JP3753989B2

JP3753989B2 - 銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法

Info

Publication number: JP3753989B2
Application number: JP2002036240A
Authority: JP
Inventors: 和生後藤; 昌幸荻野; 論斎藤; 正人川原
Original assignee: Mitsuboshi Belting Ltd
Current assignee: Mitsuboshi Belting Ltd
Priority date: 2002-02-14
Filing date: 2002-02-14
Publication date: 2006-03-08
Anticipated expiration: 2022-02-14
Also published as: JP2003243804A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法に係り、詳しくは焼成した銅膜の膨れがなく、基板と銅膜との密着力を高めた膜厚５０μｍ以上の回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日、セラミックス基板上に回路を印刷するために、銅系ペーストが用いられている。この銅系ペーストを基板へ接着する場合には、例えば特開平８−２９８３５９号公報にも記載されているように、本来ミクロンサイズの銅粉がセラミックス基板と反応接着することができないために、ペースト内に所定量のガラスフリットを配合し、印刷後基板にあるガラスフリットが焼成後に基板と銅膜とを接着する役割を与えていた。しかし、その反面ガラスフリットが焼成後の銅膜内にも多量に残存するため、銅膜の電気抵抗値が高くなり、またガラス層で銅膜と基板とを接着しているため、熱膨張差による歪みが出やすくなって、熱衝撃性が弱くなると言った問題が発生した。
【０００３】
このような不具合点を一部解消したペーストとして、例えば特開昭６０−７０７４６号公報に記載されているように、銅、ガラスフリット、そしてタングステン、モリブデン、レニウム等の非銅系物質を有機溶媒中に分散させた組成からなっており、また特公平３−５０３６５号公報に記載されているように、銅酸化物を被覆した金属銅粒子、銅酸化物粒子、ガラス等のガラスフリットを有機溶媒中に分散させた組成からなっている。
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記銅系ペーストもガラスフリットとして好ましくは４〜１０重量％の多くの量を添加して基板と銅膜との接着の役割を果している。しかし、既存の銅系ペーストは６００°Ｃ以上の焼成時におけるガラスの軟化を利用し、基板と銅膜の間にガラス層を形成し、接着させている。
【０００５】
しかも、ガラスフリットを含む銅系ペーストを使用して厚さ５０μｍ以上の厚膜の回路基板を作製する場合には、スクリーン印刷によって銅系ペーストを印刷、乾燥、焼成を繰り返して所定の厚膜を形成し、そして焼成して回路基板を作製していたが、ガラスフリットが耐薬品性に劣る鉛入りであるために、銅膜の表面にめっき層を設けることが不可能であり、しかも焼成時にガラスフリットや有機成分などが熱分解し、これによって発生するガスが銅膜を膨張させていた。
【０００６】
本発明は、このような問題点を改善するものであり、銅膜の膨れがなく、基板と銅膜との密着力を高めた膜厚５０μｍ以上の回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
即ち、本願請求項１記載の発明では、銅導体ペーストを基板上に印刷し、焼成することにより銅膜を形成する厚膜回路基板の製造方法において、セラミックス基板上にガラスフリットを含有する銅導体ペーストを印刷、乾燥した１層目の層を形成し、続いてその上にガラスフリットを含有しない銅導体ペーストを印刷、乾燥した層を少なくとも１層形成した後、焼成して厚膜の銅膜を形成する厚膜回路基板の製造方法において、セラミックス基板上に特定量のガラスフリットを含有する銅導体ペーストを印刷、乾燥した１層目の層を形成し、続いてその上にガラスフリットを含有しない銅導体ペーストを印刷、乾燥した層を少なくとも１層形成した後、焼成して厚膜の銅膜を形成する銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法にあり、銅導体ペーストを印刷するごとに充分乾燥した後、焼成するために、セラミックス基板と銅膜との界面ではガラスフリットが存在して充分密着するとともに表層はガラスフリットを含まないために、膨れのない厚膜の銅膜が得られる。
【０００８】
本願請求項２記載の発明では、ガラスフリットを銅微粉と銅粉との総量に対して２〜４質量％含有する銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法にあり、セラミックス基板と銅膜との界面では適量のガラスフリットが存在して充分密着するとともに表層はガラスフリットを含まないために、膨れのない厚膜の銅膜が得られる。
【０００９】
本願請求項３記載の発明では、請求項１又は２記載で作製した銅膜を形成したセラミックス基板を無電解めっき処理し、該銅膜の上にめっき層を付着した銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法にあり、表層はガラスフリットを含まないために、めっき層の密着力も維持できる。
【００１０】
本願の請求項４記載の発明では、無電解めっき層がニッケルめっき層である銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法である。
【００１１】
本願の請求項５記載の発明では、ガラスフリットを含有する銅導体ペーストが、一次平均粒子径０．０１〜０．３μｍの銅、銅酸化物、もしくはこれらの混合物からなる銅微粉、一次平均粒子径０．５〜５μｍの銅粉、バインダー樹脂、軟化点５００〜６００℃をもつ少なくともＳｉＯ₂−Ｂ₂ Ｏ₃ −ＺｎＯ系とＳｉＯ₂−Ｂ₂ Ｏ₃ −Ｂｉ₂Ｏ₃系の２種以上のガラス成分を含むガラスフリット、そして有機溶剤を配合したものである銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法にある。
【００１２】
本願の請求項６記載の発明では、ガラスフリットを含有しない銅導体ペーストが、一次平均粒子径０．０１〜０．３μｍの銅、銅酸化物、もしくはこれらの混合物からなる銅微粉、一次平均粒子径０．５〜５μｍの銅粉、バインダー樹脂、そして有機溶剤を配合したものである銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法にある。
【００１３】
本願の請求項７記載の発明では、ガラスフリットを含有しない銅導体ペーストの層が２〜４層である銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法にある。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明において１層目の銅導体ペーストは、ガラスフリットを含有する銅導体ペーストであり、具体的には一次平均粒子径０．０１〜０．３μｍの銅、銅酸化物、もしくはこれらの混合物からなる銅微粉、一次平均粒子径０．５〜５μｍの銅粉、バインダー樹脂、軟化点５００〜６００℃をもつ少なくともＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃ −ＺｎＯ系とＳｉＯ₂−Ｂ₂ Ｏ₃ −Ｂｉ₂Ｏ₃系の２種以上のガラス成分を含むガラスフリット、そして有機溶剤を配合したものである。
【００１５】
また、２層目以降の銅導体ペーストは、ガラスフリットを含有しない銅導体ペーストであり、一次平均粒子径０．０１〜０．３μｍの銅、銅酸化物、もしくはこれらの混合物からなる銅微粉、一次平均粒子径０．５〜５μｍの銅粉、バインダー樹脂、そして有機溶剤を配合したものである。
【００１６】
銅導体ペーストを構成する銅、銅酸化物、もしくはこれらの混合物からなる銅微粉は、例えば沈殿法と呼ばれる方法、即ち金属塩溶液から還元剤を用いて直接金属微粒子を沈殿析出させる方法によって得られるものであり、ホルマリン、ヒドラジン、次亜リン酸ソーダ、水素化ホウ素塩などの還元剤を、銅イオンを含む水溶液に適当な条件のもとで添加することにより、銅微粉を得ることができる。上記銅微粉は耐酸化性、分散性等の改善のため、有機脂肪酸やカップリング剤により表面処理が行われる。
【００１７】
上記銅微粉の一次平均粒子径は０．０１〜０．３μｍの範囲である。好ましくは、０．０１〜０．２μｍの範囲にあり、この範囲であれば銅微粉の凝集がなくなって緻密な銅膜が形成され、その電気抵抗値も小さくなる。
【００１８】
また、銅導体ペーストを構成する銅粉は、一次平均粒子径０．５〜５μｍの範囲にある銅粉をベースにしたもので、この範囲内にある粉径の異なる銅粉を１〜３種類以上添加したものである。具体的な銅粉は、一次平均粒子径２〜５μｍの範囲にある最も粒子径が大きいベース銅粉と、一次平均粒子径１〜２μｍの範囲で次に粒子径が大きい第１補助銅粉と、そして一次平均粒子径０．５〜１μｍの範囲で最も粒子径が小さい第２補助銅粉の三段階の粒子径範囲から構成されている場合や、一次平均粒子径０．５〜１μｍの範囲にあるベース銅粉と、一次平均粒子径０．１〜０．５μｍの範囲にある補助銅粉の二段階の粒子径範囲から構成されている。
【００１９】
上記銅粉を三段階の粒子径範囲から構成した場合では、銅粉中、ベース銅粉が８０〜９８重量％に対して第１補助銅粉が１〜１９重量％、第２補助銅粉が１〜１９重量％になっている。特に、補助銅粉については、これに限定されることなく、これらの一次平均粒子径範囲以下の第３補助銅粉を使用してもよい。
【００２０】
上記補助銅粉の各銅粉は、比較的球形に近いものが望ましい。これは各銅粉が空隙を少なくして配列するためである。一次平均粒子径の異った銅粉を使用すると、一次平均粒子径の小さな補助銅粉が一次平均粒子径の最も大きなベース銅粉が配列したときに生じる隙間や空隙を充填するため、焼成後の膜は内部欠陥が少なく、焼き締まりも良好になる効果がある。
【００２１】
ベース銅粉の一次平均粒子径が５μｍを超えると、酸化の影響を受けにくく焼成条件設定が広くなるが、低い温度では充分に焼結せず焼き締まり不足が生じて銅膜と基板との密着力が低下する。また、インクロール工程で銅粉がつぶれてしまって銅箔状となり、スクリーン印刷時にメッシュずまりが発生することがある。一方、ベース銅粉の一次平均粒子径が０．５μｍ未満では、銅粉の総粒子面積が大きくなり過ぎて、酸化の影響が大きくなり、電気抵抗値が高くなる。また、カサ密度が大きいため焼き締まり性が悪くなる。
【００２２】
ベース銅粉の添加量が９８重量％を超えると、低い温度では充分に焼結せずに焼き締まり不足が生じて銅膜と基板との接着力が低下し、一方８０重量％未満では混合銅粉の総粒子面積が大きくなり過ぎることになり、前述と同様の不具合が起こる。
尚、補助銅粉はベース銅粉が配列したときに生じる間隙や空隙を充填するために添加するものであり、その一次平均粒子径と添加量はベース銅粉のそれらに大きく影響を受ける。
【００２３】
銅導体ペーストを構成するバインダー樹脂は、例えばポリブチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル類、ニトロセルロース、エチルセルロース、酢酸セルロース、ブチルセルロース、メチルセルロース等のセルロース類、ポリオキシメチレン等のポリエーテル類、ポリブタジエン、ポリイソプレン等のポリビニル類、ナイロン６、ナイロン６．６、ナイロン１１等のポリアミドであり、特に制限されないが、焼成中で分解する必要がある。
【００２４】
このバインダー樹脂としては、熱分解温度の相違する樹脂を少なくとも２種類以上含めることが好ましい。これは焼成した場合でもバインダー樹脂が一度に熱分解せず環境温度に応じて分解するため、銅膜中に残存することがない。
【００２５】
上記バインダー樹脂を溶かす有機溶剤としては、カルビトール、カルビトールアセテート、テレピネオール（ターピノール）、メタクレゾール、ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルホルムアミド、ターピノール、ジアセトンアルコール、トリエチレングリコール、パラキシレン、乳酸エチル、イソホロン等の高沸点の有機溶剤であり、２種類以上混合してもよい。
【００２６】
本発明で使用するガラスフリットは、銅、銅酸化物、もしくはこれらの混合物からなる銅微粉や銅粉の焼結温度より低く、かつバインダー樹脂の熱分解温度より高い軟化点を有するものが使用される。とりわけ、銅導体ペーストの焼成過程において軟化したガラスフリットを基板方向へ流動させるのと同時に銅微粉や銅粉も基板方向へ移動させ、焼成後の膜の平滑化を図り、銅膜への半田付け性を改良して基板と銅膜間の密着力を向上させ、しかもその電気抵抗値の上昇を抑えるうえで重要になる。
【００２７】
このガラスフリットは、少なくともＳｉＯ₂−Ｂ₂ Ｏ₃ −ＺｎＯ系とＳｉＯ₂−Ｂ₂ Ｏ₃ −Ｂｉ₂Ｏ₃系を含むもので、一次平均粒子径１〜１０μｍの範囲で５００〜６００℃の低軟化点を有している。具体的には、ＳｉＯ₂−Ｂ₂ Ｏ₃ −ＺｎＯ系とＳｉＯ₂−Ｂ₂ Ｏ₃ −Ｂｉ₂ Ｏ₃ 系にＳｉＯ₂−Ｂ₂ Ｏ₃ −ＴｉＯ₂系やＳｉＯ₂−Ｂ₂ Ｏ₃ −ＺｒＯ系等が添加される。
【００２８】
ガラスフリットの軟化点はバインダー樹脂のポリマー分が分解する温度以上で、かつ銅微粉の焼結する温度以下が必要で、この温度差間で２種類以上添加すると効果がある。これはポリマー分の分解が起こって、軟化点の小さいＳｉＯ₂−Ｂ₂ Ｏ₃ −Ｂｉ₂Ｏ₃系のガラス粉末が軟化し、続いて軟化点の大きいＳｉＯ₂−Ｂ₂ Ｏ₃ −ＺｎＯ系が軟化して銅微粉の粒径を小さく保つことができる。
【００２９】
その添加量は銅微粉と銅粉との総量に対して０．５〜４質量％である。４質量％を超えると、ガラスフリットが焼成後の銅膜内に残存するため、銅膜の電気抵抗値が上昇する傾向があり、また銅膜と基板との界面にガラス層を形成し、熱膨張による歪みをおこしやすく、熱衝撃性が弱くなる。一方、０．５質量％未満では、銅膜のひび割れや焼き締めの改善が期待できない。
【００３０】
そして、上記銅導体ペーストは、バインダー樹脂と有機溶剤からなる有機分が２〜１６質量％の範囲にして粘度調節されている。有機分が２質量％未満の場合には、銅導体ペーストの粘度が高くなり、また有機分が１４質量％を超えると、粘度が低くなり印刷性に劣る。
【００３１】
また、含有している全ての銅微粉と銅粉が８４〜９８質量％の範囲にある。９８質量％を超えると、ペーストが高粘度となり焼き締まり不足が生じて銅膜と基板との接着力が低下し、一方８４質量％未満ではペーストが焼成により収縮するために、前述と同様の不具合が起こる。
【００３２】
本発明で使用するセラミックス基板は、アルミナ、窒化アルミ、炭化珪素、窒化珪素、サイアロン、チタン酸バリウム、ＰＢＺＴ等である。
【００３３】
しかして、本発明に係る厚膜回路基板の製造方法を、図１を参照しながら以下に示す。
（１）ガラスフリットを含有する銅導体ペーストをスクリーン印刷等によってセラミックス基板１上に塗布する。スクリーン印刷の手順は水平に置かれたスクリーン（例えば、ステンレス平織物、３００メッシュ）の下に、０．１〜２ミリメートルの間隔をもたせて基板を設置する。このスクリーンの上に銅導体ペーストをのせた後、スキージーを用いてスクリーン全面に広げる。この時には、スクリーンとセラミックス基板とは間隔を有している。続いて、スクリーンがセラミックス基板に接触する程度にスキージーでスクリーンを押さえ付けて移動させ、印刷をする。以後これを繰り返す。
【００３４】
（２）上記基板１をオーブンにて１５０〜２２０℃で１５〜３０分間十分に乾燥して１層目の膜２を形成する。
【００３５】
（３）続いて１層目の膜２の上にガラスフリットを含有しない銅導体ペーストを上記と同様にスクリーン印刷によって塗付する。
【００３６】
（４）同様に上記基板１をオーブンにて１５０〜２２０℃で１５〜３０分間十分に乾燥して２層目の膜３を形成する。
（５）上記（３）、（４）を繰り返して、３層目の膜３ａ、４層目の膜３ｂを形成して所定の厚みに仕上げる。
（６）続いて、上記基板１をベルト炉に入れ、窒素中、６００〜１０００℃の温度下で焼成時間２０〜６０分、ピーク保持時間４〜１２分間で焼成し、そして冷却時間９〜２７分で焼成工程を終え、銅粉を焼結させるとともに基板と反応接着させ所定厚みの銅膜４を作製する。この焼成工程時には、所定量の酸素がこの炉に送り込まれ、銅膜と基板との密着力を高めて銅膜の電気抵抗値を減少させる。
（７）そして、このセラミックス基板１を無電解金属めっき液に浸漬すると、セラミックス基板１の表面の銅が分散・結合されている領域においてめっき層５が形成される。このとき、銅はほぼ均一に分散していることから、めっき層５の析出にばらつきが生じにくくなり、膜厚の均一なめっき層５を形成することができる。しかも上記のように銅はセラミックス基板１上に接合されているため、セラミックス基板１に粗化処理が施されていなくても銅による反応接着によって、めっき層５とセラミックス基板１との間に高い密着性が付与される。
【００３７】
上記無電解めっき処理として無電解銅めっき処理や無電解ニッケルめっき処理等を施すことができる。
【００３８】
【実施例】
次に、本発明を具体的な実施例により更に詳細に説明する。
実施例１〜３、比較例１〜８
（銅導体ペーストの作製）
所定粒径をもった銅微粉、銅粉、そして所定量のガラスフリット、バインダー樹脂、そして有機溶剤を表１に示すように混合した。銅粉としてベース銅粉と２種類の補助銅粉からなる３種を使用した。また、アクリル樹脂をカルビトールとテレピネオールとで溶かしたものを用意した。上記これらを混合し、更にインクロールにて均一に混合することによって茶色の銅導体ペーストを作製した。
【００３９】
【表１】

【００４０】
（銅膜の作製）
ガラスフリット入り銅導体ペーストをアルミナ基板の上にステンレススクリーン＃２５０を用いて２×２ｍｍの範囲で印刷した。このアルミナ基板をベルト炉に入れ、１８０℃で３０分間乾燥して１層目の膜を形成した。
【００４１】
続いて、１層目の膜の上にガラスフリットを含まない銅導体ペーストを同様の方法、条件でスクリーン印刷した後、乾燥して２層目の膜を作製し、同様にしてその上に３層目の膜そして４層目の膜を積層した。
【００４２】
上記アルミナ基板を直接ベルト炉に入れ、窒素中で酸素濃度５０ｐｐｍ以下、９００℃の焼成温度、ベルト速度４０ｍｍ／分下での所定の焼成時間、９００℃での所定のピーク保持時間、そして所定の冷却時間で焼成工程を終えて厚膜回路基板を作製した。
【００４３】
続いて、上記基板を温度４０℃の酸性洗浄剤（ＡＣＬ−００７、上村工業社製）に１８０秒間浸漬後、１００ｇ／ｌの硫酸に６０秒間浸漬して表面処理、酸化物を除去した後、無電解ニッケルめっき析出の触媒としてパラジウムを銅膜に付着させるため、パラジウム活性化剤（ＭＳＲ−２８、上村工業社製）に浸漬し、これを８０℃の無電解ニッケルめっき液（ＮＰＲ−４、上村工業社製）に７分間浸漬した後、１５０℃で２０秒間乾燥してめっき層を付着した厚膜回路基板を作製した。
【００４４】
作製した厚膜回路基板の焼成後の表面外観（膨れの有無）、膜厚、初期密着力、ニッケルめっき後の密着力をそれぞれ下記の方法で測定した。その結果を表２（実施例）と表３（比較例）に示す。
【００４５】
１．焼成後の表面外観
ニッケルめっきした前の厚膜回路基板の膨れの有無を肉眼で観察した。
【００４６】
２．膜厚
ニッケルめっきする前の厚膜回路基板の銅膜の膜厚を触針式膜厚計（テンコールＡＳ５００、テンコー社製）で測定した。
【００４７】
３．初期密着力（Ｌ型ピール強度）
ニッケルめっきする前の厚膜回路基板における基板と銅膜間の接着力を測定したものである。Ｌ型に曲げた直径０．８ｍｍのスズめっき銅線を２ｍｍ×２ｍｍの大きさに焼成した銅膜の表面に半田付して固定し、垂直に折り曲げた銅線の付着力をバネ計りで計測し基板と銅膜間の接着力を求めた。
【００４８】
４．ニッケルめっき後の密着力
ニッケルめっきした後の厚膜回路基板における基板と銅膜間の接着力を上記３の方法で測定した。
【００４９】
【表２】

【００５０】
【表３】

【００５１】
この結果、実施例では、基板と銅膜の接着面となる層に所定量のガラスフリットを含有した銅導体ペーストを印刷し、２層目以降にガラスフリットを含まない銅導体ペーストを印刷、乾燥を繰り返すもので、印刷するごとに十分乾燥を行うためバインダー樹脂の分解が促進されたことにより、これを焼成すると基板と銅膜の界面ではガラスフリットが存在して十分密着するとともに表層部分はガラスフリットを含まないため、ニッケルめっきした前の厚膜回路基板では膨れの無い銅厚膜が得られた。
【００５２】
しかし、比較例１と比較例２では、ガラスフリットを含有した銅導体ペーストのみを印刷、乾燥を繰り返し、これを焼成して厚膜銅導体回路を形成した場合、ガラスフリットやバインダー樹脂の分解により発生するガスによって銅膜に膨れが発生し導体特性が低下した。比較例３では、ガラスフリットを含まない銅導体ペーストのみを印刷、乾燥を繰り返し、これを焼成して厚膜銅導体回路を形成した場合、膨れは発生してないが、銅と基板が反応せず十分な密着力が得られなかった。
【００５３】
比較例４では、ガラスフリットの添加量の少ない銅導体ペーストのみを印刷、乾燥を繰り返し、これを焼成して厚膜銅導体回路を形成した場合も、比較例１と同様に膨れが発生していた。比較例５では、ガラスフリットの添加量の多い銅導体ペーストのみを印刷、乾燥を繰り返し、これを焼成して厚膜銅導体回路を形成した場合も、比較例１と同様に膨れが発生していた。
【００５４】
比較例６では、１層目にガラスフリットを含まない銅導体ペーストＣと、２層目以降にガラスフリットを含む銅導体ペーストＡを用いた場合も焼成膜が基板と密着しない結果になった。比較例７では、１層目にガラスフリットが０．５質量％を含む銅導体ペースＥを使用しても、焼成膜に脹れが発生した。また、比較例８では、１層目にガラスフリットが１０質量％を含む銅導体ペースＥを使用しても、焼成膜に脹れが発生した。
【００５５】
【発明の効果】
以上のように本願の請求項記載の発明では、セラミックス基板上に所定量のガラスフリットを含有する銅導体ペーストを印刷、乾燥した１層目の層を形成し、続いてその上にガラスフリットを含有しない銅導体ペーストを印刷、乾燥した層を少なくとも１層形成した後、焼成して厚膜の銅膜を形成する銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法にあり、銅導体ペーストを印刷するごとに充分乾燥した後、焼成するために、セラミックス基板と銅膜との界面ではガラスフリットが存在して充分密着するとともに表層はガラスフリットを含まないために、膨れのない厚膜の銅膜が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る製造方法によって得られた厚膜回路基板の断面図である。
【符号の説明】
１セラミックス基板
２１層目の膜
３２層目の膜
３ａ３層目の膜
３ｂ４層目の膜
４銅膜
５めっき層

Claims

銅導体ペーストを基板上に印刷し、焼成することにより銅膜を形成する厚膜回路基板の製造方法において、セラミックス基板上にガラスフリットを含有する銅導体ペーストを印刷、乾燥した１層目の層を形成し、続いてその上にガラスフリットを含有しない銅導体ペーストを印刷、乾燥した層を少なくとも１層形成した後、焼成して厚膜の銅膜を形成することを特徴とする銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法。
ガラスフリットを銅微粉と銅粉との総量に対して２〜４質量％含有する請求項１記載の銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法。
請求項１又は２記載で作製した銅膜を形成したセラミックス基板を無電解めっき処理し、該銅膜の上にめっき層を付着した銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法。
無電解めっき層がニッケルめっき層である請求項３記載の銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法。
ガラスフリットを含有する銅導体ペーストが、一次平均粒子径０．０１〜０．３μｍの銅、銅酸化物、もしくはこれらの混合物からなる銅微粉、一次平均粒子径０．５〜５μｍの銅粉、バインダー樹脂、軟化点５００〜６００°Ｃをもつ少なくともＳｉＯ₂−Ｂ₂ Ｏ₃ −ＺｎＯ系とＳｉＯ₂−Ｂ₂ Ｏ₃ −Ｂｉ₂Ｏ₃系の２種以上のガラス成分を含むガラスフリット、そして有機溶剤を配合したものである請求項１〜３の何れかに記載の銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法。
ガラスフリットを含有しない銅導体ペーストが、一次平均粒子径０．０１〜０．３μｍの銅、銅酸化物、もしくはこれらの混合物からなる銅微粉、一次平均粒子径０．５〜５μｍの銅粉、バインダー樹脂、そして有機溶剤を配合したものである請求項１〜３の何れかに記載の銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法。
ガラスフリットを含有しない銅導体ペーストの層が２〜４層である請求項１〜３の何れかに記載の銅導体ペーストを用いた厚膜回路基板の製造方法。