JP4094286B2 - Alignment method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アライメント方法に関するものである。更に詳しくは、多層配線板の製造において、層間の電気的接続と接着を行う際の、アライメント(位置合わせ)方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使用される半導体パッケージは、従来にも増して、益々小型化かつ多ピン化が進んできている。
【0003】
従来の回路基板はプリント配線板と呼ばれ、ガラス繊維の織布にエポキシ樹脂を含浸させた、ガラスエポキシ積層板に貼り付けられた銅箔をパターニングした後、複数枚重ねて積層接着し、ドリルで貫通穴を開けて、この穴の壁面に銅めっきを行ってビアを形成し、層間の電気接続を行った配線基板の使用が主流であった。しかし、搭載部品の小型化、高密度化が進み、上記の配線基板では配線密度が不足して、部品の搭載に問題が生じるようになってきている。
【0004】
このような背景により、近年、ビルドアップ多層配線板が採用されるようになっている。ビルドアップ多層配線板は、樹脂のみで構成される絶縁層と導体とを、積み重ねながら成形される。ビア形成方法としては、従来のドリル加工に代わって、レーザ法、プラズマ法、フォト法等多岐にわたり、小径のビアホールを自由に配置することで、高密度化を達成するものである。層間接続部としては、ブラインドビア(Blind Via)やバリードビア(Buried Via:ビアを導電体で充填した構造)等があり、ビアの上にビアを形成するスタックドビアが可能な、バリードビアホールが特に注目されている。バリードビアホールとしては、ビアホールをめっきで充填する方法と、導電性ペースト等で充填する場合とに分けられる。一方、導体回路を形成する方法として、銅箔をエッチングする方法(サブトラクティブ法)、電解銅めっきによる方法(アディティブ法)等があり、配線密度の高密度化に対応可能なアディティブ法が特に注目され始めている。
【0005】
ビルドアップ多層配線板の製造方法は、次の2方法に大別されている。
(1)コア基板をベースにして、絶縁層の形成、ビアの形成、および導体回路の形成を繰り返すことにより、ビルドアップ層を順次積層する方法(以下、シーケンシャル法と呼ぶ)
(2)ビルドアップ層を予め単独で形成しておき、コア基板に対して、ビルドアップ層をアライメントして積層することにより、ビルドアップ層を積層する方法(以下、パラレル法と呼ぶ)
【0006】
シーケンシャル法は、コア基板をベースとしてビルドアップ層を順次形成していくため、途中の工程で不良が発生した場合には、その時点で全てが不良となってしまうという問題点がある。また、製造を開始してから、製品を得られるまでの時間がかかるという問題もある。全ての工程を順次(シーケンシャルに)行う必要があり、ビルドアップ層の層数が増えれば増えるほど、この問題は顕著になるため、解決は困難である。
【0007】
一方、パラレル法は、ビルドアップ層を予め単独で形成しておくことができるため、形成したビルドアップ層に不良があってもその時点で検査・選別できる。そのため、ビルドアップ層の良品のみを選別し、積層(コア基板に対するアライメント積層)できるという利点がある。ただし、ビルドアップ層の積層で不良が発生した場合には、全製品が不良となることは避けられない。また、ビルドアップ層の形成と、ビルドアップ層の積層を並列して行うことができるため、製造を開始してから製品を得られるまでの時間は、シーケンシャル法ほど長くは無い。
【0008】
図5は、パラレル法におけるコア基板510とビルドアップ層512の、アライメント方法を示す概略図である。図5(a)を参考にして、ビルドアップ層512の構造を簡単に説明する。ビルドアップ層512の構造は、金属層501の表面に形成された導体回路504および第1のアライメントマーク520cと、それらを覆うように形成された絶縁層505と、絶縁層505を貫通する導体ポスト507と、導体ポスト507の表面に形成された接合用金属材料508と、絶縁層505および接合用金属材料層508を覆うように形成された接着剤層509から構成されている。コア基板510に対して、ビルドアップ層512のアライメント積層を行った後、最終的には、金属層501をエッチングにより除去する。なお、ビルドアップ層512には、導体回路504および第1のアライメントマーク520cを、エッチング液から保護するためにレジスト金属層503が形成されている。
【0009】
次に、アライメント(位置合わせ)方法について説明する。図5(b)に示すように、まず、コア基板510およびビルドアップ層512を、ステージ540bおよび吸着ツール540aに吸着し、それらの間に、上下を同時に認識できるCCD(電荷結合素子、イメージセンサー)530を配置する。続いて、コア基板510およびビルドアップ層512に設けられた、第2および第1のアライメントマーク520および520cを、CCD530で認識し、第2および第1のアライメントマーク520および520cが、所定の位置関係になるように(通常は位置が一致するように)、ステージ540bを移動させることにより、コア基板510の位置を調整する。さらに、コア基板510およびビルドアップ層512の間から、CCD530を移動させて取り除いた後、吸着ツール540aを下降させて、ビルドアップ層512をコア基板510の上に配置し、吸着を停止する。このような方法により、コア基板510とビルドアップ層512をアライメントすることができる。なお、上下を同時に認識できるCCD530を使用する理由は、ビルドアップ層512が金属層501を有しているために、ビルドアップ層512の背面(図面では上側)から第1のアライメントマーク520cを認識することができないからである。
【0010】
このような方法により、コア基板510とビルドアップ層512とをアライメントすることが可能である。アライメントが必要な理由を簡単に説明すると、導体ポスト507とランド550とを、位置ずれなく接続させるためである。基本的には、導体ポスト507の直径DPを、ランド550の直径DLより小さくしておき、ランド550上に確実に導体ポスト507が接続されるようにする。このときの位置合せ許容誤差は、±(DL−DP)/2である。ただし、この位置合せ許容誤差は、導体ポスト507およびランド550が適正な位置に形成されていることを前提としている。したがって、導体ポスト507が何らかの原因で適正な位置とは異なる位置に形成されている場合、すなわち、予め導体ポスト507の位置がずれている場合には、位置合せ許容誤差が上記の値よりも小さくなる。具体的には、コア基板510とビルドアップ層512とが正確に位置合せされた場合に、導体ポスト507の中心がランド550の中心よりも外側に寄った状態となる。この場合の位置合せ許容誤差は、寄った側に小さい値となり、その反対側は大きい値となる。したがって、位置合せ装置に要求される位置合せ許容誤差は、その小さい方の値になることは当然である。
【0011】
図5に示したアライメント方法は、第1のアライメントマーク520cと第2のアライメントマーク520が所定の位置関係になるように、コア基板510の位置を調整する方法であるため、導体ポスト507が適正な位置に形成されているか否かを考慮しておらず、結果的に、位置合せ許容誤差がより厳しい(小さな)値となってしまうという問題点がある。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、多層配線板の製造における、コア基板とビルドアップ層のアライメント方法の、このような現状の問題点に鑑み、精度の高いアライメント方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、(1) 絶縁層から一方の面を露出するように該絶縁層中に埋め込まれた導体回路の、露出面と反対側の面上に、導体ポストおよびアライメント用導体ポストが該絶縁層を貫通して形成された接続層と、アライメントマークが形成された被接続層とを、アライメント用導体ポストおよびアライメントマークをCCDにて認識し、アライメント用導体ポストとアライメントマークとが所定の位置関係になるように、接続層または被接続層の位置を移動・調整することにより、接続層と被接続層とをアライメントするアライメント方法であって、前記導体回路が露出している面とは反対側の絶縁層表面、および、導体ポストとアライメント用導体ポストの表面が、接着剤層で覆われていることを特徴とするアライメント用導体ポスト、
(2)前記(1)項記載のアライメント用導体ポストを用いてアライメントするアライメント方法、
(3) 金属層を電解めっき用リードとして、電解めっきにより導体回路を形成する工程と、該導体回路の上に絶縁層を形成する工程と、該絶縁層に導体回路の一部が露出するようにビアを形成する工程と、前記金属層を電解めっき用リードとして、前記導体回路上に電解めっきにより導体ポストおよびアライメント用導体ポストを形成する工程とを経て得られる接続層と、アライメントマークが形成された被接続層とを、アライメント用導体ポストおよびアライメントマークをCCDにて認識し、アライメント用導体ポストとアライメントマークとが所定の位置関係になるように、接続層または被接続層の位置を移動・調整することにより、接続層と被接続層とをアライメントするアライメント用導体ポストの形成方法であって、前記絶縁層の導体回路が露出している面とは反対側の表面、導体ポストおよびアライメント用導体ポストの表面に、接着剤層を形成する工程を含むことを特徴とするアライメント用導体ポストの形成方法、
(4) 金属層をエッチングにより除去する工程を含む、前記第(3)項記載のアライメント用導体ポストの形成方法、
である。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれによって何ら限定されるものではない。図1〜図2は、本発明の実施形態で用いる接続層の製造方法の一例を説明するための図で、図2(h)、(h’)、(i)、(i’)は得られる接続層の構造を示す断面図である。
【0015】
本発明に用いる接続層113の製造方法のとしては、まず、金属層(金属板又は金属箔)101上に、パターニングされためっきレジスト102を形成する(図1(a))。このめっきレジスト102は、例えば、金属層101上に紫外線感光性のドライフィルムレジストをラミネートし、ネガフィルム等を用いて選択的に感光し、その後現像することにより形成できる。
金属層101の材質は、この製造方法に適するものであればどのようなものでも良いが、特に、使用される薬液に対して耐性を有するものであって、最終的にエッチングにより除去可能であることが必要である。そのような金属層101の材質としては、例えば、銅、銅合金、42合金、ニッケル等が挙げられる。
【0016】
次に、金属層101を電解めっき用リード(給電用電極)として、電解めっきによりレジスト金属層103を形成する(図1(b))。この電解めっきにより、金属層101上のめっきレジスト102が形成されていない部分に、レジスト金属層103が形成される。また、この時、接続層を積層する際に用いるアライメント用導体ポストに相対するアライメントを設ける。
レジスト金属層103の材質は、この製造方法に適するものであればどのようなものでも良いが、特に、最終的に金属層101をエッチングにより除去する際に使用する、薬液に対して耐性を有することが必要である。レジスト金属層103の材質としては、例えば、ニッケル、金、錫、銀、半田、パラジウム等が挙げられる。なお、レジスト金属層103を形成する目的は、金属層101をエッチングする際に使用する薬液により、図1(c)に示す導体回路104が、浸食・腐食されるのを防ぐことである。したがって、金属層101をエッチングする際に使用する薬液に対して、図1(c)に示す導体回路104が耐性を有している場合は、このレジスト金属層103は不要である。この時、接続層を積層する際に用いるアライメント用導体ポストに相対するアライメントは、次の導体回路形成工程に於いて設ける。
【0017】
次に、金属層101を電解めっき用リード(給電用電極)として、電解めっきにより導体回路104を形成する(図1(c))。この電解めっきにより、金属層101上のめっきレジスト102が形成されていない部分に、導体回路104が形成される。
導体回路104の材質としては、この製造方法に適するものであればどのようなものでも良いが、特に、最終的にレジスト金属層103をエッチングにより除去する際に使用する、薬液に対して耐性を有することが必要である。実際には、導体回路104を浸食・腐食しない薬液でエッチング可能な、レジスト金属層103を選定するのが得策である。導体回路104の材質としては、例えば、銅、ニッケル、金、錫、銀、パラジウム等が使用できるが、特に銅を用いれば、低抵抗で安定した導体回路104が得られ、好ましい。
【0018】
次に、めっきレジスト102を除去し(図1(d))、続いて、形成した導体回路104上に、絶縁層105を形成する(図1(e))。絶縁層105を構成する樹脂は、この製造方法に適するものであればどのようなものでも使用できる。また、絶縁層105の形成は、使用する樹脂に応じて適した方法で良く、樹脂ワニスを印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗布したり、ドライフィルムタイプの樹脂を真空ラミネート、真空プレス等の方法で積層する方法が挙げられる。特に、市販されている樹脂付銅箔は入手が容易であり、真空ラミネートにより導体回路104の凹凸を埋め込みながら成形し、最後に銅箔をエッチングすれば、絶縁層105の表面が導体回路104の凹凸に影響されることなく、非常に平坦になる。また、絶縁層105の表面には銅箔表面の微細な粗化形状が転写されるため、図2(i)に示す接着剤層109との密着性を確保することができる。
【0019】
次に、形成した絶縁層105に、ビア106を形成する(図1(f))。ビア106の形成方法は、この製造方法に適する方法であればどのような方法でも良く、レーザー、プラズマによるドライエッチング、ケミカルエッチング等が挙げられる。また、絶縁層105を感光性樹脂とした場合には、絶縁層105を選択的に感光し、現像することでビア106を形成することもできる。
【0020】
次に、金属層101を電解めっき用リード(給電用電極)として、電解めっきにより導体ポスト107およびアライメント用導体ポスト120aを形成する(図2(g))。この電解めっきにより、絶縁層105のビア106が形成されている部分に、導体ポスト107およびアライメント用導体ポスト120aが形成される。電解めっきにより導体ポスト107を形成すれば、導体ポスト107の先端の形状を自由に制御することができる。
導体ポスト107の材質としては、この製造方法に適するものであればどのようなものでも良く、例えば、銅、ニッケル、金、錫、銀、パラジウム等が使用でき、特に銅を用いれば、低抵抗で安定した導体ポスト107が得られ、好ましい。なお、アライメント用導体ポスト120aの形状・構造・材質は、基本的には導体ポスト107と同じであるが、ここでは、アライメントに用いる導体ポスト(アライメント用導体ポスト120a)を層間接続に用いる導体ポスト(導体ポスト107)とを区別して記載している。
【0021】
次に、導体ポスト107の表面(先端)に、接合用金属材料層108を形成する(図2(h))。接合用金属材料層108の形成方法としては、無電解めっきにより形成する方法、金属層101を電解めっき用リード(給電用電極)として電解めっきにより形成する方法、接合用金属材料を含有するペーストを印刷する方法が挙げられる。印刷による方法では、印刷用マスクを導体ポスト107に対して精度良く位置合せする必要があるが、無電解めっきや電解めっきによる方法では、導体ポスト107の表面以外に接合用金属材料層108が形成されることがないため、導体ポスト107の微細化・高密度化にも対応しやすい。特に、電解めっきによる方法では、無電解めっきによる方法よりも、めっき可能な金属が多種多様であり、また薬液の管理も容易であるため、非常に好適である。
接合用金属材料層108の材質としては、図3および図4に示す被接続層310、410と金属接合可能な金属であればどのようなものでもよく、例えば、半田が挙げられる。半田の中でも、SnやIn、もしくはSn、Ag、Cu、Zn、Bi、Pd、Sb、Pb、In、Auの少なくとも二種からなる半田を使用することが好ましい。より好ましくは、環境に優しいPbフリー半田である。なお、上述の通り、アライメント用導体ポスト120aは導体ポスト107と同じ形状・構造・材質であるため、アライメント用導体ポスト120aの表面にも接合用金属材料層108が形成される。
【0022】
次に、絶縁層105の表面に、接着剤層109を形成する(図2(i))。接着剤層109の形成は、使用する樹脂に応じて適した方法で良く、樹脂ワニスを印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗布したり、ドライフィルムタイプの樹脂を真空ラミネート、真空プレス等の方法で積層する方法が挙げられる。なお、図2(i)では、絶縁層105の表面に接着剤層109を形成する例を示したが、被接続層310、410の表面に接着剤層109を形成しても構わない。もちろん、絶縁層105と被接続層310、410の両表面に形成しても構わない。
【0023】
次に、金属層101をエッチングにより除去する(図2(i’))。これにより絶縁層105に埋め込まれた導体回路が露出し、ランド114およびアライメントマーク130aを形成することができる。金属層101と導体回路104との間には、レジスト金属層103が形成されており、そのレジスト金属層103は、金属層101をエッチングにより除去する際に使用する薬液に対して耐性を有しているため、金属層101をエッチングしても、レジスト金属層103がエッチングされることはなく、導体回路104もエッチングされることはない。金属層101の材質が銅、レジストの材質がニッケル、錫または半田の場合、市販のアンモニア系エッチング液を使用することができる。金属層101の材質が銅、レジスト金属層103の材質が金の場合、塩化第二鉄溶液、塩化第二銅溶液を含め、ほとんどのエッチング液を使用することができる。接続層を積層する際に用いるアライメント用導体ポストに相対するアライメントは、この時、設けても良い。
【0024】
これまでに、詳細に説明した図1(a)〜図2(i’)に示す工程により、本発明に用いる接続層(110,111,112,113)を得ることができる。なお、図2(h’)に示された接続層111は、図2(h)に示された接続層110の金属層101をエッチングして得られる。
【0025】
続いて、本発明によるアライメント方法について、図3を参考にして詳細に説明する。図3は、図1(a)〜図2(i’)に示す工程により得られる接続層(説明を容易にするため、第1の接続層113a、第2の接続層113bと呼ぶ)と被接続層310との、アライメント方法を説明するための断面図である。
【0026】
第1の接続層113aには、上述のように、導体ポスト107と同様の工程で得られる、アライメント用導体ポスト120aが形成されている。一方、被接続層310にも、導体ポスト107およびアライメント用導体ポスト120aと対応する位置に、ランド350およびアライメントマーク320が形成されている。被接続層310には、一般的な両面プリント配線板を使用することができるため、詳細な説明は省略する。被接続層310として一般的な両面プリント配線板を用いる場合には、銅箔を選択的にエッチングすることにより、ランド350およびアライメントマーク320を容易に形成することができる。
【0027】
第1の接続層113aと被接続層310のアライメント方法は、次に示す通りである。まず、図3(a)に示すように、第1の接続層113aおよび被接続層310を、吸着ツール340aおよびステージ340bに吸着し、それらの間に、上下を同時に認識できるCCD(電荷結合素子、イメージセンサー)330を配置する。続いて、被接続層310および第1の接続層113aに設けられた、アライメントマーク320およびアライメント用導体ポスト120aを、CCD330で認識し、アライメントマーク320およびアライメント用導体ポスト120aが、所定の位置関係になるように(通常は位置が一致するように)、ステージ340bを移動させることにより、被接続層310の位置を調整する。さらに、被接続層310および第1の接続層113aの間から、CCD330を移動させて取り除いた後、吸着ツール340aを下降させて、第1の接続層113aを被接続層310の上に配置し、圧着または仮圧着する。このような方法により、被接続層310と第1の接続層113aをアライメントすることができる。
【0028】
次に、前記と同様の方法により、第1の接続層113aと第2の接続層113bのアライメントを行う(図3(b))。ステージ340bには、前記の方法により形成された、被接続層311(被接続層310と第1の接続層113aにより構成される)を吸着させ、吸着ツール340aには第2の接続層113bを吸着させる。CCD330を設置した後、第1の接続層113aおよび第2の接続層113bに設けられた、アライメントマーク130aおよびアライメント用導体ポスト120bを所定の位置関係となるように(通常は位置が一致するように)、ステージ340bを移動させ位置を調節する。そして、CCD330を移動させ、取り除いた後、吸着ツール320aを下降させて第2の接続層113bを第1の接続層113aの上に配置し、圧着または仮圧着を行う。このような方法により、第1の接続層113aと第2の接続層113bをアライメントすることができ、被接続層310と第1および第2の接続層112aおよび113bからなる多層配線板を完成させることができる。さらに積層する場合は、前記と同様のアライメントを繰り返せばよい。また、図3では、被接続層310の片面のみのアライメント方法を示しているが、両面でも構わない。
【0029】
なお、これまで、図2(i’)に示す接続層113を用いたアライメント方法について詳細に説明してきたが、図2(h)、図2(h’)、図2(i)に示す接続層110,111,112についても、同じアライメント方法を用いることができる。例えば、ハンドリング性を向上させるため、上記アライメント方法の例において、接続層113を、接続層112に代えても良く、その際には、接続層112と被接続層310を、アライメントし、圧着または仮圧着した後に、金属層101をエッチングにより除去する。また、接続層110および接続層111を用いる場合は、被接続層側に接着剤層を形成した後、アライメントし、圧着または仮圧着する方法などが挙げられる。
【0030】
位置合せ許容誤差について考えると、導体ポスト107の直径をDP、ランド350の直径をDLとすると、±(DL−DP)/2となる。何らかの原因で導体ポスト107が適正な位置とは異なる位置に形成されたとしても、アライメント用導体ポスト120aも導体ポスト107の形成と同じ工程で形成されるため、アライメント用導体ポスト120aも同様な位置ずれを有している。本発明のアライメント方法では、アライメント用導体ポスト120aとアライメントマーク320とを用いてアライメントするため、位置合せ装置に要求される位置合せ許容誤差は、導体ポスト107の位置ずれに関係なく、±(DL−DP)/2となる。この点が本発明のアライメント方法の最大の特長である。
【0031】
なお、図3においては上下を同時に認識できるCCD330を用いたが、図4に示すように、一方向のみを認識できるCCD430を数個(図4では4個)用いても良い。図1(a)〜図2(i’)に示す工程により得られる接続層113cのアライメント用導体ポスト120cおよび、被接続層410のアライメントマーク420を認識した後、ステージ440bを矢印のように移動させることにより、被接続層410の位置を調整して、アライメントする方法を採用しても良い。
【0032】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明により、接続層と被接続層との位置合せ許容誤差をより大きくすることができるため、本発明のアライメント方法を用いることにより、多層配線板の製造における位置合せ歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に用いる接続層の製造方法の一例を示す断面図である。
【図2】 本発明に用いる接続層の製造方法の一例を示す断面図である(図1の続き)。
【図3】 本発明のアライメント方法の一例を示す断面図である。
【図4】 本発明のアライメント方法の他の一例を示す断面図である。
【図5】 従来のアライメント方法の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
101,501 金属層
102 めっきレジスト
103,503 レジスト金属層
104,504 導体回路
105,505 絶縁層
106 ビア
107,507 導体ポスト
108,508 接合用金属材料層
109,509 接着剤層
110,111,112,113,113c 接続層
114 ランド
112a,512 ビルドアップ層
113a 第1の接続層
113b 第2の接続層
120a,120b,120c アライメント用導体ポスト
130a,320,420,520c アライメントマーク
310,311,410 被接続層
330,430,530 CCD
340a,440a,540a 吸着ツール
340b,440b,540b ステージ
510 コア基板
520 第2のアライメントマーク[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an alignment method. More specifically, the present invention relates to an alignment method when performing electrical connection and adhesion between layers in the production of a multilayer wiring board.
[0002]
[Prior art]
In recent years, with the demand for higher functionality and lighter, thinner and smaller electronic devices, high-density integration and further high-density mounting of electronic components have progressed. Semiconductor packages used in these electronic devices have been In addition to this, the size and number of pins are becoming increasingly smaller.
[0003]
A conventional circuit board is called a printed wiring board. After patterning a copper foil affixed to a glass epoxy laminate with a glass fiber woven fabric impregnated with epoxy resin, a plurality of layers are laminated and bonded, and a drill In general, the use of a wiring board in which a through hole is made, copper is plated on the wall surface of the hole to form a via, and electrical connection between layers is made has been the mainstream. However, with the progress of miniaturization and high density of mounted components, the above wiring board has insufficient wiring density, and problems have arisen in mounting components.
[0004]
Due to such a background, in recent years, build-up multilayer wiring boards have been adopted. The build-up multilayer wiring board is formed by stacking insulating layers and conductors made of only resin. As a method for forming vias, in place of conventional drilling, various methods such as laser method, plasma method, photo method, etc. are used, and small-diameter via holes are freely arranged to achieve high density. As interlayer connection parts, there are blind vias and burried vias (Buried Via: a structure in which vias are filled with a conductor) and the like, and burried via holes capable of forming stacked vias on vias are particularly noticeable. Has been. The burred via hole is divided into a method of filling the via hole with plating and a case of filling with a conductive paste or the like. On the other hand, as a method of forming a conductor circuit, there are a method of etching a copper foil (subtractive method), a method by electrolytic copper plating (additive method), etc., and an additive method that can cope with a higher wiring density is particularly noted. Being started.
[0005]
Manufacturing methods of build-up multilayer wiring boards are roughly divided into the following two methods.
(1) A method of sequentially laminating buildup layers by repeating the formation of insulating layers, vias, and conductor circuits based on a core substrate (hereinafter referred to as a sequential method).
(2) A method of laminating a buildup layer by forming a buildup layer alone in advance and aligning and stacking the buildup layer on the core substrate (hereinafter referred to as a parallel method).
[0006]
In the sequential method, since build-up layers are sequentially formed on the basis of a core substrate, there is a problem that if a failure occurs in an intermediate process, all of them become defective at that point. There is also a problem that it takes a long time from the start of production until a product is obtained. All the steps need to be performed sequentially (sequentially), and as the number of buildup layers increases, this problem becomes more prominent and is difficult to solve.
[0007]
On the other hand, in the parallel method, since the buildup layer can be formed alone in advance, even if the formed buildup layer has a defect, it can be inspected and selected at that time. Therefore, there is an advantage that only non-defective products of the buildup layer can be selected and stacked (alignment stacking with respect to the core substrate). However, if a failure occurs in the build-up layer, it is inevitable that all products are defective. In addition, since the build-up layer can be formed and the build-up layers can be stacked in parallel, the time from the start of production to obtaining a product is not as long as the sequential method.
[0008]
FIG. 5 is a schematic view showing an alignment method of the
[0009]
Next, an alignment (positioning) method will be described. As shown in FIG. 5B, first, a
[0010]
By such a method, the
[0011]
The alignment method shown in FIG. 5 is a method of adjusting the position of the
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to provide a highly accurate alignment method in view of such a current problem of the alignment method of a core substrate and a buildup layer in the production of a multilayer wiring board.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
That is, the present invention is as follows: (1) A conductor post and an alignment conductor post are disposed on a surface opposite to the exposed surface of a conductor circuit embedded in the insulating layer so that one surface is exposed from the insulating layer. The connecting layer formed through the insulating layer and the connected layer on which the alignment mark is formed are recognized by the CCD with the alignment conductor post and the alignment mark, and the alignment conductor post and the alignment mark are predetermined. Align the connection layer and the connected layer by moving and adjusting the position of the connection layer or the connected layer so that An alignment method comprising: The surface of the insulating layer opposite to the surface where the body circuit is exposed, and the surfaces of the conductor posts and alignment conductor posts are covered with an adhesive layer. It is characterized by Conductor post for alignment,
( 2 ) Item (1) Alignment method using alignment conductor post as described,
( 3 ) Using a metal layer as a lead for electrolytic plating, forming a conductor circuit by electrolytic plating, forming an insulating layer on the conductor circuit, and vias so that a part of the conductor circuit is exposed to the insulating layer And a connection layer obtained through a step of forming a conductor post and an alignment conductor post by electrolytic plating on the conductor circuit, using the metal layer as an electroplating lead, and an alignment mark was formed The conductor post for alignment and the alignment mark are recognized by the CCD with respect to the connected layer, and the position of the connecting layer or the connected layer is moved and adjusted so that the alignment conductor post and the alignment mark are in a predetermined positional relationship. By doing so, the connection layer and the connected layer are aligned. A method for forming an alignment conductor post, comprising: Including a step of forming an adhesive layer on the surface of the insulating layer opposite to the surface where the conductor circuit is exposed, on the surface of the conductor post and the alignment conductor post. It is characterized by A method for forming a conductor post for alignment;
( 4 ) Including the step of removing the metal layer by etching; 3 ) Entry A method for forming the alignment conductor post,
It is.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. 1 to 2 are diagrams for explaining an example of a method for manufacturing a connection layer used in the embodiment of the present invention. FIGS. 2 (h), (h ′), (i), and (i ′) are obtained. It is sectional drawing which shows the structure of the connection layer obtained.
[0015]
As a method of manufacturing the
The material of the
[0016]
Next, a resist
The material of the resist
[0017]
Next, the
The material of the
[0018]
Next, the plating resist 102 is removed (FIG. 1D), and then an insulating
[0019]
Next, a via 106 is formed in the formed insulating layer 105 (FIG. 1F). Any method may be used for forming the via 106 as long as it is suitable for this manufacturing method, and examples thereof include dry etching by laser and plasma, chemical etching, and the like. Further, when the insulating
[0020]
Next, using the
The material of the
[0021]
Next, the bonding
The material of the bonding
[0022]
Next, an
[0023]
Next, the
[0024]
The connection layers (110, 111, 112, 113) used in the present invention can be obtained by the steps shown in FIGS. 1 (a) to 2 (i ′) described in detail so far. Note that the
[0025]
Next, the alignment method according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. FIG. 3 shows a connection layer (referred to as a
[0026]
As described above, the
[0027]
The alignment method of the
[0028]
Next, the
[0029]
Heretofore, the alignment method using the
[0030]
Considering the alignment tolerance, assuming that the diameter of the
[0031]
In FIG. 3, the
[0032]
【The invention's effect】
As is apparent from the above description, the present invention can increase the alignment tolerance between the connection layer and the connected layer, and therefore, by using the alignment method of the present invention, The alignment yield can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a method for producing a connection layer used in the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a method for producing a connection layer used in the present invention (continuation of FIG. 1).
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of the alignment method of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing another example of the alignment method of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a conventional alignment method.
[Explanation of symbols]
101,501 metal layer
102 Plating resist
103,503 resist metal layer
104,504 conductor circuit
105,505 Insulating layer
106 Via
107,507 Conductor post
108,508 Metal material layer for bonding
109,509 Adhesive layer
110, 111, 112, 113, 113c Connection layer
114 rand
112a, 512 Build-up layer
113a First connection layer
113b Second connection layer
120a, 120b, 120c Alignment conductor post
130a, 320, 420, 520c Alignment mark
310, 311, 410 Connected layer
330, 430, 530 CCD
340a, 440a, 540a Adsorption tool
340b, 440b, 540b stages
510 core substrate
520 Second alignment mark
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