, the bonding stage is heated. Then, the substrate is intermittently conveyed on the bonding stage by one pitch, but the substrate is separated from the bonding stage at the time of feeding, and is heated in contact with the bonding stage at the time of stopping feeding and at the time of bonding. Therefore, since the substrate is subjected to a periodic heating action from the bonding stage, the substrate is warped due to thermal distortion, and as a result, good bonding cannot be performed.

そこで本発明は、良好なボンディング精度で基板に対して電子部品をボンディングでき、製品の歩留まりを向上させることができる電子部品のボンディング装置およびボンディング方法を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide an electronic component bonding apparatus and bonding method that can bond an electronic component to a substrate with good bonding accuracy and improve the yield of the product.

請求項1に記載の発明は、所定方向に搬送される基板に電子部品をボンディングするボンディング装置において、上記基板を搬入する第1の搬送手段と、この第1の搬送手段によって搬入された基板を受けて移動不能に保持するとともに上記基板の搬送方向に駆動可能に設けられたボンディングステージを有する受け渡し手段と、上記基板の搬送方向に駆動される上記ボンディングステージに移動不能に保持された基板に対し、複数の電子部品を上記搬送方向に所定間隔でボンディングするボンディングヘッドと、このボンディングヘッドで電子部品がボンディングされた基板を上記ボンディングステージから受けて搬出する第2の搬送手段とを具備し、上記ボンディングヘッドによるボンディング位置に位置決めされた上記基板は、上記第1の搬送手段と第2の搬送手段におけるそれぞれの基板の搬送面レベル位置より上方に位置決めされることを特徴とする。
また、請求項2に記載の発明は、所定方向に搬送される基板に電子部品をボンディングするボンディング装置において、上記基板を搬入する第1の搬送手段と、この第1の搬送手段によって搬入された基板を受けて移動不能に保持するとともに上記基板の搬送方向に駆動可能に設けられたボンディングステージを有する受け渡し手段と、上記基板の搬送方向に駆動される上記ボンディングステージに移動不能に保持された基板に対し、複数の電子部品を上記搬送方向に所定間隔でボンディングするボンディングヘッドと、このボンディングヘッドで電子部品がボンディングされた基板を上記ボンディングステージから受けて搬出する第2の搬送手段とを具備し、上記第1の搬送手段と第2の搬送手段とは、上記基板の搬送方向に対して交差する方向に所定の間隔で配置された一対の無端状のベルトを備え、上記ボンディングステージは上記一対のベルト間に進入可能な大きさに形成されていることを特徴とする。
また、請求項3に記載の発明は、上記受け渡し手段は、上記ボンディングステージを上記ボンディングヘッドに対向する位置から上記基板の搬送方向の上流側と下流側とに駆動する往復駆動手段と、上記ボンディングステージを上下方向に駆動する上下駆動手段とを備え、
上記ボンディングステージは、上記第1の搬送手段の基板受け取り位置で下降位置から上昇して基板を受け取り、上記第2の搬送手段の基板受け渡し位置で上昇位置から下降して基板を受け渡すことを特徴とする。
また、請求項4に記載の発明は、上記ボンディングステージには、上記第1の搬送手段から受けた基板を吸着保持する吸着保持手段が設けられていることを特徴とする。
また、請求項5に記載の発明は、上記第1の搬送手段によって搬送される上記基板の搬送位置を検出して上記基板を上記ボンディングステージに受け渡す位置に位置決めする検出手段を有することを特徴とする。
また、請求項6に記載の発明は、上記ボンディングステージには、移動不能に保持した基板を加熱するヒータが設けられていることを特徴とする。
また、請求項7に記載の発明は、上記ボンディングヘッドは、電子部品の供給装置から取り出された後180度反転させられた電子部品を吸着保持して、上記基板にボンディングすることを特徴とする。
また、請求項8に記載の発明は、所定方向に搬送される基板に電子部品をボンディングするボンディング方法において、上記基板を搬入する搬入工程と、この搬入された基板をボンディングステージによって受け取り、このボンディングステージに移動不能に保持する工程と、上記基板を移動不能に保持した上記ボンディングステージを上記基板の搬送方向にピッチ移動させて上記基板におけるボンディング点を順次ボンディング位置に位置決めする工程と、ボンディング位置に位置決めされた上記ボンディング点に対して順次電子部品をボンディングする工程と、この電子部品がボンディングされた基板を上記ボンディングステージから受けて搬出する搬出工程とを具備し、上記ボンディングヘッドによるボンディング位置に位置決めされた上記基板は、上記基板を搬入する搬入工程と基板を搬出する搬出工程におけるそれぞれの基板の搬送面レベル位置より上方に位置決めされることを特徴とする。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a bonding apparatus for bonding an electronic component to a substrate transported in a predetermined direction. The first transport means for transporting the substrate, and the substrate transported by the first transport means. A transfer means having a bonding stage that is received and held immovably and drivable in the substrate transfer direction; and a substrate held immovably on the bonding stage driven in the substrate transfer direction. A bonding head for bonding a plurality of electronic components at a predetermined interval in the conveying direction; and a second conveying means for receiving and unloading the substrate on which the electronic components are bonded by the bonding head from the bonding stage , The substrate positioned at the bonding position by the bonding head is Characterized in the conveying means and second conveying means being positioned upward from the conveying surface level position of each substrate.
According to a second aspect of the present invention, in a bonding apparatus for bonding an electronic component to a substrate transported in a predetermined direction, the first transport means for transporting the substrate, and the first transport means for transporting the substrate. A transfer means having a bonding stage that is received and held immovably and is drivable in the substrate transfer direction, and a substrate held immovably on the bonding stage driven in the substrate transfer direction hand, comprising a bonding head for bonding a plurality of electronic components at predetermined intervals in the conveying direction, the substrate on which the electronic components in the bonding head is bonded and a second conveying means for carrying out by receiving from the bonding stage The first transport unit and the second transport unit intersect with the transport direction of the substrate. Direction comprises a pair of endless belts which are arranged at predetermined intervals, the bonding stage is characterized by being formed on entrance permitted size between the pair of belts.
According to a third aspect of the present invention, the delivery means includes a reciprocating drive means for driving the bonding stage from a position facing the bonding head to an upstream side and a downstream side in the substrate transport direction, and the bonding And a vertical drive means for driving the stage in the vertical direction,
The bonding stage ascends from the lowered position at the substrate receiving position of the first conveying means to receive the substrate, and descends from the elevated position at the substrate delivery position of the second conveying means to deliver the substrate. And
According to a fourth aspect of the present invention, the bonding stage is provided with suction holding means for sucking and holding the substrate received from the first transport means.
The invention according to claim 5 further comprises a detecting means for detecting a transport position of the substrate transported by the first transport means and positioning the substrate at a position where the substrate is delivered to the bonding stage. And
The invention described in claim 6 is characterized in that the bonding stage is provided with a heater for heating the substrate held immovably.
Further, the invention described in claim 7 is characterized in that the bonding head sucks and holds the electronic component that is inverted 180 degrees after being taken out from the electronic component supply device, and bonds the electronic component to the substrate. .
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a bonding method for bonding an electronic component to a substrate transported in a predetermined direction, a loading step for loading the substrate, and the loaded substrate received by a bonding stage. A step of holding the substrate immovably, a step of pitch-moving the bonding stage holding the substrate immovable in the substrate transport direction to sequentially position bonding points on the substrate at a bonding position, and a bonding position A step of sequentially bonding electronic components to the positioned bonding points; and a unloading step of receiving and unloading the substrate on which the electronic components are bonded from the bonding stage, and positioning at a bonding position by the bonding head. Is The substrate is characterized in that it is positioned above the conveying surface level position of each substrate in the loading step and unloading step of unloading the substrate for carrying the substrate.

この発明によれば、基板をボンディングステージ上で移動させずに、その基板に複数の電子部品をボンディングすることができるから、電子部品を精度よく基板にボンディングすることが可能となる。   According to the present invention, since a plurality of electronic components can be bonded to the substrate without moving the substrate on the bonding stage, the electronic components can be bonded to the substrate with high accuracy.

本発明によれば、良好なボンディング精度で基板に対して電子部品をボンディングすることができ、歩留まりを向上させることができる。   According to the present invention, electronic components can be bonded to a substrate with good bonding accuracy, and the yield can be improved.

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は本発明を適用してなるフリップチップボンディング装置の概略平面図、図2は図1の概略正面図、図3は図1で用いられる基板搬送装置の概略平面図、図4は図3の概略正面図である。   FIG. 1 is a schematic plan view of a flip-chip bonding apparatus to which the present invention is applied, FIG. 2 is a schematic front view of FIG. 1, FIG. 3 is a schematic plan view of a substrate transfer apparatus used in FIG. FIG.

図1、図2に示すフリップチップボンディング装置10は、リードフレーム等の基板1の被接続端子群(不図示)に、フリップチップ(以下単に「チップ」という。)2の対応する電極群(不図示)を対向させ、両者を圧接してボンディングするものである。   The flip chip bonding apparatus 10 shown in FIG. 1 and FIG. 2 is connected to a group of connected terminals (not shown) of a substrate 1 such as a lead frame and a corresponding electrode group (not shown) of a flip chip (hereinafter simply referred to as “chip”) 2. (Shown) are opposed to each other, and both are pressed and bonded.

フリップチップボンディング装置10は、チップ供給装置11と、反転ユニット12と、基板搬送装置13と、ボンディングヘッド14を有して構成される。   The flip chip bonding apparatus 10 includes a chip supply apparatus 11, a reversing unit 12, a substrate transfer apparatus 13, and a bonding head 14.

チップ供給装置11は、多数のチップ2の電極面を上向きにして貼着してなるウエハシート3が張設されたウエハリング4を載置するウエハホルダ20と、ウエハシート3が張られたウエハリング4をウエハホルダ20に対して供給、排出するウエハトランスファ21を有する。   The chip supply device 11 includes a wafer holder 20 on which a wafer ring 4 on which a wafer sheet 3 formed by sticking a plurality of chips 2 with the electrode surfaces facing upward is placed, and a wafer ring on which the wafer sheet 3 is stretched. 4 has a wafer transfer 21 for supplying and discharging 4 to / from the wafer holder 20.

反転ユニット12は、ウエハホルダ20上に位置するチップ2を吸着ノズル12Aにて吸着して取り出し、回転ヘッド12Bの回転により、吸着ノズル12Aに吸着したチップ2を180度反転可能となっている。つまり反転ユニット12は、この回転動により、ウエハホルダ20からチップ2を取り出すチップ取り出し位置と、ボンディングヘッド14にチップ2を受け渡すことの可能な位置であるチップ移載位置との間で移動可能とされている。   The reversing unit 12 sucks and takes out the chip 2 located on the wafer holder 20 by the suction nozzle 12A, and can rotate the chip 2 sucked by the suction nozzle 12A by 180 degrees by the rotation of the rotary head 12B. That is, the reversing unit 12 can move between the chip take-out position where the chip 2 is taken out from the wafer holder 20 and the chip transfer position where the chip 2 can be delivered to the bonding head 14 by this rotational movement. Has been.

基板搬送装置13は、図3、図4に示す如く、第1の搬送手段22、第2の搬送手段23、受け渡し手段24を有する。第1の搬送手段22と第2の搬送手段23は、基板1の搬送方向に対して交差する方向に所定間隔で離間した一対の無端状のベルト26,31によって構成されており、受け渡し手段24は後述するボンディングステージ36によって構成されている。   As shown in FIGS. 3 and 4, the substrate transfer apparatus 13 includes a first transfer unit 22, a second transfer unit 23, and a delivery unit 24. The first transport unit 22 and the second transport unit 23 are configured by a pair of endless belts 26 and 31 that are spaced apart at a predetermined interval in a direction intersecting the transport direction of the substrate 1. Is constituted by a bonding stage 36 to be described later.

基板1の搬送方向の上流側に第1の搬送手段22、下流側に第2の搬送手段23が配置され、これら第1、第2の搬送手段22、23の間に受け渡し手段24が配置される。   A first transport unit 22 is disposed upstream of the substrate 1 in the transport direction, a second transport unit 23 is disposed downstream, and a transfer unit 24 is disposed between the first and second transport units 22 and 23. The

第1の搬送手段22は、第1のモータ25を起動させることにより一対のベルト26を無端走行させて基板1を搬送方向Hに搬送する。図3において、22Aは搬送される基板1を案内するガイドレールを示す。ベルト26の最終端近傍には、固定ストッパ27が設けられる。また、ベルトコンベア26の中間点付近には、可動ストッパ28が配置されている。この可動ストッパ28は、シリンダのようなアクチュエータ29の作動により矢印J1で示す上昇方向に駆動されてその先端がベルト26によって搬送される基板1の搬送面より上方に突出可能であり、また矢印J2で示す下降方向にも駆動可能となっている。   The first conveying means 22 activates the first motor 25 to cause the pair of belts 26 to run endlessly and convey the substrate 1 in the conveying direction H. In FIG. 3, reference numeral 22A denotes a guide rail for guiding the substrate 1 to be conveyed. A fixing stopper 27 is provided in the vicinity of the final end of the belt 26. A movable stopper 28 is disposed near the intermediate point of the belt conveyor 26. The movable stopper 28 is driven in the upward direction indicated by the arrow J1 by the operation of an actuator 29 such as a cylinder, and its tip can protrude above the conveyance surface of the substrate 1 conveyed by the belt 26, and the arrow J2 It can also be driven in the downward direction indicated by.

第2の搬送手段23は、第2のモータ30を起動させることによりベルト31を無端走行させ、基板1を搬送方向Hに搬送する。図3において、23Aは搬送される基板1を案内するガイドレールを示す。また、ベルト31の基板搬送面レベルは、第1の搬送手段22のベルト26の基板1の搬送面レベルと略同一に設定されている。   The second transport unit 23 causes the belt 31 to travel endlessly by starting the second motor 30 and transports the substrate 1 in the transport direction H. In FIG. 3, reference numeral 23A denotes a guide rail for guiding the substrate 1 to be conveyed. Further, the substrate conveyance surface level of the belt 31 is set substantially the same as the conveyance surface level of the substrate 1 of the belt 26 of the first conveyance means 22.

因みに、第1、2の搬送手段22、23による基板1の搬送高さは床面から900±30mmに設定されている。   Incidentally, the transport height of the substrate 1 by the first and second transport means 22 and 23 is set to 900 ± 30 mm from the floor surface.

図4に示すように、受け渡し手段24はスライドガイド32と平行に軸支したネジ軸33を第3のモータ34にて正回転することにより、スライドガイド32上のスライドプレート35が、第1の搬送手段22の基板受け取り位置から第2の搬送手段23の基板受け渡し位置まで移動できるようになっている。上記ネジ軸33と第3のモータ34とによって、スライドプレート35を基板1の搬送方向の上流側と下流側とに往復駆動する往復駆動手段を構成している。   As shown in FIG. 4, the delivery means 24 rotates the screw shaft 33 pivotally supported in parallel with the slide guide 32 by the third motor 34 so that the slide plate 35 on the slide guide 32 is moved to the first position. The substrate can be moved from the substrate receiving position of the transfer means 22 to the substrate transfer position of the second transfer means 23. The screw shaft 33 and the third motor 34 constitute reciprocating drive means for reciprocatingly driving the slide plate 35 to the upstream side and the downstream side in the transport direction of the substrate 1.

上記スライドプレート35の上方には、ボンディングステージ36が上下駆動手段を介して上下駆動可能に設けられる。すなわち、この上下駆動手段はスライドプレート35の上面に基板1の搬送方向に沿って離間した一対のスライドガイド37を有する。このスライドガイド37には板カム38がスライド可能に設けられている。板カム38はスライドプレート35に固定されたアクチュエータ39によってスライドガイド37に沿って水平方向に駆動される。   Above the slide plate 35, a bonding stage 36 is provided so as to be vertically driven via a vertically driving means. That is, the vertical drive means has a pair of slide guides 37 spaced apart along the transport direction of the substrate 1 on the upper surface of the slide plate 35. A plate cam 38 is slidably provided on the slide guide 37. The plate cam 38 is driven in the horizontal direction along the slide guide 37 by an actuator 39 fixed to the slide plate 35.

スライドプレート35の上方には、下面に設けられたカムフォロア36aを上記板カム38にスライド可能に接触させたボンディングステージ36が設けられている。このボンディングステージ36はボールスライド40によって上下方向の動きがガイドされている。   Above the slide plate 35, a bonding stage 36 is provided in which a cam follower 36a provided on the lower surface is slidably brought into contact with the plate cam 38. The bonding stage 36 is guided by the ball slide 40 in the vertical direction.

そして、上記アクチュエータ39の作動により板カム38が水平移動させられることにより、ボンディングステージ36は、ボールスライド40に案内されつつ、その上面の水平面を水平に保った状態で上下駆動させられることになる。後述するが、このボンディングステージ36の上昇限位置は、基板1の受け取りレベル位置であり、下降限位置は、基板1の受け渡しレベル位置である。   Then, the plate cam 38 is moved horizontally by the operation of the actuator 39, so that the bonding stage 36 is driven up and down while being guided by the ball slide 40 and the horizontal surface of the upper surface thereof being kept horizontal. . As will be described later, the ascending limit position of the bonding stage 36 is a receiving level position of the substrate 1, and the descending limit position is a passing level position of the substrate 1.

なお、ボンディングステージ36は第1、第2の搬送手段22,23の各一対のベルト26,31間に入り込む大きさに形成されている。   The bonding stage 36 is formed to have a size that can enter between the pair of belts 26 and 31 of the first and second conveying means 22 and 23.

上記ボンディングステージ36の上面には、基板1を真空吸着保持可能とする、吸着保持手段を構成する複数のバキューム孔41が基板1の搬送方向に沿って所定間隔で開口形成されている。各バキューム孔41は、不図示の切り換え装置を介して不図示の真空ポンプと接続されている。したがって、ボンディングステージ36は、このバキューム孔41に発生する吸引力により、その上面に基板1を移動不能に保持固定することができる。また、ボンディングステージ36にはヒータ41aが内蔵されていて、ボンディングステージ36に保持した基板1を加熱することができるようになっている。   On the upper surface of the bonding stage 36, a plurality of vacuum holes 41 constituting suction holding means that can hold the substrate 1 by vacuum suction are formed at predetermined intervals along the transport direction of the substrate 1. Each vacuum hole 41 is connected to a vacuum pump (not shown) via a switching device (not shown). Therefore, the bonding stage 36 can hold and fix the substrate 1 on the upper surface of the bonding stage 36 so as to be immovable by the suction force generated in the vacuum hole 41. The bonding stage 36 includes a heater 41a so that the substrate 1 held on the bonding stage 36 can be heated.

第1の搬送手段22、可動ストッパ28、固定ストッパ27のそれぞれ上流側近傍には、基板1の有無を検知する第1乃至第3の基板検出センサ42、43、44が配置される。第2搬送手段23の下流側には、基板1の有無を検知する第4の基板検出センサ45が配置される。これらセンサ42〜45は検出手段を構成している。   First to third substrate detection sensors 42, 43, and 44 that detect the presence or absence of the substrate 1 are disposed in the vicinity of the upstream sides of the first transport unit 22, the movable stopper 28, and the fixed stopper 27. A fourth substrate detection sensor 45 that detects the presence or absence of the substrate 1 is disposed on the downstream side of the second transport unit 23. These sensors 42 to 45 constitute detection means.

各基板検出センサ42〜45は、たとえば反射型の光学式の非接触型センサを用いることができる。そして各基板検出センサ42〜45の検出信号は、不図示の制御装置に送られるとともに、上述した各モータ25、30、34、各アクチュエータ29、39等は、同制御装置により、つぎに述べる手順によって制御される。   Each of the substrate detection sensors 42 to 45 can be, for example, a reflective optical non-contact sensor. The detection signals of the substrate detection sensors 42 to 45 are sent to a control device (not shown), and the motors 25, 30, 34, actuators 29, 39, etc. described above are processed by the control device in the following procedure. Controlled by.

つぎに、上述した基板搬送装置13の動作について説明する。   Next, the operation of the substrate transfer apparatus 13 described above will be described.

基板1は、第1の基板検出センサ42による基板無し信号によって不図示の供給手段より供給され、第1の搬送手段22を構成するベルト26によって搬入されてくる。この時、可動ストッパ28は、アクチュエータ29の作動により上方に突出している。そこで、基板1は可動ストッパ28に当たって停止する。   The substrate 1 is supplied from a supply unit (not shown) by a substrate absence signal from the first substrate detection sensor 42 and is carried in by a belt 26 constituting the first transfer unit 22. At this time, the movable stopper 28 protrudes upward by the operation of the actuator 29. Therefore, the substrate 1 hits the movable stopper 28 and stops.

次に、第2の基板検出センサ43による基板有り信号と、第3の基板検出センサ44による基板無し信号とのアンド条件に基づき、可動ストッパ28が矢印J2の方向に下降する。これにより、基板1は第1の搬送手段22にてさらに下流側へと搬送され、固定ストッパ27に当たって再度停止する。つまり、基板1は基板受け取り位置に位置決めされる。   Next, based on the AND condition of the substrate presence signal from the second substrate detection sensor 43 and the substrate absence signal from the third substrate detection sensor 44, the movable stopper 28 is lowered in the direction of arrow J2. As a result, the substrate 1 is transported further downstream by the first transport means 22, hits the fixed stopper 27 and stops again. That is, the substrate 1 is positioned at the substrate receiving position.

次に、第3の基板検出センサ44による基板有り信号に基づき第3のモータ34は逆方向に回転し、図3に鎖線で示すようにボンディングステージ36を、固定ストッパ27によって停止させられている基板1の下方に位置決めする。このとき、ボンディングステージ36の上面はアクチュエータ39の作動により、固定ストッパ27によって停止させられている基板1の下面位置よりも下方の位置、つまり基板1の受け渡しレベル位置に位置決めされている。   Next, based on the substrate presence signal from the third substrate detection sensor 44, the third motor 34 rotates in the reverse direction, and the bonding stage 36 is stopped by the fixed stopper 27 as shown by a chain line in FIG. Position below the substrate 1. At this time, the upper surface of the bonding stage 36 is positioned at a position lower than the lower surface position of the substrate 1 stopped by the fixing stopper 27, that is, a delivery level position of the substrate 1 by the operation of the actuator 39.

ボンディングステージ36はその後、第1の搬送手段22の一対のベルト26間に入り込むよう上昇する。この上昇により、ボンディングステージ36の上面レベルは、第1の搬送手段22における基板1の搬送面レベルよりも上昇した位置、つまり基板1の受け取りレベル位置に位置決めされ、この上昇過程において、基板1は第1の搬送手段22のベルト26からすくい上げられる状態でボンディングステージ36に移載されることになる。このとき、ボンディングステージ36の上面に形成されたバキューム孔41には真空圧が作用しており、基板1はボンディングステージ36の上面に移動不能に真空吸着される。   Thereafter, the bonding stage 36 moves up so as to enter between the pair of belts 26 of the first conveying means 22. Due to this rise, the upper surface level of the bonding stage 36 is positioned at a position higher than the transport surface level of the substrate 1 in the first transport means 22, that is, the reception level position of the substrate 1. It is transferred to the bonding stage 36 while being scooped up from the belt 26 of the first conveying means 22. At this time, a vacuum pressure acts on the vacuum hole 41 formed on the upper surface of the bonding stage 36, and the substrate 1 is vacuum-adsorbed on the upper surface of the bonding stage 36 so as not to move.

ボンディングステージ36に吸引保持された基板1は、第3のモータ34の正回転により図4においてHに示す右方に移動し、この移動により、ボンディングステージ36上の基板1における最初のボンディング点が図3に矢印Bで示す、ボンディングヘッド14によるボンディング位置に位置決めされる。そして、そのボンディング点にチップ2がボンディングされる。   The substrate 1 sucked and held by the bonding stage 36 moves to the right as shown by H in FIG. 4 by the forward rotation of the third motor 34, and this movement causes the first bonding point on the substrate 1 on the bonding stage 36 to move. It is positioned at a bonding position by the bonding head 14 as indicated by an arrow B in FIG. Then, the chip 2 is bonded to the bonding point.

なお、このチップのボンディング作業は、ウエハリング4がウエハトランスファ21によりウエハホルダ20まで運ばれ、ここで、反転ユニット12がウエハシート3に貼付されたチップ2を1個取り出して反転させ、さらにその反転させられたチップ2をボンディングヘッド14の吸着ノズル14Aで保持し、基板1上にボンディングするものである。   In this chip bonding operation, the wafer ring 4 is carried to the wafer holder 20 by the wafer transfer 21, and the reversing unit 12 takes out one chip 2 affixed to the wafer sheet 3 and reverses it. The chip 2 is held by the suction nozzle 14A of the bonding head 14 and bonded onto the substrate 1.

このように、基板1における最初のボンディング点に対するボンディング作業が終了すると、ボンディングステージ36は第3のモータ34の作動により、基板1におけるボンディング点の1ピッチ分下流側に移動させられ、この移動により基板1における次のボンディング点がボンディング位置に位置決めされる。そして、そのボンディング点にチップ2がボンディングされる。   Thus, when the bonding operation for the first bonding point on the substrate 1 is completed, the bonding stage 36 is moved downstream by one pitch of the bonding point on the substrate 1 by the operation of the third motor 34. The next bonding point on the substrate 1 is positioned at the bonding position. Then, the chip 2 is bonded to the bonding point.

以下は同様にして、基板1上のすべてのボンディング点にチップ2がボンディングされると、ボンディングステージ36は、図3に鎖線で示す第2の搬送手段23への基板受け渡し位置まで移動し、基板1を第2の搬送手段23に受け渡す。この受け渡しにあたっては、まず、基板受け取りレベル位置にあるボンディングステージ36が、第2の搬送手段23を構成するベルト31の基板搬送面レベルより上方位置に駆動される。   Similarly, when the chip 2 is bonded to all bonding points on the substrate 1, the bonding stage 36 moves to the substrate transfer position to the second transfer means 23 indicated by the chain line in FIG. 1 is transferred to the second transport means 23. For this delivery, first, the bonding stage 36 at the substrate receiving level position is driven to a position above the substrate conveying surface level of the belt 31 constituting the second conveying means 23.

ここで、ボンディングステージ36のバキューム孔41が、不図示の切り換え装置の切り替わりによって不図示の真空ポンプとは遮断されて大気に開放される。その後、ボンディングステージ36は、受け渡しレベル位置まで下降する。この受け渡しレベル位置は、第2の搬送手段23を構成するベルト31の基板搬送面レベルより下方位置である。したがって、この下降過程において、ボンディングステージ36上の基板1は、第2の搬送手段23のベルと31上に移載される。以後、この基板1は、第2の搬送手段23により下流へと搬出される。   Here, the vacuum hole 41 of the bonding stage 36 is cut off from the vacuum pump (not shown) by the switching of the switching device (not shown) and released to the atmosphere. Thereafter, the bonding stage 36 is lowered to the delivery level position. This delivery level position is a position below the substrate transport surface level of the belt 31 constituting the second transport means 23. Therefore, in this lowering process, the substrate 1 on the bonding stage 36 is transferred onto the bell and 31 of the second transport means 23. Thereafter, the substrate 1 is carried out downstream by the second transfer means 23.

2枚目の基板1については、1枚目の基板1に対し必要なチップ2のボンディング中に、再び可動ストッパ28が上昇して、ベルト26により可動ストッパ28の位置まで搬送される。そして、第3の基板検知センサ44の信号が基板有り信号から基板無し信号に変わった時点で可動ストッパ28は下降するから、ベルト26により固定ストッパ27まで搬送される。このような方法で、3枚目以降の基板1も、第1の搬送手段22の固定ストッパ27まで搬送される。   With respect to the second substrate 1, the movable stopper 28 rises again during the bonding of the necessary chip 2 to the first substrate 1 and is conveyed by the belt 26 to the position of the movable stopper 28. Since the movable stopper 28 descends when the signal from the third substrate detection sensor 44 changes from the substrate presence signal to the substrate absence signal, the movable stopper 28 is conveyed to the fixed stopper 27 by the belt 26. In this way, the third and subsequent substrates 1 are also transported to the fixed stopper 27 of the first transport means 22.

なお、ボンディングステージ36の第2の搬送手段23への移動は、第2の搬送手段23の下流側に配置した基板検出センサ45の基板有り信号から基板無し信号に変わることで許可するように制御される。   The movement of the bonding stage 36 to the second transfer means 23 is controlled so as to be permitted by changing from the substrate presence signal to the substrate absence signal of the substrate detection sensor 45 arranged on the downstream side of the second transfer means 23. Is done.

従って、本実施の形態によるフリップチップボンディング装置10によれば、以下の作用がある。   Therefore, the flip chip bonding apparatus 10 according to the present embodiment has the following effects.

第1に、第1の搬送手段22により搬入された基板1を受け渡し手段24のボンディングステージ36が受け取った後、基板1上のすべてのボンディング点へのボンディングが完了するまでその基板1をボンディングステージ36に吸着保持させて一体化させた状態でボンディングを実施した。   First, after the substrate 1 transferred by the first transfer unit 22 is received by the bonding stage 36 of the transfer unit 24, the substrate 1 is bonded to all the bonding points on the substrate 1 until the bonding is completed. Bonding was carried out in a state where it was adsorbed and held by 36 and integrated.

また、受け渡し手段24のボンディングステージ36を第2の搬送手段23を構成するベルト31の基板搬送面レベルの上方位置より下方位置に位置決めすることにより、ベルト31に基板1を受け渡すようにした。これにより、基板1に衝撃を与えることなく、基板1へのボンディングを行なうことができる。また、ボンディング後の基板1の搬出ができる。   Further, the substrate 1 is transferred to the belt 31 by positioning the bonding stage 36 of the transfer means 24 at a position lower than the upper position of the substrate transfer surface level of the belt 31 constituting the second transfer means 23. Thereby, the bonding to the substrate 1 can be performed without giving an impact to the substrate 1. Moreover, the board | substrate 1 after bonding can be carried out.

したがって、基板1に既にボンディングされた電子部品にずれが発生するのを防止できるから、ボンディングの高精度化を図ることができ、製品歩留まりを向上させることができる。   Accordingly, since it is possible to prevent the electronic component already bonded to the substrate 1 from being displaced, it is possible to improve the bonding accuracy and improve the product yield.

第2に、ボンディングステージ36に保持された基板1は、その基板1上のすべてのボンディング点へのボンディングが完了するまでボンディングステージ36に吸着保持されて移動不能に一体化される。したがって、ボンディングステージ36によって基板1を加熱するタイプにおいては、従来のような周期的な加熱作用を基板1が受けることがない。したがって、基板1に熱ひずみが生じて反ったりすることが防止でき、この結果として良好なボンディングが行なえる。   Second, the substrate 1 held on the bonding stage 36 is sucked and held on the bonding stage 36 until the bonding to all bonding points on the substrate 1 is completed, and is integrated so as not to move. Therefore, in the type in which the substrate 1 is heated by the bonding stage 36, the substrate 1 is not subjected to the conventional periodic heating action. Therefore, it is possible to prevent the substrate 1 from warping due to heat distortion, and as a result, good bonding can be performed.

また、基板1のピッチ移動の際、従来のような基板1への衝撃が回避されるので、基板1の加熱を必要としないタイプのボンディング作業においても、ボンディングの高精度化を図ることができ、製品歩留まりを向上させることができる。   Further, when the pitch of the substrate 1 is moved, the conventional impact to the substrate 1 is avoided, so that the bonding accuracy can be improved even in a bonding operation that does not require heating of the substrate 1. Product yield can be improved.

第3に、受け渡し手段24のボンディングステージ36をベルト26の基板搬送面レベルの下方位置より上方位置に位置決めすることにより、第1の搬送手段22により搬入された基板1をボンディングステージ36が受け取り、そしてボンディングステージ36はその基板1を保持しつつ搬送し、さらに、受け渡し手段24のボンディングステージ36をベルト31の基板搬送面レベルの上方位置より下方位置に位置付けることにより、第2の搬送手段23のベルト31に基板1を受け渡すようにした。   Thirdly, by positioning the bonding stage 36 of the delivery means 24 at a position higher than the position below the substrate transport surface level of the belt 26, the bonding stage 36 receives the substrate 1 carried by the first transport means 22, The bonding stage 36 holds the substrate 1 and conveys it. Further, the bonding stage 36 of the delivery means 24 is positioned below the position above the substrate conveyance surface level of the belt 31, so that the second conveying means 23 The substrate 1 is transferred to the belt 31.

つまり、受け渡し手段24の移動により、第1の搬送手段22から受け渡し手段24への基板1の受け取りと、受け渡し手段24から第2の搬送手段23への基板1の受け渡しが行なえるため、装置構成を簡素化することができる。   That is, the movement of the transfer means 24 allows the substrate 1 to be received from the first transfer means 22 to the transfer means 24 and the transfer of the substrate 1 from the transfer means 24 to the second transfer means 23. Can be simplified.

また、このような受け取り、受け渡し動作の場合、第1の搬送手段22と第2の搬送手段23を構成するベルト26と31との基板1の搬送面レベルを正確に一致させる必要がないことから、レベル調整時間が不要となる分、調整時間が短縮でき、また基板1の搬送面レベルの不一致による搬送トラブルも回避することができる。   Further, in the case of such receiving and delivering operations, it is not necessary to accurately match the transport surface level of the substrate 1 between the belts 26 and 31 constituting the first transport unit 22 and the second transport unit 23. Since the level adjustment time becomes unnecessary, the adjustment time can be shortened, and the conveyance trouble due to the mismatch of the conveyance surface level of the substrate 1 can be avoided.

第4に、第1、第2の搬送手段22,23による基板1の搬送高さを床面から900±30mmである、比較的低い高さに設定した。したがって、たとえば反転ユニット12の反転半径を100mmとすると、チップ供給装置11におけるチップ面レベルは、反転ユニット12にて反転する距離分だけ基板1の搬送高さより低い、床面から700mmとすることができる。この高さは、人間工学的にみても作業に適した高さであるため、ウエハリング4が重量物であっても、装置に対する着脱を容易に行なうことができる。   Fourth, the transport height of the substrate 1 by the first and second transport means 22 and 23 is set to a relatively low height of 900 ± 30 mm from the floor surface. Therefore, for example, when the reversal radius of the reversing unit 12 is 100 mm, the chip surface level in the chip supply device 11 is 700 mm from the floor surface, which is lower than the conveyance height of the substrate 1 by the distance reversed by the reversing unit 12. it can. Since this height is suitable for work from an ergonomic point of view, even if the wafer ring 4 is heavy, it can be easily attached to and detached from the apparatus.

以上、本発明の実施の形態を詳述したが、本発明の具体的な構成はこの形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での設計の変更があっても本発明に含まれる。   Although the embodiment of the present invention has been described in detail above, the specific configuration of the present invention is not limited to this embodiment, and the present invention can be changed even if the design is changed without departing from the gist of the present invention. include.

例えば、上述した基板検出センサは反射型センサの場合で説明したが、基板を透過型センサで検出しても良い。   For example, although the substrate detection sensor described above has been described as a reflective sensor, the substrate may be detected by a transmission sensor.

また、基板の保持は真空吸着で説明したが、基板が磁性体の場合においては、保持は磁石を用いても良い。   Further, the holding of the substrate has been described by vacuum adsorption, but when the substrate is a magnetic body, a magnet may be used for holding.

また、基板形状が真空吸着できない場合や曲がった基板などの場合には、ボンディングステージにクランプ機構を設け、ボンディングステージ上の基板をこのクランプ機構によりボンディングステージ上に押さえつけるようにしても良い。   In the case where the substrate shape cannot be vacuum-sucked or a bent substrate or the like, a clamping mechanism may be provided on the bonding stage, and the substrate on the bonding stage may be pressed onto the bonding stage by this clamping mechanism.

また、基板に複数のチップをボンディングする際、ボンディングステージを基板の搬送方向に所定ピッチで駆動するようにしたが、ボンディングステージに代えてボンディングヘッドを基板の搬送方向に駆動して複数のチップをボンディングするようにしてもよい。   In addition, when bonding a plurality of chips to the substrate, the bonding stage is driven at a predetermined pitch in the substrate transport direction. Instead of the bonding stage, the bonding head is driven in the substrate transport direction to drive the plurality of chips. Bonding may be performed.

また、本発明は、実施の形態で説明したフリップチップボンディング装置に限らず、電子部品を反転させることなくボンディングする場合にも適用できる。   Further, the present invention is not limited to the flip chip bonding apparatus described in the embodiment, but can be applied to bonding without reversing electronic components.

本発明を適用してなるフリップチップボンディング装置の概略平面図。1 is a schematic plan view of a flip chip bonding apparatus to which the present invention is applied. 図1の概略正面図。The schematic front view of FIG. 図1で用いられる基板搬送装置の概略平面図。FIG. 2 is a schematic plan view of a substrate transfer device used in FIG. 1. 図3の概略正面図。FIG. 4 is a schematic front view of FIG. 3.

符号の説明Explanation of symbols

1…基板、2…チップ、3…ウエハシート、4…ウエハリング、10…フリップチップボンディング装置、11…チップ供給装置、12…反転ユニット、12A…吸着ノズル、12B…回転ヘッド、13…基板搬送装置、14…ボンディングヘッド、14A…吸着ノズル、20…ウエハホルダ、21…ウエハトランスファ、22…第1の搬送手段、23…第2の搬送手段、24…受け渡し手段、25…第1のモータ、26…ベルト、27…固定ストッパ、28…可動ストッパ、29…アクチュエータ、30…第2のモータ、31…ベルト、32…スライドガイド、33…ネジ軸、34…第3のモータ、35…スライドプレート、36…ボンディングステージ、37…スライドガイド、38…板カム、39…アクチュエータ、40…ボールスライド、41…バキューム孔、42…第1の基板検出センサ、43…第2の基板検出センサ、44…第3の基板検出センサ、45…第4の基板検出センサ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Board | substrate, 2 ... Chip, 3 ... Wafer sheet, 4 ... Wafer ring, 10 ... Flip chip bonding apparatus, 11 ... Chip supply apparatus, 12 ... Reversing unit, 12A ... Adsorption nozzle, 12B ... Rotating head, 13 ... Substrate conveyance 14: Bonding head, 14A: Suction nozzle, 20 ... Wafer holder, 21 ... Wafer transfer, 22 ... First transfer means, 23 ... Second transfer means, 24 ... Delivery means, 25 ... First motor, 26 ... belt, 27 ... fixed stopper, 28 ... movable stopper, 29 ... actuator, 30 ... second motor, 31 ... belt, 32 ... slide guide, 33 ... screw shaft, 34 ... third motor, 35 ... slide plate, 36 ... Bonding stage, 37 ... Slide guide, 38 ... Plate cam, 39 ... Actuator, 40 ... Ball slurry De, 41 ... Vacuum holes, 42 ... first substrate detection sensor, 43 ... second substrate detection sensor, 44 ... third substrate detection sensor, 45 ... fourth substrate detection sensor.

Claims (8)

所定方向に搬送される基板に電子部品をボンディングするボンディング装置において、
上記基板を搬入する第1の搬送手段と、
この第1の搬送手段によって搬入された基板を受けて移動不能に保持するとともに上記基板の搬送方向に駆動可能に設けられたボンディングステージを有する受け渡し手段と、
上記基板の搬送方向に駆動される上記ボンディングステージに移動不能に保持された基板に対し、複数の電子部品を上記搬送方向に所定間隔でボンディングするボンディングヘッドと、
このボンディングヘッドで電子部品がボンディングされた基板を上記ボンディングステージから受けて搬出する第2の搬送手段とを具備し、上記ボンディングヘッドによるボンディング位置に位置決めされた上記基板は、上記第1の搬送手段と第2の搬送手段におけるそれぞれの基板の搬送面レベル位置より上方に位置決めされることを特徴とする電子部品のボンディング装置。
In a bonding apparatus for bonding electronic components to a substrate conveyed in a predetermined direction,
First conveying means for carrying in the substrate;
A delivery means having a bonding stage provided to receive the substrate carried by the first transport means and hold it immovable and to be driven in the transport direction of the substrate;
A bonding head for bonding a plurality of electronic components at a predetermined interval in the transport direction to the substrate held immovably on the bonding stage driven in the transport direction of the substrate;
And a second transfer means for receiving and carrying out the substrate on which the electronic component is bonded by the bonding head from the bonding stage, and the substrate positioned at the bonding position by the bonding head is the first transfer means. And an electronic component bonding apparatus characterized by being positioned above a transport surface level position of each substrate in the second transport means .
所定方向に搬送される基板に電子部品をボンディングするボンディング装置において、
上記基板を搬入する第1の搬送手段と、
この第1の搬送手段によって搬入された基板を受けて移動不能に保持するとともに上記基板の搬送方向に駆動可能に設けられたボンディングステージを有する受け渡し手段と、
上記基板の搬送方向に駆動される上記ボンディングステージに移動不能に保持された基板に対し、複数の電子部品を上記搬送方向に所定間隔でボンディングするボンディングヘッドと、
このボンディングヘッドで電子部品がボンディングされた基板を上記ボンディングステージから受けて搬出する第2の搬送手段とを具備し、上記第1の搬送手段と第2の搬送手段とは、上記基板の搬送方向に対して交差する方向に所定の間隔で配置された一対の無端状のベルトを備え、上記ボンディングステージは上記一対のベルト間に進入可能な大きさに形成されていることを特徴とする電子部品のボンディング装置。
In a bonding apparatus for bonding electronic components to a substrate conveyed in a predetermined direction,
First conveying means for carrying in the substrate;
A delivery means having a bonding stage provided to receive the substrate carried by the first transport means and hold it immovable and to be driven in the transport direction of the substrate;
A bonding head for bonding a plurality of electronic components at a predetermined interval in the transport direction to the substrate held immovably on the bonding stage driven in the transport direction of the substrate;
A second transfer means for receiving and carrying out the substrate on which the electronic component is bonded by the bonding head from the bonding stage , wherein the first transfer means and the second transfer means are in the transfer direction of the substrate; An electronic component comprising a pair of endless belts arranged at a predetermined interval in a direction intersecting with each other, wherein the bonding stage is formed in a size capable of entering between the pair of belts Bonding equipment.
上記受け渡し手段は、上記ボンディングステージを上記ボンディングヘッドに対向する位置から上記基板の搬送方向の上流側と下流側とに駆動する往復駆動手段と、上記ボンディングステージを上下方向に駆動する上下駆動手段とを備え、
上記ボンディングステージは、上記第1の搬送手段の基板受け取り位置で下降位置から上昇して基板を受け取り、上記第2の搬送手段の基板受け渡し位置で上昇位置から下降して基板を受け渡すことを特徴とする請求項1または2記載の電子部品のボンディング装置。
The transfer means includes a reciprocating drive means for driving the bonding stage from a position facing the bonding head to an upstream side and a downstream side in the substrate transport direction, and a vertical drive means for driving the bonding stage in the vertical direction. With
The bonding stage ascends from the lowered position at the substrate receiving position of the first conveying means to receive the substrate, and descends from the ascending position at the substrate delivery position of the second conveying means to deliver the substrate. The electronic component bonding apparatus according to claim 1 or 2.
上記ボンディングステージには、上記第1の搬送手段から受けた基板を吸着保持する吸着保持手段が設けられていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の電子部品のボンディング装置。 To the bonding stage, a bonding apparatus for an electronic component according to any of claims 1 to 3, characterized in that the substrate received from the first conveying means suction holding means for holding suction is provided. 上記第1の搬送手段によって搬送される上記基板の搬送位置を検出して上記基板を上記ボンディングステージに受け渡す位置に位置決めする検出手段を有することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の電子部品のボンディング装置。 To any one of claims 1 to 4, characterized in that it comprises a detecting means for positioning the first detector to the substrate transfer position of the substrate transported by the transport means to a position to pass on the bonding stage A bonding apparatus for electronic components as described. 上記ボンディングステージには、移動不能に保持した基板を加熱するヒータが設けられていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の電子部品のボンディング装置。 To the bonding stage, a bonding apparatus for an electronic component according to any of claims 1 to 5, characterized in that the heater for heating the immovably retained substrate is provided. 上記ボンディングヘッドは、電子部品の供給装置から取り出された後180度反転させられた電子部品を吸着保持して、上記基板にボンディングすることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の電子部品のボンディング装置。 The bonding head, the electronic component 180 electronic components is inverted after removal from the supply device and held by suction, according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the bonding to the substrate Electronic component bonding equipment. 所定方向に搬送される基板に電子部品をボンディングするボンディング方法において、上記基板を搬入する搬入工程と、
この搬入された基板をボンディングステージによって受け取り、このボンディングステージに移動不能に保持する工程と、
上記基板を移動不能に保持した上記ボンディングステージを上記基板の搬送方向にピッチ移動させて上記基板におけるボンディング点を順次ボンディング位置に位置決めする工程と、
ボンディング位置に位置決めされた上記ボンディング点に対して順次電子部品をボンディングする工程と、
この電子部品がボンディングされた基板を上記ボンディングステージから受けて搬出する搬出工程とを具備し、
上記ボンディングヘッドによるボンディング位置に位置決めされた上記基板は、上記基板を搬入する搬入工程と基板を搬出する搬出工程におけるそれぞれの基板の搬送面レベル位置より上方に位置決めされることを特徴とする電子部品のボンディング方法。
In a bonding method for bonding an electronic component to a substrate conveyed in a predetermined direction, a loading step for loading the substrate ,
Receiving the carried substrate by the bonding stage, and holding the immovable substrate on the bonding stage;
Positioning the bonding points on the substrate sequentially at bonding positions by pitch-moving the bonding stage holding the substrate immovable in the transport direction of the substrate;
A step of sequentially bonding electronic components to the bonding point positioned at the bonding position;
An unloading step of receiving and unloading the substrate on which the electronic component is bonded from the bonding stage;
The electronic component positioned at a bonding position by the bonding head is positioned above a transfer surface level position of each substrate in a carry-in process for carrying in the substrate and a carry-out process for carrying out the substrate. Bonding method.
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