JP3740514B2 - フリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置（Ｆｒｉｎｇｅ ｆｉｅｌｄ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｍｏｄｅ ＬＣＤ；以下、ＦＦＳ−ＬＣＤ）の製造方法に関し、より具体的にはゲートバスラインと共通電極線のショートを防ぐことができるフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＦＦＳ−ＬＣＤはＩＰＳ（Ｉｎ ｐｌａｎ ｆｉｅｌｄ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）−ＬＣＤの低い開口率及び透過率を改善させるため、大韓民国特許出願９８−９２４３号に出願されたことがある。
このようなＦＦＳ−ＬＣＤは、カウンター電極と画素電極が透明導電体に形成されるに伴い、カウンター電極と画素電極との間隔が上下基板の間の間隔より狭く形成され、カウンター電極と画素電極の上部にフリンジフィールドが形成されるようにし、電極等の上部に存在する液晶分子等が全て動作されるようにする。
【０００３】
このような観点で従来技術に係るＦＦＳ−ＬＣＤの製造方法を、図１及び図２を参照して説明すれば以下の通りである。
図１は従来のＦＦＳ−ＬＣＤの製造方法を説明したＦＦＳ−ＬＣＤの断面図であり、図２は従来技術に係るＦＦＳ−ＬＣＤのレイアウト図である。
【０００４】
従来技術に係るＦＦＳ−ＬＣＤの製造方法は、先ず図１に示したように、下部基板１１の上部にＩＴＯ層を蒸着した後、これを所定部分選択的にパターニングしてカウンター電極１２を形成する。
【０００５】
その次に、カウンター電極１２が形成された下部基板１１の上部に金属膜を所定厚さに蒸着した後、金属膜を所定部分選択的にパターニングし、ゲートバスライン１３、ゲートバスライン１３と一体のゲート電極１３ａ、及び共通電極線１３０をそれぞれ形成する。
このとき、共通電極線１３０はカウンター電極１２と所定部分コンタクトされ、共通電極線１３０とゲートバスライン１３は互いに平行に延長される。
さらに、ゲートバスライン１３及び共通電極線１３０が形成された下部基板１１の上部にゲート絶縁膜１４、チャネル用非晶質シリコン層及びドーピングされた半導体層を順次蒸着する。
【０００６】
次いで、チャネル用非晶質シリコン層及びドーピングされた半導体層をアクティブ型、即ち、薄膜トランジスタが形成される部分に残るように選択的にパターニングし、チャネル層１５及びオーミック層１６を形成する。
その次に、全体構造の上面に金属膜を蒸着し、チャネル層１５の両側及びゲートバスライン１３の一部とオーバーラップされるよう金属層を選択的にパターニングし、ソース１７ａ、ドレイン１７ｂ、及びデータバスライン１７を形成する。
次いで、下部基板１１の結果物上部に保護膜１８を蒸着した後、保護膜１８をドレイン１７ｂが露出するように選択的にエッチングしてから、露出したドレイン１７ｂとコンタクトされるように保護膜１８上部に櫛形の画素電極１９を形成する。
【０００７】
このように形成されたＦＦＳ−ＬＣＤは、画素電極１９の櫛形部と、櫛形部により露出したカウンター電極１３の間にフリンジフィールドが形成され、画素電極１９及びカウンター電極１３の上部にある液晶分子が全て動作される。
【０００８】
しかし、従来のＦＦＳ−ＬＣＤはゲートバスライン１２と共通電極線１２０、及びカウンター電極１３が全て同一の平面に形成されることにより次のような問題点があった。
近年において、カウンター電極１２は下部基板１１の上部にＩＴＯ層に形成した後、その上に金属膜を蒸着して金属膜の所定部分を選択的にパターニングし、ゲートバスライン１３と共通電極線１３０を形成している。
しかし、ＩＴＯ層は一般に湿式エッチング方式によりエッチングが行われてそのエッチング特性が非常に劣悪なために、カウンター電極１２を形成するためのエッチング工程の後にも所定部分が残留することがある。
【０００９】
このようなＩＴＯ残留部分１２０は下部基板１１の如何なる部分でも発生しうるし、特にカウンター電極１２と同一の平面に形成されるゲートバスライン１３と共通電極線１３０の間ではブリッジとして作用することになる。
このようなＩＴＯ残留部分１２０により、ゲートバスライン１３と共通電極線１３０がショートされてＦＦＳ−ＬＣＤの収率が低下してしまう。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は上記従来のフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ゲートバスラインと共通電極線のショートを防ぐことができるフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するためになされた本発明によるフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法は、下部基板上に互いに平行するゲートバスライン及び共通電極線を形成する段階と、前記下部基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上部に前記共通電極線の所定部分とオーバーラップするようにカウンター電極を形成する段階と、前記下部基板結果物の上部に金属膜を蒸着した後、前記金属膜の所定部分を選択的にパターニングし、前記カウンター電極と露出した共通電極線をコンタクトさせるコンタクト部を形成する段階と、ソース、ドレイン、及び前記コンタクト部が形成された下部基板の上部に保護膜を蒸着する段階と、前記ドレインの所定部分が露出するように保護膜を選択的にエッチングする段階と、前記ドレインとコンタクトされながら前記カウンター電極とフィールドを形成するように、保護膜上部に画素電極を形成する段階とを含んでなることを特徴とする。
【００１２】
さらに、本発明によるフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法は、下部基板上に互いに平行するゲートバスライン及び共通電極線を形成する段階と、前記ゲートバスライン及び共通電極線が形成された下部基板上部にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜の上部に共通電極線の所定部分とオーバーラップするようにカウンター電極を形成する段階と、前記ゲートバスラインの所定部分を覆うように、チャネル層とオーミック層を順次形成する段階と、前記オーミック層とチャネル層、及び前記カウンター電極の形に、ゲート絶縁膜の所定部分を選択的にエッチングして下部基板の所定部分と共通電極線の所定部分を露出させる段階と、前記下部基板結果物の上部に金属膜を蒸着した後、前記金属膜の所定部分を選択的にパターニングしてオーミック層の両側にソース及びドレインを形成し、前記カウンター電極と露出した共通電極線をコンタクトさせるコンタクト部を形成する段階と、前記ソース、ドレイン、及びコンタクト部が形成された下部基板上部に保護膜を蒸着する段階と、前記ドレインの所定部分が露出するように保護膜を選択的にエッチングする段階と、前記ドレインとコンタクトされながら前記カウンター電極とフィールドを形成するように、保護膜上部に画素電極を形成する段階とを含んでなることを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、ゲートバスライン及び共通電極線を下部基板上に形成し、その上部にゲート絶縁膜を形成した後、ゲート絶縁膜の上部にカウンター電極を形成する。これに従い、カウンター電極形成のためのＩＴＯ層のパターニング時にエッチング残留物が発生するとしても、エッチング残留物がゲートバスライン及び共通電極線と直接コンタクトされない。これにより、ゲートバスライン及び共通電極線とのショートを防ぐことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明によるフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置（ＦＦＳ−ＬＣＤ）の製造方法の実施の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図３乃至図６は本発明に係るＦＦＳ−ＬＣＤの製造方法を説明するための各工程別の断面図であり、図７は本発明に係るＦＦＳ−ＬＣＤのレイアウト図である。
【００１５】
本発明に係るＦＦＳ−ＬＣＤの製造方法は、図３に示したように、下部基板２０上部に金属膜を蒸着したあと金属膜の所定部分を選択的にパターニングし、ゲートバスライン２１及び共通電極線２２を形成する。
その次に、ゲートバスライン２１及び共通電極線２２が形成された下部基板２０上部にゲート絶縁膜２３を形成する。
次いで、ゲート絶縁膜２３上部に透明導電体、例えばＩＴＯを所定厚さに蒸着する。
その次に、ＩＴＯ層をゲートバスライン２１とは所定距離ほど離隔されながら、共通電極線２２とは所定幅ほどずつオーバーラップするように選択的にパターニングしてカウンター電極２４を形成する。
【００１６】
次いで、図４に示したように、カウンター電極２４が形成されたゲート絶縁膜２３上部にチャネル用非晶質シリコン層と、不純物がドーピングされた半導体層を順次積層する。
その次に、不純物がドーピングされた半導体層及びチャネル用非晶質シリコン層を、ゲートバスライン２１の所定部分を覆う部分のみ残るように選択的にパターニングし、オーミック層２６及びチャネル層２５を形成する。
次いで、オーミック層２６とチャネル層２５、及びカウンター電極２４をマスクに、ゲート絶縁膜２３を選択的にパターニングして下部基板２０の表面と共通電極線２３の表面を露出させる。
【００１７】
その次に、図５に示したように、下部基板２０の結果物上部にデータバスライン用金属膜を蒸着する。
次いで、データバスライン用金属膜をチャネル層２５を露出させるオーミック層２６の両側上部、及び共通電極線２２の上部にあるカウンター電極２４の縁部とコンタクトされるように選択的にパターニングし、ソース２７ａ、ドレイン２７ｂ、及びカウンター電極２４と共通電極線２０を電気的に接続させるコンタクト部２７ｃを形成する。
【００１８】
その次に、図６及び図７に示したように、ソース２７ａ、ドレイン２７ｂ、及びコンタクト部２７ｃが形成された下部基板２０の結果物上部に保護膜２８を蒸着する。
次いで、ドレイン２７ｂが露出するように保護膜２８の所定部分を選択的にエッチングした後、露出したドレイン２７ｂとコンタクトするように保護膜２８上部にＩＴＯ層を蒸着し、ＩＴＯ層をカウンター電極２４とオーバーラップされるように櫛形にパターニングして画素電極２９を形成する。
【００１９】
以上のように、ゲートバスライン２１と共通電極線２２は下部基板２０の表面に形成され、カウンター電極２４はゲート絶縁膜２４を間においてゲートバスライン２１及び共通電極線２２が形成された下部基板２０上部に形成される。
従って、カウンター電極２４はゲートバスライン２１及び共通電極線２２と別の表面に形成されるため、カウンター電極２４の形成時にエッチング残留物が発生するとしてもゲートバスライン２１と共通電極線２２のショートが防止される。
【００２０】
さらに、カウンター電極２４がゲート絶縁膜２３上部に形成され、カウンター電極２４及び共通電極線２２を接続するコンタクト部２７ｃが別途に形成されていても、コンタクト部２７ｃはソース２７ａ、ドレイン２７ｂの形成時に同時に形成されるため不要に追加される工程がない。
【００２１】
尚、本発明は、本実施例に限られるものではない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。本実施例は例えば、ＦＦＳ−ＬＣＤを説明したが、これに限定されず、カウンター電極が画素電極と同一の基板に形成されるモードであれば全て適用可能である。
【００２２】
【発明の効果】
上述のように本発明によれば、ゲートバスライン及び共通電極線を下部基板上に形成し、その上部にゲート絶縁膜を形成した後ゲート絶縁膜上部にカウンター電極を形成することにより、カウンター電極形成のためのＩＴＯ層パターニング時にエッチング残留物が発生するとしても、エッチング残留物がゲートバスライン及び共通電極線と直接コンタクトされない。従って、ゲートバスライン及び共通電極線とのショートを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術に係るフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置を示す断面図である。
【図２】従来技術に係るフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置を示すレイアウト図である。
【図３】本発明に係るフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図である。
【図４】本発明に係るフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図である。
【図５】本発明に係るフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図である。
【図６】本発明に係るフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図である。
【図７】本発明に係るフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置のレイアウト図である。
【符号の説明】
２０ 下部基板
２１ ゲートバスライン
２２ 共通電極線
２３ ゲート絶縁膜
２４ カウンター電極
２５ チャネル層
２６ オーミック層
２７ａ ソース
２７ｂ ドレイン
２７ｃ コンタクト部
２８ 保護膜
２９ 画素電極
【発明の属する技術分野】
本発明はフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置（Ｆｒｉｎｇｅ ｆｉｅｌｄ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｍｏｄｅ ＬＣＤ；以下、ＦＦＳ−ＬＣＤ）の製造方法に関し、より具体的にはゲートバスラインと共通電極線のショートを防ぐことができるフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＦＦＳ−ＬＣＤはＩＰＳ（Ｉｎ ｐｌａｎ ｆｉｅｌｄ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）−ＬＣＤの低い開口率及び透過率を改善させるため、大韓民国特許出願９８−９２４３号に出願されたことがある。
このようなＦＦＳ−ＬＣＤは、カウンター電極と画素電極が透明導電体に形成されるに伴い、カウンター電極と画素電極との間隔が上下基板の間の間隔より狭く形成され、カウンター電極と画素電極の上部にフリンジフィールドが形成されるようにし、電極等の上部に存在する液晶分子等が全て動作されるようにする。
【０００３】
このような観点で従来技術に係るＦＦＳ−ＬＣＤの製造方法を、図１及び図２を参照して説明すれば以下の通りである。
図１は従来のＦＦＳ−ＬＣＤの製造方法を説明したＦＦＳ−ＬＣＤの断面図であり、図２は従来技術に係るＦＦＳ−ＬＣＤのレイアウト図である。
【０００４】
従来技術に係るＦＦＳ−ＬＣＤの製造方法は、先ず図１に示したように、下部基板１１の上部にＩＴＯ層を蒸着した後、これを所定部分選択的にパターニングしてカウンター電極１２を形成する。
【０００５】
その次に、カウンター電極１２が形成された下部基板１１の上部に金属膜を所定厚さに蒸着した後、金属膜を所定部分選択的にパターニングし、ゲートバスライン１３、ゲートバスライン１３と一体のゲート電極１３ａ、及び共通電極線１３０をそれぞれ形成する。
このとき、共通電極線１３０はカウンター電極１２と所定部分コンタクトされ、共通電極線１３０とゲートバスライン１３は互いに平行に延長される。
さらに、ゲートバスライン１３及び共通電極線１３０が形成された下部基板１１の上部にゲート絶縁膜１４、チャネル用非晶質シリコン層及びドーピングされた半導体層を順次蒸着する。
【０００６】
次いで、チャネル用非晶質シリコン層及びドーピングされた半導体層をアクティブ型、即ち、薄膜トランジスタが形成される部分に残るように選択的にパターニングし、チャネル層１５及びオーミック層１６を形成する。
その次に、全体構造の上面に金属膜を蒸着し、チャネル層１５の両側及びゲートバスライン１３の一部とオーバーラップされるよう金属層を選択的にパターニングし、ソース１７ａ、ドレイン１７ｂ、及びデータバスライン１７を形成する。
次いで、下部基板１１の結果物上部に保護膜１８を蒸着した後、保護膜１８をドレイン１７ｂが露出するように選択的にエッチングしてから、露出したドレイン１７ｂとコンタクトされるように保護膜１８上部に櫛形の画素電極１９を形成する。
【０００７】
このように形成されたＦＦＳ−ＬＣＤは、画素電極１９の櫛形部と、櫛形部により露出したカウンター電極１３の間にフリンジフィールドが形成され、画素電極１９及びカウンター電極１３の上部にある液晶分子が全て動作される。
【０００８】
しかし、従来のＦＦＳ−ＬＣＤはゲートバスライン１２と共通電極線１２０、及びカウンター電極１３が全て同一の平面に形成されることにより次のような問題点があった。
近年において、カウンター電極１２は下部基板１１の上部にＩＴＯ層に形成した後、その上に金属膜を蒸着して金属膜の所定部分を選択的にパターニングし、ゲートバスライン１３と共通電極線１３０を形成している。
しかし、ＩＴＯ層は一般に湿式エッチング方式によりエッチングが行われてそのエッチング特性が非常に劣悪なために、カウンター電極１２を形成するためのエッチング工程の後にも所定部分が残留することがある。
【０００９】
このようなＩＴＯ残留部分１２０は下部基板１１の如何なる部分でも発生しうるし、特にカウンター電極１２と同一の平面に形成されるゲートバスライン１３と共通電極線１３０の間ではブリッジとして作用することになる。
このようなＩＴＯ残留部分１２０により、ゲートバスライン１３と共通電極線１３０がショートされてＦＦＳ−ＬＣＤの収率が低下してしまう。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は上記従来のフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ゲートバスラインと共通電極線のショートを防ぐことができるフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するためになされた本発明によるフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法は、下部基板上に互いに平行するゲートバスライン及び共通電極線を形成する段階と、前記下部基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上部に前記共通電極線の所定部分とオーバーラップするようにカウンター電極を形成する段階と、前記下部基板結果物の上部に金属膜を蒸着した後、前記金属膜の所定部分を選択的にパターニングし、前記カウンター電極と露出した共通電極線をコンタクトさせるコンタクト部を形成する段階と、ソース、ドレイン、及び前記コンタクト部が形成された下部基板の上部に保護膜を蒸着する段階と、前記ドレインの所定部分が露出するように保護膜を選択的にエッチングする段階と、前記ドレインとコンタクトされながら前記カウンター電極とフィールドを形成するように、保護膜上部に画素電極を形成する段階とを含んでなることを特徴とする。
【００１２】
さらに、本発明によるフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法は、下部基板上に互いに平行するゲートバスライン及び共通電極線を形成する段階と、前記ゲートバスライン及び共通電極線が形成された下部基板上部にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜の上部に共通電極線の所定部分とオーバーラップするようにカウンター電極を形成する段階と、前記ゲートバスラインの所定部分を覆うように、チャネル層とオーミック層を順次形成する段階と、前記オーミック層とチャネル層、及び前記カウンター電極の形に、ゲート絶縁膜の所定部分を選択的にエッチングして下部基板の所定部分と共通電極線の所定部分を露出させる段階と、前記下部基板結果物の上部に金属膜を蒸着した後、前記金属膜の所定部分を選択的にパターニングしてオーミック層の両側にソース及びドレインを形成し、前記カウンター電極と露出した共通電極線をコンタクトさせるコンタクト部を形成する段階と、前記ソース、ドレイン、及びコンタクト部が形成された下部基板上部に保護膜を蒸着する段階と、前記ドレインの所定部分が露出するように保護膜を選択的にエッチングする段階と、前記ドレインとコンタクトされながら前記カウンター電極とフィールドを形成するように、保護膜上部に画素電極を形成する段階とを含んでなることを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、ゲートバスライン及び共通電極線を下部基板上に形成し、その上部にゲート絶縁膜を形成した後、ゲート絶縁膜の上部にカウンター電極を形成する。これに従い、カウンター電極形成のためのＩＴＯ層のパターニング時にエッチング残留物が発生するとしても、エッチング残留物がゲートバスライン及び共通電極線と直接コンタクトされない。これにより、ゲートバスライン及び共通電極線とのショートを防ぐことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明によるフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置（ＦＦＳ−ＬＣＤ）の製造方法の実施の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図３乃至図６は本発明に係るＦＦＳ−ＬＣＤの製造方法を説明するための各工程別の断面図であり、図７は本発明に係るＦＦＳ−ＬＣＤのレイアウト図である。
【００１５】
本発明に係るＦＦＳ−ＬＣＤの製造方法は、図３に示したように、下部基板２０上部に金属膜を蒸着したあと金属膜の所定部分を選択的にパターニングし、ゲートバスライン２１及び共通電極線２２を形成する。
その次に、ゲートバスライン２１及び共通電極線２２が形成された下部基板２０上部にゲート絶縁膜２３を形成する。
次いで、ゲート絶縁膜２３上部に透明導電体、例えばＩＴＯを所定厚さに蒸着する。
その次に、ＩＴＯ層をゲートバスライン２１とは所定距離ほど離隔されながら、共通電極線２２とは所定幅ほどずつオーバーラップするように選択的にパターニングしてカウンター電極２４を形成する。
【００１６】
次いで、図４に示したように、カウンター電極２４が形成されたゲート絶縁膜２３上部にチャネル用非晶質シリコン層と、不純物がドーピングされた半導体層を順次積層する。
その次に、不純物がドーピングされた半導体層及びチャネル用非晶質シリコン層を、ゲートバスライン２１の所定部分を覆う部分のみ残るように選択的にパターニングし、オーミック層２６及びチャネル層２５を形成する。
次いで、オーミック層２６とチャネル層２５、及びカウンター電極２４をマスクに、ゲート絶縁膜２３を選択的にパターニングして下部基板２０の表面と共通電極線２３の表面を露出させる。
【００１７】
その次に、図５に示したように、下部基板２０の結果物上部にデータバスライン用金属膜を蒸着する。
次いで、データバスライン用金属膜をチャネル層２５を露出させるオーミック層２６の両側上部、及び共通電極線２２の上部にあるカウンター電極２４の縁部とコンタクトされるように選択的にパターニングし、ソース２７ａ、ドレイン２７ｂ、及びカウンター電極２４と共通電極線２０を電気的に接続させるコンタクト部２７ｃを形成する。
【００１８】
その次に、図６及び図７に示したように、ソース２７ａ、ドレイン２７ｂ、及びコンタクト部２７ｃが形成された下部基板２０の結果物上部に保護膜２８を蒸着する。
次いで、ドレイン２７ｂが露出するように保護膜２８の所定部分を選択的にエッチングした後、露出したドレイン２７ｂとコンタクトするように保護膜２８上部にＩＴＯ層を蒸着し、ＩＴＯ層をカウンター電極２４とオーバーラップされるように櫛形にパターニングして画素電極２９を形成する。
【００１９】
以上のように、ゲートバスライン２１と共通電極線２２は下部基板２０の表面に形成され、カウンター電極２４はゲート絶縁膜２４を間においてゲートバスライン２１及び共通電極線２２が形成された下部基板２０上部に形成される。
従って、カウンター電極２４はゲートバスライン２１及び共通電極線２２と別の表面に形成されるため、カウンター電極２４の形成時にエッチング残留物が発生するとしてもゲートバスライン２１と共通電極線２２のショートが防止される。
【００２０】
さらに、カウンター電極２４がゲート絶縁膜２３上部に形成され、カウンター電極２４及び共通電極線２２を接続するコンタクト部２７ｃが別途に形成されていても、コンタクト部２７ｃはソース２７ａ、ドレイン２７ｂの形成時に同時に形成されるため不要に追加される工程がない。
【００２１】
尚、本発明は、本実施例に限られるものではない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。本実施例は例えば、ＦＦＳ−ＬＣＤを説明したが、これに限定されず、カウンター電極が画素電極と同一の基板に形成されるモードであれば全て適用可能である。
【００２２】
【発明の効果】
上述のように本発明によれば、ゲートバスライン及び共通電極線を下部基板上に形成し、その上部にゲート絶縁膜を形成した後ゲート絶縁膜上部にカウンター電極を形成することにより、カウンター電極形成のためのＩＴＯ層パターニング時にエッチング残留物が発生するとしても、エッチング残留物がゲートバスライン及び共通電極線と直接コンタクトされない。従って、ゲートバスライン及び共通電極線とのショートを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術に係るフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置を示す断面図である。
【図２】従来技術に係るフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置を示すレイアウト図である。
【図３】本発明に係るフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図である。
【図４】本発明に係るフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図である。
【図５】本発明に係るフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図である。
【図６】本発明に係るフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法を説明するための各工程別の断面図である。
【図７】本発明に係るフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置のレイアウト図である。
【符号の説明】
２０ 下部基板
２１ ゲートバスライン
２２ 共通電極線
２３ ゲート絶縁膜
２４ カウンター電極
２５ チャネル層
２６ オーミック層
２７ａ ソース
２７ｂ ドレイン
２７ｃ コンタクト部
２８ 保護膜
２９ 画素電極
Claims (8)
- 下部基板上に互いに平行するゲートバスライン及び共通電極線を形成する段階と、
前記下部基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上部に前記共通電極線の所定部分とオーバーラップするようにカウンター電極を形成する段階と、
前記下部基板結果物の上部に金属膜を蒸着した後、前記金属膜の所定部分を選択的にパターニングし、前記カウンター電極と露出した共通電極線をコンタクトさせるコンタクト部を形成する段階と、
ソース、ドレイン、及び前記コンタクト部が形成された下部基板の上部に保護膜を蒸着する段階と、
前記ドレインの所定部分が露出するように保護膜を選択的にエッチングする段階と、
前記ドレインとコンタクトされながら前記カウンター電極とフィールドを形成するように、保護膜上部に画素電極を形成する段階とを含んでなることを特徴とするフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法。 - 前記カウンター電極は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を含む透明導電体であることを特徴とする請求項１記載のフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法。
- 前記コンタクト部は、共通電極線上にオーバーラップされ画素電極と共通電極をコンタクトさせることを特徴とする請求項１記載のフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜上にゲートバスラインの所定部分を覆うように、チャネル層とオーミック層を順次形成する段階と、
前記オーミック層とチャネル層、及び前記カウンター電極の形に、ゲート絶縁膜の所定部分を選択的にエッチングして下部基板の所定部分と共通電極線の所定部分を露出させる段階と、
前記下部基板結果物の上部に金属膜を蒸着した後、前記金属膜の所定部分を選択的にパターニングし、オーミック層の両側にソース及びドレインを形成する段階とをさらに含んでなることを特徴とする請求項１記載のフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法。 - 前記金属膜の所定部分を選択的にパターニングし、前記ソース及びドレインと共に前記カウンター電極と露出した共通電極線をコンタクトさせるコンタクト部を同時に形成することを特徴とする請求項４記載のフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法。
- 下部基板上に互いに平行するゲートバスライン及び共通電極線を形成する段階と、
前記ゲートバスライン及び共通電極線が形成された下部基板上部にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜の上部に共通電極線の所定部分とオーバーラップするようにカウンター電極を形成する段階と、
前記ゲートバスラインの所定部分を覆うように、チャネル層とオーミック層を順次形成する段階と、
前記オーミック層とチャネル層、及び前記カウンター電極の形に、ゲート絶縁膜の所定部分を選択的にエッチングして下部基板の所定部分と共通電極線の所定部分を露出させる段階と、
前記下部基板結果物の上部に金属膜を蒸着した後、前記金属膜の所定部分を選択的にパターニングしてオーミック層の両側にソース及びドレインを形成し、前記カウンター電極と露出した共通電極線をコンタクトさせるコンタクト部を形成する段階と、
前記ソース、ドレイン、及びコンタクト部が形成された下部基板上部に保護膜を蒸着する段階と、
前記ドレインの所定部分が露出するように保護膜を選択的にエッチングする段階と、
前記ドレインとコンタクトされながら前記カウンター電極とフィールドを形成するように、保護膜上部に画素電極を形成する段階とを含んでなることを特徴とするフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法。 - 前記カウンター電極は、ＩＴＯを含む透明導電体であることを特徴とする請求項６記載のフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法。
- 前記コンタクト部は、共通電極線上にオーバーラップされ画素電極と共通電極をコンタクトさせることを特徴とする請求項６記載のフリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法。
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