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JP4079093B2 - Micro relay - Google Patents
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JP4079093B2 - Micro relay - Google Patents

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Description

本発明は、半導体微細加工技術を用いて形成されたマイクロリレーに関するものである。   The present invention relates to a microrelay formed using a semiconductor microfabrication technique.

従来、半導体微細加工技術を用いて形成されたマイクロリレーとして、電磁石装置を備えたボディと、上記ボディにスペーサを介して接合されるアーマチュアブロックとを備えるものがある。上記アーマチュアブロックは、磁性体を備えてアーマチュアを構成するアーマチュア基板とアーマチュア基板の全周を包囲してアーマチュア基板を揺動自在に支持するフレームとを一体に備える。上記アーマチュア基板は、幅方向の両側の長手方向の中心が一対の弾性片によって上記フレームに連結されており、上記弾性片を軸としてシーソー動作する。(例えば、特許文献1参照)。
特開平5−114347号公報(段落番号[0013]〜[0023]、図1、図2、図5)
2. Description of the Related Art Conventionally, some microrelays formed using a semiconductor microfabrication technique include a body including an electromagnet device and an armature block joined to the body via a spacer. The armature block integrally includes an armature substrate that includes a magnetic body and constitutes the armature, and a frame that surrounds the entire circumference of the armature substrate and supports the armature substrate in a swingable manner. The armature substrate has a longitudinal center on both sides in the width direction connected to the frame by a pair of elastic pieces, and performs a seesaw operation with the elastic pieces as axes. (For example, refer to Patent Document 1).
JP-A-5-114347 (paragraph numbers [0013] to [0023], FIG. 1, FIG. 2, FIG. 5)

上記マイクロリレーは、上記アーマチュア基板に上記磁性体を接合してアーマチュアを構成しているが、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時に、上記アーマチュア基板と上記磁性体との熱膨張係数の違いにより生じる熱ストレス(熱歪み)によって、上記アーマチュアブロックが反りや歪み等で変形するという現象が発生する。すなわち、製造時及び使用時の温度環境によってはアーマチュアブロックの変形が発生し、上記アーマチュア基板と上記磁性体との接合を保持できないという課題があった。   The micro relay is configured by joining the magnetic body to the armature substrate to form an armature. A phenomenon occurs in which the armature block is deformed due to warpage or distortion due to thermal stress (thermal strain) caused by a difference in thermal expansion coefficient from the magnetic material. That is, depending on the temperature environment at the time of manufacture and use, the armature block may be deformed, and there is a problem that the joint between the armature substrate and the magnetic body cannot be maintained.

本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、その目的は、製造時の温度環境及び使用時の温度環境に関わらずアーマチュアブロックの変形を抑制してアーマチュア基板と磁性体との接合を保持できるマイクロリレーを提供することにある。   The present invention has been made in view of the above reasons, and its purpose is to suppress the deformation of the armature block regardless of the temperature environment at the time of manufacture and the temperature environment at the time of use and to bond the armature substrate and the magnetic body. It is to provide a micro relay that can be held.

請求項1の発明は、電磁石装置を備えたボディと、シリコンから形成され、矩形板状の磁性体を備えてアーマチュアを構成する矩形状のアーマチュア基板およびこのアーマチュア基板の全周を包囲してアーマチュア基板を揺動自在に支持するフレームを一体に備えたアーマチュアブロックと、上記アーマチュアの揺動により固定接点と可動接点とが接離する接点機構とを備え、上記アーマチュア基板は、本体部と、この本体部と同一平面上で蛇行した蛇行部を介して本体部の四隅にそれぞれ接続される角部とを有し、当該角部は蛇行部の伸縮に応じてその位置を変位可能とし、上記磁性体は、上記本体部および上記各角部と重ねて配置すると共に上記アーマチュア基板と上記磁性体とを上記各角部でのみ接合することを特徴とする。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a body having an electromagnet device, a rectangular armature substrate formed of silicon and having a rectangular plate-like magnetic body and constituting an armature, and surrounding the entire circumference of the armature substrate. An armature block integrally provided with a frame for swingably supporting the board; and a contact mechanism for contacting and separating the fixed contact and the movable contact by the swinging of the armature. Corners connected to the four corners of the main body through meandering parts meandering on the same plane as the main body, and the corners can be displaced in accordance with the expansion and contraction of the meandering part. The body is arranged so as to overlap the main body and the corners, and the armature substrate and the magnetic body are joined only at the corners .

この発明によれば、アーマチュア基板と磁性体との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを蛇行部で吸収して、アーマチュアブロックの反り、歪み等の変形や、接合部の破壊を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板と磁性体との接合を保持できる According to the present invention absorbs temperature changes due to a difference in thermal expansion coefficient between A Machua substrate and the magnetic material and the heat stress generated during a high temperature in a serpentine portion, warpage of the armature block, deformation or distortion or the like, the junction It is possible to prevent breakage by preventing the breakage of the armature substrate and the magnetic body during heating in the manufacturing process, when the ambient temperature changes during use, and at high temperatures .

以上説明したように、本発明では、熱ストレスを蛇行部で吸収することによって、アーマチュアブロックの反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板と磁性体との接合を保持できる。したがって、製造時の温度環境及び使用時の温度環境に関わらずアーマチュアブロックの変形を抑制してアーマチュア基板と磁性体との接合を保持できるという効果がある。 As described above, in the present invention, the thermal stress is absorbed by the meandering portion , so that the armature block can be prevented from warping and deformation, such as distortion, and can be prevented from being damaged. It is possible to maintain the bonding between the armature substrate and the magnetic body when the ambient temperature changes in the state and when the temperature is high. Therefore, there is an effect that it is possible to maintain the bonding between the armature substrate and the magnetic body by suppressing the deformation of the armature block regardless of the temperature environment at the time of manufacture and the temperature environment at the time of use.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

参考例1
図2に、マイクロリレーの参考例を示す。このマイクロリレーは、ボディ1と、電磁石装置2と、アーマチュアブロック3と、カバー4とを備える。
( Reference Example 1 )
FIG. 2 shows a reference example of a micro relay . This micro relay includes a body 1, an electromagnet device 2, an armature block 3, and a cover 4.

ボディ1は、ガラスからなる矩形板状であって、四隅の近傍には、ボディ1の上下両面に貫通するスルーホール10A,10B,10C,10Dが形成されている。各スルーホール10A〜10Dの内周面には、マイクロリレーを実装するプリント基板の電気回路(図示せず)と後述する固定接点とを電気接続するための電気経路11A〜11Dが形成されている。各電気経路11A〜11Dは、クロム、チタン、白金、コバルト、ニッケル、銅、金、金とコバルトの合金、又はこれらの合金等からなり、めっき、蒸着、スパッタ等により形成されている。各スルーホール10A〜10Dの両端の開口部周縁には、各電気経路11A〜11Dと電気接続されたランド12が形成されている。図3に示すように、ボディ1の下面側のランド12には、金、銀、銅、半田などの導電性材料からなるバンプ13が載せられ、各スルーホール10A〜10Dの下面開口を塞ぐように、熱などで密着接合されている。   The body 1 has a rectangular plate shape made of glass, and through holes 10A, 10B, 10C, and 10D penetrating the upper and lower surfaces of the body 1 are formed in the vicinity of the four corners. Electric paths 11A to 11D for electrically connecting an electric circuit (not shown) of a printed board on which the micro relay is mounted and a fixed contact described later are formed on the inner peripheral surfaces of the through holes 10A to 10D. . Each of the electric paths 11A to 11D is made of chromium, titanium, platinum, cobalt, nickel, copper, gold, an alloy of gold and cobalt, or an alloy of these, and is formed by plating, vapor deposition, sputtering, or the like. Lands 12 that are electrically connected to the electrical paths 11A to 11D are formed on the peripheral edges of the openings at both ends of the through holes 10A to 10D. As shown in FIG. 3, bumps 13 made of a conductive material such as gold, silver, copper, and solder are placed on the land 12 on the lower surface side of the body 1 so as to block the lower surface openings of the through holes 10A to 10D. In addition, it is tightly bonded by heat or the like.

ボディ1の上面には、2対の固定接点14A,14B、15A,15Bが形成されている。各固定接点14A,14B,15A,15Bは、少なくともその表面が、クロム、チタン、白金、コバルト、ニッケル、銅、金、金とコバルトの合金、又はこれらの合金等により形成されている。固定接点14A,14Bは、2つのスルーホール10A,10Bに挟まれるようにして並設されている。そして、一方の固定接点14Aは、スルーホール10Aのランド12と電気接続され、他方の固定接点14Bはスルーホール10Bのランド12と電気接続されている。同様に、固定接点15A,15Bは、2つのスルーホール10C,10Dに挟まれるようにして並設され、一方の固定接点15Aは、スルーホール10Cのランド12と電気接続され、他方の固定接点15Bはスルーホール10Dのランド12と電気接続されている。   Two pairs of fixed contacts 14A, 14B, 15A, 15B are formed on the upper surface of the body 1. Each fixed contact 14A, 14B, 15A, 15B has at least the surface thereof formed of chromium, titanium, platinum, cobalt, nickel, copper, gold, an alloy of gold and cobalt, or an alloy thereof. The fixed contacts 14A and 14B are arranged side by side so as to be sandwiched between the two through holes 10A and 10B. One fixed contact 14A is electrically connected to the land 12 of the through hole 10A, and the other fixed contact 14B is electrically connected to the land 12 of the through hole 10B. Similarly, the fixed contacts 15A and 15B are arranged in parallel so as to be sandwiched between the two through holes 10C and 10D. One fixed contact 15A is electrically connected to the land 12 of the through hole 10C, and the other fixed contact 15B. Is electrically connected to the land 12 of the through hole 10D.

ボディ1の中央には、ボディ1の上下両面に貫通した十字形の貫通孔16が設けられ、薄膜17がボディ1の上面側で貫通孔16を閉じるようにボディ1に密着接合されている。これにより、ボディ1の下面側に電磁石装置2を収納する収容凹部18が形成される(図3参照)。薄膜17は、シリコンまたはガラスで形成され、エッチングまたは研磨などの加工を施すことで5〜50μm程度、好ましくは20μm程度の厚さに形成される。貫通孔16は、ボディ1の下面から上面にかけて徐々に断面積が小さくなるテーパー形状に形成されており、これにより、電磁石装置2を収容し易くしている。   A cross-shaped through hole 16 penetrating the upper and lower surfaces of the body 1 is provided at the center of the body 1, and the thin film 17 is tightly bonded to the body 1 so as to close the through hole 16 on the upper surface side of the body 1. Thereby, the accommodation recessed part 18 which accommodates the electromagnet apparatus 2 in the lower surface side of the body 1 is formed (refer FIG. 3). The thin film 17 is formed of silicon or glass, and is formed to a thickness of about 5 to 50 μm, preferably about 20 μm, by performing processing such as etching or polishing. The through-hole 16 is formed in a tapered shape having a sectional area that gradually decreases from the lower surface to the upper surface of the body 1, thereby making it easier to accommodate the electromagnet device 2.

電磁石装置2は、ヨーク20と、永久磁石21と、コイル22A,22Bと、基板23とからなる。ヨーク20は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工あるいは鍛造加工することにより、矩形板状の中央片20Aの両端から、矩形板状の脚片20B,20Cがそれぞれ立ち上がった形状に形成されている。永久磁石21は、直方体形状であって、背中合わせの磁極面21A,21B(磁極面21Bは、図示せず。)が互いに異極となるように着磁されている。永久磁石21は、一方の磁極面21Bがヨーク20の中央片20Aの中央に当接し、他方の磁極面21Aが脚片20B,20Cの先端と同じ高さになるようにヨーク20に取着されている。コイル22Aは、脚片20Bと永久磁石21との間で中央片20Aに直接巻回され、その端面が脚片20Bおよび永久磁石21に当接することにより左右方向の移動を規制されている。同様にコイル22Bは、脚片20Cと永久磁石21との間で中央片20Aに直接巻回され、その端面が脚片20Cおよび永久磁石21に当接することにより左右方向の移動を規制されている。基板23は矩形状であり、ヨーク20の中央片20Aの下面に中央片20Aと直交するように接合される。基板23は、下面に導電部23Aを有し(図3参照)、コイル22の先端が導電部23Aに電気接続されている。導電部23Aには、マイクロリレーを実装するプリント基板の電気回路(図示せず)とコイル22とを電気接続するバンプ24が設けられている。   The electromagnet device 2 includes a yoke 20, a permanent magnet 21, coils 22 </ b> A and 22 </ b> B, and a substrate 23. The yoke 20 is formed in a shape in which rectangular plate-like leg pieces 20B and 20C are raised from both ends of the rectangular plate-like central piece 20A by bending or forging an iron plate such as electromagnetic soft iron. The permanent magnet 21 has a rectangular parallelepiped shape and is magnetized so that the back-to-back magnetic pole surfaces 21A and 21B (the magnetic pole surface 21B is not shown) have different polarities. The permanent magnet 21 is attached to the yoke 20 such that one magnetic pole surface 21B is in contact with the center of the central piece 20A of the yoke 20 and the other magnetic pole surface 21A is at the same height as the tips of the leg pieces 20B and 20C. ing. The coil 22A is directly wound around the central piece 20A between the leg piece 20B and the permanent magnet 21, and its end face is in contact with the leg piece 20B and the permanent magnet 21, so that the movement in the left-right direction is restricted. Similarly, the coil 22B is wound directly around the central piece 20A between the leg piece 20C and the permanent magnet 21, and its end face is in contact with the leg piece 20C and the permanent magnet 21, so that movement in the left-right direction is restricted. . The substrate 23 has a rectangular shape and is joined to the lower surface of the central piece 20A of the yoke 20 so as to be orthogonal to the central piece 20A. The substrate 23 has a conductive portion 23A on the lower surface (see FIG. 3), and the tip of the coil 22 is electrically connected to the conductive portion 23A. The conductive portion 23A is provided with a bump 24 that electrically connects an electric circuit (not shown) of a printed board on which the micro relay is mounted and the coil 22.

アーマチュアブロック3は、50〜300μm程度、好ましくは200μm程度の厚みを有するシリコン基板をエッチングして形成され、アーマチュア基板30と、アーマチュア基板30の全周を包囲してアーマチュア基板30を揺動自在に支持するフレーム31とを一体に備える。アーマチュア基板30の下面には、図4に示すように矩形板状の磁性体32が接合され、アーマチュア300を構成する。   The armature block 3 is formed by etching a silicon substrate having a thickness of about 50 to 300 μm, preferably about 200 μm, and surrounds the armature substrate 30 and the entire circumference of the armature substrate 30 so that the armature substrate 30 can swing freely. A supporting frame 31 is integrally provided. As shown in FIG. 4, a rectangular plate-like magnetic body 32 is joined to the lower surface of the armature substrate 30 to constitute an armature 300.

アーマチュア基板30は、図4および図5に示すように、下面に磁性体32が接合される矩形状の磁性体保持部30Aと下面に可動接点33A,33Bが固着される可動接点部30Bとからなる。可動接点部30Bは、磁性体保持部30Aの長手方向の両側において、弾性変形可能なヒンジ片34によって磁性体保持部30Aに支持されている。   As shown in FIGS. 4 and 5, the armature substrate 30 includes a rectangular magnetic body holding portion 30A to which the magnetic body 32 is bonded to the lower surface and a movable contact portion 30B to which the movable contacts 33A and 33B are fixed to the lower surface. Become. The movable contact portion 30B is supported on the magnetic body holding portion 30A by hinge pieces 34 that can be elastically deformed on both sides in the longitudinal direction of the magnetic body holding portion 30A.

磁性体保持部30Aは、幅方向の両側が、弾性変形可能な弾性片35によってフレーム31に支持されている。弾性片35は、アーマチュア基板30のシーソー動作の軸Xを中心として、線対称に4ヶ所設けられている。各弾性片35は、一端が磁性体保持部30Aに一体に形成結合されると共に他端がフレーム31に一体に形成結合されており、上記一端と上記他端との間に、フレーム31と同一平面上でU字形に多数蛇行した蛇行部35Aが形成されている。蛇行部35Aを設けることで、弾性片35を長く形成することができ、アーマチュア基板30がシーソー動作する時に弾性片35がねじられることで生じるばね力のばね定数を適切に小さくできる。弾性片35に加えられる応力も分散できる。弾性片35は、肉厚がフレーム31の肉厚よりも小さく形成され、幅が、上記肉厚よりも小さく形成されている。   Both sides in the width direction of the magnetic body holding portion 30A are supported by the frame 31 by elastic pieces 35 that can be elastically deformed. Four elastic pieces 35 are provided in line symmetry with the axis X of the seesaw operation of the armature substrate 30 as the center. Each elastic piece 35 has one end integrally formed and coupled to the magnetic body holding portion 30A and the other end integrally formed and coupled to the frame 31, and is identical to the frame 31 between the one end and the other end. A plurality of meandering portions 35A meandering in a U shape on the plane are formed. By providing the meandering portion 35A, the elastic piece 35 can be formed long, and the spring constant of the spring force generated when the elastic piece 35 is twisted when the armature substrate 30 performs a seesaw operation can be appropriately reduced. The stress applied to the elastic piece 35 can also be dispersed. The elastic piece 35 is formed with a thickness smaller than the thickness of the frame 31 and with a width smaller than the thickness.

また、磁性体保持部30Aは、幅方向の両側の中央部に延設片36が形成されている。延設片36のフレーム31に対向する部位には凸部36Aが設けられ、凸部36Aに対向するフレーム31の内周面には凹部37Aを有する延設片37が設けられる。凸部36Aと凹部37Aとは、フレーム31と同一平面で凹凸嵌合することにより、アーマチュア基板30が水平方向に移動するのを規制する移動規制部301を構成する。さらに、延設片36の下面には、図4に示したように、アーマチュア基板30のシーソー動作の支点となる突起部36Bが形成されている。   Further, the magnetic body holding portion 30A has extended pieces 36 formed at the center portions on both sides in the width direction. A protruding portion 36A is provided at a portion of the extending piece 36 that faces the frame 31, and an extending piece 37 having a recessed portion 37A is provided on the inner peripheral surface of the frame 31 that faces the protruding portion 36A. The convex portion 36A and the concave portion 37A constitute a movement restricting portion 301 that restricts the movement of the armature substrate 30 in the horizontal direction by fitting the concave and convex portions on the same plane as the frame 31. Further, as shown in FIG. 4, a protrusion 36 </ b> B serving as a fulcrum for the seesaw operation of the armature substrate 30 is formed on the lower surface of the extended piece 36.

さらに、磁性体保持部30Aの四隅には、第2の延設片38が形成されている。第2の延設片38の下面には、アーマチュア基板30のシーソー動作のストッパーとなる第2の突起部38Aが形成されている。第2の突起部38Aは、アーマチュア基板30を水平にした時に、対向するボディ1の上面と所定の間隔を有するように形成されている。   Further, second extending pieces 38 are formed at the four corners of the magnetic body holding portion 30A. On the lower surface of the second extending piece 38, a second protrusion 38A serving as a stopper for the seesaw operation of the armature substrate 30 is formed. The second protrusion 38A is formed to have a predetermined distance from the upper surface of the body 1 facing when the armature substrate 30 is leveled.

磁性体32は、電磁軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイ、フェライトなどの磁性材料を機械加工して形成され、磁性体保持部30Aに接合される。磁性体32を機械加工により形成することで、厚みを大きくして吸引力を向上させることができる。   The magnetic body 32 is formed by machining a magnetic material such as electromagnetic soft iron, electromagnetic stainless steel, permalloy, or ferrite, and is joined to the magnetic body holding portion 30A. By forming the magnetic body 32 by machining, the thickness can be increased and the attractive force can be improved.

アーマチュア基板30の肉厚は、フレーム31の肉厚よりも小さく形成されており、フレーム31の下面に対してアーマチュア300の下面(すなわち、磁性体32の下面および可動接点33A,33Bの下面。)が凹むようにアーマチュア基板30がフレーム31の上側に保持されている。これにより、後述するように、フレーム31をボディ1に接合した際に、アーマチュア300の下面とボディ1との間に、アーマチュア300の揺動を収容する空間が形成される。   The thickness of the armature substrate 30 is smaller than the thickness of the frame 31, and the lower surface of the armature 300 with respect to the lower surface of the frame 31 (that is, the lower surface of the magnetic body 32 and the lower surfaces of the movable contacts 33A and 33B). The armature substrate 30 is held on the upper side of the frame 31 so as to be recessed. Thus, as will be described later, when the frame 31 is joined to the body 1, a space for accommodating the swing of the armature 300 is formed between the lower surface of the armature 300 and the body 1.

カバー4は、パイレックス(登録商標)のような耐熱ガラスにより矩形板状に形成され、下面には、アーマチュア300の揺動を収容するための凹部が設けられている。   The cover 4 is formed in a rectangular plate shape using heat-resistant glass such as Pyrex (registered trademark), and a recess for accommodating the swing of the armature 300 is provided on the lower surface.

上述のように構成されたボディ1、アーマチュアブロック3、カバー4は、アーマチュアブロック3のフレーム31がその全周にわたってボディ1の周縁部19とカバー4の周縁部42とに、陽極接合などの方法で直接接合される。   The body 1, the armature block 3, and the cover 4 configured as described above are such that the frame 31 of the armature block 3 is anodic bonded to the peripheral edge 19 of the body 1 and the peripheral edge 42 of the cover 4 over the entire periphery. Are joined directly.

そして、本参考例では、図1に示すように、低融点ガラスaを介して磁性体32をアーマチュア基板30の磁性体保持部30Aに接合させている。アーマチュア基板30と磁性体32との間に低融点ガラスaを介装した状態で加熱して低融点ガラスaを溶融させた後、冷却することで、磁性体32は低融点ガラスaを介してアーマチュア基板30に接合される。このとき低融点ガラスaは溶融を開始する温度が低いので、加熱時の熱ストレスを小さくできるとともに、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを低融点ガラスaで吸収して、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。 And in this reference example , as shown in FIG. 1, the magnetic body 32 is joined to the magnetic body holding | maintenance part 30A of the armature board | substrate 30 through the low melting glass a. The low melting point glass a is heated between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 to melt the low melting point glass a, and then cooled, so that the magnetic body 32 passes through the low melting point glass a. Bonded to the armature substrate 30. At this time, the low melting point glass a has a low melting temperature, so that the thermal stress during heating can be reduced, and the thermal stress generated at the time of temperature change and high temperature due to the difference in thermal expansion coefficient between the armature substrate 30 and the magnetic body 32. Can be absorbed by the low melting point glass a to prevent the armature block 3 from being warped and deformed to prevent breakage, and can be prevented from being damaged. It can be heated during the manufacturing process or when the ambient temperature changes during use. At times, the joint between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 can be maintained.

次に、このマイクロリレーの動作について説明する。   Next, the operation of this micro relay will be described.

コイル22A,22Bに一方向から通電すると、磁性体32が一方の脚片20Bに吸引され、アーマチュア300は、突起部36Bの頂点を支点として、シーソー動作を行う。アーマチュア300のシーソー動作は、第2の延設片38の下面に設けられたストッパーとしての第2の突起部38Aがボディ1の上面に当接することで止まる。第2の突起部38Aを設けることで、磁性体32と薄膜17とが直接衝突し磁性体32または/および薄膜17が破損する事態を防止している。この時、可動接点部30Bの下面に設けられた可動接点33Aは、対向する一対の固定接点14A,14Bと当接し、固定接点14A,14B間を閉じる。可動接点33Aは、ヒンジ片34の弾性により、適度な接点圧を得ている。第2の突起部38Aとボディ1との距離を調節することで、可動接点33A,33Bの押し込み量を調節できる。コイル22A,22Bの通電を停止しても、永久磁石21から発生され磁性体32→脚片20B→永久磁石21という閉磁路を通る磁束により、アーマチュア300は、同一状態を維持している。   When the coils 22A and 22B are energized from one direction, the magnetic body 32 is attracted to the one leg piece 20B, and the armature 300 performs a seesaw operation with the apex of the protrusion 36B as a fulcrum. The seesaw operation of the armature 300 stops when the second protrusion 38 </ b> A serving as a stopper provided on the lower surface of the second extending piece 38 contacts the upper surface of the body 1. Providing the second protrusion 38A prevents the magnetic body 32 and the thin film 17 from directly colliding with each other and preventing the magnetic body 32 and / or the thin film 17 from being damaged. At this time, the movable contact 33A provided on the lower surface of the movable contact portion 30B comes into contact with the pair of opposed fixed contacts 14A and 14B, and closes between the fixed contacts 14A and 14B. The movable contact 33 </ b> A obtains an appropriate contact pressure due to the elasticity of the hinge piece 34. By adjusting the distance between the second protrusion 38A and the body 1, the amount of pressing of the movable contacts 33A and 33B can be adjusted. Even when the energization of the coils 22A and 22B is stopped, the armature 300 maintains the same state by the magnetic flux generated from the permanent magnet 21 and passing through the closed magnetic path of the magnetic body 32 → the leg piece 20B → the permanent magnet 21.

次に、コイル22A,22Bの通電方向を逆にすると、磁性体32が他方の脚片20Cに吸引され、弾性片35のねじり復帰力も加わって、アーマチュア300は、突起部36Bの頂点を支点として、反対方向にシーソー動作を行う。この時、可動接点部30Bの下面に設けられた可動接点33Bは、対向する一対の固定接点15A,15Bと当接し、固定接点15A,15B間を閉じる。可動接点33Bは、ヒンジ片34の弾性により、適度な接点圧を得ている。コイル22A,22Bの通電を停止しても、永久磁石21から発生され磁性体32→脚片20C→永久磁石21という閉磁路を通る磁束により、アーマチュア300は、同一状態を維持している。すなわち、本参考例のマイクロリレーは、常開接点と常閉接点とを一組づつ備えたラッチング型のリレーとして構成されている。 Next, when the energizing directions of the coils 22A and 22B are reversed, the magnetic body 32 is attracted to the other leg piece 20C, and the torsional restoring force of the elastic piece 35 is also applied, so that the armature 300 uses the apex of the protrusion 36B as a fulcrum. Execute the seesaw operation in the opposite direction. At this time, the movable contact 33B provided on the lower surface of the movable contact portion 30B comes into contact with the pair of opposed fixed contacts 15A and 15B, and closes between the fixed contacts 15A and 15B. The movable contact 33 </ b> B obtains an appropriate contact pressure due to the elasticity of the hinge piece 34. Even when the energization of the coils 22A and 22B is stopped, the armature 300 maintains the same state by the magnetic flux generated from the permanent magnet 21 and passing through the closed magnetic path of the magnetic body 32 → the leg piece 20C → the permanent magnet 21. That is, the micro relay of this reference example is configured as a latching type relay having a pair of normally open contacts and normally closed contacts.

参考例2
参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 2 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the armature substrate 30 and the magnetic body 32, and the description of the same configuration as that of the reference example 1 is omitted.

参考例は、図6に示すように、磁性体32をアーマチュア基板30上に載置した状態で、アーマチュア基板30と磁性体32との境界部にレーザLによって高密度のエネルギーを照射することで隅肉溶接を行い、図7に示すように、磁性体32の角部および、長辺の略中央の計6箇所に形成した溶接部bによって磁性体32はアーマチュア基板30に接合される。このように、磁性体32をアーマチュア基板30に部分的に溶接して接合することによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを溶接部b近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。 In the present reference example , as shown in FIG. 6, a high density energy is irradiated by a laser L to the boundary between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 in a state where the magnetic body 32 is placed on the armature substrate 30. The fillet welding is performed, and as shown in FIG. 7, the magnetic body 32 is joined to the armature substrate 30 by the welded portions b formed at a total of six corners of the magnetic body 32 and approximately the center of the long side. In this way, by partially welding and joining the magnetic body 32 to the armature substrate 30, the thermal stress generated at the time of temperature change and high temperature due to the difference in thermal expansion coefficient between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 is welded. It is generated only in the vicinity of b. That is, by generating only a part of the thermal stress, it is possible to prevent the armature block 3 from being deformed, such as warping and distortion, thereby preventing the damage. The junction between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 can be maintained when the temperature changes and when the temperature is high.

なお、溶接部bの数は6箇所に限定されるものではなく、十分な接合効果が得られればよい。   In addition, the number of the welding parts b is not limited to six places, but a sufficient joining effect should just be acquired.

参考例3
参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 3 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the armature substrate 30 and the magnetic body 32, and the description of the same configuration as that of the reference example 1 is omitted.

参考例は、図8に示すように、アーマチュア基板30の下面に金属層30Cを形成し、磁性体32の上面には金属層32Aを形成して、金属層30Cと金属層32Aとを圧接することによって、磁性体32はアーマチュア基板30に接合される。このように、圧接した金属層30Cと金属層32Aとを介して磁性体32をアーマチュア基板30に接合させることによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを圧接した金属層30Cと金属層32Aとで吸収して、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。 In this reference example , as shown in FIG. 8, a metal layer 30C is formed on the lower surface of the armature substrate 30, a metal layer 32A is formed on the upper surface of the magnetic body 32, and the metal layer 30C and the metal layer 32A are pressed together. By doing so, the magnetic body 32 is bonded to the armature substrate 30. In this way, by joining the magnetic body 32 to the armature substrate 30 via the metal layer 30C and the metal layer 32A that are in pressure contact with each other, a difference in thermal expansion coefficient between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 causes a change in temperature and a high temperature. The metal layer 30C and the metal layer 32A that are pressed against thermal stress that occurs at times can be absorbed to prevent deformation of the armature block 3 such as warping and distortion, and can be prevented from being damaged. It is possible to maintain the bonding between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 when the ambient temperature changes in the state and when the temperature is high.

参考例4
参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 4 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the armature substrate 30 and the magnetic body 32, and the description of the same configuration as that of the reference example 1 is omitted.

参考例は、図9(a)に示すように、アーマチュア基板30に円形の孔30Dを2箇所に穿設し、磁性体32の上面には円柱状の突起部32Bを孔30Dに対向する2箇所に設け、図9(b)に示すように、突起部32Bを孔30Dに挿通させ、磁性体32をアーマチュア基板30に重ね合わせた状態で、孔30Dより上方に突出した突起部32Bの上部に熱、あるいは荷重、あるいは熱と荷重の両方を加えることによって突起部32Bをかしめて、磁性体32はアーマチュア基板30に接合される。このように、アーマチュア基板30の孔30D近傍のみを磁性体32の突起部32Bに接合させることによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを孔30D近傍および突起部32B近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。 In this reference example , as shown in FIG. 9A, circular holes 30D are formed in two locations in the armature substrate 30, and cylindrical protrusions 32B are opposed to the holes 30D on the upper surface of the magnetic body 32. As shown in FIG. 9B, the protrusion 32B protrudes above the hole 30D in a state where the protrusion 32B is inserted into the hole 30D and the magnetic body 32 is superimposed on the armature substrate 30. The magnetic body 32 is bonded to the armature substrate 30 by caulking the protrusions 32B by applying heat, load, or both heat and load to the top. In this way, by joining only the vicinity of the hole 30D of the armature substrate 30 to the protrusion 32B of the magnetic body 32, the thermal stress generated at the time of temperature change and high temperature due to the difference in thermal expansion coefficient between the armature substrate 30 and the magnetic body 32. Is generated only in the vicinity of the hole 30D and the vicinity of the protrusion 32B. That is, by generating only a part of the thermal stress, it is possible to prevent the armature block 3 from being deformed, such as warping and distortion, thereby preventing the damage. The junction between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 can be maintained when the temperature changes and when the temperature is high.

参考例5
参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 5 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the armature substrate 30 and the magnetic body 32, and the description of the same configuration as that of the reference example 1 is omitted.

参考例は、図10(a)に示すように、磁性体32の上面の周縁部に壁部32Dを突設して、壁部32Dに周囲を囲まれた凹部32Cを形成し、凹部32Cの底面にアーマチュア基板30を載置する。そして図10(b)に示すように、壁部32Dの上端に熱、あるいは荷重、あるいは熱と荷重の両方を加えて、壁部32Dを内側に突出した逆L字状に変形させ、アーマチュア基板30の周縁部が内側に突出した壁部32Dに係止することによって、アーマチュア基板30の周縁部と、逆L字状に変形させた壁部32Dの上端とを接合する。このように、アーマチュア基板30の周縁部のみを壁部32Dの上端に接合することによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスをアーマチュア基板30の周縁部近傍および壁部32Dの上端近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。 In this reference example , as shown in FIG. 10 (a), a wall 32D is protruded from the periphery of the upper surface of the magnetic body 32 to form a recess 32C surrounded by the wall 32D. The armature substrate 30 is placed on the bottom surface of. Then, as shown in FIG. 10 (b), heat, load, or both heat and load is applied to the upper end of the wall portion 32D to deform the wall portion 32D into an inverted L shape projecting inward, and the armature substrate. The peripheral portion of 30 is engaged with the wall portion 32D protruding inward, so that the peripheral portion of the armature substrate 30 and the upper end of the wall portion 32D deformed in an inverted L shape are joined. In this way, by joining only the peripheral edge portion of the armature substrate 30 to the upper end of the wall portion 32D, the thermal stress generated at the time of temperature change and high temperature due to the difference in thermal expansion coefficient between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 is obtained. It is generated only in the vicinity of the peripheral portion of 30 and the vicinity of the upper end of the wall portion 32D. That is, by generating only a part of the thermal stress, it is possible to prevent the armature block 3 from being deformed, such as warping and distortion, thereby preventing the damage. The junction between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 can be maintained when the temperature changes and when the temperature is high.

参考例6
参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 6 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the armature substrate 30 and the magnetic body 32, and the description of the same configuration as that of the reference example 1 is omitted.

参考例は、図11(a)に示すように、略中央に円形の孔30Eを穿設したアーマチュア基板30を磁性体32の上面に載置し、磁性体32が孔30Eの下側開口を覆った状態で、孔30E内に金ボールcを供給する。そして図11(b)に示すように、金ボールcをレーザによって加熱して孔30E内で溶融させることで、金ボールcが磁性体32に接合され、さらに溶融した金ボールcがアーマチュア基板30の孔30Eの上側開口を覆うことによって、金ボールcがアーマチュア基板30に接合される。すなわち、磁性体32は溶融させた金ボールcを介してアーマチュア基板30に接合している。このように、アーマチュア基板30の孔30E近傍のみを磁性体32に接合させることによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを孔30E近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。 In this reference example , as shown in FIG. 11 (a), an armature substrate 30 having a circular hole 30E formed substantially at the center is placed on the upper surface of the magnetic body 32, and the magnetic body 32 opens below the hole 30E. The gold ball c is supplied into the hole 30E. Then, as shown in FIG. 11B, the gold ball c is heated by a laser and melted in the hole 30E, so that the gold ball c is joined to the magnetic body 32, and the molten gold ball c is further armature substrate 30. The gold ball c is joined to the armature substrate 30 by covering the upper opening of the hole 30E. That is, the magnetic body 32 is joined to the armature substrate 30 via the molten gold ball c. As described above, by bonding only the vicinity of the hole 30E of the armature substrate 30 to the magnetic body 32, the thermal stress generated at the time of temperature change and high temperature due to the difference in thermal expansion coefficient between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 is generated in the vicinity of the hole 30E. Is only generated. That is, by generating only a part of the thermal stress, it is possible to prevent the armature block 3 from being deformed, such as warping and distortion, thereby preventing the damage. The junction between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 can be maintained when the temperature changes and when the temperature is high.

参考例7
参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 7 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the armature substrate 30 and the magnetic body 32, and the description of the same configuration as that of the reference example 1 is omitted.

参考例は、図12(a)に示すように、アーマチュア基板30の上面略中央に凹部30Fを形成して、凹部30Fの略中央に円形の孔30Lを穿設し、また磁性体32の下面略中央に凹部32Eを形成して、凹部32Eの略中央に円形の孔32Fを穿設し、アーマチュア基板30と磁性体32を重ね合わせて孔30Lを孔32Fに対向させた状態で、リベットdを孔30L,32Fに挿通させる。そして、図12(b)に示すように、リベットdの両端部をかしめることによって、磁性体32はアーマチュア基板30に接合される。このように、リベットd近傍のみで磁性体32をアーマチュア基板30に接合させることによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを孔30L,32F近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。 In this reference example , as shown in FIG. 12A, a concave portion 30F is formed in the approximate center of the upper surface of the armature substrate 30, a circular hole 30L is formed in the approximate center of the concave portion 30F, and the magnetic body 32 A rivet is formed in a state in which a concave portion 32E is formed in the approximate center of the lower surface, a circular hole 32F is formed in the approximate center of the concave portion 32E, and the armature substrate 30 and the magnetic body 32 are overlapped so that the hole 30L faces the hole 32F. d is inserted into the holes 30L and 32F. And as shown in FIG.12 (b), the magnetic body 32 is joined to the armature board | substrate 30 by crimping the both ends of the rivet d. In this way, by bonding the magnetic body 32 to the armature substrate 30 only in the vicinity of the rivet d, the thermal stress generated at the time of temperature change and high temperature due to the difference in thermal expansion coefficient between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 can be reduced. It is generated only in the vicinity of 32F. That is, by generating only a part of the thermal stress, it is possible to prevent the armature block 3 from being deformed, such as warping and distortion, thereby preventing the damage. The junction between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 can be maintained when the temperature changes and when the temperature is high.

参考例8
参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 8 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the armature substrate 30 and the magnetic body 32, and the description of the same configuration as that of the reference example 1 is omitted.

参考例は、図13に示すように、磁性体32は、蝋eによる蝋付けによってアーマチュア基板30に接合される。このように、磁性体32をアーマチュア基板30に蝋付けで接合させることによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを蝋eで吸収して、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。 In this reference example , as shown in FIG. 13, the magnetic body 32 is bonded to the armature substrate 30 by brazing with wax e. Thus, by joining the magnetic body 32 to the armature substrate 30 by brazing, the thermal stress generated at the time of temperature change and high temperature due to the difference in thermal expansion coefficient between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 is absorbed by the wax e. Therefore, the armature block 3 can be prevented from being deformed by suppressing warping, distortion, and the like, and the armature substrate 30 and the magnetism can be prevented from being damaged when heated in the manufacturing process, when the ambient temperature changes in use, and when the temperature is high. The joint with the body 32 can be maintained.

参考例9
参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 9 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the armature substrate 30 and the magnetic body 32, and the description of the same configuration as that of the reference example 1 is omitted.

参考例は、図14(a)に示すように、略中央に円形の孔30Gを穿設したアーマチュア基板30をその両面方向から磁性体32および磁性体39で挟持し、孔30Gの上側開口を磁性体39で覆い、孔30Gの下側開口を磁性体32で覆った状態で、磁性体39にレーザLによって高密度のエネルギーを照射することでレーザ溶接を行う。そして図14(b)に示すように、孔30G内を通る溶接部39Aを生成して、磁性体39を磁性体32に溶接することによって、磁性体32,39でアーマチュア基板30を挟持し、磁性体32はアーマチュア基板30に接合される。このように、アーマチュア基板30の孔30G近傍のみを磁性体32に接合させることによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを孔30G近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。また、磁性体39の代わりに金属板を用いてもよい。 In this reference example , as shown in FIG. 14 (a), an armature substrate 30 having a circular hole 30G formed substantially at the center is sandwiched by a magnetic body 32 and a magnetic body 39 from both sides, and an upper opening of the hole 30G is opened. Is welded by irradiating the magnetic body 39 with a high-density energy with the laser L in a state where the lower opening of the hole 30G is covered with the magnetic body 32. And as shown in FIG.14 (b), the armature board | substrate 30 is clamped by the magnetic bodies 32 and 39 by producing | generating the welding part 39A which passes the inside of the hole 30G, and welding the magnetic body 39 to the magnetic body 32, The magnetic body 32 is bonded to the armature substrate 30. As described above, by bonding only the vicinity of the hole 30G of the armature substrate 30 to the magnetic body 32, the thermal stress generated at the time of temperature change and high temperature due to the difference in thermal expansion coefficient between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 is generated in the vicinity of the hole 30G. Is only generated. That is, by generating only a part of the thermal stress, it is possible to prevent the armature block 3 from being deformed, such as warping and distortion, thereby preventing the damage. The junction between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 can be maintained when the temperature changes and when the temperature is high. Further, a metal plate may be used instead of the magnetic body 39.

参考例10
参考例のマイクロリレーは図15(a),(b)に示すように、参考例9のアーマチュア基板30の上面略中央に凹部30Hを形成して、凹部30H内に磁性体39を収納し、凹部30Hの底面の略中央に円形の孔30Gを穿設したものである。参考例9に比べて、アーマチュアブロック3の高さを低くでき、さらには磁性体32と磁性体39との間の距離を短くできるのでレーザ溶接が容易となる。また、磁性体39の代わりに金属板を用いてもよい。
( Reference Example 10 )
As shown in FIGS. 15A and 15B, the microrelay of this reference example has a recess 30H formed in the approximate center of the top surface of the armature substrate 30 of reference example 9 , and a magnetic body 39 is accommodated in the recess 30H. A circular hole 30G is formed in the approximate center of the bottom surface of the recess 30H. Compared to the reference example 9 , the height of the armature block 3 can be reduced, and further, the distance between the magnetic body 32 and the magnetic body 39 can be shortened, so that laser welding is facilitated. Further, a metal plate may be used instead of the magnetic body 39.

参考例11
参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 11 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the armature substrate 30 and the magnetic body 32, and the description of the same configuration as that of the reference example 1 is omitted.

参考例は、図16(a)に示すように、略中央に円形の孔30Gを穿設したアーマチュア基板30を磁性体32の上面に載置し、磁性体32が孔30Gの下側開口を覆った状態で、孔30E内に球形の金(Au)eを供給する。金eの上端には磁性体39を配置する。そして図15(b)に示すように、磁性体32,39に熱、あるいは荷重、あるいは熱と荷重の両方を加えて、金eを孔30G内で溶融または変形させることによって、磁性体32は、孔30G内の金eを介して磁性体39に接合される。このように、アーマチュア基板30の孔30G近傍のみを磁性体39に接合させることによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを孔30G近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。また、金eの代わりに金・錫合金(Au−Sn)を用いてもよい。 In this reference example , as shown in FIG. 16 (a), an armature substrate 30 having a circular hole 30G formed substantially at the center is placed on the upper surface of the magnetic body 32, and the magnetic body 32 opens below the hole 30G. In a state of covering the surface, spherical gold (Au) e is supplied into the hole 30E. A magnetic body 39 is disposed on the upper end of the gold e. Then, as shown in FIG. 15B, by applying heat, load, or both heat and load to the magnetic bodies 32 and 39 to melt or deform the gold e in the hole 30G, the magnetic body 32 becomes And bonded to the magnetic body 39 through the gold e in the hole 30G. In this way, by bonding only the vicinity of the hole 30G of the armature substrate 30 to the magnetic body 39, the thermal stress generated at the time of temperature change and high temperature due to the difference in thermal expansion coefficient between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 is increased in the vicinity of the hole 30G. Is only generated. That is, by generating only a part of the thermal stress, it is possible to prevent the armature block 3 from being deformed, such as warping and distortion, thereby preventing the damage. The junction between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 can be maintained when the temperature changes and when the temperature is high. Further, gold / tin alloy (Au—Sn) may be used instead of gold e.

参考例12
参考例のマイクロリレーは図17(a),(b)に示すように、参考例11のアーマチュア基板30の上面略中央に凹部30Hを形成して、凹部30H内に磁性体39を収納し、凹部30Hの底面の略中央に円形の孔30Gを穿設したものである。参考例11に比べて、アーマチュアブロック3の高さを低くでき、さらには磁性体32と磁性体39との間の距離を短くできるので、供給する金eの体積を小さくすることができる。また、金eの代わりに金・錫合金(Au−Sn)を用いてもよい。
( Reference Example 12 )
As shown in FIGS. 17A and 17B, the microrelay of this reference example has a recess 30H formed at the approximate center of the top surface of the armature substrate 30 of reference example 11 , and the magnetic body 39 is accommodated in the recess 30H. A circular hole 30G is formed in the approximate center of the bottom surface of the recess 30H. Compared to the reference example 11 , the height of the armature block 3 can be reduced, and further, the distance between the magnetic body 32 and the magnetic body 39 can be shortened, so that the volume of gold e to be supplied can be reduced. Further, gold / tin alloy (Au—Sn) may be used instead of gold e.

参考例13
参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 13 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the armature substrate 30 and the magnetic body 32, and the description of the same configuration as that of the reference example 1 is omitted.

参考例は、図18(a)に示すように、アーマチュア基板30をその両面方向から磁性体32および磁性体39で挟持する。ここで、磁性体32は対向するアーマチュア基板30の下面より大きく、磁性体39は対向するアーマチュア基板30の上面より大きい。そして、磁性体32の周縁部32Gおよび磁性体39の周縁部39BにレーザLによって高密度のエネルギーを照射することによって(図18(a)では、磁性体32の周縁部32Gへのレーザ照射を省略している)、図18(b)に示すように、アーマチュア基板30の側端部で、磁性体32の周縁部32Gと磁性体39の周縁部39Bとを接合させるとともに、周縁部32Gと周縁部39Bとをアーマチュア基板30の側端面に接合させる。このように、アーマチュア基板30の側端面のみを磁性体32,39の周縁部32G,39Bに接合させることによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスをアーマチュア基板30の側端面近傍、および磁性体32,39の周縁部32G,39B近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。 In this reference example , as shown in FIG. 18A, the armature substrate 30 is sandwiched between the magnetic body 32 and the magnetic body 39 from both sides. Here, the magnetic body 32 is larger than the lower surface of the facing armature substrate 30, and the magnetic body 39 is larger than the upper surface of the facing armature substrate 30. Then, by irradiating the peripheral portion 32G of the magnetic body 32 and the peripheral portion 39B of the magnetic body 39 with high density energy by the laser L (in FIG. 18A, laser irradiation to the peripheral portion 32G of the magnetic body 32 is performed. 18 (b), as shown in FIG. 18B, the peripheral edge portion 32G of the magnetic body 32 and the peripheral edge portion 39B of the magnetic body 39 are joined at the side end portion of the armature substrate 30, and the peripheral edge portion 32G The peripheral edge 39B is joined to the side end face of the armature substrate 30. In this way, by bonding only the side end surface of the armature substrate 30 to the peripheral portions 32G and 39B of the magnetic bodies 32 and 39, due to the difference in thermal expansion coefficient between the armature substrate 30 and the magnetic body 32, when the temperature changes and when the temperature is high. The generated thermal stress is generated only in the vicinity of the side end face of the armature substrate 30 and in the vicinity of the peripheral portions 32G and 39B of the magnetic bodies 32 and 39. That is, by generating only a part of the thermal stress, it is possible to prevent the armature block 3 from being deformed, such as warping and distortion, thereby preventing the damage. The junction between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 can be maintained when the temperature changes and when the temperature is high.

参考例14
参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30の構造、およびアーマチュア基板30と磁性体32との接合構造が参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 14 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 in the structure of the armature substrate 30 and the joining structure of the armature substrate 30 and the magnetic body 32, and the description of the same configuration as in the reference example 1 is omitted.

参考例は、図19(a)に示すように、矩形状のアーマチュア基板30の4つの角部30Iは、L字状の弾性部30Jを介して、アーマチュア基板30に接続されており、角部30Iは、弾性部30Jの伸縮に応じてその位置を変位可能としている。そして図19(b)に示すように、磁性体32は、アーマチュア基板30の各角部30Iに設けた接合部fに接合され、磁性体32の変位に応じて弾性部30Jが伸縮し、角部30Iも変位する。したがって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを弾性部30Jで吸収して、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形や、接合部の破壊を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。 In this reference example , as shown in FIG. 19A, the four corner portions 30I of the rectangular armature substrate 30 are connected to the armature substrate 30 via L-shaped elastic portions 30J. The part 30I can be displaced in accordance with the expansion and contraction of the elastic part 30J. Then, as shown in FIG. 19B, the magnetic body 32 is joined to the joint portion f provided at each corner portion 30I of the armature substrate 30, and the elastic portion 30J expands and contracts according to the displacement of the magnetic body 32, The part 30I is also displaced. Therefore, the elastic part 30J absorbs the thermal stress generated at the time of temperature change and high temperature due to the difference in the thermal expansion coefficient between the armature substrate 30 and the magnetic body 32, and the armature block 3 is deformed such as warp, distortion, etc. The breakage can be suppressed and the breakage can be prevented, and the bonding between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 can be maintained at the time of heating in the manufacturing process, at the time of ambient temperature change during use, and at a high temperature.

実施形態1
本実施形態のマイクロリレーは、アーマチュア基板30の構造、およびアーマチュア基板30と磁性体32との接合構造が参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Embodiment 1 )
The microrelay of this embodiment is different from the reference example 1 in the structure of the armature substrate 30 and the joining structure of the armature substrate 30 and the magnetic body 32, and the description of the same configuration as in the reference example 1 is omitted.

本実施形態は、図20(a)に示すように、矩形状のアーマチュア基板30の4つの角部30Iは、アーマチュア基板30と同一平面上でU字状に多数蛇行した蛇行部30Kを介して、アーマチュア基板30に接続されており、角部30Iは、蛇行部30Kの伸縮に応じてその位置を変位可能としており、蛇行部30Kを設けることによって伸縮可能距離を長くしている。そして図20(b)に示すように、磁性体32は、アーマチュア基板30の各角部30Iに設けた接合部fに接合され、磁性体32の変位に応じて蛇行部30Kが伸縮し、角部30Iも変位する。したがって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを蛇行部30Kで吸収して、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形や、接合部の破壊を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。   In the present embodiment, as shown in FIG. 20A, the four corners 30I of the rectangular armature substrate 30 are arranged via meandering portions 30K meandering in a U-shape on the same plane as the armature substrate 30. The corner portion 30I is displaceable in accordance with the expansion and contraction of the meandering portion 30K, and the extensionable distance is increased by providing the meandering portion 30K. Then, as shown in FIG. 20B, the magnetic body 32 is joined to the joint portion f provided at each corner portion 30I of the armature substrate 30, and the meandering portion 30K expands and contracts in accordance with the displacement of the magnetic body 32. The part 30I is also displaced. Therefore, the heat stress generated at the time of temperature change and high temperature due to the difference in thermal expansion coefficient between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 is absorbed by the meandering portion 30K, and deformation of the armature block 3 such as warpage, distortion, etc. The breakage can be suppressed and the breakage can be prevented, and the bonding between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 can be maintained at the time of heating in the manufacturing process, at the time of changing the ambient temperature in use, and at a high temperature.

参考例15
参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 15 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the armature substrate 30 and the magnetic body 32, and the description of the same configuration as that of the reference example 1 is omitted.

参考例は、図21に示すように、アーマチュア基板30と磁性体32とを重ね合わせ、その側端部をコの字状の挟持手段gによって上下方向に挟持するもので、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスが、アーマチュア基板30と磁性体32とに独立して発生するので、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。 In this reference example , as shown in FIG. 21, the armature substrate 30 and the magnetic body 32 are overlapped, and the side ends thereof are sandwiched vertically by the U-shaped sandwiching means g. The thermal stress generated at the time of temperature change and high temperature due to the difference in thermal expansion coefficient with the magnetic body 32 is generated independently on the armature substrate 30 and the magnetic body 32, so that the armature block 3 is prevented from warping, deformation and the like. Thus, the breakage can be prevented, and the bonding between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 can be maintained at the time of heating in the manufacturing process, at the time of ambient temperature change in use condition, and at a high temperature.

参考例16
参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 16 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the armature substrate 30 and the magnetic body 32, and the description of the same configuration as that of the reference example 1 is omitted.

参考例は、図22に示すように、アーマチュア基板30の下面に、メッキまたはスパッタによって部分的に複数の金属層30Mを形成し、金属層30Mの下面を磁性体32の上面に重ね合わせた状態で、金属層30Mに対向する磁性体32の下面にレーザを照射して、金属層30Mと磁性体32とを溶接することによって、磁性体32はアーマチュア基板30に接合される。このように、磁性体32をアーマチュア基板30に溶接することによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを金属層30Mで吸収して、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。 In this reference example , as shown in FIG. 22, a plurality of metal layers 30M are partially formed on the lower surface of the armature substrate 30 by plating or sputtering, and the lower surfaces of the metal layers 30M are overlaid on the upper surface of the magnetic body 32. In this state, the magnetic body 32 is joined to the armature substrate 30 by irradiating a laser on the lower surface of the magnetic body 32 facing the metal layer 30M and welding the metal layer 30M and the magnetic body 32. In this way, by welding the magnetic body 32 to the armature substrate 30, the metal layer 30M absorbs thermal stress generated at the time of temperature change and high temperature due to the difference in thermal expansion coefficient between the armature substrate 30 and the magnetic body 32, The armature block 3 and the magnetic body 32 can be prevented from being deformed by suppressing deformation such as warping and distortion of the armature block 3, and during heating in the manufacturing process, and when the ambient temperature changes in use and at high temperatures. Can hold the joint.

また、金属層30Mはアーマチュア基板30の下面に部分的に形成されているので、金属層30Mを全面的に形成した場合より、熱による応力の影響が小さく、アーマチュアブロック3の変形をより抑制することができる。   In addition, since the metal layer 30M is partially formed on the lower surface of the armature substrate 30, the influence of heat stress is less than when the metal layer 30M is formed entirely, and deformation of the armature block 3 is further suppressed. be able to.

参考例17
参考例のマイクロリレーは、アーマチュア基板30と磁性体32との接合構造のみが参考例1と異なるもので、参考例1と同様の構成は説明を省略する。
( Reference Example 17 )
The microrelay of this reference example is different from the reference example 1 only in the junction structure between the armature substrate 30 and the magnetic body 32, and the description of the same configuration as that of the reference example 1 is omitted.

参考例は、図23(a)に示すように、アーマチュア基板30の上面に部分的に複数の金属層30Nを形成し、アーマチュア基板30の下面を磁性体32の上面に重ねて配置する。そして、レーザLによって高密度のエネルギーを各金属層30Nに上方から照射することで、図23(b)に示すように、金属層30Nからアーマチュア基板30を介して磁性体32に至る溶融接合部hを生成して、アーマチュア基板30と磁性体32とを重ね合わせ溶接によって接合する。このように、各溶融接合部hのみを磁性体32の上面に接合することによって、アーマチュア基板30と磁性体32との熱膨張係数の違いにより温度変化時及び高温時に生じる熱ストレスを溶融接合部h近傍のみに発生させている。すなわち、熱ストレスを部分的に発生させるにとどめることにより、アーマチュアブロック3の反り、歪み等の変形を抑制して破損を防ぐことができ、製造工程での加熱時や、使用状態での周囲の温度変化時及び高温時において、アーマチュア基板30と磁性体32との接合を保持できる。 In this reference example , as shown in FIG. 23A, a plurality of metal layers 30N are partially formed on the upper surface of the armature substrate 30, and the lower surface of the armature substrate 30 is disposed on the upper surface of the magnetic body 32. Then, by irradiating each metal layer 30N with high-density energy from above by the laser L, as shown in FIG. 23B, a melt-bonded portion extending from the metal layer 30N to the magnetic body 32 via the armature substrate 30. h is generated, and the armature substrate 30 and the magnetic body 32 are joined by overlap welding. In this way, by bonding only each fusion bonding portion h to the upper surface of the magnetic body 32, the thermal stress generated at the time of temperature change and high temperature due to the difference in thermal expansion coefficient between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 is melted. It is generated only in the vicinity of h. That is, by generating only a part of the thermal stress, it is possible to prevent the armature block 3 from being deformed, such as warping and distortion, thereby preventing the damage. The junction between the armature substrate 30 and the magnetic body 32 can be maintained when the temperature changes and when the temperature is high.

また、各金属層30Nは、アーマチュア基板30の上面、すなわちフレーム31と略同一高さに形成されるので、各金属層30Nの形成作業が容易となる。さらに、アーマチュア基板30の上面側から溶接用のエネルギ−を照射するので、アーマチュア基板30の下面側に配置された磁性体32へ溶接加工時に与えるダメージを最小限に抑制することができる。   In addition, since each metal layer 30N is formed at substantially the same height as the upper surface of the armature substrate 30, that is, the frame 31, the forming operation of each metal layer 30N is facilitated. Furthermore, since the energy for welding is irradiated from the upper surface side of the armature substrate 30, damage to the magnetic body 32 disposed on the lower surface side of the armature substrate 30 can be suppressed to a minimum.

本発明の参考例1のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す図である。It is a figure which shows the junction structure of the armature board | substrate and magnetic body of the micro relay of the reference example 1 of this invention. 同上のマイクロリレーの構成を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the structure of a micro relay same as the above. 同上のマイクロリレーを下側からみた斜視図である。It is the perspective view which looked at the micro relay same as the above from the lower side. 同上のアーマチュアブロックを下側から見た分解斜視図である。It is the disassembled perspective view which looked at the armature block same as the above from the lower side. 同上のアーマチュアブロックを上側からみた図である。It is the figure which looked at the armature block same as the above from the upper side. 本発明の参考例2のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the joining structure of the armature board | substrate and magnetic body of the micro relay of the reference example 2 of this invention. 同上のアーマチュアブロックを下側からみた図である。It is the figure which looked at the armature block same as the above from the lower side. 本発明の参考例3のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す図である。It is a figure which shows the junction structure of the armature board | substrate and magnetic body of the micro relay of the reference example 3 of this invention. 本発明の参考例4のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す図であり、(a)は接合前の状態、(b)は接合後の状態を示す。It is a figure which shows the joining structure of the armature board | substrate and magnetic body of the micro relay of the reference example 4 of this invention, (a) shows the state before joining, (b) shows the state after joining. 本発明の参考例5のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す図であり、(a)は接合前の状態、(b)は接合後の状態を示す。It is a figure which shows the joining structure of the armature board | substrate of the micro relay of the reference example 5 of this invention, and a magnetic body, (a) shows the state before joining, (b) shows the state after joining. 本発明の参考例6のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す図であり、(a)は接合前の状態、(b)は接合後の状態を示す。It is a figure which shows the joining structure of the armature board | substrate and magnetic body of the micro relay of the reference example 6 of this invention, (a) shows the state before joining, (b) shows the state after joining. 本発明の参考例7のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す図であり、(a)は接合前の状態、(b)は接合後の状態を示す。It is a figure which shows the joining structure of the armature board | substrate and magnetic body of the micro relay of the reference example 7 of this invention, (a) shows the state before joining, (b) shows the state after joining. 本発明の参考例8のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す図である。It is a figure which shows the junction structure of the armature board | substrate and magnetic body of the micro relay of the reference example 8 of this invention. 本発明の参考例9のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す図であり、(a)は接合前の状態、(b)は接合後の状態を示す。It is a figure which shows the joining structure of the armature board | substrate and magnetic body of the micro relay of the reference example 9 of this invention, (a) shows the state before joining, (b) shows the state after joining. 本発明の参考例10のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す図であり、(a)は接合前の状態、(b)は接合後の状態を示す。It is a figure which shows the joining structure of the armature board | substrate and magnetic body of the micro relay of the reference example 10 of this invention, (a) shows the state before joining, (b) shows the state after joining. 本発明の参考例11のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す図であり、(a)は接合前の状態、(b)は接合後の状態を示す。It is a figure which shows the joining structure of the armature board | substrate and magnetic body of the micro relay of the reference example 11 of this invention, (a) shows the state before joining, (b) shows the state after joining. 本発明の参考例12のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す図であり、(a)は接合前の状態、(b)は接合後の状態を示す。It is a figure which shows the joining structure of the armature board | substrate and magnetic body of the micro relay of the reference example 12 of this invention, (a) shows the state before joining, (b) shows the state after joining. 本発明の参考例13のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す図であり、(a)は接合前の状態、(b)は接合後の状態を示す。It is a figure which shows the joining structure of the armature board | substrate and magnetic body of the micro relay of the reference example 13 of this invention, (a) shows the state before joining, (b) shows the state after joining. 本発明の参考例14のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す図であり、(a)は接合前の状態、(b)は接合後の状態を示す。It is a figure which shows the joining structure of the armature board | substrate and magnetic body of the micro relay of the reference example 14 of this invention, (a) shows the state before joining, (b) shows the state after joining. 本発明の実施形態1のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す図であり、(a)は接合前の状態、(b)は接合後の状態を示す。It is a figure which shows the joining structure of the armature board | substrate and magnetic body of the micro relay of Embodiment 1 of this invention, (a) shows the state before joining, (b) shows the state after joining. 本発明の参考例15のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す図である。It is a figure which shows the junction structure of the armature board | substrate and magnetic body of the micro relay of the reference example 15 of this invention. 本発明の参考例16のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す図である。It is a figure which shows the joining structure of the armature board | substrate and magnetic body of the micro relay of the reference example 16 of this invention. 本発明の参考例17のマイクロリレーのアーマチュア基板と磁性体との接合構造を示す図であり、(a)は全体図、(b)は一部拡大図を示す。It is a figure which shows the junction structure of the armature board | substrate and magnetic body of the micro relay of the reference example 17 of this invention, (a) is a general view, (b) shows a partially expanded view.

符号の説明Explanation of symbols

1 ボディ
2 電磁石装置
3 アーマチュアブロック
4 カバー
30 アーマチュア基板
32 磁性体
a 低融点ガラス
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Body 2 Electromagnet apparatus 3 Armature block 4 Cover 30 Armature board 32 Magnetic body a Low melting glass

Claims (1)

電磁石装置を備えたボディと、
シリコンから形成され、矩形板状の磁性体を備えてアーマチュアを構成する矩形状のアーマチュア基板およびこのアーマチュア基板の全周を包囲してアーマチュア基板を揺動自在に支持するフレームを一体に備えたアーマチュアブロックと、
上記アーマチュアの揺動により固定接点と可動接点とが接離する接点機構とを備え、
上記アーマチュア基板は、本体部と、この本体部と同一平面上で蛇行した蛇行部を介して本体部の四隅にそれぞれ接続される角部とを有し、当該角部は蛇行部の伸縮に応じてその位置を変位可能とし、
上記磁性体は、上記本体部および上記各角部と重ねて配置すると共に上記アーマチュア基板と上記磁性体とを上記各角部でのみ接合することを特徴とするマイクロリレー
A body with an electromagnet device;
An armature integrally formed with a rectangular armature substrate formed of silicon and having a rectangular plate-like magnetic body and constituting the armature, and a frame surrounding the entire circumference of the armature substrate and supporting the armature substrate in a swingable manner Block,
A contact mechanism in which the fixed contact and the movable contact are contacted and separated by the swing of the armature;
The armature substrate has a main body portion and corner portions connected to the four corners of the main body portion via meandering portions meandering on the same plane as the main body portion, and the corner portions correspond to expansion and contraction of the meandering portion. The position can be displaced,
The magnetic relay is disposed so as to overlap the main body and the corners, and the armature substrate and the magnetic body are joined only at the corners .
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