JP3873294B2 - 接続部材の製造方法 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Landscapes
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、微細ピッチに配置された相対する電極間を電気的に導通させる接続部材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子やモジュール基板を電気的に検査する接続部材として、ニッケル粒子をゴムシート内に充填させ、加圧することにより電気的接続を確保するものや、片面にピン状のプローブを配置したものがあった。また、耐熱絶縁フィルムを貫通する金属バンプを所定の密度で配置したフィルム材や上記金属バンプと電気的に接続した展開配線パターンを反対面に有するものなどがあった。
【０００３】
導電粒子を充填させたゴムシートやプローブを有する検査基板の場合、検査ピッチの微細化には限界があるなどの問題があった。以上のような背景から、金属バンプを所定のピッチで配置したフィルム基材が提案されている。（「高密度実装用マイクロフィルムコネクタ」：電子材料, p28(1992年11月号)）、「整列した微細ピッチ」：NIKKEI MICRODEVICES, p15 (1992年3月号)）。金属バンプはポリイミド層から上下に突出しており、この上下の突出部が相対する電極間に接触、あるいは、接合して電気的導通を確保する。製造方法は、銅箔上にポリイミド層を形成後、ポリイミド層表面から銅箔に達する凹部を形成し、銅箔の露出部分を所定量だけ等方的に化学エッチングし、電気めっき法で凹部底から金属バンプ（導通用金属柱）を形成するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
この方式で形成する金属バンプの断面形状はリベット形状をしており、その頭頂部はポリイミド層に形成した凹部の直径よりも大きくなる。すなわち、たとえ凹部径を精度良く制御できたとしても、ポリイミド層厚さ以上の領域ではめっきが等方的に成長するため成長方向に対する精度制御が必要になる。実際に電気めっき法で微小領域にバンプ形成する場合、バンプ配置や電流密度及びめっき槽構成など複雑な要因があり、結果としてバンプ形状（直径、ポリイミド層表面からの高さ）を制御することが困難であった。特に、微細バンプを半導体ウエハーのバーイン試験用のプローバーとして適用するような場合、バンプ高さやバンプ径が不揃いだとアルミ電極とＺ方向で良好な接触が得られなかったり、更にＸ、Ｙ方向での位置ずれに対する許容度が減少してしまうという問題があった。
本発明は、電極間を電気的に導通させる金属バンプ（金属柱）の形成を高精度で行う接続部材の製造方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
１Ａ．シ−ト状絶縁基材の所望する箇所に絶縁基材を貫通する金属柱を形成し、
１Ｂ．絶縁基材及び金属柱の所定量を研磨して絶縁基材表面及び金属柱頭頂部を平坦化し、
１Ｃ．紫外領域に発振波長を有するレーザ光を研磨面から照射し、所望する厚さの絶縁基材を選択的に除去し金属柱の所望する部分を絶縁基材面から突出させる、
工程を含むことを特徴とする接続部材の製造方法である。
【０００６】
シ−ト状絶縁基材としては、ポリイミドフィルム等の可とう性のものが好ましい。
本発明で使用される研磨法としては、電解研磨法などの化学エッチング法も適用可能であるが、研磨砥粒や研磨砥粒をベルト上に固着させたものなど物理的に研磨する方法が好ましい。この場合、研磨終点はめっき柱頭頂部径が金属めっき柱形成用の凹部の直径になったときであり、凹部加工精度をがそのまま金属めっき柱頭頂部の形成精度となる。すなわち、凹部加工をレーザ光や公知のフォトリソ法などで高精度で形成することにより、金属柱頭頂部を同程度の精度で加工することが可能になる。
【０００７】
絶縁基材表面から照射するレーザ光としてはエキシマレーザ光が適しており、ＸｅＦ（波長：351nm）、ＸｅＣｌ（波長：308nm)、ＫｒＦ（波長：248nm）、ＡｒＦ（波長：193nm）などが使用可能である。例えば、ＫｒＦエキシマレーザ光を照射してポリイミド樹脂をアブレーション加工（エッチング加工）する場合、サブミクロンオーダーで加工深さを制御することができる。この場合、加工方式は特に限定されず、コンタクトマスク法、コンフォーマルマスク法及びマスクイメージ法などが適用できる。
【０００８】
本発明の接続部材は、半導体素子やモジュ−ル基板等の検査用だけでなく接続用にも使用される。
【０００９】
【実施例】
実施例１
本発明の一実施例を図１によって説明する。
外形250ｍｍ角の銅張りポリイミドフィルム（日立化成工業（株）製：商品名MCF5000-I）１１（ａ）の銅箔上に第一のレジストパターン１２を形成し（ｂ）、公知のサブトラクト法により所定の配線パターン１３を形成後、第一のレジストパターンを剥離した（ｃ）。次に、ポリイミド面からマスクイメージ法で波長248nmのKrFエキシマレーザを所定の位置に照射し、配線パターン１３に達する凹部（直径30μｍ）１４を形成した（ｄ）。用いたエキシマレーザは、0.2μｍ/パルスの加工速度であるので、必要な加工深さはパルス数を制御することにより得られる。この場合は、約150パルスで所定の部分の配線パターンを露出させることができた。
次に、配線パターン１３面に第二のレジストパターン１５を形成後、硫酸銅めっきにより凹部底（レーザ照射により露出した銅箔面）からポリイミド層表面以上のめっき柱１６を形成した（ｅ）。次に、めっき柱頭頂部及びポリイミド表面を研磨してめっき柱頭頂部及びポリイミド表面を平坦化した後、全面にエキシマレーザ光１７を照射して（ｆ）金属めっき柱をポリイミド表面から10μｍだけ突出させた（ｇ）。最後に、第二のレジストパターン１５を剥離した後、腐食防止用表面仕上として厚さ0.2μｍの無電解パターン金めっき１８を施した。この場合、金属めっき柱頭頂部径ｄは設計値に対して±2μｍ以内であった。
【００１０】
実施例２
本発明の一実施例を図２によって説明する。
外形250ｍｍ角、厚さ35μｍの電解銅箔２１（日本電解（株）製：商品名SLP-12）上に厚さ0.5μｍのニッケル薄層２２を形成した（ａ）。次に、ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製：商品名HS-415ED）をラミネートし、公知の露光・現像により所望する第一のレジストパターン２３を形成した。次に、硫酸銅めっきにより電流密３．０Ａ／dm2で配線パターン２４を形成した（ｂ）。次に、第一のレジストパターン２３を3.0wt%の水酸化カリウム溶液で剥離した後、ポリイミドカバーレイ２５（ニッカン工業（株）製：商品名CUSV-2035）の接着剤面を配線パターン面に向かい合わせて170℃、30kgf/cm2で60分間加熱加圧することにより配線パターンと積層した（ｃ）。続いて、カバーレイ側からマスクイメージ法で波長248nmのKrFエキシマレーザを所定の位置に照射し、配線パターン２４に達する凹部（直径30μｍ）２６を形成した（ｄ）。用いたエキシマレーザは、0.2μｍ/パルスの加工速度であるので、必要な加工深さはパルス数を制御することにより得られる。この場合は、約300パルスで所定の部分の配線パターンを露出させることができた。次に、硫酸銅めっきにより露出した配線パターン面からカバーレイ表面以上のめっき柱２７を形成した（ｅ）。次に、めっき柱頭頂部及びカバーレイ表面を研磨してめっき柱頭頂部及びカバーレイ表面を平坦化した後、全面にエキシマレーザ光８を照射して金属めっき柱をカバーレイ表面から10μｍだけ突出させた（ｆ）。次に、研磨面に第二のレジストパターン２９を形成した後、アルカリエッチャント（メルテックス社製：商品名 Aプロセス）で露出している銅箔２１を、続いて、ニッケル薄層２２をニッケルエッチング液（メルテックス社製：商品名メルストリップ）によりエッチングして配線パターン２４を露出させるとともに、接続端子部３０を形成した。最後に、第二のレジストパターン２９を剥離した後、腐食防止用表面仕上として厚さ0.2μｍの無電解パターン金めっき３１を施した。
【００１２】
【発明の効果】
本発明により、従来問題となっていた微細バンプ（導通用金属柱）頭頂部のXY及びZ方向の加工精度を著しく向上させることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の製造工程を示す断面図である。
【図２】本発明の他の一実施例の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１１.銅張りポリイミドフィルム
１２.第一のレジストパターン
１３.配線パターン
１４.凹部
１５.第二のレジストパターン
１６.めっき金属柱
１７.レーザ光
１８.パターン金めっき
２１.銅箔
２２.金属薄層
２３.第一のレジストパターン
２４.配線パターン
２５.ポリイミドカバーレイ
２６.凹部
２７.めっき金属柱
２８.レーザ光
２９.第二のレジストパターン
３０.接続端子部
３１.パタ−ン金めっき
【産業上の利用分野】
本発明は、微細ピッチに配置された相対する電極間を電気的に導通させる接続部材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子やモジュール基板を電気的に検査する接続部材として、ニッケル粒子をゴムシート内に充填させ、加圧することにより電気的接続を確保するものや、片面にピン状のプローブを配置したものがあった。また、耐熱絶縁フィルムを貫通する金属バンプを所定の密度で配置したフィルム材や上記金属バンプと電気的に接続した展開配線パターンを反対面に有するものなどがあった。
【０００３】
導電粒子を充填させたゴムシートやプローブを有する検査基板の場合、検査ピッチの微細化には限界があるなどの問題があった。以上のような背景から、金属バンプを所定のピッチで配置したフィルム基材が提案されている。（「高密度実装用マイクロフィルムコネクタ」：電子材料, p28(1992年11月号)）、「整列した微細ピッチ」：NIKKEI MICRODEVICES, p15 (1992年3月号)）。金属バンプはポリイミド層から上下に突出しており、この上下の突出部が相対する電極間に接触、あるいは、接合して電気的導通を確保する。製造方法は、銅箔上にポリイミド層を形成後、ポリイミド層表面から銅箔に達する凹部を形成し、銅箔の露出部分を所定量だけ等方的に化学エッチングし、電気めっき法で凹部底から金属バンプ（導通用金属柱）を形成するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
この方式で形成する金属バンプの断面形状はリベット形状をしており、その頭頂部はポリイミド層に形成した凹部の直径よりも大きくなる。すなわち、たとえ凹部径を精度良く制御できたとしても、ポリイミド層厚さ以上の領域ではめっきが等方的に成長するため成長方向に対する精度制御が必要になる。実際に電気めっき法で微小領域にバンプ形成する場合、バンプ配置や電流密度及びめっき槽構成など複雑な要因があり、結果としてバンプ形状（直径、ポリイミド層表面からの高さ）を制御することが困難であった。特に、微細バンプを半導体ウエハーのバーイン試験用のプローバーとして適用するような場合、バンプ高さやバンプ径が不揃いだとアルミ電極とＺ方向で良好な接触が得られなかったり、更にＸ、Ｙ方向での位置ずれに対する許容度が減少してしまうという問題があった。
本発明は、電極間を電気的に導通させる金属バンプ（金属柱）の形成を高精度で行う接続部材の製造方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
１Ａ．シ−ト状絶縁基材の所望する箇所に絶縁基材を貫通する金属柱を形成し、
１Ｂ．絶縁基材及び金属柱の所定量を研磨して絶縁基材表面及び金属柱頭頂部を平坦化し、
１Ｃ．紫外領域に発振波長を有するレーザ光を研磨面から照射し、所望する厚さの絶縁基材を選択的に除去し金属柱の所望する部分を絶縁基材面から突出させる、
工程を含むことを特徴とする接続部材の製造方法である。
【０００６】
シ−ト状絶縁基材としては、ポリイミドフィルム等の可とう性のものが好ましい。
本発明で使用される研磨法としては、電解研磨法などの化学エッチング法も適用可能であるが、研磨砥粒や研磨砥粒をベルト上に固着させたものなど物理的に研磨する方法が好ましい。この場合、研磨終点はめっき柱頭頂部径が金属めっき柱形成用の凹部の直径になったときであり、凹部加工精度をがそのまま金属めっき柱頭頂部の形成精度となる。すなわち、凹部加工をレーザ光や公知のフォトリソ法などで高精度で形成することにより、金属柱頭頂部を同程度の精度で加工することが可能になる。
【０００７】
絶縁基材表面から照射するレーザ光としてはエキシマレーザ光が適しており、ＸｅＦ（波長：351nm）、ＸｅＣｌ（波長：308nm)、ＫｒＦ（波長：248nm）、ＡｒＦ（波長：193nm）などが使用可能である。例えば、ＫｒＦエキシマレーザ光を照射してポリイミド樹脂をアブレーション加工（エッチング加工）する場合、サブミクロンオーダーで加工深さを制御することができる。この場合、加工方式は特に限定されず、コンタクトマスク法、コンフォーマルマスク法及びマスクイメージ法などが適用できる。
【０００８】
本発明の接続部材は、半導体素子やモジュ−ル基板等の検査用だけでなく接続用にも使用される。
【０００９】
【実施例】
実施例１
本発明の一実施例を図１によって説明する。
外形250ｍｍ角の銅張りポリイミドフィルム（日立化成工業（株）製：商品名MCF5000-I）１１（ａ）の銅箔上に第一のレジストパターン１２を形成し（ｂ）、公知のサブトラクト法により所定の配線パターン１３を形成後、第一のレジストパターンを剥離した（ｃ）。次に、ポリイミド面からマスクイメージ法で波長248nmのKrFエキシマレーザを所定の位置に照射し、配線パターン１３に達する凹部（直径30μｍ）１４を形成した（ｄ）。用いたエキシマレーザは、0.2μｍ/パルスの加工速度であるので、必要な加工深さはパルス数を制御することにより得られる。この場合は、約150パルスで所定の部分の配線パターンを露出させることができた。
次に、配線パターン１３面に第二のレジストパターン１５を形成後、硫酸銅めっきにより凹部底（レーザ照射により露出した銅箔面）からポリイミド層表面以上のめっき柱１６を形成した（ｅ）。次に、めっき柱頭頂部及びポリイミド表面を研磨してめっき柱頭頂部及びポリイミド表面を平坦化した後、全面にエキシマレーザ光１７を照射して（ｆ）金属めっき柱をポリイミド表面から10μｍだけ突出させた（ｇ）。最後に、第二のレジストパターン１５を剥離した後、腐食防止用表面仕上として厚さ0.2μｍの無電解パターン金めっき１８を施した。この場合、金属めっき柱頭頂部径ｄは設計値に対して±2μｍ以内であった。
【００１０】
実施例２
本発明の一実施例を図２によって説明する。
外形250ｍｍ角、厚さ35μｍの電解銅箔２１（日本電解（株）製：商品名SLP-12）上に厚さ0.5μｍのニッケル薄層２２を形成した（ａ）。次に、ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製：商品名HS-415ED）をラミネートし、公知の露光・現像により所望する第一のレジストパターン２３を形成した。次に、硫酸銅めっきにより電流密３．０Ａ／dm2で配線パターン２４を形成した（ｂ）。次に、第一のレジストパターン２３を3.0wt%の水酸化カリウム溶液で剥離した後、ポリイミドカバーレイ２５（ニッカン工業（株）製：商品名CUSV-2035）の接着剤面を配線パターン面に向かい合わせて170℃、30kgf/cm2で60分間加熱加圧することにより配線パターンと積層した（ｃ）。続いて、カバーレイ側からマスクイメージ法で波長248nmのKrFエキシマレーザを所定の位置に照射し、配線パターン２４に達する凹部（直径30μｍ）２６を形成した（ｄ）。用いたエキシマレーザは、0.2μｍ/パルスの加工速度であるので、必要な加工深さはパルス数を制御することにより得られる。この場合は、約300パルスで所定の部分の配線パターンを露出させることができた。次に、硫酸銅めっきにより露出した配線パターン面からカバーレイ表面以上のめっき柱２７を形成した（ｅ）。次に、めっき柱頭頂部及びカバーレイ表面を研磨してめっき柱頭頂部及びカバーレイ表面を平坦化した後、全面にエキシマレーザ光８を照射して金属めっき柱をカバーレイ表面から10μｍだけ突出させた（ｆ）。次に、研磨面に第二のレジストパターン２９を形成した後、アルカリエッチャント（メルテックス社製：商品名 Aプロセス）で露出している銅箔２１を、続いて、ニッケル薄層２２をニッケルエッチング液（メルテックス社製：商品名メルストリップ）によりエッチングして配線パターン２４を露出させるとともに、接続端子部３０を形成した。最後に、第二のレジストパターン２９を剥離した後、腐食防止用表面仕上として厚さ0.2μｍの無電解パターン金めっき３１を施した。
【００１２】
【発明の効果】
本発明により、従来問題となっていた微細バンプ（導通用金属柱）頭頂部のXY及びZ方向の加工精度を著しく向上させることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の製造工程を示す断面図である。
【図２】本発明の他の一実施例の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１１.銅張りポリイミドフィルム
１２.第一のレジストパターン
１３.配線パターン
１４.凹部
１５.第二のレジストパターン
１６.めっき金属柱
１７.レーザ光
１８.パターン金めっき
２１.銅箔
２２.金属薄層
２３.第一のレジストパターン
２４.配線パターン
２５.ポリイミドカバーレイ
２６.凹部
２７.めっき金属柱
２８.レーザ光
２９.第二のレジストパターン
３０.接続端子部
３１.パタ−ン金めっき
Claims (1)
- ２Ａ．導電性を有する仮基板上に仮基板とエッチング条件の異なる金属薄層を形成し、
２Ｂ．金属薄層上に、所定のレジストパターンを形成し、
２Ｃ．仮基板を電極にして所定の配線パターンを形成後、レジストパターンを剥離し、
２Ｄ．配線パターンに面して絶縁基材を積層し、
２Ｅ．絶縁基材側から配線パターンに達する凹部を所定の位置に形成し、
２Ｆ．仮基板を電極として電気めっき法により凹部底から絶縁基材表面以上に金属めっき柱を析出させ、
２Ｇ．絶縁基材及び金属めっき柱の所定量を研磨して絶縁基材表面及び金属めっき柱頭頂部を平坦化し、
２Ｈ．紫外領域に発振波長を有するレーザ光を研磨面から照射し、所望する厚さの絶縁基材を選択的に除去し、金属めっき柱の所望する部分を絶縁基材表面から突出させ、
２Ｉ．仮基板、続けて金属薄層の所望する部分をエッチング除去する、
工程を含むことを特徴とする接続部材の製造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP03817895A JP3873294B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 接続部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP03817895A JP3873294B2 (ja) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | 接続部材の製造方法 |
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| JP (1) | JP3873294B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19715501C1 (de) * | 1997-04-14 | 1998-06-25 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Strukturierung von dünnen Metallschichten |
-
1995
- 1995-02-27 JP JP03817895A patent/JP3873294B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08236240A (ja) | 1996-09-13 |
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