JP3879638B2 - 半導体樹脂封止装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体樹脂封止装置の特に集塵排出による空気汚染および排出空気による装置周辺温度上昇抑制に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来からの半導体樹脂封止装置としては、樹脂封止後にモールド型開き空間に浮遊する硬化樹脂の微細粉塵を捕塵した空気を暖めモールド型循環空気として戻すものがあった（例えば、特許文献１参照）。図２は、前記特許文献１に記載された従来の半導体樹脂封止装置を示すものである。図２において、１０１はモールド型、１０２はモールド型１０１の上型、１０３はモールド型１０１の下型、１０４は上プラテン、１０５はタイバー、１０６はスライドプレート、１０７はカバー、１０８はモールド室、１０９は集塵装置、１１０は循環ダクト、１１１は入り口部、１１２はフィルタ、１１３はファン、１１４は出口部、１１５は中間部である。詳細な構成を下記に説明する。モールド型１０１は上型１０２および下型１０３からなり、上型１０２は上プラテン１０４の下部に取り付けられており、上プラテン１０４はタイバー１０５の上端部に取り付けられている。一方、下型１０３はスライドプレート１０６の上面部に取り付けられており、スライドプレート１０６は上プラテン１０４下に位置してタイバー１０５に上下移動可能に取り付けられている。これらがカバー１０７に覆われ、モールド室１０８を形成している。モールド室１０８には集塵装置１０９が設けられており、集塵装置１０９は循環ダクト１１０とこれの入り口部１１１に設けられたフィルタ１１２、フィルタ１１２の入り口部１１１とは反対側に設けられたファン１１３とから成っている。循環ダクト１１０は入り口部１１１と出口部１１４とをモールド型１０１部分を挟んで設けられており、且つ中間部１１５を上プラテン１０４の上面部に接触させ設けられている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平９−１３４９３１号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の構成では、モールド時、下型１０３および上型１０２は熱源（図示せず）によって約２００℃の高温に加熱されており、その熱は上プラテン１０４に伝わり上プラテン１０４が高温になる。上プラテン１０４には集塵装置１０９の循環ダクト１１０の中間部１１５が接触させ設けられており、上プラテン１０４に伝わった熱は上プラテン１０４から循環ダクト１１０の中間部１１５にも伝わりこの循環ダクト１１０の中間部１１５が熱せられることによって、循環ダクト１１０内を通過する空気も同様に熱せられ、モールド室１０８は常に高温状態である。そのため、カバー１０７を介して装置周辺温度を上昇させる。その周辺温度は約３５℃以上と劣悪な作業環境となり、作業者への負担が大きい。また、樹脂封止の前工程であるダイスボンディング工程およびワイヤボンディング工程などの別工程を同室で行うことを困難にするという問題を有していた。
【０００５】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、半導体樹脂封止装置周辺のクリーン度および周辺温度を安定した状態に保つことを可能とした半導体樹脂封止装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
リードフレームに搭載された半導体素子を樹脂で封止するモールド型と、前記樹脂を前記モールド型に供給する樹脂供給装置と、前記モールド型と前記樹脂供給装置とを集塵する集塵装置とからなり、前記集塵装置に集塵フィルタおよび冷却装置が備えられ、前記集塵装置で捕塵冷却したエアを排出することを特徴とする。
【０００７】
これによれば、半導体樹脂封止装置周辺のクリーン度および周辺温度を安定した状態にすることが可能となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は半導体樹脂封止装置の正面図である。図１において、１はモールド型、２はモールド型１の上型、３はモールド型１の下型、４は上プラテン、５は樹脂供給装置、６はスライドプレート、７はカバー、８はモールド室、９は集塵装置、１０は吸気部、１１は入り口部、１２はフィルタ、１３はファン、１４は出口部、１５は冷却装置である。詳細な構成を下記に説明する。モールド型１は上型２および下型３からなり、上型２は上プラテン４の下部に取り付けられている。一方、下型３はスライドプレート６の上面部に取り付けられており、スライドプレート６は上プラテン４下に位置して上下移動可能に取り付けられている。モールド型１の側面および樹脂供給装置５の上を覆うように集塵装置９につながる入り口部１１が設けられており、モールド型１内に浮遊する硬化樹脂の微細粉塵や樹脂供給装置周辺に浮遊する微細粉塵を捕塵する。また、これらをカバー７が覆い、モールド室８を形成している。モールド室８の天井部には吸気部１０が設けられている。さらに集塵装置９にはモールド型１および樹脂供給装置５から発生する微細粉塵を集塵する０．５μｍの粒子を９９．９９９７％以上捕塵する能力があるＨｉｇｈ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ Ａｉｒ（ＨＥＰＡ）からなるフィルタ１２およびモールド型１により加熱された排気エアをチラー冷水を触媒として熱交換し冷却する冷却装置１５が設けられている。これによれば、集塵装置９と冷却装置１５によって１０，０００クラス以下のクリーン度が高い、しかも３０℃以下に温度コントロールされたエアを排出することができるので、装置周辺のクリーン度および周辺温度を安定した状態に保つ事ができ、作業環境の良化につながる。また、クリーン度が高く安定した温度のエアを樹脂封止の前工程であるダイスボンディング工程およびワイヤボンディング工程などのクリーン度が必要とされる別工程と同室で作業することができる。（表１）に従来例の半導体樹脂封止装置と本実施の形態による半導体樹脂封止装置の排出するエアのクリーン度と温度を示す。さらに、クリーンエアの供給源として利用することも可能である。
【０００９】
【表１】
以上、本発明による半導体樹脂封止装置の一実施形態について説明したが、本発明の思想に逸脱しない限り適宜変更可能である。
【００１１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、半導体樹脂封止工程で発生する微細粉塵および熱を一度に捕塵し冷却することができ、また、その排出エアを半導体製造工程で必要なクリーンエアの供給源とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態における半導体樹脂封止装置の正面図
【図２】従来の半導体樹脂封止装置の正面図
【符号の説明】
１ モールド型
２ 上型
３ 下型
４ 上プラテン
５ 樹脂供給装置
６ スライドプレート
７ カバー
８ モールド室
９ 集塵装置
１０ 吸気部
１１ 入り口部
１２ フィルタ
１３ ファン
１４ 出口部
１５ 冷却装置
１０１ モールド型
１０２ 上型
１０３ 下型
１０４ 上プラテン
１０５ タイバー
１０６ スライドプレート
１０７ カバー
１０８ モールド室
１０９ 集塵装置
１１０ 循環ダクト
１１１ 入り口部
１１２ フィルタ
１１３ ファン
１１４ 出口部
１１５ 中間部
Claims (2)
- リードフレームに搭載された半導体素子を樹脂で封止するモールド型と、前記樹脂を前記モールド型に供給する樹脂供給装置と、前記モールド型と前記樹脂供給装置とを集塵する集塵装置とからなり、前記集塵装置に集塵フィルタおよび冷却装置が備えられ、前記集塵装置で捕塵冷却したエアを排出することを特徴とする半導体樹脂封止装置。
- 前記集塵装置は、前記集塵フィルタが０．５μｍの粒子を９９．９９９７％以上捕集する能力があるＨＥＰＡフィルタであり、前記冷却装置がチラー冷水を触媒として熱交換する冷却装置であり、クリーン度が１０，０００クラス以下で、かつ３０℃以下に捕塵冷却されたエアを排出することを特徴とする請求項１記載の半導体樹脂封止装置。
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| JP2002268516A JP3879638B2 (ja) | 2002-09-13 | 2002-09-13 | 半導体樹脂封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002268516A JP3879638B2 (ja) | 2002-09-13 | 2002-09-13 | 半導体樹脂封止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004111455A JP2004111455A (ja) | 2004-04-08 |
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