Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP3976018B2 - 光学用気密パッケージ - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP3976018B2 - 光学用気密パッケージ - Google Patents

光学用気密パッケージ Download PDF

Info

Publication number
JP3976018B2
JP3976018B2 JP2004033079A JP2004033079A JP3976018B2 JP 3976018 B2 JP3976018 B2 JP 3976018B2 JP 2004033079 A JP2004033079 A JP 2004033079A JP 2004033079 A JP2004033079 A JP 2004033079A JP 3976018 B2 JP3976018 B2 JP 3976018B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal film
lens
optical
hermetic package
optical member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2004033079A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005228775A (ja
Inventor
靖志 中島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Motor Co Ltd
Original Assignee
Nissan Motor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Motor Co Ltd filed Critical Nissan Motor Co Ltd
Priority to JP2004033079A priority Critical patent/JP3976018B2/ja
Publication of JP2005228775A publication Critical patent/JP2005228775A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3976018B2 publication Critical patent/JP3976018B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80Constructional details of image sensors
    • H10F39/804Containers or encapsulations

Landscapes

  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

本発明はキャップの一部に光学部材が設けられかつ気密性を有する光学用気密パッケージ、たとえば雰囲気を制御した気密封止が必要な光学センサ等を気密に封止する光学用気密パッケージ、特に遠赤外線イメージセンサ等の光学部材に脆弱な光学材料を使用しなければならない光学素子の実装に用いる光学用気密パッケージに関するものである。
遠赤外線光の入射エネルギーを熱として検出するサーモパイル型等の遠赤外線イメージセンサにおいては、感度を向上させるために光学センサを熱伝導率の劣るXe等のガスを封入したり高真空に排気するなどの光学用気密パッケージに収納している。この場合、遠赤外線イメージセンサとして成立させるためには、遠赤外光を透過させることができる材料からなる窓材、レンズ等の光学部材をセンサ受光面の前面に気密封着することが必須の条件である。この光学部材としては無ドープのGe、SiやZnSe、ZnS、KBr等が用いられている。そして、GeやSiを用いた場合には、特許文献1に示されるように、光学部材の周辺部の下面に蒸着等によりハンダと濡れる金属膜を形成しておき、光学部材とキャップとをハンダ接合している。
特開平10−170337号公報 特開平11−211555号公報
しかし、このような光学用気密パッケージにおいてZnSe、ZnS、KBr等の脆弱材料からなる光学部材を用いる場合には、光学部材を接合したパッケージ部材から印加される力によって光学部材が破壊されて、気密破壊が生ずることがある。
本発明は上述の課題を解決するためになされたもので、気密破壊が生ずるのを防止することができる光学用気密パッケージを提供することを目的とする。
この目的を達成するため、本発明においては、Fe−Ni系合金からなる金属膜をZnSからなる上記光学部材の周辺部の上面、下面および側面に形成し、上記光学部材を上記金属膜を介してキャップと接合する。
本発明に係る光学用気密パッケージにおいては、外部からの応力を金属膜で受けさせることができるから、光学部材に作用する応力を分散し破壊を防ぐことができるので、気密破壊が生ずるのを防止することができる。
(第1の実施の形態)
図1は本発明に係る光学用気密パッケージすなわち赤外線イメージセンサチップを真空実装したレンズ付きセンサ(カメラ)を示す断面図、図2は図1に示した光学用気密パッケージのレンズ部を示す断面図である。図に示すように、円板状のステム1はTO−8と呼ばれる絶縁された接続端子2を有し、ステム1の表面に遠赤外線イメージセンサチップ3がダイボンドされ、センサチップ3と接続端子2との間はワイヤ4を用いたワイヤボンディングにより電気的に接続されている。また、ステム1のセンサチップ3の実装側が金属キャップ6で覆われ、金属キャップ6は50アロイと呼ばれるNiの含有率が50%の50Ni−Fe合金からなり、厚さは0.3mmである。また、センサチップ3の表面に対向する金属キャップ6の上面には円形の開口部7が形成され、開口部7に硫化亜鉛(ZnS)製のレンズ9がハンダからなる接合層10を介して気密封止され、レンズ9の周辺部11の上面、下面および側面にNiの含有率が42%の42Ni−Fe合金からなりかつ厚さが150μmの金属膜8が形成されている。すなわち、熱膨張係数がレンズ9の熱膨張係数と同程度の金属膜8がレンズ9の周辺部11の上面、下面および側面に形成され、レンズ9が金属膜8を介して金属キャップ6に接合されている。そして、金属膜8は電気メッキ法すなわち電解合金メッキ法により形成されている。たとえば、NiSO・6HO 0.95mol/L(250g/L)、NiCl・6HO 0.17mol/L(40g/L)、ほう酸0.49mol/L(30g/L)の組成のワットNiメッキ浴にマロン酸を0.05mol/L、CNNaOS・2HO(サッカリンナトリウム)を0.008mol/L(2g/L)およびFeSO・7HOを0.35mol/L以下(0〜97g/L以下)を添加してNi−Fe合金メッキ浴を調製し、この合金メッキ浴をpH2.5、50℃で使用し、電流密度を1〜9A/dmとして、金属膜8が形成されている。なお、電解合金メッキ法に関する公知技術の一例としては、近畿地域産業技術連携推進会議・第7回テクノリサーチコンファレンスでの京都市工業試験場、永山氏らの研究報告がある。
図1に示した光学用気密パッケージにおいては、レンズ9の周辺部11の上面、下面および側面の金属膜8を形成しているから、外部からの応力を金属膜8で受けさせることができる。このため、レンズ9に作用する応力を分散し破壊を防ぐことができるから、気密破壊が生ずるのを確実に防止することができる。また、図3に示すように、万が一周辺部11にクラック12が入った場合でも、クラック12の発生が考えられる場所は応力が集中する周辺部11の上面あるいは下面と側面との接合部付近であり、ここはクラック12が生じても金属膜8に覆われているため気密破壊に繋がらないから、気密破壊が生ずるのを確実に防止することができる。また、レンズ9の材料である硫化亜鉛(ZnS)は焼結品で熱膨張係数が7.5ppm/k程度であるのに合わせて、レンズ9の材料の熱膨張係数と同程度の熱膨張係数を有する金属膜8を形成しているから、レンズ9に引張応力が作用しない。したがって、上述のように一般にセラミックス系の材料の特性として知られている引張力に対する強度が圧縮される力に対する強度と比較すると数分の1倍程度と小さいことにおいて、その引張応力がレンズ9に作用しない構造とすることで、気密破壊が生ずるのをより確実に防止できる。さらに、特にセンサチップ3の寸法に対してレンズ9の大きさに余裕がない場合などに、センサチップ3の撮像エリアの周縁付近に靄がかかって像のS/N比が低下する現象が発生することがあるが、この現象は周辺部11に入射した光がそのままセンサチップ3側に透過することにより生じているものであり、周辺部11の上面、下面および側面の金属膜8を形成したときには、金属膜8によって周辺部11の光の透過を遮断するので、レンズ9が小さな場合でもS/N比が向上してクリアな像が得られる。
また、金属膜8は電解合金メッキ法により形成されており、メッキしたままの42Ni−Fe合金は8.5ppm/kの熱膨張係数を有するが、金属膜8に引張応力が残留しており、これがレンズ9に対して圧縮応力を印加しているので、たとえばゆっくり350℃まで昇温すると、レンズ9が割れることなく金属膜8に締め付けられたまま図4に示すように42Ni−Fe合金の熱膨張係数が7ppm/k程度まで低下し、その後冷却すると、初期状態と変わらずレンズ9が金属膜8に軽く締め付けられ、レンズ9が金属膜8によって保護された状態となる。なお、金属キャップ6の材料として50Ni−Fe合金を選択し、金属キャップ6の厚さを0.3mmとしているから、後の接合層10によるハンダ接合時に金属膜8に圧縮応力が発生する。そして、金属膜8の厚さを金属キャップ6の金属材料の応力に整合させておけば、レンズ9に圧縮応力を生じさせることができ、この場合レンズ9に引張力が作用しても、その引張力が所定値よりも小さいときには、レンズ9には引張応力が作用せず、しかも硫化亜鉛のような非金属材料の場合には、上述のように一般的に引張応力よりも圧縮応力に対しては強度が数倍程度以上高いから、レンズ9は外力から保護されて破損することがなくなる。
また、電解メッキは基本的に内部に引張応力を残留させているので、多少の熱膨張係数の逆転は自身の応力で吸収する。また、応力は熱処理条件で調整することも可能であり、さらに応力調整手段のバリエーションが広くなる。
また、金属膜8の材料としてFe−Ni系合金を用いており、かつ電解合金メッキ法により金属膜8を形成しているから、金属膜8の材料の組成をメッキ条件で設定することができ、金属膜8の材料の組成から容易に熱膨張整数を調整することができるので、開発期間やコストを同時に大きく低減できる。
(第2の実施の形態)
図5は本発明に係る他の光学用気密パッケージのレンズ部を示す断面図である。図に示すように、レンズ9の周辺部11の上面に金属の蒸着層13が設けられており、蒸着層13は20nmのTi層およびその上の100nmのNi層からなる。
図5に示したレンズ部を有する光学用気密パッケージにおいては、レンズ9の周辺部11の上面に金属の蒸着層13が設けられているから、信頼性を向上させることができる。すなわち、電解メッキにおいては、近年コンパクトディスク等の記録媒体でのエラーを排除するためなどの要求から無欠陥化が進行してきた。しかしながら、確率的には欠陥は存在し、本発明の適用分野のひとつである遠赤外線イメージセンサの製造では、使用部品が比較的高価であるために気密を損なうガスリークは徹底的に排除する必要がある。このガスリークが発生する場合は、本発明のように厚メッキ(金属膜8)を前提とした場合には、金属膜8を抜ける経路は少なく、レンズ9と金属膜8との間の界面の不連続性に起因する場合が多い。したがって、レンズ9の表から裏への経路のいずれかで経路を遮断することができればよく、レンズ9の周辺部11の上面に蒸着法によりメッキ下地層となる金属の蒸着層13を形成した後に、メッキを施すことにより金属膜8を形成すれば、レンズ9と金属膜8との界面のわずかな欠陥で気密が劣化するのを防止することができ、信頼性を向上させることができる。
なお、各図は工程の説明を容易にするためにデフォルメされており、正確な寸法比を示さない部分がある。また、実施の形態中の数値は本実施の形態を説明するための一例であり、これに限定されるものではなく、設計条件の変動により当然変化するものである。
また、上述実施の形態においては、光学部材がレンズ9の場合について説明したが、光学部材が窓材等の場合にも本発明を適用することができる。また、上述実施の形態においては、レンズ9の周辺部11の上面に金属の蒸着層13を設けたが、光学部材の周辺部の上面、下面の少なくとも一方と金属膜との間に蒸着層を設ければよい。
本発明に係る光学用気密パッケージを示す断面図である。 図1に示した光学用気密パッケージのレンズ部を示す断面図である。 図1に示した光学用気密パッケージにおける効果を説明するための断面図である。 本発明に係る第1の実施例における熱処理方法を説明するためのグラフである。 本発明に係る他の光学用気密パッケージのレンズ部を示す断面図である。
符号の説明
6…金属キャップ
8…金属膜
9…レンズ
11…周辺部
13…蒸着層

Claims (3)

  1. キャップの一部に光学部材が設けられかつ気密性を有する光学用気密パッケージにおいて、
    Fe−Ni系合金からなる金属膜をZnSからなる上記光学部材の周辺部の上面、下面および側面に形成し、
    上記光学部材を上記金属膜を介して上記キャップと接合した
    ことを特徴とする光学用気密パッケージ。
  2. 上記金属膜を電気メッキ法で形成したことを特徴とする請求項1に記載の光学用気密パッケージ。
  3. 上記光学部材の上記周辺部の上面、下面の少なくとも一方と上記金属膜との間に蒸着層を設けたことを特徴とする請求項2に記載の光学用気密パッケージ。
JP2004033079A 2004-02-10 2004-02-10 光学用気密パッケージ Expired - Lifetime JP3976018B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004033079A JP3976018B2 (ja) 2004-02-10 2004-02-10 光学用気密パッケージ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004033079A JP3976018B2 (ja) 2004-02-10 2004-02-10 光学用気密パッケージ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005228775A JP2005228775A (ja) 2005-08-25
JP3976018B2 true JP3976018B2 (ja) 2007-09-12

Family

ID=35003275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004033079A Expired - Lifetime JP3976018B2 (ja) 2004-02-10 2004-02-10 光学用気密パッケージ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3976018B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010175304A (ja) * 2009-01-27 2010-08-12 Panasonic Electric Works Co Ltd 赤外線センサの製造方法
JP5123225B2 (ja) * 2009-01-28 2013-01-23 パナソニック株式会社 赤外線センサ素子のパッケージ
WO2020217943A1 (ja) * 2019-04-22 2020-10-29 日本板硝子株式会社 放射角度変換素子および発光装置
CN114815003A (zh) * 2022-03-17 2022-07-29 成都国泰真空设备有限公司 光学薄膜边缘金属化处理工艺

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005228775A (ja) 2005-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0089044B1 (en) A semiconductor device having a container sealed with a solder of low melting point
WO2005086229A1 (ja) 光透過用窓部材、光透過用窓部材を備えた半導体パッケージおよび光透過用窓部材の製造方法
US20110114840A1 (en) Encapsulating package, printed circuit board, electronic device and method for manufacturing encapsulating package
US9157805B2 (en) Infrared ray sensor package, infrared ray sensor module, and electronic device
US9829391B2 (en) Temperature sensor element
US20090096048A1 (en) Optical device and manufacturing method thereof and semiconductor device
CN102997999A (zh) 一种红外焦平面阵列探测器
JP2014142387A (ja) 光学素子収納用パッケージ、光学フィルターデバイス、光学モジュール、および電子機器
JP3976018B2 (ja) 光学用気密パッケージ
JP2014082348A (ja) 光学素子収納用パッケージ、光学フィルターデバイス、光学モジュール、および電子機器
JP4864364B2 (ja) 電子内視鏡用撮像ユニット
US9484372B2 (en) Substrate for embedding imaging device and method for manufacturing same, and imaging apparatus
US20100078191A1 (en) Hermetic seal and a method of manufacturing hermetic seal
CN102956661B (zh) 一种芯片封装方法及其封装结构
US20060102923A1 (en) Optical element housing package
JP6279857B2 (ja) 電子装置、多数個取り枠体および多数個取り電子装置
KR20200108849A (ko) 이온-감응 전극, 측정 유닛 및 제조 방법
KR20200111690A (ko) 이온-감응 고체-상태 전극을 위한 측정 유닛 및 이온-감응 전극
US6992844B2 (en) System and method for providing a hermetically sealed lens and window assembly
JP2008311429A (ja) パッケージおよびその製造方法
JP6141684B2 (ja) 半導体素子および半導体素子の製造方法
JPH05259420A (ja) 固体撮像装置
JP2019155566A (ja) Mems素子およびその実装構造
JP2010175304A (ja) 赤外線センサの製造方法
JPS6120379A (ja) ガスレーザー管とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070227

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070426

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070529

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070611

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3976018

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130629

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140629

Year of fee payment: 7

EXPY Cancellation because of completion of term