JP3863582B2

JP3863582B2 - Plasma CVD equipment

Info

Publication number: JP3863582B2
Application number: JP24484395A
Authority: JP
Inventors: 直樹鈴木; 清郎三宅; 裕二筒井; 康司新井; 和幸澤田
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-09-22
Filing date: 1995-09-22
Publication date: 2006-12-27
Anticipated expiration: 2015-09-22
Also published as: JPH0992706A

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体工業等における薄膜形成工程に利用されるプラズマＣＶＤ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマＣＶＤ装置は、ＳｉＮ（窒化珪素）、ＳｉＯ₂（酸化珪素）及びＳｉＯＮ（酸窒化珪素）のような物質を堆積することができ、半導体においては層間絶縁膜や保護膜等の形成に利用されている。
【０００３】
以下、従来例のプラズマＣＶＤ装置を用いてＳｉＮ膜を堆積する場合について図２を参照しながら説明する。
【０００４】
図２において、反応室２１は真空排気口２２を有しかつ接地されている。２３は電極で、高周波発振器２４からの電力がマッチングチューナー２４ａ、高周波電力供給部２４ｂを通って供給される。電極２３は反応ガス導入管２５から供給された反応ガスを反応室２１内に分散させて供給するためのガス流出孔２６を有する。２７は反応室２１と電極２３を絶縁するための絶縁リングである。２８は反応ガス導入管２５と電極２３とを絶縁するための絶縁管である。２９は基板３０を載置し、かつ基板３０を加熱するためのヒータブロックであり、ヒータ及び熱電対（図示せず）が埋め込まれている。ヒータブロック２９の材質は耐食性を考慮し、アルミニウム（Ａ５０５２）にて構成されている。ヒータブロック２９は接地されている。３１はヒータブロック２９を固定するための固定板であり、反応室２１内を真空に保つためにヒータブロック２９の貫通部にＯリング３２が取付けられている。また、電極２３、絶縁リング２７、固定板３１にも反応室２１内の真空を保つＯリング（図示せず）が設けられている。３３はＯリング３２が２００°Ｃ以上に加熱されないように固定板３１に設けられた冷却水を流す水冷溝である。
【０００５】
次に、以上の構成のプラズマＣＶＤ装置の動作について説明する。基板３０をヒータブロック２９で約３５０°Ｃに加熱し、反応室２１にはガス流出孔２６からＳｉＨ₄（モノシラン）ガスを１５０ｓｃｃｍ、Ｎ₂ガスを３０００ｓｃｃｍ、ＮＨ₃（アンモニア）ガスを１００ｓｃｃｍ流した状態で、反応室２１を約２Ｔｏｒｒの真空に保持する。電極２３には１３．５６ＭＨｚの高周波電力が４００Ｗ印加され、電極２３とヒータブロック２９間でプラズマ放電を起こす。反応室２１中の反応ガスとしてのＳｉＨ₄ガス、Ｎ₂ガス、ＮＨ₃ガスは、プラズマエネルギーにより分離され、基板３０上にＳｉＮ膜を堆積する。
【０００６】
さらに、膜堆積した基板３０を搬出した後、反応室２１をプラズマクリーニングにより反応室中に堆積した膜を除去する。クリーニング条件として、ＳＦ₆（六フッ化硫黄）ガスを３００ｓｃｃｍ、Ｏ₂（酸素）ガスを１５０ｓｃｃｍを流した状態で、反応室２１を約０．５Ｔｏｒｒに保ち、電極２３に１３．５６ＭＨｚの高周波電力を５００Ｗ印加する。以上の条件で膜堆積と反応室２１のクリーニングを行なう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記構成ではプラズマによるダメージ、あるいはクリーニング時のフッ素ラジカルによる腐蝕により、１０，０００枚処理するごとに電極２３及びヒータブロック２９を新品に交換する必要があった。しかしながら、上記のような構成では、ヒータブロック２９内にヒータが埋め込まれており、コストがかかり、交換の際の作業に時間がかかるという問題があった。
【０００８】
また、この問題を解決する手段として、ヒータブロック２９の上に基板台を載せる方法があるが、加熱温度が４００°Ｃ（基板台を載置した場合、基板上で同じ温度を得るためには高く設定する必要がある）と高いため、ヒータブロック２９と基板台が焼き付き、取外しが困難となるという問題がある。
【０００９】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、電極交換時に基板台を容易に交換ができるようにし、作業性を向上するとともに低コスト化を図ることができるプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、真空排気口と反応ガス導入口を有する反応室と、反応室内で基板を載置する基板台と、基板台を加熱するヒータブロックと、基板台に対して対向位置に配置され高周波電力が供給される電極とを備えたプラズマＣＶＤ装置において、基板台とヒータブロックが接触する部分のどちらか一方あるいは両方の接触面の表面の粗さが、中心線平均粗さＲａ５μｍ以上であることを特徴とする。
【００１２】
また、粗面とする代わりに、基板台とヒータブロックが接触する部分のどちらか一方あるいは両方の接触面に酸化アルミニウム膜を形成し、前記酸化アルミニウム膜の厚みが１〜１５μｍであってもよい。
【００１４】
また、基板台とヒータブロックの間に、基板台とヒータブロックとは異なるニッケル、モネル、インコネル、チタンのうち一つの金属板を介装してもよい。
【００１５】
【作用】
本発明の上記構成によれば、ヒータブロックと基板台の接触部分のどちらか一方あるいは両方の接触面の表面の粗さが、中心線平均粗さＲａ５μｍ以上に粗面化され、あるいは１〜１５μｍの厚みの酸化アルミニウム膜が形成され、又は基板台とヒータブロックの間に異種のニッケル、モネル、インコネル、チタンのうち一つの金属板が介装されていることにより、焼き付くことがなく、取外しが容易となり、作業性が向上する。
【００１６】
【実施例】
以下、本発明のプラズマＣＶＤ装置の第１実施例について、図１を参照して説明する。
【００１７】
図１において、反応室１は真空排気口２を有しかつ接地されている。３は電極で、高周波発振器４からの電力がマッチングチューナー４ａ、高周波電力供給部４ｂを通って供給される。電極３は反応ガス導入管５から供給された反応ガスを反応室１内に分散させて供給するためのガス流出孔６を有する。７は反応室１と電極３を絶縁するための絶縁リングである。８は反応ガス導入管５と電極３とを絶縁するための絶縁管である。９は基板１０を載置するための基板台であり、材質はアルミニウム（Ａ５０５２）である。１１は、基板１０を加熱するためのヒータブロックであり、ヒータ及び熱電対（図示せず）が埋め込まれている。ヒータブロック１１の材質は耐食性を考慮し、アルミニウム（Ａ５０５２）にて構成されている。ヒータブロック１１は接地されている。基板台９とヒータブロック１１はねじ１２にて固定されている。１３はねじ１２部分での異常放電を防止するためのアルミナからなるリング状の絶縁板である。１４はヒータブロック１１を固定するための固定板であり、反応室１内を真空に保つためにヒータブロック１１の貫通部にＯリング１５が取付けられている。また、反応室１内の真空を保つために電極３、絶縁リング７、固定板１４にもＯリング（図示せず）が設けられている。１６はＯリング１５が２００°Ｃ以上に加熱されないように固定板１４に設けられた冷却水を流すための水冷溝である。１７は基板台９の下表面を２５０μｍ粒径のブラスト処理により粗面化した粗面を示し、中心線平均あらさＲａは８μｍとされている。
【００１８】
次に、以上の構成のプラズマＣＶＤ装置の動作について説明する。基板１０をヒータブロック１１で約４１０°Ｃ（基板台９上に基板１０が載るため基板１０を約３５０°Ｃにするためには温度を上げる必要がある。）に加熱し、反応室１にはガス流出孔６からＳｉＨ₄（モノシラン）ガスを１５０ｓｃｃｍ、Ｎ₂ガスを３０００ｓｃｃｍ、ＮＨ₃（アンモニア）ガスを１００ｓｃｃｍ流した状態で、反応室１を約２Ｔｏｒｒの真空に保持する。電極３には１３．５６ＭＨｚの高周波電力が４００Ｗ印加され、電極３とヒータブロック１１上の基板台９間でプラズマ放電を起こす。反応室１中の反応ガスとしてのＳｉＨ₄ガス、Ｎ₂ガス、ＮＨ₃ガスは、プラズマエネルギーにより分離され、基板１０上にＳｉＮ膜を堆積する。
【００１９】
さらに、膜堆積した基板１０を搬出した後、反応室１をプラズマクリーニングにより反応室中に堆積した膜を除去する。クリーニング条件として、ＳＦ₆（六フッ化硫黄）ガスを３００ｓｃｃｍ、Ｏ₂（酸素）ガスを１５０ｓｃｃｍを流した状態で、反応室１を約０．５Ｔｏｒｒに保ち、電極３に１３．５６ＭＨｚの高周波電力を５００Ｗ印加する。以上の条件で膜堆積と反応室１のクリーニングを行なう。１０，０００枚処理した後、基板台９とヒータブロック１１の焼き付き状態を確認した結果、基板台９とヒータブロック１１は焼き付くことなく、容易に基板台９を交換することができた。
【００２０】
以上のように本実施例によれば、基板台９とヒータブロック１１の接触面の基板台９側の表面をブラスト処理により粗面化することにより、基板台９とヒータブロック１１は焼き付くことなく、容易に基板台９を交換することができ、電極交換時にヒータブロックを取り外すことなく、基板台９だけの交換で済み、作業性向上・低コスト化につながる。
【００２１】
次に、本発明の第２実施例のプラズマＣＶＤ装置について説明する。全体的な装置構成は、図１と同じであり、異なる点は、基板台９表面の粗面１７の代わりに、アルマイト処理を行い、Ａｌ₂Ｏ₃（酸化アルミニム）膜を１０μｍ堆積した点にある。
【００２２】
以上のように構成されたプラズマＣＶＤ装置について、第１実施例と同じ条件で処理した場合について説明する。同じ条件で、膜堆積と反応室１のクリーニングを行い、１０，０００枚処理した後、基板台９とヒータブロック１１は全く焼き付くことなく、容易に基板台９を交換することができた。
【００２３】
以上のように本実施例によれば、基板台９とヒータブロック１１の接触面の基板台９側の表面をアルマイト処理することにより、基板台９とヒータブロック１１は全く焼き付くことなく、容易に基板台９を交換することができ、電極交換時にヒータブロックを取り外すことなく、基板台９だけの交換で済み、作業性向上・低コスト化につながる。
【００２４】
次に、本発明の第３実施例のプラズマＣＶＤ装置について説明する。全体的な装置構成は、図１と同じであり、異なる点は、基板台９表面の粗面１７の代わりに、基板台９表面とヒータブロック１１の間に異種金属板１９を介装した点にある。異種金属の材質はニッケルから成り、厚さは２ｍｍとした。
【００２５】
以上のように本実施例によれば、基板台９とヒータブロック１１の間に異種金属板１９を介在したことにより、基板台９とヒータブロック１１は全く焼き付くことなく、容易に基板台９を交換することができ、電極交換時にヒータブロックを取り外すことなく、基板台９だけの交換で済み、作業性向上・低コスト化につながる。
【００２６】
なお、第１実施例においては、基板台９側の接触面をブラスト処理したが、ヒータブロック１１側、あるいは基板台９とヒータブロック１１の両接触面をブラスト処理した場合も同じ効果が得られる。また、ブラスト処理を２５０μｍの粒径で処理し、Ｒａを８μｍとしたが、実験によりＲａが５μｍ以上であれば同様の効果があることが分かった。
【００２７】
また、第２実施例において、基板台９側の接触面をアルマイト処理したが、ヒータブロック１１側、あるいは基板台９とヒータブロック１１の両接触面をアルマイト処理した場合も同じ効果が得られる。また、アルマイト処理の膜厚を１０μｍとしたが、膜厚が１μｍ以上あれば同様の効果がある。また、膜厚が厚ければ厚いほど効果がある。ただし、Ａｌ₂Ｏ₃の膜厚が１５μｍ以上であれば、アルミニウムとＡｌ₂Ｏ₃の熱膨張差からアルマイト面に割れが発生し、成膜時のダストとなる問題がある。
【００２８】
また、第２実施例では、アルマイト処理によりＡｌ₂Ｏ₃膜を堆積したが、溶射、メッキ等他の方法により堆積しても同様の効果が得られる。また、アルマイト処理によりＡｌ₂Ｏ₃膜を堆積したので熱伝導性がよい。
【００２９】
また、第３実施例において、異種金属をニッケルとしたが、異種金属であれば同様の効果が得られ、特にモネル、インコネル、チタン等の耐食性のある異種金属板であればなお良い。
【００３０】
【発明の効果】
本発明のプラズマＣＶＤ装置によれば、以上の説明から明らかなように、ヒータブロックと基板台の接触部分のどちらか一方あるいは両方の接触面の表面の粗さが、中心線平均粗さＲａ５μｍ以上に粗面化され、あるいは１〜１５μｍの厚みの酸化アルミニウム膜が形成され、又は基板台とヒータブロックの間に異種のニッケル、モネル、インコネル、チタンのうち一つの金属板が介装されていることにより、焼き付くことがなく、基板台をヒータブロックから容易に取り外すことができ、その結果電極交換時にヒータブロックを取り外すことなく、基板台だけを交換すれば良く、作業性が向上するとともに低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプラズマＣＶＤ装置の一実施例の縦断面図である。
【図２】従来例のプラズマＣＶＤ装置の縦断面図である。
【符号の説明】
１反応室
２真空排気口
４高周波発振器
５反応ガス導入管
９基板台
１０基板
１１ヒータブロック
１７粗面
１８絶縁膜
１９異種金属板[0001]
[Industrial application fields]
The present invention relates to a plasma CVD apparatus used in a thin film forming process in the semiconductor industry or the like.
[0002]
[Prior art]
The plasma CVD apparatus can deposit materials such as SiN (silicon nitride), SiO ₂ (silicon oxide), and SiON (silicon oxynitride), and is used for forming an interlayer insulating film and a protective film in a semiconductor. ing.
[0003]
Hereinafter, a case where a SiN film is deposited using a conventional plasma CVD apparatus will be described with reference to FIG.
[0004]
In FIG. 2, the reaction chamber 21 has a vacuum exhaust port 22 and is grounded. Reference numeral 23 denotes an electrode, and power from the high-frequency oscillator 24 is supplied through a matching tuner 24a and a high-frequency power supply unit 24b. The electrode 23 has gas outflow holes 26 for dispersing and supplying the reaction gas supplied from the reaction gas introduction pipe 25 into the reaction chamber 21. Reference numeral 27 denotes an insulating ring for insulating the reaction chamber 21 and the electrode 23. Reference numeral 28 denotes an insulating tube for insulating the reaction gas introduction tube 25 and the electrode 23. Reference numeral 29 denotes a heater block for placing the substrate 30 and heating the substrate 30, and a heater and a thermocouple (not shown) are embedded therein. The material of the heater block 29 is made of aluminum (A5052) in consideration of corrosion resistance. The heater block 29 is grounded. Reference numeral 31 denotes a fixing plate for fixing the heater block 29, and an O-ring 32 is attached to a through portion of the heater block 29 in order to keep the inside of the reaction chamber 21 in a vacuum. The electrode 23, the insulating ring 27, and the fixing plate 31 are also provided with O-rings (not shown) that keep the vacuum in the reaction chamber 21. Reference numeral 33 denotes a water cooling groove for flowing cooling water provided on the fixed plate 31 so that the O-ring 32 is not heated to 200 ° C. or higher.
[0005]
Next, the operation of the plasma CVD apparatus having the above configuration will be described. The substrate 30 was heated to about 350 ° C. by the heater block 29, and 150 sccm of SiH ₄ (monosilane) gas, 3000 sccm of N ₂ gas, and 100 sccm of NH ₃ (ammonia) gas were flowed into the reaction chamber 21 from the gas outflow hole 26. In this state, the reaction chamber 21 is maintained in a vacuum of about 2 Torr. 400 W of high frequency power of 13.56 MHz is applied to the electrode 23, and plasma discharge occurs between the electrode 23 and the heater block 29. SiH ₄ gas, N ₂ gas, and NH ₃ gas as reaction gases in the reaction chamber 21 are separated by plasma energy, and a SiN film is deposited on the substrate 30.
[0006]
Further, after the film-deposited substrate 30 is unloaded, the film deposited in the reaction chamber 21 is removed by plasma cleaning of the reaction chamber 21. As cleaning conditions, SF ₆ (sulfur hexafluoride) gas at 300 sccm and O ₂ (oxygen) gas at 150 sccm are flowed, the reaction chamber 21 is maintained at about 0.5 Torr, and the electrode 23 has a high frequency power of 13.56 MHz. 500 W is applied. Film deposition and reaction chamber 21 cleaning are performed under the above conditions.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the above configuration, it is necessary to replace the electrode 23 and the heater block 29 with new ones every time 10,000 sheets are processed due to plasma damage or corrosion caused by fluorine radicals during cleaning. However, in the above configuration, there is a problem that the heater is embedded in the heater block 29, which is costly and requires time for replacement work.
[0008]
Moreover, as a means for solving this problem, there is a method of placing a substrate table on the heater block 29, but the heating temperature is 400 ° C (in order to obtain the same temperature on the substrate when the substrate table is mounted). Therefore, there is a problem that the heater block 29 and the substrate stand are seized and it is difficult to remove.
[0009]
An object of the present invention is to provide a plasma CVD apparatus capable of easily exchanging a substrate table at the time of electrode replacement, improving workability and reducing costs. Yes.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The plasma CVD apparatus of the present invention includes a reaction chamber having a vacuum exhaust port and a reaction gas inlet, a substrate table on which the substrate is placed in the reaction chamber, a heater block for heating the substrate table, and a position facing the substrate table. In the plasma CVD apparatus provided with an electrode to which high-frequency power is supplied , the roughness of the surface of one or both of the contact surfaces of the substrate base and the heater block is the centerline average roughness Ra of 5 μm. It is the above .
[0012]
Further, instead of the rough surface, an aluminum oxide film may be formed on one or both of the contact surfaces of the substrate table and the heater block, and the thickness of the aluminum oxide film may be 1 to 15 μm. .
[0014]
Further, between the substrate table and the heater block, the nickel that is different from the substrate base and the heater block, Monel, Inconel, may be interposed one metal plate of the titanium.
[0015]
[Action]
According to the above configuration of the present invention, the surface roughness of one or both of the contact portions of the heater block and the substrate base is roughened to a center line average roughness Ra of 5 μm or more , or 1 to 15 μm. An aluminum oxide film having a thickness of 5 mm is formed, or one metal plate of different types of nickel, monel, inconel, and titanium is interposed between the substrate base and the heater block, so that it can be removed without being seized. It becomes easy and workability is improved.
[0016]
【Example】
Hereinafter, a first embodiment of the plasma CVD apparatus of the present invention will be described with reference to FIG.
[0017]
In FIG. 1, the reaction chamber 1 has a vacuum exhaust port 2 and is grounded. Reference numeral 3 denotes an electrode, and power from the high-frequency oscillator 4 is supplied through a matching tuner 4a and a high-frequency power supply unit 4b. The electrode 3 has a gas outflow hole 6 for dispersing and supplying the reaction gas supplied from the reaction gas introduction pipe 5 in the reaction chamber 1. Reference numeral 7 denotes an insulating ring for insulating the reaction chamber 1 and the electrode 3. Reference numeral 8 denotes an insulating tube for insulating the reaction gas introduction tube 5 from the electrode 3. Reference numeral 9 denotes a substrate table on which the substrate 10 is placed, and the material is aluminum (A5052). Reference numeral 11 denotes a heater block for heating the substrate 10, in which a heater and a thermocouple (not shown) are embedded. The material of the heater block 11 is made of aluminum (A5052) in consideration of corrosion resistance. The heater block 11 is grounded. The board base 9 and the heater block 11 are fixed with screws 12. Reference numeral 13 denotes a ring-shaped insulating plate made of alumina for preventing abnormal discharge at the screw 12 portion. Reference numeral 14 denotes a fixing plate for fixing the heater block 11, and an O-ring 15 is attached to a through portion of the heater block 11 in order to keep the inside of the reaction chamber 1 in a vacuum. Further, in order to maintain a vacuum in the reaction chamber 1, the electrode 3, the insulating ring 7, and the fixing plate 14 are also provided with O-rings (not shown). Reference numeral 16 denotes a water cooling groove for flowing cooling water provided on the fixed plate 14 so that the O-ring 15 is not heated to 200 ° C. or higher. Reference numeral 17 denotes a rough surface obtained by roughening the lower surface of the substrate table 9 by blasting with a particle diameter of 250 μm, and the center line average roughness Ra is 8 μm.
[0018]
Next, the operation of the plasma CVD apparatus having the above configuration will be described. The substrate 10 is heated to about 410 ° C. by the heater block 11 (the substrate 10 is placed on the substrate table 9, so the temperature needs to be raised to bring the substrate 10 to about 350 ° C.). In the state where 150 sccm of SiH ₄ (monosilane) gas, 3000 sccm of N ₂ gas, and 100 sccm of NH ₃ (ammonia) gas are flowed from the gas outflow hole 6, the reaction chamber 1 is maintained in a vacuum of about 2 Torr. A high frequency power of 13.56 MHz is applied to the electrode 3 at 400 W, and plasma discharge occurs between the electrode 3 and the substrate table 9 on the heater block 11. SiH ₄ gas, N ₂ gas, and NH ₃ gas as reaction gases in the reaction chamber 1 are separated by plasma energy, and a SiN film is deposited on the substrate 10.
[0019]
Further, after the film-deposited substrate 10 is unloaded, the film deposited in the reaction chamber 1 is removed by plasma cleaning of the reaction chamber 1. As cleaning conditions, SF ₆ (sulfur hexafluoride) gas was flowed at 300 sccm and O ₂ (oxygen) gas was flowed at 150 sccm, the reaction chamber 1 was kept at about 0.5 Torr, and the electrode 3 was fed with high frequency power of 13.56 MHz. 500 W is applied. Film deposition and cleaning of the reaction chamber 1 are performed under the above conditions. After processing 10,000 sheets, the substrate base 9 and the heater block 11 were checked for burn-in. As a result, the substrate base 9 and the heater block 11 could be easily replaced without being burned.
[0020]
As described above, according to the present embodiment, the surface of the contact surface between the substrate table 9 and the heater block 11 on the substrate table 9 side is roughened by blasting so that the substrate table 9 and the heater block 11 are not seized. The substrate base 9 can be easily replaced, and only the substrate base 9 can be replaced without removing the heater block at the time of electrode replacement, leading to improved workability and cost reduction.
[0021]
Next, a plasma CVD apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described. The overall apparatus configuration is the same as that shown in FIG. 1 except that an alumite treatment is performed instead of the rough surface 17 on the surface of the substrate base 9 and an Al ₂ O ₃ (aluminum oxide) film is deposited by 10 μm. is there.
[0022]
The case where the plasma CVD apparatus configured as described above is processed under the same conditions as in the first embodiment will be described. Under the same conditions, the film deposition and the cleaning of the reaction chamber 1 were performed, and after processing 10,000 sheets, the substrate base 9 and the heater block 11 were not burned at all, and the substrate base 9 could be easily replaced.
[0023]
As described above, according to the present embodiment, the substrate base 9 and the heater block 11 can be easily burned without being burned at all by anodizing the surface of the contact surface between the substrate base 9 and the heater block 11 on the substrate base 9 side. The substrate base 9 can be replaced, and only the substrate base 9 can be replaced without removing the heater block at the time of electrode replacement, leading to improved workability and cost reduction.
[0024]
Next, a plasma CVD apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described. The overall apparatus configuration is the same as in FIG. 1 except that a dissimilar metal plate 19 is interposed between the surface of the substrate table 9 and the heater block 11 instead of the rough surface 17 on the surface of the substrate table 9. It is in. The material of the dissimilar metal was nickel and the thickness was 2 mm.
[0025]
As described above, according to the present embodiment, since the dissimilar metal plate 19 is interposed between the substrate base 9 and the heater block 11, the substrate base 9 and the heater block 11 are not seized at all, and the substrate base 9 can be easily attached. The substrate block 9 can be replaced without removing the heater block at the time of electrode replacement, leading to improvement in workability and cost reduction.
[0026]
In the first embodiment, the contact surface on the substrate base 9 side is blasted. However, the same effect can be obtained when the contact surfaces of the heater block 11 or both the substrate base 9 and the heater block 11 are blasted. . Further, the blast treatment was performed with a particle size of 250 μm and Ra was set to 8 μm. However, it was found by experiment that the same effect is obtained if Ra is 5 μm or more.
[0027]
In the second embodiment, the contact surface on the substrate base 9 side is anodized, but the same effect can be obtained when the contact surface of the heater block 11 side or both the substrate base 9 and the heater block 11 is anodized. Further, although the thickness of the alumite treatment is 10 μm, the same effect can be obtained if the thickness is 1 μm or more. In addition, the thicker the film, the more effective. However, if the film thickness of Al ₂ O ₃ is 15 μm or more, there is a problem that cracks occur on the alumite surface due to the difference in thermal expansion between aluminum and Al ₂ O ₃ and become dust during film formation.
[0028]
In the second embodiment, the Al ₂ O ₃ film is deposited by anodizing, but the same effect can be obtained by depositing by another method such as thermal spraying or plating. Also, good thermal conductivity so was deposited an Al ₂ O ₃ film by A Rumaito process.
[0029]
In the third embodiment, nickel is used as the dissimilar metal. However, if the dissimilar metal is used, the same effect can be obtained. In particular, a dissimilar metal plate having corrosion resistance such as monel, inconel, and titanium is more preferable.
[0030]
【The invention's effect】
According to the plasma CVD apparatus of the present invention, as is apparent from the above description, the surface roughness of the contact surface of either or both of the contact portions of the heater block and the substrate table has a center line average roughness Ra of 5 μm or more. An aluminum oxide film having a thickness of 1 to 15 μm is formed, or one metal plate of different kinds of nickel, monel, inconel, and titanium is interposed between the substrate base and the heater block. As a result, the substrate base can be easily removed from the heater block without being seized, and as a result, only the substrate base needs to be replaced without removing the heater block when replacing the electrodes, improving workability and reducing the cost. Can be achieved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an embodiment of a plasma CVD apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a conventional plasma CVD apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Reaction chamber 2 Vacuum exhaust port 4 High frequency oscillator 5 Reaction gas introducing tube 9 Substrate stand 10 Substrate 11 Heater block 17 Rough surface 18 Insulating film 19 Dissimilar metal plate

Claims

A reaction chamber having a vacuum exhaust port and a reaction gas introduction port, a substrate table on which the substrate is placed in the reaction chamber, a heater block for heating the substrate table, and a high-frequency power supplied to the substrate table in an opposed position. In the plasma CVD apparatus provided with the electrode, the roughness of the surface of one or both of the contact surfaces of the substrate table and the heater block is a center line average roughness Ra of 5 μm or more. Plasma CVD equipment.

A reaction chamber having a vacuum exhaust port and a reaction gas introduction port, a substrate table on which the substrate is placed in the reaction chamber, a heater block for heating the substrate table, and a high-frequency power supplied to the substrate table in an opposed position. In the plasma CVD apparatus provided with an electrode, an aluminum oxide film is formed on one or both of the contact surfaces of the substrate base and the heater block, and the aluminum oxide film has a thickness of 1 to 15 μm. There is a plasma CVD apparatus.

A reaction chamber having a vacuum exhaust port and a reaction gas introduction port, a substrate table on which the substrate is placed in the reaction chamber, a heater block for heating the substrate table, and a high-frequency power supplied to the substrate table in an opposed position. In the plasma CVD apparatus provided with an electrode, a metal plate of nickel, monel, inconel, or titanium different from the substrate table and the heater block is interposed between the substrate table and the heater block. Plasma CVD apparatus.