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JP4376153B2 - Method for manufacturing piezoelectric oscillator - Google Patents
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Description

本発明は、主に通信機器や電子機器等のタイミングデバイスとして用いられる圧電発振器の製造方法に関するものである。           The present invention relates to a method of manufacturing a piezoelectric oscillator mainly used as a timing device for communication equipment, electronic equipment, and the like.

従来より、携帯電話といった通信機器等のタイミングデバイスとして水晶発振器が用いられている。
かかる従来の水晶発振器としては、例えば図3に示される水晶発振器で説明すると、内部に水晶振動素子24が収容されている容器体23を、また、上面の中央域に凹部25を下面に複数個の外部端子22を有した実装用基体21上に取り付けるとともに、前記容器体21の下面と前記凹部25の内面とで囲まれる領域内に、水晶振動素子24の発振周波数に基づいて発振信号を出力する集積回路素子26を収容した構造のものが一般に知られている。(例えば、特許文献1参照)。
Conventionally, crystal oscillators have been used as timing devices for communication equipment such as mobile phones.
As such a conventional crystal oscillator, for example, a crystal oscillator shown in FIG. 3 will be described. A container body 23 in which a crystal resonator element 24 is accommodated is provided, and a plurality of recesses 25 are provided on the lower surface in the central region of the upper surface. And an oscillation signal is output based on the oscillation frequency of the crystal resonator element 24 in a region surrounded by the lower surface of the container body 21 and the inner surface of the recess 25. A structure having an integrated circuit element 26 to be accommodated is generally known. (For example, refer to Patent Document 1).

なお、前記容器体23及び前記実装用基体21は、通常、アルミナセラミックス等のセラミック材料から成り、その内部及び表面には配線パターンが形成され、従来において周知のグリーンシート積層法等を採用して製作されている。そして、このような容器体23の下面や実装用基体21の上面には、それぞれ対応する箇所に接合電極が複数個ずつ設けられており、これらの接合電極同士を導電性接合材で接合することにより容器体23が実装用基体21の上面に固定されていた。           The container body 23 and the mounting base 21 are usually made of a ceramic material such as alumina ceramics, and a wiring pattern is formed on the inside and the surface thereof, and a conventionally known green sheet laminating method or the like is adopted. It has been produced. A plurality of bonding electrodes are provided at corresponding positions on the lower surface of the container body 23 and the upper surface of the mounting base 21, and these bonding electrodes are bonded to each other with a conductive bonding material. As a result, the container body 23 was fixed to the upper surface of the mounting base 21.

また、前記集積回路素子26の内部には、水晶振動素子24の温度特性に応じて作成された温度補償データーに基づいて、水晶発振器の発振出力を補正するための温度補償回路が設けられて居り、このような温度補償データーを集積回路素子26内のメモリーに格納するために、実装用基体21の外側面には特性制御データー書込端子27が設けられている。水晶発振器を組み立てた後、この特性制御データー書込端子27に温度補償データー書込装置のプローブ針を当てて温度補償データーを集積回路素子26へ入力することによって温度補償データーが集積回路素子26内のメモリーに格納される。           Further, a temperature compensation circuit for correcting the oscillation output of the crystal oscillator based on the temperature compensation data created according to the temperature characteristics of the crystal resonator element 24 is provided inside the integrated circuit element 26. In order to store such temperature compensation data in the memory in the integrated circuit element 26, a characteristic control data writing terminal 27 is provided on the outer surface of the mounting substrate 21. After assembling the crystal oscillator, the temperature compensation data is input to the integrated circuit element 26 by applying the probe needle of the temperature compensation data writing device to the characteristic control data writing terminal 27 and inputting the temperature compensation data to the integrated circuit element 26. Stored in the memory.

特開平2000―77943号公報JP 2000-77943 A

しかしながら、上述した従来の圧電発振器においては、特性制御データー書込端子は、プローブとの接触を確実にする為、実際には、その特性制御データー書込端子の占有面積は最低限の大きさが必要と成ってくる。従って特性制御データー書込端子の面積を維持したままで圧電発振器を小型化すると、外部端子と短絡を生じるおそれがあるという問題があった。           However, in the above-described conventional piezoelectric oscillator, the characteristic control data write terminal ensures the contact with the probe. In practice, the characteristic control data write terminal occupies a minimum area. It becomes necessary. Therefore, if the piezoelectric oscillator is downsized while maintaining the area of the characteristic control data writing terminal, there is a problem that a short circuit may occur with the external terminal.

また、上述した従来の圧電発振器においては、実装用基体21の外側面に温度補償データーを書き込むための特性制御データー書込端子27、または、水晶振動素子の特性を測定するためのモニター端子が設けられているが、先述のように圧電発振器を単に小型化すると、母基板からそれぞれの圧電発振器に分割し個割りする際に、個割りの刃(ブレード)によって、電極端子のメッキが剥がれて通電不良となってしまうおそれがあるという問題があった。           In the conventional piezoelectric oscillator described above, a characteristic control data write terminal 27 for writing temperature compensation data on the outer surface of the mounting substrate 21 or a monitor terminal for measuring the characteristics of the crystal resonator element is provided. However, if the piezoelectric oscillator is simply miniaturized as described above, the electrode terminal plating is peeled off by the individual blades (blades) when the piezoelectric oscillator is divided into individual piezoelectric oscillators from the mother board, and energized. There was a problem that it might become defective.

本発明は上記の問題を鑑み考え出されたもので、従ってその目的は、取り扱いが簡便で、生産性に優れた圧電発振器の製造方法を提供することにある。           The present invention has been conceived in view of the above problems, and therefore an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a piezoelectric oscillator that is easy to handle and excellent in productivity.

本発明の圧電発振器の製造方法は、下面のキャビティ部内壁に第1の特性制御データー書込端子を有する基板領域と、第2の特性制御データー書込端子を有する捨てしろ領域とを相互に隣接させて複数個ずつ配置させて成る母基板を準備する工程Aと、上面のキャビティ部に水晶振動素子を収容し、下面のキャビティ部に前記水晶振動素子の発振周波数に対応した発振信号を温度補償データーに基づいて補正しつつ出力する集積回路素子と取着させる工程Bと、前記捨てしろ領域に形成されている第2の特性制御データー書込端子を介して、各基板領域内の集積回路素子に温度補償データーを入力し、集積回路素子内のメモリーに温度補償データーを格納する工程Cと、前記母基板を各基板領域の外周に沿って切断することにより、各基板領域を捨てしろ領域より切り離し、前記容器体に前記基板領域に対応した実装用基体と、集積回路素子とを取り付けて成る複数個の圧電発振器を同時に得る工程Dと、前記基板領域の前記キャビティ部内壁に形成されている第1の特性制御データー書込端子を介して、再度集積回路素子に温度補償データーを入力し、集積回路素子内のメモリーに温度補償データーを格納する工程Eとを含むことを特徴とする。           In the piezoelectric oscillator manufacturing method of the present invention, the substrate region having the first characteristic control data write terminal on the inner wall of the cavity portion on the lower surface and the discarding region having the second characteristic control data write terminal are adjacent to each other. Step A for preparing a mother substrate formed by arranging a plurality of substrates, a quartz resonator element is accommodated in the upper cavity portion, and an oscillation signal corresponding to the oscillation frequency of the quartz resonator element is temperature compensated in the lower cavity portion. Integrated circuit element in each substrate region via an integrated circuit element that outputs while correcting on the basis of data, and a second characteristic control data writing terminal formed in the abandoned region Temperature compensation data is input to the memory in the integrated circuit element C, and the mother substrate is cut along the outer periphery of each substrate region. A step D of simultaneously obtaining a plurality of piezoelectric oscillators in which a mounting base corresponding to the substrate region and an integrated circuit element are attached to the container body, and an inner wall of the cavity portion of the substrate region; And the step E of inputting temperature compensation data to the integrated circuit element again via the first characteristic control data write terminal formed in the step of storing the temperature compensation data in the memory in the integrated circuit element. Features.

本発明により、キャビティ部の内壁部分に特性制御データー書込端子、及び水晶振動素子のモニター端子を設けることにより、内壁部分のスペースを著しく有効に利用することが出来るとともに、その圧電発振器の小型化を可能とするといった効果を奏する。           According to the present invention, by providing the characteristic control data writing terminal and the crystal vibration element monitor terminal on the inner wall portion of the cavity portion, the space of the inner wall portion can be used remarkably effectively and the piezoelectric oscillator can be downsized. There is an effect that makes it possible.

また、本発明により、前記特性制御データー書込端子、及び水晶振動素子のモニター端子が、集積回路素子の搭載される高さ部分に至る高さまで形成されていることにより、プローブが当て易く、その結果として圧電発振器の生産性を著しく向上することが出来るといった効果を奏する。           Further, according to the present invention, the characteristic control data writing terminal and the monitor terminal of the crystal resonator element are formed to a height up to the height portion where the integrated circuit element is mounted, so that the probe can be easily applied, As a result, the productivity of the piezoelectric oscillator can be remarkably improved.

以下、本発明を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお各図において、同一の符号は同じ対象を示すものとする。           Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In each figure, the same numerals indicate the same objects.

図1は本発明の一実施形態に係る圧電発振器の分解斜視図であり、図2は圧電発振器の断面図であり、これらの図に示される圧電発振器は、容器体の上面側のキャビティに水晶振動素子5を収容して居り、また、この容器体キャビティの下面側には集積回路素子7が取り付けられた構造を有している。           FIG. 1 is an exploded perspective view of a piezoelectric oscillator according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the piezoelectric oscillator. The piezoelectric oscillator shown in these figures has a crystal in a cavity on the upper surface side of a container body. The vibration element 5 is accommodated, and the integrated circuit element 7 is attached to the lower surface side of the container body cavity.

前記の容器体1は、例えば、ガラス−セラミック、アルミナセラミックス等のセラミック材料から成る基板2と、42アロイやコバール,リン青銅等の金属から成るシールリング3と、このシールリング3と同様の金属から成る蓋体4とから成り、前記基板2の上面にシールリング3を取り付け、その上面に蓋体4を載置して固定させることによって容器体1が構成され、シールリング3の内側に位置する基板2の上面に水晶振動素子5が実装される。           The container body 1 includes, for example, a substrate 2 made of a ceramic material such as glass-ceramic and alumina ceramic, a seal ring 3 made of metal such as 42 alloy, Kovar, phosphor bronze, and the same metal as the seal ring 3 The container body 1 is constructed by attaching the seal ring 3 to the upper surface of the substrate 2 and placing and fixing the lid body 4 on the upper surface of the substrate 2, and is positioned inside the seal ring 3. The crystal resonator element 5 is mounted on the upper surface of the substrate 2 to be performed.

前記の容器体1はその内部に、具体的には、基板2の上面とシールリング3の内面と蓋体4の下面とで囲まれる空間内に水晶振動素子5を収容して気密封止するためのものであり、基板2の上面には水晶振動素子5の振動電極に接続される一対の搭載パッド等が設けられている。          The container body 1 accommodates the quartz crystal resonator element 5 in the space surrounded by the upper surface of the substrate 2, the inner surface of the seal ring 3, and the lower surface of the lid body 4, and is hermetically sealed. For this purpose, a pair of mounting pads connected to the vibration electrodes of the crystal resonator element 5 are provided on the upper surface of the substrate 2.

なお、前記容器体1の基板2は、この基板がアルミナセラミックスから成る場合、所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加して混合して得たセラミックグリーンシートの表面等に、配線パターンとなる導体ペーストを従来から周知のスクリーン印刷等によって塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することによって製作されるものである。           When the substrate 2 is made of alumina ceramics, the substrate 2 of the container body 1 has a wiring pattern on the surface of a ceramic green sheet obtained by adding an appropriate organic solvent to a predetermined ceramic material powder and mixing it. The conductor paste is applied by well-known screen printing or the like, and a plurality of the pastes are laminated and press-molded, and then fired at a high temperature.

また、前記容器体1のシールリング3、及び蓋体4は従来から周知の金属加工法を採用し、42アロイ等の金属を所定の形状に成形することによって製作され、その結果得られたシールリング3を基板2の上面に予め被着させておいた導体層にロウ付けし、続いて水晶振動素子5を導電性接着剤を用いて基板2の上面に実装して固定した後、シールリング3の上面に従来から周知の抵抗溶接等によって蓋体4を接合することにより容器体1が組み立てられる。           Further, the seal ring 3 and the lid 4 of the container body 1 are manufactured by adopting a conventionally known metal processing method and molding a metal such as 42 alloy into a predetermined shape, and the resulting seal The ring 3 is brazed to a conductor layer previously deposited on the upper surface of the substrate 2, and then the quartz resonator element 5 is mounted and fixed on the upper surface of the substrate 2 using a conductive adhesive, and then the seal ring The container body 1 is assembled by joining the lid body 4 to the upper surface of 3 by conventional well-known resistance welding or the like.

このようにシールリング3と蓋体4とを抵抗溶接によって接合する場合、シールリング3や蓋体4の表面にはNiメッキ層やAuメッキ層等が予め被着される。           In this way, when the seal ring 3 and the lid 4 are joined by resistance welding, a Ni plating layer, an Au plating layer, or the like is previously deposited on the surfaces of the seal ring 3 and the lid 4.

一方、前記容器体1の内部に収容される水晶振動素子5は、所定の結晶軸でカットした水晶片の両主面に一対の振動電極を被着して形成されて居り、外部からの変動電圧が一対の振動電極を介して水晶片に印加されると、所定の発振周波数で厚みすべり振動を起こす。           On the other hand, the quartz crystal vibrating element 5 accommodated in the container body 1 is formed by attaching a pair of vibrating electrodes to both main surfaces of a crystal piece cut along a predetermined crystal axis, and varies from the outside. When a voltage is applied to the crystal piece via a pair of vibrating electrodes, thickness shear vibration is caused at a predetermined oscillation frequency.

前記の水晶振動素子5は、一対の振動電極を、導電性接着剤を介して基板上面の対応する搭載パッドに電気的に接続させることによって基板2の上面に搭載され、これにより水晶振動素子5と容器体1との電気的接続、並びに、機械的接続が同時に成される。           The crystal resonator element 5 is mounted on the upper surface of the substrate 2 by electrically connecting a pair of vibration electrodes to a corresponding mounting pad on the upper surface of the substrate via a conductive adhesive. The electrical connection between the container body 1 and the mechanical connection are made simultaneously.

ここで容器体1の蓋体4を、容器体1の配線パターン等を介して先の容器体下面のグランド外部端子12に接続させておけば、その使用時、蓋体4が接地されてシールド機能が付与されることと成るため、その結果、水晶振動素子5や後述する集積回路素子7を、外部からの不要な電気的作用より良好に保護することが出来る。            Here, if the lid body 4 of the container body 1 is connected to the ground external terminal 12 on the lower surface of the previous container body via the wiring pattern of the container body 1, the lid body 4 is grounded and shielded during use. Since the function is added, as a result, it is possible to better protect the crystal resonator element 5 and the integrated circuit element 7 to be described later than unnecessary electric action from the outside.

なお、上述した4個の外部端子はそれぞれ、電源電圧端子、グランド端子、発振出力端子、及び発振制御端子として機能するものである。           The four external terminals described above function as a power supply voltage terminal, a ground terminal, an oscillation output terminal, and an oscillation control terminal.

ここで、4個の外部端子のうち、グランド用の外部端子12と発振出力用の外部端子12を近接させて配置するようにすれば、発振出力端子より出力される発振信号にノイズが干渉することを有効に防止することができる。従って、グランド用の外部端子12と発振出力用の外部端子12とを近接して配置することが好ましい。           Here, of the four external terminals, if the ground external terminal 12 and the oscillation output external terminal 12 are arranged close to each other, noise interferes with the oscillation signal output from the oscillation output terminal. This can be effectively prevented. Therefore, it is preferable that the ground external terminal 12 and the oscillation output external terminal 12 be arranged close to each other.

一方、前記の容器体1の下面側のキャビティに取り付けられる集積回路素子7としては、例えば、下面に複数個の接続パッドを有した矩形状のフリップチップ型IC等が用いられ、その下面の回路形成面には、それぞれ周囲の温度状態を検知するサーミスタといった感温素子、水晶振動素子5の温度特性を補償する温度補償データーを格納するためのメモリー、温度補償データーに基づいて水晶振動素子5の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路、及びこの温度補償回路に接続されて所定の発振出力を出力する発振回路等が設けられ、先の発振回路で出力された発振出力は、例えば、クロック信号等の基準信号として利用されることと成る。           On the other hand, as the integrated circuit element 7 attached to the cavity on the lower surface side of the container body 1, for example, a rectangular flip chip IC having a plurality of connection pads on the lower surface is used, and the circuit on the lower surface thereof is used. The forming surface has a temperature sensing element such as a thermistor for detecting the surrounding temperature state, a memory for storing temperature compensation data for compensating the temperature characteristics of the crystal vibration element 5, and the crystal vibration element 5 based on the temperature compensation data. A temperature compensation circuit that corrects vibration characteristics according to a temperature change, an oscillation circuit that is connected to the temperature compensation circuit and outputs a predetermined oscillation output, and the like are provided. The oscillation output output from the previous oscillation circuit is, for example, It is used as a reference signal such as a clock signal.

このような集積回路素子7が配設される容器体1の下面側のキャビティには、集積回路素子7の接続パッドと1対1に対応する電極パッドがそれぞれ設けられており、これらの電極パッドに半田や金バンプ等の導電性接合材を介して集積回路素子7の接続パッドを接合することにより、集積回路素子7が容器体1の下面側のキャビティに取り付けられて実装され、これによって集積回路素子7内の電子回路が容器体1の配線パターン等を介して水晶振動素子5や外部端子12等に電気的に接続されることと成る。          In the cavity on the lower surface side of the container body 1 in which such an integrated circuit element 7 is disposed, electrode pads corresponding to the connection pads of the integrated circuit element 7 are provided respectively, and these electrode pads are provided. By connecting the connection pads of the integrated circuit element 7 to each other through a conductive bonding material such as solder or gold bump, the integrated circuit element 7 is mounted and mounted in the cavity on the lower surface side of the container body 1. The electronic circuit in the circuit element 7 is electrically connected to the crystal vibration element 5 and the external terminal 12 through the wiring pattern of the container body 1 and the like.

そして、上述した容器体1の下面側のキャビティ部にある内壁には、集積回路素子7に温度補償データーを書き込むための特性制御データー書込端子11が複数個設けられている。           A plurality of characteristic control data write terminals 11 for writing temperature compensation data to the integrated circuit element 7 are provided on the inner wall in the cavity portion on the lower surface side of the container body 1 described above.

これらの特性制御データー書込端子11に水平方向より、温度補償データー書込装置のプローブ針20を当て、水晶振動素子5の温度特性に応じた温度補償データーを書き込むことにより集積回路素子7のメモリー内に温度補償データーが格納される。           The memory of the integrated circuit element 7 is written by applying the probe needle 20 of the temperature compensation data writing device to the characteristic control data writing terminal 11 from the horizontal direction and writing the temperature compensation data corresponding to the temperature characteristic of the crystal resonator element 5. The temperature compensation data is stored in the inside.

この際、例えば温度補償データー書込装置のプローブ16には、前記の集積回路素子7に接触すると初めてプローブ針20が水平方向に飛び出す構造のものを使用する。 At this time, for example, a probe having a structure in which the probe needle 20 protrudes in the horizontal direction for the first time when contacting the integrated circuit element 7 is used as the probe 16 of the temperature compensation data writing device.

かくして上述した圧電発振器は、マザーボード等の外部配線基板上に半田付け等によって搭載され、集積回路素子7の温度補償回路を用いて温度状態に応じた発振周波数の補正を行いながら、水晶振動素子5の発振周波数に対応した所定の発振信号を出力することによって圧電発振器として機能する。           Thus, the above-described piezoelectric oscillator is mounted on an external wiring board such as a mother board by soldering or the like, and while correcting the oscillation frequency according to the temperature state using the temperature compensation circuit of the integrated circuit element 7, the crystal resonator element 5. The piezoelectric oscillator functions by outputting a predetermined oscillation signal corresponding to the oscillation frequency.

次に上述した圧電発振器の製造方法について説明する。
(工程A)まず、下面のキャビティ部内壁に第1の特性制御データー書込端子11を有する基板領域Aと、複数個の第2の特性制御データー書込端子12を有する捨てしろ領域Bとを相互に隣接させて、これらをマトリックス状に配置した母基板15を準備する。このような母基板15は、ガラス−セラミック等の低温焼成基板材料,アルミナセラミックス等のセラミック材料等によって形成されており、その厚みは例えば20μm〜300μmに設定され、その材質としては、例えば800℃〜1200℃の比較的低い温度で焼成が可能なガラス−セラミック材料等が適宜用いられる。
Next, a method for manufacturing the above-described piezoelectric oscillator will be described.
(Step A) First, a substrate region A having a first characteristic control data write terminal 11 on the inner wall of the cavity portion on the lower surface and a throw-away region B having a plurality of second characteristic control data write terminals 12 are formed. A mother substrate 15 in which these are arranged adjacent to each other and arranged in a matrix is prepared. Such a mother substrate 15 is formed of a low-temperature fired substrate material such as glass-ceramic, a ceramic material such as alumina ceramic, and the thickness is set to 20 μm to 300 μm, for example, and the material is, for example, 800 ° C. A glass-ceramic material that can be fired at a relatively low temperature of ˜1200 ° C. is appropriately used.

ガラス−セラミック材料を構成するセラミック材料の具体的な材質としては、クリストバライト、石英、コランダム(αアルミナ)、ムライト、コージェライトなどの絶縁セラミック材料、BaTiO3、Pb4Fe2Nb212、TiO2などの誘電体セラミック材料、Ni−Znフェライト、Mn−Znフェライト(広義の意味でセラミックという)などの磁性体セラミック材料などが用いられる。なお、その平均粒径を1.0〜6.0μm、好ましくは1.5〜4.0μmに粉砕したものを用いる。また、セラミック材料は先述の2種以上を混合して用いてもよい。特にコランダム(αアルミナ)を用いた場合ではコスト的に有利となる効果を奏する。 Specific examples of the ceramic material constituting the glass-ceramic material include cristobalite, quartz, corundum (α-alumina), mullite, cordierite and other insulating ceramic materials, BaTiO 3 , Pb 4 Fe 2 Nb 2 O 12 , TiO 2 or the like, or a magnetic ceramic material such as Ni-Zn ferrite or Mn-Zn ferrite (referred to as ceramic in a broad sense) is used. The average particle diameter is 1.0 to 6.0 μm, preferably 1.5 to 4.0 μm. Moreover, you may use a ceramic material in mixture of 2 or more types of the above-mentioned. In particular, when corundum (α-alumina) is used, there is an advantageous effect in terms of cost.

また、ガラス材料の材質としては焼成処理することによって、コージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトや、またはその置換誘導体の結晶や、スピネル構造の結晶相を析出するものであればよく、例えば、B23、SiO2、Al23、ZnO、アルカリ土類酸化物を含むガラスフリット等が適宜用いられる。この様なガラスフリットは、ガラス化範囲が広く、またその屈伏点が600〜800℃付近と成っている。 Also, as a material of the glass material, crystals of cordierite, mullite, anorthite, serdian, spinel, garnite, willemite, dolomite, petalite, or substituted derivatives thereof, and crystal phases of the spinel structure are precipitated by firing. For example, B 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , ZnO, glass frit containing an alkaline earth oxide, or the like is appropriately used. Such a glass frit has a wide vitrification range, and its yield point is around 600 to 800 ° C.

なお、基板10は図には示していないが、その内部、及び主面に回路パターンや部品搭載用パッドとなる導体パターンを有する。ここで導体パターンの材質としては、誘電体層を形成する誘電体材料との相性を考慮して選定され、例えばAg、Ag−Pd、Ag−Pt等のAg合金を主成分とする導電材料やCu系、W系、Mo系、Pd系導電材料等によって形成され、その厚みは例えば5〜25μmに設定される。           Although not shown in the drawing, the substrate 10 has a conductor pattern serving as a circuit pattern or a component mounting pad inside and on the main surface. Here, the material of the conductor pattern is selected in consideration of compatibility with the dielectric material forming the dielectric layer. For example, a conductive material mainly composed of an Ag alloy such as Ag, Ag—Pd, or Ag—Pt, It is formed of a Cu-based, W-based, Mo-based, Pd-based conductive material or the like, and its thickness is set to 5 to 25 μm, for example.

また、下面のキャビティ部内部、及びその主面には回路パターンや、第1の特性制御データー書込端子11、及び第2の特性制御データー書込端子12や第2接合電極,外部端子等となる導体パターンを有する。導体パターンは、その材質としては、誘電体層を形成する誘電体材料との相性を考慮して選定され、例えばAg、Ag−Pd、Ag−Pt等のAg合金を主成分とする導電材料やCu系、W系、Mo系、Pd系導電材料等によって形成され、その厚みは例えば5〜25μmに設定される。           In addition, the circuit pattern, the first characteristic control data write terminal 11, the second characteristic control data write terminal 12, the second junction electrode, the external terminal, etc. A conductor pattern. The conductive pattern is selected in consideration of the compatibility with the dielectric material forming the dielectric layer, such as a conductive material mainly composed of an Ag alloy such as Ag, Ag-Pd, or Ag-Pt. It is formed of a Cu-based, W-based, Mo-based, Pd-based conductive material or the like, and its thickness is set to 5 to 25 μm, for example.

(工程B)上面のキャビティ部に水晶振動素子5を収容し、下面のキャビティ部には、前記の水晶振動素子の発振周波数に対応した発振信号を温度補償データーに基づいて補正しつつ出力する集積回路素子を取り付ける。          (Process B) The quartz resonator element 5 is accommodated in the cavity portion on the upper surface, and the oscillation signal corresponding to the oscillation frequency of the quartz resonator element is output to the cavity portion on the lower surface while correcting based on the temperature compensation data. Install the circuit elements.

前記の集積回路素子7としては、例えば、下面に容器体の下面キャビティ部の電極パッドと1対1に対応する複数個の接続パッドを有した矩形状のフリップチップ型IC等が用いられ、その下面の回路形成面には、周囲の温度状態を検知するサーミスタといった感温素子、水晶振動素子5の温度特性を補償する温度補償データーを格納するためのメモリー、温度補償データーに基づいて水晶振動素子5の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路、及びこの該温度補償回路に接続されて所定の発振出力を出力する発振回路等がそれぞれ設けられ、前記の発振回路の発振出力は、外部に出力された後、例えばクロック信号等の基準信号として利用されることとなる。           As the integrated circuit element 7, for example, a rectangular flip chip type IC having a plurality of connection pads corresponding to the electrode pads on the lower surface cavity portion of the container body on a lower surface is used. On the lower circuit forming surface, a temperature sensing element such as a thermistor for detecting the ambient temperature state, a memory for storing temperature compensation data for compensating the temperature characteristics of the crystal vibration element 5, and a crystal vibration element based on the temperature compensation data 5 is provided with a temperature compensation circuit that corrects the vibration characteristics according to a temperature change, an oscillation circuit that is connected to the temperature compensation circuit and outputs a predetermined oscillation output, and the oscillation output of the oscillation circuit is After being output to the outside, for example, it is used as a reference signal such as a clock signal.

なお、前記の集積回路素子7は、キャビティ部の内部に設けた接続パッドを上面の対応する電極パッドに半田や金バンプ等の導電性接合材を介して個々に接合させることによって、集積回路素子7が下面のキャビティ部内に取り付けられ、これによって集積回路素子7内の電子回路は、容器体1の配線導体等を介して水晶振動素子5や外部端子10等に電気的に接続されることと成る。           The integrated circuit element 7 is formed by individually bonding the connection pads provided in the cavity portion to the corresponding electrode pads on the upper surface via a conductive bonding material such as solder or gold bump. 7 is mounted in the cavity portion on the lower surface, whereby the electronic circuit in the integrated circuit element 7 is electrically connected to the crystal vibrating element 5, the external terminal 10, etc. via the wiring conductor of the container body 1. Become.

また、かかる工程Bにおいては、基板領域Aの下面のキャビティ部内壁に第1の特性制御データー書込端子11、及び捨てしろ領域Bの第2の特性制御データー書込端子12と集積回路素子7とが容器体1、及び母基板15の配線導体を介して電気的に接続されることと成る。           Further, in the process B, the first characteristic control data write terminal 11 on the inner wall of the cavity portion on the lower surface of the substrate region A, and the second characteristic control data write terminal 12 and the integrated circuit element 7 in the area B to be discarded. Are electrically connected via the wiring conductor of the container body 1 and the mother board 15.

(工程C) 次に母基板15の捨てしろ領域Bに設けた複数個の第2の特性制御データー書込端子12を介して各基板領域A内の集積回路素子7に温度補償データーを入力し、集積回路素子7内のメモリーに温度補償データーを格納する。 (Step C) Next, temperature compensation data is input to the integrated circuit elements 7 in each substrate region A via a plurality of second characteristic control data write terminals 12 provided in the area B to be discarded of the mother substrate 15. The temperature compensation data is stored in the memory in the integrated circuit element 7.

このような温度補償データーの書込作業は、温度補償データー書込装置のプローブ針20を第2の特性制御データー書込端子12に当てて、水晶振動素子5の温度特性に応じて作成された温度補償データーを集積回路素子7の温度補償回路内に設けられているメモリーに入力し、これを記憶させることによって行なわれる。なお、ここで集積回路素子7に書き込まれる温度補償データーは、水晶振動素子毎の温度特性バラツキを補正する為のものであり、その圧電発振器に使用される水晶振動素子5の温度特性を事前に測定しておくことにより得られる。           Such temperature compensation data writing operation was created according to the temperature characteristics of the crystal resonator element 5 by placing the probe needle 20 of the temperature compensation data writing device against the second characteristic control data writing terminal 12. This is done by inputting the temperature compensation data into a memory provided in the temperature compensation circuit of the integrated circuit element 7 and storing it. Here, the temperature compensation data written to the integrated circuit element 7 is for correcting the temperature characteristic variation for each crystal resonator element, and the temperature characteristics of the crystal resonator element 5 used in the piezoelectric oscillator are determined in advance. Obtained by measuring.

(工程D) 次に前記母基板15を各基板領域Aの外周に沿って切断することにより、各基板領域Aを捨てしろ領域Bより切り離す。         (Step D) Next, the mother board 15 is cut along the outer periphery of each board area A, so that each board area A is discarded from the area B.

前記の母基板15の切断は従来から周知のダイシング(個割り)等によって行なわれ、かかる切断工程を経て母基板15が個々の基板領域毎に分割される。これにより、容器体1の下面に集積回路素子7が取り付けられて成る複数個の圧電発振器が同時に得られる。           The mother substrate 15 is cut by conventionally known dicing (divided), and the mother substrate 15 is divided into individual substrate regions through the cutting process. Thus, a plurality of piezoelectric oscillators in which the integrated circuit element 7 is attached to the lower surface of the container body 1 can be obtained simultaneously.

(工程E) 最後に前記容器体1の下面のキャビティ部内壁に形成されている第1の特性制御データー書込端子11を介して、再度集積回路素子7に温度補償データーを入力し、集積回路素子7内のメモリーに温度補償データーを格納することにより、母基板上で温度補償データーのうち入力ミスなったものについては、分割後の個片状態に成っても再調整をすることが出来る為、その結果として圧電発振器の生産歩留まりを著しく改善させることが出来る。         (Step E) Finally, the temperature compensation data is input again to the integrated circuit element 7 through the first characteristic control data writing terminal 11 formed on the inner wall of the cavity portion on the lower surface of the container body 1, and the integrated circuit By storing the temperature compensation data in the memory in the element 7, it is possible to readjust the temperature compensation data on the mother board that has been input incorrectly even if it is in the individual state after division. As a result, the production yield of the piezoelectric oscillator can be remarkably improved.

例えば、温度補償データー書込装置のプローブ16には、前記集積回路素子に接触するとそのプローブ針20が初めて飛び出し、そのプローブ針20の先端を第1の特性制御データー書込端子に当てることによって、集積回路素子に温度補償データーを入力させることが出来る構造のプローブ16を使用する。           For example, when the probe 16 of the temperature compensation data writing device comes into contact with the integrated circuit element, the probe needle 20 pops out for the first time, and the tip of the probe needle 20 is applied to the first characteristic control data writing terminal. A probe 16 having a structure capable of inputting temperature compensation data to the integrated circuit element is used.

なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能であり、従ってこれらの場合においても本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでも無い。           It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications and improvements can be made without departing from the gist of the present invention. Therefore, in these cases, the technical scope of the present invention is also included. Needless to say, it is included.

また、上述した実施形態においては、集積回路素子7を容器体1の下面側のキャビティに取り付けるのに半田等の一般的な導電性接合材等を用いるようにしたが、これに限られるものではなく、例えば、導電性接合材として異方性導電接着材等を用いても構わず、この場合においても本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでも無い。導電性接合材として異方性導電接着材等を用いた場合、容器体1に対する集積回路素子7等の取り付けの作業が極めて簡単になり、圧電発振器の組立工程が更に簡略化されるといった利点もある。           In the embodiment described above, a general conductive bonding material such as solder is used to attach the integrated circuit element 7 to the cavity on the lower surface side of the container body 1. However, the present invention is not limited to this. For example, an anisotropic conductive adhesive or the like may be used as the conductive bonding material, and it goes without saying that this case is also included in the technical scope of the present invention. When an anisotropic conductive adhesive or the like is used as the conductive bonding material, the work of attaching the integrated circuit element 7 or the like to the container body 1 becomes extremely simple, and the assembly process of the piezoelectric oscillator is further simplified. is there.

更に上述した実施形態においては、容器体1の蓋体4を、シールリング3を介して基板2に接合させるようにしたが、これに代えて、基板2の上面に接合用のメタライズパターンを形成して居き、このメタライズパターンに対して蓋体4をダイレクトに溶接するようにしても構わず、この場合においても本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでも無い。           Further, in the above-described embodiment, the lid 4 of the container body 1 is bonded to the substrate 2 via the seal ring 3. Instead, a metallized pattern for bonding is formed on the upper surface of the substrate 2. Therefore, the lid 4 may be directly welded to the metallized pattern, and it goes without saying that this case is also included in the technical scope of the present invention.

また更に、例えば、上述した実施形態において、シールリング3を用いて蓋体4を容器体1上に取り付けるようにしたが、これに代えて、容器体上面のAu−Sn等の接合用導体に対して蓋体4を直接に接合することにより蓋体4を容器体1上に取り付けるようにしても構わず、この場合においても本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでも無い。           Furthermore, for example, in the above-described embodiment, the lid 4 is attached to the container body 1 using the seal ring 3, but instead of this, a bonding conductor such as Au—Sn on the upper surface of the container body is used. On the other hand, the lid 4 may be attached to the container 1 by directly joining the lid 4, and it goes without saying that this case is also included in the technical scope of the present invention.

また更に、上述した実施形態においては、容器体1の基板上面に直接シールリング3を取り付けるようにしたが、これに代えて、基板2の上面に基板2と同材質のセラミック材料等から成る枠体を一体的に取り付けた上、先の枠体の上面にシールリング3を取り付けるようにしても構わず、この場合においても本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでも無い。           Furthermore, in the embodiment described above, the seal ring 3 is directly attached to the upper surface of the substrate of the container body 1. Instead of this, a frame made of a ceramic material or the like made of the same material as the substrate 2 is provided on the upper surface of the substrate 2. The body may be integrally attached, and the seal ring 3 may be attached to the upper surface of the previous frame, and it goes without saying that this case is also included in the technical scope of the present invention.

また更に、上述した実施形態においては、容器体下面の空いたスペースに例えば、隣接する実装脚部間等にノイズ除去用のチップ状コンデンサ等を配置させても良いことは言うまでも無く、この場合においても本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでも無い。           Furthermore, in the embodiment described above, it goes without saying that, for example, a chip-like capacitor for noise removal may be disposed between the adjacent mounting legs, etc., in the empty space on the lower surface of the container body. Needless to say, such a case is included in the technical scope of the present invention.

また更に、上述した実施形態において、水晶振動素子を用いたが、SAWデバイス等の圧電振動素子を使用しても良いことは言うまでも無い。           Furthermore, in the above-described embodiment, the crystal vibration element is used, but it goes without saying that a piezoelectric vibration element such as a SAW device may be used.

本発明の一実施形態に係るひとつの圧電発振器を上部キャビティと下部キャビティに分けて示した概略の分解斜視図である。FIG. 3 is a schematic exploded perspective view showing one piezoelectric oscillator according to an embodiment of the present invention divided into an upper cavity and a lower cavity. 本発明の一実施形態に係るひとつの圧電発振器の概略の側面断面模式図である。1 is a schematic side cross-sectional view of one piezoelectric oscillator according to an embodiment of the present invention. 図1に示される圧電発振器の製造の模様を表し、また、母基板に多数個形成された圧電発振器を下部キャビティ側からみた概略の外観斜視図である。FIG. 2 is a schematic external perspective view showing a manufacturing pattern of the piezoelectric oscillator shown in FIG. 1 and viewing a plurality of piezoelectric oscillators formed on a mother substrate from the lower cavity side. 従来の圧電発振器を、上部キャビティと下部キャビティに分けて示した概略の分解斜視図である。FIG. 6 is a schematic exploded perspective view showing a conventional piezoelectric oscillator divided into an upper cavity and a lower cavity.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・容器体
2・・・基板
3・・・シールリング
4・・・蓋体
5・・・水晶振動素子
7・・・集積回路素子
10・・外部端子
11・・特性制御データー書込端子
12・・モニター端子
15・・母基板
16・・プローブ
20・・プローブ針
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Container body 2 ... Board | substrate 3 ... Seal ring 4 ... Lid body 5 ... Quartz vibration element 7 ... Integrated circuit element 10 ... External terminal 11 ... Characteristic control data writing Terminal 12 ··· Monitor terminal 15 ··· Mother board 16 · · Probe 20 · · Probe needle

Claims (3)

下面のキャビティ部内壁に第1の特性制御データー書込端子を有する基板領域と、第2の特性制御データー書込端子を有する捨てしろ領域とを相互に隣接させて複数個ずつ配置させて成る母基板を準備する工程Aと、
上面のキャビティ部に水晶振動素子を収容し、下面のキャビティ部に前記水晶振動素子の発振周波数に対応した発振信号を温度補償データーに基づいて補正しつつ出力する集積回路素子を取り付ける工程Bと、
前記捨てしろ領域に形成されている第2の特性制御データー書込端子を介して、各基板領域内の集積回路素子に温度補償データーを入力し、集積回路素子内のメモリーに温度補償データーを格納する工程Cと、
前記母基板を各基板領域の外周に沿って切断することにより、各基板領域を捨てしろ領域より切り離し、前記容器体に前記基板領域に対応した実装用基体と、集積回路素子とを取り付けて成る複数個の圧電発振器を同時に得る工程Dと、
前記基板領域の前記キャビティ部内壁に形成されている第1の特性制御データー書込端子を介して、再度集積回路素子に温度補償データーを入力し、集積回路素子内のメモリーに温度補償データーを格納する工程Eと、
を含む圧電発振器の製造方法。
A mother board formed by arranging a plurality of substrate regions each having a first characteristic control data writing terminal on the inner wall of the cavity portion on the lower surface and a discarding region having a second characteristic control data writing terminal adjacent to each other. Step A for preparing a substrate;
A step B in which a crystal resonator element is accommodated in the upper cavity portion, and an integrated circuit element that outputs an oscillation signal corresponding to the oscillation frequency of the crystal resonator element based on temperature compensation data is attached to the lower cavity portion;
The temperature compensation data is input to the integrated circuit element in each substrate area via the second characteristic control data writing terminal formed in the discarding area, and the temperature compensation data is stored in the memory in the integrated circuit element. Step C to be performed
By cutting the mother board along the outer periphery of each board area, each board area is discarded and separated from the area, and a mounting substrate corresponding to the board area and an integrated circuit element are attached to the container body. Step D for simultaneously obtaining a plurality of piezoelectric oscillators;
The temperature compensation data is input again to the integrated circuit element via the first characteristic control data write terminal formed on the inner wall of the cavity portion of the substrate region, and the temperature compensation data is stored in the memory in the integrated circuit element. Step E
A method for manufacturing a piezoelectric oscillator comprising:
工程Aにおいて、下面のキャビティ部内壁に第1の特性測定端子を有する基板領域と、第2の特性測定端子を有する捨てしろ領域を相互に隣接させて複数個ずつ、配置させて成る母基板の状態とすることを特徴とする請求項1記載の圧電発振器の製造方法。           In the step A, a mother board formed by arranging a plurality of substrate regions each having a first characteristic measurement terminal on the inner wall of the cavity portion on the lower surface and a discarding region having a second characteristic measurement terminal adjacent to each other. 2. The method of manufacturing a piezoelectric oscillator according to claim 1, wherein the piezoelectric oscillator is in a state. 工程Dにおいて、前記基板領域の前記キャビティ部内壁に形成されている第1の特性制御データー書込端子を介して、再度集積回路素子に温度補償データーを入力する際に使用する温度補償データー書込装置のプローブが、前記集積回路素子に接触して初めて前記プローブのプローブ針が水平方向に飛び出すことを特徴とする請求項1記載の圧電発振器の製造方法。           In step D, temperature compensation data writing used when temperature compensation data is input again to the integrated circuit element via the first characteristic control data writing terminal formed on the inner wall of the cavity portion of the substrate region. 2. The method of manufacturing a piezoelectric oscillator according to claim 1, wherein the probe needle of the probe protrudes in the horizontal direction only after the probe of the apparatus comes into contact with the integrated circuit element.
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