JP4048427B2

JP4048427B2 - Electronic component manufacturing method and electronic component

Info

Publication number: JP4048427B2
Application number: JP2002284805A
Authority: JP
Inventors: 英清高岡; 誠小川; 邦彦浜田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-09-30
Filing date: 2002-09-30
Publication date: 2008-02-20
Anticipated expiration: 2022-09-30
Also published as: JP2004115902A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品の製造方法、及び電子部品に関し、より詳しくはセラミック素体の表面に形成された導電部にめっき皮膜を形成する電子部品の製造方法、及び該製造方法により製造された多層基板にコンデンサパターンやインダクタパターンを内蔵してなるローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ等のＬＣフィルタやセラミックアンテナなどのセラミック多層基板を利用した電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、電子部品としてのセラミック多層基板では、一般に、セラミック素体に内部導体が埋設されると共に、該セラミック素体の表面に外部導体が形成され、外部導体と内部導体とが電気的に接続されている。そして、ボンディング性やはんだ付け性等を向上させる観点から、通常、外部導体の導電部にはＮｉ皮膜が形成され、さらにＮｉ皮膜の表面にはＡｕ皮膜が形成されている。
【０００３】
Ｎｉ皮膜やＡｕ皮膜は、通常、めっき処理して形成されるが、周知のようにめっき方法には電解めっき法と無電解めっき法とがある。そして、セラミック多層基板のような微細で複雑な導電パターンが要求されるものについては、めっき用リード線を設ける必要がなく、また電流分布の影響を受けることがない無電解めっきが多用されている。
【０００４】
また、前記無電解めっき法には、めっき液に還元剤を添加し該還元剤の酸化反応によって生ずる電子を金属の析出反応に利用する自己触媒型と、溶液中の金属イオンと素地金属間で生じる置換反応を利用した置換型とがあるが、Ｎｉ皮膜については、自己触媒型無電解めっき（以下、「自己触媒めっき」という）により形成し、Ａｕ皮膜については、置換型無電解めっき（以下、「置換めっき」という）により形成することが行われている。また、近年では、環境への配慮からシアンを含まないノンシアン系のＡｕめっき液を使用することが多い。
【０００５】
ところで、この種の電子部品では、被めっき物に含まれる水分を除去する必要があることから、水分の除去方法について、従来より、種々の方法が提案されている。
【０００６】
例えば、無電解めっき処理を行なってめっき皮膜を形成した後、洗浄槽で被めっき物を洗浄し、その後被めっき物を温純水槽に浸漬し、その後被めっき物を引き上げて乾燥するようにした技術が提案されている（特許文献１）。
【０００７】
該特許文献１では、洗浄槽と温純水槽を設けることにより無電解めっきから洗浄、乾燥までを連続処理している。
【０００８】
また、従来より、水性置換めっき組成物に金属表面を接触させて該金属表面に銀皮膜を形成し、その後銀で被覆した金属表面を洗浄し、乾燥する方法も提案されている（特許文献２）。
【０００９】
該特許文献２では、乾燥は温風を用いるのが一般的であり、例えば、処理された金属を乾燥用オーブン内に通過させてもよい旨が記載されている。
【００１０】
また、従来より、液晶ポリマー基材上に無電解Ｃｕめっき又は無電解Ｎｉめっきを行い、次いで表面めっきを施し、その後水分除去のための熱処理を行う技術も提案されている（特許文献３）。
【００１１】
該特許文献３では、１３０℃〜１７５℃に加熱された炉内で１〜２時間の熱処理を行なうことにより、液晶ポリマー基材内の水分を除去している。
【００１２】
また、上記特許文献３には、表面めっき層と無電解Ｃｕめっき層又は無電解Ｎｉめっき層との間に無電解Ｎｉめっき層を介装し、かつ５０〜２５０℃程度に加熱されたオーブン内で１〜３時間、熱処理を行うことにより前記無電解Ｎｉめっき層を硬化させる手法も開示されている。
【００１３】
さらに、従来より、セラミックと金属との複合材料上に第１及び第２のめっき皮膜を順次形成し、その後酸化性ガスが存在しない雰囲気下で乾燥熱処理を行う技術も提案されている（特許文献４）。
【００１４】
該特許文献４では、ＳｉＣ等のセラミック材料からなる多孔質焼結体の気孔にＣｕ等の金属を含浸させてなるセラミック／金属複合材料において、酸化性ガスの存在しない１００℃〜５００℃の高温雰囲気下で熱乾燥処理を施すことにより、前記複合材料に含浸された溶液が滲み出るのを防止している。
【００１５】
また、該特許文献４では、第２のめっき皮膜を形成した後に６０〜９０℃で５分間以上予備乾燥を行うことにより、複合材料表面のめっき液を蒸発揮散させることのできることが記載されている。
【００１６】
また、その他の従来技術としては、銅合金素材に２層のＮｉめっき層を形成し、その上に金めっき層を形成した後、めっきの後処理後に乾燥させる技術も提案されている（特許文献５）。
【００１７】
【特許文献１】
特開平６−６５７４８号公報（請求項１、段落番号〔００１４〕、〔００１５〕）
【特許文献２】
特開平８−２３２０７２号公報（請求項１、請求項１６、段落番号〔００６３〕）
【特許文献３】
特開平１０−１６８５７７号公報（請求項１〜３、段落番号〔００１４〕、〔００１６〕）
【特許文献４】
特開２０００−１９２２８３号公報（請求項４〜６、１０、段落番号〔００４７〕〜〔００４９〕、〔００５９〕、〔００６０〕）
【特許文献５】
特開平１０−２５１８６０号公報（請求項２）
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記セラミック多層基板では、以前より、セラミック多層基板に搭載される外部電子部品（例えば、コンデンサ）を実装すべく複数回のリフロー加熱処理を施した場合、はんだ付け性が十分に得られないという問題があった。
【００１９】
そして、本発明者らの検討結果により、上記問題の発生は、Ｎｉ皮膜と、該Ｎｉ皮膜上に置換めっきにより形成されたＡｕ皮膜との界面に存在する水分に依るものであるということが判明した。
【００２０】
すなわち、置換めっきによりＮｉ皮膜上にＡｕ皮膜を形成する場合、Ｎｉ皮膜の溶解を駆動力にしてＡｕがＮｉ皮膜上に析出し、図７に示すように、導電部１０１上のＮｉ皮膜１０２表面にＡｕ皮膜１０３が形成される。すなわち、素地金属であるＮｉとＡｕとのイオン化傾向の差によって置換反応が進行し、Ｎｉは酸化されてＮｉイオンとなり、Ａｕめっき液中に溶出する一方、めっき液中のＡｕイオンは還元されてＡｕ（金属）となり、Ｎｉ皮膜１０２上に析出する。
【００２１】
このとき、ＮｉとＡｕとの置換反応は、Ｎｉの溶出箇所とＡｕの析出箇所とは無関係にＮｉ皮膜１０２の表面で進行するため、Ｎｉの溶出によってＮｉ皮膜１０２には多数の凹所１０４が形成され、該凹所１０４に水分１０５が浸入して残存する。
【００２２】
すなわち、前記凹所１０４に水分１０５が残存しているため、セラミック多層基板に搭載される外部電子部品を実装すべく複数回のリフロー加熱処理を施した場合、Ｎｉ皮膜１０２が酸化し、はんだ付け性が低下していたのである。
【００２３】
しかも、近年、環境問題を考慮してＰｂフリーのはんだ材の使用が要望されているが、Ｐｂフリー化に伴いはんだ付け性の低下が更に顕在化するものと思われる。
【００２４】
しかしながら、上記特許文献１〜５は、いずれも温風処理又は加熱処理により被乾燥物を乾燥させているため、Ｎｉ皮膜１０２の酸化が促進され、したがってはんだ付け性の低下を防止することができない。
【００２５】
すなわち、上述のようなめっき皮膜間に残留している水分を確実に除去する技術が未だ存在しておらず、今日、Ｐｂフリー化の要請に伴いＮｉ皮膜１０２の酸化を防止する技術の開発が要請されている。
【００２６】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、複数回のリフロー加熱処理を施した後においても、良好なはんだ付け性を有する電子部品の製造方法、及び該製造方法により製造された電子部品を提供することを目的とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係る電子部品の製造方法は、基板素体の表面に形成された導電部にＮｉを主成分としたＮｉ系皮膜を被着した後、該Ｎｉ系皮膜との間の置換反応によってＡｕ皮膜を前記Ｎｉ系皮膜に被着し、その後、水分除去処理を行う電子部品の製造方法において、前記水分除去処理は、２５℃以下の低温であって、かつ１３．３Ｐａ以下に減圧された真空下で乾燥処理を施し、前記Ｎｉ系皮膜と前記Ａｕ皮膜との界面に残存する水分を除去することを特徴としている。
【００２８】
上記製造方法によれば、水分除去処理は、２５℃以下の低温であって、かつ１３．３Ｐａ以下に減圧された真空下で乾燥処理を施し、Ｎｉ系皮膜とＡｕ皮膜との界面に残存する水分を除去するので、被乾燥物が高温雰囲気に晒されることもなく、Ｎｉ系皮膜とＡｕ皮膜の界面に残存する水分を容易に除去することができ、これによりＮｉ系皮膜の酸化が抑制され、はんだ付け性が低下するのを防止することができる。
【００３９】
また、本発明に係る電子部品は、上記製造方法を使用して製造されたことを特徴としている。
【００４０】
上記電子部品によれば、Ｎｉ系皮膜の酸化を回避することができるので、複数回のリフロー加熱処理を繰り返してもはんだ付け性の低下が招来することのないセラミック多層基板等の電子部品を得ることができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳説する。
【００４２】
図１は本発明の製造方法を使用して製造された電子部品としてのＬＣフィルタの一実施の形態を示す断面図であって、該ＬＣフィルタはコンデンサパターンやインダクタパターンが多層基板としてのセラミック素体に内蔵されている。
【００４３】
すなわち、該ＬＣフィルタは、多数の内部電極２がセラミック素体１に並列状に埋設されると共に、該セラミック素体１の外周端部には多数の外部電極３が形成されている。
【００４４】
内部電極２は、具体的には、上方に第１のグランド電極２ａ、２ｂが設けられると共に、略中央部には第２のグランド電極２ｃ、２ｄが設けられ、さらに下方には第３のグランド電極２ｅ、２ｆが設けられている。そして、第１のグランド電極２ａ、２ｂと第２のグランド電極２ｃ、２ｄとの間にはコイル形状に形成されたインダクタンス電極２ｇ、２ｈが設けられている。また、第２のグランド電極２ｃ、２ｄと第３のグランド電極２ｅ、２ｆとの間には第１のコンデンサ電極２ｉ、２ｊ及び第２のコンデンサ電極２ｋ、２ｌが設けられ、さらに、第１のコンデンサ電極２ｉ、２ｊと第２のコンデンサ電極２ｋ、２ｌとの間には共通電極２ｍが設けられ、該共通電極２ｍは、全てのコンデンサ電極２ｉ〜２ｌと対向状に形成されている。そして、各グランド電極２ａ〜２ｆ、インダクタンス電極２ｇ、２ｈ、及びコンデンサ電極２ｉ〜２ｌは、いずれも外部電極３と電気的に接続可能となるように形成されている。
【００４５】
また、外部電極３は、図２に示すように、Ｃｕ等の導電部４の表面にＮｉ−Ｐ皮膜５が形成され、さらに、該Ｎｉ−Ｐ皮膜５の表面にはＡｕ皮膜６が形成されている。そして、本実施の形態では、Ｎｉ−Ｐ皮膜５は自己触媒めっきにより形成され、Ａｕ皮膜６は置換めっきにより形成されている。すなわち、Ｎｉ−Ｐ皮膜５中のＮｉ成分が、Ａｕめっき液中のＡｕ源と反応してめっき液中に溶出し、Ａｕが置換析出する一方で、ＮｉとＡｕとの間の置換反応は、Ｎｉの溶出箇所とは無関係に進行するため、Ｎｉ−Ｐ皮膜５の表面はＡｕによって粗される結果となり、このためＮｉ−Ｐ皮膜５には多数の凹所７が形成される。
【００４６】
次に、上記ＬＣフィルタの製造方法を説明する。
【００４７】
まず、所定形状に成形されたセラミックシートに対し、導電性ペーストを使用してスクリーン印刷を施し、導電パターンを形成する。次いで、導電パターンの形成されたセラミックシートと導電パターンの形成されていないセラミックシートとを適宜積層し、所定温度で焼成処理し、内部電極２が埋設されたセラミック素体１を形成する。
【００４８】
次に、セラミック素体１の両端部の適数箇所に導電性ペーストを塗布して焼付処理を行ない、導電部４を形成して被めっき物を作製し、該被めっき物に一連の前処理を行なった後、無電解めっき処理を施し、皮膜形成を行なう。
【００４９】
図３は製造方法の処理手順を示す製造工程図である。
【００５０】
まず、前処理工程１１では、被めっき物から有機物質や無機物質による汚染を除去すると共に、めっき液と導電部４との濡れ性を向上させるべく、被めっき物に脱脂処理を施す、尚、脱脂処理はアセトン等の非水系溶液で実施することが望ましいが、ｐＨ４〜１０のエマルジョン系脱脂液や水を使用してもよい。
【００５１】
次いで、被めっき物を硫酸塩やクエン酸等の酸性水溶液に浸漬して導電部４の表面に固着している酸化物をエッチング除去し、さらに導電部４の表面に形成されたスマットを酸性処理液で除去する。
【００５２】
次に、自己触媒Ｎｉめっき工程１２では、被めっき物をＰｄ触媒液に浸漬し、導電部４にＰｄ触媒を付与する。そして、還元剤として、Ｎｉに対し優れた還元性を有するホスフィン酸塩を使用し、浴温６０〜９０℃の無電解Ｎｉめっき液に被めっき物を浸漬して無電解Ｎｉめっきを施し、導電部４上にＮｉ−Ｐ皮膜５を形成する。
【００５３】
尚、ホスフィン酸塩としては、ホスフィン酸ナトリウム（ＮａＨ_２ＰＯ_２）、ホスフィン酸カリウム（ＫＨ_２ＰＯ_２）、ホスフィン酸カルシウム（Ｃａ（Ｈ_２ＰＯ_２）_２）等の可溶性塩を使用することができる。
【００５４】
また、無電解Ｎｉめっき液のＮｉ^２＋の供給源としては、各種ニッケル塩を使用することができ、例えば水酸化ニッケル（Ｎｉ（ＯＨ）_２）、炭酸ニッケル（ＮｉＣＯ_３）、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ_４）、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ_２）、スルファミン酸ニッケル（Ｎｉ（ＮＨ_２ＳＯ_３）_２）、硫酸ニッケルアンモニウム（（ＮＨ_４）_２Ｎｉ（ＳＯ_４）_２・６Ｈ_２Ｏ）等を使用することができ、また無電解Ｎｉめっき液には、クエン酸やグルタミン酸等の錯化剤、その他の添加剤が含有され、ｐＨが４〜１０に調製されている。
【００５５】
次いで、置換Ａｕめっき工程１３では、Ａｕ⁺或いはＡｕ^３ ⁺を含有した浴温５５〜９０℃のめっき液（Ａｕめっき液）に被めっき物を浸漬してＮｉ−Ｐ皮膜５上にＡｕめっきを施す。
【００５６】
すなわち、Ｎｉ−Ｐ皮膜５が形成された被めっき物をＡｕめっき液に浸漬すると、電気化学的に卑な金属であるＮｉが溶出して電子（ｅ⁻）を放出し、該放出された電子（ｅ⁻）によって電気化学的に貴なＡｕ⁺或いはＡｕ^３ ⁺が還元され、ＡｕがＮｉ−Ｐ皮膜５上に析出し、これによりＡｕ皮膜６が形成される。
【００５７】
尚、Ａｕめっき液のＡｕ⁺或いはＡｕ^３ ⁺の供給源としては、塩化金ナトリウムや亜硫酸金ナトリウムなどの金塩を使用することができ、またＡｕめっき液には、前記金塩の他、シアン化ナトリウムや亜硫酸ナトリウム、チオ硫酸などの錯化剤、その他の添加剤が含有され、ｐＨが５〜９に調製されている。
【００５８】
そしてこの後、後処理工程１４に進み、Ａｕ皮膜６の形成されたセラミック素体２を被乾燥物として真空乾燥処理を施す。
【００５９】
すなわち、上述したように、ＮｉとＡｕとの間の酸化還元反応は、Ｎｉの溶出箇所とＡｕの析出箇所とは無関係に進行するため、Ｎｉの溶出箇所にＡｕが析出するとは限らず、Ｎｉ−Ｐ皮膜５の表面はＡｕとの置換反応によって粗される。したがって、Ｎｉの溶出箇所が凹所７を形成し、該凹所７に水分が浸入して残存するため、その後のリフロー加熱処理でＮｉ−Ｐ皮膜５が酸化し、はんだ付け性が低下する。
【００６０】
そこで、本実施の形態では、加熱することなく水分除去することのできる真空乾燥処理を被乾燥物に施し、凹所７、すなわち、Ｎｉ−Ｐ皮膜５とＡｕ皮膜６との界面に残存している水分を除去している。
【００６１】
また、前記界面に残存している水分を除去するためには、真空度を高くする必要があり、このため、本実施の形態では、真空乾燥装置内の圧力を少なくとも１３．３Ｐａ以下、好ましくは１．３３×１０^−４Ｐａ以下の高真空となるように減圧して真空乾燥処理を施している。
【００６２】
そしてこのようにして被乾燥物に真空乾燥処理を施した後、水洗し、次いでＡｕ皮膜６の表面に付着している水分を乾燥させ、これによりＬＣフィルタを製造している。
【００６３】
このように本実施の形態では、Ｎｉ−Ｐ皮膜５とＡｕ皮膜６との界面（凹所７）に残存している水分を真空乾燥処理により除去しているので、被乾燥物の処理温度を上昇させることなく乾燥処理を行なうことができ、Ｎｉ−Ｐ皮膜５が酸化するのを防止することができる。したがって、その後、複数回のリフロー加熱処理を行ってもめっき皮膜は良好なはんだ付け性を保持することができ、これにより実装性に優れたＬＣフィルタを得ることができる。
【００６４】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態では、置換ＡｕめっきでＡｕ皮膜６を形成した後、真空乾燥処理を施しているが、置換Ａｕめっき終了後、真空乾燥処理前に自己触媒Ａｕめっきを施し、所望の厚膜を有するＡｕ膜を形成するようにしてもよい。
【００６８】
さらに、上記実施の形態では、ＬＣフィルタを例示して説明したが、その他のセラミック多層基板、例えばセラミックアンテナにも適用することができ、また、チップ型のコンデンサやインダクタのようなチップ型電子部品にも適用することができる。尚、チップ型電子部品の場合、Ｎｉ系皮膜を電解めっき法で形成した場合であっても、上述した真空乾燥処理（水分除去処理）を行なうことができるのはいうまでもない。
【００６９】
【実施例】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００７０】
本発明者らは、まず、縦１０ｍｍ、横３０ｍｍ、板厚０．３ｍｍの無酸素Ｃｕ板（以下、単に「Ｃｕ板」という）を水洗し、ペルオキソ二硫酸アンモニウム溶液に２５℃で１分間浸漬しエッチング処理を施した後、水洗処理した。
【００７１】
次いで、Ｐｄ触媒液に２５℃で２分間浸漬し、Ｃｕ板上にＰｄ触媒を付与し、下記のめっき組成を有する無電解Ｎｉめっき液に２０分間浸漬し、膜厚４μｍのＮｉ−Ｐ皮膜を形成した。
【００７２】
〔無電解Ｎｉめっき液の組成〕
塩化ニッケル：３０ｋｇ／ｍ^３
ホスフィン酸ナトリウム：１０ｋｇ／ｍ^３
クエン酸ナトリウム：１５ｋｇ／ｍ^３
酢酸ナトリウム：５ｋｇ／ｍ^３
ｐＨ：４．５
浴温：８５℃
次に、Ｎｉ−Ｐ皮膜が形成されたＣｕ板を純水で洗浄した後、下記のめっき組成を有する無電解Ａｕめっき液に１０分間浸漬し、厚さ０．０５μｍのＡｕ皮膜を形成し、被乾燥物を作製した。
【００７３】
〔無電解Ａｕめっき液の組成〕
亜硫酸金ナトリウム：２ｋｇ／ｍ^３
エチレンジアミン四酢酸ナトリウム：１０ｋｇ／ｍ^３
クエン酸ナトリウム：２５ｋｇ／ｍ^３
ｐＨ：７．０
浴温：６５℃
次に、被乾燥物を水洗した後、室温で約１５sec間、窒素ガスを吹き付けてＡｕ皮膜の表面に付着している水分を乾燥させ、その後、２．６６×１０^−４Ｐａに減圧された真空乾燥装置に被乾燥物を供給し、温度２５℃の下、６時間、真空乾燥処理を施して実施例１の試験片を作製し、また、２４時間、真空乾燥処理を施して実施例２の試験片を作製した。
【００７４】
また、本発明者らは、真空乾燥処理を施さずに室温で約１５sec間、窒素ガスを吹き付けたものを比較例の試験片とした。
【００７５】
次に、本発明者らは、実施例１、２及び比較例について昇温脱離分析（Thermal Desertion Spectroscopy；ＴＤＳ）を行い、残存水分を計測した。すなわち、５００℃に達するまで昇温速度２０℃／minで赤外線により間接加熱し、発生した水分ガス分圧を計測した。
【００７６】
次に、本発明者らは、実施例１、２及び比較例について、大気雰囲気中、所定のヒートサイクルでもって４回のリフロー加熱処理を行った、
図４はリフロー加熱処理のヒートサイクルを示すプロファイルであって、最初の８０秒で温度１７５℃まで昇温し、その後温度１７５℃で６０秒間予熱し、次いで、３０秒間で１７５℃から２６０℃まで昇温し、温度２６０℃で１５秒間加熱した。尚、コンベアの搬送速度は０．７ｍ／minとした。
【００７７】
そしてこの後、ＳＡＴ−５０００（レスカ社製）を使用し、メニスコグラフ法によりはんだの引張力とはんだの排斥力とが等しくなるゼロクロス時間を測定した。すなわち、浸漬速度２０ｍｍ／min、浸漬深さ５ｍｍ、浸漬時間１５secで浴温２３５℃のはんだ溶融槽（６０％Ｓｎ−４０％Ｐｂ）に浸漬し、前記ゼロクロス時間を測定してはんだ濡れ性を評価した。
【００７８】
表１は水分ガス分圧及びゼロクロス時間の測定結果を示している。
【００７９】
【表１】

この表１から明らかなように、実施例１は比較例に比べて水分量が５４．５％減少し、また実施例２は３１．８％減少しており、真空乾燥処理を施すことにより水分量が大幅に低減できることが分かる。
【００８０】
また、ゼロクロス時間も、実施例１は比較例に対し２４．５％改善されており、また、実施例２は４６．８％改善されており、水分を除去することにより、はんだ濡れ性を改善できることが分かった。
【００８１】
次に、本発明者らは、実施例２及び比較例について、めっき皮膜（Ｎｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜）の深さ方向の組成分析を走査型オージェ電子顕微鏡（Scanning Auger electron Microscope：ＳＡＭ）で行った。
【００８２】
図５は実施例２の組成分析を示し、図６は比較例の組成分析を示している。横軸はスパッタ時間（min）であり、縦軸は原子濃度（atm％）である。
【００８３】
また、二点鎖線はＡｕの原子濃度、破線はＮｉの原子濃度、一点鎖線はＰの原子濃度を示し、実線は酸素の原子濃度を示している。
【００８４】
図６（比較例）では、Ａ部に示すように、Ａｕ皮膜とＮｉ−Ｐ皮膜との界面近傍に酸素が検出されており、Ｎｉ−Ｐ皮膜が酸化しているものと考えられる。
【００８５】
これに対して図５（実施例２）は、Ａｕ皮膜とＮｉ−Ｐ皮膜との界面に酸素が検出されておらず、Ｎｉ−Ｐ皮膜が酸化していないことが分かった。
【００８６】
このように真空乾燥処理を施してＡｕ皮膜とＮｉ−Ｐ皮膜との界面に残存している水分量を低減させることにより、Ｎｉ−Ｐ皮膜の酸化が阻止され、はんだ濡れ性を改善できることが確認された。
【００８７】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係る電子部品の製造方法は、基板素体の表面に形成された導電部にＮｉを主成分としたＮｉ系皮膜を被着した後、該Ｎｉ系皮膜との間の置換反応によってＡｕ皮膜を前記Ｎｉ系皮膜に被着し、その後、水分除去処理を行う電子部品の製造方法において、前記水分除去処理は、２５℃以下の低温であって、かつ１３．３Ｐａ以下に減圧された真空下で乾燥処理を施し、前記Ｎｉ系皮膜と前記Ａｕ皮膜との界面に残存する水分を除去するので、常温以下の低温で水分が除去され、被乾燥物を加熱しなくとも水分を除去することが可能となる。また、１３．３Ｐａ以下に減圧された真空乾燥処理を行うことから、被乾燥物の処理温度を上昇させることもなく、最上層のめっき皮膜に付着している水分のみならず、前記界面に残留している水分を容易に除去することができる。そしてこれにより、Ｎｉ系皮膜の酸化を防止することができ、はんだ付け性を改善することができる。
【００９２】
また、本発明に係る電子部品は、上記製造方法を使用して製造されているので、Ｎｉ系皮膜が酸化されることもなく、複数回のリフロー加熱処理を繰り返しても良好なはんだ付け性を保持することのできる各種電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法を使用して製造された電子部品としてのＬＣフィルタの一実施の形態を示す断面図である。
【図２】図１のＡ部拡大図である。
【図３】本発明に係る電子部品の製造方法の一実施の形態を示す製造工程図である。
【図４】本発明の実施例で行ったリフロー加熱処理のヒートサイクルを示すプロファイル図である。
【図５】実施例２の深さ方向の組成分析を示す図である。
【図６】比較例の深さ方向の組成分析を示す図である。
【図７】従来の問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
１セラミック素体（基板素体）
４Ｃｕ電極（導電部）
５Ｎｉ−Ｐ皮膜（第１の金属皮膜）
６Ａｕ皮膜（第２の金属皮膜）
７凹所（界面）
１４後処理工程（水分除去処理）[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electronic component manufacturing method and an electronic component, and more specifically, an electronic component manufacturing method for forming a plating film on a conductive portion formed on the surface of a ceramic body, and a multilayer substrate manufactured by the manufacturing method. The present invention relates to an electronic component using a ceramic multilayer substrate such as an LC filter such as a low-pass filter, a high-pass filter, a band-pass filter, or a ceramic antenna having a built-in capacitor pattern or inductor pattern.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in a ceramic multilayer substrate as an electronic component, an inner conductor is generally embedded in a ceramic body, and an outer conductor is formed on the surface of the ceramic body, and the outer conductor and the inner conductor are electrically connected. Has been. From the viewpoint of improving bonding properties, solderability, and the like, usually, a Ni coating is formed on the conductive portion of the outer conductor, and an Au coating is further formed on the surface of the Ni coating.
[0003]
The Ni film and Au film are usually formed by plating, but as is well known, there are electrolytic plating methods and electroless plating methods as well known. And for those requiring a fine and complicated conductive pattern such as a ceramic multilayer substrate, electroless plating that does not need to be provided with a lead wire for plating and is not affected by current distribution is often used. .
[0004]
In addition, the electroless plating method includes a self-catalytic type in which a reducing agent is added to a plating solution and electrons generated by an oxidation reaction of the reducing agent are used for a metal precipitation reaction, and between a metal ion and a base metal in a solution. There is a substitution type utilizing the substitution reaction that occurs, but the Ni film is formed by autocatalytic electroless plating (hereinafter referred to as “self-catalytic plating”), and the Au film is substituted by electroless plating (hereinafter referred to as “electrolytic plating”) , Referred to as “substitution plating”). In recent years, non-cyanide Au plating solutions not containing cyan are often used in consideration of the environment.
[0005]
By the way, in this kind of electronic component, since it is necessary to remove the water | moisture content contained in a to-be-plated object, various methods are conventionally proposed about the removal method of a water | moisture content.
[0006]
For example, after the electroless plating treatment is performed to form a plating film, the object to be plated is washed in a cleaning tank, and then the object to be plated is immersed in a warm pure water tank, and then the object to be plated is pulled up and dried. Technology has been proposed (Patent Document 1).
[0007]
In Patent Document 1, a cleaning tank and a warm pure water tank are provided to continuously process from electroless plating to cleaning and drying.
[0008]
Conventionally, a method has also been proposed in which a metal surface is brought into contact with an aqueous displacement plating composition to form a silver film on the metal surface, and then the metal surface coated with silver is washed and dried (Patent Document 2). ).
[0009]
In Patent Document 2, it is common to use hot air for drying, and for example, it is described that the treated metal may be passed through a drying oven.
[0010]
Conventionally, a technique has also been proposed in which electroless Cu plating or electroless Ni plating is performed on a liquid crystal polymer substrate, followed by surface plating, followed by heat treatment for removing water (Patent Document 3).
[0011]
In Patent Document 3, moisture in the liquid crystal polymer substrate is removed by performing a heat treatment for 1 to 2 hours in a furnace heated to 130 ° C. to 175 ° C.
[0012]
Moreover, in the said patent document 3, the electroless Ni plating layer is interposed between the surface plating layer and the electroless Cu plating layer or the electroless Ni plating layer, and the inside of the oven heated to about 50 to 250 ° C. Also disclosed is a method of curing the electroless Ni plating layer by performing heat treatment for 1 to 3 hours.
[0013]
Furthermore, conventionally, there has also been proposed a technique in which first and second plating films are sequentially formed on a composite material of ceramic and metal, and then dry heat treatment is performed in an atmosphere in which no oxidizing gas exists (Patent Document). 4).
[0014]
In Patent Document 4, in a ceramic / metal composite material in which pores of a porous sintered body made of a ceramic material such as SiC are impregnated with a metal such as Cu, a high temperature of 100 ° C. to 500 ° C. in which no oxidizing gas exists. By performing a heat drying treatment in an atmosphere, the solution impregnated in the composite material is prevented from oozing out.
[0015]
Moreover, in this patent document 4, after forming a 2nd plating film, it describes that the plating solution of a composite material surface can be evaporated by performing preliminary drying at 60-90 degreeC for 5 minutes or more. .
[0016]
As another conventional technique, there is also proposed a technique in which a two-layer Ni plating layer is formed on a copper alloy material, a gold plating layer is formed thereon, and then dried after post-treatment of plating (Patent Document). 5).
[0017]
[Patent Document 1]
JP-A-6-65748 (Claim 1, paragraph numbers [0014], [0015])
[Patent Document 2]
JP-A-8-232072 (Claim 1, Claim 16, Paragraph [0063])
[Patent Document 3]
Japanese Patent Laid-Open No. 10-168577 (claims 1 to 3, paragraph numbers [0014] and [0016])
[Patent Document 4]
JP 2000-192283 A (claims 4 to 6, 10, paragraph numbers [0047] to [0049], [0059], [0060])
[Patent Document 5]
Japanese Patent Laid-Open No. 10-251860 (Claim 2)
[0018]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the above-mentioned ceramic multilayer substrate, when reflow heat treatment is performed a plurality of times to mount an external electronic component (for example, a capacitor) mounted on the ceramic multilayer substrate, the solderability is not sufficiently obtained. There was a problem.
[0019]
As a result of investigations by the present inventors, it has been found that the occurrence of the above problem is due to moisture present at the interface between the Ni film and the Au film formed by displacement plating on the Ni film. did.
[0020]
That is, when an Au film is formed on the Ni film by displacement plating, Au is deposited on the Ni film using the dissolution of the Ni film as a driving force, and the surface of the Ni film 102 on the conductive portion 101 as shown in FIG. An Au coating 103 is formed on the surface. That is, the substitution reaction proceeds due to the difference in ionization tendency between the base metals Ni and Au, and Ni is oxidized to Ni ions and eluted into the Au plating solution, while the Au ions in the plating solution are reduced. Au (metal) is deposited on the Ni coating 102.
[0021]
At this time, the substitution reaction between Ni and Au proceeds on the surface of the Ni film 102 regardless of the Ni elution site and the Au deposition site, so that a number of recesses 104 are formed in the Ni film 102 due to Ni elution. As a result, moisture 105 permeates into the recess 104 and remains.
[0022]
That is, since moisture 105 remains in the recess 104, when the reflow heat treatment is performed a plurality of times in order to mount external electronic components mounted on the ceramic multilayer substrate, the Ni film 102 is oxidized and soldered. The sex had fallen.
[0023]
Moreover, in recent years, the use of a Pb-free solder material has been demanded in consideration of environmental problems, but it seems that a decrease in solderability becomes more apparent with the Pb-free.
[0024]
However, since the above-mentioned Patent Documents 1 to 5 all dry the object to be dried by hot air treatment or heat treatment, the oxidation of the Ni film 102 is promoted, and therefore it is impossible to prevent the solderability from being lowered. .
[0025]
That is, there is no technology for reliably removing the moisture remaining between the plating films as described above, and today, development of a technique for preventing the oxidation of the Ni film 102 in response to a request for Pb-free. It has been requested.
[0026]
The present invention has been made in view of such circumstances, and has been manufactured by a method for manufacturing an electronic component having good solderability even after a plurality of reflow heat treatments, and the manufacturing method. The purpose is to provide electronic components.
[0027]
[Means for Solving the Problems]
The method of manufacturing an electronic component according to the present invention in order to achieve the above object, after depositing the Ni-based film whose main component is Ni conductive portion formed on the surface of the substrate body, and said Ni-based film In a method for manufacturing an electronic component in which an Au film is deposited on the Ni-based film by a substitution reaction between the two, and then a moisture removing process is performed , the moisture removing process is performed at a low temperature of 25 ° C. or lower, and 13. A drying process is performed under a vacuum reduced to 3 Pa or less to remove moisture remaining at the interface between the Ni-based film and the Au film .
[0028]
According to the manufacturing method described above, the moisture removal treatment is performed at a low temperature of 25 ° C. or less and under a vacuum reduced to 13.3 Pa or less, and remains at the interface between the Ni-based film and the Au film. Since moisture is removed, the material to be dried is not exposed to a high-temperature atmosphere, and moisture remaining at the interface between the Ni-based film and the Au film can be easily removed, thereby suppressing oxidation of the Ni-based film. It is possible to prevent the solderability from deteriorating.
[0039]
In addition, an electronic component according to the present invention is manufactured using the above manufacturing method.
[0040]
According to the above-mentioned electronic component, since oxidation of the Ni-based film can be avoided, an electronic component such as a ceramic multilayer substrate that does not cause a decrease in solderability even if the reflow heat treatment is repeated a plurality of times is obtained. be able to.
[0041]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0042]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of an LC filter as an electronic component manufactured by using the manufacturing method of the present invention. The LC filter includes a ceramic element having a capacitor pattern and an inductor pattern as a multilayer substrate. Built in the body.
[0043]
That is, in the LC filter, a large number of internal electrodes 2 are embedded in parallel in the ceramic element body 1, and a large number of external electrodes 3 are formed on the outer peripheral end of the ceramic element body 1.
[0044]
Specifically, the internal electrode 2 is provided with the

first ground electrodes

2a and 2b in the upper part, the second ground electrodes 2c and 2d in the substantially central part, and the third ground in the lower part. Electrodes 2e and 2f are provided. Inductance electrodes 2g and 2h formed in a coil shape are provided between the

first ground electrodes

2a and 2b and the second ground electrodes 2c and 2d. The first capacitor electrodes 2i and 2j and the second capacitor electrodes 2k and 2l are provided between the second ground electrodes 2c and 2d and the third ground electrodes 2e and 2f, and the first capacitor electrodes 2k and 2l are provided. A common electrode 2m is provided between the capacitor electrodes 2i and 2j and the second capacitor electrodes 2k and 2l, and the common electrode 2m is formed to face all the capacitor electrodes 2i to 2l. Each of the ground electrodes 2a to 2f, the inductance electrodes 2g and 2h, and the capacitor electrodes 2i to 2l is formed so as to be electrically connected to the external electrode 3.
[0045]
Further, the external electrodes 3, as shown in FIG. 2, Ni-P skin film 5 is formed on the conductive portion 4 of the surface of the Cu or the like, and the surface of the Ni-P film 5 Au skin film 6 Is formed. In this embodiment, the Ni-P film 5 is formed by autocatalytic plating, and the Au film 6 is formed by displacement plating. That is, the Ni component in the Ni-P coating 5 reacts with the Au source in the Au plating solution and elutes into the plating solution, and Au is substituted and deposited, while the substitution reaction between Ni and Au is: Since the process proceeds independently of the elution position of Ni, the surface of the Ni-P film 5 is roughened by Au. For this reason, a large number of recesses 7 are formed in the Ni-P film 5.
[0046]
Next, a method for manufacturing the LC filter will be described.
[0047]
First, a ceramic sheet formed into a predetermined shape is screen-printed using a conductive paste to form a conductive pattern. Next, a ceramic sheet on which a conductive pattern is formed and a ceramic sheet on which a conductive pattern is not formed are appropriately laminated and fired at a predetermined temperature to form a ceramic body 1 in which internal electrodes 2 are embedded.
[0048]
Next, a conductive paste is applied to an appropriate number of locations on both ends of the ceramic body 1 and a baking process is performed to form a conductive part 4 to produce an object to be plated. Then, electroless plating is performed to form a film.
[0049]
FIG. 3 is a manufacturing process diagram showing a processing procedure of the manufacturing method.
[0050]
First, in the pretreatment step 11, the object to be plated is subjected to a degreasing process in order to remove contamination by an organic substance or an inorganic substance from the object to be plated and to improve the wettability between the plating solution and the conductive portion 4. The degreasing treatment is desirably performed with a non-aqueous solution such as acetone, but an emulsion-based degreasing solution or water having a pH of 4 to 10 may be used.
[0051]
Next, the object to be plated is immersed in an acidic aqueous solution such as sulfate or citric acid to remove the oxide fixed on the surface of the conductive part 4 by etching, and further, the smut formed on the surface of the conductive part 4 is acid-treated. Remove with liquid.
[0052]
Next, in the autocatalytic Ni plating step 12, the object to be plated is immersed in a Pd catalyst solution, and a Pd catalyst is applied to the conductive portion 4. And, using a phosphinic acid salt having excellent reducibility with respect to Ni as a reducing agent, electroless Ni plating is performed by immersing an object to be plated in an electroless Ni plating solution having a bath temperature of 60 to 90 ° C. A Ni—P film 5 is formed on the portion 4.
[0053]
As the phosphinate, a soluble salt such as sodium phosphinate (NaH ₂ PO ₂ ), potassium phosphinate (KH ₂ PO ₂ ), calcium phosphinate (Ca (H ₂ PO ₂ ) ₂ ) or the like may be used. it can.
[0054]
Various nickel salts can be used as a source of Ni ^{2+ in} the electroless Ni plating solution. For example, nickel hydroxide (Ni (OH) ₂ ), nickel carbonate (NiCO ₃ ), nickel sulfate (NiSO ₄ ). ), nickel chloride (NiCl _2), nickel sulfamate _{_{_{(Ni (NH 2 SO 3)}}} 2), can be used such as nickel ammonium sulfate _{_{_{((NH 4) 2 Ni (}}} SO 4) 2 · 6H 2 O) The electroless Ni plating solution contains a complexing agent such as citric acid and glutamic acid, and other additives, and is adjusted to a pH of 4 to 10.
[0055]
Next, in the replacement Au plating step 13, the object to be plated is immersed in a plating solution (Au plating solution) containing Au ⁺ or Au ³ ⁺ at a bath temperature of 55 to 90 ° C., and Au plating is performed on the Ni-P film 5. Apply.
[0056]
That is, when the object to be plated on which the Ni—P film 5 is formed is immersed in an Au plating solution, Ni which is an electrochemically base metal elutes to emit electrons (e ⁻ ), and the emitted electrons Electrochemically noble Au ⁺ or Au ³ ⁺ is reduced by (e ⁻ ), and Au is deposited on the Ni—P film 5, thereby forming the Au film 6.
[0057]
In addition, as a supply source of Au ⁺ or Au ³ ^{+ in} the Au plating solution, gold salts such as sodium gold chloride and sodium gold sulfite can be used. Complexing agents such as sodium phosphide, sodium sulfite and thiosulfuric acid, and other additives are contained, and the pH is adjusted to 5-9.
[0058]
Then, the process proceeds to a post-processing step 14 where a vacuum drying process is performed using the ceramic body 2 on which the Au film 6 is formed as an object to be dried.
[0059]
That is, as described above, the oxidation-reduction reaction between Ni and Au proceeds independently of the Ni elution site and the Au deposition site, so that Au does not necessarily precipitate at the Ni elution site. The surface of the -P film 5 is roughened by a substitution reaction with Au. Therefore, the Ni elution portion forms the recess 7 and moisture enters the recess 7 and remains, so that the Ni-P coating 5 is oxidized by the subsequent reflow heat treatment, and the solderability is deteriorated.
[0060]
Therefore, in the present embodiment, the object to be dried is subjected to a vacuum drying process capable of removing moisture without heating, and remains at the recess 7, that is, at the interface between the Ni-P film 5 and the Au film 6. The moisture that has been removed.
[0061]
Further, in order to remove moisture remaining at the interface, it is necessary to increase the degree of vacuum. For this reason, in this embodiment, the pressure in the vacuum drying apparatus is at least 13.3 Pa, preferably Vacuum drying treatment is performed by reducing the pressure so that a high vacuum of 1.33 × 10 ⁻⁴ Pa or less is obtained.
[0062]
And after giving a vacuum-drying process to a to-be-dried material in this way, it wash | cleans with water, Then, the water | moisture content adhering to the surface of Au film | membrane 6 is dried, and LC filter is manufactured by this.
[0063]
As described above, in the present embodiment, moisture remaining at the interface (recess 7) between the Ni-P coating 5 and the Au coating 6 is removed by vacuum drying, so that the processing temperature of the object to be dried is set. A drying process can be performed without raising, and it can prevent that the Ni-P membrane | film | coat 5 oxidizes. Therefore, after that, even if reflow heat treatment is performed a plurality of times, the plating film can maintain good solderability, and thus an LC filter excellent in mountability can be obtained.
[0064]
The present invention is not limited to the above embodiment. In the above embodiment, after the Au film 6 is formed by the substitution Au plating, the vacuum drying process is performed. However, after the substitution Au plating is finished, the autocatalytic Au plating is performed before the vacuum drying process to obtain a desired thick film. You may make it form Au film | membrane which has.
[0068]
Furthermore, although the LC filter has been described as an example in the above embodiment, it can also be applied to other ceramic multilayer substrates such as ceramic antennas, and chip-type electronic components such as chip-type capacitors and inductors. It can also be applied to. In the case of a chip-type electronic component, it goes without saying that the vacuum drying process (moisture removal process) described above can be performed even when the Ni-based film is formed by an electrolytic plating method.
[0069]
【Example】
Next, examples of the present invention will be specifically described.
[0070]
First, the present inventors washed an oxygen-free Cu plate having a length of 10 mm, a width of 30 mm, and a thickness of 0.3 mm (hereinafter simply referred to as “Cu plate”) with water and immersed in an ammonium peroxodisulfate solution at 25 ° C. for 1 minute. After performing the etching treatment, it was washed with water.
[0071]
Next, it was immersed in a Pd catalyst solution at 25 ° C. for 2 minutes, applied with a Pd catalyst on a Cu plate, immersed in an electroless Ni plating solution having the following plating composition for 20 minutes, and a Ni—P film having a thickness of 4 μm was formed. Formed.
[0072]
[Composition of electroless Ni plating solution]
Nickel chloride: 30 kg / m ³
Sodium phosphinate: 10 kg / m ³
Sodium citrate: 15 kg / m ³
Sodium acetate: 5 kg / m ³
pH: 4.5
Bath temperature: 85 ° C
Next, after washing the Cu plate on which the Ni-P film was formed with pure water, it was immersed in an electroless Au plating solution having the following plating composition for 10 minutes to form an Au film having a thickness of 0.05 μm, A material to be dried was prepared.
[0073]
[Composition of electroless Au plating solution]
Sodium gold sulfite: 2 kg / m ³
Sodium ethylenediaminetetraacetate: 10 kg / m ³
Sodium citrate: 25 kg / m ³
pH: 7.0
Bath temperature: 65 ° C
Next, the material to be dried was washed with water, and then nitrogen gas was blown at room temperature for about 15 seconds to dry the water adhering to the surface of the Au film, and then the pressure was reduced to 2.66 × 10 ⁻⁴ Pa. A material to be dried is supplied to a vacuum drying apparatus, and a test piece of Example 1 is produced by performing a vacuum drying process at a temperature of 25 ° C. for 6 hours, and a vacuum drying process is performed for 24 hours. A test piece was prepared.
[0074]
Moreover, the present inventors made the test piece of the comparative example what sprayed nitrogen gas for about 15 seconds at room temperature, without performing a vacuum-drying process.
[0075]
Next, the present inventors performed thermal desertion spectroscopy (TDS) on Examples 1 and 2 and the comparative example, and measured residual moisture. That is, indirect heating was performed with infrared rays at a temperature rising rate of 20 ° C./min until reaching 500 ° C., and the generated water gas partial pressure was measured.
[0076]
Next, the inventors performed reflow heat treatment four times with a predetermined heat cycle in the air atmosphere for Examples 1, 2 and Comparative Examples.
FIG. 4 is a profile showing a heat cycle of the reflow heat treatment. The temperature is raised to 175 ° C. in the first 80 seconds, then preheated at 175 ° C. for 60 seconds, and then from 175 ° C. to 260 ° C. in 30 seconds. The temperature was raised and heated at a temperature of 260 ° C. for 15 seconds. In addition, the conveyance speed of the conveyor was 0.7 m / min.
[0077]
Thereafter, SAT-5000 (manufactured by Reska) was used, and the zero-crossing time in which the tensile force of the solder and the solder repelling force were equal was measured by the meniscograph method. That is, it was immersed in a solder melting bath (60% Sn-40% Pb) with a bath temperature of 235 ° C. at an immersion speed of 20 mm / min, an immersion depth of 5 mm, and an immersion time of 15 seconds, and the zero crossing time was measured to evaluate solder wettability. did.
[0078]
Table 1 shows the measurement results of the moisture gas partial pressure and the zero crossing time.
[0079]
[Table 1]

As is clear from Table 1, the moisture content in Example 1 was reduced by 54.5% compared to the comparative example, and in Example 2, the moisture content was reduced by 31.8%. It can be seen that the amount can be significantly reduced.
[0080]
In addition, the zero crossing time is improved by 24.5% in the first embodiment compared to the comparative example, and improved by 46.8% in the second embodiment. The solder wettability is improved by removing moisture. I understood that I could do it.
[0081]
Next, the inventors analyzed the composition in the depth direction of the plating film (Ni-P film and Au film) in Example 2 and the comparative example with a scanning Auger electron microscope (SAM). went.
[0082]
FIG. 5 shows the composition analysis of Example 2, and FIG. 6 shows the composition analysis of the comparative example. The horizontal axis represents the sputtering time (min), and the vertical axis represents the atomic concentration (atm%).
[0083]
The two-dot chain line indicates the atomic concentration of Au, the broken line indicates the atomic concentration of Ni, the one-dot chain line indicates the atomic concentration of P, and the solid line indicates the atomic concentration of oxygen.
[0084]
In FIG. 6 (comparative example), oxygen is detected in the vicinity of the interface between the Au film and the Ni—P film, as shown in part A, and it is considered that the Ni—P film is oxidized.
[0085]
On the other hand, FIG. 5 (Example 2) showed that oxygen was not detected at the interface between the Au film and the Ni—P film, and the Ni—P film was not oxidized.
[0086]
It was confirmed that by reducing the amount of water remaining at the interface between the Au film and the Ni-P film by performing vacuum drying in this way, oxidation of the Ni-P film is prevented and solder wettability can be improved. It was done.
[0087]
【The invention's effect】
As described above in detail, in the method for manufacturing an electronic component according to the present invention, a Ni-based film containing Ni as a main component is deposited on a conductive portion formed on the surface of a substrate body, and then the Ni-based film is formed. In the method of manufacturing an electronic component in which an Au film is deposited on the Ni-based film by a substitution reaction between the two, and then a moisture removal process is performed , the moisture removal process is performed at a low temperature of 25 ° C. or lower and 13.3 Pa. Since the moisture remaining at the interface between the Ni-based film and the Au film is removed by performing a drying process under a reduced pressure, the moisture is removed at a low temperature below room temperature, and the object to be dried is not heated. In both cases, moisture can be removed. In addition, since the vacuum drying process is performed at a reduced pressure of 13.3 Pa or less, the treatment temperature of the object to be dried is not increased, and not only the water adhering to the uppermost plating film but also remaining at the interface. Moisture can be easily removed. Thereby, oxidation of the Ni-based film can be prevented and solderability can be improved.
[0092]
In addition, since the electronic component according to the present invention is manufactured using the above manufacturing method, the Ni-based film is not oxidized, and good solderability can be obtained even after repeated reflow heat treatments. Various electronic components that can be held can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of an LC filter as an electronic component manufactured using the manufacturing method of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of a portion A in FIG.
FIG. 3 is a manufacturing process diagram showing an embodiment of a method of manufacturing an electronic component according to the present invention.
FIG. 4 is a profile diagram showing a heat cycle of a reflow heat treatment performed in an example of the present invention.
5 is a diagram showing a composition analysis in the depth direction of Example 2. FIG.
FIG. 6 is a diagram showing a composition analysis in a depth direction of a comparative example.
FIG. 7 is a diagram for explaining a conventional problem.
[Explanation of symbols]
1 Ceramic body (substrate body)
4 Cu electrode (conductive part)
5 Ni-P coating (first metal coating)
6 Au film (second metal film)
7 recess (interface)
14 Post-treatment process (moisture removal treatment)

Claims

After depositing the Ni-based film whose main component is Ni conductive portion formed on the surface of the substrate body, the Au film was deposited on the Ni-based film by a substitution reaction between the Ni-based coating, Then, in the method of manufacturing an electronic component that performs moisture removal processing,
The moisture removal treatment is performed at a low temperature of 25 ° C. or less and under a vacuum reduced to 13.3 Pa or less to remove moisture remaining at the interface between the Ni-based film and the Au film. An electronic component manufacturing method characterized by the above.

An electronic component manufactured using the manufacturing method according to claim 1.