JP4257232B2 - Defective chip marking method and defective chip marking apparatus - Google Patents
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Description
この発明は、不良チップマーキング方法及び不良チップマーキング装置に係り、詳しくは、半導体チップの電気特性の検査で判定した半導体ウエハ上の不良チップに不良マークを印字する不良チップマーキング方法及び不良チップマーキング装置に関する。 The present invention relates to a defective chip marking method and a defective chip marking apparatus, and more specifically, a defective chip marking method and a defective chip marking apparatus for printing a defective mark on a defective chip on a semiconductor wafer determined by inspection of electrical characteristics of a semiconductor chip. About.
半導体ウエハ上の不良チップへの不良マークの印字は、従来より、プローバ及びLSIテスタ等で構成される半導体チップ検査装置により各チップの電気特性を測定してその良品/不良品の検査を行った後に、同じ半導体チップ検査装置に備えられている不良マーキング手段を通して行われてきたが、最近では、半導体チップ検査装置とは切り離された専用のマーキング装置で行われるようになってきている。これは、最近のLSI製品の高機能化あるいはシステム化に伴って、半導体チップ検査装置を構成するLSIテスタあるいはプローバ等が高価になり、半導体チップ検査装置のランニングコストが上昇してきたためである。このように半導体チップ検査装置から不良マーキング手段を切り離すことで、半導体チップ検査装置は上記良品/不良品の検査のためにのみ稼動しその稼働効率が向上しその生産性が向上するようになる。なお、この不良チップマーキング工程を経た半導体ウエハはダイシングされ、良品チップのみ組立実装工程に送られてLSI製品となる。 Conventionally, defective marks are printed on defective chips on a semiconductor wafer by measuring the electrical characteristics of each chip using a semiconductor chip inspection apparatus composed of a prober, an LSI tester, and the like to inspect the non-defective / defective products. Later, it has been performed through defective marking means provided in the same semiconductor chip inspection apparatus, but recently, it has been performed by a dedicated marking apparatus separated from the semiconductor chip inspection apparatus. This is because the LSI tester or prober constituting the semiconductor chip inspection apparatus has become expensive with the recent increase in functionality or systemization of LSI products, and the running cost of the semiconductor chip inspection apparatus has increased. By separating the defective marking means from the semiconductor chip inspection device in this way, the semiconductor chip inspection device is operated only for the inspection of the non-defective product / defective product, its operating efficiency is improved, and its productivity is improved. The semiconductor wafer that has undergone the defective chip marking process is diced, and only good chips are sent to the assembly and mounting process to become LSI products.
上述した専用マーキング装置を用いた従来の不良チップのマーキング方法では、半導体チップ検査装置において電子情報化したMAPデータ、例えば半導体ウエハ上での良品/不良品データ、不良チップの位置座標データ、各チップの品質データ等に基づき、半導体ウエハ上の不良チップに不良マークを印字していく。 In the conventional defective chip marking method using the dedicated marking device described above, the MAP data converted into electronic information in the semiconductor chip inspection device, for example, non-defective / defective product data on the semiconductor wafer, position coordinate data of the defective chip, each chip The defect mark is printed on the defective chip on the semiconductor wafer based on the quality data.
図6は、従来の不良チップのマーキング方法を示すための概略斜視図であり、図7は、同不良チップのマーキング方法をさらに詳細に説明するための半導体ウエハの平面図である。図6に示すように、吸着テーブル101上に半導体ウエハ102を載置する。ここで、半導体ウエハ102には半導体チップ103が多数個形成されている。そして、上記吸着テーブル101は、図中の矢印のX方向およびY方向に順次に移動し、上述したMAPデータに基づき、不良チップの座標位置に来た時にのみマーカ104でもってその不良チップに不良マーク105を印す。この不良マーク105は、スクラッチ、インク打点、あるいは最近ではレーザマーキングで印字される。
FIG. 6 is a schematic perspective view for illustrating a conventional defective chip marking method, and FIG. 7 is a plan view of a semiconductor wafer for explaining the defective chip marking method in more detail. As shown in FIG. 6, the
図7においては、あたかもマーカ104が半導体ウエハ102上を移動し走査しているように図示している。実際は図6で説明したように、吸着テーブル101がX方向からY方向へと移動するものであり、図7では、上記マーカ104の走査は、吸着テーブル101の移動により、図中に一点鎖線で示したように第一行の一番端の半導体チップAから開始して、その行のもう一方の端のチップまで順次にラスタスキャンし不良マーク105を印字していく。ここで、この行方向を主方向とし、それに垂直な方向を従方向とすると、上記の行のすべての半導体チップ103の走査及び不良マークの印字が終了したら、次の行の半導体チップを前行と逆の主方向に端から順次にラスタスキャンするという具合にして、隣接する行で交互に逆の方向の順序で半導体チップ上を走査及び印字しながら、従方向に走査する行を変化させてすべての半導体チップ上の走査及び不良マーク印字をする。
In FIG. 7, the
しかし、このようなラスタスキャンによる不良チップのマーキング方法では、そのマーク印字のために半導体チップの検査時と同様の移動が必要となり、不良チップのマーキング工程で要する時間が長くなるという問題がある。特に、これは、半導体ウエハが例えば300mmφと大口径化になるとより顕在化する。 However, in such a defective chip marking method by raster scanning, the same movement as in the inspection of the semiconductor chip is necessary for the mark printing, and there is a problem that the time required for the defective chip marking process becomes long. In particular, this becomes more apparent when the semiconductor wafer has a large diameter of, for example, 300 mmφ.
そこで、上記不良マークの印字時間を短縮する方法として図8に示すような印字方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。図8は、複数個のマーカを用いたマーキング方法を示すための概略斜視図である。この方法では、複数個のマーカでもって同時に不良マークの印字を行う。図8に示すように、支持部106でY方向に配列した複数個のマーカ104を支持し、先ず初めに、半導体ウエハ102のX方向の第一列の半導体チップ103がマーカ104の配列に一致する位置まで吸着テーブル101を移動させる。そして、半導体ウエハ102を−X方向に半導体チップの配列ピッチ距離だけ移動させ、上述した半導体チップ検査装置からのMAPデータ情報に基づき、不良チップ位置のマーカのみを作動させ、複数個の不良マーク105を同時に印字していく。そして、この操作を順次に繰り返して行いすべての半導体チップ上の不良チップに不良マーク印字をする。
確かに、この複数個配列したマーカを用いた不良チップのマーキング方法によれば、上述したラスタスキャンによる不良チップのマーキング方法に比べて不良チップのマーキング工程で要する時間は短縮する。しかしながら、この場合には、専用マーキング装置に複数個の不良マークを同時印字するためのメカニカル機構が必要になりマーキング装置が高価なものになってくる。その上に上記メカニカル機構を駆動するための新たなソフトウエアが必要になる。そして、これらのためにマーキング装置のランニングコストが大幅に上昇し、専用マーキング装置を用いた不良チップのマーキング処理の工程が高コストになってくるという問題があった。 Certainly, according to the defective chip marking method using the plurality of arranged markers, the time required for the defective chip marking process is shortened compared to the defective chip marking method by the raster scan described above. However, in this case, a mechanical mechanism for simultaneously printing a plurality of defective marks on the dedicated marking device is required, and the marking device becomes expensive. Moreover, new software for driving the mechanical mechanism is required. For these reasons, the running cost of the marking device is greatly increased, and the defective chip marking process using the dedicated marking device is expensive.
また、多品種のLSI製品を同一のマーキング装置でマーキング処理する場合に、LSI製品により半導体チップのサイズが種々に異なってくるために、それに合わせて複数個のマーカ間隔を自在に変えなければならなくなる。このマーカ間隔の自在な変更は、マーカの更に高度なメカニカル機構およびその駆動機構を必要としてくる。このため、多品種のLSI製品を安価なマーキング装置でマーキング処理しうることが困難になるという問題があった。 In addition, when marking various types of LSI products with the same marking device, the size of the semiconductor chip varies depending on the LSI product, so the interval between multiple markers must be changed accordingly. Disappear. This flexible change of the marker interval requires a more advanced mechanical mechanism of the marker and its driving mechanism. For this reason, there is a problem that it is difficult to perform a marking process on a wide variety of LSI products with an inexpensive marking device.
また、スクラッチあるいはインク打点の場合には、複数個のマーカのノズル等の高さを高精度に均一になるように調整することが必須になり、マーキング装置の稼動および管理が煩雑になるという問題があった。更に、マーカ間隔の縮小化においてメカニカルな限界が元々あるために、半導体チップのサイズが小さくなると、それに対応できなくなるという問題も生じてくる。 Further, in the case of scratching or ink hitting, it is essential to adjust the height of the nozzles of a plurality of markers so that they are uniform with high precision, and the operation and management of the marking device becomes complicated. was there. Furthermore, since there is a mechanical limit in reducing the marker interval, there is a problem that if the size of the semiconductor chip is reduced, it cannot be dealt with.
この発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、不良チップのマーキング処理の高速化、低コスト化および簡素化を達成でき、しかも多品種のLSI製品への自在で迅速な対応を可能にする不良チップマーキング方法及び不良チップマーキング装置を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and can achieve high-speed, low-cost, and simplified marking processing of defective chips, and enables flexible and quick response to a wide variety of LSI products. An object of the present invention is to provide a defective chip marking method and a defective chip marking apparatus.
上記課題を解決するために、請求項1記載の発明は、互いに垂直な2方向に沿って半導体ウエハ上に2次元配列され、かつ、矩形に区分された半導体チップの全個数又は所定個数に対する電気特性検査の結果、不良品と判定された不良チップに対して不良マークを印字する不良チップマーキング方法であって、前記電気特性検査で不良品と判定された不良チップの前記半導体ウエハ上における分布状態を調べ、隣接する不良チップ同士を不良ブロックとしてまとめるクラスタ化処理を行った後、不良ブロック間をランダムスキャンして、前記不良マークの印字を行っていくことを特徴としている。 In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 1 is directed to the total number or predetermined number of semiconductor chips which are two-dimensionally arranged on a semiconductor wafer along two directions perpendicular to each other and divided into rectangles. A defective chip marking method for printing a defective mark on a defective chip determined as a defective product as a result of characteristic inspection, wherein a distribution state of defective chips determined as defective products in the electrical characteristic inspection on the semiconductor wafer After performing the clustering process for collecting adjacent defective chips as defective blocks, random scanning is performed between the defective blocks, and the defective mark is printed.
請求項2記載の発明は、請求項1記載の不良マーキング方法に係り、一の前記不良ブロックに属する前記不良チップの全個数に不良マークを印字し、次いで、前記一の不良ブロックから最短距離に位置する他の不良ブロックへランダムスキャンして、当該別の不良ブロックに属する前記不良チップの全個数に不良マークを印字していくことを特徴としている。
The invention according to
請求項3記載の発明は、請求項1記載の不良チップマーキング方法に係り、前記半導体チップの電気特性検査をする工程で電子情報化した不良チップの半導体ウエハ上での座標データに基づき、任意の一の不良チップに、一辺を共通にして、隣接する不良チップを抽出し、次いで、このように抽出して連なる不良チップの群れの中の少なくとも任意の一の不良チップに、一辺を共通にして、隣接する不良チップを抽出して、前記不良チップのクラスタ化処理を行うことを特徴としている。
The invention according to
請求項4記載の発明は、請求項3記載の不良チップマーキング方法に係り、前記電子情報化した不良チップの半導体ウエハ上での座標データに基づいて、前記半導体ウエハ上の一の不良チップを前記クラスタ化の始点として2次元検索し、前記一の不良チップを始点として、一辺を共通にして隣接する不良チップを順次に抽出し追加累積して前記不良チップのクラスタ化処理を行うことを特徴としている。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the defective chip marking method according to the third aspect, wherein one defective chip on the semiconductor wafer is determined based on the coordinate data of the defective chip converted to electronic information on the semiconductor wafer. A two-dimensional search is performed as a clustering starting point, and the defective chip clustering process is performed by sequentially extracting and additionally accumulating adjacent defective chips with one side as a common starting point. Yes.
請求項5記載の発明は、請求項2記載の不良チップマーキング方法に係り、前記半導体チップの電気特性検査をする工程で電子情報化した不良チップの半導体ウエハ上での座標データに基づいて、前記半導体ウエハ上の前記一の不良ブロックから最短距離にある前記他の不良ブロックを求めることを特徴としている。
The invention according to claim 5 relates to the defective chip marking method according to
請求項6記載の発明は、請求項5記載の不良チップマーキング方法に係り、前記一の不良ブロックを形成するための前記クラスタ化で最後に前記追加した不良チップの座標と前記他の不良ブロックの前記クラスタ化の始点となる不良チップの座標との距離を算出して、前記一の不良ブロックから最短距離にある前記他の不良ブロックを求めることを特徴としている。
The invention described in
そして、請求項7記載の発明は、互いに垂直な2方向に沿って半導体ウエハ上に2次元配列され、かつ、矩形に区分された半導体チップの全個数又は所定個数に対する電気特性検査の結果、不良品と判定された不良チップに対して不良マークを印字する不良チップマーキング装置であって、不良マークの印字を行う印字手段と、前記電気特性検査で不良品と判定された不良チップの前記半導体ウエハ上における分布状態を調べ、隣接する不良チップ同士を不良ブロックとしてまとめるクラスタ化手段と、不良ブロック間をランダムスキャンして、前記印字手段に前記不良マークの印字を行わせる印字制御手段と、を備えてなることを特徴としている。 According to the seventh aspect of the present invention, as a result of the electrical characteristic inspection on the total number or predetermined number of semiconductor chips that are two-dimensionally arranged on the semiconductor wafer along two directions perpendicular to each other and divided into rectangles, A defective chip marking device for printing a defective mark on a defective chip determined to be a non-defective product, the printing means for printing the defective mark, and the semiconductor wafer of the defective chip determined to be defective by the electrical characteristic inspection A clustering unit that examines the distribution state above and collects adjacent defective chips as defective blocks; and a printing control unit that randomly scans between defective blocks and causes the printing unit to print the defective mark. It is characterized by.
請求項8記載の発明は、請求項7記載の不良チップマーキング装置に係り、前記印字制御手段は、前記印字手段の駆動を制御して、一の前記不良ブロックに属する前記不良チップの全個数に不良マークを印字させ、次いで、前記一の不良ブロックから最短距離に位置する他の不良ブロックへランダムスキャンして、当該別の不良ブロックに属する前記不良チップの全個数に不良マークを印字させていくことを特徴としている。
The invention according to
請求項9記載の発明は、請求項7記載の不良チップマーキング装置に係り、前記クラスタ化手段は、前記半導体チップの電気特性検査をする工程で電子情報化した不良チップの半導体ウエハ上での座標データに基づき、任意の一の不良チップに、一辺を共通にして、隣接する不良チップを抽出し、次いで、このように抽出して連なる不良チップの群れの中の少なくとも任意の一の不良チップに、一辺を共通にして、隣接する不良チップを抽出して、前記不良チップのクラスタ化処理を行うことを特徴としている。 A ninth aspect of the invention relates to the defective chip marking device according to the seventh aspect, wherein the clustering means coordinates the defective chips converted into electronic information in the process of inspecting the electrical characteristics of the semiconductor chips on the semiconductor wafer. Based on the data, an adjacent defective chip is extracted with one side common to any one defective chip, and then extracted into at least one arbitrary defective chip in the group of defective chips connected in this way. The method is characterized in that adjacent defective chips are extracted with one side in common and the defective chips are clustered.
請求項10記載の発明は、請求項9記載の不良チップマーキング装置に係り、前記クラスタ化手段は、前記電子情報化した不良チップの半導体ウエハ上での座標データに基づいて、前記半導体ウエハ上の一の不良チップを前記クラスタ化の始点として2次元検索し、前記一の不良チップを始点として、一辺を共通にして隣接する不良チップを順次に抽出し追加累積して前記不良チップのクラスタ化処理を行うことを特徴としている。 According to a tenth aspect of the present invention, in the defective chip marking device according to the ninth aspect, the clustering unit is configured on the semiconductor wafer based on the coordinate data of the defective chips converted to electronic information on the semiconductor wafer. Two-dimensional search using one defective chip as the starting point of clustering, and extracting adjacent defective chips sequentially with one side as a common starting point from the one defective chip, and adding and cumulatively clustering the defective chips It is characterized by performing.
請求項11記載の発明は、請求項8記載の不良チップマーキング装置に係り、前記印字制御手段は、前記半導体チップの電気特性検査をする工程で電子情報化した不良チップの半導体ウエハ上での座標データに基づいて、前記半導体ウエハ上の前記一の不良ブロックから最短距離にある前記他の不良ブロックを求めることを特徴としている。 An eleventh aspect of the invention relates to the defective chip marking device according to the eighth aspect, wherein the print control means coordinates coordinates of the defective chip converted into electronic information in the process of inspecting the electrical characteristics of the semiconductor chip on the semiconductor wafer. Based on the data, the other defective block in the shortest distance from the one defective block on the semiconductor wafer is obtained.
請求項12記載の発明は、請求項11記載の不良チップマーキング装置に係り、前記印字制御手段は、前記一の不良ブロックを形成するための前記クラスタ化で最後に前記追加した不良チップの座標と前記他の不良ブロックの前記クラスタ化の始点となる不良チップの座標との距離を算出して、前記一の不良ブロックから最短距離にある前記他の不良ブロックを求めることを特徴としている。 According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided the defective chip marking device according to the eleventh aspect, wherein the print control means includes the coordinates of the defective chip added last in the clustering for forming the one defective block. The distance from the defective chip coordinate serving as the starting point of the clustering of the other defective block is calculated, and the other defective block at the shortest distance from the one defective block is obtained.
この発明の構成によれば、不良チップのマーキング処理が高速化し、この処理工程に要する時間が大幅に短縮する。また、不良チップのマーキング処理の工程が簡便になりその低コスト化が極めて容易になる。そして、多品種LSI製品(あるいは少量LSI製品)の半導体製品に対して自在で迅速な対応ができるようになる。 According to the configuration of the present invention, the marking process for defective chips is accelerated, and the time required for this processing step is significantly reduced. Further, the process of marking a defective chip becomes simple, and the cost reduction becomes extremely easy. In addition, it is possible to freely and quickly cope with semiconductor products of a wide variety of LSI products (or a small amount of LSI products).
互いに垂直な2方向に沿って半導体ウエハ上に2次元配列され、かつ、矩形に区分された半導体チップの全個数又は所定個数に対する電気特性検査の結果、不良品と判定された不良チップに対して不良マークを印字する不良チップマーキングにおいて、不良チップマーキング装置の中央処理部にあるクラスタ化処理手段により、前記電気特性検査で不良品と判定された不良チップの前記半導体ウエハ上における分布状態を調べ、隣接する不良チップ同士を不良ブロックとしてまとめるクラスタ化処理を行い、前記中央処理部の指令の下に、同装置の印字制御手段と印字手段を用いて、前記不良ブロック間をランダムスキャンし前記不良マークの印字を行っていくことで、不良チップのマーキング処理の高速化と処理時間の大幅な短縮化、さらに、処理工程の簡素化と低コスト化を実現した。ここで、ランダムスキャンとは、その詳細は実施例で明らかになるが、ラスタスキャンのような規則性を持たない任意方向への走査のことである。 For defective chips that are determined to be defective as a result of an electrical characteristic inspection on the total number or predetermined number of semiconductor chips that are two-dimensionally arranged on a semiconductor wafer along two directions perpendicular to each other and that are divided into rectangles In the defective chip marking that prints the defective mark, the clustering processing means in the central processing unit of the defective chip marking device examines the distribution state of the defective chips determined to be defective in the electrical characteristic inspection on the semiconductor wafer, A clustering process is performed in which adjacent defective chips are grouped as defective blocks. Under the command of the central processing unit, the defective blocks are randomly scanned between the defective blocks using the printing control unit and the printing unit of the same apparatus. By printing, the marking process of defective chips is accelerated, the processing time is greatly reduced, and It was achieved simplification and cost reduction of the process steps. Here, the random scan is a scan in an arbitrary direction that does not have regularity like the raster scan, although the details will be clarified in the embodiment.
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。図1は、この発明の一実施例である不良チップマーキング方法を説明するための半導体ウエハの平面図であり、図2乃至5は、同不良チップマーキング方法あるいは装置での処理ならびに手順を説明するための図である。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a semiconductor wafer for explaining a defective chip marking method according to an embodiment of the present invention. FIGS. 2 to 5 illustrate processing and procedures in the defective chip marking method or apparatus. FIG.
図1に示すように、半導体ウエハ1上に多数の同一製品となる半導体チップ2が配列してある。ここで、従来の技術において図7で説明したのと同様に、あたかもマーカが半導体ウエハ1上を移動し走査するように図示しているが、実際は図6において説明したように、マーカが固定され吸着テーブル等に載置した半導体ウエハ1の方が移動し走査するものである。以下の説明では、簡明にするために、マーカが半導体ウエハ1上を移動し走査するものとして説明する。
As shown in FIG. 1, a large number of
先ず、半導体ウエハ1の第一行の一番端の半導体チップAから開始して、マーカ(図示せず)は、半導体ウエハ1上において半導体チップAからの位置座標の距離が最小(最短距離)になる第1不良ブロック3の始点チップ3aに移動する。そして、マーカは、第1不良ブロック3内に存在する全ての不良チップに不良マーク4を印字し終点チップ3bまで移動する。この第1不良ブロック3内での不良マークの印字は予め決められた順(後述する)に従って行う。
First, starting from the semiconductor chip A at the end of the first row of the semiconductor wafer 1, the marker (not shown) has a minimum (shortest distance) position coordinate distance from the semiconductor chip A on the semiconductor wafer 1. It moves to the starting point chip 3a of the first
続いて、マーカは、上記第1不良ブロック3の終点チップ3bからの位置座標の距離が最小(最短距離)になる第2不良ブロック5に移動し同様に不良マークを印字する。図1では、不良ブロック5には不良チップは1個の場合を示している。
Subsequently, the marker moves to the second defective block 5 where the distance of the position coordinates from the end point chip 3b of the first
後は、上述したのと同じ手順により、半導体ウエハ1上にある各不良ブロックへと移動しその中の不良チップに不良マークを印字していくことになる。すなわち、第2不良ブロック5から最短距離の第3不良ブロック6へ、第3不良ブロック6から最短距離の第4不良ブロック7へ、第4不良ブロック7から最短距離の第5不良ブロック8へ、以下同様にして第6不良ブロック9、そしてこの半導体ウエハ1の最終の第7不良ブロック10へと順次に移動して、各不良ブロック内の不良チップに不良マークを印字し、最終的に半導体ウエハ1内の全ての不良チップに不良マークを印字する。上記不良ブロック間の経路は後で詳述するが、2つの不良ブロック間を最短にするように決定している。このように、不良ブロック間の移動は、従来のようなラスタスキャンでは全くなくランダムスキャンと言えるものになる。
Thereafter, the same procedure as described above is used to move to each defective block on the semiconductor wafer 1 and print a defective mark on the defective chip therein. That is, from the second defective block 5 to the third
上記半導体ウエハ1上の不良ブロック群すなわち不良ブロック3乃至10は、専用の不良チップマーキング装置に備えられている中央処理部(コンピュータ)において、上述した半導体ウエハ上の全ての半導体チップの良品/不良品の検査により電子情報化したMAPデータの不良チップの位置座標データに基づき、コンピュータの演算部にある所定のプログラムに従った数理的演算により形成される。そして、これがこの発明の不良チップマーキング装置のクラスタ化手段になる。また、この演算部は同時に各不良ブロック間の最短距離も算出する。上述した演算部による不良ブロック群の形成および上記最短距離の算出等は半導体ウエハ毎に行われ、上記コンピュータの記憶部に格納される。この発明では、従来の専用のマーキング装置に備わっているコンピュータに上述した所定のプログラムを組み込むことで不良ブロック群の形成および各不良ブロック間の最短距離の算出が簡便に行える。ここで、上記不良チップを含めた半導体チップの位置座標とは、半導体チップの所定の場所(例えば、中心部、端部等)の半導体ウエハ上での座標のことである。
The defective block group on the semiconductor wafer 1, that is, the
次に、クラスタ化手段を用いた上記数理的演算による不良ブロックの形成方法について図2乃至4を参照して説明する。以下、この発明において不良ブロック群の形成は、半導体ウエハ内の全不良チップの後述するところのクラスタ化を通したチップリンク(追加累積)と呼称する方式で行う。ここで、半導体ウエハ1上で形成した不良ブロックが複数個になる場合にはまとめて不良ブロック群とも呼び、それが一つしかない場合には単に不良ブロックと言う。 Next, a method of forming a defective block by the above mathematical operation using clustering means will be described with reference to FIGS. In the present invention, the defective block group is formed by a system called chip link (additional accumulation) through clustering of all defective chips in the semiconductor wafer, which will be described later. Here, when there are a plurality of defective blocks formed on the semiconductor wafer 1, they are collectively referred to as a defective block group, and when there is only one defective block, it is simply referred to as a defective block.
初めに、図2を参照して、上記不良チップのクラスタ化の一例について説明する。図2は、図1に示した各不良ブロックを形成するためのクラスタ化の処理を示す半導体ウエハ上の平面図である。コンピュータのクラスタ化手段は、上記MAPデータの不良チップの位置座標データのリストから、具体的な半導体ウエハ上においては図2(a)に記した検索方向11のように、半導体ウエハの左側より右側へ不良チップの位置座標を検索していく。そして、この検索で最初に見つかる不良チップの位置座標を始点座標12とする。この始点座標12が見つかると、これを不良ブロック形成の開始点とし隣接する不良チップを順次に抽出し追加累積してクラスタ化していく。 First, an example of the clustering of the defective chips will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a plan view on a semiconductor wafer showing a clustering process for forming each defective block shown in FIG. The clustering means of the computer determines from the list of position coordinate data of the defective chip of the MAP data on the right side of the semiconductor wafer from the left side of the specific semiconductor wafer as shown in the search direction 11 shown in FIG. The position coordinates of defective chips are searched. The position coordinates of the defective chip first found by this search are set as the start point coordinates 12. When this starting point coordinate 12 is found, this is used as a starting point for forming a defective block, and adjacent defective chips are sequentially extracted, accumulated, and clustered.
このクラスタ化においては、図2(b)に示すような決められた所定の検索規則の下に行うとよい。図2(b)に示すように、例えば上記検索方向11の矢印方向すなわちW0から、左方W1、前方W2、右方W3、後方W4の順に優先度を設けた検索規則でもって、隣接する次の不良チップの座標を検索していく。そして、図2(a)に示す次の不良チップ座標13を検索すると、上記始点座標12から次の不良チップ座標13の矢印方向をW0として再度、左方、前方、右方、後方の順の優先順位で更に次の隣接する不良チップ座標を検索していく。この操作を繰り返していくことで、最後には隣接する不良チップ座標を見つけることができない終点座標14にたどり着く。このようにして、一辺を共通にして隣接する不良チップのクラスタ化を行う。そして、このようなクラスタ化で形成したものをチップリンクし、これを不良ブロック15のように不良ブロック番号を付与し、図1で示した第1不良ブロック3〜第7不良ブロック10のような不良ブロック群を形成する。ここで、一辺を共通にして隣接する不良チップとは、具体的には、上述した半導体ウエハのダイシングのために設けられるところの半導体チップ間のスクライブ領域を挟んで半導体チップの辺が隣接しているチップのことである。
This clustering may be performed under a predetermined search rule determined as shown in FIG. As shown in FIG. 2 (b), for example, in the search direction 11 shown in the arrow direction, that is, from W0 to the left W1, the front W2, the right W3, and the rear W4 in the order of priority, the next next The coordinates of defective chips are searched. Then, when the next defective chip coordinate 13 shown in FIG. 2A is searched, the arrow direction from the start point coordinate 12 to the next defective chip coordinate 13 is set to W0 and again in the order of left, front, right, and rear. The next adjacent defective chip coordinates are searched in the priority order. By repeating this operation, finally, the end point coordinates 14 at which the adjacent defective chip coordinates cannot be found are reached. In this way, adjacent defective chips are clustered with one side in common. Then, the chip formed by such clustering is chip-linked, and this is assigned a defective block number like the defective block 15, and the first
次に、図3を参照して、1枚の半導体ウエハの不良ブロック群を形成する手順について説明する。図3は、半導体ウエハ上の不良チップを区分し不良ブロック群を形成する手順を示すフローチャートである。図3に示すように、例えばコンピュータの検索システムにおいて、対象とする半導体ウエハの半導体チップの位置座標(X,Y)=(1,1)にする(ステップST1)。次に、対象の半導体ウエハの不良/良品の検査工程で形成したMAPデータの不良チップの位置座標データの中を検索し、図2で説明したような始点座標の検索を行う(ステップST2)。そして、座標(X,Y)を上記始点座標に設定し直す(ステップST3)。その上で、図2を参照して説明した方法により、上記始点座標を基にして互いに隣接する不良チップをクラスタ化しチップリンクする(ステップST4)。そして、上記チップリンクした不良チップの位置座標のリストに不良ブロック番号を付与する(ステップST5)。 Next, a procedure for forming a defective block group of one semiconductor wafer will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a flowchart showing a procedure for dividing defective chips on a semiconductor wafer and forming a defective block group. As shown in FIG. 3, for example, in a computer search system, the position coordinates (X, Y) = (1, 1) of the semiconductor chip of the target semiconductor wafer are set (step ST1). Next, the position coordinate data of the defective chip of the MAP data formed in the defect / non-defective product inspection process of the target semiconductor wafer is searched, and the start point coordinates as described in FIG. 2 are searched (step ST2). Then, the coordinates (X, Y) are reset to the start point coordinates (step ST3). Then, defective chips adjacent to each other are clustered and chip-linked by the method described with reference to FIG. 2 (step ST4). Then, a defective block number is given to the list of position coordinates of the chip-linked defective chip (step ST5).
次に、上記MAPデータの不良チップの位置座標データのリストからチップリンクした不良チップの位置座標を削除する(ステップST6)。次に、上記MAPデータの不良チップの位置座標データリスト中で上記削除後に残されている半導体チップの位置座標の数がゼロかどうか判定し(ステップST7)、ゼロでないならば上記ステップST2に進む。そして、再び上記座標(X,Y)に戻り、MAPデータの不良チップ検索を始めて、上述したステップST2乃至ステップST7の処理を行っていく。また、上記削除後に残されている半導体チップの位置座標の数がゼロになった時点で処理終了となる(ステップST8)。 Next, the position coordinate of the chip-linked defective chip is deleted from the list of position coordinate data of the defective chip in the MAP data (step ST6). Next, it is determined whether or not the number of position coordinates of the semiconductor chip left after the deletion in the position coordinate data list of the defective chip in the MAP data is zero (step ST7). If not, the process proceeds to step ST2. . Then, returning to the coordinates (X, Y) again, the defective chip search of the MAP data is started, and the processing of the above-described steps ST2 to ST7 is performed. Further, the processing ends when the number of position coordinates of the semiconductor chip remaining after the deletion becomes zero (step ST8).
このようにして、図4に示すような不良ブロック群が形成される。図4に示すように、第1不良ブロック、第2不良ブロック・・・第n不良ブロックが形成され、各不良ブロックにはチップリンクした不良チップの位置座標リストが形成される。例えば、第1不良ブロックには、チップリンクした不良チップの位置座標、(X11,Y11)、(X12,Y12)、・・・、(X1a,Y1a)リストが、第2不良ブロックには、チップリンクした不良チップの位置座標、(X21,Y21)、(X22,Y22)、・・・、(X2b,Y2b)リストが、そして、第n不良ブロックには、チップリンクした不良チップの位置座標、(Xn1,Yn1)、(Xn2,Yn2)、・・・、(Xnc,Ync)リストが形成される。ここで、(X11,Y11)、(X21,Y21)、・・・、(Xn1,Yn1)がそれぞれ各不良ブロックの上述したところの始点座標になり、(X1a,Y1a)、(X2b,Y2b)、・・・、(Xnc,Ync)がそれぞれ各不良ブロックの終点座標になる。 In this way, a defective block group as shown in FIG. 4 is formed. As shown in FIG. 4, a first defective block, a second defective block,... Nth defective block are formed, and a position coordinate list of chip-linked defective chips is formed in each defective block. For example, in the first defective block, the position coordinates of the chip-linked defective chips, (X 11 , Y 11 ), (X 12 , Y 12 ),..., (X 1a , Y 1a ) list are the second ones . In the defective block, the position coordinates of the chip-linked defective chip, (X 21 , Y 21 ), (X 22 , Y 22 ),..., (X 2b , Y 2b ) list, and the nth defective block , (X n1 , Y n1 ), (X n2 , Y n2 ),..., (X nc , Y nc ) lists are formed. Here, (X 11 , Y 11 ), (X 21 , Y 21 ),..., (X n1 , Y n1 ) are the above-described start point coordinates of each defective block, and (X 1a , Y 1a ), ( X2b , Y2b ),..., ( Xnc , Ync ) are the end point coordinates of each defective block.
次に、図5を参照して、上述したところの1枚の半導体ウエハの不良ブロック群において、図1で行った不良ブロック間の上述した演算部による経路決定の手順を説明する。図5は、不良ブロック間の経路を決めるための手順を示すフローチャートである。図5に示すように、演算部において、対象とする半導体ウエハの半導体チップの位置座標(X,Y)を(1,1)とする(ステップST9)。次に、対象の半導体ウエハの不良ブロック群の上述したところの各始点座標と座標(1,1)との半導体ウエハ上での実距離を算出する(ステップST10)。この算出は半導体製品により半導体チップの実寸法が予め判っているので、簡単な数理演算処理で行える。次に、上記実距離の算出から最小距離の始点座標を有する不良ブロックを選択し(ステップST11)、上記選択した不良ブロックの中の終点座標を取り出し、上記座標(X,Y)を上記終点座標に設定し直す(ステップST12)。 Next, with reference to FIG. 5, in the defective block group of one semiconductor wafer as described above, the procedure for determining the path between the defective blocks performed in FIG. FIG. 5 is a flowchart showing a procedure for determining a path between defective blocks. As shown in FIG. 5, in the calculation unit, the position coordinates (X, Y) of the semiconductor chip of the target semiconductor wafer are set to (1, 1) (step ST9). Next, the actual distance on the semiconductor wafer between the above-described start point coordinates and coordinates (1, 1) of the defective block group of the target semiconductor wafer is calculated (step ST10). Since the actual dimensions of the semiconductor chip are known in advance by the semiconductor product, this calculation can be performed by simple mathematical operation processing. Next, a defective block having a minimum starting point coordinate is selected from the calculation of the actual distance (step ST11), an end point coordinate in the selected defective block is extracted, and the coordinate (X, Y) is set as the end point coordinate. (Step ST12).
次に、上記1枚の半導体ウエハの不良ブロック群から選択した不良ブロックを削除する(ステップST13)。次に、上記1枚の半導体ウエハの不良ブロック群の中に上記削除後に残されている不良ブロック数がゼロかどうか判定し(ステップST14)、ゼロでないならば上記ステップST10に進み再度上述したステップST10乃至ステップST14の処理を行う。そして、上記削除後に残されている不良ブロック数がゼロになった時点で処理終了となる(ステップST15)。 Next, the selected defective block is deleted from the defective block group of the one semiconductor wafer (step ST13). Next, it is determined whether or not the number of defective blocks remaining after the deletion in the defective block group of the one semiconductor wafer is zero (step ST14). If not, the process proceeds to step ST10 and the above-described steps are again performed. Processing from ST10 to ST14 is performed. Then, the process ends when the number of defective blocks remaining after the deletion becomes zero (step ST15).
このようにして、専用のマーキング装置に備えられているコンピュータによる数理的演算により形成した各半導体ウエハの不良ブロック群および各不良ブロック間の最短距離の算出に基づき、専用マーキング装置の印字手段のマーカを図1で説明したように走査し、半導体ウエハ上の不良チップに不良マークを印字する。ここで、印字手段はマーカとマーカ駆動部を基本構造として有しており、印字制御手段が、上述したコンピュータからの指令の下に、半導体ウエハが載置する吸着テーブルを駆動制御し、更にマーカ駆動部を制御して上述したような不良マークを印字していく。 In this way, based on the calculation of the shortest distance between each defective block group and each defective block of each semiconductor wafer formed by mathematical calculation by a computer provided in the dedicated marking device, the marker of the printing means of the dedicated marking device Is scanned as described with reference to FIG. 1, and a defect mark is printed on a defective chip on the semiconductor wafer. Here, the printing unit has a marker and a marker driving unit as a basic structure, and the printing control unit drives and controls the suction table on which the semiconductor wafer is placed under the command from the computer described above. The drive part is controlled to print the defect mark as described above.
このようにして、この実施の形態の構成によれば、1枚の半導体ウエハ上の不良チップに不良マークを印字するのに要する時間が、従来のラスタスキャンによる印字方法に比べて、例えば口径200mmφの半導体ウエハの場合に、1/2に半減するようになる。この不良チップへの不良マークのマーキング時間の短縮は、半導体ウエハの口径が大きくなる程に顕著になる。シミュレーション予測では、半導体ウエハ口径が300mmφの場合にある条件では1/3と大幅に低減することを確認している。 Thus, according to the configuration of this embodiment, the time required to print a defective mark on a defective chip on one semiconductor wafer is, for example, 200 mmφ compared with the conventional raster scanning printing method. In the case of this semiconductor wafer, it is halved to ½. The shortening of the marking time of the defective mark on the defective chip becomes more remarkable as the diameter of the semiconductor wafer increases. In the simulation prediction, it is confirmed that the semiconductor wafer diameter is greatly reduced to 1/3 under certain conditions when the diameter of the semiconductor wafer is 300 mmφ.
また、この実施の形態の構成によれば、上述したように半導体チップの良品/不良品の検査の工程で半導体チップ検査装置により電子情報化したMAPデータから数理的演算で行ったところの、半導体ウエハ上の不良チップのクラスタ化による不良ブロック群の形成と、各不良ブロック間の経路決定とに基づいて、従来の専用マーキング装置により半導体ウエハ上の全ての不良チップに不良マークを印字していく。このように、ソフトウエアを駆使したマーキング方法あるいはマーキング装置であるために、特許文献1で説明したようなマーキング装置のメカニカル機構の改造により生じてくる問題は皆無になる。 Further, according to the configuration of this embodiment, as described above, the semiconductor is obtained by mathematical calculation from the MAP data converted into electronic information by the semiconductor chip inspection apparatus in the inspection process of the non-defective product / defective product of the semiconductor chip. Based on the formation of defective blocks by clustering defective chips on the wafer and the determination of the path between each defective block, the conventional dedicated marking device prints defective marks on all defective chips on the semiconductor wafer. . As described above, since the marking method or the marking device uses software, there is no problem caused by the modification of the mechanical mechanism of the marking device as described in Patent Document 1.
具体的には、上述したところの複数個配列のマーカを用いた不良チップのマーキングでは、専用マーキング装置が高価なものになり、装置のランニングコストも上昇することになるが、この実施の形態の場合には、上述したように新たなソフトウエアを既存のマーキング装置に組み込むだけであり、上記コストは大幅に低減するようになる。 Specifically, in the above-described defective chip marking using a plurality of array markers, the dedicated marking device becomes expensive and the running cost of the device also increases. In some cases, as described above, new software is simply incorporated into an existing marking device, and the cost is greatly reduced.
また、この実施の形態の構成によれば、特許文献1と異なり多品種のLSI製品を同一のマーキング装置でマーキング処理する場合にも、ソフトウエア上でLSI製品の半導体チップのサイズを変更できるために、簡便にしかも自在に、多品種のLSI製品を安価なマーキング装置でマーキング処理しうるようになる。 Further, according to the configuration of this embodiment, unlike the case of Patent Document 1, the size of the semiconductor chip of the LSI product can be changed on the software even when a variety of LSI products are marked with the same marking device. In addition, a variety of LSI products can be marked with an inexpensive marking device easily and freely.
また、特許文献1の場合には、不良チップへの不良マーク印字がスクラッチあるいはインク打点の場合に、マーキング装置の稼動および管理が煩雑になるという問題が生じ、更には、半導体チップのサイズが小さくなるとマーカ間の距離の縮小に限界があり対応できなくなるということが生じていたが、この実施の形態の構成によれば、1個のマーカで充分に対応できるために、マーキング装置の稼動および管理が非常に簡単になり、しかも上記半導体チップサイズの縮小にも充分に対応できるようになる。 Further, in the case of Patent Document 1, there is a problem that the operation and management of the marking device becomes complicated when the defect mark printing on the defective chip is a scratch or ink dot, and the size of the semiconductor chip is small. In this case, the distance between the markers is limited and cannot be handled. However, according to the configuration of this embodiment, since one marker can sufficiently cope with the operation, the operation and management of the marking apparatus are performed. Becomes very simple, and can sufficiently cope with the reduction of the semiconductor chip size.
上述した実施の形態においては、同一の半導体製品となる矩形の半導体チップが半導体ウエハ上に配列している場合について説明している。この発明は、このような場合に限定されるものではない。この発明は、カスタム製品のような多品種製品が複数種、同一半導体ウエハ上に製造されて配列している場合においても同様に適用できる。ここで、半導体ウエハ上の複数種の半導体チップのうちで同一製品の半導体チップの電気特性のみを測定し、同製品の良品/不良品の検査をした後に、この発明を適用して、上記同製品の不良チップに不良マークを印字しても良い。 In the above-described embodiment, a case where rectangular semiconductor chips that are the same semiconductor product are arranged on a semiconductor wafer has been described. The present invention is not limited to such a case. The present invention can be similarly applied to a case where a plurality of types of products such as custom products are manufactured and arranged on the same semiconductor wafer. Here, after measuring only the electrical characteristics of the semiconductor chip of the same product among a plurality of types of semiconductor chips on the semiconductor wafer and inspecting the non-defective product / defective product of the same product, the present invention is applied to A defect mark may be printed on a defective chip of the product.
また、この発明の不良チップのクラスタ化では、図2で説明したような不良チップの位置座標の検索規則に従うことに限定されるものではない。検索方向に向かい右方、前方、左方、後方の優先順位に従った不良チップの検索とそれらのチップリンクで上記クラスタ化を行っても良い。いずれにしても定めた検索規則でもって隣接する不良チップを検索すればよい。 Further, the clustering of defective chips according to the present invention is not limited to following the search rule for the position coordinates of defective chips as described in FIG. The clustering may be performed by searching for defective chips in accordance with the priority order of right, front, left, and rear in the search direction and their chip links. In any case, adjacent defective chips may be searched using a predetermined search rule.
また、この発明は、不良ブロック内での不良マークの印字の順番が、上記チップリンクの順番に限定されるものではなく、同一不良ブロック内でのマーカの経路が最短になるように不良チップに不良マークを印字していっても良い。この場合には、不良ブロック内での最短経路を上述したコンピュータの検索システムで導出する必要がある。 Further, the present invention is not limited to the order of the chip links in the order of printing of the defective marks in the defective block, and the defective chip is arranged so that the marker path in the same defective block is the shortest. A defect mark may be printed. In this case, it is necessary to derive the shortest path in the defective block by the computer search system described above.
また、上記の実施の形態では、一の不良ブロックからの最短距離に位置する不良ブロックを求める方法として、一の不良ブロックの上記終点座標と他の不良ブロックの上記始点座標とが最短になるものを算出したが、この発明はこの方法に限定されない。上述したように不良ブロック内でのマーカの経路を最短にする不良マークの印字のやり方で最終となった不良チップの位置座標と、他の不良ブロックの上記始点座標とが最短になるものを求めるようにしても良い。 In the above embodiment, as a method for obtaining a defective block located at the shortest distance from one defective block, the end point coordinate of one defective block and the start point coordinate of another defective block are the shortest. However, the present invention is not limited to this method. As described above, it is determined that the position coordinates of the defective chip that is the final in the method of printing the defective mark that minimizes the marker path in the defective block and the start point coordinates of the other defective blocks are the shortest. You may do it.
また、この発明では、半導体ウエハ上の不良ブロック群の全てに亘ったマーカ経路が最短になるようにして、上述したところの経路決定を行っても良い。このような経路に沿って不良ブロック間を移動するのもランダムスキャンである。この場合には、不良ブロック群を全て経由する最短経路を上述した演算部で導出する必要がある。このために、上記の実施の形態の場合よりも演算部による数理的演算が複雑になりシミュレーションコストが少し高くなるが、上述した従来の技術の場合よりも不良チップマーキング処理工程で要するコストは低減する。 Further, in the present invention, the above-described path determination may be performed so that the marker path over all of the defective block groups on the semiconductor wafer becomes the shortest. It is also a random scan that moves between defective blocks along such a path. In this case, it is necessary to derive the shortest path passing through all the defective block groups by the above-described arithmetic unit. For this reason, the mathematical calculation by the calculation unit is complicated and the simulation cost is slightly higher than in the case of the above-described embodiment, but the cost required for the defective chip marking processing step is reduced as compared with the case of the conventional technique described above. To do.
以上、この発明の実施の形態を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施の形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれる。例えば、上述した演算部は、不良マーキング装置に備えられているのではなく、半導体チップ検査装置に備えられており、この演算部で数理的演算した結果データに基づき不良マーキング装置のマーカが半導体ウエハ上を走査し不良マークを印字する場合でも良い。 The embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings. However, the specific configuration is not limited to this embodiment, and design changes and the like within a scope not departing from the gist of the present invention are possible. Even if it exists, it is included in this invention. For example, the arithmetic unit described above is not provided in the defective marking device, but is provided in the semiconductor chip inspection device, and the marker of the defective marking device is based on the result data mathematically calculated by the arithmetic unit. It is also possible to scan the top and print a defective mark.
1 半導体ウエハ
2 半導体チップ
3 第1不良ブロック
3a 始点チップ
3b 終点チップ
4 不良マーク
5 第2不良ブロック
6 第3不良ブロック
7 第4不良ブロック
8 第5不良ブロック
9 第6不良ブロック
10 第7不良ブロック
11 検索方向
12 始点座標
13 次の不良チップ座標
14 終点座標
15 不良ブロック
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (12)
前記電気特性検査で不良品と判定された不良チップの前記半導体ウエハ上における分布状態を調べ、隣接する不良チップ同士を不良ブロックとしてまとめるクラスタ化処理を行った後、不良ブロック間をランダムスキャンして、前記不良マークの印字を行っていくことを特徴とする不良チップマーキング方法。 For defective chips that are determined to be defective as a result of an electrical characteristic inspection on the total number or predetermined number of semiconductor chips that are two-dimensionally arranged on a semiconductor wafer along two directions perpendicular to each other and that are divided into rectangles A defective chip marking method for printing a defective mark,
After examining the distribution state of defective chips determined as defective products in the electrical characteristic inspection on the semiconductor wafer, and performing a clustering process to group adjacent defective chips as defective blocks, randomly scan between defective blocks The defective chip marking method, wherein the defective mark is printed.
不良マークの印字を行う印字手段と、
前記電気特性検査で不良品と判定された不良チップの前記半導体ウエハ上における分布状態を調べ、隣接する不良チップ同士を不良ブロックとしてまとめるクラスタ化手段と、
不良ブロック間をランダムスキャンして、前記印字手段に前記不良マークの印字を行わせる印字制御手段と、を備えてなることを特徴とする不良チップマーキング装置。 For defective chips that are determined to be defective as a result of an electrical characteristic inspection on the total number or predetermined number of semiconductor chips that are two-dimensionally arranged on a semiconductor wafer along two directions perpendicular to each other and that are divided into rectangles A defective chip marking device for printing a defective mark,
Printing means for printing a defect mark;
Clustering means for examining a distribution state on the semiconductor wafer of defective chips determined to be defective by the electrical characteristic inspection, and collecting adjacent defective chips as defective blocks;
A defective chip marking device comprising: a printing control unit that randomly scans between defective blocks and causes the printing unit to print the defective mark.
The print control unit is configured to provide a distance between the coordinates of the defective chip added last in the clustering for forming the one defective block and the coordinates of the defective chip serving as a starting point of the clustering of the other defective blocks. The defective chip marking device according to claim 11, wherein the other defective block located at the shortest distance from the one defective block is calculated.
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