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JP3722271B2 - Wafer cutting apparatus and method - Google Patents
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JP3722271B2 JP2000040981A JP2000040981A JP3722271B2 JP 3722271 B2 JP3722271 B2 JP 3722271B2 JP 2000040981 A JP2000040981 A JP 2000040981A JP 2000040981 A JP2000040981 A JP 2000040981A JP 3722271 B2 JP3722271 B2 JP 3722271B2
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blade
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、2本のスピンドルに装着された2枚のブレードを回転させて、半導体ウェーハをダイス状に切断するウェーハ切断装置及びその方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェーハをダイス状に切断するダイシング装置は、スピンドルに装着されたブレードを高速回転させて半導体ウェーハをストリートに沿ってダイス状に切断し、チップ毎に分断する装置である。
【0003】
従来のダイシング装置には、2本のスピンドルを有するデュアル式のダイシング装置が知られている(特開平8−25209号公報、実開昭59−156753号公報等)。このダイシング装置によれば、2枚のブレードで半導体ウェーハの2本のストリートを同時に切断することができるので、半導体ウェーハの切断時間を短縮することができるという利点がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来のデュアル式のダイシング装置は、スピンドルを1本から2本に増やすことで切断時間を略半分に短縮することが可能であるが、それ以上に切断効率を向上させる点やウェーハを高品質高スループットで切断する点については期待できないという欠点があった。
【0005】
ところで、ダイシング装置では、1枚のブレードでストリートをフルカットする方法と、2枚の異種ブレードを使用してストリートを2段カット(1枚目のブレードでハーフカットし、2枚目のブレードでフルカット)する方法がある。前者のフルカット方法では、ウェーハの表面に生じるチッピングを抑えるために、スピンドルの回転方向(ブレードの切削点におけるスピンドルの回転方向)とウェーハの切断送り方向とが一致するように設定されている(以下、「ダウンカット」と称する)。また、後者の2段カット方法のハーフカット時においてはやはり表面のチッピングを抑えるため、フルカット方法と同じ回転方向に設定されているが、2枚目のブレードでフルカットする場合には、ウェーハの裏面に生じるチッピングを抑えるために、スピンドルの回転方向とウェーハの切断送り方向とが逆方向に設定されている(以下「アップカット」と称する)。
【0006】
更に、このようなダウンカットによるフルカット又はダウンカット及びアップカットによる2段カットにおいても、スループットを向上させる観点から、ウェーハは往方向移動時に切断され、復方向移動時にはブレードを上方向に逃がして切断加工を行わず、ウェーハは切断開始位置に高速復帰移動される。要するに、双方向で高品質切断加工を実施しようとすると、往復共夫々1枚のブレードで加工するか又は高速で回転しているスピンドルを逆転させる必要があり、いずれにしてもスループットは低下する。
【0007】
一方、ダイシング装置では、ブレードの切削点に切削液を供給しながら切断加工を実施しているが、この切削液の供給に関しても、半導体ウェーハを精度よく切断する観点から適切で確実な供給が要求されている。
【0008】
しかしながら、前記従来のデュアル式のダイシング装置のように、単にスピンドルを2本配置しただけのものでは、スピンドルの相互位置と回転方向によっては、一方のブレードに供給された切削液の排液が他方のブレードの切削液供給に悪影響を与えたり、あるいは各々のブレードの切削点に供給された切削液の排液同士が混ざり合って散乱するので、この散乱した排液に邪魔されて切削液を切削点に確実に供給することができないという欠点があった。また、排液が散乱すると、排液に混入している切削粉が切削点に入ってチッピングを引き起こしたり、あるいは切削粉がチップに付着するので、チップに悪影響を与えるという欠点もあった。
【0009】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、2本のスピンドルを有するウェーハ切断装置であって、ウェーハを効率よく切断することができるとともに高品質高スループットを図ることができるウェーハ切断装置及びその方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記目的を達成するために、本のスピンドルとウェーハとを相対的に移動させることにより、2本のスピンドルに装着された2枚のブレードによって前記ウェーハを切断するウェーハ切断装置において、前記2本のスピンドルは、一直線で対向配置されるとともに夫々ブレード側から見て互いに逆方向(夫々ブレード側から見て時計方向と反時計方向)に回転され、前記2枚のブレードによってウェーハを同時に切断することを特徴としている。
本発明は、前記目的を達成するために、2本のスピンドルとウェーハとを相対的に移動させることにより、2本のスピンドルに装着された2枚のブレードによって前記ウェーハを切断するウェーハ切断方法において、前記2本のスピンドルを、一直線で対向配置するとともに夫々ブレード側から見て互いに逆方向(夫々ブレード側から見て時計方向と反時計方向)に回転させ、前記2枚のブレードによってウェーハを同時に切断することを特徴としている。
【0011】
本のスピンドルを有し、該2本のスピンドルとウェーハとを相対的に移動させることにより、2本のスピンドルに装着された2枚のブレードによって前記ウェーハを切断するウェーハ切断装置において、前記2本のスピンドルは、各々の回転方向が切り換えられるように構成されている。
【0012】
本のスピンドルを有し、該2本のスピンドルとウェーハとを相対的に移動させることにより、2本のスピンドルに装着された2枚のブレードによって前記ウェーハを切断するウェーハ切断方法において、前記2本のスピンドルは、各々の回転方向が切り換えられるように構成され、該2本のスピンドルを、互いに逆方向に回転させてウェーハを切断する。
【0013】
本のスピンドルを有し、該2本のスピンドルとウェーハとを相対的に移動させることにより、2本のスピンドルに装着された2枚のブレードによって前記ウェーハを切断するウェーハ切断方法において、前記2本のスピンドルは、各々の回転方向が切り換えられるように構成され、該2本のスピンドルを、同一方向に回転させてウェーハを切断する。
【0014】
請求項1、2に記載の発明によれば、一直線上に対向配置された2本のスピンドルを互いに逆方向に回転させるとともに、2本のスピンドルとウェーハとを相対的に移動させて2枚のブレードでウェーハをダウンカット又はアップカットする。このように、一直線上に対向配置された2本のスピンドルを互いに逆方向に回転させると、各々のブレードの切削点に供給されている切削液の排液が同一方向に排出されるので、排出側一方向にのみ排液飛散防止カバー等を設ければよく、構造が簡単である。また、本発明は、同一カットモード(ダウンカット又はアップカット)で切断する場合、2本のスピンドルを同方向に回転させるものと比較してスループットが高くなる(図5)。
【0015】
一方、2本のスピンドルを平行に配置した場合には、2枚のブレードを同一切削ライン上に配置したときに各々の切削液は混ざり合うことなく逆方向に排出されるので隣のブレードに対して悪影響を及ぼさない。よって、切削液を切削点に確実に供給することができる(図10)。また、2本のスピンドルを前後にシフトして平行に配置した場合には、1枚目のブレードでダウンカットし、2枚目の異種ブレードでアップカットを同時にできるので、高品質高スループットを図ることができる(図11)。
【0016】
本のスピンドルを有し、2本のスピンドルの回転方向を切り換えられるように構成された装置であり、更にこの切り換えをプログラム設定可能としたダイシング装置をも含むものであって、2本のスピンドルを対向配置し互いに逆回転した場合には、請求項1に記載の発明と同様に、切削液の排液処理構造を簡素化することができるとともに、同一カットモードで切断する場合高スループットを図ることができる。更に2本のスピンドルを同方向に回転した場合、1段目のダウンカットと2段目のアップカットを同時にでき、異種ブレードでの2段カットを高品質高スループットで行うことができる。一方、2本のスピンドルを並列配置した場合で互いに逆回転した場合、2枚のブレードを1直線上に配置したとき、切削液が互いに干渉しない。更に、2枚のブレードをスピンドル軸方向前後にシフトして配置させることにより、1枚目のブレードでダウンカットし、2枚目の異種ブレードでアップカットを同時にできるので、2段カットで高品質高スループットを図ることができる。又、並列配置で同方向回転の場合は排液飛散防止構造を簡略化できると共に、同一カットモード切断において高スループットが図れる(図12)。
【0017】
本のスピンドルを互いに逆方向に回転させてウェーハを切断すると、2本のスピンドルを対向配置した場合には、排液処理構造の簡素化が図れると共に、同一カットモードで切断するときに同方向回転に比べ高スループットが図れる(図5)。
【0018】
また2本のスピンドルを並列配置した場合、切削液が互いに干渉しないようにできるので、切削液を切削点に確実に供給できる。また2枚のブレードを前後にシフトして配置することにより、2段カットを高品質高スループットで行うことができる(図11)。
【0019】
本のスピンドルを同一方向に回転させてウェーハを切断する場合において、2本のスピンドルを対向配置した場合には、1枚目のブレードでダウンカットし、2枚目の異種ブレードでアップカットを同時にできるので、高品質高スループットを図ることができる(図7)。また、2本のスピンドルを並列配置した場合には、同一カットモード(ダウンカット又はアップカット)で切断したきに、スループットが高くなると共に排液処理構造の簡素化が図れる(図12)。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下添付図面に従って本発明に係るウェーハ切断装置及びその方法の好ましい実施の形態について詳説する。
【0021】
図1は本発明が適用された半導体ウェーハのダイシング装置10の斜視図であり、図2はその平面図である。図1に示すように、ダイシング装置10は、主として切断部12、洗浄部14、カセット収納部16、エレベータ部18、及び搬送装置20等から構成されている。
【0022】
このダイシング装置10によるウェーハWの切断工程について説明すると、まず、カセット収納部16には粘着シートを介してフレームに貼られたウェーハが複数枚収納されている。加工前のウェーハWは、エレベータ部18によって順次引き出され、そして、引き出されたウェーハWは図2に示す位置P4にセットされる。次に、このウェーハWは、搬送装置20によって位置P1のプリロードステージを介して切断部12の不図示のカッティングテーブル(位置P2)上に載置される。ここで、ウェーハWはカッティングテーブルに吸着保持される。吸着保持されたウェーハWは、アライメント用撮像装置22、24によってウェーハW上のパターンが画像認識され、これに基づいてアライメントされる。
【0023】
そして、アライメントされたウェーハWは図2に示す、切断部12の矢印A、Bで示すY軸方向移動と図示しない紙面と垂直なZ軸方向移動、及びカッティングテーブルの矢印C、Dで示すX軸方向移動との複合動作によってチップに切断される。先ずカッティングテーブルがX軸方向に移動して2本のストリートが切断刃ユニット26、28の2枚のブレード30、32によって同時に切断される。最初の2本のストリートが切断されると、切断刃ユニット26、28をストリートのピッチ分だけY軸方向に移動させ、そして、カッティングテーブルを再びX軸方向に移動させることにより次の2本のストリートが2枚のブレード30、32によって切断される。なお、1本のストリートを2段カットする場合には、最初のブレードはハーフカットのみを行い、次のブレードはフルカットのみを 行って2段カットを遂行する。このような切断動作を繰り返して行い、一方向(X方向)の全てのストリートの切断が終了すると、カッティングテーブルを90°回動させて、前記切断したストリートに直交する他方向(図2上でY方向)のストリートを2枚のブレード30、32によって順次切断する。これにより、ウェーハWはダイス状に切断され、チップ毎に分断される。
【0024】
切断終了したウェーハWは、カッティングテーブルの移動で位置P2に戻された後、搬送装置20によって位置P3の洗浄部14のスピナテーブルに搬送される。ここでウェーハWは、洗浄水により洗浄された後、エアブローによって乾燥される。乾燥したウェーハWは、搬送装置20によって位置P4に搬送され、エレベータ部18によってカセット収納部16に収納される。以上が前記ダイシング装置10による1枚のウェーハWの切断工程である。
【0025】
切断部12の切断刃ユニット26、28は図3の如く、高周波モータが内蔵されたスピンドル34、36、及びスピンドル34、36の先端部に装着されたブレード30、32を有している。これらの切断刃ユニット26、28の2本のスピンドル34、36は、対向配置されるとともに各々の軸心がY軸方向と一致する位置に設置されている。また、切断刃ユニット26、28は、ホルダ42、44を介してスピンドル移動機構46に連結され、スピンドル移動機構46によってY軸方向に各々独立して移動される。このスピンドル移動機構46は、リニアモータを適用しており、その詳細な構成は周知であるのでここでは省略する。
【0026】
図4は、切断刃ユニット26の先端部の詳細図である。切断刃ユニット28は切断刃ユニット26と同様の構造なので、切断刃ユニット28の説明は省略する。切断刃ユニット26のブレード30は、フランジカバー48と称されるカバーによって上部が覆われており、このフランジカバー48に冷却水供給用チューブ50、及び切削水供給用チューブ52が接続されている。冷却水供給用チューブ50は、フランジカバー48の下部に設けられた一対のL字状ノズル54、54に連結されている。一対のノズル54、54は、ブレード30を挟むように並設されるとともに、ノズル54、54の噴射口(不図示)が、ブレード30によるウェーハWの切削部に向けて形成されている。したがって、冷却水供給用チューブ50から供給された冷却液56は、ノズル54の噴射口から前記切削部に供給される。また、切削水供給用チューブ52から供給された切削液58は、フランジカバー48の内側に設けられたノズル60からブレード30の刃先に供給されて付着され、付着された状態でブレード30によるウェーハWの切削点に供給される。
【0027】
次に、前記の如く構成された切断刃ユニット26、28によるウェーハWの切断方法について、図5〜図7を参照しながら説明する。
【0028】
図5は、対向配置(一直線上に配置)された2本のスピンドル34、36を互いに逆方向に回転させながら、ウェーハWをC方向に移動させてウェーハWをダウンカットしている例が示されている。即ち、スピンドル34は、チッピングを抑えるため、図5上矢印A方向から見て時計回り方向に回転され、スピンドル36もチッピングを抑えるため、図5上矢印B方向(A方向と反対方向)から見て反時計回り方向に回転されている。
【0029】
このような条件のもと、ウェーハWをC方向に移動させると、2枚のブレード30、32によって2本のストリートが同時にフルカットされていき、その2本のストリートにカットラインL1、L2が形成されていく。
【0030】
図6は、2本のストリートをフルカットした時の、ウェーハWと切断刃ユニット26、28の位置関係を示す図である。この後、次の2本のストリートをフルカットする場合には、ブレード30、32をZ方向に逃がした後各々ストリートの1ピッチ分Y方向に移動させるとともに、ウェーハをD方向に高速で移動させて切断開始位置に位置させる。この後ブレード30、32をZ方向に戻し、ウェーハWをC方向に低速で移動させると、2枚のブレード30、32によって次の2本のストリートが同時にフルカットされる。
【0031】
このように、本実施の形態の切断刃ユニット26、28によれば、対向配置された2本のスピンドル34、36を互いに逆方向に回転させたので、各々のブレード30、32の切削点に供給されている切削液(排液)58、58が図5上矢印で示すように同方向(ブレード30、32の回転方向側)に排出されるので、排液飛散防止カバー等の排液処理構造を簡素化できる。また、本実施の形態は、同一カットモード(ダウンカット又はアップカット)で切断する場合、2本のスピンドルを同方向に回転させるものと比較してスループットが高くなる。
【0032】
図7は、2本のスピンドル34、36を対向配置するとともに、2本のスピンドル34、36を同方向に回転させた一対の切断刃ユニットの例が示されている。この例では、図8、図9の如く、1枚目のブレード30でウェーハWをダウンカット(図8(A))して、ウェーハWにハーフカットのカットラインLaを形成し、2枚目の異種ブレード32でカットラインLa内をアップカット(図8(B))して、ウェーハWにフルカットのカットラインLbを形成する。この切断方法によれば、最初の複数本のカットは、ブレード30のみで行い、この後、ブレード30でカットされたカットラインLaをブレード32でフルカットする。この時のフルカットは、ブレード30によるハーフカットと同時に実施できるので、高品質高スループットを図ることができる。
【0033】
図10は、2本のスピンドル34、36を並列配置した一対の切断刃ユニットの例が示されている。この切断刃ユニットにおいても、各々のスピンドル34、36を互いに逆方向に回転させると、各々の切削液58、58は混ざり合い干渉することなく、図10上矢印で示すように逆方向に排出されるので他方に対して悪影響を及ぼさない。よって、2本のスピンドル34、36を並列配置した切断部でも、切削液58、58を切削点に確実に供給することができる。したがって、ウェーハWに焼きつき等の切断不良が全く発生せず、また切断部に切粉も混入せずウェーハWを精度よく切断することができる。
【0034】
図11は、2本のスピンドル38、40を並列配置するとともにY方向に所定量ずらして配置した一対の切断刃ユニットの例が示されている。この切断刃ユニットにおいても、各々のスピンドル34、36を互いに逆方向に回転させると、各々の切削液58、58は混ざり合うことなく、図11上矢印で示すように逆方向に排出されるので散乱しない。よって、ウェーハWを精度よく切断することができる。
【0035】
また、図11の切断刃ユニットにおいても、1枚目のブレード32でウェーハWをダウンカットして、ウェーハWにハーフカットラインを形成し、2枚目の異種ブレード30でハーフカットラインをアップカットして、ウェーハWにフルカットのカットラインを形成することができる。この切断方法によれば、最初の複数本のカットは、ブレード32のみで行い、この後、ブレード32でカットされたハーフカットラインをブレード30でフルカットする。この時のフルカットは、ブレード32によるハーフカットと同時に実施できるので、高品質高スループットを図ることができる。なお、ブレード30、32を図11の回転方向に対して逆転させた場合、2本のスピンドル34、36はY方向に所定量ずらして配置されているので、各々の切削液58、58は混ざり合うことなく排出される。よって、この場合も同様にウェーハWを精度よく切断することができる。また、この場合には、ブレード30でハーフカットを行い、ブレード32でフルカットを行う。
【0036】
図12は、2本のスピンドル38、40を並列配置するとともにY方向に所定量ずらして配置し、且つ、2本のスピンドル38、40を同方向に回転させた一対の切断刃ユニットの例が示されている。この切断刃ユニットにおいても、2本のスピンドル38、40はY方向に所定量ずらして配置されているので、各々の切削液58、58は混ざり合うことなく排出される。よって、この切断刃ユニットも同様にウェーハWを精度よく切断することができる。更にブレード30、32に供給された切削液は同一方向に排出されるので、飛散防止カバー等の構造を簡素化できる。また、この切断刃ユニットは、同一カットモード(ダウンカット又はアップカット)で切断する場合、スループットが高くなる。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係るウェーハ切断装置及びその方法によれば、2本のスピンドルを有するダイシング装置において、2本のスピンドルが一直線上に配置された場合及び平行に配置された場合の2本のスピンドルの最善の回転方向を規定したので、装置の構造を簡素化でき、更にウェーハを効率よく切断することができるとともに高品質高スループットを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用されたダイシング装置の全体斜視図
【図2】図1に示したダイシング装置の平面図
【図3】図1に示したダイシング装置の切断部の構造を示す平面図
【図4】図3に示した切断部の切断刃ユニットの構造を示す斜視図
【図5】図3に示した切断部によるウェーハ切断方法を示す説明図
【図6】図3に示した切断部で2本のストリートが切断された状態を示す説明図
【図7】対向する2本のスピンドルでストリートを2段カットする切断部の平面図
【図8】図7に示した切断部で2段カット方法を実施した説明図
【図9】2段カット方法で切断された半導体ウェーハの拡大断面図
【図10】2本のスピンドルを並列配置した切断部の構造を示す平面図
【図11】2本のスピンドルを並列配置するとともにY方向にずらして配置し、且つ2本のスピンドルを逆方向に回転させた切断部の構造を示す平面図
【図12】2本のスピンドルを並列配置するとともにY方向にずらして配置し、且つ2本のスピンドルを同方向に回転させた切断部の構造を示す平面図
【符号の説明】
W…半導体ウェーハ、10…ダイシング装置、12…切断部、26、28…切断刃ユニット、30、32…ブレード、34、36…モータ、38、40…スピンドル、46…スピンドル移動機構、56…冷却液、58…切削液
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a wafer cutting apparatus and method for cutting a semiconductor wafer into dice by rotating two blades mounted on two spindles.
[0002]
[Prior art]
A dicing apparatus that cuts a semiconductor wafer into dice is a device that cuts a semiconductor wafer into dice along a street by rotating a blade mounted on a spindle at high speed, and divides the wafer into chips.
[0003]
As a conventional dicing apparatus, a dual-type dicing apparatus having two spindles is known (Japanese Patent Laid-Open No. 8-25209, Japanese Utility Model Laid-Open No. 59-156753, etc.). According to this dicing apparatus, since two streets of the semiconductor wafer can be cut simultaneously with two blades, there is an advantage that the cutting time of the semiconductor wafer can be shortened.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional dual-type dicing apparatus can reduce the cutting time to about half by increasing the spindle from one to two. There was a drawback that high quality and high throughput could not be expected.
[0005]
By the way, in the dicing apparatus, the street is fully cut with one blade and the street is cut in two steps using two different blades (half cut with the first blade and then with the second blade). There is a method of full cut). In the former full-cut method, the rotation direction of the spindle (the rotation direction of the spindle at the cutting point of the blade) and the cutting / feeding direction of the wafer are set to coincide with each other in order to suppress chipping generated on the surface of the wafer ( Hereinafter referred to as “down cut”). In the latter two-stage cutting method, the same rotational direction as the full-cut method is set to suppress chipping on the surface, but in the case of full-cutting with the second blade, the wafer In order to suppress chipping generated on the back surface of the wafer, the rotation direction of the spindle and the cutting and feeding direction of the wafer are set to be opposite directions (hereinafter referred to as “upcut”).
[0006]
Furthermore, even in such a full cut by down-cut or a two-stage cut by down-cut and up-cut, from the viewpoint of improving throughput, the wafer is cut when moving in the forward direction and the blade is released upward when moving in the backward direction. Without cutting, the wafer is moved back to the cutting start position at high speed. In short, when trying to perform high-quality cutting in both directions, it is necessary to process with one blade for each reciprocation or to reverse the spindle rotating at high speed, and in any case, the throughput decreases.
[0007]
On the other hand, in the dicing machine, cutting is performed while supplying cutting fluid to the cutting point of the blade. However, supply of this cutting fluid also requires appropriate and reliable supply from the viewpoint of cutting the semiconductor wafer with high accuracy. Has been.
[0008]
However, in the case where only two spindles are arranged as in the conventional dual-type dicing apparatus, depending on the mutual position and rotation direction of the spindles, the drainage of the cutting fluid supplied to one blade may be the other. The cutting fluid supply of each blade is adversely affected, or the cutting fluid drainage supplied to the cutting points of each blade is mixed and scattered, so the cutting fluid is interrupted by the scattered fluid and cuts the cutting fluid. There was a drawback that it could not be reliably supplied to the point. Further, when the drainage liquid is scattered, the cutting powder mixed in the drainage liquid enters the cutting point to cause chipping, or the cutting powder adheres to the chip.
[0009]
The present invention has been made in view of such circumstances, and is a wafer cutting apparatus having two spindles, which can efficiently cut a wafer and achieve high quality and high throughput. And an object thereof.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides a wafer cutting apparatus for cutting the wafer by two blades mounted on the two spindles by relatively moving the two spindles and the wafer. The two spindles are arranged opposite to each other in a straight line and rotated in opposite directions when viewed from the blade side (clockwise and counterclockwise when viewed from the blade side), respectively, and the two blades move the wafer. It is characterized by cutting at the same time .
In order to achieve the above object, the present invention provides a wafer cutting method in which the two spindles and the wafer are relatively moved to cut the wafer with two blades attached to the two spindles. The two spindles are arranged opposite to each other in a straight line and rotated in opposite directions as viewed from the blade side (clockwise and counterclockwise as viewed from the blade side), respectively, and the wafer is simultaneously moved by the two blades. It is characterized by cutting.
[0011]
In a wafer cutting apparatus having two spindles and cutting the wafer by two blades mounted on the two spindles by relatively moving the two spindles and the wafer, the 2 this spindle is that is configured such that each rotation direction is switched.
[0012]
In the wafer cutting method having two spindles, the wafer is cut by two blades mounted on the two spindles by relatively moving the two spindles and the wafer. this spindle is configured such that each rotation direction is switched, the two spindles, cut the wafer is rotated in the opposite directions.
[0013]
In the wafer cutting method having two spindles, the wafer is cut by two blades mounted on the two spindles by relatively moving the two spindles and the wafer. this spindle is configured such that each rotation direction is switched, the two spindles, cut the wafer is rotated in the same direction.
[0014]
According to the first and second aspects of the present invention, the two spindles arranged opposite to each other in a straight line are rotated in opposite directions, and the two spindles and the wafer are moved relative to each other. Cut the wafer down or up with the blade. In this way, when the two spindles arranged opposite to each other in a straight line are rotated in opposite directions, the cutting fluid discharged to the cutting point of each blade is discharged in the same direction. A drainage splash prevention cover or the like may be provided only in one side direction, and the structure is simple. Further, in the present invention, when cutting in the same cut mode (down cut or up cut), the throughput is higher than that in which two spindles are rotated in the same direction (FIG. 5).
[0015]
On the other hand, when two spindles are arranged in parallel, when the two blades are arranged on the same cutting line, the respective cutting fluids are discharged in the opposite direction without mixing with each other. Does not adversely affect. Therefore, it is possible to reliably supply a switching Kezueki the cutting point (FIG. 10). Also, when two spindles are shifted back and forth and arranged in parallel, the first blade can be down-cut and the second dissimilar blade can be up-cut at the same time, thus achieving high quality and high throughput. (FIG. 11).
[0016]
Has two spindles, a device configured switched the direction of rotation of the two spindles, there is also further comprises a dicing apparatus with a programmable set this switching, two spindles In the same manner as in the first aspect of the invention, the cutting fluid drainage processing structure can be simplified and high throughput can be achieved when cutting in the same cut mode. be able to. Further, when the two spindles are rotated in the same direction, the first-stage downcut and the second-stage upcut can be performed simultaneously, and the two-stage cut with different blades can be performed with high quality and high throughput. On the other hand , when the two spindles are arranged in parallel and rotate reversely, the cutting fluids do not interfere with each other when the two blades are arranged on one straight line. In addition, by shifting the two blades forward and backward in the spindle axis direction, the first blade can be down-cut and the second different blade can be up-cut at the same time. High throughput can be achieved. Further, in the case of rotating in the same direction in the parallel arrangement, the structure for preventing the drainage splash can be simplified and high throughput can be achieved in the same cut mode cutting (FIG. 12).
[0017]
When the two spindles are rotated in opposite directions and the wafer is cut, when the two spindles are arranged to face each other, the drainage treatment structure can be simplified and the same direction when cutting in the same cut mode. High throughput can be achieved compared to rotation (FIG. 5).
[0018]
Further, when two spindles are arranged in parallel, the cutting fluid can be prevented from interfering with each other, so that the cutting fluid can be reliably supplied to the cutting point. In addition, by shifting the two blades forward and backward, a two-stage cut can be performed with high quality and high throughput (FIG. 11).
[0019]
When cutting the wafer by rotating the two spindles in the same direction, if the two spindles are placed facing each other, the first blade is used for downcutting, and the second different blade is used for upcutting. Since it can be performed simultaneously, high quality and high throughput can be achieved (FIG. 7). In addition, when two spindles are arranged in parallel, when cutting in the same cut mode (down cut or up cut), the throughput is increased and the drainage treatment structure can be simplified (FIG. 12).
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of a wafer cutting apparatus and method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[0021]
FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer dicing apparatus 10 to which the present invention is applied, and FIG. 2 is a plan view thereof. As shown in FIG. 1, the dicing apparatus 10 mainly includes a cutting unit 12, a cleaning unit 14, a cassette storage unit 16, an elevator unit 18, a transport device 20, and the like.
[0022]
The cutting process of the wafer W by the dicing apparatus 10 will be described. First, the cassette storage unit 16 stores a plurality of wafers attached to the frame via an adhesive sheet. The unprocessed wafers W are sequentially pulled out by the elevator unit 18, and the pulled wafers W are set at a position P4 shown in FIG. Next, the wafer W is placed on the cutting table (position P2) (not shown) of the cutting unit 12 by the transfer device 20 via the preload stage at the position P1. Here, the wafer W is sucked and held on the cutting table. The wafer W held by suction is image-recognized by the alignment imaging devices 22 and 24, and the alignment is performed based on the image recognition.
[0023]
The aligned wafer W has a Y-axis direction movement indicated by arrows A and B of the cutting unit 12 and a Z-axis direction movement perpendicular to the paper surface (not shown) and X indicated by arrows C and D of the cutting table shown in FIG. It is cut into chips by a combined operation with axial movement. First, the cutting table moves in the X-axis direction, and the two streets are simultaneously cut by the two blades 30 and 32 of the cutting blade units 26 and 28. When the first two streets are cut, the cutting blade units 26 and 28 are moved in the Y-axis direction by the street pitch, and the cutting table is moved again in the X-axis direction to move to the next two streets. The street is cut by the two blades 30 and 32. When a street is cut in two steps, the first blade performs only a half cut and the next blade performs a full cut and performs a two-step cut. When such a cutting operation is repeated and cutting of all streets in one direction (X direction) is completed, the cutting table is rotated by 90 ° in the other direction orthogonal to the cut streets (in FIG. 2). The street in the Y direction is sequentially cut by the two blades 30 and 32. Thereby, the wafer W is cut into dice and divided into chips.
[0024]
The wafer W that has been cut is returned to the position P2 by the movement of the cutting table, and then transferred to the spinner table of the cleaning unit 14 at the position P3 by the transfer device 20. Here, the wafer W is cleaned by cleaning water and then dried by air blow. The dried wafer W is transferred to the position P4 by the transfer device 20 and stored in the cassette storage unit 16 by the elevator unit 18. The above is the cutting process of one wafer W by the dicing apparatus 10.
[0025]
As shown in FIG. 3, the cutting blade units 26 and 28 of the cutting unit 12 have spindles 34 and 36 in which high-frequency motors are built, and blades 30 and 32 attached to the tips of the spindles 34 and 36. The two spindles 34 and 36 of these cutting blade units 26 and 28 are disposed so as to face each other, and are arranged at positions where their respective axis centers coincide with the Y-axis direction. The cutting blade units 26 and 28 are connected to a spindle moving mechanism 46 through holders 42 and 44, and are independently moved in the Y-axis direction by the spindle moving mechanism 46. The spindle moving mechanism 46 uses a linear motor, and its detailed configuration is well known, and is omitted here.
[0026]
FIG. 4 is a detailed view of the distal end portion of the cutting blade unit 26. Since the cutting blade unit 28 has the same structure as the cutting blade unit 26, the description of the cutting blade unit 28 is omitted. The blade 30 of the cutting blade unit 26 is covered with a cover called a flange cover 48, and a cooling water supply tube 50 and a cutting water supply tube 52 are connected to the flange cover 48. The cooling water supply tube 50 is connected to a pair of L-shaped nozzles 54, 54 provided at the lower part of the flange cover 48. The pair of nozzles 54, 54 are arranged side by side so as to sandwich the blade 30, and an injection port (not shown) of the nozzles 54, 54 is formed toward the cutting portion of the wafer W by the blade 30. Therefore, the cooling liquid 56 supplied from the cooling water supply tube 50 is supplied to the cutting portion from the injection port of the nozzle 54. Further, the cutting fluid 58 supplied from the cutting water supply tube 52 is supplied to and attached to the cutting edge of the blade 30 from the nozzle 60 provided inside the flange cover 48, and the wafer W by the blade 30 in the attached state. Supplied to the cutting point.
[0027]
Next, a method of cutting the wafer W by the cutting blade units 26 and 28 configured as described above will be described with reference to FIGS.
[0028]
FIG. 5 shows an example in which the wafer W is moved in the C direction while the two spindles 34 and 36 arranged opposite to each other (arranged in a straight line) are rotated in opposite directions to down-cut the wafer W. Has been. That is, the spindle 34 is rotated in the clockwise direction as viewed from the direction of arrow A in FIG. 5 to suppress chipping, and the spindle 36 is also viewed from the direction of arrow B in FIG. Is rotated counterclockwise.
[0029]
Under such conditions, when the wafer W is moved in the direction C, the two streets are cut at the same time by the two blades 30 and 32, and the cut lines L1 and L2 are formed on the two streets. Will be formed.
[0030]
FIG. 6 is a diagram showing the positional relationship between the wafer W and the cutting blade units 26 and 28 when two streets are fully cut. After that, when the next two streets are fully cut, the blades 30 and 32 are moved in the Z direction and then moved in the Y direction by one pitch of each street, and the wafer is moved at a high speed in the D direction. To position at the cutting start position. Thereafter, when the blades 30 and 32 are returned to the Z direction and the wafer W is moved in the C direction at a low speed, the next two streets are fully cut simultaneously by the two blades 30 and 32.
[0031]
As described above, according to the cutting blade units 26 and 28 of the present embodiment, the two spindles 34 and 36 arranged opposite to each other are rotated in opposite directions, so that the cutting points of the blades 30 and 32 are set at the cutting points. Since the supplied cutting fluids (drainage fluids) 58 and 58 are discharged in the same direction (rotation direction side of the blades 30 and 32) as shown by the arrows in FIG. 5, drainage treatment such as a drainage splash prevention cover The structure can be simplified. Further, in this embodiment, when cutting in the same cut mode (down cut or up cut), the throughput is higher than that in which two spindles are rotated in the same direction.
[0032]
FIG. 7 shows an example of a pair of cutting blade units in which two spindles 34 and 36 are opposed to each other and the two spindles 34 and 36 are rotated in the same direction. In this example, as shown in FIGS. 8 and 9, the wafer W is down-cut with the first blade 30 (FIG. 8A), and a half-cut cut line La is formed on the wafer W. Then, the inside of the cut line La is up-cut by the different type blades 32 (FIG. 8B) to form a full-cut cut line Lb on the wafer W. According to this cutting method, the first plurality of cuts are performed only by the blade 30, and then the cut line La cut by the blade 30 is fully cut by the blade 32. Since the full cut at this time can be performed simultaneously with the half cut by the blade 30, high quality and high throughput can be achieved.
[0033]
FIG. 10 shows an example of a pair of cutting blade units in which two spindles 34 and 36 are arranged in parallel. Also in this cutting blade unit, when the spindles 34 and 36 are rotated in the opposite directions, the respective cutting fluids 58 and 58 are mixed and do not interfere with each other and are discharged in the opposite directions as indicated by the arrows in FIG. Therefore, it does not adversely affect the other. Therefore, the cutting fluids 58 and 58 can be reliably supplied to the cutting point even in a cutting section in which the two spindles 34 and 36 are arranged in parallel. Therefore, no cutting defects such as seizure occur in the wafer W, and the wafer W can be accurately cut without any chips being mixed into the cutting portion.
[0034]
FIG. 11 shows an example of a pair of cutting blade units in which two spindles 38 and 40 are arranged in parallel and shifted by a predetermined amount in the Y direction. Also in this cutting blade unit, when the spindles 34 and 36 are rotated in the opposite directions, the cutting fluids 58 and 58 are discharged in the opposite directions as indicated by the arrows in FIG. 11 without mixing. Does not scatter. Therefore, the wafer W can be cut with high accuracy.
[0035]
Also, in the cutting blade unit of FIG. 11, the wafer W is down-cut by the first blade 32, a half-cut line is formed on the wafer W, and the half-cut line is up-cut by the second different blade 30. Thus, a full-cut cut line can be formed on the wafer W. According to this cutting method, the first plurality of cuts are performed only by the blade 32, and then the half cut line cut by the blade 32 is fully cut by the blade 30. Since the full cut at this time can be performed simultaneously with the half cut by the blade 32, high quality and high throughput can be achieved. When the blades 30 and 32 are reversed with respect to the rotation direction of FIG. 11, the two spindles 34 and 36 are arranged with a predetermined amount shifted in the Y direction, so that the respective cutting fluids 58 and 58 are mixed. It is discharged without fitting. Therefore, in this case as well, the wafer W can be cut with high accuracy. In this case, half cutting is performed by the blade 30 and full cutting is performed by the blade 32.
[0036]
FIG. 12 shows an example of a pair of cutting blade units in which two spindles 38 and 40 are arranged in parallel and shifted by a predetermined amount in the Y direction, and the two spindles 38 and 40 are rotated in the same direction. It is shown. Also in this cutting blade unit, since the two spindles 38, 40 are arranged with a predetermined amount shifted in the Y direction, the respective cutting fluids 58, 58 are discharged without being mixed. Therefore, this cutting blade unit can similarly cut the wafer W with high accuracy. Furthermore, since the cutting fluid supplied to the blades 30 and 32 is discharged in the same direction, the structure of the anti-scattering cover and the like can be simplified. Moreover, when this cutting blade unit cuts in the same cut mode (down cut or up cut), the throughput becomes high.
[0037]
【The invention's effect】
As described above, according to the wafer cutting apparatus and method therefor according to the present invention, in the dicing apparatus having two spindles, the two spindles are arranged in a straight line or in parallel. Since the best rotation direction of the book spindle is defined, the structure of the apparatus can be simplified, the wafer can be cut efficiently, and high quality and high throughput can be achieved.
[Brief description of the drawings]
1 is an overall perspective view of a dicing apparatus to which the present invention is applied. FIG. 2 is a plan view of the dicing apparatus shown in FIG. 1. FIG. 3 is a plan view showing a structure of a cutting portion of the dicing apparatus shown in FIG. 4 is a perspective view showing a structure of a cutting blade unit of the cutting section shown in FIG. 3. FIG. 5 is an explanatory view showing a wafer cutting method by the cutting section shown in FIG. 3. FIG. FIG. 7 is a plan view of a cutting section in which two streets are cut by two opposing spindles. FIG. 8 is a plan view of the cutting section shown in FIG. FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view of a semiconductor wafer cut by a two-stage cutting method. FIG. 10 is a plan view showing a structure of a cutting portion in which two spindles are arranged in parallel. Two spindles are arranged in parallel and shifted in the Y direction FIG. 12 is a plan view showing the structure of a cutting section in which two spindles are rotated in the opposite directions. FIG. 12 shows two spindles arranged in parallel and shifted in the Y direction. Plan view showing the structure of the cutting section rotated in the same direction 【Explanation of symbols】
W ... Semiconductor wafer, 10 ... Dicing machine, 12 ... Cutting unit, 26, 28 ... Cutting blade unit, 30, 32 ... Blade, 34, 36 ... Motor, 38, 40 ... Spindle, 46 ... Spindle moving mechanism, 56 ... Cooling Fluid, 58 ... Cutting fluid

Claims (2)

本のスピンドルとウェーハとを相対的に移動させることにより、2本のスピンドルに装着された2枚のブレードによって前記ウェーハを切断するウェーハ切断装置において、
前記2本のスピンドルは、一直線上で対向配置されるとともに夫々ブレード側から見て互いに逆方向に回転され、前記2枚のブレードによってウェーハを同時に切断することを特徴とするウェーハ切断装置。
In a wafer cutting apparatus for cutting the wafer by two blades mounted on the two spindles by relatively moving the two spindles and the wafer,
The two spindles are opposed to each other on a straight line and are rotated in opposite directions when viewed from the blade side, respectively, so that the wafer is simultaneously cut by the two blades .
2本のスピンドルとウェーハとを相対的に移動させることにより、2本のスピンドルに装着された2枚のブレードによって前記ウェーハを切断するウェーハ切断方法において、In a wafer cutting method of cutting the wafer by two blades attached to the two spindles by relatively moving the two spindles and the wafer,
前記2本のスピンドルを、一直線上で対向配置するとともに夫々ブレード側から見て互いに逆方向に回転させ、前記2枚のブレードによってウェーハを同時に切断することを特徴とするウェーハ切断方法。A wafer cutting method characterized in that the two spindles are arranged opposite to each other on a straight line, are rotated in opposite directions as viewed from the blade side, and the wafer is simultaneously cut by the two blades.
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JP2002237472A (en) * 2001-02-07 2002-08-23 Disco Abrasive Syst Ltd Workpiece cutting method
JP3857118B2 (en) * 2001-12-04 2006-12-13 富士通株式会社 Resin diamond blade and optical waveguide manufacturing method using the blade
KR20030075681A (en) * 2002-03-20 2003-09-26 삼성전기주식회사 A wafer dicing method for preventing a chipping
JP2006294641A (en) * 2005-04-05 2006-10-26 Apic Yamada Corp Dicing device
JP4763398B2 (en) * 2005-09-21 2011-08-31 株式会社ディスコ Cutting equipment
KR100804729B1 (en) 2006-08-31 2008-02-19 에이엠테크놀로지 주식회사 Dual dicing device
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