JP3833124B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯機器等や、電子手帳に使用されているパッシブマトリクス液晶パネルやアクティブマトリクス液晶パネルや、有機ELなどの表示パネルを駆動するためのドライバーICや、メモリー、コントローラ等がベアチップ実装された電子回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体ICのベアチップ実装は、接着を用いて接続する場合、ICのパットにAuからなるバンプをメッキで形成したメッキバンプやワイヤーボンディングを応用したスタッドバンプを用いて、回路基板に異方性導電膜で圧着するか、または銀ペーストをバンプに転写して基板と接続し、その間にアンダーフィルを充填し接続していた。
【0003】
また、金属拡散接続を用いた場合、ICのバンプに半田を用い、基板の電極に半田付けしアンダーフィルを充填する工法とICのバンプにAuを用い基板側の電極にSnメッキを行い、Au−Sn拡散接続を行いアンダーフィルを充填していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
半導体ICの接続状態の評価は、信号を入力して出力波形を確認する方法や主に外観で判断することを手段として用いていた。実装の不具合としては、ボンディングヘッドの傾きがずれた場合の接続不良や、実装位置ずれである。
【0005】
半導体ICのフェイスダウン実装では、ICの回路面と回路基板の端子面を合わせて実装するために接続部が見えず、この不具合を確認できない。そのため、接続状態を確認するには、破壊して接続部を観察する。しかし、この方法では、一つ一つの製品を検査することができないという課題がある。
【0006】
また、ICに信号を加えて出力波形を確認する方法は、検査装置が高価な上、製品全数を検査するには時間がかかる。更に、接続外観を見ることができないため、位置ずれの検出ができない。
【0007】
そのため代用手段として、接続と位置ずれを検査するために、半導体ICの各コーナーに検査用バンプを、フレキシブル基板に検査用バターンをそれぞれ配置し、オープン、または、ショートの状態で接続を確認した。各コーナーの接続ができていれば、接続は問題ない相関データ−を利用したものである。検査は、各コーナーから引き出された検査用のランドにプロ−バーでコンタクトして検査をおこなう。しかし、各コーナーにそれぞれ検査用のランドを配置することは製品設計上困難な場合が多く、各コーナーに検査ランドを設置した場合、図5に示す表示装置のとおり、検査ランドの設置のため、製品外形が大きくなるという問題が生ずる。製品外形を小さくするためには、ICの対角2箇所か、ICの長辺側2箇所の位置から、検査用のランドを引き出し、検査を行ったが、非検査部のコーナーの実装不良は検出できず、不良の流出が発生した。ICの実装は、装置の位置ズレや平行度ズレが生じてから調整するまでには、自動実装の場合、不良品を大量に作る問題があった。
【0008】
本発明は、各コーナーの検査用ランドを削減し、フレキシブル基板の実装密度を高密度化するとともにフレキシブル基板の小型化し、接続検査の検査精度を向上することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本問題を解決するために、ポリイミド等の厚み50μm以下の、フィルム状の基板に銅などのパターンが形成してあるフレキシブル基板に、金などからなるバンプを備えたICをフェイスダウン実装し、更にフレキシブル基板と表示パネルが接続された表示装置において、ICとフレキシブル基板には、複数の箇所の該バンプと該パターンの実装位置を電気的に検査する検査回路をICとフレキシブル基板のそれぞれに形成してある。検査を行う箇所毎に該ICと該フレキシブル基板に検査回路が形成してあり、接続状態によって電気的にオープンまたは、ショートする構成である。前記複数の検査回路の検査を一括しておこなう為に、該複数の検査回路を、ICの配線または、フレキシブル基板の配線により接続し、複数の検査回路を同時に検査をできるようにしたことにより、検査部の数によらず、検査ランドを2箇所に削減できた。
【0010】
また、ICにはダミーバンプを設置し、そのダミーバンプに検査回路の少なくとも一方を接続し、該ダミーバンプとフレキシブル基板の検査ランドを備えたパターンを接続することで、任意の位置に検査ランドを引き出す構成とした。このような構成に基づいて作られた表示装置において、ICの実装検査ランドの配置が容易となり、それに伴い部品実装の高密度化が可能となる。更に、フレキシブル基板の小型化につながった。また、位置ずれ検査が確実に行えるようになったため、工程内の実装のフィードバックが容易になり、フィードバックが遅れることよって発生していた不良が削減できた。また。製品の品質が向上した。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明による表示装置は、ICには、実装検査用のために使用する検査用バンプ、または、他の信号電極に干渉しないバンプを用いる。実装位置ズレは各コーナーにX軸方向とY軸方向を設けることが望ましい。実装位置ズレは、信号電極の連続して形成してあるバンプと同一ピッチでフレキシブル基板のパターンが形成してあるが、実装位置ずれの検査は、同一ピッチか位置ずれの検査精度を向上するために、検査用バンプに対し、マージン分フレキシブル基板の検査パターンをずらして配置する。ズレ量に応じて、良品はショートし、NG品はオープンになる。検査パターンはこの逆で、良品をオープン、NG品はショートになる設計でも良い。この検査回路を各コーナーに配置し、ICバンプより外側のエリアに設置したパターン、または、アルミの層数により回路内に設置したパターンで検査回路間を接続する。または、フレキシブル基板のパターンで接続しても良い。複数の検査回路を接続し、1ヶ所のみオープンにし、その両端から検査ランドを引き出し、テスターで接続して検査をおこなう。ショートであれば良品、オープンであれば不良品となる。検査は、バンプの寸法精度とパターン精度にもより、電気的検査でNGになった製品でも、外観検査と通電検査で良品になることもある。
【0012】
また、検査ランドの配置は、検査回路のあるコーナーに配置するが、検査ランドを設置したいエリアの近傍にある電気的に独立したまたは、通電動作上問題にならないダミーバンプをとおして検査ランドを引き出すことで一層高密度化が可能となった。
【0013】
【実施例】
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
(実施例1)
図1は、IC1の回路面の上面図である。IC1には、金からなるバンプ2がペリフェラル状に形成してある。各コーナーには、検査バンプ2−1,2−2,2−3,2−4が形成してある。検査バンプは、X軸Y軸のコーナーに配置したバンプをアルミ電極で接続しており、隣接するコーナー間のバンプも同様にアルミ電極をIC1の外周側に配置して接続している。図2は、フレキシブル基板5のIC接続部のパターン3の上面図である。フレキシブル基板5は25μmの厚みのポリイミドフィルム上に密着性を向上するためのシード層を蒸着し、Cuを約2000Å蒸着し、約8μmの電解Cuメッキをした基材をパターニングし、無電解Snメッキで純Sn層0.2μm形成した。IC1の検査バンプに対向する位置に検査用のパターン3−1,3−2,3−3,3−4を配置し、検査用パターン3−4の2つのパターンより検査ランド4に接続してある。このIC1とフレキシブル基板5をAu−Sn共晶接続した。図3はフレキシブル基板5の裏面側からのポリイミドを透視した透視図である。2つの検査ランド4の間の電気的特性がオープンでNG、ショート良品の判定を行う。良品は、アンダーフィルを注入し硬化する。更に、コンデンサ等を半田つけで接続し、表示パネルと異方性導電膜で接続する。図4は、表示モジュールの実装外観である。検査ランド4が、従来図11と比べ8箇所から2箇所へ削減され一層小型化となった。
【0014】
検査回路の数は、4箇所のコーナーに限ったものではなく、スリム型ICの場合は、2ヶ所でも良い。また、検査回路は、4箇所以上でも良い。検査回路間を接続する配線は、ICまたは、フレキシブル基板のどちらか一方に分ける必要は無く、ICとフレキシブル基板の両方で接続しても、ICとフレキシブル基板を混合しても良い。
(実施例2)
図5は、IC1の回路面の上面図である。IC1には、金からなるバンプ1がペリフェラル状に形成してある。各コーナーには、検査バンプ2−1,2−2,2−3,2−4が形成してある。各コーナーにはX軸側に2個のバンプ2とY軸側には2個のバンプの計4個のバンプ2を配置している。それぞれX軸の2個のバンプ2の間とY軸の2個のバンプ2の間は、アルミ電極で接続してある。図6は、フレキシブル基板5のIC接続部のパターン3の上面図である。フレキシブル基板5は25μmの厚みのポリイミドフィルム上に密着性を向上するためのシード層を蒸着し、Cuを約2000Å蒸着し、約8μmの電解Cuメッキをした基材をパターニングし、無電解Snメッキで純Sn層0.2μm形成した。IC1の検査バンプに対向する位置に検査用のパターン3−1,3−2,3−3,3−4を配置し、検査用パターン3−4の2つのパターンより検査ランド4に接続してある。検査ランドの引き出す位置は、この位置に限ったものではない。このIC1とフレキシブル基板5をAu−Sn共晶接続した。図3はフレキシブル基板5の裏面側からのポリイミドを透視した透視図である。2つの検査ランド4の間の電気的特性がオープンでNG、ショート良品の判定を行う。位置ズレに関しては、実装マージンを含んで検査をおこなうため、予め、フレキシブル基板5の検査パターン3−1,3−2,3−3,3−4はバンプ2と重なる位置をずらして配置してある。NG判定された製品は、実質NGであるかは、外観判定により判断する。
(実施例3)
図8は、IC1の回路面の上面図である。IC1には、金からなるバンプ1がペリフェラル状に形成してある。各コーナーには、検査バンプ2−1,2−2,2−3,2−4が形成してある。各コーナーにはX軸側に2個のバンプ2とY軸側には2個のバンプの計4個のバンプ2を配置している。それぞれX軸の2個のバンプ2の間とY軸の2個のバンプ2の間は、アルミ電極で接続してある。図9は、フレキシブル基板5のIC接続部のパターン3の上面図である。フレキシブル基板5は25μmの厚みのポリイミドフィルム上に密着性を向上するためのシード層を蒸着し、Cuを約2000Å蒸着し、約8μmの電解Cuメッキをした基材をパターニングし、無電解Snメッキで純Sn層0.2μm形成した。IC1の検査バンプに対向する位置に検査用のパターン3−1,3−2,3−3,3−4を配置し、検査ランド4は、IC1のダミーバンプ2−5と接続する位置を通して引き出してある。検査ランドの引き出す位置は、この位置に限ったものではない。このIC1とフレキシブル基板5をAu−Au接続した。図10はフレキシブル基板5の裏面側からのポリイミドを透視した透視図である。2つの検査ランド4の間の電気的特性がオープンでNG、ショート良品の判定を行う。位置ズレに関しては、実装マージンを含んで検査をおこなうため、予め、フレキシブル基板5の検査パターン3−1,3−2,3−3,3−4はバンプ2と重なる位置をずらして配置してある。NG判定された製品は、実質NGであるかは、外観判定により判断する。
【0015】
検査ランド4の引き出しする位置のレイアウトが容易となり、さらに小型化が可能となった。
【0016】
【発明の効果】
検査ランド4が、従来図11と比べ8箇所から2箇所へ削減されたため、実装エリアが削減されフレキシブル基板5のサイズが小型化され、表示モジュールの小型化とフレキシブル基板の価格が低減され、安価な表示モジュールが提供できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1のICの回路面の上面図
【図2】実施例1のフレキシブル基板の上面図
【図3】実施例1の検査回路構成を表す透視図
【図4】実施例1の表示装置の上面図
【図5】実施例2によるICの回路面の上面図
【図6】実施例2のフレキシブル基板の上面図
【図7】実施例2の検査回路構成を表す透視図
【図8】実施例3によるICの回路面の上面図
【図9】実施例3のフレキシブル基板の上面図
【図10】実施例3の検査回路構成を表す透視図
【図11】従来の表示装置の上面図
【符号の説明】
1 IC
2 バンプ
2−1 〜 2−4 検査用バンプ
2−5 ダミーバンプ
3 パターン
3−1 〜 3−4 検査用パターン
4 検査ランド
5 フレキシブル基板
6 表示パネル
7 コンデンサ
Claims (2)
- ICが実装されたフレキシブル基板と、
前記ICと前記フレキシブル基板の複数の箇所に設けられ、実装状態を電気的に検査する検査回路と、
前記フレキシブル基板に接続された表示パネルと、
前記フレキシブル基板に設けられた、検査機と接続するための少なくとも2つの検査ランドを有する表示装置であって、
前記検査ランドは前記フレキシブル基板の前記検査回路と接続して配置し、前記複数の検査回路間は前記ICの配線または前記フレキシブル基板の配線により接続され、
前記検査回路は、前記ICに設けられた検査用バンプと前記フレキシブル基板に形成された検査パターンを含むとともに、前記検査パターンは前記検査用バンプに対してずらして配置され、
前記ICが前記フレキシブル基板に所定量の位置ズレをもって実装されてはじめて、前記検査ランド間でオープンまたは導通するように構成されたことを特徴とする表示装置。 - 前記検査用バンプが前記ICのコーナー部に設けられたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002041402A JP3833124B2 (ja) | 2002-02-19 | 2002-02-19 | 表示装置 |
| US10/368,240 US7283373B2 (en) | 2002-02-19 | 2003-02-18 | Electronic device |
| CNB031105297A CN1299545C (zh) | 2002-02-19 | 2003-02-19 | 电子器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002041402A JP3833124B2 (ja) | 2002-02-19 | 2002-02-19 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003241679A JP2003241679A (ja) | 2003-08-29 |
| JP3833124B2 true JP3833124B2 (ja) | 2006-10-11 |
Family
ID=27781834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002041402A Expired - Fee Related JP3833124B2 (ja) | 2002-02-19 | 2002-02-19 | 表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7283373B2 (ja) |
| JP (1) | JP3833124B2 (ja) |
| CN (1) | CN1299545C (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4770514B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2011-09-14 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
| JP2008270276A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Nec Electronics Corp | ダミーパターン配置装置、ダミーパターンの配置方法、及び半導体装置 |
| JP5239428B2 (ja) * | 2008-03-19 | 2013-07-17 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2009282285A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | 画像表示装置、およびその実装検査方法 |
| JP2010003986A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Toshiba Corp | 半導体集積回路及び半導体装置 |
| JP5452290B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2014-03-26 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 表示パネル |
| JP6415854B2 (ja) * | 2014-05-23 | 2018-10-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 基板ユニット及び電子機器 |
| CN104363700B (zh) * | 2014-11-13 | 2018-02-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 印刷电路板 |
| KR102351977B1 (ko) * | 2017-07-18 | 2022-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN108957807A (zh) * | 2018-08-08 | 2018-12-07 | 昆山龙腾光电有限公司 | 一种绑定检测系统及显示面板 |
| US11043622B2 (en) * | 2019-08-27 | 2021-06-22 | Infineon Technologies Ag | Encoded driver chip for light emitting pixel array |
| WO2025155202A1 (en) | 2024-01-17 | 2025-07-24 | Otechos As | A machine system of positive displacement, centric reciprocating type |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6250199A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-04 | 東レ株式会社 | 筆記用シ−ト状物 |
| US5036380A (en) * | 1988-03-28 | 1991-07-30 | Digital Equipment Corp. | Burn-in pads for tab interconnects |
| US5692911A (en) * | 1996-03-27 | 1997-12-02 | Electronic Products, Inc. | Flexible electrical test fixure for integrated circuits on prototype and production printed circuit boards |
| US6052172A (en) * | 1996-05-29 | 2000-04-18 | Enplas Corporation | Contacting device for display panel |
| JPH10115657A (ja) | 1996-10-14 | 1998-05-06 | Pfu Ltd | Lsiパッケージおよびlsiパッケージの実装評価方法 |
| JP3566027B2 (ja) * | 1997-05-14 | 2004-09-15 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板の接続性能評価方法、その評価用キット及び配線基板 |
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| JP3459765B2 (ja) * | 1997-07-16 | 2003-10-27 | シャープ株式会社 | 実装検査システム |
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| JP4003471B2 (ja) * | 2002-02-12 | 2007-11-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法 |
-
2002
- 2002-02-19 JP JP2002041402A patent/JP3833124B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-18 US US10/368,240 patent/US7283373B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-19 CN CNB031105297A patent/CN1299545C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003241679A (ja) | 2003-08-29 |
| CN1299545C (zh) | 2007-02-07 |
| US7283373B2 (en) | 2007-10-16 |
| CN1441632A (zh) | 2003-09-10 |
| US20030174480A1 (en) | 2003-09-18 |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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