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JP4404074B2 - 固体撮像装置及びデータ伝送方法並びに撮像装置 - Google Patents
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Description

本発明は、C−MOS型イメージセンサ等の固体撮像素子から撮像データを読み出して外部へ伝送する固体撮像装置及びデータ伝送方法、並びに、C−MOS型イメージセンサ等の固体撮像素子を用いた撮像装置に関する。
近年、C−MOS型の半導体製造プロセスを用いたイメージセンサ(以下、C−MOSイメージセンサという。)が広く実用化されつつある。C−MOSイメージセンサでは、例えば、m列×n行に二次元配列された各単位画素から得られる画素信号を順次読み出すことができる。具体的にC−MOSイメージセンサは、垂直方向(カラム方向という。)に並んだn個の単位画素から発生された画素信号を伝送するm本のカラム信号線と水平方向に並んだm個の単位画素を選択するn本の水平選択線とが格子状に配列されており、これらカラム信号線及び水平選択線によりm列×n行の単位画素を1つずつ順次スキャンして画像信号を生成する撮像デバイスである。
また、このような撮像デバイスを用いて、例えばフルHD(Full High Definition)規格などといった高画質の画像を撮像するには、単位時間当たりでより多くの画素データをイメージセンサから出力することを要する。すなわち、イメージセンサでは、より速いピクセルレートで画素データを出力しなければならない。このように速いピクセルレートで画像信号を撮像する場合、従来と同様の伝送レートで外部へ出力するには、撮像デバイスの出力端子を増加する必要があるため、回路規模が大きくなってしまうという問題がある。
このような問題を改善するには、イメージセンサにおける各単位画素からの画素データの読み出し速度を速くし、高速で読み出された画像信号を少数の出力端子で外部へ出力することが考えられる。ここで、単純に各単位画素から画素信号を読み出す速度を速くすると、イメージセンサ内の消費電力や読み出しの際に生じるノイズが増大してしまう。
特許文献1では、このような読み出し速度の高速化に伴う弊害を改善するため、低速クロックから高速クロックを生成し、低速クロックを基準としてC−MOSイメージセンサから4画素分の画素データを読み出し、高速クロックを基準として画素データを複数チャネルの差動伝送路で外部へ出力する固体撮像装置が記載されている。
このように、特許文献1に記載の固体撮像装置では、イメージセンサを低速クロックで動作させ、画素データを出力する出力側回路を高速クロックで動作させる。このため、装置全体で全ての処理ブロックを高速で動作させる場合に比べて、イメージセンサ内で発生するノイズを低減することや消費電力の増加を抑えることができる。
特開2005―86224号公報
しかしながら、特許文献1に記載の固体撮像装置では、低解像度で低フレームレートのデータ形式の画像信号を撮像して伝送する場合でも、高解像度で高フレームレートの画像データを伝送する場合と同数の差動増幅器を駆動して画像信号の伝送を行うので、画素信号の読み出しから画像信号を外部に出力までの全処理を比較的低い周波数のクロック数で行う固体撮像装置に比べて消費電力が高くなってしまった。
本発明は、このような実情に鑑みて提案されたものであり、固体撮像素子から読み出された撮像データを省電力で固体撮像素子の外部へ伝送する固体撮像装置及びデータ伝送方法並びに撮像装置を提供することを目的とする。
上述した課題を解決するための手段として、本発明に係る固体撮像装置は、第1のクロックを基準として、二次元配列された単位画素から撮像データを読み出す固体撮像素子と、上記第1のクロックよりも動作周波数が高い第2のクロックを生成する第2のクロック生成部と、上記固体撮像素子から読み出される撮像データをビットデータ列に並べ替える配列処理部と、上記配列処理部で並べ替えられたビットデータ列を複数の差動伝送路を介して外部へ伝送する差動増幅器を複数有し、上記差動増幅器が上記ビットデータ列を上記第2のクロックを基準として外部へ伝送するデータ伝送部と、上記撮像データを外部へ伝送する伝送速度に比例した数の差動増幅器を駆動させる制御部とを備える。
また、本発明に係るデータ伝送方法は、単位画素が二次元配列された固体撮像素子から読み出される撮像データを複数の差動伝送路を介して外部へ出力するデータ伝送方法であって、上記固体撮像素子から読み出された撮像データを所定数のビットデータ列に並べ替え、上記第1のクロックよりも動作周波数が高い第2のクロックを生成し、上記撮像データを外部へ伝送する伝送速度に比例した数の差動増幅器を駆動し、上記第2のクロックを基準として、上記駆動した差動増幅器毎に上記並べ替えられた各ビットデータ列を外部へ伝送する。
さらに、本発明に係る撮像装置は、単位画素が二次元配列された固体撮像素子から第1のクロックを基準として撮像データを読み出す撮像処理部と、上記撮像処理部から読み出された撮像データに所定のデータ処理を施す画像処理部とを備える撮像装置であって、
上記撮像処理部は、上記第1のクロックよりも動作周波数が高い第2のクロックを生成する第2のクロック生成部と、上記固体撮像素子から読み出される撮像データを所定数のビットデータ列に並べ替える配列処理部と、上記配列処理部で並べ替えられたビットデータ列を複数の差動伝送路を介して外部へ伝送する差動増幅器を複数有し、上記差動増幅器が上記ビットデータ列を上記第2のクロックを基準として外部へ伝送するデータ伝送部と、上記撮像データを上記画像処理部へ伝送する伝送速度に比例した数の差動増幅器を駆動させる制御部とを備える。
本発明は、固体撮像素子を第1のクロックで動作させるとともに、画素データを出力する出力側の回路を高周波数の第2のクロックで動作させる。このため、本発明では、固体撮像素子による撮像データの動作を速くしないで単位時間当たりにより多くの撮像データを出力するので、高画質のデータを出力する場合に固体撮像素子内部で発生するノイズを低減することができる。
また、本発明は、撮像データを外部へ伝送する伝送速度に比例した数の差動増幅器を駆動し、第2のクロックを基準として、駆動した差動増幅器で各ビットデータ列を外部へ伝送する。
このように、本発明では、差動伝送路を介して撮像データを外部へ伝送するので、データを伝送する際に生じる不要輻射を低減するとともに、画像データの画質に応じて最低限の差動増幅器を駆動するので伝送対象となる撮像データの画質に関わらず、省電力で撮像データを伝送することができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。以下に説明する実施の形態では、本発明を、例えば、固体撮像素子を用いて被写体を撮像する撮像装置(以下、単にビデオカメラ1という。)に適用したものである。
ビデオカメラ1は、図1に示すように、レンズユニット10と、C−MOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサ110とデータ出力部120とからなる撮像デバイス100と、画像処理デバイス200と、メモリ300と、システムコントローラ400と、記憶媒体500と、表示部600とを備えている。
レンズユニット10には、フォーカスレンズ、ズームレンズ及び絞り、並びに、これらレンズを駆動する駆動部が設けられている。また、レンズユニット10は、被写体像を受光してC−MOSイメージセンサ110の受光面に結像させる。
撮像デバイス100は、被写体像を受光して撮像データを生成するC−MOSイメージセンサ110と、C−MOSイメージセンサ110が生成した撮像データを画像処理デバイス200へ出力するデータ出力部120とからなる。
C−MOSイメージセンサ110は受光面に単位画素が二次元配列されており、各単位画素が結像された光を光電変換して電気信号を出力する。そしてC−MOSイメージセンサ110は各単位画素から電気信号を読み出して、読み出した電気信号を例えば10ビットの画素データに変換する。また、C−MOSイメージセンサ110はカラムラインの電気信号を4並列で出力するアンプを備えている。すなわち、C−MOSイメージセンサ110は単位時間当たりに4並列の画素データを出力する。
データ出力部120は、シリアル形式のビットデータを出力する合計10チャネルの出力端を備え、C−MOSイメージセンサ110が出力する4並列の画素データをシリアル形式のビットデータ列に置き換えて各チャネルから出力する。すなわち、撮像デバイス100は、データ出力部120からシリアル形式のビットデータ列として撮像データを画像処理デバイス200へ伝送する。
画像処理デバイス200は、撮像デバイス100から供給されるシリアル形式のビットデータ列を1画素単位の画素データに並べ替える。さらに、画像処理デバイス200は、画素データを二次元配列して1画面単位の画像データを生成し、生成した画像データをメモリ300に供給して記憶させる。
また、画像処理デバイス200は、一旦メモリ300に記憶させた画像データを読み出し、読み出した画像データにガンマ補正やホワイトバランス等の調整を施し、記憶メディアやディスプレイなどのフォーマットにデータ形式に変換する。さらに、画像処理デバイス200は、画像データを記憶媒体500及び表示部600に供給する。このようにして、ビデオカメラ1で撮像された画像データは、例えばハードディスクやフラッシュメモリなどの記憶媒体500に記憶され、また、LCD(Liquid Crystal Display)や有機EL(Electroluminescence)などの表示部600で表示される。
システムコントローラ400は、ビデオカメラ1の各デバイスに基準クロックCLK0を供給する。なお、基準クロックCLK0は、図2に示すように、撮像モードに応じて動作周波数を変更する。具体的に、システムコントローラ400は、画像データのピクセルレートが速い場合は動作周波数の高い基準クロックCLK0を生成し、撮像する画像データのピクセルレートが遅い場合は動作周波数の低い基準クロックCLK0を生成する。
また、システムコントローラ400は、これら処理部の制御を行う。特に、本実施形態に係るビデオカメラ1において、システムコントローラ400は、被写体を撮像する際に選択する撮像モードに応じた制御命令をデータ出力部120へ供給し、データ出力部120で使用する出力端のチャネル数を切り換える。
ここで、本実施形態では、例えば、ピクセルレート(M Pixel/s)で分けられる合計4種類の撮像モードがあるものとする。すなわち、これらの撮像モードは、撮像デバイス100から画像処理デバイス200へ単位時間当たりに供給する画素データの数(Pixel)がより多い形式から順に、静止画記録モード(432[M Pixel/s])・HD(High Definition)動画記録モード(108[M Pixel/s])・SD(Standard Definition)動画記録モード(54[M Pixel/s])・モニタリングモード(27[M Pixel/s])である。
従来のビデオカメラにおいて、図2(A)に示すように、これらの撮像モードに関わらずデータ出力部に相当する処理部では、常に合計10チャネルの出力端を使用する。そのため、従来のビデオカメラでは、撮像モードに応じて1チャネル当たりのビットレートが変化している。
これに対して、本実施形態に係るビデオカメラ1において、システムコントローラ400は、図2(B)に示すように、撮像モードに応じてデータ出力部120で使用する出力端のチャネル数を変化させる。
本実施形態では、上述した出力端で使用するチャネル数の選択処理に注目して撮像デバイス100及び画像処理デバイス200の構成に関して詳細に説明する。
まず、C−MOSイメージセンサ110の構成を、図3を参照して説明する。
C−MOSイメージセンサ110は、図3に示すように、m列×n行の2次元配列された複数の単位画素21と、各単位画素21から出力される電気信号を伝送するm本のカラム信号線(22−1,22−2,・・・、22−m)とを備えている。また、C−MOSイメージセンサ110は、水平方向に並んだm個の単位画素に接続されたn本の水平選択線23(23−1,23−2,・・・、23−n)と、n本の水平選択線23に選択信号を供給する水平アドレス選択回路24とを備えている。
C−MOSイメージセンサ110は、4個のカラムアンプ25(25−1,25−2,25−3,25−4)と、各カラム信号線22に接続されたm個のカラム選択スイッチ26(26−1,26−2,・・・,26−m)と、垂直アドレス選択回路27と、各カラムアンプ25の出力端に接続された4個のアナログ/ディジタル(A/D)変換器とを備えている。
m本のカラム信号線22は、カラムアンプ25に対応する本数(4本)を1セットとして、各カラム増幅器25に1つずつカラム選択スイッチ26を介して接続されている。すなわち、4本のセットのうち、1番目のカラム信号線22(22−1,22−5,・・・,25−(n−3))は、カラム選択スイッチ26を介して、カラムアンプ25−1に接続されている。2番目のカラム信号線22(22−2,22−6,・・・,25−(n−2))は、カラム選択スイッチ26を介して、カラムアンプ25−2に接続されている。3番目のカラム信号線22(22−3,22−7,・・・,25−(n−1))は、カラム選択スイッチ26を介して、カラムアンプ25−3に接続されている。4番目のカラム信号線22(22−4,22−8,・・・,25−n)は、カラム選択スイッチ26を介して、カラムアンプ25−4に接続されている。
垂直アドレス選択回路27は、カラム選択スイッチ26をON/OFFするカラム選択信号を発生する。垂直アドレス選択回路27は、4本のカラム信号線22をセットとしてカラム選択スイッチ26のON/OFFを制御する。カラム選択スイッチ26がONとなると、そのカラム信号線22に接続された単位画素21から出力された電気信号がカラム増幅器25に供給される。
A/D変換器28は、カラム増幅器25により増幅された電気信号をディジタル化して、1画素当たり10ビットの画素データを出力する。また、各A/D変換器28の出力端は、画素データを構成する各ビットデータに対応した合計10本の信号線でデータ出力部120と接続されており、例えば、基準クロックCLK0に基づくパルス信号の立ち上がり・立ち下がりの各タイミングで1ビットのデータを出力する。
また、C−MOSイメージセンサ110は、上述したように撮像モードによってシステムコントローラ400から供給される基準クロックCLK0の動作周波数が異なる。よって、C−MOSイメージセンサ110は、速いピクセルレートの撮像モードが選択されていると速いタイミングで画素データを出力し、遅いピクセルレートの撮像モードが選択されていると遅いタイミングで画素データを出力する。
なお、図4に示すように、各カラム信号線22に、A/D変換器29を挿入して、カラム信号線22から直接ディジタル化された画素データを出力するC−MOSイメージセンサを用いるようにしてもよい。また、C−MOSイメージセンサ110は、基準クロックCLK0に基づくパルス信号の立ち上がりのタイミング毎に1ビットのデータを出力するようにしてもよい。
以上のように、C−MOSイメージセンサ110は、被写体を撮像して単位時間当たり4並列の画素データを合計40本の信号線を介してデータ出力部120に供給する。
次に、データ出力部120、及び、画像処理デバイス200の構成について図5を参照して説明する。
データ出力部120は、C−MOSイメージセンサ110から合計40本の信号線を介して入力される4並列の画素データに以下に示すデータ処理を施して、当該出力端により最大10チャネルの差動伝送路を介して画像処理デバイス200へ撮像データを供給する。このように最大10チャネルの差動伝送路で画素データを出力するので、データ出力部120は、固体撮像デバイス100外部へデータを出力する出力端子の数が削減される。これに伴って、固体撮像デバイス100と画像処理デバイス200とを接続する信号線の数が削減され、合計40本の信号線を撮像デバイス100から画像処理デバイス200へ直接接続する場合に比べて、装置全体として回路規模が大幅に減少されることとなる。
具体的に、データ出力部120は、基準クロックCLK0を逓倍した高速クロックCLK1を生成する周波数逓倍回路121と、C−MOSイメージセンサ110から供給される4並列の画素データをパラレル形式のビットデータ列に並べ替える並べ替え処理部122と、並べ替え処理部122で並べ替えられたビットデータ列をシリアル形式に変換するパラレルシリアル変換部123と、パラレルシリアル変換部123で変換されたシリアル形式のビットデータ列を画像処理デバイス200へ伝送する合計10チャネルのデータ送信器124(124−1,124−2,・・・,124−10,)と、周波数逓倍回路121で生成した高速クロックCLK1を画像処理デバイス200へ伝送するクロック送信器125とを備える。
ここで、各データ送信器124(124−1,124−2,・・・,124−10)及びクロック送信器125は差動増幅器であり、それぞれ2本の信号線を1対とした差動伝送路を介して画像処理ブロック200に接続されている。
具体的に、クロック送信器125は、それぞれ逆位相となる2つパルス信号を用いて高速クロックCLK1を伝送する。各データ送信器124も、それぞれ逆位相となる2つパルス信号を用いてビットデータを伝送する。
画像処理デバイス200は、差動伝送路を介して伝送されてくるシリアル形式のパルスデータ列を受信する合計10チャネルのデータ受信器201(201−1,201−2,・・・,201−10)と、データ出力部120のクロック送信器125から送信される高速クロックCLK1を受信するクロック受信器202と、クロック受信器202が受信した高速クロックCLK1に同期したクロックを生成する分周回路203と、各データ受信器201が受信したシリアル形式のビットデータ列をパラレル形式のビットデータ列に変換するシリアルパラレル変換部204と、パラレル形式のビットデータ列から各画素データの境界を検出するデータ境界検出部205と、データ境界検出部205で検出された境界に基づいて撮像データから画素データを形成する並べ替え処理部206と、並べ替え処理部206で形成された画素データに含まれる同期コードを検出する同期コード検出部207とを備える。
ここで、データ受信器201及びクロック受信器202は差動増幅器であり、それぞれデータ出力部120のデータ送信器124及びクロック送信器125から伝送されてくるパルス信号で表現されたビットデータを受信する。
また、撮像デバイス100から差動伝送路を介して画像処理デバイス200へ撮像データを伝送する場合には、シングル伝送方式に対してコモン・モード雑音の影響を受けにくくなっている。よって、差動伝送方式では、信号の振幅を低くしてもシングル伝送方式と比べてより確実にデータを伝送できる。これにより、データ出力部120は、撮像データをシングル伝送方式で伝送する場合に比べて信号成分を小さくできる分、データ伝送速度の高速化を図ることができる。このようにデータ伝送速度の高速化が図れるので、周波数逓倍回路121で生成される高速クロックCLK1を基準としてビットデータを伝送できる。
ここで、高速クロックCLK1は、図6に示すように、基準クロックCLK0に同期して、基準クロックCLK0のパルス間隔Tを1/4倍したものである。高速クロックCLK1は、パラレルシリアル変換部123及びクロック送信器125にそれぞれ供給される。
また、高速クロックCLK1は、クロック送信器125から差動伝送路を介して画像処理ブロック200のクロック受信器202に伝送される。分周回路203は、クロック受信器202が受信した高速クロックCLK1を分周して、高速クロックCLK1に同期した高速クロックCLK2、及び、基準クロックCLK0に同期した低速クロックCLK3をそれぞれ生成して各処理部へ供給する。ここで、高速クロックCLK2は、低速クロックCLK3のパルス間隔を1/4倍したものである。このようにして、画像処理デバイス200では、高速クロックCLK2及び低速クロックCLK3を基準として、撮像デバイス100と同期をとっている。
さらに、データ出力部120は、システムコントローラ400から供給される制御命令に従い、撮像モードに応じて出力端で使用するチャネル数、すなわち、電力を供給させて駆動させるデータ送信器124を選択する。同様にして、画像処理デバイス200も、撮像モードに応じて電力を供給させて駆動させるデータ受信器201を選択する。このように、データ出力部120及び画像処理デバイス200の動作が撮像モードに応じて変化する。
続いて、データ出力部120及び画像処理デバイス200の各処理部の具体的な動作について説明する。以下では、図2に示した合計4種類の撮像モードのうち、静止画記録モード(432 M Pixel/s)・HD動画記録モード(108 M Pixel/s)・モニタリングモード(27 M Pixel/s)の3種類の撮像モードを具体例として挙げる。まず、撮像モードを静止画記録モード(432 M Pixel/s)として、データ出力部120及び画像処理デバイス200の各処理部の動作について詳述する。
並べ替え処理部122は、C−MOSイメージセンサ110から供給される4並列の画素データを10並列のビットデータ列に置き換える。
例えば、図7に示すように、4並列の画素データをそれぞれ第1の画素データ(D1[1],D1[2],・・・,D1[10])・第2の画素データ(D2[1],D2[2],・・・,D2[10])・第3の画素データ(D3[1],D3[2],・・・,D3[10])・第4の画素データ(D4[1],D4[2],・・・,D4[10])とすると、並べ替え処理部122は、これら4並列の画素データを、第1のビットデータ列(D1[1],D2[1],D3[1],D4[1])・第2のビットデータ列(D1[2],D2[2],D3[2],D4[2])・・・第10のビットデータ列(D1[10],D2[10],D3[10],D4[10])に置き換えるものとする。ここで、並べ替え処理部122は、基準クロックCLK0に基づくパルス信号の立ち上がり・立ち下がりの各タイミングで、4並列の画素データを10並列のビットデータ列に置き換える処理を行う。また、これらのビットデータ列は、並べ替え処理部122からパラレルシリアル変換部123へ供給される。
パラレルシリアル変換部123は、図8に示すように、各ビットデータ列を各チャネルに対応するデータ送信器124に割り当てる。そして、各チャネルのデータ送信器124は、高速クロックCLK1に基づくパルス信号の立ち上がり・立ち下がりの各タイミングで、1ビットずつデータを出力する。例えば、第1のビットデータ列は、送信器124−1から、高速クロックCLK1に基づくパルス信号の立ち上がり・立ち下がりの各タイミングで、D1[1]・D2[1]・D3[1]・D4[1]の順で出力される。すなわち、10チャネルのデータ送信器124全体では、高速クロックCLK1に基づくパルス信号の立ち上がり・立ち下がりの各タイミングで、1画素分の画素データを出力することとなる。
各データ送信器124から出力されたビットデータは、差動伝送路を介して画像処理デバイス200の各データ受信器201へ伝送される。シリアルパラレル変換部204は、高速クロックCLK2に基づくパルス信号の立ち上がり・立ち下がりの各タイミングに応じて各データ受信器201へ伝送されてきたパルス信号からビットデータを検出する。さらに、シリアルパラレル変換部204は、低速クロックCLK3に基づくパルス信号の立ち上がり・立ち下がりの各タイミングで、各データ受信器201から読み出した複数のビットデータを1つのビットデータ列としてデータ境界検出部205へ供給する。ここで、低速クロックCLK3が高速クロックCLK2の4周期分なので、シリアルパラレル変換部204は、1列当たり4ビットからなる合計10列のビットデータ列をデータ境界検出部205へ供給する。
データ境界検出部205は、低速クロックCLK3に基づくパルス信号の立ち上がり・立ち下がりの各タイミングで、シリアルパラレル変換部204から供給されるビットデータ列から、各画素データの最小位ビットと最大位ビットを検出し、検出結果を付加したビットデータ列を並べ替え処理部206へ供給する。
並べ替え処理部206は、低速クロックCLK3に基づくパルス信号の立ち上がり・立ち下がりの各タイミングでデータ境界検出部205から供給されるビットデータ列から、1画素当たり14ビット長に拡張した画素データを生成して同期コード検出部207へ供給する。
同期コード検出部207は、低速クロックCLK3に基づくパルス信号の立ち上がり・立ち下がりの各タイミングで、並べ替え処理部206から供給される各画素データから同期コードを検出する。この同期処理により、1画面を構成する複数の画素データ間で同期が図られることとなる。
そして、画像処理デバイス200では、1画面当たりの画素データで同期が図られた撮像データが1画面単位でメモリに記憶させることとなる。
このように、静止画撮像モードで撮像する場合、本実施形態に係るビデオカメラ1では、従来のビデオカメラと同様に10チャネルの差動伝送路に電力を供給して駆動させ、1チャネル当たり432[M bps]のデータレートで撮像データを固体撮像デバイス100から画像処理デバイス200へ供給させる。
次に、撮像モードをHD動画記録モードとした場合の撮像データの伝送処理について図8を参照して説明する。なお、データ出力部120及び画像処理デバイス200について静止画撮像モードと同様の処理に関して、その説明を省略する。
撮像モードがHD動画記録モードの場合、データ出力部120の並べ替え処理部122では、C−MOSイメージセンサ110から供給される4並列の画素データを、5並列で1列当たり8ビットのビットデータ列に置き換える。
具体的に5並列のビットデータ列は、図8(A)に示すように、第1のビットデータ列(D1[1],D1[2],D2[1],D2[2],D3[1],D3[2],D4[1],D4[2])・第2のビットデータ列(D1[3],D1[4],D2[3],D2[4],D3[3],D3[4],D4[3],D4[4])・・・第5のビットデータ列(D1[9],D1[10],D2[9],D2[10],D3[9],D3[10],D4[9],D4[10])に置き換えられる。そして、これら5並列のビットデータ列は5チャネル分の差動伝送路を介して画像処理デバイス200へ伝送される。
このように、HD動画記録モードで撮像する場合には、図2に示すように、5チャネル分の差動伝送路に電力が供給され、1チャネル当たり216[M bps]のデータレートで撮像データが、固体撮像デバイス100から画像処理デバイス200へ供給される。
これに対して、従来のビデオカメラでは、図8(B)に示すように、全10チャネルの差動伝送路を駆動して1チャネル当たりのデータレートを108[M bps]として、撮像データを固体撮像デバイス100から画像処理デバイス200へ供給する。
よって、本実施形態に係るデータ出力部120及び画像処理デバイス200では、図9(B)に示す従来のビデオカメラに対して、1チャネルのビットレートを2倍に速くして撮像データを伝送している。
次に、撮像モードをモニタリングモードとした場合の撮像データの伝送処理について図9を参照して説明する。
本実施形態に係るビデオカメラ1では、図9(A)に示すように、C−MOSイメージセンサ110から供給される4並列の画素データを並べ替え処理部122により1列のビットデータ列にし、1チャネルの差動伝送路を介して画像処理デバイス200へ伝送する。すなわち、撮像モードがモニタリングモードの場合には、1チャネル分の差動伝送路にのみ電力が供給されることとなる。
このように、モニタリングモードで撮像する場合には、図2に示すように、1チャネルの差動伝送路を駆動させて、1チャネル当たり270[M bps]のデータレートで、撮像データを固体撮像デバイス100から画像処理デバイス200へ供給する。
これに対して、従来のビデオカメラでは、上述したように10チャネルの差動伝送路の全てを使用して撮像データを伝送する。具体的に、従来のビデオカメラでは、図9(B)に示すように、他の撮像モードで動作する場合に比べて、1チャネル当たりのビットレートが遅くなる。
ところで、入出力端を差動増幅器とした差動伝送系は定電流伝送なので、伝送周波数に応じて差動伝送系の消費電力がほとんど変化しない。その一方、差動伝送系の消費電力は、使用する差動伝送路のチャネル数に比例して増加する。
ここで、静止画記録モードでは、従来のビデオカメラも本実施形態に係るビデオカメラ1も同様に10チャネルの差動伝送路を使用する。よって、本実施形態に係るビデオカメラ1では、撮像データを差動伝送する際に消費される電力が、従来の伝送方法と同等である。すなわち、撮像データのピクセルレートが速い場合には、1チャネル当たりの伝送レートに限界があり同様に全チャネル数の差動伝送路で伝送処理を行うので、従来のビデオカメラと比べて、差動伝送系の消費電力量に関してほとんど差異がない。
一方、HD動画記録モードでは、従来のビデオカメラが10チャネルの差動伝送路を使用するのに対して、本実施形態に係るビデオカメラ1が、5チャネルの差動伝送路を使用している。よって、本実施形態に係るビデオカメラ1では、差動伝送系で消費される電力を、従来に比べて約半分に低減することができる。
同様にして、モニタリングモードの場合、本実施形態に係るビデオカメラ1では、差動伝送系で消費される電力を、従来に比べて約1/10に低減することができる。
このように、本実施形態に係るビデオカメラ1では、撮像モードに関わらず、より速いビットレートでデータを伝送するように各チャネルの差動伝送系を駆動して、撮像データを伝送する。また、本実施形態に係るビデオカメラ1では、ピクセルレートに比例したチャネル数の差動伝送路を使用して撮像データを伝送する。よって、ビデオカメラ1は、遅いピクセルレートの撮像データを伝送する場合には、駆動させる差動伝送路のチャネル数を削減して低消費電力化を実現することができる。
以上のように、ビデオカメラ1では、差動伝送路を介して撮像データを伝送するので、データを伝送する際に生じる不要輻射を低減するとともに、画像データの画質に応じて最低限の差動増幅器を駆動するので伝送対象となる撮像データの画質に関わらず、省電力で撮像データを伝送することができる。
なお、本発明は、上述した実施の形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは勿論である。具体的には、上述した実施の形態において、撮像デバイス100から画像処理デバイス200へ画素データを伝送する差動伝送系は10チャネルの差動伝送路であるが、このチャネル数に限定されるものではない。また、本実施形態における高速クロックCLK1、CLK2は、基準クロックの動作周波数を4倍にしているが、これに限定されるものではない。
ビデオカメラ1の構成を模式的に示すブロック図である。 撮像モードに応じて変化するビデオカメラ内部の動作を示す図である。 C−MOSイメージセンサの回路基板を示す図である。 C−MOSイメージセンサの回路基板を示す図である。 撮像デバイスと画像処理デバイスとの構成を示す模式図である。 基準クロックCLK0と高速クロックCLK1とを示す図である。 静止画撮像モードにおけるビットデータの差動伝送処理を示す図である。 HD動画記録モードにおけるビットデータの差動伝送処理を示す図である。 モニタリングモードにおけるビットデータの差動伝送処理を示す図である。
符号の説明
1 ビデオカメラ、100 固体撮像デバイス、110 C−MOSイメージセンサ、120 データ出力部、121 周波数逓倍回路、122 並べ替え処理部、123 パラレルシリアル変換部、124 データ送信器、125 クロック送信器、200 画像処理デバイス、201 データ受信器、202 クロック受信器、203 分周回路、204 シリアルパラレル変換部、205 データ境界検出部、206 並べ替え処理部、207 同期コード検出部

Claims (5)

  1. 第1のクロックを基準として、二次元配列された単位画素から撮像データを読み出す固体撮像素子と、
    上記第1のクロックよりも動作周波数が高い第2のクロックを生成する第2のクロック生成部と、
    上記固体撮像素子から読み出される撮像データをビットデータ列に並べ替える配列処理部と、
    上記配列処理部で並べ替えられたビットデータ列を複数の差動伝送路を介して外部へ伝送する差動増幅器を複数有し、上記差動増幅器が上記ビットデータ列を上記第2のクロックを基準として外部へ伝送するデータ伝送部と、
    上記撮像データを外部へ伝送する伝送速度に比例した数の差動増幅器を駆動させる制御部とを備えることを特徴とする固体撮像装置。
  2. 上記第2のクロック生成部は、上記第1のクロックの動作周波数を逓倍した第2のクロックを生成することを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 上記固体撮像素子は、上記第1のクロックを基準として、単位時間当たりに複数列の画素データを読み出し、
    上記配列処理部は、上記複数列の画素データを上記ビットデータ列に並べ替えることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  4. 単位画素が二次元配列された固体撮像素子から読み出される撮像データを複数の差動伝送路を介して外部へ出力するデータ伝送方法であって、
    上記固体撮像素子から読み出された撮像データを所定数のビットデータ列に並べ替え、
    上記第1のクロックよりも動作周波数が高い第2のクロックを生成し、
    上記撮像データを外部へ伝送する伝送速度に比例した数の差動増幅器を駆動し、
    上記第2のクロックを基準として、上記駆動した差動増幅器毎に上記並べ替えられた各ビットデータ列を外部へ伝送することを特徴とするデータ伝送方法。
  5. 単位画素が二次元配列された固体撮像素子から第1のクロックを基準として撮像データを読み出す撮像処理部と、上記撮像処理部から読み出された撮像データに所定のデータ処理を施す画像処理部とを備える撮像装置であって、
    上記撮像処理部は、
    上記第1のクロックよりも動作周波数が高い第2のクロックを生成する第2のクロック生成部と、
    上記固体撮像素子から読み出される撮像データを所定数のビットデータ列に並べ替える配列処理部と、
    上記配列処理部で並べ替えられたビットデータ列を複数の差動伝送路を介して外部へ伝送する差動増幅器を複数有し、上記差動増幅器が上記ビットデータ列を上記第2のクロックを基準として外部へ伝送するデータ伝送部と、
    上記撮像データを上記画像処理部へ伝送する伝送速度に比例した数の差動増幅器を駆動させる制御部とを備えることを特徴とする撮像装置。
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TW096122587A TW200818892A (en) 2006-06-30 2007-06-22 Solid-state image pickup device, data transmitting method and image pickup device
EP07767589A EP2037673A4 (en) 2006-06-30 2007-06-26 Solid state image capture device, data transfer method, and image capture device
BRPI0713075-9A BRPI0713075A2 (pt) 2006-06-30 2007-06-26 dispositivo de captação de imagem de estado sólido, método de transmissão de dados, e, aparelho de captação de imagem
PCT/JP2007/062783 WO2008001760A1 (en) 2006-06-30 2007-06-26 Solid-state image pickup device, data transmitting method and image pickup device
KR1020087031851A KR20090025294A (ko) 2006-06-30 2007-06-26 고체 촬상장치, 데이터전송방법 및 촬상장치
CN2007800248429A CN101485194B (zh) 2006-06-30 2007-06-26 固态摄像装置、数据传输方法以及摄像装置
RU2008152036/09A RU2429585C2 (ru) 2006-06-30 2007-06-26 Твердотельное устройство съемки изображения, способ передачи данных и устройство съемки изображения
US12/305,198 US8169499B2 (en) 2006-06-30 2007-06-26 Solid-state image pick-up device, data transmission method, and image pickup apparatus

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Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11339430B2 (en) 2007-07-10 2022-05-24 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
US8262900B2 (en) 2006-12-14 2012-09-11 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
GB2457851B (en) 2006-12-14 2011-01-05 Ion Torrent Systems Inc Methods and apparatus for measuring analytes using large scale fet arrays
DE102007027463B4 (de) * 2007-06-14 2021-03-25 Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg Bildsensor
JP5034797B2 (ja) * 2007-09-07 2012-09-26 セイコーエプソン株式会社 シリアルインターフェース回路及び電子機器
JP4587185B2 (ja) * 2008-02-27 2010-11-24 キヤノン株式会社 撮像システム及び撮像装置の制御方法
JP5258355B2 (ja) * 2008-04-03 2013-08-07 キヤノン株式会社 撮像装置及びその駆動方法
JP5253964B2 (ja) * 2008-05-29 2013-07-31 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
US20100137143A1 (en) 2008-10-22 2010-06-03 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
US20100301398A1 (en) 2009-05-29 2010-12-02 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
JP5424726B2 (ja) * 2009-06-05 2014-02-26 オリンパス株式会社 撮像装置
US20120261274A1 (en) 2009-05-29 2012-10-18 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
US8776573B2 (en) 2009-05-29 2014-07-15 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
KR101697341B1 (ko) 2010-06-08 2017-02-01 삼성전자 주식회사 영상데이터처리방법, 상기 영상데이터처리방법을 이용하는 이미지센서 및 영상데이터처리시스템
EP2588851B1 (en) 2010-06-30 2016-12-21 Life Technologies Corporation Ion-sensing charge-accumulation circuit and method
EP2588850B1 (en) 2010-06-30 2016-12-28 Life Technologies Corporation Method for dry testing isfet arrays
TWI465716B (zh) 2010-06-30 2014-12-21 生命技術公司 用於檢測及測量化學反應及化合物之電晶體電路
US11307166B2 (en) 2010-07-01 2022-04-19 Life Technologies Corporation Column ADC
US8653567B2 (en) 2010-07-03 2014-02-18 Life Technologies Corporation Chemically sensitive sensor with lightly doped drains
JP2012049911A (ja) 2010-08-27 2012-03-08 Canon Inc 光電変換装置および撮像システム
JP2012049912A (ja) 2010-08-27 2012-03-08 Canon Inc 光電変換装置および撮像システム
JP5671890B2 (ja) * 2010-08-31 2015-02-18 株式会社ニコン 撮像装置
WO2012036679A1 (en) 2010-09-15 2012-03-22 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
KR101230397B1 (ko) 2010-09-29 2013-02-07 (주) 인텍플러스 영상 데이터 고속 송/수신 방법 및 장치
JP5598220B2 (ja) * 2010-09-30 2014-10-01 ソニー株式会社 送信装置、送信方法、受信装置、受信方法および送受信システム
JP5721518B2 (ja) * 2011-04-21 2015-05-20 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
US9970984B2 (en) 2011-12-01 2018-05-15 Life Technologies Corporation Method and apparatus for identifying defects in a chemical sensor array
US8786331B2 (en) 2012-05-29 2014-07-22 Life Technologies Corporation System for reducing noise in a chemical sensor array
JP5973321B2 (ja) * 2012-10-30 2016-08-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像素子
US9080968B2 (en) 2013-01-04 2015-07-14 Life Technologies Corporation Methods and systems for point of use removal of sacrificial material
US9841398B2 (en) 2013-01-08 2017-12-12 Life Technologies Corporation Methods for manufacturing well structures for low-noise chemical sensors
US8963216B2 (en) 2013-03-13 2015-02-24 Life Technologies Corporation Chemical sensor with sidewall spacer sensor surface
WO2014149779A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Life Technologies Corporation Chemical device with thin conductive element
US9835585B2 (en) 2013-03-15 2017-12-05 Life Technologies Corporation Chemical sensor with protruded sensor surface
CN105264366B (zh) 2013-03-15 2019-04-16 生命科技公司 具有一致传感器表面区域的化学传感器
US20140336063A1 (en) 2013-05-09 2014-11-13 Life Technologies Corporation Windowed Sequencing
US10458942B2 (en) 2013-06-10 2019-10-29 Life Technologies Corporation Chemical sensor array having multiple sensors per well
JP6579744B2 (ja) * 2014-11-28 2019-09-25 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、撮像装置の駆動方法、及び撮像装置の検査方法
WO2016100521A1 (en) 2014-12-18 2016-06-23 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale fet arrays
US10077472B2 (en) 2014-12-18 2018-09-18 Life Technologies Corporation High data rate integrated circuit with power management
KR102593647B1 (ko) * 2014-12-18 2023-10-26 라이프 테크놀로지스 코포레이션 트랜스미터 구성을 갖춘 높은 데이터율 집적 회로
CN105049675B (zh) * 2015-06-30 2018-03-13 广东实联医疗器械有限公司 一种医用内窥镜的图像处理增强及显示驱动电路
CN104954653B (zh) * 2015-06-30 2018-03-13 广东实联医疗器械有限公司 一种用于医用内窥镜的视频采集、处理及增强电路
CN105007416B (zh) * 2015-06-30 2018-03-13 广东实联医疗器械有限公司 一种医用内窥镜的视频采集增强装置
CN104935895B (zh) * 2015-06-30 2018-08-07 广东实联医疗器械有限公司 一种用于医用内窥镜的视频采集处理电路
CN105100548B (zh) * 2015-06-30 2018-08-07 广东实联医疗器械有限公司 一种用于医用内窥镜的图像处理增强电路
CN105208331A (zh) * 2015-09-18 2015-12-30 广东实联医疗器械有限公司 一种医疗摄像系统的视频采集、传输和增强电路
CN105306886A (zh) * 2015-09-18 2016-02-03 广东实联医疗器械有限公司 一种医疗摄像系统的视频采集处理及增强电路
JP6952339B2 (ja) * 2018-01-12 2021-10-20 ザインエレクトロニクス株式会社 映像信号受信装置および映像信号送受信システム
CN115190255B (zh) 2021-04-06 2025-04-25 群创光电股份有限公司 感测装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4251834A (en) * 1979-05-29 1981-02-17 Texas Instruments Incorporated Block output CCD imager
US5457494A (en) * 1988-11-21 1995-10-10 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup signal processing apparatus
RU2083056C1 (ru) * 1993-05-26 1997-06-27 Новгородский государственный университет им.Ярослава Мудрого Телевизионная камера на приборах с зарядовой связью
JPH09247519A (ja) * 1996-03-08 1997-09-19 Sony Corp 撮像装置
JPH09322077A (ja) * 1996-05-31 1997-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撮像装置
RU2216117C2 (ru) * 2001-05-14 2003-11-10 Тамбовский военный авиационный инженерный институт Способ пространственно-временной обработки изображений на основе матриц фоточувствительных приборов с зарядовой связью и устройство для его реализации
JP2006182030A (ja) 2002-06-03 2006-07-13 Pioneer Electronic Corp 情報記録媒体
JP4601897B2 (ja) * 2002-11-13 2010-12-22 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
JP4457613B2 (ja) * 2003-09-04 2010-04-28 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP4144578B2 (ja) * 2003-10-15 2008-09-03 ソニー株式会社 固体撮像装置、画素信号処理方法
JP2005244709A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 映像信号処理装置
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