JP4259364B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、調整端子を含む複数本の端子が設けられた、樹脂モールドされた半導体装置に関するものである。

近年、半導体装置の高密度に伴って、樹脂モールドされたパッケージから取り出される、半導体装置の端子の数も増大してきている。

複数本の端子が設けられた、樹脂モールドされた半導体装置が、例えば、特開昭６２−１５８３５２号公報（特許文献１）、特開昭６３−２４４６５８号公報（特許文献２）、実開平０５−６７０００号公報（特許文献３）、実開平０３−５１８５３号公報（特許文献４）に開示されている。

図９〜１２に、それぞれ特許文献１〜４に開示された半導体装置９１〜９４を示す。

図９の斜視図に示す特許文献１に開示された半導体装置９１は、端子ｔが、樹脂封止体（パッケージ）ｐの側面の他に、上・下面からも取り出されてなる半導体装置である。これによって、半導体装置の高密度に伴う、多端子化への対応がなされている。

図１０の透視図に示す特許文献２に開示された半導体装置９２は、端子ｔが、平面形状が略矩形の樹脂パッケージｐの長辺に平行かつ短辺側から露出するように設けられてなる半導体装置である。このように複数本の端子ｔを短辺側に集めることにより、パッケージの外形を小型化することができ、プリント基板等に対する高密度実装化を図ることができる。

図１１の斜視図に示す特許文献３に開示された半導体装置９３は、パッケージｐのコーナーに、複数本の端子ｔよりも突出した凸部ｐｃを有している。これにより、パッケージｐの側面方向から外部の物体と接触することによる端子ｔの破損を避けることができる。

図１２の上面図に示す特許文献４に開示された半導体装置９４は、製造段階で電気特性の調整を行う集積回路を搭載した半導体装置である。図１２の半導体装置９４には、パッケージｐの側面から取り出された、半導体装置９４の使用時に使用される端子ｔａと、パッケージｐのコーナーから取り出された、前記電気特性を調整するための調整端子ｔｂとが設けられている。調整端子ｔｂは、電気特性を調整した後に切り落とされて、半導体装置９４の端子数の削減が図られる。
特開昭６２−１５８３５２号公報 特開昭６３−２４４６５８号公報 実開平０５−６７０００号公報 実開平０３−５１８５３号公報

図９〜１２に示す半導体装置９１〜９４においては、いずれも、端子ｔ，ｔａ，ｔｂの先端が、パッケージｐの外部に突き出ている。

近年の樹脂モールドされた半導体装置においては、図１２の半導体装置９４で示したように、複数本ある端子のうちに、当該半導体装置の製造時に利用され、当該半導体装置の使用時には利用されない調整端子を含むものが多い。このような調整端子を有する半導体装置では、当該半導体装置の使用時に利用されない調整端子があると、外部の物体と接触して、破損や静電破壊が起きる要因となる。尚、図１１の半導体装置９３においては、コーナーに設けられた凸部ｐｃにより、パッケージｐの側面方向からの接触に対して端子ｔの保護が図られているが、上下面方向からの接触に対しては保護が不十分である。また、図１２の半導体装置９４で示したように、電気特性を調整した後に調整端子を切り落とすと、切り落としの工程追加によってコストアップすると共に、切り落としの際に外力が印加されて、パッケージ内部破壊が起きる恐れがある。

そこで本発明は、調整端子を含む複数本の端子が設けられた、樹脂モールドされた半導体装置であって、調整端子による破損や破壊が起き難く、安価に製造することができる半導体装置を提供することを目的としている。

請求項１〜９に記載の発明は、調整端子が、パッケージの表面に形成された溝の内部に配置されてなる半導体装置に関するものである。

請求項１に記載の発明は、複数本の端子が設けられ、樹脂モールドによりパッケージされた半導体装置であって、前記複数本の端子が、製造時に使用される当該半導体装置の電気特性調整用の調整端子を含んでなり、前記調整端子が、前記パッケージの表面に形成された溝の内部に配置されてなることを特徴としている。

これによれば、調整端子が溝の内部に配置されて、周りをモールド樹脂により保護されるため、調整端子が外部の物体と接触して起きる調整端子の破損や静電破壊を防止することができる。また、必要な最短長さの調整端子を溝の内部に配置することで、パッケージの大型化を抑制することができる。さらに、上記半導体装置では、製造時において電気特性を調整した後、調整端子の切断（除去）を必要としないため、切断時の外力によるパッケージ内部破壊や、切断工程の追加によるコストアップを防止することができる。尚、調整端子は切断されずに溝の内部に残されているため、当該半導体装置の使用中に再び電気特性を調整する必要が生じた場合には、これを用いて再調整することもできる。

請求項２に記載のように、前記半導体装置は、ヒートシンク上に半導体チップが搭載され、当該半導体チップと前記端子とがボンディングワイヤによって接続され、前記ヒートシンクにおける一方の面を外部に露出するようにして、パッケージされてなる半導体装置であってよい。

ヒートシンク上に半導体チップが搭載され、大きな電力を取り扱う半導体装置であっても、上記のように調整端子を溝の内部に配置することで、調整端子の破損や静電破壊を防止すると共に、パッケージの大型化を抑制することができる。

請求項３に記載のように、前記溝は、調整端子毎に独立して形成することができる。この場合には、各調整端子の分離とモールド樹脂による保護が確実になり、外部の物体と接触して起きる破損や静電破壊を確実に防止することができる。

また、請求項４に記載のように、前記溝は、複数本の調整端子に渡って共通して形成することもできる。この場合には、溝の個数が少ないため当該半導体装置の製造が容易になり、安価な半導体装置とすることができる。

請求項５に記載のように、前記パッケージの平面形状が略矩形の場合には、前記調整端子と前記調整端子以外の端子とが、前記パッケージにおける略矩形の外周の各辺に沿って、分離して配置されることが好ましい。

電気特性の調整に使用される調整端子と、調整端子以外の端子（当該半導体装置の動作時に使用される駆動端子）は、上記のように、略矩形のパッケージの各辺に分離して配置することが好ましい。これによれば、調整端子と駆動端子を略矩形のパッケージの一辺に混在して配置する場合に較べて、駆動端子間の間隔を狭くすることができるため、当該駆動端子が接続する相手方の端子間隔も狭めることができ、当該半導体装置の周りの搭載密度を高めることができる。

請求項６に記載のように、前記調整端子は、前記ヒートシンクにおける外部に露出する面と反対側にある、前記パッケージの上面に配置することができる。また、請求項７に記載のように、前記調整端子は、前記ヒートシンクにおける外部に露出する面と交わる、前記パッケージの側面に配置することもできる。

調整端子をパッケージの上面もしくは側面のいずれに配置する場合でも、上記のように、調整端子は周りをモールド樹脂により保護されるため、調整端子が外部の物体と接触して起きる破損や静電破壊を防止することができる。パッケージにおける上面もしくは側面のいずれに調整端子を配置するかの選択は、調整端子への接続の容易さや外部の物体との接触が起き難い方向を考慮して行われる。

請求項８に記載のように、上記した調整端子が溝の内部に配置された半導体装置は、前記調整端子以外の端子が、当該半導体装置におけるコネクタの接続ピンとして使用される半導体装置に好適である。

これによれば、コネクタの接続ピンとして使用される調整端子以外の端子（当該半導体装置の動作時に使用される駆動端子）は、一般的に、使用時の相手方に接続した状態では、コネクタのケースによって保護される。従って、調整端子と駆動端子の全ての端子について、外部の物体と接触して起きる破損や静電破壊から当該半導体装置を保護することができる。

以下、本発明を実施するための最良の形態を、図に基づいて説明する。
（第１の実施形態）
図１（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態における半導体装置の一例で、図１（ａ）は半導体装置１０１の斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）の半導体装置１０１の透視図である。また、図１（ｃ）は、図１（ｂ）におけるＡ−Ａ断面図である。

半導体装置１０１は、図１（ａ）に示すように、複数本の端子ｔａ，ｔｂ１が設けられ、樹脂モールドによってパッケージされた半導体装置である。端子ｔｂ１は、製造時に使用される半導体装置１０１の電気特性調整用の調整端子で、パッケージｐの表面に形成された溝ｈ１の内部に配置されている。端子ｔａは、半導体装置１０１の動作時に使用される駆動端子で、パッケージｐの側面から突き出ている。

半導体装置１０１は、車載用のＥＣＵ（Electronic Control Unit）とアクチュエータの間に挿入されて用いられる半導体装置で、大きな電力を取り扱う半導体装置である。図１（ｂ），（ｃ）に示すように、半導体装置１０１では、半導体チップｃがヒートシンクｓ上に搭載され、半導体チップｃと端子ｔａ，ｔｂ１とがボンディングワイヤｗによって接続されている。ヒートシンクｓにおける半導体チップｃの搭載面と反対側の面は、外部に露出するようにしてパッケージされており、半導体チップｃで発生する熱が、ヒートシンクｓを介して外部に放熱される。

図１（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置１０１の駆動端子ｔａは、半導体装置１０１におけるコネクタの接続ピンとして使用される。このコネクタの接続ピンとして使用される駆動端子ｔａは、使用時の相手方に接続した状態では、相手方のコネクタのケースによって保護される。

図１（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置１０１の調整端子ｔｂ１は、ヒートシンクｓにおける外部に露出する面と反対側にある、パッケージｐの上面に配置されている。調整端子ｔｂ１は、パッケージｐの上面に形成された溝ｈ１の内部に配置されて、周りをモールド樹脂により保護される。溝ｈ１は、調整端子ｔｂ１毎に独立して形成されており、各調整端子ｔｂ１の分離とモールド樹脂による保護が確実に行われる。このため、調整端子ｔｂ１が外部の物体と接触して起きる、調整端子ｔｂ１の破損や半導体チップｃの静電破壊を確実に防止することができる。また、必要な最短長さの調整端子ｔｂ１を溝ｈ１の内部に配置することで、パッケージｐの大型化を抑制することができる。さらに、半導体装置１０１では、図１２に示す従来の半導体装置９４と異なり、製造時において電気特性を調整した後、調整端子ｔｂ１の切断（除去）を必要としない。このため、切断時の外力によるパッケージ内部破壊や、切断工程の追加によるコストアップを防止することができる。尚、調整端子ｔｂ１は切断されずに溝ｈ１の内部に残されているため、半導体装置１０１の使用中に再び電気特性を調整する必要が生じた場合には、これを用いて再調整することもできる。

また、半導体装置１０１のパッケージｐは平面形状が略矩形であり、調整端子ｔｂ１と駆動端子ｔａとが、図１（ａ），（ｂ）に示すように、パッケージｐにおける略矩形の外周の各辺に沿って、分離して配置されている。これによって、調整端子ｔｂ１と駆動端子ｔａを略矩形のパッケージｐの一辺に混在して配置する場合に較べて、駆動端子ｔａ間の間隔を狭くすることができる。このため、駆動端子ｔａが接続する相手方の端子間隔も狭めることができ、半導体装置１０１の周りの搭載密度を高めることができる。

図２（ａ）〜（ｃ）に、調整端子ｔｂ１と駆動端子ｔａの配置が異なる別の半導体装置１０２〜１０４の上面図を示す。尚、図２（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置１０２〜１０４において、図１（ｂ）に示す半導体装置１０１と同様の部分については同じ符号を付け、その説明は省略する。

図２（ａ）に示す半導体装置１０２では、駆動端子ｔａが略矩形のパッケージｐにおけ１つの短辺に沿って配置され、調整端子ｔｂ１が残る３つの辺に沿って配置されている。図２（ｂ）に示す半導体装置１０３では、調整端子ｔｂ１が略矩形のパッケージｐにおけ１つの短辺に沿って配置され、駆動端子ｔａが残る３つの辺に沿って配置されている。図２（ｃ）に示す半導体装置１０４では、調整端子ｔｂ１が略矩形のパッケージｐにおけ１つの長辺に沿って配置され、駆動端子ｔａが残る３つの辺に沿って配置されている。

図２（ａ）〜（ｃ）に示すいずれの半導体装置１０２〜１０４も、図１（ｂ）に示す半導体装置１０１と同様に、調整端子ｔｂ１と駆動端子ｔａとが、パッケージｐにおける略矩形の外周の各辺に沿って、分離して配置された半導体装置である。従って、上記したように、調整端子ｔｂ１と駆動端子ｔａを略矩形のパッケージｐの一辺に混在して配置する場合に較べて、駆動端子ｔａ間の間隔を狭くすることができ、半導体装置１０２〜１０４の周りの搭載密度を高めることができる。

図３（ａ）〜（ｃ）は、調整端子の配置が異なる別の半導体装置の例で、図３（ａ）は半導体装置１０５の斜視図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）の半導体装置１０５の透視図である。また、図３（ｃ）は、図３（ｂ）におけるＢ−Ｂ断面図である。尚、図３（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置１０５において、図１（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置１０１と同様の部分については同じ符号を付け、その説明は省略する。

図１（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置１０１の調整端子ｔｂ１は、ヒートシンクｓにおける外部に露出する面と反対側にある、パッケージｐの上面に配置されていた。一方、図３（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置１０５の調整端子ｔｂ２は、ヒートシンクｓにおける外部に露出する面と交わる、パッケージｐの側面に配置されている。

図３（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置１０５の調整端子ｔｂ２も、パッケージｐの側面に形成された溝ｈ２の内部に配置されて、周りをモールド樹脂により保護される。溝ｈ２は、調整端子ｔｂ２毎に独立して形成されており、各調整端子ｔｂ２の分離とモールド樹脂による保護が、確実に行われる。このため、図１（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置１０１の調整端子ｔｂ１と同様にして、調整端子ｔｂ２の破損や半導体チップｃの静電破壊を、確実に防止することができる。また、必要な最短長さの調整端子ｔｂ２を溝ｈ２の内部に配置することで、パッケージｐの大型化を抑制することができる。さらに、製造時において電気特性を調整した後、調整端子ｔｂ２の切断（除去）を必要としないため、切断時の外力によるパッケージ内部破壊や、切断工程の追加によるコストアップを防止することができる。尚、調整端子ｔｂ２は切断されずに溝ｈ２の内部に残されているため、半導体装置１０５の使用中に再び電気特性を調整する必要が生じた場合には、これを用いて再調整することもできる。

また、半導体装置１０５についても図１（ａ），（ｂ）に示す半導体装置１０１と同様に、調整端子ｔｂ２と駆動端子ｔａとが、図３（ａ），（ｂ）に示すように、パッケージｐにおける略矩形の外周の各辺に沿って、分離して配置されている。従って、調整端子ｔｂ２と駆動端子ｔａを略矩形のパッケージｐの一辺に混在して配置する場合に較べて、駆動端子ｔａ間の間隔を狭くすることができ、半導体装置１０５の周りの搭載密度を高めることができる。

図４（ａ）〜（ｃ）に、図２（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置１０２〜１０４と同様にして、調整端子ｔｂ２と駆動端子ｔａの配置が異なる別の半導体装置１０６〜１０８の上面図を示す。

図４（ａ）〜（ｃ）に示すいずれの半導体装置１０６〜１０８も、図３（ｂ）に示す半導体装置１０５と同様に、調整端子ｔｂ２と駆動端子ｔａとが、パッケージｐにおける略矩形の外周の各辺に沿って、分離して配置された半導体装置である。従って、上記したように、調整端子ｔｂ２と駆動端子ｔａを略矩形のパッケージｐの一辺に混在して配置する場合に較べて、駆動端子ｔａ間の間隔を狭くすることができ、半導体装置１０６〜１０８の周りの搭載密度を高めることができる。

図１（ａ）〜（ｃ）と図２（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置１０１〜１０４、および図３（ａ）〜（ｃ）と図４（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置１０５〜１０８のように、パッケージｐにおける上面もしくは側面のいずれに調整端子を配置するかの選択は、調整端子への接続の容易さや外部の物体との接触が起き難い方向を考慮して行われる。

図５（ａ）〜（ｃ）と図６（ａ）〜（ｃ）に、別の半導体装置の例を示す。

図５（ａ）は半導体装置１０９の斜視図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の半導体装置１０９の透視図である。また、図５（ｃ）は、図５（ｂ）におけるＣ−Ｃ断面図である。同様に、図６（ａ）は半導体装置１１０の斜視図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の半導体装置１１０の透視図である。また、図６（ｃ）は、図６（ｂ）におけるＤ−Ｄ断面図である。

図１〜図４に示す半導体装置１０１〜１０８では、溝ｈ１，ｈ２は、調整端子ｔｂ１，ｔｂ２毎に独立して形成されていた。一方、図５に示す半導体装置１０９と図６に示す半導体装置１１０では、それぞれ、溝ｈ３，ｈ４が複数本の調整端子ｔｂ３，ｔｂ４に渡って共通して形成されている。図５と図６に示す半導体装置１０９，１１０では、溝ｈ３，ｈ４の個数が少ないため製造が容易であり、安価な半導体装置とすることができる。尚、複数本の調整端子ｔｂ３，ｔｂ４に渡って共通の溝ｈ３，ｈ４が形成された図５と図６に示す半導体装置１０９，１１０についても、図１〜図４に示す半導体装置１０１〜１０８と同様にして、調整端子ｔｂ３，ｔｂ４の破損や半導体チップｃの静電破壊を防止することができる。また、パッケージｐの大型化を抑制でき、調整端子ｔｂ３，ｔｂ４の切断（除去）を必要としないため、切断時の外力によるパッケージ内部破壊や、切断工程の追加によるコストアップを防止することができる。さらに、調整端子ｔｂ３，ｔｂ４は切断されずに溝溝ｈ３，ｈ４の内部に残されているため、これを用いて再調整することもできる。また、調整端子ｔｂ３，ｔｂ４と駆動端子ｔａとが、パッケージｐの外周の各辺に沿って分離して配置されているため、半導体装置１０９，１１０の周りの搭載密度を高めることができる。

以上示したように、図１〜図６に示す半導体装置１０１〜１１０は、調整端子ｔｂ１〜ｔｂ４を含む複数本の端子ｔａ，ｔｂ１〜ｔｂ４が設けられた、樹脂モールドされた半導体装置であって、調整端子ｔｂ１〜ｔｂ４による破損や破壊が起き難く、安価に製造することができる半導体装置となっている。尚、上記の図１〜図６に示した半導体装置１０１〜１１０においては、駆動端子ｔａはパッケージｐの表面から突き出ていた。しかしながらこれに限らず、調整端子ｔｂ１〜ｔｂ４と同様に、調整端子と駆動端子の全ての端子をモールド樹脂からなるパッケージの表面に形成された溝の内部に配置して、外部の物体と接触して起きる破損や静電破壊から当該半導体装置を保護するようにしてもよい。
（参考例）
第１実施形態の半導体装置は、調整端子が、モールド樹脂からなるパッケージの表面に形成された溝の内部に配置されてなる半導体装置であった。本参考例の半導体装置は、本実施形態の半導体装置ではないが参考とする半導体装置で、調整端子が、パッケージ表面に沿って配置されてなる半導体装置である。

図７（ａ）〜（ｃ）は、本参考例における半導体装置の一例で、図７（ａ）は半導体装置２０１の斜視図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）の半導体装置２０１の透視図である。また、図７（ｃ）は、図７（ｂ）におけるＥ−Ｅ断面図である。尚、図７（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置２０１において、図１（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置１０１と同様の部分については同じ符号を付け、その説明は省略する。

図７（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置２０１も、図１（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置１０１と同様に、複数本の端子ｔａ，ｔｂ５が設けられ、樹脂モールドによってパッケージされた半導体装置である。図１（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置１０１においては、調整端子ｔｂ１が、パッケージｐの表面に形成された溝ｈ１の内部に配置されていた。一方、図７（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置２０１においては、調整端子ｔｂ５が、パッケージｐ表面に沿って配置されている。

図７（ａ）〜（ｃ）に示す半導体装置２０１の調整端子ｔｂ５は、パッケージｐ表面に沿って配置されて、調整端子ｔｂ５の先端がパッケージｐから突き出ていない。このため、先端がパッケージｐから突き出た場合較べて、調整端子ｔｂ５が外部の物体と接触して起きる、破損や半導体チップｃの静電破壊を防止することができる。また、調整端子ｔｂ５が占めるスペースはパッケージｐ周りにおいて調整端子ｔｂ５の厚みのみであり、調整端子ｔｂ５の配置によって、パッケージｐが大型化することもない。さらに、半導体装置２０１では、第１実施形態に示した半導体装置１０１〜１１０と同様に、製造時において電気特性を調整した後、調整端子ｔｂ５を切断（除去）しないため、切断時の外力によるパッケージ内部破壊や、切断工程の追加によるコストアップを防止することができる。また、半導体装置２０１の使用中に再び電気特性を調整する必要が生じた場合には、これを用いて再調整することもできる。

また、第１実施形態に示した半導体装置１０１〜１１０と同様に、半導体装置２０１のパッケージｐは平面形状が略矩形であり、調整端子ｔｂ５と駆動端子ｔａとが、図７（ａ），（ｂ）に示すように、パッケージｐにおける略矩形の外周の各辺に沿って、分離して配置されている。従って、調整端子ｔｂ５と駆動端子ｔａを略矩形のパッケージｐの一辺に混在して配置する場合に較べて、駆動端子ｔａ間の間隔を狭くすることができ、半導体装置２０１の周りの搭載密度を高めることができる。

図８（ａ）〜（ｃ）に、調整端子ｔｂ５と駆動端子ｔａの配置が異なる別の半導体装置２０２〜２０４の上面図を示す。

図８（ａ）〜（ｃ）に示すいずれの半導体装置２０２〜２０４についても、図７（ｂ）に示す半導体装置２０１と同様にして、半導体装置２０２〜２０４の周りの搭載密度を高めることができる。

以上示したように、図７と図８に示す半導体装置２０１〜２０４は、調整端子ｔｂ５を含む複数本の端子ｔａ，ｔｂ５が設けられた、樹脂モールドされた半導体装置であって、調整端子ｔｂ５による破損や破壊が起き難く、安価に製造することができる半導体装置となっている。

図７と図８に示す半導体装置２０１〜２０４では、調整端子ｔｂ５が、パッケージｐの側面から外部に取り出されている。しかしながらこれに限らず、調整端子ｔｂ５を、パッケージｐの上面や下面から取り出すようにしてもよい。また、半導体装置２０１では図７（ａ），（ｃ）に示すように、調整端子ｔｂ５は、先端がパッケージｐの下面に回り込むようにして、配置されている。しかしながらこれに限らず、調整端子を、先端がパッケージｐの上面に回り込むようにして、配置してもよい。また、調整端子を、先端がパッケージｐの側面にとどめて置くようにして、配置してもよい。上記のいずれの場合であっても、調整端子の先端は、駆動端子ｔａのようにパッケージｐから突き出ないため、調整端子が外部の物体と接触して起きる破損や静電破壊を防止することができる。尚、調整端子の取り出し面や先端の配置位置の選択は、調整端子への接続の容易さや外部の物体との接触が起き難い方向を考慮して行われる。また、駆動端子ｔａが図７と図８に示す半導体装置２０１〜２０４におけるコネクタの接続ピンとして使用される場合には、駆動端子ｔａは、相手方のコネクタのケースによって保護される。

また、上記の図７と図８に示した半導体装置２０１〜２０４においては、駆動端子ｔａはパッケージｐの表面から突き出ていた。しかしながらこれに限らず、駆動端子を半導体装置におけるコネクタの接続ピンとして使用しない場合には、調整端子ｔｂ５と同様に、調整端子と駆動端子の全ての端子をモールド樹脂からなるパッケージ表面に沿って配置して、外部の物体と接触して起きる破損や静電破壊から当該半導体装置を保護するようにしてもよい。
（他の実施形態）
図１〜図６に示した半導体装置１０１〜１１０では、いずれも、各端子ｔａ，ｔｂ１〜ｔｂ４と半導体チップｃとが、ボンディングワイヤｗによって接続されていた。これに限らず、各端子ｔａ，ｔｂ１〜ｔｂ４と半導体チップｃとが半田により直接接続されてなる半導体装置であってもよい。

また、図１〜図６に示した半導体装置１０１〜１１０では、半導体チップｃが、ヒートシンクｓ上に搭載されていた。これに限らず、半導体チップｃが、リードフレーム上に搭載されてなる半導体装置であってもよい。

第１実施形態における半導体装置の一例で、（ａ）は半導体装置の斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の半導体装置の透視図であり、（ｃ）は（ｂ）におけるＡ−Ａ断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、調整端子と駆動端子の配置が異なる別の半導体装置の上面図である。 第１実施形態における調整端子の配置が異なる別の半導体装置の例で、（ａ）は半導体装置の斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の半導体装置の透視図であり、（ｃ）は（ｂ）におけるＢ−Ｂ断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、調整端子と駆動端子の配置が異なる別の半導体装置の上面図である。 第１実施形態における別の半導体装置の例で、（ａ）は半導体装置の斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の半導体装置の透視図であり、（ｃ）は（ｂ）におけるＣ−Ｃ断面図である。 第１実施形態における別の半導体装置の例で、（ａ）は半導体装置の斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の半導体装置の透視図であり、（ｃ）は（ｂ）におけるＤ−Ｄ断面図である。 本実施形態の半導体装置ではないが参考とする半導体装置の一例で、（ａ）は半導体装置の斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の半導体装置の透視図であり、（ｃ）は（ｂ）におけるＥ−Ｅ断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、調整端子と駆動端子の配置が異なる別の半導体装置の上面図である。 従来の半導体装置を示す斜視図である。 従来の半導体装置を示す透視図である。 従来の半導体装置を示す斜視図である。 従来の半導体装置を示す上面図である。

符号の説明

９１〜９４，１０１〜１１０，２０１〜２０４ 半導体装置
ｔｂ１〜ｔｂ５ 調整端子
ｈ１〜ｈ４ 溝
ｔａ 調整端子以外の端子（駆動端子）
ｐ パッケージ
ｃ 半導体チップ
ｓ ヒートシンク
ｗ ボンディングワイヤ

Claims (8)

1. 複数本の端子が設けられ、樹脂モールドによりパッケージされた半導体装置であって、
   前記複数本の端子が、製造時に使用される当該半導体装置の電気特性調整用の調整端子を含んでなり、
   前記調整端子が、前記パッケージの表面に形成された溝の内部に配置されてなることを特徴とする半導体装置。
2. 前記半導体装置が、
   ヒートシンク上に半導体チップが搭載され、当該半導体チップと前記端子とがボンディングワイヤによって接続され、
   前記ヒートシンクにおける一方の面を外部に露出するようにして、パッケージされてなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記溝が、調整端子毎に独立して形成されてなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記溝が、複数本の調整端子に渡って共通して形成されてなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
5. 前記パッケージの平面形状が略矩形であり、
   前記調整端子と前記調整端子以外の端子とが、前記パッケージにおける略矩形の外周の各辺に沿って、分離して配置されてなることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
6. 前記調整端子が、前記ヒートシンクにおける外部に露出する面と反対側にある、前記パッケージの上面に配置されてなることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。
7. 前記調整端子が、前記ヒートシンクにおける外部に露出する面と交わる、前記パッケージの側面に配置されてなることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。
8. 前記調整端子以外の端子が、当該半導体装置におけるコネクタの接続ピンとして使用されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置。

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