JP4079093B2 - Micro relay - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 164
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 44
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 19
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 18
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
本発明は、半導体微細加工技術を用いて形成されたマイクロリレーに関するものである。 The present invention relates to a microrelay formed using a semiconductor microfabrication technique.
従来、半導体微細加工技術を用いて形成されたマイクロリレーとして、電磁石装置を備えたボディと、上記ボディにスペーサを介して接合されるアーマチュアブロックとを備えるものがある。上記アーマチュアブロックは、磁性体を備えてアーマチュアを構成するアーマチュア基板とアーマチュア基板の全周を包囲してアーマチュア基板を揺動自在に支持するフレームとを一体に備える。上記アーマチュア基板は、幅方向の両側の長手方向の中心が一対の弾性片によって上記フレームに連結されており、上記弾性片を軸としてシーソー動作する。(例えば、特許文献1参照)。
上記マイクロリレーは、上記アーマチュア基板に上記磁性体を接合してアーマチュアを構成しているが、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時に、上記アーマチュア基板と上記磁性体との熱膨張係数の違いにより生じる熱ストレス(熱歪み)によって、上記アーマチュアブロックが反りや歪み等で変形するという現象が発生する。すなわち、製造時及び使用時の温度環境によってはアーマチュアブロックの変形が発生し、上記アーマチュア基板と上記磁性体との接合を保持できないという課題があった。 The micro relay is configured by joining the magnetic body to the armature substrate to form an armature. A phenomenon occurs in which the armature block is deformed due to warpage or distortion due to thermal stress (thermal strain) caused by a difference in thermal expansion coefficient from the magnetic material. That is, depending on the temperature environment at the time of manufacture and use, the armature block may be deformed, and there is a problem that the joint between the armature substrate and the magnetic body cannot be maintained.
本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、その目的は、製造時の温度環境及び使用時の温度環境に関わらずアーマチュアブロックの変形を抑制してアーマチュア基板と磁性体との接合を保持できるマイクロリレーを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above reasons, and its purpose is to suppress the deformation of the armature block regardless of the temperature environment at the time of manufacture and the temperature environment at the time of use and to bond the armature substrate and the magnetic body. It is to provide a micro relay that can be held.
請求項1の発明は、電磁石装置を備えたボディと、シリコンから形成され、矩形板状の磁性体を備えてアーマチュアを構成する矩形状のアーマチュア基板およびこのアーマチュア基板の全周を包囲してアーマチュア基板を揺動自在に支持するフレームを一体に備えたアーマチュアブロックと、上記アーマチュアの揺動により固定接点と可動接点とが接離する接点機構とを備え、上記アーマチュア基板は、本体部と、この本体部と同一平面上で蛇行した蛇行部を介して本体部の四隅にそれぞれ接続される角部とを有し、当該角部は蛇行部の伸縮に応じてその位置を変位可能とし、上記磁性体は、上記本体部および上記各角部と重ねて配置すると共に上記アーマチュア基板と上記磁性体とを上記各角部でのみ接合することを特徴とする。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a body having an electromagnet device, a rectangular armature substrate formed of silicon and having a rectangular plate-like magnetic body and constituting an armature, and surrounding the entire circumference of the armature substrate. An armature block integrally provided with a frame for swingably supporting the board; and a contact mechanism for contacting and separating the fixed contact and the movable contact by the swinging of the armature. Corners connected to the four corners of the main body through meandering parts meandering on the same plane as the main body, and the corners can be displaced in accordance with the expansion and contraction of the meandering part. The body is arranged so as to overlap the main body and the corners, and the armature substrate and the magnetic body are joined only at the corners .
この発明によれば、アーマチュア基板と磁性体との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを蛇行部で吸収して、アーマチュアブロックの反り、歪み等の変形や、接合部の破壊を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板と磁性体との接合を保持できる。 According to the present invention absorbs temperature changes due to a difference in thermal expansion coefficient between A Machua substrate and the magnetic material and the heat stress generated during a high temperature in a serpentine portion, warpage of the armature block, deformation or distortion or the like, the junction It is possible to prevent breakage by preventing the breakage of the armature substrate and the magnetic body during heating in the manufacturing process, when the ambient temperature changes during use, and at high temperatures .
以上説明したように、本発明では、熱ストレスを蛇行部で吸収することによって、アーマチュアブロックの反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板と磁性体との接合を保持できる。したがって、製造時の温度環境及び使用時の温度環境に関わらずアーマチュアブロックの変形を抑制してアーマチュア基板と磁性体との接合を保持できるという効果がある。 As described above, in the present invention, the thermal stress is absorbed by the meandering portion , so that the armature block can be prevented from warping and deformation, such as distortion, and can be prevented from being damaged. It is possible to maintain the bonding between the armature substrate and the magnetic body when the ambient temperature changes in the state and when the temperature is high. Therefore, there is an effect that it is possible to maintain the bonding between the armature substrate and the magnetic body by suppressing the deformation of the armature block regardless of the temperature environment at the time of manufacture and the temperature environment at the time of use.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(参考例1)
図2に、マイクロリレーの参考例を示す。このマイクロリレーは、ボディ1と、電磁石装置2と、アーマチュアブロック3と、カバー4とを備える。
( Reference Example 1 )
FIG. 2 shows a reference example of a micro relay . This micro relay includes a
ボディ1は、ガラスからなる矩形板状であって、四隅の近傍には、ボディ1の上下両面に貫通するスルーホール10A,10B,10C,10Dが形成されている。各スルーホール10A〜10Dの内周面には、マイクロリレーを実装するプリント基板の電気回路(図示せず)と後述する固定接点とを電気接続するための電気経路11A〜11Dが形成されている。各電気経路11A〜11Dは、クロム、チタン、白金、コバルト、ニッケル、銅、金、金とコバルトの合金、又はこれらの合金等からなり、めっき、蒸着、スパッタ等により形成されている。各スルーホール10A〜10Dの両端の開口部周縁には、各電気経路11A〜11Dと電気接続されたランド12が形成されている。図3に示すように、ボディ1の下面側のランド12には、金、銀、銅、半田などの導電性材料からなるバンプ13が載せられ、各スルーホール10A〜10Dの下面開口を塞ぐように、熱などで密着接合されている。
The
ボディ1の上面には、2対の固定接点14A,14B、15A,15Bが形成されている。各固定接点14A,14B,15A,15Bは、少なくともその表面が、クロム、チタン、白金、コバルト、ニッケル、銅、金、金とコバルトの合金、又はこれらの合金等により形成されている。固定接点14A,14Bは、2つのスルーホール10A,10Bに挟まれるようにして並設されている。そして、一方の固定接点14Aは、スルーホール10Aのランド12と電気接続され、他方の固定接点14Bはスルーホール10Bのランド12と電気接続されている。同様に、固定接点15A,15Bは、2つのスルーホール10C,10Dに挟まれるようにして並設され、一方の固定接点15Aは、スルーホール10Cのランド12と電気接続され、他方の固定接点15Bはスルーホール10Dのランド12と電気接続されている。
Two pairs of
ボディ1の中央には、ボディ1の上下両面に貫通した十字形の貫通孔16が設けられ、薄膜17がボディ1の上面側で貫通孔16を閉じるようにボディ1に密着接合されている。これにより、ボディ1の下面側に電磁石装置2を収納する収容凹部18が形成される(図3参照)。薄膜17は、シリコンまたはガラスで形成され、エッチングまたは研磨などの加工を施すことで5〜50μm程度、好ましくは20μm程度の厚さに形成される。貫通孔16は、ボディ1の下面から上面にかけて徐々に断面積が小さくなるテーパー形状に形成されており、これにより、電磁石装置2を収容し易くしている。
A cross-shaped through hole 16 penetrating the upper and lower surfaces of the
電磁石装置2は、ヨーク20と、永久磁石21と、コイル22A,22Bと、基板23とからなる。ヨーク20は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工あるいは鍛造加工することにより、矩形板状の中央片20Aの両端から、矩形板状の脚片20B,20Cがそれぞれ立ち上がった形状に形成されている。永久磁石21は、直方体形状であって、背中合わせの磁極面21A,21B(磁極面21Bは、図示せず。)が互いに異極となるように着磁されている。永久磁石21は、一方の磁極面21Bがヨーク20の中央片20Aの中央に当接し、他方の磁極面21Aが脚片20B,20Cの先端と同じ高さになるようにヨーク20に取着されている。コイル22Aは、脚片20Bと永久磁石21との間で中央片20Aに直接巻回され、その端面が脚片20Bおよび永久磁石21に当接することにより左右方向の移動を規制されている。同様にコイル22Bは、脚片20Cと永久磁石21との間で中央片20Aに直接巻回され、その端面が脚片20Cおよび永久磁石21に当接することにより左右方向の移動を規制されている。基板23は矩形状であり、ヨーク20の中央片20Aの下面に中央片20Aと直交するように接合される。基板23は、下面に導電部23Aを有し(図3参照)、コイル22の先端が導電部23Aに電気接続されている。導電部23Aには、マイクロリレーを実装するプリント基板の電気回路(図示せず)とコイル22とを電気接続するバンプ24が設けられている。
The
アーマチュアブロック3は、50〜300μm程度、好ましくは200μm程度の厚みを有するシリコン基板をエッチングして形成され、アーマチュア基板30と、アーマチュア基板30の全周を包囲してアーマチュア基板30を揺動自在に支持するフレーム31とを一体に備える。アーマチュア基板30の下面には、図4に示すように矩形板状の磁性体32が接合され、アーマチュア300を構成する。
The
アーマチュア基板30は、図4および図5に示すように、下面に磁性体32が接合される矩形状の磁性体保持部30Aと下面に可動接点33A,33Bが固着される可動接点部30Bとからなる。可動接点部30Bは、磁性体保持部30Aの長手方向の両側において、弾性変形可能なヒンジ片34によって磁性体保持部30Aに支持されている。
As shown in FIGS. 4 and 5, the
磁性体保持部30Aは、幅方向の両側が、弾性変形可能な弾性片35によってフレーム31に支持されている。弾性片35は、アーマチュア基板30のシーソー動作の軸Xを中心として、線対称に4ヶ所設けられている。各弾性片35は、一端が磁性体保持部30Aに一体に形成結合されると共に他端がフレーム31に一体に形成結合されており、上記一端と上記他端との間に、フレーム31と同一平面上でU字形に多数蛇行した蛇行部35Aが形成されている。蛇行部35Aを設けることで、弾性片35を長く形成することができ、アーマチュア基板30がシーソー動作する時に弾性片35がねじられることで生じるばね力のばね定数を適切に小さくできる。弾性片35に加えられる応力も分散できる。弾性片35は、肉厚がフレーム31の肉厚よりも小さく形成され、幅が、上記肉厚よりも小さく形成されている。
Both sides in the width direction of the magnetic
また、磁性体保持部30Aは、幅方向の両側の中央部に延設片36が形成されている。延設片36のフレーム31に対向する部位には凸部36Aが設けられ、凸部36Aに対向するフレーム31の内周面には凹部37Aを有する延設片37が設けられる。凸部36Aと凹部37Aとは、フレーム31と同一平面で凹凸嵌合することにより、アーマチュア基板30が水平方向に移動するのを規制する移動規制部301を構成する。さらに、延設片36の下面には、図4に示したように、アーマチュア基板30のシーソー動作の支点となる突起部36Bが形成されている。
Further, the magnetic
さらに、磁性体保持部30Aの四隅には、第2の延設片38が形成されている。第2の延設片38の下面には、アーマチュア基板30のシーソー動作のストッパーとなる第2の突起部38Aが形成されている。第2の突起部38Aは、アーマチュア基板30を水平にした時に、対向するボディ1の上面と所定の間隔を有するように形成されている。
Further, second extending
磁性体32は、電磁軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイ、フェライトなどの磁性材料を機械加工して形成され、磁性体保持部30Aに接合される。磁性体32を機械加工により形成することで、厚みを大きくして吸引力を向上させることができる。
The
アーマチュア基板30の肉厚は、フレーム31の肉厚よりも小さく形成されており、フレーム31の下面に対してアーマチュア300の下面(すなわち、磁性体32の下面および可動接点33A,33Bの下面。)が凹むようにアーマチュア基板30がフレーム31の上側に保持されている。これにより、後述するように、フレーム31をボディ1に接合した際に、アーマチュア300の下面とボディ1との間に、アーマチュア300の揺動を収容する空間が形成される。
The thickness of the
カバー4は、パイレックス(登録商標)のような耐熱ガラスにより矩形板状に形成され、下面には、アーマチュア300の揺動を収容するための凹部が設けられている。
The
上述のように構成されたボディ1、アーマチュアブロック3、カバー4は、アーマチュアブロック3のフレーム31がその全周にわたってボディ1の周縁部19とカバー4の周縁部42とに、陽極接合などの方法で直接接合される。
The
そして、本参考例では、図1に示すように、低融点ガラスaを介して磁性体32をアーマチュア基板30の磁性体保持部30Aに接合させている。アーマチュア基板30と磁性体32との間に低融点ガラスaを介装した状態で加熱して低融点ガラスaを溶融させた後、冷却することで、磁性体32は低融点ガラスaを介してアーマチュア基板30に接合される。このとき低融点ガラスaは溶融を開始する温度が低いので、加熱時の熱ストレスを小さくできるとともに、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを低融点ガラスaで吸収して、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。
And in this reference example , as shown in FIG. 1, the
次に、このマイクロリレーの動作について説明する。 Next, the operation of this micro relay will be described.
コイル22A,22Bに一方向から通電すると、磁性体32が一方の脚片20Bに吸引され、アーマチュア300は、突起部36Bの頂点を支点として、シーソー動作を行う。アーマチュア300のシーソー動作は、第2の延設片38の下面に設けられたストッパーとしての第2の突起部38Aがボディ1の上面に当接することで止まる。第2の突起部38Aを設けることで、磁性体32と薄膜17とが直接衝突し磁性体32または/および薄膜17が破損する事態を防止している。この時、可動接点部30Bの下面に設けられた可動接点33Aは、対向する一対の固定接点14A,14Bと当接し、固定接点14A,14B間を閉じる。可動接点33Aは、ヒンジ片34の弾性により、適度な接点圧を得ている。第2の突起部38Aとボディ1との距離を調節することで、可動接点33A,33Bの押し込み量を調節できる。コイル22A,22Bの通電を停止しても、永久磁石21から発生され磁性体32→脚片20B→永久磁石21という閉磁路を通る磁束により、アーマチュア300は、同一状態を維持している。
When the
次に、コイル22A,22Bの通電方向を逆にすると、磁性体32が他方の脚片20Cに吸引され、弾性片35のねじり復帰力も加わって、アーマチュア300は、突起部36Bの頂点を支点として、反対方向にシーソー動作を行う。この時、可動接点部30Bの下面に設けられた可動接点33Bは、対向する一対の固定接点15A,15Bと当接し、固定接点15A,15B間を閉じる。可動接点33Bは、ヒンジ片34の弾性により、適度な接点圧を得ている。コイル22A,22Bの通電を停止しても、永久磁石21から発生され磁性体32→脚片20C→永久磁石21という閉磁路を通る磁束により、アーマチュア300は、同一状態を維持している。すなわち、本参考例のマイクロリレーは、常開接点と常閉接点とを一組づつ備えたラッチング型のリレーとして構成されている。
Next, when the energizing directions of the
(参考例2)
本参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 2 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the
本参考例は、図6に示すように、磁性体32をアーマチュア基板30上に載置した状態で、アーマチュア基板30と磁性体32との境界部にレーザLによって高密度のエネルギーを照射することで隅肉溶接を行い、図7に示すように、磁性体32の角部および、長辺の略中央の計6箇所に形成した溶接部bによって磁性体32はアーマチュア基板30に接合される。このように、磁性体32をアーマチュア基板30に部分的に溶接して接合することによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを溶接部b近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。
In the present reference example , as shown in FIG. 6, a high density energy is irradiated by a laser L to the boundary between the
なお、溶接部bの数は6箇所に限定されるものではなく、十分な接合効果が得られればよい。 In addition, the number of the welding parts b is not limited to six places, but a sufficient joining effect should just be acquired.
(参考例3)
本参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 3 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the
本参考例は、図8に示すように、アーマチュア基板30の下面に金属層30Cを形成し、磁性体32の上面には金属層32Aを形成して、金属層30Cと金属層32Aとを圧接することによって、磁性体32はアーマチュア基板30に接合される。このように、圧接した金属層30Cと金属層32Aとを介して磁性体32をアーマチュア基板30に接合させることによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを圧接した金属層30Cと金属層32Aとで吸収して、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。
In this reference example , as shown in FIG. 8, a
(参考例4)
本参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 4 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the
本参考例は、図9(a)に示すように、アーマチュア基板30に円形の孔30Dを2箇所に穿設し、磁性体32の上面には円柱状の突起部32Bを孔30Dに対向する2箇所に設け、図9(b)に示すように、突起部32Bを孔30Dに挿通させ、磁性体32をアーマチュア基板30に重ね合わせた状態で、孔30Dより上方に突出した突起部32Bの上部に熱、あるいは荷重、あるいは熱と荷重の両方を加えることによって突起部32Bをかしめて、磁性体32はアーマチュア基板30に接合される。このように、アーマチュア基板30の孔30D近傍のみを磁性体32の突起部32Bに接合させることによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを孔30D近傍および突起部32B近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。
In this reference example , as shown in FIG. 9A,
(参考例5)
本参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 5 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the
本参考例は、図10(a)に示すように、磁性体32の上面の周縁部に壁部32Dを突設して、壁部32Dに周囲を囲まれた凹部32Cを形成し、凹部32Cの底面にアーマチュア基板30を載置する。そして図10(b)に示すように、壁部32Dの上端に熱、あるいは荷重、あるいは熱と荷重の両方を加えて、壁部32Dを内側に突出した逆L字状に変形させ、アーマチュア基板30の周縁部が内側に突出した壁部32Dに係止することによって、アーマチュア基板30の周縁部と、逆L字状に変形させた壁部32Dの上端とを接合する。このように、アーマチュア基板30の周縁部のみを壁部32Dの上端に接合することによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスをアーマチュア基板30の周縁部近傍および壁部32Dの上端近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。
In this reference example , as shown in FIG. 10 (a), a
(参考例6)
本参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 6 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the
本参考例は、図11(a)に示すように、略中央に円形の孔30Eを穿設したアーマチュア基板30を磁性体32の上面に載置し、磁性体32が孔30Eの下側開口を覆った状態で、孔30E内に金ボールcを供給する。そして図11(b)に示すように、金ボールcをレーザによって加熱して孔30E内で溶融させることで、金ボールcが磁性体32に接合され、さらに溶融した金ボールcがアーマチュア基板30の孔30Eの上側開口を覆うことによって、金ボールcがアーマチュア基板30に接合される。すなわち、磁性体32は溶融させた金ボールcを介してアーマチュア基板30に接合している。このように、アーマチュア基板30の孔30E近傍のみを磁性体32に接合させることによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを孔30E近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。
In this reference example , as shown in FIG. 11 (a), an
(参考例7)
本参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 7 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the
本参考例は、図12(a)に示すように、アーマチュア基板30の上面略中央に凹部30Fを形成して、凹部30Fの略中央に円形の孔30Lを穿設し、また磁性体32の下面略中央に凹部32Eを形成して、凹部32Eの略中央に円形の孔32Fを穿設し、アーマチュア基板30と磁性体32を重ね合わせて孔30Lを孔32Fに対向させた状態で、リベットdを孔30L,32Fに挿通させる。そして、図12(b)に示すように、リベットdの両端部をかしめることによって、磁性体32はアーマチュア基板30に接合される。このように、リベットd近傍のみで磁性体32をアーマチュア基板30に接合させることによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを孔30L,32F近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。
In this reference example , as shown in FIG. 12A, a
(参考例8)
本参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 8 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the
本参考例は、図13に示すように、磁性体32は、蝋eによる蝋付けによってアーマチュア基板30に接合される。このように、磁性体32をアーマチュア基板30に蝋付けで接合させることによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを蝋eで吸収して、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。
In this reference example , as shown in FIG. 13, the
(参考例9)
本参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 9 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the
本参考例は、図14(a)に示すように、略中央に円形の孔30Gを穿設したアーマチュア基板30をその両面方向から磁性体32および磁性体39で挟持し、孔30Gの上側開口を磁性体39で覆い、孔30Gの下側開口を磁性体32で覆った状態で、磁性体39にレーザLによって高密度のエネルギーを照射することでレーザ溶接を行う。そして図14(b)に示すように、孔30G内を通る溶接部39Aを生成して、磁性体39を磁性体32に溶接することによって、磁性体32,39でアーマチュア基板30を挟持し、磁性体32はアーマチュア基板30に接合される。このように、アーマチュア基板30の孔30G近傍のみを磁性体32に接合させることによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを孔30G近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。また、磁性体39の代わりに金属板を用いてもよい。
In this reference example , as shown in FIG. 14 (a), an
(参考例10)
本参考例のマイクロリレーは図15(a),(b)に示すように、参考例9のアーマチュア基板30の上面略中央に凹部30Hを形成して、凹部30H内に磁性体39を収納し、凹部30Hの底面の略中央に円形の孔30Gを穿設したものである。参考例9に比べて、アーマチュアブロック3の高さを低くでき、さらには磁性体32と磁性体39との間の距離を短くできるのでレーザ溶接が容易となる。また、磁性体39の代わりに金属板を用いてもよい。
( Reference Example 10 )
As shown in FIGS. 15A and 15B, the microrelay of this reference example has a
(参考例11)
本参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 11 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the
本参考例は、図16(a)に示すように、略中央に円形の孔30Gを穿設したアーマチュア基板30を磁性体32の上面に載置し、磁性体32が孔30Gの下側開口を覆った状態で、孔30E内に球形の金(Au)eを供給する。金eの上端には磁性体39を配置する。そして図15(b)に示すように、磁性体32,39に熱、あるいは荷重、あるいは熱と荷重の両方を加えて、金eを孔30G内で溶融または変形させることによって、磁性体32は、孔30G内の金eを介して磁性体39に接合される。このように、アーマチュア基板30の孔30G近傍のみを磁性体39に接合させることによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを孔30G近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。また、金eの代わりに金・錫合金(Au−Sn)を用いてもよい。
In this reference example , as shown in FIG. 16 (a), an
(参考例12)
本参考例のマイクロリレーは図17(a),(b)に示すように、参考例11のアーマチュア基板30の上面略中央に凹部30Hを形成して、凹部30H内に磁性体39を収納し、凹部30Hの底面の略中央に円形の孔30Gを穿設したものである。参考例11に比べて、アーマチュアブロック3の高さを低くでき、さらには磁性体32と磁性体39との間の距離を短くできるので、供給する金eの体積を小さくすることができる。また、金eの代わりに金・錫合金(Au−Sn)を用いてもよい。
( Reference Example 12 )
As shown in FIGS. 17A and 17B, the microrelay of this reference example has a
(参考例13)
本参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 13 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the
本参考例は、図18(a)に示すように、アーマチュア基板30をその両面方向から磁性体32および磁性体39で挟持する。ここで、磁性体32は対向するアーマチュア基板30の下面より大きく、磁性体39は対向するアーマチュア基板30の上面より大きい。そして、磁性体32の周縁部32Gおよび磁性体39の周縁部39BにレーザLによって高密度のエネルギーを照射することによって(図18(a)では、磁性体32の周縁部32Gへのレーザ照射を省略している)、図18(b)に示すように、アーマチュア基板30の側端部で、磁性体32の周縁部32Gと磁性体39の周縁部39Bとを接合させるとともに、周縁部32Gと周縁部39Bとをアーマチュア基板30の側端面に接合させる。このように、アーマチュア基板30の側端面のみを磁性体32,39の周縁部32G,39Bに接合させることによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスをアーマチュア基板30の側端面近傍、および磁性体32,39の周縁部32G,39B近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。
In this reference example , as shown in FIG. 18A, the
(参考例14)
本参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30の構造、およびアーマチュア基板30と磁性体32との接合構造が参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 14 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 in the structure of the
本参考例は、図19(a)に示すように、矩形状のアーマチュア基板30の4つの角部30Iは、L字状の弾性部30Jを介して、アーマチュア基板30に接続されており、角部30Iは、弾性部30Jの伸縮に応じてその位置を変位可能としている。そして図19(b)に示すように、磁性体32は、アーマチュア基板30の各角部30Iに設けた接合部fに接合され、磁性体32の変位に応じて弾性部30Jが伸縮し、角部30Iも変位する。したがって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを弾性部30Jで吸収して、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形や、接合部の破壊を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。
In this reference example , as shown in FIG. 19A, the four
(実施形態1)
本実施形態のマイクロリレーは、アーマチュア基板30の構造、およびアーマチュア基板30と磁性体32との接合構造が参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Embodiment 1 )
The microrelay of this embodiment is different from the reference example 1 in the structure of the
本実施形態は、図20(a)に示すように、矩形状のアーマチュア基板30の4つの角部30Iは、アーマチュア基板30と同一平面上でU字状に多数蛇行した蛇行部30Kを介して、アーマチュア基板30に接続されており、角部30Iは、蛇行部30Kの伸縮に応じてその位置を変位可能としており、蛇行部30Kを設けることによって伸縮可能距離を長くしている。そして図20(b)に示すように、磁性体32は、アーマチュア基板30の各角部30Iに設けた接合部fに接合され、磁性体32の変位に応じて蛇行部30Kが伸縮し、角部30Iも変位する。したがって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを蛇行部30Kで吸収して、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形や、接合部の破壊を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 20A, the four
(参考例15)
本参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 15 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the
本参考例は、図21に示すように、アーマチュア基板30と磁性体32とを重ね合わせ、その側端部をコの字状の挟持手段gによって上下方向に挟持するもので、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスが、アーマチュア基板30と磁性体32とに独立して発生するので、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。
In this reference example , as shown in FIG. 21, the
(参考例16)
本参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 16 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the
本参考例は、図22に示すように、アーマチュア基板30の下面に、メッキまたはスパッタによって部分的に複数の金属層30Mを形成し、金属層30Mの下面を磁性体32の上面に重ね合わせた状態で、金属層30Mに対向する磁性体32の下面にレーザを照射して、金属層30Mと磁性体32とを溶接することによって、磁性体32はアーマチュア基板30に接合される。このように、磁性体32をアーマチュア基板30に溶接することによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを金属層30Mで吸収して、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。
In this reference example , as shown in FIG. 22, a plurality of
また、金属層30Mはアーマチュア基板30の下面に部分的に形成されているので、金属層30Mを全面的に形成した場合より、熱による応力の影響が小さく、アーマチュアブロック3の変形をより抑制することができる。
In addition, since the
(参考例17)
本参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 17 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the
本参考例は、図23(a)に示すように、アーマチュア基板30の上面に部分的に複数の金属層30Nを形成し、アーマチュア基板30の下面を磁性体32の上面に重ねて配置する。そして、レーザLによって高密度のエネルギーを各金属層30Nに上方から照射することで、図23(b)に示すように、金属層30Nからアーマチュア基板30を介して磁性体32に至る溶融接合部hを生成して、アーマチュア基板30と磁性体32とを重ね合わせ溶接によって接合する。このように、各溶融接合部hのみを磁性体32の上面に接合することによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを溶融接合部h近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。
In this reference example , as shown in FIG. 23A, a plurality of
また、各金属層30Nは、アーマチュア基板30の上面、すなわちフレーム31と略同一高さに形成されるので、各金属層30Nの形成作業が容易となる。さらに、アーマチュア基板30の上面側から溶接用のエネルギ−を照射するので、アーマチュア基板30の下面側に配置された磁性体32へ溶接加工時に与えるダメージを最小限に抑制することができる。
In addition, since each
1 ボディ
2 電磁石装置
3 アーマチュアブロック
4 カバー
30 アーマチュア基板
32 磁性体
a 低融点ガラス
DESCRIPTION OF
Claims (1)
シリコンから形成され、矩形板状の磁性体を備えてアーマチュアを構成する矩形状のアーマチュア基板およびこのアーマチュア基板の全周を包囲してアーマチュア基板を揺動自在に支持するフレームを一体に備えたアーマチュアブロックと、
上記アーマチュアの揺動により固定接点と可動接点とが接離する接点機構とを備え、
上記アーマチュア基板は、本体部と、この本体部と同一平面上で蛇行した蛇行部を介して本体部の四隅にそれぞれ接続される角部とを有し、当該角部は蛇行部の伸縮に応じてその位置を変位可能とし、
上記磁性体は、上記本体部および上記各角部と重ねて配置すると共に上記アーマチュア基板と上記磁性体とを上記各角部でのみ接合することを特徴とするマイクロリレー。 A body with an electromagnet device;
An armature integrally formed with a rectangular armature substrate formed of silicon and having a rectangular plate-like magnetic body and constituting the armature, and a frame surrounding the entire circumference of the armature substrate and supporting the armature substrate in a swingable manner Block,
A contact mechanism in which the fixed contact and the movable contact are contacted and separated by the swing of the armature;
The armature substrate has a main body portion and corner portions connected to the four corners of the main body portion via meandering portions meandering on the same plane as the main body portion, and the corner portions correspond to expansion and contraction of the meandering portion. The position can be displaced,
The magnetic relay is disposed so as to overlap the main body and the corners, and the armature substrate and the magnetic body are joined only at the corners .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2004018992A JP4079093B2 (en) | 2004-01-27 | 2004-01-27 | Micro relay |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2004018992A JP4079093B2 (en) | 2004-01-27 | 2004-01-27 | Micro relay |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005216557A JP2005216557A (en) | 2005-08-11 |
| JP4079093B2 true JP4079093B2 (en) | 2008-04-23 |
Family
ID=34903344
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP (1) | JP4079093B2 (en) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060403 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070718 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070904 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071105 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071127 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071217 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080115 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080128 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120215 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130215 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130215 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140215 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |