JP3936060B2

JP3936060B2 - Manufacturing method of grid array

Info

Publication number: JP3936060B2
Application number: JP07614098A
Authority: JP
Inventors: 高橋　　義和
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1998-03-24
Filing date: 1998-03-24
Publication date: 2007-06-27
Anticipated expiration: 2018-03-24
Also published as: JPH11274351A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＴＢＧＡ（テープ・ボール・グリッド・アレイ）又はランド・グリッド・アレイの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような分野の技術としては、以下に示すようなものがあった。
【０００３】
図１０は従来のＴＢＧＡの断面図である。
【０００４】
この図において、１０１はＬＳＩチップ、１０２はＬＳＩチップ１０１のアルミニウム電極（図示なし）上に形成されたバンプ電極、１０３はポリイミド等のベースフィルム、１０４はパターン形成された銅箔（ランド）、１０５は銅箔（ランド）１０４を貼り付けるための接着剤、１０６はＬＳＩチップ１０１上の電極とテープ上の電極を電気的に接続するインナーリード、１０７はＬＳＩチップ１０１表面を保護する樹脂、１０８はテープを平坦化するためのスティフナー、１０９はスティフナー１０８を貼り付ける接着剤、１１０は外部電極パッドとして使用する半田ボールである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来のＴＢＧＡの構造では、銅箔（ランド）１０４と半田ボール１１０の密着強度が弱く、信頼性試験において、銅箔（ランド）１０４と半田ボール１１０の界面で、剥がれ及びずれが発生するという問題点があった。
【０００６】
本発明は、上記問題点を除去し、銅箔（ランド）と半田ボールの界面で発生する剥がれ及びずれのない外部電極端子を有する信頼性の高いグリッドアレイの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕グリッドアレイの製造方法において、ベースフィルムに接着剤を塗布する工程と、ボール搭載ホールを開孔する工程と、銅箔を接着剤に貼り付ける工程と、フォトリソ工程で銅箔のパターンを形成し、インナーリードとランドを形成する工程と、ソルダーレジストを塗布し、前記インナーリードとランドにメッキ処理する工程と、ＩＣチップと前記インナーリードを接合する工程と、前記ＩＣチップ表面に樹脂を塗布し、前記ボール搭載ホールに半田ペーストを印刷する工程と、テープキャリアからテープ・ボール・グリッド・アレイを打ち抜く工程と、スティフナーを接着剤でベースフィルムに貼り付ける工程と、前記ランドに半田ボールを搭載し、熱を加えて前記ランドと半田ボールを密着させる工程とを施すようにしたものである。
【０００８】
〔２〕グリッドアレイの製造方法において、ベースフィルムに接着剤を塗布する工程と、ボール搭載ホールを開孔する工程と、銅箔を接着剤に貼り付ける工程と、フォトリソ工程で銅箔のパターンを形成し、インナーリードとランドを形成する工程と、ソルダーレジストを塗布し、前記インナーリードとランドにメッキ処理する工程と、ＩＣチップと前記インナーリードを接合する工程と、前記ＩＣチップ表面に樹脂を塗布し、前記ボール搭載ホールに半田ペーストを印刷する工程と、テープキャリアからグリッドアレイを打ち抜くと同時に前記ランドを凹状に加工する工程と、スティフナーを接着剤でベースフィルムに貼り付ける工程と、前記凹状に加工されたランドに半田ボールを搭載し、熱を加えて前記ランドと半田ボールを密着させる工程とを施すようにしたものである。
【０００９】
〔３〕グリッドアレイの製造方法において、ベースフィルムに接着剤を塗布する工程と、ランド形成ホールを開孔する工程と、銅箔を接着剤に貼り付ける工程と、フォトリソ工程で銅箔のパターンを形成し、インナーリードとランドを形成する工程と、ソルダーレジストを塗布し、前記インナーリードとランドにメッキ処理する工程と、ＩＣチップと前記インナーリードを接合する工程と、前記ＩＣチップ表面に樹脂を塗布し、前記ランド形成ホールに半田ペーストを印刷する工程と、グリッドアレイを逆さまにしてテープキャリアからグリッドアレイを打ち抜くと同時にランドを凹状に加工する工程と、グリッドアレイを元に戻してスティフナーを接着剤でベースフィルムに貼り付ける工程と、前記凹状に加工されたランドを元に戻して凸状に加工されたランドを外部電極端子とする工程とを施すようにしたものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１１】
図１は本発明の第１実施例を示すＴＢＧＡの断面図である。
【００１２】
この図において、１はＬＳＩチップ、２はＬＳＩチップ１のアルミニウム電極（図示なし）上に形成されたバンプ電極、３はポリイミド等のベースフィルム、１５はパターン形成された銅箔（ランド）であり、中央部が開孔している。
【００１３】
更に、５は銅箔を貼り付けるための接着剤、６はＬＳＩチップ１上の電極とテープ上の電極を電気的に接続するインナーリード、７はＬＳＩチップ１表面を保護する樹脂、８はテープを平坦化するためのスティフナー、９はスティフナー８を貼り付ける接着剤、２０はスクリーン印刷した半田ペースト、１０は外部電極パッドとして使用する半田ボールである。
【００１４】
図２は本発明の第１実施例を示すＴＢＧＡの製造工程断面図（その１）、図３はそのＴＢＧＡの製造工程断面図（その２）である。
【００１５】
（１）まず、図２（ａ）に示すように、ポリイミド等のベースフィルム３に接着剤５を塗布する。
【００１６】
（２）次いで、図２（ｂ）に示すように、デバイスホール１１、パーフォレーションホール１２、ボール搭載ホール１３を金型等により開孔する。
【００１７】
（３）次に、図２（ｃ）に示すように、銅箔１４を接着剤５に貼り合わせる。
【００１８】
（４）次に、図２（ｄ）に示すように、フォトレジスト（図示なし）を塗布し、露光、現像、エッチングして銅箔１４のパターンニングを行い、インナーリード６、及び銅箔（ランド）１５等を形成する。
【００１９】
（５）次いで、図２（ｅ）に示すように、ソルダーレジスト１６を塗布し、その後、インナーリード６及び銅箔（ランド）１５の表面にメッキ（錫、半田、金等）１７を施す。
【００２０】
（６）次に、図２（ｆ）に示すように、ＬＳＩチップ１上のバンプ電極２とインナーリード６を位置合わせし、インナーリード６をボンディングする。
【００２１】
（７）次に、図２（ｇ）に示すように、ＬＳＩチップ１の表面に樹脂７を塗布する。ここで、１８はテープキャリアである。
【００２２】
（８）次に、図３（ａ）に示すように、ボール搭載ホール１３に半田ペースト２０をスクリーン印刷法等で印刷する。
【００２３】
（９）次に、図３（ｂ）に示すように、必要な部分をテープキャリア１８から打ち抜く。
【００２４】
（１０）次いで、図３（ｃ）に示すように、接着剤９を用いてスティフナー８をベースフィルム３に貼り付ける。
【００２５】
（１１）次いで、図３（ｄ）に示すように、銅箔（ランド）１５に半田ボール１０を搭載する。
【００２６】
（１２）次に、図３（ｅ）に示すように、ＴＢＧＡ全体に熱を加え、半田ボール１０と銅箔（ランド）１５と半田ペースト２０を密着させる。
【００２７】
このように、第１実施例によれば、半田ペースト２０を印刷する工程を一工程だけ増やすことにより、半田ボール１０を搭載し、熱を加えて半田ボール１０と銅箔（ランド）１５を密着させる際、半田ペースト２０も一緒に密着するため、銅箔（ランド）１５と半田ボール１０との密着強度が大きくなり、半田ボール１０が銅箔（ランド）１５の界面から剥がれる恐れがなくなる。
【００２８】
次に、本発明の第２実施例について説明する。
【００２９】
図４は本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡの断面図である。なお、第１実施例と同様の部分については、同一符号を付すことにする。
【００３０】
この図において、１はＬＳＩチップ、２はＬＳＩチップ１のアルミニウム電極（図示なし）上に形成されたバンプ電極、３はポリイミド等のベースフィルム、２１はパターン形成された銅箔（ランド）であり、中央部が凹状に加工されている。５は銅箔を貼り付けるための接着剤、６はＬＳＩチップ１上の電極とテープ上の電極を電気的に接続するインナーリード、７はＬＳＩチップ１表面を保護する樹脂、８はテープを平坦化するためのスティフナー、９はスティフナー８を貼り付ける接着剤、１０は外部電極パッドとして使用する半田ボールである。
【００３１】
次に、本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡの製造方法について説明する。
【００３２】
図５は本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡの製造工程断面図（その１）、図６はそのＴＢＧＡの製造工程断面図（その２）である。
【００３３】
（１）まず、図５（ａ）に示すように、ポリイミド等のベースフィルム３に接着剤５を塗布する。
【００３４】
（２）次いで、図５（ｂ）に示すように、デバイスホール１１、パーフォレーションホール１２、ボール搭載ホール１３を金型等により開孔する。
【００３５】
（３）次に、図５（ｃ）に示すように、銅箔１４を接着剤５に貼り合わせる。
【００３６】
（４）次に、図５（ｄ）に示すように、フォトレジスト（図示なし）を塗布し、露光、現像、エッチングして銅箔１４のパターンニングを行い、インナーリード６、及び銅箔（ランド）２１を形成する。
【００３７】
（５）次いで、図５（ｅ）に示すように、ソルダーレジスト１６を塗布し、その後、インナーリード６及び銅箔（ランド）２１の表面にメッキ（錫、半田、金等）１７を施す。
【００３８】
（６）次に、図５（ｆ）に示すように、ＬＳＩチップ１上のバンプ電極２とインナーリード６を位置合わせし、インナーリード６をボンディングする。
【００３９】
（７）次に、図５（ｇ）に示すように、ＬＳＩチップ１の表面に樹脂７を塗布する。ここで、１８はテープキャリアである。
【００４０】
（８）次に、図６（ａ）に示すように、図５（ｇ）に示すＴＢＧＡを下金型３１と上金型３２で挟み、その上金型３２内を上下動可能であり、銅箔（ランド）２１の中央部に凹状を加工する、突起３４を有するパンチ３３を配置する。
【００４１】
（９）次に、図６（ｂ）に示すように、必要な部分をテープキャリア１８から打ち抜く際に、銅箔（ランド）２１に凹状の加工を施す。
【００４２】
（１０）次いで、図６（ｃ）に示すように、接着剤９を用いてスティフナー８をベースフィルム３に貼り付ける。
【００４３】
（１１）次に、図６（ｄ）に示すように、銅箔（ランド）２１に半田ボール１０を搭載し、ＴＢＧＡ全体に熱を加え半田ボール１０と銅箔（ランド）２１とを密着させる。
【００４４】
このように、第２実施例によれば、工程数を増やすこと無く、銅箔（ランド）２１に凹状の加工を施すことができ、半田ボール１０を搭載する際に半田ボール１０が左右方向へずれる恐れがなくなる。
【００４５】
次に、本発明の第３実施例について説明する。
【００４６】
図７は本発明の第３実施例を示すグリットアレイの断面図である。なお、第１実施例と同様の部分については、同一符号を付すことにする。
【００４７】
この図に示すように、１はＬＳＩチップ、２はＬＳＩチップ１のアルミニウム電極（図示なし）上に形成されたバンプ電極、３はポリイミド等のベースフィルム、２２はパターン形成された銅箔（ランド）であり、中央部が凸状に加工されている。５は銅箔を貼り付けるための接着剤、６はＬＳＩチップ１上の電極とテープ上の電極を電気的に接続するインナーリード、７はＬＳＩチップ１表面を保護する樹脂、８はテープを平坦化するためのスティフナー、９はスティフナー８を貼り付ける接着剤、２３は銅箔（ランド）２２の表面に施された半田メッキまたは錫メッキである。
【００４８】
次に、本発明の第３実施例を示すグリッドアレイの製造方法について説明する。
【００４９】
図８は本発明の第３実施例を示すグリッドアレイの製造工程断面図（その１）、図９はそのグリッドアレイの製造工程断面図（その２）である。
【００５０】
（１）まず、図８（ａ）に示すように、ポリイミド等のベースフィルム３に接着剤５を塗布する。
【００５１】
（２）次いで、図８（ｂ）に示すように、デバイスホール１１、パーフォレーションホール１２、ランド形成ホール５１を金型等により開孔する。
【００５２】
（３）次に、図８（ｃ）に示すように、銅箔１４を接着剤５に貼り合わせる。
【００５３】
（４）次に、図８（ｄ）に示すように、フォトレジスト（図示なし）を塗布し、露光、現像、エッチングして銅箔１４のパターンニングを行い、インナーリード６、及び銅箔（ランド）２２等を形成する。
【００５４】
（５）次いで、図８（ｅ）に示すように、ソルダーレジスト１６を塗布し、その後、インナーリード６及び銅箔（ランド）２２の表面にメッキ（錫、半田、金等）１７を施す。
【００５５】
（６）次に、図８（ｆ）に示すように、ＬＳＩチップ１上のバンプ電極２とインナーリード６を位置合わせし、インナーリード６をボンディングする。
【００５６】
（７）次に、図８（ｇ）に示すように、ＬＳＩチップ１の表面に樹脂７を塗布する。ここで、１８はテープキャリアである。ここまでは、図５と同様である。
【００５７】
（８）次に、図９（ａ）に示すように、図５（ｇ）に示すグリッドアレイを逆さまにして、下金型４１と上金型４２で挟み、その上金型４２内を上下動可能な銅箔（ランド）２２の中央部に凸部を加工する高い突起４４及びＬＳＩチップ１を避ける凹部４５を有するパンチ４３を配置する。
【００５８】
（９）そこで、図９（ｂ）に示すように、必要な部分をテープキャリア１８から打ち抜く際に、銅箔（ランド）２２に凸状の加工を施す。なお、凸状は樹脂７より高く加工する。その後、銅箔（ランド）の表面に半田メッキ２３を施す。
【００５９】
（１０）次に、図９（ｃ）に示すように、グリッドアレイを元に戻して、接着剤９を用いてスティフナー８をベースフィルム３に貼り付ける。
【００６０】
このように、第３実施例によれば、銅箔（ランド）２２を凸状に加工し、表面に半田メッキ２３を施すようにしたので、半田ボールを搭載する必要がなくなり材料コストの低減を図ることができる。
【００６１】
また、一工程減らすことができ、半田ボールも不要となるので、安価な製造工程を提供することが可能となる。
【００６２】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００６３】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【００６４】
（１）請求項１記載の発明によれば、半田ペーストを印刷する工程を一工程だけ増やすだけで、半田ボールを搭載し、熱を加えて半田ボールと銅箔（ランド）を密着させる際、半田ペーストも一緒に密着するため、銅箔（ランド）と半田ボールとの密着強度が大きくなり、半田ボールが銅箔（ランド）の界面から剥がれる恐れがなくなる。
【００６５】
（２）請求項２記載の発明によれば、工程数を増やすこと無く、銅箔（ランド）に凹状の加工を施すことができ、半田ボールを搭載する際に半田ボールが左右方向へずれる恐れがなくなる。
【００６６】
（３）請求項３記載の発明によれば、一工程減らすことができ、半田ボールも不要となるので、コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示すＴＢＧＡの断面図である。
【図２】本発明の第１実施例を示すＴＢＧＡの製造工程断面図（その１）である。
【図３】本発明の第１実施例を示すＴＢＧＡの製造工程断面図（その２）である。
【図４】本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡの断面図である。
【図５】本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡの製造工程断面図（その１）である。
【図６】本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡの製造工程断面図（その２）である。
【図７】本発明の第３実施例を示すグリッドアレイの断面図である。
【図８】本発明の第３実施例を示すグリッドアレイの製造工程断面図（その１）である。
【図９】本発明の第３実施例を示すグリッドアレイの製造工程断面図（その２）である。
【図１０】従来のＴＢＧＡの断面図である。
【符号の説明】
１ＬＳＩチップ
２バンプ電極
３ベースフィルム
５，９接着剤
６インナーリード
７樹脂
８スティフナー
１０半田ボール
１１デバイスホール
１２パーフォレーションホール
１３ボール搭載ホール
１４銅箔
１５，２１，２２銅箔（ランド）
１６ソルダーレジスト
１７，２３メッキ
１８テープキャリア
２０半田ペースト
３１，４１下金型
３２，４２上金型
３３，４３パンチ
３４突起
４４高い突起
４５ＬＳＩチップ１を避ける凹部
５１ランド形成ホール[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to manufacturing method of TBGA (Tape Ball Grid Array) or a land grid array.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, there have been the following technologies in such fields.
[0003]
FIG. 10 is a cross-sectional view of a conventional TBGA.
[0004]
In this figure, 101 is an LSI chip, 102 is a bump electrode formed on an aluminum electrode (not shown) of the LSI chip 101, 103 is a base film such as polyimide, 104 is a patterned copper foil (land), 105 Is an adhesive for attaching the copper foil (land) 104, 106 is an inner lead for electrically connecting the electrode on the LSI chip 101 and the electrode on the tape, 107 is a resin for protecting the surface of the LSI chip 101, and 108 is A stiffener for flattening the tape, 109 is an adhesive for attaching the stiffener 108, and 110 is a solder ball used as an external electrode pad.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described conventional TBGA structure, the adhesion strength between the copper foil (land) 104 and the solder ball 110 is weak, and in the reliability test, peeling and deviation occur at the interface between the copper foil (land) 104 and the solder ball 110. There was a problem that it occurred.
[0006]
The present invention aims to provide the problems is removed, the copper foil (land) and peeling occurs at the interface between the solder balls and the manufacturing method of high reliability grid array with no deviation external electrode terminal And
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides
[1] In the grid array manufacturing method, a step of applying an adhesive to the base film, a step of opening a ball mounting hole, a step of attaching a copper foil to the adhesive, and a photolithography process are performed to form a copper foil pattern. Forming an inner lead and a land, applying a solder resist, plating the inner lead and the land, bonding the IC chip and the inner lead, and applying a resin to the surface of the IC chip. Applying and printing a solder paste on the ball mounting hole; punching out a tape ball grid array from a tape carrier; attaching a stiffener to the base film with an adhesive; and solder balls on the lands. Mounting, and applying heat to the land and the solder ball are in close contact with each other. .
[0008]
[2] In the grid array manufacturing method, a step of applying an adhesive to the base film, a step of opening a ball mounting hole, a step of attaching a copper foil to the adhesive, and a photolithography process are performed to form a copper foil pattern. Forming an inner lead and a land, applying a solder resist, plating the inner lead and the land, bonding the IC chip and the inner lead, and applying a resin to the surface of the IC chip. Applying and printing a solder paste on the ball mounting hole, punching out the grid array from the tape carrier and simultaneously processing the land into a concave shape, attaching a stiffener to the base film with an adhesive, and the concave shape Solder balls are mounted on the lands that have been processed, and heat is applied to bring the lands and solder balls into close contact with each other. It is obtained by so applying the process.
[0009]
[3] In the grid array manufacturing method, a copper foil pattern is formed by applying an adhesive to the base film, opening a land-forming hole, attaching the copper foil to the adhesive, and photolithography. Forming an inner lead and a land, applying a solder resist, plating the inner lead and the land, bonding the IC chip and the inner lead, and applying a resin to the surface of the IC chip. Applying and printing solder paste in the land formation hole, turning the grid array upside down and punching out the grid array from the tape carrier, and simultaneously processing the land into a concave shape, returning the grid array to the original and bonding the stiffener A step of attaching to the base film with an agent and returning the land processed into the concave shape to the original In which the processed land was such as to carry out the steps of the external electrode terminals.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0011]
FIG. 1 is a sectional view of a TBGA showing a first embodiment of the present invention.
[0012]
In this figure, 1 is an LSI chip, 2 is a bump electrode formed on an aluminum electrode (not shown) of the LSI chip 1, 3 is a base film such as polyimide, and 15 is a patterned copper foil (land). The central part is open.
[0013]
Further, 5 is an adhesive for attaching the copper foil, 6 is an inner lead for electrically connecting the electrode on the LSI chip 1 and the electrode on the tape, 7 is a resin for protecting the surface of the LSI chip 1, and 8 is a tape. A stiffener 9 for flattening, an adhesive 9 for attaching the stiffener 8, a solder paste 20 for screen printing, and a solder ball 10 for use as an external electrode pad.
[0014]
FIG. 2 is a sectional view of a manufacturing process of a TBGA (part 1) showing the first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a sectional view of the manufacturing process of the TBGA (part 2).
[0015]
(1) First, as shown in FIG. 2A, an adhesive 5 is applied to a base film 3 such as polyimide.
[0016]
(2) Next, as shown in FIG. 2B, the device hole 11, the perforation hole 12, and the ball mounting hole 13 are opened by a mold or the like.
[0017]
(3) Next, the copper foil 14 is bonded to the adhesive 5 as shown in FIG.
[0018]
(4) Next, as shown in FIG. 2D, a photoresist (not shown) is applied, exposed, developed, and etched to pattern the copper foil 14, and the inner leads 6 and the copper foil ( Land) 15 or the like.
[0019]
(5) Next, as shown in FIG. 2 (e), a solder resist 16 is applied, and then plating (tin, solder, gold, etc.) 17 is applied to the surfaces of the inner leads 6 and the copper foil (land) 15.
[0020]
(6) Next, as shown in FIG. 2F, the bump electrode 2 on the LSI chip 1 and the inner lead 6 are aligned, and the inner lead 6 is bonded.
[0021]
(7) Next, as shown in FIG. 2G, a resin 7 is applied to the surface of the LSI chip 1. Here, 18 is a tape carrier.
[0022]
(8) Next, as shown in FIG. 3A, the solder paste 20 is printed in the ball mounting hole 13 by a screen printing method or the like.
[0023]
(9) Next, as shown in FIG. 3B, necessary portions are punched from the tape carrier 18.
[0024]
(10) Next, as shown in FIG. 3C, the stiffener 8 is attached to the base film 3 using the adhesive 9.
[0025]
(11) Next, as shown in FIG. 3 (d), the solder ball 10 is mounted on the copper foil (land) 15.
[0026]
(12) Next, as shown in FIG. 3 (e), heat is applied to the entire TBGA to bring the solder balls 10, the copper foil (land) 15, and the solder paste 20 into close contact.
[0027]
Thus, according to the first embodiment, the solder ball 10 is mounted by increasing the number of steps of printing the solder paste 20, and heat is applied to bring the solder ball 10 and the copper foil (land) 15 into close contact. When soldering, the solder paste 20 also adheres together, so that the adhesion strength between the copper foil (land) 15 and the solder ball 10 is increased, and there is no possibility that the solder ball 10 is peeled off from the interface of the copper foil (land) 15.
[0028]
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
[0029]
FIG. 4 is a sectional view of a TBGA showing a second embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the part similar to 1st Example.
[0030]
In this figure, 1 is an LSI chip, 2 is a bump electrode formed on an aluminum electrode (not shown) of the LSI chip 1, 3 is a base film such as polyimide, and 21 is a patterned copper foil (land). The central part is processed into a concave shape. 5 is an adhesive for attaching a copper foil, 6 is an inner lead for electrically connecting the electrode on the LSI chip 1 and the electrode on the tape, 7 is a resin for protecting the surface of the LSI chip 1, and 8 is a flat tape. Stiffeners 9 are used, 9 is an adhesive for attaching the stiffeners 8, and 10 is solder balls used as external electrode pads.
[0031]
Next, a method for manufacturing TBGA according to the second embodiment of the present invention will be described.
[0032]
FIG. 5 is a sectional view (No. 1) of a manufacturing process of a TBGA showing a second embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a sectional view (No. 2) of the manufacturing process of the TBGA.
[0033]
(1) First, as shown in FIG. 5A, an adhesive 5 is applied to a base film 3 such as polyimide.
[0034]
(2) Next, as shown in FIG. 5B, the device hole 11, the perforation hole 12, and the ball mounting hole 13 are opened by a mold or the like.
[0035]
(3) Next, the copper foil 14 is bonded to the adhesive 5 as shown in FIG.
[0036]
(4) Next, as shown in FIG. 5D, a photoresist (not shown) is applied, exposed, developed, and etched to pattern the copper foil 14, and the inner leads 6 and the copper foil ( Land) 21 is formed.
[0037]
(5) Next, as shown in FIG. 5 (e), a solder resist 16 is applied, and then plating (tin, solder, gold, etc.) 17 is applied to the surfaces of the inner leads 6 and the copper foil (land) 21.
[0038]
(6) Next, as shown in FIG. 5F, the bump electrode 2 on the LSI chip 1 and the inner lead 6 are aligned, and the inner lead 6 is bonded.
[0039]
(7) Next, as shown in FIG. 5G, a resin 7 is applied to the surface of the LSI chip 1. Here, 18 is a tape carrier.
[0040]
(8) Next, as shown in FIG. 6A, the TBGA shown in FIG. 5G is sandwiched between the lower mold 31 and the upper mold 32, and the inside of the upper mold 32 can be moved up and down. A punch 33 having a projection 34 for processing a concave shape is disposed at the center of the copper foil (land) 21.
[0041]
(9) Next, as shown in FIG. 6B, when the necessary portion is punched from the tape carrier 18, the copper foil (land) 21 is processed to have a concave shape.
[0042]
(10) Next, as shown in FIG. 6C, the stiffener 8 is attached to the base film 3 using the adhesive 9.
[0043]
(11) Next, as shown in FIG. 6D, the solder ball 10 is mounted on the copper foil (land) 21 and heat is applied to the entire TBGA to bring the solder ball 10 and the copper foil (land) 21 into close contact. .
[0044]
As described above, according to the second embodiment, the copper foil (land) 21 can be processed into a concave shape without increasing the number of processes, and when the solder ball 10 is mounted, the solder ball 10 moves in the left-right direction. There is no fear of shifting.
[0045]
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
[0046]
FIG. 7 is a cross-sectional view of a grit array showing a third embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the part similar to 1st Example.
[0047]
As shown in this figure, 1 is an LSI chip, 2 is a bump electrode formed on an aluminum electrode (not shown) of the LSI chip 1, 3 is a base film such as polyimide, and 22 is a patterned copper foil (land). ) And the central part is processed into a convex shape. 5 is an adhesive for attaching a copper foil, 6 is an inner lead for electrically connecting the electrode on the LSI chip 1 and the electrode on the tape, 7 is a resin for protecting the surface of the LSI chip 1, and 8 is a flat tape. The stiffener 9 is an adhesive for attaching the stiffener 8, and 23 is solder plating or tin plating applied to the surface of the copper foil (land) 22.
[0048]
Next, a method for manufacturing a grid array showing the third embodiment of the present invention will be described.
[0049]
FIG. 8 is a cross-sectional view (part 1) of the manufacturing process of the grid array showing the third embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view (part 2) of the manufacturing process of the grid array.
[0050]
(1) First, as shown in FIG. 8A, an adhesive 5 is applied to a base film 3 such as polyimide.
[0051]
(2) Next, as shown in FIG. 8B, the device hole 11, the perforation hole 12, and the land formation hole 51 are opened by a mold or the like.
[0052]
(3) Next, the copper foil 14 is bonded to the adhesive 5 as shown in FIG.
[0053]
(4) Next, as shown in FIG. 8D, a photoresist (not shown) is applied, exposed, developed, and etched to pattern the copper foil 14, and the inner leads 6 and the copper foil ( Land) 22 and the like are formed.
[0054]
(5) Next, as shown in FIG. 8 (e), a solder resist 16 is applied, and then plating (tin, solder, gold, etc.) 17 is applied to the surfaces of the inner leads 6 and the copper foil (land) 22.
[0055]
(6) Next, as shown in FIG. 8F, the bump electrode 2 on the LSI chip 1 and the inner lead 6 are aligned, and the inner lead 6 is bonded.
[0056]
(7) Next, as shown in FIG. 8G, a resin 7 is applied to the surface of the LSI chip 1. Here, 18 is a tape carrier. Up to this point, the process is the same as in FIG.
[0057]
(8) Next, as shown in FIG. 9 (a), the grid array shown in FIG. 5 (g) is turned upside down and sandwiched between the lower mold 41 and the upper mold 42, and the upper mold 42 is moved up and down. A punch 43 having a high projection 44 for processing the convex portion and a concave portion 45 for avoiding the LSI chip 1 is arranged at the center of the movable copper foil (land) 22.
[0058]
(9) Therefore, as shown in FIG. 9B, when the necessary portion is punched from the tape carrier 18, the copper foil (land) 22 is processed to have a convex shape. The convex shape is processed higher than the resin 7. Thereafter, solder plating 23 is applied to the surface of the copper foil (land).
[0059]
(10) Next, as shown in FIG. 9C, the grid array is returned to its original position, and the stiffener 8 is attached to the base film 3 using the adhesive 9.
[0060]
As described above, according to the third embodiment, since the copper foil (land) 22 is processed into a convex shape and the solder plating 23 is applied to the surface, it is not necessary to mount a solder ball, thereby reducing the material cost. Can be planned.
[0061]
In addition, the number of steps can be reduced, and solder balls are not required, so that an inexpensive manufacturing process can be provided.
[0062]
In addition, this invention is not limited to the said Example, A various deformation | transformation is possible based on the meaning of this invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.
[0063]
【The invention's effect】
As described above in detail, according to the present invention, the following effects can be obtained.
[0064]
(1) According to the invention described in claim 1, when the solder ball is mounted and the solder ball and the copper foil (land) are brought into close contact with each other by merely increasing the number of steps of printing the solder paste by one step, Since the solder paste also adheres together, the adhesion strength between the copper foil (land) and the solder ball is increased, and there is no possibility that the solder ball is peeled off from the interface of the copper foil (land).
[0065]
(2) According to the second aspect of the present invention, the copper foil (land) can be processed into a concave shape without increasing the number of steps, and the solder ball may be shifted in the left-right direction when the solder ball is mounted. Disappears.
[0066]
(3) According to the invention described in claim 3, the number of steps can be reduced, and the solder ball is not required, so that the cost can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional view of a TBGA showing a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a sectional view (No. 1) showing a manufacturing process of a TBGA showing a first embodiment of the invention.
FIG. 3 is a sectional view (No. 2) showing a manufacturing process of the TBGA showing the first embodiment of the invention.
FIG. 4 is a sectional view of a TBGA showing a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a sectional view (No. 1) showing a manufacturing process of a TBGA showing a second embodiment of the invention.
FIG. 6 is a sectional view (No. 2) showing a manufacturing process of a TBGA showing a second embodiment of the invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view of a grid array showing a third embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view (No. 1) of a manufacturing process of a grid array showing a third embodiment of the invention.
FIG. 9 is a sectional view (No. 2) of a manufacturing process of the grid array showing the third embodiment of the invention.
FIG. 10 is a cross-sectional view of a conventional TBGA.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 LSI chip 2 Bump electrode 3 Base film 5,9 Adhesive 6 Inner lead 7 Resin 8 Stiffener 10 Solder ball 11 Device hole 12 Perforation hole 13 Ball mounting hole 14 Copper foil 15,21,22 Copper foil (land)
16 Solder resist 17, 23 Plating 18 Tape carrier 20 Solder paste 31, 41 Lower mold 32, 42 Upper mold 33, 43 Punch 34 Projection 44 High projection 45 Recess 51 avoiding LSI chip 1 51 Land formation hole

Claims

(A) applying an adhesive to the base film;
(B) opening the ball mounting hole;
(C) a step of attaching the copper foil to the adhesive;
(D) forming a copper foil pattern by a photolithography process and forming inner leads and lands;
(E) applying a solder resist and plating the inner leads and lands;
(F) a step of bonding the IC chip and the inner lead;
(G) applying a resin to the surface of the IC chip and printing a solder paste on the ball mounting hole;
(H) a process of punching the tape, ball, grid, and array from the tape carrier;
(I) attaching the stiffener to the base film with an adhesive;
(J) A method of manufacturing a grid array, comprising: mounting solder balls on the lands, and applying heat to adhere the lands and the solder balls.

(A) applying an adhesive to the base film;
(B) opening the ball mounting hole;
(C) a step of attaching the copper foil to the adhesive;
(D) forming a copper foil pattern by a photolithography process and forming inner leads and lands;
(E) applying a solder resist and plating the inner leads and lands;
(F) a step of bonding the IC chip and the inner lead;
(G) applying a resin to the surface of the IC chip and printing a solder paste on the ball mounting hole;
(H) punching the tape ball grid array from the tape carrier and simultaneously processing the land into a concave shape;
(I) attaching the stiffener to the base film with an adhesive;
(J) A method of manufacturing a grid array, comprising: mounting a solder ball on the land processed into a concave shape, and applying heat to bring the land and the solder ball into close contact with each other.

(A) applying an adhesive to the base film;
(B) opening a land forming hole;
(C) a step of attaching the copper foil to the adhesive;
(D) forming a copper foil pattern by a photolithography process and forming inner leads and lands;
(E) applying a solder resist and plating the inner leads and lands;
(F) a step of bonding the IC chip and the inner lead;
(G) applying a resin to the surface of the IC chip and printing a solder paste on the land formation hole;
(H) turning the grid array upside down and punching the grid array from the tape carrier and simultaneously processing the land into a concave shape;
(I) a step of returning the grid array and attaching the stiffener to the base film with an adhesive;
(J) A method of manufacturing a grid array, comprising: a step of using the land processed into a convex shape in a state in which the land processed into a concave shape is returned to an original state as an external electrode terminal.