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JP3706512B2 - Processing method of through hole of resin substrate - Google Patents
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JP3706512B2 - Processing method of through hole of resin substrate - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はレーザ加工による樹脂基板の貫通孔の加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置には樹脂基板をコア基板とし、コア基板の両面に所要の配線パターンを形成して半導体素子を搭載した製品がある。図5はコア基板の両面に配線パターンを形成した配線基板を形成する方法を示す。
図5(a)は樹脂基板10の両面に銅箔の接着あるいは銅めっきにより銅層12を被着形成したコア基板の断面図であり、図5(b)はコア基板に貫通孔14を形成した状態を示す。図5(c)は、次に、コア基板にめっきを施して貫通孔14の内面及びコア基板の表面にめっきによる導体層16を形成した状態である。図5(d)はコア基板の表面の導体層16をエッチングしてコア基板の表面に配線パターン18を形成した状態である。図5(e)はコア基板の表面にさらに樹脂の塗布により絶縁層20を形成し、ビア24により配線パターン18と電気的に接続して次層の配線パターン22を形成した状態である。これらのコア基板の両面に形成された配線パターン18、22は貫通孔14の内面に形成された導体層16を介して電気的に導通される。
【0003】
このように、コア基板の両面に配線パターンを形成して半導体素子を搭載する半導体装置の製造方法では、コア基板にまず貫通孔を形成する必要がある。コア基板に貫通孔を形成する方法としては一般にドリル加工が用いられている。しかしながら、ドリル加工で形成できる貫通孔14の孔径には限度があることから、より小径の貫通孔14を形成する方法としてレーザ光を利用する方法が行われるようになってきた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
レーザ光を利用する方法によれば0.1mm程度の径寸法の貫通孔を形成することが可能であり、ドリル加工による場合にくらべてコア基板にはより高密度に貫通孔を形成することが可能である。
しかしながら、レーザ光を利用して貫通孔を形成する方法には以下のような問題点がある。図6は樹脂基板10の両面に銅層12を被着した被加工品にレーザ光を照射して貫通孔14を形成する従来方法を示す。図6(a)は被加工品をベース板26に支持してレーザ光を照射した状態で、図6(b)は被加工品に貫通孔14が形成された状態を示す。図のように、レーザ光を用いて貫通孔14を形成した場合は、たとえば、厚さ200μmのコア基板で、コア基板の上面での貫通孔14の径寸法が120μm、下面での径寸法が60〜70μmといったように、貫通孔の上部と底部とで径寸法が大きく異なるという問題がある。また、従来は貫通孔の底部での径寸法のばらつきが大きく、±30μm程度のばらつきがあった。
【0005】
このように、貫通孔の孔径がコア基板の上面と下面とで相違すると、貫通孔の内面にめっきが被着しにくくなり、貫通孔の内面に確実に導体層が形成されず、コア基板の両面に形成した配線パターンの導通不良が生じる。
また、図6(b)に示すように、レーザ光が照射される貫通孔14の下面がベース板26によって閉止されているため、貫通孔14の内面がレーザ光による飛散物によって汚れ、これによっても貫通孔の内面にめっきが被着しにくくなる。
また、図6(b)は貫通孔14の開口部の周縁に、レーザ光の照射時にばり12aが付着した様子を示す。このように、ばり12aが生じると銅層12をエッチングして微細な配線パターンを形成する妨げになる。
【0006】
上記のようにコア基板にレーザ光を照射して貫通孔を形成する場合、樹脂基板10の表面に銅層12があるとレーザ光によるエッチング速度が遅くなり、加工時間がかかるようになる。したがって、加工効率を上げるため、樹脂基板10の表面の銅層12を除去した後、レーザ加工によって貫通孔14を形成する方法も考えられる。図7は銅層12を除去した樹脂基板10にレーザ光を照射して貫通孔14を形成した状態を示す。しかしながら、図のように、樹脂基板10のみにレーザ光を照射した場合は、貫通孔14の開口部の周縁がレーザ光によって損傷14aを受け、所要の貫通孔14の形状に加工できないという問題がある。
【0007】
本発明はこれらの問題点を解消すべくなされたものであり、その目的とするところはレーザ加工によって樹脂基板に形成する貫通孔の孔径のばらつきを抑えてより小径の貫通孔を加工することを可能とし、また樹脂基板に形成する貫通孔の加工効率を向上させることができるレーザ加工による樹脂基板の貫通孔の加工方法を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は次の構成を備える。
すなわち、樹脂基板の両面に導体層が被着された被加工品に、一方の面側からレーザ光を照射して貫通孔を形成する樹脂基板の貫通孔の加工方法において、前記導体層が被着された被加工品の表面に、レーザ光によってエッチング可能であり、かつ、前記導体層を所定のパターンにパターニングして配線パターンを形成するレジストパターンを形成するための樹脂層を被着形成し、該樹脂層が被着された面とは反対の面側から被加工品にレーザ光を照射し、被加工品とともに前記樹脂層をエッチングして、被加工品に貫通孔を形成することを特徴とする。この方法の場合は、被加工品とともに樹脂層をエッチングすることによって貫通孔の抜け性が良好になって貫通孔が容易に加工できる。
【0009】
また、樹脂基板の両面に導体層が被着された被加工品に、一方の面側からレーザ光を照射して貫通孔を形成する樹脂基板の貫通孔の加工方法において、前記樹脂基板にレーザ光を照射する前工程として、前記樹脂基板の両面に被着された前記導体層を全面にわたってエッチングして導体層の厚さを薄くした後、前記導体層が被着された被加工品の表面に、レーザ光によってエッチング可能であり、かつ、前記導体層を所定のパターンにパターニングして配線パターンを形成するレジストパターンを形成するための樹脂層を被着形成し、該樹脂層が被着された面とは反対の面側から被加工品にレーザ光を照射し、被加工品とともに前記樹脂層をエッチングして、被加工品に貫通孔を形成することを特徴とする。導体層の厚さを薄くすることによってレーザ加工の加工効率を向上させることができ、また、レーザ光の照射時間を短縮することによって貫通孔をより高精度に加工することが可能になる
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態について添付図面に基づき詳細に説明する。
図1は本発明に係るレーザ加工による樹脂基板の貫通孔の加工方法の第1の実施形態を示す説明図である。図1(a)は被加工品であるコア基板30をレーザ加工用のベース板26に支持した状態を示す。このレーザ加工装置では加工ステージ(不図示)に被加工品をエア吸着して支持し、加工ステージをレーザ光源に対し移動させて所定位置に貫通孔を形成する。ベース板26は加工ステージにコア基板30をセットするための支持基板であり、加工ステージに設けられているエア吸着用の吸着孔に連通する吸着孔が設けられている。
【0011】
本実施形態の加工方法で特徴とする構成は、被加工品であるコア基板30を、貫通孔14を形成する位置に合わせてあらかじめ逃げ孔32aを形成したパターン板32に支持してレーザ加工するようにした点にある。図1(a)はパターン板32を介してコア基板30をベース板26に支持し、レーザ光を照射している状態、図1(b)はレーザ加工によりコア基板30に貫通孔14を形成した状態を示す。
【0012】
図1(b)に示すように、パターン板32に形成する逃げ孔32aは貫通孔14の孔径よりも大径に形成し、コア基板30にレーザ光を照射して貫通孔14を形成した際に貫通孔14が完全に貫通するように形成する。コア基板30に形成する貫通孔14の配列はあらかじめ決められているから、これらの貫通孔14の平面配置に合わせてパターン板32に逃げ孔32aを形成する。パターン板32は材質がとくに限定されるものではない。たとえば、銅、アルミニウム、鉄等の金属板をエッチングして逃げ孔32aを形成したもの、あるいは樹脂板をエッチングして逃げ孔32aを形成したもの等が使用できる。また、パターン板32とベース板26とを別体に形成せず、ベース板26にポリイミド等の樹脂層を被着し、樹脂層をエッチングして逃げ孔32aを形成して、パターン板32が一体に被着されたベース板26を使用することもできる。
【0013】
ベース板26はコア基板30を貫通して貫通孔14を形成した際にレーザ光を受ける部位となる。本実施形態でベース板26でコア基板30を支持するようにしたのはレーザ加工装置の加工ステージに直接レーザ光が照射されないようにするためである。
また、本実施形態ではベース板26とは別にパターン板32を使用しているが、逃げ孔32aはコア基板30にレーザ光を照射した際に下面側の貫通孔14が完全に貫通して、下面側の貫通孔14を開放させるためのものであるから、パターン板32とベース板26とを一体物とし、貫通孔14を形成する位置に合わせて凹部状の逃げ孔32aを形成したパターン板32を使用し、ベース板26を使用しないことも可能である。このように、パターン板32に形成する逃げ孔32aはパターン板32を貫通する貫通孔であっても凹部状の穴であってもよい。逃げ孔32aの深さは適宜設定すればよいが、本実施形態では100μm程度の深さに設定した。
【0014】
このように、逃げ孔32aを形成したパターン板32を使用してコア基板30にレーザ光を照射して貫通孔14を形成する方法によれば貫通孔14が形成しやすくなり、コア基板30の上下面での貫通孔14の孔径のばらつきを小さくすることができる。本実施形態の方法によって実際にコア基板30に貫通孔14を形成した例では、コア基板の厚さ200μm、コア基板30の上面での孔径100μmの場合、コア基板30の下面での孔径が80μm程度となった。このように、本実施形態の方法によれば、コア基板30の上下面での貫通孔14の孔径の差を小さくすることができ、さらに貫通孔14の下面での孔径のばらつきを±10μm程度にまで小さくすることができ、貫通孔14をきわめて高精度に形成できるという効果がある。貫通孔14を孔径のばらつきなく、高精度に形成することができれば、コア基板30に高密度に貫通孔14を形成することが可能になる。
【0015】
また、コア基板30の上下面での貫通孔14の孔径の差が小さいことから、めっきにより貫通孔14の内面に確実に導体層を形成することができ、貫通孔14での導通不良を防止することが可能になる。また、逃げ孔32aを形成して貫通孔14の下面を開放したことにより、レーザ光によってコア基板30をエッチングする際に飛散する汚れが貫通孔14の内面に付着しにくくなり、これによってもめっきにより貫通孔14の内面に確実に導体層を被着することができるようになる。
【0016】
図2は本発明に係るレーザ加工による樹脂基板の貫通孔の加工方法の第2の実施形態を示す説明図である。本実施形態では、被加工品であるコア基板30をメッシュシート34を介してベース板26に支持したことを特徴とする。本実施形態のメッシュシート34はステンレス等の金属からなるワイヤをメッシュ状に織ったもので、ワイヤ径が30〜70μm程度でメッシュ間隔が300μm程度のものを使用した。メッシュシート34を介してコア基板30を支持するのは、上記実施形態と同様にコア基板30にレーザ光を照射して貫通孔14を形成する際に、貫通孔14の下面が閉止されないようにして貫通孔14を形成しやすくするためである。メッシュシート34として貫通孔14の孔径よりも大きなメッシュ間隔のものを選択すれば、貫通孔14の下面がメッシュシート34によって閉止されることがなく、貫通孔14の下面を開放してコア基板30をレーザ加工することができる。
【0017】
メッシュシート34を使用した場合は、貫通孔14が形成される位置と同じ位置にメッシュシート34を構成しているワイヤが位置することがあり得る。しかし、ワイヤは断面形状が円形であるから、ワイヤと貫通孔14の下面との間には隙間が生じて貫通孔14がワイヤによって完全に閉止されることはない。
本実施形態の場合も、コア基板30に貫通孔14を形成した際に貫通孔14の下面が閉止されることがなく、高精度に貫通孔14を形成することができる。
【0018】
なお、本実施形態では金属ワイヤによって形成したメッシュシート34を使用したが、メッシュシートと同様に化学繊維や天然繊維によって形成した多孔質シートを使用することもできる。
上記メッシュシート34はコア基板30をベース板26にエア吸着可能にするとともに、レーザ加工によってコア基板30に容易に貫通孔14が加工できるようにするためのものである。紙、不織布等の多孔質シートを使用した場合もメッシュシートと同様にコア基板30をベース板26にエア吸着することができ、貫通孔14を容易に加工することができる。
これらのメッシュシートあるいは多孔質シートとして使用可能なものを材料別に例示すると以下のようになる。
金属繊維(ワイヤ)を使用するものとしては、ステンレス、アルミニウム、鉄等によって形成したメッシュ体、化学繊維を使用するものとしては、ポリエステル、ナイロン等の樹脂を使用した織布、不織布あるいはスポンジ等、天然繊維を使用するものとしては、麻、木綿、絹、パルプ(紙)等を使用した不織布、織布が使用できる。
【0019】
これらのメッシュシートおよび多孔質シートは被加工品をエア吸着によってベース板26に吸着支持できる程度のメッシュ度あるいは多孔質度を備えていればよい。金属のメッシュシートを使用する場合には、貫通孔14の孔径よりもメッシュ間隔が広いものを使用する必要があるが、化学繊維や天然繊維を使用したメッシュシートや多孔質シートの場合は、これらがレーザ光によって簡単に加工でき、レーザ加工の妨げにならないので、貫通孔14の孔径との関係でメッシュ度あるいは多孔質度を考慮する必要がない。
【0020】
図3は本発明に係るレーザ加工による樹脂基板の貫通孔の加工方法の第3の実施形態を示す説明図である。本実施形態では、被加工品であるコア基板30の下面にレーザ光によって容易にエッチングされる樹脂層36を形成し、樹脂層36を介してベース板26にコア基板30を支持してレーザ加工することを特徴とする。
図3(a)はコア基板30にレーザ光を照射している状態、図3(b)はコア基板30に貫通孔14を形成した状態である。本実施形態の貫通孔の加工方法では、コア基板30にレーザ光を照射して貫通孔14を貫通させた際に、貫通孔14の下面の樹脂層36をレーザ光でエッチングして貫通孔14を加工する。樹脂層36はレーザ光で簡単にエッチングされるから、貫通孔14を貫通させた際に樹脂層36がエッチングされて貫通孔14の下面に凹部36aが形成される。
【0021】
このように、樹脂層36がエッチングされるようにして貫通孔14を形成すると貫通孔14の内面が真っ直ぐにエッチングされ、貫通孔14の孔径のばらつきが抑えられる。コア基板30とベース板26との間にレーザ光によって簡単にエッチングされる樹脂層36を介在させたのは、貫通孔14が閉止されずに容易に貫通されるようにするためである。
【0022】
なお、コア基板30とベース板26との間に樹脂層36を介在させる方法としては、ベース板26の表面に0.1mm程度の厚さの樹脂フィルムをセットする方法、コア基板30の下面にあらかじめ樹脂フィルムを被着して樹脂層36とする方法が可能である。コア基板30の下面に被着されている銅層12はエッチングにより所定の配線パターンに形成される。したがって、コア基板30を用いる配線基板の製造工程では、コア基板30の下面に銅層12を所定パターンでエッチングするレジストパターンを形成するための樹脂層を形成することが行われる。樹脂層はドライフィルム等の樹脂フィルムを貼付して形成されるから、上記樹脂層36として銅層12をパターニングするためにコア基板30にあらかじめ貼付した樹脂フィルムを使用することが可能である。
【0023】
銅層12をエッチングするレジストパターンを形成するための樹脂層36を利用して貫通孔14を形成する方法は、配線基板の製造工程で使用する樹脂層が利用できる点で有効である。
なお、樹脂層36を形成する方法としては、コア基板30の銅層12の表面に樹脂材をコーティングして形成することもできる。この樹脂層36はレジストパターンを形成するための樹脂層36に利用し、また貫通孔14を形成する際に利用することができる。
【0024】
図4は本発明に係るレーザ加工による樹脂基板の貫通孔の加工方法の第4の実施形態を示す説明図である。本実施形態では、被加工品であるコア基板30にレーザ光を照射する前工程として、コア基板30の表面に被着されている銅層12の厚さを薄くするエッチング工程を施すことを特徴とする。コア基板30の樹脂基板10の両面に被着されている銅層12の厚さは、通常10μm〜20μm程度である。本実施形態では、まず化学的エッチングによって樹脂基板10の両面に被着している銅層12のの厚さを5〜7μm程度の厚さまで薄くした後、上述した実施形態と同様にしてコア基板30に貫通孔14を形成する。
【0025】
図4(a)は樹脂基板10の両面に銅層12が被着されたコア基板30を示す。図4(b)は化学的エッチングによって銅層12をエッチングして銅層12の厚さを薄くした状態である。図4(c)は樹脂層36を介してコア基板30をベース板26に支持し、レーザ光を照射してコア基板30に貫通孔14を形成した状態である。
本実施形態の貫通孔14の加工方法によれば、樹脂基板10の表面に被着された銅層12の厚さをより薄くした後、レーザ加工によって貫通孔14を形成したことによって、貫通孔14の加工効率を上げることが可能になる。レーザ加工によって貫通孔14を形成する場合、銅層12等の金属層はレーザ光によってエッチングされにくいから、銅層12の厚さが厚いと貫通孔14の加工効率が低下する。これに対し、本実施形態では銅層12の厚さを薄くすることによって貫通孔14をより効率的に加工することができる。
【0026】
また、貫通孔14を加工する場合に、コア基板30の上面と下面とで孔径が異なる理由として、貫通孔14がコア基板30の下面側までエッチングされていった際に、下層の銅層12の厚さが厚いとその銅層12をエッチングするために時間がかかり、その際に貫通孔14の内面がエッチングされ貫通孔14の形状が所定形状から外れてくることがある。この点で、本実施形態のように銅層12の厚さを薄くしてレーザ加工する方法であれば、貫通孔14の下面の銅層12が簡単にエッチングでき、貫通孔14の孔形状が所定形状から外れることを効果的に防止することができる。
また、樹脂基板10の両面に銅層12を被着させて残しておくことは、貫通孔14の開口部の周縁がレーザ光によってエッチングされることを防止し、図7に示すように貫通孔14の開口部の周縁に凹部ができるといったことを防止する効果がある。
【0027】
図4(c)ではコア基板30とベース板26との間に樹脂層36を介在させてコア基板30に貫通孔14を形成しているが、樹脂基板10の両面に被着した銅層12の厚さを薄くしてレーザ加工する場合は、貫通孔14の加工性が良好となることから、前述した図1〜3に示す加工方法によらずに、従来の加工方法を適用することが可能である。もちろん、前述した逃げ孔32aを備えたパターン板32を使用する方法等を利用することによってさらに高精度に貫通孔14を形成することが可能である。
【0028】
また、コア基板30に貫通孔14を形成した後、再度、銅層12をエッチングすることによって、銅層12の表面や貫通孔14の内面に付着した飛散物やばりを除去することができ、銅層12の厚さを薄く(3〜5μm)することによってより高密度に配線パターンを形成することが可能になる。もちろん、銅層12を完全にエッチングしてコア基板30の表面から除去することもできる。これらの操作はコア基板30の両面に配線パターンを形成する加工工程として適宜選択すればよい。
【0029】
【発明の効果】
本発明に係るレーザ加工による樹脂基板の貫通孔の加工方法によれば、上述したように、樹脂基板に高精度に貫通孔を形成することが可能となる。これにより、樹脂基板にきわめて小径の貫通孔を高密度に配置することが可能となり、半導体装置の小型化に好適に対応することが可能になる。また、貫通孔を精度よく形成できることから、貫通孔の内面にめっきにより導体層を形成することが確実にでき、貫通孔部分での導通不良といった問題を防止することができる。また、樹脂基板に貫通孔を形成する加工効率を向上させることができる等の著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るレーザ加工による樹脂基板の貫通孔の加工方法の第1の実施形態を示す説明図である。
【図2】本発明に係るレーザ加工による樹脂基板の貫通孔の加工方法の第2の実施形態を示す説明図である。
【図3】本発明に係るレーザ加工による樹脂基板の貫通孔の加工方法の第3の実施形態を示す説明図である。
【図4】本発明に係るレーザ加工による樹脂基板の貫通孔の加工方法の第4の実施形態を示す説明図である。ける半導体装置の製造方法を示す説明図である。
【図5】コア基板の両面に配線パターンを備えた配線基板の製造方法を示す説明図である。
【図6】レーザ加工によって樹脂基板に貫通孔を形成する従来方法を示す説明図である。
【図7】レーザ加工によって樹脂基板に貫通孔を形成する従来方法を示す説明図である。
【符号の説明】
10 樹脂基板
12 銅層
14 貫通孔
16 導体層
18 配線パターン
20 絶縁層
22 配線パターン
24 ビア
26 ベース板
30 コア基板
32 パターン板
32a 逃げ孔
34 メッシュシート
36 樹脂層
36a 凹部
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for processing a through hole of a resin substrate by laser processing.
[0002]
[Prior art]
Some semiconductor devices have a resin substrate as a core substrate, a required wiring pattern is formed on both surfaces of the core substrate, and semiconductor elements are mounted. FIG. 5 shows a method of forming a wiring board having wiring patterns formed on both sides of the core board.
FIG. 5 (a) is a cross-sectional view of a core substrate in which a copper layer 12 is formed on both surfaces of the resin substrate 10 by adhesion of copper foil or copper plating, and FIG. 5 (b) shows through holes 14 formed in the core substrate. Shows the state. FIG. 5C shows a state in which the core substrate is then plated to form a conductor layer 16 by plating on the inner surface of the through hole 14 and the surface of the core substrate. FIG. 5D shows a state in which the conductor layer 16 on the surface of the core substrate is etched to form a wiring pattern 18 on the surface of the core substrate. FIG. 5E shows a state in which the insulating layer 20 is further formed on the surface of the core substrate by applying a resin, and the wiring pattern 22 of the next layer is formed by being electrically connected to the wiring pattern 18 by the via 24. The wiring patterns 18 and 22 formed on both surfaces of the core substrate are electrically connected via the conductor layer 16 formed on the inner surface of the through hole 14.
[0003]
Thus, in a method for manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted by forming a wiring pattern on both surfaces of a core substrate, it is necessary to first form through holes in the core substrate. As a method for forming a through hole in the core substrate, drilling is generally used. However, since there is a limit to the hole diameter of the through hole 14 that can be formed by drilling, a method using a laser beam has come to be performed as a method of forming the smaller diameter through hole 14.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
According to the method using laser light, it is possible to form through holes having a diameter of about 0.1 mm, and it is possible to form through holes at a higher density in the core substrate than in the case of drilling. Is possible.
However, the method of forming a through hole using laser light has the following problems. FIG. 6 shows a conventional method for forming a through-hole 14 by irradiating a workpiece having a copper layer 12 on both surfaces of a resin substrate 10 with laser light. 6A shows a state in which the workpiece is supported on the base plate 26 and is irradiated with laser light, and FIG. 6B shows a state in which the through hole 14 is formed in the workpiece. As shown in the figure, when the through-hole 14 is formed using laser light, for example, a core substrate having a thickness of 200 μm, the diameter of the through-hole 14 on the upper surface of the core substrate is 120 μm, and the diameter on the lower surface is 120 μm. As in the case of 60 to 70 μm, there is a problem that the diameter dimension is greatly different between the top and bottom of the through hole. Conventionally, there is a large variation in diameter at the bottom of the through hole, and there is a variation of about ± 30 μm.
[0005]
Thus, when the hole diameter of the through hole is different between the upper surface and the lower surface of the core substrate, it is difficult to deposit the plating on the inner surface of the through hole, and the conductor layer is not reliably formed on the inner surface of the through hole. A conduction failure occurs in the wiring pattern formed on both surfaces.
Further, as shown in FIG. 6B, since the lower surface of the through hole 14 irradiated with the laser light is closed by the base plate 26, the inner surface of the through hole 14 is contaminated by the scattered matter due to the laser light. Also, it is difficult to deposit the plating on the inner surface of the through hole.
FIG. 6B shows a state in which the flash 12a is attached to the periphery of the opening of the through hole 14 when the laser beam is irradiated. As described above, when the flash 12a is generated, the copper layer 12 is etched to prevent a fine wiring pattern from being formed.
[0006]
When the through hole is formed by irradiating the core substrate with the laser beam as described above, if the copper layer 12 is on the surface of the resin substrate 10, the etching rate by the laser beam is slowed down and the processing time is increased. Therefore, in order to increase the processing efficiency, a method of forming the through hole 14 by laser processing after removing the copper layer 12 on the surface of the resin substrate 10 can be considered. FIG. 7 shows a state in which the resin substrate 10 from which the copper layer 12 has been removed is irradiated with laser light to form a through hole 14. However, as shown in the figure, when only the resin substrate 10 is irradiated with laser light, the peripheral edge of the opening of the through hole 14 is damaged by the laser light 14a and cannot be processed into the required shape of the through hole 14. is there.
[0007]
The present invention has been made to solve these problems, and the object of the present invention is to process through holes having a smaller diameter while suppressing variations in the diameters of the through holes formed in the resin substrate by laser processing. It is possible to provide a method for processing a through hole of a resin substrate by laser processing, which can be performed and can improve the processing efficiency of the through hole formed in the resin substrate.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention comprises the following arrangement.
That is, in a method for processing a through hole of a resin substrate in which a through hole is formed by irradiating a workpiece having a conductive layer on both surfaces of a resin substrate with laser light from one surface side, the conductor layer is covered. A resin layer that can be etched by a laser beam and that forms a resist pattern that forms a wiring pattern by patterning the conductor layer into a predetermined pattern is deposited on the surface of the attached workpiece. Irradiating the workpiece with laser light from the side opposite to the surface on which the resin layer is deposited , etching the resin layer together with the workpiece, and forming a through hole in the workpiece Features. In the case of this method, by etching the resin layer together with the workpiece, the through hole can be easily removed and the through hole can be easily processed.
[0009]
Further, in a method for processing a through hole of a resin substrate, wherein a laser beam is irradiated from one surface side to a workpiece having a conductor layer deposited on both surfaces of the resin substrate, a laser beam is applied to the resin substrate. As a pre-process for irradiating light, the conductor layer deposited on both surfaces of the resin substrate is etched over the entire surface to reduce the thickness of the conductor layer, and then the surface of the workpiece on which the conductor layer is deposited Further, a resin layer for forming a resist pattern that can be etched by a laser beam and that forms a wiring pattern by patterning the conductor layer into a predetermined pattern is deposited, and the resin layer is deposited. The workpiece is irradiated with laser light from the side opposite to the surface to be etched, and the resin layer is etched together with the workpiece to form a through hole in the workpiece. The processing efficiency of laser processing can be improved by reducing the thickness of the conductor layer, and the through hole can be processed with higher accuracy by reducing the irradiation time of the laser beam .
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is an explanatory view showing a first embodiment of a method for processing a through hole of a resin substrate by laser processing according to the present invention. FIG. 1A shows a state in which a core substrate 30 as a workpiece is supported on a base plate 26 for laser processing. In this laser processing apparatus, a workpiece is air-adsorbed and supported on a processing stage (not shown), and the processing stage is moved relative to the laser light source to form a through hole at a predetermined position. The base plate 26 is a support substrate for setting the core substrate 30 on the processing stage, and is provided with suction holes that communicate with air suction holes provided in the processing stage.
[0011]
The structure characterized by the processing method of the present embodiment is to perform laser processing by supporting the core substrate 30 that is a workpiece on a pattern plate 32 in which escape holes 32a are formed in advance in accordance with positions where the through holes 14 are formed. It is in the point which did. FIG. 1A shows a state in which the core substrate 30 is supported on the base plate 26 via the pattern plate 32 and the laser beam is irradiated. FIG. 1B shows the through hole 14 formed in the core substrate 30 by laser processing. Shows the state.
[0012]
As shown in FIG. 1B, the escape hole 32a formed in the pattern plate 32 is formed larger than the diameter of the through hole 14, and the core substrate 30 is irradiated with laser light to form the through hole 14. The through hole 14 is formed so as to penetrate completely. Since the arrangement of the through holes 14 formed in the core substrate 30 is determined in advance, escape holes 32 a are formed in the pattern plate 32 in accordance with the planar arrangement of these through holes 14. The material of the pattern plate 32 is not particularly limited. For example, a metal plate made of copper, aluminum, iron, or the like is etched to form the escape hole 32a, or a resin plate is etched to form the escape hole 32a. Further, the pattern plate 32 and the base plate 26 are not formed separately, but a resin layer such as polyimide is applied to the base plate 26, and the resin layer is etched to form a relief hole 32a. An integrally attached base plate 26 can also be used.
[0013]
The base plate 26 is a part that receives laser light when the through hole 14 is formed through the core substrate 30. The reason why the core substrate 30 is supported by the base plate 26 in this embodiment is to prevent the laser beam from being directly irradiated onto the processing stage of the laser processing apparatus.
Further, in this embodiment, the pattern plate 32 is used separately from the base plate 26, but the escape hole 32a is completely penetrated by the through hole 14 on the lower surface side when the core substrate 30 is irradiated with laser light. Since it is for opening the through hole 14 on the lower surface side, the pattern plate 32 and the base plate 26 are integrated, and a pattern plate in which a recess-shaped escape hole 32a is formed in accordance with the position where the through hole 14 is formed. It is also possible to use 32 and not use the base plate 26. Thus, the escape hole 32a formed in the pattern plate 32 may be a through-hole penetrating the pattern plate 32 or a concave hole. The depth of the escape hole 32a may be set as appropriate, but in this embodiment, it is set to a depth of about 100 μm.
[0014]
Thus, according to the method of forming the through hole 14 by irradiating the core substrate 30 with the laser beam using the pattern plate 32 in which the escape hole 32 a is formed, the through hole 14 is easily formed. Variations in the hole diameters of the through holes 14 on the upper and lower surfaces can be reduced. In the example in which the through holes 14 are actually formed in the core substrate 30 by the method of the present embodiment, when the thickness of the core substrate is 200 μm and the hole diameter is 100 μm on the upper surface of the core substrate 30, the hole diameter on the lower surface of the core substrate 30 is 80 μm. It became about. Thus, according to the method of the present embodiment, the difference in the hole diameters of the through holes 14 on the upper and lower surfaces of the core substrate 30 can be reduced, and the variation in the hole diameters on the lower surface of the through holes 14 is about ± 10 μm. There is an effect that the through hole 14 can be formed with extremely high accuracy. If the through holes 14 can be formed with high accuracy without variation in hole diameter, the through holes 14 can be formed in the core substrate 30 with high density.
[0015]
In addition, since the difference in the hole diameters of the through holes 14 between the upper and lower surfaces of the core substrate 30 is small, a conductor layer can be reliably formed on the inner surface of the through holes 14 by plating, and poor conduction in the through holes 14 can be prevented. It becomes possible to do. In addition, since the escape hole 32a is formed and the lower surface of the through hole 14 is opened, dirt scattered when the core substrate 30 is etched by the laser beam is less likely to adhere to the inner surface of the through hole 14, and this also causes plating. As a result, the conductor layer can be reliably deposited on the inner surface of the through hole 14.
[0016]
FIG. 2 is an explanatory view showing a second embodiment of a method for processing a through hole of a resin substrate by laser processing according to the present invention. The present embodiment is characterized in that the core substrate 30 which is a workpiece is supported on the base plate 26 via the mesh sheet 34. The mesh sheet 34 of the present embodiment is made of a wire made of metal such as stainless steel woven in a mesh shape, and has a wire diameter of about 30 to 70 μm and a mesh interval of about 300 μm. The core substrate 30 is supported via the mesh sheet 34 so that the bottom surface of the through-hole 14 is not closed when the through-hole 14 is formed by irradiating the core substrate 30 with laser light as in the above embodiment. This is to facilitate the formation of the through hole 14. If a mesh sheet having a mesh interval larger than the hole diameter of the through hole 14 is selected as the mesh sheet 34, the lower surface of the through hole 14 is not closed by the mesh sheet 34, and the lower surface of the through hole 14 is opened to open the core substrate 30. Can be laser processed.
[0017]
When the mesh sheet 34 is used, the wire constituting the mesh sheet 34 may be located at the same position as the position where the through hole 14 is formed. However, since the wire has a circular cross-sectional shape, a gap is not generated between the wire and the lower surface of the through hole 14, and the through hole 14 is not completely closed by the wire.
Also in this embodiment, when the through hole 14 is formed in the core substrate 30, the lower surface of the through hole 14 is not closed, and the through hole 14 can be formed with high accuracy.
[0018]
In the present embodiment, the mesh sheet 34 formed of a metal wire is used. However, a porous sheet formed of chemical fibers or natural fibers can be used in the same manner as the mesh sheet.
The mesh sheet 34 allows the core substrate 30 to be adsorbed to the base plate 26 by air and allows the through holes 14 to be easily processed in the core substrate 30 by laser processing. When a porous sheet such as paper or nonwoven fabric is used, the core substrate 30 can be adsorbed to the base plate 26 in the same manner as the mesh sheet, and the through hole 14 can be easily processed.
Examples of materials that can be used as these mesh sheets or porous sheets are as follows.
As for using metal fibers (wires), mesh bodies formed of stainless steel, aluminum, iron, etc., as for using chemical fibers, woven fabrics using nonwoven fabrics such as polyester and nylon, nonwoven fabrics or sponges, Nonwoven fabrics and woven fabrics using hemp, cotton, silk, pulp (paper), etc. can be used as those using natural fibers.
[0019]
These mesh sheets and porous sheets only need to have a degree of mesh or porosity that allows the workpiece to be adsorbed and supported on the base plate 26 by air adsorption. In the case of using a metal mesh sheet, it is necessary to use one having a mesh interval wider than the hole diameter of the through hole 14, but in the case of a mesh sheet or porous sheet using chemical fibers or natural fibers, However, it is not necessary to consider the degree of mesh or the degree of porosity in relation to the hole diameter of the through hole 14 because it can be easily processed by laser light and does not hinder laser processing.
[0020]
FIG. 3 is an explanatory view showing a third embodiment of a method for processing a through hole of a resin substrate by laser processing according to the present invention. In the present embodiment, a resin layer 36 that is easily etched by laser light is formed on the lower surface of the core substrate 30 that is a workpiece, and the core substrate 30 is supported on the base plate 26 via the resin layer 36 to perform laser processing. It is characterized by doing.
3A shows a state in which the core substrate 30 is irradiated with laser light, and FIG. 3B shows a state in which the through holes 14 are formed in the core substrate 30. FIG. In the through hole processing method of the present embodiment, when the core substrate 30 is irradiated with laser light and penetrates the through hole 14, the resin layer 36 on the lower surface of the through hole 14 is etched with laser light to pass through the through hole 14. Is processed. Since the resin layer 36 is easily etched with laser light, the resin layer 36 is etched when the through hole 14 is penetrated, and a recess 36 a is formed on the lower surface of the through hole 14.
[0021]
In this way, when the through hole 14 is formed so that the resin layer 36 is etched, the inner surface of the through hole 14 is etched straight, and variation in the diameter of the through hole 14 is suppressed. The reason why the resin layer 36 that is easily etched by the laser beam is interposed between the core substrate 30 and the base plate 26 is to allow the through hole 14 to be easily penetrated without being closed.
[0022]
As a method for interposing the resin layer 36 between the core substrate 30 and the base plate 26, a method of setting a resin film having a thickness of about 0.1 mm on the surface of the base plate 26, A method in which a resin film is applied in advance to form the resin layer 36 is possible. The copper layer 12 deposited on the lower surface of the core substrate 30 is formed into a predetermined wiring pattern by etching. Therefore, in the manufacturing process of the wiring substrate using the core substrate 30, a resin layer for forming a resist pattern for etching the copper layer 12 with a predetermined pattern is formed on the lower surface of the core substrate 30. Since the resin layer is formed by attaching a resin film such as a dry film, it is possible to use a resin film previously attached to the core substrate 30 in order to pattern the copper layer 12 as the resin layer 36.
[0023]
The method of forming the through hole 14 using the resin layer 36 for forming a resist pattern for etching the copper layer 12 is effective in that the resin layer used in the manufacturing process of the wiring board can be used.
As a method of forming the resin layer 36, the surface of the copper layer 12 of the core substrate 30 can be formed by coating a resin material. This resin layer 36 can be used as a resin layer 36 for forming a resist pattern, and can be used when the through hole 14 is formed.
[0024]
FIG. 4 is an explanatory view showing a fourth embodiment of a method for processing a through hole of a resin substrate by laser processing according to the present invention. In this embodiment, an etching process for reducing the thickness of the copper layer 12 deposited on the surface of the core substrate 30 is performed as a pre-process for irradiating the core substrate 30 that is a workpiece with laser light. And The thickness of the copper layer 12 applied to both surfaces of the resin substrate 10 of the core substrate 30 is usually about 10 μm to 20 μm. In the present embodiment, first, the thickness of the copper layer 12 deposited on both surfaces of the resin substrate 10 is reduced to a thickness of about 5 to 7 μm by chemical etching, and then the core substrate is formed in the same manner as in the above-described embodiment. A through hole 14 is formed at 30.
[0025]
FIG. 4A shows the core substrate 30 in which the copper layer 12 is deposited on both surfaces of the resin substrate 10. FIG. 4B shows a state in which the copper layer 12 is etched by chemical etching to reduce the thickness of the copper layer 12. FIG. 4C shows a state in which the core substrate 30 is supported on the base plate 26 via the resin layer 36 and the through holes 14 are formed in the core substrate 30 by irradiating laser light.
According to the processing method of the through hole 14 of the present embodiment, the thickness of the copper layer 12 deposited on the surface of the resin substrate 10 is further reduced, and then the through hole 14 is formed by laser processing. 14 processing efficiency can be increased. When the through hole 14 is formed by laser processing, the metal layer such as the copper layer 12 is difficult to be etched by the laser beam. Therefore, if the copper layer 12 is thick, the processing efficiency of the through hole 14 is lowered. On the other hand, in this embodiment, the through-hole 14 can be processed more efficiently by reducing the thickness of the copper layer 12.
[0026]
Further, when the through hole 14 is processed, the reason why the hole diameter is different between the upper surface and the lower surface of the core substrate 30 is that when the through hole 14 is etched to the lower surface side of the core substrate 30, the lower copper layer 12 is formed. If the thickness of the through hole 14 is large, it takes time to etch the copper layer 12. At this time, the inner surface of the through hole 14 may be etched and the shape of the through hole 14 may deviate from the predetermined shape. In this respect, if the laser processing is performed by reducing the thickness of the copper layer 12 as in this embodiment, the copper layer 12 on the lower surface of the through hole 14 can be easily etched, and the hole shape of the through hole 14 is Deviating from the predetermined shape can be effectively prevented.
Also, leaving the copper layer 12 on both surfaces of the resin substrate 10 prevents the peripheral edge of the opening of the through hole 14 from being etched by laser light, and the through hole as shown in FIG. There is an effect of preventing a recess from being formed on the peripheral edge of the 14 openings.
[0027]
In FIG. 4C, the resin layer 36 is interposed between the core substrate 30 and the base plate 26 to form the through holes 14 in the core substrate 30, but the copper layer 12 deposited on both surfaces of the resin substrate 10. When the laser processing is performed with a reduced thickness, the workability of the through hole 14 is improved, so that the conventional processing method can be applied regardless of the processing method shown in FIGS. Is possible. Of course, it is possible to form the through-hole 14 with higher accuracy by utilizing the above-described method of using the pattern plate 32 provided with the escape hole 32a.
[0028]
Moreover, after forming the through-hole 14 in the core substrate 30, the scattered matter and the burrs adhering to the surface of the copper layer 12 and the inner surface of the through-hole 14 can be removed by etching the copper layer 12 again. By reducing the thickness of the copper layer 12 (3 to 5 μm), it is possible to form a wiring pattern at a higher density. Of course, the copper layer 12 may be completely etched and removed from the surface of the core substrate 30. These operations may be appropriately selected as processing steps for forming wiring patterns on both surfaces of the core substrate 30.
[0029]
【The invention's effect】
According to the method for processing a through hole in a resin substrate by laser processing according to the present invention, as described above, it is possible to form a through hole with high accuracy in the resin substrate. As a result, it is possible to arrange extremely small diameter through holes at a high density in the resin substrate, and it is possible to suitably cope with downsizing of the semiconductor device. Further, since the through hole can be formed with high accuracy, it is possible to reliably form the conductor layer on the inner surface of the through hole by plating, and it is possible to prevent the problem of poor conduction at the through hole portion. In addition, it is possible to improve the processing efficiency for forming the through hole in the resin substrate.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory view showing a first embodiment of a method for processing a through hole of a resin substrate by laser processing according to the present invention.
FIG. 2 is an explanatory view showing a second embodiment of a method for processing a through hole of a resin substrate by laser processing according to the present invention.
FIG. 3 is an explanatory view showing a third embodiment of a method for processing a through hole of a resin substrate by laser processing according to the present invention.
FIG. 4 is an explanatory view showing a fourth embodiment of a method for processing a through hole of a resin substrate by laser processing according to the present invention. It is explanatory drawing which shows the manufacturing method of a semiconductor device.
FIG. 5 is an explanatory view showing a method of manufacturing a wiring board having wiring patterns on both surfaces of a core board.
FIG. 6 is an explanatory view showing a conventional method of forming a through hole in a resin substrate by laser processing.
FIG. 7 is an explanatory view showing a conventional method of forming a through hole in a resin substrate by laser processing.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Resin board | substrate 12 Copper layer 14 Through-hole 16 Conductive layer 18 Wiring pattern 20 Insulating layer 22 Wiring pattern 24 Via 26 Base board 30 Core board 32 Pattern board 32a Escape hole 34 Mesh sheet 36 Resin layer 36a Recessed part

Claims (2)

樹脂基板の両面に導体層が被着された被加工品に、一方の面側からレーザ光を照射して貫通孔を形成する樹脂基板の貫通孔の加工方法において、
前記導体層が被着された被加工品の表面に、レーザ光によってエッチング可能であり、かつ、前記導体層を所定のパターンにパターニングして配線パターンを形成するレジストパターンを形成するための樹脂層を被着形成し、
該樹脂層が被着された面とは反対の面側から被加工品にレーザ光を照射し、被加工品とともに前記樹脂層をエッチングして、被加工品に貫通孔を形成することを特徴とする樹脂基板の貫通孔の加工方法。
In the processing method of the through hole of the resin substrate, the laser beam is irradiated from one surface side to the workpiece in which the conductor layer is attached to both surfaces of the resin substrate.
Resin layer for forming a resist pattern that can be etched with a laser beam on the surface of the workpiece on which the conductor layer is deposited, and that forms a wiring pattern by patterning the conductor layer into a predetermined pattern Depositing and forming
A laser beam is irradiated to the workpiece from the side opposite to the surface on which the resin layer is deposited, and the resin layer is etched together with the workpiece to form a through hole in the workpiece. A method for processing a through hole of a resin substrate.
樹脂基板の両面に導体層が被着された被加工品に、一方の面側からレーザ光を照射して貫通孔を形成する樹脂基板の貫通孔の加工方法において、
前記樹脂基板にレーザ光を照射する前工程として、前記樹脂基板の両面に被着された前記導体層を全面にわたってエッチングして導体層の厚さを薄くした後、
前記導体層が被着された被加工品の表面に、レーザ光によってエッチング可能であり、かつ、前記導体層を所定のパターンにパターニングして配線パターンを形成するレジストパターンを形成するための樹脂層を被着形成し、
該樹脂層が被着された面とは反対の面側から被加工品にレーザ光を照射し、被加工品とともに前記樹脂層をエッチングして、被加工品に貫通孔を形成することを特徴とする樹脂基板の貫通孔の加工方法。
In the processing method of the through hole of the resin substrate, the laser beam is irradiated from one surface side to the workpiece in which the conductor layer is attached to both surfaces of the resin substrate.
As a pre-process of irradiating the resin substrate with laser light, the conductor layer deposited on both surfaces of the resin substrate is etched over the entire surface to reduce the thickness of the conductor layer,
Resin layer for forming a resist pattern that can be etched with a laser beam on the surface of the workpiece on which the conductor layer is deposited, and that forms a wiring pattern by patterning the conductor layer into a predetermined pattern Depositing and forming
A laser beam is irradiated to the workpiece from the side opposite to the surface on which the resin layer is deposited, and the resin layer is etched together with the workpiece to form a through hole in the workpiece. A method for processing a through hole of a resin substrate.
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