JP3789255B2

JP3789255B2 - Capacitor and capacitor wiring board

Info

Publication number: JP3789255B2
Application number: JP12243699A
Authority: JP
Inventors: 幸樹小川
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1999-04-28
Filing date: 1999-04-28
Publication date: 2006-06-21
Anticipated expiration: 2019-04-28
Also published as: JP2000315622A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層セラミックコンデンサでありながら、他の部材と面接続可能な接続パッドを有するコンデンサに関する。具体的には、例えば、ＩＣチップ、これを搭載した中継基板やＣＳＰ（チップスケールパッケージ）等の配線基板、マザーボード等の配線基板などの電子部品の接続面に設けたバンプやパッド等の多数の接続端子と、あるいはコンデンサ内蔵配線基板などコンデンサ内蔵電子部品のための電子部品における内蔵コンデンサ用接続端子などと面接続可能なコンデンサに関する。また、２つの電子部品の間に介在させて、コンデンサの両極をいずれの電子部品にも接続可能なコンデンサに関する。また、このようなコンデンサと配線基板とを備えるコンデンサ付属配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、図２０に示すように、ＢａＴｉＯ３等の高誘電率セラミックを誘電体層１として用い、この誘電体層１と電極層２とを交互に積層した積層体３を形成し、各電極層２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層４Ａ，４Ｂを積層体３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面３Ａ，３Ｂにそれぞれ形成した積層セラミックコンデンサ１０が知られている。この積層セラミックコンデンサ１０は、小型で、比較的大きな静電容量とすることができ、高周波特性が良好で、長寿命であることから、各種の電子機器に多数用いられている。
【０００３】
例えば、ＩＣチップの高速動作に伴い、電源配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすことがあるので、このノイズ除去のためのデカップリングコンデンサとして積層セラミックコンデンサを用いることがある。即ち、例えば図２１に示すように、ＩＣチップ１１を搭載する配線基板１２の上面１２Ａあるいは下面１２Ｂに、別途、一対の共通電極層４Ａ，４Ｂを持つ積層セラミックコンデンサからなるチップコンデンサ１０を搭載し、コンデンサ１０の２つの側面にそれぞれ形成された共通電極層４Ａ，４Ｂとそれぞれ接続するコンデンサ接続配線１４を配線基板１２の内部に設ける。これにより、コンデンサ接続配線１４及びフリップチップパッド１５を経由してチップコンデンサ１０をＩＣチップ１１に接続することが行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、ＩＣチップ１１内では、各所において電源電位や接地電位が必要となるため、ＩＣチップやこれに対応する配線基板に形成されるパッドやバンプ等の接続端子のうちの多数、時には半数近くが電源電位や接地電位用の接続端子とされる。
しかしながら、一般に、コンデンサ１０は、一対の共通電極層４Ａ，４Ｂを有するのみであるため、このコンデンサ１０を直接ＩＣチップ１１の接続端子と直接接続させることはできない。そこで、このコンデンサ１０の共通電極層４Ａ，４ＢとＩＣチップ１１の接続端子との間を複雑な経路を通るコンデンサ接続配線１４でそれぞれの接続端子と接続することとなる。さらに、他の配線等に制限されて、ＩＣチップ１１とチップコンデンサ１０とを結ぶコンデンサ接続配線１４の長さが長く、また細くなりやすいため、コンデンサ接続配線１４自身の持つ抵抗やインダクタンスが大きくなりがちで、低抵抗、低インダクタンスの要請に十分に応えられない。
また、コンデンサ１０の図中上方に、さらに他の電子部品を搭載し、さらにこれとコンデンサを接続することも困難である。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、接続対象部材の接続端子、例え
ば、ＩＣチップや配線基板等の電子部品の接続端子やコンデンサ内蔵電子部品のため電子部品における内蔵コンデンサ用接続端子などと面接続可能なコンデンサ、また、２つの電子部品の間に介在させて、コンデンサの両極をいずれの電子部品にも接続可能なコンデンサ、さらに、このようなコンデンサと配線基板とを備えるコンデンサ付属配線基板を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
そして、その解決手段は、高誘電率セラミックからなる誘電体層と電極層とが交互に積層され、それぞれ上記電極層と１層おきに導通し互いに絶縁された一対の共通電極層を側面に備える積層コンデンサ部と、上記積層コンデンサ部の積層方向両外側のいずれかに位置する転換部と、を備え、上記転換部は、それぞれ接続対象部材の複数の接続端子と面接続可能な複数の接続パッドと、上記接続パッドと上記一対の共通電極層のうちのいずれかとをそれぞれ導通させる複数の転換配線であって、上記一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線と、を有し、上記積層コンデンサ部は、上記電極層のうち、積層方向最外側に積層され、上記一対の共通電極層のうちの一方と導通する最外側電極層を備え、上記転換部は、上記最外側電極層の積層方向外側に積層された転換絶縁層を備えると共に、この転換部に属する上記複数の接続パッドは、上記転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、この転換部に属する上記複数の転換配線は、上記最外側電極層から上記転換絶縁層を貫通して上記外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに接続する転換ビア導体と、上記一対の共通電極層のうちの他方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び上記外表面を経由して、上記接続パッドのいずれかに接続する側面経由転換配線と、を有するビア−側面転換部であることを特徴とするコンデンサである。
【０００７】
本発明のコンデンサでは、積層コンデンサ部の他に転換部を備え、その転換部の接続パッドは、転換配線によって積層コンデンサ部の共通電極層のいずれかと導通している。従って、本発明のコンデンサでは、その接続パッドを、例えば、ＩＣチップ、配線基板などの電子部品等、接続対象部材の複数の接続端子と面接続させることができる。またこのため、前記したように、コンデンサの共通電極層と接続対象部材の接続端子とを結ぶコンデンサ接続配線を形成する必要が無く、ごく短い距離で電子部品等の接続対象部材と接続でき、インダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。
しかも、転換部において、一対の共通電極層のいずれも複数の接続パッドのうちの少なくともいずれかと導通する。このため、転換部の接続パッドから、コンデンサの両極を取り出すことができる。従って、接続した接続対象部材（例えばＩＣチップ）において、あるいは接続対象部材（たとえば配線基板）を通じて、コンデンサの２つの電極を利用することができる。このため、例えば、コンデンサの２つの電極の一方を電源電位に、他方を接地電位にすることで、コンデンサの両極（一対の共通電極層）を利用して、ノイズ除去の役割を果たさせることができる。特に、このコンデンサをＩＣチップと接続させると、各所で電源電位や接地電位の必要なＩＣチップにおいて、コンデンサから必要部位に各電位を供給することもできる。
【０００８】
さらに、本発明では、転換絶縁層、転換ビア導体及び側面経由転換配線を用いて、接続パッドを積層コンデンサ部の一対の共通電極層にそれぞれ接続させる。これにより、積層コンデンサ部に形成されている一対の共通電極層を接続対象部材の接続配線と面接続可能な接続パッドに転換する。このようにすると、１層の転換絶縁層を用い、これに転換ビア導体及び側面経由転換配線を形成する簡単な構造で共通電極層と接続パッドとをそれぞれ接続することができる。従って、安価で形成容易なコンデンサとすることができる。また、コンデンサ全体の寸法も、積層コンデンサ部の大きさとそれほど変わらない大きさで形成することができるので、小型化のコンデンサとすることができる。
ところで、側面経由転換配線は、転換絶縁層の側面及び外表面を経由するため、転換絶
縁層を貫通して形成する転換ビア導体に比較して、形成位置の自由度が低く、側面における形成位置や外表面における引き回しが制限される。このため、多数の側面経由転換配線を形成したい場合には、形成困難となる場合がある。これに対し本発明では、側面経由転換配線の他に、転換ビア導体を用いるので、その分、形成すべき側面経由転換配線数を少なくでき、その形成位置の選択が容易になる。また、各側面経由転換配線の幅を広くすることができるので、各側面経由転換配線のインダクタンスや抵抗も低減させることができる。
【０００９】
なお、本発明のコンデンサと接続させる接続対象部材としては、例えば、ＩＣチップ、これを搭載した中継基板やＣＳＰ等の配線基板、ＩＣチップの他にもトランジスタ等の能動部品や抵抗等の受動部品を搭載した配線基板、マザーボード等の配線基板、多数の接続端子が形成された抵抗アレイなどの電子部品が挙げられる。また本発明のコンデンサを、コンデンサ内蔵配線基板などのコンデンサ内蔵電子部品における内蔵コンデンサとして用いる場合には、内蔵したコンデンサと接続させるパッドやバンプなどを有するコア基板などの内蔵用部材、ビア導体やパッド、バンプなどを有するビルドアップ絶縁層等の部材も含まれる。
また、接続対象部材の接続端子には、例えばパッド、バンプ、ピン、ビア導体などが挙げられる。
【００１０】
さらに、面接続とは、接続対象部材、例えば電子部品の接続面内の各所に形成された接続端子と、これに対応してコンデンサの接続パッド形成面内の各所に形成された接続パッドとを、電子部品の接続面とコンデンサの接続パッド形成面とを対向させて、直接、あるいはハンダや導電性樹脂、異方性導電性シート等によって、電気的に接続するなど、コンデンサの接続パッド形成面内に形成した各接続パッドと接続対象部材の接続端子とを対向させてこれらの間を導通させる接続を指す。例えば、ＩＣチップの接続面に格子状に形成した多数のハンダバンプと、コンデンサの接続パッド形成面に格子状に形成した接続パッドとを、ハンダバンプを溶融させてパッドにハンダ付けして接続する場合、あるいは、接続パッドに形成した低温ハンダバンプを溶融させて、ＩＣチップのハンダバンプに溶着させて接続する場合などが挙げられる。また、配線基板内にコンデンサを内蔵する場合には、例えば、コンデンサの接続パッド形成面上に絶縁層を形成し、その絶縁層を貫通してコンデンサの接続パッドと直接接続するビア導体を形成する場合などが挙げられる。
【００１１】
なお、このコンデンサは、積層コンデンサ部、転換部共に同時焼成によって形成されてなるものとすると良い。焼成によって一挙に形成できるため、コンデンサを安価に形成できるからである。
また、コンデンサの接続パッドには、ハンダや導電性樹脂を盛り上げてバンプとしても良い。
【００１２】
また、他の解決手段は、高誘電率セラミックからなる誘電体層と電極層とが交互に積層され、それぞれ上記電極層と１層おきに導通し互いに絶縁された一対の共通電極層を側面に備える積層コンデンサ部と、上記積層コンデンサ部の積層方向両外側のいずれかに位置する転換部と、を備え、上記転換部は、それぞれ接続対象部材の複数の接続端子と面接続可能な複数の接続パッドと、上記接続パッドと上記一対の共通電極層のうちのいずれかとをそれぞれ導通させる複数の転換配線であって、上記一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線と、を有し、上記積層コンデンサ部は、上記電極層のうち、積層方向最外側に積層され、上記一対の共通電極層のうちの一方と導通する最外側電極層を備え、上記転換部は、上記最外側電極層の積層方向外側に積層された第１転換絶縁層と、上記第１転換絶縁層の積層方向外側に積層された第２転換絶縁層と、上記第１転換絶縁層と第２転換絶縁層との層間に形成され、上記一対の共通電極層のうちの他方と接続する転換電極層と、を備えると共に、この転換部に属する上記複数の接続パッドは、上記第２転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、この転換部に属する上記複数の転換配線は、上記最外側電極層から上記第１転換絶縁層及び第２転換絶縁層を貫通して第２転換絶縁層の外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに接続する複数の第１転換ビア導体と、上記転換電極層から上記第２転換絶縁層を貫通してその外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに接続する複数の第２転換ビア導体と、を有するビア−ビア転換部であることを特徴とするコンデンサである。
【００１３】
本発明のコンデンサでは、積層コンデンサ部の他に転換部を備え、その転換部の接続パッドは、転換配線によって積層コンデンサ部の共通電極層のいずれかと導通している。従って、本発明のコンデンサでは、その接続パッドを、例えば、ＩＣチップ、配線基板などの電子部品等、接続対象部材の複数の接続端子と面接続させることができる。またこのため、前記したように、コンデンサの共通電極層と接続対象部材の接続端子とを結ぶコンデンサ接続配線を形成する必要が無く、ごく短い距離で電子部品等の接続対象部材と接続でき、インダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。
しかも、転換部において、一対の共通電極層のいずれも複数の接続パッドのうちの少なくともいずれかと導通する。このため、転換部の接続パッドから、コンデンサの両極を取り出すことができる。従って、接続した接続対象部材（例えばＩＣチップ）において、あるいは接続対象部材（たとえば配線基板）を通じて、コンデンサの２つの電極を利用することができる。このため、例えば、コンデンサの２つの電極の一方を電源電位に、他方を接地電位にすることで、コンデンサの両極（一対の共通電極層）を利用して、ノイズ除去の役割を果たさせることができる。特に、このコンデンサをＩＣチップと接続させると、各所で電源電位や接地電位の必要なＩＣチップにおいて、コンデンサから必要部位に各電位を供給することもできる。
また、第１転換絶縁層、第２転換絶縁層、転換電極層、第１転換ビア導体、及び第２転換ビア導体を用いて、接続パッドを積層コンデンサ部の一対の共通電極層にそれぞれ接続して、積層コンデンサ部に形成されている一対の共通電極層を接続対象部材の接続配線と面接続可能な接続パッドに転換すると、簡単な構造で共通電極層と接続パッドとを接続することができる。また、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体は、形成位置の自由度が高いので、接続する接続パッドの位置に応じて、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体を形成できるため、設計が容易である。また、転換ビア導体は、側面経由転換配線よりも長さが短くなるため、転換部において発生するインダクタンスや抵抗をより小さくできる。また、コンデンサ全体の寸法も、積層コンデンサ部の大きさとそれほど変わらない大きさで形成することができるので、小型化のコンデンサとすることができる。
【００１４】
さらに他の解決手段は、高誘電率セラミックからなる誘電体層と電極層とが交互に積層され、それぞれ上記電極層と１層おきに導通し互いに絶縁された一対の共通電極層を側面に備える積層コンデンサ部と、上記積層コンデンサ部の積層方向両外側にそれぞれ位置する第１転換部及び第２転換部と、を備え、上記第１転換部及び第２転換部はいずれも、それぞれ接続対象部材の複数の接続端子と面接続可能な複数の接続パッドと、上記接続パッドと上記一対の共通電極層のうちのいずれかとをそれぞれ導通させる複数の転換配線であって、上記一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線と、を有し、上記積層コンデンサ部は、上記電極層のうち、積層方向最外側に積層され、上記一対の共通電極層のうちの一方と導通する最外側電極層を備え、上記第１転換部または第２転換部のうち少なくともいずれかの転換部は、上記最外側電極層の積層方向外側に積層された転換絶縁層を備えると共に、この転換部に属する上記複数の接続パッドは、上記転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、この転換部に属する上記複数の転換配線は、上記最外側電極層から上記転換絶縁層を貫通して上記外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに接続する転換ビア導体と、上記一対の共通電極層のうちの他方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び上記外表面を経由して、上記接続パッドのいずれかに接続する側面経由転換配線と、を有するビア−側面転換部であることを特徴とするコンデンサである。
【００１５】
本発明のコンデンサでは、積層コンデンサ部の他に、積層方向両側にそれぞれ第１転換部と第２転換部の２つの転換部を備え、この２つの転換部の接続パッドは、いずれも転換配線によって積層コンデンサ部の共通電極層のいずれかと導通している。このため、本発明のコンデンサでは、２つの転換部のいずれにおいても、その接続パッドをＩＣチップなどの接続対象部材の複数の接続端子と面接続させることができる。従って、前記と同様に、ごく短い距離で接続対象部材と接続できる。このため、インダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。
【００１６】
しかも、２つの転換部のいずれにおいても、複数の接続パッドと、接続パッドと一対の共通電極層のうちいずれかとをそれぞれ導通させ、しかも、一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線を備える。
つまり、第１転換部において、一対の共通電極層のいずれも第１転換部内の複数の接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する。このため、第１転換部の接続パッドから、コンデンサの両極を取り出すことができる。
また、第２転換部においても、一対の共通電極層のいずれも第２転換部内の複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通する。従って同様に、第２転換部の接続パッドから、コンデンサの両極を取り出すことができる。即ち、第１転換部と第２転換部の両側から、コンデンサの両極を取り出すことができる。
このため、例えば、ＩＣチップ（第１の電子部品）と配線基板（第２の電子部品）との間にこのコンデンサを介在させることにより、配線基板からＩＣチップへ電力を供給する電源配線及び接地配線の一部としての役割を果たさせると共に、電源配線と接地配線との間をこのコンデンサで結び、これらの配線に重畳されるノイズを除去する役割をも果たさせることができる。
【００１７】
さらに、本発明では、転換絶縁層、転換ビア導体及び側面経由転換配線を用いて、接続パッドを積層コンデンサ部の一対の共通電極層にそれぞれ接続させる。これにより、積層コンデンサ部に形成されている一対の共通電極層を接続対象部材の接続配線と面接続可能な接続パッドに転換する。このようにすると、１層の転換絶縁層を用い、これに転換ビア導体及び側面経由転換配線を形成する簡単な構造で共通電極層と接続パッドとをそれぞれ接続することができる。従って、安価で形成容易なコンデンサとすることができる。また、コンデンサ全体の寸法も、積層コンデンサ部の大きさとそれほど変わらない大きさで形成することができるので、小型化のコンデンサとすることができる。
ところで、側面経由転換配線は、転換絶縁層の側面及び外表面を経由するため、転換絶縁層を貫通して形成する転換ビア導体に比較して、形成位置の自由度が低く、側面における形成位置や外表面における引き回しが制限される。このため、多数の側面経由転換配線を形成したい場合には、形成困難となる場合がある。これに対し本発明では、側面経由転換配線の他に、転換ビア導体を用いるので、その分、形成すべき側面経由転換配線数を少なくでき、その形成位置の選択が容易になる。また、各側面経由転換配線の幅を広くすることができるので、各側面経由転換配線のインダクタンスや抵抗も低減させることができる。
【００１８】
また、他の解決手段は、高誘電率セラミックからなる誘電体層と電極層とが交互に積層され、それぞれ上記電極層と１層おきに導通し互いに絶縁された一対の共通電極層を側面に備える積層コンデンサ部と、上記積層コンデンサ部の積層方向両外側にそれぞれ位置する第１転換部及び第２転換部と、を備え、上記第１転換部及び第２転換部はいずれも、それぞれ接続対象部材の複数の接続端子と面接続可能な複数の接続パッドと、上記接続パッドと上記一対の共通電極層のうちのいずれかとをそれぞれ導通させる複数の転換配線であって、上記一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線と、を有し、上記積層コンデンサ部は、上記電極層のうち、積層方向最外側に積層され、上記一対の共通電極層のうちの一方と導通する最外側電極層を備え、上記第１転換部または第２転換部のうち少なくともいずれかの転換部は、上記最外側電極層の積層方向外側に積層された第１転換絶縁層と、上記第１転換絶縁層の積層方向外側に積層された第２転換絶縁層と、上記第１転換絶縁層と第２転換絶縁層との層間に形成され、上記一対の共通電極層のうちの他方と接続する転換電極層と、を備えると共に、この転換部に属する上記複数の接続パッドは、上記第２転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、この転換部に属する上記複数の転換配線は、上記最外側電極層から上記第１転換絶縁層及び第２転換絶縁層を貫通して第２転換絶縁層の外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに接続する複数の第１転換ビア導体と、上記転換電極層から上記第２転換絶縁層を貫通してその外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに接続する複数の第２転換ビア導体と、を有するビア−ビア転換部であることを特徴とするコンデンサである。
【００１９】
本発明のコンデンサでは、積層コンデンサ部の他に、積層方向両側にそれぞれ第１転換部と第２転換部の２つの転換部を備え、この２つの転換部の接続パッドは、いずれも転換配線によって積層コンデンサ部の共通電極層のいずれかと導通している。このため、本発明のコンデンサでは、２つの転換部のいずれにおいても、その接続パッドをＩＣチップなどの接続対象部材の複数の接続端子と面接続させることができる。従って、前記と同様に、ごく短い距離で接続対象部材と接続できる。このため、インダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。
しかも、２つの転換部のいずれにおいても、複数の接続パッドと、接続パッドと一対の共通電極層のうちいずれかとをそれぞれ導通させ、しかも、一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線を備える。
つまり、第１転換部において、一対の共通電極層のいずれも第１転換部内の複数の接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する。このため、第１転換部の接続パッドから、コンデンサの両極を取り出すことができる。
また、第２転換部においても、一対の共通電極層のいずれも第２転換部内の複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通する。従って同様に、第２転換部の接続パッドから、コンデンサの両極を取り出すことができる。即ち、第１転換部と第２転換部の両側から、コンデンサの両極を取り出すことができる。
このため、例えば、ＩＣチップ（第１の電子部品）と配線基板（第２の電子部品）との間にこのコンデンサを介在させることにより、配線基板からＩＣチップへ電力を供給する電源配線及び接地配線の一部としての役割を果たさせると共に、電源配線と接地配線との間をこのコンデンサで結び、これらの配線に重畳されるノイズを除去する役割をも果たさせることができる。
また、第１転換絶縁層、第２転換絶縁層、転換電極層、第１転換ビア導体、及び第２転換ビア導体を用いて、接続パッドを積層コンデンサ部の一対の共通電極層にそれぞれ接続して、積層コンデンサ部に形成されている一対の共通電極層を接続対象部材の接続配線と面接続可能な接続パッドに転換すると、簡単な構造で共通電極層と接続パッドとを接続することができる。また、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体は、形成位置の自由度が高いので、接続する接続パッドの位置に応じて、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体を形成できるため、設計が容易である。また、転換ビア導体は、側面経由転換配線よりも長さが短くなるため、転換部において発生するインダクタンスや抵抗をより小さくできる。また、コンデンサ全体の寸法も、積層コンデンサ部の大きさとそれほど変わらない大きさで形成することができるので、小型化のコンデンサとすることができる。
【００２０】
ここで、上記コンデンサであって、前記複数の接続パッドは、略格子状に配置され、前記複数の第１転換ビア導体及び複数の第２転換ビア導体は、上記複数の接続パッドにそれぞれ交互に接続していることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００２１】
このように、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体が、略格子状に並んだ接続パッドにそれぞれ交互に接続するようにすると、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体に発生するインダクタンスをより低下させることができる。例えば、一方の共通電極層を＋電位（電源電位）とし、他方の共通電極層を−電位（接地電位）とすると、第１転換ビア導体から流れ出る電流の向きと、第２転換ビア導体に流入する電流の向きとが互いに逆向きとなるため、発生する磁界がうち消しあい、結果としてこれらのインダクタンスが小さく見える。従って、このように配置することで、コンデンサの自身が持つインダクタンスを小さくすることができ、更にノイズを効率よく除去することができる。
【００２２】
なお、後述する側面−側面転換部、前記ビア−側面転換部、前記ビア−ビア転換部を有するコンデンサであって、転換絶縁層、または、第１転換絶縁層及び第２転換絶縁層は、樹脂を主成分とする材質からなり、後述する第１側面経由転換配線及び第２側面経由転換配線、または前記側面経由転換配線は、フォトリソグラフィ技術により形成されてなり、前記転換ビア導体、または第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体は、フォトリソグラフィ技術、またはフォトリソグラフィ技術及びレーザ孔空け技術により形成されてなることを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
フォトリソグラフィ技術を用いて側面経由転換配線を、また、フォトリソグラフィ技術あるいはレーザ孔空け技術を用いて転換ビア導体を形成すると、微細な側面経由転換配線や転換ビア導体を精度良く形成することができるので、多数の側面経由転換配線や転換ビア導体を確実に形成したコンデンサとすることができる。
【００２３】
さらに、上記いずれかのコンデンサであって、前記接続パッドのうち少なくともいずれかは、接続させる前記接続対象部材の接続端子のうち複数の接続端子と面接続可能な複数接続パッドであることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００２４】
このように複数接続パッドを形成すると、つまり、コンデンサの１つの接続パッドに複数の接続端子が接続されるようにすると、このコンデンサと接続させる接続端子数に比較して接続パッド数を減らすことができる。これにより、転換部において形成する転換配線の数、例えば、転換ビア導体や側面経由転換配線の数を減らすことができる。従って、さらに製造容易となり安価にでき、コンデンサの信頼性も向上させることができる。
【００２５】
なお、上記コンデンサであって、前記接続パッドのいずれもが、前記複数接続パッドであることを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
このように接続パッドをすべて複数接続パッドとすると、形成する接続パッドの数を十分少なくできるので、転換配線の数、例えば、転換ビア導体や側面経由転換配線の数を少なくできるので、製造が容易となる。
【００２６】
さらに、上記ビア−側面転換部を有するコンデンサであって、前記側面経由転換配線に接続する前記接続パッドのいずれもが、接続させる前記接続対象部材の接続端子のうち複数の接続端子と接続可能な複数接続パッドであることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００２７】
側面経由転換配線は、転換絶縁層の側面及び外表面を経由して接続パッドと接続するため、転換ビア導体に比べて形成位置の自由度が低く、形成する接続パッドの数が多い場合には、側面の形成位置や外表面での引き回しが困難となることがある。これに対し、側面経由転換配線に接続する接続パッドを複数接続パッドとすると、形成する側面経由転換配線の数を減らせるため、配線が容易になる。また、各側面経由転換配線の幅を広くすることができるので、各側面経由転換配線のインダクタンスや抵抗も低減させることができる。
【００２８】
上記複数接続パッドを有するいずれかのコンデンサであって、少なくとも前記複数接続パッドの表面上には、この複数接続パッドの表面を、この複数接続パッドに接続させる前記接続対象部材の複数の接続端子がそれぞれ１つずつ接続可能な複数の領域に分離する分離層を備えることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００２９】
接続対象部材、例えば、ＩＣチップ等の電子部品の接続端子と接続パッドとを面接続させる際に、２つ以上の接続端子を共通の複数接続パッドに接続させる場合を考える。この場合には、溶融前には、個々の接続端子に対応させてハンダペーストを塗布しておいたり、個々の接続端子（ハンダバンプ）に所定量のハンダが保持されていても、ハンダを溶融させた際に、隣り合う接続端子にかかるハンダが、共通の複数接続パッド上に濡れ拡がって互いに接触して一体となることがある。すると、複数接続パッドと各接続端子との接続に使われるハンダ量が各接続端子について不均一になって、各接続端子の中には、複数接続パッドと接続端子との接続が不完全なものが発生するなどの不具合を生じることがある。導電性樹脂を用いて接続する場合にも、このようなことが起こりうる。
【００３０】
これに対し、本発明では、複数接続パッドを接続端子が１つずつ接続可能な複数の領域に分離する分離層を有しているので、接続の際、隣り合う接続端子の間で、ハンダなどが接触して一体となることが無く、これによる接続不良などの不具合が生じない。従って、確実に複数接続パッドとこれに対応する接続端子とをそれぞれ接続させることができる。
【００３１】
なお、上記コンデンサであって、前記分離層により分離される前記複数の領域は、いずれも略等しい面積を有することを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
複数の領域を等しい面積にすると、ハンダな導電静樹脂の濡れ拡がりによる高さを均一にできるので、より信頼性の高い接続ができる。
【００３２】
また、上記コンデンサであって、前記分離層は、前記複数接続パッド及びその周縁の前記転換絶縁層または第２転換絶縁層の外表面に形成したソルダレジスト層であり、前記複数の領域は、いずれも上記ソルダレジスト層に形成した複数の透孔により形成されていることを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
ソルダレジスト層に形成した透孔により複数の領域を形成する場合には、スクリーン印刷技術やフォトリソグラフィ技術やレーザ孔空け技術により透孔が容易に形成できる。また、接続対象部材との接続時にハンダがその周縁に拡がることを確実に防止できる。また、透孔内にハンダペーストを塗布しリフローすることでハンダバンプを容易に形成することができる。
【００３３】
さらに、高誘電率セラミックからなる誘電体層と電極層とが交互に積層され、それぞれ上記電極層と１層おきに導通し互いに絶縁された一対の共通電極層を側面に備える積層コンデンサ部と、上記積層コンデンサ部の積層方向両外側のいずれかに位置する転換部と、を備え、上記転換部は、それぞれ接続対象部材の複数の接続端子と面接続可能な複数の接続パッドと、上記接続パッドと上記一対の共通電極層のうちのいずれかとをそれぞれ導通させる複数の転換配線であって、上記一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線と、を有し、上記転換部は、上記積層コンデンサ部の積層方向外側に積層された転換絶縁層を備えると共に、この転換部に属する上記複数の接続パッドは、上記転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、この転換部に属する上記複数の転換配線は、上記一対の共通電極層のうちの一方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び外表面を経由して、上記接続パッドに接続する第１側面経由転換配線と、上記一対の共通電極層のうちの他方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び外表面を経由して、上記接続パッドに接続する第２側面経由転換配線と、を有する側面−側面転換部であり、上記接続パッドのうち少なくともいずれかは、接続させる上記接続対象部材の接続端子のうち複数の接続端子と面接続可能な複数接続パッドであることを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
【００３４】
このコンデンサでは、転換絶縁層及び第１側面経由転換配線、第２側面経由転換配線を用いて、各接続パッドを積層コンデンサ部の一対の共通電極層にそれぞれ接続させる。これにより、積層コンデンサ部に形成されている一対の共通電極層を接続対象部材の接続端子と面接続可能な接続パッドに転換する。このようにすると、１層の転換絶縁層を用い、これに貫通孔を形成することもなく、その側面及び外表面に第１及び第２側面経由転換配線を形成する簡単な構造で共通電極層と各接続パッドとを接続することができる。従って、面接続可能でありながら、安価で形成容易なコンデンサとすることができる。また、コンデンサ全体の寸法も、積層コンデンサ部の大きさとそれほど変わらない大きさで形成することができるので、小型のコンデンサとすることができる。
また、このように複数接続パッドを形成すると、つまり、コンデンサの１つの接続パッドに複数の接続端子が接続されるようにすると、このコンデンサと接続させる接続端子数に比較して接続パッド数を減らすことができる。これにより、転換部において形成する転換配線の数、例えば、転換ビア導体や側面経由転換配線の数を減らすことができる。従って、さらに製造容易となり安価にでき、コンデンサの信頼性も向上させることができる。
なお、上記コンデンサであって、前記接続パッドのいずれもが、前記複数接続パッドであることを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
このように接続パッドをすべて複数接続パッドとすると、形成する接続パッドの数を十分少なくできるので、転換配線の数、例えば、転換ビア導体や側面経由転換配線の数を少なくできるので、製造が容易となる。
【００３５】
また、高誘電率セラミックからなる誘電体層と電極層とが交互に積層され、それぞれ上記電極層と１層おきに導通し互いに絶縁された一対の共通電極層を側面に備える積層コンデンサ部と、上記積層コンデンサ部の積層方向両外側にそれぞれ位置する第１転換部及び第２転換部と、を備え、上記第１転換部及び第２転換部はいずれも、それぞれ接続対象部材の複数の接続端子と面接続可能な複数の接続パッドと、上記接続パッドと上記一対の共通電極層のうちのいずれかとをそれぞれ導通させる複数の転換配線であって、上記一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線と、を有し、上記第１転換部または第２転換部のうち少なくともいずれかの転換部は、上記積層コンデンサ部の積層方向外側に積層された転換絶縁層を備えると共に、この転換部に属する上記複数の接続パッドは、上記転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、この転換部に属する上記複数の転換配線は、上記一対の共通電極層のうちの一方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び外表面を経由して、上記接続パッドに接続する第１側面経由転換配線と、上記一対の共通電極層のうちの他方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び外表面を経由して、上記接続パッドに接続する第２側面経由転換配線と、を有する側面−側面転換部であり、上記接続パッドのうち少なくともいずれかは、接続させる上記接続対象部材の接続端子のうち複数の接続端子と面接続可能な複数接続パッドであることを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
【００３６】
このコンデンサでは、転換絶縁層及び第１側面経由転換配線、第２側面経由転換配線を用いて、各接続パッドを積層コンデンサ部の一対の共通電極層にそれぞれ接続させる。これにより、積層コンデンサ部に形成されている一対の共通電極層を接続対象部材の接続端子と面接続可能な接続パッドに転換する。このようにすると、１層の転換絶縁層を用い、これに貫通孔を形成することもなく、その側面及び外表面に第１及び第２側面経由転換配線を形成する簡単な構造で共通電極層と各接続パッドとを接続することができる。従って、面接続可能でありながら、安価で形成容易なコンデンサとすることができる。また、コンデンサ全体の寸法も、積層コンデンサ部の大きさとそれほど変わらない大きさで形成することができるので、小型のコンデンサとすることができる。
また、このように複数接続パッドを形成すると、つまり、コンデンサの１つの接続パッ
ドに複数の接続端子が接続されるようにすると、このコンデンサと接続させる接続端子数に比較して接続パッド数を減らすことができる。これにより、転換部において形成する転換配線の数、例えば、転換ビア導体や側面経由転換配線の数を減らすことができる。従って、さらに製造容易となり安価にでき、コンデンサの信頼性も向上させることができる。
なお、上記コンデンサであって、前記接続パッドのいずれもが、前記複数接続パッドであることを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。
このように接続パッドをすべて複数接続パッドとすると、形成する接続パッドの数を十分少なくできるので、転換配線の数、例えば、転換ビア導体や側面経由転換配線の数を少なくできるので、製造が容易となる。
【００３７】
また、他の解決手段は、上記のいずれかに記載のコンデンサと、配線基板とを備えるコンデンサ付属配線基板である。
【００３８】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
本発明の配線基板等の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図１に平面図及び斜視断面図を示す本発明のコンデンサ１００は、平面視略正方形板状で、大別して積層部１１０とビア−側面転換部１２０とを有する。
このうち積層部１１０は、高誘電体セラミック、具体的には、ＢａＴｉＯ３を主成分とする多数の誘電体層１０１とＰｄを主成分とする電極層１０２とを交互に積層した略正方形板状の積層体１０３を有する。さらに、この積層体１０３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面１０３Ａ，１０３Ｂには、各電極層１０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂがそれぞれ形成されている。つまりこの積層部１１０は、共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂと、共通電極層１０４Ａで互いに導通された第１電極層１０２Ａの群及び共通電極層１０４Ｂで互いに導通された第２電極層１０２Ｂの群と、これらに挟まれた誘電体層１０１とを有し、上記した従来の積層セラミックコンデンサとほぼ同様の構造とされている。なお、この積層部１１０のうち積層方向最外側（図中上方）には、一方の共通電極層１０４Ｂと導通する最上第２電極層１０２ＢＵが積層形成されている。
【００３９】
一方、ビア−側面転換部１２０は、積層部１１０の最上第２電極層１０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層１２１を備え、この転換絶縁層１２１の外表面（図中上方面）１２１Ｔには、図１（ａ）に破線で示す第１接続パッド１２２Ａ、及び第２接続パッド１２２Ｂの２種類の接続パッド１２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド１２２は、後述するように、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとそれぞれ接続するものである（図２参照）。
【００４０】
また、一方の共通電極層１０４Ａから転換絶縁層１２１の側面１２１Ａを経由して、外表面１２１Ｔのうち第２接続パッド１２２Ｂの周縁及び共通電極層１０４Ｂに近い右端近傍を除く部分に拡がる側面経由配線層１２３を備える。この側面経由配線１２３は、そのうちの一部が上記した第１接続パッド１２２Ａとなっている。つまり側面経由配線１２３によって、第１接続パッド１２２Ａと一方の共通電極層１０４Ａとが導通している。また、この側面経由配線１２３は、図１（ａ）に破線で示すように、多数の第１接続パッド１２２Ａを含む、つまり多数の第１接続パッド１２２Ａと同時に接続している。第１接続パッド１２２Ａ毎に、転換絶縁層１２１の側面１２１Ａを経由する側面経由配線で共通電極層１０４Ａと接続させると、形成すべき側面経由配線の数が多くなって各側面経由配線の幅が狭くなり、各側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスが高くなりがちである。しかし、本実施形態の側面経由配線１２３は、同時に多数の第１接続パッド１２２Ａと接続しているので、形成容易で、側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。
さらに、最上第２電極層１０２ＢＵから転換絶縁層１２１を貫通して外表面１２１Ｔに延出し、第２接続パッド１２２Ｂにそれぞれ接続する転換ビア導体１２５を備える。したがって、転換ビア導体１２５及び最上第２電極層１０２ＢＵを通じて、第２接続パッド１２２Ｂと他方の共通電極層１０４Ｂとが導通している。
【００４１】
このようにビア−側面転換部１２０に形成した側面経由配線１２３及び転換ビア導体１２５により、２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂは、それぞれ接続パッド１２２、即ち、第１接続パッド１２２Ａ及び第２接続パッド１２２Ｂに転換される。
逆に言えば、多数の接続パッド１２２は、コンデンサ１００のうち積層部１１０の２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂのいずれかに接続している。しかも、上述のように、この共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂのいずれも複数の接続パッド１２２のうちの少なくともいずれか、具体的には共通電極層１０４Ａは第１接続パッド１２２Ａと、共通電極層１０４Ｂは第２接続パッド１２２Ｂと接続している。
このため、このコンデンサ１００の図中上方から、接続パッド１２２を通じて、一対の共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂのいずれとも導通することができる。
【００４２】
従って、図２に示すように、このコンデンサ１００とＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとを面接続によって直接接続することができる。即ち、図２に示すコンデンサ付属配線基板１５０は、配線基板１５１とこれに収容固着された上記コンデンサ１００とからなる。
この配線基板１５１は、その内部に配線層１５２を備えるとともに、その上面１５１Ｔには、ＩＣチップＣＨの基板接続端子ＣＴＷと面接続可能な接続パッド１５３を多数備え、下面１５１Ｖには、マザーボードなど他の配線基板と面接続可能なＬＧＡパッド１５４を多数備えている。さらに、この配線基板１５１の略中央には、コンデンサ１００を収容可能な平面視略正方形の貫通孔１５１Ｈが形成されており、上述した基板接続端子ＣＴＷは、この貫通孔１５１Ｈの周縁近傍に形成されている。
貫通孔１５１Ｈ内に収容されたコンデンサ１００の接続パッド１２２、及び配線基板１５１の接続パッド１５３は、それぞれ図中破線で示すＩＣチップＣＨの接続端子ＣＴ、即ち、コンデンサ接続端子ＣＴＣ及び基板接続端子ＣＴＷとそれぞれ面接続する。例えば、高温ハンダからなる球状バンプタイプの接続端子ＣＴと、接続パッド１２２及び１５３とを、Ａｇ−Ｓｎハンダ等によって接続するなど公知の手法により、ＩＣチップＣＨをコンデンサ付属配線基板１５０（コンデンサ１００及び配線基板１５１）にフリップチップ接続する。
【００４３】
このようにして、コンデンサ１００とＩＣチップＣＨとを面接続によって直接接続すると、コンデンサ１００の共通電極層１０４Ａ，１０４ＢとＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとを結ぶコンデンサ接続配線を配線基板１５１内に形成する必要が無く、ごく短い距離でＩＣチップＣＨと接続でき、この間のインダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。しかも、接続パッド１２２から、コンデンサ１００の両方の共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを取り出すことができる。このため、接続したＩＣチップＣＨにおいて、２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを利用し、一方の共通電極層（例えば１０４Ａ）を電源電位に、他方（例えば１０４Ｂ）を接地電位にすることで、コンデンサ１００を利用して、両電位間のノイズを確実に除去することができる。
さらに、ＩＣチップＣＨ内の電源電位や接地電位が必要な各所に、コンデンサ接続端子ＣＴＣを通じて、コンデンサ１００から低抵抗、低インダクタンスで電源電位や接地電位を供給することができる。
なお、コンデンサ１００の内部構造は、既に説明した（図１（ｂ）参照）ので、本図では略記している。
【００４４】
次いで、コンデンサ１００の製造方法について、図３を参照して説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、公知のグリーンシート製造技術により、ＢａＴｉＯ３粉末を主成分とする高誘電体セラミックグリーンシート（以下、単にシートともいう）１８１を多数製造する。
次いで、このシート１８１のうち１枚については、図３（ｂ）に示すように、このシート１８１の所定位置に、Ｐｄペーストからなり、表面１８１Ｔ及び裏面１８１Ｖ間を貫通する未焼成ビア導体１８３を形成する。さらに、表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成導体層１８４及び未焼成接続パッド１８５を形成する。このうち、未焼成接続パッド１８５は、それぞれ未焼成ビア導体１８３と接続する位置に形成する。
【００４５】
他のシート１８１の半数については、図３（ｃ）に示すように、その表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層１８２Ａを形成する。また、残りの半数については、図３（ｄ）に示すように、その表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層１８２Ｂを形成する。未焼成第１電極層１８２Ａ及び未焼成第２電極層１８２Ｂはいずれも、シート１８１の表面１８１Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼成第１電極層１８２Ａはシート１８１の図中右端近傍、逆に未焼成第２電極層１８２Ｂはシート１８１の図中左端近傍を覆わないパターンとされている。
【００４６】
次いで、未焼成第１電極層１８２Ａが形成されたシート１８１と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形成されたシート１８１とを交互に積層し、さらに最も上に、未焼成導体層１８４及び未焼成接続パッド１８５を形成したシート１８１を積層し圧着して、図３（ｅ）に示すように、積層体１８６を形成する。この積層体１８６の側面１８６Ａには、未焼成第１電極層１８２Ａが、また側面１８６Ｂには、未焼成第２電極層１８２Ｂが露出する。さらにこの側面１８６Ａ，１８６Ｂに、Ｐｄからなる未焼成共通電極層１８７Ａ，１８７Ｂをそれぞれ形成する。なお、未焼成共通電極層１８７Ａは未焼成導体層１８４とも接続するように形成する。
【００４７】
この積層体１８６では、未焼成共通電極層１８７Ａはいずれの未焼成第１電極層１８２Ａとも接続し、しかも、未焼成導体層１８４とも接続する。一方、未焼成共通電極層１８７Ｂはいずれの未焼成第２電極層１８２Ｂとも接続し、しかも、そのうち積層方向最外側（図中最上）の最上未焼成第２電極層１８２ＢＵ、未焼成ビア導体１８３を経由して未焼成接続パッド１８５とも接続する。
次いで、この積層体１８６を焼成（同時焼成）して、図１に示すコンデンサ１００を形成する。コンデンサ１００をこのようにして形成したので、焼成後、直ちにコンデンサとして使用することができる。なお、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣ等との接続時のハンダ濡れ性改善のため、焼成後に、側面経由配線層１２３（第１接続パッド１２２Ａ）や第２接続パッド１２２Ｂについて、Ｎｉ−Ａｕメッキなどのメッキを施すようにしても良い。
このように、同時焼成によってコンデンサ１００を形成すると、容易かつ安価にコンデンサ１００を形成することができる。
【００４８】
（変形形態１）
上記実施形態１では、積層部１１０とビア−側面転換部１２０とを有するコンデンサ１００を同時焼成によって形成した。しかし、先に積層部を形成した後にビア−側面転換部を形成して同様な構造のコンデンサとすることもできる。
本変形形態のコンデンサ２００は、上記コンデンサ１００とは製造方法や材質が異なるのみで、コンデンサの構造やＩＣチップＣＨ等と接続した場合の利点は変わらないので、同様の部分についての説明を省略あるいは簡略化する。
【００４９】
本変形形態のコンデンサ２００は、図４に示すようにして、まず積層部２１０を形成する。即ち、図４（ａ）に示すように、実施形態１と同様に、ＢａＴｉＯ３粉末を主成分と
するシート２８１を多数製造する。
このシート２８１の半数については、実施形態１において図３（ｃ）を参照して説明したのと同様に、その表面２８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層２８２Ａを形成する（図４（ｂ）参照）。また、残りの半数についても、図３（ｄ）と同様に、その表面２８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層２８２Ｂを形成する（図４（ｂ）参照）。これらの未焼成第１電極層２８２Ａ及び未焼成第２電極層２８２Ｂはいずれも、シート２８１の表面２８１Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼成第１電極層２８２Ａはシート２８１の図中右端近傍、逆に未焼成第２電極層２８２Ｂはシート２８１の図中左端近傍を覆わないパターンとされている。
【００５０】
次いで、未焼成第１電極層２８２Ａが形成されたシート２８１と、未焼成第２電極層２８２Ｂが形成されたシート２８１とを交互に積層し圧着して未焼成積層体を形成し、その２つの側面に、Ｐｄからなる未焼成共通電極層をそれぞれ形成する。この未焼成積層体を同時焼成することで、図４（ｃ）に示す積層部２１０が出来上がる。この積層部２１０は、多数の誘電体層２０１と電極層２０２とを交互に積層した積層体２０３を有する。さらに、この積層体２０３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面２０３Ａ，２０３Ｂには、各電極層２０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂがそれぞれ形成されている。
つまりこの積層部２１０は、共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂと、共通電極層２０４Ａで互いに導通された第１電極層２０２Ａの群及び共通電極層２０４Ｂで互いに導通された第２電極層２０２Ｂの群と、これらに挟まれた誘電体層２０１とを有し、上記した従来の積層セラミックコンデンサとほぼ同様の構造とされ、２つの共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂを持つコンデンサとして機能させることができる。
なお、この積層部２１０のうち積層方向最外側（図中上方）には、一方の共通電極層２０４Ｂと導通する最上第２電極層２０２ＢＵが積層形成されている。
【００５１】
続いて、この積層部２１０上にビア−側面転換部２２０を形成する。まず図５（ａ）に示すように、最上第２電極層２０２ＢＵの上面２０２ＢＵＴ及び最上第２電極層２０２ＢＵの直下に位置する最上誘電体層２０１Ｕの上面２０１ＵＴのうち露出部分（図中左端部分）に、公知の手法によってエポキシ樹脂からなる転換絶縁層２０５を形成する。具体的には、フィルム状の未硬化樹脂を貼り付け、硬化させて形成する。
【００５２】
次いで、図５（ｂ）に示すように、この転換絶縁層２０５の所定位置に、レーザにより最上第２電極層２０２ＢＵまで届く貫通孔２０５Ｈを形成する。
その後、図５（ｃ）に示すように、貫通孔２０５Ｈ内、転換絶縁層２０５の上面２０５Ｔ、及び共通電極層２０４Ａに近い転換絶縁層２０５の側面２０５Ａに、Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを充填・塗布し、硬化させて、共通電極層２０４Ａと接続する側面経由配線層２０６、転換ビア導体２０７、及び第２接続パッド２０８を形成してビア−側面転換部２２０とする。なお、転換経由配線層２０６のうち破線で示す部分は、第１接続パッド２０６Ｐの役割を果たす。
これによりコンデンサの機能を有する積層部２１０と、２つの共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂを面接続可能な第１接続パッド２０６Ｐ及び第２接続パッド２０８に転換するビア−側面転換部２２０とを有するコンデンサ２００が形成される。このコンデンサ２００は、前記コンデンサ１００と同様に、ＩＣチップＣＨ等に直接面接続でき、ノイズ除去や各部への電位供給の役割を果たさせることができる。
上記変形形態では、Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを用いて転換経由配線層２０６等を形成したが、接続時に使用するハンダ材等を考慮して、その他の導電性樹脂ペーストを用いることもできる。
【００５３】
（変形形態２）
上記変形形態１では、積層部２１０上に転換絶縁層２０５を形成しレーザで穿孔したが、感光性樹脂層を用いることもできる。また、上記変形形態１では、Ａｇペーストを用いて側面経由配線層２０６、転換ビア導体２０７、及び第２接続パッド２０８を形成したが、メッキ技術によってこれらを形成しても良い。
本変形形態では、上記変形形態１と同様にして積層部２１０を形成した後、図６（ａ）に示すように、最上第２電極層２０２ＢＵの上面２０２ＢＵＴ及び最上第２電極層２０２ＢＵの直下に位置する最上誘電体層２０１Ｕの上面２０２ＵＴのうち露出部分（図中左端部分）に、公知の手法によってエポキシ樹脂からなる未硬化の感光性樹脂絶縁層を形成する。具体的には、フィルム状の未硬化感光性樹脂を貼り付ける。その後、露光現像して所定位置に貫通孔を形成した後、硬化させて、貫通孔３０５Ｈを有する転換絶縁層３０５を形成する。
【００５４】
次いで、図６（ｂ）に示すように、共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂ、転換絶縁層３０５の側面３０５Ａ、上面３０５Ｔ、貫通孔３０５Ｈ内などに無電解Ｃｕメッキ層３０１を形成する。さらに、フィルム状のメッキレジストを貼り付け露光現像して所定形状のメッキレジスト層Ｒを形成する。
【００５５】
続いて、無電解Ｃｕメッキ層３０１を電極として電解Ｃｕメッキを施し、メッキレジスト層Ｒを除去後、その下の不要な無電解Ｃｕメッキ層３０１をソフトエッチングによって除去することで、図６（ｃ）に示すように、側面経由配線層３０６、転換ビア導体３０７、及び第２接続パッド３０８を形成してビア−側面転換部３２０とする。なお、転換経由配線層３０６のうち破線で示す部分は、第１接続パッド３０６Ｐの役割を果たす。また、３つの共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂ上にもＣｕメッキが施されてその厚さが厚くなった共通電極層３０４Ａ，３０４Ｂとなる。
【００５６】
これによりコンデンサの機能を有する積層部２１０と、２つの共通電極層３０４Ａ，３０４Ｂを面接続可能な第１接続パッド３０６Ｐ及び第２接続パッド３０８に転換するビア−側面転換部３２０とを有するコンデンサ３００が形成される。このコンデンサ３００も、前記コンデンサ１００，２００と同様に、ＩＣチップＣＨ等に直接面接続でき、ノイズ除去や各部への電位供給の役割を果たさせることができる。さらに本変形形態のコンデンサ３００では、フォトリソグラフィ技術を用いて側面経由配線層３０６や第２接続パッド３０８などを形成したので、その位置精度を高くすることができる。従って、微細な寸法のコンデンサ接続端子ＣＴＣを持つＩＣチップＣＨ等との面接続を、より確実に行うことができる。
なお上記では、いわゆるセミアディティブ法を用いたが、サブトラクティブ法、フルアディティブ法など他の手法を用いることもできる。また、ＩＣチップとの接続の際のハンダ濡れ性等を考慮して、Ｃｕメッキの後にＮｉメッキ、あるいはＮｉ及びＡｕメッキを施しても良い。
【００５７】
（実施形態２）
上記実施形態１等では、積層部の積層方向片側（図中上部）にビア−側面転換部を設け、このビア−側面転換部でＩＣチップ等と面接続できるようにしたコンデンサを示したが、ビア−側面転換部は積層部の積層方向両側に設けても良い。即ち、図７に平面図及び斜視断面図を示す本発明のコンデンサ４００は、平面視略正方形板状で、大別して積層部４１０と、この上下に２つの転換部、第１ビア−側面転換部４２０と第２ビア−側面転換部４３０とを有する。なお、このコンデンサ４００は、転換部を２つ備える点を除き、実施形態１のコンデンサ１００とほぼ同様であるので、同様な部分については、説明を省略あるいは簡略化する。
【００５８】
積層部４１０は、実施形態１と同様に多数の誘電体層４０１と電極層４０２とを交互に
積層した略正方形板状の積層体４０３を有する。さらに、この積層体４０３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面４０３Ａ，４０３Ｂには、各電極層４０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂがそれぞれ形成されている。つまりこの積層部４１０は、共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂと、共通電極層４０４Ａで互いに導通された第１電極層４０２Ａの群及び共通電極層４０４Ｂで互いに導通された第２電極層４０２Ｂの群と、これらに挟まれた誘電体層４０１とを有し、従来の積層セラミックコンデンサとほぼ同様の構造とされている。なお、この積層部４１０のうち積層方向最外側（図中上方及び下方）には、それぞれ一方の共通電極層４０４Ｂと導通する最上第２電極層４０２ＢＵ及び最下第２電極層４０２ＢＳが積層形成されている。
【００５９】
また、第１ビア−側面転換部４２０も、実施形態１におけるビア−側面転換部１２０と同様である。即ち、積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層４２１を備え、この転換絶縁層４２１の外表面（図中上面）４２１Ｔには、図７（ａ）に破線で示す第１接続パッド４２２Ａ、及び第２接続パッド４２２Ｂの２種類の接続パッド４２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド４２２は、前記実施形態１の場合と同様に、直接ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとそれぞれ面接続する（図８参照）ことができるほか、コンデンサを内蔵するコンデンサ付属配線基板とした上で、樹脂絶縁層等を介してＩＣチップやマザーボード等の他の電子部品の接続端子と接続することもできる。
また、一方の共通電極層４０４Ａから転換絶縁層４２１の側面４２１Ａを経由して、外表面４２１Ｔのうち第２接続パッド４２２Ｂの周縁及び共通電極層４０４Ｂに近い右端近傍を除く部分に拡がる側面経由配線層４２３を備える。この側面経由配線４２３は、そのうちの一部が上記した第１接続パッド４２２Ａとなっている。つまり側面経由配線４２３によって、第１接続パッド４２２Ａと一方の共通電極層４０４Ａとが導通している。また、この側面経由配線４２３は、多数の第１接続パッド４２２Ａと同時に接続しており、形成容易で、側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。
【００６０】
また、最上第２電極層４０２ＢＵから転換絶縁層４２１を貫通して外表面４２１Ｔに延出し、第２接続パッド４２２Ｂにそれぞれ接続する転換ビア導体４２５を備える。したがって、転換ビア導体４２５及び最上第２電極層４０２ＢＵを通じて、第２接続パッド４２２Ｂと他方の共通電極層４０４Ｂとが導通している。
さらに、本実施形態では、積層部４１０の図中下方に第２ビア−側面転換部４３０を有する。この第２ビア−側面転換部４３０は、上記第１ビア−側面転換部４２０とほぼ同様な構造を有している。即ち、積層部４１０の最下第２電極層４０２ＢＳの積層方向外側（図中下方）に積層された転換絶縁層４３１を備え、この転換絶縁層４３１の外表面（図中下面）４３１Ｖには、図７（ｂ）下方に破線で示す第３接続パッド４３２Ａ、及び第４接続パッド４３２Ｂの２種類の接続パッド４３２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド４３２は、直接マザーボード等の配線基板のコンデンサ接続端子とそれぞれ面接続する（図８参照）ことができるほか、コンデンサを内蔵するコンデンサ付属配線基板とした上で、樹脂絶縁層等を介してマザーボード等の他の電子部品の接続端子と接続することもできる。
【００６１】
また、一方の共通電極層４０４Ａから転換絶縁層４３１の側面４３１Ａを経由して、外表面４３１Ｖのうち第４接続パッド４３２Ｂの周縁及び共通電極層４０４Ｂに近い右端近傍を除く部分に拡がる側面経由配線層４３３を備える。この側面経由配線４３３は、そのうちの一部が上記した第３接続パッド４３２Ａとなっている。つまり側面経由配線４３３によって、第３接続パッド４３２Ａと一方の共通電極層４０４Ａとが導通している。また、この側面経由配線４３３は、同時に多数の第３接続パッド４３２Ａと接続しており、形成容易で、側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。
【００６２】
また、最下第２電極層４０２ＢＳから転換絶縁層４３１を貫通して外表面４３１Ｔに延出し、第４接続パッド４３２Ｂにそれぞれ接続する転換ビア導体４３５を備える。したがって、転換ビア導体４３５及び最下第２電極層４０２ＢＳを通じて、第２接続パッド４３２Ｂと他方の共通電極層４０４Ｂとが導通している。
このコンデンサ４００は、第１ビア−側面転換部４２０のみならず第２ビア−側面転換部４３０を有する点で前記コンデンサ１００と異なる。しかし、その製造方法については、表面に未焼成第１電極層１８２Ａまたは未焼成第２電極層１８２Ｂを形成し、裏面及び内部に図３（ｂ）に示したシート１８１と略同様の未焼成ビア導体、未焼成導体層、未焼成接続パッドを形成したシートを形成して積層し、同時焼成して形成すれば、ほぼ同様に手法によって形成することができる。
また、前記変形形態１，２と同様にして、予め積層部２１０を形成しておき、第２ビア−側面転換部４３０についても、樹脂絶縁層及び導体ペーストやメッキによって形成するようにしても良い。
【００６３】
本実施形態のコンデンサ４００は、実施形態１と同様に、直接ＩＣチップと接続することができ、さらに第２ビア−側面転換部４３０でマザーボード等の配線基板と接続させることができる。即ち、図８に示すように、マザーボードＷＢとＩＣチップＣＨとの間に貫通孔１５１Ｈ内にコンデンサ４００を有するコンデンサ付属配線基板４５０を介在させるようにして、両者間を接続することができる。このようにすると、マザーボードＷＢの基板接続端子ＷＴＷから配線基板１５１内の内部配線１５２を介してＩＣチップＣＨの基板接続端子ＣＴＷに接続できるほか、マザーボードＷＢのコンデンサ接続端子ＷＴＣから、接続パッド４３２及び接続パッド４２２を通じてＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣと接続することができる。しかも、図９の回路図に示すように、コンデンサ接続端子ＷＴＣ，ＣＴＣがそれぞれ接続する第１接続パッド４２２Ａと第３接続パッド４３２Ａ、第２接続パッド４２２Ｂと第４接続パッド４３２Ｂとが、それぞれ共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂ電極を介して導通し、しかも、その間をコンデンサ４００が結ぶ構造となる。
【００６４】
従って、例えば接地電位を第３接続パッド４３２Ａに、電源電位を第４接続パッド４３２Ｂにそれぞれ接続することで、配線基板１５０の内部配線１５２を介することなく、低抵抗、低インダクタンスでＩＣチップＣＨに電源電位及び接地電位を供給することができる。しかも、この電位間に生じるノイズをＩＣチップＣＨのごく近くにおいてコンデンサ４００によって確実に除去することもできる。
なお、コンデンサ４００の内部構造は、既に説明した（図７（ｂ）参照）ので、本図では略記している。
【００６５】
あるいは、コンデンサ４００を配線基板内に内蔵固着させたコンデンサ付属配線基板を形成し、コンデンサ４００の接続端子４２２，４３２を、樹脂絶縁層やコア基板等に形成した内部配線を経由して、ＩＣチップＣＨやマザーボードＷＢ等に接続させることもできる。このようにしても、コンデンサ４００を介して、低抵抗、低インダクタンスで、マザーボードＷＢからＩＣチップＣＨに電源電位や接地電位を供給することができる。また、コンデンサ４００によってＩＣチップＣＨのごく近傍でこれらの間のノイズも除去することができる。
【００６６】
（変形形態３）
上記コンデンサ４００では、第１接続パッド４２２Ａはいずれも側面経由配線層４２３の一部として形成され、第１接続パッド４２２Ａが互いに連結した複数接続パッドとなっていた。一方、第２接続パッド４２２Ｂはいずれも他から独立し、それぞれ転換ビア導体４２５を通じて最上第２電極層４０２ＢＵに接続していた。しかし、第２接続パッドについても、複数の第２接続パッドが連結した複数接続パッドとしても良い。
図１０に示す本変形形態にかかるコンデンサ５００では、上記実施形態３と同様の積層部４１０と第２ビア−側面転換部４３０を有する他、第２複数接続パッド５２４を備えた第１ビア−側面転換部５２０を有する。
第１ビア−側面転換部５２０は、積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層５２１を備え、この転換絶縁層５２１の外表面（図中上面）５２１Ｔには、図１０（ａ）に破線で示す第１接続パッド５２２Ａ、及び第２接続パッド５２２Ｂの２種類の接続パッド５２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド５２２は、前記実施形態３の場合と同様に、直接ＩＣチップのコンデンサ接続端子とそれぞれ面接続させたり、コンデンサ付属配線基板に内蔵させた上で、ＩＣチップなどの電子部品の接続端子と接続させることができる。
【００６７】
第２接続パッド５２２Ｂには、上記実施形態３と同様に、他から独立した独立第２接続パッド５２２ＢＤの他、複数の接続パッドを含む第２複数接続パッド５２４に属する連結第２接続パッド５２２ＢＣの２種類がある。独立第２接続パッド５２２ＢＤは上記実施形態３と同様に、転換ビア導体５２５によって個別に最上第２電極層４０２ＢＵに接続しているが、連結第２接続パッド５２２ＢＣについては、図１０（ｂ）に示すように、複数の連結第２接続パッド５２２ＢＣを含む１つの第２複数接続パッド５２４が、１つの転換ビア導体５２５によって最上第２電極層４０２ＢＵに接続している。
このように複数の連結第２接続パッド５２２ＢＣを含む第２複数接続パッド５２４を形成すると、転換絶縁層５２１に形成する転換ビア導体５２５の数を、形成する第２接続パッド５２２Ｂの数より減少させることができ、コンデンサ５００の形成が容易になる。
【００６８】
（参考形態１）
次いで、参考形態１について説明する。上記実施形態では、コンデンサはいずれも積層部の他、ビア−側面転換部（第１，第２ビア−側面転換部）を有し、積層部側面に形成された共通電極層のうち一方は側面経由配線層により、他方は転換ビア導体により、面接続可能な第１，第２接続パッドなどに転換された。これに対し、本参考形態では、例えば、図１１に示すように、共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを、いずれも側面経由配線層によって面接続可能な接続パッドに変換する。
即ち、本参考形態にかかるコンデンサ６００は、実施形態１と同様の積層部１１０の他、側面−側面転換部６２０を有する。この側面−側面転換部６２０には、積層部１１０の最上第２電極層１０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層６２１を備え、この転換絶縁層６２１の外表面（図中上方面）６２１Ｔには、図１１に破線で示す第１接続パッド６２２Ａ、及び第２接続パッド６２２Ｂの２種類の接続パッド６２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド６２２は、実施形態１と同様にＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣなどとそれぞれ接続するものである（図２参照）。
【００６９】
さらに、２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂから、それぞれ転換絶縁層６２１の側面６２１Ａ，６２１Ｂを経由して外表面６２１Ｔに拡がり、互いに絶縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第１側面経由配線層６２３及び第２側面経由配線層６２４を備える。これらの第１側面経由配線層６２３及び第２側面経由配線６２４は、そのうちの一部がそれぞれ上記した第１接続パッド６２２Ａ及び第２接続パッド６２２Ｂとなっている。つまり第１側面経由配線６２３によって、第１接続パッド６２２Ａと一方の共通電極層１０４Ａとが導通している。同じく第２側面経由配線６２４によって、第２接続パッド６２２Ｂと他方の共通電極層１０４Ｂとが導通している。
また、この第１側面経由配線６２３は、図１１に破線で示すように、多数の第１接続パッド６２２Ａを含む、つまり多数の第１接続パッド６２２Ａと同時に接続している。第１接続パッド６２２Ａ毎に、転換絶縁層６２１の側面６２１Ａを経由する側面経由配線で共通電極層６０４Ａと接続させると、形成すべき側面経由配線の数が多くなって各側面経由配線の幅が狭くなり、各側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスが高くなりがちである。しかし、本参考形態の側面経由配線６２３は、同時に多数の第１接続パッド６２２Ａと接続しているので、形成容易で、側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。第２側面経由配線６２４も第２接続パッド６２２Ｂとの関係について同様である。
このようなコンデンサ６００によっても、積層部１１０の側面部分に形成された２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを、面接続可能な接続パッド６２２（６２２Ａ，６２２Ｂ）に転換できたので、コンデンサ６００を直接ＩＣチップＣＨと接続させるなど、ごく短い距離でＩＣチップＣＨと接続でき、この間のインダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。しかも、２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを利用し、一方の共通電極層（例えば１０４Ａ）を電源電位に、他方（例えば１０４Ｂ）を接地電位にすることで、コンデンサ１００を利用して、両電位間のノイズを確実に除去することができる。
【００７０】
次いで、コンデンサ６００の製造方法について、図１２を参照して説明する。まず、図１２（ａ）に示すように、実施形態１と同様のＢａＴｉＯ３粉末を主成分とする高誘電体セラミックグリーンシート１８１を多数製造する。
次いで、このシート１８１のうち１枚について、図１２（ｂ）に示すように、このシート１８１の表面１８１の所定位置に、Ｐｄペーストからなり互いにかみ合った櫛歯状パターン（図１１参照）を有する未焼成導体層６８３，６８４を形成する。
【００７１】
他のシート１８１の半数については、図１２（ｃ）に示すように、実施形態１と同様に、その表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層１８２Ａを形成する。また、残りの半数については、図１２（ｄ）に示すように、その表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層１８２Ｂを形成する。未焼成第１電極層１８２Ａ及び未焼成第２電極層１８２Ｂはいずれも、シート１８１の表面１８１Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼成第１電極層１８２Ａはシート１８１の図中右端近傍、逆に未焼成第２電極層１８２Ｂはシート１８１の図中左端近傍を覆わないパターンとされている。
【００７２】
次いで、未焼成第１電極層１８２Ａが形成されたシート１８１と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形成されたシート１８１とを交互に積層し、さらに最も上に、未焼成導体層６８３，６８４形成したシート１８１を積層し圧着して、図１２（ｄ）に示すように、積層体６８６を形成する。この積層体６８６の側面６８６Ａには、未焼成導体層６８３及び未焼成第１電極層１８２Ａが、また側面６８６Ｂには、未焼成導体層６８４及び未焼成第２電極層１８２Ｂが露出する。さらにこの側面６８６Ａ，６８６Ｂに、Ｐｄからなる未焼成共通電極層６８７Ａ，６８７Ｂをそれぞれ形成する。
【００７３】
この積層体６８６では、未焼成共通電極層６８７Ａはいずれの未焼成第１電極層１８２Ａとも接続し、しかも、未焼成導体層６８３とも接続する。一方、未焼成共通電極層６８７Ｂはいずれの未焼成第２電極層１８２Ｂとも接続し、しかも、未焼成導体層６８４とも接続する。
次いで、この積層体１８６を焼成（同時焼成）して、図１１に示すコンデンサ６００を形成する。コンデンサ６００をこのようにして形成したので、実施形態１と同様に焼成後、直ちにコンデンサとして使用することができる。なお、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣ等との接続時のハンダ濡れ性改善のため、焼成後に、第１側面経由配線層６２３（第１接続パッド６２２Ａ）や第２側面経由配線層６２４（第２接続パッド６２２Ｂ）について、Ｎｉ−Ａｕメッキなどのメッキを施すようにしても良い。
このように、同時焼成によってコンデンサ６００を形成すると、容易かつ安価にコンデンサ６００を形成することができる。さらに、このコンデンサ６００では、シート１８１に未焼成ビア導体１８３を形成する必要が無い（図３（ｂ）参照）ので、実施形態１のコンデンサ１００と比較しても、形成が容易になる。
【００７４】
（参考形態２）
次いで、積層部の積層方向両側（図中上下部）に側面−側面転換部を設け、この側面−側面転換部でＩＣチップ等を面接続できるようにしたコンデンサを示す。即ち、図１３に平面図及び斜視断面図を示す本参考形態２のコンデンサ７００は、平面視略正方形板状で、大別して実施形態２と同様の積層部４１０と、この上下に２つの転換部、第１側面−側面転換部７２０と第２側面−側面転換部７３０とを有する。なお、このコンデンサ７００のうち、積層部４１０は実施形態２のコンデンサ４００と同様であり、第１側面−側面転換部７２０は参考形態１のコンデンサ６００の側面−側面転換部６２０と同様であるので、同様な部分については、説明を省略あるいは簡略化する。
【００７５】
積層部４１０は、実施形態２と同様の構造を有し、その積層方向（図中上下方向）に平行な側面４０３Ａ，４０３Ｂには、一対の共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂがそれぞれ形成されている。なお、この積層部４１０のうち積層方向最外側（図中上方及び下方）には、それぞれ一方の共通電極層４０４Ｂと導通する最上第２電極層４０２ＢＵ及び最下第２電極層４０２ＢＳが積層形成されている。
【００７６】
一方、第１側面−側面転換部７２０は、参考形態１のコンデンサ６００における側面−側面転換部６２０と同様である。この第１側面−側面転換部７２０には、積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層７２１を備え、この転換絶縁層７２１の外表面（図中上方面）７２１Ｔには、図１３に破線で示す第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂの２種類の接続パッド７２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド７２２も、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとなどそれぞれ面接続可能となっている（図２参照）。
【００７７】
さらに、２つの共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７２１の側面７２１Ａ，７２１Ｂを経由して外表面７２１Ｔに拡がり、互いに絶縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第１側面経由配線層７２３及び第２側面経由配線層７２４を備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記した第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂとなっている。つまり第１側面経由配線７２３によって、第１接続パッド７２２Ａと一方の共通電極層４０４Ａとが導通し、同じく第２側面経由配線７２４によって、第２接続パッド７２２Ｂと他方の共通電極層４０４Ｂとが導通している。
また、この第１側面経由配線７２３は、図１３に破線で示すように、多数の第１接続パッド７２２Ａを含み、多数の第１接続パッド７２２Ａと同時に接続している。このように、第１側面経由配線７２３を同時に多数の第１接続パッド７２２Ａと接続させると、形成容易で、第１側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。第２側面経由配線７２４も第２接続パッド７２２Ｂとの関係について同様である。
【００７８】
さらに、本参考形態では、積層部４１０の図中下方に第２側面−側面転換部７３０を有する。この第２側面−側面転換部７３０は、上記第１側面−側面転換部７２０とほぼ同様な構造を有している。即ち、積層部４１０の最下第２電極層４０２ＢＳの積層方向外側（図中下方）に積層された転換絶縁層７３１を備え、この転換絶縁層７３１の外表面（図中下面）７３１Ｖには、図１３（ｂ）下方に破線で示す第３接続パッド７３２Ａ、及び第４接続パッド（図示しない）の２種類の接続パッド７３２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド７３２も、実施形態２と同様に、直接マザーボード等の配線基板のコンデンサ接続端子とそれぞれ面接続する（図８参照）ことができるほか、コンデンサを内蔵するコンデンサ付属配線基板とした上で、樹脂絶縁層等を介してマザーボード等の他の電子部品の接続端子と接続させることもできる。
【００７９】
さらに、２つの共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７３１の側面７３１Ａ，７３１Ｂを経由して外表面７３１Ｖに拡がり、互いに絶縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第３側面経由配線層７３３及び第４側面経由配線層７３４を備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記した第３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッドとなっている。つまり第３側面経由配線７３３によって、第３接続パッド７３２Ａと一方の共通電極層４０４Ａとが導通し、同じく第４側面経由配線７３４によって、第４接続パッド（図示しない）と他方の共通電極層４０４Ｂとが導通している。
また、この第３側面経由配線７３３は、図１３（ｂ）に破線で示すように、多数の第３接続パッド７３２Ａを含み、多数の第３接続パッド７３２Ａと同時に接続している。このように、第３側面経由配線７３３を同時に多数の第３接続パッド７３２Ａと接続させると、形成容易で、第３側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。第４側面経由配線７３４も第４接続パッドとの関係について同様である。
【００８０】
本参考形態のコンデンサ７００も、実施形態２のコンデンサ４００と同様に、直接ＩＣチップと接続することができ、さらに第２側面−側面転換部７３０でマザーボード等の配線基板と接続させることができる（図８、図９参照）。
従って、配線基板の内部配線を介することなく、低抵抗、低インダクタンスでＩＣチップＣＨに電源電位及び接地電位を供給することができる。しかも、この電位間に生じるノイズをＩＣチップＣＨのごく近くにおいてコンデンサ７００によって確実に除去することもできる。
あるいは、実施形態２と同様に、コンデンサ７００を内蔵固着したコンデンサ付属配線基板を形成し、コンデンサ７００の接続端子７２２，７３２を、樹脂絶縁層やコア基板等の形成した内部配線を経由して、ＩＣチップＣＨやマザーボードＷＢ等に接続させることもできる。このようにしても、コンデンサ７００を介して、低抵抗、低インダクタンスで、マザーボードＷＢからＩＣチップＣＨに電源電位や接地電位を供給することができる。また、コンデンサ７００によってＩＣチップＣＨのごく近傍でこれらの間のノイズも除去することができる。
なお、このコンデンサ７００は、参考形態１のコンデンサ６００と同様にして容易に形成することができ、未焼成転換ビア導体を形成する必要がない点でも特に形成が容易である。
【００８１】
（参考形態３）
上記参考形態２では、Ｐｄからなり上面が平坦な第１側面経由配線層７２３、第２側面経由配線層７２４、第３接続パッド７３２Ａ、及び第４接続パッド（図示しない）の一部をそれぞれ接続パッド７２２，７３２として用いたが、例えば、ＩＣチップＣＨのコンデンサ端子ＣＴＣとの接続の際、ハンダが濡れ拡がって接続に寄与するハンダ量が不安定になったり、隣接する接続パッド間でハンダが接触してハンダ量が偏る場合がある。
そこで、例えば本参考形態３のコンデンサ８００のように、ＩＣチップや配線基板など他の電子部品との接続の際、ハンダの濡れ拡がりを防止し、隣接する接続パッド間を分離する分離層（ソルダーレジスト層）を形成すると良い。
即ち、図１４に示すコンデンサ８００は、上記参考形態２のコンデンサ７００の上下に、各接続パッド７２２，７３２に対応した位置に透孔８２１Ｈ，８３１Ｈを形成したソルダーレジスト層８２１，８３１をそれぞれ形成したものである。
【００８２】
本参考形態のコンデンサ８００は、積層部４１０の他、上下に２つの転換部、第１側面−側面転換部８２０及び第２側面−側面転換部８３０を有する。
このうち、第１側面−側面転換部８２０は、参考形態２と同じく積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層７２１を備え、この転換絶縁層７２１の外表面７２１Ｔには、図１４に破線で示す第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂの２種類の接続パッド７２２が、格子状に多数形成されている。さらに２つの共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７２１の側面７２１Ａ，７２１Ｂを経由して外表面７２１Ｔに拡がり、互いに絶縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第１側面経由配線層７２３及び第２側面経由配線層７２４を備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記した第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂとなっている。
【００８３】
さらに、この第１側面経由配線層７２３及び第２側面経由配線層７２４上には、エポキシ樹脂からなり、図１４に破線で示す上記第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂにそれぞれ対応する位置に透孔８２１Ｈが形成されたパターンのソルダーレジスト層８２１が形成されている。
このため、例えば、第１接続パッド７２２Ａや第２接続パッド７２２Ｂと、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとの接続に際して（図８参照）、ハンダが第１接続パッド７２２Ａ等以外の第１側面経由配線層７２３や第２側面経由配線層７２４上に濡れ拡がることが無くなる。
従って、このコンデンサ８００の第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂと他の電子部品との接続に与るハンダ量が安定し、確実に接続することができる。
【００８４】
同様に第２側面−側面転換部８３０も、参考形態２と同じく積層部４１０の最下第２電極層４０２ＢＳの積層方向外側（図中下方）に積層された転換絶縁層７３１を備え、この転換絶縁層７３１の外表面７３１Ｖには、図１４に破線で示す第３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッド（図示しない）の２種類の接続パッド７３２が、格子状に多数形成されている。さらに２つの共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７３１の側面７３１Ａ，７３１Ｂを経由して外表面７３１Ｖに拡がり、互いに絶縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第３側面経由配線層７３３及び第４側面経由配線層７３４を備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記した第３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッドとなっている。
【００８５】
さらに、この第３側面経由配線層７３３及び第４側面経由配線層７３４上にも、エポキシ樹脂からなり、図１４に破線で示す上記第３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッドにそれぞれ対応する位置に透孔８３１Ｈが形成されたパターンのソルダーレジスト層８３１が形成されている。
このため、例えば、第３接続パッド７３２Ａや第４接続パッドと、マザーボードＷＢのコンデンサ接続端子ＷＴＷとの接続に際して（図８参照）、ハンダが第３接続パッド７３２Ａ等以外の第３側面経由配線層７３３や第４側面経由配線層７３４上に濡れ拡がることが無くなる。
従って、このコンデンサ８００の第３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッドと他の電子部品との接続に与るハンダ量が安定し、確実に接続することができる。
【００８６】
なお、このコンデンサ８００は、コンデンサ７００を形成した後、所定パターンの樹脂ペーストの塗布や、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィ技術により透孔８２１Ｈや８３１Ｈを有するソルダーレジスト層８２１，８３１を形成するなど公知の手法によれば良い。
また、上記参考形態３では、ソルダーレジスト層８２１，８３１を、円形の透孔８２１Ｈ，８３１Ｈの部分を除き、コンデンサ７００の上下の略全面に形成したが、ソルダーレジスト層は、ハンダの濡れ拡がりを防止し、隣接する接続パッド間を分離できれば良く、略全面に形成する必要はない。また、透孔の形状も円形とは限らず、正方形状等適宜の形状とすることができる。但し、個々の接続パッド７２２等に対応する開口の面積を互いに等しくするのが好ましい。ハンダの濡れ拡がる面積を一定にすることで、接続に与るハンダ量を均一にできるからである。
【００８７】
（実施形態５）
次いで、さらに他の実施形態について説明する。上記実施形態では、コンデンサはいずれも積層部の他、ビア−側面転換部あるいは側面−側面転換部を有していた。これに対し、本実施形態では、例えば、図１５に示すように、共通電極層９０４Ａ，９０４Ｂを、いずれも転換ビア導体によって面接続可能な接続パッドに変換する。
即ち、本実施形態にかかるコンデンサ９００は、積層部９１０の他、ビア−ビア転換部９２０を有する。
このうち積層部９１０は、実施形態１の積層部１１０とほぼ同様の構造を有し、多数の誘電体層９０１と電極層９０２とが交互に積層した略正方形板状の積層セラミックコンデンサ構造の積層体９０３を有する。さらに、この積層体９０３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面９０３Ａ，９０３Ｂには、各電極層９０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層９０４Ａ，９０４Ｂがそれぞれ形成されている。つまりこの積層部９１０も、従来の積層セラミックコンデンサとほぼ同様の構造とされている。なお、この積層部９１０のうち積層方向最外側（図中上方）には、一方の共通電極層９０４Ａと導通する最上第１電極層９０２ＡＵが積層形成されている。
【００８８】
一方、ビア−ビア転換部９２０には、積層部９１０の最上第１電極層９０２ＡＵの積層方向外側（図中上方）に積層された第１転換絶縁層９２１、及びさらにその外側（図中上方）に積層された第２転換絶縁層９２２を備える。この２つの転換絶縁層９２１，９２２の間には、転換電極層９２３が形成されている。また、この第２転換絶縁層９２２の外表面（図中上方面）９２２Ｔには、第１接続パッド９２４Ａ及び第２接続パッド９２４Ｂの２種類の接続パッド９２４が、格子状に多数形成されている。この接続パッド９２４は、実施形態１と同様にＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣなどとそれぞれ接続するものである（図２参照）。
さらに、第１接続パッド９２４Ａは、第１転換絶縁層９２１及び第２転換絶縁層９２２を貫通する第１転換ビア導体９２５によって、最上第１電極層９０２ＡＵを通じて一方の共通電極層９０４Ａに接続している。また、第２接続パッド９２３Ｂは、第２転換絶縁層９２２を貫通する第２転換ビア導体９２６によって転換電極層９２３に接続しており、この転換電極層９２３は、他方の共通電極層９０４Ｂがビア−ビア転換部９２０に延出した延在電極層９２７に接続している。つまり、第２接続パッド９２３Ｂは、他方の共通電極層９０４Ｂと導通している。
【００８９】
従って、このコンデンサ９００においても、図中上方から第１接続パッド９２４Ａ及び第２接続パッド９２４Ｂによって、２つの共通電極９０４Ａ，９０４Ｂを引き出すことができる。従って、前記コンデンサ１００と同様に（図２参照）、このコンデンサ９００とＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとを面接続によって直接接続させることができる。つまり、ごく短い距離でＩＣチップＣＨと接続でき、この間のインダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。しかも、接続したＩＣチップＣＨにおいて、２つの共通電極層９０４Ａ，９０４Ｂを利用し、一方の共通電極層を電源電位に、他方を接地電位にすることで、コンデンサ９００を利用して、両電位間のノイズを確実に除去することができる。さらに、ＩＣチップＣＨ内の電源電位や接地電位が必要な各所に、コンデンサ接続端子ＣＴＣを通じて、コンデンサ９００から低抵抗、低インダクタンスで電源電位や接地電位を供給することができる。
【００９０】
なお、上記では、格子状に配置された接続パッド９２４のうち、いずれが第１転換ビア導体９２５を経由して最上第１電極層９０２ＡＵに接続する第１接続パッド９２４Ａで、いずれが第２転換ビア導体９２６を経由して転換電極層９２３に接続しする第２接続パッド９２４Ｂであるか説明しなかった。接続するＩＣチップ等に応じて適宜の配置とすればよいからである。
しかし、格子状に配置した接続パッド９２４が、第１転換ビア導体９２５及び第２転換ビア導体と交互に接続するように配置すると良い。即ち、第１転換ビア導体９２５に接続する第１接続パッド９２４Ａと、第２転換ビア導体９２６に接続する第２接続パッド９２４Ｂとが、格子上の各点に交互に並ぶように、第１転換ビア導体９２５及び第２転換ビア導体９２６を形成すると良い。
【００９１】
例えば、このようにしたコンデンサ９００の一方の共通電極層９０４Ａに＋電位を、他方の共通電極層９０４Ｂに−電位（接地電位）を接続すると、図１６（ａ）（ｂ）に示すように、第１電極層９０２Ａ及び第１転換ビア導体９２５が＋電位となり、第２電極層９０２Ｂ、転換電極層９２３及び第２転換ビア導体９２６が−電位となる。さらに、第１接続パッド９２４Ａが＋電位に、第２接続パッド９２４Ｂが−電位になり、図１６（ａ）に示すように、接続パッド９２４について、＋電位と−電位が交互に格子上の各点に並んだ状態に見える。
このようにすると、図１６（ｃ）に矢印で示すように、第１転換ビア導体９２５から流れ出る電流Ｉ１と、第２転換ビア導体９２６に流れ込む電流Ｉ２の向きがちょうど逆向きとなるため、この電流によって第１転換ビア導体９２５と第２転換ビア導体９２６の周りに発生する磁界が打ち消しあう。このため、第１転換ビア導体９２５及び第２転換ビア導体９２６に生じるインダクタンスが低減され、ひいては、コンデンサ９００のインダクタンスを低減させることができる。従って、このように配置したコンデンサ９００では、更に低インダクタンスとなって、ノイズを有効に除去することができる。
【００９２】
次いで、コンデンサ９００の製造方法について、図１７を参照して説明する。まず、図１７（ａ）に示すように、実施形態１と同様の高誘電体セラミックグリーンシート１８１を多数製造する。
次いで、このシート１８１のうち１枚については、図１７（ｂ）に示すように、このシート１８１の所定位置に、Ｐｄペーストからなり、表面１８１Ｔ及び裏面１８１Ｖ間を貫通する第１未焼成ビア導体９８１及び第２未焼成ビア導体９８２を形成する。さらに、表面１８１Ｔのうちこれらの未焼成ビア導体９８１，９８２に接続する位置に、Ｐｄペーストからなる第１未焼成接続パッド９８３及び第２未焼成接続パッド９８４を形成する。
また、このシート１８１のうち他の１枚については、図１７（ｃ）に示すように、このシート１８１のうち上記第１未焼成ビア導体９８１に対応する位置に、Ｐｄペーストからなり、表面１８１Ｔ及び裏面１８１Ｖ間を貫通する第３未焼成ビア導体９８５を形成する。さらに、表面１８１Ｔのうち、この第３未焼成ビア導体９８５に接続する位置にＰｄペーストからなる未焼成カバーパッド９８６を、また、その余の部分に未焼成転換電極層９８７を形成する。この未焼成カバーパッド９８６は、上記した第１未焼成ビア導体９８１と第３未焼成ビア導体９８５と間に介在して両者間を確実に接続するための役割を有する。
【００９３】
他のシート１８１のうち半数については、図１７（ｄ）に示すように、実施形態１と同様にその表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層１８２Ａを形成する。また、残りの半数については、図１７（ｅ）に示すように実施形態１と同様、その表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層１８２Ｂを形成する。未焼成第１電極層１８２Ａ及び未焼成第２電極層１８２Ｂはいずれも、シート１８１の表面１８１Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼成第１電極層１８２Ａはシート１８１の図中右端近傍、逆に未焼成第２電極層１８２Ｂはシート１８１の図中左端近傍を覆わないパターンとされている。
【００９４】
次いで、未焼成第１電極層１８２Ａが形成されたシート１８１と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形成されたシート１８１とを交互に積層する。これらの上に、未焼成転換電極層９８７や第３未焼成ビア導体９８５が形成されたシート１８１を積層し、さらに第１未焼成接続パッド９８３や第２未焼成接続パッド９８４が形成されたシート１８１を積層し、圧着して、図１７（ｆ）に示すように、積層体９８８を形成する。この積層体９８８の側面９８８Ａには未焼成第１電極層１８２Ａが、また側面９８８Ｂには未焼成第２電極層１８２Ｂ及び未焼成転換電極層９８７が、露出する。さらにこの側面９８８Ａ，９８８Ｂに、Ｐｄからなる未焼成共通電極層９８９Ａ，９８９Ｂをそれぞれ形成する。なお、未焼成共通電極層９８９Ｂは未焼成転換電極層９８７とも接続するように形成する。
【００９５】
この積層体９８８では、未焼成共通電極層９８９Ａはいずれの未焼成第１電極層１８２Ａとも接続し、しかも、そのうち積層方向最外側（図中最上）の最上未焼成第１電極層１８２ＡＵ、第３未焼成ビア導体９８５、未焼成カバーパッド９８６，第１未焼成ビア導体９８１を経由して第１未焼成接続パッド９８３とも接続する。一方、未焼成共通電極層９８８Ｂは、いずれの未焼成第２電極層１８２Ｂとも接続し、しかも、未焼成転換電極層９８７、第２未焼成ビア導体９８２を経由して第２未焼成接続パッド９８４とも接続する。
次いで、この積層体９８８を焼成（同時焼成）して、図１５に示すコンデンサ９００を形成する。コンデンサ９００をこのようにして形成したので、コンデンサ１００と同様、焼成後、直ちにコンデンサとして使用することができる。なお、ハンダ濡れ性改善のため、焼成後に、第１接続パッド９２４Ａ及び第２接続パッド９２４Ｂについて、Ｎｉ−Ａｕメッキなどのメッキを施すようにしても良い。
このように、同時焼成によって形成すると、容易かつ安価にコンデンサ９００を形成することができる。
【００９６】
（変形形態５）
上記実施形態５では、積層部９１０とビア−ビア転換部９２０とを有するコンデンサ９００を同時焼成によって形成した。しかし、先に積層部を形成した後にビア−ビア転換部を形成して同様な構造のコンデンサとすることもできる。
本変形形態のコンデンサ１０００は、上記コンデンサ９００とは製造方法が異なり、前記変形形態１と同様にレーザを用いるが、コンデンサの構造やＩＣチップＣＨ等と接続した場合の利点は変わらないので、同様の部分についての説明を省略あるいは簡略化する。
【００９７】
本変形形態のコンデンサ１０００の製造方法としては、前記変形形態１と同様にして、未焼成第１電極層１８２Ａが形成されたシート１８１（図１７（ｄ）参照）と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形成されたシート１８１（図１７（ｅ）参照）とを交互に積層し、さらに未焼成共通電極層９８９Ａ，９８９Ｂ形成後に同時焼成して、まず積層部１０１０を形成する。
続いて、この積層部１０１０上にビア−ビア転換部１０２０を形成する。まず図１８（ａ）に示すように、最上第１電極層１００２ＡＵの上面１００２ＡＵＴ及びこの最上第１電極層１００２ＡＵの直下に位置する最上誘電体層１００１Ｕの上面１００１ＵＴのうち露出部分（図中右端部分）に、公知の手法によってエポキシ樹脂からなる第１転換絶縁層１０２１を形成する。具体的には、フィルム状の未硬化樹脂を貼り付け、硬化させて形成する。
【００９８】
次いで、図１８（ｂ）に示すように、この第１転換絶縁層１０２１の所定位置に、レーザにより最上第１電極層１００２ＡＵまで届く貫通孔１０２１Ｈを形成する。
その後、図１８（ｃ）に示すように、貫通孔１０２１Ｈ内、第１転換絶縁層１０２１の上面１０２１Ｔ、及び共通電極層１００４Ｂに近い第１転換絶縁層１０２１の側面１０２１Ｂに、Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを充填・塗布し硬化させて、第３転換ビア導体１０２２、延在電極層１０２３Ｂを含む転換電極層１０２３、及びカバーパッド１０２４を形成する。
【００９９】
さらに、図１８（ｄ）に示すように、これらの上に第２転換絶縁層１０２５を形成する。
この第２転換絶縁層１０２５のうち転換電極層１０２３及びカバーパッド１０２４に対応する所定位置に、図１８（ｅ）に示すように、同じくレーザにより貫通孔１０２５Ｈを穿孔する。
さらに、貫通孔１０２５Ｈ内及び転換絶縁層１０２５の上面１０２５Ｔに、Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを充填・塗布し硬化させて、第１転換ビア導体１０２６、第２転換ビア導体１０２７、第１接続パッド１０２８Ａ、及び第２接続パッド１０２８Ｂを形成してビア−ビア転換部１０２０とする。
これによりコンデンサの機能を有する積層部１０１０と、２つの共通電極層１００４Ａ，１００４Ｂを面接続可能な第１接続パッド１０２８Ａ及び第２接続パッド１０２８Ｂに転換するビア−ビア転換部１０２０とを有するコンデンサ１０００が形成される。このコンデンサ１０００は、前記コンデンサ９００と同様に、ＩＣチップＣＨ等に直接面接続でき、ノイズ除去や各部への電位供給の役割を果たさせることができる。
また、前記変形形態２と同様に、フォトリソグラフィ技術を用いて貫通孔を有する転換絶縁層を形成したり、メッキ技術によって転換ビア導体や接続パッド等を形成することもできる。
【０１００】
（実施形態６）
上記実施形態５及び変形形態５では、積層部の積層方向片側（図中上部）にビア−ビア転換部を設け、このビア−ビア転換部でＩＣチップ等を面接続できるようにしたコンデンサを示したが、ビア−ビア転換部は積層部の積層方向両側に設けても良い。即ち、図１９に平面図及び斜視断面図を示す本発明のコンデンサ１１００は、平面視略正方形板状で、大別して積層部１１１０と、この上下に２つの転換部、第１ビア−ビア転換部１１２０と第２ビア−ビア転換部１１３０とを有する。なお、このコンデンサ１１００は、転換部を２つ備える点を除き、実施形態５のコンデンサ９００とほぼ同様であるので、同様な部分については、説明を省略あるいは簡略化する。
【０１０１】
積層部１１１０は、実施形態５と同様に多数の誘電体層１１０１と電極層１１０２とを交互に積層した略正方形板状の積層体１１０３を有する。さらに、この積層体１１０３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面１１０３Ａ，１１０３Ｂには、各電極層１１０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層１１０４Ａ，１１０４Ｂがそれぞれ形成されている。なお、この積層部１１１０のうち積層方向最外側（図中上方及び下方）には、それぞれ一方の共通電極層４０４Ａと導通する最上第１電極層１１０２ＡＵ及び最下第１電極層１１０２ＡＳが積層形成されている。
【０１０２】
また、第１ビア−ビア転換部１１２０も、実施形態５におけるビア−ビア転換部９２０と同様である。即ち、第１ビア−ビア転換部１１２０には、積層部１１１０の最上第１電極層１１０２ＡＵの積層方向外側（図中上方）に積層された第１転換絶縁層１１２１、さらにその外側の第２転換絶縁層１１２２を備える。この間には第１転換電極層１１２３が形成されている。この第２転換絶縁層１１２２の外表面１１２２Ｔには、ＩＣチップのコンデンサ接続端子等に対応する位置に、第１接続パッド１１２４Ａ及び第２接続パッド１１２４Ｂの２種類の接続パッド１１２４が、格子状に多数形成されている。
さらに、第１接続パッド１１２４Ａは、第１転換絶縁層１１２１及び第２転換絶縁層１１２２を貫通する第１転換ビア導体１１２５によって、最上第１電極層１１０２ＡＵを通じて一方の共通電極層１１０４Ａに接続している。また、第２接続パッド１１２４Ｂは、第２転換絶縁層１１２２を貫通する第２転換ビア導体１１２６によって第１転換電極層１１２３に接続し、さらに上部延在電極層１１２７によって他方の共通電極層１１０４Ｂに接続している。
【０１０３】
さらに、本実施形態のコンデンサ１１００では、第２ビア−ビア転換部１１３０を有する。この第２ビア−ビア転換部１１３０は、第１ビア−ビア転換部１１２０と概略同様な構造であり、積層部１１１０の最下第１電極層１１０２ＡＳの積層方向外側（図中下方）に積層された第３転換絶縁層１１３１、さらにその外側の第４転換絶縁層１１３２を備える。この間には第２転換電極層１１３３が形成されている。この第４転換絶縁層１１３２の外表面１１３２Ｖには、マザーボードのコンデンサ接続端子等に対応する位置に、第３接続パッド１１３４Ａ及び第４接続パッド１１３４Ｂの２種類の接続パッド１１３４が、格子状に多数形成されている。
さらに、第３接続パッド１１３４Ａは、第３転換絶縁層１１３１及び第４転換絶縁層１１３２を貫通する第３転換ビア導体１１３５によって、最下第１電極層１１０２ＡＳを通じて一方の共通電極層１１０４Ａに接続している。また、第４接続パッド１１３４Ｂは、第４転換絶縁層１１３２を貫通する第４転換ビア導体１１３６によって第２転換電極層１１３３に接続し、さらに下部延在電極層１１３７によって他方の共通電極層１１０４Ｂに接続している。
【０１０４】
従って、このコンデンサ１１００では、実施形態５と同様に、例えばＩＣチップと直接接続することができ、さらに第２ビア−ビア転換部１１３０でマザーボード等の配線基板と接続させることができる。つまり、実施形態２のコンデンサ４００と同様、マザーボードＷＢとＩＣチップＣＨとの間に貫通孔内にコンデンサを有するコンデンサ付属配線基板を介在させるようにして、両者間を接続することができる（図８、図９参照）。
従って、配線基板の内部配線を介することなく、低抵抗、低インダクタンスでＩＣチップＣＨに電源電位及び接地電位を供給することができる。しかも、この電位間に生じるノイズをＩＣチップＣＨのごく近くにおいてコンデンサ１１００によって確実に除去することもできる。
【０１０５】
あるいは、コンデンサ１１００を内蔵固着したコンデンサ付属配線基板を形成し、コンデンサ１１００の接続パッド１１２４，１１３４を、樹脂絶縁層やコア基板等の形成した内部配線を経由して、ＩＣチップＣＨやマザーボードＷＢ等に接続させることもできる。このようにしても、コンデンサ１１００を介して、低抵抗、低インダクタンスで、マザーボードＷＢからＩＣチップＣＨに電源電位や接地電位を供給することができる。また、コンデンサ１１００によってＩＣチップＣＨのごく近傍でこれらの間のノイズも除去することができる。
なお、このコンデンサ１１００は、実施形態５のコンデンサ９００と同様に同時焼成により、あるいは、変形形態５のコンデンサ１０００と同様にして樹脂製の転換絶縁層を形成しレーザによって穿孔するなどの手法により形成することができる。
コンデンサ１１００では、側面経由配線層を形成せず、各接続パッド１１２４，１１３４と共通電極層１１０４Ａ，１１０４Ｂと転換ビア導体１１２５等を介して接続するので、ＩＣチップやマザーボード等の接続端子の位置に合わせて接続パッド１１２４，１１３４を容易に形成できる。
【０１０６】
なお、本実施形態６においても、上記実施形態５における接続パッド９２４、第１転換ビア導体９２５、及び第２転換ビア導体９２６と同様に、格子状に配置した接続パッド１１２４が、第１転換ビア導体１１２５及び第２転換ビア導体１１２６と交互に接続するように配置すると良い。各ビアにおいてインダクタンスを低減できるからである。さらに、格子状に配置した接続パッド１１３４が、第３転換ビア導体１１３５及び第４転換ビア導体１１３６と交互に接続するように配置すると良い。これらのビアにおいてもインダクタンスを低減でき、コンデンサ１１００のインダクタンスをより低くできるからである。
【０１０７】
以上において、本発明を実施形態及び変形形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態等に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態等では、誘電体層１０１等にＢａＴｉＯ３を主成分とする高誘電体セラミックを用いたが、誘電体層の材質はこれに限定されず、例えば、ＰｂＴｉＯ３，ＰｂＺｒＯ３，ＴｉＯ２，ＳｒＴｉＯ３，ＣａＴｉＯ３，ＭｇＴｉＯ３，ＫＮｂＯ３，ＮａＴｉＯ３，ＫＴａＯ３，ＲｂＴａＯ３，（Ｎａ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３，（Ｋ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ３などが挙げられ、要求されるコンデンサの静電容量その他に応じて適宜選択すればよい。
また、電極層１０２等や共通電極層１０４等、側面経由配線層１２３等、転換ビア導体１２５等に、Ｐｄを用いたが、誘電体層の材質等との適合性を考慮して選択すれば良く、例えば、Ｐｔ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ等が挙げられる。
【０１０８】
変形形態１等では、転換絶縁層２０５等に、エポキシ樹脂を用いたが、耐熱性、パターン成形性等を考慮して適宜選択すれば良く、例えば、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等が挙げられる。
また、側面経由配線層２０６、転換ビア導体２０７、第２接続パッド２０８等を、Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを充填塗布して形成したが、他の材質の導電性ペーストを用いて形成しても良い。
また、変形形態２等では、側面経由配線層３０６、転換ビア導体３０７、第２接続パッド３０８等を無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキによって形成したが、その他の材質、例えば、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ等によって形成しても良い。
【０１０９】
上記実施形態１等では、側面経由配線層１２３等が、多数の第１接続パッド１２２Ａを含み、複数接続パッドとなっているものを示したが、ここの第１接続パッドと共通電極層とをそれぞれ接続する側面経由配線としても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１にかかり、一方（図（ｂ）中上方）にビア−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図２】コンデンサを収納する貫通孔を有する配線基板と、この貫通孔内に収容された実施形態１にかかるコンデンサからなるコンデンサ付属配線基板の説明図である。
【図３】実施形態１にかかるコンデンサの製造方法を説明する説明図である。
【図４】変形形態１にかかるコンデンサの製造方法のうち積層部を形成するまでを説明する説明図である。
【図５】変形形態１にかかるコンデンサの製造方法のうちビア−側面転換部をレーザ孔空けによって形成する工程を説明する説明図である。
【図６】変形形態２にかかるコンデンサの製造方法のうちビア−側面転換部をフォトリソグラフィ技術によって形成する工程を説明する説明図である。
【図７】実施形態２にかかり、両側（図中上下）にビア−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図８】実施形態２にかかるコンデンサを貫通孔内に収容したコンデンサ付属配線基板の説明図である。
【図９】図８のコンデンサ付属配線基板に収容したコンデンサの接続回路図である。
【図１０】変形形態３にかかり、接続パッドの一部を複数接続パッドとしたビア−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１１】参考形態１にかかり、一方（図（ｂ）中上方）に側面−側面転換部を有するコンデンサ
の、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１２】参考形態１にかかるコンデンサの製造方法を説明する説明図である。
【図１３】参考形態２にかかり、両側（図中上下）に側面−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１４】参考形態３にかかり、図１３のコンデンサの上下に円形の開口を有する分離層を形成したコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１５】実施形態５にかかり、一方（図（ｂ）中上方）にビア−ビア転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１６】実施形態５のコンデンサにかかり、一方の共通電極層に＋電位を他方の共通電極に−電位を接続したときの様子を示す説明図である。
【図１７】実施形態５にかかるコンデンサの製造方法を説明する説明図である。
【図１８】変形形態５にかかるコンデンサの製造方法のうち積層部上にレーザ孔空けを用いてビア−ビア転換部を形成する工程を説明する説明図である。
【図１９】実施形態６にかかり、両側（図中上下）にビア−ビア転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図２０】従来の積層セラミックコンデンサの構造を示す断面説明図である。
【図２１】コンデンサを上面や下面に搭載した従来の配線基板におけるコンデンサ接続配線の様子を説明する説明図である。
【符号の説明】
１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００，９０，１０００，１１００コンデンサ
１１０，２１０，３１０，４１０，５１０，６１０，７１０，８１０，９１０，１０１０，１１１０積層部
１２０，２２０，３２０，４２０，４３０，５２０ビア−側面転換部
６２０，７２０，７３０，８２０，８３０側面−側面転換部
９２０，１０２０，１１２０，１１３０ビア−ビア転換部
１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１，７０１，８０１，９０１，１００１，１１０１誘電体層
１０２，２０２，４０２，９０２，１０２１，１１０２電極層
１０３，２０３，４０３，９０３，１１０３積層体
１０４，２０４，３０４，４０４，５０４，６０４，７０４，８０４，９０４，１００４，１１０４共通電極層
１２１，２０５，３０５，４２１，４３１，５２１，６２１，７２１，７３１，９２１，９２２，１０２１，１０２５，１１２１，１１２２，１１３１，１１３２転換絶縁層
１２２，２０８，３０６Ｐ，３０８，４２２，４３２，５２２，５２４，６２２，７２２，７３２，９２４，１０２８、１１２４，１１３４接続パッド
１２５，２０７，３０７，５２５，９２５，９２６，１０２２，１０２６，１０２７，１１２５，１１２６，１１３５，１１３６転換ビア導体
ＣＨＩＣチップ（接続対象部材）
ＣＴＣコンデンサ接続端子
１５０コンデンサ付属配線基板
ＷＢマザーボード（接続対象部材）[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a capacitor having a connection pad that can be surface-connected to another member while being a multilayer ceramic capacitor. Specifically, for example, a large number of bumps and pads provided on the connection surface of an electronic component such as an IC chip, a wiring board such as a relay board or CSP (chip scale package) on which the IC chip is mounted, and a wiring board such as a motherboard. The present invention relates to a capacitor that can be surface-connected to a connection terminal or a connection terminal for a built-in capacitor in an electronic component for a capacitor built-in electronic component such as a wiring board with a built-in capacitor. The present invention also relates to a capacitor that is interposed between two electronic components and can connect both poles of the capacitor to any electronic component. The present invention also relates to a capacitor-attached wiring board including such a capacitor and a wiring board.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as shown in FIG. 20, a high dielectric constant ceramic such as BaTiO 3 is used as the dielectric layer 1 to form a laminate 3 in which the dielectric layers 1 and the electrode layers 2 are alternately laminated. A multilayer ceramic capacitor 10 in which a pair of common electrode layers 4A and 4B that are electrically connected to each other and insulated from each other are formed on side surfaces 3A and 3B parallel to the stacking direction (vertical direction in the figure) of the stack 3 respectively. It has been known. The multilayer ceramic capacitor 10 is small, can have a relatively large capacitance, has good high frequency characteristics, and has a long life, and is therefore widely used in various electronic devices.
[0003]
For example, with the high-speed operation of the IC chip, noise may be superimposed on the power supply wiring and the like to cause a malfunction, and thus a multilayer ceramic capacitor may be used as a decoupling capacitor for removing this noise. That is, for example, as shown in FIG. 21, a chip capacitor 10 made of a multilayer ceramic capacitor having a pair of common electrode layers 4A and 4B is separately mounted on the upper surface 12A or the lower surface 12B of the wiring board 12 on which the IC chip 11 is mounted. Capacitor connection wires 14 connected to the common electrode layers 4A and 4B respectively formed on the two side surfaces of the capacitor 10 are provided inside the wiring board 12. Thus, the chip capacitor 10 is connected to the IC chip 11 via the capacitor connection wiring 14 and the flip chip pad 15.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In general, since a power supply potential and a ground potential are required at various places in the IC chip 11, a large number of connection terminals such as pads and bumps formed on the IC chip and a wiring board corresponding to the power supply potential and sometimes nearly half of them are present. It is a connection terminal for power supply potential and ground potential.
However, generally, since the capacitor 10 only has a pair of common electrode layers 4A and 4B, the capacitor 10 cannot be directly connected to the connection terminal of the IC chip 11. Therefore, the common electrode layers 4A and 4B of the capacitor 10 and the connection terminals of the IC chip 11 are connected to the respective connection terminals by the capacitor connection wiring 14 passing through a complicated path. Furthermore, the length of the capacitor connection wiring 14 that connects the IC chip 11 and the chip capacitor 10 is long and is likely to be narrowed by being limited to other wirings, etc., so that the resistance and inductance of the capacitor connection wiring 14 itself increase. Therefore, it cannot fully meet the demand for low resistance and low inductance.
In addition, it is difficult to mount another electronic component on the upper side of the capacitor 10 in the drawing and to connect the capacitor to the capacitor.
[0005]
The present invention has been made in view of the above problems, and is a connection terminal of a connection target member, for example,
For example, a connection terminal for an electronic component such as an IC chip or a wiring board, a capacitor that can be connected to a built-in capacitor connection terminal in an electronic component for an electronic component with a built-in capacitor, and intervening between two electronic components, It is an object of the present invention to provide a capacitor capable of connecting both electrodes of a capacitor to any electronic component, and a capacitor-attached wiring board including such a capacitor and a wiring board.
[0006]
[Means, actions and effects for solving the problems]
And the solution is provided with a pair of common electrode layers, which are alternately laminated with dielectric layers made of high dielectric constant ceramics and electrode layers, and are electrically connected to each other and insulated from each other. A multilayer capacitor section; and a switching section located on either side of the multilayer capacitor section in the stacking direction, each of the switching sections being capable of surface connection with a plurality of connection terminals of a connection target member. And a plurality of conversion wirings that respectively connect the connection pad and any one of the pair of common electrode layers, wherein each of the pair of common electrode layers is electrically connected to at least one of the plurality of connection pads. The multilayer capacitor portion is laminated on the outermost side in the laminating direction among the electrode layers and is electrically connected to one of the pair of common electrode layers. An electrode layer, and the conversion portion includes a conversion insulating layer stacked on the outer side in the stacking direction of the outermost electrode layer, and the plurality of connection pads belonging to the conversion portion are on the outer side in the stacking direction of the conversion insulating layer. The plurality of conversion wirings that belong to the conversion part and extend through the conversion insulating layer from the outermost electrode layer to the outer surface and connect to one of the connection pads. A via conductor, and a side-by-side conversion wiring connected to one of the connection pads from the other of the pair of common electrode layers through the circumferential side surface and the outer surface of the conversion insulating layer. The capacitor is a via-side conversion part.
[0007]
In the capacitor of the present invention, a conversion part is provided in addition to the multilayer capacitor part, and the connection pad of the conversion part is electrically connected to one of the common electrode layers of the multilayer capacitor part by the conversion wiring. Therefore, in the capacitor of the present invention, the connection pad can be surface-connected to a plurality of connection terminals of a connection target member such as an electronic component such as an IC chip or a wiring board. For this reason, as described above, it is not necessary to form a capacitor connection wiring that connects the common electrode layer of the capacitor and the connection terminal of the connection target member, and can be connected to the connection target member such as an electronic component at a very short distance, and the inductance And resistance can be made extremely small.
In addition, in the conversion portion, any of the pair of common electrode layers is electrically connected to at least one of the plurality of connection pads. For this reason, both poles of the capacitor can be taken out from the connection pad of the conversion part. Therefore, the two electrodes of the capacitor can be used in the connected connection target member (for example, IC chip) or through the connection target member (for example, the wiring board). For this reason, for example, one of the two electrodes of the capacitor is set to the power supply potential, and the other is set to the ground potential, so that the two electrodes (a pair of common electrode layers) of the capacitor can be used to remove noise. Can do. In particular, when this capacitor is connected to an IC chip, each potential can be supplied from the capacitor to a required part in an IC chip that requires a power supply potential or a ground potential at various places.
[0008]
Furthermore, in the present invention, the connection pad is connected to the pair of common electrode layers of the multilayer capacitor portion using the conversion insulating layer, the conversion via conductor, and the side via conversion wiring. As a result, the pair of common electrode layers formed in the multilayer capacitor portion are converted into connection pads that can be surface-connected to the connection wiring of the connection target member. In this way, the common electrode layer and the connection pad can be connected to each other with a simple structure in which a single conversion insulating layer is used and a conversion via conductor and a side via conversion wiring are formed thereon. Therefore, a capacitor that is inexpensive and easy to form can be obtained. In addition, since the overall size of the capacitor can be formed so as not to be much different from the size of the multilayer capacitor portion, a downsized capacitor can be obtained.
By the way, the side-to-side conversion wiring goes through the side surface and the outer surface of the conversion insulating layer.
Compared to the conversion via conductor formed through the edge layer, the degree of freedom of the formation position is low, and the formation position on the side surface and the routing on the outer surface are limited. For this reason, when it is desired to form a large number of via-side conversion wirings, it may be difficult to form. On the other hand, according to the present invention, since the conversion via conductor is used in addition to the side-by-side conversion wiring, the number of side-by-side conversion wirings to be formed can be reduced correspondingly, and the formation position can be easily selected. In addition, since the width of each side via-converting wiring can be increased, the inductance and resistance of each side via-converting wiring can also be reduced.
[0009]
The connection target member to be connected to the capacitor of the present invention includes, for example, an IC chip, a relay board on which the IC chip is mounted, a wiring board such as a CSP, an IC chip, an active part such as a transistor, and a passive part such as a resistor. And electronic components such as a wiring board such as a motherboard, a resistance array in which a large number of connection terminals are formed, and the like. When the capacitor of the present invention is used as a built-in capacitor in a capacitor built-in electronic component such as a capacitor built-in wiring substrate, a built-in member such as a core substrate having pads or bumps to be connected to the built-in capacitor, via conductor or pad Also included are members such as build-up insulating layers having bumps and the like.
Examples of the connection terminals of the connection target members include pads, bumps, pins, and via conductors.
[0010]
Furthermore, surface connection refers to connection terminals formed at various locations within a connection surface of a member to be connected, for example, an electronic component, and connection pads formed at various locations within a connection pad formation surface of a capacitor. The connection pad formation surface of the capacitor, such as by connecting the connection surface of the electronic component and the connection pad formation surface of the capacitor directly or by electrical connection with solder, conductive resin, anisotropic conductive sheet, etc. The connection which makes each connection pad formed in the inside and the connection terminal of a connection object member oppose, and points out between these is pointed out. For example, when connecting a large number of solder bumps formed in a grid pattern on the connection surface of the IC chip and a connection pad formed in a grid pattern on the connection pad formation surface of the capacitor by melting the solder bumps and soldering to the pads, Or the case where the low-temperature solder bump formed on the connection pad is melted and welded to the solder bump of the IC chip is used. When a capacitor is built in a wiring board, for example, an insulating layer is formed on the connection pad forming surface of the capacitor, and a via conductor that penetrates the insulating layer and directly connects to the capacitor connection pad is formed. Cases.
[0011]
In addition, this capacitor | condenser is good to be formed by simultaneous baking of both a multilayer capacitor | condenser part and a conversion part. This is because the capacitor can be formed at low cost because it can be formed all at once by firing.
Further, the connection pads of the capacitors may be bumped by raising solder or conductive resin.
[0012]
In another solution, dielectric layers and electrode layers made of a high dielectric constant ceramic are alternately laminated, and a pair of common electrode layers that are electrically connected to each other and insulated from each other are provided on the side surfaces. A multilayer capacitor unit, and a switching unit located on either outer side in the stacking direction of the multilayer capacitor unit, and the switching unit includes a plurality of connections that can be surface-connected to a plurality of connection terminals of a connection target member, respectively. A plurality of conversion wirings that respectively connect the pad, the connection pad, and one of the pair of common electrode layers, and each of the pair of common electrode layers is electrically connected to at least one of the plurality of connection pads. A plurality of conversion wirings, wherein the multilayer capacitor portion is laminated on the outermost side in the laminating direction among the electrode layers and is electrically connected to one of the pair of common electrode layers. An electrode layer, and the conversion unit includes a first conversion insulating layer stacked outside the outermost electrode layer in the stacking direction, and a second conversion insulating layer stacked outside the first conversion insulating layer in the stacking direction. And a conversion electrode layer formed between the first conversion insulation layer and the second conversion insulation layer and connected to the other of the pair of common electrode layers, and the plurality of the plurality of belonging to the conversion unit The connection pad is formed on the outer surface on the outer side in the stacking direction of the second conversion insulating layer, and the plurality of conversion wirings belonging to the conversion portion are connected to the first conversion insulation layer and the second conversion insulation from the outermost electrode layer. A plurality of first conversion via conductors extending through the layer to the outer surface of the second conversion insulating layer and connected to any one of the connection pads, and from the conversion electrode layer to the second conversion insulation layer. Extend to its outer surface and connect to one of the above connection pads Via a plurality of second conversion via conductor, a - it is a capacitor, which is a via conversion unit.
[0013]
In the capacitor of the present invention, a conversion part is provided in addition to the multilayer capacitor part, and the connection pad of the conversion part is electrically connected to one of the common electrode layers of the multilayer capacitor part by the conversion wiring. Therefore, in the capacitor of the present invention, the connection pad can be surface-connected to a plurality of connection terminals of a connection target member such as an electronic component such as an IC chip or a wiring board. For this reason, as described above, it is not necessary to form a capacitor connection wiring that connects the common electrode layer of the capacitor and the connection terminal of the connection target member, and can be connected to the connection target member such as an electronic component at a very short distance, and the inductance And resistance can be made extremely small.
In addition, in the conversion portion, any of the pair of common electrode layers is electrically connected to at least one of the plurality of connection pads. For this reason, both poles of the capacitor can be taken out from the connection pad of the conversion part. Therefore, the two electrodes of the capacitor can be used in the connected connection target member (for example, IC chip) or through the connection target member (for example, the wiring board). For this reason, for example, one of the two electrodes of the capacitor is set to the power supply potential, and the other is set to the ground potential, so that the two electrodes (a pair of common electrode layers) of the capacitor can be used to remove noise. Can do. In particular, when this capacitor is connected to an IC chip, each potential can be supplied from the capacitor to a required part in an IC chip that requires a power supply potential or a ground potential at various places.
Further, the connection pads are respectively connected to the pair of common electrode layers of the multilayer capacitor portion by using the first conversion insulation layer, the second conversion insulation layer, the conversion electrode layer, the first conversion via conductor, and the second conversion via conductor. Thus, when the pair of common electrode layers formed in the multilayer capacitor portion are converted into connection pads that can be connected to the connection wiring of the connection target member, the common electrode layer and the connection pads can be connected with a simple structure. . In addition, since the first conversion via conductor and the second conversion via conductor have a high degree of freedom in forming positions, the first conversion via conductor and the second conversion via conductor can be formed according to the position of the connection pad to be connected. Easy to design. Further, since the conversion via conductor is shorter than the side via conversion wiring, the inductance and resistance generated in the conversion portion can be further reduced. In addition, since the overall size of the capacitor can be formed so as not to be much different from the size of the multilayer capacitor portion, a downsized capacitor can be obtained.
[0014]
In another solution, dielectric layers and electrode layers made of a high dielectric constant ceramic are alternately stacked, and a pair of common electrode layers that are electrically connected to each other and insulated from each other are provided on the side surfaces. A multilayer capacitor unit, and a first conversion unit and a second conversion unit located on both outer sides in the stacking direction of the multilayer capacitor unit, respectively, and each of the first conversion unit and the second conversion unit is a connection target member. A plurality of connecting wires that can be surface-connected to the plurality of connection terminals, and a plurality of conversion wirings that respectively connect the connection pads and any of the pair of common electrode layers, Each of which has a plurality of conversion wirings that are electrically connected to at least one of the plurality of connection pads, and the multilayer capacitor portion is stacked on the outermost side in the stacking direction of the electrode layers, An outermost electrode layer that is electrically connected to one of the common electrode layers, and at least one of the first conversion part and the second conversion part is stacked on the outer side in the stacking direction of the outermost electrode layer. The plurality of connection pads belonging to the conversion portion are formed on the outer surface of the conversion insulation layer in the stacking direction, and the plurality of conversion wirings belonging to the conversion portion are formed on the outermost side. A conversion via conductor extending from the electrode layer through the conversion insulating layer to the outer surface and connected to one of the connection pads, and the other of the pair of common electrode layers, the periphery of the conversion insulating layer It is a capacitor | condenser characterized by being a via-side change part which has a side via change wiring connected to either of the said connection pads via a direction side surface and the said outer surface.
[0015]
In the capacitor according to the present invention, in addition to the multilayer capacitor portion, two transition portions, a first conversion portion and a second conversion portion, are provided on both sides in the stacking direction, and the connection pads of the two conversion portions are both formed by the conversion wiring. It is electrically connected to one of the common electrode layers of the multilayer capacitor unit. For this reason, in the capacitor of the present invention, the connection pad can be surface-connected to a plurality of connection terminals of a connection target member such as an IC chip in any of the two switching portions. Therefore, similarly to the above, it is possible to connect to the connection target member at a very short distance. For this reason, an inductance and resistance can be made very small.
[0016]
Moreover, in each of the two switching portions, the plurality of connection pads are electrically connected to each of the connection pads and the pair of common electrode layers, and each of the pair of common electrode layers is connected to the plurality of connection pads. A plurality of conversion wirings that conduct at least one of them are provided.
That is, in the first conversion part, both of the pair of common electrode layers are electrically connected to at least one of the plurality of connection pads in the first conversion part. For this reason, both poles of the capacitor can be taken out from the connection pads of the first conversion part.
Also in the second conversion part, any of the pair of common electrode layers is electrically connected to at least one of the plurality of connection pads in the second conversion part. Therefore, similarly, both poles of the capacitor can be taken out from the connection pads of the second conversion part. In other words, both poles of the capacitor can be taken out from both sides of the first conversion unit and the second conversion unit.
For this reason, for example, by interposing this capacitor between the IC chip (first electronic component) and the wiring board (second electronic component), power supply wiring for supplying power from the wiring board to the IC chip and grounding In addition to serving as a part of the wiring, the power supply wiring and the ground wiring are connected by this capacitor, and the role of removing noise superimposed on these wirings can also be performed.
[0017]
Furthermore, in the present invention, the connection pad is connected to the pair of common electrode layers of the multilayer capacitor portion using the conversion insulating layer, the conversion via conductor, and the side via conversion wiring. As a result, the pair of common electrode layers formed in the multilayer capacitor portion are converted into connection pads that can be surface-connected to the connection wiring of the connection target member. In this way, the common electrode layer and the connection pad can be connected to each other with a simple structure in which a single conversion insulating layer is used and a conversion via conductor and a side via conversion wiring are formed thereon. Therefore, a capacitor that is inexpensive and easy to form can be obtained. In addition, since the overall size of the capacitor can be formed so as not to be much different from the size of the multilayer capacitor portion, a downsized capacitor can be obtained.
By the way, since the side-by-side conversion wiring passes through the side surface and the outer surface of the conversion insulating layer, the formation position on the side surface is low as compared with the conversion via conductor formed through the conversion insulating layer. And routing on the outer surface is limited. For this reason, when it is desired to form a large number of via-side conversion wirings, it may be difficult to form. On the other hand, according to the present invention, since the conversion via conductor is used in addition to the side-by-side conversion wiring, the number of side-by-side conversion wirings to be formed can be reduced correspondingly, and the formation position can be easily selected. In addition, since the width of each side via-converting wiring can be increased, the inductance and resistance of each side via-converting wiring can also be reduced.
[0018]
In another solution, dielectric layers and electrode layers made of a high dielectric constant ceramic are alternately laminated, and a pair of common electrode layers that are electrically connected to each other and insulated from each other are provided on the side surfaces. A multilayer capacitor unit, and a first conversion unit and a second conversion unit located on both outer sides in the stacking direction of the multilayer capacitor unit, both of the first conversion unit and the second conversion unit being connected A plurality of connection pads that can be surface-connected to a plurality of connection terminals of the member, and a plurality of conversion wirings that respectively connect the connection pads and any of the pair of common electrode layers, the pair of common electrode layers Each of the plurality of connection pads is electrically connected to at least one of the plurality of connection pads, and the multilayer capacitor portion is stacked on the outermost side in the stacking direction of the electrode layers. An outermost electrode layer electrically connected to one of the common electrode layers, and at least one of the first conversion part and the second conversion part is stacked on the outer side in the stacking direction of the outermost electrode layer. Formed between the first conversion insulating layer, the second conversion insulating layer stacked on the outer side in the stacking direction of the first conversion insulating layer, and the first conversion insulating layer and the second conversion insulating layer. A plurality of connection pads belonging to the conversion portion are formed on the outer surface of the second conversion insulating layer on the outer side in the stacking direction, and the conversion electrode layer is connected to the other of the common electrode layers. The plurality of conversion wirings belonging to the conversion part extend from the outermost electrode layer through the first conversion insulating layer and the second conversion insulating layer to the outer surface of the second conversion insulating layer, A plurality of first conversion via conductors connected to each other, and A via-via conversion portion having a plurality of second conversion via conductors extending from the replacement electrode layer to the outer surface of the second conversion insulating layer and connected to any one of the connection pads. This is a featured capacitor.
[0019]
In the capacitor according to the present invention, in addition to the multilayer capacitor portion, two transition portions, a first conversion portion and a second conversion portion, are provided on both sides in the stacking direction, and the connection pads of the two conversion portions are both formed by the conversion wiring. It is electrically connected to one of the common electrode layers of the multilayer capacitor unit. For this reason, in the capacitor of the present invention, the connection pad can be surface-connected to a plurality of connection terminals of a connection target member such as an IC chip in any of the two switching portions. Therefore, similarly to the above, it is possible to connect to the connection target member at a very short distance. For this reason, an inductance and resistance can be made very small.
Moreover, in each of the two switching portions, the plurality of connection pads are electrically connected to each of the connection pads and the pair of common electrode layers, and each of the pair of common electrode layers is connected to the plurality of connection pads. A plurality of conversion wirings that conduct at least one of them are provided.
That is, in the first conversion part, both of the pair of common electrode layers are electrically connected to at least one of the plurality of connection pads in the first conversion part. For this reason, both poles of the capacitor can be taken out from the connection pads of the first conversion part.
Also in the second conversion part, any of the pair of common electrode layers is electrically connected to at least one of the plurality of connection pads in the second conversion part. Therefore, similarly, both poles of the capacitor can be taken out from the connection pads of the second conversion part. In other words, both poles of the capacitor can be taken out from both sides of the first conversion unit and the second conversion unit.
For this reason, for example, by interposing this capacitor between the IC chip (first electronic component) and the wiring board (second electronic component), power supply wiring for supplying power from the wiring board to the IC chip and grounding In addition to serving as a part of the wiring, the power supply wiring and the ground wiring are connected by this capacitor, and the role of removing noise superimposed on these wirings can also be performed.
Further, the connection pads are respectively connected to the pair of common electrode layers of the multilayer capacitor portion by using the first conversion insulation layer, the second conversion insulation layer, the conversion electrode layer, the first conversion via conductor, and the second conversion via conductor. Thus, when the pair of common electrode layers formed in the multilayer capacitor portion are converted into connection pads that can be connected to the connection wiring of the connection target member, the common electrode layer and the connection pads can be connected with a simple structure. . In addition, since the first conversion via conductor and the second conversion via conductor have a high degree of freedom in forming positions, the first conversion via conductor and the second conversion via conductor can be formed according to the position of the connection pad to be connected. Easy to design. Further, since the conversion via conductor is shorter than the side via conversion wiring, the inductance and resistance generated in the conversion portion can be further reduced. In addition, since the overall size of the capacitor can be formed so as not to be much different from the size of the multilayer capacitor portion, a downsized capacitor can be obtained.
[0020]
Here, in the capacitor, the plurality of connection pads are arranged in a substantially lattice shape, and the plurality of first conversion via conductors and the plurality of second conversion via conductors are alternately arranged on the plurality of connection pads, respectively. A capacitor characterized by being connected may be used.
[0021]
As described above, when the first conversion via conductor and the second conversion via conductor are alternately connected to the connection pads arranged in a substantially lattice pattern, the inductance generated in the first conversion via conductor and the second conversion via conductor is generated. Can be further reduced. For example, if one common electrode layer is set to + potential (power supply potential) and the other common electrode layer is set to −potential (ground potential), the direction of current flowing out from the first conversion via conductor and the flow into the second conversion via conductor Since the directions of the currents to be reversed are opposite to each other, the generated magnetic field is erased, and as a result, these inductances appear to be small. Therefore, by arranging in this way, the inductance of the capacitor itself can be reduced, and noise can be efficiently removed.
[0022]
In addition, it is a capacitor | condenser which has the side surface-side surface conversion part mentioned later, the said via-side surface conversion part, and the said via-via conversion part, Comprising: A conversion insulation layer or a 1st conversion insulation layer and a 2nd conversion insulation layer are resin The first side via conversion wiring and the second side via conversion wiring, or the side via conversion wiring, which will be described later, are formed by a photolithography technique, and the conversion via conductor or first The conversion via conductor and the second conversion via conductor are preferably a capacitor formed by a photolithography technique, or a photolithography technique and a laser drilling technique.
When the via via conversion wiring is formed by using the photolithography technology and the conversion via conductor is formed by using the photolithography technology or the laser drilling technology, it is possible to accurately form the minute side conversion wiring and the conversion via conductor. Therefore, it is possible to provide a capacitor in which a large number of side-to-side conversion wirings and conversion via conductors are reliably formed.
[0023]
Furthermore, in any one of the capacitors described above, at least one of the connection pads is a plurality of connection pads that can be surface-connected to a plurality of connection terminals among the connection terminals of the connection target member to be connected. It is better to use a capacitor.
[0024]
If a plurality of connection pads are formed in this way, that is, if a plurality of connection terminals are connected to one connection pad of a capacitor, the number of connection pads can be reduced compared to the number of connection terminals connected to the capacitor. it can. Thereby, the number of conversion wirings formed in the conversion part, for example, the number of conversion via conductors and side-surface conversion wirings can be reduced. Therefore, the manufacturing is further facilitated and the cost can be reduced, and the reliability of the capacitor can be improved.
[0025]
The capacitor is preferably a capacitor characterized in that any of the connection pads is the plurality of connection pads.
In this way, if all the connection pads are made of a plurality of connection pads, the number of connection pads to be formed can be sufficiently reduced, so that the number of conversion wirings, for example, the number of conversion via conductors and side conversion wirings can be reduced. It becomes.
[0026]
Furthermore, it is a capacitor | condenser which has the said via-side surface conversion part, Comprising: All of the said connection pads connected to the said side surface changeover wiring are connectable with several connection terminals among the connection terminals of the said connection object member to be connected. A capacitor characterized by a plurality of connection pads is preferable.
[0027]
Since the side-to-side conversion wiring is connected to the connection pad via the side surface and outer surface of the conversion insulating layer, the degree of freedom of the formation position is low compared to the conversion via conductor, and the number of connection pads to be formed is large. In some cases, the side surface formation position and the outer surface routing may be difficult. On the other hand, if a plurality of connection pads are connected to the side-by-side conversion wiring, the number of side-surface conversion wirings to be formed can be reduced, so that wiring is facilitated. In addition, since the width of each side via-converting wiring can be increased, the inductance and resistance of each side via-converting wiring can also be reduced.
[0028]
Any one of the capacitors having the plurality of connection pads, wherein at least on the surface of the plurality of connection pads, there are a plurality of connection terminals of the connection target member for connecting the surface of the plurality of connection pads to the plurality of connection pads. It is preferable that the capacitor includes a separation layer that is separated into a plurality of regions that can be connected one by one.
[0029]
Consider a case where two or more connection terminals are connected to a common plurality of connection pads when connecting connection terminals of connection target members, for example, electronic components such as IC chips and connection pads. In this case, before melting, solder paste is applied corresponding to each connection terminal, or even if a predetermined amount of solder is held on each connection terminal (solder bump), the solder is melted. In this case, the solder applied to the adjacent connection terminals may spread on the common connection pads and come into contact with each other to be integrated. Then, the amount of solder used to connect multiple connection pads to each connection terminal becomes uneven for each connection terminal, and some connection terminals have incomplete connections between the multiple connection pads and connection terminals. May cause problems such as This can also occur when connecting using a conductive resin.
[0030]
On the other hand, the present invention has a separation layer that separates the plurality of connection pads into a plurality of regions to which the connection terminals can be connected one by one. Do not come into contact with each other, and there is no problem such as poor connection. Accordingly, it is possible to reliably connect the plurality of connection pads and the corresponding connection terminals.
[0031]
In the above capacitor, it is preferable that the plurality of regions separated by the separation layer have a substantially equal area.
When the plurality of regions have the same area, the height due to the wet spreading of the soldered conductive static resin can be made uniform, so that more reliable connection can be achieved.
[0032]
Further, in the capacitor, the separation layer is a solder resist layer formed on an outer surface of the plurality of connection pads and the peripheral edge of the conversion insulating layer or the second conversion insulating layer, and the plurality of regions are The capacitor is preferably formed by a plurality of through holes formed in the solder resist layer.
When a plurality of regions are formed by the through holes formed in the solder resist layer, the through holes can be easily formed by a screen printing technique, a photolithography technique, or a laser hole making technique. Moreover, it can prevent reliably that a solder spreads to the periphery at the time of a connection with a connection object member. Also, solder bumps can be easily formed by applying solder paste in the through holes and reflowing.
[0033]
More In addition, A multilayer capacitor unit comprising dielectric layers and electrode layers made of high-dielectric ceramics alternately stacked, each having a pair of common electrode layers that are electrically connected to each other and insulated from each other. A switching portion located on either outer side in the stacking direction of the capacitor portion, and each of the switching portions includes a plurality of connection pads that can be surface-connected to a plurality of connection terminals of the connection target member, the connection pads, and the A plurality of conversion wirings that respectively conduct with one of the pair of common electrode layers, and each of the pair of common electrode layers has a plurality of conversion wirings that conduct with at least one of the plurality of connection pads. The conversion unit includes a conversion insulating layer stacked on the outer side in the stacking direction of the multilayer capacitor unit, and the plurality of connection pads belonging to the conversion unit include the conversion isolation layer. The plurality of conversion wirings that are formed on the outer surface on the outer side in the stacking direction of the layers and belong to the conversion portion pass from one of the pair of common electrode layers through the circumferential side surface and the outer surface of the conversion insulating layer. From the other of the pair of common electrode layers connected to the connection pad via the first side surface, connect to the connection pad via the circumferential side surface and the outer surface of the conversion insulating layer. A side-side conversion section having a second side-route conversion wiring, and at least one of the connection pads is a plurality of connections that can be surface-connected to a plurality of connection terminals among the connection terminals of the connection target member to be connected. Capacitor characterized by being a pad Is preferred .
[0034]
This capacitor Then, the connection pads are respectively connected to the pair of common electrode layers of the multilayer capacitor unit by using the conversion insulating layer, the first side surface conversion wiring, and the second side surface conversion wiring. Thereby, a pair of common electrode layer currently formed in the multilayer capacitor part is changed into a connection pad which can be surface-connected with a connection terminal of a connection object member. In this way, the common electrode layer is formed with a simple structure in which the one-layer conversion insulating layer is used, the first and second side surface conversion wirings are formed on the side surface and the outer surface without forming a through hole in the conversion insulating layer. Can be connected to each connection pad. Therefore, it is possible to provide a capacitor that is inexpensive and easy to form while being surface-connectable. In addition, the overall size of the capacitor can be formed so as not to be much different from the size of the multilayer capacitor portion, so that a small capacitor can be obtained.
Further, when a plurality of connection pads are formed in this way, that is, when a plurality of connection terminals are connected to one connection pad of the capacitor, the number of connection pads is reduced compared to the number of connection terminals connected to the capacitor. be able to. Thereby, the number of conversion wirings formed in the conversion part, for example, the number of conversion via conductors and side-surface conversion wirings can be reduced. Therefore, the manufacturing is further facilitated and the cost can be reduced, and the reliability of the capacitor can be improved.
The capacitor is preferably a capacitor characterized in that any of the connection pads is the plurality of connection pads.
In this way, if all the connection pads are made of a plurality of connection pads, the number of connection pads to be formed can be sufficiently reduced, so that the number of conversion wirings, for example, the number of conversion via conductors and side conversion wirings can be reduced. It becomes.
[0035]
Also High A multilayer capacitor unit comprising dielectric layers and electrode layers made of dielectric ceramics alternately stacked, each having a pair of common electrode layers that are electrically connected to each other and insulated from each other, and the multilayer capacitor. A first conversion part and a second conversion part respectively located on both outer sides in the stacking direction of the parts, and each of the first conversion part and the second conversion part is connected to a plurality of connection terminals of the connection target member and surface connection respectively. A plurality of possible connection pads, and a plurality of conversion wirings that respectively connect the connection pads and one of the pair of common electrode layers, wherein each of the pair of common electrode layers is formed of the plurality of connection pads. A plurality of conversion wirings that conduct at least one of the plurality of conversion wirings, and at least one of the first conversion unit and the second conversion unit is outside the stacking direction of the multilayer capacitor unit. The plurality of connection pads belonging to the conversion part are formed on the outer surface of the conversion insulation layer in the stacking direction, and the plurality of conversion wirings belonging to the conversion part are From one of the pair of common electrode layers, via a side surface and an outer surface in the circumferential direction of the conversion insulating layer, the first side-surface conversion wiring connected to the connection pad, and the pair of common electrode layers A side-side conversion part having a second side-surface conversion wiring connected to the connection pad via a circumferential side surface and an outer surface of the conversion insulating layer, and at least one of the connection pads One of the capacitors is a plurality of connection pads that can be surface-connected to a plurality of connection terminals among the connection terminals of the connection target member to be connected. Is preferred .
[0036]
This capacitor Then, the connection pads are respectively connected to the pair of common electrode layers of the multilayer capacitor unit by using the conversion insulating layer, the first side surface conversion wiring, and the second side surface conversion wiring. Thereby, a pair of common electrode layer currently formed in the multilayer capacitor part is changed into a connection pad which can be surface-connected with a connection terminal of a connection object member. In this way, the common electrode layer is formed with a simple structure in which the one-layer conversion insulating layer is used, the first and second side surface conversion wirings are formed on the side surface and the outer surface without forming a through hole in the conversion insulating layer. Can be connected to each connection pad. Therefore, it is possible to provide a capacitor that is inexpensive and easy to form while being surface-connectable. In addition, the overall size of the capacitor can be formed so as not to be much different from the size of the multilayer capacitor portion, so that a small capacitor can be obtained.
Further, when a plurality of connection pads are formed in this way, that is, one connection pad of the capacitor.
If a plurality of connection terminals are connected to the node, the number of connection pads can be reduced compared to the number of connection terminals connected to the capacitor. Thereby, the number of conversion wirings formed in the conversion part, for example, the number of conversion via conductors and side-surface conversion wirings can be reduced. Therefore, the manufacturing is further facilitated and the cost can be reduced, and the reliability of the capacitor can be improved.
The capacitor is preferably a capacitor characterized in that any of the connection pads is the plurality of connection pads.
In this way, if all the connection pads are made of a plurality of connection pads, the number of connection pads to be formed can be sufficiently reduced, so that the number of conversion wirings, for example, the number of conversion via conductors and side conversion wirings can be reduced. It becomes.
[0037]
Another solution is a capacitor-attached wiring board comprising any of the capacitors described above and a wiring board.
[0038]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(Embodiment 1)
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments of a wiring board and the like of the present invention will be described with reference to the drawings. A capacitor 100 of the present invention, which is shown in a plan view and a perspective cross-sectional view in FIG.
Among these, the laminated portion 110 is a high dielectric ceramic, specifically, a substantially square plate-like shape in which a large number of dielectric layers 101 mainly composed of BaTiO3 and electrode layers 102 mainly composed of Pd are alternately laminated. A stacked body 103 is included. Further, side surfaces 103A and 103B parallel to the stacking direction (vertical direction in the drawing) of the stacked body 103 are paired with a pair of common electrode layers 104A and 104B that are electrically connected to each electrode layer 102 and insulated from each other. Are formed respectively. That is, the stacked portion 110 includes the common electrode layers 104A and 104B, the group of the first electrode layers 102A electrically connected to each other by the common electrode layer 104A, and the group of the second electrode layers 102B electrically connected to each other by the common electrode layer 104B. It has a dielectric layer 101 sandwiched between them, and has a structure similar to that of the conventional multilayer ceramic capacitor described above. Note that the uppermost second electrode layer 102BU that is electrically connected to one common electrode layer 104B is stacked on the outermost side in the stacking direction (upward in the drawing) of the stacked portion 110.
[0039]
On the other hand, the via-side conversion part 120 includes a conversion insulating layer 121 stacked on the outer side in the stacking direction (upward in the drawing) of the uppermost second electrode layer 102BU of the stacking part 110, and the outer surface (see FIG. On the middle upper surface) 121T, a large number of two types of connection pads 122, the first connection pads 122A and the second connection pads 122B indicated by broken lines in FIG. As will be described later, the connection pads 122 are respectively connected to the capacitor connection terminals CTC of the IC chip CH (see FIG. 2).
[0040]
Further, the via-side wiring extending from one common electrode layer 104A via the side surface 121A of the conversion insulating layer 121 to the outer surface 121T excluding the peripheral edge of the second connection pad 122B and the vicinity of the right end near the common electrode layer 104B. A layer 123 is provided. A part of the side surface via wiring 123 is the first connection pad 122A described above. That is, the first connection pad 122A and the one common electrode layer 104A are electrically connected by the side surface via wiring 123. Further, as shown by a broken line in FIG. 1A, the side surface via wiring 123 includes a large number of first connection pads 122A, that is, is connected simultaneously with the large number of first connection pads 122A. When each first connection pad 122A is connected to the common electrode layer 104A via the side surface via the side surface 121A of the conversion insulating layer 121, the number of side surface via wires to be formed increases and the width of each side surface via wire increases. Narrowing tends to increase the resistance and inductance of the wiring via each side surface. However, since the side surface via wires 123 of this embodiment are simultaneously connected to a large number of first connection pads 122A, it is easy to form and the resistance and inductance of the side surface via wires can be kept low.
Furthermore, a conversion via conductor 125 extending from the uppermost second electrode layer 102BU through the conversion insulating layer 121 to the outer surface 121T and connected to the second connection pad 122B is provided. Therefore, the second connection pad 122B and the other common electrode layer 104B are electrically connected through the conversion via conductor 125 and the uppermost second electrode layer 102BU.
[0041]
Thus, the two common electrode layers 104A and 104B are connected to the connection pads 122, that is, the first connection pads 122A and the second connection pads, respectively, by the side surface via wires 123 and the conversion via conductors 125 formed in the via-side conversion portion 120. Converted to 122B.
Conversely, a large number of connection pads 122 are connected to one of the two common electrode layers 104 A and 104 B of the stacked unit 110 in the capacitor 100. Moreover, as described above, each of the common electrode layers 104A and 104B is at least one of the plurality of connection pads 122. Specifically, the common electrode layer 104A has the first connection pad 122A and the common electrode layer 104B has It is connected to the second connection pad 122B.
Therefore, the capacitor 100 can be electrically connected to any of the pair of common electrode layers 104A and 104B through the connection pad 122 from above in the drawing.
[0042]
Therefore, as shown in FIG. 2, the capacitor 100 and the capacitor connection terminal CTC of the IC chip CH can be directly connected by surface connection. That is, the capacitor-attached wiring board 150 shown in FIG. 2 includes the wiring board 151 and the capacitor 100 accommodated and fixed thereto.
The wiring substrate 151 includes a wiring layer 152 therein, and an upper surface 151T includes a large number of connection pads 153 that can be surface-connected to the substrate connection terminals CTW of the IC chip CH, and a lower surface 151V includes other components such as a motherboard. Many LGA pads 154 that can be surface-connected to the wiring board are provided. Further, a substantially square through hole 151H that can accommodate the capacitor 100 is formed in the approximate center of the wiring board 151, and the above-described board connection terminal CTW is formed in the vicinity of the periphery of the through hole 151H. ing.
The connection pad 122 of the capacitor 100 and the connection pad 153 of the wiring board 151 accommodated in the through hole 151H are respectively the connection terminal CT of the IC chip CH, that is, the capacitor connection terminal CTC and the board connection terminal CTW indicated by the broken line in the drawing. And connect each surface. For example, the IC chip CH is connected to the capacitor-attached wiring board 150 (the capacitor 100 and the capacitor 100 and the like) by a known method such as connecting the connection terminals CT of the spherical bump type made of high-temperature solder and the connection pads 122 and 153 with Ag-Sn solder or the like. Flip chip connection is made to the wiring board 151).
[0043]
In this way, when the capacitor 100 and the IC chip CH are directly connected by surface connection, the capacitor connection wiring connecting the common electrode layers 104A and 104B of the capacitor 100 and the capacitor connection terminal CTC of the IC chip CH is formed in the wiring board 151. There is no need to form it, and it can be connected to the IC chip CH at a very short distance, and the inductance and resistance between them can be made extremely small. In addition, the common electrode layers 104A and 104B of the capacitor 100 can be extracted from the connection pad 122. For this reason, in the connected IC chip CH, the two common electrode layers 104A and 104B are used, one common electrode layer (for example, 104A) is set to the power supply potential, and the other (for example, 104B) is set to the ground potential. 100 can be used to reliably remove noise between both potentials.
Furthermore, the power supply potential and the ground potential can be supplied from the capacitor 100 with low resistance and low inductance through the capacitor connection terminal CTC to places where the power supply potential and ground potential in the IC chip CH are required.
Since the internal structure of the capacitor 100 has already been described (see FIG. 1B), it is abbreviated in this figure.
[0044]
Next, a method for manufacturing the capacitor 100 will be described with reference to FIG.
First, as shown in FIG. 3A, a number of high dielectric ceramic green sheets (hereinafter also simply referred to as “sheets”) 181 mainly composed of BaTiO 3 powder are manufactured by a known green sheet manufacturing technique.
Next, for one of the sheets 181, as shown in FIG. 3B, an unfired via conductor 183 made of Pd paste and penetrating between the front surface 181 T and the back surface 181 V is provided at a predetermined position of the sheet 181. Form. Further, an unfired conductor layer 184 and an unfired connection pad 185 made of Pd paste are formed on the surface 181T. Among these, the unfired connection pads 185 are formed at positions where they are connected to the unfired via conductors 183, respectively.
[0045]
About half of the other sheets 181, as shown in FIG. 3C, the unfired first electrode layer 182 A made of Pd paste is formed on the surface 181 T. As for the remaining half, as shown in FIG. 3D, an unfired second electrode layer 182B made of Pd paste is formed on the surface 181T. Both the unfired first electrode layer 182A and the unfired second electrode layer 182B cover almost the entire surface 181T of the sheet 181, but the unfired first electrode layer 182A is near the right end of the sheet 181 in the drawing, and conversely, The fired second electrode layer 182B has a pattern that does not cover the vicinity of the left end of the sheet 181 in the drawing.
[0046]
Next, the sheet 181 on which the unfired first electrode layer 182A is formed and the sheet 181 on which the unfired second electrode layer 182B is formed are alternately laminated, and further, the unfired conductor layer 184 and the unfired The sheets 181 on which the connection pads 185 are formed are stacked and pressure bonded to form a stacked body 186 as shown in FIG. The unfired first electrode layer 182A is exposed on the side surface 186A of the laminate 186, and the unfired second electrode layer 182B is exposed on the side surface 186B. Further, unfired common electrode layers 187A and 187B made of Pd are formed on the side surfaces 186A and 186B, respectively. Note that the unfired common electrode layer 187A is formed so as to be connected to the unfired conductor layer 184 as well.
[0047]
In this laminate 186, the unfired common electrode layer 187A is connected to any unfired first electrode layer 182A, and is also connected to the unfired conductor layer 184. On the other hand, the unfired common electrode layer 187B is connected to any unfired second electrode layer 182B, and the uppermost unfired second electrode layer 182BU and unfired via conductor 183 are stacked on the outermost side in the stacking direction (the uppermost in the drawing). The unfired connection pad 185 is also connected via the via.
Next, the multilayer body 186 is fired (simultaneously fired) to form the capacitor 100 shown in FIG. Since the capacitor 100 is formed in this way, it can be used as a capacitor immediately after firing. In order to improve solder wettability at the time of connection with the capacitor connection terminal CTC of the IC chip CH, Ni—Au plating is applied to the side surface wiring layer 123 (first connection pad 122A) and the second connection pad 122B after firing. You may make it perform plating, such as.
Thus, when the capacitor 100 is formed by simultaneous firing, the capacitor 100 can be formed easily and inexpensively.
[0048]
(Modification 1)
In the first embodiment, the capacitor 100 having the laminated part 110 and the via-side changing part 120 is formed by simultaneous firing. However, it is also possible to form a capacitor having a similar structure by forming a via-side conversion part after forming the laminated part first.
The capacitor 200 of the present modification is different from the capacitor 100 only in the manufacturing method and material, and the advantages when connected to the capacitor structure, IC chip CH, etc. are not changed. Simplify.
[0049]
In the capacitor 200 of this modification, as shown in FIG. That is, as shown in FIG. 4A, the BaTiO3 powder is used as the main component, as in the first embodiment.
Many sheets 281 to be manufactured are manufactured.
About half of the sheets 281, the unfired first electrode layer 282 A made of Pd paste is formed on the surface 281 T, as described with reference to FIG. b)). For the remaining half, as in FIG. 3D, the unfired second electrode layer 282B made of Pd paste is formed on the surface 281T (see FIG. 4B). The unfired first electrode layer 282A and the unfired second electrode layer 282B both cover almost the entire surface 281T of the sheet 281. However, the unfired first electrode layer 282A is in the vicinity of the right end of the sheet 281 in the figure, reversely. The unfired second electrode layer 282B has a pattern that does not cover the vicinity of the left end of the sheet 281 in the drawing.
[0050]
Next, the sheet 281 on which the unfired first electrode layer 282A is formed and the sheet 281 on which the unfired second electrode layer 282B is formed are alternately laminated and pressed to form an unfired laminate, and the two An unfired common electrode layer made of Pd is formed on each side surface. By simultaneously firing the unsintered stacked body, a stacked portion 210 shown in FIG. 4C is completed. The stacked unit 210 includes a stacked body 203 in which a large number of dielectric layers 201 and electrode layers 202 are alternately stacked. Further, a side surface 203A, 203B parallel to the stacking direction (vertical direction in the figure) of the stacked body 203 is paired with a pair of common electrode layers 204A, 204B that are electrically connected to each electrode layer 202 and insulated from each other. Are formed respectively.
That is, the stacked portion 210 includes the common electrode layers 204A and 204B, the group of first electrode layers 202A that are electrically connected to each other through the common electrode layer 204A, and the group of second electrode layers 202B that are electrically connected to each other through the common electrode layer 204B. It has a dielectric layer 201 sandwiched between them, has a structure substantially similar to that of the conventional multilayer ceramic capacitor described above, and can function as a capacitor having two common electrode layers 204A and 204B.
Note that the uppermost second electrode layer 202BU that is electrically connected to one common electrode layer 204B is stacked on the outermost side in the stacking direction (upward in the drawing) of the stacked portion 210.
[0051]
Subsequently, a via-side changing portion 220 is formed on the stacked portion 210. First, as shown in FIG. 5A, an exposed portion (left end portion in the drawing) of the upper surface 202BUT of the uppermost second electrode layer 202BU and the upper surface 201UT of the uppermost dielectric layer 201U located immediately below the uppermost second electrode layer 202BU. In addition, a conversion insulating layer 205 made of an epoxy resin is formed by a known method. Specifically, a film-like uncured resin is attached and cured.
[0052]
Next, as shown in FIG. 5B, a through-hole 205H reaching the uppermost second electrode layer 202BU is formed by a laser at a predetermined position of the conversion insulating layer 205.
After that, as shown in FIG. 5C, Ag-containing conductive resin paste is filled in the through hole 205H, the upper surface 205T of the conversion insulating layer 205, and the side surface 205A of the conversion insulating layer 205 close to the common electrode layer 204A. The via-side wiring layer 206, the conversion via conductor 207, and the second connection pad 208 connected to the common electrode layer 204 A are formed by coating and curing to form the via-side conversion unit 220. Note that a portion indicated by a broken line in the conversion via wiring layer 206 plays a role of the first connection pad 206P.
As a result, the capacitor 200 includes the multilayer part 210 having a capacitor function and the via-side conversion part 220 that converts the two common electrode layers 204A and 204B into the first connection pad 206P and the second connection pad 208 that can be surface-connected. Is formed. Similar to the capacitor 100, the capacitor 200 can be directly surface-connected to the IC chip CH or the like, and can play a role of noise removal and potential supply to each part.
In the above modification, the via-interconnect wiring layer 206 and the like are formed using the Ag-containing conductive resin paste, but other conductive resin pastes can be used in consideration of the solder material used at the time of connection.
[0053]
(Modification 2)
In the first modification, the conversion insulating layer 205 is formed on the stacked portion 210 and perforated with laser, but a photosensitive resin layer can also be used. In the first modification, the side via wiring layer 206, the conversion via conductor 207, and the second connection pad 208 are formed using Ag paste, but these may be formed by a plating technique.
In the present modified embodiment, after the stacked portion 210 is formed in the same manner as in the above modified embodiment 1, as shown in FIG. An uncured photosensitive resin insulating layer made of an epoxy resin is formed on the exposed portion (left end portion in the figure) of the upper surface 202UT of the uppermost dielectric layer 201U positioned by a known method. Specifically, a film-like uncured photosensitive resin is attached. Then, after exposing and developing to form a through hole at a predetermined position, it is cured to form a conversion insulating layer 305 having a through hole 305H.
[0054]
Next, as shown in FIG. 6B, the electroless Cu plating layer 301 is formed in the common electrode layers 204A and 204B, the side surface 305A of the conversion insulating layer 305, the upper surface 305T, the through hole 305H, and the like. Further, a film-like plating resist is attached, exposed and developed to form a plating resist layer R having a predetermined shape.
[0055]
Subsequently, electrolytic Cu plating is performed using the electroless Cu plating layer 301 as an electrode, the plating resist layer R is removed, and the unnecessary electroless Cu plating layer 301 therebelow is removed by soft etching, whereby FIG. ), The via-side conversion layer 320 is formed by forming the side via wiring layer 306, the conversion via conductor 307, and the second connection pad 308. A portion indicated by a broken line in the conversion via wiring layer 306 serves as the first connection pad 306P. In addition, the common electrode layers 304A and 304B are also thickened by applying Cu plating to the three common electrode layers 204A and 204B.
[0056]
Accordingly, the capacitor 300 having the multilayer part 210 having a capacitor function and the via-side conversion part 320 that converts the two common electrode layers 304A and 304B into the first connection pad 306P and the second connection pad 308 that can be surface-connected. Is formed. Similarly to the capacitors 100 and 200, the capacitor 300 can be directly surface-connected to the IC chip CH and the like, and can play a role of noise removal and potential supply to each part. Furthermore, in the capacitor 300 according to this modified embodiment, the lateral via wiring layer 306, the second connection pad 308, and the like are formed by using the photolithography technique, so that the positional accuracy can be increased. Therefore, the surface connection with the IC chip CH or the like having the capacitor connection terminal CTC having a fine dimension can be more reliably performed.
In the above description, the so-called semi-additive method is used, but other methods such as a subtractive method and a full additive method can also be used. In consideration of solder wettability at the time of connection with the IC chip, Ni plating or Ni and Au plating may be applied after Cu plating.
[0057]
(Embodiment 2)
In the first embodiment, etc., a capacitor is shown in which a via-side conversion part is provided on one side (upper part in the drawing) of the lamination part, and the via-side conversion part can be connected to an IC chip or the like. You may provide a via-side change part in the lamination direction both sides of a lamination | stacking part. That is, the capacitor 400 of the present invention, which is shown in FIG. 7 in a plan view and a perspective sectional view, has a substantially square plate shape in plan view, and is roughly divided into a laminated part 410, two upper and lower conversion parts, and a first via-side conversion part. 420 and a second via-side conversion part 430. The capacitor 400 is substantially the same as the capacitor 100 according to the first embodiment except that two conversion units are provided. Therefore, the description of the same parts is omitted or simplified.
[0058]
As in the first embodiment, the stacked unit 410 includes a large number of dielectric layers 401 and electrode layers 402 alternately.
A stacked body 403 having a substantially square plate shape is stacked. Further, on the side surfaces 403A and 403B parallel to the stacking direction (vertical direction in the figure) of the stacked body 403, a pair of common electrode layers 404A and 404B that are electrically connected to each electrode layer 402 and insulated from each other. Are formed respectively. That is, the stacked portion 410 includes the common electrode layers 404A and 404B, the group of first electrode layers 402A that are electrically connected to each other through the common electrode layer 404A, and the group of second electrode layers 402B that are electrically connected to each other through the common electrode layer 404B. It has a dielectric layer 401 sandwiched between them, and has a structure substantially similar to that of a conventional multilayer ceramic capacitor. Note that the uppermost second electrode layer 402BU and the lowermost second electrode layer 402BS that are electrically connected to one common electrode layer 404B are stacked on the outermost side in the stacking direction (upper and lower in the drawing) of the stacked portion 410, respectively. ing.
[0059]
The first via-side changing portion 420 is the same as the via-side changing portion 120 in the first embodiment. That is, a conversion insulating layer 421 is provided on the outer side in the stacking direction (upward in the drawing) of the uppermost second electrode layer 402BU of the stacked portion 410, and the outer surface (upper surface in the drawing) 421T of the conversion insulating layer 421 includes A large number of two types of connection pads 422, a first connection pad 422A and a second connection pad 422B, indicated by broken lines in FIG. As in the case of the first embodiment, the connection pads 422 can be directly connected to the capacitor connection terminals CTC of the IC chip CH (see FIG. 8), and the capacitor-attached wiring board with a built-in capacitor is used. In addition, it can be connected to connection terminals of other electronic components such as an IC chip and a mother board via a resin insulating layer or the like.
Also, the via-side wiring extending from one common electrode layer 404A via the side surface 421A of the conversion insulating layer 421 to the outer surface 421T excluding the peripheral edge of the second connection pad 422B and the right end near the common electrode layer 404B. Layer 423 is provided. A part of the side via wiring 423 serves as the first connection pad 422A described above. That is, the first connection pad 422A and the one common electrode layer 404A are electrically connected by the side surface via wiring 423. Further, the side surface via wiring 423 is connected simultaneously with a large number of the first connection pads 422A, and can be easily formed, and the resistance and inductance of the side surface wiring can be kept low.
[0060]
In addition, conversion via conductors 425 extending from the uppermost second electrode layer 402BU through the conversion insulating layer 421 to the outer surface 421T and connected to the second connection pads 422B, respectively. Therefore, the second connection pad 422B and the other common electrode layer 404B are electrically connected through the conversion via conductor 425 and the uppermost second electrode layer 402BU.
Further, in the present embodiment, the second via-side conversion part 430 is provided below the stacked part 410 in the drawing. The second via-side changing part 430 has substantially the same structure as the first via-side changing part 420. That is, a conversion insulating layer 431 is provided on the outer side (lower side in the drawing) of the lowermost second electrode layer 402BS of the stacking portion 410, and the outer surface (lower surface in the drawing) 431V of the conversion insulating layer 431 includes In FIG. 7B, a large number of two types of connection pads 432, a third connection pad 432A and a fourth connection pad 432B, indicated by broken lines are formed in a lattice shape. The connection pads 432 can be directly connected to the respective capacitor connection terminals of a wiring board such as a mother board (see FIG. 8). It can also be connected to connection terminals of other electronic components such as a motherboard.
[0061]
Also, the via-side wiring that extends from one common electrode layer 404A through the side surface 431A of the conversion insulating layer 431 to the outer surface 431V excluding the peripheral edge of the fourth connection pad 432B and the right end near the common electrode layer 404B. A layer 433 is provided. A part of the side surface via wiring 433 is the above-described third connection pad 432A. That is, the third connection pad 432A and one common electrode layer 404A are electrically connected by the side surface via wiring 433. Further, the side surface via wires 433 are simultaneously connected to a large number of third connection pads 432A, and can be easily formed, and the resistance and inductance of the side surface via wires can be kept low.
[0062]
In addition, a conversion via conductor 435 extending from the lowermost second electrode layer 402BS through the conversion insulating layer 431 to the outer surface 431T and connected to the fourth connection pad 432B is provided. Therefore, the second connection pad 432B and the other common electrode layer 404B are electrically connected through the conversion via conductor 435 and the lowermost second electrode layer 402BS.
The capacitor 400 is different from the capacitor 100 in that it includes not only the first via-side changing part 420 but also the second via-side changing part 430. However, regarding the manufacturing method, the unfired first electrode layer 182A or the unfired second electrode layer 182B is formed on the surface, and the unfired via substantially the same as the sheet 181 shown in FIG. If a sheet on which a conductor, an unfired conductor layer, and an unfired connection pad are formed and laminated, and formed by simultaneous firing, they can be formed by almost the same method.
Further, in the same manner as in the first and second modifications, the laminated portion 210 may be formed in advance, and the second via-side changing portion 430 may also be formed by a resin insulating layer, a conductive paste, or plating. .
[0063]
The capacitor 400 of the present embodiment can be directly connected to the IC chip as in the first embodiment, and can be further connected to a wiring board such as a mother board by the second via-side conversion section 430. That is, as shown in FIG. 8, the capacitor-attached wiring board 450 having the capacitor 400 in the through hole 151H is interposed between the mother board WB and the IC chip CH so that the two can be connected. In this way, the board connection terminal WTW of the motherboard WB can be connected to the board connection terminal CTW of the IC chip CH via the internal wiring 152 in the wiring board 151, and the connection pad 432 and the capacitor connection terminal WTC of the motherboard WB can be connected. It can be connected to the capacitor connection terminal CTC of the IC chip CH through the connection pad 422. In addition, as shown in the circuit diagram of FIG. 9, the first connection pad 422A and the third connection pad 432A, and the second connection pad 422B and the fourth connection pad 432B to which the capacitor connection terminals WTC and CTC are connected respectively are common. The electrode layers 404A and 404B are electrically connected to each other, and the capacitor 400 is connected between them.
[0064]
Therefore, for example, by connecting the ground potential to the third connection pad 432A and the power supply potential to the fourth connection pad 432B, the IC chip CH can be connected to the IC chip CH with low resistance and low inductance without going through the internal wiring 152 of the wiring board 150. A power supply potential and a ground potential can be supplied. Moreover, noise generated between the potentials can be surely removed by the capacitor 400 in the vicinity of the IC chip CH.
Since the internal structure of the capacitor 400 has already been described (see FIG. 7B), it is abbreviated in this figure.
[0065]
Alternatively, a capacitor-attached wiring board in which the capacitor 400 is built and fixed in the wiring board is formed, and the connection terminals 422 and 432 of the capacitor 400 are connected to the IC chip via the internal wiring formed on the resin insulating layer, the core board, or the like. It can also be connected to a CH or a motherboard WB. Even in this case, the power supply potential and the ground potential can be supplied from the motherboard WB to the IC chip CH through the capacitor 400 with low resistance and low inductance. Further, the capacitor 400 can remove noise between them in the immediate vicinity of the IC chip CH.
[0066]
(Modification 3)
In the capacitor 400, each of the first connection pads 422A is formed as a part of the side via wiring layer 423, and the first connection pads 422A are a plurality of connection pads connected to each other. On the other hand, all of the second connection pads 422B are independent from each other and are connected to the uppermost second electrode layer 402BU through the conversion via conductors 425, respectively. However, the second connection pads may be a plurality of connection pads in which a plurality of second connection pads are connected.
In the capacitor 500 according to the present modification shown in FIG. 10, the first via-side surface provided with the second plurality of connection pads 524, in addition to the stacked portion 410 and the second via-side surface changing portion 430 similar to those of the third embodiment. A conversion unit 520 is included.
The first via-side conversion section 520 includes a conversion insulating layer 521 that is stacked on the outer side in the stacking direction (upward in the drawing) of the uppermost second electrode layer 402BU of the stacking section 410, and the outer surface of the conversion insulating layer 521 (see FIG. A plurality of connection pads 522 of a first connection pad 522A and a second connection pad 522B indicated by broken lines in FIG. As in the case of the third embodiment, the connection pads 522 are directly connected to the capacitor connection terminals of the IC chip or built in the wiring board attached to the capacitor, and then connected to electronic components such as an IC chip. Can be connected.
[0067]
In the second connection pad 522B, as in the third embodiment, in addition to the independent second connection pad 522BD independent of the other, the connection second connection pad 522BC belonging to the second plurality of connection pads 524 including a plurality of connection pads is provided. There are two types. The independent second connection pads 522BD are individually connected to the uppermost second electrode layer 402BU by the conversion via conductors 525, as in the third embodiment, but the connection second connection pads 522BC are shown in FIG. As shown, one second plurality of connection pads 524 including a plurality of connection second connection pads 522BC are connected to the uppermost second electrode layer 402BU by one conversion via conductor 525.
When the second plurality of connection pads 524 including the plurality of connection second connection pads 522BC are formed in this way, the number of conversion via conductors 525 formed in the conversion insulating layer 521 is reduced from the number of second connection pads 522B formed. Therefore, the capacitor 500 can be easily formed.
[0068]
( reference Form 1 )
Then reference Form 1 Will be described. In the above embodiment, each capacitor has a via-side changing part (first and second via-side changing part) in addition to the laminated part, and one of the common electrode layers formed on the side of the laminated part is a side face. By the via wiring layer, the other was converted into the first and second connection pads which can be surface-connected by the conversion via conductor. In contrast, the book reference In the form, for example, as shown in FIG. 11, the common electrode layers 104A and 104B are both converted into connection pads that can be surface-connected by the side surface wiring layer.
That is, book reference The capacitor 600 according to the embodiment includes a side surface-side surface conversion unit 620 in addition to the stacked unit 110 similar to that of the first embodiment. The side-to-side conversion unit 620 includes a conversion insulating layer 621 that is stacked on the outer side in the stacking direction (upward in the drawing) of the uppermost second electrode layer 102BU of the stacked unit 110, and the outer surface of the conversion insulating layer 621 (see FIG. In the middle upper surface 621T, a large number of two types of connection pads 622, a first connection pad 622A and a second connection pad 622B, indicated by broken lines in FIG. The connection pads 622 are respectively connected to the capacitor connection terminals CTC of the IC chip CH as in the first embodiment (see FIG. 2).
[0069]
Further, the first side-surface wiring of the comb-tooth pattern that spreads from the two common electrode layers 104A and 104B to the outer surface 621T through the side surfaces 621A and 621B of the conversion insulating layer 621, and is insulatively engaged with each other. A layer 623 and a second side surface via wiring layer 624 are provided. The first side surface via wiring layer 623 and the second side surface via wiring 624 are partly formed as the first connection pad 622A and the second connection pad 622B, respectively. That is, the first connection pad 622A and the one common electrode layer 104A are electrically connected by the first side surface via wiring 623. Similarly, the second connection pad 622B and the other common electrode layer 104B are electrically connected by the second side surface via wiring 624.
Further, as shown by the broken line in FIG. 11, the first side surface via wiring 623 includes a large number of first connection pads 622A, that is, is connected simultaneously with the large number of first connection pads 622A. When each first connection pad 622A is connected to the common electrode layer 604A via the side-surface wiring via the side surface 621A of the conversion insulating layer 621, the number of side-surface wiring to be formed increases, and the width of each side-surface wiring is increased. Narrowing tends to increase the resistance and inductance of each side-routed wiring. But book reference Since the side surface via wiring 623 is connected to a large number of first connection pads 622A at the same time, it is easy to form and the resistance and inductance of the side via wiring can be kept low. The relationship between the second side surface via wiring 624 and the second connection pad 622B is the same.
Also with such a capacitor 600, the two common electrode layers 104A and 104B formed on the side surface portion of the laminated portion 110 can be converted into connection pads 622 (622A and 622B) that can be connected to each other. It can be connected to the IC chip CH at a very short distance, such as being connected to the IC chip CH, and the inductance and resistance between them can be made extremely small. In addition, by using the two common electrode layers 104A and 104B, one common electrode layer (for example, 104A) is set to the power supply potential, and the other (for example, 104B) is set to the ground potential. The noise in between can be surely removed.
[0070]
Next, a method for manufacturing the capacitor 600 will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 12A, a large number of high dielectric ceramic green sheets 181 mainly composed of BaTiO 3 powder as in Embodiment 1 are manufactured.
Next, one of the sheets 181 has a comb-like pattern (see FIG. 11) made of Pd paste and meshed with each other at a predetermined position on the surface 181 of the sheet 181 as shown in FIG. Unfired conductor layers 683 and 684 are formed.
[0071]
About half of the other sheets 181, as shown in FIG. 12C, as in the first embodiment, the unfired first electrode layer 182 A made of Pd paste is formed on the surface 181 T. As for the remaining half, as shown in FIG. 12D, an unfired second electrode layer 182B made of Pd paste is formed on the surface 181T. Both the unfired first electrode layer 182A and the unfired second electrode layer 182B cover almost the entire surface 181T of the sheet 181, but the unfired first electrode layer 182A is near the right end of the sheet 181 in the drawing, and conversely, The fired second electrode layer 182B has a pattern that does not cover the vicinity of the left end of the sheet 181 in the drawing.
[0072]
Next, the sheet 181 on which the unfired first electrode layer 182A is formed and the sheet 181 on which the unfired second electrode layer 182B is formed are alternately stacked, and the unfired conductor layers 683 and 684 are formed on the top. The laminated sheets 181 are laminated and pressure-bonded to form a laminated body 686 as shown in FIG. The unfired conductor layer 683 and the unfired first electrode layer 182A are exposed on the side surface 686A of the multilayer body 686, and the unfired conductor layer 684 and the unfired second electrode layer 182B are exposed on the side surface 686B. Further, unfired common electrode layers 687A and 687B made of Pd are formed on the side surfaces 686A and 686B, respectively.
[0073]
In this laminated body 686, the unfired common electrode layer 687A is connected to any unfired first electrode layer 182A, and is also connected to the unfired conductor layer 683. On the other hand, the unfired common electrode layer 687B is connected to any unfired second electrode layer 182B, and is also connected to the unfired conductor layer 684.
Next, the laminate 186 is fired (simultaneously fired) to form the capacitor 600 shown in FIG. Since the capacitor 600 is formed in this way, it can be used as a capacitor immediately after firing as in the first embodiment. In order to improve solder wettability at the time of connection with the capacitor connection terminal CTC of the IC chip CH and the like, after firing, the first side surface via wiring layer 623 (first connection pad 622A) and the second side surface via wiring layer 624 (first The 2 connection pads 622B) may be plated with Ni—Au plating or the like.
Thus, when the capacitor 600 is formed by simultaneous firing, the capacitor 600 can be formed easily and inexpensively. Furthermore, in this capacitor 600, since it is not necessary to form the unsintered via conductor 183 in the sheet 181 (see FIG. 3B), it is easier to form compared to the capacitor 100 of the first embodiment.
[0074]
( reference Form 2 )
Next, a capacitor is shown in which side-to-side changing portions are provided on both sides in the stacking direction of the laminated portion (upper and lower parts in the drawing), and an IC chip or the like can be surface-connected at the side-to-side changing portion. That is, FIG. 13 shows a plan view and a perspective sectional view. Reference form The capacitor 700 of FIG. 2 has a substantially square plate shape in plan view, and is roughly divided into a laminated portion 410 similar to that of the second embodiment, and two upper and lower conversion portions, a first side surface-side surface conversion portion 720 and a second side surface-side surface conversion. Part 730. Of the capacitor 700, the laminated portion 410 is the embodiment. 2 The capacitor 400 is similar to the capacitor 400 of FIG. Reference form 1 Since this is the same as the side-to-side conversion part 620 of the capacitor 600, the description of the same part is omitted or simplified.
[0075]
The stacking unit 410 is an embodiment. 2 A pair of common electrode layers 404A and 404B are respectively formed on side surfaces 403A and 403B parallel to the stacking direction (vertical direction in the figure). Note that the uppermost second electrode layer 402BU and the lowermost second electrode layer 402BS that are electrically connected to one common electrode layer 404B are stacked on the outermost side in the stacking direction (upper and lower in the drawing) of the stacked portion 410, respectively. ing.
[0076]
Meanwhile, the first side surface-side surface conversion unit 720 includes: Reference form 1 This is the same as the side-side changing portion 620 in the capacitor 600 of FIG. The first side surface-side surface conversion unit 720 includes a conversion insulating layer 721 that is stacked on the outer side in the stacking direction (upward in the drawing) of the uppermost second electrode layer 402BU of the stacked unit 410, and the outer surface of the conversion insulating layer 721 (Upper surface in the figure) 721T has a number of two types of connection pads 722, a first connection pad 722A and a second connection pad 722B, shown in broken lines in FIG. The connection pads 722 can also be surface-connected to the capacitor connection terminal CTC of the IC chip CH, respectively (see FIG. 2).
[0077]
Further, the first side-surface wiring of the comb-like pattern that extends from the two common electrode layers 404A and 404B to the outer surface 721T via the side surfaces 721A and 721B of the conversion insulating layer 721, respectively, and is insulatively engaged with each other. A layer 723 and a second side surface via wiring layer 724 are provided. Some of these are the first connection pad 722A and the second connection pad 722B, respectively. That is, the first connection pad 722A and the one common electrode layer 404A are electrically connected by the first side surface wiring 723, and the second connection pad 722B and the other common electrode layer 404B are electrically connected by the second side surface wiring 724. is doing.
Further, the first side surface via wiring 723 includes a large number of first connection pads 722A and is connected simultaneously with the large number of first connection pads 722A, as indicated by broken lines in FIG. As described above, when the first side surface via wiring 723 is simultaneously connected to many first connection pads 722A, it is easy to form and the resistance and inductance of the first side surface via wiring can be kept low. The relationship between the second side surface via wiring 724 and the second connection pad 722B is the same.
[0078]
In addition, book reference In the embodiment, a second side surface-side surface conversion unit 730 is provided below the stacked unit 410 in the drawing. The second side surface-side surface changing portion 730 has substantially the same structure as the first side surface-side surface changing portion 720. That is, it includes a conversion insulating layer 731 that is stacked on the outer side in the stacking direction of the lowermost second electrode layer 402BS (downward in the drawing) of the stacked portion 410, and the outer surface (lower surface in the drawing) 731V of the conversion insulating layer 731 includes In FIG. 13B, a large number of two types of connection pads 732, a third connection pad 732A and a fourth connection pad (not shown), indicated by broken lines are formed in a lattice pattern. Similarly to the second embodiment, the connection pads 732 can be directly connected to the capacitor connection terminals of a wiring board such as a mother board (see FIG. 8), and a capacitor-attached wiring board with a built-in capacitor can be used. Further, it can be connected to connection terminals of other electronic components such as a mother board through a resin insulating layer or the like.
[0079]
Further, the third side-surface wiring of the comb-tooth pattern that spreads from the two common electrode layers 404A and 404B to the outer surface 731V via the side surfaces 731A and 731B of the conversion insulating layer 731 and is insulatively engaged with each other. A layer 733 and a fourth side surface via wiring layer 734 are provided. Some of these are the above-described third connection pads 732A and fourth connection pads, respectively. In other words, the third connection pad 732A and the one common electrode layer 404A are electrically connected by the third side surface wiring 733, and the fourth connection pad (not shown) and the other common electrode layer 404B are also electrically connected by the fourth side surface wiring 734. And is conducting.
Further, as shown by a broken line in FIG. 13B, the third side surface via wiring 733 includes a large number of third connection pads 732A and is connected simultaneously with the large number of third connection pads 732A. As described above, when the third side surface via wiring 733 is simultaneously connected to many third connection pads 732A, it is easy to form and the resistance and inductance of the third side surface wiring can be kept low. The fourth side surface via wiring 734 has the same relationship with the fourth connection pad.
[0080]
Book reference Similarly to the capacitor 400 of the second embodiment, the capacitor 700 of the embodiment can be directly connected to the IC chip, and can be further connected to a wiring board such as a mother board by the second side surface-side surface conversion unit 730 (FIG. 8). FIG. 9).
Therefore, the power supply potential and the ground potential can be supplied to the IC chip CH with low resistance and low inductance without using the internal wiring of the wiring board. Moreover, noise generated between the potentials can be surely removed by the capacitor 700 in the vicinity of the IC chip CH.
Alternatively, as in the second embodiment, a capacitor-attached wiring board in which the capacitor 700 is built and fixed is formed, and the connection terminals 722 and 732 of the capacitor 700 are routed through the internal wiring formed of a resin insulating layer, a core substrate, or the like. It can also be connected to an IC chip CH, a motherboard WB, or the like. Even in this case, the power supply potential and the ground potential can be supplied from the motherboard WB to the IC chip CH through the capacitor 700 with low resistance and low inductance. Further, the capacitor 700 can remove noise between them in the immediate vicinity of the IC chip CH.
The capacitor 700 is Reference form 1 The capacitor 600 can be easily formed, and is particularly easy to form in that it is not necessary to form an unfired conversion via conductor.
[0081]
( Reference form 3 )
the above Reference form 2 Then, a part of the first side surface wiring layer 723, the second side surface wiring layer 724, the third connection pad 732A, and the fourth connection pad (not shown) made of Pd and having a flat upper surface are connected to the connection pads 722 and 732, respectively. For example, when the IC chip CH is connected to the capacitor terminal CTC, the amount of solder that contributes to the connection becomes unstable due to the solder spreading, or the solder contacts between adjacent connection pads and solder The amount may be biased.
So, for example, a book Reference form 3, when a separation layer (solder resist layer) that prevents the solder from spreading and separates between adjacent connection pads is formed when connecting to other electronic components such as an IC chip and a wiring board. good.
That is, the capacitor 800 shown in FIG. Reference form 2 Solder resist layers 821 and 831 having through holes 821H and 831H formed at positions corresponding to the connection pads 722 and 732 are formed above and below the capacitor 700, respectively.
[0082]
Book Reference form The capacitor 800 includes, in addition to the laminated portion 410, two conversion portions, a first side surface-side surface conversion portion 820 and a second side surface-side surface conversion portion 830.
Among these, the 1st side surface-side surface conversion part 820 is: Reference form 2 As shown in FIG. 14, the outer surface 721T of the conversion insulating layer 721 is indicated by a broken line on the outer surface 721T of the uppermost second electrode layer 402BU in the stacking portion 410. A large number of two types of connection pads 722, a first connection pad 722A and a second connection pad 722B, are formed in a lattice shape. Further, the first common-side electrode layer 404A, 404B extends to the outer surface 721T via the side surfaces 721A, 721B of the conversion insulating layer 721, respectively, and the first side surface wiring layer having a comb-tooth pattern that is insulatively engaged with each other. 723 and a second side surface via wiring layer 724. Some of these are the first connection pad 722A and the second connection pad 722B, respectively.
[0083]
Further, on the first side surface via wiring layer 723 and the second side surface via wiring layer 724, positions made of epoxy resin and corresponding to the first connection pad 722A and the second connection pad 722B indicated by broken lines in FIG. A solder resist layer 821 having a pattern in which a through hole 821H is formed is formed.
Therefore, for example, when the first connection pad 722A or the second connection pad 722B is connected to the capacitor connection terminal CTC of the IC chip CH (see FIG. 8), the solder passes through the first side surface other than the first connection pad 722A and the like. It does not spread over the wiring layer 723 or the second side surface via wiring layer 724.
Therefore, the amount of solder applied to the connection between the first connection pad 722A and the second connection pad 722B of the capacitor 800 and other electronic components is stabilized, and the connection can be ensured.
[0084]
Similarly, the second side-side conversion part 830 is Reference form 2 And a conversion insulating layer 731 stacked on the outer side in the stacking direction (downward in the drawing) of the lowermost second electrode layer 402BS of the stacked portion 410, and the outer surface 731V of the conversion insulating layer 731 is indicated by a broken line in FIG. A large number of two types of connection pads 732, a third connection pad 732A and a fourth connection pad (not shown), are formed in a lattice shape. Further, the third side via wiring layer of the comb-tooth pattern that spreads from the two common electrode layers 404A and 404B to the outer surface 731V via the side surfaces 731A and 731B of the conversion insulating layer 731 respectively and is engaged with each other while being insulated from each other. 733 and a fourth side surface via wiring layer 734 are provided. Some of these are the above-described third connection pads 732A and fourth connection pads, respectively.
[0085]
Further, the third side surface via wiring layer 733 and the fourth side surface via wiring layer 734 are also made of epoxy resin at positions corresponding to the third connection pads 732A and the fourth connection pads indicated by broken lines in FIG. A solder resist layer 831 having a pattern in which the through holes 831H are formed is formed.
For this reason, for example, when the third connection pad 732A or the fourth connection pad is connected to the capacitor connection terminal WTW of the motherboard WB (see FIG. 8), the solder is connected to the third side surface wiring layer other than the third connection pad 732A or the like. 733 and the fourth side via wiring layer 734 are not wetted and spread.
Accordingly, the amount of solder applied to the connection between the third connection pad 732A and the fourth connection pad of the capacitor 800 and the other electronic components is stabilized, and the connection can be ensured.
[0086]
In this capacitor 800, after the capacitor 700 is formed, solder resist layers 821 and 831 having through holes 821H and 831H are formed by applying a predetermined pattern of resin paste or by a photolithography technique using a photosensitive resin. A known method may be used.
Also, above Reference form 3 Then, the solder resist layers 821 and 831 are formed on substantially the entire upper and lower surfaces of the capacitor 700 except for the circular through holes 821H and 831H. However, the solder resist layers prevent the solder from spreading and are connected to each other. It is sufficient if the pads can be separated from each other, and it is not necessary to form the pads on almost the entire surface. Further, the shape of the through hole is not limited to a circular shape, and may be an appropriate shape such as a square shape. However, the areas of the openings corresponding to the individual connection pads 722 and the like are preferably equal to each other. This is because the amount of solder applied to the connection can be made uniform by making the area where the solder wets and spreads constant.
[0087]
(Embodiment 5)
Next, still another embodiment will be described. In the above embodiment, each capacitor has a via-side changing portion or a side-side changing portion in addition to the laminated portion. On the other hand, in the present embodiment, for example, as shown in FIG. 15, the common electrode layers 904A and 904B are both converted into connection pads that can be surface-connected by the conversion via conductors.
That is, the capacitor 900 according to the present embodiment includes a via-via switching unit 920 in addition to the stacked unit 910.
Among these, the laminated portion 910 has a structure substantially the same as that of the laminated portion 110 of the first embodiment, and has a substantially square plate-like laminated ceramic capacitor structure in which a large number of dielectric layers 901 and electrode layers 902 are alternately laminated. It has a body 903. Further, on the side surfaces 903A and 903B parallel to the stacking direction (vertical direction in the drawing) of the stacked body 903, a pair of common electrode layers 904A and 904B that are electrically connected to each electrode layer 902 and insulated from each other. Are formed respectively. In other words, the multilayer portion 910 has a structure substantially similar to that of the conventional multilayer ceramic capacitor. Note that an uppermost first electrode layer 902AU that is electrically connected to one common electrode layer 904A is stacked on the outermost side in the stacking direction (upward in the drawing) of the stacked portion 910.
[0088]
On the other hand, the via-via switching portion 920 includes a first conversion insulating layer 921 stacked on the outer side (upper in the drawing) of the uppermost first electrode layer 902AU of the stacking portion 910, and further on the outer side (upper in the drawing). The second conversion insulating layer 922 is stacked. A conversion electrode layer 923 is formed between the two conversion insulating layers 921 and 922. In addition, on the outer surface (upper surface in the drawing) 922T of the second conversion insulating layer 922, a large number of two types of connection pads 924, a first connection pad 924A and a second connection pad 924B, are formed in a lattice pattern. . The connection pads 924 are respectively connected to the capacitor connection terminals CTC of the IC chip CH as in the first embodiment (see FIG. 2).
Further, the first connection pad 924A is connected to one common electrode layer 904A through the uppermost first electrode layer 902AU by a first conversion via conductor 925 penetrating the first conversion insulating layer 921 and the second conversion insulating layer 922. Yes. The second connection pad 923B is connected to the conversion electrode layer 923 by a second conversion via conductor 926 that penetrates the second conversion insulating layer 922, and the other common electrode layer 904B is a via. -It is connected to the extended electrode layer 927 extending to the via conversion part 920. That is, the second connection pad 923B is electrically connected to the other common electrode layer 904B.
[0089]
Therefore, also in this capacitor 900, the two common electrodes 904A and 904B can be drawn out from the upper side in the figure by the first connection pad 924A and the second connection pad 924B. Therefore, like the capacitor 100 (see FIG. 2), the capacitor 900 and the capacitor connection terminal CTC of the IC chip CH can be directly connected by surface connection. That is, it can be connected to the IC chip CH at a very short distance, and the inductance and resistance between them can be made extremely small. Moreover, in the connected IC chip CH, the two common electrode layers 904A and 904B are used, and one common electrode layer is set to the power supply potential and the other is set to the ground potential. Noise can be reliably removed. Further, the power supply potential and the ground potential can be supplied from the capacitor 900 with low resistance and low inductance through the capacitor connection terminal CTC to the places where the power supply potential and the ground potential in the IC chip CH are required.
[0090]
In the above, among the connection pads 924 arranged in a lattice shape, which is the first connection pad 924A connected to the uppermost first electrode layer 902AU via the first conversion via conductor 925, which is the second conversion pad. The second connection pad 924B connected to the conversion electrode layer 923 via the via conductor 926 has not been described. This is because an appropriate arrangement may be made according to the IC chip to be connected.
However, it is preferable that the connection pads 924 arranged in a lattice pattern are arranged so as to be alternately connected to the first conversion via conductor 925 and the second conversion via conductor. That is, the first conversion pad 924A connected to the first conversion via conductor 925 and the second connection pad 924B connected to the second conversion via conductor 926 are alternately arranged at each point on the lattice. A via conductor 925 and a second conversion via conductor 926 may be formed.
[0091]
For example, when a positive potential is connected to one common electrode layer 904A of the capacitor 900 and a negative potential (ground potential) is connected to the other common electrode layer 904B, as shown in FIGS. The first electrode layer 902A and the first conversion via conductor 925 have a positive potential, and the second electrode layer 902B, the conversion electrode layer 923 and the second conversion via conductor 926 have a negative potential. Further, the first connection pad 924A becomes a positive potential and the second connection pad 924B becomes a negative potential. As shown in FIG. 16A, the positive potential and the negative potential are alternately changed on the grid. Looks like the dots are lined up.
In this case, as shown by an arrow in FIG. 16C, the direction of the current I1 flowing out from the first conversion via conductor 925 and the direction of the current I2 flowing into the second conversion via conductor 926 are just opposite to each other. The magnetic field generated around the first conversion via conductor 925 and the second conversion via conductor 926 is canceled by the current. For this reason, the inductance generated in the first conversion via conductor 925 and the second conversion via conductor 926 is reduced, and as a result, the inductance of the capacitor 900 can be reduced. Therefore, the capacitor 900 arranged in this way has a lower inductance and can effectively remove noise.
[0092]
Next, a method for manufacturing the capacitor 900 will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 17A, a large number of high dielectric ceramic green sheets 181 similar to those of the first embodiment are manufactured.
Next, for one of the sheets 181, as shown in FIG. 17B, the first unfired via conductor made of Pd paste and penetrating between the front surface 181 T and the back surface 181 V at a predetermined position of the sheet 181. 981 and second unfired via conductor 982 are formed. Further, first unfired connection pads 983 and second unfired connection pads 984 made of Pd paste are formed at positions connected to these unfired via conductors 981 and 982 on the surface 181T.
Further, the other one of the sheets 181 is made of Pd paste at a position corresponding to the first unfired via conductor 981 in the sheet 181 as shown in FIG. And the 3rd unsintered via conductor 985 which penetrates between back surface 181V is formed. Further, an unfired cover pad 986 made of Pd paste is formed on the surface 181T at a position connected to the third unfired via conductor 985, and an unfired conversion electrode layer 987 is formed on the remaining portion. This unsintered cover pad 986 has a role for reliably connecting between the first unsintered via conductor 981 and the third unsintered via conductor 985 described above.
[0093]
About half of the other sheets 181, as shown in FIG. 17D, the unfired first electrode layer 182 A made of Pd paste is formed on the surface 181 T as in the first embodiment. As for the remaining half, as shown in FIG. 17E, as in the first embodiment, the unfired second electrode layer 182B made of Pd paste is formed on the surface 181T. Both the unfired first electrode layer 182A and the unfired second electrode layer 182B cover almost the entire surface 181T of the sheet 181, but the unfired first electrode layer 182A is near the right end of the sheet 181 in the drawing, and conversely, The fired second electrode layer 182B has a pattern that does not cover the vicinity of the left end of the sheet 181 in the drawing.
[0094]
Next, the sheet 181 on which the unfired first electrode layer 182A is formed and the sheet 181 on which the unfired second electrode layer 182B is formed are alternately stacked. A sheet 181 on which an unsintered conversion electrode layer 987 and a third unsintered via conductor 985 are formed is laminated thereon, and a sheet on which a first unsintered connection pad 983 and a second unsintered connection pad 984 are further formed. 181 are laminated and pressure-bonded to form a laminated body 988 as shown in FIG. The unfired first electrode layer 182A is exposed on the side surface 988A of the laminate 988, and the unfired second electrode layer 182B and the unfired conversion electrode layer 987 are exposed on the side surface 988B. Further, unfired common electrode layers 989A and 989B made of Pd are formed on the side surfaces 988A and 988B, respectively. Note that the unfired common electrode layer 989B is formed to be connected to the unfired conversion electrode layer 987 as well.
[0095]
In this stacked body 988, the unfired common electrode layer 989A is connected to any unfired first electrode layer 182A, and among them, the uppermost unfired first electrode layer 182AU, the third unfired first electrode layer 182AU, and the third The first unfired connection pad 983 is also connected via the unfired via conductor 985, the unfired cover pad 986, and the first unfired via conductor 981. On the other hand, the unfired common electrode layer 988B is connected to any unfired second electrode layer 182B, and the unfired conversion electrode layer 987 and the second unfired via conductor 982 are connected to the second unfired connection pad 984. Also connect.
Next, this laminate 988 is fired (simultaneously fired) to form a capacitor 900 shown in FIG. Since the capacitor 900 is formed in this manner, it can be used as a capacitor immediately after firing, like the capacitor 100. In order to improve solder wettability, the first connection pad 924A and the second connection pad 924B may be plated with Ni-Au plating after firing.
Thus, when formed by simultaneous firing, the capacitor 900 can be formed easily and inexpensively.
[0096]
(Modification 5)
In the fifth embodiment, the capacitor 900 having the laminated portion 910 and the via-via changing portion 920 is formed by simultaneous firing. However, it is also possible to form a capacitor having a similar structure by forming a via-to-via switching portion after forming the laminated portion first.
The capacitor 1000 of this modification is different in manufacturing method from the capacitor 900 and uses a laser as in the modification 1. However, the advantage of connecting the capacitor with the IC chip CH or the like is not changed. The description of this part is omitted or simplified.
[0097]
As a method of manufacturing the capacitor 1000 according to the present modified embodiment, the sheet 181 (see FIG. 17D) on which the unfired first electrode layer 182A is formed and the unfired second electrode layer as in the modified embodiment 1. Sheets 181 on which 182B are formed (see FIG. 17E) are alternately stacked, and after the unfired common electrode layers 989A and 989B are formed, they are simultaneously fired to first form a laminated portion 1010.
Subsequently, a via-via switching unit 1020 is formed on the stacked unit 1010. First, as shown in FIG. 18A, an exposed portion (right end portion in the figure) of the upper surface 1002AUT of the uppermost first electrode layer 1002AU and the upper surface 1001UT of the uppermost dielectric layer 1001U located immediately below the uppermost first electrode layer 1002AU. ), A first conversion insulating layer 1021 made of an epoxy resin is formed by a known method. Specifically, a film-like uncured resin is attached and cured.
[0098]
Next, as shown in FIG. 18B, a through hole 1021H reaching the uppermost first electrode layer 1002AU is formed by a laser at a predetermined position of the first conversion insulating layer 1021.
Thereafter, as shown in FIG. 18C, the Ag-containing conductive resin is formed on the side surface 1021B of the first conversion insulating layer 1021 near the common electrode layer 1004B and the upper surface 1021T of the first conversion insulating layer 1021 in the through hole 1021H. The paste is filled, applied, and cured to form the third conversion via conductor 1022, the conversion electrode layer 1023 including the extended electrode layer 1023B, and the cover pad 1024.
[0099]
Further, as shown in FIG. 18D, a second conversion insulating layer 1025 is formed thereon.
As shown in FIG. 18E, through holes 1025H are similarly drilled at predetermined positions corresponding to the conversion electrode layer 1023 and the cover pad 1024 in the second conversion insulating layer 1025, as shown in FIG.
Further, an Ag-containing conductive resin paste is filled, applied, and cured in the through hole 1025H and the upper surface 1025T of the conversion insulating layer 1025, and the first conversion via conductor 1026, the second conversion via conductor 1027, and the first connection pad 1028A. , And the second connection pad 1028B is formed to be a via-via switching portion 1020.
As a result, the capacitor 1000 having the laminated portion 1010 having a capacitor function and the via-via switching portion 1020 for converting the two common electrode layers 1004A and 1004B into the first connection pad 1028A and the second connection pad 1028B that can be surface-connected. Is formed. Similar to the capacitor 900, the capacitor 1000 can be directly connected to the IC chip CH and the like, and can play a role of noise removal and potential supply to each part.
Similarly to the second modification, a conversion insulating layer having a through hole can be formed using a photolithography technique, or a conversion via conductor, a connection pad, or the like can be formed using a plating technique.
[0100]
(Embodiment 6)
Embodiment 5 and Modification 5 show a capacitor in which a via-via switching portion is provided on one side (upper part in the drawing) of the stacking portion, and an IC chip or the like can be surface-connected at the via-via switching portion. However, the via-via switching part may be provided on both sides of the lamination part in the lamination direction. 19 is a plan view and a perspective sectional view of the capacitor 1100 according to the present invention having a substantially square plate shape in plan view. 1120 and a second via-via switching unit 1130. The capacitor 1100 is substantially the same as the capacitor 900 according to the fifth embodiment except that two conversion units are provided. Therefore, the description of the same parts is omitted or simplified.
[0101]
Similar to the fifth embodiment, the stacked unit 1110 has a substantially square plate-shaped stacked body 1103 in which a large number of dielectric layers 1101 and electrode layers 1102 are stacked alternately. Further, side surfaces 1103A and 1103B parallel to the stacking direction (vertical direction in the drawing) of the stacked body 1103 are paired with a pair of common electrode layers 1104A and 1104B that are electrically connected to each electrode layer 1102 and insulated from each other. Are formed respectively. The uppermost first electrode layer 1102AU and the lowermost first electrode layer 1102AS, which are electrically connected to one common electrode layer 404A, are stacked on the outermost side in the stacking direction (upper and lower in the drawing) of the stacking part 1110. ing.
[0102]
The first via-via switching unit 1120 is the same as the via-via switching unit 920 in the fifth embodiment. That is, the first via-via converting portion 1120 includes a first conversion insulating layer 1121 stacked on the outer side in the stacking direction (upward in the drawing) of the uppermost first electrode layer 1102AU of the stacked portion 1110, and a second conversion on the outer side. An insulating layer 1122 is provided. During this period, the first conversion electrode layer 1123 is formed. On the outer surface 1122T of the second conversion insulating layer 1122, two types of connection pads 1124, a first connection pad 1124A and a second connection pad 1124B, are arranged in a grid pattern at positions corresponding to the capacitor connection terminals of the IC chip. Many are formed.
Further, the first connection pad 1124A is connected to one common electrode layer 1104A through the uppermost first electrode layer 1102AU by a first conversion via conductor 1125 penetrating the first conversion insulating layer 1121 and the second conversion insulating layer 1122. Yes. The second connection pad 1124B is connected to the first conversion electrode layer 1123 by the second conversion via conductor 1126 that penetrates the second conversion insulating layer 1122, and further connected to the other common electrode layer 1104B by the upper extension electrode layer 1127. Connected.
[0103]
Furthermore, the capacitor 1100 according to the present embodiment includes a second via-via switching unit 1130. The second via-via converting portion 1130 has a structure substantially similar to that of the first via-via converting portion 1120 and is stacked on the outer side (lower in the drawing) in the stacking direction of the lowermost first electrode layer 1102AS of the stacking portion 1110. The third conversion insulating layer 1131 and the fourth conversion insulating layer 1132 outside the third conversion insulating layer 1131 are provided. In the meantime, the second conversion electrode layer 1133 is formed. The outer surface 1132V of the fourth conversion insulating layer 1132 has a large number of two types of connection pads 1134, a third connection pad 1134A and a fourth connection pad 1134B, in a lattice shape at positions corresponding to the capacitor connection terminals of the motherboard. Is formed.
Further, the third connection pad 1134A is connected to one common electrode layer 1104A through the lowermost first electrode layer 1102AS by a third conversion via conductor 1135 penetrating the third conversion insulating layer 1131 and the fourth conversion insulating layer 1132. ing. The fourth connection pad 1134B is connected to the second conversion electrode layer 1133 by the fourth conversion via conductor 1136 penetrating the fourth conversion insulating layer 1132, and is further connected to the other common electrode layer 1104B by the lower extension electrode layer 1137. Connected.
[0104]
Therefore, the capacitor 1100 can be directly connected to, for example, an IC chip as in the fifth embodiment, and can be further connected to a wiring board such as a mother board by the second via-via switching portion 1130. That is, similar to the capacitor 400 of the second embodiment, a capacitor-attached wiring board having a capacitor in the through hole is interposed between the motherboard WB and the IC chip CH, and the two can be connected (FIG. 8). FIG. 9).
Therefore, the power supply potential and the ground potential can be supplied to the IC chip CH with low resistance and low inductance without using the internal wiring of the wiring board. Moreover, noise generated between the potentials can be surely removed by the capacitor 1100 in the vicinity of the IC chip CH.
[0105]
Alternatively, a capacitor-attached wiring board in which the capacitor 1100 is built and fixed is formed, and the connection pads 1124 and 1134 of the capacitor 1100 are connected to the IC chip CH, the motherboard WB, etc. via the internal wiring formed on the resin insulating layer, the core substrate, or the like. Can also be connected. Even in this case, the power supply potential and the ground potential can be supplied from the motherboard WB to the IC chip CH through the capacitor 1100 with low resistance and low inductance. Further, the capacitor 1100 can also remove noise between them in the immediate vicinity of the IC chip CH.
The capacitor 1100 is formed by simultaneous firing as in the capacitor 900 of the fifth embodiment, or by a technique such as forming a resin conversion insulating layer and drilling with a laser in the same manner as the capacitor 1000 of the fifth modification. can do.
Since the capacitor 1100 does not form a via layer wiring layer and is connected to the connection pads 1124 and 1134 via the common electrode layers 1104A and 1104B via the conversion via conductor 1125 and the like, the capacitor 1100 is located at the position of a connection terminal such as an IC chip or a motherboard. In addition, the connection pads 1124 and 1134 can be easily formed.
[0106]
In the sixth embodiment, similarly to the connection pads 924, the first conversion via conductors 925, and the second conversion via conductors 926 in the fifth embodiment, the connection pads 1124 arranged in a grid pattern are the first conversion vias. The conductor 1125 and the second conversion via conductor 1126 are preferably arranged so as to be alternately connected. This is because the inductance can be reduced in each via. Further, the connection pads 1134 arranged in a lattice shape may be arranged so as to be alternately connected to the third conversion via conductor 1135 and the fourth conversion via conductor 1136. This is because the inductance can be reduced also in these vias, and the inductance of the capacitor 1100 can be further reduced.
[0107]
In the above, the present invention has been described with reference to the embodiments and modifications. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments and the like, and can be applied with appropriate modifications without departing from the gist thereof. Not too long.
For example, in the above-described embodiment and the like, a high dielectric ceramic mainly composed of BaTiO3 is used for the dielectric layer 101 and the like, but the material of the dielectric layer is not limited to this, and for example, PbTiO3, PbZrO3, TiO2, and SrTiO3. , CaTiO3, MgTiO3, KNbO3, NaTiO3, KTaO3, RbTaO3, (Na1 / 2Bi1 / 2) TiO3, Pb (Mg1 / 2W1 / 2) O3, (K1 / 2Bi1 / 2) TiO3, etc. What is necessary is just to select suitably according to an electrostatic capacitance others.
Further, Pd is used for the electrode layer 102 and the like, the common electrode layer 104 and the like, the side via wiring layer 123 and the like, and the conversion via conductor 125 and the like. However, if Pd is selected in consideration of compatibility with the material of the dielectric layer, etc. For example, Pt, Ag, Ag-Pt, Ag-Pd, Cu, Au, Ni, etc. are mentioned.
[0108]
In the modified embodiment 1 or the like, an epoxy resin is used for the conversion insulating layer 205 or the like, but may be appropriately selected in consideration of heat resistance, pattern formability and the like. For example, polyimide resin, BT resin, PPE resin, continuous pores And a resin-resin composite material obtained by impregnating a resin such as an epoxy resin with a fluorine-based resin having a three-dimensional network structure, such as PTFE.
Further, the side via wiring layer 206, the conversion via conductor 207, the second connection pad 208, and the like are formed by filling and applying an Ag-containing conductive resin paste, but may be formed using a conductive paste of another material. good.
In the modified example 2 and the like, the side surface wiring layer 306, the conversion via conductor 307, the second connection pad 308, and the like are formed by electroless Cu plating and electrolytic Cu plating, but other materials such as Ni, Ni-Au, etc. It may be formed by, for example.
[0109]
In the first embodiment and the like, the side surface via wiring layer 123 and the like include a plurality of first connection pads 122A and become a plurality of connection pads. However, the first connection pads and the common electrode layer are provided here. It is good also as wiring via the side which connects respectively.
[Brief description of the drawings]
1A is a plan view and FIG. 1B is a perspective cross-sectional view of a capacitor according to a first embodiment and having a via-side conversion part on one side (upper in FIG. 1B).
FIG. 2 is an explanatory diagram of a wiring board having a through hole that accommodates a capacitor and a capacitor-attached wiring board that includes the capacitor according to the first embodiment housed in the through hole.
FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a method for manufacturing the capacitor according to the first embodiment.
FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining a process up to formation of a laminated portion in a method for manufacturing a capacitor according to a first modification.
FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining a step of forming a via-side conversion part by laser drilling in the method for manufacturing a capacitor according to Modification 1;
FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining a process of forming a via-side conversion portion by a photolithography technique in the method for manufacturing a capacitor according to the second modification.
7A is a plan view and FIG. 7B is a perspective cross-sectional view of a capacitor according to a second embodiment and having via-side conversion portions on both sides (upper and lower sides in the drawing).
FIG. 8 is an explanatory diagram of a capacitor-attached wiring board in which a capacitor according to the second embodiment is accommodated in a through hole.
9 is a connection circuit diagram of capacitors accommodated in the capacitor-attached wiring board of FIG. 8. FIG.
10A is a plan view and FIG. 10B is a perspective cross-sectional view of a capacitor having a via-side conversion portion in which a part of connection pads is a plurality of connection pads according to the third modification.
FIG. 11 Reference form 1 And a capacitor having a side-to-side conversion part on one side (upper side in FIG. 5B)
(A) is a top view, (b) is a perspective sectional view.
FIG. Reference form 1 It is explanatory drawing explaining the manufacturing method of the capacitor concerning.
FIG. 13 Reference form 2 FIG. 4A is a plan view, and FIG. 4B is a perspective sectional view of a capacitor having side-to-side conversion portions on both sides (upper and lower sides in the drawing).
FIG. 14 Reference form 3 13A is a plan view, and FIG. 14B is a perspective sectional view of a capacitor in which separation layers having circular openings are formed above and below the capacitor of FIG. 13.
15A is a plan view and FIG. 15B is a perspective sectional view of a capacitor according to the fifth embodiment and having a via-via switching portion on one side (upper side in FIG. 15B).
FIG. 16 is an explanatory diagram illustrating a state when a + potential is connected to one common electrode layer and a −potential is connected to the other common electrode in the capacitor according to the fifth embodiment;
FIG. 17 is an explanatory diagram for explaining a capacitor manufacturing method according to the fifth embodiment;
FIG. 18 is an explanatory diagram for explaining a step of forming a via-via switching portion using a laser hole on a laminated portion in the method for manufacturing a capacitor according to the modified embodiment 5;
19A is a plan view and FIG. 19B is a perspective cross-sectional view of a capacitor according to a sixth embodiment having a via-via switching portion on both sides (upper and lower sides in the drawing).
FIG. 20 is a cross-sectional explanatory view showing the structure of a conventional multilayer ceramic capacitor.
FIG. 21 is an explanatory diagram for explaining a state of capacitor connection wiring in a conventional wiring board on which capacitors are mounted on an upper surface and a lower surface.
[Explanation of symbols]
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 90, 1000, 1100 capacitors
110, 210, 310, 410, 510, 610, 710, 810, 910, 1010, 1110 Laminate part
120, 220, 320, 420, 430, 520 Via-side conversion part
620, 720, 730, 820, 830 Side-to-side conversion section
920, 1020, 1120, 1130 Via-via switching section
101, 201, 301, 401, 501, 601, 701, 801, 901, 1001, 1101 Dielectric layer
102, 202, 402, 902, 1021, 1102 Electrode layer
103, 203, 403, 903, 1103 Laminate
104, 204, 304, 404, 504, 604, 704, 804, 904, 1004, 1104 Common electrode layer
121, 205, 305, 421, 431, 521, 621, 721, 731, 921, 922, 1021, 1025, 1121, 1122, 1131, 1132
122,208,306P, 308,422,432,522,524,622,722,732,924,1028,1124,1134 connection pad
125,207,307,525,925,926,1022,1026,1027,1125,1126,1135,1136 conversion via conductor
CH IC chip (member to be connected)
CTC capacitor connection terminal
150 Wiring board with capacitor
WB Motherboard (member to be connected)

Claims

A multilayer capacitor unit comprising dielectric layers and electrode layers made of high dielectric constant ceramics alternately, and having a pair of common electrode layers on the side surfaces, which are electrically connected to each other and insulated from each other;
A switching portion located on either side of the multilayer capacitor portion in the stacking direction;
With
The conversion part
A plurality of connection pads that can be surface-connected to a plurality of connection terminals of each connection target member;
A plurality of conversion wirings that respectively conduct the connection pad and any one of the pair of common electrode layers, wherein each of the pair of common electrode layers conducts at least one of the plurality of connection pads. Wiring, and
The multilayer capacitor unit includes an outermost electrode layer that is stacked on the outermost side in the stacking direction among the electrode layers and is electrically connected to one of the pair of common electrode layers.
The conversion part
With a conversion insulating layer laminated on the outer side of the outermost electrode layer in the lamination direction,
The plurality of connection pads belonging to the conversion part are formed on the outer surface on the outer side in the stacking direction of the conversion insulating layer,
The plurality of conversion wirings belonging to the conversion unit are
A conversion via conductor extending from the outermost electrode layer through the conversion insulating layer to the outer surface and connected to one of the connection pads;
Via-side conversion having a side-by-side conversion wiring connected to one of the connection pads from the other of the pair of common electrode layers via the circumferential side surface and the outer surface of the conversion insulating layer Capacitor.

A multilayer capacitor unit comprising dielectric layers and electrode layers made of high dielectric constant ceramics alternately, and having a pair of common electrode layers on the side surfaces, which are electrically connected to each other and insulated from each other;
A switching portion located on either side of the multilayer capacitor portion in the stacking direction;
With
The conversion part
A plurality of connection pads that can be surface-connected to a plurality of connection terminals of each connection target member;
A plurality of conversion wirings that respectively conduct the connection pad and any one of the pair of common electrode layers, wherein each of the pair of common electrode layers conducts at least one of the plurality of connection pads. Wiring, and
The multilayer capacitor unit includes an outermost electrode layer that is stacked on the outermost side in the stacking direction among the electrode layers and is electrically connected to one of the pair of common electrode layers.
The conversion part
A first conversion insulating layer stacked on the outer side of the outermost electrode layer in the stacking direction;
A second conversion insulation layer laminated on the outside in the lamination direction of the first conversion insulation layer;
A conversion electrode layer formed between the first conversion insulation layer and the second conversion insulation layer and connected to the other of the pair of common electrode layers;
The plurality of connection pads belonging to the conversion portion are formed on the outer surface on the outer side in the stacking direction of the second conversion insulating layer,
The plurality of conversion wirings belonging to the conversion unit are
A plurality of first conversion via conductors extending from the outermost electrode layer to the outer surface of the second conversion insulation layer through the first conversion insulation layer and the second conversion insulation layer and connected to any one of the connection pads When,
A via-via conversion section having a plurality of second conversion via conductors extending from the conversion electrode layer to the outer surface through the second conversion insulating layer and connected to any one of the connection pads. Capacitor characterized by.

A multilayer capacitor unit comprising dielectric layers and electrode layers made of high dielectric constant ceramics alternately, and having a pair of common electrode layers on the side surfaces, which are electrically connected to each other and insulated from each other;
A first conversion unit and a second conversion unit respectively located on both outer sides in the stacking direction of the multilayer capacitor unit;
With
The first conversion part and the second conversion part are both
A plurality of connection pads that can be surface-connected to a plurality of connection terminals of each connection target member;
A plurality of conversion wirings that respectively conduct the connection pad and any one of the pair of common electrode layers, wherein each of the pair of common electrode layers conducts at least one of the plurality of connection pads. Wiring, and
The multilayer capacitor unit includes an outermost electrode layer that is stacked on the outermost side in the stacking direction among the electrode layers and is electrically connected to one of the pair of common electrode layers.
At least one of the first conversion unit and the second conversion unit is
With a conversion insulating layer laminated on the outer side of the outermost electrode layer in the lamination direction,
The plurality of connection pads belonging to the conversion part are formed on the outer surface on the outer side in the stacking direction of the conversion insulating layer,
The plurality of conversion wirings belonging to the conversion unit are
A conversion via conductor extending from the outermost electrode layer through the conversion insulating layer to the outer surface and connected to one of the connection pads;
Via-side conversion having a side-by-side conversion wiring connected to one of the connection pads from the other of the pair of common electrode layers via the circumferential side surface and the outer surface of the conversion insulating layer Capacitor.

A multilayer capacitor unit comprising dielectric layers and electrode layers made of high dielectric constant ceramics alternately, and having a pair of common electrode layers on the side surfaces, which are electrically connected to each other and insulated from each other;
A first conversion unit and a second conversion unit respectively located on both outer sides in the stacking direction of the multilayer capacitor unit;
With
The first conversion part and the second conversion part are both
A plurality of connection pads that can be surface-connected to a plurality of connection terminals of each connection target member;
A plurality of conversion wirings that respectively conduct the connection pad and any one of the pair of common electrode layers, wherein each of the pair of common electrode layers conducts at least one of the plurality of connection pads. Wiring, and
The multilayer capacitor unit includes an outermost electrode layer that is stacked on the outermost side in the stacking direction among the electrode layers and is electrically connected to one of the pair of common electrode layers.
At least one of the first conversion unit and the second conversion unit is
A first conversion insulating layer stacked on the outer side of the outermost electrode layer in the stacking direction;
A second conversion insulation layer laminated on the outside in the lamination direction of the first conversion insulation layer;
A conversion electrode layer formed between the first conversion insulation layer and the second conversion insulation layer and connected to the other of the pair of common electrode layers;
The plurality of connection pads belonging to the conversion portion are formed on the outer surface on the outer side in the stacking direction of the second conversion insulating layer,
The plurality of conversion wirings belonging to the conversion unit are
A plurality of first conversion via conductors extending from the outermost electrode layer to the outer surface of the second conversion insulation layer through the first conversion insulation layer and the second conversion insulation layer and connected to any one of the connection pads When,
A via-via conversion section having a plurality of second conversion via conductors extending from the conversion electrode layer to the outer surface through the second conversion insulating layer and connected to any one of the connection pads. Capacitor characterized by.

A capacitor according to claim 2 or claim 4, wherein
The plurality of connection pads are arranged in a substantially lattice shape,
The capacitor, wherein the plurality of first conversion via conductors and the plurality of second conversion via conductors are alternately connected to the plurality of connection pads, respectively.

The capacitor according to any one of claims 1 to 4,
At least one of the connection pads is a plurality of connection pads that can be surface-connected to a plurality of connection terminals among the connection terminals of the connection target member to be connected.

A capacitor according to claim 1 or claim 3, wherein
Any of the connection pads connected to the side surface via-transition wiring is a plurality of connection pads connectable to a plurality of connection terminals among the connection terminals of the connection target member to be connected.

The capacitor according to claim 6 or claim 7,
At least on the surface of the plurality of connection pads, the surface of the plurality of connection pads is separated into a plurality of regions to which the plurality of connection terminals of the connection target member connected to the plurality of connection pads can be connected one by one. Capacitor comprising a layer.

Capacitor accessory wiring board comprising a capacitor; and a wiring board to any one of claims 1 to 8.