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JP3780764B2 - Liquid crystal device and electronic apparatus using the same - Google Patents
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JP3780764B2 - Liquid crystal device and electronic apparatus using the same - Google Patents

Liquid crystal device and electronic apparatus using the same Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a high picture quality and to improve the manufacturing yield by providing thick parts having a thickness thicker than those of the pixel electrode central parts on the periphery of the respective pixel electrodes so as to prevent the switching elements from being broken in a rubbing treatment process and so as to eliminate the generation of defective pixels. SOLUTION: Many pixel electrodes 6, which are connected to straight linear wiring parts 7 of data lines via thin film diode(TFD) driving elements 10, are arranged in a matrix within a liquid crystal panel region. Besides, a thick part 8 protruding in a direction toward the C corner and having a thickness thicker than that of the pixel electrode central part is provided on the D corner of the pixel electrode 6. Thereby in the case rubbing treatment is carried out from the upper right to the lower left, depicted in the figure, to 45 deg. arrow L direction, the thick part 8 displays a function of a protecting wall for the TFD driving element 10. For example, the thick part 8 arranged on a pixel electrode a-2 protects the TFD driving element 10, placed a step lower, on the A corner of a pixel electrode b-2.

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置の改良に関するものであって、特に液晶分子を配向させるラビング工程でスイッチング素子が破壊されることによる液晶装置の不良の発生を防止するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、パーソナルコンピューターのディスプレイ等に、大容量のマトリックス液晶装置が使用されている。中でも高画質、大容量の液晶表示装置として、画素電極と信号配線との間にスイッチ作用を有する薄膜素子を導入したアクティブ・マトリックス方式の液晶表示装置が主流となっている。アクティブ・マトリックス方式の液晶表示装置のスイッチング素子の代表例としては、薄膜ダイオード(Thin Film Diode: 以下、TFDと略記する)や、薄膜トランジスタ( Thin Film Transistor: 以下、TFTと略記する)があり、これらのスイッチング素子の機能を使用してマトリックス状に配置された多数の画素を駆動させて任意の文字や図形を表示することが可能になっている。
【0003】
一方、現在広く用いられているツイステッドネマチック(TN)液晶表示装置では視角依存性が大きく、表示特性のうち視野角の上下方向および左右方向のバランスをとる必要があり、液晶分子を特定方向に配向させる必要がある。
【0004】
液晶分子は基板の表面状態によってその配列方向が容易に規制されるが、ただ平行に配列させるだけでは液晶分子の配列方向に自由度があるため、液晶分子を所定の方向に配列させることはできない。液晶分子を特定の方向に配向させるためには、基板表面に特定方向の整列性を有する被着物又は溝を設けて、液晶分子の長軸方向を物理的に規制する手段が採られている。この手段の主なものには、ポリイミド樹脂等の配向性のある皮膜を塗布したり、さらにはこの配向膜の表面に特定方向のキズを付けて配向性をもたせる手段が採用されている。配向膜にキズを付けて方向性を付与する手段としては、斜め蒸着法、ラビング法などがある。斜め蒸着法は生産効率が低く、画像のコントラストも充分でないなどの欠点を有するため、ラビング法が広く使用されている。通常、ラビング法はポリイミド樹脂等の配向膜の上を布で擦るこすりラビング法や直径10〜20μmの刷毛のついた回転するブラシで擦る回転ラビング法が実用化されている。
【0005】
通常、TN液晶表示装置では図1(a)に示すように、素子基板1側の配向膜に対しては、方形の各画素に対して45度の方向にラビングし、一方、対向基板2側の配向膜に対しては、さらに90度ひねった135度の方向にラビングしている。このように配向膜のラビング方向を90度ひねった状態の2枚の基板の配向膜間に液晶物質を封入し、液晶物質をねじれ状態に保っている。
【0006】
ラビング方向は図1(a)に示す方向に限らず、図1(b)に示す方向であっても良い。この場合にも素子基板側の配向膜と対向基板側の配向膜のラビング方向は90度捻れている。
【0007】
ところが、薄膜積層体からなるスイッチング素子構造では、ラビング処理の際刷毛の先端やラビング工程に持ち込まれるゴミ等の異物によって、スイッチング素子部の薄膜が破壊されて素子不良となり、点状の画素欠陥を発生させて表示不能となり、液晶装置としての製品の生産歩留まりを低下させるという欠点があった。
【0008】
このような点欠陥を呈する画素電極のスイッチング素子部分近傍をSEM観察したところ、スイッチング素子部に斜めの引っ掻き傷があり、スイッチング素子の薄膜積層構造が破壊されて絶縁不良を起こしているのが認められた。この引っ掻き傷は方形の画素電極に対して45度傾斜しており、ラビング方向と一致していることが判明した。引っ掻き傷が発生したときのラビング刷毛を観察してみると、直径10〜20μm程度の刷毛の毛先が鋭く切れていたり、毛先部に異物が付着したりしているのが観察された。
【0009】
このようなラビング処理の際に発生する引っ掻き傷を防止するため、本出願人は先にスイッチング素子を形成する際に、該スイッチング素子を形成する膜厚と同等以上の厚さを有する部分を基板上に設ける方法(特開昭61−165729公報参照)や、スイッチング素子を構成する電極をラビング方向に沿って45度傾けて配置する方法(特開平6−35005公報参照)などを提案した。しかしながらこれらの方法でも画素の視野面積を確保し、かつ製造上も工程が増加しないような、しかも有効な引っ掻き傷を防止する効果を発揮する手段は得られていない。本発明はこれらの方法を更に改良したものである。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
すなわち、本発明はスイッチング素子を有する液晶装置をラビング工程によって配向処理する際に発生する、引っ掻き傷を防止する手段を提供することを目的とし、配向方向に対してスイッチング素子を防護する有効な手段を提供し、かつ製造工程に負担をかけない方法を提供しようとするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記欠点を解消するためになされたものであって、基板上に走査線あるいはデータ線、これに接続される複数のスイッチング素子及び画素電極さらに配向膜を形成してなる素子基板と、該素子基板に対向して配置されていて基板上に対向電極および配向膜を形成してなる対向基板とを有し、該2枚の基板間に液晶材料を有する液晶装置において、各画素電極の周縁部に、厚さが該画素電極中央部の厚さよりも厚い肉厚部を設ける手段を採用した。
【0012】
このように画素電極の特定の位置に厚さが該画素電極中央部の厚さよりも厚い肉厚部を設けることにより、ラビング工程においてラビング用の刷毛の先端が各スイッチング素子部を通過する際に、刷毛がスイッチング素子部に与える衝撃を和らげ、また、スイッチング素子部にゴミ等の異物が侵入するのを阻止して引っ掻き傷を防止するようにしたものである。
【0013】
また、本発明では肉厚部の構造が、スイッチング素子と同じ構造の薄膜積層構造を少なくともその一部に有することにより、肉厚部をスイッチング素子形成時に同時に作ることができるようにしたので、製造工程が増えることはなく、高い生産性を維持することができる。
【0014】
まず、本発明の対象となる液晶装置の液晶表示パネルの構造について説明する。
【0015】
図2は、本発明に係わるスイッチング素子としてTFD駆動素子を用いたアクティブ・マトリックス液晶表示パネルの概要を示す一実施形態を、一部破断して平面的に示した部分平面図である。図において素子基板1と対向基板2とが対向して配置され、シール部4によって互いに接着されている。これら基板の間隔は、基板間に散布されて配置される微小な径を持つビーズ状のスペーサーによって規定され、例えば5μm程度に保持されている。シール部4の一部にはパネル外部に露出する液晶注入口3が設けられ、この液晶注入口3からシール部4により囲まれた液晶が注入され、封止部5において封止されている。
【0016】
対向基板2の素子基板1より張り出した領域(図では右辺側)には、例えば対向基板側の対向電極を走査線とする場合には、走査信号を供給する走査側駆動用IC50aが配置される。同様に素子基板側(図では基板裏面側)にもデータ側駆動用IC50bが配置される。51は外部から駆動用ICに外部から信号を供給するための入力端子である。
【0017】
素子基板1には多数の方形の画素電極6がマトリックス状に配置され、後で詳説するスイッチング素子を介して配線部7に接続されている。また素子基板1に対向する対向基板2にはインジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide、以下、ITOと略記する)からなる透明電極が左右方向にストライプ状に形成されている。個々の画素電極及び透明電極に制御された信号を送り、所定の画素を点表示させることにより表示装置全体として文字や図形を認識させるようになっている。素子基板1及び対向基板2の互いに向き合う面には、ポリイミド等の配向膜が塗布されており、この配向膜にラビング処理を施して方向性を持たせた上で両基板を接着してある。図2のような配置を採る場合、例えば素子基板側の配向膜のラビング方向は紙面右上方から左下方に向けて45度の方向で、対向基板側の配向膜のラビング方向は、紙面左上方から右下方に向けて45度の方向で、互いに直交している(図1(a)参照)。
【0018】
この他、図示しないが、素子基板1と対向基板2の互いに対向する面とは反対の面には、それぞれ偏光板が貼り付けられている。また、入力端子51に接続されるフレキシブル基板や、透過型パネルの場合にはパネル背面に配置される光源等が装着され、駆動用IC50に供給する信号を生成する回路や電源回路が搭載されたコントロールボックスと呼ばれる制御基板、及びパネルを含めたこれらの部品がケースに収容されて、液晶装置が構成されている。
【0019】
次に、液晶表示パネルに使用されるスイッチング素子について説明する。
【0020】
液晶表示パネルの1個の画素電極近傍を拡大して例示したのが図3及び図4である。図4は図3のA−A’線に沿って切断した断面図である。この例では画素電極6の周縁部左隅部が、スイッチング素子となる2端子型非線形素子のTFD駆動素子10を介して配線部7に接続されている。図3の場合のTFD駆動素子10は、いはゆるバック・ツー・バック( Back To Back ) 構造をとっている。即ち第1のTFD駆動素子10aと第2のTFD駆動素子10bとが極性を反対にして直列に接続された構造を持つように構成されている。
【0021】
図3及び図4において、TFD駆動素子10は2個の素子10a及び10bから成っており、第1のTFD駆動素子10aは素子基板1上に形成された絶縁膜31を下地層として、この上に順に形成されたタンタル等からなる第1金属膜12、陽極酸化膜等からなる絶縁膜14及びクロム等からなる第2金属膜16aから構成されている。一方、第2のTFD駆動素子10bは、素子基板1上に形成された絶縁膜31を下地層として、この上に順に形成されたタンタル等からなる第1金属膜12、陽極酸化膜等からなる絶縁膜14及び第2金属膜16aから隔離されたクロム等からなる第2金属膜16bから構成されている。第1金属膜12の厚さは約150nm程度、絶縁膜14の厚さは約20〜30nm程度、第2金属膜16の厚さは約80〜100nm程度である。
【0022】
ここで、第1のTFD駆動素子10aの第2金属膜16aは、素子基板1上に形成された配線部7上の第2金属膜16に接続されている。さらに、第2のTFD駆動素子の第2金属膜16bは画素電極15との接触面積を確保し、エッチングにより形成する際にエッチング液の回り込みによる腐食切断を防ぐ目的で、図3のような複雑な形状で画素電極6の隅部にその一部が重なるようにして配置してある。
【0023】
今、例えば配向膜を塗布した素子基板の配向膜面を、図3の右上から左下にかけて矢印Lの方向にラビングすると、ラビング用の刷毛の先端がTFD駆動素子10を直接擦ることになり、刷毛の先端が鋭く切れていたり、刷毛の先端に異物を巻き込んでいたりした場合には、薄膜から構成されたTFD駆動素子10は容易に引っ掻き傷を受け、薄膜が破壊されて絶縁不良を起こし、素子としての機能を失う結果となる。
【0024】
また、スイッチング素子としてのTFD駆動素子の他の態様例として、図5及び図6にいわゆるクロス構造の例をあげて説明する。図5及び図6において、TFD駆動素子20は素子基板1上に形成された絶縁膜31を下地として、この上に順に形成されたタンタル等からなる第1金属膜22、陽極酸化膜等からなる絶縁膜24及びクロム等からなる第2金属膜26から構成されたTFD構造を形成している。第1金属膜22は素子基板1上に形成された配線部7の第1金属膜に接続されており、第2金属膜26は画素電極6の隅部に一部が重複して接続されている。各膜厚は前述のバック・ツー・バック構造の場合と同様に、第1金属膜22の厚さは約150nm程度、絶縁膜24の厚さは約50nm程度、第2金属膜26の厚さは約80〜100nm程度である。このような構造の場合でも薄膜積層構造で構成されているので、ラビング処理の際に素子が受ける損傷の状態は前述のバック・ツー・バック素子構造の場合と同じである。
【0025】
本発明では上記のようなラビング処理の際にTFD駆動素子部が受ける引っ掻き傷を防ぐために、画素電極の周縁部に画素電極の中央部よりも厚さの厚い肉厚部を設けて、刷毛によりTFD駆動素子部が受ける衝撃を和らげたり、刷毛が巻き込んでくる異物がTFD駆動素子部へ持ち込まれるのを阻止するようにしたものである。
【0026】
肉厚部は画素電極の開口率を低下させないように、画素電極の周縁部にラビングの方向を考慮して設ける必要がある。配向膜面を各画素電極に対して45度の方向にラビングする場合、刷毛が各TFD駆動素子部に入る手前の位置にTFD駆動素子部の防護壁の役割を果たすような、画素電極の中央部よりも厚さの厚い肉厚部が有れば良い。つまり、画素電極の中央部よりも厚さの厚い肉厚部が、TFD駆動素子を通るラビング方向の延長線上に有れば良い。
【0027】
このような肉厚部は、画素電極の周縁部全域に沿って枠状に設けても良いが、ラビング効果の妨げにもなるので、画素電極の周縁部に部分的に設けるのが効果的である。配向膜を塗布した複数の画素電極を有するパネルの全域を同時にラビング処理することを考慮すれば、肉厚部は各画素電極の隅部を利用して配置するのが有効である。
【0028】
肉厚部は画素電極部にあっても良いし、一部が画素電極と重なっても良いし、あるいは画素電極の外側に配置されていても良い。
【0029】
肉厚部の幅(w)は2〜3μm程度あれば充分である。また、長さ(d)は画素電極の1辺全域としても良く、TFD駆動素子の大きさとラビング方向を考慮して画素電極の1辺の6分の1〜3分の1程度の長さでも充分である。
【0030】
また、肉厚部の厚さは画素電極の中央部よりも厚ければ掻き傷を防止する効果を発揮することができる。製造工程を考慮すれば、TFD駆動素子を形成する際に、同時に同じ構造で肉厚部分を形成すれば、工程が増加することもなく効率的である。さらに、工程が増加することを許容するならば、TFD駆動素子を形成する物質以外の、絶縁性の樹脂等で肉厚部を構成することも可能である。
【0031】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図7は、本発明に係わる液晶装置に使用する、液晶パネルの素子基板の一実施の形態を示す平面図であって、図1に示す1枚の液晶表示パネルの素子基板1の一部を拡大して示したものである。この実施の形態では、スイッチング素子はバック・ツー・バック構造のTFD駆動素子を用いた例を示している。図7では、TFD駆動素子10を介して配線部7に接続された多数の画素電極6が、1個の液晶パネル領域内にマトリックス状に配列されている。今仮に、説明を容易にするため画素電極6を図7に示すようにa−1、a−2、a−3、・・・・、b−1、b−2、b−3・・・ とし、1個の画素電極の4隅をA、B、C、Dと位置付けする。図7では画素電極6の隅部AにTFD駆動素子10が配置されている。
【0032】
画素電極上に配向膜を塗布したパネルを、ラビング処理工程で紙面右上から左下に向かって45度の矢印Lの方向にラビングする場合、画素電極6のD隅部にC隅部方向に向かって張り出す、画素電極中央部よりも厚さの厚い肉厚部8を設けておけば、TFD駆動素子10に対して防護壁としての機能を有するものとなる。図7では隅部AにTFD駆動素子10が配置されていて、隣接する隅部としてはB隅部及びD隅部の2ヶ所が有る。このうちD隅部が配線部7に沿った方向の隣接隅部である。つまり、図7の例においては肉厚部8が該スイッチング素子10が接続されている画素電極6の隅部に対して隣接する2個の隣接隅部B及びDのうち、配線部7に沿った方向の隣接隅部Dにあれば良いことになる。このような位置に肉厚部8を配置しておけば、例えばa−2に設けた肉厚部8は、1列下のb−2のA隅部にあるTFD駆動素子10を保護することができ、同様にa−3に設けた肉厚部8は、1列下のb−3のA隅部にあるTFD駆動素子10を保護することができる。このように肉厚部8はTFD駆動素子10を通るラビング方向の線Lの延長線上に配置すればよいことになる。
【0033】
ここで隅部AについてはTFD駆動素子10があり、第2のTFD駆動素子10bの第2金属膜16bが画素電極6の一部と重なっており、画素電極6の中央部より一段と厚くなっているので、TFD駆動素子10に対してある程度の防護機能を有しているので、敢えて肉厚部を設ける必要はないが、図4において画素電極6を形成しているITO膜15と第2金属膜16bとが重なっている箇所の構造の下に、さらに第1金属膜と同時に形成される第1金属膜のパターンを残し、第1金属膜/第2金属膜/画素電極の構造としても良い。
【0034】
肉厚部8の幅(w)は2〜3μm程度あればよい。肉厚部8の長さ(d)は特に制限はなく、45度の方向にラビングした場合に、刷毛からTFD駆動素子10が肉厚部8に隠れるだけの長さがあれば充分である。従って、1個の画素電極の1辺の長さの6分の1〜3分の1を目安に適宜決めればよい。
【0035】
次に、本実施態様の素子基板を製作するための製造方法について説明する。
【0036】
素材としてガラス等の透光性で面積の大きな素子基板母材を準備し、この素子基板母材上に複数個分の液晶パネル領域を形成する。
【0037】
先ず、素子基板母材上に薄膜形成手段としてスパッタリングを用いて、タンタル膜を100nm程度の厚さに形成した後、熱酸化させることにより下地層となる酸化タンタルの絶縁膜31を形成する。この下地層は素子基板1と後述するTFD駆動素子の構成要素であるタンタル膜との密着性を向上させる機能を有するものである。なお、タンタル膜への不純物拡散が問題とならないような場合には、この絶縁膜の形成を省略することもできる。
【0038】
この絶縁膜31の上に、配線部7及びTFD駆動素子10の第1金属膜12となる、タングステンを0.1〜6原子%含んだタンタル合金膜を150nm程度の厚さにスパッタリングにより形成する。次いで、フォトエッチングにより図3に拡大して示すようにパターニングして、配線部7及びTFD駆動素子10の第1金属膜12となるパターンを所定の形状に形成する。配線部7の幅は概ね6〜10μm程度、また、TFD駆動素子10の第1金属膜12の幅は概ね2〜3μm程度である。このとき、後述する陽極酸化工程で、配線部7とTFD駆動素子10のタンタル合金膜が同時に陽極酸化されるように、一旦配線部7とTFD駆動素子10のタンタル膜とが繋がるようにタンタルパターン12aを形成しておく(図7のb−1参照)。
【0039】
この際、同時に図7に示すように各画素電極6の周縁部のD隅部の位置にもタンタル膜のパターンを形成する。タンタルのパターンの幅(w)は概ね2〜3μm程度、長さ(d)は例えば1個の画素電極の1辺の長さの4分の1である場合には25μm程度である。このパターンはラビング工程でTFD駆動素子10を保護する肉厚部8となるものである。このタンタルパターンは配線部7やTFD駆動素子10とは隔離して形成されるが、後述する陽極酸化工程で、配線部7とTFD駆動素子10及びD隅部のタンタル合金膜上に同時に陽極酸化膜を形成するために、一旦配線部7とD隅部のタンタル合金膜とが繋がるようなパターン12bを形成しておく(図7のb−1参照)。
【0040】
また、画素電極6と第2金属膜16b(クロム膜)が重なる位置にもタンタルのパターンを残しても良い(後述の図14参照)。
【0041】
次いで、各タンタルパターンに陽極酸化を施して、各タンタルパターンの表面に絶縁膜14となる酸化タンタル膜を20〜30nm程度の厚さに形成する。
【0042】
その後、図3および図4に示すように配線部7から第1のTFD駆動素子10aの上に形成された絶縁膜14と一部が重なるように連なった、第2金属膜16aとなるクロム膜を80〜100nm程度の厚さにスパッタリングにより形成する。
【0043】
これと同時に、第2のTFD駆動素子10bの上に形成された絶縁膜14と一部が重なるようにして、画素電極6の隅部にまで伸びる第2金属膜16bとなるクロム膜を、80〜100nm程度の厚さにスパッタリングにより形成する。
【0044】
さらにこれと同時に、図7に示す画素電極6のD隅部に形成したタンタルパターンの表面の絶縁膜14の上にもクロム膜を80〜100nm程度の厚さにスパッタリングにより形成する。
【0045】
次に、陽極酸化のために配線部と駆動素子部およびD隅部が繋がるように残しておいたタンタルパターン12a及び12bをエッチングにより除去し、配線部と駆動素子部およびD隅部を切り離す。
【0046】
最後に、第2のTFD駆動素子10bの第2金属膜16bと一部が重なるように画素電極6を形成する。画素電極6としてはITO膜等を50nm程度の厚さに形成する。この際同時に図7に示す画素電極6のD隅部に形成したタンタルパターンの上にも、ITO膜15を形成する。このようにして図7に示す画素電極6の配線部7に沿った方向の隣接隅部であるD隅部の位置に、図8に断面で示すような肉厚部8が、TFD駆動素子10と同じ薄膜積層構造で形成される。図8は図7に示す線X−X’に沿った断面構造を示す図である。
【0047】
以上のようにして素子基板上に配線部7、肉厚部8、TFD駆動素子10、画素電極6を形成した後、素子基板の上にポリイミド樹脂を塗布し、方形の画素電極6に対して45度の方向にラビング処理を施して本発明に使用する液晶表示パネルの素子基板1とする。
【0048】
一方、対向基板2には各画素電極に対応した透明対向電極を形成した後、ポリイミド樹脂を塗布して、前記素子基板のラビング方向とは90度捻った方向にラビング処理を施して、本発明に使用する液晶表示パネルの対向基板2とする。図9にこのようにして得た素子基板1と対向基板2とを接着した状態を示す。
各基板内側の画素電極6に接する面に有るのが配向膜9である。
【0049】
本発明の他の実施の態様として図10を示す。この図10のパターンでは肉厚部8を画素電極6のD隅部に配置し、TFD駆動素子10の在るA隅部に向かって分岐部8aを有している。この場合ラビング処理時に異物が巻き込まれた場合、分岐部のコーナー部分8cで異物を捕捉する効果を有するものとなる。肉厚部8の長さはラビング方向に対しTFD駆動素子10を保護するのに充分な長さとする。一方、分岐部8aの長さはコーナー部分8cが形成されるようにほんの僅かだけあればよい。
【0050】
本発明の他の実施の態様として図11を示す。この図11のパターンでは肉厚部8をTFD駆動素子10と対角をなす画素電極6のC隅部に配置し、B隅部とD隅部に向かって分岐部8a、8bを有するように構成している。この場合はラビング方向が図11の左上から右下に向かう方向Mの場合に、対角線上にあるTFD駆動素子10を保護するのに有効である(図1(b)参照)。
【0051】
本発明の他の実施の態様として図12を示す。この図12のパターンでは肉厚部8を画素電極6のC隅部とD隅部に配置してある。また、C隅部の肉厚部8には2個の分岐部8a及び8bを、D隅部肉厚部8には1個の分岐部8aを設けてある。この実施態様によればラビング方向が矢印L方向及び矢印M方向のいずれにも対応できる利点を有する。
【0052】
本発明の他の実施の態様として図13を示す。この図13のパターンでは肉厚部8を画素電極6のC隅部とD隅部を結ぶ辺C−D上に配置し、かつ両端に短い分岐部8aを設けてコーナー部8cを形成してある。この実施態様によれば矢印L方向のラビングに対して、異物の搬入を完全に阻止する利点を有する。
【0053】
これまでは図7の画素配置において、素子電極を配置していない隅部A、B及びCに肉厚部8を配置する例を示したが、 本発明の他の実施の態様として図14に素子電極のある隅部Dに肉厚部を設けた例を示す。この実施態様では画素電極とクロム膜の重なる分部がタンタル/タンタル酸化物/クロム/ITO構造の例を示す。図14は図3の線B−B’に沿った断面図である。この例では第1金属膜12となるタンタル合金膜のパターンを形成する際に、第2金属膜16b位置に相当する場所にもタンタル合金膜パターンを残して形成したものである。その上にTFD素子電極形成と同時に絶縁膜14と第2金属膜16を形成し、最後にITO膜15を形成する。この実施態様の場合には、画素電極6のD隅部に肉厚部8が形成される。この実施例では、ラビング方向が、図11に示したMとは逆方向のラビングの場合に対応できる。
【0054】
上記の実施の態様では、スイッチング素子として二端子型非線形素子であるTFD素子について説明したが、三端子型非線形素子であるTFT素子であってもかまわない。TFT素子の場合には、例えばゲート電極金属膜、ゲート絶縁酸化物膜、半導体膜及びITO膜からなる薄膜積層構造を用いて肉厚部8を形成することができる。
【0055】
また、上記実施の態様の説明では、TFD素子の構造についてバック・ツー・バック構造をとりあげて説明したが、勿論クロス構造であってもかまわない。
【0056】
さらに、二端子型非線形素子としてTFD駆動素子の例を上げて説明したが、本発明は酸化亜鉛(Zn0)バリスタ、MIS( Metal Semi-Insurator ) 駆動素子、RD( Ring Diode ) 等の双方向ダイオード特性を有する二端子型非線形素子を有するアクティブ・マトリックス駆動方式の液晶表示パネルにも適用可能である。
【0057】
さらに、本発明の肉厚部を利用して素子基板と対向基板の2枚の基板を、所定の画素電極領域を対向させて、正確に接着する場合の位置合わせ用のマーカーとして兼用することもできる。この場合には肉厚部に不透明の第1金属膜及び第2金属膜を含んでいるので、目視判定する場合に好都合である。
【0058】
次に、本発明の液晶装置を使用した電子機器について説明する。
【0059】
本発明の液晶装置を使用した電子機器の例を図15に示す。
【0060】
図15(a)は携帯電話の例を示す斜視図である。1000は携帯電話本体を示し、そのうち1001は本発明の液晶装置である。
【0061】
図15(b)は腕時計型電子機器の例を示す斜視図である。1100は時計本体を示し、1101が本発明の液晶装置である。
【0062】
図15(c)はワープロ、パソコン等の携帯型情報処理装置の例を示す斜視図である。図中1200は情報処理装置を示し、12002はキーボード等の入力部、1204は情報処理装置本体、1206は本発明の液晶装置である。
これらの電子機器に本発明の液晶装置を使用すれば、表示面の点欠陥が無くなり見やすい表示装置となるばかりでなく、生産歩留まりが格段に向上するのでコスト引き下げに寄与する効果が大きい。
【0063】
他の電子機器の例として、本発明の液晶装置を光変調装置として使用した、プロジェクタ(投射型表示装置)の例を図16に示す。
【0064】
本例のプロジェクタは、システム光軸Lに沿って配置した光源部110、インテグレータレンズ120、変更変換素子130から概略構成される偏光照明装置100、偏光照明装置100から出射されたS偏光光束を、S偏光光束反射面201により反射させる偏光ビームスプリッタ200、偏光ビームスプリッタ200のS偏光反射面201から反射された光のうち、青色光(B)の成分を分離するダイクロイックミラー412、分離された青色光(B)を、青色光を変調する反射型液晶光変調装置300B、青色光が分離された後の光束のうち赤色光(R)の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー413、分離された赤色光(R)を変調する反射型液晶光変調装置300R、ダイクロイックミラー413を透過する残りの緑色光(G)を変調する反射型液晶光変調装置300G、3つの反射型液晶光変調装置300B、300R、300Gにて変調された光をダイクロイックミラー412、413、偏光ビームスプリッタ200にて合成し、この合成光をスクリーン600に投射する投射レンズからなる投射光学系500から構成されている。上記3つの反射型液晶光変調装置300R、300G、300Bには、それぞれ本発明の液晶装置が使用されている。本発明の液晶装置を使用することにより、製品不良の発生を抑制することができる。
【0065】
【発明の効果】
本発明によれば、ラビング処理工程に於いてラビング方向のスイッチング素子前方に厚さの厚い肉厚部があるので、ラビング用の刷毛先による衝撃を和らげ、異物の侵入を阻止できるので、スイッチング素子が引っ掻き傷を受けることが無くなり、素子不良による点欠陥も無くなり、高品質の画面が得られ、液晶パネルとしての製造歩留まりが向上する効果を有する。
【0066】
また、引っ掻き傷をつける可能性が低くなることで、ラビング処理の際の刷毛の押し圧を高めることができるのでラビング効果が高まり、コントラストのより強い高品質画面が得られるようになる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 ラビング方向を説明する図である。
【図2】 本発明に係わる液晶装置の一実施形態を示す部分平面図である。
【図3】 本発明に係わる液晶装置に使用するTFD駆動素子の一実施形態を示す平面図である。
【図4】 図3のA−A’線に沿った断面構造を示す図である。
【図5】 本発明に係わる液晶装置に使用するTFD駆動素子の他の実施形態を示す平面図である。
【図6】 図5のB−B’線に沿った断面構造を示す図である。
【図7】 本発明に係わる液晶装置に使用する、液晶パネルの素子基板の一形態を示す平面図である。
【図8】 図7のX−X’線に沿った断面構造を示す図である。
【図9】 素子基板と対向基板とを接着した状態を示す図である。
【図10】 本発明の他の一実施の形態を示す図である。
【図11】 本発明のさらに他の一実施の形態を示す図である。
【図12】 本発明のさらに他の一実施の形態を示す図である。
【図13】 本発明のさらに他の一実施の形態を示す図である。
【図14】 本発明の他の実施の形態を示す図である。
【図15】 本発明の液晶装置を使用した、電子機器の例を示す図である。
【図16】 本発明の液晶装置を使用した、電子機器の他の例を示す図である。
【符号の説明】
1・・・素子基板、
2・・・対向基板、
3・・・液晶注入口、
4・・・シール部、
5・・・封止部、
6・・・画素電極、
7・・・配線部、
8・・・肉厚部、
9・・・配向膜、
10・・・TFD駆動素子、
11・・・第2金属膜とITO膜の重なる部分、
12・・・第1金属膜、
14・・・絶縁膜、
15・・・ITO膜、
16・・・第2金属膜、
20・・・TFD駆動素子、
22・・・第1金属膜、
24・・・絶縁膜、
26・・・第2金属膜、
30・・・液晶物質、
31・・・絶縁膜、
50・・・駆動用IC、
51・・・入力端子、
L、M・・・ラビング方向、
1000・・・携帯電話、
1100・・・腕時計、
1200・・・ノートパソコン、
100・・・偏光照明装置、
200・・・偏光ビームスプリッタ、
300・・・液晶光変調装置、
412・・・ダイクロイックミラー、
500・・・集光レンズ、
600・・・スクリーン
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an improvement of a liquid crystal device, and in particular, prevents the occurrence of defects in the liquid crystal device due to destruction of a switching element in a rubbing process for aligning liquid crystal molecules.
[0002]
[Prior art]
In recent years, large-capacity matrix liquid crystal devices have been used for personal computer displays and the like. Among them, active matrix type liquid crystal display devices in which a thin film element having a switching action is introduced between a pixel electrode and a signal wiring are mainly used as liquid crystal display devices with high image quality and large capacity. Typical examples of switching elements of an active matrix liquid crystal display device include a thin film diode (hereinafter abbreviated as TFD) and a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT). Using the function of the switching element, it is possible to drive a large number of pixels arranged in a matrix to display an arbitrary character or figure.
[0003]
On the other hand, twisted nematic (TN) liquid crystal display devices that are widely used today have a large viewing angle dependency, and it is necessary to balance the viewing angle in the vertical and horizontal directions of the display characteristics. It is necessary to let
[0004]
The alignment direction of the liquid crystal molecules is easily regulated by the surface state of the substrate, but the liquid crystal molecules cannot be aligned in a predetermined direction because there is a degree of freedom in the alignment direction of the liquid crystal molecules simply by aligning them in parallel. . In order to align the liquid crystal molecules in a specific direction, means for physically regulating the major axis direction of the liquid crystal molecules by providing an adherend or groove having alignment in the specific direction on the substrate surface is employed. As the main means, a means for applying an orientation film such as a polyimide resin or a means for imparting orientation by scratching the surface of the orientation film in a specific direction is employed. Examples of means for imparting directionality by scratching the alignment film include oblique vapor deposition and rubbing. The oblique vapor deposition method has disadvantages such as low production efficiency and insufficient image contrast, so that the rubbing method is widely used. Usually, as the rubbing method, a rubbing rubbing method in which an alignment film such as a polyimide resin is rubbed with a cloth or a rotating rubbing method in which a rubbing method with a brush having a diameter of 10 to 20 μm is used is put into practical use.
[0005]
Normally, in the TN liquid crystal display device, as shown in FIG. 1A, the alignment film on the element substrate 1 side is rubbed in the direction of 45 degrees with respect to each square pixel, while the counter substrate 2 side The alignment film is further rubbed in the direction of 135 degrees twisted by 90 degrees. In this way, the liquid crystal material is sealed between the alignment films of the two substrates in a state where the rubbing direction of the alignment film is twisted 90 degrees, and the liquid crystal material is kept in a twisted state.
[0006]
The rubbing direction is not limited to the direction shown in FIG. 1A, and may be the direction shown in FIG. Also in this case, the rubbing direction of the alignment film on the element substrate side and the alignment film on the counter substrate side is twisted by 90 degrees.
[0007]
However, in the switching element structure composed of a thin film laminate, the thin film of the switching element part is destroyed due to foreign matters such as the tip of the brush during the rubbing process or dust introduced into the rubbing process, resulting in an element failure, and dot pixel defects. Such a problem is that display is impossible and the production yield of a product as a liquid crystal device is lowered.
[0008]
An SEM observation of the vicinity of the switching element portion of the pixel electrode exhibiting such a point defect revealed that there was an oblique scratch in the switching element portion, and the thin film stack structure of the switching element was destroyed, causing an insulation failure. It was. It was found that the scratch was inclined 45 degrees with respect to the square pixel electrode and coincided with the rubbing direction. When the rubbing brush when the scratch was generated was observed, it was observed that the tip of the brush having a diameter of about 10 to 20 μm was sharply cut or foreign matter adhered to the tip.
[0009]
In order to prevent scratches generated during the rubbing process, the applicant of the present invention previously formed a portion having a thickness equal to or greater than the film thickness for forming the switching element when forming the switching element. There have been proposed a method (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-165729), a method of arranging electrodes constituting the switching element at an angle of 45 degrees along the rubbing direction (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-35005), and the like. However, even with these methods, there is no means for securing the visual field area of the pixel and preventing the increase in the manufacturing process and exhibiting the effect of preventing effective scratches. The present invention is a further improvement of these methods.
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
That is, an object of the present invention is to provide means for preventing scratches generated when a liquid crystal device having a switching element is subjected to an alignment process by a rubbing process, and is an effective means for protecting the switching element with respect to the alignment direction. And to provide a method that does not place a burden on the manufacturing process.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has been made to eliminate the above-described drawbacks, and includes a scanning line or a data line, a plurality of switching elements connected to the substrate, a pixel electrode, and an element substrate formed with an alignment film, In a liquid crystal device having a counter substrate disposed opposite to the element substrate and having a counter electrode and an alignment film formed on the substrate and having a liquid crystal material between the two substrates, each pixel electrode A means for providing a thick part at the peripheral part thicker than the thickness of the central part of the pixel electrode was adopted.
[0012]
In this way, by providing a thicker portion at a specific position of the pixel electrode that is thicker than the thickness of the central portion of the pixel electrode, the tip of the rubbing brush passes through each switching element portion in the rubbing step. The brush reduces the impact of the brush on the switching element part, and prevents foreign matter such as dust from entering the switching element part to prevent scratches.
[0013]
In the present invention, since the structure of the thick part has a thin film laminated structure having the same structure as that of the switching element at least in part, the thick part can be formed at the same time when the switching element is formed. The number of processes does not increase and high productivity can be maintained.
[0014]
First, the structure of the liquid crystal display panel of the liquid crystal device that is the subject of the present invention will be described.
[0015]
FIG. 2 is a partial plan view partially showing a plan view of an embodiment showing an outline of an active matrix liquid crystal display panel using a TFD driving element as a switching element according to the present invention. In the figure, an element substrate 1 and a counter substrate 2 are arranged to face each other and are bonded to each other by a seal portion 4. The distance between the substrates is defined by bead-like spacers having a minute diameter that are dispersed and arranged between the substrates, and are held at about 5 μm, for example. A liquid crystal injection port 3 exposed to the outside of the panel is provided in a part of the seal portion 4, and the liquid crystal surrounded by the seal portion 4 is injected from the liquid crystal injection port 3 and sealed in the sealing portion 5.
[0016]
In the region of the counter substrate 2 that protrudes from the element substrate 1 (on the right side in the figure), for example, when the counter electrode on the counter substrate side is used as a scanning line, a scanning side driving IC 50a that supplies a scanning signal is disposed. . Similarly, the data side driving IC 50b is also arranged on the element substrate side (the back side of the substrate in the figure). Reference numeral 51 denotes an input terminal for supplying a signal from the outside to the driving IC.
[0017]
A large number of rectangular pixel electrodes 6 are arranged in a matrix on the element substrate 1 and are connected to the wiring section 7 via switching elements described in detail later. A transparent electrode made of indium tin oxide (hereinafter abbreviated as ITO) is formed in a stripe shape in the left-right direction on the counter substrate 2 facing the element substrate 1. Control signals are sent to individual pixel electrodes and transparent electrodes, and predetermined pixels are displayed as dots, whereby characters and figures are recognized as a whole display device. An alignment film such as polyimide is applied to the surface of the element substrate 1 and the counter substrate 2 facing each other. The alignment film is rubbed to give directionality, and the two substrates are bonded. When the arrangement as shown in FIG. 2 is adopted, for example, the rubbing direction of the alignment film on the element substrate side is a 45 degree direction from the upper right to the lower left of the drawing, and the rubbing direction of the alignment film on the opposite substrate is the upper left of the drawing. Are orthogonal to each other in the direction of 45 degrees from the right to the lower right (see FIG. 1A).
[0018]
In addition, although not shown, polarizing plates are attached to the surfaces of the element substrate 1 and the counter substrate 2 opposite to the surfaces facing each other. In addition, a flexible substrate connected to the input terminal 51, a light source disposed on the back of the panel in the case of a transmissive panel, and the like, and a circuit for generating a signal to be supplied to the driving IC 50 and a power supply circuit are mounted. These components including a control board called a control box and a panel are accommodated in a case to constitute a liquid crystal device.
[0019]
Next, switching elements used in the liquid crystal display panel will be described.
[0020]
FIG. 3 and FIG. 4 illustrate the enlarged vicinity of one pixel electrode of the liquid crystal display panel. 4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. In this example, the left corner of the peripheral edge of the pixel electrode 6 is connected to the wiring part 7 via a TFD driving element 10 which is a two-terminal nonlinear element serving as a switching element. The TFD driving element 10 in the case of FIG. 3 has a loose back-to-back structure. That is, the first TFD driving element 10a and the second TFD driving element 10b are configured to be connected in series with opposite polarities.
[0021]
3 and 4, the TFD driving element 10 is composed of two elements 10a and 10b. The first TFD driving element 10a has an insulating film 31 formed on the element substrate 1 as a base layer, and a top layer. The first metal film 12 made of tantalum or the like, the insulating film 14 made of anodic oxide film or the like, and the second metal film 16a made of chromium or the like are sequentially formed. On the other hand, the second TFD driving element 10b is composed of an insulating film 31 formed on the element substrate 1 as a base layer, a first metal film 12 made of tantalum or the like sequentially formed thereon, an anodic oxide film, or the like. The second metal film 16b is made of chromium or the like isolated from the insulating film 14 and the second metal film 16a. The first metal film 12 has a thickness of about 150 nm, the insulating film 14 has a thickness of about 20-30 nm, and the second metal film 16 has a thickness of about 80-100 nm.
[0022]
Here, the second metal film 16 a of the first TFD driving element 10 a is connected to the second metal film 16 on the wiring portion 7 formed on the element substrate 1. Furthermore, the second metal film 16b of the second TFD driving element secures a contact area with the pixel electrode 15 and prevents the corrosion cutting due to the wraparound of the etching liquid when formed by etching, as shown in FIG. The pixel electrode 6 is arranged in such a manner that it partially overlaps the corner of the pixel electrode 6.
[0023]
Now, for example, when the alignment film surface of the element substrate coated with the alignment film is rubbed in the direction of the arrow L from the upper right to the lower left in FIG. 3, the tip of the rubbing brush directly rubs the TFD driving element 10, and the brush If the tip of the tape is sharply cut or if a foreign object is caught in the tip of the brush, the TFD drive element 10 made of a thin film is easily scratched and the thin film is destroyed, resulting in an insulation failure. As a result, it loses its function.
[0024]
As another example of the TFD driving element as the switching element, an example of a so-called cross structure will be described with reference to FIGS. 5 and 6, the TFD driving element 20 includes a first metal film 22 made of tantalum or the like formed in order on an insulating film 31 formed on the element substrate 1, an anodic oxide film, and the like. A TFD structure including the insulating film 24 and the second metal film 26 made of chromium or the like is formed. The first metal film 22 is connected to the first metal film of the wiring portion 7 formed on the element substrate 1, and the second metal film 26 is partially connected to the corner portion of the pixel electrode 6. Yes. As in the case of the back-to-back structure described above, the thickness of the first metal film 22 is about 150 nm, the thickness of the insulating film 24 is about 50 nm, and the thickness of the second metal film 26. Is about 80-100 nm. Even in such a structure, since the thin film laminated structure is used, the state of damage to the element during the rubbing process is the same as in the case of the back-to-back element structure described above.
[0025]
In the present invention, in order to prevent scratches received by the TFD drive element part during the rubbing process as described above, a thicker part thicker than the center part of the pixel electrode is provided at the peripheral part of the pixel electrode, and the brush is used. The impact received by the TFD drive element unit is reduced, and foreign matter that the brush is involved in is prevented from being brought into the TFD drive element unit.
[0026]
The thick portion needs to be provided in consideration of the rubbing direction at the peripheral portion of the pixel electrode so as not to decrease the aperture ratio of the pixel electrode. When the alignment film surface is rubbed in a direction of 45 degrees with respect to each pixel electrode, the center of the pixel electrode is arranged so that the brush acts as a protective wall of the TFD drive element unit immediately before entering the TFD drive element unit. It is sufficient that there is a thick part thicker than the part. That is, it is only necessary that the thick part thicker than the central part of the pixel electrode is on the extended line in the rubbing direction passing through the TFD driving element.
[0027]
Such a thick portion may be provided in a frame shape along the entire periphery of the pixel electrode, but it also hinders the rubbing effect, so it is effective to provide it partially on the periphery of the pixel electrode. is there. In consideration of simultaneously rubbing the entire area of the panel having a plurality of pixel electrodes coated with an alignment film, it is effective to dispose the thick portion using the corners of each pixel electrode.
[0028]
The thick portion may be in the pixel electrode portion, a part thereof may overlap the pixel electrode, or may be disposed outside the pixel electrode.
[0029]
It is sufficient that the width (w) of the thick part is about 2 to 3 μm. In addition, the length (d) may be the entire area of one side of the pixel electrode, and the length (d) may be about one third to one third of one side of the pixel electrode in consideration of the size of the TFD driving element and the rubbing direction. It is enough.
[0030]
Further, if the thickness of the thick part is thicker than the central part of the pixel electrode, the effect of preventing scratches can be exhibited. In consideration of the manufacturing process, if the thick portion is formed with the same structure at the same time when forming the TFD driving element, it is efficient without increasing the process. Furthermore, if it is allowed to increase the number of steps, it is possible to form the thick portion with an insulating resin other than the material forming the TFD driving element.
[0031]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 7 is a plan view showing an embodiment of an element substrate of a liquid crystal panel used in the liquid crystal device according to the present invention, and a part of the element substrate 1 of one liquid crystal display panel shown in FIG. It is an enlarged view. In this embodiment, an example is shown in which the switching element uses a TFD driving element having a back-to-back structure. In FIG. 7, a large number of pixel electrodes 6 connected to the wiring section 7 via the TFD driving element 10 are arranged in a matrix in one liquid crystal panel region. For ease of explanation, the pixel electrodes 6 are a-1, a-2, a-3,..., B-1, b-2, b-3. The four corners of one pixel electrode are positioned as A, B, C, and D. In FIG. 7, the TFD driving element 10 is arranged at the corner A of the pixel electrode 6.
[0032]
When a panel having an alignment film applied on the pixel electrode is rubbed in the direction of an arrow L of 45 degrees from the upper right to the lower left of the paper in the rubbing process, the D corner of the pixel electrode 6 is directed toward the C corner. Providing the overhanging thick portion 8 thicker than the center portion of the pixel electrode has a function as a protective wall for the TFD drive element 10. In FIG. 7, the TFD drive element 10 is arranged at the corner A, and there are two corners adjacent to each other, the B corner and the D corner. Among these, the D corner is an adjacent corner in the direction along the wiring portion 7. That is, in the example of FIG. 7, the thick portion 8 is along the wiring portion 7 among the two adjacent corner portions B and D adjacent to the corner portion of the pixel electrode 6 to which the switching element 10 is connected. It suffices if it is in the adjacent corner portion D in the other direction. If the thick portion 8 is arranged at such a position, for example, the thick portion 8 provided at a-2 protects the TFD drive element 10 at the A corner of b-2 below one row. Similarly, the thick portion 8 provided at a-3 can protect the TFD drive element 10 at the A corner of b-3 below one row. Thus, the thick portion 8 may be disposed on the extended line of the line L in the rubbing direction passing through the TFD drive element 10.
[0033]
Here, the corner portion A has the TFD driving element 10, and the second metal film 16 b of the second TFD driving element 10 b overlaps a part of the pixel electrode 6, and is thicker than the central portion of the pixel electrode 6. Therefore, since it has a certain degree of protective function for the TFD drive element 10, it is not necessary to dare to provide a thick part, but the ITO film 15 forming the pixel electrode 6 and the second metal in FIG. The structure of the first metal film / second metal film / pixel electrode may be formed by leaving a pattern of the first metal film formed simultaneously with the first metal film below the structure where the film 16b overlaps. .
[0034]
The width (w) of the thick portion 8 may be about 2 to 3 μm. The length (d) of the thick part 8 is not particularly limited, and it is sufficient that the TFD drive element 10 is hidden from the brush by the thick part 8 when rubbing in the direction of 45 degrees. Accordingly, it is only necessary to appropriately determine 1/3 to 1/6 of the length of one side of one pixel electrode.
[0035]
Next, a manufacturing method for manufacturing the element substrate of this embodiment will be described.
[0036]
A light-transmitting element substrate base material having a large area, such as glass, is prepared as a material, and a plurality of liquid crystal panel regions are formed on the element substrate base material.
[0037]
First, a tantalum film having a thickness of about 100 nm is formed on the element substrate base material by sputtering as a thin film forming means, and then a thermal oxidation is performed to form a tantalum oxide insulating film 31 serving as a base layer. This underlayer has a function of improving the adhesion between the element substrate 1 and a tantalum film which is a constituent element of a TFD driving element described later. Note that in the case where impurity diffusion into the tantalum film does not cause a problem, the formation of the insulating film can be omitted.
[0038]
On this insulating film 31, a tantalum alloy film containing 0.1 to 6 atomic% of tungsten and serving as the first metal film 12 of the wiring portion 7 and the TFD driving element 10 is formed by sputtering to a thickness of about 150 nm. . Next, patterning is performed by photoetching as shown in FIG. 3 in an enlarged manner, and a pattern to be the first metal film 12 of the wiring portion 7 and the TFD driving element 10 is formed in a predetermined shape. The width of the wiring part 7 is approximately 6 to 10 μm, and the width of the first metal film 12 of the TFD driving element 10 is approximately 2 to 3 μm. At this time, the tantalum pattern is once connected so that the wiring portion 7 and the tantalum film of the TFD driving element 10 are once connected so that the tantalum alloy film of the wiring portion 7 and the TFD driving element 10 is simultaneously anodized in an anodic oxidation process described later. 12a is formed (see b-1 in FIG. 7).
[0039]
At this time, a tantalum film pattern is also formed at the position of the corner D of the peripheral edge of each pixel electrode 6 as shown in FIG. The width (w) of the tantalum pattern is about 2 to 3 μm, and the length (d) is about 25 μm when it is a quarter of the length of one side of one pixel electrode, for example. This pattern becomes the thick portion 8 that protects the TFD driving element 10 in the rubbing process. This tantalum pattern is formed separately from the wiring portion 7 and the TFD driving element 10. However, in the anodic oxidation process described later, the tantalum pattern is simultaneously anodized on the wiring portion 7, the TFD driving element 10 and the tantalum alloy film at the D corner. In order to form a film, a pattern 12b is formed so as to once connect the wiring portion 7 and the tantalum alloy film at the D corner (see b-1 in FIG. 7).
[0040]
Further, a tantalum pattern may be left at a position where the pixel electrode 6 and the second metal film 16b (chrome film) overlap (see FIG. 14 described later).
[0041]
Next, each tantalum pattern is anodized to form a tantalum oxide film to be an insulating film 14 on the surface of each tantalum pattern with a thickness of about 20 to 30 nm.
[0042]
Thereafter, as shown in FIGS. 3 and 4, a chromium film serving as the second metal film 16a is connected to the insulating film 14 formed on the first TFD driving element 10a from the wiring portion 7 so as to partially overlap. Is formed to a thickness of about 80 to 100 nm by sputtering.
[0043]
At the same time, a chromium film serving as the second metal film 16b extending to the corner of the pixel electrode 6 is formed so as to partially overlap the insulating film 14 formed on the second TFD driving element 10b. It is formed by sputtering to a thickness of about ˜100 nm.
[0044]
At the same time, a chromium film is also formed by sputtering to a thickness of about 80 to 100 nm on the insulating film 14 on the surface of the tantalum pattern formed at the D corner of the pixel electrode 6 shown in FIG.
[0045]
Next, the tantalum patterns 12a and 12b left so that the wiring portion, the driving element portion, and the D corner portion are connected for anodic oxidation are removed by etching, and the wiring portion, the driving element portion, and the D corner portion are separated.
[0046]
Finally, the pixel electrode 6 is formed so as to partially overlap the second metal film 16b of the second TFD driving element 10b. As the pixel electrode 6, an ITO film or the like is formed to a thickness of about 50 nm. At the same time, the ITO film 15 is also formed on the tantalum pattern formed at the D corner of the pixel electrode 6 shown in FIG. Thus, the thick portion 8 as shown in cross section in FIG. 8 is formed at the position of the D corner which is the adjacent corner in the direction along the wiring portion 7 of the pixel electrode 6 shown in FIG. It is formed with the same thin film laminated structure. FIG. 8 is a diagram showing a cross-sectional structure along the line XX ′ shown in FIG.
[0047]
After forming the wiring part 7, the thick part 8, the TFD driving element 10 and the pixel electrode 6 on the element substrate as described above, a polyimide resin is applied on the element substrate, and the rectangular pixel electrode 6 is applied. The element substrate 1 of the liquid crystal display panel used in the present invention is rubbed in a 45 degree direction.
[0048]
On the other hand, after forming a transparent counter electrode corresponding to each pixel electrode on the counter substrate 2, a polyimide resin is applied and a rubbing process is performed in a direction twisted 90 degrees from the rubbing direction of the element substrate. The counter substrate 2 of the liquid crystal display panel used in the above is used. FIG. 9 shows a state in which the element substrate 1 and the counter substrate 2 thus obtained are bonded.
The alignment film 9 is on the surface in contact with the pixel electrode 6 inside each substrate.
[0049]
FIG. 10 shows another embodiment of the present invention. In the pattern of FIG. 10, the thick portion 8 is arranged at the D corner of the pixel electrode 6 and has a branching portion 8 a toward the A corner where the TFD driving element 10 is present. In this case, when a foreign matter is caught in the rubbing process, the foreign matter is captured at the corner portion 8c of the branching portion. The length of the thick portion 8 is set to a length sufficient to protect the TFD drive element 10 in the rubbing direction. On the other hand, the length of the branching portion 8a needs to be very small so that the corner portion 8c is formed.
[0050]
FIG. 11 shows another embodiment of the present invention. In the pattern of FIG. 11, the thick portion 8 is arranged at the C corner of the pixel electrode 6 that forms a diagonal with the TFD drive element 10, and has branch portions 8 a and 8 b toward the B corner and the D corner. It is composed. In this case, when the rubbing direction is the direction M from the upper left to the lower right in FIG. 11, it is effective to protect the TFD driving element 10 on the diagonal line (see FIG. 1B).
[0051]
FIG. 12 shows another embodiment of the present invention. In the pattern of FIG. 12, the thick portions 8 are arranged at the C corner and the D corner of the pixel electrode 6. Further, the thick portion 8 at the C corner is provided with two branch portions 8a and 8b, and the thick portion 8 at the D corner is provided with one branch portion 8a. According to this embodiment, there is an advantage that the rubbing direction can correspond to both the arrow L direction and the arrow M direction.
[0052]
FIG. 13 shows another embodiment of the present invention. In the pattern of FIG. 13, the thick portion 8 is disposed on the side CD connecting the C corner and the D corner of the pixel electrode 6, and the short branch portions 8a are provided at both ends to form the corner portion 8c. is there. According to this embodiment, there is an advantage that foreign matter is completely prevented from being brought into rubbing in the direction of arrow L.
[0053]
Up to now, in the pixel arrangement of FIG. 7, an example in which the thick part 8 is arranged in the corners A, B and C where no element electrode is arranged has been shown, but FIG. 14 shows another embodiment of the present invention. The example which provided the thick part in the corner D with an element electrode is shown. In this embodiment, the overlapping portion of the pixel electrode and the chromium film shows an example of a tantalum / tantalum oxide / chromium / ITO structure. FIG. 14 is a sectional view taken along line BB ′ of FIG. In this example, when the pattern of the tantalum alloy film to be the first metal film 12 is formed, the tantalum alloy film pattern is also left in a place corresponding to the position of the second metal film 16b. An insulating film 14 and a second metal film 16 are formed simultaneously with the formation of the TFD element electrode thereon, and finally an ITO film 15 is formed. In this embodiment, a thick portion 8 is formed at the D corner of the pixel electrode 6. In this embodiment, the rubbing direction can be handled in the case of rubbing in the direction opposite to M shown in FIG.
[0054]
In the above embodiment, the TFD element that is a two-terminal nonlinear element has been described as the switching element. However, a TFT element that is a three-terminal nonlinear element may be used. In the case of a TFT element, the thick portion 8 can be formed using a thin film laminated structure composed of, for example, a gate electrode metal film, a gate insulating oxide film, a semiconductor film, and an ITO film.
[0055]
In the above description of the embodiment, the structure of the TFD element has been described by taking the back-to-back structure, but of course, a cross structure may be used.
[0056]
Further, although an example of a TFD driving element has been described as a two-terminal nonlinear element, the present invention is a bidirectional diode such as a zinc oxide (Zn0) varistor, a MIS (Metal Semi-Insurator) driving element, and an RD (Ring Diode). The present invention can also be applied to an active matrix drive type liquid crystal display panel having a two-terminal nonlinear element having characteristics.
[0057]
Furthermore, using the thick portion of the present invention, the two substrates of the element substrate and the counter substrate can also be used as an alignment marker when the predetermined pixel electrode regions are opposed to each other and bonded accurately. it can. In this case, since the opaque thick first metal film and second metal film are included in the thick portion, it is convenient for visual judgment.
[0058]
Next, electronic equipment using the liquid crystal device of the present invention will be described.
[0059]
An example of an electronic device using the liquid crystal device of the present invention is shown in FIG.
[0060]
FIG. 15A is a perspective view showing an example of a mobile phone. Reference numeral 1000 denotes a mobile phone body, of which 1001 is the liquid crystal device of the present invention.
[0061]
FIG. 15B is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic apparatus. Reference numeral 1100 denotes a watch body, and 1101 denotes a liquid crystal device of the present invention.
[0062]
FIG. 15C is a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In the figure, reference numeral 1200 denotes an information processing apparatus, 12002 is an input unit such as a keyboard, 1204 is an information processing apparatus body, and 1206 is a liquid crystal device of the present invention.
When the liquid crystal device of the present invention is used for these electronic devices, not only does the display surface have no point defects, but the display device is easy to see, and the production yield is greatly improved, which greatly contributes to cost reduction.
[0063]
As another example of the electronic apparatus, an example of a projector (projection display device) using the liquid crystal device of the present invention as a light modulation device is shown in FIG.
[0064]
The projector of this example includes a polarized light illuminating device 100 roughly constituted by a light source unit 110, an integrator lens 120, and a change conversion element 130 arranged along the system optical axis L, and an S-polarized light beam emitted from the polarized light illuminating device 100. The polarized beam splitter 200 that is reflected by the S-polarized light beam reflecting surface 201, the dichroic mirror 412 that separates the blue light (B) component out of the light reflected from the S-polarized light reflecting surface 201 of the polarized beam splitter 200, and the separated blue color Reflected liquid crystal light modulator 300B that modulates blue light, dichroic mirror 413 that reflects and separates red light (R) component of the light flux after blue light is separated Reflective liquid crystal light modulator 300R that modulates red light (R) and the remaining green light that passes through dichroic mirror 413 (G) is modulated by the reflection type liquid crystal light modulation device 300G, and the light modulated by the three reflection type liquid crystal light modulation devices 300B, 300R, and 300G is synthesized by the dichroic mirrors 412 and 413 and the polarization beam splitter 200. The projection optical system 500 includes a projection lens that projects the combined light onto the screen 600. The liquid crystal devices of the present invention are used for the three reflective liquid crystal light modulation devices 300R, 300G, and 300B, respectively. By using the liquid crystal device of the present invention, it is possible to suppress the occurrence of product defects.
[0065]
【The invention's effect】
According to the present invention, in the rubbing process step, since there is a thick part in front of the switching element in the rubbing direction, the impact by the brush tip for rubbing can be reduced, and foreign matter can be prevented from entering. Are not scratched, point defects due to device defects are eliminated, a high-quality screen is obtained, and the production yield of a liquid crystal panel is improved.
[0066]
In addition, since the possibility of scratching is reduced, the pressing pressure of the brush during the rubbing process can be increased, so that the rubbing effect is enhanced and the high-quality screen with stronger contrast can be obtained. .
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating a rubbing direction.
FIG. 2 is a partial plan view showing an embodiment of a liquid crystal device according to the present invention.
FIG. 3 is a plan view showing an embodiment of a TFD driving element used in the liquid crystal device according to the present invention.
4 is a diagram showing a cross-sectional structure along the line AA ′ in FIG. 3;
FIG. 5 is a plan view showing another embodiment of a TFD drive element used in the liquid crystal device according to the present invention.
6 is a view showing a cross-sectional structure along the line BB ′ in FIG. 5;
FIG. 7 is a plan view showing one embodiment of an element substrate of a liquid crystal panel used in a liquid crystal device according to the present invention.
8 is a diagram showing a cross-sectional structure along the line XX ′ in FIG. 7;
FIG. 9 is a diagram showing a state where an element substrate and a counter substrate are bonded together.
FIG. 10 is a diagram showing another embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a diagram showing still another embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a diagram showing still another embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a diagram showing still another embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a diagram showing another embodiment of the present invention.
FIG. 15 illustrates an example of an electronic device using the liquid crystal device of the invention.
FIG. 16 is a diagram illustrating another example of an electronic device using the liquid crystal device of the invention.
[Explanation of symbols]
1 ... element substrate,
2 ... counter substrate,
3 ... Liquid crystal injection port,
4 ... seal part,
5 ... sealing part,
6: Pixel electrode,
7: Wiring part,
8 ... Thick part,
9 ... Alignment film,
10 TFD drive element,
11 ... the overlapping part of the second metal film and the ITO film,
12 ... 1st metal film,
14 ... Insulating film,
15 ... ITO film,
16 ... second metal film,
20 ... TFD drive element,
22 ... 1st metal film,
24 ... Insulating film,
26 ... second metal film,
30 ... Liquid crystal substance,
31 ... Insulating film,
50 ... Drive IC,
51 ... Input terminal,
L, M ... rubbing direction,
1000 ... mobile phone,
1100 ... watch,
1200 ... notebook computer,
100: Polarized illumination device,
200: Polarizing beam splitter,
300: Liquid crystal light modulator,
412 ... Dichroic mirror,
500 ... Condensing lens,
600 ... Screen

Claims (8)

基板上に画素電極と、前記画素電極の隅部に設けられたスイッチング 素子と、前記スイッチング素子に接続された配線と、所定方向にラビング処理されてなる配向膜とを有する素子基板と、該素子基板に対向して配置される対向基板とを有する液晶装置において、 前記スイッチング素子を通るラビング方向の上流側であって、前記スイッチング素子の前記配線に沿って隣接する画素電極の隣接隅部に、前記スイッチング素子と同一の薄膜積層構造を有する肉厚部が形成されており、
前記肉厚部は、ゲート電極金属膜、ゲート絶縁酸化物膜、半導体膜及びITOの薄膜積層構造からなることを特徴とする液晶装置。
An element substrate having a pixel electrode on a substrate, a switching element provided at a corner of the pixel electrode, a wiring connected to the switching element, and an alignment film rubbed in a predetermined direction, and the element In a liquid crystal device having a counter substrate disposed to face the substrate, on the upstream side in the rubbing direction passing through the switching element, at an adjacent corner of the pixel electrode adjacent to the wiring of the switching element, A thick part having the same thin film laminated structure as the switching element is formed ,
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the thick portion comprises a thin film laminated structure of a gate electrode metal film, a gate insulating oxide film, a semiconductor film, and ITO .
請求項1に記載の液晶装置において、前記スイッチング素子と前記配線を挟んで対角をなす画素電極の対角隅部に、前記スイッチング素子と同ーの薄膜積層構造を有する肉厚部がさらに形成されていることを特徴とする液晶装置。  2. The liquid crystal device according to claim 1, wherein a thick portion having the same thin-film laminated structure as that of the switching element is further formed in a diagonal corner portion of the pixel electrode that forms a diagonal across the switching element and the wiring. A liquid crystal device characterized by being made. 基板上に画素電極と、前記画素電極の隅部に設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された配線と、所定方向にラビング処理されてなる配向膜とを有する素子基板と、該素子基板に対向して配置される対向基板とを有する液晶装置において、
前記スイッチング素子を通るラビング方向の上流側であって、前記スイッチング素子と前記配線を挟んで対角をなす画素電極の対角隅部に、前記スイッチング素子と同一の薄膜積層構造を有する肉厚部が形成されており、
前記肉厚部は、ゲート電極金属膜、ゲート絶縁酸化物膜、半導体膜及びITOの薄膜積層構造からなることを特徴とする液晶装置。
An element substrate having a pixel electrode on a substrate, a switching element provided at a corner of the pixel electrode, a wiring connected to the switching element, and an alignment film that is rubbed in a predetermined direction, and the element In a liquid crystal device having a counter substrate disposed to face the substrate,
A thick portion having the same thin film laminated structure as that of the switching element at the diagonal corner of the pixel electrode that forms a diagonal across the switching element and the wiring, upstream of the rubbing direction passing through the switching element Is formed ,
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the thick portion comprises a thin film laminated structure of a gate electrode metal film, a gate insulating oxide film, a semiconductor film, and ITO .
請求項1から請求項3のいずれかに記載の液晶装置において、前記肉厚部がその隅部に隣接する辺の方向に沿って互いに略直角方向に伸びる分岐部を有することを特徴とする液晶装置。  4. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the thick portion has branch portions extending in directions substantially perpendicular to each other along a direction of a side adjacent to the corner portion. 5. apparatus. 基板上に画素電極と、前記画素電極の隅部に設けられたスイッチングSwitching on the pixel electrode on the substrate and the corner of the pixel electrode 素子と、前記スイッチング素子に接続された配線と、所定方向にラビング処理されてなる配向膜とを有する素子基板と、該素子基板に対向して配置される対向基板とを有する液晶装置において、In a liquid crystal device including an element, an element substrate having a wiring connected to the switching element, an alignment film that is rubbed in a predetermined direction, and a counter substrate disposed to face the element substrate. 前記スイッチング素子を通るラビング方向の上流側であって、前記スイッチング素子の前記配線に沿って隣接する画素電極の隣接隅部に、前記スイッチング素子と同一の薄膜積層構造を有する肉厚部が形成されており、A thick portion having the same thin film laminated structure as that of the switching element is formed on the upstream side of the rubbing direction passing through the switching element and at an adjacent corner of the pixel electrode adjacent to the switching element along the wiring. And
前記肉厚部は、金属タンタル、酸化タンタル、金属クロム及びインジウム錫酸化物の薄膜積層構造からなることを特徴とする液晶装置。The liquid crystal device, wherein the thick portion has a thin film laminated structure of metal tantalum, tantalum oxide, metal chromium and indium tin oxide.
請求項5に記載の液晶装置において、前記スイッチング素子と前記配線を挟んで対角をなす画素電極の対角隅部に、前記スイッチング素子と同ーの薄膜積層構造を有する肉厚部がさらに形成されていることを特徴とする液晶装置。6. The liquid crystal device according to claim 5, wherein a thick portion having the same thin film laminated structure as that of the switching element is further formed at a diagonal corner portion of the pixel electrode that forms a diagonal across the switching element and the wiring. A liquid crystal device characterized by being made. 基板上に画素電極と、前記画素電極の隅部に設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された配線と、所定方向にラビング処理されてなる配向膜とを有する素子基板と、該素子基板に対向して配置される対向基板とを有する液晶装置において、An element substrate having a pixel electrode on a substrate, a switching element provided at a corner of the pixel electrode, a wiring connected to the switching element, and an alignment film that is rubbed in a predetermined direction, and the element In a liquid crystal device having a counter substrate disposed to face the substrate,
前記スイッチング素子を通るラビング方向の上流側であって、前記スイッチング素子と前記配線を挟んで対角をなす画素電極の対角隅部に、前記スイッチング素子と同一の薄膜積層構造を有する肉厚部が形成されており、  A thick portion having the same thin-film laminated structure as the switching element at the diagonal corner of the pixel electrode that forms a diagonal across the switching element and the wiring, upstream of the rubbing direction passing through the switching element Is formed,
前記肉厚部は、金属タンタル、酸化タンタル、金属クロム及びインジウム錫酸化物の薄膜積層構造からなることを特徴とする液晶装置。The liquid crystal device, wherein the thick portion has a thin film laminated structure of metal tantalum, tantalum oxide, metal chromium and indium tin oxide.
請求項第1項から第項のいずれかに記載の液晶装置を具備してなることを特徴とする電子機器。An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to any one of claims 1 to 7 .
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