JP3937622B2 - Phosphor production container - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、結晶性の良好な蛍光体を製造できる蛍光体製造用容器に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、GaNは、単結晶の場合にはLED、LD等の発光素子において青色、緑色の高輝度発光を示す材料として知られている。従来、GaN蛍光体を製造するには、原料物質であるGa化合物にドープ物質の化合物を混合し、これを焼成炉内に配置してアンモニアを流しながら高温で焼成し、Gaを窒化させるとともにドープ物質をドープさせる。
【0003】
このようにして得られた材料を電子線で発光させる試みは過去にあるが、粉体状にした蛍光体については実用的な輝度を得るに至っていない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
輝度が得られない最大の理由として、他の蛍光体材料と異なり窒化の困難さが挙げられる。すなわち、この材料は窒化される温度(700℃〜1000℃)と分解が始まる温度(950℃以上)の差が小さいため、通常の加熱による反応では窒化と分解が同時に進行しやすい。このため、GaNはできるが、蛍光体として使用できるような白色で結晶性が高いGaNを作ることはできなかった。
【0005】
GaN蛍光体を製造するには、前述したように一般的には管状炉の中でアンモニア又は窒素を含むガスを流しながら、原料物質を高温で焼成するが、アンモニアはGaの窒化反応によって多量に消費されるので、GaNの合成に当たっては十分な量のアンモニアを管状炉内に供給しなければならない。
【0006】
この際、図5及び図6に示すような従来一般的な箱形状の容器100(一般にボートと称する。)に原料物質101を入れ、これを管状炉内に配置してアンモニアを流しながら焼成しても、均一な窒化反応は得られなかった。これは、箱形状のボート100は上面のみが開口しているだけで四周に壁があり、図5及び図6中に矢印で示すように、アンモニアの流れてくる方向に交差する壁102がガスの流れの妨げになるので、GaNの窒化反応が不均一に行われるためであると考えられる。
【0007】
このため、同一バッチ内のGaN蛍光体であっても、一応の発光が得られる蛍光体はごく一部分であり、しかもその発光強度は実用に耐えない低いものであった。また、GaN蛍光体の製造の繰り返し再現性も望ましいものとはいえず、発光強度が高くて安定した特性のGaN蛍光体を得ることができなかった。
【0008】
本発明は、蛍光体材料が配置された管状炉内にガスを流して行う蛍光体の製造方法に適用でき、特性の優れた蛍光体を製造することができる蛍光体製造用容器を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載された蛍光体製造用容器は、蛍光体の原料物質を収納し、所定方向に沿って内部にガスが流される管体に加熱手段が設けられてなる管状炉の前記管体内に配置され、所定方向に沿って流される前記ガスのガス雰囲気内で加熱される蛍光体製造用容器において、前記ガスが流れる方向についての両端が開口しており前記ガスの流れを妨げる部材がない円筒を軸に平行な切断面で切断した形状であることを特徴としている。
【0012】
請求項2に記載された蛍光体製造用容器は、請求項1記載の蛍光体製造用容器において、前記円筒の半径が前記管体の半径と実質的に同じであることを特徴としている。
【0013】
請求項3に記載された蛍光体製造用容器は、請求項1記載の蛍光体製造用容器において、前記円筒の曲率は前記管体の曲率とほぼ同じであり、前記管状路内に挿入すると前記管状路の内周面に近接した状態となることを特徴としている。
【0014】
【発明の実施の形態】
前述した問題を解決するためには、ガスが十分にGaN蛍光体の原料物質に接触するように、管状炉内でのガスの流れを妨げないような構造のボート(蛍光体製造用容器)に前記原料物質を収納して管状炉で焼成を行うことが重要であると本発明者等は考えた。具体的な方法としては、管状炉内でGaN蛍光体の焼成に使用するボートを、ガスの流れる方向についての両端に縁がない形状とする。これにより、アンモニアガスの流れが円滑になり、GaN蛍光体の原料物質により多量のアンモニアを供給することができるようになる。その結果、GaN蛍光体合成時の反応性が改善され、発光特性の均一なGaN蛍光体の合成ができる。また、合成の繰り返し再現性が向上し、安定した品質のGaN蛍光体を作製することができる。
【0015】
【実施例】
(1)実施例1
GaN:Zn蛍光体の作製方法を示す。前記蛍光体の母体原料物質としては、Ga2 03 、Ga2 S3 等のGa化合物を使用し、ドープ材としてZn化合物を使用する。具体的にはGa2 03 を3gと、Znのドープ材としてのZnSを0.6gを良く混合し、焼成ボートに載せる。
【0016】
焼成ボート1は図1〜図3に示したような構造のものを使用する。この焼成ボート1は、両端が開口した円筒を軸線方向に沿って2つ割りにした形状である。焼成ボート1の曲率は管状炉2の曲率とほぼ同じであり、焼成ボート1を管状炉2内に挿入すると、焼成ボート1は管状炉2の内周面に近接した状態になる。焼成ボート1の両端は開口しており、アンモニアガスの流れを妨げる部材がないので、管状炉2内を流されるアンモニアガスは焼成ボート1に載せた前記原料物質3に十分に行き渡り、接触する。また、焼成ボート1は管状炉2の内周面に近接しているので、管状炉2の周囲に配されたヒータ4からの熱が効率的に焼成ボート1に伝達され、蛍光体の合成が一層効率的に行われる。焼成ボート1の材質は、石英、アルミナ、炭素、窒化ボロン等を使用する。なお、焼成ボート1と管状炉2の曲率がほぼ同じであることから、焼成ボート1は管状炉2内に安定して配置され、出し入れ時の操作性がよく扱いやすい。
【0017】
前記焼成ボート1に前記原料物質3を載せ、管状炉2内に配置する。この状態で350ml/minのアンモニアを流しながら、原料物質を1150℃で2時間焼成して粒状のGaN蛍光体を得た。得られたGaN蛍光体を蛍光発光管の陽極基板の陽極導体に塗布し、陽極電圧30Vで発光させて評価した。さらに電界放出型発光素子(Field Emission Display)の陽極基板の陽極導体に塗布し、陽極電圧400Vで発光させて評価した。
【0018】
焼成ボート1上のGaN蛍光体について365nmの紫外線ランプを用いてPL(フォトルミネッセンス)を確認したところ、部分的な発光の強弱は無く、均一な青色発光が得られた。
【0019】
比較のため、図5に示したような一般的な形状の焼成ボート100を使用して合成を行ったところ、図5に矢印で示したように蛍光体原料101にアンモニアガスが行き渡らず、反応が不均一に起こるために得られた蛍光体は発光強度が低く、また部分的に発光しない部分も発生する。
【0020】
図4に、従来のボートを用いて合成したGaN蛍光体と、本願のボートを使用して合成したGaN蛍光体について、発光特性を比較した結果を示す。図4に示したように、本例の焼成ボート1によれば、得られた蛍光体の発光特性(輝度特性)は、従来の焼成ボートによるものに比べて倍以上も改善された。
【0021】
(2)実施例2
GaInN:Mg蛍光体の作製方法を示す。Ga2 S3 を2g,In2 S3 を1g,MgClを0.4gを良く混合し、実施例1と同様の構造を持つ焼成ボート1に載せ、同様の管状炉2で合成を行う。管状炉2内にアンモニアを350ml/min流しながら、原料を1100℃で3時間焼成して粒状のGaInN:Mg蛍光体を得た。GaInNは紫外線ランプによりPLを確認したところ、部分的な発光の強弱は無く均一な緑色発光を得た。実施例1と同様に蛍光発光管または電界放出型発光素子FEDで評価したところ、緑色の発光が得られた。
【0022】
以上説明した実施例は、Ga1-X InX N:A,B(0≦X<1,A=Zn,Mg、B=Si,Ge)蛍光体の製造に関するものであったが、本例の焼成ボート1は他の蛍光体の製造にも利用できる。
【0023】
(3)実施例3
GaN以外の蛍光体に本発明を応用した場合の実施例として、ZnGa2 O4 蛍光体を作製する場合を示す。
原料物質としてZnOを8.1g、Ga2 O3 を18.7g、およびLi3 PO4 を5.79gを良く混合し、アルミナルツボにて大気中1200℃で3時間の一次焼成を行う。一次焼成試料を粉砕、酸洗浄した試料を、実施例1と同様の構造を持つ焼成ボートに載せ、同様の管状炉2で二次焼成を行う。管状炉内にH2 ガスを40ml/min、N2 ガスを160ml/min流しながら、1100℃で1時間焼成することによりZnGa2 O4 蛍光体を得た。ZnGa2 O4 は紫外線ランプによりPLを確認したところ、部分的な発光の強弱は無く均一な青色発光を得た。実施例1と同様に蛍光発光管または電界放出型発光素子で評価したところ、青色の発光が得られた。
【0024】
以上説明したように、本発明の焼成ボートは、ガスを流して原料物質に接触させながら焼成することにより蛍光体を合成する方法において、原料物質を収納する容器として有用である。
【0025】
【発明の効果】
本発明の蛍光体製造用容器(焼成ボート)又はこれを用いた蛍光体の製造装置によれば、ガスを流しながら原料物質を焼成して行う蛍光体の合成において、次のような効果が得られる。
【0026】
1.蛍光体作製時において、蛍光体原料により多量のガスを接触させられるため、反応が促進され、得られる粒状蛍光体の結晶性が高くなる。
【0027】
2.蛍光体原料物質付近でガスが均一に流れるため、部分的な発光のむらがない均一な蛍光体が得られる。
【0028】
3.蛍光体作製の繰り返し再現性が向上する。
【0029】
4.上記のため、発光強度の高い蛍光体を再現性良く作製できる。
【0030】
本発明の蛍光体製造用容器(焼成ボート1)又はこれを用いた蛍光体の製造装置によれば、特に、GaNの蛍光体作製においては、次のような効果が得られる。
【0031】
▲1▼.GaNの蛍光体作製時において、GaN原料により多量のアンモニアが接触できるため、窒化反応が促進され、結晶性が高くなる。
【0032】
▲2▼.GaN付近のアンモニアが均一に流れるため、部分的な発光のむらがない均一なGaN蛍光体が得られる。
【0033】
▲3▼.GaN蛍光体作製の繰り返し再現性が向上する。
【0034】
▲4▼.上記のため、発光強度の高いGaN蛍光体を再現性良く作製することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の一例を示す一部切り欠き斜視図である。
【図2】本発明の実施の形態の一例における管状炉2の軸線に直交する断面での断面図である。
【図3】本発明の実施の形態の一例における焼成ボート1の平面図である。
【図4】従来のボートを用いて合成したGaN蛍光体と、本願のボートを使用して合成したGaN蛍光体について、発光特性を比較した結果を示す図である。
【図5】従来のボートを用いて行う蛍光体の製造方法を示した斜視図である。
【図6】従来のボートを用いて行う蛍光体の製造方法を示した平面図である。
【符号の説明】
1…蛍光体製造用容器としての焼成ボート、2…管状炉、3…蛍光体の原料物質(GaN蛍光体の原料物質である酸化ガリウム等)[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a fluorescent body manufacturing containers that can produce a good crystallinity phosphor.
[0002]
[Prior art]
In recent years, GaN has been known as a material that emits blue and green high luminance light emitting elements such as LEDs and LDs in the case of a single crystal. Conventionally, in order to manufacture a GaN phosphor, a Ga compound as a raw material is mixed with a compound of a doping material, and this is placed in a firing furnace and baked at a high temperature while flowing ammonia to nitride and Ga. Dope material.
[0003]
There have been attempts in the past to emit light from the material thus obtained with an electron beam, but no practical luminance has been achieved with respect to a phosphor in powder form.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
Unlike the other phosphor materials, the biggest reason why the luminance cannot be obtained is difficulty in nitriding. That is, since this material has a small difference between the nitriding temperature (700 ° C. to 1000 ° C.) and the temperature at which decomposition starts (950 ° C. or more), nitriding and decomposition are likely to proceed simultaneously in a normal heating reaction. For this reason, GaN can be produced, but white and highly crystalline GaN that can be used as a phosphor could not be produced.
[0005]
In order to manufacture a GaN phosphor, as described above, the raw material is generally baked at a high temperature while flowing a gas containing ammonia or nitrogen in a tubular furnace. Since it is consumed, a sufficient amount of ammonia must be supplied into the tube furnace for the synthesis of GaN.
[0006]
At this time, the
[0007]
For this reason, even if it is the GaN fluorescent substance in the same batch, the fluorescent substance from which temporary light emission is obtained is a very small part, and the emitted light intensity was low enough to be unpractical. In addition, the reproducibility of production of the GaN phosphor is not desirable, and a GaN phosphor having high emission intensity and stable characteristics cannot be obtained.
[0008]
The present invention provides a phosphor manufacturing container that can be applied to a phosphor manufacturing method performed by flowing a gas into a tubular furnace in which a phosphor material is arranged, and that can manufacture a phosphor having excellent characteristics. It is an object.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The phosphor manufacturing container according to claim 1 stores the phosphor material material, and the tube body of the tubular furnace is provided with a heating means in a tube body in which a gas flows along a predetermined direction. In the phosphor manufacturing container that is arranged in the gas and heated in the gas atmosphere of the gas that flows along a predetermined direction, there are no members that obstruct the gas flow because both ends of the gas flow direction are open. It is characterized by the shape of a cylinder cut by a cutting plane parallel to the axis .
[0012]
The phosphor manufacturing container described in
[0013]
The phosphor manufacturing container according to
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
In order to solve the above-mentioned problems, a boat (phosphor manufacturing vessel) having a structure that does not obstruct the gas flow in the tubular furnace so that the gas sufficiently contacts the raw material of the GaN phosphor. The present inventors considered that it is important to store the raw material and perform firing in a tubular furnace. As a specific method, a boat used for firing a GaN phosphor in a tubular furnace is formed into a shape having no edges at both ends in the gas flow direction. Thereby, the flow of ammonia gas becomes smooth, and a large amount of ammonia can be supplied to the raw material of the GaN phosphor. As a result, the reactivity at the time of GaN phosphor synthesis is improved, and a GaN phosphor with uniform emission characteristics can be synthesized. In addition, the reproducibility of the synthesis is improved, and a stable quality GaN phosphor can be produced.
[0015]
【Example】
(1) Example 1
A method for producing a GaN: Zn phosphor will be described. A Ga compound such as Ga 2 O 3 or Ga 2 S 3 is used as a base material of the phosphor, and a Zn compound is used as a doping material. Specifically, 3 g of Ga 2 O 3 and 0.6 g of ZnS as a Zn doping material are mixed well and placed on a firing boat.
[0016]
The
[0017]
The
[0018]
When PL (photoluminescence) was confirmed for the GaN phosphor on the firing
[0019]
For comparison, synthesis was performed using a
[0020]
FIG. 4 shows the results of comparison of light emission characteristics of a GaN phosphor synthesized using a conventional boat and a GaN phosphor synthesized using the boat of the present application. As shown in FIG. 4, according to the
[0021]
(2) Example 2
A method for producing a GaInN: Mg phosphor will be described. 2 g of Ga 2 S 3 , 1 g of In 2 S 3 and 0.4 g of MgCl are mixed well, placed on a
[0022]
The embodiment described above relates to the manufacture of a Ga 1 -X In X N: A, B (0 ≦ X <1, A = Zn, Mg, B = Si, Ge) phosphor. The fired
[0023]
(3) Example 3
As an example when the present invention is applied to a phosphor other than GaN, a case where a ZnGa 2 O 4 phosphor is fabricated will be described.
As raw materials, 8.1 g of ZnO, 18.7 g of Ga 2 O 3 and 5.79 g of Li 3 PO 4 are mixed well and subjected to primary firing at 1200 ° C. for 3 hours in the atmosphere with an alumina crucible. A sample obtained by pulverizing and acid-cleaning the primary fired sample is placed on a fired boat having the same structure as in Example 1, and secondary fired in the same
[0024]
As described above, the firing boat of the present invention is useful as a container for storing a raw material in a method of synthesizing a phosphor by flowing a gas and bringing it into contact with the raw material.
[0025]
【The invention's effect】
According to the phosphor manufacturing container (baking boat) or the phosphor manufacturing apparatus using the same according to the present invention, the following effects are obtained in the synthesis of the phosphor performed by firing the raw material while flowing the gas. It is done.
[0026]
1. Since a large amount of gas can be brought into contact with the phosphor raw material at the time of producing the phosphor, the reaction is promoted and the crystallinity of the obtained granular phosphor is increased.
[0027]
2. Since the gas flows uniformly in the vicinity of the phosphor raw material, a uniform phosphor having no uneven light emission can be obtained.
[0028]
3. The reproducibility of the phosphor production is improved.
[0029]
4). Therefore, a phosphor with high emission intensity can be produced with good reproducibility.
[0030]
According to the phosphor production container (firing boat 1) or the phosphor production apparatus using the same according to the present invention, the following effects can be obtained particularly in the production of a GaN phosphor.
[0031]
(1). When a GaN phosphor is produced, a large amount of ammonia can be brought into contact with the GaN raw material, so that the nitriding reaction is promoted and the crystallinity is increased.
[0032]
(2). Since ammonia in the vicinity of GaN flows uniformly, a uniform GaN phosphor without partial light emission unevenness can be obtained.
[0033]
(3). The repeated reproducibility of GaN phosphor production is improved.
[0034]
(4). For this reason, it becomes possible to produce a GaN phosphor with high emission intensity with good reproducibility.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing an example of an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view in a cross section orthogonal to the axis of the
FIG. 3 is a plan view of a
FIG. 4 is a diagram showing a result of comparison of light emission characteristics of a GaN phosphor synthesized using a conventional boat and a GaN phosphor synthesized using the boat of the present application.
FIG. 5 is a perspective view showing a method of manufacturing a phosphor using a conventional boat.
FIG. 6 is a plan view showing a method of manufacturing a phosphor using a conventional boat.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記ガスが流れる方向についての両端が開口しており前記ガスの流れを妨げる部材がない円筒を軸に平行な切断面で切断した形状であることを特徴とする蛍光体製造用容器。A phosphor manufacturing container having a shape obtained by cutting a cylinder that is open at both ends in the gas flow direction and has no member that obstructs the gas flow, along a cutting plane parallel to the axis.
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