JP3851673B2

JP3851673B2 - Metal thin film type magnetic recording medium and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP3851673B2
Application number: JP27902795A
Authority: JP
Inventors: 善信奥村; 雅彦安井; 憲秋田
Original assignee: ストアメディアインコーポレーテッド
Priority date: 1995-10-26
Filing date: 1995-10-26
Publication date: 2006-11-29
Anticipated expiration: 2015-10-26
Also published as: JPH09120527A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハードディスク等の磁気ディスク装置に使用される磁気記録媒体に関し、より具体的には、磁気特性及び記録再生特性に優れた金属薄膜型磁気記録媒体とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスクに用いられる金属薄膜型磁気記録媒体(１)は、一般に図１に示す如く、Ａｌ合金、ガラス等からなる非磁性のサブストレート(21)上に非晶質のＮｉＰ層(22)が形成された媒体基板(２)に、実質的にＣｒからなる下地層(４)、Ｃｏ合金等からなる磁性層(５)、カーボン等の保護膜(６)を順に成膜積層して形成されている。
近時、金属薄膜型磁気記録媒体の記録密度(線記録密度及びトラック密度)の向上に伴ない、磁気記録媒体は、記録分解能を高める必要があり、磁気特性の向上(特に、高保磁力)と、記録再生特性の向上(特に、低ノイズ)が要請されている。磁気記録媒体に構造的な工夫をこらして保磁力を向上させる手段として、媒体基板のＮｉＰ層にテキスチャーを施すものがある。テキスチャーは、ラッピングテープや遊離砥粒により、ＮｉＰ層の円周方向にＲａ５０〜１００オングストロームの面粗度の微少な凹凸を形成するものであり、ＮｉＰ層にテキスチャーが施されると、内部歪の異方性が発現し、円周方向の保磁力の向上に有効である。
しかし、テキスチャーを施すと、テキスチャー処理に伴う異常突起の形成及び媒体基板の平坦度が悪くなるから、磁気ヘッドと磁気記録媒体との接触を避けるために磁気ヘッドの浮上量を大きくせねばならず、又、テキスチャー処理によるスクラッチ等の形成に伴うビットエラーの増大を伴い、磁気記録媒体の記録密度の低下を招く。このため最近では、要求される面粗度は小さくなる傾向にあり、基板に起因するビットエラー欠陥の減少、低浮上域でのヘッド安定的走行及び媒体基板の平坦度を向上させるために、媒体基板にスーパーフィニッシュ加工を施した超平滑媒体基板の要請もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、スーパーフィニッシュ加工を施した超平滑媒体基板においても、磁気記録媒体の高保磁力化と低ノイズ化を達成できる金属薄膜型磁気記録媒体及び製造方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法に於いては、非晶質のＮｉＰ層(22)が形成された媒体基板(２)に、低加速電圧でイオンを照射し、ＮｉＰ層(22)の内部に歪みを生じさせた後、下地層(４)、磁性層(５)、保護膜(６)を順次積層する。
照射するイオンとして、アルゴンイオン、酸素イオン又は窒素イオンを用いることができる。
ここで「低加速電圧」とは、イオンがＮｉＰ層(22)の中に侵入し得る加速電圧で、かつ非晶質のＮｉＰ層(22)を結晶化させない加速電圧であることを意味し、アルゴンイオン、酸素イオン又は窒素イオンを用いる場合、約３００〜２０００Ｖの範囲が好ましく、イオン電流は約３０〜１５０ｍＡが望ましい。
【０００５】
本発明の金属薄膜型磁気記録媒体は、非磁性のサブストレート(21)に非晶質のＮｉＰ層(22)が形成された媒体基板(２)において、ＮｉＰ層(22)の内部はイオン照射によって生じた歪みを有している。
【０００６】
【作用】
本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法では、媒体基板(２)のＮｉＰ層(22)に対して、ＮｉＰ層(22)の中にイオンが侵入し得る加速電圧で、かつ非晶質のＮｉＰ層(22)を結晶化させない加速電圧でイオンを照射するから、ＮｉＰ層(22)の非晶質性が損なわれることなく、ＮｉＰ層の内部に歪みが発生する。
ＮｉＰ層(22)の内部に生じた歪みは、ＮｉＰ層(22)の上に積層される下地層(４)及び磁性層(５)に内部歪みを発生させ、その結果磁性層面内方向の磁気異方性が向上し、磁気記録媒体の保磁力が向上し、ノイズが低減する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の金属薄膜型磁気記録媒体は、非磁性のサブストレート(21)に形成された非晶質のＮｉＰ層(22)に低加速電圧にて加速されたイオンを照射し、ＮｉＰ層(22)の内部に歪みを生じさせることを特徴としている。
【０００８】
図１は、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体(１)の部分断面図を示している。本発明の記録媒体(１)は、サブストレート(21)及びＮｉＰ層(22)からなる媒体基板(２)上に、下地層(４)、磁性層(５)及び保護膜(６)が、この順に積層成膜されている。図１では、ＮｉＰ層(22)、下地層(４)、磁性層(５)及び保護膜(６)をサブストレート(21)に対して対称に成膜しており、両面で書込み／読出しを行なえる構成としているが、各層を片面にのみ成膜して、片面のみで書込み／読出しを行なう構成とすることもできる。
【０００９】
媒体基板(２)は、Ａｌ／ＮｉＰ基板又はガラスのサブストレート(21)にスパッタリング法、メッキ法又は真空蒸着法等により、非晶質のＮｉＰ層(22)が形成されている。
次に、ＮｉＰ層(22)を具えた媒体基板(２)に、低加速電圧にて加速された窒素イオンを照射する。イオンの照射は、熱陰極電子衝撃型イオン銃、ＲＦ励起型イオン銃、又はＥＣＲ(Electron Cyclotron Resonance)イオン銃にて行なうことができる。非晶質のＮｉＰ層(22)に低加速電圧のイオンを照射すると、ＮｉＰ層(22)の内部の数オングストローム乃至数十オングストロームの位置までイオンが侵入して、ＮｉＰ層(22)の内部に歪みが発生する。この歪みによる内部応力により、ＮｉＰ層(22)の表面に歪みが発生する。
イオン照射の際の低加速電圧とは、イオンが少なくともＮｉＰ層(22)の表面から内部に侵入するが、イオン注入時の加熱によりＮｉＰ層(22)が温度上昇して結晶化しない程度の電圧である。使用するイオンがアルゴンイオン、酸素イオン、窒素イオンの場合、加速電圧は３００Ｖ〜２０００Ｖの範囲が望ましい。
【００１０】
次に、媒体基板(２)のＮｉＰ層(22)の上に、公知の如く、スパッタリング、メッキ又は真空蒸着法等により下地層(４)、磁性層(５)及び保護膜(６)を順に成膜積層して、金属薄膜型磁気記録媒体(１)が作製される。
【００１１】
【実施例】
実施例１
この実施例では、イオン照射によってＮｉＰ層の内部に歪みが形成されることを明らかにする。
媒体基板は、Ａｌ／ＮｉＰのサブストレート(３.５inch−３１.５mil)に、表面に超平滑加工処理を行なって、表面粗さ５〜６オングストローム、平坦度５〜６μmとなるよう加工した。熱陰極電子衝撃型イオン銃を用いて、媒体基板のＮｉＰ層に窒素イオンを１０００Ｖの低加速電圧で照射した。
次に、公知の要領にて、得られた媒体基板を約２６０℃の温度で加熱し、スパッタリング装置により、下地層(成分は実質的にＣｒ；層厚は約６００オングストローム)を形成し、さらに磁性層(成分は原子％でＣｒ１０％、Ｔａ６％、残部実質的にＣｏ；層厚は４００オングストローム)を形成した後、保護膜(成分は実質的にＣ；膜厚は１２０オングストローム)を形成し、供試磁気ディスク(a)を得た。なお、下地層と磁性層の成膜時のバイアス電圧は約−２００Ｖである。
【００１２】
比較のために、ＮｉＰ層にイオン照射を行なわない供試磁気ディスク(x)を作製した。なお、磁気ディスク(x)の作製手順は、イオンを照射しなかった点を除いて、供試磁気ディスク(a)と同じである。
【００１３】
供試磁気ディスク(a)と(x)のＸ線回折測定結果を図２に示す。図２を参照すると、ディスク(a)のＣｒ(200)ピークとＣｏ(110)ピークは、ディスク(x)に比べて２θで低角度側にシフトしていることがわかる。なお、縦軸の強さを示す数値は任意単位(arbitrary unit)である。このＸ線回折測定結果により、ディスク(a)のＣｒ下地層とＣｏ合金の磁性層が、ディスク(x)に比べて圧縮歪みを大きく受けていることがわかる。これは、ＮｉＰ層に発生した歪により、下地層と磁性層に残留歪みが生じたものと推察される。
【００１４】
実施例２
この実施例では、イオン照射によりＮｉＰ層の内部に生じた歪みによって、磁気記録媒体の磁気特性と記録再生特性が改善されることを明らかにする。
実施例１で作製した供試磁気ディスク(a)と(x)の他に、ＮｉＰ層に１０００Ｖで酸素イオンを照射した供試磁気ディスク(b)について、磁気記録特性と記録再生特性を測定した。測定結果を表１に示す。
表１中、Ｈｃは保磁力、Ｂｒｄは残留磁束密度、Ｓは角形比、ＴＡＡは出力、ＳＮｍは媒体ノイズと信号強度との比、Ｎｍは媒体ノイズを示している。
【００１５】
【表１】

【００１６】
表１から明らかなように、本発明の実施例に係る供試磁気ディスク(a)(b)は従来の磁気記録媒体である供試磁気ディスク(x)に比べて、磁気特性(特に、保磁力Ｈｃ)と記録再生特性(特に、媒体ノイズＮｍ)が両方共向上していることがわかる。
【００１７】
実施例３
この実施例では、熱陰極電子衝撃型イオン銃によるイオン加速電圧を変化させて、イオン加速電圧と保磁力の関係を調べるものである。
ＮｉＰ層に３００Ｖと１０００Ｖの加速電圧で窒素イオンを照射した２つの媒体基板、及びイオン照射しない媒体基板に、夫々、Ｃｒ下地層及びＣｏ₈₄Ｃｒ₁₀Ｔａ₆の磁性層を形成し、供試磁気ディスク(c)(c)(c)を作製した。
ＮｉＰ層に３００Ｖと１０００Ｖの加速電圧で酸素イオンを照射した２つの媒体基板、及びイオン照射しない媒体基板に、夫々、Ｃｒ下地層及びＣｏ₈₄Ｃｒ₁₀Ｔａ₆の磁性層を形成し、供試磁気ディスク(d)(d)(d)を作製した。
ＮｉＰ層に３００Ｖと１０００Ｖの加速電圧で窒素イオンを照射した２つの媒体基板、及びイオン照射しない媒体基板に、夫々、Ｃｒ下地層及びＣｏ₇₇Ｃｒ₁₃Ｔａ₆Ｐｔ₄の磁性層を形成し、供試磁気ディスク(e)(e)(e)を作製した。
ＮｉＰ層に３００Ｖと１０００Ｖの加速電圧で酸素イオンを照射した２つの媒体基板、及びイオン照射しない媒体基板に、夫々、Ｃｒ下地層及びＣｏ₇₇Ｃｒ₁₃Ｔａ₆Ｐｔ₄の磁性層を形成し、供試磁気ディスク(f)(f)(f)を作製した。
【００１８】
供試磁気ディスク(c)(d)の保磁力測定結果を図３に、供試磁気ディスク(e)(f)の保磁力測定結果を図４に示す。
図３及び図４の結果を参照すると、保磁力は、酸素イオンを照射した磁気ディスクの方が窒素イオンを照射した磁気ディスクよりも若干すぐれており、酸素イオンを照射する方がより望ましいことがわかる。
また、イオン加速電圧が３００Ｖのときに、イオン照射しない場合に比べて約１０％、イオン加速電圧が１０００Ｖのときに、イオン照射しない場合に比べて約２０％の保磁力の向上が認められる。
【００１９】
なお、イオン加速電圧が高くなりすぎると、ＮｉＰの非晶質層が結晶化する虞れがあるので、あまりに高くすべきではない。
また、ＮｉＰ層に照射するイオンは、前記した酸素イオンと窒素イオンに限定されるものでなく、酸素イオンよりも小さいイオン、例えば水素イオン等も用いることができる。
【００２０】
【発明の効果】
本発明の金属薄膜型磁気記録媒体は、上記の如く、従来の磁気記録媒体に比べて保磁力が高く、ノイズが小さい。しかも、テキスチャー処理のように微少な粗さを付していないから、媒体基板にスーパーフィニッシュ加工を施して、微小突起がなく、平坦度をより一層向上させることにより、磁気ヘッド浮上量を可及的に小さくすることができ、従来の磁気記録媒体を凌ぐ高密度記録が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】金属薄膜型磁気記録媒体の部分断面図である。
【図２】磁気記録媒体のＸ線回析結果を示すグラフである。
【図３】照射するイオンの種類及び加速電圧と、保磁力との関係を示すグラフである。
【図４】照射するイオンの種類及び加速電圧と、保磁力との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
(１) 金属薄膜型磁気記録媒体
(２) 媒体基板
(21) サブストレート
(22) ＮｉＰ層
(４) 下地層
(５) 磁性層
(６) 保護膜[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a magnetic recording medium used in a magnetic disk device such as a hard disk, and more specifically to a metal thin film type magnetic recording medium excellent in magnetic characteristics and recording / reproducing characteristics and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
As shown in FIG. 1, a metal thin film type magnetic recording medium (1) used for a hard disk generally has an amorphous NiP layer (22) formed on a nonmagnetic substrate (21) made of an Al alloy, glass or the like. An underlayer (4) made of substantially Cr, a magnetic layer (5) made of a Co alloy, etc., and a protective film (6) made of carbon or the like are sequentially formed on the medium substrate (2). Yes.
Recently, with the improvement of the recording density (linear recording density and track density) of the metal thin film type magnetic recording medium, the magnetic recording medium needs to increase the recording resolution, and the improvement of magnetic characteristics (particularly, the high coercive force) Therefore, improvement of recording / reproduction characteristics (particularly, low noise) is demanded. As means for improving the coercive force by structurally devising the magnetic recording medium, there is a technique for applying a texture to the NiP layer of the medium substrate. The texture is formed by wrapping tape or loose abrasive grains to form minute irregularities with a surface roughness of Ra 50 to 100 angstroms in the circumferential direction of the NiP layer. When the texture is applied to the NiP layer, the internal strain is reduced. Anisotropy appears and is effective in improving the coercive force in the circumferential direction.
However, if texture is applied, the formation of abnormal protrusions accompanying texture processing and the flatness of the medium substrate deteriorate, so the flying height of the magnetic head must be increased to avoid contact between the magnetic head and the magnetic recording medium. In addition, the bit error increases due to the formation of scratches and the like by the texture processing, leading to a decrease in the recording density of the magnetic recording medium. For this reason, recently, the required surface roughness tends to be small, and in order to reduce bit error defects caused by the substrate, to stably run the head in a low flying area, and to improve the flatness of the media substrate, There is also a demand for an ultra-smooth medium substrate in which the substrate is superfinished.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to provide a metal thin film type magnetic recording medium and a manufacturing method capable of achieving high coercive force and low noise of the magnetic recording medium even on a super-smoothed medium substrate subjected to superfinishing.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, in the method for producing a metal thin film magnetic recording medium of the present invention, ions are applied to the medium substrate (2) on which the amorphous NiP layer (22) is formed at a low acceleration voltage. After irradiating and causing distortion in the NiP layer (22), an underlayer (4), a magnetic layer (5), and a protective film (6) are sequentially laminated.
Argon ions, oxygen ions, or nitrogen ions can be used as the ions to be irradiated.
Here, the “low acceleration voltage” means an acceleration voltage at which ions can penetrate into the NiP layer (22) and an acceleration voltage that does not crystallize the amorphous NiP layer (22). When argon ions, oxygen ions, or nitrogen ions are used, a range of about 300 to 2000 V is preferable, and an ion current is preferably about 30 to 150 mA.
[0005]
The metal thin film type magnetic recording medium of the present invention is a medium substrate (2) in which an amorphous NiP layer (22) is formed on a nonmagnetic substrate (21), and the inside of the NiP layer (22) is irradiated with ions. The distortion caused by
[0006]
[Action]
In the method for producing a metal thin film magnetic recording medium of the present invention, the NiP layer (22) of the medium substrate (2) has an accelerating voltage at which ions can enter the NiP layer (22) and is amorphous. Since the ions are irradiated with an acceleration voltage that does not cause the NiP layer (22) to be crystallized, the amorphousness of the NiP layer (22) is not impaired, and distortion occurs in the NiP layer.
The strain generated in the NiP layer (22) generates internal strain in the underlayer (4) and the magnetic layer (5) laminated on the NiP layer (22), and as a result, the magnetic layer in the in-plane direction is magnetized. Anisotropy is improved, the coercivity of the magnetic recording medium is improved, and noise is reduced.
[0007]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
In the metal thin film type magnetic recording medium of the present invention, an amorphous NiP layer (22) formed on a nonmagnetic substrate (21) is irradiated with ions accelerated at a low acceleration voltage, and the NiP layer (22 ) Is distorted inside.
[0008]
FIG. 1 shows a partial sectional view of a metal thin film type magnetic recording medium (1) of the present invention. The recording medium (1) of the present invention comprises an underlayer (4), a magnetic layer (5) and a protective film (6) on a medium substrate (2) comprising a substrate (21) and a NiP layer (22). The layers are formed in this order. In FIG. 1, the NiP layer (22), the underlayer (4), the magnetic layer (5) and the protective film (6) are formed symmetrically with respect to the substrate (21), and writing / reading is performed on both sides. However, it is also possible to form each layer only on one side and write / read only on one side.
[0009]
In the medium substrate (2), an amorphous NiP layer (22) is formed on an Al / NiP substrate or a glass substrate (21) by sputtering, plating, vacuum deposition or the like.
Next, the medium substrate (2) having the NiP layer (22) is irradiated with nitrogen ions accelerated at a low acceleration voltage. Ion irradiation can be performed with a hot cathode electron impact ion gun, an RF excitation ion gun, or an ECR (Electron Cyclotron Resonance) ion gun. When the amorphous NiP layer (22) is irradiated with low acceleration voltage ions, the ions penetrate into the NiP layer (22) several angstroms to several tens of angstroms, and enter the NiP layer (22). Distortion occurs. Due to the internal stress due to this strain, strain is generated on the surface of the NiP layer (22).
The low acceleration voltage at the time of ion irradiation is a voltage at which ions enter at least from the surface of the NiP layer (22), but the NiP layer (22) rises in temperature due to heating during ion implantation and does not crystallize. It is. When ions to be used are argon ions, oxygen ions, and nitrogen ions, the acceleration voltage is preferably in the range of 300V to 2000V.
[0010]
Next, on the NiP layer (22) of the medium substrate (2), as is well known, an underlayer (4), a magnetic layer (5), and a protective film (6) are sequentially formed by sputtering, plating, vacuum deposition or the like. The metal thin film type magnetic recording medium (1) is produced by depositing the films.
[0011]
【Example】
Example 1
In this example, it is clarified that strain is formed inside the NiP layer by ion irradiation.
The medium substrate was processed on an Al / NiP substrate (3.5 inch-31.5 mil) by ultra-smooth processing on the surface so that the surface roughness was 5-6 angstroms and the flatness was 5-6 μm. Using a hot cathode electron impact ion gun, the NiP layer of the medium substrate was irradiated with nitrogen ions at a low acceleration voltage of 1000V.
Next, the obtained medium substrate is heated at a temperature of about 260 ° C. in a known manner, and a base layer (component is substantially Cr; layer thickness is about 600 Å) is formed by a sputtering apparatus, After forming a magnetic layer (components are atomic 10% Cr, Ta 6%, the balance is substantially Co; layer thickness is 400 Å), a protective film (component is substantially C; film thickness is 120 Å) is formed. A test magnetic disk (a) was obtained. The bias voltage when forming the underlayer and the magnetic layer is about −200V.
[0012]
For comparison, a test magnetic disk (x) in which the NiP layer was not irradiated with ions was produced. The procedure for manufacturing the magnetic disk (x) is the same as that of the test magnetic disk (a) except that the ion irradiation was not performed.
[0013]
The X-ray diffraction measurement results of the test magnetic disks (a) and (x) are shown in FIG. Referring to FIG. 2, it can be seen that the Cr (200) peak and the Co (110) peak of the disk (a) are shifted to the lower angle side by 2θ compared to the disk (x). The numerical value indicating the strength of the vertical axis is an arbitrary unit. From this X-ray diffraction measurement result, it can be seen that the Cr underlayer of the disk (a) and the magnetic layer of the Co alloy are subjected to a larger compressive strain than the disk (x). This is presumed that residual strain was generated in the underlayer and the magnetic layer due to the strain generated in the NiP layer.
[0014]
Example 2
In this example, it will be clarified that the magnetic characteristics and recording / reproducing characteristics of the magnetic recording medium are improved by the strain generated in the NiP layer by ion irradiation.
In addition to the test magnetic disks (a) and (x) produced in Example 1, the magnetic recording characteristics and recording / reproduction characteristics of the test magnetic disk (b) in which the NiP layer was irradiated with oxygen ions at 1000 V were measured. . The measurement results are shown in Table 1.
In Table 1, Hc is a coercive force, Brd is a residual magnetic flux density, S is a squareness ratio, TAA is an output, SNm is a ratio of medium noise to signal intensity, and Nm is medium noise.
[0015]
[Table 1]

[0016]
As is apparent from Table 1, the test magnetic disks (a) and (b) according to the examples of the present invention have a magnetic property (particularly, a storage characteristic) as compared with the test magnetic disk (x) which is a conventional magnetic recording medium. It can be seen that both the magnetic force Hc) and the recording / reproducing characteristics (particularly medium noise Nm) are improved.
[0017]
Example 3
In this embodiment, the relationship between the ion acceleration voltage and the coercive force is examined by changing the ion acceleration voltage by the hot cathode electron impact ion gun.
A Cr underlayer and a Co ₈₄ Cr ₁₀ Ta ₆ magnetic layer were formed on two medium substrates irradiated with nitrogen ions at an acceleration voltage of 300 V and 1000 V on the NiP layer and on a medium substrate not irradiated with ions, respectively. Discs (c), (c) and (c) were produced.
A Cr underlayer and a Co ₈₄ Cr ₁₀ Ta ₆ magnetic layer were formed on two medium substrates irradiated with oxygen ions at an acceleration voltage of 300 V and 1000 V on the NiP layer and on a medium substrate not irradiated with ions, respectively. Discs (d), (d), and (d) were produced.
A Cr underlayer and a Co ₇₇ Cr ₁₃ Ta ₆ Pt ₄ magnetic layer were formed on two medium substrates irradiated with nitrogen ions at an acceleration voltage of 300 V and 1000 V on the NiP layer and on a medium substrate not irradiated with ions, respectively. Test magnetic disks (e) (e) (e) were produced.
A Cr underlayer and a Co ₇₇ Cr ₁₃ Ta ₆ Pt ₄ magnetic layer were respectively formed on two medium substrates irradiated with oxygen ions at an acceleration voltage of 300 V and 1000 V on the NiP layer and on a medium substrate not irradiated with ions. Sample magnetic disks (f) (f) (f) were produced.
[0018]
The coercive force measurement results of the test magnetic disks (c) and (d) are shown in FIG. 3, and the coercivity measurement results of the test magnetic disks (e) and (f) are shown in FIG.
Referring to the results of FIGS. 3 and 4, the coercive force is slightly better in the magnetic disk irradiated with oxygen ions than in the magnetic disk irradiated with nitrogen ions, and it is more preferable to irradiate oxygen ions. Recognize.
Further, when the ion acceleration voltage is 300 V, the coercive force is improved by about 10% as compared with the case without ion irradiation, and when the ion acceleration voltage is 1000 V, the coercive force is improved by about 20% as compared with the case without ion irradiation.
[0019]
If the ion acceleration voltage becomes too high, the NiP amorphous layer may crystallize, and should not be too high.
Further, the ions irradiated to the NiP layer are not limited to the above-described oxygen ions and nitrogen ions, but ions smaller than oxygen ions, for example, hydrogen ions can be used.
[0020]
【The invention's effect】
As described above, the metal thin film type magnetic recording medium of the present invention has higher coercive force and lower noise than conventional magnetic recording media. In addition, since the surface roughness is not as fine as the texture treatment, the magnetic substrate flying height can be increased by applying super-finish processing to the media substrate to improve the flatness without any fine protrusions. Therefore, high-density recording that surpasses conventional magnetic recording media is possible.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a metal thin film type magnetic recording medium.
FIG. 2 is a graph showing the results of X-ray diffraction of a magnetic recording medium.
FIG. 3 is a graph showing the relationship between the type of ions to be irradiated, the acceleration voltage, and the coercive force.
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the type of ions to be irradiated, the acceleration voltage, and the coercive force.
[Explanation of symbols]
(1) Metal thin film type magnetic recording media
(2) Media substrate
(21) Substrate
(22) NiP layer
(4) Underlayer
(5) Magnetic layer
(6) Protective film

Claims

An underlayer (4), a magnetic layer (5), and a protective film (6) are sequentially stacked on a medium substrate (2) having an amorphous NiP layer (22) formed on a nonmagnetic substrate (21). In the method of manufacturing a metal thin film type magnetic recording medium, the medium substrate (2) is irradiated with ions at a low acceleration voltage to cause distortion in the amorphous NiP layer (22), and then the underlayer (4 ), A magnetic layer (5), and a protective film (6) are sequentially laminated.

The manufacturing method according to claim 1, wherein the ions to be irradiated are argon ions, oxygen ions, or nitrogen ions.

An underlayer (4), a magnetic layer (5), and a protective film (6) are sequentially laminated on a medium substrate (2) on which an amorphous NiP layer (22) is formed on a nonmagnetic substrate (21). In the metal thin film type magnetic recording medium thus formed, the NiP layer (22) of the medium substrate (2) has a distortion caused by ion irradiation inside thereof.